JP6844732B2 - 光測距装置 - Google Patents

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Description

本開示は、光測距装置に関する。
特許文献1に記載された光測距装置は、対象物からの反射光の入射に応じてSPAD(シングルフォトンアバランシェダイオード)アレイから出力されるパルス信号を加算器で加算し、予め定められた時間間隔毎にその加算値を記録することによりヒストグラムを生成する。そして、そのヒストグラムから度数の最大値であるピークを検出し、そのピークの発生時刻を用いて対象物までの距離を算出する。
特開2016−176750号公報 特許第5644294号公報
本願発明者らは、光測距装置の測定精度向上のため鋭意検討を行った結果、ヒストグラム上に出現するピークの発生時刻は、光の入射強度によって変動するという知見を得た。この知見に基づき、本願発明者らは、ピークの発生時刻を用いて対象物までの距離を算出すると、光の入射強度の変動に伴って距離の算出結果も変動し、測定精度が低下するという課題を見出した。
本開示は、以下の形態として実現することが可能である。
本開示の一形態によれば、光測距装置(10)が提供される。この光測距装置は、対象物に第1パルス幅の光を照射する光源(20)と、前記対象物から反射された光が入射したことを示すパルス信号であって、前記第1パルス幅以上の幅である第2パルス幅のパルス信号を出力する受光要素(31)と、予め定められた時間間隔ごとに、前記受光要素から出力されたパルス信号の数に応じた度数を記録してヒストグラムを生成するヒストグラム生成部(50)と、前記ヒストグラムからピーク形状を検出するピーク検出部(60)と、前記ピーク形状に対応する時刻を用いて前記対象物までの距離を算出する距離算出部(70)と、前記受光要素から出力されたパルス信号の第2パルス幅を測定し、前記第2パルス幅の測定結果に基づき、前記第1パルス幅および前記第2パルス幅の少なくとも一方を変更して、前記第2パルス幅が前記第1パルス幅以上になるように調整する調整部(80)と、を備え、前記調整部は、前記光源に備えられ前記第1パルス幅の光を生成する駆動回路を制御することにより前記調整を行うことを特徴とする。
この形態の制御装置によれば、受光要素に入射する光の強度にかかわらず、対象物までの距離を正確に測定することができる。
本開示は、光測距装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、光測距方法、光測距装置を搭載する車両、光測距装置を制御する制御方法等の形態で実現できる。
光測距装置の概略構成を示す図。 受光要素の概略構成を示す図。 ヒストグラムの例を示す図。 光の入射強度に応じたヒストグラムを示す図。 第2実施形態におけるヒストグラムを示す図。 第3実施形態におけるピーク検出方法を示す図。 第4実施形態における調整部の第1の態様を示す図。 第4実施形態における第2パルス幅の調整方法を示す図。 第4実施形態における調整部の第2の態様を示す図。 第4実施形態における調整部の第3の態様を示す図。 受光要素の他の構成を示す図。 図11の受光要素から出力されるパルス信号を示す図。
A.第1実施形態:
図1に示すように、本開示における第1実施形態としての光測距装置10は、光源20と、受光要素アレイ30と、加算部40と、ヒストグラム生成部50と、ピーク検出部60と、距離算出部70とを備えている。これらのうち、加算部40と、ヒストグラム生成部50と、ピーク検出部60と、距離算出部70とは、回路によって構成されてもよいし、図示していないCPUがプログラムを実行することによってソフトウェア的に実現されてもよい。光測距装置10は、例えば、車両に搭載され、障害物の検出や車両の運転支援に使用される。
光源20は、距離の測定対象である対象物OBに対して光を照射する装置である。本実施形態では、光源20は、レーザダイオード素子21を備えている。レーザダイオード素子21は、照射光として、第1パルス幅PW1のパルス幅を有し、所定の周期で点滅を繰り返すパルスレーザ光を照射する。なお、本実施形態における光源20は、レーザダイオード素子21を備える光源として構成されているが、固体レーザ等の他の発光装置を備える光源として構成されてもよい。
