JP6841585B2 - Manufacturing method of laminated structure and laminated film - Google Patents
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Description
本発明は、金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる積層構造体の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for producing a laminated structure capable of enhancing the adhesion between a metal portion and a dry film resist.
従来、積層板及びプリント配線板等の電子部品を得るために、様々な樹脂組成物が用いられている。例えば、多層プリント配線板では、内部の層間を絶縁するための絶縁層を形成したり、表層部分に位置する絶縁層を形成したりするために、樹脂組成物が用いられている。上記絶縁層の表面には、一般に金属部である配線が積層される。また、絶縁層を形成するために、上記樹脂組成物をフィルム化した絶縁フィルムが用いられることがある。 Conventionally, various resin compositions have been used to obtain electronic components such as laminated boards and printed wiring boards. For example, in a multilayer printed wiring board, a resin composition is used to form an insulating layer for insulating the inner layers and to form an insulating layer located on a surface layer portion. Wiring, which is generally a metal portion, is laminated on the surface of the insulating layer. Further, in order to form an insulating layer, an insulating film obtained by forming the above resin composition into a film may be used.
また、近年、電子機器の小型化及び薄型化が進行している。このため、プリント配線板において、高密度化が求められている。高密度化を達成するためには、配線の微細化、及び配線の多層化を図る必要がある。高密度化されたプリント配線板では、接続不良及び絶縁不良が発生せずに、高い導通信頼性及び高い絶縁信頼性を有することが求められている。 Further, in recent years, electronic devices have been made smaller and thinner. Therefore, the printed wiring board is required to have a high density. In order to achieve high density, it is necessary to miniaturize the wiring and increase the number of layers of the wiring. The high-density printed wiring board is required to have high conduction reliability and high insulation reliability without causing connection failure and insulation failure.
これらの要求に対応するプリント配線板として、ビルドアップ法を用いたビルドアップ配線板が知られている。ビルドアップ法では、基板上に配線を形成したコア層の上に絶縁層を形成する工程と、さらにその上に配線を形成する工程と、さらにその上に絶縁層を形成する工程とを繰り返すことにより、ビルドアップ配線板が得られる。 As a printed wiring board that meets these requirements, a build-up wiring board that uses the build-up method is known. In the build-up method, a step of forming an insulating layer on a core layer in which wiring is formed on a substrate, a step of further forming wiring on the core layer, and a step of further forming an insulating layer on the core layer are repeated. Therefore, a build-up wiring board is obtained.
ビルドアップ配線板における銅配線の形成法に関しては、基板全面にパネルめっきした後に配線を形成するサブトラクティブ法から、基板の所定の部分にパターンめっきすることによって微細な配線を形成するセミアディティブ法（以下、ＳＡＰ工法と記載することがある）にシフトしてきている。このようなＳＡＰ工法によりビルドアップ配線板を得る方法は、例えば、下記の特許文献１に開示されている。
Regarding the method of forming copper wiring in a build-up wiring board, from the subtractive method in which wiring is formed after panel plating on the entire surface of the board, the semi-additive method in which fine wiring is formed by pattern plating on a predetermined part of the board (semi-additive method). Hereinafter, it may be described as the SAP method). A method of obtaining a build-up wiring board by such an SAP method is disclosed in, for example,
ＳＡＰ工法において、より微細な配線を形成する際には、ドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲと記載することがある）と無電解銅めっき層との密着性の向上が必要となる。無電解めっき層とＤＦＲの密着性が低い結果、ＤＦＲが部分的にでも剥がれると、銅配線間の形状に裾引きが生じたり、配線間の距離が短くなったり、配線ショートなどが起こったりする。 In the SAP method, when forming finer wiring, it is necessary to improve the adhesion between the dry film resist (hereinafter, may be referred to as DFR) and the electroless copper plating layer. As a result of the low adhesion between the electroless plating layer and the DFR, if the DFR is partially peeled off, the shape between the copper wirings may be hemmed, the distance between the wirings may be shortened, or wiring shorts may occur. ..
この問題を解決するために、幾つかの方法が検討されている。 Several methods are being considered to solve this problem.
絶縁層を形成するための材料として、下記の特許文献２には、一方の最外層Ａが金属層を形成するための層であり、他方の最外層Ｂが、形成された回路と対向させるための層である絶縁性接着シートが開示されている。上記最外層Ａの表面粗さは、カットオフ値０．００２ｍｍで測定した算術平均粗さＲａで０．４μｍ以下である。上記最外層Ａは、（ａ）樹脂組成物成分及び（ｂ）比表面積が、２０ｍ２／ｇ以上６００ｍ２／ｇ以下のフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有する。上記最外層Ａの２０℃での弾性率は２．３ＧＰａ以上１５ＧＰａ以下である。上記最外層Ｂは、（ｃ）樹脂組成物成分及び（ｄ）平均粒径が、０．１〜５μｍのフィラーを含むフィラー成分を必須成分として含有する。しかしながら、この方法では、樹脂組成に大きな制限が生じる。
As a material for forming an insulating layer, in
エッチングに用いられる材料として、下記の特許文献３には、配線幅１５μｍ以下の銅又は銅合金により形成された金属配線基板の金属表面を、エッチング量０．５μｍ以下で粗化するための金属表面処理剤が開示されている。上記金属表面処理剤は、過酸化水素０．１〜１．０重量％、無機酸０．３〜２．０重量％、ハロゲンイオン０．０００１〜０．０００３重量％及びトリアゾール類０．０１〜０．２重量％を含有する。この方法では、銅めっきされた表面をマイクロエッチングすることにより、アンカー効果を高めて密着力を向上させる手法が提案されている。しかしながら、この手法では銅めっき層が薄くなりやすく、エッチングにより皮膜が部分的に消失して、以降の工程で不具合が発生する可能性がある。これを抑制するために、無電解銅めっき層の厚みを厚くすると、微細な配線を形成する際に非パターン部（非めっき部）の表面に残留する無電解銅をクイックエッチングで除去するために長時間を要する。さらにパターン部（めっき部）の電解銅めっきも同時にエッチングされ、配線が過度に細くなりやすい。 As a material used for etching, Patent Document 3 below describes a metal surface for roughening a metal surface of a metal wiring board formed of copper or a copper alloy having a wiring width of 15 μm or less with an etching amount of 0.5 μm or less. The treatment agent is disclosed. The metal surface treatment agent contains 0.1 to 1.0% by weight of hydrogen peroxide, 0.3 to 2.0% by weight of inorganic acid, 0.0001 to 0.0003% by weight of halogen ions, and 0.01 to triazoles. Contains 0.2% by weight. In this method, a method has been proposed in which the copper-plated surface is micro-etched to enhance the anchor effect and improve the adhesion. However, in this method, the copper plating layer tends to be thin, and the film may be partially lost by etching, which may cause a problem in the subsequent steps. In order to suppress this, if the thickness of the electroless copper plating layer is increased, the electroless copper remaining on the surface of the non-patterned portion (non-plated portion) when forming fine wiring is removed by quick etching. It takes a long time. Furthermore, the electrolytic copper plating of the pattern part (plating part) is also etched at the same time, and the wiring tends to be excessively thin.
特許文献１〜３に記載のような従来の方法でビルドアップ配線板を形成した場合に、絶縁層の微細粗面化によって、無電解銅めっき層とＤＦＲとの密着性が高くなる。しかし、無電解銅めっき層とＤＦＲとの密着性を簡便で汎用性のある方法によって、より一層高めることが求められている。金属層に対するＤＦＲの密着性が低かったり、金属層からＤＦＲが剥離しやすかったりすると、微細な配線を形成することは困難である。また、プリント配線板の製造効率を高めるために、簡便な方法で、絶縁層上の金属層とＤＦＲとの密着性を高めることが望まれている。
When the build-up wiring board is formed by the conventional method as described in
本発明の目的は、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる積層構造体の製造方法を提供することである。 An object of the present invention is to provide a method for producing a laminated structure capable of enhancing the adhesion between a metal portion such as an electroless copper plating layer and a dry film resist.
