JP6942491B2 - Imprinting equipment and manufacturing method of goods - Google Patents

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Description

本発明は、インプリント装置、および物品の製造方法に関する。 The present invention relates to an imprinting apparatus and a method for manufacturing an article.

凹凸のパターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板上のインプリント材に当該パターンを転写するインプリント装置が、半導体デバイスなどの量産用リソグラフィ装置の1つとして注目されている。インプリント装置は、モールドと基板上のインプリント材とを接触させた状態で当該インプリント材を硬化させるインプリント処理を行うことにより、基板上のインプリント材にパターンを形成することができる。このようなインプリント装置では、モールドとインプリント材とを接触させたときにモールドのパターンに気泡が残存していると、インプリント材に形成されたパターンに欠損が生じうる。特許文献1には、モールドのパターン領域を基板に向かって突出した凸形状に変形させてモールドとインプリント材とを接触させることにより、モールドのパターンにおける気泡の残存を低減する方法が開示されている。 An imprinting apparatus that transfers the pattern to an imprinting material on a substrate by using a mold having a pattern region in which an uneven pattern is formed is attracting attention as one of mass production lithography apparatus such as a semiconductor device. The imprint apparatus can form a pattern on the imprint material on the substrate by performing an imprint process of curing the imprint material in a state where the mold and the imprint material on the substrate are in contact with each other. In such an imprinting apparatus, if air bubbles remain in the pattern of the mold when the mold and the imprint material are brought into contact with each other, the pattern formed on the imprint material may be defective. Patent Document 1 discloses a method of reducing the residual air bubbles in the mold pattern by deforming the pattern region of the mold into a convex shape protruding toward the substrate and bringing the mold and the imprint material into contact with each other. There is.

特表2009−536591号公報Special Table 2009-536591

モールドには、パターン領域を変形しやすくするため、パターン領域とその周辺の厚さが薄くなるように、パターン領域を有する面と反対側の面にキャビティ(凹部)が形成されうる。しかしながら、キャビティは、例えば製造誤差などにより、キャビティの重心がパターン領域の中心からずれて形成されることがある。この場合、パターン領域のうち変形の際に最も変位する箇所(最大変位箇所)が、パターン領域の中心に対してずれることとなる。そのため、最大変位箇所からモールドと基板との接触を開始させてしまうと、モールドとインプリント材との接触領域を拡げている間、パターン領域を歪ませるような力がモールドに加わりうる。その結果、基板上のインプリント材に精度よくパターンを形成することが困難になりうる。 In order to make the pattern region easily deformable, the mold may have a cavity (recess) formed on the surface opposite to the surface having the pattern region so that the thickness of the pattern region and its periphery becomes thin. However, the cavity may be formed with the center of gravity of the cavity deviated from the center of the pattern region due to, for example, a manufacturing error. In this case, the most displaced portion (maximum displacement portion) of the pattern region at the time of deformation is displaced with respect to the center of the pattern region. Therefore, if the contact between the mold and the substrate is started from the maximum displacement position, a force that distorts the pattern region can be applied to the mold while the contact region between the mold and the imprint material is expanded. As a result, it may be difficult to accurately form a pattern on the imprint material on the substrate.

そこで、本発明は、基板上のインプリント材にパターンを精度よく形成するために有利なインプリント装置を提供することを目的とする。 Therefore, an object of the present invention is to provide an imprinting apparatus which is advantageous for forming a pattern on an imprinting material on a substrate with high accuracy.

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板上のインプリント材に当該パターンを転写するインプリント装置であって、基板に向かって突出した凸形状に前記パターン領域を変形させる変形部と、前記変形部により前記パターン領域を変形し且つ前記モールドと前記基板との相対傾きを目標相対傾きとした状態で前記モールドと前記インプリント材との接触を開始、前記モールドと当該インプリント材との接触領域を徐々に拡げる処理を制御する制御部と、を含み、前記制御部は、前記モールドと基板との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について取得された、前記触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置の変化を示す関係基づいて、前記接触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置の変化の比率が所定値になるときの前記相対傾きを求め、求めた前記相対傾きに基づいて前記目標相対傾きを決定する、ことを特徴とする。 In order to achieve the above object, the imprint device as one aspect of the present invention is an imprint device that transfers the pattern to the imprint material on the substrate by using a mold having a pattern region in which the pattern is formed. In a state where the pattern region is deformed into a convex shape protruding toward the substrate and the pattern region is deformed by the deformed portion and the relative inclination between the mold and the substrate is set as the target relative inclination. anda controller which initiates contact with the imprint material and the mold, controls the gradually expanding processing area of contact between the mold and the imprint material, wherein the control unit includes: the mold and the substrate for the relative tilt is obtained for each of the different plurality of states to each other, based on the relationship shown a change in the position of the center of gravity of the contact area with respect to changes in the size of the contact touch area, the change in size of the contact area The relative inclination when the ratio of changes in the position of the center of gravity of the contact region reaches a predetermined value is obtained, and the target relative inclination is determined based on the obtained relative inclination.

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。 Further objects or other aspects of the invention will be manifested in the preferred embodiments described below with reference to the accompanying drawings.

本発明によれば、例えば、基板上のインプリント材にパターンを精度よく形成するために有利なインプリント装置を提供することができる。 According to the present invention, for example, it is possible to provide an imprinting apparatus that is advantageous for accurately forming a pattern on an imprinting material on a substrate.

第1実施形態のインプリント装置を示す概略図である。It is the schematic which shows the imprint apparatus of 1st Embodiment. インプリント処理のフローを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of imprint processing. モールドと基板との目標相対傾きを決定する方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the method of determining the target relative inclination of a mold and a substrate. 撮像部により得られた画像を示す図である。It is a figure which shows the image obtained by the imaging unit. 接触領域の大きさと重心位置との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the size of a contact area and the position of the center of gravity. 変化率の情報を示す図である。It is a figure which shows the information of the rate of change. 変形部により変形されたパターン領域の湾曲状態を示す図である。It is a figure which shows the curved state of the pattern region deformed by the deformed part. 変形部により変形させたモールドと基板とを徐々に接触させたときの図である。It is a figure when the mold deformed by the deformed part and a substrate are gradually brought into contact with each other. パターン領域における接触領域の境界部分の傾斜が変化する様子を示す図である。It is a figure which shows how the inclination of the boundary part of the contact area in a pattern area changes. 接触開始位置の情報を示す図である。It is a figure which shows the information of the contact start position. モールドと基板との目標相対傾きを決定する方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the method of determining the target relative inclination of a mold and a substrate. パターン領域と接触開始位置および中心のそれぞれについての、モールドと基板との相対傾きの変化に対するXY位置の変化を示す関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship which shows the change of the XY position with respect to the change of the relative inclination of a mold and a substrate for each of a pattern region, a contact start position and a center. 変化率の情報、および接触開始位置の情報を示す図である。It is a figure which shows the information of the rate of change, and the information of the contact start position. 相対傾きTAおよびTBのときの接触開始位置と接触領域の拡がりとを示す図である。It is a figure which shows the contact start position and the expansion of a contact area at the time of relative inclination TA and TB. モールドと基板との相対傾きの制御を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the control of the relative inclination of a mold and a substrate. モールドと基板との相対傾きの制御プロファイルを示す図である。It is a figure which shows the control profile of the relative inclination of a mold and a substrate. 接触領域の大きさと重心位置との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the size of a contact area and the position of the center of gravity. モールドと基板との相対傾きの制御プロファイルを示す図である。It is a figure which shows the control profile of the relative inclination of a mold and a substrate. 接触領域の大きさと重心位置との関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the size of a contact area and the position of the center of gravity. 制御プロファイルの生成方法を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the generation method of a control profile.

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、以下の説明において、基板に照射される光の光軸と平行な方向をZ方向とし、Z方向に垂直な面内において直交する2つの方向をX方向およびY方向とする。 Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. In each figure, the same member or element is given the same reference number, and duplicate description is omitted. Further, in the following description, the direction parallel to the optical axis of the light irradiating the substrate is defined as the Z direction, and the two directions orthogonal to each other in the plane perpendicular to the Z direction are defined as the X direction and the Y direction.

<第1実施形態>
本発明に係る第1実施形態のインプリント装置100について説明する。インプリント装置は、基板上に供給されたインプリント材を型と接触させ、インプリント材に硬化用のエネルギを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。インプリント装置100は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたパターン領域1aを有するモールド1を用いて、基板2のショット領域上に供給されたインプリント材に当該パターンを転写するインプリント処理を行う。例えば、インプリント装置100は、パターンが形成されたモールド1を基板上のインプリント材に接触させた状態で当該インプリント材を硬化する。そして、インプリント装置100は、モールド1と基板2との間隔を広げ、硬化したインプリント材からモールド1を剥離(離型)することによって、インプリント材にパターンを形成することができる。
<First Embodiment>
The imprinting apparatus 100 of the first embodiment according to the present invention will be described. The imprint device is a device that forms a pattern of a cured product to which the uneven pattern of the mold is transferred by bringing the imprint material supplied on the substrate into contact with the mold and applying energy for curing to the imprint material. be. The imprinting apparatus 100 uses a mold 1 having a pattern region 1a on which a pattern is formed, which is used in manufacturing a semiconductor device or the like, to transfer the pattern to an imprint material supplied on the shot region of the substrate 2. Perform imprint processing. For example, the imprint device 100 cures the imprint material in a state where the mold 1 on which the pattern is formed is in contact with the imprint material on the substrate. Then, the imprint device 100 can form a pattern on the imprint material by widening the distance between the mold 1 and the substrate 2 and peeling (releasing) the mold 1 from the cured imprint material.

インプリント材を硬化する方法には、熱を用いる熱サイクル法と光を用いる光硬化法とがあり、本実施形態では、光硬化法を採用した例について説明する。光硬化法とは、インプリント材として未硬化の紫外線硬化樹脂を基板上に供給し、モールド1とインプリント材とを接触させた状態でインプリント材に光(紫外線)を照射することにより当該インプリント材を硬化させる方法である。 There are two methods for curing the imprint material, a thermodynamic cycle method using heat and a photocuring method using light. In this embodiment, an example in which the photocuring method is adopted will be described. The photocuring method involves supplying an uncured ultraviolet curable resin as an imprint material onto a substrate and irradiating the imprint material with light (ultraviolet rays) in a state where the mold 1 and the imprint material are in contact with each other. This is a method of curing the imprint material.

インプリント材には、硬化用のエネルギが与えられることにより硬化する硬化性組成物(未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある)が用いられる。硬化用のエネルギとしては、電磁波、熱等が用いられる。電磁波としては、例えば、その波長が10nm以上1mm以下の範囲から選択される、赤外線、可視光線、紫外線などの光である。 As the imprint material, a curable composition (sometimes referred to as an uncured resin) that cures when energy for curing is applied is used. Electromagnetic waves, heat, etc. are used as the energy for curing. The electromagnetic wave is, for example, light such as infrared rays, visible rays, and ultraviolet rays whose wavelength is selected from the range of 10 nm or more and 1 mm or less.

硬化性組成物は、光の照射により、あるいは、加熱により硬化する組成物である。このうち、光により硬化する光硬化性組成物は、重合成化合物と光重合開始材とを少なくとも含有し、必要に応じて非重合成化合物または溶剤を含有してもよい。非重合成化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマ成分などの群から選択される少なくとも一種である。 The curable composition is a composition that is cured by irradiation with light or by heating. Of these, the photocurable composition that is cured by light may contain at least a polysynthetic compound and a photopolymerization initiator, and may contain a non-heavy synthetic compound or a solvent, if necessary. The non-heavy synthetic compound is at least one selected from the group of sensitizers, hydrogen donors, internal release mold release agents, surfactants, antioxidants, polymer components and the like.

インプリント材は、スピンコータやスリットコータにより基板上に膜状に付与される。あるいは、液体噴射ヘッドにより、液滴状、あるいは複数の液滴が繋がってできた島状または膜状となって基板上に付与されてもよい。インプリント材の粘度(25℃における粘度)は、例えば、1mPa・s以上100mPa・s以下である。 The imprint material is applied in the form of a film on the substrate by a spin coater or a slit coater. Alternatively, the liquid injection head may be applied on the substrate in the form of droplets or in the form of islands or films formed by connecting a plurality of droplets. The viscosity of the imprint material (viscosity at 25 ° C.) is, for example, 1 mPa · s or more and 100 mPa · s or less.

