JP6926613B2 - Semiconductor structures and vehicle lamps - Google Patents

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Description

本発明は、半導体構造体及び車両用灯具に関する。 The present invention relates to semiconductor structures and vehicle lamps.

従来、半導体発光素子から放出される熱を効率的に外部に放出する半導体構造体が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Conventionally, a semiconductor structure that efficiently releases heat emitted from a semiconductor light emitting device to the outside has been proposed (see, for example, Patent Document 1).

特許文献１に記載のような従来技術は、熱伝導率の高い窒化アルミニウム基板に半導体発光素子が実装されているため、半導体発光素子から放出される熱を窒化アルミニウム基板から効率的に外部に放出することができるものである。 In the prior art as described in Patent Document 1, since the semiconductor light emitting element is mounted on the aluminum nitride substrate having high thermal conductivity, the heat emitted from the semiconductor light emitting element is efficiently released from the aluminum nitride substrate to the outside. Is something that can be done.

特開２００８−０４７６０４号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-047604

しかし、特許文献１に記載のような従来技術は、半導体発光素子と、ヒートシンクとの間の厚みが十分ではないため、半導体発光素子から放出される熱を十分に拡散させる状況ではない。また、窒化アルミニウム基板と、ヒートシンクとの間にはグリスが充填されているが、窒化アルミニウム基板と、グリスとの密着状態は不十分であるため、半導体発光素子から放出される熱をヒートシンクに効率的に伝達させる状況ではない。 However, in the conventional technique as described in Patent Document 1, since the thickness between the semiconductor light emitting element and the heat sink is not sufficient, the heat emitted from the semiconductor light emitting element is not sufficiently diffused. Further, although grease is filled between the aluminum nitride substrate and the heat sink, the heat emitted from the semiconductor light emitting element is efficiently used as the heat sink because the adhesion between the aluminum nitride substrate and the grease is insufficient. It is not a situation to convey the information.

本開示はこのような状況に鑑みてなされたものであり、半導体発光素子から放出される熱を、十分に拡散させつつ、ヒートシンクに効率的に伝達させることができるようにするものである。 The present disclosure has been made in view of such a situation, and makes it possible to efficiently transfer the heat emitted from the semiconductor light emitting device to the heat sink while sufficiently diffusing it.

本開示の第１の側面である半導体構造体は、半導体発光素子と、前記半導体発光素子が実装され、前記半導体発光素子から放出される熱を伝達させるセラミック基板と、前記セラミック基板の裏面側に配置され、前記セラミック基板で伝達される熱を拡散させるシリコン基板と、前記シリコン基板の裏面側に配置され、前記シリコン基板で拡散される熱を放熱するヒートシンクと、を備え、前記セラミック基板及び前記シリコン基板の合計の厚さは、１ｍｍ以上である。 The semiconductor structure, which is the first aspect of the present disclosure, includes a semiconductor light emitting element, a ceramic substrate on which the semiconductor light emitting element is mounted, and a ceramic substrate that transfers heat emitted from the semiconductor light emitting element, and a back surface side of the ceramic substrate. A silicon substrate that is arranged and diffuses heat transferred by the ceramic substrate, and a heat sink that is arranged on the back surface side of the silicon substrate and dissipates heat diffused by the silicon substrate are provided, and the ceramic substrate and the said The total thickness of the silicon substrate is 1 mm or more.

セラミック基板及びシリコン基板の合計の厚さが１ｍｍ以上であるため、横方向への熱拡散が促進され、全体として熱拡散が促進される。また、シリコン基板は微細加工されて形成されるものであり、ヒートシンクは、シリコン基板の裏面側に配置されているものであるため、ヒートシンクとシリコン基板との密着状態は十分なものとなっている。したがって、半導体発光素子から放出される熱を、十分に拡散させつつ、ヒートシンクに効率的に伝達させることができる。 Since the total thickness of the ceramic substrate and the silicon substrate is 1 mm or more, heat diffusion in the lateral direction is promoted, and heat diffusion is promoted as a whole. Further, since the silicon substrate is formed by microfabrication and the heat sink is arranged on the back surface side of the silicon substrate, the state of close contact between the heat sink and the silicon substrate is sufficient. .. Therefore, the heat emitted from the semiconductor light emitting device can be efficiently transferred to the heat sink while being sufficiently diffused.

