JP6822299B2 - High frequency front end circuits and communication equipment - Google Patents
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Description
本発明は、高周波フロントエンド回路および通信装置に関する。 The present invention relates to high frequency front end circuits and communication devices.
近年の携帯電話には、1つの端末で複数の周波数および無線方式に対応することが要求されている(マルチバンド化およびマルチモード化)。マルチバンド化およびマルチモード化に対応するフロントエンドモジュールには、複数の送受信信号を品質劣化させずに高速処理することが求められている。特に、複数のバンドの高周波信号を同時に送受信するキャリアアグリゲーションを行うことが求められている。 In recent years, mobile phones are required to support a plurality of frequencies and wireless systems with one terminal (multi-band and multi-mode). Front-end modules that support multi-band and multi-mode are required to process a plurality of transmitted / received signals at high speed without degrading the quality. In particular, carrier aggregation is required to simultaneously transmit and receive high-frequency signals of a plurality of bands.
特許文献1には、LB(ローバンド)ダイバーシティアンテナ、MB(ミドルバンド)/HB(ハイバンド)ダイバーシティアンテナ、およびダイバーシティモジュールを備えたRFシステムが開示されている(特許文献1の図6参照)。ダイバーシティモジュールは、MB/HBダイバーシティアンテナに接続された単極多投型スイッチと、当該単極多投型スイッチに接続された複数のフィルタと、当該複数のフィルタに接続された増幅回路とを有している。複数のフィルタのそれぞれは、各バンドを通過帯域としている。この構成によれば、複数のバンドの高周波信号を同時に使用して通信するキャリアアグリゲーション(CA)動作が可能である。
特許文献1に記載されたRFシステムにおいては、2以上のフィルタをCA動作させる場合、一のフィルタにおいて、他のフィルタの通過帯域をオープン状態にする必要がある。これにより、CA動作する場合においても、一のフィルタが他のフィルタのインピーダンスの影響を受けずに高周波信号を低損失で伝搬できる。
In the RF system described in
しかしながら、CA動作させるバンドの組み合わせ多くなり、当該組み合わせが複数存在すると、バンドの組み合わせごとに各フィルタのインピーダンスを調整する必要が生じるため、各フィルタ設計が複雑化し、全てのフィルタのフィルタ特性を最適化することが困難となる。また、CA動作させるバンドの組み合わせ多くなるほど、単極多投型スイッチの選択端子数が多くなるため、単極多投型スイッチが大型化してしまう。 However, when the number of combinations of bands operated by CA increases and there are a plurality of such combinations, it becomes necessary to adjust the impedance of each filter for each combination of bands, which complicates the design of each filter and optimizes the filter characteristics of all filters. It becomes difficult to change. Further, as the number of combinations of bands operated by CA increases, the number of selection terminals of the single-pole multi-throw switch increases, so that the single-pole multi-throw switch becomes large.
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路および通信装置を提供することを目的とする。 Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, and provides a small high-frequency front-end circuit and communication device capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation. The purpose.
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波フロントエンド回路は、アンテナ素子に接続されるアンテナ共通端子と、第1入出力端子および第2入出力端子と、第1端子および第2端子を有し、第1通過帯域を有し、前記第1端子が前記アンテナ共通端子に接続される第1フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第2入出力端子との間に配置され、前記第1通過帯域と異なる第2通過帯域を有する第2フィルタと、共通端子および複数の選択端子を有し、前記共通端子が前記第2端子に接続されたスイッチと、前記複数の選択端子のうちの第1選択端子に接続され、前記スイッチと前記第1入出力端子との間に配置された第3フィルタと、を備え、前記第1フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数は、前記第3フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数よりも大きい。 In order to achieve the above object, the high frequency front end circuit according to one aspect of the present invention includes an antenna common terminal connected to an antenna element, a first input / output terminal and a second input / output terminal, and a first terminal and a first terminal. A first filter having two terminals, having a first pass band, and the first terminal being connected to the antenna common terminal, and the antenna common terminal and the second input / output being connected to the antenna common terminal. A switch having a second filter arranged between terminals and having a second pass band different from the first pass band, a common terminal, and a plurality of selection terminals, the common terminal being connected to the second terminal. And a third filter connected to the first selection terminal among the plurality of selection terminals and arranged between the switch and the first input / output terminal, and the first filter is used alone. The reflection coefficient in the second pass band when viewed from the antenna common terminal side is larger than the reflection coefficient in the second pass band when the third filter is viewed alone from the antenna common terminal side.
分波/合波回路を構成する第1フィルタと第2のフィルタとが、アンテナ共通端子で共通接続された構成の場合、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失は、第2フィルタ単体の挿入損失に加え、第1フィルタのアンテナ共通端子側から見た反射特性の影響を受ける。より具体的には、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失は、第1フィルタの共通端子側から見た第2通過帯域における反射係数が大きいほど減少する。 When the first filter and the second filter constituting the demultiplexing / combining circuit are connected in common at the common antenna terminal, the insertion loss in the second pass band of the second filter is that of the second filter alone. In addition to the insertion loss, it is affected by the reflection characteristics seen from the antenna common terminal side of the first filter. More specifically, the insertion loss in the second pass band of the second filter decreases as the reflection coefficient in the second pass band seen from the common terminal side of the first filter increases.
