JP6878240B2 - Edge rinse width measuring device, edge rinse width measuring method, and resist coating device - Google Patents
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Description
本発明は、エッジリンス幅測定装置、エッジリンス幅測定方法、およびレジスト塗布装置に関する。 The present invention relates to an edge rinse width measuring device, an edge rinse width measuring method, and a resist coating device.
従来は、作業者が、予めレジスト塗布装置を用いてポジレジスト塗布し、その後エッジリンス処理した基準ウエハを金属顕微鏡の付いた検査ステーションを用いて、エッジリンス幅をマニュアルで測定している。作業者が金属顕微鏡を用いて目視で測定しているため、作業者による測定バラツキがある。また、作業者は、装置台数分同じ作業を行う必要があるため、測定効率も悪い。 Conventionally, an operator manually applies a positive resist using a resist coating device and then manually measures the edge rinse width of a reference wafer that has been edge-rinsed using an inspection station equipped with a metallurgical microscope. Since the operator visually measures using a metallurgical microscope, there are variations in measurement by the operator. In addition, since the worker needs to perform the same work for the number of devices, the measurement efficiency is also poor.
このような問題に対して、たとえば、特許文献１には、エッジリンス処理において、レジストが表面に塗布されたウエハのエッジ部を検出し、その検出結果に応じて、リンス液の滴下位置を移動させ、ウエハのエッジ部から一定の幅でレジストを除去することが記載されている。 In response to such a problem, for example, in Patent Document 1, in the edge rinsing process, the edge portion of the wafer coated with the resist is detected, and the rinsing liquid dropping position is moved according to the detection result. It is described that the resist is removed from the edge portion of the wafer with a certain width.
しかしながら、特許文献１では、エッジリンス処理された後のレジストエッジを検出できない。したがって、エッジリンス処理された後のエッジリンス幅を自動で測定することができない。 However, in Patent Document 1, the resist edge after the edge rinse treatment cannot be detected. Therefore, the edge rinse width after the edge rinse treatment cannot be automatically measured.
この発明は、上記のような問題点を解消するためになされたもので、エッジリンス幅を自動で測定することができるエッジリンス幅測定装置、エッジリンス幅測定方法およびレジスト塗布装置を提供することである。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides an edge rinse width measuring device, an edge rinse width measuring method, and a resist coating device capable of automatically measuring an edge rinse width. Is.
本発明は、半導体ウエハを撮影する画像センサと、画像センサで得られた画像に基づいて、ウエハエッジとレジストエッジとを検出し、ウエハエッジとレジストエッジとの間の距離をエッジリンス幅として測定する画像処理部とを備える。 The present invention detects an image sensor for photographing a semiconductor wafer and an image obtained by the image sensor to detect a wafer edge and a resist edge, and measures the distance between the wafer edge and the resist edge as an edge rinse width. It is equipped with a processing unit.
本発明によれば、画像センサで得られた半導体ウエハの撮影画像を用いて、ウエハエッジとレジストエッジを検出できるので、エッジリンス幅を自動で測定することができる。 According to the present invention, the wafer edge and the resist edge can be detected by using the captured image of the semiconductor wafer obtained by the image sensor, so that the edge rinse width can be automatically measured.
図１および図２は、エッジリンス幅測定装置の構成を表わす図である。
エッジリンス幅測定装置は、画像センサ１と、画像センサ固定ガイド２と、ウエハガイド３と、コントローラ４と、計測用パーソナルコンピュータ５とを備える。
1 and 2 are diagrams showing the configuration of an edge rinse width measuring device.
