JP6887606B2 - 被覆部材、表面被覆金型、及び成膜方法 - Google Patents
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- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims description 44
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 32
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 24
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 claims description 14
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 19
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 19
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000001883 metal evaporation Methods 0.000 description 6
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 5
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 238000002524 electron diffraction data Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- -1 6a group Chemical compound 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B21—MECHANICAL METAL-WORKING WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
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- B21D—WORKING OR PROCESSING OF SHEET METAL OR METAL TUBES, RODS OR PROFILES WITHOUT ESSENTIALLY REMOVING MATERIAL; PUNCHING METAL
- B21D37/00—Tools as parts of machines covered by this subclass
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
- C23C14/325—Electric arc evaporation
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
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Description
本発明は、被覆部材、表面被覆金型、及び成膜方法に関する。
例えば、特許文献１には、イオンプレーティングにより無機基材の表面にＶＮ膜を成膜する成膜方法が開示されている。
より膜硬度の高い被膜を提供することを目的とする。
本発明に係る被膜部材は、基材の表面に被膜を形成した被覆部材であって、前記被膜は、結晶構造が六方晶系であるバナジウム系被膜である。
また、本発明に係る被膜部材は、基材の表面に被膜を形成した被覆部材であって、前記被膜は、銅Ｋａ線のＸ線回折によって測定されたときに、回折角２θが２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系被膜である。
好適には、前記被膜は、（ＶａＭ１−ａ）α（ＮｂＸ１−ｂ）β（但し、Ｍは４ａ族、バナジウム以外の５ａ族、６ａ族、アルミニウム、ケイ素もしくはこれらの複合物であり、Ｘは炭素、酸素、ホウ素もしくはこれらの複合物であり、ａ及びｂは０．８以上１以下であり、ｂ／ａの値がＮａＣｌ型結晶構造のバナジウム系被膜よりも大きいこと、を満足する）で表される金属化合物層である。