上記構成によれば、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数が、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きい。ここで、第1フィルタの後段に配置された第3フィルタは、反射特性よりもフィルタ通過特性および減衰特性が重視されるため、第1フィルタと第3フィルタの良好な通過特性を実現可能である。つまり、アンテナ素子と第1フィルタおよび第2フィルタとの間にスイッチを配置することなく、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できるので、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を提供することが可能となる。 According to the above configuration, the reflection coefficient in the second pass band of the first filter is larger than the reflection coefficient in the second pass band of the third filter. Here, since the third filter arranged after the first filter places more importance on the filter passing characteristic and the attenuation characteristic than the reflection characteristic, it is possible to realize good passing characteristics of the first filter and the third filter. .. That is, without arranging a switch between the antenna element and the first filter and the second filter, the insertion loss in the second pass band of the second filter can be applied to the first filter, the third filter, or both. Since the resulting insertion loss can be effectively reduced, it is possible to provide a small high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、2以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数は、前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数よりも大きくてもよい。 Further, each of the first filter and the third filter includes two or more elastic wave resonators, and is arranged on the antenna common terminal side of the two or more elastic wave resonators constituting the first filter. When one or more elastic wave resonators are viewed alone from the antenna common terminal side, the reflectance coefficient in the second passing band is the antenna among the two or more elastic wave resonators constituting the third filter. One or more elastic wave resonators arranged on the common terminal side may be larger than the reflectance coefficient in the second passage band when viewed from the antenna common terminal side alone.
複数の弾性波共振子からなるフィルタにおいて、共通端子側から見た反射係数は、共通端子に最近接した1つの弾性波共振子の反射係数が支配的となる。これによれば、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できる。 In a filter composed of a plurality of elastic wave resonators, the reflectance coefficient seen from the common terminal side is dominated by the reflection coefficient of one elastic wave resonator closest to the common terminal. According to this, among the insertion losses in the second pass band of the second filter, the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both can be effectively reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタの少なくとも一方は、ラダー型のフィルタ構造を有し、前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含んでもよい。 Further, at least one of the first filter and the third filter has a ladder type filter structure, and one or more elastic wave resonators arranged on the antenna common terminal side are a series arm resonator and a parallel arm. It may contain at least one of the resonators.
これにより、第1フィルタおよび第3フィルタの低損失性を確保しつつ、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 As a result, the insertion loss due to the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter is ensured while ensuring the low loss of the first filter and the third filter. Can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタの少なくとも一方は、縦結合型のフィルタ構造を有してもよい。 Further, at least one of the first filter and the third filter may have a vertically coupled filter structure.
これにより、第1のフィルタおよび第3フィルタを、減衰強化等が要求されるフィルタ特性に適応させることが可能となる。 This makes it possible to adapt the first filter and the third filter to the filter characteristics that require attenuation enhancement and the like.
また、前記第2入出力端子は、第2増幅回路に接続され、前記第2フィルタと前記第2増幅回路との間には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。 Further, the second input / output terminal is connected to the second amplifier circuit, and the filter circuit may not be arranged between the second filter and the second amplifier circuit.
第2フィルタの後段には、通常、さらに、第2通過帯域に含まれ当該第2通過帯域よりも狭帯域である複数のバンドに対応した複数のフィルタが配置される。しかし、第2フィルタのフィルタ特性よりも高いフィルタ特性を必要としないバンドの信号経路上、つまり第2フィルタと第2増幅回路とに間には、さらなるフィルタ回路が配置されなくてもよい。これにより、高周波フロントエンド回路のさらなる小型化が可能となる。 In the subsequent stage of the second filter, a plurality of filters corresponding to a plurality of bands included in the second pass band and narrower than the second pass band are usually arranged. However, no further filter circuit may be arranged on the signal path of the band that does not require a filter characteristic higher than the filter characteristic of the second filter, that is, between the second filter and the second amplifier circuit. This makes it possible to further reduce the size of the high frequency front end circuit.
また、第3入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、をさらに備え、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、および前記第4フィルタは、トリプレクサを構成し、前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、および前記第3通過帯域は、ローバンド(LB:698−960MHz)、ミドルバンド(MBa:1710−2200MHz)、ハイバンド(HBa:2300−2690MHz)に適用され、前記第1通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。 Further, a third input / output terminal, a fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band are further provided. The first filter, the second filter, and the fourth filter constitute a triplexer, and the first pass band, the second pass band, and the third pass band are low bands (LB: 698-960 MHz). , Middle band (MBa: 1710-2200 MHz), high band (HBa: 2300-2690 MHz), the first pass band may be any of the low band, the middle band, and the high band. ..
これにより、第1フィルタおよび第2フィルタは、LB、MBa、およびHBa対応のトリプレクサに適用される。よって、LB、MBa、およびHBa対応のトリプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 As a result, the first filter and the second filter are applied to LB, MBa, and HBa-compatible triplexers. Therefore, in a configuration including a triplexer compatible with LB, MBa, and HBa, it is possible to realize a small high-frequency front-end circuit that can maintain low-loss signal propagation characteristics even during CA operation.