受光要素アレイ30は、対象物OBからの反射光の入射に応じてパルス信号を出力可能な受光要素31を複数有する。本実施形態における受光要素31は、図2に示すように、受光素子としてのアバランシェフォトダイオード32や、クエンチング抵抗器33、インバータ回路(NOT回路)34等を含む周知の回路によって構成されている。より具体的には、各受光要素31は、電源と接地ラインとの間に直列にクエンチング抵抗器33とアバランシェフォトダイオード32とが接続され、その接続点にインバータ回路34の入力側が接続されることにより構成されている。クエンチング抵抗器33は電源側に接続され、アバランシェフォトダイオード32は、逆バイアスとなるように接地ライン側に接続されている。受光要素31のことをSPAD(single photon avalanche diode)ともいう。受光要素アレイ30は、こうした受光要素31をアレイ状に配置したシリコンフォトマルチプライヤ(SiPM:Silicon Photo Multipliers)として構成されている。各受光要素31は、ガイガーモードで動作し、対象物OBから反射された光(フォトン)を入力すると、その光を入射したことを示すパルス信号を一定の確率で加算部40に出力する。本実施形態では、受光要素31が出力するパルス信号の第2パルス幅PW2は、光源20が照射する光のパルス幅である第1パルス幅PW1以上の幅になるように予め設定されている。
加算部40は、受光要素アレイ30に含まれる複数の受光要素31から略同時に出力されたパルス信号の数を加算して加算値を求める。加算部40は、求めた加算値をヒストグラム生成部50に出力する。
ヒストグラム生成部50は、加算部40から出力された加算値に基づきヒストグラムを生成する。図3には、ヒストグラムの例を示している。ヒストグラムの階級(横軸)は、光が照射されてから反射光が受光されるまでの光の飛行時間を示している。この時間のことを、TOF(TOF:Time Of Flight)ともいう。ヒストグラムの度数(縦軸)は、加算部40によって算出された加算値であり、対象物OBから反射された光の強度を示している。ヒストグラム生成部50は、光源20から照射されるパルスレーザ光の周期に同期した記録タイミングに従って、加算部40から出力された加算値を予め定められた時間間隔ごとに記録することによってヒストグラムを生成する。光源20によって光が照射される範囲に対象物OBが存在すれば、その対象物OBからの反射光が入射する時刻に対応する階級の度数が大きくなる。つまり、ヒストグラムにおいて大きな度数を有する階級が存在すれば、その階級に対応する時刻に基づいて、対象物OBまでの距離を算出することができる。なお、1つのヒストグラムを生成するにあたり、光を複数回照射して度数を積算してもよい。こうすることにより、SN比を向上させることができる。
ピーク検出部60(図1)は、ヒストグラムからピーク形状の終了点tpk(図3)を検出する。本実施形態において、ピークとは、予め定めた閾値を超える度数を有する階級のことをいう。ピーク形状とは、略山なりの形状であり、隣接するピークの集合である。ピーク形状の終了点tpkとは、図3に示すように、ピーク形状において、時間経過に伴って増加する度数が低下する直前の階級の位置である。
距離算出部70は、ピーク形状の終了点tpkに対応する時刻から、第2パルス幅PW2に相当する時間を差し引いた時刻tinを用いて、対象物OBまでの距離を算出する。具体的には、時刻tinから光を照射した時刻t0を差し引いた時間を「Δt」、光速を「c」、対象物OBまでの距離を「D」とすると、距離算出部70は、以下の式(1)により、対象物OBまでの距離Dを算出する。距離算出部70は、算出した距離Dを、例えば、車両のECUに出力する。車両のECUは、この距離に基づき、障害物の検出や車両の運転支援を行う。
D=(Δt×c)/2 ・・・式(1)
図4には、受光要素アレイ30に対する光の入射強度を3段階に変化させて、ヒストグラムを生成した例を示している。図4に示すように、ヒストグラムでは、光の入射強度が大きくなるほど、光の入射タイミングtin直後から度数が増大する。これは、光の入射強度が大きくなれば、受光要素アレイ30中の各受光要素31から略同時にパルス信号が出力される可能性が高くなり、加算値が大きくなるからである。これに対して、光の入射強度が小さい場合、受光要素アレイ30から略同時にパルス信号が出力される確率は低くなるため、ヒストグラム全体の度数は小さくなる。各受光要素31が光を入射するタイミングtinが同じ場合、各受光要素31から最初に出力されるパルス信号の立ち下がりのタイミングも一致するため、光の入射強度にかかわらず、ピークの終了点tpkの位置は一致する。
