JP6917917B2 - Display device - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。 Embodiments of the present invention relate to display devices.

近年、表示装置の表示品位を向上するための技術が種々検討されている。一例では、表示領域の外側に二つの壁を形成し、二つの壁の上にそれぞれ形成された電極に異なる電位を印加し、二つの壁の間に不純物イオンを捕捉する技術が開示されている。その他の例では、額縁領域に形成された3つの電極にそれぞれ異なる電位を印加し、不純物イオンを額縁領域に捕捉する技術が開示されている。 In recent years, various techniques for improving the display quality of display devices have been studied. In one example, a technique is disclosed in which two walls are formed outside the display area, different potentials are applied to the electrodes formed on the two walls, and impurity ions are trapped between the two walls. .. In another example, a technique is disclosed in which different potentials are applied to the three electrodes formed in the frame region to capture impurity ions in the frame region.

特開2017−90794号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-90794 特開2017−111396号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2017-11396

本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制できる表示装置を提供することにある。 An object of the present embodiment is to provide a display device capable of suppressing a decrease in reliability.

本実施形態によれば、
表示部と、
前記表示部の周辺に位置する非表示部と、
前記非表示部に位置する第1金属配線と、
前記第1金属配線の上に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置し、前記第1金属配線と同電位であり、前記第1金属配線と重畳する第1透明導電膜と、
前記第1透明導電膜と前記表示部との間に位置し、前記第1透明導電膜とは異なる電位の第2透明導電膜と、を備え、
前記第1透明導電膜は、前記第2透明導電膜に対向する第1エッジを有し、
前記第2透明導電膜は、前記第1透明導電膜に対向する第2エッジを有し、
前記第1金属配線は、平面視において、前記第1エッジと前記第2エッジとの間に位置する第3エッジを有する、表示装置が提供される。
According to this embodiment
Display and
A non-display unit located around the display unit and
The first metal wiring located in the non-display part and
An insulating layer located on the first metal wiring and
A first transparent conductive film located on the insulating layer, having the same potential as the first metal wiring, and superimposing on the first metal wiring.
A second transparent conductive film having a potential different from that of the first transparent conductive film, which is located between the first transparent conductive film and the display unit, is provided.
The first transparent conductive film has a first edge facing the second transparent conductive film, and has a first edge.
The second transparent conductive film has a second edge facing the first transparent conductive film and has a second edge.
The first metal wiring provides a display device having a third edge located between the first edge and the second edge in a plan view.

図1は、本実施形態の表示装置DSPの外観を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the appearance of the display device DSP of the present embodiment. 図2は、タッチセンサTSの一構成例を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of the touch sensor TS. 図3は、図2に示したセンサ電極Rx及び画素PXを示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the sensor electrode Rx and the pixel PX shown in FIG. 図4は、画素PXの基本構成及び等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a basic configuration and an equivalent circuit of the pixel PX. 図5は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing an example of the pixel layout. 図6は、図5に示したE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of the display panel PNL along the line EF shown in FIG. 図7Aは、図1に示した非表示部NDAのうち直線部E13に沿った領域AR1を拡大した平面図である。FIG. 7A is an enlarged plan view of the region AR1 along the straight line portion E13 of the non-display portion NDA shown in FIG. 図7Bは、図7Aに示した突出部SLE1及びその周辺を拡大した平面図である。FIG. 7B is an enlarged plan view of the protrusion SLE1 shown in FIG. 7A and its periphery. 図8は、図1に示した非表示部NDAのうちラウンド部R11に沿った領域AR2を拡大した平面図である。FIG. 8 is an enlarged plan view of the region AR2 along the round portion R11 of the non-display portion NDA shown in FIG. 図9は、図8に示したG−H線に沿った表示パネルPNLの断面図を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional view of the display panel PNL along the line GH shown in FIG. 図10は、金属配線SL1の突出率(%)と電界強度との関係を示した図である。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the protrusion ratio (%) of the metal wiring SL1 and the electric field strength. 図11は、図1に示した非表示部NDAのうち直線部E11に沿った領域AR3を拡大した平面図である。FIG. 11 is an enlarged plan view of the region AR3 along the straight line portion E11 of the non-display portion NDA shown in FIG. 図12は、表示装置DSPの他の構成例を示す平面図である。FIG. 12 is a plan view showing another configuration example of the display device DSP.

以下、本実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べて、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, the present embodiment will be described with reference to the drawings. It should be noted that the disclosure is merely an example, and those skilled in the art can easily conceive of appropriate changes while maintaining the gist of the invention are naturally included in the scope of the present invention. Further, in order to clarify the description, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual embodiment, but this is merely an example, and the present invention is provided. It does not limit the interpretation. Further, in the present specification and each figure, components exhibiting the same or similar functions as those described above with respect to the above-mentioned figures may be designated by the same reference numerals, and duplicate detailed description may be omitted as appropriate. ..

本実施形態においては、表示装置DSPの一例として、液晶表示装置について説明する。なお、本実施形態にて開示する主要な構成は、有機エレクトロルミネッセンス表示素子等を有する自発光型の表示装置、電気泳動素子等を有する電子ペーパ型の表示装置、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)を応用した表示装置、或いはエレクトロクロミズムを応用した表示装置などにも適用可能である。 In the present embodiment, a liquid crystal display device will be described as an example of the display device DSP. The main configuration disclosed in the present embodiment is a self-luminous display device having an organic electroluminescence display element or the like, an electronic paper type display device having an electrophoretic element or the like, and a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems). It can also be applied to an applied display device or a display device to which electrochromism is applied.

図1は、本実施形態の表示装置DSPの外観を示す平面図である。一例では、第1方向X、第2方向Y、及び、第3方向Zは、互いに直交しているが、90度以外の角度で交差していてもよい。第1方向X及び第2方向Yは、表示装置DSPを構成する基板の主面と平行な方向に相当し、第3方向Zは、表示装置DSPの厚さ方向に相当する。本明細書において、第3方向Zを示す矢印の先端に向かう方向を上方(あるいは、単に上)と称し、矢印の先端から逆に向かう方向を下方(あるいは、単に下)と称する。また、第3方向Zを示す矢印の先端側に表示装置DSPを観察する観察位置があるものとし、この観察位置から、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面に向かって見ることを平面視という。 FIG. 1 is a plan view showing the appearance of the display device DSP of the present embodiment. In one example, the first direction X, the second direction Y, and the third direction Z are orthogonal to each other, but may intersect at an angle other than 90 degrees. The first direction X and the second direction Y correspond to the directions parallel to the main surface of the substrate constituting the display device DSP, and the third direction Z corresponds to the thickness direction of the display device DSP. In the present specification, the direction toward the tip of the arrow indicating the third direction Z is referred to as upward (or simply upward), and the direction opposite from the tip of the arrow is referred to as downward (or simply downward). Further, it is assumed that there is an observation position for observing the display device DSP on the tip side of the arrow indicating the third direction Z, and the observation position is directed toward the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y. Seeing is called plan view.

ここでは、X−Y平面における表示装置DSPの平面図を示している。表示装置DSPは、表示パネルPNLと、フレキシブルプリント回路基板1と、ICチップ2と、を備えている。 Here, a plan view of the display device DSP in the XY plane is shown. The display device DSP includes a display panel PNL, a flexible printed circuit board 1, and an IC chip 2.

表示パネルPNLは、液晶表示パネルであり、第1基板SUB1と、第2基板SUB2と、後述する液晶層LCと、シールSEと、遮光層LSと、を備えている。表示パネルPNLは、画像を表示する表示部DAと、表示部DAを囲む額縁状の非表示部NDAとを備えている。第2基板SUB2は、第1基板SUB1に対向している。第1基板SUB1は、第2基板SUB2よりも第2方向Yに延出した実装部MAを有している。
シールSEは、非表示部NDAに位置し、第1基板SUB1と第2基板SUB2とを接着するとともに、液晶層LCを封止している。遮光層LSは、非表示部NDAに位置している。シールSEは、平面視で、遮光層LSと重畳する位置に設けられている。図1において、シールSEが配置された領域と、遮光層LSが配置された領域とでは、互いに異なる斜線で示し、シールSEと遮光層LSとが重畳する領域はクロスハッチングで示している。遮光層LSは、第2基板SUB2に設けられている。
The display panel PNL is a liquid crystal display panel and includes a first substrate SUB1, a second substrate SUB2, a liquid crystal layer LC described later, a seal SE, and a light-shielding layer LS. The display panel PNL includes a display unit DA for displaying an image and a frame-shaped non-display unit NDA that surrounds the display unit DA. The second substrate SUB2 faces the first substrate SUB1. The first substrate SUB1 has a mounting portion MA extending in the second direction Y from the second substrate SUB2.
The seal SE is located in the non-display portion NDA, adheres the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and seals the liquid crystal layer LC. The light-shielding layer LS is located on the non-display portion NDA. The seal SE is provided at a position where it overlaps with the light-shielding layer LS in a plan view. In FIG. 1, the region where the seal SE is arranged and the region where the light-shielding layer LS is arranged are indicated by different diagonal lines, and the region where the seal SE and the light-shielding layer LS overlap is indicated by cross-hatching. The light-shielding layer LS is provided on the second substrate SUB2.

表示部DAは、遮光層LSによって囲まれた内側に位置している。表示部DAは、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置された複数の画素PXを備えている。表示部DAは、第1方向Xに沿って延出した一対の縁部E1及びE2と、第2方向Yに沿って延出した一対の縁部E3及びE4と、4つのラウンド部R1乃至R4と、を有している。表示パネルPNLは、第1方向Xに沿って延出した一対の直線部E11及びE12と、第2方向Yに沿って延出した一対の直線部E13及びE14と、2つのラウンド部R11及びR12と、を有している。ラウンド部R11及びR12は、それぞれラウンド部R1及びR2の外側に位置している。ラウンド部R11の曲率半径は、ラウンド部R1の曲率半径と同一であってもよいし、異なっていてもよい。 The display unit DA is located inside surrounded by the light-shielding layer LS. The display unit DA includes a plurality of pixels PX arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y. The display unit DA includes a pair of edge portions E1 and E2 extending along the first direction X, a pair of edge portions E3 and E4 extending along the second direction Y, and four round portions R1 to R4. And have. The display panel PNL has a pair of straight portions E11 and E12 extending along the first direction X, a pair of straight portions E13 and E14 extending along the second direction Y, and two round portions R11 and R12. And have. The round portions R11 and R12 are located outside the round portions R1 and R2, respectively. The radius of curvature of the round portion R11 may be the same as or different from the radius of curvature of the round portion R1.

フレキシブルプリント回路基板1及びICチップ2は、実装部MAに実装されている。なお、ICチップ2は、フレキシブルプリント回路基板1に実装されてもよい。ICチップ2は、画像を表示する表示モードにおいて画像表示に必要な信号を出力するディスプレイドライバDDを内蔵している。図示した例では、ICチップ2は、表示装置DSPへの物体の接近又は接触を検出するタッチセンシングモードを制御するタッチコントローラTCを内蔵している。 The flexible printed circuit board 1 and the IC chip 2 are mounted on the mounting unit MA. The IC chip 2 may be mounted on a flexible printed circuit board 1. The IC chip 2 has a built-in display driver DD that outputs a signal necessary for displaying an image in a display mode for displaying an image. In the illustrated example, the IC chip 2 has a built-in touch controller TC that controls a touch sensing mode that detects the approach or contact of an object with the display device DSP.

本実施形態の表示パネルPNLは、第1基板SUB1の背面側からの光を選択的に透過させることで画像を表示する透過表示機能を備えた透過型、第2基板SUB2の前面側からの光を選択的に反射させることで画像を表示する反射表示機能を備えた反射型、あるいは、透過表示機能及び反射表示機能を備えた半透過型のいずれであってもよい。
また、表示パネルPNLの詳細な構成について、ここでは説明を省略するが、表示パネルPNLは、基板主面に沿った横電界を利用する表示モード、基板主面の法線に沿った縦電界を利用する表示モード、基板主面に対して斜め方向に傾斜した傾斜電界を利用する表示モード、さらには、上記の横電界、縦電界、及び、傾斜電界を適宜組み合わせて利用する表示モードに対応したいずれの構成を備えていてもよい。ここでの基板主面とは、第1方向X及び第2方向Yで規定されるX−Y平面と平行な面である。
The display panel PNL of the present embodiment is a transmissive type having a transmissive display function for displaying an image by selectively transmitting light from the back side of the first substrate SUB1, and light from the front side of the second substrate SUB2. It may be either a reflection type having a reflection display function for displaying an image by selectively reflecting the light, or a semitransparent type having a transmission display function and a reflection display function.
Further, although the detailed configuration of the display panel PNL will be omitted here, the display panel PNL has a display mode using a lateral electric field along the main surface of the substrate and a vertical electric field along the normal of the main surface of the substrate. It corresponds to the display mode to be used, the display mode to use the gradient electric field inclined diagonally with respect to the main surface of the substrate, and the display mode to use the above-mentioned lateral electric field, longitudinal electric field, and gradient electric field in an appropriate combination. Any configuration may be provided. The substrate main surface here is a surface parallel to the XY plane defined by the first direction X and the second direction Y.

