JP6856627B2 - A method for manufacturing a connection support, a connection support, and an optoelectronic semiconductor module comprising the connection support. - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 64
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 46
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 title claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 154
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 10
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 8
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 claims description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 55
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 20
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 5
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N silver oxide Chemical compound [O-2].[Ag+].[Ag+] NDVLTYZPCACLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 3
- 239000004831 Hot glue Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002367 Polyisobutene Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001464 adherent effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K aluminium phosphate Chemical compound O1[Al]2OP1(=O)O2 ILRRQNADMUWWFW-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229920006332 epoxy adhesive Polymers 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920003055 poly(ester-imide) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 229920001935 styrene-ethylene-butadiene-styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Description
刊行物、米国特許第8,975,532号明細書(US8,975,532B2)には、接続支持体、ならびにその種の接続支持体を製造するための方法が記載されている。 The publication, US Pat. No. 8,975,532 (US8,975,532B2) describes connection supports, as well as methods for making such connection supports.
解決すべき課題は、接続支持体を製造するための簡単かつ廉価な方法を提供することである。解決すべき別の課題は、簡単かつ廉価に製造することができる接続支持体、およびその種の接続支持体を備えているオプトエレクトロニクス半導体モジュールを提供することである。 The problem to be solved is to provide an easy and inexpensive method for manufacturing the connection support. Another challenge to be solved is to provide a connection support that can be manufactured easily and inexpensively, and an optoelectronic semiconductor module having such a connection support.
少なくとも1つの接続支持体を製造するための方法が提供される。接続支持体を、少なくとも1つの電子モジュールの機械的な固定および安定化ならびに電気的な接触接続に使用することができる。例えば、接続支持体は回路基板である。電子モジュールは、電子的な半導体チップ、特にオプトエレクトロニクス半導体チップであってよい。 A method for manufacturing at least one connecting support is provided. The connection support can be used for mechanical fixation and stabilization of at least one electronic module as well as electrical contact connection. For example, the connection support is a circuit board. The electronic module may be an electronic semiconductor chip, particularly an optoelectronic semiconductor chip.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体部材が準備される。支持体部材は、特に支持体薄板である。 According to at least one embodiment of the method, a support member is prepared. The support member is particularly a support thin plate.
支持体薄板は、平らに形成されている上面と、この上面とは反対側に位置する底面と、を有している。換言すれば、上面は、平面ないし平坦に形成されている。底面も同様に平らに形成することができる。平らに形成されている面は、特に、その面が製造公差の枠内で、凸部および/または凹部を有していないことを特徴としている。この場合、幾つも繋がるように上面を形成することが可能である。 The support sheet has an upper surface that is formed flat and a lower surface that is located on the opposite side of the upper surface. In other words, the upper surface is formed flat or flat. The bottom surface can be formed flat as well. A flattened surface is particularly characterized by having no protrusions and / or recesses within the framework of manufacturing tolerances. In this case, it is possible to form the upper surface so that a number of them are connected.
支持体薄板は、主延在平面を有しており、この主延在平面に沿って2つの横方向が延びている。主延在平面は、製造公差の枠内で、上面および/または底面に対して平行に、または上面および/または底面に沿って延在している。主延在平面に対して直行する方向において、すなわち垂直な方向において、支持体薄板は、厚さを有している。支持体薄板の厚さは、支持体薄板の横方向における寸法に比べて小さい。 The support thin plate has a main extension plane, and two lateral directions extend along the main extension plane. The main extension plane extends within the frame of the manufacturing tolerance, parallel to the top and / or bottom, or along the top and / or bottom. The support lamella has a thickness in a direction orthogonal to the main extension plane, i.e. perpendicular to it. The thickness of the support thin plate is smaller than the lateral dimension of the support thin plate.
支持体薄板は、特に、金属によって形成することができる薄いプレートであってよい。例えば、支持体薄板の厚さは、少なくとも0.3mm、好適には少なくとも0.4mm、かつ最大で2.2mm、好適には2.1mmである。 The support sheet may be, in particular, a thin plate that can be formed of metal. For example, the thickness of the support thin plate is at least 0.3 mm, preferably at least 0.4 mm, and at most 2.2 mm, preferably 2.1 mm.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、電気絶縁性に形成されている、少なくとも1つの絶縁ストリップが、支持体薄板の上面に被着されている。 According to at least one embodiment of the method, at least one insulating strip, which is electrically insulatingly formed, is adhered to the upper surface of the support thin plate.
ここで、また下記において、「ストリップ」とは、細長く延びる、例えば縞状の構成要素であり、この構成要素は、巻き取られた状態において上から見ると、すなわち構成要素の主延在平面に対して直行する方向に見ると、例えば矩形に形成されている。この場合、ストリップは、特に主延在平面に対して平行に真っ直ぐ延びており、かつ湾曲部のない外縁を有することができる。 Here, and also below, a "strip" is an elongated, eg, striped component, which is viewed from above in the wound state, i.e., on the main extending plane of the component. When viewed in the direction perpendicular to the direction, it is formed in a rectangular shape, for example. In this case, the strip can have an outer edge that extends straight, especially parallel to the main extension plane, and has no bends.
絶縁ストリップは、例えば、酸化物、窒化物、ポリマーおよび/またはプラスチック材料によって形成することができるか、またはそれらの材料のうちの1つから成るものであってよい。 The insulating strip can be formed of, for example, oxides, nitrides, polymers and / or plastic materials, or may consist of one of those materials.
例えば、絶縁ストリップは、エポキシ樹脂接着剤、特に変性されたエポキシ樹脂接着剤(例えば、いわゆるBステージエポキシ接着剤)またはアクリル接着剤、特に変性されたアクリル接着剤(例えば、いわゆるBステージアクリル接着剤)によって形成することができるか、またはそれらから成るものであってよい。さらに、絶縁ストリップは、PSA接着剤(Pressure−Sensitive−Adhesive、感圧接着剤)、例えばアクリルポリマー、ポリイソブチレン(PIB)、エチレンビニルアセテート(EVA)、シリコーン接着剤またはスチレンブロックポリマー(SBS,SEBS,SEP)によって形成することができるか、またはそれらから成るものであってよい。PSA接着剤は、例えばラミネートプロセスにおいて圧力を加えた後に漸くその固着力が生じることを特徴としている。さらに、絶縁ストリップの材料は、特に熱可塑性材料、例えばポリエチレンまたはポリアミドから成るホットメルト接着剤(英語:hotmelt adhesive)を基礎としてもよい。 For example, the insulating strips are epoxy resin adhesives, especially modified epoxy resin adhesives (eg, so-called B-stage epoxy adhesives) or acrylic adhesives, especially modified acrylic adhesives (eg, so-called B-stage acrylic adhesives). ), Or may consist of them. In addition, the insulating strips are PSA adhesives (Pressure-Sensitive-Adaptive, pressure sensitive adhesives) such as acrylic polymers, polyisobutylene (PIB), ethylene vinyl acetate (EVA), silicone adhesives or styrene block polymers (SBS, SEBS). , SEP), or may consist of them. The PSA adhesive is characterized in that, for example, in the laminating process, the adhesive force is gradually generated after applying pressure. In addition, the material of the insulating strip may be based on a hot melt adhesive (English: hot melt adhesive), in particular made of a thermoplastic material such as polyethylene or polyamide.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板および少なくとも1つの絶縁ストリップは、素材結合により相互に結合される。ここで、また下記において、「素材結合による結合」とは、結合相手同士が原子力および/または分子力によって結束される結合である。素材結合による結合は、機械的に非破壊では解消不可能であることを特徴としている。このことは、結合を機械的な力の作用によって解消させることを試みた際に、結合相手の少なくとも一方が破壊される、かつ/または損傷することを意味している。例えば、素材結合による結合は、接着結合、溶接結合および/または溶融結合である。さらに、素材結合による結合を、上面への絶縁ストリップの材料の吹付けかつ/または蒸着によって生じさせることができる。 According to at least one embodiment of the method, the support sheet and at least one insulating strip are bonded together by material bonding. Here, and also in the following, the "bond by material bond" is a bond in which bond partners are bound by nuclear power and / or molecular force. Bonding by material bonding is characterized by being mechanically non-destructive and irresolvable. This means that at least one of the binding partners is destroyed and / or damaged when an attempt is made to break the binding by the action of a mechanical force. For example, the bond by material bond is an adhesive bond, a weld bond and / or a melt bond. In addition, material bonding can be produced by spraying and / or depositing the material of the insulating strip onto the top surface.
少なくとも1つの絶縁ストリップの被着後に、この絶縁ストリップが支持体薄板の上面を少なくとも部分的に被覆する。この場合、上面には、少なくとも部分的に自由に接近することができる。さらに、絶縁ストリップが上面を完全に被覆することも可能である。この場合、絶縁ストリップの固着面には、少なくとも部分的に外部から自由に接近することができる。 After the attachment of the at least one insulating strip, the insulating strip covers the upper surface of the support sheet at least partially. In this case, the upper surface can be freely approached at least partially. In addition, the insulating strip can completely cover the top surface. In this case, the fixed surface of the insulating strip can be freely approached at least partially from the outside.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、導電性に形成されている少なくとも1つの導体ストリップが、絶縁ストリップの固着面に被着され、かつ素材結合により絶縁ストリップと結合される。絶縁ストリップの固着面は、特に、上面に絶縁ストリップを被着させた後にその上面とは反対側に位置している、絶縁ストリップの外面である。 According to at least one embodiment of the method, at least one conductively formed conductor strip is adhered to the anchoring surface of the insulating strip and is bonded to the insulating strip by material bonding. The anchoring surface of the insulating strip is, in particular, the outer surface of the insulating strip, which is located on the opposite side of the upper surface after the insulating strip is adhered to the upper surface.