好適には、前記被膜に加えて、ＮａＣｌ型結晶構造を持つバナジウム系被膜をさらに有し、これらの被膜が混在している。
また、本発明に係る被覆部材は、基材の表面に被膜を形成した被覆部材であって、前記被膜は、アークイオンプレーティング装置によって、成膜温度が１００℃以上４５０℃以下であり、基材に掛けるバイアス電圧が８０Ｖ以上３００Ｖ以下であり、窒素のガス圧が２．０Ｐａ以上８．０Ｐａ以下であり、バナジウム金属を主な蒸発源とし、蒸発源から基材の対向面までの距離を１８０ｍｍ以上２３０ｍｍ以下として、蒸発源と基材との相対位置を固定して成膜した場合に、蒸発源に向かい合う基材の面に対して直交する面に形成されるバナジウム系被膜である。
また、本発明に係る表面被覆金型は、金型本体と、前記金型本体の表面の少なくとも一部を被覆する被膜とを有し、前記被膜は、結晶構造が六方晶系であるバナジウム系被膜である。
また、本発明に係る表面被覆金型は、金型本体と、前記金型本体の表面の少なくとも一部を被覆する被膜とを有し、前記被膜は、銅Ｋａ線のＸ線回折によって測定されたときに、回折角２θが２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系被膜である。
なお、本願における「ピーク」とは、局所的に最大強度となる点を意味する。
なお、本願における「ピーク」とは、局所的に最大強度となる点を意味する。
より膜硬度の高い被膜を提供することができる。
まず、本発明がなされた背景を説明する。
金型や切削工具、治工具に耐摩耗性を付与するために、種々のコーティング膜が開発されている。特に高硬度膜は耐摩耗性が高く、ＴｉＣＮ膜やＴｉＣ膜、ＶＣ膜、ＴｉＡｌＮ膜、さらには、Ｓｉを添加した膜など、膜のビッカース硬度（以下「ＨＶ」）３５００前後の高硬度膜が利用されている。一般に、ＶＮ膜は、ＮａＣｌ型結晶構造を有し、その硬度はＨＶ２０００からＨＶ３０００であり、上記の高硬度膜に比べて低く、単独で耐摩耗性のコーティング膜としてはあまり利用されていない。
なお、ＨＶ硬度は、ＪＩＳ Ｚ ２２４４に準じて測定された硬さを意味する。
金型や切削工具、治工具に耐摩耗性を付与するために、種々のコーティング膜が開発されている。特に高硬度膜は耐摩耗性が高く、ＴｉＣＮ膜やＴｉＣ膜、ＶＣ膜、ＴｉＡｌＮ膜、さらには、Ｓｉを添加した膜など、膜のビッカース硬度（以下「ＨＶ」）３５００前後の高硬度膜が利用されている。一般に、ＶＮ膜は、ＮａＣｌ型結晶構造を有し、その硬度はＨＶ２０００からＨＶ３０００であり、上記の高硬度膜に比べて低く、単独で耐摩耗性のコーティング膜としてはあまり利用されていない。
なお、ＨＶ硬度は、ＪＩＳ Ｚ ２２４４に準じて測定された硬さを意味する。
上記のような事情に鑑みて、金型や切削工具、治工具などに高い耐摩耗性を付与する高硬度な新規ＶＮ膜を提供する。
新規ＶＮ膜は、膜硬度がＨＶ３０００からＨＶ５０００であり、イオンプレーティング法によって、金型や切削工具の表面に形成される。
新規ＶＮ膜は、ＮａＣｌ型結晶構造のＶＮ膜とは異なり、銅Ｋａ線でのＸ線回折の回折角２θで、２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系被膜である。つまり、本願の新規ＶＮ膜は、従来のＶＮ膜（回折角２θが３８度付近と４４度付近と６４度付近にピーク）とは異なる結晶構造を有し、従来のＶＮ膜の膜硬度（ＨＶ２０００からＨＶ３０００）よりも高い硬度を有する。
なお、新規ＶＮ膜は、バナジウムＶに加えて、他の金属元素（Ｍ）を添加して、上記硬度を有する膜を得ることもできる。Ｖの含有率は、全金属元素に対して８０％以上である。このような被膜は新規ＶＭＮ膜と呼ぶことがある。本願において、バナジウム系被膜とは、バナジウムを主な金属とする被膜であり、ＶＮ膜及びＶＭＮ膜を含む概念である。
新規ＶＮ膜は、膜硬度がＨＶ３０００からＨＶ５０００であり、イオンプレーティング法によって、金型や切削工具の表面に形成される。
新規ＶＮ膜は、ＮａＣｌ型結晶構造のＶＮ膜とは異なり、銅Ｋａ線でのＸ線回折の回折角２θで、２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系被膜である。つまり、本願の新規ＶＮ膜は、従来のＶＮ膜（回折角２θが３８度付近と４４度付近と６４度付近にピーク）とは異なる結晶構造を有し、従来のＶＮ膜の膜硬度（ＨＶ２０００からＨＶ３０００）よりも高い硬度を有する。