図2は、タッチセンサTSの一構成例を示す平面図である。ここでは、自己容量方式のタッチセンサTSについて説明するが、タッチセンサTSは相互容量方式であってもよい。タッチセンサTSは、複数のセンサ電極Rx(Rx1、Rx2…)と、複数のセンサ配線L(L1、L2…)と、を備えている。複数のセンサ電極Rxは、表示部DAに位置し、第1方向X及び第2方向Yにマトリクス状に配置されている。1つのセンサ電極Rxは、タッチセンシングが可能な最小単位であるセンサブロックを構成している。複数のセンサ配線Lは、表示部DAにおいて、それぞれ第2方向Yに沿って延出し、第1方向Xに並んでいる。センサ配線Lの各々は、例えば後述する信号線Sと重畳する位置に設けられている。また、センサ配線Lの各々は、非表示部NDAに引き出され、ICチップ2に電気的に接続されている。 FIG. 2 is a plan view showing a configuration example of the touch sensor TS. Here, the self-capacity type touch sensor TS will be described, but the touch sensor TS may be a mutual capacity type. The touch sensor TS includes a plurality of sensor electrodes Rx (Rx1, Rx2 ...) And a plurality of sensor wirings L (L1, L2 ...). The plurality of sensor electrodes Rx are located on the display unit DA and are arranged in a matrix in the first direction X and the second direction Y. One sensor electrode Rx constitutes a sensor block which is the smallest unit capable of touch sensing. The plurality of sensor wirings L extend along the second direction Y and are lined up in the first direction X in the display unit DA. Each of the sensor wirings L is provided at a position where it overlaps with, for example, a signal line S described later. Further, each of the sensor wirings L is pulled out to the non-display unit NDA and electrically connected to the IC chip 2.

ここで、第1方向Xに並んだセンサ配線L1乃至L3と、第2方向Yに並んだセンサ電極Rx1乃至Rx3との関係に着目する。センサ配線L1は、センサ電極Rx1乃至Rx3と重畳し、センサ電極Rx1と電気的に接続されている。
センサ配線L2は、センサ電極Rx2及びRx3と重畳し、センサ電極Rx2と電気的に接続されている。ダミー配線D20は、センサ配線L2から離間している。ダミー配線D20は、センサ電極Rx1と重畳し、センサ電極Rx1と電気的に接続されている。センサ配線L2及びダミー配線D20は、同一の信号線上に位置している。
センサ配線L3は、センサ電極Rx3と重畳し、センサ電極Rx3と電気的に接続されている。ダミー配線D31は、センサ電極Rx1と重畳し、センサ電極Rx1と電気的に接続されている。ダミー配線D32は、ダミー配線D31及びセンサ配線L3から離間している。ダミー配線D32は、センサ電極Rx2と重畳し、センサ電極Rx2と電気的に接続されている。センサ配線L3、ダミー配線D31及びD32は、同一の信号線上に位置している。
Here, attention is paid to the relationship between the sensor wirings L1 to L3 arranged in the first direction X and the sensor electrodes Rx1 to Rx3 arranged in the second direction Y. The sensor wiring L1 overlaps with the sensor electrodes Rx1 to Rx3 and is electrically connected to the sensor electrode Rx1.
The sensor wiring L2 overlaps with the sensor electrodes Rx2 and Rx3 and is electrically connected to the sensor electrode Rx2. The dummy wiring D20 is separated from the sensor wiring L2. The dummy wiring D20 overlaps with the sensor electrode Rx1 and is electrically connected to the sensor electrode Rx1. The sensor wiring L2 and the dummy wiring D20 are located on the same signal line.
The sensor wiring L3 overlaps with the sensor electrode Rx3 and is electrically connected to the sensor electrode Rx3. The dummy wiring D31 overlaps with the sensor electrode Rx1 and is electrically connected to the sensor electrode Rx1. The dummy wiring D32 is separated from the dummy wiring D31 and the sensor wiring L3. The dummy wiring D32 overlaps with the sensor electrode Rx2 and is electrically connected to the sensor electrode Rx2. The sensor wiring L3 and the dummy wirings D31 and D32 are located on the same signal line.

タッチセンシングモードにおいては、タッチコントローラTCは、センサ配線Lにタッチ駆動電圧を印加する。これにより、センサ電極Rxにはタッチ駆動電圧が印加され、センサ電極Rxでのセンシングが行われる。センサ電極Rxでのセンシング結果に対応したセンサ信号は、センサ配線Lを介してタッチコントローラTCに出力される。タッチコントローラTCあるいは外部のホストは、センサ信号に基づいて、表示装置DSPへの物体の接近又は接触の有無及び物体の位置座標を検出する。
なお、表示モードにおいては、センサ電極Rxは、コモン電圧(Vcom)が印加された共通電極CEとして機能する。コモン電圧は、例えばディスプレイドライバDDに含まれる電圧供給部からセンサ配線Lを介して印加される。
In the touch sensing mode, the touch controller TC applies a touch drive voltage to the sensor wiring L. As a result, a touch drive voltage is applied to the sensor electrode Rx, and sensing is performed on the sensor electrode Rx. The sensor signal corresponding to the sensing result at the sensor electrode Rx is output to the touch controller TC via the sensor wiring L. The touch controller TC or an external host detects whether or not the object is approaching or touching the display device DSP and the position coordinates of the object based on the sensor signal.
In the display mode, the sensor electrode Rx functions as a common electrode CE to which a common voltage (Vcom) is applied. The common voltage is applied from the voltage supply unit included in the display driver DD, for example, via the sensor wiring L.

非表示部NDAにおいては、配線WL1乃至WL3が配置されている。図示した例では、配線WL1乃至WL3は、直線部E13、ラウンド部R11、直線部E11、ラウンド部R12、及び、直線部E14に沿って配置されている。配線WL1乃至WL3のうち、配線WL2が最も表示部DAに近接している。配線WL1は、配線WL2と配線WL3との間に位置している。
一例では、配線WL1は透明導電材料により形成された線状の第1透明導電膜(以下、第1配線と称する場合がある)に相当し、配線WL2は透明導電材料により形成された線状の第2透明導電膜(以下、第2配線と称する場合がある)に相当し、配線WL3は透明導電材料により形成された線状の第3透明導電膜(以下、第3配線と称する場合がある)に相当する。配線WL1の電位は、配線WL2及び配線WL3の電位とは異なり、例えば固定電位である。また、配線WL2の電位は、配線WL3の電位と同電位である。例えば、配線WL2には、コモン電圧が印加される。配線WL1の電位は、配線WL2の電位に対して相対的に低電位であってもよいし、高電位であってもよい。配線WL1は、その電位が配線WL2の電位よりも低電位である場合に、正極性の不純物イオンを捕捉するイオントラップ配線として機能する。あるいは、配線WL1は、その電位が配線WL2の電位よりも高電位である場合に、負極性の不純物イオンを捕捉するイオントラップ配線として機能する。
Wiring WL1 to WL3 are arranged in the non-display unit NDA. In the illustrated example, the wirings WL1 to WL3 are arranged along the straight line portion E13, the round portion R11, the straight line portion E11, the round portion R12, and the straight line portion E14. Of the wirings WL1 to WL3, the wiring WL2 is closest to the display unit DA. The wiring WL1 is located between the wiring WL2 and the wiring WL3.
In one example, the wiring WL1 corresponds to a linear first transparent conductive film (hereinafter, may be referred to as a first wiring) formed of a transparent conductive material, and the wiring WL2 is a linear first transparent conductive material formed of a transparent conductive material. Corresponding to the second transparent conductive film (hereinafter, may be referred to as a second wiring), the wiring WL3 may be a linear third transparent conductive film (hereinafter, may be referred to as a third wiring) formed of a transparent conductive material. ) Corresponds to. The potential of the wiring WL1 is different from the potentials of the wiring WL2 and the wiring WL3, and is, for example, a fixed potential. The potential of the wiring WL2 is the same as the potential of the wiring WL3. For example, a common voltage is applied to the wiring WL2. The potential of the wiring WL1 may be relatively low or high with respect to the potential of the wiring WL2. The wiring WL1 functions as an ion trap wiring that captures positive impurity ions when its potential is lower than the potential of the wiring WL2. Alternatively, the wiring WL1 functions as an ion trap wiring that captures negative electrode impurity ions when its potential is higher than the potential of the wiring WL2.

図3は、図2に示したセンサ電極Rx及び画素PXを示す平面図である。図3において、第2方向Yに対して反時計回りに鋭角に交差する方向を方向D1と定義し、第2方向Yに対して時計回りに鋭角に交差する方向を方向D2と定義する。なお、第2方向Yと方向D1とのなす角度θ1は、第2方向Yと方向D2とのなす角度θ2とほぼ同一である。 FIG. 3 is a plan view showing the sensor electrode Rx and the pixel PX shown in FIG. In FIG. 3, the direction that intersects the second direction Y at an acute angle counterclockwise is defined as the direction D1, and the direction that intersects the second direction Y at an acute angle clockwise is defined as the direction D2. The angle θ1 formed by the second direction Y and the direction D1 is substantially the same as the angle θ2 formed by the second direction Y and the direction D2.

1つのセンサ電極Rxは、複数の画素PXに亘って配置されている。図示した例では、第2方向Yに沿って奇数行目に位置する画素PXは、方向D1に沿って延出している。また、第2方向Yに沿って偶数行目に位置する画素PXは、方向D2に沿って延出している。なお、ここでの画素PXとは、画素信号に応じて個別に制御することができる最小単位を示し、副画素と称する場合がある。また、カラー表示を実現するための最小単位を主画素MPと称する場合がある。主画素MPは、互いに異なる色を表示する複数の副画素PXを備えて構成されるものである。一例では、主画素MPは、副画素PXとして、赤色を表示する赤画素、緑色を表示する緑画素、及び、青色を表示する青画素を備えている。また、主画素MPは、白色を表示する白画素を備えていてもよい。
一例では、1つのセンサ電極Rxには、第1方向Xに沿って60〜70個の主画素MPが配置され、第2方向に沿って60〜70個の主画素MPが配置されている。
One sensor electrode Rx is arranged over a plurality of pixels PX. In the illustrated example, the pixel PX located in the odd-numbered rows along the second direction Y extends along the direction D1. Further, the pixel PX located in the even-numbered rows along the second direction Y extends along the direction D2. The pixel PX here indicates a minimum unit that can be individually controlled according to a pixel signal, and may be referred to as a sub-pixel. Further, the minimum unit for realizing color display may be referred to as a main pixel MP. The main pixel MP is configured to include a plurality of sub-pixels PX that display colors different from each other. In one example, the main pixel MP includes red pixels that display red, green pixels that display green, and blue pixels that display blue as sub-pixels PX. Further, the main pixel MP may include a white pixel that displays white.
In one example, 60 to 70 main pixel MPs are arranged along the first direction X, and 60 to 70 main pixel MPs are arranged along the second direction in one sensor electrode Rx.

図4は、画素PXの基本構成及び等価回路を示す図である。複数本の走査線Gは、走査線駆動回路GDに接続されている。複数本の信号線Sは、信号線駆動回路SDに接続されている。なお、走査線G及び信号線Sは、必ずしも直線的に延出していなくてもよく、それらの一部が屈曲していてもよい。例えば、信号線Sは、その一部が屈曲していたとしても、第2方向Yに延出しているものとする。 FIG. 4 is a diagram showing a basic configuration and an equivalent circuit of the pixel PX. The plurality of scanning lines G are connected to the scanning line driving circuit GD. The plurality of signal lines S are connected to the signal line drive circuit SD. The scanning line G and the signal line S do not necessarily have to extend linearly, and a part of them may be bent. For example, it is assumed that the signal line S extends in the second direction Y even if a part of the signal line S is bent.

