JP6874978B2 - 蓄放熱装置、電子機器、および蓄放熱方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施形態に係る蓄放熱装置を適用した電子機器について説明する。図1は、本発明の実施形態に係る蓄放熱装置を適用した電子機器の構成を示すブロック図である。図1に示すように、電子機器10は、電子部品11、蓄放熱装置12、および放熱部13を有する。
次に、蓄放熱装置12の構成について説明する。図2は、蓄放熱装置12の構成の一例を示す図である。図1および図2に示すように、蓄放熱装置12は、蓄放熱部21、絶縁部22、電圧印加部23、検出部25、電圧発生部26、および制御部27を有する。
二酸化バナジウム(VO2)粉末(株式会社高純度化学研究所製)を、Φ5mmのZrO2ボールを用いた遊星ボールミルにより、400rpmで1時間粉砕し、微粉末を得た。そして、得られた微粉末をΦ8mmのダイスに入れた後、パルス通電焼結法を用いて、真空雰囲気で、1GPaの加圧下で、焼結温度を500℃として、5分間焼結した。これにより、厚さが約1mm、相対密度が97%程度の蓄放熱材料(焼結体)からなる蓄放熱層(蓄放熱部)を得た。
(結晶性の確認)
得られた蓄放熱層の蓄放熱材料の結晶を同定するため、XRD装置(RINT2000、リガク社製)を用いて、XRD測定を行った。測定により得られたX線回折スペクトルから、蓄放熱層はVO2の単相で形成されていることが確認された。X線回折測定には、X線源としてCu−Kα線を用いた。X線回折の測定条件は、電圧40kV、電流200mAで、回折角(2θ)=20°〜80°の範囲を、走査速度1deg/secとした。なお、VO2の主なXRDピーク(単斜晶)は、27.9°、37.1°、55.3°、55.6°、および57.6°である。
(蓄熱および放熱特性の確認)
得られた蓄放熱層の蓄熱および放熱特性を示差走査熱量計(DSC)により測定した。昇温時には、1分間に7℃の割合で、50℃から80℃まで温度を上げ(7℃/min)、降温時には、1分間に7℃の割合で80℃から50℃まで温度を下げた(7℃/min)。蓄放熱層の示差走査熱量の測定結果を図6に示す。図6に示すように、昇温時には、約67℃に吸熱のピーク(蓄熱ピーク)が観察された。一方、降温時には、約62℃に放熱のピーク(放熱ピーク)が観測された。
[実施例1]
得られた蓄放熱層の表面に、有機金属分解(MOD)塗布型材料(BT−06、成分BaTiO3、株式会社高純度化学研究所製)をディップコート法により、引き上げ速度を1mm/sとして、塗布した。これにより、蓄放熱層の表面にMOD塗布型材料の液膜を形成した。その後、液膜が形成された蓄放熱層を、300℃で熱処理して、蓄放熱層の表面に、BaTiO3の絶縁膜を形成した。その後、絶縁膜の表面に白金からなるゲート電極および負極を形成し、銅線を銀ペーストにより両電極に接続した。これにより、蓄放熱装置1を得た。
(絶縁性の確認)
なお、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗を確認した。その結果、絶縁膜で被覆される前の蓄放熱層の抵抗は数Ωであったが、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗は数MΩ以上であることが確認された。
得られた蓄放熱層の表面に、フッ素樹脂粘着テープ(アズフロンテープASF−110FR、アズワン社製)により絶縁膜を形成し、さらにその絶縁膜にΦ5mmの穴を形成した。穴は、蓄放熱層の表面まで貫通させた。そして、前記穴に、イオン液体(N,N−ジエチル-N−メチル-N−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド、関東化学社製)を、ピペットにより滴下した。その後、チタン製の金属電極により、前記穴を被覆した。このチタン製の金属電極をゲート電極とした。得られた絶縁膜の表面に白金からなる負極を形成した。その後、銅線を銀ペーストによりゲート電極および負極に接続した。これにより、蓄放熱装置2を得た。
(絶縁性の確認)
なお、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗を確認した結果、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗は、10MΩ以上であることが確認された。
得られた蓄放熱層の表面に、パルスレーザー蒸着法により、成膜時の試料温度を室温とし、5Paの酸素雰囲気として、膜厚が1μm程度のカルシウムアルミネート(CaO・6Al2O3)の絶縁膜を形成した。その後、得られた絶縁膜の表面に白金からなるゲート電極および負極を形成した。その後、銅線を銀ペーストにより両電極に接続した。これにより、蓄放熱装置3を得た。
(絶縁性の確認)
