JP6871286B2 - Pseudo-static random access memory control circuit and control method - Google Patents

Pseudo-static random access memory control circuit and control method Download PDF

Info

Publication number
JP6871286B2
JP6871286B2 JP2019029733A JP2019029733A JP6871286B2 JP 6871286 B2 JP6871286 B2 JP 6871286B2 JP 2019029733 A JP2019029733 A JP 2019029733A JP 2019029733 A JP2019029733 A JP 2019029733A JP 6871286 B2 JP6871286 B2 JP 6871286B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
asynchronous
clock
cas
cas clock
count value
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019029733A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2020135912A (en
Inventor
池田 仁史
仁史 池田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Winbond Electronics Corp
Original Assignee
Winbond Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Winbond Electronics Corp filed Critical Winbond Electronics Corp
Priority to JP2019029733A priority Critical patent/JP6871286B2/en
Priority to CN201910232024.2A priority patent/CN111599395B/en
Priority to KR1020190037037A priority patent/KR102196677B1/en
Publication of JP2020135912A publication Critical patent/JP2020135912A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6871286B2 publication Critical patent/JP6871286B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/408Address circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4076Timing circuits
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/409Read-write [R-W] circuits 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C7/00Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/22Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management 
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C2211/00Indexing scheme relating to digital stores characterized by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C2211/401Indexing scheme relating to cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C2211/406Refreshing of dynamic cells
    • G11C2211/4066Pseudo-SRAMs

Description

本発明は、メモリ装置の制御回路及び制御方法に関し、特に擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法に関する。 The present invention relates to a control circuit and a control method of a memory device, and more particularly to a control circuit and a control method of a pseudo-static random access memory.

近年、半導体メモリデバイスの高集積化が進み、高速化が要求されており、高速メモリとしてスタティックランダムアクセスメモリ(Static Random Access Memory,SRAM)とダイナミックランダムアクセスメモリが使われている。ダイナミックランダムアクセスメモリ(Dynamic Random Access Memory,DRAM)の利点を有する疑似スタティックランダムアクセスメモリ(Pseudo Static Random Access Memory,pSRAM)に対する需要は、特にモバイル装置への運用において増加し続けている。 In recent years, the integration of semiconductor memory devices has progressed, and high speeds have been required, and static random access memory (Static Random Access Memory, SRAM) and dynamic random access memory are used as high-speed memories. Demand for pseudo-static random access memory (Pseudo Static Random Access Memory, pSRAM), which has the advantages of dynamic random access memory (Dynamic Random Access Memory, DRAM), continues to increase, especially in operations for mobile devices.

擬似スタティックランダムアクセスメモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリのセル構造及びスタティックランダムアクセスメモリの周辺回路を有するメモリデバイスである。疑似スタティックランダムアクセスメモリは大容量で低コストという利点を有するが、既存の疑似スタティックランダムアクセスメモリは、書き込み動作のクロック周期が比較的短い場合、データの書き込みが同期又は非同期になり得る。エラーの発生を回避するために、書き込み動作において、データの書き込みが非同期(即ち、書き込み動作の非同期モード)の場合に対応する列アドレスストローブ(column address strobe,CAS、以下CASと略記する)クロックを提供するための制御経路を確立し、同期(即ち、書き込み動作の同期モード)の場合に対応するもう1つのCASクロックを提供するための制御経路を確立する。このように、擬似スタティックランダムアクセスメモリは、異なる制御経路によって、書き込み動作の同期モード又は非同期モードを実行することができる。 The pseudo-static random access memory is a memory device having a cell structure of the dynamic random access memory and peripheral circuits of the static random access memory. Pseudo-static random access memory has the advantages of large capacity and low cost, but existing pseudo-static random access memory can write data synchronously or asynchronously if the clock period of the write operation is relatively short. In order to avoid the occurrence of an error, in the write operation, the column address strobe (CAS, hereinafter abbreviated as CAS) clock corresponding to the case where the data write is asynchronous (that is, the asynchronous mode of the write operation) is set. A control path for providing is established, and a control path for providing another CAS clock corresponding to the case of synchronization (ie, synchronous mode of write operation) is established. In this way, the pseudo-static random access memory can execute the synchronous mode or the asynchronous mode of the write operation by different control paths.

しかし、上記方法では、クロック周期が短いため、擬似スタティックランダムアクセスメモリを非同期モードから同期モードに切り替える時、経路の変更によって制御経路の変更後、経路変更の第1クロックでCASクロックを生成することに間に合わない可能性があり、それによって書き込み動作においてエラーを引き起こす。 However, in the above method, since the clock cycle is short, when the pseudo static random access memory is switched from the asynchronous mode to the synchronous mode, the CAS clock is generated by the first clock of the route change after the control route is changed by changing the route. It may not be in time, which causes an error in the write operation.

本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路による書き込み動作の同期モードと非同期モードとを実行することができる擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路及び制御方法を提供する。 The present invention provides a control circuit and a control method for a pseudo-static random access memory capable of executing a synchronous mode and an asynchronous mode of a write operation by a plurality of control paths in a write operation.

本発明の制御回路は、擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される。制御回路は、第1カウンタ、第2カウンタ、コンパレータ、非同期コントローラ、及びクロックジェネレータを含む。第1カウンタは、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成することに用いられる。第2カウンタは、非同期CASクロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成することに用いられる。非同期CASクロックの初期周期は、外部クロックの周期よりも短い。コンパレータは、第1カウンタ及び第2カウンタに結合される。コンパレータは、第1カウント値と第2カウント値を比較することに用いられる。第1カウント値が第2カウント値と等しい時、コンパレータは、第1論理レベルのモード信号を提供する。非同期コントローラは、コンパレータ及び第2カウンタに結合される。非同期コントローラは、書き込み動作においてモード信号とCASクロックを受信し、非同期モードにおいて、CASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供することに用いられる。非同期コントローラが最初に第1論理レベルのモード信号を受信する時、非同期コントローラは、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整する。クロックジェネレータは、非同期コントローラに結合される。クロックジェネレータは、非同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供することに用いられる。 The control circuit of the present invention is applied to a pseudo static random access memory. The control circuit includes a first counter, a second counter, a comparator, an asynchronous controller, and a clock generator. The first counter is used to count the number of latches of data written to the pseudo-static random access memory based on the external clock and generate the first count value. The second counter is used to count the number of times the data written to the pseudo-static random access memory is written based on the asynchronous CAS clock and generate the second count value. The initial period of the asynchronous CAS clock is shorter than the period of the external clock. The comparator is coupled to the first counter and the second counter. The comparator is used to compare the first count value and the second count value. When the first count value is equal to the second count value, the comparator provides a first logic level mode signal. The asynchronous controller is coupled to the comparator and the second counter. The asynchronous controller is used to receive the mode signal and the CAS clock in the write operation and to provide the asynchronous CAS clock based on the CAS clock in the asynchronous mode. When the asynchronous controller first receives the mode signal of the first logic level, the asynchronous controller shifts the write operation from the asynchronous mode to the synchronous mode and adjusts the period of the asynchronous CAS clock to the period of the external clock. The clock generator is coupled to the asynchronous controller. A clock generator is used to provide a CAS clock based on an asynchronous CAS clock.

本発明の制御方法は、擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される。制御方法は、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成するステップと、非同期モードにおいて、CASクロックに基づき、非同期CASクロックを提供するステップと、非同期CASクロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、非同期CASクロックの初期周期は外部クロックの周期よりも小さいステップと、第1カウント値と第2カウント値を比較し、第1カウント値が第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供するステップと、最初に第1論理レベルのモード信号を受信する時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整するステップと、非同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供するステップと、を含む。 The control method of the present invention is applied to a pseudo-static random access memory. The control method provides a step of counting the number of latches of data written to the pseudo-static random access memory based on an external clock to generate a first count value, and an asynchronous CAS clock based on the CAS clock in the asynchronous mode. And a step to generate a second count value by counting the number of times the data written to the pseudo-static random access memory is written based on the asynchronous CAS clock, and the initial cycle of the asynchronous CAS clock is smaller than the cycle of the external clock. And, when the first count value and the second count value are compared and the first count value is equal to the second count value, the step of providing the mode signal of the first logic level and the mode signal of the first logic level first. Includes a step of shifting the write operation from the asynchronous mode to the synchronous mode and adjusting the period of the asynchronous CAS clock to the period of the external clock, and a step of providing the CAS clock based on the asynchronous CAS clock.

上記に基づいて、本発明の制御回路は、外部クロックに基づいてデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成し、非同期CASクロックに基づいてデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、第1カウント値と第2カウント値を比較する。制御回路は、CASクロックを提供するために非同期モードにおいてCASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供する。最初に第1カウント値が第2カウント値と等しくなる時、制御回路は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整してCASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路によって書き込み動作の動機モード及び非同期モードを実行することを不要にすることができる。 Based on the above, the control circuit of the present invention counts the number of times data is latched based on an external clock to generate a first count value, and counts the number of times data is written based on an asynchronous CAS clock to perform a second count. Generate a value and compare the first count value with the second count value. The control circuit provides an asynchronous CAS clock based on the CAS clock in asynchronous mode to provide the CAS clock. When the first count value first equals the second count value, the control circuit shifts the write operation from asynchronous mode to synchronous mode and adjusts the asynchronous CAS clock cycle to the external clock cycle to provide the CAS clock. To do. As described above, the present invention can eliminate the need to execute the motivational mode and the asynchronous mode of the writing operation by a plurality of control paths in the writing operation.