[装置構成]
次に、第1実施形態のインプリント装置100の構成について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態のインプリント装置100を示す概略図である。インプリント装置100は、基板ステージ3と、インプリントヘッド4と、変形部5と、照射部6と、供給部7と、撮像部8と、第1計測部9と、第2計測部10と、制御部11とを含みうる。制御部11は、例えばCPUやメモリなどを有するコンピュータによって構成され、インプリント処理を制御する(インプリント装置100の各部を制御する)。インプリント処理には、例えば、変形部5によってモールド1のパターン領域1aを変形させてモールド1と基板上のインプリント材との接触を開始させ、モールド1とインプリント材(基板2)との接触領域を徐々に拡げる処理(接触処理)を含みうる。
[Device configuration]
Next, the configuration of the imprinting apparatus 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view showing the imprinting apparatus 100 of the first embodiment. The imprint device 100 includes a substrate stage 3, an imprint head 4, a deforming unit 5, an irradiation unit 6, a supply unit 7, an imaging unit 8, a first measurement unit 9, and a second measurement unit 10. , Control unit 11 and the like. The control unit 11 is composed of, for example, a computer having a CPU, a memory, or the like, and controls the imprint process (controls each unit of the imprint device 100). In the imprint process, for example, the pattern region 1a of the mold 1 is deformed by the deforming portion 5 to start contact between the mold 1 and the imprint material on the substrate, and the mold 1 and the imprint material (board 2) are brought into contact with each other. It may include a process of gradually expanding the contact area (contact process).

基板ステージ3は、例えば基板保持部3aと基板駆動部3bとを含み、基板2を保持して移動可能に構成される。基板保持部3aは、例えば真空吸着力や静電力などにより基板2を保持する。基板駆動部3bは、基板保持部3aを機械的に保持するとともに、基板保持部3a(基板2)をXY方向に駆動する。また、基板駆動部3bは、基板2のZ方向の位置や、基板2のXY面に対する傾き・XY面の回転を変更することができるように構成されてもよい。ここで、基板2としては、例えば単結晶シリコン基板やSOI(Silicon on Insulator)基板、ガラス基板などが用いられる。基板2の上面には、後述する供給部7によってインプリント材が供給される。基板2は、ガラス、セラミックス、金属、半導体、樹脂等が用いられ、必要に応じて、その表面に基板とは別の材料からなる部材が形成されていてもよい。基板としては、具体的に、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスなどである。また、インプリント材の付与前に、必要に応じて、インプリント材と基板との密着性を向上させるための密着層を設けてもよい。 The substrate stage 3 includes, for example, a substrate holding portion 3a and a substrate driving portion 3b, and is configured to hold and move the substrate 2. The substrate holding portion 3a holds the substrate 2 by, for example, a vacuum suction force or an electrostatic force. The substrate driving unit 3b mechanically holds the substrate holding unit 3a and drives the substrate holding unit 3a (board 2) in the XY directions. Further, the substrate driving unit 3b may be configured so that the position of the substrate 2 in the Z direction, the inclination of the substrate 2 with respect to the XY plane, and the rotation of the XY plane can be changed. Here, as the substrate 2, for example, a single crystal silicon substrate, an SOI (Silicon on Insulator) substrate, a glass substrate, or the like is used. An imprint material is supplied to the upper surface of the substrate 2 by a supply unit 7 described later. Glass, ceramics, metal, semiconductors, resins and the like are used for the substrate 2, and if necessary, a member made of a material different from the substrate may be formed on the surface thereof. Specific examples of the substrate include silicon wafers, compound semiconductor wafers, and quartz glass. Further, before applying the imprint material, an adhesion layer for improving the adhesion between the imprint material and the substrate may be provided, if necessary.

インプリントヘッド4は、例えば真空吸着力や静電力などによりモールドを保持するモールド保持部4aと、モールド保持部4a(モールド1)のZ方向の位置および傾きを変更可能に構成されたモールド駆動部4bとを含みうる。また、モールド駆動部4bは、モールド1のXY方向の位置を調整することができるように構成されてもよい。ここで、本実施形態では、モールド1と基板2との相対傾きを変更させる動作、およびモールド1と基板2とを近づけたり離したりする動作を、インプリントヘッド4によって行うが、それに限られるものではない。例えば、それらの動作を、基板ステージ3によって行ってもよいし、インプリントヘッド4および基板ステージ3の双方によって行ってもよい。 The imprint head 4 has a mold holding portion 4a that holds the mold by, for example, a vacuum suction force or an electrostatic force, and a mold driving portion that can change the position and inclination of the mold holding portion 4a (mold 1) in the Z direction. 4b and can be included. Further, the mold driving unit 4b may be configured so that the position of the mold 1 in the XY direction can be adjusted. Here, in the present embodiment, the operation of changing the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 and the operation of moving the mold 1 and the substrate 2 closer to or further from each other are performed by the imprint head 4, but are limited thereto. is not it. For example, these operations may be performed by the substrate stage 3 or by both the imprint head 4 and the substrate stage 3.

モールド1は、通常、石英など紫外線を透過することが可能な材料で作製されており、基板側の面(パターン面)には、デバイスパターンとして基板2に転写すべき凹凸のパターンが形成されたパターン領域1aを有する。パターン領域1aは、例えば数十μm程度の段差で構成されたメサ形状を有しており、パターン領域1aのサイズは、基板上に転写すべきデバイスパターンにより異なるが、33mm×26mmが一般的である。また、モールド1には、パターン領域を変形しやすくするため、パターン領域1aとその周辺の厚みが薄くなるように、パターン面と反対側の面にキャビティ1b(凹部)が形成される。このキャビティ1bは、インプリントヘッド4(モールド保持部4a)によってモールド1が保持されることで、略密封された空間となる。キャビティ1bは、配管5aを介して変形部5に接続されている。 The mold 1 is usually made of a material capable of transmitting ultraviolet rays such as quartz, and an uneven pattern to be transferred to the substrate 2 is formed on the surface (pattern surface) on the substrate side as a device pattern. It has a pattern region 1a. The pattern region 1a has a mesa shape composed of steps of, for example, several tens of μm, and the size of the pattern region 1a varies depending on the device pattern to be transferred on the substrate, but is generally 33 mm × 26 mm. be. Further, in the mold 1, in order to make the pattern region easily deformable, a cavity 1b (recess) is formed on the surface opposite to the pattern surface so that the thickness of the pattern region 1a and its periphery becomes thin. The cavity 1b becomes a substantially sealed space when the mold 1 is held by the imprint head 4 (mold holding portion 4a). The cavity 1b is connected to the deformed portion 5 via a pipe 5a.

変形部5は、インプリントヘッド4によって保持されたモールド1のキャビティ1bの内部の圧力を変更することにより、モールド1のパターン領域1aを基板2に向かって突出した凸形状に変形する。例えば、モールド1と基板2とを近づけてモールド1と基板上のインプリント材を接触させる際には、変形部5は、例えば、配管5aを介してキャビティ1bの内部に圧縮空気を供給することにより、キャビティ1bの内部の圧力をその外部の圧力よりも高くする。これにより、変形部5は、モールド1のパターン領域1aを基板2に向かって突出した凸形状に変形させることができ、接触処理においてモールド1とインプリント材との接触領域を徐々に拡げることができる。その結果、インプリント材に接触したモールド1のパターンに気泡が残存することを低減することができ、インプリント処理によってインプリント材に形成されたパターンに欠損が生じることを抑制することができる。 By changing the pressure inside the cavity 1b of the mold 1 held by the imprint head 4, the deforming portion 5 deforms the pattern region 1a of the mold 1 into a convex shape protruding toward the substrate 2. For example, when the mold 1 and the substrate 2 are brought close to each other and the imprint material on the substrate is brought into contact with each other, the deformed portion 5 supplies compressed air to the inside of the cavity 1b via, for example, a pipe 5a. Therefore, the pressure inside the cavity 1b is made higher than the pressure outside the cavity 1b. As a result, the deformed portion 5 can deform the pattern region 1a of the mold 1 into a convex shape protruding toward the substrate 2, and the contact region between the mold 1 and the imprint material can be gradually expanded in the contact process. can. As a result, it is possible to reduce the remaining air bubbles in the pattern of the mold 1 in contact with the imprint material, and it is possible to suppress the occurrence of defects in the pattern formed on the imprint material by the imprint process.

照射部6は、基板上のインプリント材を硬化させる処理において、インプリント材を硬化させる光(紫外線)をモールド1を介して基板2に照射する。本実施形態では、照射部6から射出された光が、ビームスプリッタ12(バンドフィルタ)で反射され、リレー光学系13およびモールド1を介して基板2に照射される。また、供給部7は、基板上にインプリント材を供給(塗布)する。上述したように、本実施形態のインプリント装置100では、紫外線の照射によって硬化する性質を有する紫外線硬化樹脂がインプリント材として用いられうる。 In the process of curing the imprint material on the substrate, the irradiation unit 6 irradiates the substrate 2 with light (ultraviolet rays) for curing the imprint material via the mold 1. In the present embodiment, the light emitted from the irradiation unit 6 is reflected by the beam splitter 12 (band filter) and is applied to the substrate 2 via the relay optical system 13 and the mold 1. Further, the supply unit 7 supplies (coats) the imprint material on the substrate. As described above, in the imprinting apparatus 100 of the present embodiment, an ultraviolet curable resin having a property of being cured by irradiation with ultraviolet rays can be used as the imprint material.

撮像部8は、ビームスプリッタ12およびリレー光学系13を介してモールド1のパターン領域1aを撮像する。例えば、撮像部8は、モールド1と基板2とをインプリント材を介して接触させる接触処理において、モールド1のパターン領域1aと基板2との接触領域を拡げている間の複数のタイミングの各々でパターン領域1aを撮像する。このように撮像部8により得られた各画像には、モールド1と基板2との接触によって生じる干渉縞が形成されるため、各画像に基づいて、パターン領域1aとインプリント材との接触領域の拡がり方を観察することができる。また、モールド1と基板2に形成されたアライメントマークを検出するために、アライメントスコープ(検出系)を備えていてもよい。 The imaging unit 8 images the pattern region 1a of the mold 1 via the beam splitter 12 and the relay optical system 13. For example, in the contact process in which the mold 1 and the substrate 2 are brought into contact with each other via the imprint material, the imaging unit 8 has a plurality of timings while expanding the contact region between the pattern region 1a of the mold 1 and the substrate 2. The pattern region 1a is imaged with. Since interference fringes generated by the contact between the mold 1 and the substrate 2 are formed in each image obtained by the imaging unit 8 in this way, the contact region between the pattern region 1a and the imprint material is formed based on each image. You can observe how it spreads. Further, an alignment scope (detection system) may be provided in order to detect the alignment marks formed on the mold 1 and the substrate 2.

第1計測部9は、パターン領域上(モールド上)の複数点の高さを計測する。第1計測部9は、例えば、モールド1に光を照射し、モールド1からの反射光によってパターン領域1aの高さ(第1計測部9とパターン領域1aとの距離)を計測するレーザ干渉計を含み、基板ステージ3に搭載されうる。第1計測部9は、基板ステージ3とともにXY方向に移動しながらパターン領域上の複数点の高さを計測する。第1計測部9は、基板ステージ3とは別に設けられていてもよい。これにより、パターン領域1aの形状および姿勢を求めることができる。また、第2計測部10は、基板上の複数点の高さを計測する。第2計測部10は、例えば、基板2に光を照射し、基板2からの反射光によって基板2の高さ(第2計測部10と基板2との距離)を計測するレーザ干渉計を含みうる。第2計測部10は、基板ステージ3により基板2がXY方向に移動している状態で基板上の複数点の高さを計測することにより、基板2の形状や姿勢を求めることができる。 The first measuring unit 9 measures the heights of a plurality of points on the pattern region (on the mold). The first measuring unit 9 is, for example, a laser interferometer that irradiates the mold 1 with light and measures the height of the pattern region 1a (distance between the first measuring unit 9 and the pattern region 1a) by the reflected light from the mold 1. Can be mounted on the substrate stage 3. The first measuring unit 9 measures the heights of a plurality of points on the pattern region while moving in the XY directions together with the substrate stage 3. The first measurement unit 9 may be provided separately from the substrate stage 3. Thereby, the shape and posture of the pattern region 1a can be obtained. Further, the second measuring unit 10 measures the heights of a plurality of points on the substrate. The second measuring unit 10 includes, for example, a laser interferometer that irradiates the substrate 2 with light and measures the height of the substrate 2 (distance between the second measuring unit 10 and the substrate 2) by the reflected light from the substrate 2. sell. The second measuring unit 10 can obtain the shape and orientation of the substrate 2 by measuring the heights of a plurality of points on the substrate while the substrate 2 is moving in the XY direction by the substrate stage 3.