本実施形態では、図3に示したように、ピーク形状の終了点tpkから第2パルス幅PW2に相当する時間を差し引いた時刻tinに基づき、距離Dを算出する。受光要素31から出力されるパルス信号の第2パルス幅PW2は、前述したように、光源20から照射される光の第1パルス幅PW1以上の幅である(PW2≧PW1)。そのため、対象物OBから反射して受光要素31へ入射する入射光のパルス幅(第1パルス幅PW1)よりも、常に、入射光の入射に伴って受光要素31から出力されるパルス信号のパルス幅(第2パルス幅PW2)は等しいか長くなる。この結果、ピーク形状の終了点tpkに対応する時刻から、第2パルス幅PW2に相当する時間を差し引けば、その時刻は、必ず、光の入射タイミングtinになる。図4に示すように、この光の入射タイミングtinは、ピーク形状の終了点tpkと同様に、光の入射強度によって変動することはない。従って、本実施形態によれば、受光要素31に対する光の入射時刻tinを正確に求めることができる。この結果、対象物OBの反射率や外乱光が光測距装置10に対する光の入射強度に影響を与えたとしても、光の入射時刻tinを用いて対象物OBまでの距離Dを正確に測定することができる。
B.第2実施形態:
上記実施形態では、図3および図4に示したとおり、ヒストグラムに一つのピーク形状が現れている例を説明した。しかし、図5に示すように、ヒストグラムには、外乱光等の影響によりピーク形状が複数出現する場合がある。そのため、第2実施形態では、ピーク検出部60は、ヒストグラム生成部50によって生成されたヒストグラムから、複数のピーク形状を検出し、それらのピーク形状からそれぞれ、ピーク形状の終了点tpkを検出する。そして、距離算出部70は、複数のピーク形状のうち、ピーク形状の幅、つまり、ピーク形状に含まれる階級の数が、他のピーク形状よりも大きいピーク形状の終了点を用いて対象物OBまでの距離を算出する。例えば、距離算出部70は、複数のピーク形状のうち、最大の幅を有するピーク形状の終了点を用いて対象物OBまでの距離を算出してもよい。このように、他のピーク形状の幅よりも大きな幅のピーク形状の終了点tpkを用いて距離を算出することにより、外乱光等の影響によって生じたピークに基づいて距離が算出されることを抑制することができる。なお、距離算出部70は、複数のピーク形状からそれぞれ距離を求め、それぞれの距離を、車両のECUに出力してもよい。この場合、ECUは、入力された複数の距離の中から、所定の基準に基づき真の距離を判断する。例えば、ECUは、前回入力された距離に最も近い距離を、真の距離と判断してもよい。
C.第3実施形態:
上記実施形態では、ピーク検出部60は、予め定めた閾値とヒストグラムの度数とを比較することによりピーク形状を検出している。これに対して、第3実施形態では、ピーク検出部60は、ヒストグラムの形状と、予め定められた形状とを対比してピーク形状の検出を行う。具体的には、ピーク検出部60は、図6に示すように、予め定められた典型的なピーク形状を呈するテンプレートデータを予めメモリに記憶させておき、このテンプレートデータを用いて、周知のテンプレートマッチング法により、ヒストグラム中、テンプレートデータに相似する部分を検出して、その部分をピーク形状と判断する。こうすることにより、外乱光等の影響によって生じたピークに基づいて距離が算出されることを抑制することができる。
D.第4実施形態:
第4実施形態の光測距装置10は、第1パルス幅PW1と第2パルス幅PW2とが常に、PW2≧PW1の関係となるように、調整部80(図7,9,10)を備える。調整部80は、受光要素31から出力されたパルス信号から第2パルス幅PW2を測定し、その測定結果に基づき、第1パルス幅PW1および第2パルス幅PW2の少なくとも一方を変更して、第2パルス幅PW2が第1パルス幅PW1以上になるように調整する機能を有する。調整部80は、回路によって構成されてもよいし、ソフトウェアによって構成されてもよい。
図7には、調整部80の第1の態様を示している。図7に示す調整部80aは、受光要素31に含まれる受光素子(アバランシェフォトダイオード32)に接続されたクエンチング抵抗の抵抗値Rqを変更することにより、第2パルス幅PW2の調整を行う。具体的には、調整部80aは、パルス幅測定器81を備え、更に、クエンチング抵抗器33に代えて、トランジスタ(FET)等によって構成されるクエンチング抵抗回路82を備えている。周知のとおり、トランジスタは、ゲートに印加するゲート電圧Vgに比例してドレイン電流が可変する線形領域を有している。従って、トランジスタに印加するゲート電圧Vgを調整することにより、クエンチング抵抗回路82を、電圧制御可変抵抗素子として扱うことが可能である。パルス幅測定器81は、所定のサンプリング周期で受光要素31から出力されるパルス信号の立ち上がりのタイミングと立ち下がりのタイミングとを検出して、その間の経過時間を第2パルス幅PW2として算出する。パルス幅測定器81は、算出した第2パルス幅PW2が、光源20から照射される光の第1パルス幅PW1以上となるように、クエンチング抵抗回路82に印加するゲート電圧Vgを変更し、クエンチング抵抗回路82の抵抗値Rqを変更する。