例えば、導体ストリップは、金属、例えば銅、銅合金、アルミニウム、鋼または鉄から形成されているか、またはそれらの材料のうちの1つから成るものである。このことは、例えばワイヤボンディング(Wire−Bonding)を用いた、少なくとも1つの導体ストリップの、支持体薄板側とは反対側のコンタクト面の簡単な接触接続を実現する。コンタクト面を、さらにガルバニックプロセスによって処理することができる。このために、例えばNi−Pd−Au、Ni−Ag、Ni−Au、Agおよび/またはNi−Pのように構成されている層列が適している。代替的または付加的に、接触面を、OSP(Organic Surface Protection)コーティングによってコーティングすることができる。そのようなOSPコーティングは、例えばベンゾトリアゾールポストディップを含むことができる。さらに、導体ストリップの、固着面と対向している底面を、例えば粗面化プロセス、例えばサンドブラスト、エッチングおよび/またはガルバニックコーティングによって前処理し、絶縁ストリップとの結合を容易にすることができる。 For example, a conductor strip is made of or made of a metal such as copper, copper alloy, aluminum, steel or iron. This realizes a simple contact connection of the contact surfaces of at least one conductor strip on the side opposite to the support thin plate side, using wire bonding, for example. The contact surface can be further treated by a galvanic process. For this purpose, a layered sequence configured as, for example, Ni-Pd-Au, Ni-Ag, Ni-Au, Ag and / or Ni-P is suitable. Alternatively or additionally, the contact surface can be coated with an OSP (Organic Surface Protection) coating. Such OSP coatings can include, for example, benzotriazole post dips. In addition, the bottom surface of the conductor strip facing the anchored surface can be pretreated, for example, by a roughening process, such as sandblasting, etching and / or galvanic coating, to facilitate bonding with the insulating strip.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、導体ストリップと支持体薄板とが、絶縁ストリップによって、相互に電気的に絶縁されている。このために、絶縁ストリップは、導体ストリップの底面を完全に被覆することができる。さらに、絶縁ストリップは、少なくとも1つの横方向において、導体ストリップから突出している。換言すれば、絶縁ストリップを、導体ストリップよりも幅広に形成することができる。 According to at least one embodiment of the method, the conductor strip and the support sheet are electrically insulated from each other by an insulating strip. For this reason, the insulating strip can completely cover the bottom surface of the conductor strip. In addition, the insulating strips project from the conductor strips in at least one lateral direction. In other words, the insulating strip can be formed wider than the conductor strip.
少なくとも1つの接続支持体を製造するための方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、この方法が以下のステップを有している:
A)平らに形成されている上面を備えている支持体薄板を準備するステップ、
B)電気絶縁性に形成されている少なくとも1つの絶縁ストリップを上面に被着させ、支持体薄板と絶縁ストリップとを素材結合により結合させるステップ、
C)導電性に形成されている少なくとも1つの導体ストリップを、絶縁ストリップの固着面に被着させ、絶縁ストリップと導体ストリップとを素材結合により結合させるステップ、ただし導体ストリップと支持体薄板とは絶縁ストリップによって相互に電気的に絶縁されている。
According to at least one embodiment of the method for manufacturing at least one connecting support, the method has the following steps:
A) Steps to prepare a support sheet with a flattened top surface,
B) A step in which at least one insulating strip formed in electrical insulation is adhered to the upper surface, and the support thin plate and the insulating strip are bonded by material bonding.
C) A step in which at least one conductively formed conductor strip is attached to the fixed surface of the insulating strip and the insulating strip and the conductor strip are bonded by material bonding, but the conductor strip and the support thin plate are insulated from each other. They are electrically isolated from each other by strips.
特に、本明細書に記載する方法によって、複数の接続支持体を製造することができ、この場合、ステップC)に続いて、個別化ステップが行われる。 In particular, a plurality of connection supports can be manufactured by the methods described herein, in which case a personalization step is performed following step C).
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップB)における支持体薄板と絶縁ストリップとの素材結合による結合、および/またはステップC)における絶縁ストリップと導体ストリップとの素材結合による結合が、ラミネートプロセスを使用して、かつ/または接着結合によって行われる。特に、3つすべてのステップA),B)およびC)における素材結合による結合を、ラミネートプロセスを使用して、かつ/または接着結合によって行うことが可能である。ラミネートプロセスないし接着結合の使用は、そのラミネートプロセスないし接着結合を簡単かつ廉価に実施できることを特徴としている。 According to at least one embodiment of the method, the material bonding of the support thin plate and the insulating strip in step B) and / or the material bonding of the insulating strip and the conductor strip in step C). It is done using a laminating process and / or by adhesive junction. In particular, the binding by material bonding in all three steps A), B) and C) can be performed using a laminating process and / or by adhesive bonding. The use of a laminating process or adhesive junction is characterized in that the laminating process or adhesive junction can be carried out easily and inexpensively.
例えば、絶縁ストリップを、固着面において、かつ/または固着面とは反対側の取付け面において接着剤コーティングすることができる。接着剤は、PSA接着剤であってよい。したがって、絶縁ストリップは、接着テープ(いわゆるライナ)および/または保護フィルムであってよい。例えば、絶縁ストリップを保護フィルムから剥がして、上面に接着させることができる。絶縁ストリップが接着剤によって上面に接着される場合、圧力の作用時に接着剤の均一な厚さを実現するために、接着剤がスペーサ粒子としての付加的な充填材を含有することも可能である。 For example, the insulating strip can be adhesive coated on the anchoring surface and / or on the mounting surface opposite the anchoring surface. The adhesive may be a PSA adhesive. Therefore, the insulating strip may be an adhesive tape (so-called liner) and / or a protective film. For example, the insulating strip can be peeled off from the protective film and adhered to the top surface. If the insulating strip is adhered to the top surface by an adhesive, the adhesive can also contain an additional filler as spacer particles to achieve a uniform thickness of the adhesive when pressure is applied. ..
代替的または付加的に、絶縁ストリップおよび/または導体ストリップを印刷法によって被着させることも可能である。さらに、絶縁ストリップおよび/または導体ストリップを、ジェッティング、吹付け、スピンコーティング、蒸着またはディスペンシングによって被着させることができる。 Alternatively or additionally, insulating strips and / or conductor strips can be applied by printing. In addition, insulating strips and / or conductor strips can be adhered by jetting, spraying, spin coating, vapor deposition or dispensing.
本明細書に記載する方法では、特に、導体ストリップないし絶縁ストリップの支持体薄板との素材結合による結合のために廉価な結合方式を使用するという着想が実践される。このために、特に、ラミネートプロセス、接着結合および/または印刷法が適している。さらに、接続支持体の個々の構成要素に対して廉価な材料が使用される。これによって、所望の特別な特性、例えば反射率および/または熱伝導率を有している支持体薄板を廉価に接続支持体において使用することができる。電子モジュールの電気的な接触接続のために必要になる導体路を、導体ストリップとして簡単かつ廉価に支持体薄板に被着させることができる。 In the methods described herein, the idea of using an inexpensive coupling method is practiced, in particular for coupling of conductor strips or insulating strips with support thin plates by material bonding. For this purpose, laminating processes, adhesive junctions and / or printing methods are particularly suitable. In addition, inexpensive materials are used for the individual components of the connecting support. This allows a support lamella with the desired special properties, such as reflectance and / or thermal conductivity, to be used inexpensively in the connecting support. The conductor path required for the electrical contact connection of the electronic module can be easily and inexpensively attached to the support thin plate as a conductor strip.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップA)における支持体薄板の準備およびステップC)における少なくとも1つの導体ストリップの被着が、ロール・ツー・ロールプロセスで実施される。その種のプロセスにおいては、支持体薄板、少なくとも1つの導体ストリップおよびオプションとしての絶縁ストリップが、ロールとして巻き取られた状態で提供される。続いて、支持体薄板、少なくとも1つの導体ストリップおよびオプションとしての少なくとも1つの絶縁ストリップがロールから広げられ、相互に結合される。結合を特にラミネートプロセスによって行うことができる。続いて、完成した接続支持体を再びロールに巻き取ることができる。 According to at least one embodiment of the method, the preparation of the support sheet in step A) and the attachment of at least one conductor strip in step C) are carried out in a roll-to-roll process. In such processes, support lamellae, at least one conductor strip and optional insulating strip are provided rolled up as rolls. Subsequently, a support sheet, at least one conductor strip and, optionally, at least one insulating strip are unrolled from the roll and coupled to each other. Bonding can be done especially by a laminating process. The completed connection support can then be wound up on the roll again.
その種のロール・ツー・ロールプロセスは、接続支持体の高速かつ廉価な製造を実現する。特に、支持体薄板、少なくとも1つの導体ストリップおよび少なくとも1つの絶縁ストリップを、それぞれロールとして巻き取られた状態で提供することができる。支持体薄板と絶縁ストリップの素材結合による結合および導体ストリップと絶縁ストリップの素材結合による結合を、1つの共通の方法ステップで行うことができる。 Such a roll-to-roll process enables fast and inexpensive manufacturing of connection supports. In particular, a support thin plate, at least one conductor strip and at least one insulating strip can be provided in a rolled state, respectively. The material bonding of the support sheet and the insulating strip and the material bonding of the conductor strip and the insulating strip can be performed in one common method step.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップC)における少なくとも1つの導体ストリップの被着が、ステップB)における上面への少なくとも1つの絶縁ストリップの被着の前に実施される。絶縁ストリップおよび導体ストリップは、特に一緒に支持体薄板に被着される。この場合、導体ストリップおよび絶縁ストリップが先ず、素材結合により相互に結合され、続いて、一緒にロールに巻き取られた状態で提供される。 According to at least one embodiment of the method, the attachment of at least one conductor strip in step C) is performed prior to the attachment of at least one insulating strip to the top surface in step B). The insulating strip and the conductor strip are specifically adhered together to the support sheet. In this case, the conductor strips and the insulating strips are first provided together by material bonding and then wound together on a roll.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップB)における上面への少なくとも1つの絶縁ストリップの被着の前に、支持体薄板に複数の開口部が形成される。換言すれば、支持体薄板が事前に構造化される。開口部の形成を、例えば、打抜きプロセス、レーザ切断、ウォータビーム切断、サンドビームおよび/またはエッチングによって行うことができる。開口部は、垂直な方向において、支持体を貫通して延びている。 According to at least one embodiment of the method, a plurality of openings are formed in the support lamellae prior to attachment of the at least one insulating strip to the top surface in step B). In other words, the support sheet is pre-structured. The formation of the openings can be performed, for example, by punching process, laser cutting, water beam cutting, sand beam and / or etching. The opening extends through the support in the vertical direction.
開口部は分断構造であってよい。例えば、各開口部は、それぞれ主延在方向を有しており、その主延在方向に沿って開口部が延びている。主延在方向は、2つの横方向のうちの一方であってよい。特に、開口部は、製造すべき接続支持体に対応する支持体薄板の領域を枠状に包囲することができる。この場合、開口部を部分的に、支持体薄板のブリッジによって相互に離隔させることができる。ブリッジを貫通する開口部に沿って、ステップC)に続くステップにおいて、少なくとも1つの接続支持体の個別化を行うことができる。 The opening may have a split structure. For example, each opening has a main extending direction, and the opening extends along the main extending direction. The main extension direction may be one of the two lateral directions. In particular, the opening can frame the area of the support sheet corresponding to the connecting support to be manufactured. In this case, the openings can be partially separated from each other by a bridge of support lamellae. At least one connection support can be personalized in the steps following step C) along the opening through the bridge.