本発明の第1実施例に係る疑似スタティックランダムアクセスメモリの回路概略図である。It is a circuit schematic diagram of the pseudo static random access memory which concerns on 1st Embodiment of this invention. 第1実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。It is a timing diagram of the writing operation which concerns on 1st Example. 第1実施例に係る非同期コントローラの回路概略図である。It is a circuit schematic diagram of the asynchronous controller which concerns on 1st Embodiment. 第1実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。It is the circuit schematic of the clock generator which concerns on 1st Example. 第1実施例に係る制御方法のフローチャートである。It is a flowchart of the control method which concerns on 1st Example. 本発明の第2実施例に係る制御回路の回路概略図である。It is a circuit schematic diagram of the control circuit which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 第2実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。It is a timing diagram of the writing operation which concerns on 2nd Example. 第2実施例に係る同期コントローラの回路概略図である。It is the circuit schematic of the synchronization controller which concerns on 2nd Embodiment. 第2実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。It is the circuit schematic of the clock generator which concerns on 2nd Example. 第2実施例に係る制御方法のフローチャートである。It is a flowchart of the control method which concerns on 2nd Example.

本発明の上記の特徴及び利点をより分かりやすくするために、実施例を挙げ、図面を合わせて以下に詳細に説明する。 In order to make the above-mentioned features and advantages of the present invention easier to understand, examples will be given and the drawings will be described in detail below.

図1を参照すると、図1は、本発明の第1実施例による疑似スタティックランダムアクセスメモリの回路概略図である。本実施例では、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100は、メモリアレイ110及び制御回路120を含む。コントローラ120は、メモリアレイ110の書き込み動作を制御するために列アドレスストローブ(column address strobe,CAS、以下CASと略記する)クロックCASPを提供することに用いられる。制御回路120は、第1カウンタ121、第2カウンタ122、コンパレータ123、非同期コントローラ124及びクロックジェネレータ125を含む。例えば、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100は、入出力回路、データラッチなどの周辺回路を更に含む。第1カウンタ121は、外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータのラッチ回数をカウントすることに用いられ、それによって第1カウント値N_DINを生成する。第1カウンタ121は、外部クロックCLKに基づいてデータラッチのデータラッチ回数をカウントし、それにより、第1カウント値N_DINを生成することができる。データラッチがデータをラッチすると、第1カウンタ121は、入力表示信号EN_DINに基づいて第1カウント値N_DINを増加させ、ここで、入力表示信号EN_DINは、データが入力されたことを示すためのステータス信号である。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータの書き込み回数をカウントし、第2カウント値N_DWRを生成することに用いられる。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてデータがメモリアレイ110に書き込まれる回数をカウントし、それによって第2カウント値N_DWRを生成することができる。データがメモリアレイ110に書き込まれると、第2カウンタ122は、書き込み表示信号EN_WRに基づいて第2カウント値N_DWRを増加させ、ここで、書き込み表示信号EN_WRは、書き込み動作を実行することを示すステータス信号である。非同期CASクロックCASP_Aの初期周期は、外部クロックCLKの周期よりも小さい。即ち、書き込み動作では、データがメモリアレイ10に書き込まれる速度は、データのラッチ速度よりも速い。従って、第2カウント値N_DWRの増加速度は、第1カウント値N_DINの増加速度よりも速い。 Referring to FIG. 1, FIG. 1 is a schematic circuit diagram of a pseudo-static random access memory according to the first embodiment of the present invention. In this embodiment, the pseudo-static random access memory 100 includes a memory array 110 and a control circuit 120. The controller 120 is used to provide a column address strobe (CAS, hereinafter abbreviated as CAS) clock CASP to control the write operation of the memory array 110. The control circuit 120 includes a first counter 121, a second counter 122, a comparator 123, an asynchronous controller 124, and a clock generator 125. For example, the pseudo-static random access memory 100 further includes peripheral circuits such as an input / output circuit and a data latch. The first counter 121 is used to count the number of latches of data written to the pseudo-static random access memory 100 based on the external clock, thereby generating the first count value N_DIN. The first counter 121 counts the number of data latches of the data latch based on the external clock CLK, whereby the first count value N_DIN can be generated. When the data latch latches the data, the first counter 121 increases the first count value N_DIN based on the input display signal EN_DIN, where the input display signal EN_DIN is a status to indicate that the data has been input. It is a signal. The second counter 122 is used to count the number of times the data written to the pseudo-static random access memory 100 is written based on the asynchronous CAS clock CASP_A, and to generate the second count value N_DWR. The second counter 122 counts the number of times data is written to the memory array 110 based on the asynchronous CAS clock CASP_A, thereby generating a second count value N_DWR. When data is written to the memory array 110, the second counter 122 increases the second count value N_DWR based on the write display signal EN_WR, where the write display signal EN_WR indicates that the write operation is to be performed. It is a signal. The initial cycle of the asynchronous CAS clock CASP_A is smaller than the cycle of the external clock CLK. That is, in the write operation, the speed at which data is written to the memory array 10 is faster than the data latch speed. Therefore, the rate of increase of the second count value N_DWR is faster than the rate of increase of the first count value N_DIN.

コンパレータ123は第1カウンタ121及び第2カウンタ122に結合される。コンパレータ123は、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとを比較して、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいか否かを判定する。コンパレータ123が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいと判定する場合、第1論理レベルのモード信号ASYNCが提供される。一方、コンパレータ123が、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとが等しくないと判定する場合、第2論理レベルのモード信号ASYNCが提供される。 The comparator 123 is coupled to the first counter 121 and the second counter 122. The comparator 123 compares the first count value N_DIN with the second count value N_DWR and determines whether or not the first count value N_DIN is equal to the second count value N_DWR. When the comparator 123 determines that the first count value N_DIN is equal to the second count value N_DWR, the first logic level mode signal ASYNC is provided. On the other hand, when the comparator 123 determines that the first count value N_DIN and the second count value N_DWR are not equal, the second logic level mode signal ASYNC is provided.

非同期コントローラ124は、コンパレータ123及び第2カウンタ122に結合している。非同期コントローラ124は、書き込み動作時に第1論理レベルのモード信号ASYNC及びCASクロックCASPを受信し、非同期モードにおいて、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。非同期コントローラ124が最初に第1論理レベルのモード信号ASYNCを受信する時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、それにより、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整する。クロックジェネレータ125は、非同期コントローラ124に結合している。クロックジェネレータ125は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供することに用いられる。 The asynchronous controller 124 is coupled to the comparator 123 and the second counter 122. The asynchronous controller 124 is used to receive the first logic level mode signal ASYNC and the CAS clock CASP during the write operation and to provide the asynchronous CAS clock CASP_A based on the CAS clock CASP in the asynchronous mode. When the asynchronous controller 124 first receives the first logic level mode signal ASYNC, it shifts the write operation from the asynchronous mode to the synchronous mode, thereby adjusting the period of the asynchronous CAS clock CASP_A to the period of the external clock. The clock generator 125 is coupled to the asynchronous controller 124. The clock generator 125 is used to provide the CAS clock CASP based on the asynchronous CAS clock CASP_A.

