JP6823820B1 - Resist stripper - Google Patents

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Abstract

【課題】銅/モリブデンの積層膜上でハードベイクされたレジストを剥離させ際に、銅やモリブデンのアンダーカットを抑制したレジスト剥離液を提供する。【解決方法】剥離液全体量に対して0.5〜5質量%の2級環状アミンと、前記2級環状アミンに対して5〜10質量%の塩基性アミノ酸と、前記塩基性アミノ酸に対して10〜30質量%の保護剤と、前記2級環状アミンに対して10〜50質量%の糖アルコールと、有機極性溶媒と、水を含むことを特徴とするレジスト剥離液。【選択図】なしPROBLEM TO BE SOLVED: To provide a resist stripping solution in which undercut of copper or molybdenum is suppressed when a resist hard-baked on a copper / molybdenum laminated film is stripped. SOLUTION: The secondary cyclic amine is 0.5 to 5% by mass based on the total amount of the stripping solution, the basic amino acid is 5 to 10% by mass based on the secondary cyclic amine, and the basic amino acid is used. A resist stripping solution containing 10 to 30% by mass of a protective agent, 10 to 50% by mass of a sugar alcohol with respect to the secondary cyclic amine, an organic polar solvent, and water. [Selection diagram] None

Description

本発明はフォトリソグラフィの際に用いるフォトレジストを剥離する時に用いるレジスト剥離液に関する。 The present invention relates to a resist stripping solution used for stripping a photoresist used in photolithography.

放送の伝送フォーマットは4K、8Kといった高画質を提供できるものが提案されており、また試験放送も始まっている。それに応じてテレビも大型画面が提供されつつある。現在のテレビは液晶テレビが主流であり、画素に対応したトランジスタが、大画面用の透明基板(ガラス)上に形成される。この形成には、フォトリソグラフィ技術が利用されている。 Broadcast transmission formats that can provide high image quality such as 4K and 8K have been proposed, and test broadcasting has also begun. Correspondingly, large screens are being provided for televisions. Liquid crystal televisions are the mainstream of current televisions, and transistors corresponding to pixels are formed on a transparent substrate (glass) for a large screen. Photolithography technology is used for this formation.

画面の大型化により、透明基板上に形成される導電部分は抵抗を低くする必要がある。そのため、導電部分には、銅が利用されるようになった。銅の導電性は高い。しかし、透明基板への付着力が低い。そこで、透明基板と銅の間に下地層としてモリブデンが利用される。 Due to the increase in size of the screen, it is necessary to reduce the resistance of the conductive portion formed on the transparent substrate. Therefore, copper has come to be used for the conductive portion. Copper has high conductivity. However, the adhesive force to the transparent substrate is low. Therefore, molybdenum is used as a base layer between the transparent substrate and copper.

モリブデンは、通常は腐食されにくい金属であるが、銅との二層構造にされると、著しく腐食されることが知られていた。 Molybdenum is usually a metal that is not easily corroded, but it has been known that molybdenum is significantly corroded when it has a two-layer structure with copper.

特許文献1は、モリブデン層上に銅層を配した二層構造の両層をエッチングした後、レジスト層を剥離させる剥離液に、2級若しくは3級のアルカノールアミンと、チオール基及びアミド構造を持たず窒素が2以上含まれたアミノ酸を用いることで、モリブデンの腐食を抑制し、レジストを剥離することができる剥離液が開示されている。 In Patent Document 1, secondary or tertiary alkanolamine, a thiol group, and an amide structure are added to a stripping solution for removing the resist layer after etching both layers having a two-layer structure in which a copper layer is arranged on a molybdenum layer. Disclosed is a stripping solution capable of suppressing corrosion of molybdenum and stripping a resist by using an amino acid that does not have and contains two or more nitrogens.

また、特許文献1では、ベンゾトリアゾール等の銅の腐食保護剤を用いると、銅表面に析出物が発生するので、使用しない点も特徴である。 Further, in Patent Document 1, when a copper corrosion protective agent such as benzotriazole is used, precipitates are generated on the copper surface, so that it is not used.

なお、現在は特許文献1の出願時よりも用いられる透明基板は大きなものが利用される。したがって、大画面上にフォトリソグラフィで素子を形成する場合は、1素子の失敗も許されない厳しい生産管理が行われる。したがって、エッチングミスに直結する塗布したフォトレジスト膜の剥離は、発生しないことが求められる。その結果、露光前のフォトレジストのベイク処理(焼成処理とも呼ぶ)の温度は上昇する傾向になる。 At present, a larger transparent substrate is used than at the time of filing of Patent Document 1. Therefore, when an element is formed on a large screen by photolithography, strict production control is performed in which failure of one element is not allowed. Therefore, it is required that the coated photoresist film does not peel off, which is directly linked to the etching error. As a result, the temperature of the photoresist baking treatment (also called firing treatment) before exposure tends to rise.

国際公開第2010/073887号International Publication No. 2010/0738887

アミノ酸は銅を強く腐食させる物質として知られている。つまり特許文献1の剥離液は、程度は低いとはいえ、銅を腐食するアミン類と一緒に、銅を強く腐食するアミノ酸を、銅の保護剤無しで利用する。それでいて、特許文献1の剥離液は、銅の腐食も下地のモリブデンの腐食も抑制している。 Amino acids are known as substances that strongly corrode copper. That is, the stripping solution of Patent Document 1 utilizes amino acids that strongly corrode copper together with amines that corrode copper, to a lesser extent, without a protective agent for copper. Nevertheless, the stripping solution of Patent Document 1 suppresses the corrosion of copper and the corrosion of the underlying molybdenum.