また、第3入出力端子および第4入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ローバンド(LB:698−960MHz)、ミドルバンド(MBa:1710−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、前記第1通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。 Further, a fourth filter connected to the third input / output terminal and the fourth input / output terminal and the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band. And a fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band, the first filter, the first filter, and the like. The two filters, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer, and the first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are low bands (LB). : 698-960 MHz), middle band (MBa: 1710-2200 MHz), middle high band (MHBa: 2300-2400 MHz), high band (HBb: 2496-2690 MHz), and the first pass band is the low band, said It may be either a middle band, the middle high band, or the high band.
これにより、第1フィルタおよび第2フィルタは、LB、MBa、MHBaおよびHBa対応のクワッドプレクサに適用される。よって、LB、MBa、MHBaおよびHBa対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 Thereby, the first filter and the second filter are applied to the quad plexa corresponding to LB, MBa, MHBa and HBa. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with LB, MBa, MHBa, and HBa, it is possible to realize a compact high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation.
また、第3入出力端子および第4入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかであってもよい。 Further, a fourth filter connected to the third input / output terminal and the fourth input / output terminal and the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band. And a fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band, the first filter, the first filter, and the like. The two filters, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer, and the first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low bands ( It is applied to MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), middle high band (MHBa: 2300-2400 MHz or MHBb: 2300-2370 MHz), high band (HBb: 2496-2690 MHz). The 1 pass band may be any one of the middle low band, the middle band, the middle high band, and the high band.
これにより、第1フィルタおよび第2フィルタは、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサに適用される。よって、MLB、MB、MHBおよびHB対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 Thereby, the first filter and the second filter are applied to the quad plexa corresponding to MLB, MBb, MHBa and HBb. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with MLB, MB, MHB, and HB, it is possible to realize a small high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation.
また、第3入出力端子および第4入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであり、前記第2通過帯域は、前記ミドルハイバンドであり、前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。 Further, a fourth filter connected to the third input / output terminal and the fourth input / output terminal and the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band. And a fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band, the first filter, the first filter, and the like. The two filters, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer, and the first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low bands ( It is applied to MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), middle high band (MHBa: 2300-2400 MHz or MHBb: 2300-2370 MHz), high band (HBb: 2496-2690 MHz). The 1 pass band is any of the middle low band, the middle band, and the high band, and the second pass band is the middle high band, which connects the second filter and the second amplification circuit. The filter circuit may not be arranged on the signal path.
これにより、第1フィルタおよび第2フィルタは、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサに適用される。また、MHBaに含まれるバンドの通過特性は、第2フィルタの通過特性で十分である場合には、当該バンドの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 Thereby, the first filter and the second filter are applied to the quad plexa corresponding to MLB, MBb, MHBa and HBb. Further, if the passing characteristic of the band included in the MHBa is sufficient as the passing characteristic of the second filter, the filter circuit may not be arranged on the signal path of the band. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with MLB, MBb, MHBa, and HBb, a smaller high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation can be realized.
また、前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する信号経路は、Band40a(受信帯域:2300−2370MHz)の送受信を行う経路であってもよい。 Further, the signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit may be a path for transmitting and receiving Band 40a (reception band: 2300-2370 MHz).
これにより、MHBaに含まれるBand40aの通過特性は、第2フィルタの通過特性で十分であるので、Band40aの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 As a result, the pass characteristic of the Band 40a contained in the MHBa is sufficient for the pass characteristic of the second filter, so that the filter circuit does not have to be arranged on the signal path of the Band 40a. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with MLB, MBb, MHBa, and HBb, a smaller high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation can be realized.
また、前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する前記信号経路は、Band40(受信帯域:2300−2400MHz)の送受信を行う経路であってもよい。 Further, the signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit may be a path for transmitting and receiving Band 40 (reception band: 2300-2400 MHz).
これにより、MHBaに含まれるBand40の通過特性は、第2フィルタの通過特性で十分であるので、Band40の信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。
As a result, the pass characteristic of the
また、さらに、第3入出力端子および第4入出力端子と、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、を備え、前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ミドルハイバンドのいずれかであり、前記第2通過帯域は、前記ハイバンドであり、前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていなくてもよい。 Further, a third input / output terminal and a fourth input / output terminal are connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and have a third pass band. The first filter includes a fourth filter, a fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band. The second filter, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer, and the first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low bands. (MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), middle high band (MHBa: 2300-2400 MHz or MHBb: 2300-2370 MHz), high band (HBb: 2496-2690 MHz). The first pass band is any of the middle low band, the middle band, and the middle high band, and the second pass band is the high band, which connects the second filter and the second amplification circuit. The filter circuit may not be arranged on the signal path.
これにより、第1フィルタおよび第2フィルタは、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサに適用される。また、HBbに含まれるバンドの通過特性は、第2フィルタの通過特性で十分である場合には、当該バンドの信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 Thereby, the first filter and the second filter are applied to the quad plexa corresponding to MLB, MBb, MHBa and HBb. Further, if the passing characteristic of the band included in the HBb is sufficient as the passing characteristic of the second filter, the filter circuit may not be arranged on the signal path of the band. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with MLB, MBb, MHBa, and HBb, a smaller high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation can be realized.