さらに、開口部が少なくとも部分的にポケットを有することが可能である。ポケットを、開口部の一部分によって形成することができ、その部分は、開口部の主延在方向に対して直行する少なくとも1つの横方向において、開口部の残りの部分よりも大きい幅を有している。ポケットによって、絶縁ストリップに沿った漏れ電流に関する沿面距離を拡大することができ、それによって、導体ストリップと支持体薄板との間の短絡を阻止することができる。 In addition, the opening can have pockets at least partially. The pocket can be formed by a portion of the opening, which portion has a width greater than the rest of the opening in at least one lateral direction orthogonal to the main extending direction of the opening. ing. The pocket can increase the creepage distance for leakage current along the insulating strip, thereby preventing a short circuit between the conductor strip and the support sheet.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップC)における少なくとも1つの導体ストリップの被着は、導体ストリップが開口部のうちの少なくとも1つを少なくとも部分的に覆い隠すように行われる。この場合、開口部は、覆い隠された領域を有している。開口部の覆い隠された領域は、特に、ポケットの少なくとも1つの領域であってよい。換言すれば、開口部の各ポケットを、少なくとも部分的に導体ストリップによって覆い隠すことができる。少なくとも1つの導体ストリップの個別化を、開口部の覆い隠された領域において行うことができる。ここで、また下記において、少なくとも1つの導体ストリップによって「覆い隠される」状態とは、導体ストリップが開口部の上に延在している場合に生じる。この場合には特に、開口部の覆い隠された領域には、支持体薄板の上面側からはもはや自由に接近することができない。開口部の覆い隠された領域において、導体ストリップを自立式に形成することができる。 According to at least one embodiment of the method, the attachment of at least one conductor strip in step C) is done such that the conductor strip at least partially covers at least one of the openings. In this case, the opening has an obscured area. The obscured area of the opening may be, in particular, at least one area of the pocket. In other words, each pocket of the opening can be covered, at least partially, by a conductor strip. Individualization of at least one conductor strip can be performed in the obscured area of the opening. Here, and also below, the condition "covered" by at least one conductor strip occurs when the conductor strip extends over the opening. In this case, in particular, the concealed area of the opening can no longer be freely approached from the upper surface side of the support thin plate. Conductor strips can be self-supporting in the obscured area of the opening.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップB)の前に、支持体薄板に複数の開口部が形成され、またステップC)における被着は、導体ストリップが開口部のうちの少なくとも1つを少なくとも部分的に覆い隠すように行われる。 According to at least one embodiment of the method, prior to step B), a plurality of openings are formed in the support sheet, and the adhesion in step C) is such that the conductor strip is at least one of the openings. It is done so that one is at least partially obscured.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップC)における少なくとも1つの導体ストリップの被着の後に、導体ストリップの一領域および絶縁ストリップの一領域が、開口部の覆い隠された領域において折り返される。換言すれば、導体ストリップが折り畳まれる。折返しを、例えば、切断ツールおよび/または打抜きツールによって行うことができる。この場合、導体ストリップおよびオプションとしての絶縁ストリップを、先ず、開口部の覆い隠された領域において分断し、続いて一緒に折り返すことが可能である。折返しを、支持体薄板の横方向のうちの一方に沿って延びる回転軸線を中心に行うことができる。特に、導体ストリップおよび絶縁ストリップを、少なくとも160°かつ最大で200°、特に180°、回転軸線を中心に回転させることができる。 According to at least one embodiment of the method, after the attachment of at least one conductor strip in step C), one area of the conductor strip and one area of the insulating strip are in the obscured area of the opening. It will be folded back. In other words, the conductor strip is folded. Folding can be done, for example, with a cutting tool and / or a punching tool. In this case, the conductor strip and the optional insulating strip can be first divided in the obscured area of the opening and then folded back together. The folding can be performed around the rotation axis extending along one of the lateral directions of the support thin plate. In particular, the conductor strips and insulating strips can be rotated about at least 160 ° and up to 200 °, especially 180 °, about the axis of rotation.
折返し後に、導体ストリップは、折り返された領域と、折り返されていない領域と、を有することができる。導体ストリップの折り返された領域が、支持体薄板側とは反対側の面において、導体ストリップの折り返されていない領域と接続されることも考えられる。さらに、絶縁ストリップの折り返された領域が、絶縁ストリップの折り返されていない領域と少なくとも部分的に接続されることも考えられる。 After folding, the conductor strip can have a folded area and an unfolded area. It is also conceivable that the folded region of the conductor strip is connected to the unfolded region of the conductor strip on the surface opposite to the support lamella side. Further, it is conceivable that the folded area of the insulating strip is at least partially connected to the unfolded area of the insulating strip.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、導体ストリップの折り返された領域および絶縁ストリップの折り返された領域が、折返し後に、導体ストリップの折り返されていない領域の、支持体薄板側とは反対側の面に配置されている。この場合、導体ストリップは、開口部の覆い隠された領域において、絶縁ストリップによって被覆されている。換言すれば、導体ストリップには、開口部の覆い隠された領域においてもはや自由に接近することができない。 According to at least one embodiment of the method, the folded area of the conductor strip and the folded area of the insulating strip, after folding, are opposite to the thin plate side of the support in the unfolded area of the conductor strip. It is placed on the side surface. In this case, the conductor strip is covered with an insulating strip in the obscured area of the opening. In other words, the conductor strip can no longer be freely accessible in the obscured area of the opening.
折返し後に、絶縁ストリップの折り返された領域の固着面の一部と、絶縁ストリップの折り返されていない領域の固着面の一部とを、相互に対向させることができる。さらに、折り返された領域の固着面の一部と、折り返されていない領域の固着面の一部とを、相互に直接的に接触させることができ、また特に素材結合により相互に結合させることができる。同様に、導体ストリップの折り返された領域のコンタクト面の一部と、導体ストリップの折り返されていない領域のコンタクト面の一部とを、相互に対向させることができ、また特に相互に直接的に接触させることができる。 After folding, a portion of the anchored surface of the folded region of the insulating strip and a portion of the anchored surface of the unfolded region of the insulating strip can be opposed to each other. Further, a part of the fixed surface of the folded region and a part of the fixed surface of the non-folded region can be brought into direct contact with each other, and in particular, can be bonded to each other by material bonding. it can. Similarly, a portion of the contact surface of the folded region of the conductor strip and a portion of the contact surface of the unfolded region of the conductor strip can face each other, and in particular directly to each other. Can be contacted.
本方法の少なくとも1つの実施の形態によれば、ステップC)における少なくとも1つの導体ストリップの被着の後に、導体ストリップの一領域および絶縁ストリップの一領域が、開口部の覆い隠された領域において折り返される。その後、導体ストリップの折り返された領域および絶縁ストリップの折り返された領域は、導体ストリップの折り返されていない領域の、支持体薄板側とは反対側の面に配置されている。折返し後に、導体ストリップは、開口部の覆い隠された領域において、絶縁ストリップの折り返された領域によって被覆されている。 According to at least one embodiment of the method, after the attachment of at least one conductor strip in step C), one area of the conductor strip and one area of the insulating strip are in the obscured area of the opening. It will be folded back. The folded area of the conductor strip and the folded area of the insulating strip are then arranged on the unfolded area of the conductor strip on the opposite side of the support sheet side. After folding, the conductor strip is covered by the folded area of the insulating strip in the obscured area of the opening.
導体ストリップおよび絶縁ストリップの折返しによって、折り返された領域において、支持体薄板と導体ストリップとの間の沿面距離が拡大されること、および導体ストリップの自由端部がポテンシャルフリーになることを達成することができる。さらに、少なくとも1つの導体ストリップを絶縁ストリップによってシーリングすることができる。折り返された領域を固定するために、特に、絶縁ストリップの固着面の固着力を利用することができる。このために、絶縁ストリップの折り返された領域と絶縁ストリップの折り返されていない領域との間の結合、特に素材結合による結合を生じさせることができる。例えば、この結合は温度および圧力の供給によって行うことができる。代替的または付加的に、固着材料、例えば接着剤を、導体ストリップおよび/または絶縁ストリップの折り返された領域と折り返されていない領域との間に導入することができる。 Achieving that the folds of the conductor strips and insulating strips increase the creepage distance between the support lamellae and the conductor strips in the folded area and that the free ends of the conductor strips are potential free. Can be done. In addition, at least one conductor strip can be sealed with an insulating strip. In particular, the fixing force of the fixing surface of the insulating strip can be utilized to fix the folded area. This can result in a bond between the folded area of the insulating strip and the unfolded area of the insulating strip, especially by material bonding. For example, this coupling can be done by supplying temperature and pressure. Alternatively or additionally, a fixing material, such as an adhesive, can be introduced between the folded and unfolded areas of the conductor strip and / or insulating strip.
さらに、電子モジュールのための接続支持体が提供される。とりわけ、接続支持体を、本明細書に記載する方法によって製造することができる。このことは、方法に関して開示したすべての特徴は、接続支持体についても開示されており、またそれとは反対に、接続支持体に関して開示したすべての特徴は、方法についても開示されていることを意味している。 In addition, a connection support for the electronic module is provided. In particular, the connection support can be manufactured by the methods described herein. This means that all the features disclosed for the method are also disclosed for the connection support, and conversely, all the features disclosed for the connection support are also disclosed for the method. doing.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、接続支持体が、平らに形成されている上面を備えている支持体薄板を含んでいる。さらに、接続支持体は、電気絶縁性に形成されており、かつ支持体薄板の上面に被着されている少なくとも1つの絶縁ストリップと、その絶縁ストリップの、上面側とは反対側の固着面に被着されており、かつ導電性に形成されている導体ストリップと、を含んでいる。支持体薄板と絶縁ストリップ、ならびに絶縁ストリップと導体ストリップは、それぞれ素材結合により相互に結合されている。さらに、導体ストリップと支持体薄板とは、絶縁ストリップによって相互に電気的に絶縁されている。 According to at least one embodiment of the connecting support, the connecting support comprises a support slab having a flattened top surface. Further, the connection support is formed on an electrically insulating strip and is attached to the upper surface of the thin support plate on at least one insulating strip and a fixing surface of the insulating strip on the opposite side to the upper surface side. Includes conductor strips that are adherent and conductively formed. The support thin plate and the insulating strip, and the insulating strip and the conductor strip are connected to each other by material bonding. Further, the conductor strip and the support thin plate are electrically insulated from each other by the insulating strip.
接続支持体は、特に、電子モジュールのための支持体として使用される。接続支持体は、少なくとも2つの導体ストリップを有することができ、それらの各導体ストリップは、少なくとも1つの電子モジュールの電気的な接触接続に使用される。この場合、2つの異なる極性の電気的な接触接続のために設けられている2つの導体ストリップを、ESD保護ダイオードによってブリッジすることができる。 The connection support is used specifically as a support for electronic modules. The connection support can have at least two conductor strips, each of which is used for electrical contact connection of at least one electronic module. In this case, two conductor strips provided for electrical contact connection of two different polarities can be bridged by an ESD protection diode.
