JP6865067B2 - マグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置 - Google Patents
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Description
本発明は、真空昇華法によるマグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置に関する。
近年の半導体素子の製造においては、高純度材料の需要が高まっている。例えば、青色レーザーダイオード等の半導体素子の製造には、材料として用いるマグネシウム金属材料に含まれる不純物の量が品質に大きく影響するため、高純度のマグネシウム金属が必要となる。マグネシウム金属材料に含まれる不純物は、一般に、ケイ素（Ｓｉ）、マンガン（Ｍｎ）、硫黄（Ｓ〉、リン（Ｐ〉、アルミニウム（Ａｌ）、塩素（Ｃｌ）、ナトリウム（Ｎａ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アンチモン（Ｓｂ）、カリウム（Ｋ）、フッ素（Ｆ）、ヒ素（Ａｓ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、ガリウム（Ｇａ）、リチウム（Ｌｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、ホウ素（Ｂ）が含まれている。これ以外にもマグネシウム金属材料には、亜鉛（Ｚｎ）が含まれているが、このマグネシウム金属材料を半導体材料として用いる場合には、１００ｐｐｍ以下の亜鉛は、使用に問題とされないため、１００ｐｐｍ以下の亜鉛は、不純物として扱われないことが多い。
従来では、マグネシウム金属材料に含まれる不純物を低減し、マグネシウム金属の高純度化を図るために、種々のマグネシウム精製方法が採用されていた。マグネシウム精製方法には、例えば、ゾーンメルティング法や、電気精錬法、熱循環法、熱還元法、蒸留法などを拳げることができる。
例えば、特許文献１には、マグネシウム原料を真空蒸留してマグネシウムを精製する方法が示されている。この精製方法では、原料るつぼに装入されたマグネシウム原料を温度６００℃〜８００℃、真空度１×１０−２〜１×１０−３Ｔｏｒｒで真空蒸留することにより、蒸発させたマグネシウムを原料るつぼ上方で凝縮させ、原料るつぼ下方の回収鋳型に回収してインゴットとし、さらに凝縮後のガスを回収鋳型の下方で冷却して固化するマグネシウムの精製方法が開示されている。
また、特許文献２には、金属精製方法が示されている。この金属精製方法では、真空雰囲気中において、原料るつぼ内のマグネシウム原料を加熱してマグネシウムの蒸気を発生させる第１工程、通気孔が穿設され複数枚重設された凝縮用通気路板によって形成された凝縮用通気路内に蒸気を導き、蒸気の一部を凝縮させ不純物含有量が高濃度の凝縮溶体を生成させる第２工程、凝縮用通気路を通過した蒸気を固化用るつぼ内に導き、冷却して蒸気中から高純度のマグネシウムを固化させる第３工程及び凝縮溶体を原料るつぼ内に繰り返す第４工程を有することが開示されている。
しかしながら、特許文献１及び特許文献２に開示されたマグネシウムを精製する方法では、いずれもマグネシウム原料が収容された原料るつぼをヒーター（電気炉）で加熱し、マグネシウムの蒸気を発生させる。この際、マグネシウム原料は、ヒーターにより加熱された原料るつぼからの熱伝導と一部の輻射熱とにより加熱されるため、当該マグネシウム原料を設定温度にまで加熱するために、多大な時間を要し、精製効率が悪いという問題がある。
また、ヒーターにより外部から原料るつぼの内方に向けて熱を伝導させて加熱する方法では、原料るつぼ内のマグネシウム原料を均一に加熱することが困難であり、局所的に設定温度よりも高く加熱される場合がある。この場合、マグネシウム以外にもマグネシウム原料に含まれていた不純物も蒸発し、原料るつぼ上方で凝縮させたマグネシウムに不純物が混入する場合がある。
さらには、上述したような特許文献１及び特許文献２では、精製により得られた高純度マグネシウムは、回収鋳型や固化用るつぼ内に収容される。ゆえに、精製マグネシウムを取り出す際に不純物の混入による汚染のおそれがあった。
本発明は、上述した事情に鑑みなされたものであり、その目的は、効率的に高純度のマグネシウムを精製することを可能とするマグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置を提供することである。