[インプリント処理]
次に、第1実施形態のインプリント装置100におけるインプリント処理について、図2を参照しながら説明する。図2は、インプリント処理のフローを示すフローチャートである。以下に示すインプリント処理の各工程は、制御部11によって行われうる。
[Imprint processing]
Next, the imprint process in the imprint device 100 of the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a flowchart showing the flow of imprint processing. Each step of the imprint process shown below can be performed by the control unit 11.

S10では、制御部11は、基板2が供給部7の下に配置されるように基板ステージ3を制御する。そして、基板上に形成された複数のショット領域のうちインプリント処理を行う対象のショット領域(対象ショット領域)にインプリント材を供給するように供給部7を制御する。対象ショット領域にインプリント材が供給された後、制御部11は、対象ショット領域をモールド1(パターン領域1a)の下に配置されるように基板ステージ3を制御する。 In S10, the control unit 11 controls the substrate stage 3 so that the substrate 2 is arranged below the supply unit 7. Then, the supply unit 7 is controlled so as to supply the imprint material to the target shot region (target shot region) to be imprinted among the plurality of shot regions formed on the substrate. After the imprint material is supplied to the target shot region, the control unit 11 controls the substrate stage 3 so that the target shot region is arranged under the mold 1 (pattern region 1a).

S11では、制御部11は、モールド1のパターン領域1aが基板2に向かって突出した凸形状に変形するように変形部5を制御する。S12では、制御部11は、後述のように決定されたモールド1と基板2との目標相対傾きになるように、モールド1と基板2との相対傾きを制御する。 In S11, the control unit 11 controls the deformation unit 5 so that the pattern region 1a of the mold 1 is deformed into a convex shape protruding toward the substrate 2. In S12, the control unit 11 controls the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 so as to have a target relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 determined as described later.

S13では、制御部11は、変形部5によりモールド1のパターン領域1aを変形させた状態で、モールド1と基板2とが近づくようにインプリントヘッド4を制御し、モールド1と基板2とを(例えばインプリント材を介して)接触させる(接触処理)。例えば、制御部11は、変形部5によりモールド1のパターン領域1aを変形させた状態でモールドと1とインプリント材との接触を開始させ、モールド1とインプリント材との接触領域を徐々に拡げる。このとき、制御部11は、モールド1とインプリント材との接触が開始した後、モールド1とインプリント材との接触領域が拡がるにつれてキャビティ1bの内部の圧力が徐々に小さくなるように変形部5を制御する。これにより、パターン領域1aの全体がインプリント材に接触したときのパターン領域1aの形状を平面形状にすることができる。 In S13, the control unit 11 controls the imprint head 4 so that the mold 1 and the substrate 2 come close to each other in a state where the pattern region 1a of the mold 1 is deformed by the deforming portion 5, and the mold 1 and the substrate 2 are pressed. Contact (contact processing, for example, via an imprint material). For example, the control unit 11 starts contact between the mold 1 and the imprint material in a state where the pattern region 1a of the mold 1 is deformed by the deforming unit 5, and gradually reduces the contact region between the mold 1 and the imprint material. spread. At this time, the control unit 11 is deformed so that the pressure inside the cavity 1b gradually decreases as the contact area between the mold 1 and the imprint material expands after the contact between the mold 1 and the imprint material starts. 5 is controlled. As a result, the shape of the pattern region 1a when the entire pattern region 1a comes into contact with the imprint material can be made into a planar shape.

S14では、制御部11は、モールド1とインプリント材とが接触している状態で、当該インプリント材に光を照射するように照射部6を制御し、当該インプリント材を硬化させる。S15では、制御部11は、モールド1と基板2とが離れるようにインプリントヘッド4を制御し、硬化したインプリント材からモールド1を剥離(離型)する。これにより、対象ショット領域上のインプリント材に、モールド1のパターンに倣った3次元形状のパターンを形成することができる。 In S14, the control unit 11 controls the irradiation unit 6 so as to irradiate the imprint material with light in a state where the mold 1 and the imprint material are in contact with each other, and cures the imprint material. In S15, the control unit 11 controls the imprint head 4 so that the mold 1 and the substrate 2 are separated from each other, and peels (releases) the mold 1 from the cured imprint material. As a result, a three-dimensional pattern that follows the pattern of the mold 1 can be formed on the imprint material on the target shot region.

S16では、制御部11は、基板上に引き続きモールド1のパターンを転写するショット領域(次のショット領域)があるか否かの判断を行う。次のショット領域がある場合にはS10に戻り、次のショット領域がない場合には終了する。 In S16, the control unit 11 determines whether or not there is a shot region (next shot region) on which the pattern of the mold 1 is continuously transferred on the substrate. If there is a next shot area, the process returns to S10, and if there is no next shot area, the process ends.

[モールドと基板との目標相対傾きの決定方法]
モールド1のキャビティ1bは、例えば製造誤差などにより、キャビティの重心のXY方向における位置がパターン領域1aの中心からずれて形成されることがある。この場合、パターン領域1aのうち変形の際に最も変位する箇所(以下、最大変位箇所と称する)が、パターン領域1aの中心に対してずれることとなる。そのため、パターン領域1aの最大変位箇所からモールド1と基板上のインプリント材との接触を開始させてしまうと、接触処理においてパターン領域1aを歪ませるような力がモールド1に加わりうる。その結果、基板上のインプリント材に精度よくパターンを形成することが困難になりうる。
[Method of determining the target relative inclination between the mold and the substrate]
The cavity 1b of the mold 1 may be formed so that the position of the center of gravity of the cavity in the XY direction deviates from the center of the pattern region 1a due to, for example, a manufacturing error. In this case, the portion of the pattern region 1a that is most displaced at the time of deformation (hereinafter referred to as the maximum displacement portion) is displaced with respect to the center of the pattern region 1a. Therefore, if the contact between the mold 1 and the imprint material on the substrate is started from the maximum displacement portion of the pattern region 1a, a force that distorts the pattern region 1a in the contact process can be applied to the mold 1. As a result, it may be difficult to accurately form a pattern on the imprint material on the substrate.

そこで、本実施形態の制御部11は、モールド1とインプリント材との接触を開始させる際のパターン領域1aの接触開始位置がパターン領域1aの中心に近づくように、当該接触を開始させる際のモールド1と基板2との目標相対傾きを決定する。即ち、制御部11は、パターン領域1aの最大変位箇所とパターン領域1aの中心とのずれに起因して生じるパターン領域1aの接触開始位置とパターン領域1aの中心とのずれが低減されるように、目標相対傾きを決定する。別の言い方をすると、制御部11は、パターン領域1aの基板2への接触開始位置とパターン領域1aの中心との差が、パターン領域1aの最大変位箇所とパターン領域1aの中心との差より小さくなるように、目標相対傾きを決定する。 Therefore, the control unit 11 of the present embodiment starts the contact so that the contact start position of the pattern region 1a when starting the contact between the mold 1 and the imprint material approaches the center of the pattern region 1a. The target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 is determined. That is, the control unit 11 reduces the deviation between the contact start position of the pattern region 1a and the center of the pattern region 1a caused by the deviation between the maximum displacement portion of the pattern region 1a and the center of the pattern region 1a. , Determine the target relative slope. In other words, in the control unit 11, the difference between the contact start position of the pattern region 1a with the substrate 2 and the center of the pattern region 1a is based on the difference between the maximum displacement location of the pattern region 1a and the center of the pattern region 1a. Determine the target relative slope so that it becomes smaller.

例えば、制御部11は、モールド1と基板との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について接触処理を行う。そして、制御部11は、この結果から、モールド1と基板との接触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置の変化を示す関係を複数の状態の各々について生成する。これにより、制御部11は、複数の状態の各々について生成した当該関係に基づいて、モールド1と基板2との接触を開始させる際のモールド1と基板2との目標相対傾きを決定することができる。 For example, the control unit 11 performs contact processing for each of a plurality of states in which the relative inclinations of the mold 1 and the substrate are different from each other. Then, from this result, the control unit 11 generates a relationship indicating a change in the position of the center of gravity of the contact region with respect to a change in the size of the contact region between the mold 1 and the substrate for each of the plurality of states. As a result, the control unit 11 can determine the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 when starting the contact between the mold 1 and the substrate 2 based on the relationship generated for each of the plurality of states. can.

また、制御部11は、図2のS12において、決定した目標相対傾きになるようにモールド1と基板2との相対傾きを制御する。これにより、接触処理を開始する際のパターン領域1aの接触開始位置をパターン領域1aの中心に近づけることができるため、接触処理においてパターン領域1aを歪ませるようにモールド1に加わる力を低減することができる。ここで、本実施形態では、モールド1とインプリント材との接触を開始させる際にモールド1と基板2とを相対的に傾けた場合、モールド1と基板2とが平行ではなくなる。しかしながら、パターン領域1aの全体がインプリント材に接触したときには、モールド1(パターン領域1a)と基板2とが平行であることが好ましい。そのため、制御部11は、図2のS13において、接触処理を開始した後、モールド1とインプリント材との接触領域が拡がるにつれてモールド1のパターン領域1aと基板2とが徐々に平行になるように、モールド1と基板2との相対傾きを制御するとよい。 Further, the control unit 11 controls the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 so as to have the target relative inclination determined in S12 of FIG. As a result, the contact start position of the pattern region 1a when starting the contact processing can be brought closer to the center of the pattern region 1a, so that the force applied to the mold 1 so as to distort the pattern region 1a in the contact processing can be reduced. Can be done. Here, in the present embodiment, when the mold 1 and the substrate 2 are relatively tilted when the contact between the mold 1 and the imprint material is started, the mold 1 and the substrate 2 are not parallel to each other. However, when the entire pattern region 1a comes into contact with the imprint material, it is preferable that the mold 1 (pattern region 1a) and the substrate 2 are parallel to each other. Therefore, in S13 of FIG. 2, the control unit 11 gradually makes the pattern region 1a of the mold 1 and the substrate 2 parallel to each other as the contact region between the mold 1 and the imprint material expands after the contact processing is started. In addition, it is preferable to control the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2.

以下に、モールド1と基板2との目標相対傾きを決定する具体的な方法について、図3を参照しながら説明する。図3は、モールド1と基板2との目標相対傾きを決定する方法を示すフローチャートである。以下に示す各工程は、例えば、基板2とは異なる第2基板(ダミー基板)を基板2の代わりに用いて行われうる。本実施形態では、第2基板に既にインプリント材が供給(塗布)されているものとして説明するが、それに限られるものではなく、第2基板には、インプリント材が供給(塗布)されていなくてもよい。この場合、第2基板への接触によるモールド1へのダメージを避けるため、インプリント材を密着させる密着層などの緩衝材を第2基板上に塗布しておくことが好ましい。ここで、本実施形態では、第2基板を用いて目標相対傾きを決定しているが、それに限られるものではなく、例えば、基板上における複数のショット領域のうち、最初にインプリント処理が行われる幾つかのショット領域を用いて目標相対傾きを決定してもよい。 Hereinafter, a specific method for determining the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a flowchart showing a method of determining a target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2. Each step shown below can be performed, for example, by using a second substrate (dummy substrate) different from the substrate 2 instead of the substrate 2. In the present embodiment, it is assumed that the imprint material is already supplied (coated) to the second substrate, but the present invention is not limited to this, and the imprint material is supplied (coated) to the second substrate. It does not have to be. In this case, in order to avoid damage to the mold 1 due to contact with the second substrate, it is preferable to apply a cushioning material such as an adhesion layer for adhering the imprint material on the second substrate. Here, in the present embodiment, the target relative inclination is determined using the second substrate, but the present invention is not limited to this, and for example, the imprint processing is performed first among a plurality of shot areas on the substrate. The target relative slope may be determined using several shot regions.