支持体薄板は、特に、底面側とは反対側の実装面を備えている実装領域を有することができる。実装面において、実装領域に電子モジュールを配置することができる。この場合、導体ストリップは、電子モジュールの電気的な接触接続に使用される。実装面は、上面の一部であってよい。代替的または付加的に、実装面が少なくとも部分的に固着面によって形成されていてもよい。固着面および/または上面には、支持体薄板の、実装領域外に位置する領域において、外部から自由に接近することができる。換言すれば、絶縁ストリップは、実装領域外の領域においては、上面を完全には被覆していない、かつ/または導体ストリップは、実装領域外の領域においては、固着面を完全には被覆していない。 The support sheet can have, in particular, a mounting area having a mounting surface opposite to the bottom surface side. On the mounting surface, the electronic module can be arranged in the mounting area. In this case, the conductor strip is used for electrical contact connection of the electronic module. The mounting surface may be part of the top surface. Alternatively or additionally, the mounting surface may be formed, at least in part, by the anchoring surface. The fixing surface and / or the upper surface can be freely approached from the outside in a region of the support thin plate located outside the mounting region. In other words, the insulating strip does not completely cover the top surface in the area outside the mounting area, and / or the conductor strip completely covers the anchoring surface in the area outside the mounting area. Absent.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板が多層に形成されている。支持体薄板は、ベース薄板、誘電性の層系およびオプションとしての金属製の反射層を含んでいる。ベース薄板の露出されている外面は、支持体薄板の底面を形成することができる。さらに、誘電性の層系の露出されている外面は、支持体薄板の上面を形成することができる。 According to at least one embodiment of the connecting support, the support thin plates are formed in multiple layers. The support sheet steel includes a base sheet steel, a dielectric layer system and an optional metal reflective layer. The exposed outer surface of the base sheet can form the bottom surface of the support sheet. Further, the exposed outer surface of the dielectric layer system can form the upper surface of the support thin plate.
特に、底面を金属製の面、例えばベース薄板の露出されている外面によって形成することができる。底面には外部から自由に接近することができる、かつ/または底面に外部から自由に電気的に接触接続することができる。換言すれば、底面は完成した接続支持体において、完全には電気絶縁性の材料によって被覆されていない。 In particular, the bottom surface can be formed by a metal surface, such as the exposed outer surface of the base sheet. The bottom surface can be freely approached from the outside, and / or the bottom surface can be freely electrically contacted and connected from the outside. In other words, the bottom surface is not completely covered with an electrically insulating material in the finished connection support.
ベース薄板は、特に金属、例えばアルミニウムによって形成することができるか、または金属から成るものであってよい。ベース薄板の底面側とは反対側の面を、コイルアルマイトかつ/または陽極酸化することができる。金属製のベース薄板の使用によって、支持体薄板の良好な熱伝導性が実現される。 The base sheet can be made of, in particular, a metal, such as aluminum, or may be made of metal. The surface of the base sheet opposite to the bottom surface can be coil alumite and / or anodized. The use of a metal base sheet provides good thermal conductivity of the support sheet.
ベース薄板の底面側とは反対側の面には、オプションとして、金属製の反射層を被着させることができる。金属製の反射層は、例えばアルミニウムまたは銀によって形成することができるか、またはそれらの材料のうちの1つから成るものであってよい。ベース薄板と金属製の反射層との間には、Elox層を含むことができる層列を設けることができる。Elox層は、酸化物、特に酸化アルミニウムまたは酸化銀を含有することができる。例えば、Elox層を、電解酸化を用いて、特にアルミニウムまたは銀から製造することができる。さらに、層列は固着層を含むことができる。 An optional metal reflective layer can be attached to the surface of the base sheet sheet opposite to the bottom surface side. The metallic reflective layer can be formed of, for example, aluminum or silver, or may consist of one of those materials. A layer row capable of containing the Elox layer can be provided between the base sheet and the metal reflective layer. The Elox layer can contain oxides, especially aluminum oxide or silver oxide. For example, the Elox layer can be made using electrolytic oxidation, especially from aluminum or silver. In addition, the layer row can include a fixed layer.
誘電性の層系は、複数の層を有することができ、層系のそれらの層のうちの少なくとも1つは、酸化物を含有することができるか、または酸化物から成るものであってよい。例えば、層系は、TiO2、SiO2、Al2O3、Nb2O5またはTa2O5を含有している。層系を、特に、誘電性ミラー、例えばブラッグミラーとして形成することができる。 The dielectric layer system can have multiple layers and at least one of those layers of the layer system can contain or consist of oxides. .. For example, the layered system contains TiO 2 , SiO 2 , Al 2 O 3 , Nb 2 O 5 or Ta 2 O 5 . The layered system can be formed, in particular, as a dielectric mirror, such as a Bragg mirror.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板の上面が、少なくとも430nm、好適には少なくとも440nm、かつ最大で700nmの波長において、特に450nmの波長において、少なくとも80%、好適には少なくとも85%、特に好適には少なくとも90%の反射率を有している。換言すれば、主延在平面に対して直交する方向において、支持体薄板の上面に入射する可視光が、少なくとも80%、好適には少なくとも85%、特に好適には少なくとも90%の確率で反射される。したがって、支持体薄板は、可視光、特に青色の光に対して高反射性に形成されている。その種の高反射性の、特に多層に形成されている支持体薄板を廉価に提供することができる。 According to at least one embodiment of the connecting support, the top surface of the support sheet is preferably at least 430 nm, preferably at least 440 nm, and at a wavelength of up to 700 nm, particularly at a wavelength of 450 nm, at least 80%. Has a reflectance of at least 85%, particularly preferably at least 90%. In other words, visible light incident on the upper surface of the support lamella in a direction orthogonal to the main extension plane is reflected with a probability of at least 80%, preferably at least 85%, and particularly preferably at least 90%. Will be done. Therefore, the support thin plate is formed to be highly reflective to visible light, particularly blue light. Such highly reflective, especially multi-layered support thin plates can be provided at low cost.
高反射性の支持体薄板の使用によって、接続支持体にオプトエレクトロニクス半導体チップを実装した場合、出力結合効率を改善することができる。つまり、特にすべての空間方向に光を放射するボリュームエミッタを使用する場合、接続支持体の方向に放出された光の効率的な反射が、支持体薄板によって実現される。したがって、反射された光をさらに利用することができる。さらに、ベース薄板は高い熱伝導性を有することができ、これによって、熱を、接続支持体に実装された電子モジュールからベース薄板を介して効率的に排出することができる。 By using a highly reflective support thin plate, the output coupling efficiency can be improved when the optoelectronic semiconductor chip is mounted on the connection support. That is, efficient reflection of the light emitted in the direction of the connecting support is achieved by the support sheet, especially when using a volume emitter that emits light in all spatial directions. Therefore, the reflected light can be further utilized. In addition, the base sheet can have high thermal conductivity, which allows heat to be efficiently dissipated from the electronic module mounted on the connection support through the base sheet.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、接続支持体は、表面実装(英語:SMT、Surface−Mountable−Device)によらずに、導電的に接続可能である。換言すれば、導体ストリップには、支持体薄板の底面側とは反対側のコンタクト面においてのみ自由に接近することができる。特に、導体ストリップは、支持体薄板の上面にのみ延在している。 According to at least one embodiment of the connection support, the connection support can be electrically connected without surface mounting (English: SMT, Surface-Mountable-Device). In other words, the conductor strip can be freely approached only on the contact surface opposite to the bottom surface side of the support sheet. In particular, the conductor strip extends only over the top surface of the support sheet.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、絶縁ストリップが上面全体を被覆している。特に、絶縁ストリップは、上面全体を完全に被覆している。絶縁ストリップを、例えば、保護層、保護封止材料または保護フィルムとして、支持体薄板の上面に設けることができる。絶縁ストリップは、透明に形成されている。ここで、また下記において、支持体薄板の構成要素の材料が少なくとも430nm、好適には少なくとも440nm、かつ最大で700nmの波長において、特に450nmの波長において、少なくとも80%、好適には少なくとも90%、特に好適には少なくとも95%の透過率を有している場合には、支持体薄板の構成要素は透明に形成されている。換言すれば、可視光、特に青色の光が、絶縁ストリップを良好に通過し、続いてその光を支持体薄板によって反射させることができる。 According to at least one embodiment of the connection support, an insulating strip covers the entire top surface. In particular, the insulating strip completely covers the entire top surface. The insulating strip can be provided on the upper surface of the support sheet as, for example, a protective layer, a protective sealing material or a protective film. The insulating strip is formed transparent. Here and below, the material of the components of the support sheet is at least 430 nm, preferably at least 440 nm, and at wavelengths up to 700 nm, especially at wavelengths of 450 nm, at least 80%, preferably at least 90%. Particularly preferably, the components of the support sheet are transparently formed when they have a transmittance of at least 95%. In other words, visible light, especially blue light, can pass well through the insulating strip and subsequently be reflected by the support sheet.
ここで、絶縁ストリップは、特に有機材料、例えばアクリル酸エステル、フッ素樹脂、ポリウレタンまたはポリエステルによって形成することができるか、またはそれらの材料のうちの少なくとも1つから成るものであってよい。代替的または付加的に、絶縁ストリップは、ゾルゲル、例えばシロキサン、水ガラスまたはモノリン酸アルミニウム(ベルリナイト)によって形成することができるか、またはそれらから成るものであってよい。有機材料および/またはゾルゲルを、例えば上面に吹付けることができるか、またはスピンコーティングすることができる。 Here, the insulating strip can be made of, in particular, organic materials such as acrylic ester, fluororesin, polyurethane or polyester, or may be made of at least one of those materials. Alternatively or additionally, the insulating strip can be formed or made of sol-gel, such as siloxane, waterglass or aluminum monophosphate (berlinite). Organic materials and / or sol-gel can be sprayed onto, for example, or spin coated.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、導体ストリップが長さおよび幅を有している。特に、導体ストリップは長さに沿って、この導体ストリップが延在する優先方向を有している。導体ストリップの幅は、導体ストリップの長さの最大で20%、好適には最大で10%である。したがって、導体ストリップは細長く形成されている。例えば、幅は、少なくとも0.4mmかつ最大で5mmである。長さは、少なくとも4mmかつ最大で100mmであってよい。 According to at least one embodiment of the connecting support, the conductor strip has a length and width. In particular, the conductor strip has a priority direction in which the conductor strip extends along its length. The width of the conductor strip is up to 20%, preferably up to 10% of the length of the conductor strip. Therefore, the conductor strip is elongated. For example, the width is at least 0.4 mm and at most 5 mm. The length may be at least 4 mm and at most 100 mm.