また、前記セラミック基板は、窒化アルミニウム基板である、ことが好ましい。 Further, the ceramic substrate is preferably an aluminum nitride substrate.

また、前記窒化アルミニウム基板の厚さは、０．４５ｍｍであり、前記シリコン基板の厚さは、０．５５ｍｍ以上である、ことが好ましい。 Further, the thickness of the aluminum nitride substrate is preferably 0.45 mm, and the thickness of the silicon substrate is preferably 0.55 mm or more.

また、前記シリコン基板は、裏面側の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となり、且つ裏面側の表面粗さＲｙが１１μｍ以内となるように、光学研磨がされたものである、ことが好ましい。 Further, it is preferable that the silicon substrate is optically polished so that the surface roughness Ra on the back surface side is 1 nm or less and the surface roughness Ry on the back surface side is 11 μm or less.

また、本開示の第２の側面である車両用灯具は、上記に記載の半導体構造体を含む、ものであり、半導体構造体の場合と同様に、半導体発光素子から放出される熱を、十分に拡散させつつ、ヒートシンクに効率的に伝達させることができる。 Further, the vehicle lamp, which is the second aspect of the present disclosure, includes the semiconductor structure described above, and as in the case of the semiconductor structure, the heat emitted from the semiconductor light emitting device is sufficiently dissipated. It can be efficiently transmitted to the heat sink while being diffused into the heat sink.

本開示の第１及び第２の側面によれば、半導体発光素子から放出される熱を、十分に拡散させつつ、ヒートシンクに効率的に伝達させることができる。 According to the first and second aspects of the present disclosure, the heat emitted from the semiconductor light emitting device can be efficiently transferred to the heat sink while being sufficiently diffused.

本開示を適用した半導体構造体１の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the semiconductor structure 1 to which this disclosure is applied. 半導体構造体１の半導体発光素子１１から放出される熱の拡散方向Ｋ，Ｊの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the diffusion direction K, J of the heat emitted from the semiconductor light emitting element 11 of the semiconductor structure 1. シリコン基板１５と、グリス１７との密着状態を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the close contact state of a silicon substrate 15 and a grease 17. 従来の半導体構造体１’の構成例を示す図である。It is a figure which shows the structural example of the conventional semiconductor structure 1'. 従来の半導体構造体１’の半導体発光素子１１から放出される熱の拡散方向Ｊの一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the diffusion direction J of the heat emitted from the semiconductor light emitting element 11 of the conventional semiconductor structure 1'. 従来の半導体構造体１’のセラミック基板１３と、グリス１７との密着状態を概略的に示す図である。It is a figure which shows roughly the close contact state between the ceramic substrate 13 of the conventional semiconductor structure 1'and the grease 17. 従来の半導体構造体１’と、本開示を適用した半導体構造体１との熱抵抗を比較する図である。It is a figure which compares the thermal resistance of the conventional semiconductor structure 1', and the semiconductor structure 1 to which this disclosure is applied.

以下、図面に基づいて本発明の実施形態を説明するが、本発明は以下の実施形態に限られるものではない。図１は、本開示を適用した半導体構造体１の構成例を示す図である。図１に示すように、半導体構造体１は、半導体発光素子１１、セラミック基板１３、シリコン基板１５、及びヒートシンク１９等を備える。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments. FIG. 1 is a diagram showing a configuration example of a semiconductor structure 1 to which the present disclosure is applied. As shown in FIG. 1, the semiconductor structure 1 includes a semiconductor light emitting element 11, a ceramic substrate 13, a silicon substrate 15, a heat sink 19, and the like.