共通電極CEは、センサブロックB毎にそれぞれ設けられている。共通電極CEは、コモン電圧(Vcom)の電圧供給部CDに接続され、複数の画素PXに亘って配置されている。また、共通電極CEは、それぞれ上記の通りタッチコントローラTCにも接続され、センサ電極Rxとしても機能する。
各画素PXは、スイッチング素子SW、画素電極PE、共通電極CE、液晶層LC等を備えている。スイッチング素子SWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT)によって構成され、走査線G及び信号線Sと電気的に接続されている。走査線Gは、第1方向Xに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWのゲート電極GEと電気的に接続されている。信号線Sは、第2方向Yに並んだ画素PXの各々におけるスイッチング素子SWのソース電極SEと電気的に接続されている。画素電極PEは、スイッチング素子SWのドレイン電極DEと電気的に接続されている。画素電極PEの各々は、共通電極CEと対向し、画素電極PEと共通電極CEとの間に生じる電界によって液晶層LCを駆動している。保持容量CSは、例えば、共通電極CEと同電位の電極、及び、画素電極PEと同電位の電極の間に形成される。
The common electrode CE is provided for each sensor block B. The common electrode CE is connected to a voltage supply unit CD of a common voltage (Vcom) and is arranged over a plurality of pixels PX. Further, the common electrode CE is also connected to the touch controller TC as described above, and also functions as a sensor electrode Rx.
Each pixel PX includes a switching element SW, a pixel electrode PE, a common electrode CE, a liquid crystal layer LC, and the like. The switching element SW is composed of, for example, a thin film transistor (TFT), and is electrically connected to the scanning line G and the signal line S. The scanning line G is electrically connected to the gate electrode GE of the switching element SW in each of the pixels PX arranged in the first direction X. The signal line S is electrically connected to the source electrode SE of the switching element SW in each of the pixels PX arranged in the second direction Y. The pixel electrode PE is electrically connected to the drain electrode DE of the switching element SW. Each of the pixel electrode PEs faces the common electrode CE, and the liquid crystal layer LC is driven by the electric field generated between the pixel electrode PE and the common electrode CE. The holding capacitance CS is formed between, for example, an electrode having the same potential as the common electrode CE and an electrode having the same potential as the pixel electrode PE.

図5は、画素レイアウトの一例を示す平面図である。走査線G1乃至G3は、それぞれ第1方向Xに沿って直線的に延出し、第2方向Yに間隔を置いて並んでいる。信号線S1乃至S7は、それぞれ概ね第2方向Yに沿って延出し、第1方向Xに間隔をおいて並んでいる。 FIG. 5 is a plan view showing an example of the pixel layout. The scanning lines G1 to G3 extend linearly along the first direction X, and are arranged at intervals in the second direction Y. The signal lines S1 to S7 extend substantially along the second direction Y, and are arranged at intervals in the first direction X.

走査線G1及びG2の間には、赤画素PR1、緑画素PG1、青画素PB1、赤画素PR1、緑画素PG1、及び、白画素PW1が第1方向Xに沿ってこの順に並んでいる。
走査線G1及びG2の間において、信号線S1乃至S3は等しい間隔W1で配置され、信号線S4乃至S7は等しい間隔W1で配置され、信号線S3及びS4の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB1は、信号線S3及びS4の間に位置している。なお、間隔W1及びW2は、いずれも第1方向Xに沿った長さである。
赤画素PR1及び緑画素PG1には、それぞれ同一形状の画素電極PE11が配置され、青画素PB1には、画素電極PE11より大きな画素電極PE12が配置され、白画素PW1には、画素電極PE11より小さな画素電極PE13が配置されている。第1方向Xに沿った長さLxについて、画素電極PE11及びPE13は等しい長さLx1を有し、画素電極PE12は長さLx1より長い長さLx2を有している。第2方向Yに沿った長さLyについて、画素電極PE11は長さLy1を有し、画素電極PE12は長さLy1より長い長さLy2を有し、画素電極PE13は長さLy1より短い長さLy3を有している。画素電極PE11及びPE13は、走査線G1及びG2の間に位置している。画素電極PE12は、走査線G1及びG2の間に位置するとともに、走査線G2と交差している。
画素電極PE11乃至PE13は、それぞれ方向D1に沿って延出した帯電極Pa1乃至Pa3を有している。図示した例では、帯電極Pa1及びPa3は2本であり、帯電極Pa2は3本である。帯電極Pa1乃至Pa3は、走査線G1及びG2の間に位置している。方向D1に沿った長さLdについて、帯電極Pa1は長さLd1を有し、帯電極Pa2は長さLd1より長い長さLd2を有し、帯電極Pa3は長さLd1より短い長さLd3を有している。
Between the scanning lines G1 and G2, the red pixel PR1, the green pixel PG1, the blue pixel PB1, the red pixel PR1, the green pixel PG1, and the white pixel PW1 are arranged in this order along the first direction X.
Between the scanning lines G1 and G2, the signal lines S1 to S3 are arranged at the same interval W1, the signal lines S4 to S7 are arranged at the same interval W1, and the interval W2 of the signal lines S3 and S4 is larger than the interval W1. The blue pixel PB1 is located between the signal lines S3 and S4. The intervals W1 and W2 are both lengths along the first direction X.
Pixel electrodes PE11 having the same shape are arranged in the red pixel PR1 and the green pixel PG1, respectively, a pixel electrode PE12 larger than the pixel electrode PE11 is arranged in the blue pixel PB1, and a pixel electrode PE12 smaller than the pixel electrode PE11 is arranged in the white pixel PW1. The pixel electrode PE13 is arranged. With respect to the length Lx along the first direction X, the pixel electrodes PE11 and PE13 have the same length Lx1, and the pixel electrode PE12 has a length Lx2 longer than the length Lx1. With respect to the length Ly along the second direction Y, the pixel electrode PE11 has a length Ly1 and the pixel electrode PE12 has a length Ly2 longer than the length Ly1 and the pixel electrode PE13 has a length shorter than the length Ly1. It has Ly3. The pixel electrodes PE11 and PE13 are located between the scanning lines G1 and G2. The pixel electrode PE12 is located between the scanning lines G1 and G2 and intersects the scanning lines G2.
The pixel electrodes PE11 to PE13 have band electrodes Pa1 to Pa3 extending along the direction D1, respectively. In the illustrated example, the band electrodes Pa1 and Pa3 are two, and the band electrodes Pa2 are three. The band electrodes Pa1 to Pa3 are located between the scanning lines G1 and G2. With respect to the length Ld along the direction D1, the band electrode Pa1 has a length Ld1, the band electrode Pa2 has a length Ld2 longer than the length Ld1, and the band electrode Pa3 has a length Ld3 shorter than the length Ld1. Have.

走査線G2及びG3の間には、赤画素PR2、緑画素PG2、白画素PW2、赤画素PR2、緑画素PG2、及び、青画素PB2が第1方向Xに沿ってこの順に並んでいる。赤画素PR1及びPR2、緑画素PG1及びPG2、青画素PB1及び白画素PW2、及び、白画素PW1及び青画素PB2は、それぞれ第2方向Yに並んでいる。
走査線G2及びG3の間において、信号線S1乃至S6は等しい間隔W1で配置され、信号線S6及びS7の間隔W2は間隔W1より大きい。青画素PB2は、信号線S6及びS7の間に位置している。
詳述しないが、赤画素PR2及び緑画素PG2には、それぞれ同一形状の画素電極PE21が配置され、青画素PB2には、画素電極PE21より大きな画素電極PE22が配置され、白画素PW2には、画素電極PE21より小さな画素電極PE23が配置されている。画素電極PE21乃至PE23は、それぞれ方向D2に沿って延出した帯電極Pb1乃至Pb3を有している。画素電極PE21乃至PE23は、それぞれ画素電極PE11乃至PE13と同様の形状を有している。なお、帯電極Pb3の第1方向Xに沿った幅は、帯電極Pb1の第1方向Xに沿った幅よりも大きい。また、帯電極Pb2の第1方向Xに沿った幅は、帯電極Pb1の第1方向Xに沿った幅よりも小さい。
Between the scanning lines G2 and G3, the red pixel PR2, the green pixel PG2, the white pixel PW2, the red pixel PR2, the green pixel PG2, and the blue pixel PB2 are arranged in this order along the first direction X. The red pixels PR1 and PR2, the green pixels PG1 and PG2, the blue pixels PB1 and the white pixels PW2, and the white pixels PW1 and the blue pixels PB2 are arranged in the second direction Y, respectively.
Between the scanning lines G2 and G3, the signal lines S1 to S6 are arranged at equal intervals W1, and the interval W2 of the signal lines S6 and S7 is larger than the interval W1. The blue pixel PB2 is located between the signal lines S6 and S7.
Although not described in detail, pixel electrodes PE21 having the same shape are arranged in the red pixel PR2 and the green pixel PG2, pixel electrodes PE22 larger than the pixel electrode PE21 are arranged in the blue pixel PB2, and pixel electrodes PE22 larger than the pixel electrode PE21 are arranged in the white pixel PW2. A pixel electrode PE 23 smaller than the pixel electrode PE 21 is arranged. The pixel electrodes PE21 to PE23 each have band electrodes Pb1 to Pb3 extending along the direction D2. The pixel electrodes PE21 to PE23 have the same shape as the pixel electrodes PE11 to PE13, respectively. The width of the band electrode Pb3 along the first direction X is larger than the width of the band electrode Pb1 along the first direction X. Further, the width of the band electrode Pb2 along the first direction X is smaller than the width of the band electrode Pb1 along the first direction X.

図6は、図5に示したE−F線に沿った表示パネルPNLの断面図である。図示した例は、横電界を利用する表示モードの一つであるFFS(Fringe Field Switching)モードが適用された例に相当する。 FIG. 6 is a cross-sectional view of the display panel PNL along the line EF shown in FIG. The illustrated example corresponds to an example in which the FFS (Fringe Field Switching) mode, which is one of the display modes using the lateral electric field, is applied.

第1基板SUB1は、絶縁基板10、絶縁層11乃至16、信号線S4及びS5、金属配線ML4及びML5、共通電極CE、画素電極PE11、配向膜AL1などを備えている。
絶縁基板10は、ガラス基板や可撓性の樹脂基板などの光透過性を有する基板である。絶縁層11は、絶縁基板10の上に位置している。絶縁層12は、絶縁層11の上に位置している。絶縁層13は、絶縁層12の上に位置している。なお、図示しないが、スイッチング素子SWが有する半導体層は、絶縁層11と絶縁層12との間に位置している。また、走査線Gは、絶縁層12と絶縁層13との間に位置している。
信号線S4及びS5は、絶縁層13の上に位置し、絶縁層14によって覆われている。
なお、信号線S4及びS5は、図示しない他の信号線Sと同一層に位置している。信号線S4及びS5は、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)、銅(Cu)、クロム(Cr)などの金属材料や、これらの金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、信号線S4及びS5は、チタン(Ti)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及び、チタン(Ti)を含む層を順に積層した積層体である。
The first substrate SUB1 includes an insulating substrate 10, insulating layers 11 to 16, signal lines S4 and S5, metal wirings ML4 and ML5, a common electrode CE, a pixel electrode PE11, an alignment film AL1, and the like.
The insulating substrate 10 is a substrate having light transmittance such as a glass substrate or a flexible resin substrate. The insulating layer 11 is located on the insulating substrate 10. The insulating layer 12 is located above the insulating layer 11. The insulating layer 13 is located on the insulating layer 12. Although not shown, the semiconductor layer of the switching element SW is located between the insulating layer 11 and the insulating layer 12. Further, the scanning line G is located between the insulating layer 12 and the insulating layer 13.
The signal lines S4 and S5 are located on the insulating layer 13 and are covered by the insulating layer 14.
The signal lines S4 and S5 are located in the same layer as other signal lines S (not shown). The signal lines S4 and S5 are metal materials such as aluminum (Al), titanium (Ti), silver (Ag), molybdenum (Mo), tungsten (W), copper (Cu), and chromium (Cr), and these metals. It is formed of an alloy or the like in which materials are combined, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure. In one example, the signal lines S4 and S5 are laminated bodies in which a layer containing titanium (Ti), a layer containing aluminum (Al), and a layer containing titanium (Ti) are laminated in this order.