導体ストリップは、長さに沿って、支持体薄板の少なくとも90%を被覆している。さらに、導体ストリップは、幅に沿って、支持体薄板の少なくとも5%かつ最大で20%を被覆している。導体ストリップの長さは、製造公差の枠内で、支持体薄板の第1の横方向に沿って延びていると考えられる。さらに、導体ストリップの幅は、製造公差の枠内で、第1の横方向に対して直交する第2の横方向に沿って延びていると考えられる。この場合、導体ストリップの長さは、第1の横方向に沿った支持体薄板の第1の寸法の少なくとも1つの90%である。さらに、導体ストリップの幅は、第2の横方向に沿った支持体薄板の第2の寸法の少なくとも5%かつ最大で20%である。 The conductor strip covers at least 90% of the support sheet along its length. In addition, the conductor strip covers at least 5% and up to 20% of the support sheet along its width. The length of the conductor strip is considered to extend along the first lateral direction of the support lamella within the frame of the manufacturing tolerance. Further, the width of the conductor strip is considered to extend along a second lateral direction orthogonal to the first lateral direction within the framework of the manufacturing tolerance. In this case, the length of the conductor strip is 90% of at least one of the first dimensions of the support lamella along the first lateral direction. Further, the width of the conductor strip is at least 5% and up to 20% of the second dimension of the support lamella along the second lateral direction.
導体ストリップは、さらに、幅および長さを横断する方向ないし直交する方向において厚さを有している。導体ストリップの厚さは、少なくとも25μm、好適には少なくとも40μm、かつ最大で200μm、好適には最大で150μmである。 The conductor strips also have a thickness in the direction across or orthogonal to the width and length. The thickness of the conductor strip is at least 25 μm, preferably at least 40 μm, and at most 200 μm, preferably at most 150 μm.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、少なくとも1つの絶縁ストリップが長さおよび幅を有している。特に、絶縁ストリップは長さに沿って、この絶縁ストリップが延在する優先方向を有している。絶縁ストリップの幅は、絶縁ストリップの長さの最大で25%、好適には15%であってよい。絶縁ストリップの長さは、少なくとも導体ストリップの長さである。換言すれば、絶縁ストリップの長さは、導体ストリップの長さと正確に一致するように、または導体ストリップの長さよりも長くなるように形成されている。 According to at least one embodiment of the connection support, at least one insulating strip has a length and width. In particular, the insulating strip has a priority direction in which the insulating strip extends along its length. The width of the insulating strip may be up to 25%, preferably 15% of the length of the insulating strip. The length of the insulating strip is at least the length of the conductor strip. In other words, the length of the insulating strip is formed to exactly match the length of the conductor strip or to be longer than the length of the conductor strip.
さらに、絶縁ストリップの幅は、導体ストリップの幅よりも少なくとも100μm大きい。代替的または付加的に、絶縁ストリップの幅は、導体ストリップの幅の少なくとも1.25倍、好適には少なくとも1.5倍に相当する。 Further, the width of the insulating strip is at least 100 μm larger than the width of the conductor strip. Alternatively or additionally, the width of the insulating strip corresponds to at least 1.25 times the width of the conductor strip, preferably at least 1.5 times.
絶縁ストリップが導体ストリップよりも幅広に形成されていることによって、導体ストリップと支持体薄板との間の沿面距離を拡大し、それによって支持体薄板に対する導体ストリップのより良好な絶縁を保証することができる。 By forming the insulating strip wider than the conductor strip, it is possible to increase the creepage distance between the conductor strip and the support thin plate, thereby ensuring better insulation of the conductor strip against the support thin plate. it can.
各導体ストリップに1つの絶縁ストリップを一義的に対応付けることができる。導体ストリップを、絶縁ストリップにセンタリングして配置することができる。換言すれば、長さおよび/または幅に沿った導体ストリップの中心軸線を、製造公差の枠内で、長さおよび/または幅に沿った絶縁ストリップの中心軸線に一致させることができる。 One insulating strip can be uniquely associated with each conductor strip. The conductor strips can be centered and placed on the insulating strips. In other words, the central axis of the conductor strip along the length and / or width can be aligned with the central axis of the insulating strip along the length and / or width within the framework of manufacturing tolerances.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板が多層に形成されており、かつベース薄板と、電気絶縁性に形成されている透明なコーティングと、を含んでいる。透明なコーティングの、ベース薄板側とは反対側の外面は、支持体薄板の上面を形成している。上面は、特に、1つに繋がるように形成されている。換言すれば、透明なコーティングを一体的にないし繋がっているように形成することができ、また透明なコーティングは、ベース薄板を完全に覆い隠すことができる。透明なコーティングは、特に、上述の有機材料および/または上述のゾルゲルによって形成することができるか、またはそれらの材料のうちの1つから成るものであってよい。 According to at least one embodiment of the connecting support, the support lamellae are multi-layered and include a base lamellae and a transparent coating that is electrically insulatingly formed. The outer surface of the transparent coating, which is opposite to the base sheet side, forms the upper surface of the support sheet. The upper surface is particularly formed so as to be connected to one. In other words, the transparent coating can be formed as an integral or connected piece, and the transparent coating can completely cover the base sheet. The clear coating can, in particular, be formed by the organic materials described above and / or the sol-gel described above, or may consist of one of those materials.
例えば、支持体薄板は、誘電性の層系を含むことができ、また透明のコーティングは、誘電性の層系の一部であってよい。特に、透明なコーティングは、層系の残りの層の面を完全に被覆することができるか、もしくは層系の残りの層の全面を被覆することができる。透明なコーティングは、特に、環境の影響に対する支持体薄板の耐腐食性を改善することができる。さらに、透明なコーティングは、絶縁ストリップに付加的に、絶縁耐力を向上させることができ、また沿面距離を拡大することができる。特にこの場合には、接続支持体は、1つに繋がっている透明なコーティングと、その透明なコーティングに被着された少なくとも1つの絶縁ストリップと、を有することができる。 For example, the support sheet can include a dielectric layer system, and the transparent coating may be part of the dielectric layer system. In particular, the transparent coating can completely cover the surface of the remaining layers of the layered system, or can cover the entire surface of the remaining layers of the layered system. The transparent coating can, in particular, improve the corrosion resistance of the support sheet to environmental influences. In addition, the transparent coating can additionally improve the dielectric strength of the insulating strip and increase the creepage distance. Particularly in this case, the connecting support can have a transparent coating attached to one and at least one insulating strip adhered to the transparent coating.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、各導体ストリップに、1つの絶縁ストリップが一義的に対応付けられており、かつ支持体薄板の上面は、1つに繋がるように形成されている。この種の接続支持体は、特に簡単かつ廉価に製造することができる。 According to at least one embodiment of the connecting support, each conductor strip is uniquely associated with one insulating strip, and the upper surface of the support thin plate is formed so as to be connected to one. There is. This type of connection support can be manufactured particularly easily and inexpensively.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板の側面が、複数のポケットを有している。ポケットは、支持体薄板の側面におけるノッチによって形成されている。側面は、支持体薄板の、底面および上面と繋がっている外面であってよい。ポケットのうちの少なくとも1つは、少なくとも部分的に、少なくとも1つの導体ストリップによって覆い隠されている。 According to at least one embodiment of the connecting support, the sides of the support lamella have a plurality of pockets. The pockets are formed by notches on the sides of the support sheet. The side surface may be the outer surface of the support thin plate connected to the bottom surface and the top surface. At least one of the pockets is at least partially obscured by at least one conductor strip.
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、支持体薄板の側面が、少なくともポケットの領域において、少なくとも部分的に絶縁層によって被覆されている。特に、絶縁層を側面に直接的に接触させることができる。側面をポケットの領域において完全に絶縁層によって被覆することができ、その結果、ポケットの領域においては、側面にはもはや自由に接近することができない。 According to at least one embodiment of the connecting support, the sides of the support sheet are at least partially covered with an insulating layer, at least in the pocket area. In particular, the insulating layer can be brought into direct contact with the side surface. The sides can be completely covered with an insulating layer in the pocket area, so that in the pocket area the sides can no longer be freely accessible.
絶縁層を、電気絶縁性に形成することができる。絶縁層は、アクリル酸エステル、ポリウレタン、シリコーンまたはエポキシを基礎とする有機誘電体を含有することができるか、またはそれらの材料のうちの1つから成るものであってよい。代替的または付加的に、絶縁層をポリエステルまたはポリイミドによって形成することができる。さらに、絶縁層の材料をUVビームによって、かつ/または熱的に硬化させることができる。特に、絶縁層を側面へのジェッティング、ディスペンシングまたは印刷法によって被着させることができる。この場合、製造方法の間に、開口部および/またはポケットを絶縁層で充填し、続いて、各側面において絶縁層の領域のみが残存するように、絶縁層の一部を除去することができる。 The insulating layer can be formed to be electrically insulating. The insulating layer can contain organic dielectrics based on acrylic acid esters, polyurethanes, silicones or epoxies, or may consist of one of those materials. Alternatively or additionally, the insulating layer can be formed of polyester or polyimide. In addition, the material of the insulating layer can be cured by UV beam and / or thermally. In particular, the insulating layer can be applied by jetting, dispensing or printing on the sides. In this case, during the manufacturing process, the openings and / or pockets can be filled with an insulating layer and subsequently a portion of the insulating layer can be removed so that only the area of the insulating layer remains on each side surface. ..
接続支持体の少なくとも1つの実施の形態によれば、導体ストリップの一領域および絶縁ストリップの一領域が、ポケットの領域において折り返されている。導体ストリップの折り返された領域および絶縁ストリップの折り返された領域は、導体ストリップの折り返されていない領域の、支持体薄板側とは反対側の面に配置されている。さらに、導体ストリップは、ポケットの領域において、絶縁ストリップの折り返された領域によって覆い隠されている。特に、導体ストリップを側面において、絶縁ストリップによって完全に覆うことができる。この場合、側面において、導体ストリップにはもはや自由に接近することができず、また特に絶縁ストリップを外側に向かって電気的に絶縁することができる。 According to at least one embodiment of the connecting support, one area of the conductor strip and one area of the insulating strip are folded back in the pocket area. The folded area of the conductor strip and the folded area of the insulating strip are located on the unfolded area of the conductor strip, opposite to the sheet side of the support. In addition, the conductor strip is obscured by the folded area of the insulating strip in the pocket area. In particular, the conductor strips can be completely covered by the insulating strips on the sides. In this case, on the sides, the conductor strips can no longer be freely accessible, and in particular the insulating strips can be electrically insulated outward.