なお、新規ＶＮ膜は、バナジウムＶに加えて、他の金属元素（Ｍ）を添加して、上記硬度を有する膜を得ることもできる。Ｖの含有率は、全金属元素に対して８０％以上である。このような被膜は新規ＶＭＮ膜と呼ぶことがある。本願において、バナジウム系被膜とは、バナジウムを主な金属とする被膜であり、ＶＮ膜及びＶＭＮ膜を含む概念である。
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。新規ＶＮ膜２０（後述）は、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）で形成される。より具体的には、イオンプレーティング法である。
図１は、ＡＩＰ装置５による被膜形成を模式的に説明する図である。
図１に例示するように、ＡＩＰ装置５は、基材１０を設置するステージ５００と、バナジウムのアーク蒸発源５０２と、バナジウム以外の金属のアーク蒸発源５０４と、アーク蒸発源に電圧を印加するアーク電源５０６と、ステージ５００に電圧を印加するバイアス電源５０８と、ガス（窒素ガスなど）の分圧を計測調整するための流量計５１０と、真空ポンプ５１２と、真空チャンバー５１４とを含む。
ＡＩＰ装置５は、上記構成によって、真空中のアーク放電を利用して、イオンプレーティング法により被膜を形成する。
特に、本実施形態では、アーク蒸発源５０２と、ステージ５００（すなわち、基材１０）との相対的な位置及び方向を固定して、被膜を形成する。
なお、本例では、バナジウムのアーク蒸発源５０２と、バナジウム以外の金属のアーク蒸発源５０４とを併用して、バナジウムを主とした合金で新規ＶＮ膜を形成する場合を具体例として説明する。
図１は、ＡＩＰ装置５による被膜形成を模式的に説明する図である。
図１に例示するように、ＡＩＰ装置５は、基材１０を設置するステージ５００と、バナジウムのアーク蒸発源５０２と、バナジウム以外の金属のアーク蒸発源５０４と、アーク蒸発源に電圧を印加するアーク電源５０６と、ステージ５００に電圧を印加するバイアス電源５０８と、ガス（窒素ガスなど）の分圧を計測調整するための流量計５１０と、真空ポンプ５１２と、真空チャンバー５１４とを含む。
ＡＩＰ装置５は、上記構成によって、真空中のアーク放電を利用して、イオンプレーティング法により被膜を形成する。
特に、本実施形態では、アーク蒸発源５０２と、ステージ５００（すなわち、基材１０）との相対的な位置及び方向を固定して、被膜を形成する。
なお、本例では、バナジウムのアーク蒸発源５０２と、バナジウム以外の金属のアーク蒸発源５０４とを併用して、バナジウムを主とした合金で新規ＶＮ膜を形成する場合を具体例として説明する。
図２は、新規ＶＮ膜２０が形成される基材１０上の面を説明する図である。
図２に例示するように、アーク蒸発源５０２と向かい合う基材１０には、従来のＶＮ膜２２が形成され、この対向面と直交する直交面に新規ＶＮ膜２０が形成される。
したがって、金型や切削工具（基材１０）をステージ５００に設置する際には、金型や切削工具（基材１０）のうち、特に耐摩耗性が必要な表面を、アーク蒸発源５０２と向かい合う対向面に直交させて配置する。
図２に例示するように、アーク蒸発源５０２と向かい合う基材１０には、従来のＶＮ膜２２が形成され、この対向面と直交する直交面に新規ＶＮ膜２０が形成される。
したがって、金型や切削工具（基材１０）をステージ５００に設置する際には、金型や切削工具（基材１０）のうち、特に耐摩耗性が必要な表面を、アーク蒸発源５０２と向かい合う対向面に直交させて配置する。
なお、本例の成膜方法は、成膜雰囲気に非常に敏感であり、ＮａＣｌ型結晶構造をもつ従来のＶＮ膜２２と、新規ＶＮ膜２０とが混在する。つまり、基材１０の対向面には、主に従来のＶＮ膜２２が形成され、基材１０の直交面には、主に新規ＶＮ膜２０が形成されるが、条件によって従来のＶＮ膜２２と新規ＶＮ膜２０の比率が変化する。また、混在する新規ＶＮ膜２０は、従来のＶＮ膜２２よりも白い傾向にある。したがって、新規ＶＮ膜２０は、本願の条件によって基材１０に形成されたバナジウム系被膜のうち、相対的に白い領域の被膜と定義することもできる。