本発明の一態様のマグネシウムの精製方法は、真空昇華法によりマグネシウム原料を加熱することにより生じた気化マグネシウムをＳＵＳ繊維間に通過させてからコンデンサに蒸着させることを特徴とする。
本発明の一態様のマグネシウムの精製装置は、直立された筒体と、前記筒体の内部における下方に設けられた原料載置部と、前記原料載置部に載置されたマグネシウム原料を加熱可能な原料加熱部と、前記筒体の内部における前記原料載置部よりも上方に設けられ、前記マグネシウム原料が気化した気化マグネシウムが蒸着可能なコンデンサと、前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能なＳＵＳ繊維とを備えることを特徴とする。
本発明によれば、効率的に高純度のマグネシウムを精製することができるマグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置を提供することができる。
以下、図面を参照して、本発明に係るマグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置を説明する。
本発明に係るマグネシウムの精製方法は、マグネシウム原料を真空中において昇華させることによりマグネシウムを精製する方法である。すなわち、マグネシウム原料を加熱して気化マグネシウムを発生させ、この気化マグネシウムを上方に設けられているコンデンサに蒸着させて精製マグネシウムを得る。
本発明においてマグネシウム原料は、ケイ素（Ｓｉ）、マンガン（Ｍｎ）、硫黄（Ｓ）、リン（Ｐ）、アルミニウム（Ａｌ）、塩素（Ｃｌ）、ナトリウム（Ｎａ）、鉄（Ｆｅ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、カルシウム（Ｃａ）、アンチモン（Ｓｂ）、カリウム（Ｋ）、フッ素（Ｆ）、ヒ素（Ａｓ）、クロム（Ｃｒ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、ガリウム（Ｇａ）、リチウム（Ｌｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｌ）、ホウ素（Ｂ）等の不純物の総含有量が１０００ｐｐｍ以下の高純度マグネシウムを用いることが好ましい。本発明は、不純物の総含有量が１０００ｐｐｍ以下の高純度マグネシウムをさらに精製してより純度の高いマグネシウムを精製する方法に適しているからである。なお、マグネシウム原料には、亜鉛（Ｚｎ）が含まれているが、精製されたマグネシウムを半導体材料として用いる場合には、当該亜鉛は、１００ｐｐｍ以下であれば、不純物として扱われない場合が多い。よって、ここでは、１００ｐｐｍ以下の亜鉛については不純物としては扱わないものとする。
当該マグネシウム原料の精製を行う真空条件としては、１０Ｐａ〜１×１０−１Ｐａであることが好ましい。真空雰囲気中に残存する気体は空気であっても良いが、より好ましくは、アルゴン等の不活性ガスであることが好ましい。真空雰囲気の形成方法について特に限定はないが、空気又は不活性ガスが充填された真空容器内から真空ポンプ等により空気又は不活性ガスを吸引して上述した真空条件の真空雰囲気を形成することが好ましい。
そして、本発明におけるマグネシウムの精製方法では、当該真空条件下において、マグネシウム金属の昇華温度よりも高い４３０℃〜５５０℃の温度にマグネシウム原料を加熱し、当該マグネシウム原料に含まれるマグネシウムを昇華させることが好ましい。マグネシウム原料に含まれるマグネシウムよりも蒸気圧が低い不純物は、蒸発することなくマグネシウム原料に残留させることができる。ゆえに、マグネシウムよりも蒸気圧が低い不純物であるリチウム（Ｌｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、ビスマス（Ｂｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、マンガン（Ｍｎ）、ガリウム（Ｇａ）、ホウ素（Ｂ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｌ）、クロム（Ｃｒ）、銅（Ｃｕ）、ケイ素（Ｓｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、カルシウム（Ｃａ）等をマグネシウム原料に残留させて、昇華したマグネシウムと分離させることができる。