半導体発光素子１１は、ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＮ，若しくはＡｌＧａＮ等の化合物半導体から構成される。半導体発光素子１１は、ＧａＡｓ，ＩｎＰ，ＧａＮ，若しくはＡｌＧａＮ等の化合物をセラミック基板１３上に成膜したものから構成されてもよい。半導体発光素子１１は、レーザーダイオードであってもよい。なお、半導体発光素子１１は、化合部半導体又はレーザーダイオードである場合、金属（Ａｕ）又ははんだ（ＡｕＳｎ）等の接合剤によりセラミック基板１３と接合させることにより、半導体構造体１として構成されればよい。 The semiconductor light emitting device 11 is composed of a compound semiconductor such as GaAs, InP, GaN, or AlGaN. The semiconductor light emitting device 11 may be composed of a compound such as GaAs, InP, GaN, or AlGaN formed on the ceramic substrate 13. The semiconductor light emitting device 11 may be a laser diode. If the semiconductor light emitting element 11 is a compounded semiconductor or a laser diode, it may be configured as the semiconductor structure 1 by joining the semiconductor light emitting element 11 to the ceramic substrate 13 with a bonding agent such as metal (Au) or solder (AuSn). good.

セラミック基板１３は、半導体発光素子１１が実装されるものであり、窒化アルミニウム基板、酸化アルミニウム基板、炭化ケイ素基板、又は窒化ケイ素基板等が使用可能である。特に、窒化アルミニウム基板は、熱伝導率が高いので、セラミック基板１３としての使用が好ましい。セラミック基板１３は、半導体発光素子１１から放出される熱を外部に伝達させるものである。 The ceramic light emitting element 11 is mounted on the ceramic substrate 13, and an aluminum nitride substrate, an aluminum oxide substrate, a silicon carbide substrate, a silicon nitride substrate, or the like can be used. In particular, since the aluminum nitride substrate has high thermal conductivity, it is preferably used as the ceramic substrate 13. The ceramic substrate 13 transfers the heat emitted from the semiconductor light emitting element 11 to the outside.

なお、実装するとは、半導体発光素子１１を配置して機械的に接続することと、半導体発光素子１１を電気的に接続することと、を含む概念である。 Note that mounting is a concept including arranging and mechanically connecting the semiconductor light emitting elements 11 and electrically connecting the semiconductor light emitting elements 11.

シリコン基板１５は、セラミック基板１３の裏面側に配置されるものであり、セラミック基板１３で伝達される熱を拡散させるものである。なお、シリコン基板１５の表面粗さＲａは、数ｎｍであるのに対し、窒化アルミニウム基板の表面粗さＲａは、約１０μｍであって、熱膨張率も異なるものである。そこで、例えば、シリコン基板１５上に窒化アルミニウム基板を成膜等により配置させる際、シリコン基板１５上をエッチング等により約数μｍ周期で凹凸構造を事前に形成しておいてもよい。 The silicon substrate 15 is arranged on the back surface side of the ceramic substrate 13 and diffuses the heat transferred by the ceramic substrate 13. The surface roughness Ra of the silicon substrate 15 is several nm, whereas the surface roughness Ra of the aluminum nitride substrate is about 10 μm, and the coefficient of thermal expansion is also different. Therefore, for example, when the aluminum nitride substrate is arranged on the silicon substrate 15 by film formation or the like, the uneven structure may be formed in advance on the silicon substrate 15 by etching or the like at a cycle of about several μm.

ヒートシンク１９は、シリコン基板１５の裏面側に配置されるものであり、シリコン基板１５で拡散される熱を放熱するものである。 The heat sink 19 is arranged on the back surface side of the silicon substrate 15 and dissipates heat diffused by the silicon substrate 15.

セラミック基板１３及びシリコン基板１５の合計の厚さは、１ｍｍ以上である。具体的には、セラミック基板１３である窒化アルミニウム基板の厚さは、０．４５ｍｍである。一方、シリコン基板１５の厚さは、０．５５ｍｍ以上である。シリコン基板１５は、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となり、且つ表面粗さＲｙが１１μｍ以内となるように、光学研磨がされていることが好ましい。 The total thickness of the ceramic substrate 13 and the silicon substrate 15 is 1 mm or more. Specifically, the thickness of the aluminum nitride substrate, which is the ceramic substrate 13, is 0.45 mm. On the other hand, the thickness of the silicon substrate 15 is 0.55 mm or more. The silicon substrate 15 is preferably optically polished so that the surface roughness Ra is 1 nm or less and the surface roughness Ry is 11 μm or less.