具体的には、図1及び図2を同時に参照し、図2は、第1実施例に係る書き込み動作のタイミングチャートである。本実施例では、時間t1において、データDQが入力され始める。また、データDQが入力されたことを示す入力表示信号EN_DINは、論理レベルローから論理レベルハイに遷移する。時間t2において、最初のデータD00がラッチされ始め、第1カウンタ121が外部クロックCLKに基づいてデータDQがラッチされた回数のカウントを開始し、「0」の第1カウント値N_DINを生成する。この時、第2カウント値N_DWRは未だ生成されていないので、第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとは異なる。従って、コンパレータ123は、時間t2において、第2論理レベル(即ち、論理レベルハイ)のモード信号を提供し始める。次に、時間t3において、書き込み動作が開始される。書き込み動作を実行することを示す書き込み表示信号EN_WRは、論理レベルローから論理レベルハイに遷移する。時間t3において、非同期コントローラ124が書き込み動作に移行する時、非同期CASクロックCASP_Aの提供を開始する。非同期CASクロックCASP_Aの初期周期は外部クロックCLKの周期よりも小さいので、制御回路120は非同期動作モードに移行する。第2カウンタ122は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて、擬似スタティックランダムアクセスメモリ100のデータへの書き込み回数のカウントを開始し、「0」の第2カウント値N_DWRを生成する。更に、クロックジェネレータ125は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供する。次に、第1カウンタ121及び第2カウンタ122は、カウントを持続する。第2カウント値N_DWRの増加速度は、第1カウント値N_DINの増加速度よりも速い。従って、時間t4では、第2カウント値N_DWRは、第1カウント値N_DINに等しい(N_DWR=N_DIN=8)。これは時間t4で、以前にラッチされたデータD00〜D08がすべて書き込まれることを意味する。コンパレータ123は、第1論理レベル(即ち、論理レベルロー)のモード信号ASYNCを提供する。注意すべきこととして、これは、非同期コントローラ124が書き込み動作(書き込み表示信号EN_WRが論理レベルハイである)において、第1論理レベルのモード信号ASYNCを最初に受け取った時、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させるということである。非同期コントローラ124は、第1論理レベルのモード信号ASYNCに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供しない。その後、第1カウント値N_DINが9に等しく、第2カウント値N_DWRが8に等しくなる時、モード信号ASYNCは、第1論理レベルから第2論理レベルに遷移される。この時、非同期コントローラ124は、非同期CASクロックCASP_Aを提供する。このように、非同期CASクロックCASP_Aの周期が外部クロックCLKの周期に徐々に調整され、それにより、非同期CASクロックCASP_Aが外部クロックCLKと同期する効果を達成する。時間t4以後、データD09〜D13のラッチ及び書き込みは、擬似スタティックランダムアクセスメモリがスタンバイ状態になるまで同期される。 Specifically, FIGS. 1 and 2 are referred to at the same time, and FIG. 2 is a timing chart of the writing operation according to the first embodiment. In this embodiment, the data DQ starts to be input at time t1. Further, the input display signal EN_DIN indicating that the data DQ has been input transitions from the logic level low to the logic level high. At time t2, the first data D00 begins to be latched, the first counter 121 starts counting the number of times the data DQ is latched based on the external clock CLK, and generates the first count value N_DIN of "0". At this time, since the second count value N_DWR has not been generated yet, the first count value N_DIN and the second count value N_DWR are different. Therefore, the comparator 123 begins to provide a second logic level (ie, logic level high) mode signal at time t2. Next, at time t3, the writing operation is started. The write display signal EN_WR indicating that the write operation is executed transitions from the logic level low to the logic level high. At time t3, when the asynchronous controller 124 shifts to the write operation, the provision of the asynchronous CAS clock CASP_A is started. Since the initial cycle of the asynchronous CAS clock CASP_A is smaller than the cycle of the external clock CLK, the control circuit 120 shifts to the asynchronous operation mode. The second counter 122 starts counting the number of writes to the data of the pseudo static random access memory 100 based on the asynchronous CAS clock CASP_A, and generates a second count value N_DWR of "0". Further, the clock generator 125 provides a CAS clock CASP based on the asynchronous CAS clock CASP_A. Next, the first counter 121 and the second counter 122 continue counting. The rate of increase of the second count value N_DWR is faster than the rate of increase of the first count value N_DIN. Therefore, at time t4, the second count value N_DWR is equal to the first count value N_DIN (N_DWR = N_DIN = 8). This means that at time t4, all previously latched data D00-D08 will be written. Comparator 123 provides a first logic level (ie, logic level low) mode signal ASYNC. It should be noted that this means that when the asynchronous controller 124 first receives the first logic level mode signal ASYNC in the write operation (write display signal EN_WR is logic level high), the write operation is taken from the asynchronous mode. It means to shift to the synchronous mode. The asynchronous controller 124 does not provide the asynchronous CAS clock CASP_A based on the first logic level mode signal ASYNC. After that, when the first count value N_DIN is equal to 9 and the second count value N_DWR is equal to 8, the mode signal ASYNC is transitioned from the first logic level to the second logic level. At this time, the asynchronous controller 124 provides the asynchronous CAS clock CASP_A. In this way, the period of the asynchronous CAS clock CASP_A is gradually adjusted to the period of the external clock CLK, thereby achieving the effect of synchronizing the asynchronous CAS clock CASP_A with the external clock CLK. After time t4, the latches and writes of the data D09 to D13 are synchronized until the pseudo-static random access memory is in the standby state.

述べておくべきこととして、制御回路120は、CASクロックCASPを提供するために、非同期モードにおいて、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供する。最初に第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRに等しくなる時、制御回路120は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに移行させ、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整し、CASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御経路を介して書き込み動作の同期モードと非同期モードを実行する必要をなくすことができる。 It should be mentioned that the control circuit 120 provides an asynchronous CAS clock CASP_A based on the CAS clock CASP in asynchronous mode to provide the CAS clock CASP. First, when the first count value N_DIN becomes equal to the second count value N_DWR, the control circuit 120 shifts the write operation from the asynchronous mode to the synchronous mode, and adjusts the period of the asynchronous CAS clock CASP_A to the period of the external clock. Provides a CAS clock. As described above, the present invention can eliminate the need to execute the synchronous mode and the asynchronous mode of the write operation via a plurality of control paths in the write operation.

次に、非同期コントローラの実施の細節を説明する。図1及び図3を同時に参照し、図3は、第1実施例に係る非同期コントローラ回路の回路概略図である。本実施例では、非同期コントローラ124は、タイミング調整部1242及び非同期判定部1244を含む。タイミング調整器1242は、クロックジェネレータ125に結合される。タイミング調整器1242は、CASクロックCASPを受信し、CASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルローの時間長を調整することに用いられる。非同期判定器1244はタイミング調整器1242及びクロックジェネレータ125に結合される。非同期決定器1244は、第2論理レベルのモード信号ASYNC及び書き込み動作に移行することに対応した書き込み表示信号EN_WRを受信する時、非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。 Next, the subsection of the implementation of the asynchronous controller will be described. 1 and 3 are referred to at the same time, and FIG. 3 is a schematic circuit diagram of an asynchronous controller circuit according to the first embodiment. In this embodiment, the asynchronous controller 124 includes a timing adjustment unit 1242 and an asynchronous determination unit 1244. The timing regulator 1242 is coupled to the clock generator 125. The timing regulator 1242 receives the CAS clock CASP and is used to adjust the logical level low time length of the asynchronous CAS clock CASP_A based on the CAS clock CASP. The asynchronous determiner 1244 is coupled to the timing regulator 1242 and the clock generator 125. The asynchronous determiner 1244 is used to provide the asynchronous CAS clock CASP_A when receiving the second logic level mode signal ASYNC and the write display signal EN_WR corresponding to the transition to the write operation.

本実施例では、タイミング調整器1242は、インバータN01、N02、遅延器D1、及びNANDゲートNAND1を含む。インバータN01の入力はクロックジェネレータ125に結合されてCASクロックCASPを受信する。遅延器D1の入力端は、出力端/インバータN01に結合される。NANDゲートNAND1の第1入力端は、インバータN01の出力端に結合され、NANDゲートNAND1の第2入力端は遅延装置D1の出力端に結合される。インバータN02の入力端は、NANDゲートNAND1の出力端に結合され、インバータN02の出力端は、非同期判定器1244に結合される。インバータN02の出力端は、非同期のCASクロックCASP_Aを出力することに用いられる。本実施例では、タイミング調整器1242は、遅延器D1の時間遅延設定によって、非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルローの時間長を決定することができる。 In this embodiment, the timing regulator 1242 includes inverters N01, N02, delayer D1, and NAND gate NAND1. The input of the inverter N01 is coupled to the clock generator 125 to receive the CAS clock CASP. The input end of the delay device D1 is coupled to the output end / inverter N01. The first input end of the NAND gate NAND1 is coupled to the output end of the inverter N01, and the second input end of the NAND gate NAND1 is coupled to the output end of the delay device D1. The input end of the inverter N02 is coupled to the output end of the NAND gate NAND1, and the output end of the inverter N02 is coupled to the asynchronous determiner 1244. The output end of the inverter N02 is used to output the asynchronous CAS clock CASP_A. In this embodiment, the timing regulator 1242 can determine the time length of the logical level low of the asynchronous CAS clock CASP_A by setting the time delay of the delay device D1.

非同期判定部1244は、NANDゲートNAND2及びインバータN03を含む。NANDゲートNAND2の第1入力端は、タイミング調整器1242のインバータN02に結合される。NANDゲートNAND1の第2入力端は、モード信号ASYNCを受信することに用いられる。NANDゲートNAND1の第3入力端は、書き込み表示信号EN_WRを受信することに用いられる。インバータN03の入力端は、NANDゲートNAND2の出力端に結合される。インバータN03の出力端は、非同期CASクロックCASP_Aを提供することに用いられる。非同期決定器1244は、論理レベルハイの書き込み表示信号EN_WR及び論理レベルハイのモード信号ASYNCを受信する時、非同期CASクロックCASP_Aを提供する。 The asynchronous determination unit 1244 includes a NAND gate NAND2 and an inverter N03. The first input end of the NAND gate NAND2 is coupled to the inverter N02 of the timing regulator 1242. The second input end of the NAND gate NAND1 is used to receive the mode signal ASYNC. The third input end of the NAND gate NAND1 is used to receive the write display signal EN_WR. The input end of the inverter N03 is coupled to the output end of the NAND gate NAND2. The output end of inverter N03 is used to provide the asynchronous CAS clock CASP_A. The asynchronous determiner 1244 provides an asynchronous CAS clock CASP_A when it receives the logic level high write display signal EN_WR and the logic level high mode signal ASYNC.

次に、クロックジェネレータの実施細節を説明する。図1、図3及び図4を同時に参照し、図4は、第1実施例によるクロックジェネレータの回路概略図である。本実施例では、クロックジェネレータ125は、インバータN04、N05、フリップフロップ1252及びタイミング調整器1254、1256を含む。インバータN04の入力は、非同期コントローラ124に結合され、非同期CASクロックCASP_Aを受信する。フリップフロップ1252のセット入力端/Sは、インバータN04の出力端に結合される。タイミング調整器1254の入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。インバータN05の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。インバータN05の出力端は、CASクロックCASPを提供することに用いられる。タイミング調整器1256の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。タイミング調整器1256の出力端は、フリップフロップ1252のリセット入力端/Rに結合される。タイミング調整部1256は、CASクロックCASPに基づいてフリップフロップ1252のリセットタイミングを調整することができる。本実施例のフリップフロップ1252は、例えば、複数のNANDからなるセットリセット(set−reset,SR)ラッチであることができるが、本発明はこれに限定するものではない。 Next, the implementation subsection of the clock generator will be described. With reference to FIGS. 1, 3 and 4 at the same time, FIG. 4 is a schematic circuit diagram of a clock generator according to the first embodiment. In this embodiment, the clock generator 125 includes inverters N04, N05, flip-flops 1252 and timing regulators 1254, 1256. The input of the inverter N04 is coupled to the asynchronous controller 124 and receives the asynchronous CAS clock CASP_A. The set input end / S of the flip-flop 1252 is coupled to the output end of the inverter N04. The input end of the timing regulator 1254 is coupled to the output end Q of the flip-flop 1252. The input end of the inverter N05 is coupled to the output end of the timing regulator 1254. The output end of the inverter N05 is used to provide the CAS clock CASP. The input end of the timing regulator 1256 is coupled to the output end of the timing regulator 1254. The output end of the timing regulator 1256 is coupled to the reset input end / R of the flip-flop 1252. The timing adjustment unit 1256 can adjust the reset timing of the flip-flop 1252 based on the CAS clock CASP. The flip-flop 1252 of the present embodiment can be, for example, a set-reset (SR) latch composed of a plurality of NANDs, but the present invention is not limited thereto.