当該加熱の方法は誘導加熱法が好適である。誘導加熱コイルによってマグネシウム原料に渦電流を誘導してマグネシウム原料を自己発熱させる。誘導加熱コイルに供給する電流の周波数や供給電力を調整することにより、マグネシウム原料を当該真空条件下におけるマグネシウム金属の昇華温度よりも高い４３０℃〜５５０℃に加熱することができる。この際、マグネシウム原料が収容される真空容器は、蒸着部以外の部分に加熱により昇華したマグネシウムが蒸着することを防止するため、マグネシウム原料と共に誘導加熱コイルによって真空容器自体も誘導加熱することが好ましい。
誘導加熱法によってマグネシウム原料を加熱することにより、当該マグネシウム原料は真空容器を介することなく直接加熱される。マグネシウム原料を収容する真空容器をヒータにより加熱し、当該真空容器からの熱伝導によりマグネシウム原料を加熱する場合と異なり、誘導加熱法では、マグネシウム原料の均一な加熱が可能となる。よって、マグネシウム原料が局所的に高温に加熱されることを抑制することができるため、マグネシウム以外にもマグネシウム原料に含まれていた不純物が、蒸着部に精製マグネシウムと共に蒸着してしまう不都合を回避することができる。また、誘導加熱法によりマグネシウム原料の加熱は、真空容器からの熱伝導による加熱とは異なり、直接マグネシウム原料自体を加熱することができるため、より短時間でマグネシウム原料を目的とする温度に加熱することができる。
そして、本発明に係るマグネシウムの精製方法では、マグネシウム原料が収容される真空容器内には、当該マグネシウム原料から離して蒸着部を配設する。この蒸着部は、加熱によって昇華され、真空雰囲気中に拡散したマグネシウムを蒸着させるものであり、真空容器の内壁面よりも低い所定の蒸着温度に温度制御される。
具体的には、当該蒸着部におけるマグネシウムの蒸着温度は、上述した真空条件下においてマグネシウムを蒸着可能とする３３０℃〜４１０℃とすることが好ましい。当該蒸着部をマグネシウムが蒸着可能とする温度に調整することにより、マグネシウム原料に含まれるマグネシウムよりも蒸気圧が高い不純物が当該蒸着部に蒸着される不都合を抑制することができる。よって、マグネシウムよりも蒸気圧が高い不純物である亜鉛（Ｚｎ）、ナトリウム（Ｎａ）、ヒ素（Ａｓ）、カリウム（Ｋ）、リン（Ｐ）、硫黄（ｓ）、塩素（Ｃｌ）、フッ素（Ｆ）等が蒸着部に付着することを抑制して、蒸着部に付着したマグネシウムと分離させることができる。蒸着部には、既に蒸着されたマグネシウムの表面にさらに真空雰囲気中に拡散したマグネシウムが蒸着することにより、高純度に精製されたマグネシウムが次第に成長していく。
さらに、本発明に係るマグネシウムの精製方法では、これらの不純物を、気化マグネシウムの状態でＳＵＳ繊維間を通過させることにより除去して、より高純度のマグネシウムを効率的に得る。
ＳＵＳ繊維に加えて、Ｃｕ繊維間を通過させることも好適である。なお、ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維の通過順位は不問である。どちらか一方を先に通過させ、その後他方を通過させるようにしても良い。
あるいは、気化マグネシウムを、まず第１のＳＵＳ繊維間を通過させた後にＣｕ繊維間を通過させ、次いで第１のＳＵＳ繊維とは別の第２のＳＵＳ繊維間を通過させるようにすることができる。
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図１には、本発明のマグネシウムの精製方法を用いて精製したマグネシウムの不純物含有量を、原材料及びＳＵＳ繊維を通さない比較例と比較した表が示されている。表中原材料は、精製前のマグネシウムであり、比較例は、ＳＵＳ繊維を用いずに精製したマグネシウムを示す。実施例１はＳＵＳ繊維を通過させて精製した場合を示す。また、実施例２はＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を通過させて精製した場合を示しており、これは、実施例１にＣｕ繊維を加えた場合である。さらに、実施例３はＳＵＳ繊維及びＡｌ繊維を通過させて精製した場合を示しており、これは、実施例１にＡｌ繊維を加えた場合である。