さらに、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが提供される。オプトエレクトロニクス半導体モジュールは、本明細書に記載する接続支持体を含んでいる。このことは、接続支持体に関して開示したすべての特徴は、オプトエレクトロニクス半導体モジュールについても開示されており、またそれとは反対に、オプトエレクトロニクス半導体モジュールに関して開示したすべての特徴は、接続支持体についても開示されていることを意味している。 In addition, optoelectronic semiconductor modules are provided. The optoelectronics semiconductor module includes the connection supports described herein. This means that all the features disclosed for the connection support are also disclosed for the optoelectronic semiconductor module, and conversely, all the features disclosed for the optoelectronic semiconductor module are also disclosed for the connection support. It means that it has been done.
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも1つの実施の形態によれば、オプトエレクトロニクス半導体モジュールが、接続支持体と、接続箇所を備えている少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体チップと、を含んでいる。接続箇所は、特に、オプトエレクトロニクス半導体チップの電気的な接触接続に使用される。オプトエレクトロニクス半導体チップを、光の放射および/または吸収のために設けることができる。オプトエレクトロニクス半導体チップは、発光ダイオードチップおよび/またはフォトダイオードチップであってよい。特に半導体チップは、青色の光を放射する。特に、オプトエレクトロニクス半導体チップは、すべての空間方向への放射を行うボリュームエミッタであってよい。 According to at least one embodiment of the optoelectronic semiconductor module, the optoelectronic semiconductor module includes a connection support and at least one optoelectronic semiconductor chip provided with a connection point. The connection points are particularly used for electrical contact connections of optoelectronic semiconductor chips. Optoelectronic semiconductor chips can be provided for light emission and / or absorption. The optoelectronics semiconductor chip may be a light emitting diode chip and / or a photodiode chip. Semiconductor chips in particular emit blue light. In particular, the optoelectronics semiconductor chip may be a volume emitter that radiates in all spatial directions.
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも1つの実施の形態によれば、少なくとも1つの半導体チップが、接続支持体の実装領域において、支持体薄板の実装面に被着されている。半導体チップを、実装面と直接的に接触させることができる。実装面は、上面の一部であってよい。 According to at least one embodiment of the optoelectronics semiconductor module, at least one semiconductor chip is adhered to the mounting surface of the support thin plate in the mounting region of the connection support. The semiconductor chip can be brought into direct contact with the mounting surface. The mounting surface may be part of the top surface.
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも1つの実施の形態によれば、接続箇所のうちの少なくとも1つが、少なくとも1つの導体ストリップと導電的に接続されている。導体ストリップと接続箇所との電気的な接続を、例えばワイヤボンディングによって行うことができる。 According to at least one embodiment of the optoelectronics semiconductor module, at least one of the connection points is conductively connected to at least one conductor strip. The electrical connection between the conductor strip and the connection can be made, for example, by wire bonding.
オプトエレクトロニクス半導体モジュールの少なくとも1つの実施の形態によれば、接続支持体が少なくとも2つの導体ストリップを有している。各導体ストリップは、少なくとも1つの絶縁ストリップによって、支持体薄板から電気的に絶縁されている。さらに、各接続箇所は、少なくとも1つの導体ストリップと導電的に接続されている。換言すれば、半導体チップの接続箇所は、支持体薄板を介しては電気的に接触接続されていない、かつ/または支持体薄板とは導電的に接続されていない。 According to at least one embodiment of the optoelectronics semiconductor module, the connecting support has at least two conductor strips. Each conductor strip is electrically insulated from the support sheet by at least one insulating strip. Further, each connection point is electrically connected to at least one conductor strip. In other words, the connection points of the semiconductor chips are not electrically contact-connected via the support thin plate and / or are not conductively connected to the support thin plate.
以下では、本明細書に記載する方法、本明細書に記載する接続支持体、ならびに本明細書に記載するオプトエレクトロニクス半導体モジュールを、実施例および添付の図面に基づき詳細に説明する。 Hereinafter, the methods described herein, the connection supports described herein, and the optoelectronic semiconductor modules described herein will be described in detail with reference to examples and accompanying drawings.
図中、同一の要素、同種の要素または同一に作用する要素には、同一の参照符号を付している。図面、および図面に図示した要素相互の大きさの比率は、縮尺通りとみなされるべきではない。むしろ、個々の要素は、見易くするため、かつ/またはより良い理解のために過度に大きく図示している場合もある。 In the figure, the same elements, the same kind of elements, or the elements that act in the same manner are designated by the same reference numerals. The size ratio between the drawings and the elements shown in the drawings should not be considered to scale. Rather, the individual elements may be oversized for clarity and / or for better understanding.
図1の斜視図に基づき、本明細書に記載する接続支持体ならびに本明細書に記載する方法の1つの実施例を詳細に説明する。接続支持体を個別化する前の方法ステップが示されている。 Based on the perspective view of FIG. 1, the connection support described herein and one embodiment of the method described herein will be described in detail. The method steps before individualizing the connection support are shown.
各接続支持体は、上面1aを備えている支持体薄板1を有している。
Each connecting support has a support
上面1aには、絶縁ストリップ2が被着されている。さらに、絶縁ストリップ2の、上面1a側とは反対側の固着面2aには、導体ストリップ3が被着されている。絶縁ストリップ2および導体ストリップ3は、支持体薄板1の横方向のうちの一方に沿って延在している。図示の実施例においては、各絶縁ストリップ2に、1つの導体ストリップ3が一義的に対応付けられている。
An insulating
支持体薄板1は、さらに実装領域15を有しており、この実装領域15において、上面1aの一部が実装面15aを形成している。実装領域15において、実装面15aに、電子モジュール(図1には図示せず)を被着させることができる。
The support
さらに、支持体薄板1は、複数の開口部4を有している。各開口部4は、主延在方向を有している。それらの開口部4に沿って、接続支持体の個別化を行うことができる。開口部4は、ポケット41を有している。ポケット41の領域において、開口部4は、その各主延在方向に対して直交する方向において、ポケット41外の寸法よりも大きい寸法を有している。ポケット41の領域においては、導体ストリップ3および絶縁ストリップ2が開口部4を覆い隠している。
Further, the support
開口部4間には、ブリッジ42が設けられており、それらのブリッジ42において、支持体薄板1の個々の領域がさらに繋がるように形成されている。それらのブリッジ42を貫いて、接続支持体の個別化を行うことができる。さらに、ブリッジ42によって、例えばロールに巻き取るために必要になる、接続支持体の可撓性を保証することができる。
図2の概略図に基づき、本明細書に記載する接続支持体ならびに本明細書に記載するオプトエレクトロニクス半導体モジュールの1つの実施例を詳細に説明する。図示の実施例において、上面1aには、オプトエレクトロニクス半導体チップ5が被着されている(図1には詳細には図示せず)。使用されている接続支持体は、図1の実施例に相当する。半導体チップ5は、変換封止材53によって封止されている。変換封止材53は、オプトエレクトロニクス半導体チップ5から放射される光の波長変換に使用される。変換封止材53の外側の領域は、変換封止材53のための漏れ止め縁部として使用される漏れ止め堰54によって包囲される。
Based on the schematic diagram of FIG. 2, one embodiment of the connection support described herein and the optoelectronic semiconductor module described herein will be described in detail. In the illustrated embodiment, the
図3の概略図に基づき、本明細書に記載する接続支持体ならびに本明細書に記載するオプトエレクトロニクス半導体モジュールの1つの別の実施例を詳細に説明するが、ここでは、図1および図2の実施例とは異なり、導体ストリップ3および絶縁ストリップ2は、接続支持体間で個別化されており、もはや相互に接続されていない。導体ストリップ3および絶縁ストリップ2のこの個別化は、開口部4のポケット41の領域において行われた。
Based on the schematic of FIG. 3, another embodiment of the connection support described herein and the optoelectronic semiconductor module described herein will be described in detail, but here in FIGS. 1 and 2. Unlike the embodiment, the
図4の概略的な断面図に基づき、本明細書に記載する接続支持体のための支持体薄板1の1つの実施例を詳細に説明する。支持体薄板1は、多層に形成されており、かつベース薄板11を有しており、その露出されている外面は、支持体薄板1の上面1a側とは反対側の底面1cを形成している。ベース薄板11の底面1c側とは反対側の面には、層列14が設けられており、この層列14によって、金属製の反射層12をベース薄板11に接続させることができる。層列14は、酸化アルミニウムまたは酸化銀によって形成することができるElox層を含むことができる。さらに、層列14は、ベース薄板11と金属製の反射層12および/または層系13の接続に使用することができる固着層を有することができる。しかしながら、支持体薄板1が、金属製の反射層12および/または層列14を有していないことも考えられる。
Based on the schematic cross-sectional view of FIG. 4, one embodiment of the support
ベース薄板11ないしオプションとしての金属製の反射層12の、底面1c側とは反対側の面には、誘電性の層系13が被着されている。誘電性の層系13の露出されている外面は、支持体薄板1の上面1aを形成している。誘電性の層系13は、複数の層を含んでおり(図4には図示せず)、それらの層は一緒に1つの誘電性ミラーを形成することができる。特に、層系13は、透明なコーティングを含むことができ、そのコーティングの、ベース薄板11側とは反対側の外面は、上面1aを形成することができる。
A
図5および図6の概略的な平面図に基づき、本明細書に記載する接続支持体ならびに本明細書に記載する方法の1つの実施例を詳細に説明する。図5においては、底面1c側からの平面図が示されており、また図6においては、支持体薄板1の上面1a側からの平面図が示されている。図5および図6の左側には、それぞれ打抜き前の方法ステップが示されており、その一方で右側には、打抜きに続く方法ステップが示されている。
Based on the schematic plan views of FIGS. 5 and 6, the connection support described herein and one embodiment of the method described herein will be described in detail. FIG. 5 shows a plan view from the
図5および図6の左側に示されている方法ステップにおいては、開口部4およびポケット41が支持体薄板1に形成されている。ポケット41は、導体ストリップ3および絶縁ストリップ2によって部分的に覆い隠されている。開口部4のポケット41には、絶縁材料61が充填される。このために、例えば、ジェッティング、ディスペンシングまたは印刷法を使用することができる。ポケット41を覆い隠している絶縁ストリップ2ないし導体ストリップ3の領域は、ここでは、上面1aの方向に絶縁材料61が延びることを阻止することができる。
In the method step shown on the left side of FIGS. 5 and 6, the
図5および図6の右側に示されている方法ステップにおいては、打抜きプロセスが実施されている。ここでは、絶縁材料61の一部が除去される。ここで、絶縁材料61の除去されなかった部分は、絶縁層6を形成する。支持体薄板1の側面1bは、ポケット41の領域において、絶縁層6によって被覆されている。
In the method steps shown on the right side of FIGS. 5 and 6, a punching process is performed. Here, a part of the insulating
さらに、図6は、複数の接続箇所51を備えているオプトエレクトロニクス半導体チップ5を示しており、それらの接続箇所51は、ワイヤボンディング52によって、それぞれ1つの導体ストリップ3と接続されている。図6に図示したものとは異なり、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ5が、例えばマルチダイないしマルチチップとして、実装面15aに被着されていてもよい。その場合、複数のオプトエレクトロニクス半導体チップ5を、相互に直列かつ/または並列に結線して、実装面15aに被着させることができる。
Further, FIG. 6 shows an
図7の斜視図に基づき、本明細書に記載する接続支持体ならびに本明細書に記載するオプトエレクトロニクス半導体モジュールの1つの別の実施例を詳細に説明する。図示した実施例には、開口部4のポケット41が改めて示されているが、ここでは、ポケット41の領域における支持体薄板1の側面1bに絶縁層6が設けられている。
Based on the perspective view of FIG. 7, another embodiment of the connection support described herein and the optoelectronic semiconductor module described herein will be described in detail. In the illustrated embodiment, the
図8の斜視図に基づき、本明細書に記載する接続支持体および本明細書に記載するオプトエレクトロニクス半導体モジュールの1つの別の実施例を詳細に説明する。この実施例においては、絶縁ストリップ2および導体ストリップ3が、ポケット41の領域において折り返されている。ここでは、絶縁ストリップの折り返された領域21ならびに導体ストリップの折り返された領域31が、導体ストリップ3の折り返されていない領域を覆い隠している。側面1bにおいて、導体ストリップ3にもはや自由に接近することはできない。導体ストリップ3は、絶縁ストリップの折り返された領域21によって、側面1bにおいて電気的に絶縁される。
Based on the perspective view of FIG. 8, another embodiment of the connection support described herein and the optoelectronic semiconductor module described herein will be described in detail. In this embodiment, the insulating
ポケット41の領域において、支持体薄板1の側面1bには、上面1aから離れる方向において、最初に、折り返されていない絶縁ストリップ2が配置されており、続いて、折り返されていない導体ストリップ3が配置されており、それに続いて、上面1a側とは反対側の面には、導体ストリップ3の折り返された領域31が配置されており、さらに、絶縁ストリップ2の折り返された領域21が配置されている。
In the area of the
本発明は、実施例に基づく上記の説明によって、それらの実施例に限定されるものではない。むしろ本発明は、あらゆる新規の特徴ならびにそれらの特徴のあらゆる組合せを含むものであり、このことは特に、その特徴またはその組合せ自体が明示的に特許請求の範囲または実施例に記載されていない場合であっても、特許請求の範囲における特徴のあらゆる組合せを含んでいる。 The present invention is not limited to those examples by the above description based on the examples. Rather, the invention includes all novel features and any combination of those features, especially if the features or combinations themselves are not explicitly stated in the claims or examples. Even so, it includes any combination of features within the claims.