更に、タイミング調整部1254は、遅延器D2、インバータN06及びNANDゲートNAND2を含む。遅延器D2の入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。インバータN06の入力端は、出力端の遅延器D2に結合される。NANDゲートNAND2の第1入力端は、フリップフロップ1252の出力端Qに結合される。NANDゲートNAND2の第2入力端は、インバータN06の出力端に結合される。NANDゲートNAND2の出力端は、インバータN05の入力に結合される。 Further, the timing adjustment unit 1254 includes a delay device D2, an inverter N06, and a NAND gate NAND2. The input end of the delay device D2 is coupled to the output end Q of the flip-flop 1252. The input end of the inverter N06 is coupled to the delay device D2 at the output end. The first input end of the NAND gate NAND2 is coupled to the output end Q of the flip-flop 1252. The second input end of the NAND gate NAND2 is coupled to the output end of the inverter N06. The output end of the NAND gate NAND2 is coupled to the input of the inverter N05.

本実施例では、非同期コントローラ124とクロックジェネレータ125の協調動作の下では、タイミング調整器1254は、遅延器D2の時間遅延設定によって、非同期CASクロックCASP_Aの論理レベルハイ(即ち、パルス幅)の時間長を決定することができる。更に、非同期タイミング調整器1242では、遅延器D1の時間遅延設定も、間接的にCASクロックCASPの論理レベルローの時間長を決定する。 In this embodiment, under the cooperative operation of the asynchronous controller 124 and the clock generator 125, the timing regulator 1254 sets the time of the logical level high (that is, the pulse width) of the asynchronous CAS clock CASP_A by setting the time delay of the delay device D2. The length can be determined. Further, in the asynchronous timing regulator 1242, the time delay setting of the delay device D1 also indirectly determines the time length of the logic level low of the CAS clock CASP.

タイミング調整器1256は、遅延器D3、インバータN07及びNANDゲートNAND3を含む。遅延器D3の入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。インバータN07の入力端は、出力端の遅延器D3に結合される。NANDゲートNAND3の第1入力端は、タイミング調整器1254の出力端に結合される。NANDゲートNAND3の第2入力端は、インバータN07の出力端に結合される。NANDゲートNAND3の出力端は、フリップフロップ1252のリセット入力端/Rに結合される。本実施例では、タイミング調整器1256は、CASクロックCASPの立ち下がりエッジにおける時間リセットフリップフロップ1252と見なされることができる。 The timing regulator 1256 includes a delayer D3, an inverter N07 and a NAND gate NAND3. The input end of the delayer D3 is coupled to the output end of the timing regulator 1254. The input end of the inverter N07 is coupled to the delay device D3 at the output end. The first input end of the NAND gate NAND3 is coupled to the output end of the timing regulator 1254. The second input end of the NAND gate NAND3 is coupled to the output end of the inverter N07. The output end of the NAND gate NAND3 is coupled to the reset input end / R of the flip-flop 1252. In this embodiment, the timing regulator 1256 can be considered as a time reset flip-flop 1252 at the falling edge of the CAS clock PASS.

CASクロックCASPの論理レベルローの時間長は、擬似スタティックランダムアクセスメモリのデータバス(data bus)に対してプリチャージを実行する時間長に関連し得る。従って、適切なプリチャージの時間長は、非同期コントローラ124内部の遅延器D1の時間遅延設定によって決定することができる。CASクロックCASPの論理レベルハイの時間長は、メモリセルからのデータ読み出し/メモリセルへの書き込み動作に必要な時間長に関連し得る。従って、適切な読み出し/書き込み時間は、クロックジェネレータ125内部の遅延器D2の時間遅延設定によって決定することができる。 The logical level low duration of the CAS clock CSP may be related to the duration of precharging the data bus (data bus) of the pseudo-static random access memory. Therefore, the appropriate precharge time length can be determined by the time delay setting of the delay device D1 inside the asynchronous controller 124. The logical level high time length of the CAS clock CASP may be related to the time length required for the data read / write operation from the memory cell. Therefore, the appropriate read / write time can be determined by the time delay setting of the delay device D2 inside the clock generator 125.

図1及び図5を同時に参照し、図5は、第1実施例による制御方法のフローチャートである。本実施例では、制御回路120は、ステップS510において、外部クロックCLKに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリ100に書き込まれたデータのラッチ回数をカウントし、第1カウント値N_DINを生成する。ステップS520において、第1カウント値N_DINを生成した後、制御回路120は、非同期モードでCASクロックCASPに基づいて非同期CASクロックCASP_Aを提供する。ステップS530において、制御回路120は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントし、第2カウント値N_DWRを生成する。制御回路120は、ステップS540において第1カウント値N_DINと第2カウント値N_DWRとを比較する。ステップS540において、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいか否かを判定する。制御回路120が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しくないと判定した場合、制御回路120は、非同期モードを維持し、ステップS550に移行する。ステップS550において、制御回路120は、非同期CASクロックCASP_Aに基づいてCASクロックCASPを提供する。ステップS540において、制御回路120が、第1カウント値N_DINが第2カウント値N_DWRと等しいと判定する場合、ステップS560に移行し、第1論理レベルのモード信号ASYNCを提供し、ステップS570に移行する。ステップS570では、制御回路120は、最初に提供された第1論理レベルのモード信号ASYNCに基づいて非同期モードから同期モードに移行し、非同期CASクロックCASP_Aの周期を外部クロックの周期に調整し、ステップS550に移行する。ステップS510〜S570の実施の細節は、前述の実施例で詳細に説明しているので、ここでは再度記載しない。 1 and 5 are referred to at the same time, and FIG. 5 is a flowchart of a control method according to the first embodiment. In this embodiment, the control circuit 120 counts the number of latches of the data written in the pseudo-static random access memory 100 based on the external clock CLK in step S510, and generates the first count value N_DIN. After generating the first count value N_DIN in step S520, the control circuit 120 provides the asynchronous CAS clock CASP_A based on the CAS clock CASSP in asynchronous mode. In step S530, the control circuit 120 counts the number of times the data written to the pseudo-static random access memory is written based on the asynchronous CAS clock CASP_A, and generates a second count value N_DWR. The control circuit 120 compares the first count value N_DIN with the second count value N_DWR in step S540. In step S540, it is determined whether or not the first count value N_DIN is equal to the second count value N_DWR. When the control circuit 120 determines that the first count value N_DIN is not equal to the second count value N_DWR, the control circuit 120 maintains the asynchronous mode and proceeds to step S550. In step S550, the control circuit 120 provides the CAS clock CASP based on the asynchronous CAS clock CASP_A. When the control circuit 120 determines in step S540 that the first count value N_DIN is equal to the second count value N_DWR, the process proceeds to step S560, the mode signal ASYNC of the first logic level is provided, and the process proceeds to step S570. .. In step S570, the control circuit 120 shifts from asynchronous mode to synchronous mode based on the first logic level mode signal ASYNC initially provided, adjusts the period of the asynchronous CAS clock CASP_A to the period of the external clock, and steps. Move to S550. The subsections of the steps S510 to S570 have been described in detail in the above embodiments and will not be described again here.

図6を参照し、図6は、本発明の第2実施例による制御回路の回路概略図である。本実施例では、制御回路620は、擬似スタティックランダムアクセスメモリのメモリアレイ(図示せず)の書き込み動作を制御するためにCASクロックCASPを提供することに用いられる。制御回路620は、第1カウンタ621、第2カウンタ622、コンパレータ623、非同期コントローラ624、クロックジェネレータ625、同期書き込みインジケータ626及び同期コントローラ627を含む。第1カウンタ621、第2カウンタ622、コンパレータ623及び非同期コントローラ624の間の協調動作の実施の細節は、第1実施例で十分に教示されているので、ここでは再度記載しない。本実施例では、同期書き込みインジケータ626は、擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間が擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定することに用いられる。同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間が第2初期時間よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供する。一方、同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間が第2初期時間よりも遅い又は等しいと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供しない。同期コントローラ627は、同期書き込みインジケータ626及びクロックジェネレータ625に結合され、同期コントローラ627は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて有効にされ、外部クロックCLKに基づいて同期CASクロックCASP_Sを提供することに用いられる。クロックジェネレータ625が同期CASクロックCASP_Sを受信する時、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。 With reference to FIG. 6, FIG. 6 is a schematic circuit diagram of a control circuit according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the control circuit 620 is used to provide a CAS clock CASP to control the write operation of a memory array (not shown) of a pseudo-static random access memory. The control circuit 620 includes a first counter 621, a second counter 622, a comparator 623, an asynchronous controller 624, a clock generator 625, a synchronous write indicator 626, and a synchronous controller 627. The subsections of the implementation of the coordinated operation between the first counter 621, the second counter 622, the comparator 623 and the asynchronous controller 624 are not described again here as they are well taught in the first embodiment. In this embodiment, the synchronous write indicator 626 determines whether the first initial time for the pseudo-static random access memory to execute the write operation is earlier than the second initial time for latching the data written to the pseudo-static random access memory. Is used to determine. When the synchronous write indicator 626 determines that the first initial time is earlier than the second initial time, it provides the synchronous write display signal SYNCWR. On the other hand, when the synchronous write indicator 626 determines that the first initial time is slower or equal to the second initial time, the synchronous write display signal SYNCWR is not provided. The synchronization controller 627 is coupled to the synchronization write indicator 626 and the clock generator 625, and the synchronization controller 627 is enabled based on the synchronization write display signal SYNCWR and used to provide the synchronization CAS clock CASP_S based on the external clock CLK. Be done. When the clock generator 625 receives the synchronous CAS clock CASP_S, it provides the CAS clock CASP based on the synchronous CAS clock CASP_S.