本発明の広い局面によれば、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、前記剥離工程後かつ前記めっき工程前に、前記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、前記絶縁フィルムは、前記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する、積層構造体の製造方法が提供される。 According to a broad aspect of the present invention, a laminating step of laminating an insulating film and a base film in this order on a substrate having a metal portion on the upper surface or a second insulating layer having a metal portion on the upper surface, and the above-mentioned A peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film and a plating step of forming a metal portion on the insulating film by a plating treatment are provided, and the base film has irregularities on the surface in contact with the insulating film. The insulating film has irregularities on the surface that was in contact with the substrate film due to the irregularities on the surface of the substrate film after the peeling step and before the plating step. Manufacturing method is provided.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、該積層構造体の製造方法は、前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、前記積層工程後に、かつ前記予備硬化工程前、前記予備硬化工程中又は前記予備硬化工程後に、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う。 In a specific aspect of the method for producing a laminated structure according to the present invention, the method for producing a laminated structure includes a pre-curing step for advancing the curing of the insulating film after the laminating step, and after the laminating step, Moreover, before the pre-curing step, during the pre-curing step, or after the pre-curing step, a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film is performed.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。 In a specific aspect of the method for producing a laminated structure according to the present invention, the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the base film in contact with the insulating film, measured in accordance with JIS B0601-1994, is 50 nm or more. It is 300 nm or less.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面が、フィラー練り込み法によりマット加工されている。 In a specific aspect of the method for producing a laminated structure according to the present invention, the surface of the base film in contact with the insulating film is matted by a filler kneading method.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記めっき処理により形成された金属部の前記絶縁フィルム側とは反対の表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが５０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である。 In a specific aspect of the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, an arithmetic measurement according to JIS B0601-1994 on the surface of the metal portion formed by the plating treatment opposite to the insulating film side. The average roughness Ra is 50 nm or more and 300 nm or less.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記積層工程において、前記絶縁フィルムと前記基材フィルムとが積層された積層フィルムを用い、他の特定の局面では、前記積層工程において、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層上に、絶縁フィルムを積層した後、前記絶縁フィルム上に、前記基材フィルムを積層する。 In a specific aspect of the method for producing a laminated structure according to the present invention, a laminated film in which the insulating film and the base film are laminated is used in the laminating step, and in another specific aspect, the laminating step is performed. In the above, the insulating film is laminated on the substrate having the metal portion on the upper surface or the insulating layer having the metal portion on the upper surface, and then the base film is laminated on the insulating film.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、前記積層構造体の製造方法は、前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備え、前記剥離工程を、前記予備硬化工程後に行う。 In a specific aspect of the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, the method for manufacturing a laminated structure includes a pre-curing step for advancing the curing of the insulating film after the laminating step, and the peeling step is performed. This is performed after the pre-curing step.
本発明に係る積層構造体の製造方法のある特定の局面では、ビルドアップ配線板である積層構造体を得る。 In a specific aspect of the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, a laminated structure which is a build-up wiring board is obtained.
本発明に係る積層構造体の製造方法は、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、絶縁フィルムと、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程と、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備えており、更に上記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有するので、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性を高めることができる。 The method for producing a laminated structure according to the present invention is a laminating step of laminating an insulating film and a base film in this order on a substrate having a metal portion on the upper surface or a second insulating layer having a metal portion on the upper surface. The base film is provided with a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film and a plating step of forming a metal portion on the insulating film by a plating process, and the base film is further insulated. The insulating film has irregularities on the surface in contact with the film, and the insulating film has irregularities on the surface in contact with the substrate film due to the irregularities on the surface of the base film after the peeling step and before the plating step. Therefore, it is possible to improve the adhesion between the metal portion such as the electroless copper plating layer and the dry film resist.
以下、本発明を詳細に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described in detail.
本発明に係る積層構造体の製造方法は、金属部（第１の金属部）を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層（第２の絶縁層）上に、絶縁フィルム（後に第１の絶縁層となる）と、基材フィルムとをこの順で積層する積層工程（第１の積層工程）と、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部（無電解銅めっき層など／無電解めっき層など）を形成するめっき工程（めっき工程）とを備える。めっき工程において、めっき処理後に金属部をパターン状にし、パターン状の金属部を形成してもよい。 The method for producing a laminated structure according to the present invention is a method of manufacturing a laminated structure on a substrate having a metal portion (first metal portion) on the upper surface or an insulating layer (second insulating layer) having a metal portion on the upper surface, and an insulating film (later, a second. A laminating step of laminating the base film (which becomes the insulating layer of 1) and the base film in this order (first laminating step), a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film, and the insulating film. On top of this, a plating step (plating step) for forming a metal portion (electroless copper plating layer, etc./electroless plating layer, etc.) by a plating process is provided. In the plating step, the metal portion may be patterned after the plating treatment to form the patterned metal portion.
本発明に係る積層構造体の製造方法では、上記基材フィルムは、上記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有する。本発明に係る積層構造体の製造方法では、上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有する。 In the method for producing a laminated structure according to the present invention, the base film has irregularities on the surface in contact with the insulating film. In the method for producing a laminated structure according to the present invention, the surface of the insulating film is in contact with the base film due to the unevenness of the surface of the base film after the peeling step and before the plating step. Has unevenness.
本発明に係る積層構造体の製造方法における上述した構成の採用によって、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることができる。例えば、絶縁層の表面を粗化処理しなくても、粗化処理されていない絶縁層上に形成された無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性が高くなる。これは、上記剥離工程後に、上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の凹凸に由来して、上記絶縁フィルムは、上記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有するためであり、また、この凹凸形状が、絶縁層上において、めっき処理により形成された無電解銅めっき層などの金属部の表面形状に影響するためであると考えられる。例えば、金属部のＤＦＲと接する表面にも凹凸が形成されることによって、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性が高くなる。本発明では、粗化処理を行わなくてもよいため、簡便な方法で、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることができる。従って、本発明では、微細な配線を高精度に形成することもできる。 By adopting the above-described configuration in the method for manufacturing a laminated structure according to the present invention, the adhesion between the metal portion such as the electroless copper plating layer and the DFR can be improved. For example, even if the surface of the insulating layer is not roughened, the adhesion between the DFR and the metal portion such as the electroless copper plating layer formed on the non-roughened insulating layer is improved. This is because, after the peeling step, the surface of the base film in contact with the insulating film has irregularities, and the insulating film has irregularities on the surface of the base film in contact with the insulating film. It is considered that this uneven shape affects the surface shape of the metal portion such as the electroless copper plating layer formed by the plating treatment on the insulating layer. For example, by forming irregularities on the surface of the metal portion in contact with the DFR, the adhesion between the metal portion such as the electroless copper plating layer and the DFR is improved. In the present invention, since the roughening treatment does not have to be performed, the adhesion between the metal portion such as the electroless copper plating layer and the DFR can be improved by a simple method. Therefore, in the present invention, fine wiring can be formed with high accuracy.
また、本発明では、絶縁フィルムの材料にさほど大きく影響されず、基材フィルムの凹凸形状に起因して、絶縁フィルムの表面の凹凸形状及び粗度を所定の範囲に制御することが容易である。また、粗化処理する場合には、粗化液の種類や粗化条件によって粗度が変化しやすいが、本発明では、基材フィルムの凹凸形状に起因して、絶縁フィルムの表面に凹凸形状を付与するため、絶縁フィルムの表面の凹凸形状及び粗度を所定の範囲に制御することが容易である。また、粗化処理を行わない場合には、絶縁層の粗化液等に起因する劣化を抑えることができる。また、粗化処理を行わない場合には、積層構造体の製造効率を大幅に高めることができる。なお、本発明では、粗化処理を行ってもよい。また、絶縁フィルム上に基材フィルムが積層されている段階において、絶縁フィルムに異物が付着するのを抑えることもできる。 Further, in the present invention, the uneven shape and roughness of the surface of the insulating film can be easily controlled within a predetermined range due to the uneven shape of the base film without being significantly affected by the material of the insulating film. .. Further, in the roughening treatment, the roughness tends to change depending on the type of roughening liquid and the roughening conditions. However, in the present invention, the uneven shape on the surface of the insulating film is caused by the uneven shape of the base film. Therefore, it is easy to control the uneven shape and roughness of the surface of the insulating film within a predetermined range. Further, when the roughening treatment is not performed, deterioration caused by the roughening liquid or the like of the insulating layer can be suppressed. Further, when the roughening treatment is not performed, the manufacturing efficiency of the laminated structure can be significantly improved. In the present invention, roughening treatment may be performed. In addition, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the insulating film at the stage where the base film is laminated on the insulating film.
また、無電解銅めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性を高めることで、金属部（配線）の微細化を進めることができ、金属部（配線）が微細であっても、良好に金属部を形成することができる。 Further, by improving the adhesion between the metal part such as the electroless copper plating layer and the DFR, the metal part (wiring) can be made finer, and even if the metal part (wiring) is fine, it is good. A metal part can be formed.