The edge rinse width measuring device includes an image sensor 1, an image
ウエハガイド３に、半導体ウエハ６が設置される。
半導体ウエハ６は、レジスト塗布後エッジリンス処理されたウエハである。
The
The
エッジリンスとは、半導体ウエハ６の外周部（エッジ）におけるフォトレジストを除去する処理である。エッジリンスが必要な理由は、塗布条件によっては半導体ウエハ６の外周端部にフォトレジストが厚く残ることがあり、それが原因で外周端部の露光時にフォーカスが合わない（デフォーカス）などの問題が発生し、後工程のエッチング処理においてレジストが除去しきれず、不良に繋がる恐れがあるからである。なお、エッジリンスは、通常の写真製版（露光および現像）の際にも行なわれる。
The edge rinse is a process for removing the photoresist on the outer peripheral portion (edge) of the
図３は、エッジリンスされた半導体ウエハ６の例を表わす図である。
図３に示すように、エッジリンスされた部分には、レジストが除去されている。半導体ウエハ６上レジストの端をレジストエッジと呼び、半導体ウエハ６の端をウエハエッジと呼ぶ。レジストエッジとウエハエッジとの間の距離をエッジリンス幅と呼ぶ。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an edge-rinsed
As shown in FIG. 3, the resist is removed from the edge-rinsed portion. The end of the resist on the
ウエハガイド３は、ステージ１９上に固定され、半導体ウエハ６を回転可能な状態で支持する。
The
ウエハガイド３は、直径φ４、５、６、８の複数インチサイズ対応のウエハ落とし込み形状を有する。半導体ウエハ６をセットする際の切り欠きがある。また、ウエハガイド３は、中心に固定ネジがあり、４方向（旋回角度９０度毎）にガイド摘みがあるため、半導体ウエハ６を旋回させて４方向（０、９０、１８０、２７０度）を測定することができる。
The
画像センサ固定ガイド２は、支柱１５と、固定板１６と、固定ネジ８とを備える。
固定板１６には、画像センサ１を固定できる。
The image
The image sensor 1 can be fixed to the
支柱１５は、ステージ１９に固定される。
支柱１５は、Ｚ方向に一定の高さ毎に切り欠き部１８を有する。固定板１６は、支柱１５の切り欠き部１８に取り付け可能である。固定ネジ８は、固定板１６を支柱１５に対して固定する。
The
The
固定板１６を取り付ける支柱１５の切り欠き部１８の位置を変えることによって、半導体ウエハ６に対する画像センサ１のＺ方向の位置を調整して撮像範囲を調整できる。
By changing the position of the
支柱１５を軸に固定板１６をＸＹ平面で回転することによって、画像センサ１のＸ方向、およびＹ方向の位置を調整することができる。
By rotating the
画像センサ１は、例えばＣＣＤ（Charge Coupled Device）またはＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサを内蔵し、レンズなどの光学系要素を備えるカメラであって、画像データを生成する。画像センサ１は、高画素（50メガピクセル以上）で分解能も高く、画像取り込みのトリガー信号を受信できる。画像センサ１の画像取り込み速度がデジタル可変式である。 The image sensor 1 is, for example, a camera having a built-in CCD (Charge Coupled Device) or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) sensor and having an optical system element such as a lens, and generates image data. The image sensor 1 has high pixels (50 megapixels or more) and high resolution, and can receive an image capture trigger signal. The image capture speed of the image sensor 1 is digitally variable.
画像センサ１は、コントローラ４を介して、計測用パーソナルコンピュータ５と接続される。画像センサ１とコントローラ４の間、およびコントローラ４と計測用パーソナルコンピュータ５の間は、通信ケーブル６９で接続される。コントローラ４は、画像センサ１からの信号を計測用パーソナルコンピュータ５で処理できる信号に変換する。コントローラ４は、計測用パーソナルコンピュータ５からの制御信号を画像センサ１が処理できる信号に変換する。
The image sensor 1 is connected to the measurement
図４は、計測用パーソナルコンピュータ５の機能ブロック図である。
計測用パーソナルコンピュータ５は、画像処理部２０と、異常通知部２９とを備える。
FIG. 4 is a functional block diagram of the
The
画像処理部２０は、画像センサ１で得られた画像に基づいて、ウエハエッジとレジストエッジとを検出し、ウエハエッジとレジストエッジとの間の距離をエッジリンス幅として測定する。
The
画像処理部２０は、フィルタ演算部２１と、領域設定部２２と、テンプレート記憶部２３と、エッジ検出部２４と、エッジリンス幅算出部２８とを備える。
The
フィルタ演算部２１は、画像センサ１で得られた画像に含まれる半導体ウエハ６からの反射光の成分などのノイズ成分を除去する。
