JP6893713B1 - 合成高分子樹脂製バンドの製造方法、及びその製造装置 - Google Patents
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Abstract
Description
この現象(核スピン)を利用したものが核磁気共鳴吸収法(NMR)という分析方法であり、またこの技術を人体の内部を観察し医療に応用したのがMRIである。
しかし、NMRで用いる11.74テスラ磁界(非特許文献1を参照)は、超電導磁石で形成される狭い磁界に発生される強力な磁界であって、NMR装置を合成高分子樹脂製バンドに磁界を印加するのに用いるのは困難であった。
しかし、希土類磁石は、使用する前に強力に着磁し、変更、更新、修正、又は廃棄などのために脱磁が必要になった時には脱磁しなくてはならない。しかし、強力に着磁し、一度着磁された磁石を脱磁することは極めて難しいという問題を有している。
更に、シリコーン樹脂製リストバンドだけでなく、合成高分子樹脂製のブレスレット、アンクレット、首に巻回する形状のベルト、及び手指に巻回するリング等を含む、身体の一部を巻回して装着する合成高分子樹脂製バンドにも、シリコーン樹脂製リストバンドと同様の運動能力向上効果があることを見出し(本願明細書の段落(0031)を参照])、本発明に到達した。
また、前記合成高分子樹脂製バンドは、リストバンド又はブレスレットであることができる。
また、前記合成高分子樹脂製バンドは、首に巻回される形状のバンドであることができる。
また、前記合成高分子樹脂製バンドは、手指に巻回されるリング形状であることができる。
また、前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂は、ポリウレタン樹脂であることができる。
また、本発明の強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンドを製造する装置は、合成高分子樹脂製バンドに最高磁気密度が50ミリテスラ以上のパルス状の磁界を印加することにより、強力なパルス状の磁界が印加された、着用者の運動能力を向上させる機能を有する合成高分子樹脂製バンドを製造する装置を提供することができる。
また、本発明の強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンドを製造する方法は、合成高分子樹脂製バンドに、最高磁気密度が50ミリテスラ以上のパルス状の磁界を印加することによって、合成高分子樹脂製バンドに強力なパルス状の磁界を印加する方法を提供する。
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。
図1は、本発明の一実施例の合成高分子樹脂製バンド製造装置を示す斜視図である。
図1に示すように、本発明の合成高分子樹脂製バンド製造装置1は、合成高分子樹脂製バンド磁化装置2と合成高分子樹脂製バンド配置手段3とからなり、合成高分子樹脂製バンド10が、合成高分子樹脂製バンド配置手段3に載置されて磁化装置2の内部に配置されることが好ましい。
磁化装置2は、強力な減衰振動磁界の印加装置4と強力なパルス状の磁界の印加装置5とを有することができる。
図2に示すように、強力な減衰振動磁界の印加装置4は、充電回路40と放電回路50とを含み、充電回路40は、商用電源42に接続される昇圧トランス44と、商用電源42の一方の端子に接続された交流位相制御回路46と、昇圧トランス44に接続された整流回路48と、整流回路48の直流出力端子間に接続された電圧検出回路49と、充電回路40の接続を断接する充電回路スイッチ41と、を備えることができる。
図3に示すような波形や磁界強度ピーク値を有する減衰振動磁界を磁気コイル20に発生させて印加する方法は、磁気コイル20及びコンデンサ30の電磁的性質等によって減衰振動磁界を発生することができるが、これらは当業者の設計事項であり、また特許文献1、2にも記載されているので、詳細な説明は省略する。
図4は、本発明の一実施例による強力な減衰振動磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド製造方法のプロセスブロック図である。
図4に示すように、本発明の強力な減衰振動磁界の印加装置4は、磁気コイル20の内部に合成高分子樹脂製バンド10を配置する段階(S−1)と、コンデンサ30を所定の電圧まで充電する段階(S−2)と、を有することができる。
図5は、本発明の他の実施例の強力なパルス状の磁界印加装置5の回路図である。
図5に示すように、強力なパルス状の磁界印加装置5は、充電回路40と放電回路50とを含み、強力なパルス状の磁界印加装置5の充電回路40は、図2に示される強力な減衰振動磁界印加装置と同じであり得る。