図8は、受光要素31を構成するインバータ回路34の入力電圧と出力電圧との関係を示している。図8の上部には、インバータ回路34の入力電圧V1の時間変化を示し、下部にはインバータ回路34の出力電圧V1outの時間変化を示している。ガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオード32に光が入射すると、インバータ回路34の入力電圧V1は、受光要素31に印加されるバイアス電圧Vbから、ブレイクダウン電圧Vbdまで急激に降下する。すると、インバータ回路34の出力電圧V1outは、ローレベルからハイレベルに立ち上がる。その後、インバータ回路34の入力電圧V1はバイアス電圧Vbまで回復していく。その回復中に、インバータ回路34の入力電圧V1が、インバータ回路34の閾値電圧THinvを超えると、インバータ回路34からの出力電圧V1outは、ハイレベルからローレベルに立ち下がる。このように動作する受光要素31において、図7に示した調整部80aによってクエンチング抵抗Rqが変更されると、インバータ回路34の入力電圧V1がブレイクダウン電圧Vbdから回復する速度が変更され、それに応じてインバータ回路34の出力電圧V1outのパルス幅(第2パルス幅PW2)が変更される。調整部80aは、このように、第2パルス幅PW2を調整することにより、レーザダイオード素子21や受光要素31の温度依存特性によって第1パルス幅PW1あるいは第2パルス幅PW2が変動した場合であっても、これらのパルス幅が、一定の関係(PW2≧PW1)を保つように自動的に制御を行うことができる。
図9には、調整部80の第2の態様を示している。図9に示す調整部80bは、受光要素31がパルス信号を生成するために、受光要素31に含まれる受光素子(アバランシェフォトダイオード32)から出力される信号と比較する閾値を変更することにより、パルス幅の調整を行う。具体的には、調整部80bは、パルス幅測定器81を備え、更に、インバータ回路34に代えて、コンパレータ回路83を備えている。コンパレータ回路83には、アバランシェフォトダイオード32から出力される電圧V1が、より具体的には、クエンチング抵抗器33とアバランシェフォトダイオード32の接続点における電圧V1が、入力される。そして、コンパレータ回路83は、その電圧V1と、パルス幅測定器81から出力される基準電圧Vthとを比較し、比較の結果、電圧V1が基準電圧Vthよりも低ければ、コンパレータ回路83からの出力電圧Voutをハイレベルとし、電圧V1が基準電圧Vthよりも高ければ、コンパレータ回路83からの出力電圧Voutをローレベルとする。調整部80bは、このように、コンパレータ回路83に入力する基準電圧Vthをパルス幅測定器81によって可変させることにより、レーザダイオード素子21や受光要素31の温度依存特性によって第1パルス幅PW1と第2パルス幅PW2とが変動した場合であっても、これらのパルス幅が、一定の関係(PW2≧PW1)を保つように自動的に制御を行うことができる。
図10には、調整部80の第3の態様を示している。図10に示す調整部80cは、パルス幅測定器81を備え、パルス幅測定器81は、レーザダイオード素子21を駆動する駆動回路84に接続されている。駆動回路84は、光源20に備えられており、第1パルス幅PW1の光を生成する回路である。パルス幅測定器81は、第2パルス幅PW2を測定すると、第2パルス幅PW2が第1パルス幅PW1以上となるように、駆動回路84を制御して第1パルス幅PW1を、より具体的には、第1パルス信号の立ち下がりのタイミングを、調整する。このような調整部80cによっても、レーザダイオード素子21や受光要素31の温度依存特性によって第1パルス幅PW1と第2パルス幅PW2とが変動した場合に、これらのパルス幅が、一定の関係(PW2≧PW1)を保つように自動的に制御を行うことができる。
本実施形態において、調整部80は、第1の調整部80a、第2の調整部80b、第3の調整部80cのうちの2以上を組み合わせることによって構成されてもよい。つまり、調整部80は、受光要素31のクエンチング抵抗と、コンパレータ回路83の基準閾値と、駆動回路84による第1パルス信号の立ち下がりタイミングと、のうちの2以上を調整することによって、第2パルス幅PW2が第1パルス幅PW1以上となるように制御を行ってもよい。