The
テンプレート記憶部２３は、検査レシピごとに予め定めたテンプレート画像を記憶する。検査レシピには、所望のレジスト膜厚条件など含む。
The
領域設定部２２は、フィルタ演算部２１から出力される画像の中の一部の領域を検査部分画像として設定する。領域設定部２２は、予め定められたテンプレート画像に一致する部分画像を検査部分画像として設定する。
The
エッジ検出部２４は、検査部分画像における画素の輝度成分に基づいて、ウエハエッジの位置とレジストエッジの位置を検出する。エッジ検出部２４は、波形変換部２５と、平均化部２６と、検出部２７とを備える。
The
波形変換部２５は、検査部分画像の一方向に沿った複数の画素の輝度成分からなる輝度波形を求める。
The
平均化部２６は、複数の輝度波形を平均化する。
検出部２７は、平均化された輝度波形と閾値と比較によって、ウエハエッジの位置とレジストエッジの位置とを検出する。
The averaging
The
エッジリンス幅算出部２８は、ウエハエッジの位置とレジストエッジの位置との間の距離を算出して、算出した距離をエッジリンス幅とする。
The edge rinse
異常通知部２９は、エッジリンス幅が予め定められた範囲外の場合に、異常を通知する。たとえば、異常通知部２９は、アラームを音声出力部３１または表示部３０に出力する。あるいは、異常通知部２９は、図示しない外部の装置へエラー信号を出力する。
The
図５は、計測用パーソナルコンピュータ５のハードウエハ構成図である。
計測用パーソナルコンピュータ５は、プロセッサ１１０と、メモリ１２０と、ＨＤ（HardDisk)１３０と、ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）１４０と、ディスプレイ１５０と、スピーカ１６０と、ネットワークＩ／Ｆ１７０とを備える。
FIG. 5 is a hardware wafer configuration diagram of the
The
ＨＤ１３０またはＤＶＤ１４０は、ネットワークＩ／Ｆ１７０を通じて入力されるプログラムを記憶する。
The
画像処理部２０および異常通知部２９は、プロセッサ１１０がメモリ１２０に展開されたプログラムを実行することにより、実現される。また、複数のプロセッサおよび複数のメモリが連携して上記機能を実行してもよい。表示部３０は、ディスプレイ１５０で実現される。音声出力部３１は、スピーカ１６０で実現される。
The
図６は、エッジリンス幅の自動測定手順を表わすフローチャートである。
ステップＳ１０１において、半導体ウエハ６をウエハガイド３にセットする。
FIG. 6 is a flowchart showing an automatic measurement procedure of the edge rinse width.
In step S101, the
ステップＳ１０２において、計測用ＰＣ５にて測定対象箇所（レジスト除去エッジからウエハエッジ含む領域）の画像データが取り込めるように、画像センサ１を固定している画像センサ固定ガイド２にてＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の位置調整を行う。
In step S102, the image
ステップＳ１０３において、画像センサ１が半導体ウエハ６を撮影する。
ステップＳ１０４において、計測用パーソナルコンピュータ５が、画像センサ１から出力される画像の処理および異常がある場合に異常処理を行なう。
In step S103, the image sensor 1 photographs the
In step S104, the measurement
ステップＳ１０５において、ウエハガイド３を９０度回転させる。
ステップＳ１０６において、４方向（０，９０，１８０，２７０度）を測定していない場合に（Ｓ１０６：ＮＯ）、処理がステップＳ１０２に戻る。４方向（０，９０，１８０，２７０度）を測定した場合に（Ｓ１０６：ＹＥＳ）、処理が終了する。
In step S105, the
In step S106, when the measurement is not performed in four directions (0, 90, 180, 270 degrees) (S106: NO), the process returns to step S102. When the measurement is performed in four directions (0, 90, 180, 270 degrees) (S106: YES), the process ends.
図７は、図６のステップＳ１０４の画像処理および異常処理の手順を表わすフローチャートである。 FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of image processing and abnormality processing in step S104 of FIG.
ステップＳ２０１において、フィルタ演算部２１は、画像センサ１で得られた画像のノイズ成分を除去する。
In step S201, the
ステップＳ２０２において、領域設定部２２は、予め定められたテンプレート画像パターンに一致する部分画像を検査部分画像として設定する。
In step S202, the
ステップＳ２０３において、波形変換部２５は、検査部分画像の一方向に沿った複数の画素の輝度成分からなる輝度波形を求める。
In step S203, the
図８は、検査部分画像ＩＭＧ内の輝度波形の求め方を説明するための図である。
１つの輝度波形は、検査部分画像ＩＭＧ内の水平方向Ｈの１行に沿った画素の輝度成分からなる。検査部分画像の複数行の各々に対して、輝度波形が得られる。
FIG. 8 is a diagram for explaining how to obtain the luminance waveform in the inspection partial image IMG.