本発明に係る積層構造体の製造方法は、好ましくは、金属部（第１の金属部）を上面に有する基板又は金属部（第１の金属部）を上面に有する絶縁層（第２の絶縁層）上に、絶縁フィルム（後に第１の絶縁層となる）と、基材フィルムとをこの順で積層する第１の積層工程と、上記第１の積層工程後に、上記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程と、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、上記剥離工程後に、上記基材フィルムを剥離することにより露出した上記絶縁フィルムの表面上に、無電解めっき処理により無電解銅めっき層などの金属部を形成する。めっき工程において、めっき処理後に金属部をパターン状にし、パターン状の金属部を形成してもよい。次に、無電解銅めっき層などの金属部上に、レジストパターンを形成する。その後、レジストパターンの開口部に対応する位置において、所定の厚みになるまで電解めっき処理を行い、第２の金属部を形成する。めっき処理後に第２の金属部をパターン状にし、パターン状の第２の金属部を形成してもよい。次に、レジストパターンを剥離して、除去する。次に、レジストパターンが除去された部分において、第２の金属部部分をエッチングにより除去し、積層構造体を得ることができる。 The method for producing a laminated structure according to the present invention preferably comprises a substrate having a metal portion (first metal portion) on the upper surface or an insulating layer (second insulation) having a metal portion (first metal portion) on the upper surface. After the first laminating step of laminating the insulating film (which will later become the first insulating layer) and the base film on the layer) in this order, and the first laminating step, the insulating film is cured. A pre-curing step to be advanced, and a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film after the first laminating step and before the pre-curing step, during the pre-curing step, or after the pre-curing step. After the peeling step, a metal portion such as an electrolytic copper plating layer is formed on the surface of the insulating film exposed by peeling the base film. In the plating step, the metal portion may be patterned after the plating treatment to form the patterned metal portion. Next, a resist pattern is formed on a metal portion such as an electroless copper plating layer. Then, at a position corresponding to the opening of the resist pattern, electroplating is performed until a predetermined thickness is obtained to form a second metal portion. After the plating treatment, the second metal portion may be patterned to form the patterned second metal portion. Next, the resist pattern is peeled off and removed. Next, in the portion where the resist pattern has been removed, the second metal portion portion can be removed by etching to obtain a laminated structure.
本発明に係る積層構造体の製造方法は、好ましくは、上記第１の積層工程後に、上記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程を備える。本発明に係る積層構造体の製造方法では、好ましくは、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に、上記基材フィルムを上記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う。 The method for producing a laminated structure according to the present invention preferably includes a pre-curing step for advancing the curing of the insulating film after the first laminating step. In the method for producing a laminated structure according to the present invention, preferably, the base film is formed into the insulating film after the first laminating step and before the pre-curing step, during the pre-curing step, or after the pre-curing step. Perform a peeling step to peel off from the surface of the film.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。本発明の詳細を説明する。 Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments of the present invention with reference to the drawings. Details of the present invention will be described.
図１は、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing a laminated structure obtained by the method for manufacturing a laminated structure according to the first embodiment of the present invention.
図１に示すように、積層構造体１は、基板１１と、第１の金属部１２と、絶縁層１３（第１の絶縁層）と、第２の金属部１４とを備える。第１の金属部１２は、金属配線である。第２の金属部１４は、金属配線である。積層構造体１は、多層ビルドアップ配線板である。
As shown in FIG. 1, the
基板１１は、穴１１ａを有する。基板１１は、絶縁基板である。
The
絶縁層１３は、基板１１の表面上に配置されている。具体的には、第１の金属部１２を表面（上面及び下面）に有する基板１１を用い、第１の金属部１２の表面上（上面上及び下面上）に、絶縁層１３が配置されている。また、第１の金属部１２は、基板１１の両側の表面上に部分的に配置されている。第１の金属部１２は、穴１１ａ内にも配置されている。穴１１ａ内に配置された第１の金属部１２部分により、基板１１の両側の表面上に位置する第１の金属部１２部分が導通されている。穴１１ａは、ビアホールとも呼ばれる。
The insulating
第１の金属部１２の表面上に、絶縁層１３が積層されている。絶縁層１３は、第１の金属部１２の表面１２ａが部分的に露出するように開口している穴１３ａを有する。穴１３ａはビアホールとも呼ばれる。
The insulating
絶縁層１３の表面上に、第２の金属部１４が配置されている。第２の金属部１４は、絶縁層１３の第１の金属部１２側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。第２の金属部１４は、穴１３ａ内にも配置されている。穴１３ａ内に配置された第２の金属部１４部分により、第１の金属部１２の表面１２ａと第２の金属部１４の表面とが接続されている。第１の金属部１２と第２の金属部１４とは導通されている。
A
なお、積層構造体１では、第２の金属部１４の絶縁層１３側とは反対側の表面上に、他の絶縁層１５が更に配置されており、さらに他の絶縁層１５の第２の金属部１４側とは反対の表面上に他の金属部１６が更に配置されている。なお、積層構造体の製造方法によっては、絶縁層１３が本発明における上記絶縁フィルムを用いて形成される絶縁層に相当し、第２の金属部１４が本発明におけるめっき工程で形成される金属部に相当し、他の絶縁層１５が本発明における上記絶縁フィルムを用いて形成される絶縁層に相当し、他の金属部１６が本発明におけるめっき工程で形成される金属部に相当することも可能である。
In the
このように、第２の金属部１４を上面に有する絶縁層１３上に、他の絶縁層が更に配置されていてもよく、さらに他の絶縁層の第２の金属部１４側とは反対の表面上に他の金属部が更に配置されていてもよい。さらに、上記他の絶縁層及び他の金属部はそれぞれ、複数であってもよい。また、最表層に、ソルダーレジスト膜などを形成してもよい。
In this way, another insulating layer may be further arranged on the insulating
また、積層構造体１では、基板１１の両側にそれぞれ、第１の金属部１２、絶縁層１３及び第２の金属部１４、他の絶縁層１５及び他の金属部１６を配置しているが、これらは片側のみに配置されていてもよい。
Further, in the
次に、図２（ａ）〜（ｅ）、図３（ａ）〜（ｄ）及び図４（ａ）〜（ｃ）を参照しつつ、図１に示す積層構造体を得るための、本発明の第１の実施形態に係る積層構造体の各工程を具体的に説明する。 Next, a book for obtaining the laminated structure shown in FIG. 1 with reference to FIGS. 2 (a) to 2 (e), FIGS. 3 (a) to 3 (d) and FIGS. 4 (a) to 4 (c). Each step of the laminated structure according to the first embodiment of the invention will be specifically described.
先ず、第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）を用意する（図２（ａ））。なお、第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）にかえて、金属部を上面に有する第２の絶縁層（積層体）を用いてもよい。この場合には、後述する図５に示す積層構造体等を得ることができる。
First, a substrate 11 (laminated body) having the
第１の金属部１２を上面に有する基板１１（積層体）を用いて、基板１１の表面上に、絶縁フィルム１３Ａと、基材フィルム３１とを積層する（第１の積層工程、図２（ｂ））。絶縁フィルム１３Ａは、第１の金属部１２の表面上にも積層される。基材フィルム３１は、絶縁フィルム１３Ａと接する表面に凹凸を有する。積層後に、基材フィルム３１の絶縁フィルム１３Ａと接する表面に由来して、絶縁フィルム１３Ａは、基材フィルム３１と接する表面に凹凸を有する。絶縁フィルム１３Ａの基材フィルム３１と接する表面には、基材フィルム３１の表面の凹凸形状が転写されている。
The insulating
絶縁フィルム１３Ａの材料としては、エポキシ樹脂、ポリイミド、及びアクリル樹脂等が挙げられる。
Examples of the material of the insulating
基材フィルム３１の材料としては、ポリエチレンテレフタレートフィルム及びポリブチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンフィルム及びポリプロピレンフィルムなどのオレフィン樹脂フィルム、並びにポリイミド樹脂フィルム等が挙げられる。なお、基材フィルム３１の材料は、樹脂フィルムに限定されない。絶縁層に凹凸を良好に転写するためには、基材フィルムの強度が必要になる。基材フィルムが強度を得るためには、基材フィルムの厚みは、１０μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。基材フィルムの厚みが上記下限以上であると、無電解銅めっき層などの金属部とドライフィルムレジストとの密着性がより一層高くなる。基材フィルムの厚みの上限は特に限定されない。基材フィルムの厚みは、５００μｍ以下であってもよく、１００μｍ以下であってもよい。
Examples of the material of the
