JP6978775B2 - 光電変換素子、光センサ、発電装置、及び光電変換方法 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の実施形態による光電変換素子10の構成図である。光電変換素子10は、光電変換部1と、第1及び第2の電極2,3とを備える。
図2を参照して空間反転対称性の破れをより詳しく説明する。図2は、図1の光電変換素子10における光電変換部1の分子構造を一例として示す模式図である。図2では、光電変換部1を形成する極性材料は、強誘電性材料である。強誘電性材料は、その温度が自身のキュリー温度以下になると強誘電体となる。図2の左右方向は、電極離間方向であり図1の左右方向に一致する。
光電変換部1がp型半導体である場合、p型半導体としての極性材料は、例えば、SbSI,BiFeO3,TTF-CA(tetrathiafulvalene-p-chloranil),TTF-BA (tetrathiafulvalene-bromanil),TMB-TCNQ(tetramethylbenzidine- tetracyanoquinodimethane),GeTe,CdTe,GaFeO3,RMnO3(Rは希土類元素),Ca3Mn2O7,LuFe2O4,CH3NH3PbI3,(2-(ammoniomethyl)pyridinium)SbI5,又はSn2P2S6であってよい。この場合、第1及び第2の電極2,3を形成する金属材料は、例えば、Ag,Pt,Au,ITO,MoO3,TTF-TCNQ(tetrathiafulvalene-tetracyanoquinodimethane),PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate))のうち、光電変換部1のフェルミ準位以下のフェルミ準位を有するいずれかであってよい。
・p型半導体の場合
図3は、本発明の実施形態による光電変換部1と電極2,3のバンド構造の模式図であり、光電変換部1がp型半導体である場合を示す。図3において、(A)は、第1及び第2の電極2,3が光電変換部1から分離している状態を示し、(B)は、第1及び第2の電極2,3を図1のように光電変換部1に接合させた状態を示す。図3において、Ecは、伝導帯の下端のエネルギー準位を示し、Evは、価電子帯の上端のエネルギー準位を示す(後述する図4〜図6の場合も同じである)。
図5は、本発明の実施形態による光電変換部1と電極2,3のバンド構造の模式図であり、光電変換部1がn型半導体である場合を示す。図5において、(A)は、第1及び第2の電極2,3が光電変換部1から分離している状態を示し、(B)は、第1及び第2の電極2,3を図1のように光電変換部1に接合させた状態を示す。
図7は、本発明の実施形態による光電変換素子10の等価回路を示す。図7(A)では、第1及び第2の電極2,3間は開放されており、図7(B)では、第1及び第2の電極2,3は、電流ライン4により接続され、電流ライン4には電流計14が設けられている。
本発明の実施形態による光電変換素子10の実験例1について説明する。この実験例1では、光電変換部1を形成する極性材料を、p型半導体であるSbSIとし、第1及び第2の電極2,3を形成する材料をPtとした。SbSIのキュリー温度は約295Kであり、SbSIは、キュリー温度以下になると、強誘電体になる。
本発明の実施形態による光電変換素子10の実験例2について説明する。この実験例2では、光電変換部1を形成する極性材料を、p型半導体であるTTF-CAとし、第1及び第2の電極2,3を形成する材料をPtとした。TTF-CAのキュリー温度は約81Kであり、TTF-CAは、キュリー温度以下になると、強誘電体になる。このような光電変換素子10を図11のように用意した。また、図11において、光電変換部1に実験用の第3及び第4の電極5,6を接合した。第3及び第4の電極5,6の離間方向は、第1及び第2の電極2,3の離間方向と直交する。第1〜第4の電極2,3,5,6をそれぞれ電流ライン(導線)7,8,9,11により接地し、電流ライン7,9にそれぞれ電流計15,16を設けた。
本発明の実施形態による光電変換素子10の実験例3について説明する。この実験例3では、光電変換部1を形成する極性材料を、TTF-CAとし、第1及び第2の電極2,3を形成する材料をPtとした。第1及び第2の電極2,3同士の離間距離を約670μmに設定した。また、図14のように、第1及び第2の電極2,3同士を電流ライン4(導線)で接続し、電流ライン4に電流計14を設けた。