One luminance waveform consists of the luminance components of the pixels along one row in the horizontal direction H in the inspection partial image IMG. A luminance waveform is obtained for each of the plurality of lines of the inspection partial image.
図９は、複数の輝度波形の例を表わす図である。
ステップＳ２０４において、平均化部２６は、複数の輝度波形を平均化する。つまり、平均化部２６は、複数の輝度波形の各画素の輝度成分を、垂直方向Ｖに沿って平均化する。
FIG. 9 is a diagram showing an example of a plurality of luminance waveforms.
In step S204, the averaging
ステップＳ２０５において、検出部２７は、平均化された輝度波形の大きさＩが閾値ＴＨと一致する２つの位置を検出し、それぞれレジストエッジの位置およびウエハエッジの位置とする。
In step S205, the
図１０は、レジストエッジおよびウエハエッジの検出例を表わす図である。
図１０に示すように、輝度の大きさＩが閾値ＴＨと一致する２つの画素がレジストエッジおよびウエハエッジとして検出される。また、ウエハエッジよりも外側では、光が反射されないため、ウエハエッジの外側では、輝度の大きさＩが高くなる部分が存在しない。一方、レジストエッジよりも外側では、ウエハに照射した光が反射されるため、輝度の大きさＩが高くなる部分も存在する。よって、ウエハエッジとレジストエッジの識別も可能である。
FIG. 10 is a diagram showing an example of detecting a resist edge and a wafer edge.
As shown in FIG. 10, two pixels whose brightness magnitude I matches the threshold value TH are detected as a resist edge and a wafer edge. Further, since light is not reflected outside the wafer edge, there is no portion outside the wafer edge where the magnitude I of the brightness becomes high. On the other hand, on the outer side of the resist edge, since the light applied to the wafer is reflected, there is a portion where the magnitude I of the brightness becomes high. Therefore, it is possible to distinguish between the wafer edge and the resist edge.
ステップＳ２０６において、エッジリンス幅算出部２８は、ウエハエッジの位置とレジストエッジの位置の間の距離を算出し、算出した距離をエッジリンス幅とする。
In step S206, the edge rinse
ステップＳ２０７において、エッジリンス幅が予め定められた範囲外の場合に（Ｓ２０７：ＮＯ）、処理がステップＳ２０８に進み、エッジリンス幅が予め定められた範囲内にある場合に（Ｓ２０７：ＹＥＳ）、処理が終了する。 In step S207, when the edge rinse width is outside the predetermined range (S207: NO), the process proceeds to step S208, and the edge rinse width is within the predetermined range (S207: YES). The process ends.
ステップＳ２０８において、異常通知部２９は、異常を通知する。
以上のように、本実施の形態では、測定方法が顕微鏡による目合わせから自動測定となった結果、作業者による測定バラツキを無くすことができるとともに、測定効率を上げることができる。
In step S208, the
As described above, in the present embodiment, as a result of the measurement method being automatic measurement instead of the alignment with the microscope, it is possible to eliminate the measurement variation by the operator and improve the measurement efficiency.
また、本実施の形態では、Ｘ方向、Ｙ方向、およびＺ方向に画像センサ１の位置を調整出きる。 Further, in the present embodiment, the position of the image sensor 1 can be adjusted in the X direction, the Y direction, and the Z direction.
また、本実施の形態では、半導体ウエハ６のサイズに合わせて、画像センサ１の位置を自由に調整し、撮影範囲を決められるので、インチサイズが変わっても、エッジリンス幅の測定方法は同じである。
Further, in the present embodiment, the position of the image sensor 1 can be freely adjusted according to the size of the
また、下地パターンの異なる製品に対して下地からのハレーション等による画像認識率低下の影響を抑えられるため、半導体ウエハを特定することなく測定ができるようになる。 Further, since it is possible to suppress the influence of the decrease in the image recognition rate due to halation from the base on the products having different base patterns, the measurement can be performed without specifying the semiconductor wafer.
また、レジストの種類および膜厚に関わらず、下地との色差およびコントラスト差を波形データによって検出できるため、レジスト塗布条件の制約が無くなる。 Further, regardless of the type and film thickness of the resist, the color difference and the contrast difference from the substrate can be detected by the waveform data, so that there are no restrictions on the resist coating conditions.
