JP6918657B2 - 基板観察装置、塗布装置および位置決め方法 - Google Patents
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Description
(塗布装置全体の構成)
図1は、実施の形態1に従った液体塗布装置200の模式的な斜視図である。図1を参照して、本発明の実施の形態1である液体塗布装置200は、床面に配置された基台12と、X軸ステージ1と、Y軸ステージ2と、Z軸ステージ3と、塗布機構4と、観察光学系6と、観察光学系6に接続されたCCDカメラ7と、制御部11とを備えている。液体塗布装置200は、観察光学系6を介して基板の表面を観察する基板観察装置ともいえる。
塗布ユニット20が設けられている塗布機構4について、図2を参照して説明する。図2は、図1に示した塗布装置に用いられる塗布機構を示す模式図である。図2(A)には正面図が示され、図2(B)には側面図が示される。
図3は、図2に示した塗布機構4の動作にともなう塗布針24の位置を説明するための模式的な断面図である。制御部11からの制御信号により、図2に示す塗布機構4のサーボモータ15は、回転軸15bを回転させてカム17を回転させる。この結果、カム17のカム面17aは、Z軸方向の高さ位置が変化するため、カム面17aと接するカムフォロア18の高さ位置も変化する。図2(A)に示されるように、カム面17aのうち、比較的上方の上側領域17bにカムフォロア18が近接する状態で塗布針24は上昇し、比較的下方の下側領域17cにカムフォロア18が近接する状態で塗布針24は下降する。これにより、サーボモータ15を駆動させると、カム17を介して塗布針24の先端23を上,下方向に往復移動させることができる。
図4は、制御用コンピュータ10の内部構成の概略を示す機能ブロック図である。制御用コンピュータ10は、たとえばCPU(Central Processing Unit)と、ROM(Read Only Memory)と、RAM(Random Access Memory)とによって構成される。なお、これらの部位は、内部バスを介して互いに接続される。CPUは、ROMに格納されているプログラムをRAMなどに展開して実行する。ROMに格納されるプログラムは、制御用コンピュータ10の処理方法が記されたプログラムである。図4に示されるように、制御用コンピュータ10は、画像取得部101と、ステージ制御部102と、指令位置決定部103と、補正マップ生成部104と、記憶部105と、補正部106とを含む。
図6を参照して、制御用コンピュータ10における観察光学系6の位置決め方法の流れについて説明する。図6は、制御用コンピュータ10における観察光学系6の位置決め方法の流れを示すフローチャートである。
図7を参照して、補正マップの生成処理の流れについて説明する。図7は、補正マップの生成処理の流れを示すフローチャートである。補正マップの生成処理を開始するとき、記憶部105が記憶する補正マップの各区域のXYZ補正量およびフラグが全て0に初期化される。
dx(p,q)=|2f(p,q)−f(p−s,q)−f(p+s,q)| 式(1)
dy(p,q)=|2f(p,q)−f(p,q−t)−f(p,q+t)| 式(2)
図10を参照して、観察光学系6の位置決め処理の流れについて説明する。図10は、観察光学系6の位置決め処理の流れを示すフローチャートである。
上記の説明では、補正マップの生成処理と観察光学系6の位置決め処理とを別のタイミングで行なうものとした。しかしながら、制御用コンピュータ10は、補正マップの生成処理と観察光学系6の位置決め処理とを並行して行なってもよい。
以上のように、実施の形態1に係る液体塗布装置(基板観察装置)200は、観察光学系6と、CCDカメラ7と、ステージ制御部102と、指令位置決定部103と、記憶部105と、補正部106とを備える。ステージ制御部102は、指示されたXY座標に従って、観察光学系6のX方向およびY方向の位置決めを行なう位置決め装置30を構成する。指令位置決定部103は、基板5の表面上の観察対象位置のXY座標を観察光学系6の指令位置のXY座標として決定する。記憶部105は、XY平面内の複数の位置の各々に対応するXY補正量を記憶する。補正部106は、観察対象位置に対応するXY補正量を記憶部105から参照し、参照したXY補正量を用いて指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標をステージ制御部102に指示する。補正後のXY座標をステージ制御部102に指示したときにCCDカメラ7によって撮影される画像を第1画像とし、指令位置のXY座標をステージ制御部102に指示したときにCCDカメラ7によって撮影される画像を第2画像とする。このとき、XY補正量は、第1画像の中心と第1画像中の観察対象位置との距離が、第2画像の中心と第2画像中の観察対象位置との距離よりも短くなるように設定される。
実施の形態2に係る液体塗布装置は、実施の形態1に係る液体塗布装置200の変形例である。上記の実施の形態1では、補正マップを用いて補正されたXYZ座標に基づいて観察光学系6の位置決めを行なった。これに対して、実施の形態2では、補正マップを用いて補正されたXYZ座標に基づいて塗布機構4の位置決めを行なう。