次に、上記第１の積層工程後に、絶縁フィルム１３Ａの硬化を進行させて、硬化が進行した絶縁フィルム１３Ｂを形成する（予備硬化工程、図２（ｃ））。基材フィルム３１の絶縁フィルム１３Ｂと接する表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｂは、基材フィルム３１と接する表面に凹凸を有する。
Next, after the first laminating step, the curing of the insulating
次に、基材フィルム３１を、絶縁フィルム１３Ｂの表面から剥離する（剥離工程（第１の剥離工程）、図２（ｄ））。
Next, the
上記第１の剥離工程後、かつ後述するめっき工程前に、基材フィルム３１の表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｂは、基材フィルム３１と接していた表面に凹凸を有する。
After the first peeling step and before the plating step described later, the insulating
その後、絶縁フィルム１３Ｂにレーザー等を照射して、穴１３ａを有する絶縁フィルム１３Ｃを得る（図２（ｅ））。上記レーザーとしては、ＵＶレーザー、炭酸ガスレーザー及びエキシマレーザー等が挙げられる。
Then, the insulating
穴１３ａ内には、また穴１３ａの底部（第１の金属部１２の表面１２ａ上）には、絶縁フィルム１３Ｃに含まれている樹脂成分に由来する樹脂の残渣であるスミアが形成されることが多い。絶縁フィルム１３Ｃの穴１３ａ内をデスミア処理してもよい。デスミア処理によって、穴１３ａ内が洗浄され、上記スミアが除去される。なお、第１，第２の金属部１２，１４を導通させるために、穴１３ａの寸法及び穴１３ａの形状を良好にすることは、積層構造体の高密度化と高い導通信頼性及び高い絶縁信頼性とを得る観点から重要である。
Smear, which is a resin residue derived from the resin component contained in the insulating
デスミア処理を行う際に、絶縁フィルム１３Ｃの表面の粗度を高めるために、絶縁フィルム１３Ｃの表面は、粗化処理されてもよい。但し、本実施形態では、基材フィルム３１の表面の凹凸に由来して、絶縁フィルム１３Ｃは、基材フィルム３１と接していた表面に凹凸を有するので、粗化処理を行わなくてもよい。
When the desmear treatment is performed, the surface of the insulating
次に、上記第１の剥離工程後に、基材フィルム３１を剥離することにより露出した絶縁フィルム１３Ｃの表面上に、めっき処理により第２の金属部１４Ａを形成する（第１のめっき工程、図３（ａ））。第２の金属部１４Ａは、例えば、無電解めっき等により形成される。
Next, after the first peeling step, a
次に、めっき処理により形成された第２の金属部１４Ａの表面上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）４１を積層する（第２の積層工程、図３（ｂ））。
Next, the dry film resist (DFR) 41 is laminated on the surface of the
次に、ＤＦＲ４１を露光及び現像し、レジストパターン４１Ａを形成する（現像工程、図３（ｃ））。
Next, DFR41 is exposed and developed to form a resist
その後、レジストパターン４１Ａの開口部に対応する位置において、所定の厚みになるまでめっき処理を行い、パターン状の第２の金属部１４Ｂを形成する（第２のめっき工程、図３（ｄ））。このめっき工程では、第２の金属部１４Ｂを形成するために、例えば、電解めっき等が行われる。
After that, at a position corresponding to the opening of the resist
次に、レジストパターン４１Ａを剥離して、除去する（第２の剥離工程、図４（ａ））。レジストパターン４１Ａの剥離には、水酸化ナトリウム等を含むアルカリ水溶液等が用いられる。
Next, the resist
次に、レジストパターン４１Ａが除去された部分において、第２の金属部部分１４Ｂａをエッチングにより除去し、第２の金属部１４を形成する（エッチング工程、図４（ｂ））。
Next, in the portion where the resist
その後、絶縁フィルム１３Ｃを硬化させて、絶縁層１３を形成する（本硬化工程、図４（ｃ））。絶縁フィルム１３Ｃを硬化させることで、硬化された絶縁層１３と第１の金属部１２及び第２の金属部１４とが強固に密着する。
Then, the insulating
上記の工程を経て、積層構造体１を得ることができる。
The
図５は、本発明の第２の実施形態に係る積層構造体の製造方法により得られる積層構造体を模式的に示す断面図である。 FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing a laminated structure obtained by the method for manufacturing a laminated structure according to a second embodiment of the present invention.
図５に示すように、積層構造体２は、第２の絶縁層２１と、第１の金属部２２と、第１の絶縁層２３と、第２の金属部２４とを備える。
As shown in FIG. 5, the
第１の金属部２２は、第２の絶縁層２１の表面上に部分的に配置されている。第１の金属部２２の表面上に、第１の絶縁層２３が積層されている。第１の絶縁層２３は、第１の金属部２２の表面２２ａが部分的に露出するように開口している穴２３ａを有する。
The
第１の絶縁層２３の表面上に、第２の金属部２４が配置されている。第２の金属部２４は、第１の絶縁層２３の第１の金属部２２側とは反対の表面上に、部分的に配置されている。第２の金属部２４は、穴２３ａ内にも配置されている。穴２３ａ内に配置された第２の金属部２４部分により、第１の金属部２２の表面２２ａと第２の金属部２４の表面とが接続されている。第１の金属部２２と第２の金属部２４とは導通されている。
A
積層構造体２のように、第１の金属部２２を上面に有する第２の絶縁層２１上に、第１の絶縁層２３を形成するために、表面に凹凸を有する絶縁フィルムとそれに積層される基材フィルムを用いてもよい。
Like the
第１の金属部は、基板の表面上に配置されていてもよく、第２の絶縁層の表面上に配置されていてもよい。 The first metal portion may be arranged on the surface of the substrate, or may be arranged on the surface of the second insulating layer.
なお、積層構造体２では、第２の金属部２４を上面に有する第１の絶縁層２３の表面上に、他の絶縁層２５が更に配置されており、さらに他の絶縁層２５の表面上に、他の金属部２６が更に配置されている。このように、第１の絶縁層２３の表面上に、他の絶縁層が更に配置されていてもよく、さらに他の絶縁層の表面上に、他の金属層が更に配置されていてもよい。また、図５に示すように、第１の金属部２２を上面に有する第２の絶縁層２１の第１の金属部２２側とは反対側の表面上に、他の金属部が更に配置されていてもよく、さらに他の金属部の第２の絶縁層２１側とは反対の表面上に他の絶縁層が更に配置されていてもよい。
In the
複数の金属層が複数の絶縁層を介して積層されているプリント配線板は、ビルドアップ法を用いて得ることが可能である。上記積層構造体は、プリント配線板であることが好ましく、ビルドアップ配線板であることが好ましい。上記ビルドアップ法では、金属部を上面に有する基板を用いて、基板上に絶縁層を形成する工程と、さらにその上に金属部を形成する工程と、さらにその上に絶縁層を形成する工程とが繰り返し行われる。これらの工程によって、多層ビルドアップ配線板が得られる。 A printed wiring board in which a plurality of metal layers are laminated via a plurality of insulating layers can be obtained by using a build-up method. The laminated structure is preferably a printed wiring board, and preferably a build-up wiring board. In the above build-up method, a step of forming an insulating layer on a substrate, a step of further forming a metal portion on the substrate, and a step of further forming an insulating layer on the substrate using a substrate having a metal portion on the upper surface are used. And are repeated. By these steps, a multi-layer build-up wiring board is obtained.
上記ビルドアップ配線板は任意の層間に多数のビアを形成できるため、高密度化された配線の形成に適している。最外層の配線上にソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜から露出した配線にニッケル、金めっき、半田などの必要な表面処理を施し、多層ビルドアップ配線板を得てもよい。 Since the build-up wiring board can form a large number of vias between arbitrary layers, it is suitable for forming high-density wiring. A solder resist film may be formed on the outermost layer wiring, and the wiring exposed from the solder resist film may be subjected to necessary surface treatments such as nickel, gold plating, and solder to obtain a multilayer build-up wiring board.
基材フィルム３１の剥離工程は、上記第１の積層工程後に、かつ上記予備硬化工程前、上記予備硬化工程中又は上記予備硬化工程後に行われる。上記剥離工程は、上記予備硬化工程前に行われてもよく、上記予備硬化工程中に行われてもよく、上記予備硬化工程後に行われてもよい。中でも、上記剥離工程は、上記予備硬化工程前又は上記予備硬化工程後に行われることが好ましい。基材フィルムを容易に剥離する観点からは、上記剥離工程は、上記予備硬化工程前に行われることが好ましい。予備硬化工程中の絶縁フィルムの変形を抑える観点からは、上記剥離工程は、上記予備硬化工程後に行われることが好ましい。上記予備硬化において、基材フィルムの凹凸で樹脂表面を拘束することで、予備硬化時のレベリングを防ぐことができる。
The peeling step of the
上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１２０ｎｍ以上、好ましくは３００ｎｍ以下、より好ましくは２５０ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。なお、上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが２０ｎｍ以下（２０ｎｍを超えない）である場合には、基材フィルムの表面は平滑であるといえ、即ち凹凸が実質的にないといえる。 The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the base film in contact with the insulating film, measured in accordance with JIS B0601-1994, is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more, still more preferably 120 nm or more, preferably 300 nm. Below, it is more preferably 250 nm or less. When the arithmetic mean roughness Ra is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the adhesion between the metal portion on the insulating layer and the DFR becomes even higher. When the arithmetic mean roughness Ra of the surface of the base film in contact with the insulating film measured in accordance with JIS B0601-1994 is 20 nm or less (does not exceed 20 nm), the base film is used. It can be said that the surface is smooth, that is, there is virtually no unevenness.