本明細書は、ドイツ連邦共和国特許明細書DE102015107657.8の優先権を主張するものであり、その開示内容は参照により明示的に本明細書に含まれる。 This specification claims the priority of the German Federal Republic patent specification DE102015107657.8, the disclosure of which is expressly included herein by reference.
1 支持体薄板
1a 上面
1b 側面
1c 底面
11 ベース薄板
12 金属製の反射層
13 誘電性の層系
14 層列
15 実装領域
15a 実装面
2 絶縁ストリップ
2a 固着面
2L 絶縁ストリップの長さ
2B 絶縁ストリップの幅
21 絶縁ストリップの折り返された領域
3 導体ストリップ
3L 導体ストリップの長さ
3B 導体ストリップの幅
31 導体ストリップの折り返された領域
4 開口部
41 開口部におけるポケット
42 ブリッジ
6 絶縁層
61 絶縁材料
5 オプトエレクトロニクス半導体チップ
51 接続箇所
52 ワイヤボンディング
53 変換封止材
54 漏れ止め堰
1 Support
Claims (18)
A)平らに形成されている上面(1a)を備えている支持体薄板(1)を準備するステップと、
B)電気絶縁性に形成されている少なくとも1つの絶縁ストリップ(2)を前記上面(1a)に被着させ、前記支持体薄板(1)と前記絶縁ストリップ(2)とを素材結合により結合させるステップと、
C)導電性に形成されている少なくとも1つの導体ストリップ(3)を、前記絶縁ストリップ(2)の固着面(2a)に被着させ、前記絶縁ストリップ(2)と前記導体ストリップ(3)とを素材結合により結合させるステップと、を有しており、
前記導体ストリップ(3)と前記支持体薄板(1)とは、前記絶縁ストリップ(2)によって相互に電気的に絶縁されており、
前記ステップC)を前記ステップB)の前に実施し、前記絶縁ストリップ(2)および前記導体ストリップ(3)を一緒に前記支持体薄板(1)に被着させる、
少なくとも1つの接続支持体を製造するための方法。 In a method for manufacturing at least one connecting support
A) A step of preparing a support thin plate (1) having a flatly formed upper surface (1a), and
B) At least one insulating strip (2) formed in an electrically insulating manner is adhered to the upper surface (1a), and the support thin plate (1) and the insulating strip (2) are bonded by material bonding. Steps and
C) At least one conductively formed conductor strip (3) is adhered to the fixing surface (2a) of the insulating strip (2), and the insulating strip (2) and the conductor strip (3) are combined. Has a step of joining by material bonding,
The conductor strip (3) and the support thin plate (1) are electrically insulated from each other by the insulating strip (2).
The step C) is carried out before the step B), and the insulating strip (2) and the conductor strip (3) are adhered to the support thin plate (1) together.
A method for manufacturing at least one connecting support.
請求項1記載の方法。 Bonding by material bonding in step B) and / or bonding by material bonding in step C) is performed using a laminating process and / or by adhesive bonding.
The method according to claim 1.
請求項1または2記載の方法。 The steps A) and C) and optionally the step B) are performed in a roll-to-roll process.
The method according to claim 1 or 2.
請求項1から3のいずれか1項記載の方法。 The support thin plate (1) is formed in multiple layers and includes a base thin plate (11) and a dielectric layer system (13), and the dielectric layer system (13) is designed as a dielectric mirror. The upper surface (1a) of the support thin plate (1) has a reflectance of at least 80% at a wavelength of at least 430 nm and a reflectance at a wavelength of at least 700 nm. Item description method.
前記ステップC)における被着を、前記導体ストリップ(3)が前記開口部(4)のうちの少なくとも1つを前記開口部の覆い隠された領域(41)において少なくとも部分的に覆い隠すように行う、
請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 Prior to the step B), a plurality of openings (4) are formed in the support thin plate (1).
The adhesion in step C) is such that the conductor strip (3) covers at least one of the openings (4) at least partially in the obscured area (41) of the opening. Do, do
The method according to any one of claims 1 to 4.
前記導体ストリップの折り返された領域(31)および前記絶縁ストリップの折り返された領域(21)を、続けて、前記導体ストリップ(3)の折り返されていない領域の、前記支持体薄板(1)側とは反対側の面に配置し、
前記導体ストリップ(3)を、折返し後に、前記開口部の覆い隠された領域(41)において、前記絶縁ストリップの折り返された領域(21)によって被覆する、
請求項5記載の方法。 After step C), in a further step D), one region (31) of the conductor strip and one region (21) of the insulating strip are folded back at the obscured region (41) of the opening.
The folded region (31) of the conductor strip and the folded region (21) of the insulating strip are followed by the unfolded region of the conductor strip (3) on the support thin plate (1) side. Place it on the opposite side of the
After folding, the conductor strip (3) is covered with the folded region (21) of the insulating strip in the obscured region (41) of the opening.
The method according to claim 5.
平らに形成されている上面(1a)を備えている、支持体薄板(1)と、
電気絶縁性に形成されており、かつ前記上面(1a)に被着されている、少なくとも1つの絶縁ストリップ(2)と、
導電性に形成されており、かつ前記絶縁ストリップ(2)の、前記上面(1a)側とは反対側の固着面(2a)に被着されている、少なくとも1つの導体ストリップ(3)と、を有しており、
前記支持体薄板(1)と前記絶縁ストリップ(2)、および前記絶縁ストリップ(2)と前記導体ストリップ(3)は、それぞれ素材結合により相互に結合されており、
前記導体ストリップ(3)と前記支持体薄板(1)とは、前記絶縁ストリップ(2)によって相互に電気的に絶縁されており、
前記支持体薄板(1)は、多層に形成されており、かつベース薄板(11)、誘電性の層系(13)およびオプションとしての金属製の反射層(12)を含んでおり、
前記支持体薄板(1)の前記上面(1a)は、少なくとも430nmかつ最大で700nmの波長において、少なくとも80%の反射率を有しており、
前記支持体薄板(1)の側面(1b)は、前記支持体薄板(1)におけるノッチによって形成されている複数のポケット(41)を有しており、該ポケット(41)のうちの少なくとも1つは、少なくとも部分的に前記導体ストリップ(3)によって覆い隠されている、
電子モジュールのための接続支持体。 In the connection support for electronic modules
A support lamella (1) with a flattened top surface (1a) and
With at least one insulating strip (2) formed to be electrically insulating and adhered to the upper surface (1a).
With at least one conductor strip (3) formed conductively and adhered to a fixing surface (2a) of the insulating strip (2) opposite to the upper surface (1a) side. Have and
The support thin plate (1) and the insulating strip (2), and the insulating strip (2) and the conductor strip (3) are respectively bonded to each other by material bonding.
The conductor strip (3) and the support thin plate (1) are electrically insulated from each other by the insulating strip (2).
The support sheet (1) is multi-layered and includes a base sheet (11), a dielectric layer system (13) and an optional metal reflective layer (12).
Wherein the top surface of the support sheet (1) (1a) at a wavelength of at least 430nm and 700nm at the maximum, has a reflectivity of at least 80%,
The side surface (1b) of the support thin plate (1) has a plurality of pockets (41) formed by notches in the support thin plate (1), and at least one of the pockets (41). One is at least partially obscured by the conductor strip (3).
Connection support for electronic modules.
請求項7記載の接続支持体。 The support thin plate (1) is formed in multiple layers and includes a base thin plate (11) and a dielectric layer system (13), and the dielectric layer system (13) is designed as a dielectric mirror. The upper surface (1a) of the support thin plate (1) has a reflectance of at least 80% at a wavelength of at least 430 nm and a reflectance at a wavelength of at least 700 nm.
The connection support according to claim 7.
請求項7または8記載の接続支持体。 The connection support can be connected independently of surface mount (SMT).
The connection support according to claim 7 or 8.
前記絶縁ストリップ(2)は、透明に形成されている、
請求項7から9までのいずれか1項記載の接続支持体。 The insulating strip (2) covers the entire upper surface (1a).
The insulating strip (2) is transparently formed.
The connection support according to any one of claims 7 to 9.