金属配線ML4及びML5は、絶縁層14の上に位置し、絶縁層15によって覆われている。金属配線ML4は信号線S4の直上に位置し、金属配線ML5は信号線S5の直上に位置している。金属配線ML4及びML5は、上記の金属材料や、上記の金属材料を組み合わせた合金などによって形成され、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。一例では、金属配線ML4及びML5は、チタン(Ti)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及び、チタン(Ti)を含む層を順に積層した積層体、あるいは、モリブデン(Mo)を含む層、アルミニウム(Al)を含む層、及び、モリブデン(Mo)を含む層を順に積層した積層体である。 The metal wirings ML4 and ML5 are located on the insulating layer 14 and are covered by the insulating layer 15. The metal wiring ML4 is located directly above the signal line S4, and the metal wiring ML5 is located directly above the signal line S5. The metal wirings ML4 and ML5 are formed of the above-mentioned metal material, an alloy in which the above-mentioned metal materials are combined, or the like, and may have a single-layer structure or a multi-layer structure. In one example, the metal wirings ML4 and ML5 include a layer containing titanium (Ti), a layer containing aluminum (Al), and a laminate in which layers containing titanium (Ti) are laminated in this order, or molybdenum (Mo). It is a laminate in which a layer, a layer containing aluminum (Al), and a layer containing molybdenum (Mo) are laminated in this order.

共通電極CEは、絶縁層15の上に位置し、絶縁層16によって覆われている。共通電極CEは、インジウム・ティン・オキサイド(ITO)やインジウム・ジンク・オキサイド(IZO)などの透明な導電材料によって形成された透明電極である。共通電極CEは、金属配線ML4などと電気的に接続されている。上記の通り、共通電極CEはセンサ電極Rxとしても機能し、金属配線ML4はセンサ電極Rxと電気的に接続されるセンサ配線Lやダミー配線Dとしても機能する。 The common electrode CE is located on the insulating layer 15 and is covered with the insulating layer 16. The common electrode CE is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO). The common electrode CE is electrically connected to the metal wiring ML4 or the like. As described above, the common electrode CE also functions as the sensor electrode Rx, and the metal wiring ML4 also functions as the sensor wiring L and the dummy wiring D that are electrically connected to the sensor electrode Rx.

画素電極PE11は、絶縁層16の上に位置し、配向膜AL1によって覆われている。画素電極PE11は、ITOやIZOなどの透明な導電材料によって形成された透明電極である。 The pixel electrode PE 11 is located on the insulating layer 16 and is covered with the alignment film AL1. The pixel electrode PE11 is a transparent electrode formed of a transparent conductive material such as ITO or IZO.

絶縁層11乃至13、及び、絶縁層16は、シリコン酸化物、シリコン窒化物、シリコン酸窒化物などの無機絶縁材料によって形成された無機絶縁層であり、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。絶縁層14及び15は、例えば、アクリル樹脂などの有機絶縁材料によって形成された有機絶縁層である。なお、絶縁層15は、無機絶縁層であってもよい。 The insulating layers 11 to 13 and the insulating layer 16 are inorganic insulating layers formed of an inorganic insulating material such as silicon oxide, silicon nitride, or silicon oxynitride, and may have a single-layer structure. It may have a multi-layer structure. The insulating layers 14 and 15 are organic insulating layers formed of, for example, an organic insulating material such as an acrylic resin. The insulating layer 15 may be an inorganic insulating layer.

第2基板SUB2は、絶縁基板20、遮光層BM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、配向膜AL2などを備えている。
絶縁基板20は、絶縁基板10と同様に、ガラス基板や樹脂基板などの光透過性を有する基板である。遮光層BM及びカラーフィルタCFは、絶縁基板20の第1基板SUB1と対向する側に位置している。カラーフィルタCFは、画素電極PE11と対向する位置に配置され、その一部が遮光層BMに重なっている。オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。オーバーコート層OCは、透明な樹脂によって形成されている。配向膜AL2は、オーバーコート層OCを覆っている。配向膜AL1及び配向膜AL2は、例えば、水平配向性を呈する材料によって形成されている。上述した第1基板SUB1及び第2基板SUB2は、配向膜AL1及び配向膜AL2が対向するように配置されている。
The second substrate SUB2 includes an insulating substrate 20, a light-shielding layer BM, a color filter CF, an overcoat layer OC, an alignment film AL2, and the like.
Like the insulating substrate 10, the insulating substrate 20 is a substrate having light transmittance such as a glass substrate or a resin substrate. The light-shielding layer BM and the color filter CF are located on the side of the insulating substrate 20 facing the first substrate SUB1. The color filter CF is arranged at a position facing the pixel electrode PE11, and a part of the color filter CF overlaps the light shielding layer BM. The overcoat layer OC covers the color filter CF. The overcoat layer OC is formed of a transparent resin. The alignment film AL2 covers the overcoat layer OC. The alignment film AL1 and the alignment film AL2 are formed of, for example, a material exhibiting horizontal orientation. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 described above are arranged so that the alignment film AL1 and the alignment film AL2 face each other.

液晶層LCは、第1基板SUB1及び第2基板SUB2の間に位置し、配向膜AL1と配向膜AL2との間に保持されている。液晶層LCは、液晶分子LMを備えている。液晶層LCは、ポジ型(誘電率異方性が正)の液晶材料、あるいは、ネガ型(誘電率異方性が負)の液晶材料によって構成されている。 The liquid crystal layer LC is located between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and is held between the alignment film AL1 and the alignment film AL2. The liquid crystal layer LC includes a liquid crystal molecule LM. The liquid crystal layer LC is composed of a positive type (positive dielectric anisotropy) liquid crystal material or a negative type (negative dielectric anisotropy) liquid crystal material.

偏光板PL1を含む光学素子OD1は、絶縁基板10に接着されている。偏光板PL2を含む光学素子OD2は、絶縁基板20に接着されている。なお、光学素子OD1及び光学素子OD2は、必要に応じて位相差板、散乱層、反射防止層などを備えていてもよい。 The optical element OD1 including the polarizing plate PL1 is adhered to the insulating substrate 10. The optical element OD2 including the polarizing plate PL2 is adhered to the insulating substrate 20. The optical element OD1 and the optical element OD2 may be provided with a retardation plate, a scattering layer, an antireflection layer, and the like, if necessary.

このような表示パネルPNLにおいては、画素電極PE11と共通電極CEとの間に電界が形成されていないオフ状態において、液晶分子LMは、配向膜AL1及び配向膜AL2の間で所定の方向に初期配向している。このようなオフ状態では、照明装置ILから表示パネルPNLに向けて照射された光は、光学素子OD1及び光学素子OD2によって吸収され、暗表示となる。一方、画素電極PE11と共通電極CEとの間に電界が形成されたオン状態においては、液晶分子LMは、電界により初期配向方向とは異なる方向に配向し、その配向方向は電界によって制御される。このようなオン状態では、照明装置ILからの光の一部は、光学素子OD1及び光学素子OD2を透過し、明表示となる。 In such a display panel PNL, in an off state in which an electric field is not formed between the pixel electrode PE11 and the common electrode CE, the liquid crystal molecule LM is initially arranged in a predetermined direction between the alignment film AL1 and the alignment film AL2. Oriented. In such an off state, the light emitted from the illumination device IL toward the display panel PNL is absorbed by the optical element OD1 and the optical element OD2, resulting in a dark display. On the other hand, in the on state where an electric field is formed between the pixel electrode PE11 and the common electrode CE, the liquid crystal molecules LM are oriented in a direction different from the initial orientation direction due to the electric field, and the orientation direction is controlled by the electric field. .. In such an on state, a part of the light from the illuminating device IL passes through the optical element OD1 and the optical element OD2 and becomes a bright display.

図7Aは、図1に示した非表示部NDAのうち直線部E13に沿った領域AR1を拡大した平面図である。なお、直線部E14に沿った非表示部NDAにおいても、図7Aに示した領域AR1と同様の構造を有している。ここでは、表示部DAの縁部E3とは、表示部DAにおいて最外周に位置する共通電極CEの配線WL2に近接する縁部に相当するものとする。直線部E13は、図6に示した絶縁基板10の縁部に相当する。 FIG. 7A is an enlarged plan view of the region AR1 along the straight line portion E13 of the non-display portion NDA shown in FIG. The non-display portion NDA along the straight portion E14 also has the same structure as the region AR1 shown in FIG. 7A. Here, the edge portion E3 of the display unit DA corresponds to the edge portion close to the wiring WL2 of the common electrode CE located on the outermost periphery of the display unit DA. The straight portion E13 corresponds to the edge portion of the insulating substrate 10 shown in FIG.

図4に示した走査線駆動回路GDは、縁部E3と直線部E13との間に位置し、第2方向Yに沿って並んだ複数の回路ユニットGU1、GU2を備えている。各回路ユニットは、例えば、半導体層、走査線Gと同層の導電層、及び、信号線Sと同層の導電層を用いて形成された複数のトランジスタ等で構成されている。回路ユニットGU1は、例えば、シフトレジスタSR1、ゲートスイッチGS1乃至GS4等によって構成されている。他の回路ユニットGU2も、回路ユニットGU1と同様に構成されている。 The scanning line drive circuit GD shown in FIG. 4 is located between the edge portion E3 and the straight line portion E13, and includes a plurality of circuit units GU1 and GU2 arranged along the second direction Y. Each circuit unit is composed of, for example, a semiconductor layer, a conductive layer which is the same layer as the scanning line G, and a plurality of transistors formed by using the conductive layer which is the same layer as the signal line S. The circuit unit GU1 is composed of, for example, a shift register SR1, gate switches GS1 to GS4, and the like. The other circuit unit GU2 is also configured in the same manner as the circuit unit GU1.

シフトレジスタSR1は、直線部E13とゲートスイッチGS1乃至GS4との間に位置している。ゲートスイッチGS1乃至GS4は、シフトレジスタSR1と配線WL2との間に位置している。また、ゲートスイッチGS1乃至GS4は、この順に第2方向Yに沿って並んでいる。配線WL3は、シフトレジスタSR1に重畳している。また、配線WL3は、ゲートスイッチGS1乃至GS4の一部に重畳している。このような配線WL3は、シフトレジスタSR1等の走査線駆動回路GDからの電界を遮蔽するシールド層として機能する。配線WL2は、ゲートスイッチGS1乃至GS4の他の一部に重畳している。 The shift register SR1 is located between the straight line portion E13 and the gate switches GS1 to GS4. The gate switches GS1 to GS4 are located between the shift register SR1 and the wiring WL2. Further, the gate switches GS1 to GS4 are arranged in this order along the second direction Y. The wiring WL3 is superimposed on the shift register SR1. Further, the wiring WL3 is superimposed on a part of the gate switches GS1 to GS4. Such wiring WL3 functions as a shield layer that shields the electric field from the scanning line drive circuit GD such as the shift register SR1. The wiring WL2 is superimposed on the other part of the gate switches GS1 to GS4.

シフトレジスタSR1は、配線100を介してゲートスイッチGS1及びGS2のそれぞれと電気的に接続され、また、配線200を介してゲートスイッチGS3及びGS4のそれぞれと電気的に接続されている。配線100は、配線WL1と配線WL3との間において、ゲートスイッチGS1とゲートスイッチGS2との間に位置している。配線200は、配線WL1と配線WL3との間において、ゲートスイッチGS3とゲートスイッチGS4との間に位置している。 The shift register SR1 is electrically connected to each of the gate switches GS1 and GS2 via the wiring 100, and is electrically connected to each of the gate switches GS3 and GS4 via the wiring 200. The wiring 100 is located between the gate switch GS1 and the gate switch GS2 between the wiring WL1 and the wiring WL3. The wiring 200 is located between the gate switch GS3 and the gate switch GS4 between the wiring WL1 and the wiring WL3.