上記剥離工程後かつ上記めっき工程前に、上記絶縁フィルムの上記基材フィルムと接していた表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、更に好ましくは１２０ｎｍ以上、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の無電解めっき層などの金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。 The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the insulating film in contact with the base film after the peeling step and before the plating step, measured in accordance with JIS B0601-1994, is preferably 50 nm or more, more preferably. Is 100 nm or more, more preferably 120 nm or more, preferably 400 nm or less, and more preferably 300 nm or less. When the arithmetic mean roughness Ra is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the adhesion between the metal portion such as the electroless plating layer on the insulating layer and the DFR is further increased.
上記めっき処理により形成された無電解めっき層などの金属部の上記絶縁フィルム側とは反対の表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａは好ましくは５０ｎｍ以上、より好ましくは１００ｎｍ以上、好ましくは４００ｎｍ以下、より好ましくは３００ｎｍ以下である。上記算術平均粗さＲａが上記下限以上及び上記上限以下であると、絶縁層上の金属部とＤＦＲとの密着性がより一層高くなる。 The arithmetic mean roughness Ra measured in accordance with JIS B0601-1994 on the surface of the metal part such as the electroless plating layer formed by the plating treatment opposite to the insulating film side is preferably 50 nm or more. It is preferably 100 nm or more, preferably 400 nm or less, and more preferably 300 nm or less. When the arithmetic mean roughness Ra is equal to or higher than the lower limit and lower than the upper limit, the adhesion between the metal portion on the insulating layer and the DFR becomes even higher.
上記の凹凸形状を形成する方法としては特に限定されず、例えば、基材フィルムにフィラーを混練する練り込み法、エンボスロール法、カレンダーロール法、及び異形押出法等が挙げられる。中でも定量的に一定の凹凸模様である多数の凹凸形状を形成することができることから、練り込み法が好ましい。上記基材フィルムの上記絶縁フィルムと接する表面は、フィラー練り込み法によりマット加工されていることが好ましく、練り込み法による凹凸が付与されていることが好ましい。 The method for forming the uneven shape is not particularly limited, and examples thereof include a kneading method in which a filler is kneaded into a base film, an embossing roll method, a calender roll method, and a deformed extrusion method. Of these, the kneading method is preferable because it is possible to form a large number of uneven shapes that are quantitatively constant uneven patterns. The surface of the base film in contact with the insulating film is preferably matted by the filler kneading method, and is preferably provided with irregularities by the kneading method.
上記第１の積層工程において、上記絶縁フィルムと上記基材フィルムとが積層された積層フィルムを用いてもよい。この場合には、上記第１の積層工程の作業効率を高めることができる。 In the first laminating step, a laminated film in which the insulating film and the base film are laminated may be used. In this case, the work efficiency of the first laminating step can be improved.
上記第１の積層工程において、金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する絶縁層上に、絶縁フィルムを積層した後、上記絶縁フィルム上に、上記基材フィルムを積層してもよい。この場合には、絶縁層に付与したい凹凸形状に応じて、基材フィルムを任意に選択することで、所定の凹凸形状を絶縁層に付与することが容易である。 In the first laminating step, the insulating film may be laminated on the substrate having the metal portion on the upper surface or the insulating layer having the metal portion on the upper surface, and then the base film may be laminated on the insulating film. .. In this case, it is easy to impart a predetermined concave-convex shape to the insulating layer by arbitrarily selecting the base film according to the concave-convex shape to be imparted to the insulating layer.
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to Examples and Comparative Examples. The present invention is not limited to the following examples.
（実施例１）
（１）絶縁層を形成するための絶縁フィルムの作製
エポキシ樹脂１（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「８３０−Ｓ」）１０重量部と、エポキシ樹脂２（ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０重量部と、フェノール化合物（フェノール硬化剤、明和化成社製「ＭＥＨ７８５１−４Ｈ」、フェノール性水酸基当量２４２）２０重量部と、イミダゾール化合物（四国化成社製「２Ｅ４ＭＺ」）０．５重量部と、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）９．５重量部とを配合し、この配合物とシリカ含有スラリーを固形分で５５重量部とを撹拌機を用いて１２００ｒｐｍで１時間撹拌し、樹脂組成物を得た。
(Example 1)
(1) Preparation of Insulating Film for Forming Insulating Layer 10 parts by weight of epoxy resin 1 (bisphenol F type epoxy resin, "830-S" manufactured by DIC) and epoxy resin 2 (biphenyl novolac type epoxy resin, Japan) 10 parts by weight of "NC3000H" manufactured by Yakusha, 20 parts by weight of phenol compound (phenol hardener, "MEH7851-4H" manufactured by Meiwa Kasei Co., Ltd., phenolic hydroxyl group equivalent 242), and imidazole compound ("2E4MZ" manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd. " ) 0.5 parts by weight and 9.5 parts by weight of phenoxy resin (“YX6954BH30” manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) are mixed, and 55 parts by weight of this mixture and the silica-containing slurry are mixed with a stirrer. The mixture was stirred at 1200 rpm for 1 hour to obtain a resin composition.
離型処理されかつフィラー練り込みマット処理が施されたポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（リンテック社製、厚み５０μｍ、算術平均粗さＲａ２５０ｎｍ）を用意した。このＰＥＴフィルムの離型処理されておりかつマット加工されている表面上にアプリケーターを用いて、乾燥後の厚みが５０μｍとなるように、得られた樹脂組成物を塗工した。次に、１００℃のギヤオーブン内で２分間乾燥して、縦２００ｍｍ×横２００ｍｍ×厚み５０μｍの絶縁フィルムとＰＥＴフィルムとの積層フィルムを作製した。 A polyethylene terephthalate (PET) film (manufactured by Lintec Corporation, thickness 50 μm, arithmetic mean roughness Ra 250 nm) that had been subjected to a mold release treatment and a filler kneading mat treatment was prepared. The obtained resin composition was coated on the release-treated and matted surface of the PET film using an applicator so that the thickness after drying was 50 μm. Next, it was dried in a gear oven at 100 ° C. for 2 minutes to prepare a laminated film of an insulating film having a length of 200 mm, a width of 200 mm and a thickness of 50 μm and a PET film.
（２）ビルドアップ配線板の作製
厚み０．７ｍｍのＣＣＬ基板（日立化成工業社製「Ｅ６７９ＦＧ」）を用意した。この基板にドリルにてビア径０．２ｍｍの穴（貫通孔）を開けた。その後、高圧洗浄と、過マンガン酸ナトリウム溶液を用いたデスミア処理とを行った。次に、無電解銅めっきと、銅配線を形成するために電解銅めっき処理とを行なった。次に、電解銅めっきが施された穴内に、孔埋めインク（山栄化学社製「ＰＨＰ−９００」）をスクリーン印刷にて埋め込んだ後、余分なインクをバフ研磨にて除去した。このようにして、厚み２０μｍの銅配線が両側の表面上に配置されており、かつ銅配線が穴内に充填されている銅張り基板を得た。この銅張り基板を用いて、以下のようにして、銅張り基板の両面に、絶縁層及び銅配線を順次形成した。
(2) Preparation of Build-up Wiring Board A CCL board with a thickness of 0.7 mm (“E679FG” manufactured by Hitachi Kasei Kogyo Co., Ltd.) was prepared. A hole (through hole) having a via diameter of 0.2 mm was drilled in this substrate. Then, high-pressure washing and desmear treatment using a sodium permanganate solution were performed. Next, electroless copper plating and electrolytic copper plating treatment were performed to form copper wiring. Next, a hole-filling ink (“PHP-900” manufactured by Sanei Chemical Co., Ltd.) was embedded in the hole subjected to electrolytic copper plating by screen printing, and then excess ink was removed by buffing. In this way, a copper-covered substrate in which copper wirings having a thickness of 20 μm are arranged on the surfaces on both sides and the copper wirings are filled in the holes was obtained. Using this copper-clad substrate, an insulating layer and copper wiring were sequentially formed on both sides of the copper-clad substrate as follows.
先ず、銅配線の表面を、硫酸と過酸化水素の水溶液で洗浄した後、銅張り基板の両面に感光性のドライフィルムレジスト（デュポン社製「リストン」）をラミネートした。 First, the surface of the copper wiring was washed with an aqueous solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, and then photosensitive dry film resist (“Liston” manufactured by DuPont) was laminated on both sides of the copper-clad substrate.