一方、放電回路50は、コンデンサ30と磁気コイル20がLCR共鳴を起こさないように強力なパルス状の磁界の印加電源装置の放電時に発生する逆方向電流を抑えるキックバック防止回路52等を配備することが好ましい。
図6に示すグラフは、強力なパルス状の磁界印加効果を上げるためにキックバック電流やテーリング電流を補正したパルス状の磁界のグラフである。このような波形や磁界強度ピーク値を有するパルス磁界は、低インピーダンスの磁気コイルコイル20、コンデンサ30の電磁的特性、及びキックバック防止回路52等を用いて磁気コイル20に発生させて印加することができるが、これらの方法は当業者の設計的事項であるので詳細な説明は省略する。
図7に示すように、本発明の強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド製造方法は、磁気コイル20の内部に合成高分子樹脂製バンド10を配置する段階(S−11)と、コンデンサ30を所定の電圧まで充電する段階(S−12)と、を有することができる。
本発明の合成高分子樹脂製バンド10は、身体の一部分に巻回して装着するバンドであることが好ましい。
具体的な実例としては、手首に装着されるリストバンド又はブレスレット、足首に装着されるアンクレット、首に巻回される例えばネックレス形状のバンド、及び手指に巻回されるリング形状の指輪を挙げることができるが、これらに限られるものではなく、通常の環形状のものであれば特に制限されない。形状は例えば図8に示すものと同様であってもよく、また異なっていてもよい。また細長いテープであって、2回以上巻回して用いるものであってもよい。
大きさ及び色は、着用する身体部位に対応すればよく、また皮膚に密着できるが締め付けないものが好ましい。
合成高分子樹脂製バンド配置手段3に載置した長さ180mm、巾20mm、厚さ1.2mmのシリコーン樹脂製リストバンド10aを、直径100mm、長さ270mmの空芯の磁気コイル20に挿入し、商用電源42から、昇圧トランス44を用いてコンデンサ30を電圧3000Vまで充電し、充電した電気エネルギーを、放電回路50を用いて磁気コイル20に一気に放電して減衰振動電流を発生させ、磁気コイル20に最高磁気密度50ミリテスラの減衰振動磁界を形成させてシリコーン樹脂製リストバンド10aに強力な減衰振動磁界を印加し、減衰振動磁界が消失後、磁気コイル20から合成高分子樹脂製バンド配置手段3を引き出し、強力な減衰振動磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド12cを製造した。得られた強力な減衰振動磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド12cの外見は、処理前のシリコーン樹脂製リストバンド10aと変化がなかった。
実施例1と同じシリコーン樹脂製リストバンド10aに、実施例1と同様に、但し、強力な減衰振動磁界の印加装置4の減衰振動磁界の代わりに強力なパルス状の磁界の印加装置5を用いて磁気密度50ミリテスラのパルス状の磁界を印加して実施例2の強力なパルス状の磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド12bを製造した。
実施例1と同じシリコーン樹脂製リストバンド10aに、実施例1と同様に、強力な減衰振動磁界の印加装置4を用いて、但し、最高磁気密度が100ミリテスラの減衰振動磁界を印加して実施例3の強力な減衰振動磁界を印加したシリコーン樹脂製リストバンド13cを製造した。
シリコーン樹脂又は
ウレタン樹脂のうちから選ばれる何れか一つの合成高分子樹脂製のリストバンド、アンクレット、リング、又はネックレスのうちから選ばれる何れか一つのバンドに、実施例1と同様に強力な減衰振動磁界の印加装置4を用いて、又は実施例2と同様に強力なパルス状の磁界印加装置5を用いて磁気処理して、表1に示す実施例4〜11の強力な減衰振動磁界又は強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子製リストバンド、アンクレット、リング、又はネックレスを製造した。
強力な減衰振動磁界又はパルス状の磁界の印加処理していない合成高分子製リストバンド、アンクレット、リング、又はネックレスを比較例とした。
[比較例2]
実施例1と同じシリコーン製のリストバンド10aに実施例1と同様に、但し最高磁気密度が25ミリテスラの磁界を印加して比較例1の減衰振動磁界を印加したシリコーン樹脂製リストバンド14cを得た。