図13は、実施の形態2に係る制御用コンピュータ10aの構成を示す機能ブロック図である。実施の形態2に係る液体塗布装置は、実施の形態1に係る液体塗布装置200と比較して、制御用コンピュータ10の代わりに図11に示す制御用コンピュータ10aを備える点でのみ相違する。図13に示されるように、制御用コンピュータ10aは、画像取得部101と、ステージ制御部102aと、指令位置決定部103aと、補正マップ生成部104aと、記憶部105と、補正部106aと、塗布機構制御部107とを備える。画像取得部101および記憶部105については、実施の形態1と同様の機能であるため、ここでは詳細な説明を省略する。
図14を参照して、制御用コンピュータ10aにおける塗布機構4の位置決め方法の流れについて説明する。図14は、制御用コンピュータ10aにおける塗布機構4の位置決め方法の流れを示すフローチャートである。
図15を参照して、補正マップの生成処理の流れについて説明する。図15は、実施の形態2における補正マップの生成処理の流れを示すフローチャートである。補正マップの生成処理を開始するとき、記憶部105が記憶する補正マップの各区域の補正量およびフラグが全て0に初期化される。
図17を参照して、塗布機構4の位置決め処理の流れについて説明する。図17は、塗布機構4の位置決め処理の流れを示すフローチャートである。
上記の説明では、補正マップの生成処理と塗布機構4の位置決め処理とを別のタイミングで行なうものとした。しかしながら、制御用コンピュータ10aは、補正マップの生成処理と塗布機構4の位置決め処理とを並行して行なってもよい。
以上のように、実施の形態2に係る液体塗布装置は、観察光学系6と、CCDカメラ7と、塗布機構4と、ステージ制御部102aと、指令位置決定部103aと、記憶部105と、補正部106aとを備える。ステージ制御部102aは、指示されたXY座標に従って、塗布機構4のX方向およびY方向の位置決めを行なう位置決め装置30を構成する。指令位置決定部103aは、基板5の表面上の塗布対象位置のXY座標を塗布機構4の指令位置のXY座標として決定する。記憶部105は、XY平面内の複数の位置の各々に対応するXY補正量を記憶する。補正部106aは、指令位置のXY座標に対応するXY補正量を記憶部105から参照し、参照したXY補正量を用いて指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標をステージ制御部102aに指示する。指令位置のXY座標と観察光学系6とをステージ制御部102aに指示したときにCCDカメラ7によって撮影される画像の中心にある基板5の表面の位置を基準位置とする。さらに、補正後のXY座標と塗布機構4とをステージ制御部102aに指示した後に塗布機構4により基板5の表面に塗布材料を塗布したときの基板5の表面における塗布位置と基準位置との距離を距離Aとする。指令位置のXY座標と塗布機構4とをステージ制御部102aに指示した後に塗布機構4により基板5の表面に塗布材料を塗布したときの基板5の表面における塗布位置と基準位置との距離を距離Bとする。このとき、補正マップに示されるXY補正量は、距離Aが距離Bよりも短くなるように設定される。
上記の説明では、補正マップ生成部104,104aは、X補正量、Y補正量およびZ補正量を算出し、算出した補正量を記憶部105に格納した。しかしながら、補正マップ生成部104,104aは、X補正量およびY補正量の少なくとも一方を算出し、算出した補正量を記憶部105に格納してもよい。もしくは、補正マップ生成部104,104aは、X補正量およびY補正量の一方とZ補正量とを算出し、算出した補正量を記憶部105に格納してもよい。これにより、補正マップ生成部104,104aおよび補正部106,106aの演算量を削減し、位置決め処理を高速化することができる。
u=cosθ×x+sinθ×y+x0・・・式(4)
v=sinθ×x−conθ×y+y0・・・式(5)
上記の式(4)、式(5)は、xy座標系からuv座標系への座標変換を示しており、θはxy座標系に対するuv座標系の回転角度、(x0,y0)はxy座標系に対するuv座標系の並進を示す。
x=c1×u+c2×v+x0・・・式(6)
y=c2×u−c1×v+y0・・・式(7)
最初に、基板5の左下角のUV座標(0,0)とXY座標(x1,y1)を式(6)と式(7)に代入し、
x1=c1×0+c2×0+x0
y1=c2×0−c1×0+y0
x0=x1、y0=y1
を得る。
x2=c1×W+c2×H+x1
y2=c2×W−c1×H+y1
以上を解くことにより、
c2={H×(x2−x1)+W×(y2−y1)}/(W2+H2)
c1=(c2×W+y1−y2)/H
を得ることができる。
12 基台、14 塗布針ホルダ、15 サーボモータ、15b 回転軸、16 バネ
17 カム、17a カム面、17b 上側領域、17c 下側領域、18 カムフォロア、19 針移動機構、20 塗布ユニット、21 容器、22 貫通孔、23 先端、24 塗布針、25 カム連結板、26 可動部、27 架台、28 リニアガイド、29 支持部、30,30a 位置決め装置、50 円状パターン、51 塗布領域、101 画像取得部、102,102a ステージ制御部、103,103a 指令位置決定部、104,104a 補正マップ生成部、105 記憶部、106,106a 補正部、107 塗布機構制御部、200 液体塗布装置。