次に露光機とクロムガラス版を用いて、露光を行なった。スルーホール上にビアランドのドライフィルムパターンを形成した。そして、第二塩化銅溶液にてエッチングを行ない、その後水酸化ナトリウム溶液にてドライフィルムレジストを剥離した。これにより、厚み２０μｍの銅配線（第１の銅配線に相当する）を形成した。 Next, exposure was performed using an exposure machine and a chrome glass plate. A beerland dry film pattern was formed on the through holes. Then, etching was performed with a second copper chloride solution, and then the dry film resist was peeled off with a sodium hydroxide solution. As a result, a copper wiring having a thickness of 20 μm (corresponding to the first copper wiring) was formed.
ラミネート工程：
次に、銅配線が形成された銅張り基板の表面上に、前述した積層フィルムを絶縁フィルム側からラミネートした。このようにして銅張り基板上に、絶縁フィルム（第１の絶縁層に相当する）とＰＥＴフィルムとを積層した。
Laminating process:
Next, the above-mentioned laminated film was laminated from the insulating film side on the surface of the copper-clad substrate on which the copper wiring was formed. In this way, the insulating film (corresponding to the first insulating layer) and the PET film were laminated on the copper-clad substrate.
その後、絶縁フィルムを、１８０℃のギヤオーブンで６０分間加熱して、絶縁フィルムの硬化を進行させた。 Then, the insulating film was heated in a gear oven at 180 ° C. for 60 minutes to allow the insulating film to cure.
次に、ＰＥＴフィルムを絶縁フィルムから剥離した。絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａは２５０ｎｍであった。 Next, the PET film was peeled off from the insulating film. The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the insulating film in contact with the PET film was 250 nm.
粗化工程：
７５℃の過マンガン酸ナトリウム（アトテックジャパン社製「コンセントレートコンパクトＣＰ」、和光純薬工業社製「水酸化ナトリウム」）水溶液に、膨潤処理後の上記積層構造体を入れて、２０分間（粗化処理時間）揺動させて、絶縁層の表面を粗化処理し、かつ絶縁層の穴内をデスミア処理した。
Roughing process:
The above laminated structure after swelling treatment was placed in an aqueous solution of sodium permanganate (“Concentrate Compact CP” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “Sodium hydroxide” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) at 75 ° C. for 20 minutes (coarse). (Chemical treatment time) The surface of the insulating layer was roughened by shaking, and the inside of the hole of the insulating layer was desmeared.
次に、表面が粗化処理された絶縁層を、４０℃の中和液（アトテックジャパン社製「リダクションセキュリガントＰ」、和光純薬工業社製「硫酸」）により１０分間洗浄した後、純水でさらに洗浄した。 Next, the insulating layer whose surface has been roughened is washed with a neutralizing solution at 40 ° C. (“Reduction Securigant P” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd., “Sulfuric acid” manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) for 10 minutes, and then pure. Further washed with water.
無電解めっき工程：
得られた上記積層体の表面を、５５℃のアルカリクリーナ（アトテックジャパン社製「クリーナーセキュリガント９０２」）で５分間処理し、脱脂洗浄した。洗浄後、粗化処理された予備硬化物を２３℃のプリディップ液（アトテックジャパン社製「プリディップネオガントＢ」）で２分間処理した。次に４０℃のアクチベーター液（アトテックジャパン社製「アクチベーターネオガント８３４」）で５分間処理し、パラジウム触媒を付けた。その後、３０℃の還元液（アトテックジャパン社製「リデューサーネオガントＷＡ」）により５分間処理した。
Electroless plating process:
The surface of the obtained laminate was treated with an alkaline cleaner at 55 ° C. (“Cleaner Securigant 902” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and degreased and washed. After washing, the roughened pre-cured product was treated with a pre-dip solution (“Pre-dip Neogant B” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 23 ° C. for 2 minutes. Next, it was treated with an activator solution at 40 ° C. (“Activator Neogant 834” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) for 5 minutes, and a palladium catalyst was attached. Then, it was treated with a reducing solution (“Reducer Neogant WA” manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) at 30 ° C. for 5 minutes.
次に、上記予備硬化物を化学銅液（アトテックジャパン社製「ベーシックプリントガントＭＳＫ−ＤＫ」、「カッパープリントガントＭＳＫ」、「スタビライザープリントガントＭＳＫ」）に入れ、無電解めっきをめっき厚さが０．５μｍ程度になるまで実施した。無電解めっき後に、残留している水素ガスを除去するため、１２０℃の温度で３０分間アニールをかけた。無電解めっきの工程までのすべての工程は、ビーカースケールで処理液を１Ｌとし、予備硬化物を揺動させながら実施した。無電解めっき層の絶縁フィルム側とは反対の表面の算術平均粗さＲａは２１０ｎｍであった。 Next, the pre-cured product is placed in a chemical copper solution (Atotech Japan's "Basic Print Gantt MSK-DK", "Copper Print Gantt MSK", "Stabilizer Print Gantt MSK"), and electroless plating is applied to increase the plating thickness. It was carried out until it became about 0.5 μm. After electroless plating, annealing was performed at a temperature of 120 ° C. for 30 minutes in order to remove residual hydrogen gas. All the steps up to the electroless plating step were carried out with a beaker scale containing 1 L of the treatment liquid and shaking the pre-cured product. The arithmetic mean roughness Ra of the surface of the electroless plating layer opposite to the insulating film side was 210 nm.
ＤＦＲラミネート工程：
無電解銅めっき層上に、支持体であるＰＥＴフィルム上のアルカリ溶解型ＤＦＲ（日立化成社製「ＲＹ−３５２５」）を、ロールラミネーター（大成ラミネーター社製「ＶＡ−７００ＳＨ」）を用いて、温度１００℃、圧力０．４ＭＰａ及び速度１．５ｍ／ｓの条件にてラミネートして、積層構造体を得た。
DFR laminating process:
On the electroless copper plating layer, an alkali-dissolved DFR (“RY-3525” manufactured by Hitachi Kasei Co., Ltd.) on a PET film as a support was used by a roll laminator (“VA-700SH” manufactured by Taisei Laminator Co., Ltd.). A laminated structure was obtained by laminating under the conditions of a temperature of 100 ° C., a pressure of 0.4 MPa and a speed of 1.5 m / s.
露光及び現像工程：
得られた積層構造体を用いて、ＵＶ露光機（オーク製作所社製「ＥＸＡ−１２０１」）にて、ＤＦＲ密着性評価用パターン（Ｌ／Ｓ＝７μｍ／１００μｍ、１５μｍ／１００μｍ、３０μｍ／１００μｍ）、さらには、微細配線形成性評価用パターン（Ｌ／Ｓ＝７μｍ／７μｍ）のパターンマスクを介して、照射条件１００ｍＪ／ｃｍ２で、ＤＦＲにＵＶ照射を行った。
Exposure and development process:
Using the obtained laminated structure, a pattern for evaluating DFR adhesion (L / S = 7 μm / 100 μm, 15 μm / 100 μm, 30 μm / 100 μm) was used in a UV exposure machine (“EXA-1201” manufactured by ORC Manufacturing Co., Ltd.). Furthermore, UV irradiation was performed on the DFR under an irradiation condition of 100 mJ / cm 2 via a pattern mask of a pattern for evaluating fine wiring formability (L / S = 7 μm / 7 μm).
その後、２５℃にて６０分間保持した後で、ＤＦＲの支持体であるＰＥＴフィルムを剥離した。ＤＦＲの表面に、１重量％の炭酸ナトリウム水溶液を３０℃にて、スプレー圧１．０ｋｇ／ｃｍ２で２０秒間スプレーし、現像を行い、未露光部を除去した。その後、２０℃で、スプレー圧１．０ｋｇ／ｃｍ２にて２０秒間水洗を行い、乾燥することでＤＦＲによるネガパターンを形成した。 Then, after holding at 25 ° C. for 60 minutes, the PET film supporting the DFR was peeled off. An unexposed portion was removed by spraying a 1 wt% sodium carbonate aqueous solution on the surface of the DFR at 30 ° C. at a spray pressure of 1.0 kg / cm 2 for 20 seconds for development. Then, it was washed with water at 20 ° C. at a spray pressure of 1.0 kg / cm 2 for 20 seconds and dried to form a negative pattern by DFR.
電解銅めっき工程：
ＤＦＲの配線形成された後、めっき厚さが２５μｍとなるまで、電解銅めっきを実施し、電解銅めっき層を形成した。電解銅めっきとして硫酸銅水溶液（和光純薬工業社製「硫酸銅五水和物」、和光純薬工業社製「硫酸」、アトテックジャパン社製「ベーシックレベラーカパラシド ＨＬ」、アトテックジャパン社製「補正剤カパラシド ＧＳ」）を用いて、０．６Ａ／ｃｍ２の電流を流した。
Electrolytic copper plating process:
After the DFR wiring was formed, electrolytic copper plating was performed until the plating thickness became 25 μm to form an electrolytic copper plating layer. Copper sulfate aqueous solution as electrolytic copper plating ("Copper sulfate pentahydrate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Sulfate" manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd., "Basic leveler capallaside HL" manufactured by Atotech Japan, "Basic leveler capallaside HL" manufactured by Atotech Japan A current of 0.6 A / cm 2 was applied using the corrective agent Caparaside GS ”).