S20では、制御部11は、基板ステージ3をXY方向に移動させながら、モールド1のパターン領域上の複数点の高さを第1計測部9に計測させる。ここでは、変形部5によるパターン領域1aの変形は行われていない。S21では、制御部11は、基板ステージ3をXY方向に移動させながら、第2基板上の複数点の高さを第2計測部10に計測させる。 In S20, the control unit 11 causes the first measurement unit 9 to measure the heights of a plurality of points on the pattern region of the mold 1 while moving the substrate stage 3 in the XY directions. Here, the pattern region 1a is not deformed by the deformed portion 5. In S21, the control unit 11 causes the second measurement unit 10 to measure the heights of a plurality of points on the second substrate while moving the substrate stage 3 in the XY directions.

S22では、制御部11は、第1計測部9および第2計測部10の計測結果に基づいて、変形部5による変形が行われていないモールド1と第2基板とが平行になるようにモールド1と第2基板との相対傾きを制御する。S22の工程は、例えば、インプリントヘッド4によりモールド1の傾きを変更することによって行われうる。ここで、本実施形態では、S22の工程において、モールド1と第2基板とが平行になるようにそれらの相対傾きを制御したが、それに限られるものではない。例えば、制御部11は、第1計測部9および第2計測部10の計測結果に基づいてモールド1と第2基板との相対傾きを算出し、算出した相対傾きを、後の工程で決定するモールド1と基板2との目標相対傾きにオフセット値として加えてもよい。 In S22, the control unit 11 molds the mold 1 that has not been deformed by the deformation unit 5 and the second substrate in parallel based on the measurement results of the first measurement unit 9 and the second measurement unit 10. The relative inclination between the 1st and the 2nd substrate is controlled. The step S22 can be performed, for example, by changing the inclination of the mold 1 by the imprint head 4. Here, in the present embodiment, in the step of S22, the relative inclinations of the mold 1 and the second substrate are controlled so as to be parallel to each other, but the present invention is not limited to this. For example, the control unit 11 calculates the relative inclination between the mold 1 and the second substrate based on the measurement results of the first measurement unit 9 and the second measurement unit 10, and determines the calculated relative inclination in a later step. It may be added as an offset value to the target relative inclination of the mold 1 and the substrate 2.

S23〜S27は、モールド1と第2基板との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について、モールド1と第2基板との接触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置(中心位置)の変化を示す関係を生成する工程である。ここで、S25では、当該複数の状態について、第2基板上の同じ部分でモールド1と第2基板とを接触させることが、再現性の観点から好ましい。ここで、接触領域の重心位置とは、当該接触領域をZ方向から見たときのXY方向における重心の位置のことである。換言すると、接触領域の重心位置とは、基板2(第2基板)の面と平行な面に接触領域を投影した投影像(二次元)の重心の位置のことである。 In S23 to S27, for each of a plurality of states in which the relative inclinations of the mold 1 and the second substrate are different from each other, the position of the center of gravity (center position) of the contact region with respect to the change in the size of the contact region between the mold 1 and the second substrate. ) Is a step of generating a relationship indicating a change. Here, in S25, it is preferable that the mold 1 and the second substrate are brought into contact with each other at the same portion on the second substrate in the plurality of states from the viewpoint of reproducibility. Here, the position of the center of gravity of the contact region is the position of the center of gravity in the XY direction when the contact region is viewed from the Z direction. In other words, the position of the center of gravity of the contact region is the position of the center of gravity of the projected image (two-dimensional) in which the contact region is projected onto a surface parallel to the surface of the substrate 2 (second substrate).

S23では、制御部11は、モールド1のパターン領域1aが第2基板に向かって突出した凸形状に変形するように変形部5を制御する。S24では、制御部11は、変形部5によりモールド1のパターン領域1aを変形させた状態で、モールド1と第2基板とが近づくようにインプリントヘッド4を制御し、モールド1と第2基板上のインプリント材とを接触させる接触処理を行う。このとき、制御部11は、モールド1と第2基板上のインプリント材との接触領域を拡げながら、当該接触領域の大きさが互いに異なる複数のタイミングの各々においてモールド1のパターン領域1aを撮像するように撮像部8を制御する。これにより、複数のタイミングの各々について画像が得られる。撮像部8により得られた各画像には、例えば図4に示すように、モールド1と第2基板との接触領域15、およびモールド1と第2基板上のインプリント材との接触により形成された干渉縞16(ニュートンリング)が現れうる。ここで、第2基板上にインプリント材を供給していない場合では、S24の接触処理においてモールド1と第2基板とを接触させることとなる。 In S23, the control unit 11 controls the deformation unit 5 so that the pattern region 1a of the mold 1 is deformed into a convex shape protruding toward the second substrate. In S24, the control unit 11 controls the imprint head 4 so that the mold 1 and the second substrate come close to each other in a state where the pattern region 1a of the mold 1 is deformed by the deforming portion 5, and the mold 1 and the second substrate are brought close to each other. A contact process is performed to bring the upper imprint material into contact with the material. At this time, the control unit 11 captures the pattern region 1a of the mold 1 at each of a plurality of timings in which the sizes of the contact regions are different from each other while expanding the contact region between the mold 1 and the imprint material on the second substrate. The imaging unit 8 is controlled so as to perform the above. As a result, an image is obtained for each of the plurality of timings. Each image obtained by the imaging unit 8 is formed by, for example, as shown in FIG. 4, the contact region 15 between the mold 1 and the second substrate, and the contact between the mold 1 and the imprint material on the second substrate. Interference fringes 16 (Newton's rings) may appear. Here, when the imprint material is not supplied on the second substrate, the mold 1 and the second substrate are brought into contact with each other in the contact process of S24.

S25では、制御部11は、S24で得られた各画像について、接触領域15の境界もしくは干渉縞16から接触領域の重心位置を求める。これにより、制御部11は、図5に示すように、接触領域の大きさの変化に対する接触領域の重心位置の変化を示す関係(以下では、「接触領域の大きさと重心位置との関係」と称する)を得ることができる。本実施形態における「接触領域の重心位置」は、例えば、パターン領域1aの中心を基準とした位置として定義される。即ち、「接触領域の重心位置」は、接触領域の重心位置とパターン領域1aの中心との差(距離)として定義される。しかしながら、これに限定するものではなく、「接触領域の重心位置」を、パターン領域1aの中心とは異なる位置を基準として定義してもよい。また、「接触領域の大きさ」とは、接触領域の面積であってもよいし、接触領域の直径であってもよい。 In S25, the control unit 11 obtains the position of the center of gravity of the contact region from the boundary of the contact region 15 or the interference fringes 16 for each image obtained in S24. As a result, as shown in FIG. 5, the control unit 11 has a relationship indicating a change in the position of the center of gravity of the contact area with respect to a change in the size of the contact area (hereinafter, "relationship between the size of the contact area and the position of the center of gravity"). ) Can be obtained. The "center of gravity position of the contact region" in the present embodiment is defined as, for example, a position relative to the center of the pattern region 1a. That is, the "position of the center of gravity of the contact region" is defined as the difference (distance) between the position of the center of gravity of the contact region and the center of the pattern region 1a. However, the present invention is not limited to this, and the "position of the center of gravity of the contact region" may be defined with reference to a position different from the center of the pattern region 1a. Further, the "size of the contact area" may be the area of the contact area or the diameter of the contact area.

S26では、制御部11は、モールド1と第2基板との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について、接触領域の大きさと重心位置との関係を得たか否かを判断する。複数の状態の各々について当該関係を得ていない場合はS27に進み、制御部11は、S27においてモールド1と第2基板との相対傾きを変更してからS23に戻る。一方、複数の状態の各々について当該関係を得た場合はS28に進む。ここで、複数の状態の数(即ち、S23〜S26を繰り返す回数)は、任意に設定することができる。図5に示す例では、3つの状態の各々について当該関係が得られている。 In S26, the control unit 11 determines whether or not the relationship between the size of the contact region and the position of the center of gravity has been obtained for each of the plurality of states in which the relative inclinations of the mold 1 and the second substrate are different from each other. If the relationship is not obtained for each of the plurality of states, the process proceeds to S27, and the control unit 11 changes the relative inclination between the mold 1 and the second substrate in S27, and then returns to S23. On the other hand, when the relationship is obtained for each of the plurality of states, the process proceeds to S28. Here, the number of a plurality of states (that is, the number of times S23 to S26 are repeated) can be arbitrarily set. In the example shown in FIG. 5, the relationship is obtained for each of the three states.

S28では、制御部11は、複数の状態の各々について生成した接触領域の大きさと重心位置との関係から、接触領域の大きさの変化に対する接触領域の重心位置の変化の比率(以下では、「変化率」と称する)を各状態について求める。例えば、制御部11は、接触領域の大きさと重心位置との関係を、状態ごとに1次関数によって直線近似を行うことにより、当該1次関数の傾きを変化率として求めることができる。これにより、図6に示すように、モールド1と第2基板との相対傾きの変化に対する変化率の変化を示す情報(以下、変化率の情報と称する)を得ることができる。 In S28, the control unit 11 determines the ratio of the change in the position of the center of gravity of the contact area to the change in the size of the contact area from the relationship between the size of the contact area generated for each of the plurality of states and the position of the center of gravity (hereinafter, ". The rate of change) is calculated for each state. For example, the control unit 11 can obtain the slope of the linear function as the rate of change by linearly approximating the relationship between the size of the contact region and the position of the center of gravity with a linear function for each state. As a result, as shown in FIG. 6, information indicating the change in the rate of change with respect to the change in the relative inclination between the mold 1 and the second substrate (hereinafter, referred to as information on the rate of change) can be obtained.

S29では、制御部11は、S28で得られた変化率の情報に基づいて、接触処理を開始する際のモールド1と基板2との目標相対傾きを決定する。例えば、制御部11は、S28で得られた情報に基づいて、変化率が目標値(例えば零)になるときのモールド1と第2基板との相対傾きToptを求め、求めた相対傾きToptをモールド1と基板2との目標相対傾きとして決定する。 In S29, the control unit 11 determines the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 when the contact process is started, based on the information on the rate of change obtained in S28. For example, the control unit 11 obtains the relative inclination Topt between the mold 1 and the second substrate when the rate of change reaches the target value (for example, zero) based on the information obtained in S28, and obtains the obtained relative inclination Topt. It is determined as the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2.

ここで、インプリント装置100では、複数のモールドが用いられるため、目標相対傾きを決定する処理をモールドごとに行うことが好ましい。パターン領域1aの中心に対するキャビティ1bの重心のずれがモールドごとに異なりうるからである。また、目標相対傾きを決定する処理は、X軸周りの相対傾き、Y軸周りの相対傾きのそれぞれについて行われてもよい。 Here, since a plurality of molds are used in the imprint device 100, it is preferable to perform a process of determining the target relative inclination for each mold. This is because the deviation of the center of gravity of the cavity 1b with respect to the center of the pattern region 1a may differ from mold to mold. Further, the process of determining the target relative inclination may be performed for each of the relative inclination around the X-axis and the relative inclination around the Y-axis.

[目標相対傾きについて]
次に、変化率が零になるときのモールド1と第2基板との相対傾きを目標相対傾きとして決定することで、モールド1と基板2との接触を開始させる際のパターン領域1aの接触開始位置をパターン領域1aの中心に近づけることができる理由について説明する。
[About target relative inclination]
Next, by determining the relative inclination between the mold 1 and the second substrate when the rate of change becomes zero as the target relative inclination, the contact start of the pattern region 1a when the contact between the mold 1 and the substrate 2 is started is started. The reason why the position can be brought closer to the center of the pattern region 1a will be described.

図7は、変形部5により変形されたモールド1のパターン領域1aの湾曲状態を、パターン領域1aにおけるX方向の各位置での傾斜(傾き)で表した図である。この図は、シミュレーションによって求めたものである。図7を参照すると、キャビティ1bの重心付近(横軸が零の付近)では、線形に傾斜が大きくなっているが、当該重心から離れるにしたがって徐々に傾斜が小さくなり非線形になることが分かる。図7に示す実線は、プロットを3次多項式で近似した線であり、破線は、1次関数で近似した線である。このことから、モールド1と基板上のインプリント材とを接触させた際のインプリント材の拡がり方が、キャビティ1bの重心から離れるに従って異なってくることが推測できる。 FIG. 7 is a diagram showing the curved state of the pattern region 1a of the mold 1 deformed by the deformed portion 5 by the inclination (inclination) at each position in the X direction in the pattern region 1a. This figure was obtained by simulation. With reference to FIG. 7, it can be seen that the slope increases linearly near the center of gravity of the cavity 1b (near the horizontal axis is zero), but the slope gradually decreases and becomes non-linear as the distance from the center of gravity increases. The solid line shown in FIG. 7 is a line obtained by approximating the plot with a cubic polynomial, and the broken line is a line approximated by a linear function. From this, it can be inferred that the way the imprint material spreads when the mold 1 and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other differs as the distance from the center of gravity of the cavity 1b increases.