前記導体ストリップ(3)の前記幅(3B)は、前記導体ストリップ(3)の前記長さ(3L)の最大で20%であり、
前記導体ストリップ(3)は、前記長さ(3L)に沿って、前記支持体薄板(1)の少なくとも90%を被覆しており、かつ前記幅(3B)に沿って、前記支持体薄板(1)の少なくとも5%かつ最大で20%を被覆している、
請求項7から10までのいずれか1項記載の接続支持体。 The at least one conductor strip (3) has a length (L) and a width (B).
The width (3B) of the conductor strip (3) is up to 20% of the length (3L) of the conductor strip (3).
The conductor strip (3) covers at least 90% of the support thin plate (1) along the length (3L), and the support thin plate (3B) is along the width (3B). Covers at least 5% and up to 20% of 1),
The connection support according to any one of claims 7 to 10.
前記絶縁ストリップ(2)の長さ(2L)は、少なくとも、前記導体ストリップ(3)の長さ(3L)であり、
前記絶縁ストリップ(2)の幅(2B)は、前記導体ストリップ(3)の幅(3B)よりも少なくとも100μm長い、かつ/または前記絶縁ストリップ(2)の幅(2B)は、前記導体ストリップ(3)の幅(3B)の少なくとも1.25倍に相当する、
請求項11記載の接続支持体。 The at least one insulating strip (2) has a length (2L) and a width (2B).
The length (2L) of the insulating strip (2) is at least the length (3L) of the conductor strip (3).
The width (2B) of the insulating strip (2) is at least 100 μm longer than the width (3B) of the conductor strip (3), and / or the width (2B) of the insulating strip (2) is the conductor strip (2B). Corresponds to at least 1.25 times the width (3B) of 3),
11. The connection support according to claim 11.
前記透明なコーティングの、前記ベース薄板(11)側とは反対側の外面は、前記支持体薄板(1)の前記上面(1a)を形成している、
請求項7から12までのいずれか1項記載の接続支持体。 The support sheet (1) includes a multi-layered and transparent coating formed on the base sheet (11) and electrically insulating.
The outer surface of the transparent coating on the side opposite to the base thin plate (11) side forms the upper surface (1a) of the support thin plate (1).
The connection support according to any one of claims 7 to 12.
請求項7から13までのいずれか1項記載の接続支持体。 The side surface (1b) of the support thin plate (1) is at least partially covered with an insulating layer (6) in the region of the pocket (41).
The connection support according to any one of claims 7 to 13.
前記導体ストリップの折り返された領域(31)および前記絶縁ストリップの折り返された領域(21)は、前記導体ストリップ(3)の折り返されていない領域の、前記支持体薄板(1)側とは反対側の面に配置されており、
前記導体ストリップ(3)の折り返されていない領域は、前記ポケットの領域(41)において、前記絶縁ストリップの折り返された領域(21)によって被覆されている、
請求項7から14までのいずれか1項記載の接続支持体。 One region (31) of the conductor strip and one region (21) of the insulating strip are folded back in the pocket region (41).
The folded region (31) of the conductor strip and the folded region (21) of the insulating strip are opposite to the unfolded region of the conductor strip (3) on the support thin plate (1) side. It is placed on the side surface and
The unfolded region of the conductor strip (3) is covered by the folded region (21) of the insulating strip in the pocket region (41).
The connection support according to any one of claims 7 to 14.
前記上面(1a)は、1つに繋がるように形成されている、
請求項7から15までのいずれか1項記載の接続支持体。 One insulating strip (2) is uniquely associated with each conductor strip (3).
The upper surface (1a) is formed so as to be connected to one.
The connection support according to any one of claims 7 to 15.
請求項7から16までのいずれか1項記載の接続支持体と、
接続箇所(51)を備えている少なくとも1つのオプトエレクトロニクス半導体チップ(5)と、を含んでおり、
前記少なくとも1つの半導体チップ(5)は、前記接続支持体の実装領域(15)において、前記支持体薄板(1)の実装面(15a)に被着されており、
少なくとも1つの接続箇所(51)は、前記少なくとも1つの導体ストリップ(3)と導電的に接続されている、
オプトエレクトロニクス半導体モジュール。 In optoelectronics semiconductor modules
The connection support according to any one of claims 7 to 16,
Includes at least one optoelectronic semiconductor chip (5), which comprises a connection point (51).
The at least one semiconductor chip (5) is adhered to the mounting surface (15a) of the support thin plate (1) in the mounting region (15) of the connection support.
At least one connection point (51) is electrically connected to the at least one conductor strip (3).
Optoelectronics semiconductor module.
各接続箇所(51)は、少なくとも1つの導体ストリップ(3)と導電的に接続されている、
請求項17記載のオプトエレクトロニクス半導体モジュール。 The connecting support has at least two conductor strips (3), and the two conductor strips (3) are electrically operated from the support thin plate (1) by the at least one insulating strip (2). Insulated
Each connection point (51) is conductively connected to at least one conductor strip (3).
The optoelectronic semiconductor module according to claim 17.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102015107657.8 | 2015-05-15 | ||
DE102015107657.8A DE102015107657A1 (en) | 2015-05-15 | 2015-05-15 | Method for producing a connection carrier, connection carrier and optoelectronic semiconductor component with a connection carrier |
PCT/EP2016/058643 WO2016184632A1 (en) | 2015-05-15 | 2016-04-19 | Method for producing a connection support, connection support and optoelectronic semiconductor component comprising a connection support |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018517307A JP2018517307A (en) | 2018-06-28 |
JP6856627B2 true JP6856627B2 (en) | 2021-04-07 |
Family
ID=55802362
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018511334A Active JP6856627B2 (en) | 2015-05-15 | 2016-04-19 | A method for manufacturing a connection support, a connection support, and an optoelectronic semiconductor module comprising the connection support. |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10468569B2 (en) |
EP (1) | EP3295774A1 (en) |
JP (1) | JP6856627B2 (en) |
KR (1) | KR102527885B1 (en) |
CN (1) | CN107912085B (en) |
DE (1) | DE102015107657A1 (en) |
TW (1) | TWI728976B (en) |
WO (1) | WO2016184632A1 (en) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102016102588B4 (en) | 2016-02-15 | 2021-12-16 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Method for producing a connection carrier, connection carrier, optoelectronic component with a connection carrier and method for producing an optoelectronic component |
US10854788B2 (en) * | 2017-07-06 | 2020-12-01 | Osram Oled Gmbh | Method for producing an optoelectronic component and optoelectronic component |
DE102018105861B3 (en) | 2018-03-14 | 2019-07-04 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Method for producing a printed conductor section of a connection carrier, method for producing a connection carrier, and optoelectronic semiconductor component |
JP7240148B2 (en) * | 2018-11-21 | 2023-03-15 | 株式会社東芝 | optical coupler |
CN109819816A (en) * | 2019-03-05 | 2019-05-31 | 徐州工程学院 | A kind of camptotheca acuminata decne cultivation solid water carrier process units |
DE102019119348B4 (en) * | 2019-07-17 | 2022-09-15 | Inovan Gmbh & Co. Kg | Coated carrier tape and use of the same for bonding power electronics |
JP7111993B2 (en) * | 2019-12-20 | 2022-08-03 | 日亜化学工業株式会社 | Method for manufacturing light-emitting module |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1590526A1 (en) | 1963-09-07 | 1969-09-04 | Standard Elek K Lorenz Ag | Process for the production of flat electrical lines and / or electrical components |
US4158745A (en) | 1977-10-27 | 1979-06-19 | Amp Incorporated | Lead frame having integral terminal tabs |
JPH0744322B2 (en) * | 1989-06-02 | 1995-05-15 | 松下電工株式会社 | Circuit board |
US6007668A (en) * | 1992-08-08 | 1999-12-28 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Tab tape and method for producing same |
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DE102004009284A1 (en) | 2004-02-26 | 2005-09-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting diode arrangement for a high-performance light-emitting diode and method for producing a light-emitting diode arrangement |
JP2005268405A (en) | 2004-03-17 | 2005-09-29 | Dow Corning Toray Co Ltd | Metal base circuit board for optical device and manufacturing method thereof |
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US8069559B2 (en) * | 2007-08-24 | 2011-12-06 | World Properties, Inc. | Method of assembling an insulated metal substrate |
TWM342619U (en) * | 2008-03-14 | 2008-10-11 | Qiao-En Huang | Light emitting body structure |
DE102009019524B4 (en) | 2009-04-30 | 2023-07-06 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelectronic semiconductor body with a reflective layer system |
US20110186874A1 (en) * | 2010-02-03 | 2011-08-04 | Soraa, Inc. | White Light Apparatus and Method |
DE102010011719A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-09-22 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Method for producing an electrically conductive connection of a contact with a mating contact |
KR101495580B1 (en) * | 2010-04-26 | 2015-02-25 | 파나소닉 주식회사 | Leadframe, wiring board, light emitting unit, and illuminating apparatus |
DE102013201327A1 (en) * | 2013-01-28 | 2014-07-31 | Osram Gmbh | Printed circuit board, optoelectronic component and arrangement of optoelectronic components |
JP2014195038A (en) * | 2013-02-28 | 2014-10-09 | Steq Co Ltd | Led light-emitting device, and method of manufacturing the same |
JP5760122B2 (en) * | 2013-06-27 | 2015-08-05 | キヤノン・コンポーネンツ株式会社 | Flexible wiring board for light emitting device mounting, light emitting device |
DE102014106062B4 (en) * | 2014-04-30 | 2018-11-22 | Infineon Technologies Ag | Chip card module, chip card body, chip card and smart card production method |
-
2015
- 2015-05-15 DE DE102015107657.8A patent/DE102015107657A1/en active Pending
-
2016
- 2016-04-19 CN CN201680027955.3A patent/CN107912085B/en active Active
- 2016-04-19 JP JP2018511334A patent/JP6856627B2/en active Active
- 2016-04-19 EP EP16717620.5A patent/EP3295774A1/en active Pending
- 2016-04-19 WO PCT/EP2016/058643 patent/WO2016184632A1/en active Application Filing
- 2016-04-19 US US15/574,385 patent/US10468569B2/en active Active
- 2016-04-19 KR KR1020177035492A patent/KR102527885B1/en active IP Right Grant
- 2016-05-13 TW TW105114889A patent/TWI728976B/en active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102015107657A1 (en) | 2016-12-01 |
US10468569B2 (en) | 2019-11-05 |
TWI728976B (en) | 2021-06-01 |
CN107912085A (en) | 2018-04-13 |
KR20180021694A (en) | 2018-03-05 |
US20180138379A1 (en) | 2018-05-17 |
CN107912085B (en) | 2020-10-20 |
EP3295774A1 (en) | 2018-03-21 |
WO2016184632A1 (en) | 2016-11-24 |
KR102527885B1 (en) | 2023-04-28 |
TW201707094A (en) | 2017-02-16 |
JP2018517307A (en) | 2018-06-28 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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|
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C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
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|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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