この理由は以下のように考えられる。剥離液を利用した時に、銅の表面では、酸素の還元が行われる。したがって、銅の表面から剥離液側に電子が供給される。ここで、銅を腐食しにくいアミン類を用いていると、電子は銅からよりもモリブデンから供給される。そのため、モリブデンが腐食される。 The reason for this is considered as follows. When the stripper is used, oxygen is reduced on the surface of the copper. Therefore, electrons are supplied from the copper surface to the stripping liquid side. Here, when amines that do not easily corrode copper are used, electrons are supplied from molybdenum rather than from copper. Therefore, molybdenum is corroded.

一方、ここで、銅を腐食するアミノ酸を同時に利用することで、銅からも電子を放出させ、モリブデンの腐食を抑制させる。すなわち、銅が腐食しにくいアルカノールアミンでレジストを剥離し、銅表面で生じる還元作用に利用する電子の供給には、モリブデンだけでなく、銅自体からも供給させるようとする方法である。 On the other hand, here, by simultaneously using amino acids that corrode copper, electrons are also emitted from copper to suppress the corrosion of molybdenum. That is, it is a method in which the resist is peeled off with alkanolamine, which is resistant to corrosion of copper, and electrons used for the reducing action generated on the copper surface are supplied not only from molybdenum but also from copper itself.

つまり、あえて銅層をいくらか腐食させることで、モリブデン層を保護するものであり、アルカノールアミンと、アミノ酸のバランスで、両層の保護を図ろうとするものである。 In other words, the molybdenum layer is protected by intentionally corroding the copper layer to some extent, and the balance between alkanolamines and amino acids is intended to protect both layers.

しかし、現在特許文献1の出願時よりも、現場でのレジストの焼成温度は高くなっており(ハードベイク)、アルカノールアミンでは、レジスト自体を剥離できない状況になっている。したがって、アルカノールアミンよりも、ハードベイクされたレジストの分解に適した塩基性物質が必要となってきた。 However, at present, the firing temperature of the resist at the site is higher than that at the time of filing of Patent Document 1 (hard bake), and the resist itself cannot be peeled off with alkanolamine. Therefore, there is a need for a basic substance that is more suitable for decomposing hard-baked resists than alkanolamines.

また、画素近辺の導電部分は比較的細いパターンであるのに対して、画面周辺の部分では、各画素からの導電部分がまとめられるため、幅広のパターンになる。 Further, while the conductive portion near the pixel has a relatively thin pattern, the conductive portion from each pixel is put together in the portion around the screen, resulting in a wide pattern.

このように、幅広のパターンと幅が狭いパターンが混在している状態で、強いアルカリを使用すると、アミンとアミノ酸とのバランスの調節が困難になったという問題が生じた。すなわち、この方法では、基本的にアミノ酸が少ない(アミンが多い)とモリブデンが腐食され、アミノ酸が多い(アミンが少ない)と銅が腐食される。しかし、幅広のパターンと幅が狭いパターンの両方で、アミノ酸とアミンのバランスを取れる範囲が非常に狭くなり、実質的に、バランスの取れた剥離液を提供することができなかった。 As described above, when a strong alkali is used in a state where a wide pattern and a narrow pattern are mixed, there is a problem that it becomes difficult to adjust the balance between amines and amino acids. That is, in this method, molybdenum is basically corroded when there are few amino acids (more amines), and copper is corroded when there are many amino acids (less amines). However, in both the wide pattern and the narrow pattern, the range in which amino acids and amines can be balanced is very narrow, and it has not been possible to provide a substantially balanced stripping solution.

本発明は上記の課題に鑑みて想到されたものであり、ハードベイクされたフォトレジストを十分に剥離しつつ、幅広パターンの部分でも、幅狭パターンの部分でも、モリブデンおよび銅の腐食を抑制できるレジスト剥離液を提供する。 The present invention has been conceived in view of the above problems, and can suppress the corrosion of molybdenum and copper in both the wide pattern portion and the narrow pattern portion while sufficiently peeling off the hard-baked photoresist. A resist stripping solution is provided.

そのため、本発明では、環状アミンと、アミノ酸を用いた上で、銅の保護剤を用いる。そして、アミンに対してアミノ酸を過剰に加え、モリブデンの腐食を押さえ、銅の腐食の程度は保護剤で調整する。 Therefore, in the present invention, a protective agent for copper is used after using a cyclic amine and an amino acid. Then, an excess of amino acids is added to the amine to suppress the corrosion of molybdenum, and the degree of corrosion of copper is adjusted with a protective agent.

より具体的に本発明に係るレジスト剥離液は、
剥離液全体量に対して0.5〜5質量%の2級環状アミンと、
前記2級環状アミンに対して5〜10質量%の塩基性アミノ酸と、
前記塩基性アミノ酸に対して10〜30質量%の保護剤と、
前記2級環状アミンに対して10〜50質量%の糖アルコールと、
有機極性溶媒と、
水を含み、
前記2級環状アミンは、ヘキサメチレンイミン若しくは1−メチルピロリジンの少なくとも一方であることを特徴とする。
More specifically, the resist stripping solution according to the present invention is
With 0.5 to 5% by mass of the secondary cyclic amine with respect to the total amount of the stripping solution,
5 to 10% by mass of basic amino acids with respect to the secondary cyclic amine,
With 10 to 30% by mass of the protective agent with respect to the basic amino acid,
10 to 50% by mass of sugar alcohol with respect to the secondary cyclic amine,
With organic polar solvents
Water only contains,
The secondary cyclic amine is characterized by being at least one of hexamethyleneimine and 1-methylpyrrolidine .