次いで、モールド1と基板2との接触状態について考察する。図8は、変形部5により変形させたモールド1と基板2とを徐々に接触させたときの図である。図8(a)は、モールド1と基板2との接触を開始していない状態、図8(b)および(c)は、モールド1と基板2との接触領域を徐々に拡げている状態をそれぞれ示す。図8(c)は、図8(b)に比べて、モールド1と基板2との接触領域が大きい状態を示している。図8(a)〜(c)の左図において、実線(50a〜50c)、破線(51a〜51c)、一点鎖線(52a〜52c)は、それぞれモールド1(パターン領域1a)の断面を示している。そして、破線(51a〜51b)で示すモールドは、実線(50a〜50c)で示すモールドに対して反時計回りに傾けた状態であり、一点鎖線(52a〜52c)で示すモールドは、実線で示すモールドに対して時計回りに傾けた状態である。また、図8(a)〜(c)の右図は、撮像部8によってパターン領域1aを撮像した画像に現れる接触領域15および干渉縞16を示すイメージ図である。 Next, the contact state between the mold 1 and the substrate 2 will be considered. FIG. 8 is a view when the mold 1 deformed by the deformed portion 5 and the substrate 2 are gradually brought into contact with each other. 8 (a) shows a state in which the contact between the mold 1 and the substrate 2 has not started, and FIGS. 8 (b) and 8 (c) show a state in which the contact region between the mold 1 and the substrate 2 is gradually expanded. Each is shown. FIG. 8C shows a state in which the contact area between the mold 1 and the substrate 2 is larger than that in FIG. 8B. In the left view of FIGS. 8A to 8C, the solid line (50a to 50c), the broken line (51a to 51c), and the alternate long and short dash line (52a to 52c) indicate the cross section of the mold 1 (pattern region 1a), respectively. There is. The molds indicated by the broken lines (51a to 51b) are in a state of being tilted counterclockwise with respect to the molds indicated by the solid lines (50a to 50c), and the molds indicated by the alternate long and short dash lines (52a to 52c) are indicated by the solid lines. It is tilted clockwise with respect to the mold. Further, the right view of FIGS. 8A to 8C is an image diagram showing a contact region 15 and an interference fringe 16 appearing in an image in which the pattern region 1a is captured by the imaging unit 8.

図8(b)に示す状態では、図8(c)に示す状態に比べて、干渉縞16の間隔が狭いことから、パターン領域1aにおける接触領域15の境界部分の傾斜が大きいことが分かる。つまり、モールド1と基板2との接触領域の大きさに応じて、パターン領域1aにおける接触領域の境界部分の傾斜が変化すると推測できる。この様子を図9に示す。図9において、横軸は、キャビティ1bの重心を基準としたX方向の距離を示しており、縦軸は、パターン領域1aにおける接触領域の境界部分の傾斜を示している。また、図9に示す各曲線(60a〜60c,61a〜61c,62a〜62c)は、図8の左図においてモールドを示す各曲線(50a〜50c,51a〜51c,52a〜52c)に対応する。 In the state shown in FIG. 8 (b), since the interval between the interference fringes 16 is narrower than in the state shown in FIG. 8 (c), it can be seen that the inclination of the boundary portion of the contact region 15 in the pattern region 1a is large. That is, it can be inferred that the inclination of the boundary portion of the contact region in the pattern region 1a changes according to the size of the contact region between the mold 1 and the substrate 2. This situation is shown in FIG. In FIG. 9, the horizontal axis represents the distance in the X direction with respect to the center of gravity of the cavity 1b, and the vertical axis represents the inclination of the boundary portion of the contact region in the pattern region 1a. Further, each curve (60a to 60c, 61a to 61c, 62a to 62c) shown in FIG. 9 corresponds to each curve (50a to 50c, 51a to 51c, 52a to 52c) showing a mold in the left figure of FIG. ..

図9を参照すると、接触領域の大きさに応じて、パターン領域1aにおける接触領域の境界部分の傾斜が変わることが分かる。そして、図9における各曲線について傾斜(縦軸)が零になる点(X切片)を見ると、3つの状態において、モールド1と基板2との相対傾きの変化に対するX方向の位置の変化が異なることが分かる。即ち、曲線61aと曲線62cとの差より、曲線61bと曲線62bとの差の方が広くなり、曲線61cと曲線62cとの差の方が更に広くなる。つまり、この結果は、図5で見られた、モールド1と第2基板との相対傾きが大きくなるにつれて、接触領域の大きさの変化に対する接触領域の重心位置の変化の比率(変化率)が大きくなる現象を表している。即ち、パターン領域1aにおける接触領域の境界部分の傾斜が変化すると、モールド1と第2基板との相対傾きに応じて当該変化率が変わりうる。逆に考えると、当該変化率が変わらないとき(即ち、零になるとき)のモールド1と基板2(第2基板)との相対傾きでは、接触処理における接触開始位置をパターン領域1aの中心に近づけて、安定した接触処理を行うことができることを示唆している。 With reference to FIG. 9, it can be seen that the inclination of the boundary portion of the contact region in the pattern region 1a changes according to the size of the contact region. Looking at the point (X-intercept) where the slope (vertical axis) becomes zero for each curve in FIG. 9, the change in the position in the X direction with respect to the change in the relative slope between the mold 1 and the substrate 2 in the three states You can see that they are different. That is, the difference between the curve 61b and the curve 62b is wider than the difference between the curve 61a and the curve 62c, and the difference between the curve 61c and the curve 62c is even wider. That is, this result shows that the ratio (rate of change) of the change in the position of the center of gravity of the contact region to the change in the size of the contact region increases as the relative inclination between the mold 1 and the second substrate increases as seen in FIG. It represents the phenomenon of increasing. That is, when the inclination of the boundary portion of the contact region in the pattern region 1a changes, the rate of change can change according to the relative inclination between the mold 1 and the second substrate. Conversely, when the rate of change does not change (that is, when it becomes zero), the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 (second substrate) is such that the contact start position in the contact process is centered on the pattern region 1a. It is suggested that stable contact processing can be performed by bringing them closer together.

<第2実施形態>
第2実施形態では、モールド1と基板2との目標相対傾きを決定する他の方法について説明する。第2実施形態では、図3に示すフローチャートに従って目標相対傾きが決定されるが、S28〜S29の工程が第1実施形態と異なる。以下では、第2実施形態に係るS28〜S29の工程について説明する。
<Second Embodiment>
In the second embodiment, another method of determining the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 will be described. In the second embodiment, the target relative inclination is determined according to the flowchart shown in FIG. 3, but the steps S28 to S29 are different from those in the first embodiment. Hereinafter, the steps S28 to S29 according to the second embodiment will be described.

S28では、制御部11は、複数の状態の各々について生成した接触領域の大きさと重心位置との関係(図5)から、接触領域の大きさが零になるときの接触領域の重心位置を、パターン領域1aの接触開始位置として各状態について求める。例えば、制御部11は、接触領域の大きさと重心位置との関係を、状態ごとに1次関数によって線形近似を行うことにより、当該1次関数のY切片をパターン領域1aの接触開始位置として各状態について求めることができる。これにより、図10に示すように、モールド1と第2基板との相対傾きの変化に対するパターン領域1aの接触開始位置の変化を示す情報(以下、接触開始位置の情報と称する)を、変化率の情報の代わりに得ることができる。 In S28, the control unit 11 determines the position of the center of gravity of the contact region when the size of the contact region becomes zero from the relationship between the size of the contact region generated for each of the plurality of states and the position of the center of gravity (FIG. 5). Each state is obtained as the contact start position of the pattern region 1a. For example, the control unit 11 linearly approximates the relationship between the size of the contact region and the position of the center of gravity by a linear function for each state, and sets the Y-intercept of the linear function as the contact start position of the pattern region 1a. You can ask about the condition. As a result, as shown in FIG. 10, the information indicating the change in the contact start position of the pattern region 1a with respect to the change in the relative inclination between the mold 1 and the second substrate (hereinafter, referred to as the contact start position information) is the rate of change. Can be obtained instead of the information in.

S29では、制御部11は、S28で得られた接触開始位置の情報に基づいて、接触処理を開始する際のモールド1と基板2との目標相対傾きを決定する。例えば、パターン領域1aの接触開始位置がパターン領域1aの中心になるように目標相対傾きを決定する場合、制御部11は、図10の縦軸が零になるときのモールド1と第2基板との相対傾きToptを目標相対傾きに決定する。また、それに限られず、パターン領域1aの接触開始位置が、パターン領域1aの最大変位箇所とパターン領域1aの中心との間になるように目標相対傾きを決定してもよい。例えば、パターン領域1aの接触開始位置が、パターン領域1aの最大変位箇所とパターン領域1aの中心との中点になるように目標相対傾きを決定してもよい。 In S29, the control unit 11 determines the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 when the contact process is started, based on the information of the contact start position obtained in S28. For example, when the target relative inclination is determined so that the contact start position of the pattern region 1a is the center of the pattern region 1a, the control unit 11 uses the mold 1 and the second substrate when the vertical axis of FIG. 10 becomes zero. The relative slope Topt of is determined to be the target relative slope. Further, the target relative inclination may be determined so that the contact start position of the pattern region 1a is between the maximum displacement point of the pattern region 1a and the center of the pattern region 1a. For example, the target relative inclination may be determined so that the contact start position of the pattern region 1a is the midpoint between the maximum displacement portion of the pattern region 1a and the center of the pattern region 1a.

<第3実施形態>
本実施形態では、第1実施形態で説明した方法、および第2実施形態で説明した方法のそれぞれにより得られた結果から、モールド1と基板2との最適な相対傾きを求める方法について説明する。
<Third Embodiment>
In the present embodiment, a method of obtaining the optimum relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 will be described from the results obtained by each of the method described in the first embodiment and the method described in the second embodiment.

図13(a)は、第1実施形態で説明した方法を用いた実験により得られた変化率の情報(モールド1と基板との相対傾きの変化に対する変化率の変化を示す情報)を示す図である。変化率の情報は、第1実施形態で説明したとおり、図5に示すように複数の状態の各々について生成した接触領域の大きさと重心位置との関係を1次関数によって直線近似し、当該1次関数の傾きを変化率として各状態について求めることにより得られうる。図13(a)では、縦軸(変化率)が零になるときのモールド1と基板との相対傾きが「TA」となる。 FIG. 13A is a diagram showing information on the rate of change obtained by an experiment using the method described in the first embodiment (information indicating a change in the rate of change with respect to a change in the relative inclination between the mold 1 and the substrate). Is. As described in the first embodiment, the information on the rate of change is obtained by linearly approximating the relationship between the size of the contact region generated for each of the plurality of states and the position of the center of gravity by a linear function. It can be obtained by finding the slope of the quadratic function as the rate of change for each state. In FIG. 13A, the relative inclination between the mold 1 and the substrate when the vertical axis (rate of change) becomes zero is “TA”.

また、図13(b)は、第2実施形態で説明した方法を用いた実験により得られた接触開始位置の情報(モールド1と基板との相対傾きの変化に対するパターン領域の接触開始位置の変化を示す情報)を示す図である。接触開始位置の情報は、第2実施形態で説明したとおり、図5に示すように複数の状態の各々について生成した接触領域の大きさと重心位置との関係を1次関数によって直線近似する。そして、当該1次関数のY切片をパターン領域の接触開始位置として各状態について求めることにより得られうる。図13(b)では、縦軸(接触開始位置)がゼロとなるときのモールド1と基板との相対傾きが「TB」となる。 Further, FIG. 13B shows information on the contact start position obtained by the experiment using the method described in the second embodiment (change in the contact start position in the pattern region with respect to the change in the relative inclination between the mold 1 and the substrate). It is a figure which shows information). As described in the second embodiment, the information on the contact start position linearly approximates the relationship between the size of the contact region generated for each of the plurality of states and the position of the center of gravity by a linear function. Then, it can be obtained by obtaining the Y-intercept of the linear function as the contact start position of the pattern region for each state. In FIG. 13B, the relative inclination between the mold 1 and the substrate when the vertical axis (contact start position) becomes zero is “TB”.