また、前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する前記信号経路は、Band41(受信帯域:2496−2690MHz)の送受信を行う経路であってもよい。 Further, the signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit may be a path for transmitting and receiving Band 41 (reception band: 2496-2690 MHz).
これにより、HBbに含まれるBand41の通過特性は、第2フィルタの通過特性で十分であるので、Band41の信号経路上にはフィルタ回路が配置されなくてよい。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応のクワッドプレクサを含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。 As a result, the pass characteristic of the Band 41 included in the HBb is sufficient for the pass characteristic of the second filter, so that the filter circuit does not have to be arranged on the signal path of the Band 41. Therefore, in a configuration including a quad regulator compatible with MLB, MBb, MHBa, and HBb, a smaller high-frequency front-end circuit capable of maintaining low-loss signal propagation characteristics even during CA operation can be realized.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタを構成する前記1以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、(2)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および(3)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more surface acoustic wave resonators to form the first filter. Each of the above-mentioned one or more surface acoustic wave resonators is a surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate, and in the first filter, (1). ) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 , (2) leaky waves propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 , and (3) love waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 . Any of the above may be used as a surface acoustic wave.
弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射損失は、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、およびLiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する場合、他の弾性波を利用する場合よりも小さい。 Reflection loss at low frequencies than the resonance point and the antiresonance point of the acoustic wave resonator, leaky waves, and LiNbO 3 propagating Rayleigh wave propagating piezoelectric layer made of LiNbO 3, a piezoelectric layer made of LiTaO 3 When any one of the Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer composed of the above is used as an elastic surface wave, it is smaller than when another elastic wave is used.
よって、第1フィルタが高周波側フィルタであり、第2フィルタが低周波側フィルタである場合において、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the high frequency side filter and the second filter is the low frequency side filter, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter is calculated from the reflectance coefficient in the second pass band of the third filter. Can also be increased. This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter.
また、前記第3フィルタでは、弾性波共振子がSMR(Solidly Mounted Resonator)またはFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)で構成されてもよい。 Further, in the third filter, the elastic wave resonator may be composed of SMR (Solidly Mountain Resonator) or FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator).
これによれば、第1フィルタの反射係数を増大させつつ、第3フィルタの低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。 According to this, it is possible to secure low loss property and steepness of the pass band of the third filter while increasing the reflection coefficient of the first filter.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタを構成する前記1以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタでは、弾性波共振子が、前記IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第3フィルタでは、弾性波共振子がSMRまたはFBARで構成されてもよい。 Further, the first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators to form the first filter. Each of the one or more elastic wave resonators is an elastic surface wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. In the first filter, elastic waves are formed. The resonator is the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one of the main surfaces, a high-sound velocity support substrate in which the bulk wave sound velocity propagating is faster than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer, and the above. It has a sound velocity film laminated structure composed of a low sound velocity film which is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and has a bulk wave sound velocity which propagates slower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. In the third filter, the elastic wave resonator may be composed of SMR or FBAR.
弾性波共振子の共振点および反共振点よりも低周波域における反射係数は、音速膜積層構造を有する場合のほうが、弾性波共振子をSMRまたはFBARで構成する場合よりも大きい。 The reflectance coefficient in the low frequency region is larger in the low frequency region than in the resonance point and the antiresonance point of the elastic wave resonator in the case of having the sound velocity film laminated structure than in the case where the elastic wave resonator is composed of SMR or FBAR.
よって、第1フィルタが高周波側フィルタであり、第2フィルタが低周波側フィルタである場合において、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。また、第1フィルタの反射係数を増大させつつ、第3フィルタの低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。 Therefore, when the first filter is the high frequency side filter and the second filter is the low frequency side filter, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter is calculated from the reflectance coefficient in the second pass band of the third filter. Can also be increased. This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Further, the low loss property of the third filter and the steepness of the pass band can be ensured while increasing the reflection coefficient of the first filter.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)弾性波共振子がSMRで構成される、および(3)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであってもよい。 Further, the first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators, and the first filter includes one or more elastic wave resonators. , (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as elastic surface waves, (2) elastic wave resonators are composed of SMRs, and (3) elastic wave resonators are composed of FBARs. It may be either.
弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、弾性波共振子をSMRで構成する、および弾性波共振子をFBARで構成する、のいずれかの場合、最も小さくできる。 In the region higher than the resonance point and anti-resonance point of the elastic wave resonator, an unnecessary wave is generated due to bulk wave leakage, and the unnecessary wave intensity is determined by using a Rayleigh wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 as an elastic surface wave. It can be made the smallest in any of the cases of utilizing, the elastic wave resonator is composed of SMR, and the elastic wave resonator is composed of FBAR.
よって、第1フィルタが低周波側フィルタであり、第2フィルタが高周波側フィルタである場合において、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the low frequency side filter and the second filter is the high frequency side filter, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter is calculated from the reflectance coefficient in the second pass band of the third filter. Can also be increased. This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter.