ゲートスイッチGS1乃至GS4は、それぞれ走査線G1乃至G4と電気的に接続されている。走査線G1はゲートスイッチGS1からゲートスイッチGS2と対向しない側に引き出され、走査線G2はゲートスイッチGS2からゲートスイッチGS3と対向する側に引き出されている。走査線G3は、ゲートスイッチGS3からゲートスイッチGS2と対向する側に引き出され、走査線G2と隣接している。走査線G4はゲートスイッチGS4からゲートスイッチGS3と対向しない側に引き出されている。
ゲートスイッチGS4、及び、回路ユニットGU2に含まれるゲートスイッチGS5は、第2方向Yに沿って並んでいる。走査線G4は、ゲートスイッチGS4からゲートスイッチGS5と対向する側に引き出されている。走査線G4は、ゲートスイッチGS5から引き出された走査線G5と隣接している。つまり、配線WL1及びWL3の間に着目すると、走査線G1及びG2の間にはゲートスイッチGS1及びGS2が位置し、走査線G2及びG3の間にはいずれのゲートスイッチも存在せず、走査線G3及びG4の間にはゲートスイッチGS3及びGS4が位置し、走査線G4及びG5の間にはいずれのゲートスイッチも存在しない。走査線G1乃至G5は、表示部DAにおいて、それぞれ第1方向Xに沿って延出し、第2方向Yに等間隔で並んでいる。
The gate switches GS1 to GS4 are electrically connected to the scanning lines G1 to G4, respectively. The scanning line G1 is drawn from the gate switch GS1 to the side not facing the gate switch GS2, and the scanning line G2 is drawn from the gate switch GS2 to the side facing the gate switch GS3. The scanning line G3 is drawn out from the gate switch GS3 to the side facing the gate switch GS2 and is adjacent to the scanning line G2. The scanning line G4 is drawn from the gate switch GS4 to a side that does not face the gate switch GS3.
The gate switch GS4 and the gate switch GS5 included in the circuit unit GU2 are arranged along the second direction Y. The scanning line G4 is drawn from the gate switch GS4 to the side facing the gate switch GS5. The scanning line G4 is adjacent to the scanning line G5 drawn from the gate switch GS5. That is, focusing on the wiring WL1 and WL3, the gate switches GS1 and GS2 are located between the scanning lines G1 and G2, and neither gate switch exists between the scanning lines G2 and G3. Gate switches GS3 and GS4 are located between G3 and G4, and neither gate switch exists between scanning lines G4 and G5. The scanning lines G1 to G5 extend along the first direction X and are arranged at equal intervals in the second direction Y on the display unit DA.

縁部E3と直線部E13との間において、配線WL1乃至WL3は、第2方向Yに沿って延出している。金属配線SL1は、配線WL2及びWL3の間に位置し、第2方向Yに沿って延出している。配線WL1は、金属配線SL1の上に重畳している。金属配線SL2は、金属配線SL1と縁部E3との間に位置し、第2方向Yに沿って延出している。配線WL2は、金属配線SL2の上に重畳している。配線WL2は、第1層WL21及び第2層WL22を備えている。第1層WL21は金属配線SL2の上に重畳し、第2層WL22は第1層WL21の上に重畳している。なお、後に詳述するが、金属配線SL1と配線WL1との間、及び、金属配線SL2と配線WL2との間には、それぞれ絶縁層が介在している。走査線G1乃至G5は、配線WL1及びWL2と交差するとともに、金属配線SL1及びSL2と交差している。 Between the edge portion E3 and the straight portion E13, the wirings WL1 to WL3 extend along the second direction Y. The metal wiring SL1 is located between the wirings WL2 and WL3 and extends along the second direction Y. The wiring WL1 is superimposed on the metal wiring SL1. The metal wiring SL2 is located between the metal wiring SL1 and the edge E3, and extends along the second direction Y. The wiring WL2 is superimposed on the metal wiring SL2. The wiring WL2 includes a first layer WL21 and a second layer WL22. The first layer WL21 is superimposed on the metal wiring SL2, and the second layer WL22 is superimposed on the first layer WL21. As will be described in detail later, an insulating layer is interposed between the metal wiring SL1 and the wiring WL1 and between the metal wiring SL2 and the wiring WL2, respectively. The scanning lines G1 to G5 intersect the wirings WL1 and WL2 and intersect the metal wirings SL1 and SL2.

配線WL1及び金属配線SL1は、同電位であり、第1電圧V1が印加される。配線WL2及び金属配線SL2は、同電位であり、第1電圧V1とは異なる第2電圧V2が印加される。つまり、配線WL2の電位は、配線WL1の電位とは異なる。配線WL3の電位は、配線WL1の電位とは異なる。一例では、配線WL3には、第2電圧V2が印加され、配線WL3の電位は、配線WL2と同電位である。例えば、第1電圧V1は走査線Gに供給される制御信号のうちのローレベルと同等の−7Vであり、第2電圧V2は共通電極CEに供給されるコモン電圧と同等の0Vである。 The wiring WL1 and the metal wiring SL1 have the same potential, and the first voltage V1 is applied. The wiring WL2 and the metal wiring SL2 have the same potential, and a second voltage V2 different from the first voltage V1 is applied. That is, the potential of the wiring WL2 is different from the potential of the wiring WL1. The potential of the wiring WL3 is different from the potential of the wiring WL1. In one example, a second voltage V2 is applied to the wiring WL3, and the potential of the wiring WL3 is the same as that of the wiring WL2. For example, the first voltage V1 is −7V, which is equivalent to the low level of the control signal supplied to the scanning line G, and the second voltage V2 is 0V, which is equivalent to the common voltage supplied to the common electrode CE.

ここで、配線WL1及び金属配線SL1に着目する。金属配線SL1は、配線WL1よりも配線WL2に向かって突出した突出部SLB1を有している。換言すると、配線WL1は配線WL2に対向するエッジEG11を有し、配線WL2は配線WL1に対向するエッジEG12を有し、金属配線SL1はエッジEG11とエッジEG12との間に位置するエッジEG13を有している。エッジEG13は、エッジEG11及びEG12のいずれとも重畳しない。金属配線SL1のうち、エッジEG11からエッジEG13までの部分が、突出部SLB1に相当する。図示した例では、エッジEG11乃至EG13の延出方向は、いずれも第2方向Yと平行であり、配線WL1及びWL2の延出方向、もしくは、金属配線SL1の延出方向と平行である。また、図示した例では、第1層WL21が第2層WL22よりも配線WL1に近接しており、配線WL2のエッジEG12は第1層WL21が有しているが、これに限らない。例えば、配線WL2が第1層を備えていない場合や第2層WL22が第1層WL21よりも配線WL1に近接している場合には、配線WL2のエッジEG12は第2層WL22が有する。 Here, attention is paid to the wiring WL1 and the metal wiring SL1. The metal wiring SL1 has a protruding portion SLB1 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL2. In other words, the wiring WL1 has an edge EG11 facing the wiring WL2, the wiring WL2 has an edge EG12 facing the wiring WL1, and the metal wiring SL1 has an edge EG13 located between the edge EG11 and the edge EG12. is doing. The edge EG13 does not overlap with either the edge EG11 or EG12. The portion of the metal wiring SL1 from the edge EG11 to the edge EG13 corresponds to the protruding portion SLB1. In the illustrated example, the extending directions of the edges EG11 to EG13 are all parallel to the second direction Y, and are parallel to the extending directions of the wirings WL1 and WL2 or the extending directions of the metal wiring SL1. Further, in the illustrated example, the first layer WL21 is closer to the wiring WL1 than the second layer WL22, and the edge EG12 of the wiring WL2 is provided by the first layer WL21, but the present invention is not limited to this. For example, when the wiring WL2 does not include the first layer or when the second layer WL22 is closer to the wiring WL1 than the first layer WL21, the edge EG12 of the wiring WL2 is included in the second layer WL22.

なお、後に詳述するが、平面視において、エッジEG11からエッジEG12までの最短距離を第1距離DT1と定義し、エッジEG11からエッジEG13までの最短距離を第2距離DT2と定義する。ここでの第1距離DT1及び第2距離DT2は、各エッジの延出方向と直交する方向に沿った距離として定義する。図示した例では、第1距離DT1及び第2距離DT2は、いずれも第1方向Xに沿った距離である。 As will be described in detail later, in plan view, the shortest distance from the edge EG11 to the edge EG12 is defined as the first distance DT1, and the shortest distance from the edge EG11 to the edge EG13 is defined as the second distance DT2. Here, the first distance DT1 and the second distance DT2 are defined as distances along a direction orthogonal to the extending direction of each edge. In the illustrated example, the first distance DT1 and the second distance DT2 are both distances along the first direction X.

また、金属配線SL1は、走査線G2及びG3の間において、配線WL1よりも配線WL3に向かって突出した突出部SLE1を有している。換言すると、配線WL1は配線WL3に対向するエッジEG21を有し、配線WL3は配線WL1に対向するエッジEG22を有し、金属配線SL1は、エッジEG21とエッジEG22との間に位置するエッジEG23を有している。エッジEG23は、エッジEG21及びEG22のいずれとも重畳しない。金属配線SL1のうち、エッジEG21からエッジEG23までの部分が、突出部SLE1に相当する。同様に、金属配線SL1は、走査線G4及びG5の間において、配線WL1よりも配線WL3に向かって突出した突出部SLE2を有している。 Further, the metal wiring SL1 has a protruding portion SLE1 between the scanning lines G2 and G3 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL3. In other words, the wiring WL1 has an edge EG21 facing the wiring WL3, the wiring WL3 has an edge EG22 facing the wiring WL1, and the metal wiring SL1 has an edge EG23 located between the edge EG21 and the edge EG22. Have. The edge EG23 does not overlap with either the edge EG21 or EG22. The portion of the metal wiring SL1 from the edge EG21 to the edge EG23 corresponds to the protruding portion SLE1. Similarly, the metal wiring SL1 has a protruding portion SLE2 between the scanning lines G4 and G5 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL3.

なお、金属配線SL1は、ゲートスイッチGS1及びGS2の間においては突出部を有しておらず、配線WL3と対向するエッジEG24を有している。配線WL1は、エッジEG24の上に重畳している。つまり、エッジEG24は、エッジEG11及びEG21の間に位置している。金属配線SL1において、エッジEG23は、エッジEG24よりも配線WL3に近接している。同様に、金属配線SL1は、ゲートスイッチGS3及びGS4の間においても突出部を有していない。 The metal wiring SL1 does not have a protruding portion between the gate switches GS1 and GS2, and has an edge EG24 facing the wiring WL3. The wiring WL1 is superimposed on the edge EG24. That is, the edge EG24 is located between the edges EG11 and EG21. In the metal wiring SL1, the edge EG23 is closer to the wiring WL3 than the edge EG24. Similarly, the metal wiring SL1 does not have a protrusion between the gate switches GS3 and GS4.

突出部SLE1は、走査線G2及びG3のいずれとも重畳することなく、走査線G2及びG3の間隔GP1よりも小さい幅WS1を有している。ここでの間隔GP1及び幅WS1は、第2方向Yに沿った長さに相当する。同様に、突出部SLE2は、走査線G4及びG5のいずれとも重畳することなく、走査線G4及びG5の間隔GP2よりも小さい幅WS2を有している。一例では、間隔GP1は、間隔GP2と同等であるが、間隔GP2とは異なっていてもよい。また、幅WS1は、幅WS2と同等であるが、幅WS2とは異なっていてもよい。 The protrusion SLE1 has a width WS1 smaller than the distance GP1 between the scanning lines G2 and G3 without superimposing on any of the scanning lines G2 and G3. The interval GP1 and the width WS1 here correspond to the lengths along the second direction Y. Similarly, the protrusion SLE2 has a width WS2 smaller than the interval GP2 of the scanning lines G4 and G5 without superimposing on any of the scanning lines G4 and G5. In one example, the interval GP1 is equivalent to the interval GP2, but may be different from the interval GP2. Further, the width WS1 is equivalent to the width WS2, but may be different from the width WS2.

突出部SLB1は、走査線G1乃至G5の各々と重畳している。また、突出部SLB1は、走査線G1乃至G5の各々の間においても配線WL3に向かって突出している。 The protruding portion SLB1 overlaps with each of the scanning lines G1 to G5. Further, the protruding portion SLB1 also protrudes toward the wiring WL3 between each of the scanning lines G1 to G5.

次に、配線WL2及び金属配線SL2に着目する。配線WL2は、上記の通り、第1層WL21及び第2層WL2を備えているが、配線WL1に最も接近したエッジEG12を有する第1層WL21に着目する。金属配線SL2は、第1層WL21よりも配線WL1に向かって突出した突出部SLB2を有している。換言すると、金属配線SL2は、エッジEG12とエッジEG13との間に位置するエッジEG14を有している。エッジEG13は、エッジEG12及びEG13のいずれとも重畳しない。金属配線SL2のうち、エッジEG12からエッジEG14までの部分が、突出部SLB2に相当する。図示した例では、エッジEG14の延出方向は、第2方向Yと平行であり、金属配線SL2の延出方向と平行である。 Next, focus on the wiring WL2 and the metal wiring SL2. As described above, the wiring WL2 includes the first layer WL21 and the second layer WL2, but the first layer WL21 having the edge EG12 closest to the wiring WL1 is focused on. The metal wiring SL2 has a protruding portion SLB2 that protrudes from the first layer WL21 toward the wiring WL1. In other words, the metal wiring SL2 has an edge EG14 located between the edge EG12 and the edge EG13. The edge EG13 does not overlap with either the edge EG12 or EG13. The portion of the metal wiring SL2 from the edge EG12 to the edge EG14 corresponds to the protruding portion SLB2. In the illustrated example, the extending direction of the edge EG14 is parallel to the second direction Y and parallel to the extending direction of the metal wiring SL2.