Claims (8)
- XY平面に配置された基板の表面をZ方向から観察するための観察光学系と、
前記観察光学系を介して前記基板の表面を撮影するためのカメラと、
指示されたXY座標に従って、前記観察光学系のX方向およびY方向の位置決めを行なうための位置決め装置と、
前記基板の表面の観察対象位置のXY座標を前記観察光学系の指令位置のXY座標として決定する指令位置決定部と、
XY平面内の複数の位置の各々に対応するXY補正量を記憶する記憶部と、
前記観察対象位置に対応する前記XY補正量を前記記憶部から参照し、参照した前記XY補正量を用いて前記指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標を前記位置決め装置に指示する補正部とを備え、
前記補正後のXY座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像を第1画像とし、前記指令位置のXY座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像を第2画像とするとき、
前記XY補正量は、前記第1画像の中心と前記第1画像中の前記観察対象位置との距離が、前記第2画像の中心と前記第2画像中の前記観察対象位置との距離よりも短くなるように設定され、
前記位置決め装置は、指示されたZ座標に従って、前記観察光学系のZ方向の位置決めを行ない、
前記指令位置決定部は、前記基板の厚みに応じて予め定めれたZ座標を前記指令位置のZ座標として決定し、
前記記憶部は、前記複数の位置の各々に対応するZ補正量を記憶し、
前記補正部は、前記観察対象位置に対応する前記Z補正量を前記記憶部から参照し、参照した前記Z補正量に基づいて前記指令位置のZ座標を補正し、補正後のZ座標を前記位置決め装置に指示し、
前記Z補正量は、前記補正後のZ座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される第4画像のコントラストが、前記指令位置のZ座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される第5画像のコントラストよりも高くなるように設定される、基板観察装置。 - 前記XY補正量は、前記複数の位置のうちの対応する位置のXY座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される第3画像の中心に対する、前記第3画像中の前記対応する位置のX方向およびY方向の少なくとも一方のずれ量である、請求項1に記載の基板観察装置。
- 前記指令位置決定部は、前記基板の表面内のUV座標系における前記観察対象位置のUV座標を受けた場合、前記基板の表面の2点の各々のUV座標とXY座標とに基づいて決定されたUV座標からXY座標への変換式に従って、前記観察対象位置のUV座標をXY座標に変換し、変換後のXY座標を前記指令位置のXY座標として決定する、請求項1に記載の基板観察装置。
- XY平面に配置された基板の表面をZ方向から観察するための観察光学系と、
前記観察光学系を介して前記基板の表面を撮影するためのカメラと、
指示されたXY座標に従って、前記観察光学系のX方向およびY方向の位置決めを行なうための位置決め装置とを備えた基板観察装置における前記観察光学系の位置決め方法であって、
XY平面内の複数の位置の各々とXY補正量とを対応付けた補正マップを生成する工程と、
前記基板の表面の観察対象位置のXY座標を前記観察光学系の指令位置のXY座標として決定する工程と、
前記観察対象位置に対応する前記XY補正量を前記補正マップから参照し、参照した前記XY補正量に基づいて前記指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標を前記位置決め装置に指示する工程とを備え、
前記生成する工程は、前記複数の位置の各々について、当該位置のXY座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像を取得し、前記画像の中心に対する、前記画像中の当該位置のX方向およびY方向の少なくとも一方のずれ量を前記XY補正量として算出し、
前記位置決め方法は、前記複数の位置の各々と、前記生成する工程において当該位置に対応するXY補正量が算出された最新算出時刻とを対応付けて記憶する工程をさらに備え、
前記指示する工程において前記観察対象位置に対応する前記XY補正量を参照した時刻と前記観察対象位置に対応する前記最新算出時刻との差が所定時間を超えている場合、前記観察対象位置について前記生成する工程が実行される、位置決め方法。 - XY平面に配置された基板の表面をZ方向から観察するための観察光学系と、
前記観察光学系を介して前記基板の表面を撮影するためのカメラと、
前記基板の表面に塗布材料を塗布するための塗布機構とを備え、
前記観察光学系と前記塗布機構との相対位置関係は一定であり、さらに、
指示されたXY座標に従って、前記観察光学系および前記塗布機構のうち指示された一方のX方向およびY方向の位置決めを行なうための位置決め装置と、