また、オンライン処理中の製品の半導体ウエハにおけるエッジリンス幅の管理が出来るようになる。エッジリンス幅が規格外となった時に、タイムリーに異常を検知できるので、後工程へ異常な半導体ウエハ６が流出されるのを防止できる。
In addition, the edge rinse width of the semiconductor wafer of the product being processed online can be managed. When the edge rinse width is out of the standard, the abnormality can be detected in a timely manner, so that it is possible to prevent the
なお、計測用パーソナルコンピュータ５によって得られた回転方向および位置情報に基づいて、塗布ユニットの偏心量を計算し、塗布ユニットのウエハ搬送アームのティーチング量を算出することもできる。
The amount of eccentricity of the coating unit can be calculated based on the rotation direction and position information obtained by the
実施の形態２．
図１１は、塗布装置の構成を表わす図である。
FIG. 11 is a diagram showing a configuration of a coating device.
塗布装置は、塗布ユニット７と、画像センサ１と、コントローラ４と、計測用パーソナルコンピュータ５とを備える。画像センサ１と、コントローラ４と、計測用パーソナルコンピュータ５とは、実施の形態１で説明したものと同様なので、説明を繰り返さない。
The coating device includes a
塗布ユニット７は、第１のノズル５１、第２のノズル５２と、ノズルアーム４５と、ノズル支持部４６と、移動部材１３と、ウエハ塗布ステージ１７と、カップ９と、レール１２と、固定板１６と、固定ネジ８とを備える。
The
第１のノズル５１は、半導体ウエハ６にレジスト液を吐出する。
第２のノズル５２は、半導体ウエハ６のウエハエッジ部分にリンス液を吐出する。
The
The
ノズルアーム４５は、第１のノズル５１を支持する。第１のノズル５１は、Ｚ軸方向に延びている。
The
ノズル支持部４６は、第２のノズル５２を支持する。第２のノズル５２は、Ｚ軸方向に延びており、ノズル支持部４６を軸に旋回動作できる。
The
ノズルアーム４５は、画像センサ１を支持する。画像センサ１を固定することができる固定板１６が、ノズルアーム４５の上部に固定ネジ８によって固定される。固定板１６をノズルアーム４５に取り付けるＺ軸方向の位置は、調整可能である。これによって、画像センサ１のＺ軸方向の位置の調整が可能である。
The
ノズルアーム４５が取り付けられる移動部材１３がレール１２に接触した状態でＹ方向に移動することができる。これによって、画像センサ１のＹ軸方向の位置の調整が可能である。
The moving
カップ９は、半導体ウエハ６から飛散または落下するレジスト液およびリンス液を受ける。
The
コントローラ４と計測用パーソナルコンピュータ５は、塗布ユニット７の外に設置される。コントローラ４は、塗布ユニット７内に配置される画像センサ１と、信号制御用の通信ケーブル６９で接続される。
The controller 4 and the
たとえば、塗布レシピは、以下のような手順を含むことができる。
（１）ポジレジストを塗布する。
For example, the application recipe can include the following procedure.
(1) Apply positive resist.
（２）その後、半導体ウエハ６を回転させながら、エッジリンス処理して、レジストを溶解させて除去する。
(2) After that, while rotating the
（３）その後、塗布ユニット７において半導体ウエハ６を一定時間静止する。
（４）半導体ウエハ６を９０度回転させる。
(3) After that, the
(4) The
（５）４方向（０、９０、１８０、２７０度）について、（３）、（４）を繰り返す。
（３）の半導体ウエハ６が静止している間に、作業者が計測用パーソナルコンピュータ５を使用して、エッジリンス幅の自動測定を行うことができる。
(5) Repeat (3) and (4) in four directions (0, 90, 180, 270 degrees).
While the
画像センサ１と、コントローラ４と、計測用パーソナルコンピュータ５とを信号制御用の通信ケーブル６９で接続することによって、塗布ユニット７からの測定開始の信号を計測用パーソナルコンピュータ５が受信して、計測用パーソナルコンピュータ５がエッジリンス幅を自動測定することができる。これによって、作業者が測定開始のトリガーを計測用パーソナルコンピュータ５に与えることなく、エッジリンス幅を自動測定することができるため、測定効率が更に向上する。
By connecting the image sensor 1, the controller 4, and the measurement
以上のように、本実施の形態によれば、ウエハ塗布ステージ上でエッジリンス処理直後に半導体ウエハのエッジリンス幅の測定ができるので、従来の管理方法よりも作業性が改善する。 As described above, according to the present embodiment, the edge rinse width of the semiconductor wafer can be measured immediately after the edge rinse treatment on the wafer coating stage, so that the workability is improved as compared with the conventional management method.