ＤＦＲ剥離及びクイックエッチング：
４０℃の苛性ソーダ水溶液中に、電解銅めっき後の積層構造体を浸漬することにより、銅めっき配線間に残っているＤＦＲを剥離した。さらに、ＤＦＲの下部の絶縁層の表面において、微細粗化孔に残留する無電解めっきを、過酸化水素水−硫酸系のクイックエッチング液（ＪＣＵ社製「ＳＡＣ」）で除去した。
DFR peeling and quick etching:
By immersing the laminated structure after electrolytic copper plating in an aqueous solution of caustic soda at 40 ° C., the DFR remaining between the copper-plated wires was peeled off. Further, on the surface of the insulating layer below the DFR, the electroless plating remaining in the fine roughened pores was removed with a hydrogen peroxide solution-sulfuric acid-based quick etching solution (“SAC” manufactured by JCU).
本硬化工程：
クイックエッチング後の積層構造体を、１８０℃のギヤオーブンで６０分間加熱し、本硬化させることで、銅めっきのアンカー部を引き締めることにより密着力を向上させ、銅めっき微細配線を作製した。
Main curing process:
The laminated structure after quick etching was heated in a gear oven at 180 ° C. for 60 minutes and finally cured to improve the adhesion by tightening the copper-plated anchor portion, and copper-plated fine wiring was produced.
（実施例２）
ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを２００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを２００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１９０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
(Example 2)
The arithmetic average roughness Ra of the surface of the PET film in contact with the insulating film was changed to 200 nm, and the arithmetic average roughness Ra of the surface of the insulating film in contact with the PET film was changed to 200 nm due to the change of the PET film. In the same manner as in Example 1 except that the arithmetic average roughness Ra of the electroless plating layer (the surface opposite to the insulating film side) after the roughening step was changed to 190 nm due to the change of the PET film. A build-up wiring board was produced.
（参考例３）
ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを７０ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを７０ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程
後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを８０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
( Reference example 3)
The arithmetic average roughness Ra of the surface of the PET film in contact with the insulating film was changed to 70 nm, and the arithmetic average roughness Ra of the surface of the insulating film in contact with the PET film was changed to 70 nm due to the change of the PET film. In the same manner as in Example 1 except that the arithmetic average roughness Ra of the electroless plating layer (the surface opposite to the insulating film side) after the roughening step was changed to 80 nm due to the change of the PET film. A build-up wiring board was produced.
（参考例４）
ラミネート工程後にＰＥＴフィルムを剥離したこと、予備硬化前にＰＥＴフィルムを剥離したことにより、予備硬化工程において樹脂表面がレベリングされた結果、絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを１００ｎｍに変更したこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１１０ｍｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
( Reference example 4)
As a result of leveling the resin surface in the pre-curing step due to the peeling of the PET film after the laminating process and the peeling of the PET film before the pre-curing, the arithmetic average roughness Ra of the surface in contact with the PET film of the insulating film Ra. Was changed to 100 nm, and the arithmetic average roughness Ra of the electroless plating layer (the surface opposite to the insulating film side) after the roughening step was changed to 110 mm due to the change of the PET film. A build-up wiring board was produced in the same manner as in 1.
（実施例５）
用いる絶縁フィルムの組成を下記のように変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。
(Example 5)
A build-up wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the composition of the insulating film used was changed as follows.
樹脂組成物の調製：
エポキシ樹脂１（ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ＤＩＣ社製「８３０−Ｓ」）１０重量部と、エポキシ樹脂２（ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、日本化薬社製「ＮＣ３０００Ｈ」）１０重量部と、シアネートエステル化合物（シアネートエステル硬化剤、ロンザジャパン社製「ＢＡ−２３０Ｓ」）１０．５重量部と、イミダゾール化合物（四国化成工業社製「２Ｐ４ＭＺ」）０．４重量部と、フェノキシ樹脂（三菱化学社製「ＹＸ６９５４ＢＨ３０」）８．６重量部とを配合し、この配合物とシリカ含有スラリーを固形分で５５重量部とを撹拌機を用いて１２００ｒｐｍで１時間撹拌し、樹脂組成物を得た。
Preparation of resin composition:
10 parts by weight of epoxy resin 1 (bisphenol F type epoxy resin, "830-S" manufactured by DIC), 10 parts by weight of epoxy resin 2 (biphenyl novolac type epoxy resin, "NC3000H" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), and cyanate ester. 10.5 parts by weight of compound (cyanate ester curing agent, "BA-230S" manufactured by Ronza Japan), 0.4 parts by weight of imidazole compound ("2P4MZ" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), and phenoxy resin (manufactured by Mitsubishi Chemical Co., Ltd.) "YX6954BH30") 8.6 parts by weight was blended, and 55 parts by weight of this formulation and the silica-containing slurry were stirred with a stirrer at 1200 rpm for 1 hour to obtain a resin composition.
上記の組成の変更にも関わらず、ＰＥＴフィルムの絶縁フィルムと接する表面の算術平均粗さＲａを２５０ｎｍであり、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面の算術平均粗さＲａを２５０ｎｍであり、実施例１と同等であった。粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａは２２０ｎｍであった。 Despite the above composition change, the arithmetic mean roughness Ra of the surface in contact with the insulating film of the PET film was 250 nm, and the arithmetic mean roughness of the surface in contact with the PET film of the insulating film was changed due to the change of the PET film. Ra was 250 nm, which was equivalent to that of Example 1. The arithmetic mean roughness Ra of the electroless plating layer (the surface opposite to the insulating film side) after the roughening step was 220 nm.
（比較例１）
比較例１では、マット加工されておらず、表面が平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）であるＰＥＴフィルムを用いた。
(Comparative Example 1)
In Comparative Example 1, a PET film that was not matted and had a smooth surface (arithmetic mean roughness Ra: 20 nm) was used.
表面が平滑であるＰＥＴフィルムを用いたこと、ＰＥＴフィルムの変更に伴って絶縁フィルムのＰＥＴフィルムと接していた表面を平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）にしたこと、並びにＰＥＴフィルムの変更に伴って、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）を算術平均粗さＲａを３０ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。 For the use of a PET film with a smooth surface, the smoothing of the surface of the insulating film in contact with the PET film (arithmetic average roughness Ra: 20 nm) due to the change of the PET film, and the change of the PET film. Along with this, a build-up wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the arithmetic average roughness Ra of the electroless plating layer (the surface opposite to the insulating film side) after the roughening step was changed to 30 nm. did.
（比較例２）
比較例２では、マット加工されておらず、表面が平滑（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）であるＰＥＴフィルムを用いた。
(Comparative Example 2)
In Comparative Example 2, a PET film that was not matted and had a smooth surface (arithmetic mean roughness Ra: 20 nm) was used.
表面が平滑であるＰＥＴフィルム（算術平均粗さＲａ：２０ｎｍ）を用いたこと、粗化処理時間を２０分から４０分に延長することによって、粗化工程後の無電解めっき層（絶縁フィルム側とは反対の表面）の算術平均粗さＲａを１００ｎｍに変更したこと以外は実施例１と同様にして、ビルドアップ配線板を作製した。 By using a PET film with a smooth surface (arithmetic mean roughness Ra: 20 nm) and extending the roughening treatment time from 20 minutes to 40 minutes, the electroless plating layer (with the insulating film side) after the roughening step A build-up wiring board was produced in the same manner as in Example 1 except that the arithmetic mean roughness Ra of (the opposite surface) was changed to 100 nm.
比較例２では、粗化処理時間の延長を行ったために、ビルドアップ配線板の製造効率が悪かった上に樹脂の劣化が見られた。 In Comparative Example 2, since the roughening treatment time was extended, the manufacturing efficiency of the build-up wiring board was poor and the resin was deteriorated.
（評価）
（１）算術平均粗さＲａの測定
非接触３次元表面形状測定装置（Ｖｅｅｃｏ社製「ＷＹＫＯ ＮＴ１１００」）を用いて、表面の９４μｍ×１２３μｍの測定エリアにおける算術平均粗さＲａを３回測定し、測定値の平均値を算術平均粗さＲａとした。
(Evaluation)
(1) Measurement of Arithmetic Mean Roughness Ra Using a non-contact three-dimensional surface shape measuring device (“WYKO NT1100” manufactured by Veeco), the arithmetic mean roughness Ra in a measurement area of 94 μm × 123 μm on the surface was measured three times. , The average value of the measured values was taken as the arithmetic mean roughness Ra.