具体的には、図6と図7を同時に参照する。図7は、第2実施例に係る書き込み動作のタイミング図である。本実施例では、第1初期時間は、書き込み動作を行うことを示すための書き込み表示信号EN_WRが最初に論理レベルローから論理レベルハイに遷移する時間ti1である。第2初期時間は、データDQが入力されたことを示すための入力表示信号EN_DINが最初に論理レベルローから論理レベルハイに遷移する時間ti2である。同期書き込みコントローラ626が、第1初期時間(時間ti1)が第2初期時間(時間ti2)よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供する。本実施例では、同期書き込みインジケータ626は、更に第1カウンタ621及び第2カウンタ622に結合される。時間ti1が時間ti2よりも早い場合、第1カウンタ621は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて無効にされて第1カウント値N_DINの提供を停止し、第2カウンタ622は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて無効にされて第2カウント値N_DWRの提供を停止し、従って、コンパレータ623は、第2論理レベルのモード信号ASYNCを提供しない。これは、非同期コントローラ624が非同期CASクロックCASP_Aを提供することを不可能にする。また、同期コントローラ627は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づいて有効にされて同期CASクロックCASP_Sを提供し、これにより、CASクロックCASPを生成する。同期CASクロックCASP_Sの周期は、外部クロックCLKの周期に等しい。 Specifically, FIGS. 6 and 7 are referred to at the same time. FIG. 7 is a timing diagram of the writing operation according to the second embodiment. In this embodiment, the first initial time is the time ti1 at which the write display signal EN_WR for indicating that the write operation is performed first transitions from the logical level low to the logical level high. The second initial time is the time ti2 at which the input display signal EN_DIN for indicating that the data DQ has been input first transitions from the logic level low to the logic level high. When the synchronous write controller 626 determines that the first initial time (time ti1) is earlier than the second initial time (time ti2), it provides the synchronous write display signal SYNCWR. In this embodiment, the synchronous write indicator 626 is further coupled to the first counter 621 and the second counter 622. When the time ti1 is earlier than the time ti2, the first counter 621 is disabled based on the synchronous write display signal SYNCWR to stop providing the first count value N_DIN, and the second counter 622 stops providing the synchronous write display signal SYNCWR. The second count value N_DWR is disabled based on the above to stop providing the second count value N_DWR, and therefore the comparator 623 does not provide the second logic level mode signal ASYNC. This makes it impossible for the async controller 624 to provide the async CAS clock CASP_A. Further, the synchronization controller 627 is enabled based on the synchronization write display signal SYNCWR to provide the synchronization CAS clock CASP_S, thereby generating the CAS clock CASP. The period of the synchronous CAS clock CASP_S is equal to the period of the external clock CLK.

一方、同期書き込みインジケータ626が、第1初期時間(時間ti1)が第2初期時間(時間ti2)よりも早いと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供しない。同期書き込み表示信号SYNCWRが提供されない場合、第1カウンタ621は、第1カウント値N_DINを提供することができ、第2カウンタ622は第2カウント値N_DWRを提供することができ、同期コントローラ627は無効にされる。同期書き込み表示信号SYNCWRが提供されない場合の実施の細節に関しては、図1から図5の実施例において十分に教示されているので、ここでは再度記載しない。 On the other hand, when the synchronous write indicator 626 determines that the first initial time (time ti1) is earlier than the second initial time (time ti2), the synchronous write display signal SYNCWR is not provided. If the synchronous write display signal SYNCWR is not provided, the first counter 621 can provide the first count value N_DIN, the second counter 622 can provide the second count value N_DWR, and the synchronous controller 627 is invalid. Be made. The subsections of the implementation when the synchronous write display signal SYNCWR is not provided are not described again here because they are fully taught in the examples of FIGS. 1 to 5.

ここで述べておくこととして、第2実施例の制御回路620は、更に、上述の第1初期時間及び第2初期時間に基づいてデータDQが書き込まれ始める時間が、データDQがラッチされ始める時間よりも早いか否かを判定することができる。データDQが書き込まれ始める時間が、データDQがラッチされ始める時間よりも早い場合、制御回路620は、同期CASクロックCASP_Sを提供し、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。このようにして、データDQがラッチされるタイミングは、データDQが書き込まれるタイミングと同期し、データDQがラッチされるタイミングが、データDQが書き込まれるタイミングに追いつかない状況を生じることがない。 As mentioned here, in the control circuit 620 of the second embodiment, the time when the data DQ starts to be written based on the above-mentioned first initial time and the second initial time is the time when the data DQ starts to be latched. It can be determined whether or not it is faster than. If the time at which the data DQ begins to be written is earlier than the time at which the data DQ begins to be latched, the control circuit 620 provides the synchronous CAS clock CASP_S and provides the CAS clock CASP based on the synchronous CAS clock CASP_S. In this way, the timing at which the data DQ is latched is synchronized with the timing at which the data DQ is written, and the timing at which the data DQ is latched does not catch up with the timing at which the data DQ is written.

次に、同期コントローラの実施の細節を説明する。図6及び図8を同時に参照し、図8は、第2実施例に係る同期コントローラの回路概略図である。本実施例では、同期コントローラ627は、NANDゲートNAND4及びインバータN07を含む。NANDゲートNAND4の第1入力端は、外部クロックCLKを受信することに用いられる。NANDゲートNAND4の第2入力端は、入力表示信号EN_DINを受信することに用いられる。NANDゲートNAND4の第2入力端は、同期書き込みインジケータ626によって提供された同期書き込み表示信号SYNCWRを受信することに用いられる。インバータN07の入力端は、NANDゲートNAND4の出力端に結合される。インバータN07の出力端は、同期CASクロックCASP_Sをクロックジェネレータ625に提供することに用いられる。 Next, the implementation subsection of the synchronization controller will be described. 6 and 8 are referred to at the same time, and FIG. 8 is a schematic circuit diagram of the synchronization controller according to the second embodiment. In this embodiment, the synchronization controller 627 includes a NAND gate NAND4 and an inverter N07. The first input end of the NAND gate NAND4 is used to receive the external clock CLK. The second input end of the NAND gate NAND4 is used to receive the input display signal EN_DIN. The second input end of the NAND gate NAND4 is used to receive the synchronous write display signal SYNCWR provided by the synchronous write indicator 626. The input end of the inverter N07 is coupled to the output end of the NAND gate NAND4. The output end of the inverter N07 is used to provide the synchronous CAS clock CASP_S to the clock generator 625.

次に、クロックジェネレータの実施の細節を説明する。図6と図9を同時に参照し、図9は、第2実施例に係るクロックジェネレータの回路概略図である。本実施例では、クロックジェネレータ625は、インバータN08、N09、フリップフロップ6252及びタイミング調整器6254、6256、6258を含む。インバータN08の入力端は、非同期コントローラ624に結合されて非同期CASクロックCASP_Aを受信する。フリップフロップ6252の第1セット入力端/S1は、インバータN08の出力端に結合される。タイミング調整器6254の入力端は、フリップフロップ6252の出力端Qに結合される。タイミング調整器6254は、図4のタイミング調整器1254と同じであるか、又は図4のタイミング調整器1254に単純な変更を行ったものであり得る。インバータN09の入力端は、タイミング調整器6254の出力端に結合される。インバータN09の出力端は、CASクロックCASPを提供することに用いられる。タイミング調整器6256の入力端は、タイミング調整器6254の出力端に結合される。タイミング調整器6256の出力端は、フリップフロップ6252のリセット入力端/Rに結合される。タイミング調整器6256は、図4のタイミング調整器1254と同じであるか、又は図4のタイミング調整器1256に単純な変更を行ったものであり得る。タイミング調整部6256は、CASクロックCASPに基づいてフリップフロップ6252のリセットタイミングを調整することができる。タイミング調整器6258の入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。タイミング調整器6258の出力端は、フリップフロップ6252の第2セット入力端/S2に結合される。本実施例のフリップフロップ6252は、例えば、複数のNANDゲートからなるセットリセット(SR)ラッチであることができ、本発明はこれに限定するものではない。 Next, the subsection of the implementation of the clock generator will be described. 6 and 9 are referred to at the same time, and FIG. 9 is a schematic circuit diagram of a clock generator according to a second embodiment. In this embodiment, the clock generator 625 includes inverters N08, N09, flip-flops 6252 and timing regulators 6254, 6256, 6258. The input end of the inverter N08 is coupled to the asynchronous controller 624 to receive the asynchronous CAS clock CASP_A. The first set input end / S1 of the flip-flop 6252 is coupled to the output end of the inverter N08. The input end of the timing regulator 6254 is coupled to the output end Q of the flip-flop 6252. The timing regulator 6254 may be the same as the timing regulator 1254 of FIG. 4, or it may be a simple modification of the timing regulator 1254 of FIG. The input end of the inverter N09 is coupled to the output end of the timing regulator 6254. The output end of inverter N09 is used to provide the CAS clock CASP. The input end of the timing regulator 6256 is coupled to the output end of the timing regulator 6254. The output end of the timing regulator 6256 is coupled to the reset input end / R of the flip-flop 6252. The timing regulator 6256 may be the same as the timing regulator 1254 of FIG. 4, or it may be a simple modification of the timing regulator 1256 of FIG. The timing adjustment unit 6256 can adjust the reset timing of the flip-flop 6252 based on the CAS clock CASP. The input end of the timing regulator 6258 is coupled to the synchronization controller 627 to receive the synchronization CAS clock CASP_S. The output end of the timing regulator 6258 is coupled to the second set input end / S2 of the flip-flop 6252. The flip-flop 6252 of the present embodiment can be, for example, a set reset (SR) latch composed of a plurality of NAND gates, and the present invention is not limited thereto.