測定の結果、実施例１では、比較例に比較して不純物が大幅に減少し、ＳＵＳ繊維が変色したことから、ＳＵＳ繊維が不純物を吸着したことが判る。また、実施例２では、実施例１に比較して不純物、特にＰｂが減少し、Ｃｕ繊維が変色したことから、Ｃｕ繊維が不純物を吸着したことが判る。さらに、実施例３は、比較例に比較して不純物が大幅に減少しているが、実施例１、実施例２に比較して増加した不純物もあり、Ａｌ繊維の効果が一長一短であることが判る。
以上、説明したマグネシウムの精製方法においては、図１の表からわかるように、ＳＵＳ繊維を通過させて精製することにより、効率的に高純度のマグネシウムを精製することができる。また、Ｃｕ繊維を通過させることにより、さらに高純度のマグネシウムを得ることができる。
次に、図２に基づいて、本発明に係るマグネシウムの精製方法が実施可能な本発明に係るマグネシウムの精製装置について説明する。
図２に示すように、マグネシウムの精製装置１０は、鉛直方向に設けられたＳＵＳ３０４製の筒体２０を有する。筒体２０は、断面が円筒形状や角柱形状のものを用いることができる。筒体２０は、上下端部が開口しており、下端部には底体２０１を有するとともに、上端部には蓋体２０２が設けられている。底体２０１及び蓋体２０２は、筒体２０の密閉状態が保持できるように取り付けられる。蓋体２０２は、真空ポンプ１３に接続されている。これにより、筒体２０の内部は、真空雰囲気を保持することができる。また、蓋体２０２には、温度計測器１４が取り付けられており、筒体２０の内部の温度が計測できるようになっている。
筒体２０の内部における下方すなわち底体２０１の上側には、マグネシウム原料１１を載置する原料載置部２１を有する。原料載置部２１には、原料載置部２１に載置されたマグネシウム原料１１を所定の温度に加熱制御可能な原料加熱部２２が設けられている。原料加熱部２２によってマグネシウム原料１１を加熱することにより、マグネシウム原料１１が昇華して気化マグネシウム１２を発生する。気化マグネシウム１２は、筒体２０の内部を上昇する。なお、原料加熱部２２による加熱方法は特に限定するものではないが、誘導加熱を用いる場合には、筒体２０の外周面に沿って誘導加熱コイルを設ける。
原料加熱部２２として誘導加熱を用いる場合、マグネシウム原料１１は、筒体２０の内壁面と離間して収容されることが好ましい。なぜなら、原料加熱部２２への通電によって、誘導加熱された筒体２０からマグネシウム原料１１に伝達熱が加わり、マグネシウム原料１１が局所的に高温に加熱されることを効果的に抑制するためである。ただし、原料加熱部２２によるマグネシウム原料１１の誘導加熱効率を考慮すると、より筒体２０に巻回された誘導加熱コイル（図示せず）に近接することが好ましい。よって、マグネシウム原料１１と筒体２０の内壁面とは０．５ｍｍ〜３ｍｍ離間して配置することが好ましい。
筒体２０の内部において原料載置部２１よりも上方には、マグネシウム原料１１を加熱することにより発生した気化マグネシウム１２が蒸着可能なコンデンサ２３を有する。ここでは、筒体２０の上端部に設けられている蓋体２０２に、コンデンサ２３が取り付けられている。
原料載置部２１とコンデンサ２３との間、ここでは、筒体２０の下部には、第１ＳＵＳ繊維２４が、筒体２０の軸に対して直交するように内部を横切って設けられている。第１ＳＵＳ繊維２４は、線状のＳＵＳ材を不規則に丸めたものであり、気化マグネシウム１２が内部を通過できるものである。第１ＳＵＳ繊維２４に対応して、筒体２０の外周面には第１加熱部２５が設けられており、第１ＳＵＳ繊維２４が所定の温度となるように加熱制御可能になっている。
原料載置部２１とコンデンサ２３との間で、第１ＳＵＳ繊維２４の上方には、Ｃｕ繊維２６が、筒体２０の軸に対して直交するように内部を横切って設けられている。Ｃｕ繊維２６は、線状のＣｕ材を不規則に丸めたものであり、気化マグネシウム１２が内部を通過できるものである。Ｃｕ繊維２６に対応して、筒体２０の外周面には第２加熱部２７が設けられており、Ｃｕ繊維２６が所定の温度となるように加熱制御可能になっている。
原料載置部２１とコンデンサ２３との間で、Ｃｕ繊維２６の上方には、第２ＳＵＳ繊維２８が、筒体２０の軸に対して直交するように内部を横切って設けられている。第２ＳＵＳ繊維２８は、前述した第１ＳＵＳ繊維２４と同じものでもよいが、繊維間密度が異なるものであっても良い。第２ＳＵＳ繊維２８に対応して、筒体２０の外周面には第３加熱部２９が設けられており、第２ＳＵＳ繊維２８が所定の温度となるように加熱制御可能になっている。