上述のように、実施の形態１および２では、エッジリンス幅を測定する装置について説明したが、これに限定するものではない。ウエハガイド３のウエハガイド幅を短くし、半導体ウエハ６のエッジ箇所で保持する形状に変更することで、半導体ウエハ６を逆さにセットすることで裏面のエッジ箇所における外観形状を撮影することができる。
As described above, in the first and second embodiments, the device for measuring the edge rinse width has been described, but the present invention is not limited to this. By shortening the wafer guide width of the
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。 It should be considered that the embodiments disclosed this time are exemplary in all respects and not restrictive. The scope of the present invention is shown by the scope of claims rather than the above description, and it is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the scope of claims.
１ 画像センサ、２ 画像センサ固定ガイド、３ ウエハガイド、４ コントローラ、５ 計測用パーソナルコンピュータ、６ 半導体ウエハ、７ 塗布ユニット、８ 固定ネジ、９ カップ、１２ レール、１３ 移動部材、１５ 支柱、１６ 固定板、１７ ウエハ塗布ステージ、１８ 切り欠き部、１９ ステージ、２０ 画像処理部、２１ フィルタ演算部、２２ 領域設定部、２３ テンプレート記憶部、２４ エッジ検出部、２５ 波形変換部、２６ 平均化部、２７ 検出部、２８ エッジリンス幅算出部、２９ 異常通知部、３０ 表示部、３１ 音声出力部、４５ ノズルアーム、４６ ノズル支持部、５１ 第１のノズル、５２ 第２のノズル、６９ 通信ケーブル、１１０ プロセッサ、１２０ メモリ、１３０ ＨＤ、１４０ ＤＶＤ、１５０ ディスプレイ、１６０ スピーカ、１７０ ネットワークＩ／Ｆ。 1 image sensor, 2 image sensor fixing guide, 3 wafer guide, 4 controller, 5 measuring personal computer, 6 semiconductor wafer, 7 coating unit, 8 fixing screw, 9 cup, 12 rail, 13 moving member, 15 strut, 16 fixing Plate, 17 Wafer coating stage, 18 Notch, 19 Stage, 20 Image processing unit, 21 Filter calculation unit, 22 Area setting unit, 23 Template storage unit, 24 Edge detection unit, 25 Waveform conversion unit, 26 Averaging unit, 27 Detection unit, 28 Edge rinse width calculation unit, 29 Abnormality notification unit, 30 Display unit, 31 Audio output unit, 45 Nozzle arm, 46 Nozzle support unit, 51 First nozzle, 52 Second nozzle, 69 Communication cable, 110 processors, 120 memories, 130 HD, 140 DVDs, 150 displays, 160 speakers, 170 network I / F.
Claims (7)
前記画像センサで得られた画像に基づいて、ウエハエッジとレジストエッジとを検出し、前記ウエハエッジと前記レジストエッジとの間の距離をエッジリンス幅として測定する画像処理部とを備え、
前記画像処理部は、
前記画像センサで得られた前記画像のノイズ成分を除去するフィルタと、
前記フィルタから出力される画像の中の一部の領域を検査部分画像として設定する領域設定部と、
前記検査部分画像における画素の輝度成分に基づいて、前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置を検出するエッジ検出部と、
前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置とに基づいて、前記エッジリンス幅を算出するエッジリンス幅算出部とを含み、
前記エッジ検出部は、
前記検査部分画像の一方向に沿った複数の画素の輝度成分からなる輝度波形を求める波形変換部と、
複数の前記輝度波形を平均化する平均化部と、
平均化された前記輝度波形と閾値とを比較することによって、前記ウエハエッジと前記レジストエッジの位置を検出する検出部とを含み、
前記検出部は、前記平均化された前記輝度波形と前記閾値とが一致する３個の位置を特定し、特定した前記３個の位置のうち、立ち下がりエッジ上にある２個の立ち下がり位置を特定し、特定した前記２個の立ち下がり位置のうち、前記立ち下がり位置を起点とした一方向の領域において、前記平均化された輝度波形が、前記閾値よりも大きくなる部分が存在しないような位置を前記ウエハエッジの位置として検出し、特定した前記３個の位置のうち、前記ウエハエッジの位置に最も近く、かつ立ち上がりエッジ上にある位置を前記レジストエッジの位置として特定する、エッジリンス幅測定装置。 An image sensor that captures semiconductor wafers and
An image processing unit that detects a wafer edge and a resist edge based on an image obtained by the image sensor and measures the distance between the wafer edge and the resist edge as an edge rinse width is provided.