16〜30歳の男性133名及び女性13名、合計146名を被検者として、最大筋力の試験として握力、柔軟性の試験として前屈指床間距離、及び瞬発力の試験として20メートルダッシュ走に関し、表1に示す実施例1、2、4〜11の減衰振動磁界を印加した合成高分子樹脂製バンド12a又はパルス状の磁界を印加した合成高分子樹脂製バンド12bと、対応する減衰振動磁界又はパルス状の磁界を印加していない比較例の合成高分子樹脂製バンド10の効果を測定し比較した。
いずれの測定においても、被検者は磁界を印加した合成高分子樹脂製バンド12a、又は12bを着用しているか、磁界を印加していない合成高分子樹脂製バンド10を着用しているかが分からないようにし、また、先に磁界を印加した合成高分子樹脂製バンド12a又は12bを着用して測定した被検者と、先に磁界を印加していない合成高分子樹脂製バンド10を着用して測定した被検者と、が同数になるようにした。
測定値は、何れも正規分布にならなかったので測定値をウィルコクソン検定し、p<0.05の有意確率で向上している場合に有意差ありとした。
実施例1、4、6、8、10の強力な減衰振動磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド12a、又は、対応する磁界を印加していない合成高分子樹脂製バンド10を利き腕の手首に着用させて握力を測定し、その結果を表2に示した。また、実施例2、5、7、9、11の強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド12b又は磁界を印加していない比較例1の合成高分子樹脂製バンド10を利き腕の手首に着用させて握力を測定し、その結果を表3に示した。
被検者に、実施例1、4、6、8、10の減衰振動磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド12a、又は対応する磁界を印加していない合成高分子樹脂製バンド10を両腕の手首に着用させて台の端に立たせ、両脚を揃え、膝を伸ばして前屈させて指の指先と床面との距離を測定した結果を表4に示し、実施例2、5、7、9、11の強力なパルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド12b又は磁化処理しないシリコーン樹脂製バンド10を着用させて同様の測定を行って表5に示す。
被検者に実施例1、4、6、8の減衰振動磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド12a、又は比較例1の合成高分子樹脂製バンド10を両手首に装着させて20メートルダッシュ走の所要時間を計測して表6に示し、実施例2、5、7、9のパルス状の磁界が印加された成高分子樹脂製バンド12b、又は比較例1の合成高分子樹脂製バンド10を両手首に装着させて20メートルダッシュ走の所要時間を計測して表7に示す。
<閉眼片足立ちテスト>
日本健康運動研究所のプロトコール(注1)に従って閉眼片足立ち試験を行い、身体バランス保持機能を試験した。
(注1 www.jhei.netexer/measurement/me04.html)
(試料)
実施例1の最高磁気密度50ミリテスラの減衰振動磁界を印加して製造した強力な減衰振動磁界の印加されたシリコーン樹脂製リストバンド12c、実施例3の最高磁気密度100ミリテスラの減衰振動磁界を印加して製造した減衰振動磁界印加シリコーン樹脂製リストバンド13c、比較例2の最高磁気密度25ミリテスラの減衰振動磁界を印加して製造した強力な減衰振動磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド14c、及び比較例1の磁化処理していないシリコーン樹脂製リストバンド10。
(被検者)
20〜39歳の健康な男女各10名。
被検者は、両手に実施例1、3又は比較例1、2のシリコーン樹脂製リストバンドを巻回し、装着30分後に試験を行った。
開眼して片足立ちし、目をつむってから軸足が動くまで、又は反対側の足が着地するまでの時間を計測した。5分間隔で3回の測定を行い、最長時間を3分間とし、長い方の2回の測定値を平均した。
被験者の疲労や試験に対する習熟度が偏らないように計画したダブルブラインド方式で行った。各測定者の記録時間を日本健康運動研究所のプロトコールに記載された男性用換算表(表1)及び女性用換算表(表2)を用いてスコア値に換算した。
結果を表8に示す。
また、実施例3の最高磁気密度100ミリテスラの減衰振動磁界を印加した強力な減衰振動磁界印加シリコーン樹脂製リストバンド13cを着用した実施例3の平均スコアは、4.0であり、比較例1、2の被検者より閉眼片足立ちテストの結果が向上したことが示された。