図２は、半導体構造体１の半導体発光素子１１から放出される熱の拡散方向Ｋ，Ｊの一例を示す図である。図３は、シリコン基板１５と、グリス１７との密着状態を概略的に示す図である。図４は、従来の半導体構造体１’の構成例を示す図である。図５は、従来の半導体構造体１’の半導体発光素子１１から放出される熱の拡散方向Ｊの一例を示す図である。図６は、従来の半導体構造体１’のセラミック基板１３と、グリス１７との密着状態を概略的に示す図である。 FIG. 2 is a diagram showing an example of heat diffusion directions K and J emitted from the semiconductor light emitting device 11 of the semiconductor structure 1. FIG. 3 is a diagram schematically showing a state of close contact between the silicon substrate 15 and the grease 17. FIG. 4 is a diagram showing a configuration example of the conventional semiconductor structure 1'. FIG. 5 is a diagram showing an example of the heat diffusion direction J emitted from the semiconductor light emitting device 11 of the conventional semiconductor structure 1'. FIG. 6 is a diagram schematically showing a state of close contact between the ceramic substrate 13 of the conventional semiconductor structure 1'and the grease 17.

図２に示すように、半導体構造体１の半導体発光素子１１から放出される熱は、拡散方向Ｊの他に拡散方向Ｋにも拡散する。つまり、半導体構造体１の半導体発光素子１１から放出される熱は、シリコン基板１５の厚みがある分、放熱経路がより多く確保されているため、例えば横方向にも拡散するものである。一方、図４，５に示すように、従来の半導体構造体１’は、セラミック基板１３と、ヒートシンク１９との間には、シリコン基板１５が配置されていない。よって、半導体構造体１’の半導体発光素子１１から放出される熱は、シリコン基板１５の厚みがない分、放熱経路が少ないため、例えば横方向にも拡散しづらい。 As shown in FIG. 2, the heat emitted from the semiconductor light emitting device 11 of the semiconductor structure 1 diffuses not only in the diffusion direction J but also in the diffusion direction K. That is, the heat emitted from the semiconductor light emitting element 11 of the semiconductor structure 1 is diffused in the lateral direction, for example, because more heat dissipation paths are secured due to the thickness of the silicon substrate 15. On the other hand, as shown in FIGS. 4 and 5, in the conventional semiconductor structure 1', the silicon substrate 15 is not arranged between the ceramic substrate 13 and the heat sink 19. Therefore, the heat emitted from the semiconductor light emitting element 11 of the semiconductor structure 1'is difficult to diffuse in the lateral direction, for example, because the heat radiation path is small because the silicon substrate 15 is not thick.

また、シリコン基板１５の表面粗さＲａは１ｎｍ以下となるように、光学研磨されたものであり、グリス１７の粒径は約３０μｍである。よって、図３，６に示すように、半導体構造体１のグリス１７とシリコン基板１５との間は、半導体構造体１’のグリス１７とセラミック基板１３との間よりも密着している。 Further, the silicon substrate 15 is optically polished so that the surface roughness Ra is 1 nm or less, and the particle size of the grease 17 is about 30 μm. Therefore, as shown in FIGS. 3 and 6, the grease 17 of the semiconductor structure 1 and the silicon substrate 15 are in closer contact with each other than the grease 17 of the semiconductor structure 1'and the ceramic substrate 13.

図７は、従来の半導体構造体１’と、本開示を適用した半導体構造体１との熱抵抗を比較する図である。特性曲線Ｌは、窒化アルミニウム基板とヒートシンク１９との間にシリコン基板１５が配置されていないものであって、従来の半導体構造体１’の特性を示すものである。一方、特性曲線Ｍは、窒化アルミニウム基板とヒートシンク１９との間にシリコン基板１５が配置されているものであって、本開示を適用した半導体構造体１の特性を示すものである。図７に示すように、特性曲線Ｌよりも特性曲線Ｍの方が、熱抵抗は低いものとなっている。 FIG. 7 is a diagram comparing the thermal resistance of the conventional semiconductor structure 1'and the semiconductor structure 1 to which the present disclosure is applied. The characteristic curve L shows that the silicon substrate 15 is not arranged between the aluminum nitride substrate and the heat sink 19, and shows the characteristics of the conventional semiconductor structure 1'. On the other hand, the characteristic curve M shows the characteristics of the semiconductor structure 1 to which the present disclosure is applied, in which the silicon substrate 15 is arranged between the aluminum nitride substrate and the heat sink 19. As shown in FIG. 7, the characteristic curve M has a lower thermal resistance than the characteristic curve L.