図7Aで示した例において、配線WL1乃至WL3はそれぞれ第1配線乃至第3配線に相当し、金属配線SL1及びSL2はそれぞれ第1金属配線及び第2金属配線に相当し、突出部SLB1は第1突出部に相当し、突出部SLE1またはSLE2は第2突出部に相当し、突出部SLB2は第3突出部に相当し、走査線G2及びG3(あるいは走査線G4及びG5)はそれぞれ第1走査線及び第2走査線に相当する。 In the example shown in FIG. 7A, the wirings WL1 to WL3 correspond to the first wiring to the third wiring, respectively, the metal wirings SL1 and SL2 correspond to the first metal wiring and the second metal wiring, respectively, and the protruding portion SLB1 corresponds to the first wiring. The protrusion SLE1 or SLE2 corresponds to the second protrusion, the protrusion SLB2 corresponds to the third protrusion, and the scanning lines G2 and G3 (or the scanning lines G4 and G5) correspond to the first protrusion, respectively. Corresponds to the scanning line and the second scanning line.

図7Bは、図7Aに示した突出部SLE1及びその周辺を拡大した平面図である。図示した例では、走査線G2及びG3の各々は、導電層CL1及びCL2を用いて形成されている。導電層CL1は、表示部DAにおける走査線Gと同一層に位置し、図6に示した絶縁層12及び13の間に位置している。導電層CL2は、表示部DAにおける信号線Sと同一層に位置し、図6に示した絶縁層13及び14の間に位置している。導電層CL1及びCL2は、コンタクトホールCHを通じて互いに電気的に接続されている。コンタクトホールCHは、金属配線SL1とは重畳することなく、配線WL1と重畳しており、エッジEG21とエッジEG24との間に位置している。 FIG. 7B is an enlarged plan view of the protrusion SLE1 shown in FIG. 7A and its periphery. In the illustrated example, each of the scanning lines G2 and G3 is formed by using the conductive layers CL1 and CL2. The conductive layer CL1 is located in the same layer as the scanning line G in the display unit DA, and is located between the insulating layers 12 and 13 shown in FIG. The conductive layer CL2 is located in the same layer as the signal line S in the display unit DA, and is located between the insulating layers 13 and 14 shown in FIG. The conductive layers CL1 and CL2 are electrically connected to each other through the contact hole CH. The contact hole CH does not overlap with the metal wiring SL1 but overlaps with the wiring WL1 and is located between the edge EG21 and the edge EG24.

導電層CL1は、配線WL1のエッジEG11と交差する側(配線WL2に近接する側)に位置している。導電層CL2は、配線WL1のエッジEG21と交差する側(配線WL3に近接する側)に位置している。金属配線SL1は、導電層CL1とは異なる層に位置し、導電層CL2と同一層に位置している。このため、走査線G2及びG3において、配線WL2と近接する側では、第1層CL1は、絶縁層を介して突出部SLB1を含む金属配線SL1と重畳している。一方、配線WL3と近接する側では、第2層CL2は、金属配線SL1と重畳することはなく、突出部SLE1とも重畳していない。 The conductive layer CL1 is located on the side intersecting the edge EG11 of the wiring WL1 (the side close to the wiring WL2). The conductive layer CL2 is located on the side intersecting the edge EG21 of the wiring WL1 (the side close to the wiring WL3). The metal wiring SL1 is located in a layer different from the conductive layer CL1 and is located in the same layer as the conductive layer CL2. Therefore, in the scanning lines G2 and G3, on the side close to the wiring WL2, the first layer CL1 is superimposed on the metal wiring SL1 including the protruding portion SLB1 via the insulating layer. On the other hand, on the side close to the wiring WL3, the second layer CL2 does not overlap with the metal wiring SL1 and does not overlap with the protruding portion SLE1.

図8は、図1に示した非表示部NDAのうちラウンド部R11に沿った領域AR2を拡大した平面図である。なお、ラウンド部R2に沿った非表示部NDAにおいても、図8に示した領域AR2と同様の構造を有している。ここでは、表示部DAのラウンド部R1とは、表示部DAにおいて最外周に位置する共通電極CEの配線WL2に近接する縁部に相当するものとする。ラウンド部R11は、図6に示した絶縁基板10の縁部に相当する。 FIG. 8 is an enlarged plan view of the region AR2 along the round portion R11 of the non-display portion NDA shown in FIG. The non-display portion NDA along the round portion R2 also has the same structure as the region AR2 shown in FIG. Here, the round portion R1 of the display unit DA corresponds to the edge portion of the display unit DA that is located on the outermost circumference and is close to the wiring WL2 of the common electrode CE. The round portion R11 corresponds to the edge portion of the insulating substrate 10 shown in FIG.

回路ユニットGU3は、シフトレジスタSR3、ゲートスイッチGS6乃至GS9等を備えている。回路ユニットGU4は、シフトレジスタSR4、ゲートスイッチGS10等を備えている。これらの回路ユニットGU3及びGU4の各々の構成は、図7Aに示した回路ユニットGU1と同様である。ゲートスイッチGS6乃至GS10は、それぞれ走査線G6乃至G10と電気的に接続されている。走査線G6乃至G9は、表示部DAにおいて、それぞれ第1方向Xに沿って延出し、第2方向Yに等間隔で並んでいる。
配線WL1乃至WL3、金属配線SL1及びSL2は、ラウンド部R1及びR11の間において、ラウンド部R1に沿って延出している。配線WL1は、配線WL2及びWL3の間に位置し、金属配線SL1の上に重畳している。配線WL2は、配線WL1とラウンド部R1との間に位置し、金属配線SL2の上に重畳している。配線WL3は、配線WL1とラウンド部R11との間に位置している。
The circuit unit GU3 includes a shift register SR3, gate switches GS6 to GS9, and the like. The circuit unit GU4 includes a shift register SR4, a gate switch GS10, and the like. The configuration of each of these circuit units GU3 and GU4 is the same as that of the circuit unit GU1 shown in FIG. 7A. The gate switches GS6 to GS10 are electrically connected to the scanning lines G6 to G10, respectively. The scanning lines G6 to G9 extend along the first direction X and are arranged at equal intervals in the second direction Y on the display unit DA.
The wirings WL1 to WL3 and the metal wirings SL1 and SL2 extend along the round portion R1 between the round portions R1 and R11. The wiring WL1 is located between the wirings WL2 and WL3 and is superimposed on the metal wiring SL1. The wiring WL2 is located between the wiring WL1 and the round portion R1 and is superimposed on the metal wiring SL2. The wiring WL3 is located between the wiring WL1 and the round portion R11.

金属配線SL1は、配線WL1よりも配線WL2に向かって突出した突出部SLB1を有している。また、金属配線SL1は、走査線G7及びG8の間において、配線WL1よりも配線WL3に向かって突出した突出部SLE3を有している。同様に、金属配線SL1は、走査線G9及びG10の間において、配線WL1よりも配線WL3に向かって突出した突出部SLE4を有している。
突出部SLE3は、走査線G7及びG8のいずれとも重畳することなく、走査線G7及びG8の間隔GP3よりも小さい幅WS3を有している。同様に、突出部SLE4は、走査線G9及びG10のいずれとも重畳することなく、走査線G9及びG10の間隔GP4よりも小さい幅WS4を有している。間隔GP4は間隔GP3より大きく、幅WS4は幅WS3より大きい。また、間隔GP4は、図7Aに示した間隔GP2より大きく、幅WS4は幅WS2より大きい。
The metal wiring SL1 has a protruding portion SLB1 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL2. Further, the metal wiring SL1 has a protruding portion SLE3 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL3 between the scanning lines G7 and G8. Similarly, the metal wiring SL1 has a protruding portion SLE4 between the scanning lines G9 and G10 that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL3.
The protrusion SLE3 has a width WS3 smaller than the interval GP3 of the scanning lines G7 and G8 without superimposing on any of the scanning lines G7 and G8. Similarly, the protrusion SLE4 has a width WS4 smaller than the interval GP4 of the scanning lines G9 and G10 without superimposing on any of the scanning lines G9 and G10. The interval GP4 is larger than the interval GP3, and the width WS4 is larger than the width WS3. Further, the interval GP4 is larger than the interval GP2 shown in FIG. 7A, and the width WS4 is larger than the width WS2.

図8で示した例において、配線WL1乃至WL3はそれぞれ第1配線乃至第3配線に相当し、金属配線SL1及びSL2はそれぞれ第1金属配線及び第2金属配線に相当し、突出部SLB1は第1突出部に相当し、突出部SLE3またはSLE4は第4突出部に相当し、走査線G7及びG8(あるいは走査線G9及びG10)はそれぞれ第3走査線及び第4走査線に相当する。 In the example shown in FIG. 8, the wirings WL1 to WL3 correspond to the first wiring to the third wiring, respectively, the metal wirings SL1 and SL2 correspond to the first metal wiring and the second metal wiring, respectively, and the protruding portion SLB1 corresponds to the first metal wiring. It corresponds to one protruding portion, the protruding portion SLE3 or SLE4 corresponds to the fourth protruding portion, and the scanning lines G7 and G8 (or scanning lines G9 and G10) correspond to the third scanning line and the fourth scanning line, respectively.

図9は、図8に示したG−H線に沿った表示パネルPNLの断面図を示す図である。金属配線SL1と配線WL1との間に位置する絶縁層としては、絶縁層14乃至16が含まれる。金属配線SL1及びSL2は、絶縁層13の上に位置し、絶縁層14によって覆われている。金属配線SL1及びSL2は、図6に示した信号線S4などと同一層に位置し、信号線S4と同一材料である金属材料によって形成されている。また、上述の走査線駆動回路GDを構成する電極の一部あるいは配線の一部は、絶縁層13の上に位置している。金属配線SL1において、突出部SLE4は走査線駆動回路GD側に位置し、突出部SLB1は金属配線SL2側に位置している。絶縁層15は、絶縁層14の上に積層されている。 FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional view of the display panel PNL along the line GH shown in FIG. Insulating layers 14 to 16 are included as the insulating layer located between the metal wiring SL1 and the wiring WL1. The metal wirings SL1 and SL2 are located on the insulating layer 13 and are covered by the insulating layer 14. The metal wirings SL1 and SL2 are located in the same layer as the signal line S4 and the like shown in FIG. 6, and are formed of a metal material which is the same material as the signal line S4. Further, a part of the electrodes or a part of the wiring constituting the scanning line drive circuit GD described above is located on the insulating layer 13. In the metal wiring SL1, the protruding portion SLE4 is located on the scanning line drive circuit GD side, and the protruding portion SLB1 is located on the metal wiring SL2 side. The insulating layer 15 is laminated on the insulating layer 14.

配線WL2の第1層WL21は、絶縁層15の上に位置し、絶縁層16によって覆われている。第1層WL21は、図6に示した共通電極CEと同一層に位置し、共通電極CEと同一材料である透明導電材料によって形成されている。絶縁層16は、絶縁層15の上に積層されている。 The first layer WL21 of the wiring WL2 is located on the insulating layer 15 and is covered with the insulating layer 16. The first layer WL21 is located in the same layer as the common electrode CE shown in FIG. 6, and is formed of a transparent conductive material which is the same material as the common electrode CE. The insulating layer 16 is laminated on the insulating layer 15.

配線WL1、配線WL3、及び、配線WL2の第2層WL22は、絶縁層16の上に位置し、配向膜AL1によって覆われている。配線WL1、配線WL3、及び、第2層WL22は、図6に示した画素電極PE11などと同一層に位置し、画素電極PE11と同一材料である透明導電材料によって形成されている。 The wiring WL1, the wiring WL3, and the second layer WL22 of the wiring WL2 are located on the insulating layer 16 and are covered with the alignment film AL1. The wiring WL1, the wiring WL3, and the second layer WL22 are located in the same layer as the pixel electrode PE11 and the like shown in FIG. 6, and are formed of a transparent conductive material which is the same material as the pixel electrode PE11.

液晶層LCは、配線WL1乃至WL3と重畳している。図示した例では、配線WL3のうち、配線WL1に近接する側と液晶層LCとが重畳し、配線WL1から離間する側とシールSEとが重畳している。 The liquid crystal layer LC is superimposed on the wirings WL1 to WL3. In the illustrated example, the side of the wiring WL3 that is close to the wiring WL1 and the liquid crystal layer LC are superimposed, and the side that is separated from the wiring WL1 and the seal SE are superimposed.