本発明に係るレジスト剥離液は、銅を腐食しにくく、アルカリ性の強い2級環状アミンに対して、銅を強く腐食する塩基性アミノ酸を過剰に混入させる。したがって、このままでは銅が腐食されてしまうが、銅の腐食については、保護剤の量で調節する。すなわち、2種の腐食剤のバランスを取るというよりも、一方の腐食剤の効果を保護剤で抑制するものである。したがって、幅広のパターンと幅が狭いパターンの場合も、モリブデンの腐食および銅の腐食を実用の範囲内で抑制することができる。 The resist stripping solution according to the present invention excessively mixes a basic amino acid that strongly corrodes copper with a secondary cyclic amine that is hard to corrode copper and has strong alkalinity. Therefore, copper will be corroded as it is, but the corrosion of copper is adjusted by the amount of protective agent. That is, rather than balancing the two types of corrosive agents, the effect of one corrosive agent is suppressed by a protective agent. Therefore, even in the case of a wide pattern and a narrow pattern, the corrosion of molybdenum and the corrosion of copper can be suppressed within a practical range.

また、糖アルコールを混入させたので、モリブデンと銅との間の腐食についても抑制することができる。 Further, since sugar alcohol is mixed, corrosion between molybdenum and copper can be suppressed.

さらに、この剥離液の組成は、無機の酸若しくは無機のアルカリを含んでいないので、アルミニウムの導電部分に対しても、腐食を起こさない。 Furthermore, since the composition of this stripping solution does not contain an inorganic acid or an inorganic alkali, it does not corrode even the conductive portion of aluminum.

以下に本発明に係るレジスト剥離液について実施例を示し説明を行う。なお、以下の説明は、本発明の一実施形態および一実施例を例示するものであり、本発明が以下の説明に限定されるものではない。以下の説明は本発明の趣旨を逸脱しない範囲で改変することができる。また、以下の説明で範囲を表す場合に「〜」を使用する場合があるが、これは「以上(その値を含めてその値より大きい)から以下(その値を含めてその値より小さい)」を意味するものである。 Examples of the resist stripping solution according to the present invention will be described below. The following description illustrates one embodiment and one embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following description. The following description can be modified without departing from the spirit of the present invention. In addition, "~" may be used to represent a range in the following explanation, but this is from "greater than or equal to (greater than that value including that value) to less than or equal to (less than that value including that value)". It means ".

本発明に係るレジスト剥離液は、2級環状アミンと、塩基性アミノ酸と、有機極性溶媒と、保護剤と、水と、糖アルコールを含有する。 The resist stripping solution according to the present invention contains a secondary cyclic amine, a basic amino acid, an organic protic solvent, a protective agent, water, and a sugar alcohol.

また、本発明が対象とするのは、モリブデン上に銅が積層された導電部分である。特に、幅5〜15μm程度の太さの導電部分と、幅が300〜500μmの太さの導電部分が混在している。さらに、アルミニウムによる導電部分も存在している。 Further, the object of the present invention is a conductive portion in which copper is laminated on molybdenum. In particular, a conductive portion having a width of about 5 to 15 μm and a conductive portion having a width of 300 to 500 μm are mixed. In addition, there are also conductive parts made of aluminum.

モリブデンの厚さは30〜50nm程度であり、銅の厚みは400〜800nmである。アルミニウム部分は200〜400nmの厚みである。これらについて、モリブデンのアンダーカットと、銅の腐食、アルミニウムの腐食が実用上問題ない範囲にあることが必要である。 The thickness of molybdenum is about 30 to 50 nm, and the thickness of copper is 400 to 800 nm. The aluminum portion has a thickness of 200 to 400 nm. Regarding these, it is necessary that the undercut of molybdenum, the corrosion of copper, and the corrosion of aluminum are within the range where there is no practical problem.

また、レジストはポジ型のフォトレジストで、ノボラック樹脂およびジアゾナフトキノンが含まれる。そして、150℃以上で焼成処理されたものを対象とする。通常フォトレジストは100℃程度の温度で熱処理される。したがって、150℃以上での熱処理は高温処理(ハードベイク)であるといえる。 The resist is a positive photoresist and contains novolak resin and diazonaphthoquinone. Then, those which have been calcined at 150 ° C. or higher are targeted. Usually, photoresists are heat treated at a temperature of about 100 ° C. Therefore, it can be said that the heat treatment at 150 ° C. or higher is a high temperature treatment (hard bake).

2級環状アミンは、ヘキサメチレンイミン(CAS番号111−49−9と呼ぶ。)、1−メチルピロリジン(CAS番号:120−94−5)が好適に利用できる。ヘキサメチレンイミンおよび1−メチルピロリジンは、ハードベイクされたフォトレジストを剥離させることができる。2級環状アミンは、剥離液全量に対して0.5〜5質量%、より好ましくは0.7〜2.0質量%含有させるのが好適である。 As the secondary cyclic amine, hexamethyleneimine (referred to as CAS number 111-49-9) and 1-methylpyrrolidine (CAS number: 120-94-5) can be preferably used. Hexamethyleneimine and 1-methylpyrrolidine can exfoliate hard-baked photoresists. The secondary cyclic amine is preferably contained in an amount of 0.5 to 5% by mass, more preferably 0.7 to 2.0% by mass, based on the total amount of the stripping solution.

アミノ酸は、塩基性アミノ酸が利用できる。銅を強く溶解することができる。特にアルギニンとリシンが好適に利用できる。ヒスチジンは塩基性アミノ酸に分類されるが、本発明に係るレジスト剥離液では、モリブデンの抗腐食に対しては、あまり効果がなかった。 As the amino acid, a basic amino acid can be used. Copper can be strongly dissolved. In particular, arginine and lysine can be preferably used. Histidine is classified as a basic amino acid, but the resist stripping solution according to the present invention was not very effective against the anticorrosion of molybdenum.

アミノ酸は、環状アミンに対して5〜10質量%、好ましくは6〜8質量%含有させるのがよい。これは剥離液全量に換算すると、0.025〜0.5質量%に相当する。 The amino acid is preferably contained in an amount of 5 to 10% by mass, preferably 6 to 8% by mass, based on the cyclic amine. This corresponds to 0.025 to 0.5% by mass when converted to the total amount of the stripping liquid.