前記基板の表面の塗布対象位置のXY座標を前記塗布機構の指令位置のXY座標として決定する指令位置決定部と、
XY平面内の複数の位置の各々に対応するXY補正量を記憶する記憶部と、
前記塗布対象位置に対応する前記XY補正量を前記記憶部から参照し、参照した前記XY補正量を用いて前記指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示する補正部とを備え、
前記指令位置のXY座標と前記観察光学系とを前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像の中心にある前記基板の表面の位置を基準位置とするとき、
前記XY補正量は、前記補正後のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示した後に前記塗布機構により前記基板の表面に前記塗布材料を塗布したときの前記基板の表面における塗布位置と前記基準位置との距離が、前記指令位置のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示した後に前記塗布機構により前記基板の表面に前記塗布材料を塗布したときの前記基板の表面における塗布位置と前記基準位置との距離よりも短くなるように設定され、
前記位置決め装置は、指示されたZ座標に従って、前記塗布機構および前記観察光学系のZ方向の位置決めを行ない、
前記指令位置決定部は、前記基板の厚みに応じて予め定めれたZ座標を前記指令位置のZ座標として決定し、
前記記憶部は、前記複数の位置の各々に対応するZ補正量を記憶し、
前記補正部は、前記塗布対象位置に対応する前記Z補正量を前記記憶部から参照し、参照した前記Z補正量に基づいて前記指令位置のZ座標を補正し、補正後のZ座標を前記位置決め装置に指示し、
前記Z補正量は、前記補正後のZ座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像のコントラストが、前記指令位置のZ座標を前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像のコントラストよりも高くなるように設定される、塗布装置。 - 前記XY補正量は、前記複数の位置のうちの対応する位置のXY座標と前記観察光学系とを前記位置決め装置に指示したときに前記カメラによって撮影される画像の中心に対する、前記画像中の前記塗布材料が塗布された領域のX方向およびY方向の少なくとも一方のずれ量であり、
前記画像は、前記対応する位置のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示してから前記塗布機構により前記塗布材料を塗布させた後に撮影される、請求項5に記載の塗布装置。 - 前記指令位置決定部は、前記基板の表面内のUV座標系における前記塗布対象位置のUV座標を受けた場合、前記基板の表面の2点の各々のUV座標とXY座標とに基づいて決定されたUV座標からXY座標への変換式に従って、前記塗布対象位置のUV座標をXY座標に変換し、変換後のXY座標を前記指令位置のXY座標として決定する、請求項5に記載の塗布装置。
- XY平面に配置された基板の表面をZ方向から観察するための観察光学系と、
前記観察光学系を介して前記基板の表面を撮影するためのカメラと、
前記基板の表面上に塗布材料を塗布するための塗布機構と、
指示されたXY座標に従って、前記観察光学系および前記塗布機構のうち指示された一方のX方向およびY方向の位置決めを行なうための位置決め装置とを備えた塗布装置における前記塗布機構の位置決め方法であって、
前記観察光学系と前記塗布機構との相対位置関係は一定であり、
XY平面内の複数の位置の各々とXY補正量とを対応付けた補正マップを生成する工程と、
前記基板の表面の塗布対象位置のXY座標を前記塗布機構の指令位置のXY座標として決定する工程と、
前記塗布対象位置に対応する前記XY補正量を前記補正マップから参照し、参照した前記XY補正量に基づいて前記指令位置のXY座標を補正し、補正後のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示する工程とを備え、
前記生成する工程は、前記複数の位置の各々について、
当該位置のXY座標と前記塗布機構とを前記位置決め装置に指示した後に前記塗布機構により前記基板の表面に前記塗布材料を塗布する工程と、
前記塗布する工程の後、当該位置のXY座標と前記観察光学系とを前記位置決め装置に指示してから前記カメラによって撮影される画像を取得し、前記画像の中心に対する、前記画像中の前記塗布材料が塗布された領域のX方向およびY方向の少なくとも一方のずれ量を前記XY補正量として算出する工程とを含み、
前記位置決め方法は、前記複数の位置の各々と、前記算出する工程において当該位置に対応する前記XY補正量が算出された最新算出時刻とを対応付けて記憶する工程をさらに備え、
前記指示する工程において前記塗布対象位置に対応する前記XY補正量を参照した時刻と前記塗布対象位置に対応する最新算出時刻との差が所定時間を超えている場合、前記塗布対象位置について前記生成する工程が実行される、位置決め方法。
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