なお、半導体構造体１は、車両用灯具として使用されてもよい。 The semiconductor structure 1 may be used as a vehicle lamp.

以上の説明から、本開示を適用した半導体構造体１によれば、セラミック基板１３及びシリコン基板１５の合計の厚さが１ｍｍ以上であるため、横方向への熱拡散が促進され、全体として熱拡散が促進される。また、シリコン基板１５は微細加工されて形成されるものであり、ヒートシンク１９は、シリコン基板１５の裏面側に配置されているものであるため、ヒートシンク１９とシリコン基板１５との密着状態は十分なものとなっている。したがって、半導体発光素子１１から放出される熱を、十分に拡散させつつ、ヒートシンク１９に効率的に伝達させることができる。 From the above description, according to the semiconductor structure 1 to which the present disclosure is applied, since the total thickness of the ceramic substrate 13 and the silicon substrate 15 is 1 mm or more, heat diffusion in the lateral direction is promoted, and heat as a whole is promoted. Diffusion is promoted. Further, since the silicon substrate 15 is formed by microfabrication and the heat sink 19 is arranged on the back surface side of the silicon substrate 15, the state of close contact between the heat sink 19 and the silicon substrate 15 is sufficient. It has become a thing. Therefore, the heat emitted from the semiconductor light emitting device 11 can be efficiently transferred to the heat sink 19 while being sufficiently diffused.

また、窒化アルミニウム基板は、熱伝導率が高いため、半導体発光素子１１から放出される熱を効率的に外部に放出することができる。また、窒化アルミニウム基板は絶縁体であり、シリコン基板１５は半導体である。よって、半導体発光素子１１と、シリコン基板１５との間に窒化アルミニウム基板が挟み込まれる構造となることにより、電気的絶縁性が保たれるため、半導体発光素子１１と、シリコン基板１５との間の電気的導通を妨げることができる。 Further, since the aluminum nitride substrate has high thermal conductivity, the heat emitted from the semiconductor light emitting device 11 can be efficiently released to the outside. The aluminum nitride substrate is an insulator, and the silicon substrate 15 is a semiconductor. Therefore, the structure is such that the aluminum nitride substrate is sandwiched between the semiconductor light emitting element 11 and the silicon substrate 15, so that the electrical insulation is maintained. Therefore, the semiconductor light emitting element 11 and the silicon substrate 15 are separated from each other. It can prevent electrical continuity.

また、窒化アルミニウム基板の厚さは、０．４５ｍｍ以上であり、シリコン基板１５の厚さは、０．５５ｍｍ以上であるため、半導体発光素子１１とヒートシンク１９との間の厚みを窒化アルミニウム基板単体よりも低コストで増加させることができる。 Further, since the thickness of the aluminum nitride substrate is 0.45 mm or more and the thickness of the silicon substrate 15 is 0.55 mm or more, the thickness between the semiconductor light emitting element 11 and the heat sink 19 is set to the thickness of the aluminum nitride substrate alone. It can be increased at a lower cost than.

また、シリコン基板１５は、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となり、表面粗さＲｙが１１μｍ以内となるように、光学研磨がされたものであるため、平坦度の高いものである。よって、シリコン基板１５と、ヒートシンク１９との密着度は高い。したがって、シリコン基板１５と、ヒートシンク１９との密着面積は向上するため、全体として熱抵抗が低減する。熱抵抗低減効果により、半導体発光素子１１から放出される熱は効率良くヒートシンク１９に伝達されるため、信頼性が向上する。また、熱抵抗低減効果により、半導体構造体１のユニットとしての小型化を図ることができる。また、熱抵抗低減効果により、既存サイズのヒートシンク１９を使用した場合、電流をさらに流すことができるため、半導体発光素子１１から放出される光束を増加させることができ、全体として光量を増加させることができる。 Further, since the silicon substrate 15 is optically polished so that the surface roughness Ra is 1 nm or less and the surface roughness Ry is 11 μm or less, the silicon substrate 15 has a high flatness. Therefore, the degree of adhesion between the silicon substrate 15 and the heat sink 19 is high. Therefore, the contact area between the silicon substrate 15 and the heat sink 19 is improved, so that the thermal resistance is reduced as a whole. Due to the effect of reducing the thermal resistance, the heat released from the semiconductor light emitting element 11 is efficiently transferred to the heat sink 19, so that the reliability is improved. Further, due to the effect of reducing the thermal resistance, the semiconductor structure 1 can be miniaturized as a unit. Further, due to the effect of reducing thermal resistance, when an existing size heat sink 19 is used, a current can be further passed, so that the luminous flux emitted from the semiconductor light emitting element 11 can be increased, and the amount of light can be increased as a whole. Can be done.