保護剤は、アミノ酸の銅に対する腐食を抑制する物質である。具体的には、ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]−1H−ベンゾトリアゾール、2,2’−[[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ]ビスエタノールである。したがって、これらの化合物群から選ばれる少なくとも1の物質を金属表面保護剤として用いる。 The protective agent is a substance that suppresses the corrosion of amino acids on copper. Specifically, benzotriazole, 5-methyl-1H-benztriazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercapto-5-methylbenzimidazole, 1- [N, N-bis (2-). Ethylhexyl) aminomethyl] -1H-benzotriazole, 2,2'-[[(methyl-1H-benztriazole-1-yl) methyl] imino] bisethanol. Therefore, at least one substance selected from these compound groups is used as the metal surface protectant.

保護剤は、塩基性アミノ酸に対して、10〜30質量%で調整することができる。これは剥離液全体の0.0025〜0.15質量%に相当する。保護剤は、塩基性アミノ酸に対して多すぎると、銅の腐食が抑制されすぎ、モリブデンの腐食が多くなる。しかし、上記の範囲の量を含有させることで、導電部分の幅が広くても、狭くても好適にモリブデンの腐食および銅の腐食をバランスさせることができる。 The protective agent can be adjusted in an amount of 10 to 30% by mass based on the basic amino acid. This corresponds to 0.0025 to 0.15% by mass of the entire stripping solution. If the amount of the protective agent is too large for basic amino acids, the corrosion of copper is suppressed too much and the corrosion of molybdenum increases. However, by containing an amount in the above range, it is possible to preferably balance the corrosion of molybdenum and the corrosion of copper regardless of whether the width of the conductive portion is wide or narrow.

糖アルコールは、モリブデンと銅の境界の腐食(「銅のアンダーカット」と呼ぶ。)を防止することができる。糖アルコールとしては、グリセロール若しくはソルビトールが好適に利用できる。糖アルコールは、環状アミンに対して10〜50質量%含有させるのが好ましい。これは剥離液全量に対して、0.05〜2.5質量%に相当する。 Sugar alcohols can prevent corrosion of the boundary between molybdenum and copper (referred to as "copper undercut"). As the sugar alcohol, glycerol or sorbitol can be preferably used. The sugar alcohol is preferably contained in an amount of 10 to 50% by mass based on the cyclic amine. This corresponds to 0.05 to 2.5% by mass with respect to the total amount of the stripping liquid.

有機極性溶媒は、非プロトン性有機溶媒が好ましい。プロトン性有機溶媒は、下地となるモリブデンの腐食が生じやすい。具体的に有機極性溶媒は、ジエチルホルムアミド、N−メチルホルムアミド、ジメチルホルムアミド、N−メチル−2−ピロリドン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド等が好適に利用できる。 The organic polar solvent is preferably an aprotic organic solvent. Protic and aprotic organic solvents are prone to corrosion of the underlying molybdenum. Specifically, as the organic polar solvent, diethylformamide, N-methylformamide, dimethylformamide, N-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrofuran, dimethylsulfoxide and the like can be preferably used.

水は、剥離液全体の10〜30質量%であるのが好適である。また、有機極性溶媒は、上述の環状アミンと、水と、保護剤および糖アルコールの残りであってよい。 Water is preferably 10 to 30% by mass of the entire stripping liquid. Further, the organic polar solvent may be the above-mentioned cyclic amine, water, a protective agent, and the rest of the sugar alcohol.

以下に本発明に係るレジスト剥離液についての実施例を示す。以下に示す組成の実施例および比較例のサンプル剥離液を作製し、レジスト剥離用試験片に対するレジスト剥離試験を行った。 Examples of the resist stripping solution according to the present invention are shown below. Sample stripping solutions of Examples and Comparative Examples having the compositions shown below were prepared, and a resist stripping test was performed on a resist stripping test piece.

<レジスト剥離用試験片>
ガラス基板上に、モリブデン(Mo)を30nmの厚みで堆積させ、その上に銅(Cu)を500nmの厚みで積層させた。その上にSiNを300nmの厚みで積層させた。これをシリコン積層片と呼ぶ。
<Test piece for resist peeling>
Molybdenum (Mo) was deposited on a glass substrate to a thickness of 30 nm, and copper (Cu) was laminated on the glass substrate to a thickness of 500 nm. SiN was laminated on it to a thickness of 300 nm. This is called a silicon laminate.

シリコン積層片上のSiN層の所定の箇所に直径1μmのコンタクトホールを形成した。そして、さらにモリブデン(Mo)を30nmの厚みで積層させ、その上に銅(Cu)を500nmの厚みで積層させた。 A contact hole having a diameter of 1 μm was formed at a predetermined position on the SiN layer on the silicon laminate. Then, molybdenum (Mo) was further laminated to a thickness of 30 nm, and copper (Cu) was laminated on it to a thickness of 500 nm.

次に最上層の銅層に対してポジタイプのレジストを塗布し、所定の温度で焼成(ベイク)した。なお、高温ベイクは150℃で2分程度行われるが、レジスト剥離液の剥離力を確認するために、170℃で5分間のベイクを行った。これによって、レジスト膜は強固に焼成処理されたことになる。ベイク後、ゲート線のパターンで露光し、現像した後に、上層の銅層およびモリブデン層をエッチングし、レジスト剥離用銅試験片を得た。 Next, a positive type resist was applied to the uppermost copper layer and fired (baked) at a predetermined temperature. The high-temperature baking was performed at 150 ° C. for about 2 minutes, but in order to confirm the peeling force of the resist stripping solution, the baking was performed at 170 ° C. for 5 minutes. As a result, the resist film is firmly fired. After baking, it was exposed with a gate wire pattern and developed, and then the upper copper layer and molybdenum layer were etched to obtain a copper test piece for resist stripping.