図14は、相対傾きTAおよびTBのときの接触開始位置17と接触領域の拡がりとを示す図である。図14において、一番上の図は、モールド1と基板とを示しており、Aはパターン領域1aの中心位置を表し、Bはキャビティ1bの重心位置を表している。真ん中の図は、パターン領域1aの接触開始位置17と接触領域の広がりとを示しており、接触領域の広がりは円の大きさによって概念的に表している。一番下の図は、モールド1と基板との相対傾き(偏芯量)を概念的に示している。また、図14では、モールド1と基板との相対傾きを「T+」としたときの例も示している。 FIG. 14 is a diagram showing the contact start position 17 and the expansion of the contact region when the relative inclinations are TA and TB. In FIG. 14, the top view shows the mold 1 and the substrate, where A represents the center position of the pattern region 1a and B represents the position of the center of gravity of the cavity 1b. The figure in the middle shows the contact start position 17 of the pattern region 1a and the spread of the contact region, and the spread of the contact region is conceptually represented by the size of the circle. The bottom figure conceptually shows the relative inclination (eccentricity) between the mold 1 and the substrate. Further, FIG. 14 also shows an example when the relative inclination between the mold 1 and the substrate is set to “T +”.

相対傾きが「TB」のときでは、接触開始位置17をパターン領域1aの中心付近にすることができるが、接触領域の広がりは接触開始位置17に対して右側に偏っている。即ち、相対傾きTBにおいては、パターン領域1aに対して均等に接触領域を拡げることができない。一方、相対傾きが「TA」のときでは、接触領域を接触開始位置17に対してほぼ均等に拡げることができるが、接触開始位置17がパターン領域1aの中心付近にない。即ち、相対傾きTAにおいても、パターン領域1aに対して均等に接触領域を拡げることができない。つまり、パターン領域1aに対して均等に接触領域を拡げることができる最適な相対傾きは、「TA」と「TB」との間にあることがわかる。したがって、相対傾きTAと相対傾きTBとをそれぞれ求めることにより、相対傾きTAと相対傾きTBとから最適な相対傾きを目標相対傾きとして求めることができる。 When the relative inclination is "TB", the contact start position 17 can be set near the center of the pattern region 1a, but the spread of the contact region is biased to the right with respect to the contact start position 17. That is, in the relative inclination TB, the contact region cannot be expanded evenly with respect to the pattern region 1a. On the other hand, when the relative inclination is "TA", the contact region can be expanded substantially evenly with respect to the contact start position 17, but the contact start position 17 is not near the center of the pattern region 1a. That is, even with the relative inclination TA, the contact region cannot be evenly expanded with respect to the pattern region 1a. That is, it can be seen that the optimum relative inclination that can evenly expand the contact region with respect to the pattern region 1a is between "TA" and "TB". Therefore, by obtaining the relative slope TA and the relative slope TB, respectively, the optimum relative slope can be obtained as the target relative slope from the relative slope TA and the relative slope TB.

ここで、S13においてモールド1と基板上のインプリント材とを接触させる際、モールド1と基板2との相対傾きを変化させてもよい。例えば、図15に示すように、接触開始位置17がショット領域の中心付近となる相対傾きTBでモールドとインプリント材とを接触させた後、接触領域が拡がるにつれて相対傾きがTAになるように、モールド1と基板2との相対傾きを制御してもよい。図16は、モールド1と基板2との相対傾きの制御プロファイルの例を示す図である。図16に示す制御プロファイルでは、相対傾きTBでモールド1とインプリント材との接触を開始させた後、接触領域が拡がるにつれて相対傾きがTAになるように、モールド1と基板2との相対傾きを変化させる。このとき、モールド1と基板2との相対傾きを、相対傾きTAを一旦超えさせた後に相対傾きTAに戻すように制御するとよい。これにより、モールド1とインプリント材との接触領域を拡げている間においてパターン領域を歪ませるような力がモールド1に加えられることを更に低減することができる。 Here, when the mold 1 and the imprint material on the substrate are brought into contact with each other in S13, the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 may be changed. For example, as shown in FIG. 15, after the mold and the imprint material are brought into contact with each other by the relative inclination TB in which the contact start position 17 is near the center of the shot area, the relative inclination becomes TA as the contact area expands. , The relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 may be controlled. FIG. 16 is a diagram showing an example of a control profile of the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2. In the control profile shown in FIG. 16, after the contact between the mold 1 and the imprint material is started by the relative inclination TB, the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 becomes TA as the contact area expands. To change. At this time, it is preferable to control the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 so as to once exceed the relative inclination TA and then return to the relative inclination TA. As a result, it is possible to further reduce the application of a force that distorts the pattern region to the mold 1 while expanding the contact region between the mold 1 and the imprint material.

<第4実施形態>
上述のようにモールド1と基板2との目標相対傾きを決定する処理は、基板上における複数のショット領域の各々について行われることが好ましい。しかしながら、複数のショット領域の各々について、変化率の情報または接触開始位置の情報を得るために、モールド1と第2基板との相対傾きを変えて複数回の接触処理を行うことは煩雑である。そのため、本実施形態では、複数のショット領域のうちの1つのショット領域において得られた変化率の情報および接触開始位置の情報に基づいて、他のショット領域での目標相対傾きを求める方法について説明する。
<Fourth Embodiment>
As described above, the process of determining the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 is preferably performed for each of the plurality of shot regions on the substrate. However, it is complicated to perform a plurality of contact processes by changing the relative inclination between the mold 1 and the second substrate in order to obtain information on the rate of change or information on the contact start position for each of the plurality of shot regions. .. Therefore, in the present embodiment, a method of obtaining the target relative inclination in the other shot regions will be described based on the information on the rate of change and the information on the contact start position obtained in one shot region among the plurality of shot regions. do.

以下の説明では、複数のショット領域のうち第1ショット領域においては、上述の図3に示すフローチャートの各工程を行い、図6に示す変化率の情報、および図10に示す接触開始位置の情報を既に得ているものとする。そして、複数のショット領域のうち第1ショットとは異なる第2ショット領域についての目標相対傾きを、第1ショット領域についての変化率の情報および接触開始位置の情報から決定する例について説明する。 In the following description, in the first shot region of the plurality of shot regions, each step of the flowchart shown in FIG. 3 is performed, the change rate information shown in FIG. 6 and the contact start position information shown in FIG. It is assumed that has already been obtained. Then, an example of determining the target relative inclination for the second shot region different from the first shot among the plurality of shot regions from the information on the rate of change for the first shot region and the information on the contact start position will be described.

ここで、第1ショット領域について得られた変化率の情報において、相対傾きと変化率との関係を示す1次関数の傾きを敏感度maとすると、変化率がA0となるときの相対傾き(第1相対傾き)はA0/maで表される。また、第1ショット領域について得られた接触開始位置の情報において、相対傾きと接触開始位置との関係を示す1次関数の傾きを敏感度mbとすると、接触開始位置がB0となるときの相対傾き(第2相対傾き)はB0/mbで表される。A0およびB0はそれぞれ、例えば零に設定されうる。接触開始位置が零になるときとは、即ち、パターン領域1aの接触開始位置が当該パターン領域1aの中心になるときのことである。 Here, in the information on the rate of change obtained for the first shot region, assuming that the slope of the linear function indicating the relationship between the relative slope and the rate of change is the sensitivity ma, the relative slope when the rate of change is A0 ( The first relative slope) is represented by A0 / ma. Further, in the information on the contact start position obtained for the first shot region, assuming that the slope of the linear function indicating the relationship between the relative slope and the contact start position is the sensitivity mb, the relative when the contact start position is B0. The slope (second relative slope) is represented by B0 / mb. A0 and B0 can be set to, for example, zero, respectively. The contact start position becomes zero, that is, the contact start position of the pattern region 1a becomes the center of the pattern region 1a.

制御部11は、第2基板(ダミー基板)を用いて、第2ショット領域に対応する第2基板上の領域について接触処理を1回だけ行う。このときの接触処理は、第1ショット領域について決定した目標相対傾きで行われうる。これにより、第2ショット領域について、接触領域の大きさと重心位置との関係を得ることができる。そして、当該関係を1次関数によって直線近似を行うことにより、当該第1次関数の傾きを変化率Aとして、および当該1次関数のY切片を接触開始位置Bとして求めることができる。 The control unit 11 uses the second substrate (dummy substrate) to perform contact processing only once on the region on the second substrate corresponding to the second shot region. The contact process at this time can be performed with the target relative inclination determined for the first shot region. As a result, the relationship between the size of the contact region and the position of the center of gravity can be obtained for the second shot region. Then, by linearly approximating the relationship with a linear function, the slope of the linear function can be obtained as the rate of change A, and the Y intercept of the linear function can be obtained as the contact start position B.

次いで、制御部11は、以下の式(1)により相対傾きA’/maを求め、その相対傾きA’/maを、第2ショット領域についての目標相対傾きとして決定する。また、制御部は、式(2)により相対傾きB’/mbを求め、その相対傾きB’/maを、第2ショット領域についての目標相対傾きとして決定してもよい。 Next, the control unit 11 obtains the relative inclination A'/ ma by the following equation (1), and determines the relative inclination A'/ ma as the target relative inclination for the second shot region. Further, the control unit may obtain the relative inclination B'/ mb by the equation (2) and determine the relative inclination B'/ ma as the target relative inclination for the second shot region.

Figure 0006942491
Figure 0006942491

Figure 0006942491
Figure 0006942491

ここで、相対傾きA0/maと相対傾きB0/mbとの差分値|A0/ma−B0/mb|は、モールド1に起因する誤差成分(モールド誤差)であり、理想的な状態では零になるべきである。したがって、このモールド誤差を|A/ma−B/mb|から除去することにより、ショット領域の位置に起因する誤差成分(即ち、装置誤差(例えば基板ステージ3の誤差))のみを補正するための補正値を得ることができる。当該補正値は、式(1)および(2)において、{(A/ma−B/mb)−(A0/ma−B0/mb)}/2で表されうる。 Here, the difference value | A0 / ma-B0 / mb | between the relative inclination A0 / ma and the relative inclination B0 / mb | is an error component (mold error) caused by the mold 1, and is zero in the ideal state. Should be. Therefore, by removing this mold error from | A / ma-B / mb |, only the error component due to the position of the shot region (that is, the device error (for example, the error of the substrate stage 3)) can be corrected. A correction value can be obtained. The correction value can be represented by {(A / ma-B / mb)-(A0 / ma-B0 / mb)} / 2 in the equations (1) and (2).

このようなモールド誤差は、モールドごとに異なるため、モールドごとに管理されうる。例えば、モールド誤差として、相対傾きA0/maと相対傾きB0/mbとの差分値(A0/ma−B0/mb)がモールドごとに管理されうる。また、装置誤差は、インプリント装置ごとに異なるため、装置ごとに管理されうる。例えば、装置誤差として、{(A/ma−B/mb)−(A0/ma−B0/mb)}/2で表される補正値が装置ごとに管理されうる。 Since such mold error is different for each mold, it can be managed for each mold. For example, as a mold error, a difference value (A0 / ma-B0 / mb) between the relative inclination A0 / ma and the relative inclination B0 / mb can be managed for each mold. Further, since the device error differs for each imprint device, it can be managed for each device. For example, as a device error, a correction value represented by {(A / ma-B / mb)-(A0 / ma-B0 / mb)} / 2 can be managed for each device.

<第5実施形態>
モールド1とインプリント材とを接触させている間(押印中)の装置誤差により発生するモールド1と基板2との相対傾きの誤差(チルト誤差)をEとすると、Eは、E={(A/ma−B/mb)−(A0/ma−B0/mb)}/2と表わされうる。このEの挙動を図17を参照しながら説明する。図17は、接触領域の大きさと接触領域の重心位置(偏芯量)との関係を示す図である。図17において、カーブpは理想状態を表しており、この状態からモールド誤差などにより傾きおよび切片が変化した状態をカーブqで示している。さらに、誤差Eにより押印中に相対傾きの変化が発生した状態をカーブrで示している。このようなカーブrの状態において、図15を用いて前述した制御と同様に、押印中のモールド1と基板2との相対傾きを制御することにより、接触領域の大きさと接触領域の重心位置との関係を理想状態(カーブp)に近づけることができる。
<Fifth Embodiment>
Assuming that the relative tilt error (tilt error) between the mold 1 and the substrate 2 caused by the device error while the mold 1 and the imprint material are in contact with each other (during imprinting) is E, E = {( It can be expressed as A / ma-B / mb)-(A0 / ma-B0 / mb)} / 2. The behavior of this E will be described with reference to FIG. FIG. 17 is a diagram showing the relationship between the size of the contact region and the position of the center of gravity (amount of eccentricity) of the contact region. In FIG. 17, the curve p represents an ideal state, and the curve q shows a state in which the inclination and the intercept are changed due to a molding error or the like from this state. Further, the curve r shows a state in which a change in relative inclination occurs during stamping due to an error E. In such a state of the curve r, the size of the contact region and the position of the center of gravity of the contact region are determined by controlling the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 during imprinting in the same manner as in the control described above with reference to FIG. The relationship can be brought closer to the ideal state (curve p).