エッジEG11からエッジEG12までの最短距離を第1距離DT1とし、エッジEG11からエッジEG13までの最短距離を第2距離DT2とした時、突出部SLB1の突出率(%)を、DT2/DT1と定義する。 When the shortest distance from the edge EG11 to the edge EG12 is the first distance DT1 and the shortest distance from the edge EG11 to the edge EG13 is the second distance DT2, the protrusion ratio (%) of the protruding portion SLB1 is defined as DT2 / DT1. do.

図9に示した例において、絶縁層14は第1有機層に相当し、絶縁層15は第2有機層に相当し、絶縁層16は無機層に相当する。また、エッジEG11は第1エッジに相当し、エッジEG12は第2エッジに相当し、エッジEG13は第3エッジに相当する。 In the example shown in FIG. 9, the insulating layer 14 corresponds to the first organic layer, the insulating layer 15 corresponds to the second organic layer, and the insulating layer 16 corresponds to the inorganic layer. Further, the edge EG11 corresponds to the first edge, the edge EG12 corresponds to the second edge, and the edge EG13 corresponds to the third edge.

本実施形態によれば、配線WL1及び金属配線SL1には、第1電圧V1が印加される。配線WL2及びWL3、金属配線SL2には、第2電圧V2が印加される。この場合において、配線WL1と配線WL3との間、及び、配線WL1と配線WL2との間にはそれぞれ電界が生じる。このような電界は、液晶層LCに含まれる不純物イオンを捕捉するのに有効であり、表示パネルにおいて局所的に不純物イオンが凝集することを抑制できる。 According to this embodiment, the first voltage V1 is applied to the wiring WL1 and the metal wiring SL1. A second voltage V2 is applied to the wirings WL2 and WL3 and the metal wiring SL2. In this case, an electric field is generated between the wiring WL1 and the wiring WL3, and between the wiring WL1 and the wiring WL2, respectively. Such an electric field is effective in capturing the impurity ions contained in the liquid crystal layer LC, and can suppress the local aggregation of the impurity ions on the display panel.

また、配線WL1とは異なる層に位置する金属配線SL1が配線WL1よりも配線WL2に向かって突出した突出部SLB1を有することにより、配線WL2と配線WL1との間の電界に加えて、配線WL2と金属配線SL1との間の電界が生じるため、配線WL1のエッジEG11付近での電界集中が緩和される。
同様に、金属配線SL1が配線WL1よりも配線WL3に向かって突出した突出部SLEを有することにより、配線WL3と配線WL1との間の電界に加えて、配線WL3と金属配線SL1との間の電界が生じるため、配線WL1のエッジEG21付近での電界集中が緩和される。
このように、配線WL1における電界強度が緩和されるため、配線WL1の腐食(還元)を抑制することができ、しかも、配線WL1の腐食に起因した気泡の生成を抑制することができる。したがって、表示装置DSPの信頼性の低下を抑制することができる。
Further, since the metal wiring SL1 located in a layer different from the wiring WL1 has a protruding portion SLB1 protruding toward the wiring WL2 from the wiring WL1, the wiring WL2 is added to the electric field between the wiring WL2 and the wiring WL1. Since an electric field is generated between the wire and the metal wiring SL1, the electric field concentration near the edge EG11 of the wiring WL1 is relaxed.
Similarly, since the metal wiring SL1 has a protruding portion SLE that protrudes from the wiring WL1 toward the wiring WL3, in addition to the electric field between the wiring WL3 and the wiring WL1, between the wiring WL3 and the metal wiring SL1. Since an electric field is generated, the electric field concentration near the edge EG21 of the wiring WL1 is relaxed.
In this way, since the electric field strength in the wiring WL1 is relaxed, the corrosion (reduction) of the wiring WL1 can be suppressed, and the generation of bubbles due to the corrosion of the wiring WL1 can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress a decrease in reliability of the display device DSP.

また、表示パネルPNLにおける直線部のみならずラウンド部においても、配線WL1と配線WL2との間、及び、配線WL1と配線WL3との間に十分な距離が確保できなくとも、上記の構成を適用することにより、配線WL1の腐食を抑制することができ、狭額縁化を実現できる。 Further, the above configuration is applied not only in the straight portion but also in the round portion of the display panel PNL even if a sufficient distance cannot be secured between the wiring WL1 and the wiring WL2 and between the wiring WL1 and the wiring WL3. By doing so, corrosion of the wiring WL1 can be suppressed, and a narrow frame can be realized.

なお、走査線Gの各々は、配線WL1及び金属配線SL1と交差し、走査線Gに供給される制御信号は、1フレーム期間のうちのほとんどの期間において配線WL1の電位と同等のローレベルである。このため、配線WL1及び金属配線SL1と交差する走査線Gは、配線WL1における電界強度の緩和に貢献する。 Each of the scanning lines G intersects the wiring WL1 and the metal wiring SL1, and the control signal supplied to the scanning line G is at a low level equivalent to the potential of the wiring WL1 in most of the one-frame period. be. Therefore, the scanning line G intersecting the wiring WL1 and the metal wiring SL1 contributes to the relaxation of the electric field strength in the wiring WL1.

図10は、金属配線SL1の突出率(%)と電界強度との関係を示した図である。これは、平面視で、図7Aに示したエッジEG12とエッジEG14とが重畳している場合におけるシミュレーション結果である。図の横軸は、金属配線SL1の突出率(%)であり、第2距離(DT2)/第1距離(DT1)で算出される値である。図の縦軸は、電界強度(1.0E6V/m)である。エッジEG11に生じる電界強度Aは実線でプロットし、エッジEG12に生じる電界強度Bは点線でプロットしている。突出率がプラスの場合とは、エッジEG13がエッジEG11よりも外側(配線WL2に近接する側)に位置する場合に相当する。突出率がゼロの場合とは、エッジEG13がエッジEG11の直下に位置する場合に相当する。なお、参考値Refとして、エッジEG13がエッジEG11よりも内側(配線WL2から離間する側)に位置する、あるいは、金属配線SL1が存在しない場合の電界強度も示している。 FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the protrusion ratio (%) of the metal wiring SL1 and the electric field strength. This is a simulation result when the edge EG12 and the edge EG14 shown in FIG. 7A are superimposed in a plan view. The horizontal axis in the figure is the protrusion rate (%) of the metal wiring SL1, which is a value calculated by the second distance (DT2) / first distance (DT1). The vertical axis of the figure is the electric field strength (1.0E6V / m). The electric field strength A generated at the edge EG11 is plotted with a solid line, and the electric field strength B generated at the edge EG12 is plotted with a dotted line. The case where the protrusion ratio is positive corresponds to the case where the edge EG 13 is located outside the edge EG 11 (the side close to the wiring WL 2). The case where the protrusion ratio is zero corresponds to the case where the edge EG 13 is located directly below the edge EG 11. As a reference value Ref, the electric field strength when the edge EG13 is located inside the edge EG11 (the side separated from the wiring WL2) or the metal wiring SL1 does not exist is also shown.

図10において実線で示したエッジEG11の電界強度Aに着目すると、突出率が増加するにしたがって、電界強度が低下する傾向が確認できる。これは、突出率が増加するほど、金属配線SL1が配線WL2に近接し、配線WL2と金属配線SL1との間に生ずる電界が増加するためである。このような傾向に基づくと、配線WL1の腐食を抑制する観点では、突出率は5%以上であることが望ましい。また、電界強度が参考値から半減する突出率として、15%以上であることがより望ましい。 Focusing on the electric field strength A of the edge EG11 shown by the solid line in FIG. 10, it can be confirmed that the electric field strength tends to decrease as the protrusion rate increases. This is because as the protrusion rate increases, the metal wiring SL1 approaches the wiring WL2, and the electric field generated between the wiring WL2 and the metal wiring SL1 increases. Based on such a tendency, it is desirable that the protrusion rate is 5% or more from the viewpoint of suppressing corrosion of the wiring WL1. Further, it is more desirable that the protrusion rate at which the electric field strength is halved from the reference value is 15% or more.

一方で、図10において点線で示したエッジEG12の電界強度Bに着目すると、突出率が増加するにしたがって、電界強度が増加する傾向が確認できる。これは、突出率が増加するほど、配線WL2とは異なる電位の金属配線SL1が配線WL2に接近するためである。このような傾向に基づくと、配線WL2の腐食を抑制する観点では、突出率は50%以下であることが望ましく、30%以下であることがより望ましい。 On the other hand, paying attention to the electric field strength B of the edge EG12 shown by the dotted line in FIG. 10, it can be confirmed that the electric field strength tends to increase as the protrusion ratio increases. This is because as the protrusion rate increases, the metal wiring SL1 having a potential different from that of the wiring WL2 approaches the wiring WL2. Based on such a tendency, from the viewpoint of suppressing corrosion of the wiring WL2, the protrusion rate is preferably 50% or less, and more preferably 30% or less.

このように、表示装置DSPの狭額縁化を実現し、且つ、電界集中による配線WL1及びWL2の腐食を抑制するためには、突出率は、5%以上50%以下であることが望ましく、15%以上30%以下であることがより望ましい。一例では、突出部SLB1の幅(第2距離DT2)は、5μm〜10μmである。 As described above, in order to realize the narrowing of the frame of the display device DSP and suppress the corrosion of the wirings WL1 and WL2 due to the electric field concentration, the protrusion rate is preferably 5% or more and 50% or less. It is more desirable that it is% or more and 30% or less. In one example, the width of the protrusion SLB1 (second distance DT2) is 5 μm to 10 μm.

次に、本実施形態の他の構成例について説明する。
図11は、図1に示した非表示部NDAのうち直線部E11に沿った領域AR3を拡大した平面図である。直線部E11に沿った領域AR3においては、走査線駆動回路GDの代わりに、金属配線SL3が設けられている。金属配線SL3は、配線WL3と同電位であり、例えば第2電圧V2が印加される。配線WL3は、金属配線SL3の上に重畳している。金属配線SL3は、配線WL3よりも配線WL1に向かって突出した突出部SLB3を有している。換言すると、配線WL3は配線WL1に対向するエッジEG22を有し、金属配線SL3はエッジEG21とエッジEG22との間に位置するエッジEG31を有している。エッジEG31は、エッジEG21乃至EG23のいずれとも重畳しない。金属配線SL3のうち、エッジEG22からエッジEG31までの部分が、突出部SLB3に相当する。金属配線SL3は、金属配線SL1等と同一層に位置し、金属配線SL1と同一材料によって形成されている。
Next, another configuration example of this embodiment will be described.
FIG. 11 is an enlarged plan view of the region AR3 along the straight line portion E11 of the non-display portion NDA shown in FIG. In the region AR3 along the straight line portion E11, the metal wiring SL3 is provided instead of the scanning line drive circuit GD. The metal wiring SL3 has the same potential as the wiring WL3, and for example, a second voltage V2 is applied. The wiring WL3 is superimposed on the metal wiring SL3. The metal wiring SL3 has a protruding portion SLB3 that protrudes from the wiring WL3 toward the wiring WL1. In other words, the wiring WL3 has an edge EG22 facing the wiring WL1, and the metal wiring SL3 has an edge EG31 located between the edge EG21 and the edge EG22. The edge EG31 does not overlap with any of the edges EG21 to EG23. The portion of the metal wiring SL3 from the edge EG22 to the edge EG31 corresponds to the protruding portion SLB3. The metal wiring SL3 is located in the same layer as the metal wiring SL1 and the like, and is formed of the same material as the metal wiring SL1.

また、金属配線SL1のエッジEG23は、領域AR3のほぼ全域において、配線WL1のエッジEG21よりも配線WL3側に位置している。つまり、金属配線SL1は、配線WL3と対向する側に、図7A及び図8に示したような部分的に突出部を有するのではなく、配線WL3と対向する側のほぼ全域に亘って突出部SLEを有している。 Further, the edge EG23 of the metal wiring SL1 is located on the wiring WL3 side of the edge EG21 of the wiring WL1 in almost the entire area of the region AR3. That is, the metal wiring SL1 does not have a partially protruding portion as shown in FIGS. 7A and 8 on the side facing the wiring WL3, but the protruding portion over almost the entire area on the side facing the wiring WL3. Has SLE.

図11に示した例では、金属配線SL3が第3金属配線に相当し、突出部SLB3が第5突出部に相当する。 In the example shown in FIG. 11, the metal wiring SL3 corresponds to the third metal wiring, and the protruding portion SLB3 corresponds to the fifth protruding portion.