すなわち、レジスト剥離用銅試験片には、ゲート線のパターンがエッチングされたモリブデン層および銅層があり、その上には焼成処理されたレジスト膜が堆積されている。また、このレジスト膜は、コンタクトホール部分も覆っている。 That is, the copper test piece for resist peeling has a molybdenum layer and a copper layer in which a gate wire pattern is etched, and a fired resist film is deposited on the molybdenum layer and a copper layer. The resist film also covers the contact hole portion.

また、シリコン積層片上にアルミニウム(Al)を500nmの厚みで積層させ、レジスト剥離用銅試験片同様に、ゲート線のパターンでアルミウム層をエッチングした。レジスト層への焼成処理も同じく170℃で5分間という条件で行った。このようにしてレジスト剥離用アルミ試験片を得た。 Further, aluminum (Al) was laminated on the silicon laminated piece to a thickness of 500 nm, and the aluminum layer was etched with a gate wire pattern in the same manner as the resist stripping copper test piece. The firing treatment of the resist layer was also carried out at 170 ° C. for 5 minutes. In this way, an aluminum test piece for resist peeling was obtained.

<評価>
レジストを剥離する能力(以下「剥離力」と呼ぶ。)として、それぞれの試験片を40℃に加温した各サンプル剥離液で40秒間処理し、光学顕微鏡でレジストの残留状態を確認した。そして、明らかに表面にレジストが残留している場合は評価を「×」(不合格若しくは失敗の意味である。)とし、レジストが問題ない状態まで剥離していれば「〇」(合格若しくは成功の意味である。)とした。
<Evaluation>
As the ability to peel the resist (hereinafter referred to as "peeling force"), each test piece was treated with each sample stripping solution heated to 40 ° C. for 40 seconds, and the residual state of the resist was confirmed with an optical microscope. Then, if the resist clearly remains on the surface, the evaluation is set to "x" (meaning fail or failure), and if the resist is peeled off to a state where there is no problem, "○" (pass or success). It means.).

また、金属表面の腐食を抑制する能力(以下「金属ダメージ」と呼ぶ)として、40℃のサンプル剥離液中に4分間浸漬し処理した後の試験片の金属膜の腐食状態をSEM(Scanning Electron Microscope)で観察した。この観察では、エッチングされた部分を表面拡大視野および断面視野で観察した。 In addition, as an ability to suppress corrosion of the metal surface (hereinafter referred to as "metal damage"), the corrosion state of the metal film of the test piece after being immersed in a sample stripping solution at 40 ° C. for 4 minutes and treated is SEM (Scanning Electron). It was observed by Microscope). In this observation, the etched portion was observed in the surface magnified field and the cross-sectional field of view.

表面拡大視野では、銅層およびアルミニウム層の表面の腐食状態を確認した。特に、ゲート線の表面およびコンタクトホールの縁部における銅の状態を確認した。また断面視野では、エッチングされた金属層の傾斜面の荒れ状態や、傾斜角および銅のアンダーカットを確認した。 In the surface magnified field of view, the corrosion state of the surfaces of the copper layer and the aluminum layer was confirmed. In particular, the state of copper on the surface of the gate wire and the edge of the contact hole was confirmed. In the cross-sectional field of view, the rough state of the inclined surface of the etched metal layer, the inclination angle, and the undercut of copper were confirmed.

そして、各視野において、製造上適格でないと判断される状態の評価を「×」(不合格若しくは失敗の意味である。)とし、製造上適格と判断される状態の評価を「〇」(合格若しくは成功の意味である。)とした。 Then, in each field of view, the evaluation of the state judged to be unqualified for manufacturing is marked with "x" (meaning fail or failure), and the evaluation of the state judged to be qualified for manufacturing is marked with "○" (passed). Or it means success.)

<サンプル剥離液>
各サンプル剥離液の組成を示す。以下各化合物を示すのに、以下の略語も用いる場合がある。
ヘキサメチレンイミン:HMI(CAS番号111−49−9)、
1−メチルピロリジン:1M−PRL(CAS番号:120−94−5)、
ジエチルホルムアミド:DEF(CAS番号:617−84−5)、
ジエチレングリコールモノブチルエーテル:BDG(CAS番号:112−34−5)、
N−メチルホルムアミド:NMF(CAS番号:123−39−7)、
2,2’−[[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ]ビスエタノール:MBET(CAS番号:88477−37−6)、
N−メチル−2−ピロリドン:NMP(CAS番号:872−50−4)、
ピペラジン:PIZ(CAS番号:110−85−0)、
N−メチルエタノールアミン:MMA(CAS番号:109−83−1)。
5−メチルベンゾトリアゾール:5M−BTA(CAS番号:136−85−6)、
アルギニン:Arg(CAS番号:74−79−3)、
リシン:Lys(CAS番号:70−54−2)、
ヒスチジン:His(CAS番号:71−00−1)
グリセロール:Glycerol(CAS番号:56−81−5)、
ソルビトール:Stol(CAS番号:50−70−4)。
<Sample release liquid>
The composition of each sample stripping solution is shown. The following abbreviations may also be used to indicate each compound below.
Hexamethylene imine: HMI (CAS Registry Number 111-49-9),
1-Methylpyrrolidine: 1M-PRL (CAS Number: 120-94-5),
Diethyl formamide: DEF (CAS Registry Number: 617-84-5),
Diethylene glycol monobutyl ether: BDG (CAS Registry Number: 112-34-5),
N-Methylformamide: NMF (CAS Registry Number: 123-39-7),
2,2'-[[(Methyl-1H-benzotriazole-1-yl) methyl] imino] Bisethanol: MBET (CAS number: 88477-37-6),
N-Methyl-2-pyrrolidone: NMP (CAS Registry Number: 872-50-4),
Piperazine: PIZ (CAS Number: 110-85-0),
N-Methylethanolamine: MMA (CAS Registry Number: 109-83-1).
5-Methylbenzotriazole: 5M-BTA (CAS Registry Number: 136-85-6),
Arginine: Arg (CAS Number: 74-79-3),
Lysine: Lys (CAS Number: 70-54-2),
Histidine: His (CAS number: 71-00-1)
Glycerol (CAS number: 56-81-5),
Sorbitol: Stol (CAS Registry Number: 50-70-4).