比較例による光電変換素子20の実験例4について説明する。光電変換素子20は、図16(A)のように、第1及び第2の電極22,23を互いに離間させて光電変換部21に接合したものである。光電変換部21を形成する極性材料を、p型半導体のSbSIとし、第1の電極22を形成する材料をPtとし、第2の電極23を形成する材料をLiF/Alとした。Ptのフェルミ準位は、SbSIのフェルミ準位よりも低いが、LiF/Alのフェルミ準位は、SbSIのフェルミ準位よりも高い。したがって、図16(A)の光電変換素子20のバンド構造は上述した図4(B)のようになる。
図17(A)は、極性材料SbSIのバンド構造を、各材料のフェルミ準位との関係で示した図である。図17(A)において、左側には、SbSIのバンド構造を示す。図17(A)の左側のSbSIにおいて、Ef0は、フェルミ準位を示し、Ecは、伝導帯の下端のエネルギー準位を示し、Evは、価電子帯の上端のエネルギー準位を示す。Ef0,Ec,Evは、それぞれ、真空の電子のポテンシャルエネルギーよりも5.0eV,3.35eV,5.50eVだけ低い。図17(A)の右側には、各材料Pt,Au,Ag,Al,LiF/Al,Mg,Caのフェルミ準位をそれぞれ太い横線で示している。
本発明の実施形態による光電変換素子10と従来例とを比較する実験を行った。本発明の実施形態による光電変換素子10について、この例では、光電変換部1を形成する極性材料をSbSIとし、第1及び第2の電極2,3を形成する材料をPtとした。光電変換部1の温度を次第に下げ、上述と同様に、各温度で、光電変換部1を一定の電極離間方向に分極させ、光電変換部1に一定強度の光を入射させた状態で、第1及び第2の電極2,3から取り出される電流を測定した。図18の太い実線は、本実施形態の測定結果である。
図19(A)は、本発明の実施形態による光電変換素子10を適用した光センサ100の概略構成図である。光センサ100は、第1及び第2の電極2,3から取り出される電流により光電変換部1への光入射を検出する。光センサ100は、上述した光電変換素子10と、電流ライン4と、検出部101を備えてよい。
本発明の実施形態による光電変換方法は、ステップS1,S2を有する。ステップS1では、上述した光電変換素子10を用意して所望の位置に設置する。ステップS2では、ステップS1で用意した光電変換素子10において、第1及び第2の電極2,3の間の位置で光電変換部1に光を入射させ、これにより光電変換部1で発生した電流を第1及び第2の電極2,3から電流ライン4に取り出す。取り出された電流は、電流ライン4を通って所望の箇所(例えば上述の検出部101、蓄電池201、又は負荷)に流入する。
(1)上述した本発明の実施形態によると、光電変換部1への光入射により発生する電子と正孔のペアは、光電変換部1を形成する極性材料の構造の空間反転対称性が破れていることによって、互いに反対方向に移動させられる。これにより、光電変換部1の多数キャリア(電子又は正孔)は、第1及び第2の電極2,3の一方へ移動する。
2 第1の電極
3 第2の電極
4 電流ライン
5 第3の電極
6 第4の電極
7,8,9,11 電流ライン
10 光電変換素子
13 抵抗
14,15,16 電流計
20 比較例の光電変換素子
21 比較例の光電変換部
22 比較例の第1の電極
23 比較例の第2の電極
24 電流ライン
25 電流計
100 光センサ
101 検出部
200 発電装置
201 蓄電池
Claims (14)
- 極性材料からなり、p−n接合を有しない光電変換部と、
前記光電変換部に設けられ、間隔をおいて配置された第1及び第2の電極とを備え、
前記光電変換部は、前記第1及び第2の電極との間で揃った方向に分極しており、空間反転対称性が破れている構造を有し、
前記第1及び第2の電極は、ポテンシャル障壁を生じさせない金属材料からなり、
前記ポテンシャル障壁は、前記光電変換部にとっての多数キャリアが前記第1及び第2の電極から前記光電変換部へ移動することを妨げるものであり、
前記光電変換部に光が入射すると、前記多数キャリアが前記分極により前記第1及び第2の電極の一方へ移動して前記第1及び第2の電極間に起電力が発生するように、前記光電変換部と前記第1及び第2の電極が構成されている
光電変換素子。 - 前記光電変換部がp型半導体である場合には、前記金属材料は、前記極性材料のフェルミ準位以下のフェルミ準位を有する
請求項1に記載の光電変換素子。 - 極性材料からなり、p−n接合を有しない光電変換部と、
前記光電変換部に設けられ、間隔をおいて配置された第1及び第2の電極とを備え、
前記光電変換部の構造は、空間反転対称性が破れており、