図18は、モールド1と基板2との相対傾きの制御プロファイルの例を示す図である。図18の「TA0」は、変化率の情報において変化率がA0となるときの相対傾き(第1相対傾き)を表し、「TB0」は、接触位置の情報において接触開始位置がB0となるときの相対傾き(第2相対傾き)を示している。図18に示す制御プロファイルでは、相対傾きTB0でモールド1とインプリント材との接触を開始させた後、接触領域が拡がるにつれて相対傾きがTA0となるように、モールド1と基板2との相対傾きを変化させる。そして、モールド1と基板2との相対傾きが一旦TA0となった後、相対傾きを誤差E分だけ戻す。このようにモールド1と基板2との相対傾きを制御すると、図19に示すように、誤差Eにより押印中に相対傾きの変化が発生したカーブrを、理想状態のカーブpに近いカーブsにすることができる。 FIG. 18 is a diagram showing an example of a control profile of the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2. “TA0” in FIG. 18 represents the relative inclination (first relative inclination) when the rate of change is A0 in the information on the rate of change, and “TB0” is when the contact start position is B0 in the information on the contact position. The relative inclination (second relative inclination) of is shown. In the control profile shown in FIG. 18, after the contact between the mold 1 and the imprint material is started at the relative inclination TB0, the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 becomes TA0 as the contact area expands. To change. Then, once the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 becomes TA0, the relative inclination is returned by an error E. When the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 is controlled in this way, as shown in FIG. 19, the curve r in which the relative inclination changes during imprinting due to the error E becomes a curve s close to the curve p in the ideal state. can do.

図20は、制御プロファイルの生成方法を示すフローチャートである。S40では、制御部11は、図3に示すS20〜S29の工程を行い、変化率の情報と接触開始位置の情報とを得る。S41では、制御部11は、上述した式を用いて誤差Eを求め、求めた誤差Eを、カーブrを理想状態に近づけるために相対傾きをTA0から戻す量(補正量)として決定する。S42では、制御部11は、補正量が判定値(閾値)より小さいか否かを判定する。補正量が判定値より小さい場合には終了し、補正量が判定値以上である場合にはS43にすすむ。S43では、制御部11は、S42で決定した補正量に基づいて、図19に示すような制御プロファイルを生成する。そして、制御部11は、生成した制御プロファイルを用いてS40(S20〜S29)の工程を行い、再び補正量を求める。 FIG. 20 is a flowchart showing a method of generating a control profile. In S40, the control unit 11 performs the steps S20 to S29 shown in FIG. 3 to obtain information on the rate of change and information on the contact start position. In S41, the control unit 11 obtains an error E using the above equation, and determines the obtained error E as an amount (correction amount) for returning the relative slope from TA0 in order to bring the curve r closer to the ideal state. In S42, the control unit 11 determines whether or not the correction amount is smaller than the determination value (threshold value). If the correction amount is smaller than the determination value, the process ends, and if the correction amount is greater than or equal to the determination value, the process proceeds to S43. In S43, the control unit 11 generates a control profile as shown in FIG. 19 based on the correction amount determined in S42. Then, the control unit 11 performs the steps of S40 (S20 to S29) using the generated control profile, and obtains the correction amount again.

<第6実施形態>
第6実施形態では、モールド1と基板2との目標相対傾きを決定する他の方法について、図11を参照しながら説明する。図11は、モールド1と基板2との目標相対傾きを決定する方法を示すフローチャートである。本実施形態では、変形部5によって変形されたモールド1のパターン領域上の複数点の高さを第1計測部9に計測させ、第1計測部9の計測結果に基づいてパターン領域1aの接触開始位置を求めている。
<Sixth Embodiment>
In the sixth embodiment, another method for determining the target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a flowchart showing a method of determining a target relative inclination between the mold 1 and the substrate 2. In the present embodiment, the heights of a plurality of points on the pattern region of the mold 1 deformed by the deforming portion 5 are measured by the first measuring unit 9, and the contact of the pattern region 1a is based on the measurement result of the first measuring unit 9. I'm looking for a starting position.

S30では、制御部11は、基板ステージ3をXY方向に移動させながら、モールド1のパターン領域上の複数点の高さを第1計測部9に計測させる。ここでは、変形部5によるパターン領域1aの変形は行われていない。S31では、制御部11は、基板ステージ3をXY方向に移動させながら、基板上の複数点の高さを第2計測部10に計測させる。 In S30, the control unit 11 causes the first measurement unit 9 to measure the heights of a plurality of points on the pattern region of the mold 1 while moving the substrate stage 3 in the XY directions. Here, the pattern region 1a is not deformed by the deformed portion 5. In S31, the control unit 11 causes the second measurement unit 10 to measure the heights of a plurality of points on the substrate while moving the substrate stage 3 in the XY directions.

S32では、制御部11は、第1計測部9および第2計測部10の計測結果に基づいて、変形部5による変形が行われていないモールド1と基板2とが平行になるようにモールド1と基板2との相対傾きを制御する。S32の工程は、例えば、インプリントヘッド4によりモールド1の傾きを変更することによって行われうる。ここで、本実施形態では、S32の工程において、モールド1と基板2とが平行になるようにそれらの相対傾きを制御したが、それに限られるものではない。例えば、制御部11は、第1計測部9および第2計測部10の計測結果に基づいてモールド1と基板2との相対傾きを算出し、算出した相対傾きを、後の工程で決定するモールド1と基板2との目標相対傾きにオフセット値として加えてもよい。 In S32, the control unit 11 bases the mold 1 on the basis of the measurement results of the first measurement unit 9 and the second measurement unit 10 so that the mold 1 not deformed by the deformation unit 5 and the substrate 2 are parallel to each other. Controls the relative inclination between the substrate 2 and the substrate 2. The step S32 can be performed, for example, by changing the inclination of the mold 1 by the imprint head 4. Here, in the present embodiment, in the step of S32, the relative inclinations of the mold 1 and the substrate 2 are controlled so as to be parallel to each other, but the present invention is not limited to this. For example, the control unit 11 calculates the relative inclination between the mold 1 and the substrate 2 based on the measurement results of the first measurement unit 9 and the second measurement unit 10, and the calculated relative inclination is determined in a later process. It may be added as an offset value to the target relative inclination between 1 and the substrate 2.

S33〜S37は、モールド1と基板2との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について、パターン領域1aの接触開始位置およびパターン領域1aの中心のそれぞれのXY方向の位置(座標)を求める工程である。 S33 to S37 are steps of obtaining the contact start position of the pattern region 1a and the position (coordinates) of the center of the pattern region 1a in the XY directions for each of the plurality of states in which the relative inclinations of the mold 1 and the substrate 2 are different from each other. Is.

S33では、制御部11は、モールド1のパターン領域1aが基板2に向かって突出した凸形状に変形するように変形部5を制御する。S34では、制御部11は、変形部5によりモールド1のパターン領域1aを変形させた状態で、基板ステージ3をXY方向に移動させながら、パターン領域上の複数点の高さを第1計測部9に計測させる。これにより、第1計測部の計測結果(データ)として、第1計測部9が移動する移動面(XY面)を基準とするパターン領域上の複数点の高さマップが求められうる。 In S33, the control unit 11 controls the deformation unit 5 so that the pattern region 1a of the mold 1 is deformed into a convex shape protruding toward the substrate 2. In S34, the control unit 11 measures the heights of a plurality of points on the pattern region as the first measuring unit while moving the substrate stage 3 in the XY direction in a state where the pattern region 1a of the mold 1 is deformed by the deforming unit 5. Let 9 measure. As a result, as the measurement result (data) of the first measurement unit, it is possible to obtain a height map of a plurality of points on the pattern region with reference to the moving surface (XY surface) on which the first measurement unit 9 moves.

S35では、制御部11は、第1計測部9の計測結果から、パターン領域1aの接触開始位置およびパターン領域1aの中心位置をXY座標として求める。パターン領域1aは、上述したように、数十μm程度の段差で構成されたメサ形状を有しているため、制御部11は、第1計測部9の計測結果からメサエッジを検出し、メサの中心をパターン領域1aの中心位置として求めることができる。また、制御部11は、パターン領域1aのうち高さが最も低い点(基板2に最も近い点)を接触開始位置として求めることができる。ここで、第1計測部9は、パターン領域1aの接触開始位置および中心位置を求める精度を上げるため、高さの計測を行うパターン領域1aの複数点の間隔を0.1mm以下にすることが好ましい。 In S35, the control unit 11 obtains the contact start position of the pattern region 1a and the center position of the pattern region 1a as XY coordinates from the measurement results of the first measurement unit 9. As described above, the pattern region 1a has a mesa shape composed of steps of about several tens of μm. Therefore, the control unit 11 detects the mesa edge from the measurement results of the first measurement unit 9, and the mesa edge is detected. The center can be obtained as the center position of the pattern region 1a. Further, the control unit 11 can obtain the point having the lowest height (the point closest to the substrate 2) in the pattern region 1a as the contact start position. Here, in order to improve the accuracy of determining the contact start position and the center position of the pattern region 1a, the first measurement unit 9 may set the distance between a plurality of points of the pattern region 1a for measuring the height to 0.1 mm or less. preferable.

S36では、制御部11は、モールド1と基板2との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について、パターン領域1aの接触開始位置および中心位置を求めたか否かを判断する。複数の状態の各々について接触開始位置および中心位置を求めていない場合はS37に進み、制御部11は、S37においてモールド1と基板2との相対傾きを変更してからS34に戻る。一方、複数の状態の各々について接触開始位置および中心位置を求めた場合はS38に進む。 In S36, the control unit 11 determines whether or not the contact start position and the center position of the pattern region 1a have been obtained for each of the plurality of states in which the relative inclinations of the mold 1 and the substrate 2 are different from each other. If the contact start position and the center position have not been obtained for each of the plurality of states, the process proceeds to S37, and the control unit 11 returns to S34 after changing the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 in S37. On the other hand, when the contact start position and the center position are obtained for each of the plurality of states, the process proceeds to S38.

S38では、制御部11は、図12に示すように、相対傾きの変化に対するパターン領域1aの接触開始位置の変化を示す情報、および相対傾きの変化に対するパターン領域1の中心位置の変化を示す情報をそれぞれ求める。そして、制御部11は、それらの各々を1次関数で近似することにより得られた2本の近似直線が交差するときの相対傾きToptを目標相対傾きとして決定する。ここで、本実施形態では、パターン領域1aの接触開始位置および中心位置をXY座標としてそれぞれ求めたが、それに限られるものではない。例えば、パターン領域1aの接触開始位置を、パターン領域1aの中心位置を基準とした位置として定義することもできる。即ち、「接触開始位置」を、パターン領域1aの接触開始位置と中心位置との差として定義してもよい。この場合、図12に示す図では、相対傾きの変化に対するパターン領域1aの接触開始位置の変化を示す情報のみが得られる。 In S38, as shown in FIG. 12, the control unit 11 indicates information indicating a change in the contact start position of the pattern region 1a with respect to a change in the relative inclination, and information indicating a change in the center position of the pattern region 1 with respect to the change in the relative inclination. To be calculated respectively. Then, the control unit 11 determines the relative slope Topt when the two approximate straight lines obtained by approximating each of them with a linear function as the target relative slope. Here, in the present embodiment, the contact start position and the center position of the pattern region 1a are obtained as XY coordinates, respectively, but the present invention is not limited thereto. For example, the contact start position of the pattern region 1a can be defined as a position with reference to the center position of the pattern region 1a. That is, the "contact start position" may be defined as the difference between the contact start position and the center position of the pattern region 1a. In this case, in the figure shown in FIG. 12, only the information indicating the change in the contact start position of the pattern region 1a with respect to the change in the relative inclination can be obtained.