(実施例1)
実施例1のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物としてHMIを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてNMPを71.62g、水を27.0g、以上を混合して実施例1のサンプルとした。
(Example 1)
The sample stripping solution of Example 1 was prepared with the following composition.
1.0 g of HMI as a cyclic amine compound,
0.07 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.62 g of NMP and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Example 1.

(実施例2)
実施例2のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物としてHMIを4.0g、
アミノ酸としてArgを0.32g(環状アミン化合物に対して8質量%)、
保護剤としてMBETを0.09g(アミノ酸に対して28.1質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを1.60g(環状アミン化合物に対して40質量%)、
極性溶媒としてDEFを66.99g、水を27.0g、以上を混合して実施例2のサンプルとした。
(Example 2)
The sample stripping solution of Example 2 was prepared with the following composition.
4.0 g of HMI as a cyclic amine compound,
0.32 g of Arg as an amino acid (8% by mass based on the cyclic amine compound),
0.09 g of MBET as a protective agent (28.1% by mass based on amino acids),
1.60 g of glycerol as a sugar alcohol (40% by mass based on the cyclic amine compound),
As a polar solvent, 66.99 g of DEF and 27.0 g of water were mixed to prepare a sample of Example 2.

(実施例3)
実施例3のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてDEFを71.62g、水を27.0g、以上を混合して実施例3のサンプルとした。
(Example 3)
The sample stripping solution of Example 3 was prepared with the following composition.
1.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.07 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.62 g of DEF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Example 3.

(実施例4)
実施例4のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを4.0g、
アミノ酸としてArgを0.32g(環状アミン化合物に対して8質量%)、
保護剤として5M−BTAを0.09g(アミノ酸に対して28.1質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを1.60g(環状アミン化合物に対して40質量%)、
極性溶媒としてNMFを66.99g、水を27.0g、以上を混合して実施例4のサンプルとした。
(Example 4)
The sample stripping solution of Example 4 was prepared with the following composition.
4.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.32 g of Arg as an amino acid (8% by mass based on the cyclic amine compound),
0.09 g of 5M-BTA as a protective agent (28.1% by mass based on amino acids),
1.60 g of glycerol as a sugar alcohol (40% by mass based on the cyclic amine compound),
66.99 g of NMF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Example 4.

(実施例5)
実施例5のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを3.0g、
アミノ酸としてArgを0.21g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.03g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてソルビトールを0.90g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてDEFを68.86g、水を27.0g、以上を混合して実施例5のサンプルとした。
(Example 5)
The sample stripping solution of Example 5 was prepared with the following composition.
3.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.21 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.03 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.90 g of sorbitol as a sugar alcohol (30% by mass with respect to the cyclic amine compound),
68.86 g of DEF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Example 5.

(実施例6)
実施例6のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを1.0g、
アミノ酸としてLysを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.10g(環状アミン化合物に対して10質量%)、
極性溶媒としてNMPを71.82g、水を27.0g、以上を混合して実施例6のサンプルとした。
(Example 6)
The sample stripping solution of Example 6 was prepared with the following composition.
1.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.07 g of Lys as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.10 g of glycerol as a sugar alcohol (10% by mass based on the cyclic amine compound),
As a polar solvent, 71.82 g of NMP and 27.0 g of water were mixed to prepare a sample of Example 6.

(比較例1)
比較例1のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物としてHMIを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.03g(環状アミン化合物に対して3質量%)、
保護剤としてMBETを0.006g(アミノ酸に対して20質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてNMPを71.664g、水を27.0g、以上を混合して比較例1のサンプルとした。
(Comparative Example 1)
The sample stripping solution of Comparative Example 1 was prepared with the following composition.
1.0 g of HMI as a cyclic amine compound,
0.03 g of Arg as an amino acid (3% by mass based on the cyclic amine compound),
0.006 g of MBET as a protective agent (20% by mass with respect to amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.664 g of NMP and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Comparative Example 1.

(比較例2)
比較例2のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物としてHMIを4.0g、
アミノ酸としてArgを0.60g(環状アミン化合物に対して15量%)、
保護剤としてMBETを0.18g(アミノ酸に対して30質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを1.60g(環状アミン化合物に対して40質量%)、
極性溶媒としてDEFを66.62g、水を27.0g。以上を混合して比較例2のサンプルとした。
(Comparative Example 2)
The sample stripping solution of Comparative Example 2 was prepared with the following composition.
4.0 g of HMI as a cyclic amine compound,
0.60 g of Arg as an amino acid (15% by weight based on the cyclic amine compound),
0.18 g of MBET as a protective agent (30% by mass based on amino acids),
1.60 g of glycerol as a sugar alcohol (40% by mass based on the cyclic amine compound),
66.62 g of DEF and 27.0 g of water as polar solvents. The above was mixed to prepare a sample of Comparative Example 2.

(比較例3)
比較例3のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.003g(アミノ酸に対して4.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてDEFを71.627g、水を27.0g、以上を混合して比較例3のサンプルとした。
(Comparative Example 3)
The sample stripping solution of Comparative Example 3 was prepared with the following composition.
1.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.07 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.003 g of MBET as a protective agent (4.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.627 g of DEF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Comparative Example 3.

(比較例4)
比較例4のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを4.0g、
アミノ酸としてArgを0.32g(環状アミン化合物に対して8質量%)、
保護剤として5M−BTAを0.1g(アミノ酸に対して31質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを1.60g(環状アミン化合物に対して40質量%)、
極性溶媒としてNMFを66.98g、水を27.0g、以上を混合して比較例4のサンプルとした。
(Comparative Example 4)
The sample stripping solution of Comparative Example 4 was prepared with the following composition.
4.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.32 g of Arg as an amino acid (8% by mass based on the cyclic amine compound),
0.1 g of 5M-BTA as a protective agent (31% by mass based on amino acids),
1.60 g of glycerol as a sugar alcohol (40% by mass based on the cyclic amine compound),
66.98 g of NMF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Comparative Example 4.