さらに、被膜内部の構造も単一の膜ではなく、ＮａＣｌ型結晶構造をもつ従来のＶＮ膜２２と、新規ＶＮ膜２０との多層膜となることが多い。基材１０の直上は、従来のＶＮ膜２２であり、その上に新規ＶＮ膜２０が積層されていることが多い。
さらに、被膜内部の構造も単一の膜ではなく、ＮａＣｌ型結晶構造をもつ従来のＶＮ膜２２と、新規ＶＮ膜２０との多層膜となることが多い。基材１０の直上は、従来のＶＮ膜２２であり、その上に新規ＶＮ膜２０が積層されていることが多い。
ＡＩＰ装置５で成膜する場合、成膜温度は７００℃以下が好ましく、基材１０にかけるバイアス電圧（バイアス電源５０８の電圧）は、２０Ｖから４００Ｖであることが好ましい。また、成膜時の真空チャンバー５１４内の窒素のガス圧は１Ｐａから２０Ｐａであることが好ましい。
より好ましくは、成膜温度が１００℃以上４５０℃以下であり、基材１０に掛けるバイアス電圧が８０Ｖ以上３００Ｖ以下であり、窒素のガス圧が２．０Ｐａ以上８．０Ｐａ以下であり、バナジウム金属のみをアーク蒸発源とし、アーク蒸発源５０２から基材１０の対向面までの距離を１８０ｍｍ以上２３０ｍｍ以下として、アーク蒸発源５０２と基材１０との相対位置を固定して、ＡＩＰ装置５により、基材１０の直交面に成膜する。
より好ましくは、成膜温度が１００℃以上４５０℃以下であり、基材１０に掛けるバイアス電圧が８０Ｖ以上３００Ｖ以下であり、窒素のガス圧が２．０Ｐａ以上８．０Ｐａ以下であり、バナジウム金属のみをアーク蒸発源とし、アーク蒸発源５０２から基材１０の対向面までの距離を１８０ｍｍ以上２３０ｍｍ以下として、アーク蒸発源５０２と基材１０との相対位置を固定して、ＡＩＰ装置５により、基材１０の直交面に成膜する。
（実施例１）
ＡＩＰ装置５のステージ５００に基材１０を設置し、４００℃に真空加熱後、バナジウム金属のアーク蒸発源５０２に、アーク電源５０６から８０Ａの電流を流してバナジウムを蒸発イオン化させ、基材１０の電圧を−８００Ｖでイオンボンバードを２分間行った。その後、窒素ガスを真空チャンバー５１４内に導入し、３Ｐａに調圧した後、成膜温度を２５０℃まで低下させ、バイアス電圧を−８０Ｖに下げて５０分間成膜した。
基材１０の対向面の膜硬度はＨＶ２７００であり、基材１０の直交面の膜硬度はＨＶ４０００であった。この対向面のＸ線回折のデータ（回折角2θ）は図３であり、この直交面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）は図４である。図４には、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４度に強いピークが見られる。
ＡＩＰ装置５のステージ５００に基材１０を設置し、４００℃に真空加熱後、バナジウム金属のアーク蒸発源５０２に、アーク電源５０６から８０Ａの電流を流してバナジウムを蒸発イオン化させ、基材１０の電圧を−８００Ｖでイオンボンバードを２分間行った。その後、窒素ガスを真空チャンバー５１４内に導入し、３Ｐａに調圧した後、成膜温度を２５０℃まで低下させ、バイアス電圧を−８０Ｖに下げて５０分間成膜した。
基材１０の対向面の膜硬度はＨＶ２７００であり、基材１０の直交面の膜硬度はＨＶ４０００であった。この対向面のＸ線回折のデータ（回折角2θ）は図３であり、この直交面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）は図４である。図４には、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４度に強いピークが見られる。
（実施例２）
実施例１と同様に基材１０をセットし、イオンボンバードを行った。その後、窒素ガス５Ｐａ、成膜温度３００℃、バイアス電圧−８０Ｖ、成膜時間４０分の条件でＶＮ膜を成膜した。成膜された基材１０の膜硬度は、対向面でＨＶ３８００、直交面でＨＶ４１５０であった。この対向面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）が図５であり、この直交面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）が図６である。図５及び図６からわかるように、対向面及び直交面ともに、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４度に強いピークが見られた。