筒体２０における第２ＳＵＳ繊維２８の上方には、蓋体２０２との間に、第４加熱部３１が設けられている。第４加熱部３１は、蓋体２０２の下端部及びコンデンサ２３が所定の温度となるように加熱制御可能になっている。
第４加熱部３１は、筒体２０の目的としない内壁面に気化マグネシウム１２が蒸着することを抑止するためのものである。
第４加熱部３１は、筒体２０の目的としない内壁面に気化マグネシウム１２が蒸着することを抑止するためのものである。
次に、上述したマグネシウムの精製装置１０におけるマグネシウム原料１１の精製動作について説明する。
まず、筒体２０下部の原料載置部２１に、マグネシウム原料１１を載置する。そして、筒体２０を密封した後、真空ポンプ１３により筒体２０の内部を減圧して、所定の真空度（気圧）に保持する。
まず、筒体２０下部の原料載置部２１に、マグネシウム原料１１を載置する。そして、筒体２０を密封した後、真空ポンプ１３により筒体２０の内部を減圧して、所定の真空度（気圧）に保持する。
次いで、原料加熱部２２を作動させて、原料載置部２１のマグネシウム原料１１を加熱する。この際、温度計測器１４によって計測される原料載置部２１の温度が４８０℃〜５３０℃となるように原料加熱部２２を制御する。これにより、マグネシウム原料１１がマグネシウムの気化温度よりも高く加熱されるので、マグネシウム原料１１が昇華して、気化マグネシウム１２を発生する。このとき、マグネシウム原料１１に含まれる不純物もマグネシウムとともに気化して気化マグネシウム１２に含まれる。なお、マグネシウム原料１１に残留する不純物もある。
昇華した気化マグネシウム１２は、筒体２０内を上昇して、第１ＳＵＳ繊維２４に達する。このとき、第１ＳＵＳ繊維２４が４５０℃〜８５０℃となるように、第１加熱部２５を制御する。これにより、気化マグネシウム１２に含まれる一部の不純物が、第１ＳＵＳ繊維２４に蒸着して、第１ＳＵＳ繊維２４の表面が薄茶色に変色する。蒸着した不純物は、例えば０．０１μｍ程度の厚みになる。なお、マグネシウムは、第１ＳＵＳ繊維２４が４５０℃〜８５０℃に設定されており、マグネシウムの蒸着可能温度（３３０℃〜４１０℃）よりも高いため、蒸着しないで第１ＳＵＳ繊維２４を通過する。
第１ＳＵＳ繊維２４を通過した気化マグネシウム１２は、さらに上昇して、Ｃｕ繊維２６に達する。このとき、Ｃｕ繊維２６が４５０℃〜８５０℃となるように、第２加熱部２７を制御する。これにより、第１ＳＵＳ繊維２４を通過した気化マグネシウム１２に含まれる一部の不純物が、Ｃｕ繊維２６に蒸着して、Ｃｕ繊維２６の表面が白っぽく変色する。なお、マグネシウムは、Ｃｕ繊維２６が４５０℃〜８５０℃に設定されているため、蒸着しないでＣｕ繊維２６を通過する。
Ｃｕ繊維２６を通過した気化マグネシウム１２は、さらに上昇して、第２ＳＵＳ繊維２８に達する。このとき、第２ＳＵＳ繊維２８が４５０℃〜８５０℃となるように、第３加熱部２９を制御する。これにより、第１ＳＵＳ繊維２４及びＣｕ繊維２６を通過した気化マグネシウム１２に含まれる一部の不純物が、第２ＳＵＳ繊維２６に蒸着する。なお、マグネシウムは、Ｃｕ繊維２６が４５０℃〜８５０℃に設定されているため、蒸着しないで第２ＳＵＳ繊維２８を通過する。
第２ＳＵＳ繊維２８を通過した気化マグネシウム１２は、さらに上昇して、コンデンサ２３に達する。このとき、コンデンサ２３は、マグネシウムの蒸着可能温度（３３０℃〜４１０℃）である３５０℃に制御されているため、気化マグネシウム１２は、コンデンサ２３に蒸着する。なお、コンデンサ２３の周囲は、第４加熱部３１によって６５０℃に制御されている。このため、筒体２０の上端まで上昇した気化マグネシウム１２は、筒体２０内面に蒸着しないで、コンデンサ２３に蒸着することとなる。
以上のように、マグネシウムの精製装置１０を用いてマグネシウムの精製方法を実施することにより、より短時間で、効率的に高純度のマグネシウムを精製することができる。
本発明のマグネシウムの精製方法及びマグネシウムの精製装置は、前述した実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形、改良等が可能である。
例えば、前述した実施形態においては、下から上に向かって順に第１ＳＵＳ繊維２４、Ｃｕ繊維２６、第２ＳＵＳ繊維２８を設けた場合について説明したが、ＳＵＳ繊維のみ設ける場合、あるいは、ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける場合にも適用可能である。ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける場合には、ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける位置（順番）は、任意である。