タイミング調整器6258は、遅延器D4、インバータN10及びNANDゲートNAND5を含む。遅延器D4の入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。インバータN10の入力端は、遅延器D4の出力端に結合される。NANDゲートNAND5の第1入力端は、同期コントローラ627に結合されて同期CASクロックCASP_Sを受信する。NANDゲートNAND2の第2入力端は、インバータN10の出力端に結合される。NANDゲートNAND2の出力端は、フリップフロップ6252の第2セット入力端/S2に結合される。 The timing regulator 6258 includes a delayer D4, an inverter N10 and a NAND gate NAND5. The input end of the delay device D4 is coupled to the synchronization controller 627 to receive the synchronization CAS clock CASP_S. The input end of the inverter N10 is coupled to the output end of the delay device D4. The first input end of the NAND gate NAND 5 is coupled to the synchronization controller 627 to receive the synchronization CAS clock CASP_S. The second input end of the NAND gate NAND2 is coupled to the output end of the inverter N10. The output end of the NAND gate NAND2 is coupled to the second set input end / S2 of the flip-flop 6252.

図6と図10を同時に参照し、図10は、第2実施例に係る制御方法のフローチャートである。本実施例では、制御回路は、ステップS1010において、擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間と、擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間とを受け取る。制御回路620は、ステップS1020において、第1初期時間が第2初期時間よりも早いか否かを判定する。第1初期時間が第2初期時間よりも早いと判定する場合、制御回路620は、同期書き込み表示信号SYNCWRを出力し、ステップS1030に移行する。ステップS1030において、制御回路620は、同期書き込み表示信号SYNCWRに基づき、外部クロックに基づいて同期CASクロックCASP_Sを提供する。次に、ステップS1040において、同期CASクロックCASP_Sに基づいてCASクロックCASPを提供する。ステップS1010〜S1040の実施の細節は、前述の実施例において詳細に説明しているので、ここでは再度記載しない。一方、制御回路620がステップS1020において第1初期時間が第2初期時間よりも遅い又は等しいと判定する場合、同期書き込み表示信号SYNCWRを提供せず、図5のステップS510に移行する。制御回路620がステップS510に移行した後、制御回路620の制御方法は、図1の制御回路120の制御方法と同じになる(ステップS510〜S570)。 6 and 10 are referred to at the same time, and FIG. 10 is a flowchart of a control method according to a second embodiment. In this embodiment, in step S1010, the control circuit receives a first initial time in which the pseudo-static random access memory executes a write operation and a second initial time in which the data written in the pseudo-static random access memory is latched. .. The control circuit 620 determines in step S1020 whether or not the first initial time is earlier than the second initial time. When it is determined that the first initial time is earlier than the second initial time, the control circuit 620 outputs the synchronous write display signal SYNCWR and proceeds to step S1030. In step S1030, the control circuit 620 provides the synchronous CAS clock CASP_S based on the synchronous write display signal SYNCWR and based on the external clock. Next, in step S1040, a CAS clock CASP is provided based on the synchronous CAS clock CASP_S. The subsections of the implementation of steps S101 to S1040 have been described in detail in the above embodiments and will not be described again here. On the other hand, when the control circuit 620 determines in step S1020 that the first initial time is slower or equal to the second initial time, the synchronous write display signal SYNCWR is not provided, and the process proceeds to step S510 of FIG. After the control circuit 620 shifts to step S510, the control method of the control circuit 620 becomes the same as the control method of the control circuit 120 of FIG. 1 (steps S510 to S570).

上記を総合し、本発明の制御回路及び制御方法は、外部クロックに基づいてデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成し、非同期CASクロックに基づいてデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、第1カウント値と第2カウント値とを比較する。制御回路及び制御方法は、非同期モードでCASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供し、CASクロックを提供する。第1カウント値が第1回発生する第2カウント値と等しい場合、制御回路及び制御方法は、書き込み動作を非同期モードから同期モードに変更し、非同期CASクロックの周期を外部クロックの周期に調整し、CASクロックを提供する。このように、本発明は、書き込み動作において、複数の制御パスを介して書き込み動作の同期モードと非同期モードとを実行するする必要がない。また、本発明の制御回路及び制御方法は、更に、データを書き込まれ始める時間がデータをラッチし始める時間よりも早いか否かを判定することができる。データが書き込まれ始める時間が、データがラッチされる時間よりも早い場合、制御回路及び制御方法は、同期CASクロックを提供し、同期CASクロックに基づいてCASクロックを提供する。このように、データがラッチされるタイミングとデータが書き込まれるタイミングとが同期し、データがラッチされるタイミングが、データが書き込まれるタイミングに追いつかない状況を生じることがない。 Integrating the above, the control circuit and control method of the present invention counts the number of times data is latched based on an external clock to generate a first count value, and counts the number of times data is written based on an asynchronous CAS clock. A second count value is generated, and the first count value and the second count value are compared. The control circuit and control method provide an asynchronous CAS clock based on the CAS clock in asynchronous mode and provide a CAS clock. When the first count value is equal to the second count value generated the first time, the control circuit and the control method change the write operation from the asynchronous mode to the synchronous mode, and adjust the period of the asynchronous CAS clock to the period of the external clock. , Provides a CAS clock. As described above, in the writing operation, it is not necessary to execute the synchronous mode and the asynchronous mode of the writing operation via a plurality of control paths. In addition, the control circuit and control method of the present invention can further determine whether or not the time at which data is started to be written is earlier than the time at which data is started to be latched. If the time at which the data begins to be written is earlier than the time at which the data is latched, the control circuit and control method will provide a synchronous CAS clock and will provide a CAS clock based on the synchronous CAS clock. In this way, the timing at which the data is latched and the timing at which the data is written are synchronized, and the timing at which the data is latched does not catch up with the timing at which the data is written.

本発明は、上記のように実施例を開示したが、それは本発明を限定するためのものではなく、当業者は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、いくらかの変更及び修飾を行うことができ、故に本発明の保護範囲は、後述の特許請求の範囲が定義するものを基準とする。 The present invention discloses examples as described above, but it is not intended to limit the present invention, and those skilled in the art will make some modifications and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention. Therefore, the scope of protection of the present invention is based on what is defined by the scope of claims described later.

本発明は、疑似スタティックランダムアクセスメモリ及び制御方法に関する。制御回路及び制御方法は、非同期モードの書き込み動作及び同期モードの書き込み動作を支援できる。 The present invention relates to a pseudo-static random access memory and a control method. The control circuit and control method can support the write operation in the asynchronous mode and the write operation in the synchronous mode.

100 疑似スタティックランダムアクセスメモリ
110 メモリアレイ、
120、620 制御回路
121、621 第1カウンタ
122、622 第2カウンタ
123、623 コンパレータ
124、624 非同期コントローラ
1242、1254、1256、6254、6256、6258 タイミング調整器
1244 非同期判定器
125、625 クロックジェネレータ
1252、6252 フリップフロップ
626 同期書き込みインジケータ
627 同期コントローラ
ASYNC モード信号
CASP CASクロック
CASP_A 非同期CASクロック
CASP_S 同期CASクロック
CLK 外部クロック
D1、D2、D3、D4 遅延器
DQ、D00〜D13 データ
EN_DIN 入力表示信号
EN_WR 書き込み表示信号
N01、N02、N03、N04、N05、N06、N07、N08、N09、N10 インバータ
NAND1、NAND2、NAND3、NAND4、NAND5 NANDゲート
N_DIN 第1カウント値
N_DWR 第2カウント値
Q 出力端
/R リセット入力端
/S セット入力端
/S1 第1セット入力端
/S2 第2セット入力端
S510〜S570 ステップ
S1010〜S1040 ステップ
SYNCWR 同期書き込み表示信号
t1、t2、t3、t4、ti1、ti2 時間
100 Pseudo-Static Random Access Memory 110 Memory Array,
120, 620 Control circuit 121, 621 1st counter 122, 622 2nd counter 123, 623 Comparer 124, 624 Asynchronous controller 1242, 1254, 1256, 6254, 6256, 6258 Timing adjuster 1244 Asynchronous judge 125, 625 Clock generator 1252 , 6252 Flip-flop 626 Synchronous write indicator 627 Synchronous controller ASYNC mode signal CASP CAS clock CASP_A Asynchronous CAS clock CASP_S Synchronous CAS clock CLK External clock D1, D2, D3, D4 Delayer DQ, D00 to D13 Data EN_DIN Input display signal EN_WR Write display Signals N01, N02, N03, N04, N05, N06, N07, N08, N09, N10 Inverter NAND1, NAND2, NAND3, NAND4, NAND5 NAND gate N_DIN 1st count value N_DWR 2nd count value Q Output end
/ R reset input end
/ S set input end
/ S1 1st set input end
/ S2 2nd set input terminal S510-S570 Step S101-1040 Step SYNCWR Synchronous write display signal t1, t2, t3, t4, ti1, ti2 time

Claims (14)

擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用される制御回路であって、前記制御回路は、
外部クロックに基づいて擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成することに用いられる第1カウンタと、
非同期CASクロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成することに用いられ、前記非同期CASクロックの初期周期が前記外部クロックの周期よりも小さい第2カウンタと、
前記第1カウンタ及び前記第2カウンタに結合され、前記第1カウント値と前記第2カウント値とを比較し、前記第1カウント値が前記第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供し、記第1カウント値が前記第2カウント値と等しくない時、第2論理レベルの前記モード信号を提供し、前記第2論理レベルは、前記第1論理レベルと異なるコンパレータと、
前記コンパレータ及び前記第2カウンタに結合され、書き込み動作において前記モード信号及びCASクロックを受信し、非同期モードにおいてCASクロックに基づいて前記非同期CASクロックを提供することに用いられ、最初に前記第1論理レベルの前記モード信号を受信する時、前記書き込み動作は、前記非同期モードから同期モードに移行し、前記第1論理レベルが前記第2論理レベルに遷移したとき、前記同期CASクロックを提供することで、徐々に非同期CASクロックの周期を前記外部クロックの周期に調整し、最初に前記第2論理レベルの前記モード信号を受信する時、前記書き込み動作に移行する時に前記非同期CASクロックを提供し始める非同期コントローラと、
前記非同期コントローラに結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供することに用いられるクロックジェネレータと、
を含む制御回路。
A control circuit applied to a pseudo-static random access memory, wherein the control circuit is
A first counter used to count the number of latches of data written to a pseudo-static random access memory based on an external clock and generate a first count value, and
It is used to count the number of writes of data written to the pseudo-static random access memory based on the asynchronous CAS clock to generate a second count value, and the initial cycle of the asynchronous CAS clock is from the cycle of the external clock. With a small second counter,
Combined with the first counter and the second counter, the first count value is compared with the second count value, and when the first count value is equal to the second count value, the mode of the first logic level. When a signal is provided and the first count value is not equal to the second count value, the mode signal of the second logic level is provided, and the second logic level is a comparator different from the first logic level.
Coupled with the comparator and the second counter, it is used to receive the mode signal and the CAS clock in the write operation and to provide the asynchronous CAS clock based on the CAS clock in the asynchronous mode, first the first logic. when receiving the mode signal of level, the write operation is shifted from the asynchronous mode to the synchronous mode, when the first logic level transitions to the second logic level, to provide the non-synchronous CAS clock Then, the cycle of the asynchronous CAS clock is gradually adjusted to the cycle of the external clock, and when the mode signal of the second logic level is first received and when the write operation is started, the asynchronous CAS clock is started to be provided. Asynchronous controller and
A clock generator coupled to the asynchronous controller and used to provide the CAS clock based on the asynchronous CAS clock.
Control circuit including.
前記非同期コントローラが、
前記クロックジェネレータから前記CASクロックを受信し、前記CASクロックに基づいて非同期CASクロックの論理レベルローの時間長を調整することに用いられる第1タイミング調整器と、
前記第1タイミング調整器の出力を受信し、外部からの前記第2論理レベルの前記モード信号及び前記書き込み動作に移行することに対応した書き込みイネーブル信号を受信する時、前記非同期CASクロックを前記クロックジェネレータに提供することに用いられる非同期判定器と、
を含む請求項1に記載の制御回路。
The asynchronous controller
A first timing regulator used to receive the CAS clock from the clock generator and adjust the logical level low time length of the asynchronous CAS clock based on the CAS clock.
When the output of the first timing regulator is received and the mode signal of the second logic level and the write enable signal corresponding to the transition to the write operation are received from the outside, the asynchronous CAS clock is changed to the clock. Asynchronous determiner used to provide to the generator and
The control circuit according to claim 1.
前記第1タイミング調整器は、
入力端が前記クロックジェネレータに結合されてCASクロックを受信する第1インバータと、
入力端が前記第1インバータの出力端に結合される遅延器と、
第1入力端が前記第1インバータの出力端に結合され、第2入力端が前記遅延器の出力端に結合されるNANDゲートと、
入力端が前記NANDゲートの出力端に結合され、出力端が前記非同期判定器に結合される第2インバータと、
を含み、
前記遅延器の時間遅延設定によって、前記非同期CASクロックの論理レベルローの時間長を決定する請求項2に記載の制御回路。
The first timing adjuster
A first inverter whose input end is coupled to the clock generator to receive the CAS clock,
A delay device whose input end is coupled to the output end of the first inverter,
A NAND gate in which the first input end is coupled to the output end of the first inverter and the second input end is coupled to the output end of the delayer.
A second inverter whose input end is coupled to the output end of the NAND gate and whose output end is coupled to the asynchronous determination device.
Including
The control circuit according to claim 2, wherein the time length of the logical level low of the asynchronous CAS clock is determined by the time delay setting of the delay device.
前記クロックジェネレータが、
入力端が前記非同期コントローラに結合されて前記非同期CASクロックを受信する第1インバータと、
セット入力端が前記第1インバータの出力端に結合されるフリップフロップと、
遅延器を有し、入力端が前記フリップフロップの出力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて、前記遅延器の時間遅延設定によって、前記CASクロックの論理レベルハイの時間長を調整することに用いられ、出力端が調製結果を出力する第1タイミング調整器と、
入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端がCASクロックを提供することに用いられる第2インバータと、
入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記フリップフロップのリセット入力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記フリップフロップのリセットのタイミングを調整することに用いられる第2タイミング調整器と、
を含む請求項1に記載の制御回路。
The clock generator
A first inverter whose input end is coupled to the asynchronous controller and receives the asynchronous CAS clock,
A flip-flop whose set input end is coupled to the output end of the first inverter,
Having a delayer, the input end is coupled to the output end of the flip-flop, and the time length of the logical level high of the CAS clock is adjusted by the time delay setting of the delayer based on the asynchronous CAS clock. The first timing adjuster, which is used for the output end and outputs the preparation result,
A second inverter in which the input end is coupled to the output end of the first timing regulator and the output end is used to provide a CAS clock.
The input end is coupled to the output end of the first timing regulator, the output end is coupled to the reset input end of the flip-flop, and used to adjust the reset timing of the flip-flop based on the asynchronous CAS clock. 2nd timing adjuster and
The control circuit according to claim 1.
更に、
前記擬似スタティックランダムアクセスメモリが書き込み動作を実行する第1初期時間が、前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定し、
前記第1初期時間が前記第2初期時間よりも早いと判定する時、同期書き込み表示信号を提供することに用いられる同期書き込みインジケータと、
前記同期書き込みインジケータ及び前記クロックジェネレータに結合され、前記同期書き込み表示信号に基づき、前記外部クロックに基づいて同期CASクロックを提供することに用いられる同期コントローラと、
を含む請求項1に記載の制御回路。
In addition
It is determined whether or not the first initial time for the pseudo-static random access memory to execute the write operation is earlier than the second initial time for latching the data written in the pseudo-static random access memory.
A synchronous write indicator used to provide a synchronous write display signal when it is determined that the first initial time is earlier than the second initial time.
A synchronous controller coupled to the synchronous write indicator and the clock generator and used to provide a synchronous CAS clock based on the external clock based on the synchronous write display signal.
The control circuit according to claim 1.
前記第1カウンタは、前記同期書き込み表示信号に基づいて無効にされて前記第1カウント値の提供を停止し、前記第2カウンタは、前記同期書き込み表示信号に基づいて無効にされて前記第2カウント値の提供を停止し、前記コンパレータに前記第1論理レベルの前記モード信号を提供させる請求項5に記載の制御回路。 The first counter is disabled based on the synchronous write display signal to stop providing the first count value, and the second counter is disabled based on the synchronous write display signal to stop providing the first count value. The control circuit according to claim 5, wherein the provision of the count value is stopped and the comparator is provided with the mode signal of the first logic level. 前記クロックジェネレータは、前記同期書き込み表示信号が提供される時、前記同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供することに用いられる請求項5に記載の制御回路。 The control circuit according to claim 5, wherein the clock generator is used to provide the CAS clock based on the synchronous CAS clock when the synchronous write display signal is provided. 前記クロックジェネレータは、
入力端が前記非同期コントローラに結合されて前記非同期CASクロックを受信する第1インバータと、
第1セット入力端が前記第1インバータの出力端に結合されるフリップフロップと、
遅延器を有し、入力端が前記フリップフロップの出力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて、前記遅延器の時間遅延設定によって、前記CASクロックの論理レベルハイの時間長を調整することに用いられ、出力端が調製結果を出力する第1タイミング調整器と、
入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記CASクロックを提供することに用いられる第2インバータと、
入力端が前記第1タイミング調整器の出力端に結合され、出力端が前記フリップフロップのリセット入力端に結合され、前記非同期CASクロックに基づいて前記フリップフロップのリセットのタイミングを調整することに用いられる第2タイミング調整器と、
入力端が前記同期コントローラに結合されて前記同期CASクロックを受信し、出力端が前記フリップフロップの第2セット入力端に結合される第3タイミング調整器と、
を含む請求項5に記載の制御回路。
The clock generator
A first inverter whose input end is coupled to the asynchronous controller and receives the asynchronous CAS clock,
A flip-flop in which the input end of the first set is coupled to the output end of the first inverter,
Having a delayer, the input end is coupled to the output end of the flip-flop, and the time length of the logical level high of the CAS clock is adjusted by the time delay setting of the delayer based on the asynchronous CAS clock. The first timing adjuster, which is used for the output end and outputs the preparation result,
A second inverter in which the input end is coupled to the output end of the first timing regulator and the output end is used to provide the CAS clock.
The input end is coupled to the output end of the first timing regulator, the output end is coupled to the reset input end of the flip-flop, and used to adjust the reset timing of the flip-flop based on the asynchronous CAS clock. 2nd timing adjuster and
A third timing regulator whose input end is coupled to the sync controller to receive the synchronous CAS clock and whose output end is coupled to the second set input end of the flip-flop.
The control circuit according to claim 5.
擬似スタティックランダムアクセスメモリに適用され、前記擬似スタティックランダムアクセスメモリの制御回路により実行される制御方法であって、該制御方法は、
外部クロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータのラッチ回数をカウントして第1カウント値を生成するステップと、
非同期モードでCASクロックに基づいて非同期CASクロックを提供するステップと、
非同期CASクロックに基づいて前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータの書き込み回数をカウントして第2カウント値を生成し、非同期CASクロックの初期周期は、前記外部クロックの周期よりも小さいものであるステップと、
前記第1カウント値と前記第2カウント値とを比較し、前記第1カウント値が前記第2カウント値に等しい時、第1論理レベルのモード信号を提供し、前記第1カウント値が前記第2カウント値と等しくない時、第2論理レベルの前記モード信号を提供することを含み、前記第2論理レベルは、前記第1論理レベルと異なるステップと、
最初に提供された前記第1論理レベルのモード信号に基づいて前記書き込み動作を前記非同期モードから同期モードに移行し、前記第1論理レベルが前記第2論理レベルに遷移したとき、前記同期CASクロックを提供することで、徐々に前記非同期CASクロックの周期を前記外部クロックの周期に調整するステップと、
前記非同期CASクロックに基づき、前記CASクロックを提供するステップと、
最初に前記第2論理レベルの前記モード信号が提供される時、前記書き込み動作に移行する時に前記非同期CASクロックを提供し始めるステップと、を含む制御方法。
A control method applied to a pseudo-static random access memory and executed by a control circuit of the pseudo-static random access memory.
A step of counting the number of latches of data written to the pseudo-static random access memory based on an external clock to generate a first count value, and
Providing a non-synchronous CAS clock based on the CAS clock in asynchronous mode,
A second count value is generated by counting the number of times the data written to the pseudo-static random access memory is written based on the asynchronous CAS clock, and the initial cycle of the asynchronous CAS clock is smaller than the cycle of the external clock. With a certain step
The first count value is compared with the second count value, and when the first count value is equal to the second count value, a mode signal of the first logic level is provided, and the first count value is the first count value. The second logic level comprises providing the mode signal of the second logic level when it is not equal to the two count values, the second logic level being a step different from the first logic level.
First the write operation based on the first logic level of the mode signal provided shifted to synchronous mode from the asynchronous mode, when the first logic level transitions to the second logic level, the non-synchronous CAS By providing a clock, a step of gradually adjusting the period of the asynchronous CAS clock to the period of the external clock, and
Based on the asynchronous CAS clock, the step of providing the CAS clock and
A control method comprising first providing the asynchronous CAS clock when transitioning to the write operation when the mode signal of the second logic level is provided.
前記非同期モードが前記CASクロックに基づいて前記非同期CASクロックを提供するステップは、
制御回路がタイミング調整器を介し、前記CASクロックを受信し、前記CASクロックに基づいて前記非同期CASクロックの論理レベルローの時間長を調整することと、
制御回路が非同期判定器を介し、前記第2論理レベルの前記モード信号及び前記書き込み動作に移行することに対応した書き込みイネーブル信号を受信する時、前記非同期CASクロックを提供することと、
を含む請求項9に記載の制御方法。
The step in which the asynchronous mode provides the asynchronous CAS clock based on the CAS clock is
The control circuit receives the CAS clock via the timing regulator and adjusts the logical level low time length of the asynchronous CAS clock based on the CAS clock.
When the control circuit receives the mode signal of the second logic level and the write enable signal corresponding to the transition to the write operation via the asynchronous determiner, the asynchronous CAS clock is provided.
9. The control method according to claim 9.
前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供するステップは、
前記非同期CASクロックに基づいて前記CASクロックの論理レベルハイの時間長を調整することを含む請求項9に記載の制御方法。
The step of providing the CAS clock based on the asynchronous CAS clock is
The control method according to claim 9, wherein the time length of the logical level high of the CAS clock is adjusted based on the asynchronous CAS clock.
前記擬似スタティックランダムアクセスメモリが前記書き込み動作を実行する第1初期時間が、前記擬似スタティックランダムアクセスメモリに書き込まれたデータをラッチする第2初期時間よりも早いか否かを判定するステップと、
前記第1初期時間が前記第2初期時間よりも早いと判定する時、同期書き込み表示信号を提供するステップと、
前記同期書き込み表示信号に基づき、前記外部クロックに基づいて同期CASクロックを提供するステップと、
更に含む請求項9に記載の制御方法。
A step of determining whether or not the first initial time for the pseudo-static random access memory to execute the write operation is earlier than the second initial time for latching the data written in the pseudo-static random access memory.
When it is determined that the first initial time is earlier than the second initial time, the step of providing the synchronous write display signal and
A step of providing a synchronous CAS clock based on the external clock based on the synchronous write display signal, and
The control method according to claim 9, further comprising.
前記同期書き込み表示信号に基づいて前記第1カウント値の提供を停止し、前記同期書き込み表示信号に基づいて前記第2カウント値の提供を停止し、前記第1論理レベルの前記モード信号を提供するステップを更に含む請求項12に記載の制御方法。 The provision of the first count value is stopped based on the synchronous write display signal, the provision of the second count value is stopped based on the synchronous write display signal, and the mode signal of the first logic level is provided. The control method according to claim 12, further comprising a step. 前記同期書き込み表示信号が提供される時、前記同期CASクロックに基づいて前記CASクロックを提供するステップを更に含む請求項12に記載の制御方法。
The control method according to claim 12, further comprising a step of providing the CAS clock based on the synchronous CAS clock when the synchronous write display signal is provided.
JP2019029733A 2019-02-21 2019-02-21 Pseudo-static random access memory control circuit and control method Active JP6871286B2 (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019029733A JP6871286B2 (en) 2019-02-21 2019-02-21 Pseudo-static random access memory control circuit and control method
CN201910232024.2A CN111599395B (en) 2019-02-21 2019-03-26 Control circuit and control method for pseudo static random access memory
KR1020190037037A KR102196677B1 (en) 2019-02-21 2019-03-29 Control circuit and control method for pseudo static random access memory