The image processing unit
A filter that removes the noise component of the image obtained by the image sensor, and
An area setting unit that sets a part of the area in the image output from the filter as an inspection partial image, and
An edge detection unit that detects the position of the wafer edge and the position of the resist edge based on the brightness component of the pixel in the inspection partial image.
Includes an edge rinse width calculation unit that calculates the edge rinse width based on the position of the wafer edge and the position of the resist edge.
The edge detection unit
A waveform conversion unit that obtains a luminance waveform composed of luminance components of a plurality of pixels along one direction of the inspection partial image, and a waveform converter.
An averaging unit that averages a plurality of the luminance waveforms,
It includes a detection unit that detects the position of the wafer edge and the resist edge by comparing the averaged luminance waveform with the threshold value.
The detection unit identifies three positions where the averaged luminance waveform and the threshold value match, and of the three specified positions, two falling positions on the falling edge. In the one-way region starting from the falling position, there is no portion where the averaged luminance waveform is larger than the threshold value among the specified two falling positions. Edge rinse width measurement that detects the position as the position of the wafer edge and specifies the position closest to the position of the wafer edge and on the rising edge as the position of the resist edge among the three specified positions. apparatus.
一定高さ毎に切り欠き部が設けられた支柱と、
前記支柱の切り欠き部に取り付け可能で、かつ前記支柱を軸に回転可能で、前記画像センサを固定可能な固定板と、
前記固定板を前記支柱に対して固定するネジとを備える、請求項１記載のエッジリンス幅測定装置。 A wafer guide that supports the semiconductor wafer in a rotatable state, and
Supports with notches at regular heights and
A fixing plate that can be attached to the notch of the support column, can rotate around the support column, and can fix the image sensor.
The edge rinse width measuring device according to claim 1, further comprising a screw for fixing the fixing plate to the support column.
前記画像センサで得られた画像に基づいて、ウエハエッジとレジストエッジとを検出し、前記ウエハエッジと前記レジストエッジとの間の距離をエッジリンス幅として測定するステップとを備え、
前記測定するステップは、
前記画像センサで得られた前記画像のノイズ成分を除去するステップと、
前記ノイズ成分が除去された画像の中の一部の領域を検査部分画像として設定するステップと、
前記検査部分画像における画素の輝度成分に基づいて、前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置を検出するエッジ検出ステップと、
前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置とに基づいて、前記エッジリンス幅を算出するステップとを含み、
前記エッジ検出ステップは、
前記検査部分画像の一方向に沿った複数の画素の輝度成分からなる輝度波形を求めるステップと、
複数の前記輝度波形を平均化するステップと、
平均化された前記輝度波形と閾値とを比較することによって、前記ウエハエッジと前記レジストエッジの位置を検出する位置検出ステップとを含み、
前記位置検出ステップは、前記平均化された前記輝度波形と前記閾値とが一致する３個の位置を特定し、特定した前記３個の位置のうち、立ち下がりエッジ上にある２個の立ち下がり位置を特定し、特定した前記２個の立ち下がり位置のうち、前記立ち下がり位置を起点とした一方向の領域において、前記平均化された輝度波形が、前記閾値よりも大きくなる部分が存在しないような位置を前記ウエハエッジの位置として検出し、特定した前記３個の位置のうち、前記ウエハエッジの位置に最も近く、かつ立ち上がりエッジ上にある位置を前記レジストエッジの位置として特定するステップを含む、エッジリンス幅測定方法。 The step that the image sensor takes a picture of the semiconductor wafer,
A step of detecting a wafer edge and a resist edge based on an image obtained by the image sensor and measuring the distance between the wafer edge and the resist edge as an edge rinse width is provided.
The step to measure is
A step of removing the noise component of the image obtained by the image sensor, and
A step of setting a part of the image from which the noise component has been removed as an inspection partial image, and
An edge detection step for detecting the position of the wafer edge and the position of the resist edge based on the brightness component of the pixel in the inspection partial image.
A step of calculating the edge rinse width based on the position of the wafer edge and the position of the resist edge is included.