実施例１と同様に基材１０をセットし、イオンボンバードを行った。その後、窒素ガス５Ｐａ、成膜温度３００℃、バイアス電圧−８０Ｖ、成膜時間４０分の条件でＶＮ膜を成膜した。成膜された基材１０の膜硬度は、対向面でＨＶ３８００、直交面でＨＶ４１５０であった。この対向面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）が図５であり、この直交面のＸ線回折のデータ（回折角２θ）が図６である。図５及び図６からわかるように、対向面及び直交面ともに、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４度に強いピークが見られた。
（実施例３）
実施例１と同様に基材１０をセットし、イオンボンバードを行った。その後、窒素ガス７Ｐａ、成膜温度２００℃、バイアス電圧−３００Ｖ、成膜時間４０分の条件でＶＮ膜を成膜した。成膜された基材１０の膜硬度は、対向面でＨＶ２０００、直交面でＨＶ４５００であった。直交面が新規ＶＮ膜２０である。
実施例１と同様に基材１０をセットし、イオンボンバードを行った。その後、窒素ガス７Ｐａ、成膜温度２００℃、バイアス電圧−３００Ｖ、成膜時間４０分の条件でＶＮ膜を成膜した。成膜された基材１０の膜硬度は、対向面でＨＶ２０００、直交面でＨＶ４５００であった。直交面が新規ＶＮ膜２０である。
（実施例４）
ＡＩＰ装置５のアーク蒸発源５０２にバナジウム金属蒸発源を設置すると共に、隣のアーク蒸発源５０４にクロム金属蒸発源を設置して、図１のように、複数の基材１０をセットし、実施例１と同様にイオンボンバードを行った。その後、窒素ガス７Ｐａ、成膜温度２５０℃、バイアス電圧−１４０Ｖ、成膜時間４０分の条件で、バナジウム金属蒸発源とクロム金属蒸発源と共にアーク電流８０Ａで金属を蒸発イオン化させ、ＶＣｒＮ膜を成膜した。バナジウム金属蒸発源から遠ざかり、クロム金属蒸発源に近いほど、ＶＣｒＮ膜中のクロム含有量が高くなった（つまり、図１の最上部の基材１０の被膜がクロム含有量最大となった）。バナジウムに対するクロムの割合が１０％と２０％の被膜では、膜硬度がＨＶ３０００、３０％の被膜では、膜硬度がＨＶ２３００であった。Ｘ線回折のデータ（回折角２θ）を見ると、クロムの割合が１０％と２０％の被膜は、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４℃に強いピークが見られ、新規ＶＭＮ膜であると考えられる。
ＡＩＰ装置５のアーク蒸発源５０２にバナジウム金属蒸発源を設置すると共に、隣のアーク蒸発源５０４にクロム金属蒸発源を設置して、図１のように、複数の基材１０をセットし、実施例１と同様にイオンボンバードを行った。その後、窒素ガス７Ｐａ、成膜温度２５０℃、バイアス電圧−１４０Ｖ、成膜時間４０分の条件で、バナジウム金属蒸発源とクロム金属蒸発源と共にアーク電流８０Ａで金属を蒸発イオン化させ、ＶＣｒＮ膜を成膜した。バナジウム金属蒸発源から遠ざかり、クロム金属蒸発源に近いほど、ＶＣｒＮ膜中のクロム含有量が高くなった（つまり、図１の最上部の基材１０の被膜がクロム含有量最大となった）。バナジウムに対するクロムの割合が１０％と２０％の被膜では、膜硬度がＨＶ３０００、３０％の被膜では、膜硬度がＨＶ２３００であった。Ｘ線回折のデータ（回折角２θ）を見ると、クロムの割合が１０％と２０％の被膜は、新規ＶＮ膜２０に特有の３３．４℃に強いピークが見られ、新規ＶＭＮ膜であると考えられる。
（実施例の膜硬度ＨＶ）
図７は、各被膜の膜硬度の分布を表わす図である。図７の「硬いＶＮ」は、本願の実施例における新規ＶＮ膜２０であり、「普通のＶＮ」は、従来のＶＮ膜２２である。本図からも明らかなように、新規ＶＮ膜２０は、飛躍的に膜硬度が向上したバナジウム系被膜であるといえる。
図７は、各被膜の膜硬度の分布を表わす図である。図７の「硬いＶＮ」は、本願の実施例における新規ＶＮ膜２０であり、「普通のＶＮ」は、従来のＶＮ膜２２である。本図からも明らかなように、新規ＶＮ膜２０は、飛躍的に膜硬度が向上したバナジウム系被膜であるといえる。
（結晶構造の比較）
次に、新規ＶＮ膜２０と従来のＶＮ膜２２の結晶構造を比較する。
図８は、従来のＶＮ膜２２のＴＥＭ像であり、図９は、従来のＶＮ膜２２の電子回折図形である。