また、前記第3フィルタでは、(1)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、ならびに(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、のいずれかであってもよい。 Further, in the third filter, (1) the elastic wave resonator propagates more than the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. Is a high-speed treble support substrate, and a low-velocity film that is arranged between the treble support substrate and the piezoelectric layer and has a bulk wave sound velocity that is slower than the surface acoustic wave propagating through the piezoelectric layer. (2) A leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave, and (3) a love wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 , which has a sound velocity film laminated structure composed of May be used as a surface acoustic wave.
これによれば、第1フィルタの反射係数を増大させつつ、第3フィルタを音速膜積層構造とした場合には、第3フィルタの低損失性および良好な温度特性を確保でき、また、第3フィルタにおいてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタの広い帯域幅を確保できる。 According to this, when the third filter has a sound velocity film laminated structure while increasing the reflectance coefficient of the first filter, low loss property and good temperature characteristics of the third filter can be ensured, and the third filter can be secured. When the love wave generated by LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave in the filter, a wide bandwidth of the third filter can be secured.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタでは、弾性波共振子が、前記IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第3フィルタでは、(1)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more surface acoustic wave resonators, and the first filter and the first filter Each of the surface acoustic wave resonators constituting the third filter is a surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. The surface acoustic wave resonator is a piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one of the main surfaces, and a high-pitched sound velocity support substrate in which the bulk wave sound velocity propagating is higher than the surface acoustic wave velocity propagating in the piezoelectric layer. And a sound velocity film laminated structure composed of a low sound velocity film which is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity propagating is lower than the surface acoustic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. The third filter uses (1) a surface acoustic wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 as a surface acoustic wave, or (2) a love wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3. May be used as a surface acoustic wave.
弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、音速膜積層構造を採用した場合の方が、LiTaO3のリーキー波を弾性表面波として利用する、またはLiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。 In the high frequency region than the resonance point and anti-resonance point of the surface acoustic wave resonator, an unnecessary wave is generated due to bulk wave leakage, and the unnecessary wave intensity is the leaky wave of LiTaO 3 when the sound velocity film laminated structure is adopted. Can be made smaller than the case where is used as a surface acoustic wave or the love wave of LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave.
よって、第1フィルタが低周波側フィルタであり、第2フィルタが高周波側フィルタである場合において、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第3フィルタにおいてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタの広い帯域幅を確保できる。 Therefore, when the first filter is the low frequency side filter and the second filter is the high frequency side filter, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter is calculated from the reflectance coefficient in the second pass band of the third filter. Can also be increased. This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Further, when the love wave generated by LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave in the third filter, a wide bandwidth of the third filter can be secured.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタでは、LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more surface acoustic wave resonators, and the first filter and the first filter Each of the surface acoustic wave resonators constituting the third filter is a surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. A leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 may be used as a surface acoustic wave, and in the third filter, a love wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 may be used as a surface acoustic wave. ..
弾性波共振子の共振点および反共振点よりも高周波域では、バルク波漏洩による不要波が発生し、当該不要波強度は、LiTaO3のリーキー波を弾性表面波として利用する場合の方が、LiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合よりも小さくできる。 In the high frequency region than the resonance point and anti-resonance point of the surface acoustic wave resonator, an unnecessary wave is generated due to bulk wave leakage, and the unnecessary wave intensity is higher when the leaky wave of LiTaO 3 is used as an elastic surface wave. It can be made smaller than the case where the love wave of LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave.
よって、第1フィルタが低周波側フィルタであり、第2フィルタが高周波側フィルタである場合において、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタの第2通過帯域における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第3フィルタにおいてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタの広い帯域幅を確保できる。 Therefore, when the first filter is the low frequency side filter and the second filter is the high frequency side filter, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter is calculated from the reflectance coefficient in the second pass band of the third filter. Can also be increased. This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Further, when the love wave generated by LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave in the third filter, a wide bandwidth of the third filter can be secured.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、および(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有してもよい。 Further, the first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more surface acoustic wave resonators. (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as surface acoustic waves, (2) Leaky waves propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 are used as surface acoustic waves, and (3) LiNbO. Either the love wave propagating in the piezoelectric layer composed of 3 is used as an elastic surface wave, (4) the elastic wave resonator is composed of SMR, and (5) the elastic wave resonator is composed of FBAR. In the third filter, the elastic wave resonator has a piezoelectric layer in which an IDT electrode is formed on one main surface, and a bulk wave sound velocity propagating more than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. A high-speed treble support substrate and a low-velocity film that is arranged between the treble support substrate and the piezoelectric layer and has a bulk wave sound velocity that is slower than the surface acoustic wave propagating through the piezoelectric layer. It may have a constructed sound velocity film laminated structure.
弾性波共振子として音速膜積層構造を有する場合には、弾性波共振子の共振周波数の0.76倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第3フィルタを音速膜積層構造とし、第1フィルタを音速膜積層構造としないことにより、第3フィルタの低損失性および良好な温度特性を確保しつつ第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を大きくできる。 When the elastic wave resonator has a sonic film laminated structure, Rayleigh wave spurious is generated in the vicinity of 0.76 times the resonance frequency of the elastic wave resonator. Therefore, by adopting a sound velocity film laminated structure for the third filter and not having a sound velocity film laminated structure for the first filter, the low loss property and good temperature characteristics of the third filter are ensured in the second pass band of the first filter. The reflection coefficient can be increased.