(比較例5)
比較例5のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
アミン化合物としてPIZを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.07g(アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてDEFを71.62g、水を27.0g、以上を混合して比較例5のサンプルとした。
(Comparative Example 5)
The sample stripping solution of Comparative Example 5 was prepared with the following composition.
1.0 g of PIZ as an amine compound,
0.07 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.62 g of DEF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Comparative Example 5.

(比較例6)
比較例6のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
アミン化合物としてMMAを1.0g、
アミノ酸としてLysを0.07g(アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.10g(環状アミン化合物に対して10質量%)、
極性溶媒としてNMPを71.82g、水を27.0g、以上を混合して比較例6のサンプルとした。
(Comparative Example 6)
The sample stripping solution of Comparative Example 6 was prepared with the following composition.
1.0 g of MMA as an amine compound,
0.07 g of Lys as an amino acid (7% by mass based on the amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.10 g of glycerol as a sugar alcohol (10% by mass based on the cyclic amine compound),
As a polar solvent, 71.82 g of NMP and 27.0 g of water were mixed to prepare a sample of Comparative Example 6.

(比較例7)
比較例7のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物としてHMIを3.0g、
アミノ酸としてLysを0.21g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.03g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.0g(糖アルコールは含まれていない。)、
極性溶媒としてNMPを69.76g、水を27.0g、以上を混合して比較例7のサンプルとした。
(Comparative Example 7)
The sample stripping solution of Comparative Example 7 was prepared with the following composition.
3.0 g of HMI as a cyclic amine compound,
0.21 g of Lys as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.03 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.0 g of glycerol as sugar alcohol (does not contain sugar alcohol),
As a polar solvent, 69.76 g of NMP, 27.0 g of water, and the above were mixed to prepare a sample of Comparative Example 7.

(比較例8)
比較例8のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを1.0g、
アミノ酸としてArgを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてBDGを71.62g、水を27.0g、以上を混合して比較例8のサンプルとした。
(Comparative Example 8)
The sample stripping solution of Comparative Example 8 was prepared with the following composition.
1.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.07 g of Arg as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
As a polar solvent, 71.62 g of BDG and 27.0 g of water were mixed to prepare a sample of Comparative Example 8.

(比較例9)
比較例9のサンプル剥離液を以下の組成で調製した。
環状アミン化合物として1M−PRLを1.0g、
アミノ酸としてHisを0.07g(環状アミン化合物に対して7質量%)、
保護剤としてMBETを0.01g(アミノ酸に対して14.3質量%)、
糖アルコールとしてグリセロールを0.30g(環状アミン化合物に対して30質量%)、
極性溶媒としてDEFを71.62g、水を27.0g、以上を混合して比較例9のサンプルとした。
(Comparative Example 9)
The sample stripping solution of Comparative Example 9 was prepared with the following composition.
1.0 g of 1M-PRL as a cyclic amine compound,
0.07 g of His as an amino acid (7% by mass based on the cyclic amine compound),
0.01 g of MBET as a protective agent (14.3% by mass based on amino acids),
0.30 g of glycerol as a sugar alcohol (30% by mass based on the cyclic amine compound),
71.62 g of DEF and 27.0 g of water were mixed as a polar solvent to prepare a sample of Comparative Example 9.

以上のサンプル剥離液を用意し、剥離試験を行った。実施例に関するサンプル剥離液の組成および剥離試験の結果を表1に、比較例に関するサンプル剥離液の組成および剥離試験の結果を表2および表3に示す。 The above sample stripping solution was prepared and a stripping test was conducted. The composition of the sample stripping solution and the result of the peeling test for the examples are shown in Table 1, and the composition of the sample stripping solution and the result of the peeling test for the comparative example are shown in Tables 2 and 3.

表1を参照して、本発明の組成である実施例1から実施例6は、40℃40秒の処理条件で、170℃5分の条件の熱処理をかけたレジスト膜を剥離させることができた。したがって、剥離力の評価は「〇」であった。また、SEMによる観察においても、ゲート線およびコンタクトホールにおける銅膜の状態の状態も良好で、金属ダメージの評価も「〇」であった。また、モリブデンの腐食によるアンダーカットやモリブデンと銅との間の銅のアンダーカットについても、評価は「〇」であった。さらに、アルミニウム層における剥離力の評価も「〇」であった。なお、アルミに関しては、実施例および比較例とも問題なかった。 With reference to Table 1, in Examples 1 to 6 which are the compositions of the present invention, the resist film which has been heat-treated at 170 ° C. for 5 minutes can be peeled off under the treatment conditions of 40 ° C. for 40 seconds. It was. Therefore, the evaluation of the peeling force was "○". In addition, in the observation by SEM, the state of the copper film in the gate wire and the contact hole was also good, and the evaluation of metal damage was also "◯". In addition, the undercut due to the corrosion of molybdenum and the undercut of copper between molybdenum and copper were also evaluated as "○". Furthermore, the evaluation of the peeling force in the aluminum layer was also "○". Regarding aluminum, there was no problem in both Examples and Comparative Examples.

一方、比較例1および比較例2は、アミノ酸が少なすぎる場合(比較例1)と多すぎる場合(比較例2)である。アミノ酸が少なすぎると、モリブデンのアンダーカットが生じた。これは銅膜を適当に腐食できなかったからである。一方、アミノ酸が多すぎると、銅の表面が腐食された。 On the other hand, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the amino acids are too few (Comparative Example 1) and too many (Comparative Example 2). Too few amino acids caused molybdenum undercuts. This is because the copper film could not be corroded properly. On the other hand, too much amino acid corroded the copper surface.