このような構成例においても、配線WL1と配線WL3との間に電界が生じた際に、配線WL1と金属配線SL3との間にも電界が形成され、配線WL3への電界集中が緩和される。したがって、配線WL3の腐食を抑制することができる。なお、図示した例では、配線WL3の直下に、配線WL3とは異なる電位の配線SL4が配置されている。配線SL4は、配線WL3から配線WL1に向かって突出せず、配線WL3及び金属配線SL3によって囲まれている。このため、配線SL4からの電界漏れが抑制される。 Even in such a configuration example, when an electric field is generated between the wiring WL1 and the wiring WL3, an electric field is also formed between the wiring WL1 and the metal wiring SL3, and the electric field concentration on the wiring WL3 is relaxed. .. Therefore, corrosion of the wiring WL3 can be suppressed. In the illustrated example, the wiring SL4 having a potential different from that of the wiring WL3 is arranged directly under the wiring WL3. The wiring SL4 does not protrude from the wiring WL3 toward the wiring WL1, and is surrounded by the wiring WL3 and the metal wiring SL3. Therefore, electric field leakage from the wiring SL4 is suppressed.

図12は、表示装置DSPの他の構成例を示す平面図である。配線WL4は、金属配線SL1及び配線WL1と交差している。配線WL4の電位は、配線WL1とは異なる。このようなレイアウトにおいて、金属配線SL1は、配線WL2に向かって突出した突出部SLB1のみならず、配線WL3に向かって突出した突出部SLEを有している。配線WL4は、突出部SLB1及び突出部SLEと重畳している。
図12に示した例では、配線SL4が第4金属配線に相当し、突出部SLEが第6突出部に相当する。
FIG. 12 is a plan view showing another configuration example of the display device DSP. The wiring WL4 intersects the metal wiring SL1 and the wiring WL1. The potential of the wiring WL4 is different from that of the wiring WL1. In such a layout, the metal wiring SL1 has not only the protruding portion SLB1 protruding toward the wiring WL2 but also the protruding portion SLE protruding toward the wiring WL3. The wiring WL4 overlaps with the protruding portion SLB1 and the protruding portion SLE.
In the example shown in FIG. 12, the wiring SL4 corresponds to the fourth metal wiring, and the protruding portion SLE corresponds to the sixth protruding portion.

このような構成例においては、配線WL1と配線WL4との間に電界が生じた際に、金属配線SL3と配線WL4との間にも電界が形成され、配線WL1への電界集中が緩和される。したがって、配線WL1の腐食を抑制することができる。 In such a configuration example, when an electric field is generated between the wiring WL1 and the wiring WL4, an electric field is also formed between the metal wiring SL3 and the wiring WL4, and the electric field concentration on the wiring WL1 is relaxed. .. Therefore, corrosion of the wiring WL1 can be suppressed.

以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な表示装置を提供することができる。 As described above, according to the present embodiment, it is possible to provide a display device capable of suppressing a decrease in reliability.

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
例えば、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素幅が同一であるが、これらの画素幅が異なっていてもよい。また、本実施形態においては、赤画素、緑画素、及び、白画素のそれぞれの画素電極が同一形状を有しているが、これらの画素電極の形状が異なっていてもよい。
Although some embodiments of the present invention have been described, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other embodiments, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the gist of the invention. These embodiments and modifications thereof are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the scope of the invention described in the claims and the equivalent scope thereof.
For example, in the present embodiment, the pixel widths of the red pixel, the green pixel, and the white pixel are the same, but the pixel widths of these pixels may be different. Further, in the present embodiment, the pixel electrodes of the red pixel, the green pixel, and the white pixel have the same shape, but the shapes of these pixel electrodes may be different.

DSP…表示装置 DA…表示部 NDA…非表示部 WL…配線 SL…金属配線 G…走査線 S…信号線 DSP ... Display device DA ... Display unit NDA ... Non-display unit WL ... Wiring SL ... Metal wiring G ... Scanning line S ... Signal line

Claims (13)

表示部と、
前記表示部の周辺に位置する非表示部と、
前記非表示部に位置する第1金属配線と、
前記第1金属配線の上に位置する絶縁層と、
前記絶縁層の上に位置し、前記第1金属配線と同電位であり、前記第1金属配線と重畳する第1透明導電膜と、
前記第1透明導電膜と前記表示部との間に位置し、前記第1透明導電膜とは異なる電位の第2透明導電膜と、を備え、
前記第1透明導電膜は、前記第2透明導電膜に対向する第1エッジを有し、
前記第2透明導電膜は、前記第1透明導電膜に対向する第2エッジを有し、
前記第1金属配線は、平面視において、前記第1エッジと前記第2エッジとの間に位置する第3エッジを有する、表示装置。
Display and
A non-display unit located around the display unit and
The first metal wiring located in the non-display part and
An insulating layer located on the first metal wiring and
A first transparent conductive film located on the insulating layer, having the same potential as the first metal wiring, and superimposing on the first metal wiring.
A second transparent conductive film having a potential different from that of the first transparent conductive film, which is located between the first transparent conductive film and the display unit, is provided.
The first transparent conductive film has a first edge facing the second transparent conductive film, and has a first edge.
The second transparent conductive film has a second edge facing the first transparent conductive film and has a second edge.
The first metal wiring is a display device having a third edge located between the first edge and the second edge in a plan view.
前記第1金属配線は、平面視において、前記第1透明導電膜よりも前記第2透明導電膜に向かって突出した第1突出部を有している、請求項1に記載の表示装置。 The display device according to claim 1, wherein the first metal wiring has a first protruding portion that protrudes toward the second transparent conductive film from the first transparent conductive film in a plan view. さらに、前記非表示部に位置し、前記第2透明導電膜と同電位の第3透明導電膜と、
前記第1金属配線と交差する第1走査線及び第2走査線と、を備え、
前記第1透明導電膜は、前記第2透明導電膜と前記第3透明導電膜との間に位置し、
前記第1金属配線は、平面視において、前記第1走査線と前記第2走査線との間で前記第1透明導電膜よりも前記第3透明導電膜に向かって突出した第2突出部を有している、請求項2に記載の表示装置。
Further, a third transparent conductive film located in the non-display portion and having the same potential as the second transparent conductive film,
A first scanning line and a second scanning line intersecting with the first metal wiring are provided.
The first transparent conductive film is located between the second transparent conductive film and the third transparent conductive film, and is located between the second transparent conductive film and the third transparent conductive film.
The first metal wiring has a second protruding portion between the first scanning line and the second scanning line, which protrudes from the first transparent conductive film toward the third transparent conductive film in a plan view. The display device according to claim 2, which has.
前記第2突出部の幅は、前記第1走査線と前記第2走査線との間隔よりも小さい、請求項3に記載の表示装置。 The display device according to claim 3, wherein the width of the second protruding portion is smaller than the distance between the first scanning line and the second scanning line. 前記第1突出部は、前記第1走査線及び前記第2走査線と重畳している、請求項4に記載の表示装置。 The display device according to claim 4, wherein the first protruding portion is superimposed on the first scanning line and the second scanning line. さらに、前記第2透明導電膜と同電位の第2金属配線を備え、
前記第2透明導電膜は、前記第2金属配線と重畳し、
前記第2金属配線は、平面視において、前記第2透明導電膜よりも前記第1透明導電膜に向かって突出した第3突出部を有している、請求項2に記載の表示装置。
Further, a second metal wiring having the same potential as the second transparent conductive film is provided.
The second transparent conductive film overlaps with the second metal wiring,
The display device according to claim 2, wherein the second metal wiring has a third protruding portion that protrudes toward the first transparent conductive film from the second transparent conductive film in a plan view.
さらに、絶縁基板と、
前記絶縁基板上に位置し、前記第1金属配線と交差する第3走査線及び第4走査線と、を備え、
前記第1金属配線は、平面視において、前記第3走査線と前記第4走査線との間で前記第1透明導電膜よりも前記第3透明導電膜に向かって突出した第4突出部を有し、
前記絶縁基板は、ラウンド部と、直線部と、を有し、
前記第2突出部は、前記直線部に沿った前記非表示部に位置し、
前記第4突出部は、前記ラウンド部に沿った前記非表示部に位置し、
前記第4突出部の幅は、前記第2突出部の幅よりも大きい、請求項3に記載の表示装置。
In addition, with an insulating substrate,
A third scanning line and a fourth scanning line, which are located on the insulating substrate and intersect with the first metal wiring, are provided.
In a plan view, the first metal wiring has a fourth protruding portion between the third scanning line and the fourth scanning line, which protrudes from the first transparent conductive film toward the third transparent conductive film. Have and
The insulating substrate has a round portion and a straight portion, and has a round portion and a straight portion.
The second protruding portion is located at the non-display portion along the straight portion.
The fourth protrusion is located at the non-display portion along the round portion.
The display device according to claim 3, wherein the width of the fourth protrusion is larger than the width of the second protrusion.
前記絶縁層は、第1有機層と、前記第1有機層に積層された第2有機層と、前記第2有機層に積層された無機層と、を備え、
前記第1金属配線は、前記第1有機層によって覆われ、
前記第1透明導電膜及び前記第3透明導電膜は、前記無機層上に位置し、
前記第2透明導電膜は、前記第2有機層と前記無機層との間、または、前記無機層上に位置している、請求項2に記載の表示装置。
The insulating layer includes a first organic layer, a second organic layer laminated on the first organic layer, and an inorganic layer laminated on the second organic layer.
The first metal wiring is covered with the first organic layer, and the first metal wiring is covered with the first organic layer.
The first transparent conductive film and the third transparent conductive film are located on the inorganic layer.
The display device according to claim 2, wherein the second transparent conductive film is located between the second organic layer and the inorganic layer, or on the inorganic layer.
さらに、第1基板と、第2基板と、前記第1基板と前記第2基板との間に保持された液晶層と、を備え、
前記第1基板は、前記第1透明導電膜、前記第2透明導電膜、及び、前記第3透明導電膜を備え、
前記液晶層は、前記第1透明導電膜、前記第2透明導電膜、及び、前記第3透明導電膜と重畳している、請求項8に記載の表示装置。
Further, a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate are provided.
The first substrate includes the first transparent conductive film, the second transparent conductive film, and the third transparent conductive film.
The display device according to claim 8, wherein the liquid crystal layer is superimposed on the first transparent conductive film, the second transparent conductive film, and the third transparent conductive film.
さらに、前記第1基板と前記第2基板とを接着するシールを備え、
前記シールは、前記第3透明導電膜と重畳している、請求項9に記載の表示装置。
Further, a seal for adhering the first substrate and the second substrate is provided.
The display device according to claim 9, wherein the seal is superimposed on the third transparent conductive film.
前記第1エッジから前記第2エッジまでの距離を第1距離とし、前記第1エッジから前記第3エッジまでの距離を第2距離としたとき、
前記第2距離は、前記第1距離の5%以上50%以下である、請求項1に記載の表示装置。
When the distance from the first edge to the second edge is defined as the first distance and the distance from the first edge to the third edge is defined as the second distance,
The display device according to claim 1, wherein the second distance is 5% or more and 50% or less of the first distance.
さらに、前記第3透明導電膜と同電位の第3金属配線を備え、
前記第3透明導電膜は、前記第3金属配線と重畳し、
前記第3金属配線は、平面視において、前記第3透明導電膜よりも前記第1透明導電膜に向かって突出した第5突出部を有している、請求項3に記載の表示装置。
Further, a third metal wiring having the same potential as the third transparent conductive film is provided.
The third transparent conductive film overlaps with the third metal wiring,
The display device according to claim 3, wherein the third metal wiring has a fifth protruding portion that protrudes toward the first transparent conductive film from the third transparent conductive film in a plan view.
さらに、前記第1金属配線と交差し、前記第1透明導電膜とは異なる電位の第4金属配線を備え、
前記第1金属配線は、平面視において、前記第1透明導電膜よりも前記第3透明導電膜に向かって突出した第6突出部を有し、
前記第4金属配線は、前記第1突出部及び前記第6突出部と重畳している、請求項3に記載の表示装置。
Further, a fourth metal wiring that intersects with the first metal wiring and has a potential different from that of the first transparent conductive film is provided.
The first metal wiring has a sixth protruding portion that protrudes toward the third transparent conductive film from the first transparent conductive film in a plan view.
The display device according to claim 3, wherein the fourth metal wiring overlaps with the first protruding portion and the sixth protruding portion.
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