よって、第1フィルタが高周波側フィルタであり、第2フィルタが低周波側フィルタである場合において、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the high frequency side filter and the second filter is the low frequency side filter, the first filter, the third filter, or the third filter, or the third filter, of the insertion loss in the second pass band of the second filter. Insertion loss due to both can be reduced.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも高周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(3)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、前記第3フィルタでは、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators. (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as elastic surface waves, (2) Love waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as elastic surface waves, (3) Elasticity. The wave resonators are a piezoelectric layer in which an IDT electrode is formed on one main surface, a high-sound velocity support substrate in which a bulk wave sound velocity propagating is faster than an elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer, and the high sound velocity support substrate. It has a laminated sound velocity film structure composed of a low tone velocity film which is arranged between the sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity propagates lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. 4) The elastic wave resonator is composed of SMR, and (5) The elastic wave resonator is composed of FBAR. In the third filter, the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is propagated. A leaky wave may be used as an elastic surface wave.
LiTaO3のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の0.76倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。よって、第3フィルタではLiTaO3のリーキー波を弾性波として利用し、第1フィルタではLiTaO3のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。 When the leaky wave of LiTaO 3 is used as an elastic wave, a Rayleigh wave spurious is generated in the vicinity of 0.76 times the resonance frequency of the elastic wave resonator. Therefore, by using the leaky wave of LiTaO 3 as an elastic wave in the third filter and not using the leaky wave of LiTaO 3 as an elastic wave in the first filter, the reflection coefficient in the second pass band of the first filter is effective. Can be made larger.
よって、第1フィルタが高周波側フィルタであり、第2フィルタが低周波側フィルタである場合において、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the high frequency side filter and the second filter is the low frequency side filter, the first filter, the third filter, or the third filter, or the third filter, of the insertion loss in the second pass band of the second filter. Insertion loss due to both can be reduced.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタでは、(1)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators, and the first filter includes one or more elastic wave resonators. , (1) The elastic wave resonator supports a piezoelectric layer in which an IDT electrode is formed on one main surface, and a bulk wave sound velocity propagating faster than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. Lamination of a sound velocity film composed of a substrate and a low sound velocity film arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and having a bulk wave sound velocity lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. (2) A leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as an elastic surface wave, and (3) a love wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave. Either (4) the elastic wave resonator is composed of SMR, and (5) the elastic wave resonator is composed of FBAR. In the third filter, the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is propagated. Rayleigh waves may be used as elastic surface waves.
LiNbO3のレイリー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の1.2倍付近に高次モードが発生する。よって、第3フィルタではLiNbO3のレイリー波と弾性波として利用し、第1フィルタではLiNbO3のレイリー波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。 When the Rayleigh wave of LiNbO 3 is used as an elastic wave, a higher-order mode is generated in the vicinity of 1.2 times the resonance frequency of the elastic wave resonator. Therefore, by using the Rayleigh wave of LiNbO 3 as an elastic wave in the third filter and not using the Rayleigh wave of LiNbO 3 as an elastic wave in the first filter, the reflection coefficient in the second pass band of the first filter is effective. Can be made larger.
よって、第1フィルタが低周波側フィルタであり、第2フィルタが高周波側フィルタである場合において、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the low frequency side filter and the second filter is the high frequency side filter, the first filter, the third filter, or the third filter, or the third filter, of the insertion loss in the second pass band of the second filter. Insertion loss due to both can be reduced.
また、前記第1通過帯域は前記第2通過帯域よりも低周波側に位置し、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(3)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用してもよい。 Further, the first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band, and each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators, and the first filter includes one or more elastic wave resonators. , (1) Utilizing a Rayleigh wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 as an elastic surface wave, (2) A piezoelectric layer in which an IDT electrode is formed on one main surface of an elastic wave resonator. A high-sound velocity support substrate whose bulk wave sound velocity propagates faster than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer, and an elastic wave propagating in the piezoelectric layer arranged between the high-sound velocity support substrate and the piezoelectric layer. Bulk wave propagating at a wave velocity slower than the wave sound velocity It has a sound velocity film laminated structure composed of a bass velocity film, and (3) a leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as an elastic surface wave. Either (4) the elastic wave resonator is composed of SMR, and (5) the elastic wave resonator is composed of FBAR. In the third filter, the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is propagated. Love waves may be used as elastic surface waves.
LiNbO3のラブ波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の1.2倍付近に高次モードが発生する。よって、第3フィルタではLiNbO3のラブ波と弾性波として利用し、第1フィルタではLiNbO3のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、効果的に大きくできる。 When the love wave of LiNbO 3 is used as an elastic wave, a higher-order mode is generated in the vicinity of 1.2 times the resonance frequency of the elastic wave resonator. Therefore, the third filter uses the LiNbO 3 love wave and the elastic wave, and the first filter does not use the LiNbO 3 love wave as the elastic wave, so that the reflection coefficient in the second pass band of the first filter is effective. Can be made larger.