以上、本開示を適用した半導体構造体１を実施形態に基づいて説明したが、本開示はこれに限定されるものではなく、本開示の趣旨を逸脱しない範囲で、変更を加えてもよい。 Although the semiconductor structure 1 to which the present disclosure is applied has been described above based on the embodiment, the present disclosure is not limited to this, and changes may be made without departing from the spirit of the present disclosure.

例えば、接合剤としてＡｕ基はんだの一例について説明したが、特にこれに限定されるものではない。例えば、Ｓｎ基はんだ、Ｐｂ基はんだ、又はＩｎ基はんだ等の接合剤が用いられてもよい。 For example, an example of Au-based solder as a bonding agent has been described, but the present invention is not particularly limited thereto. For example, a bonding agent such as Sn-based solder, Pb-based solder, or In-based solder may be used.

１，１’ 半導体構造体
１１ 半導体発光素子
１３ セラミック基板
１５ シリコン基板
１７ グリス
１９ ヒートシンク
Ｋ，Ｊ 拡散方向
Ｌ，Ｍ 特性曲線 1,1'Semiconductor structure 11 Semiconductor light emitting element 13 Ceramic substrate 15 Silicon substrate 17 Grease 19 Heat sink K, J Diffusion direction L, M Characteristic curve

Claims (5)

半導体発光素子と、
前記半導体発光素子が実装され、前記半導体発光素子から放出される熱を伝達させるセラミック基板と、
前記セラミック基板の裏面側に配置され、前記セラミック基板で伝達される熱を拡散させるシリコン基板と、
前記シリコン基板の裏面側に配置され、前記シリコン基板で拡散される熱を放熱するヒートシンクと、
を備え、
前記セラミック基板及び前記シリコン基板の合計の厚さは、１ｍｍ以上である、
半導体構造体。 Semiconductor light emitting element and
A ceramic substrate on which the semiconductor light emitting device is mounted and which transfers heat emitted from the semiconductor light emitting device, and
A silicon substrate that is arranged on the back surface side of the ceramic substrate and diffuses heat transferred by the ceramic substrate, and a silicon substrate.
A heat sink that is arranged on the back surface side of the silicon substrate and dissipates heat diffused by the silicon substrate.
With
The total thickness of the ceramic substrate and the silicon substrate is 1 mm or more.
Semiconductor structure. 前記セラミック基板は、窒化アルミニウム基板である、
請求項１に記載の半導体構造体。 The ceramic substrate is an aluminum nitride substrate.
The semiconductor structure according to claim 1. 前記窒化アルミニウム基板の厚さは、０．４５ｍｍであり、
前記シリコン基板の厚さは、０．５５ｍｍ以上である、
請求項２に記載の半導体構造体。 The thickness of the aluminum nitride substrate is 0.45 mm.
The thickness of the silicon substrate is 0.55 mm or more.
The semiconductor structure according to claim 2. 前記シリコン基板は、
裏面側の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となり、且つ裏面側の表面粗さＲｙが１１μｍ以内となるように、光学研磨がされたものである、
請求項１〜３の何れか一項に記載の半導体構造体。 The silicon substrate is
Optically polished so that the surface roughness Ra on the back surface side is 1 nm or less and the surface roughness Ry on the back surface side is 11 μm or less.
The semiconductor structure according to any one of claims 1 to 3. 請求項１〜４の何れか一項に記載の半導体構造体、
を含む、
車両用灯具。 The semiconductor structure according to any one of claims 1 to 4.
including,
Vehicle lighting equipment.
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