The edge detection step
A step of obtaining a luminance waveform composed of luminance components of a plurality of pixels along one direction of the inspection partial image, and a step of obtaining a luminance waveform.
A step of averaging the plurality of luminance waveforms and
A position detection step of detecting the position of the wafer edge and the resist edge by comparing the averaged luminance waveform with the threshold value is included.
The position detection step identifies three positions where the averaged luminance waveform and the threshold value match, and of the three identified positions, two falling edges on the falling edge. The position is specified, and among the specified two falling positions, there is no portion where the averaged luminance waveform is larger than the threshold value in the unidirectional region starting from the falling position. Such a position is detected as the position of the wafer edge, and among the three specified positions, the position closest to the position of the wafer edge and on the rising edge is specified as the position of the resist edge . Edge rinse width measurement method.
前記画像センサで得られた画像に基づいて、ウエハエッジとレジストエッジとを検出し、前記ウエハエッジと前記レジストエッジとの間の距離をエッジリンス幅として測定する画像処理部と、
前記半導体ウエハにレジスト液を吐出するための第１のノズルと、
前記半導体ウエハにリンス液を吐出するための第２のノズルと、
前記第１のノズルを支持するノズルアームと、
前記第２のノズルを支持するノズル支持部とを備え、
前記画像センサが、前記ノズルアームによって支持され、
前記画像処理部は、
前記画像センサで得られた前記画像のノイズ成分を除去するフィルタと、
前記フィルタから出力される画像の中の一部の領域を検査部分画像として設定する領域設定部と、
前記検査部分画像における画素の輝度成分に基づいて、前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置を検出するエッジ検出部と、
前記ウエハエッジの位置と前記レジストエッジの位置とに基づいて、前記エッジリンス幅を算出するエッジリンス幅算出部とを含み、
前記エッジ検出部は、
前記検査部分画像の一方向に沿った複数の画素の輝度成分からなる輝度波形を求める波形変換部と、
複数の前記輝度波形を平均化する平均化部と、
平均化された前記輝度波形と閾値とを比較することによって、前記ウエハエッジと前記レジストエッジの位置を検出する検出部とを含み、
前記検出部は、前記平均化された前記輝度波形と前記閾値とが一致する３個の位置を特定し、特定した前記３個の位置のうち、立ち下がりエッジ上にある２個の立ち下がり位置を特定し、特定した前記２個の立ち下がり位置のうち、前記立ち下がり位置を起点とした一方向の領域において、前記平均化された輝度波形が、前記閾値よりも大きくなる部分が存在しないような位置を前記ウエハエッジの位置として検出し、特定した前記３個の位置のうち、前記ウエハエッジの位置に最も近く、かつ立ち上がりエッジ上にある位置を前記レジストエッジの位置として特定する、レジスト塗布装置。 An image sensor that captures semiconductor wafers and
An image processing unit that detects a wafer edge and a resist edge based on an image obtained by the image sensor and measures the distance between the wafer edge and the resist edge as an edge rinse width.
A first nozzle for discharging the resist liquid onto the semiconductor wafer, and
A second nozzle for discharging the rinse liquid onto the semiconductor wafer, and
A nozzle arm that supports the first nozzle and
A nozzle support portion for supporting the second nozzle is provided.
The image sensor is supported by the nozzle arm and
The image processing unit
A filter that removes the noise component of the image obtained by the image sensor, and
An area setting unit that sets a part of the area in the image output from the filter as an inspection partial image, and
An edge detection unit that detects the position of the wafer edge and the position of the resist edge based on the brightness component of the pixel in the inspection partial image.
Includes an edge rinse width calculation unit that calculates the edge rinse width based on the position of the wafer edge and the position of the resist edge.
The edge detection unit
A waveform conversion unit that obtains a luminance waveform composed of luminance components of a plurality of pixels along one direction of the inspection partial image, and a waveform converter.
An averaging unit that averages a plurality of the luminance waveforms,
It includes a detection unit that detects the position of the wafer edge and the resist edge by comparing the averaged luminance waveform with the threshold value.
The detection unit identifies three positions where the averaged luminance waveform and the threshold value match, and of the three specified positions, two falling positions on the falling edge. In the one-way region starting from the falling position, there is no portion where the averaged luminance waveform is larger than the threshold value among the specified two falling positions. A resist coating device that detects a suitable position as the position of the wafer edge and specifies a position closest to the position of the wafer edge and on the rising edge as the position of the resist edge among the three specified positions.
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