図１０は、新規ＶＮ膜２０のＴＥＭ像であり、図１１は、新規ＶＮ膜２０の電子回折図形である。
図８に示すように、従来のＶＮ膜２２には、約２０〜１００ｎｍの幅をもつ結晶粒が存在していた。図９に示すように、従来のＶＮ膜２２の電子回折図形で、デバイ・リングが得られたことから、従来のＶＮ膜２２は、多結晶に近い状態である。その結晶構造は、面心立方構造（ＦＣＣ）である。
一方、新規ＶＮ膜２０には、図１０に示すように、約１００〜３００ｎｍの幅をもつ結晶粒が存在していた。つまり、新規ＶＮ膜２０は、従来のＶＮ膜２２よりも大きな結晶粒が分散した状態となっている。
さらに、新規ＶＮ膜２０の電子回折図形では、図１１に示すように、デバイ・リングが見られず、方位が定まった結晶状態であることがわかる。新規ＶＮ膜２０の結晶構造は、六方晶系であることがわかった。新規ＶＮ膜２０の結晶構造の対称性は、６回回反軸であると考えられる。
このように、新規ＶＮ膜２０を構成する結晶は、従来のＶＮ膜２２を構成する結晶と比較して、結晶粒径の点及び結晶構造の点で明らかに異なるものである。
次に、新規ＶＮ膜２０と従来のＶＮ膜２２の結晶構造を比較する。
図８は、従来のＶＮ膜２２のＴＥＭ像であり、図９は、従来のＶＮ膜２２の電子回折図形である。
図１０は、新規ＶＮ膜２０のＴＥＭ像であり、図１１は、新規ＶＮ膜２０の電子回折図形である。
図８に示すように、従来のＶＮ膜２２には、約２０〜１００ｎｍの幅をもつ結晶粒が存在していた。図９に示すように、従来のＶＮ膜２２の電子回折図形で、デバイ・リングが得られたことから、従来のＶＮ膜２２は、多結晶に近い状態である。その結晶構造は、面心立方構造（ＦＣＣ）である。
一方、新規ＶＮ膜２０には、図１０に示すように、約１００〜３００ｎｍの幅をもつ結晶粒が存在していた。つまり、新規ＶＮ膜２０は、従来のＶＮ膜２２よりも大きな結晶粒が分散した状態となっている。
さらに、新規ＶＮ膜２０の電子回折図形では、図１１に示すように、デバイ・リングが見られず、方位が定まった結晶状態であることがわかる。新規ＶＮ膜２０の結晶構造は、六方晶系であることがわかった。新規ＶＮ膜２０の結晶構造の対称性は、６回回反軸であると考えられる。
このように、新規ＶＮ膜２０を構成する結晶は、従来のＶＮ膜２２を構成する結晶と比較して、結晶粒径の点及び結晶構造の点で明らかに異なるものである。
（好ましい用途）
次に、新規ＶＮ膜２０の好ましい用途を例示する。
新規ＶＮ膜２０は、高い硬度を有するため、例えば、高張力鋼板を塑性加工するための金型表面に適用できる。塑性加工は、例えば、曲げ加工、絞り加工、バーリング加工などである。
次に、新規ＶＮ膜２０の好ましい用途を例示する。
新規ＶＮ膜２０は、高い硬度を有するため、例えば、高張力鋼板を塑性加工するための金型表面に適用できる。塑性加工は、例えば、曲げ加工、絞り加工、バーリング加工などである。
以上説明したように、本実施形態の新規ＶＮ膜２０は、従来のＶＮ膜に比較して高い膜硬度を有する。したがって、この新規ＶＮ膜２０で被膜された金型又は切削工具は、高い耐摩耗性を有する。
５…ＡＩＰ装置
１０…基材
２０…新規ＶＮ膜
５００…ステージ
５０２，５０４…アーク蒸発源
１０…基材
２０…新規ＶＮ膜
５００…ステージ
５０２，５０４…アーク蒸発源
Claims (4)
- 基材の表面に被膜を形成した被覆部材であって、
前記被膜は、銅Ｋａ線のＸ線回折によって測定されたときに、回折角２θが２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系窒化膜である
被覆部材。 - 前記被膜は、（VａＭ１−ａ）α（ＮｂＸ１−ｂ）β（但し、ＭはIVａ族、バナジウム以外のVａ族、VIａ族、アルミニウム、ケイ素もしくはこれらの複合物であり、Ｘは炭素、酸素、ホウ素もしくはこれらの複合物であり、ａ及びｂは０．８以上１以下であり、β／αの値がＮａＣｌ型結晶構造のバナジウム系被膜よりも大きいこと、を満足する）で表される金属化合物層である
請求項１に記載の被膜部材。 - 前記被膜に加えて、ＮａＣｌ型結晶構造を持つバナジウム系窒化膜
をさらに有し、
これらの被膜が混在している
請求項２に記載の被膜部材。 - 金型本体と、
前記金型本体の表面の少なくとも一部を被覆する被膜と
を有し、