なお、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗を確認した結果、絶縁膜で被覆された蓄放熱層の抵抗は、1MΩ以上であることが確認された。
(結晶性の確認)
得られた絶縁膜をXRD装置(RINT2000、リガク社製)を用いて、XRD測定を行った。測定により得られたX線回折スペクトルから、絶縁膜は非晶質であることが確認された。
実施例1で作製した蓄放熱装置1の蓄熱特性および放熱特性を評価した。ゲート電圧は、0V、0.5V、1.0V、または1.5Vとして行った。ゲート電圧を0Vとして行った試験例を比較例1とし、ゲート電圧を0.5Vとして行った試験例を実施例1−1とし、ゲート電圧を1.0Vとして行った試験例を実施例1−2とし、ゲート電圧を1.5Vとして行った試験例を実施例1−3とした。
(蓄熱特性の評価)
実施例1で作製した蓄放熱装置1を示差熱分析(DTA)装置を用いて、蓄放熱装置1の蓄熱ピーク温度を測定した。蓄放熱装置1をDTA装置内の一方のステージ上に設置し、基準物質である酸化アルミニウムをDTA装置内の他方のステージ上に設置した。その後、蓄放熱装置1および酸化アルミニウムを加熱速度8℃/分で昇温し、蓄放熱装置1の蓄放熱層および酸化アルミニウムの温度を同時に測定した。蓄放熱装置1の蓄放熱層および酸化アルミニウムの温度は、それぞれ、赤外線カメラにより測定した。蓄放熱装置1内の蓄放熱層と酸化アルミニウムとの温度差をDTA信号とし、DTA曲線より、蓄放熱層の蓄熱ピーク温度を求めた。蓄放熱装置1の加熱時のDTAの測定結果を図7に示す。
(蓄熱後の放熱特性の評価)
実施例1で作製した蓄放熱装置1をDTA装置を用いて、蓄放熱装置1の放熱ピーク温度を測定した。実施例1のDTA装置を用いて、実施例1で作製した蓄放熱装置1の蓄放熱層を予め80℃まで昇温し、蓄放熱装置1内の蓄放熱層に蓄熱させた。その後、蓄放熱層を80℃から自然冷却して降温させながら、蓄放熱装置1内の蓄放熱層と基準物質である酸化アルミニウムとの温度を、それぞれ測定した。蓄放熱装置1の蓄放熱層および酸化アルミニウムの温度は、それぞれ、赤外線カメラにより測定した。蓄放熱装置1内の蓄放熱層と酸化アルミニウムとの温度差をDTA信号とし、DTA曲線より、蓄放熱層の放熱ピーク温度を求めた。蓄放熱装置1の放熱時のDTAの測定結果を図8に示す。
11 電子部品(熱源)
12、12−1〜12−4 蓄放熱装置
13 放熱部
21、21−1〜21−4 蓄放熱部
22、22−1〜22−4 絶縁部
23 電圧印加部
25 検出部
26 電圧発生部
27 制御部
31、31−1〜31−4 第1電極(ゲート電極)
32、32−1〜32−4 第2電極(負極)
Claims (8)
- 熱源から熱を吸収すると共に、取り込んだ熱を外部に放出する蓄放熱部を備える蓄放熱装置において、
前記蓄放熱部に電圧を印加する電圧印加部を有し、
前記蓄放熱部は、金属‐絶縁体転移により、蓄熱または放熱を行う蓄放熱材料を備え、
前記蓄放熱部に印加される電圧を制御して、前記蓄放熱材料が金属‐絶縁体転移を生じる相転移温度を変化させることを特徴とする蓄放熱装置。 - 前記蓄放熱部の温度を測定する検出部と、
前記電圧印加部に出力する電圧を発生させる電圧発生部と、
前記蓄放熱部の温度に基づいて、前記電圧発生部の動作を制御する制御部と、
を有する請求項1に記載の蓄放熱装置。 - 前記蓄放熱部の一部に設けられる絶縁部を有し、
前記電圧印加部は、前記蓄放熱部に前記絶縁部を介して設けられる第1電極と、前記蓄放熱部の一部に設けられる第2電極とを備え、
前記蓄放熱装置は、前記蓄放熱材料、前記絶縁部、前記第1電極、および前記第2電極によりトップゲート構造を形成する請求項1または2に記載の蓄放熱装置。 - 前記蓄放熱部に印加される電圧は、0Vよりも大きく、50V以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載の蓄放熱装置。
- 前記蓄放熱部は、前記蓄放熱材料を含んで形成された蓄放熱層であり、
前記蓄放熱部の平均厚さが、10μm〜1000μmである請求項1〜4のいずれか一項に記載の蓄放熱装置。 - 前記蓄放熱部、および前記蓄放熱部に熱的に接続されている前記電圧印加部が複数設けられ、
それぞれの前記蓄放熱部に印加される電圧が個別に制御される請求項1〜5のいずれか一項に記載の蓄放熱装置。 - 熱源と、
請求項1〜6のいずれか一つの蓄放熱装置と、
を有する電子機器。 - 熱源から熱を吸収すると共に、取り込んだ熱を外部に放出する蓄放熱部を備える蓄放熱装置を用いた蓄放熱方法において、
前記蓄放熱装置は、前記蓄放熱部に電圧を印加する電圧印加部を有し、
前記蓄放熱部は、金属−絶縁体転移により、蓄熱または放熱を行う蓄放熱材料を備え、
前記蓄放熱部に印加される電圧を制御して、前記蓄放熱材料が金属‐絶縁体転移を生じる相転移温度を変化させることを特徴とする蓄放熱方法。
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