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019029733A JP6871286B2 (en) 2019-02-21 2019-02-21 Pseudo-static random access memory control circuit and control method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2020135912A JP2020135912A (en) 2020-08-31
JP6871286B2 true JP6871286B2 (en) 2021-05-12

Family

ID=72191965

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019029733A Active JP6871286B2 (en) 2019-02-21 2019-02-21 Pseudo-static random access memory control circuit and control method

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6871286B2 (en)
KR (1) KR102196677B1 (en)
CN (1) CN111599395B (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005222581A (en) * 2004-02-03 2005-08-18 Renesas Technology Corp Semiconductor memory device
TWI259466B (en) * 2005-03-16 2006-08-01 Winbond Electronics Corp Circuitry and method for adjusting signal length
US8239658B2 (en) * 2006-02-21 2012-08-07 Cypress Semiconductor Corporation Internally derived address generation system and method for burst loading of a synchronous memory
JP5262246B2 (en) * 2008-03-31 2013-08-14 富士通セミコンダクター株式会社 Semiconductor memory device and memory system
EP3271821B1 (en) * 2015-09-17 2021-07-28 Hewlett Packard Enterprise Development LP Memory store error check
JP6476325B1 (en) * 2018-02-01 2019-02-27 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. Pseudo SRAM and control method thereof

Also Published As

Publication number Publication date
CN111599395A (en) 2020-08-28
KR102196677B1 (en) 2020-12-31
KR20200102890A (en) 2020-09-01
CN111599395B (en) 2022-07-19
JP2020135912A (en) 2020-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5228468B2 (en) System device and method of operating system device
JP5011485B2 (en) Semiconductor memory device
US7489172B2 (en) DLL driver control circuit
JP4284527B2 (en) Memory interface control circuit
JP5642524B2 (en) Semiconductor device
JP5098391B2 (en) Semiconductor memory, system, and operation method of semiconductor memory
US7495973B2 (en) Circuit and method for controlling write recovery time in semiconductor memory device
JP4717373B2 (en) Semiconductor memory
US7657800B2 (en) Semiconductor memory device and method of performing a memory operation
JP2002015570A (en) Semiconductor memory
KR20070036560A (en) Dll clock driver controller
JP6871286B2 (en) Pseudo-static random access memory control circuit and control method
US10643689B1 (en) Control circuit and control method for pseudo static random access memory
JP2009117020A (en) Semiconductor memory device
US10957378B1 (en) Control circuit and control method thereof for pseudo static random access memory
TWI694442B (en) Control circuit and control method for pseudo static random access memory
JP2006228342A (en) Semiconductor storage device
JP6874097B1 (en) Control circuit used for pseudo SRAM and its control method
US7952957B2 (en) Circuit for generating read and signal and circuit for generating internal clock using the same
KR102265513B1 (en) Control circuit and control method thereof for pseudo static random access memory
CN112992222B (en) Control circuit applied to pseudo-static random access memory and control method thereof
TWI709964B (en) Control circuit and control method thereof for pseudo static random access memory
JP6999791B1 (en) Semiconductor storage device
JP2006012357A (en) Memory device
KR20020057689A (en) Semiconductor memory device with a precharge control circuit

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190221

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200414

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200706

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210312

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210406

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210415

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6871286

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150