（２）無電解めっき層とＤＦＲの密着性
ＤＦＲの現像工程後の積層構造体のＤＦＲ密着性評価用パターンを顕微鏡（オリンパス社製「ＳＺ６１」）にて表面観察することで、無電解めっき層に対するＤＦＲの密着性を評価した。無電解めっき層に対するＤＦＲの密着性を下記の基準で判定した。
(2) Adhesion between electroless plating layer and DFR By observing the surface of the DFR adhesion evaluation pattern of the laminated structure after the DFR development process with a microscope (“SZ61” manufactured by Olympus Corporation), the electroless plating layer The adhesion of DFR to the water was evaluated. The adhesion of DFR to the electroless plating layer was judged according to the following criteria.
［無電解めっき層とＤＦＲの密着性の判定基準］
○：全てのＬ／ＳでＤＦＲパターンを形成できる
△：Ｌ／Ｓ＝７μｍ／１００μｍ未満ではＤＦＲパターンを形成できず、Ｌ／Ｓ＝１５μｍ／１００μｍ以上でＤＦＲパターンを形成できる
×：全てのＬ／ＳでＤＦＲパターンを形成できない
[Criteria for adhesion between electroless plating layer and DFR]
◯: DFR pattern can be formed with all L / S Δ: DFR pattern cannot be formed with L / S = less than 7 μm / 100 μm, and DFR pattern can be formed with L / S = 15 μm / 100 μm or more ×: All L DFR pattern cannot be formed with / S
（３）微細配線形成性の評価
本硬化工程後の積層構造体の微細配線評価用パターンを顕微鏡（オリンパス社製「ＳＺ６１」）にて表面観察することで、微細配線形成性を評価した。微細配線形成性は下記の基準で判定した。
(3) Evaluation of fine wiring formability The fine wiring formability was evaluated by observing the surface of the fine wiring evaluation pattern of the laminated structure after the main curing step with a microscope (“SZ61” manufactured by Olympus Corporation). The fine wiring formability was judged according to the following criteria.
［微細配線形成性の判定基準］
○：９０％以上の銅配線パターンを形成できる
△：５０％以上９０％未満の銅配線パターンを形成できる
×：５０％未満の銅配線パターンしか形成できない
[Criteria for fine wiring formability]
◯: 90% or more of copper wiring pattern can be formed Δ: 50% or more and less than 90% of copper wiring pattern can be formed ×: Only 50% or less of copper wiring pattern can be formed
（４）ピール強度
実施例、参考例及び比較例において、配線を形成せずに、全面に電解銅めっきを施した積層構造体を準備した。銅層に１０ｍｍ幅にカッターで切り込みを入れた。銅層の端部をめくり、９０°剥離試験機（テスター産業社製「ＴＥ−３００１」）を用いて、銅層（金属層）を２０ｍｍ剥離した。このときのピール強度を測定した。ピール強度を下記の基準で判定した。
(4) Peel strength In the examples , reference examples and comparative examples, a laminated structure having electrolytic copper plating on the entire surface was prepared without forming wiring. A notch was made in the copper layer with a cutter to a width of 10 mm. The end of the copper layer was turned over, and the copper layer (metal layer) was peeled by 20 mm using a 90 ° peeling tester (“TE-3001” manufactured by Tester Sangyo Co., Ltd.). The peel strength at this time was measured. The peel strength was judged according to the following criteria.
［ピール強度の判定基準］
○：ピール強度が０．５Ｎ／ｃｍ以上
△：ピール強度が０．４Ｎ／ｃｍ以上、０．５Ｎ／ｃｍ未満
×：ピール強度が０．４Ｎ／ｃｍ未満
[Criteria for peel strength]
◯: Peel strength is 0.5 N / cm or more Δ: Peel strength is 0.4 N / cm or more and less than 0.5 N / cm ×: Peel strength is less than 0.4 N / cm
結果を下記の表１に示す。 The results are shown in Table 1 below.
なお、実施例１，２，５及び参考例３，４では、絶縁層と金属層とのピール強度の評価結果はいずれも「○」であるが、ピール強度の具体的な数値に関しては、参考例３のピール強度の数値は実施例１，２，５及び参考例４のピール強度の数値よりも低く、参考例４のピール強度の数値は、実施例１，２，５のピール強度の数値よりも低かった。 In Examples 1 , 2 and 5 and Reference Examples 3 and 4 , the evaluation results of the peel strength between the insulating layer and the metal layer are all "○", but the specific numerical values of the peel strength are referred to. example 3 peel numerical strength examples 1, 2, 5 and lower than the value of the peel strength of example 4, the numerical value of the peel strength of reference example 4, the numerical value of the peel strength of examples 1, 2, 5 Was lower than.
１…積層構造体
２…積層構造体
１１…基板
１１ａ…穴
１２…第１の金属部
１２ａ…露出している表面
１３…第１の絶縁層
１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ…絶縁フィルム（穴形成前かつ硬化進行前、穴形成前かつ硬化進行後、穴形成後かつ硬化進行後）
１３ａ…穴
１４…第２の金属部（第２のめっき処理後かつエッチング後）
１４Ａ…第２の金属部（第２のめっき処理前）
１４Ｂ…第２の金属部（第２のめっき処理後かつエッチング前）
１４Ｂａ…第２の金属部部分
１５…他の絶縁層
１６…他の金属部
２１…第２の絶縁層
２２…第１の金属部
２２ａ…露出している表面
２３…第１の絶縁層
２３ａ…穴
２４…第２の金属部
２５…他の絶縁層
２６…他の金属部
３１…基材フィルム
４１…ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）
４１Ａ…レジストパターン
1 ...
13a ...
14A ... Second metal part (before the second plating process)
14B ... Second metal part (after the second plating process and before etching)
14Ba ...
41A ... Resist pattern
Claims (11)
前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程と、
前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、
前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、
前記積層工程後に、かつ前記予備硬化工程中又は前記予備硬化工程後に、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行い、
前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、前記剥離工程後かつ前記めっき工程前に、前記基材フィルムの表面の凹凸に由来して、前記絶縁フィルムは、前記基材フィルムと接していた表面に凹凸を有し、
前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが１２０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である、積層構造体の製造方法。 A laminating step of laminating an insulating film and a base film in this order on a substrate having a metal portion on the upper surface or a second insulating layer having a metal portion on the upper surface.
After the laminating step, a pre-curing step of advancing the curing of the insulating film and a pre-curing step
A peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film,
A plating step of forming a metal portion by plating on the insulating film is provided.
After the laminating step and during the pre-curing step or after the pre-curing step, a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film is performed.
The base film has irregularities on the surface in contact with the insulating film, and the insulating film is derived from the irregularities on the surface of the base film after the peeling step and before the plating step. The surface that was in contact with the film has irregularities,
A method for producing a laminated structure, wherein the arithmetic average roughness Ra of the surface of the base film in contact with the insulating film, measured in accordance with JIS B0601-1994, is 120 nm or more and 300 nm or less.
金属部を上面に有する基板又は金属部を上面に有する第２の絶縁層上に、積層フィルムを絶縁フィルム側から積層する積層工程と、
前記積層工程後に、前記絶縁フィルムの硬化を進行させる予備硬化工程と、
前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程と、
前記絶縁フィルム上に、めっき処理により金属部を形成するめっき工程とを備え、
前記積層工程後に、かつ前記予備硬化工程中又は前記予備硬化工程後に、前記基材フィルムを前記絶縁フィルムの表面から剥離する剥離工程を行う積層構造体の製造方法に用いられる積層フィルムであり、
前記基材フィルムは、前記絶縁フィルムと接する表面に凹凸を有し、
前記基材フィルムの前記絶縁フィルムと接する表面の、ＪＩＳ Ｂ０６０１−１９９４に準拠して測定された算術平均粗さＲａが１２０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である、積層フィルム。 It is a laminated film in which an insulating film and a base film are laminated.
A laminating step of laminating a laminated film from the insulating film side on a substrate having a metal portion on the upper surface or a second insulating layer having a metal portion on the upper surface.
After the laminating step, a pre-curing step of advancing the curing of the insulating film and a pre-curing step
A peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film,
A plating step of forming a metal portion by plating on the insulating film is provided .
A laminated film used in a method for producing a laminated structure in which a peeling step of peeling the base film from the surface of the insulating film is performed after the laminating step and during the pre-curing step or the pre-curing step.
The base film has irregularities on the surface in contact with the insulating film.
A laminated film having an arithmetic mean roughness Ra of 120 nm or more and 300 nm or less measured in accordance with JIS B0601-1994 on the surface of the base film in contact with the insulating film.
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