例えば、前述した実施形態においては、下から上に向かって順に第１ＳＵＳ繊維２４、Ｃｕ繊維２６、第２ＳＵＳ繊維２８を設けた場合について説明したが、ＳＵＳ繊維のみ設ける場合、あるいは、ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける場合にも適用可能である。ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける場合には、ＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維を設ける位置（順番）は、任意である。
以上、説明したとおり、本明細書には下記の事項が開示されている。
（１） 真空昇華法によりマグネシウム原料を加熱することにより生じた気化マグネシウムをＳＵＳ繊維間に通過させてからコンデンサに蒸着させるマグネシウムの精製方法。
（２） 上記（１）記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記気化マグネシウムをＣｕ繊維間に通過させるマグネシウムの精製方法。
（３） 上記（１）記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記ＳＵＳ繊維間を通過させた前記気化マグネシウムをＣｕ繊維間に通過させ、
次いで前記ＳＵＳ繊維とは別のＳＵＳ繊維間に通過させるマグネシウムの精製方法。
（４） 上記（１）ないし（３）のうちのいずれか１つに記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱するマグネシウムの精製方法。
（５） 直立された筒体と、
前記筒体の内部における下方に設けられた原料載置部と、
前記原料載置部に載置されたマグネシウム原料を加熱可能な原料加熱部と、
前記筒体の内部における前記原料載置部よりも上方に設けられ、前記マグネシウム原料が気化した気化マグネシウムが蒸着可能なコンデンサと、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能なＳＵＳ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。
（６） 上記（５）記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能なＣｕ繊維を備えるマグネシウムの精製装置。
（７） 上記（５）記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記筒体の内部における前記ＳＵＳ繊維の上方に設けられたＣｕ繊維と、
前記筒体の内部における前記Ｃｕ繊維の上方に設けられ、前記ＳＵＳ繊維とは別のＳＵＳ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。
（８） 上記（５）ないし（７）のうちのいずれか１つに記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱する加熱部を有するマグネシウムの精製装置。
（１） 真空昇華法によりマグネシウム原料を加熱することにより生じた気化マグネシウムをＳＵＳ繊維間に通過させてからコンデンサに蒸着させるマグネシウムの精製方法。
（２） 上記（１）記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記気化マグネシウムをＣｕ繊維間に通過させるマグネシウムの精製方法。
（３） 上記（１）記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記ＳＵＳ繊維間を通過させた前記気化マグネシウムをＣｕ繊維間に通過させ、
次いで前記ＳＵＳ繊維とは別のＳＵＳ繊維間に通過させるマグネシウムの精製方法。
（４） 上記（１）ないし（３）のうちのいずれか１つに記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱するマグネシウムの精製方法。
（５） 直立された筒体と、
前記筒体の内部における下方に設けられた原料載置部と、