<重心動揺試験>
(試料)
実施例1で製造した最高磁気密度50ミリテスラの減衰振動磁界を印加したシリコーン樹脂製リストバンド12cを試料とし活性化処理をしていないシリコーン樹脂製リストバンド10aを比較例とした。
(試験装置)
重心動揺試験機(バランスシステムSD BDX−SD 酒井医療株式会社製)を用いて全方向、前後方向、及び左右方向の重心の安定指数を測定した。
測定方法は、両手首に合成高分子樹脂製バンドを着用した被験者を、重心動揺試験機のプラットフォーム上に両足を軽く広げた楽な姿勢で立たせて、重心動揺試験機で全方向、前後方向、及び左右方向の重心の移動範囲を測定して重心の安定指数を測定した。
19〜21歳の男性8名(A〜D、G〜J)及び女性4名(E、F、K、L)を、それぞれ男性4名及び女性2名からなる第1グループ(A〜F)及び第2グループ(G〜L)に分けて測定を行なった。
(測定条件)
各測定は、約10秒間の準備期間の後に20秒間の測定を10秒間隔で3回の計測を繰り返して1回の測定とし、平均値を求めた。各グループとも1日に2回の測定を行った。
第1グループの第1回目の測定は、リストバンドを着用せずに測定し、第2回目測定は、実施例1の強力な減衰振動磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド12cを両手首に着用して測定した。
また、第2グループの第1回目の測定は、リストバンドを着用せずに測定し、第2回目の測定は、比較例1の磁気処理していないシリコーン樹脂製リストバンド10aを両手首に着用して測定した。
なお、被験者には、着用するシリコーン樹脂製リストバンドのグループを分けて測定していること及びその種類は通知しなかった。
各被験者に対して、日にちを分けて同じ測定を2回行ない、その平均値を求めた。
重心動揺試験機による安定指数の測定結果を表9に示す。
表9のデータを、マイクロソフトEXCEL365及び多変量解析ソフト IBMSPSS Statisticsを用いてt検定を行い、第1グループと第2グループとの間に有意確率があるか否かを判定した。計算の結果を表10に示す。
2 磁化装置
3 合成高分子樹脂製バンド配置手段
4 強力な減衰振動磁界の印加装置
5 強力なパルス状の磁界の印加装置
10 (磁界を印加していない)合成高分子樹脂製バンド
10a シリコーン樹脂製リストバンド
12 磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド
12a 減衰振動磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド
12b パルス状の磁界が印加された合成高分子樹脂製バンド
12c 減衰振動磁界が印加されたシリコーン樹脂製リストバンド
13c 最高磁気密度が100ミリテスラ以上の減衰振動磁界が印加されたシリコ
ーン樹脂製リストバンド
14c 最高磁気密度が25ミリテスラ以上の減衰振動磁界が印加されたシリコー
ン樹脂製リストバンド
20 磁気コイル
30 コンデンサ
40 充電回路
41 充電回路スイッチ
42 商用電源
44 昇圧トランス
46 交流位相制御回路
48 整流回路
49 電圧検出回路
50 放電回路
51 放電回路スイッチ
52 キックバック防止回路
Claims (20)
- 空芯の磁気コイルの内部に合成高分子樹脂製バンドを配置する段階と、
前記磁気コイルに接続されたコンデンサを所定電圧まで充電する段階と、
前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電して前記磁気コイルに最高磁気密度が50ミリテスラ以上の減衰振動磁界を形成させて前記バンドに印加する、強力な減衰振動磁界の印加段階と、
によって強力な減衰振動磁界が印加された、着用者の運動能力を向上させる機能を有する合成高分子樹脂製バンドを製造することを特徴とする合成高分子樹脂製バンド製造方法。 - 空芯の磁気コイルの内部に合成高分子樹脂製バンドを配置する段階と、
前記磁気コイルに接続されたコンデンサを所定電圧まで充電する段階と、
前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電して前記磁気コイルに最高磁気密度が50ミリテスラ以上のパルス状の磁界を形成させて前記バンドに印加する、強力なパルス状の磁界の印加段階と、