よって、第1フィルタが低周波側フィルタであり、第2フィルタが高周波側フィルタである場合において、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Therefore, when the first filter is the low frequency side filter and the second filter is the high frequency side filter, the first filter, the third filter, or the third filter, or the third filter, of the insertion loss in the second pass band of the second filter. Insertion loss due to both can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、前記第1フィルタを構成する前記IDT電極と、前記第3フィルタを構成する前記IDT電極とでは、膜厚またはデューティーが異なってもよい。 Further, each of the first filter and the two or more surface acoustic wave resonators constituting the third filter is a surface acoustic wave composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. In the first filter and the third filter, which is a resonator, a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave, and the IDT electrode constituting the first filter and the IDT electrode described above. The film thickness or duty may be different from that of the IDT electrode constituting the third filter.
LiTaO3のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第1フィルタと第3フィルタとで、IDT電極の膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第1フィルタにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第2通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を、効果的に大きくでき、第2のフィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 When the leaky wave of LiTaO 3 is used as an elastic wave, a Rayleigh wave spurious is generated on the low frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the film thickness or duty of the IDT electrode different between the first filter and the third filter, the generation frequency of Rayleigh wave spurious in the first filter is shifted to the outside of the second pass band. Is possible. As a result, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter can be effectively increased, and among the insertion losses in the second pass band of the second filter, the first filter, the third filter, or both of them can be used. The resulting insertion loss can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚、前記IDT電極のデューティー、および前記低音速膜の膜厚、のいずれかが異なってもよい。 Further, each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter is an elastic surface wave composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. It is a resonator, and in the first filter and the third filter, the elastic wave resonator is generated from the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. The bulk wave sound velocity that propagates is also high, and the bulk wave sound velocity that propagates more than the elastic wave sound velocity that is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and propagates through the piezoelectric layer. It has a sound velocity film laminated structure composed of a low-speed bass velocity film, and in the first filter and the third filter, the film thickness of the IDT electrode, the duty of the IDT electrode, and the film of the bass velocity film. Either the thickness may be different.
音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第1フィルタと第3フィルタとで、IDT電極の膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第1フィルタにおけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第2通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 When a sonic film laminated structure is adopted, Rayleigh wave spurious is generated on the low frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the film thickness or duty of the IDT electrode different between the first filter and the third filter, the generation frequency of Rayleigh wave spurious in the first filter is shifted to the outside of the second pass band. Is possible. As a result, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter can be effectively increased, which is caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Insertion loss can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極と当該IDT電極上に形成された保護膜で構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、(1)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚、前記IDT電極のデューティー、および前記保護膜の膜厚、のいずれかが異なってもよい。 Further, each of the first filter and the two or more surface acoustic wave resonators constituting the third filter is formed on a substrate having a piezoelectric layer, an IDT electrode formed on the substrate, and the IDT electrode. and a surface acoustic wave resonator made of a protective film, from the the first filter and said third filter, (1) the Rayleigh wave propagating through the piezoelectric layer made of LiNbO 3, or (2) LiNbO 3 The Rayleigh wave propagating in the piezoelectric layer is used as a surface acoustic wave, and in the first filter and the third filter, the film thickness of the IDT electrode, the duty of the IDT electrode, and the film of the protective film are used. Either the thickness may be different.
LiNbO3のレイリー波、またはLiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第1フィルタと第3フィルタとで、IDT電極の膜厚、IDT電極のデューティー、または低音速膜の膜厚を異ならせることにより、第1フィルタにおける高次モードの発生周波数を、第2通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 Rayleigh waves LiNbO 3, or when utilizing Love waves of LiNbO 3 as a surface acoustic wave, high-order mode occurs in the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonators. On the other hand, by making the film thickness of the IDT electrode, the duty of the IDT electrode, or the film thickness of the bass sound film different between the first filter and the third filter, the generation frequency of the higher-order mode in the first filter can be set. , It becomes possible to shift out of the second pass band. As a result, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter can be effectively increased, which is caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Insertion loss can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、前記高音速支持基板はシリコン結晶で構成され、前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記圧電体層の膜厚、前記低音速膜の膜厚、および前記高音速支持基板のシリコン結晶方位、のいずれかが異なってもよい。 Further, each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter is an elastic surface wave composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. It is a resonator, and in the first filter and the third filter, the elastic wave resonator is generated from the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface, and the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. The bulk wave sound velocity that propagates is also high, and the bulk wave sound velocity that propagates more than the elastic wave sound velocity that is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and propagates through the piezoelectric layer. It has a sound velocity film laminated structure composed of a low-speed low-sound velocity film, the high-sound velocity support substrate is composed of silicon crystals, and the first filter and the third filter have a thickness of the piezoelectric layer. Either the film thickness of the low piezo film and the silicon crystal orientation of the high piezo support substrate may be different.