前記原料載置部に載置されたマグネシウム原料を加熱可能な原料加熱部と、
前記筒体の内部における前記原料載置部よりも上方に設けられ、前記マグネシウム原料が気化した気化マグネシウムが蒸着可能なコンデンサと、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能なＳＵＳ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。
（６） 上記（５）記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能なＣｕ繊維を備えるマグネシウムの精製装置。
（７） 上記（５）記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記筒体の内部における前記ＳＵＳ繊維の上方に設けられたＣｕ繊維と、
前記筒体の内部における前記Ｃｕ繊維の上方に設けられ、前記ＳＵＳ繊維とは別のＳＵＳ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。
（８） 上記（５）ないし（７）のうちのいずれか１つに記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱する加熱部を有するマグネシウムの精製装置。
１０ マグネシウムの精製装置
１１ マグネシウム原料
１２ 気化マグネシウム
２０ 筒体
２１ 原料載置部
２２ 原料加熱部
２３ コンデンサ
２４ 第１ＳＵＳ繊維（ＳＵＳ繊維）
２５ 第１加熱部（加熱部）
２６ Ｃｕ繊維
２８ 第２ＳＵＳ繊維（別のＳＵＳ繊維）
１１ マグネシウム原料
１２ 気化マグネシウム
２０ 筒体
２１ 原料載置部
２２ 原料加熱部
２３ コンデンサ
２４ 第１ＳＵＳ繊維（ＳＵＳ繊維）
２５ 第１加熱部（加熱部）
２６ Ｃｕ繊維
２８ 第２ＳＵＳ繊維（別のＳＵＳ繊維）
Claims (6)
- 真空昇華法によりマグネシウム原料を加熱することにより生じた気化マグネシウムを、所定温度に制御したＳＵＳ繊維間及びＣｕ繊維間に通過させてからコンデンサに蒸着させるマグネシウムの精製方法。
- 真空昇華法によりマグネシウム原料を加熱することにより生じた気化マグネシウムを、所定温度に制御したＳＵＳ繊維間に通過させ、
前記ＳＵＳ繊維間を通過させた前記気化マグネシウムをＣｕ繊維間に通過させ、
前記Ｃｕ繊維間を通過させた前記気化マグネシウムを、前記ＳＵＳ繊維とは別の、所定温度に制御したＳＵＳ繊維間に通過させてからコンデンサに蒸着させるマグネシウムの精製方法。 - 請求項１又は２記載のマグネシウムの精製方法であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱するマグネシウムの精製方法。 - 直立された筒体と、
前記筒体の内部における下方に設けられた原料載置部と、
前記原料載置部に載置されたマグネシウム原料を加熱可能な原料加熱部と、
前記筒体の内部における前記原料載置部よりも上方に設けられ、前記マグネシウム原料が気化した気化マグネシウムが蒸着可能なコンデンサと、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、前記気化マグネシウムが通過可能であり所定温度に制御されたＳＵＳ繊維及びＣｕ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。 - 直立された筒体と、
前記筒体の内部における下方に設けられた原料載置部と、
前記原料載置部に載置されたマグネシウム原料を加熱可能な原料加熱部と、
前記筒体の内部における前記原料載置部よりも上方に設けられ、前記マグネシウム原料が気化した気化マグネシウムが蒸着可能なコンデンサと、
前記原料載置部及び前記コンデンサ間に設けられ、所定温度に制御され、前記気化マグネシウムが通過可能なＳＵＳ繊維と、
前記筒体の内部における前記ＳＵＳ繊維の上方に設けられたＣｕ繊維と、
前記筒体の内部における前記Ｃｕ繊維の上方に設けられ、前記ＳＵＳ繊維とは別の、所定温度に制御されたＳＵＳ繊維とを備えるマグネシウムの精製装置。 - 請求項４又は５記載のマグネシウムの精製装置であって、
前記ＳＵＳ繊維を加熱する加熱部を有するマグネシウムの精製装置。
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