制御部11は、このように決定された目標相対傾きになるようにモールド1と基板2との相対傾きを制御し、モールド1と基板2とをインプリント材を介して接触させる。これにより、接触処理を開始する際のパターン領域1aの接触開始位置をパターン領域1aの中心に近づけることができるため、接触処理においてパターン領域1aを歪ませるようにモールド1に加わる力を低減することができる。 The control unit 11 controls the relative inclination of the mold 1 and the substrate 2 so as to have the target relative inclination determined in this way, and brings the mold 1 and the substrate 2 into contact with each other via the imprint material. As a result, the contact start position of the pattern region 1a when starting the contact processing can be brought closer to the center of the pattern region 1a, so that the force applied to the mold 1 so as to distort the pattern region 1a in the contact processing can be reduced. Can be done.

<物品の製造方法の実施形態>
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。インプリント装置を用いて成形した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。
<Embodiment of manufacturing method of article>
The method for manufacturing an article according to the embodiment of the present invention is suitable for producing an article such as a microdevice such as a semiconductor device or an element having a fine structure. The pattern of the cured product formed by using the imprint device is used permanently for at least a part of various articles or temporarily in manufacturing various articles.

物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。 The article is an electric circuit element, an optical element, a MEMS, a recording element, a sensor, a mold, or the like. Examples of the electric circuit element include volatile or non-volatile semiconductor memories such as DRAM, SRAM, flash memory, and MRAM, and semiconductor elements such as LSI, CCD, image sensor, and FPGA. Examples of the mold include a mold for imprinting. The cured product pattern is used as it is as a constituent member of at least a part of the above-mentioned article, or is temporarily used as a resist mask. The resist mask is removed after etching, ion implantation, or the like in the substrate processing process.

本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程(基板にインプリント処理を行う工程)と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。 In the method for manufacturing an article of the present embodiment, a pattern is formed on a resin coated on a substrate by using the above-mentioned imprint device (a step of imprinting the substrate), and a pattern is formed by such a step. Includes the process of processing the substrate. Further, such a manufacturing method includes other well-known steps (oxidation, film formation, vapor deposition, doping, flattening, etching, resist peeling, dicing, bonding, packaging, etc.). The method for producing an article of the present embodiment is advantageous in at least one of the performance, quality, productivity, and production cost of the article as compared with the conventional method.

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。 Although the preferred embodiments of the present invention have been described above, it goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications and modifications can be made within the scope of the gist thereof.

1:モールド、2:基板、3:基板ステージ、4:インプリントヘッド、5:変形部、6:照射部、7:供給部、8:撮像部、9:第1計測部、10:第2計測部、100:インプリント装置 1: Mold 2: Substrate 3: Substrate stage 4: Imprint head, 5: Deformation part, 6: Irradiation part, 7: Supply part, 8: Imaging part, 9: 1st measurement part, 10: 2nd Measuring unit, 100: Imprint device

Claims (13)

パターンが形成されたパターン領域を有するモールドを用いて、基板上のインプリント材に当該パターンを転写するインプリント装置であって、
基板に向かって突出した凸形状に前記パターン領域を変形させる変形部と、
前記変形部により前記パターン領域を変形し且つ前記モールドと前記基板との相対傾きを目標相対傾きとした状態で前記モールドと前記インプリント材との接触を開始、前記モールドと当該インプリント材との接触領域を徐々に拡げる処理を制御する制御部と、
を含み、
前記制御部は、前記モールドと基板との相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について取得された、前記触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置の変化を示す関係基づいて、前記接触領域の大きさの変化に対する当該接触領域の重心位置の変化の比率が所定値になるときの前記相対傾きを求め、求めた前記相対傾きに基づいて前記目標相対傾きを決定する、ことを特徴とするインプリント装置。
An imprinting apparatus that transfers the pattern to an imprinting material on a substrate using a mold having a pattern region on which the pattern is formed.
A deformed portion that deforms the pattern region into a convex shape protruding toward the substrate, and a deformed portion.
The pattern region is deformed by the deformed portion, and the contact between the mold and the imprint material is started in a state where the relative inclination between the mold and the substrate is set as the target relative inclination, and the mold and the imprint material are brought into contact with each other. A control unit that controls the process of gradually expanding the contact area of
Including
Wherein the control unit, the relative inclination between the mold and the substrate are obtained for each of the different plurality of states to each other, based on the relationship shown a change in the position of the center of gravity of the contact area with respect to changes in the size of the contact touch region The relative inclination when the ratio of the change in the position of the center of gravity of the contact area to the change in the size of the contact area becomes a predetermined value is obtained, and the target relative inclination is determined based on the obtained relative inclination. An imprinting device characterized by.
前記所定値は零である、ことを特徴とする請求項1に記載のインプリント装置。The imprinting apparatus according to claim 1, wherein the predetermined value is zero. 前記制御部は、前記相対傾きが互いに異なる複数の状態の各々について前記処理を事前に行うことにより、前記複数の状態の各々について前記関係を取得する、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のインプリント装置。The first or second claim is characterized in that the control unit acquires the relationship for each of the plurality of states by performing the processing in advance for each of the plurality of states having different relative inclinations. The imprinting device described. 前記制御部は、モールドごとに前記目標相対傾きを決定する、ことを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The imprint device according to any one of claims 1 to 3 , wherein the control unit determines the target relative inclination for each mold. 前記制御部は、前記目標相対傾きになるように前記モールドと基板との相対傾きを制御して前記モールドと前記インプリント材との接触を開始した後、前記モールドと前記インプリント材との接触領域が徐々に拡がるにつれて前記モールドと当該基板とが徐々に平行になるように前記モールドと前記基板との相対傾きを制御する、ことを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 The control unit controls the relative inclination of the mold and the substrate so as to have the target relative inclination, starts contact between the mold and the imprint material, and then contacts the mold and the imprint material. The invention according to any one of claims 1 to 4 , wherein the relative inclination of the mold and the substrate is controlled so that the mold and the substrate gradually become parallel as the region gradually expands. The imprinting device described. 前記パターン領域を撮像する撮像部を更に含み、
前記制御部は、前記撮像部で得られた画像に基づいて、前記モールドと前記インプリント材との接触領域の大きさ、および当該接触領域の重心位置を求める、ことを特徴とする請求項1乃至のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
It further includes an imaging unit that images the pattern region.
Claim 1 is characterized in that the control unit obtains the size of the contact region between the mold and the imprint material and the position of the center of gravity of the contact region based on the image obtained by the imaging unit. The imprinting apparatus according to any one of 5 to 5.
前記制御部は、前記複数の状態の各々についての前記関係に基づいて、前記比率が所定値になるときの前記相対傾きを前記目標相対傾きとして決定する、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。Claims 1 to 6 are characterized in that the control unit determines the relative slope when the ratio reaches a predetermined value as the target relative slope based on the relationship for each of the plurality of states. The imprinting apparatus according to any one of the above. 前記制御部は、
前記複数の状態の各々についての前記関係に基づいて、前記対傾きの変化に対する前記比率の変化を示す第1情報を生成し、当該第1情報から前記比率が前記所定値になるときの前記対傾きを第1相対傾きとして求め、
前記複数の状態の各々についての前記関係に基づいて、前記対傾きの変化に対する前記パターン領域の接触開始位置の変化を示す第2情報を生成し、当該第2情報から前記パターン領域の接触開始位置が前記パターン領域の所定位置になるときの前記対傾きを第2相対傾きとして求め、
前記第1相対傾きと前記第2相対傾きとに基づいて前記目標相対傾きを決定する、ことを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載のインプリント装置。
The control unit
Based on the relationship for each of said plurality of states, generate the first information indicating a change in the ratio of change in the phase to slope, said time of said ratio from said first information is the predetermined value seek relative inclination as the first relative inclination,
Based on the relationship for each of said plurality of states, generate the second information indicating a change in the contact start position of the pattern region with respect to a change in the phase to slope, the contact start of the pattern area from the second information position is calculated the phase to slope when a predetermined position of the pattern area as a second relative inclination,
The imprint device according to any one of claims 1 to 6, wherein the target relative inclination is determined based on the first relative inclination and the second relative inclination.
前記制御部は、前記第1相対傾きと前記第2相対傾きとの間において前記目標相対傾きを決定する、ことを特徴とする請求項8に記載のインプリント装置。The imprint device according to claim 8, wherein the control unit determines the target relative inclination between the first relative inclination and the second relative inclination. 前記所定位置は、前記パターン領域の中心である、ことを特徴とする請求項8又は9に記載のインプリント装置。The imprinting apparatus according to claim 8 or 9, wherein the predetermined position is the center of the pattern region. 前記基板は、第1ショット領域および第2ショット領域を含む複数のショット領域を有し、
記制御部は、前記第2ショット領域についての前記目標相対傾きを、前記第1ショット領域について生成された前記第1情報および前記第2情報に基づいて決定する、ことを特徴とする請求項8乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。
The substrate has a plurality of shot regions including a first shot region and a second shot region.
Prior Symbol controller, claims wherein the target relative inclination of the second shot region, determined based on the first information and the second information generated for the first shot area, it is characterized by The imprinting apparatus according to any one of 8 to 10.
前記制御部は、記第1相対傾きと前記第2相対傾きとに基づいて、前記第2相対傾きで前記モールドと前記基板とを接触させた後に、前記接触領域が拡がるにつれて前記相対傾きが前記第1相対傾きとなるように、前記処理における前記目標相対傾きの制御プロファイルを決定する、ことを特徴とする請求項8乃至10のうちいずれか1項に記載のインプリント装置。 Wherein, prior SL on the basis of said first relative inclination second relative inclination, after contacting the substrate and the mold in the second relative tilt, said relative tilt as the contact area is enlarged The imprint device according to any one of claims 8 to 10, wherein a control profile of the target relative inclination in the process is determined so as to have the first relative inclination. 請求項1乃至12のうちいずれか1項に記載のインプリント装置を用いて基板にパターンを形成する形成工程と、
前記形成工程でパターンを形成された前記基板を加工する加工工程と、
を含み、
前記加工工程で加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。
A forming step of forming a pattern on a substrate by using the imprinting apparatus according to any one of claims 1 to 12.
A processing process for processing the substrate on which a pattern is formed in the forming process, and a processing process for processing the substrate.
Including
A method for producing an article, which comprises producing an article from the substrate processed in the processing step.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7080025B2 (en) 2017-09-01 2022-06-03 キヤノン株式会社 Information processing equipment, information processing methods and programs
JP7150535B2 (en) * 2018-09-13 2022-10-11 キヤノン株式会社 Flattening apparatus, flattening method and article manufacturing method
JP7418127B2 (en) * 2020-03-24 2024-01-19 キヤノン株式会社 Flattening device, flattening method, and article manufacturing method
JP7391806B2 (en) * 2020-09-16 2023-12-05 キオクシア株式会社 Imprint device, information processing device, and imprint method

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007099907A1 (en) * 2006-03-03 2007-09-07 Pioneer Corporation Imprinting mold and method of imprinting
US8480942B2 (en) * 2010-01-27 2013-07-09 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Method of forming a patterned layer of a material on a substrate
JP6061524B2 (en) * 2011-08-11 2017-01-18 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and article manufacturing method
JP6004738B2 (en) * 2011-09-07 2016-10-12 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and article manufacturing method using the same
JP6069689B2 (en) * 2012-07-26 2017-02-01 大日本印刷株式会社 Nanoimprint template
JP6412317B2 (en) * 2013-04-24 2018-10-24 キヤノン株式会社 Imprint method, imprint apparatus, and article manufacturing method
JP2015050437A (en) * 2013-09-04 2015-03-16 キヤノン株式会社 Imprinting device and article manufacturing method
JP6282069B2 (en) * 2013-09-13 2018-02-21 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, imprint method, detection method, and device manufacturing method
SG11201604407WA (en) * 2013-12-31 2016-07-28 Canon Nanotechnologies Inc Asymmetric template shape modulation for partial field imprinting
JP6497849B2 (en) * 2014-04-15 2019-04-10 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and article manufacturing method
JP5933060B2 (en) * 2015-03-13 2016-06-08 キヤノン株式会社 Imprint apparatus and method, and article manufacturing method
JP6700936B2 (en) * 2016-04-25 2020-05-27 キヤノン株式会社 Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method

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