前記被膜は、銅Ｋａ線のＸ線回折によって測定されたときに、回折角２θが２９．９度以上３０．３度以下の範囲、３３．２度以上３３．６度以下の範囲、及び、６９．８度以上７０．６度以下の範囲にそれぞれピークを示し、３３．２度以上３３．６度以下の範囲で最大強度を示すバナジウム系窒化膜である
表面被覆金型。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015217586 | 2015-11-05 | ||
| JP2015217586 | 2015-11-05 | ||
| PCT/JP2016/082803 WO2017078138A1 (ja) | 2015-11-05 | 2016-11-04 | 被覆部材、表面被覆金型、及び成膜方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2017078138A1 JPWO2017078138A1 (ja) | 2018-11-29 |
| JP6887606B2 true JP6887606B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=58662046
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017549124A Active JP6887606B2 (ja) | 2015-11-05 | 2016-11-04 | 被覆部材、表面被覆金型、及び成膜方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20180195162A1 (ja) |
| EP (1) | EP3372706A4 (ja) |
| JP (1) | JP6887606B2 (ja) |
| WO (1) | WO2017078138A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2022512808A (ja) * | 2018-10-26 | 2022-02-07 | エリコン・サーフェス・ソリューションズ・アクチェンゲゼルシャフト，プフェフィコーン | Ｔｉおよび／またはＳｉでマイクロ合金されたバナジウム窒化アルミニウム（ＶＡＩＮ） |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3909658B2 (ja) * | 2001-06-15 | 2007-04-25 | ユケン工業株式会社 | バナジウム系被膜の成膜方法及びバナジウム系被膜処理無機製品 |
| JP2005046975A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Nachi Fujikoshi Corp | バナジウム系被覆工具 |
| JP4513058B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2010-07-28 | 日立金属株式会社 | 鋳造用部材 |
| WO2013047548A1 (ja) * | 2011-09-28 | 2013-04-04 | 日立ツール株式会社 | 摺動特性に優れた被覆部材 |
-
2016
- 2016-11-04 JP JP2017549124A patent/JP6887606B2/ja active Active
- 2016-11-04 EP EP16862197.7A patent/EP3372706A4/en not_active Withdrawn
- 2016-11-04 WO PCT/JP2016/082803 patent/WO2017078138A1/ja unknown
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2017078138A1 (ja) | 2017-05-11 |
| EP3372706A1 (en) | 2018-09-12 |
| JPWO2017078138A1 (ja) | 2018-11-29 |
| EP3372706A4 (en) | 2019-07-03 |
| US20180195162A1 (en) | 2018-07-12 |
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