E.他の実施形態:
(E−1)図11には、受光要素31の他の構成を示している。上記実施形態では、図2に示したように、アバランシェフォトダイオード32が接地ライン側に接続され、クエンチング抵抗器33が電源側に接続されている。これに対して、図11に示す受光要素31bは、アバランシェフォトダイオード32が電源側に逆バイアスとなるように接続され、クエンチング抵抗器33が接地ライン側に接続されている。そして、アバランシェフォトダイオード32とクエンチング抵抗器33の接続点には、バッファ回路36が接続されている。
図12には、受光要素31bを構成するバッファ回路36の入力電圧V2と出力電圧V2outの関係を示している。図12に示すように、図11に示した受光要素31bによっても、図2に示した受光要素31と同様に、パルス信号を生成することが可能である。また、クエンチング抵抗器33を、トランジスタ等を用いて可変抵抗として構成すれば、上述した図7,8を用いて説明した第4実施形態と同様に、第2パルス幅PW2を調整することが可能である。
(E−2)上記実施形態では、光測距装置10は、複数の受光要素31を備えている。しかし、光測距装置10は、受光要素31を1つのみ備えてもよい。この場合、ヒストグラムに良好なピーク形状を発生させるため、1つのヒストグラムを生成するにあたり、光を複数回照射して度数を積算することが好ましい。
(E−3)上記実施形態において、各図に示した第2パルス信号は、アクティブハイ信号(ポジティブパルス)であるが、第2パルス信号は、アクティブロー信号(ネガティブパルス)であってもよい。
本開示は、上述の実施形態に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、実施形態中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
10 光測距装置、20 光源、21 レーザダイオード素子、30 受光要素アレイ、31,31b 受光要素、32 アバランシェフォトダイオード、33 クエンチング抵抗器、34 インバータ回路、36 バッファ回路、40 加算部、50 ヒストグラム生成部、60 ピーク検出部、70 距離算出部、80,80a,80b,80c 調整部、81 パルス幅測定器、82 クエンチング抵抗回路、83 コンパレータ回路、84 駆動回路

Claims (4)

  1. 光測距装置(10)であって、
    対象物に第1パルス幅の光を照射する光源(20)と、
    前記対象物から反射された光が入射したことを示すパルス信号であって、前記第1パルス幅以上の幅である第2パルス幅のパルス信号を出力する受光要素(31)と、
    予め定められた時間間隔ごとに、前記受光要素から出力されたパルス信号の数に応じた度数を記録してヒストグラムを生成するヒストグラム生成部(50)と、
    前記ヒストグラムからピーク形状を検出するピーク検出部(60)と、
    前記ピーク形状に対応する時刻を用いて前記対象物までの距離を算出する距離算出部(70)と、
    前記受光要素から出力されたパルス信号の第2パルス幅を測定し、前記第2パルス幅の測定結果に基づき、前記第1パルス幅および前記第2パルス幅の少なくとも一方を変更して、前記第2パルス幅が前記第1パルス幅以上になるように調整する調整部(80)と、
    を備え
    前記調整部は、前記光源に備えられ前記第1パルス幅の光を生成する駆動回路を制御することにより前記調整を行う、
    光測距装置。
  2. 請求項1に記載の光測距装置であって、
    複数の前記受光要素を備え、
    複数の前記受光要素から略同時に出力された前記パルス信号の数を加算して加算値を求める加算部(40)を備え、
    前記ヒストグラム生成部は、前記度数として前記加算値を記録して前記ヒストグラムを生成する、光測距装置。
  3. 請求項1または請求項2に記載の光測距装置であって、
    前記ピーク検出部は、前記ヒストグラムから複数のピーク形状を検出可能であり、
    前記距離算出部は、前記複数のピーク形状のうち、ピーク形状の幅が、他のピーク形状の幅よりも大きいピーク形状を用いて前記対象物までの距離を算出する、光測距装置。
  4. 請求項1から請求項までのいずれか一項に記載の光測距装置であって、
    前記ピーク検出部は、前記ヒストグラムの形状と、予め定められた形状とを対比して前記ピーク形状を検出する、光測距装置。
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