また、比較例3および比較例4は、保護剤が少なすぎる場合(比較例3)と、多すぎる場合(比較例4)である。保護剤が少なすぎると、アミノ酸による銅膜の腐食を防止できない。一方、保護剤が多すぎると、銅表面を腐食させることができず、モリブデンの腐食(アンダーカット)が生じた。 Further, in Comparative Example 3 and Comparative Example 4, the amount of the protective agent is too small (Comparative Example 3) and too large (Comparative Example 4). If the amount of protective agent is too small, the corrosion of the copper film by amino acids cannot be prevented. On the other hand, if too much protective agent was used, the copper surface could not be corroded, resulting in molybdenum corrosion (undercut).

比較例5はアミンをピペラジンとしたものである。ピペラジンは環状アミンであるが、ハードベイクされたレジスト膜を剥離することができなった。比較例6はアミンをN−メチルエタノールアミン(アルカノールアミン)に置き換えた場合であるが、この場合もハードベイクされたレジスト膜を剥離することができなかった。 Comparative Example 5 uses an amine as piperazine. Although piperazine is a cyclic amine, it was unable to exfoliate the hard-baked resist film. Comparative Example 6 is a case where the amine was replaced with N-methylethanolamine (alkanolamine), but in this case as well, the hard-baked resist film could not be peeled off.

比較例7は、糖アルコールを添加しなかった場合である。この場合は、モリブデンと銅との間で腐食が生じ、銅のアンダーカット(表では「Cu U.C.」と記した。)が生じた。 Comparative Example 7 is a case where no sugar alcohol was added. In this case, corrosion occurred between molybdenum and copper, resulting in copper undercut (denoted as "Cu U.C." in the table).

比較例8は、極性溶媒をプロトン性有機溶媒であるジエチレングリコールモノブチルエーテルにした場合である。有機性極性溶媒をプロトン性にすると、モリブデンのアンダーカットが生じやすかった。 Comparative Example 8 is a case where the polar solvent is diethylene glycol monobutyl ether, which is a protic organic solvent. When the organic polar solvent was made protonic, molybdenum undercut was likely to occur.

比較例9は、アミノ酸にヒスチジンを使った場合である。ヒスチジンは塩基性アミノ酸に分類されるが、モリブデンのアンダーカットが発生した。本発明に係る剥離液の組成では、ヒスチジンは、リシンやアルギニンと比較して、銅の腐食性が低かったと考えられる。 Comparative Example 9 is a case where histidine is used as an amino acid. Histidine is classified as a basic amino acid, but undercut of molybdenum occurred. In the composition of the stripping solution according to the present invention, it is considered that histidine was less corrosive to copper than lysine and arginine.

以上のように本発明に係るレジスト剥離液は、モリブデンと銅およびアルミニウムによる配線をフォトリソグラフィで形成する際の、モリブデンや銅の腐食による表面荒れやアンダーカットを抑制することができる。 As described above, the resist stripping solution according to the present invention can suppress surface roughness and undercut due to corrosion of molybdenum and copper when forming wiring made of molybdenum, copper and aluminum by photolithography.

本発明は、大面積の表示デバイスの製造工程におけるレジスト剥離工程に好適に利用することができる。 The present invention can be suitably used in a resist stripping step in a manufacturing process of a large-area display device.

Claims (4)

剥離液全体量に対して0.5〜5質量%の2級環状アミンと、
前記2級環状アミンに対して5〜10質量%の塩基性アミノ酸と、
前記塩基性アミノ酸に対して10〜30質量%の保護剤と、
前記2級環状アミンに対して10〜50質量%の糖アルコールと、
有機極性溶媒と、
水を含み、
前記2級環状アミンは、ヘキサメチレンイミン若しくは1−メチルピロリジンの少なくとも一方であることを特徴とするレジスト剥離液。
With 0.5 to 5% by mass of the secondary cyclic amine with respect to the total amount of the stripping solution,
5 to 10% by mass of basic amino acids with respect to the secondary cyclic amine,
With 10 to 30% by mass of the protective agent with respect to the basic amino acid,
10 to 50% by mass of sugar alcohol with respect to the secondary cyclic amine,
With organic polar solvents
Water only contains,
The resist stripping solution is characterized in that the secondary cyclic amine is at least one of hexamethyleneimine and 1-methylpyrrolidine .
前記塩基性アミノ酸は、アルギニン若しくはリシンの少なくとも何れかを含むことを特
徴とする請求項1に記載されたレジスト剥離液。
The resist stripping solution according to claim 1, wherein the basic amino acid contains at least one of arginine and lysine.
前記保護剤は、ベンゾトリアゾール、5−メチル−1H−ベンゾトリアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプト−5−メチルベンゾイミダゾール、1−[N,N−ビス(2−エチルヘキシル)アミノメチル]−1H−ベンゾトリアゾール、2,2’−[[(メチル−1H−ベンゾトリアゾール−1−イル)メチル]イミノ]ビスエタノールから選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1または2の何れかの請求項に記載されたレジスト剥離液。 The protective agent is benzotriazole, 5-methyl-1H-benztriazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzothiazole, 2-mercapto-5-methylbenzimidazole, 1- [N, N-bis (2-). A claim characterized by being at least one selected from ethylhexyl) aminomethyl] -1H-benzotriazole and 2,2'-[[(methyl-1H-benztriazole-1-yl) methyl] imino] bisethanol. resist stripping solution as claimed in any Kano claims 1 or 2. 前記糖アルコールがグリセロール若しくはソルビトールの少なくとも何れかであることを特徴とする請求項1乃至の何れか一の請求項に記載されたレジスト剥離液。 The resist stripping solution according to any one of claims 1 to 3 , wherein the sugar alcohol is at least one of glycerol and sorbitol.
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