によって強力なパルス状の磁界が印加された、着用者の運動能力を向上させる機能を有する合成高分子樹脂製バンドを製造することを特徴とする合成高分子樹脂製バンド製造方法。 - 前記合成高分子樹脂製バンドは、身体の一部に巻回されて装着される合成高分子樹脂製バンドであることを特徴とする請求項1又は2に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、リストバンド又はブレスレットであることを特徴とする請求項3に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、アンクレットであることを特徴とする請求項3に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、首に巻回される形状のバンドであることを特徴とする請求項3に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、手指に巻回されるリング形状であることを特徴とする請求項3に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアクリロニトリル、及びポリブタジエン、並びにその2以上の共重合体の中から選ばれる1以上であることを特徴とする請求項3乃至7の何れか1項に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、ポリウレタン樹脂であることを特徴とする請求項8に記載の合成高分子樹脂製バンド製造方法。
- 空芯の磁気コイルと、前記磁気コイルの内部に合成高分子樹脂製バンドを配置する合成高分子樹脂製バンド配置手段と、前記磁気コイルに電気エネルギーを供給するコンデンサと、前記コンデンサを充電する充電回路と、前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電する放電回路と、を備え、
前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電するとき、前記磁気コイルに最高磁気密度が50ミリテスラ以上の減衰振動磁界を形成させて前記バンドに強力な減衰振動磁界を印加して、着用者の運動能力を向上させる機能を有することを特徴とする合成高分子樹脂製バンド製造装置。 - 空芯の磁気コイルと、前記磁気コイルの内部に合成高分子樹脂製バンドを配置する合成高分子樹脂製バンド配置手段と、前記磁気コイルに電気エネルギーを供給するコンデンサと、前記コンデンサを充電する充電回路と、前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電する放電回路と、を備え、
前記コンデンサに充電された電気エネルギーを前記磁気コイルに放電するとき、前記磁気コイルに最高磁気密度が50ミリテスラ以上のパルス状の磁界を形成させて前記バンドに強力なパルス状の磁界を印加して、着用者の運動能力を向上させる機能を有することを特徴とする合成高分子樹脂製バンド製造装置。 - 前記合成高分子樹脂製バンドは、身体の一部に巻回されて装着される合成高分子樹脂製バンドであることを特徴とする請求項11又は12に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、リストバンド又はブレスレットであることを特徴とする請求項13に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、アンクレットであることを特徴とする請求項13に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、首に巻回される形状のバンドであることを特徴とする請求項13に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドは、手指に巻回されるリング形状であることを特徴とする請求項13に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、フッ素樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリテトラフルオロエチレン、ポリアクリロニトリル、及びポリブタジエン、並びにその2以上の共重合体の中から選ばれる1以上であることを特徴とする請求項13乃至17の何れか1項に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、シリコーン樹脂であることを特徴とする請求項18に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
- 前記合成高分子樹脂製バンドに用いる合成高分子樹脂が、ポリウレタン樹脂であることを特徴とする請求項18に記載の合成高分子樹脂製バンド製造装置。
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