前記第1及び第2の電極は、ポテンシャル障壁を生じさせない金属材料からなり、
前記ポテンシャル障壁は、前記光電変換部にとっての多数キャリアが前記第1及び第2の電極から前記光電変換部へ移動することを妨げるものであり、
前記光電変換部がn型半導体である場合には、前記金属材料は、前記極性材料のフェルミ準位以上のフェルミ準位を有する
光電変換素子。 - 前記第1の電極の前記金属材料は、前記第2の電極の前記金属材料と同じである
請求項1から3のいずれか一項に記載の光電変換素子。 - 前記第1及び第2の電極は、前記光電変換部の分極方向に間隔をおいて配置されている
請求項1から4のいずれか一項に記載の光電変換素子。 - 前記光電変換部は、焦電性材料または強誘電性材料で形成されている
請求項1から5のいずれか一項に記載の光電変換素子。 - 極性材料からなり、p−n接合を有しない光電変換部と、
前記光電変換部に設けられ、間隔をおいて配置された第1及び第2の電極とを備え、
前記光電変換部の構造は、空間反転対称性が破れており、
前記第1及び第2の電極は、ポテンシャル障壁を生じさせない金属材料からなり、
前記ポテンシャル障壁は、前記光電変換部にとっての多数キャリアが前記第1及び第2の電極から前記光電変換部へ移動することを妨げるものであり、
互いに結晶材料が異なるA層、B層、及びC層を順に積層したものを1つの積層薄膜として、
前記光電変換部は、前記積層薄膜をN回(Nは1以上の整数)積層したものであり、
前記A層、B層、及びC層の各々は、ナノオーダーの厚みを有する原子層薄膜である
光電変換素子。 - 前記焦電性材料は、GaFeO3,CdS,GaN,ZnO,CdTe,BiTeI,又はBiTeBrである
請求項6に記載の光電変換素子。 - 前記強誘電性材料は、SbSI,BiSI,TTF-CA(tetrathiafulvalene-p-chloranil),TTF-BA(tetrathiafulvalene-bromanil),BiFeO3,TMB-TCNQ(tetramethylbenzidine- tetracyanoquinodimethane),RMnO3(Rは希土類元素),Ca3Mn2O7,LuFe2O4,GeTe,CH3NH3PbI3,(2-(ammoniomethyl)pyridinium)SbI5,Sn2P2S6,BaTiO3,PbTiO3,Pb5Ge3O11,Pb(Zr,Ti)O3 (PZT),LiNbO3,LiTaO3,KNbO3,又はKH2PO4(KDP)である
請求項6に記載の光電変換素子。 - 前記A層、B層、及びC層の結晶材料の組み合わせは、LaAlO3,LaFeO3,及びLaCrO3の組み合わせ、又は、CaTiO3,BaTiO3,及びSrTiO3の組み合わせである
請求項7に記載の光電変換素子。 - 請求項1〜10のいずれか一項に記載の光電変換素子を備え、前記第1及び第2の電極から取り出される電流により前記光電変換部への光入射を検出する光センサ。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載の光電変換素子を備え、前記第1及び第2の電極から取り出される電力を、蓄電池又は負荷へ供給する発電装置。
- 極性材料からなる光電変換部と、前記光電変換部に設けられ間隔をおいて配置された第1及び第2の電極とを備える光電変換素子を用いた光電変換方法であって、
前記光電変換部は、p−n接合を有せず、前記第1及び第2の電極との間で揃った方向に分極しており、空間反転対称性が破れている構造を有するものであり、
前記第1及び第2の電極は、ポテンシャル障壁を生じさせない金属材料からなり、前記ポテンシャル障壁は、前記光電変換部にとっての多数キャリアが前記第1及び第2の電極から前記光電変換部へ移動することを妨げるものであり、
前記第1及び第2の電極の間において前記光電変換部に光を入射させることで、前記多数キャリアが前記分極により前記第1および第2の電極の一方へ移動して前記第1及び第2の電極間に起電力が発生し、前記第1及び第2の電極から電流を取り出す
光電変換方法。 - 前記極性材料は、強誘電性材料であり、
前記光電変換部に対して、前記第1及び第2の電極の離間方向に電場を印加することにより前記光電変換部の分極方向を前記離間方向に揃え、
前記分極方向が前記離間方向に揃っている状態で、前記第1及び第2の電極の間において前記光電変換部に光を入射させ、前記光電変換部で発生した電流を前記第1及び第2の電極から取り出す
請求項13に記載の光電変換方法。
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