音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第1フィルタと第3フィルタとで、圧電体層の膜厚、低音速膜の膜厚、または高音速支持基板のシリコン結晶方位を異ならせることにより、第1フィルタにおける高次モードの発生周波数を、第2通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を効果的に大きくでき、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 When the sound velocity film laminated structure is adopted, a high-order mode is generated on the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the film thickness of the piezoelectric layer, the film thickness of the low sound velocity film, or the silicon crystal orientation of the hypersonic support substrate different between the first filter and the third filter, the higher order in the first filter is obtained. It is possible to shift the generation frequency of the mode to the outside of the second pass band. As a result, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter can be effectively increased, which is caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Insertion loss can be reduced.
また、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、(1)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚が異なってもよい。 Further, each of the first filter and the two or more surface acoustic wave resonators constituting the third filter is a surface acoustic wave composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate. In the first filter and the third filter, which are resonators, (1) a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 or (2) a love wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3. , Is used as a surface acoustic wave, and the film thickness of the IDT electrode may be different between the first filter and the third filter.
LiTaO3のリーキー波またはLiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側にバルク波(不要波)が発生する。これに対して、第1フィルタと第3フィルタとで、IDT電極の膜厚を異ならせることにより、第1フィルタにおけるバルク波の発生周波数を、第2通過帯域外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタの第2通過帯域における反射係数を効果的に大きく小さくでき、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。 When a leaky wave of LiTaO 3 or a love wave of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave, a bulk wave (unnecessary wave) is generated on the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the film thickness of the IDT electrode different between the first filter and the third filter, it is possible to shift the generation frequency of the bulk wave in the first filter to the outside of the second pass band. Become. As a result, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter can be effectively reduced to a large value, which is caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter. Insertion loss can be reduced.
また、前記第1入出力端子に接続された第1増幅回路と、前記第2入出力端子に接続された第2増幅回路と、をさらに備えてもよい。 Further, a first amplifier circuit connected to the first input / output terminal and a second amplifier circuit connected to the second input / output terminal may be further provided.
これにより、増幅回路を含む高周波フロントエンド回路において、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失を低減することが可能となる。 This makes it possible to reduce the insertion loss caused by the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter in the high-frequency front-end circuit including the amplifier circuit. It becomes.
また、本発明の一態様に係る通信装置は、前記アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するRF信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記記載の高周波フロントエンド回路と、を備える。 Further, the communication device according to one aspect of the present invention transmits the high frequency signal between the RF signal processing circuit that processes the high frequency signal transmitted and received by the antenna element and the antenna element and the RF signal processing circuit. The high-frequency front-end circuit described above is provided.
これにより、第2フィルタの第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した挿入損失が低減された小型の通信装置を提供できる。 This makes it possible to provide a small communication device in which the insertion loss due to the first filter, the third filter, or both of the insertion losses in the second pass band of the second filter is reduced.
本発明によれば、CA動作時であっても高周波信号の伝搬損失が低減された小型の高周波フロントエンド回路または通信装置を提供することが可能となる。 According to the present invention, it is possible to provide a small high-frequency front-end circuit or communication device in which propagation loss of high-frequency signals is reduced even during CA operation.
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的または具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置および接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさまたは大きさの比は、必ずしも厳密ではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. It should be noted that all of the embodiments described below are comprehensive or specific examples. Numerical values, shapes, materials, components, arrangement of components, connection modes, etc. shown in the following embodiments are examples, and are not intended to limit the present invention. Of the components in the following embodiments, the components not described in the independent claims are described as optional components. Also, the sizes or ratios of the components shown in the drawings are not always exact.
(実施の形態1)
[1.1 高周波フロントエンド回路の構成]
図1Aは、実施の形態1に係る高周波フロントエンド回路1の回路構成図である。同図に示すように、高周波フロントエンド回路1は、第1フィルタ11と、第2フィルタ12と、第3フィルタ13と、スイッチ21と、アンテナ共通端子101と、入出力端子102および103とを備える。高周波フロントエンド回路1は、アンテナ共通端子101で共通接続された第1フィルタ11および第2フィルタ12を備える複合弾性波フィルタ装置である。
(Embodiment 1)
[1.1 High-frequency front-end circuit configuration]
FIG. 1A is a circuit configuration diagram of the high frequency
共通端子101は、例えば、アンテナ素子に接続可能であり、入出力端子102および103は、増幅回路を介して高周波信号処理回路に接続可能である。
The
第1フィルタ11は、第1端子および第2端子を有し、第1端子がアンテナ共通端子101に接続され、第1通過帯域を有するフィルタである。
The
第2フィルタ12は、アンテナ共通端子101に接続され、アンテナ共通端子101と入出力端子103との間に配置され、第1通過帯域と異なる第2通過帯域を有するフィルタである。
The
第1フィルタ11および第2フィルタ12は、分波/合波回路を構成している。
The
スイッチ21は、共通端子21c、選択端子21a(第1選択端子)および21bを有し、共通端子21cが第1フィルタ11の第2端子に接続されたスイッチ回路である。
The
第3フィルタ13は、選択端子21a(第1選択端子)に接続され、スイッチ21と入出力端子102との間に配置されたフィルタである。
The
なお、スイッチ21の選択端子21b(第2選択端子)には、第3フィルタと通過帯域が異なるフィルタが接続されていれもよいし、また、増幅回路が直接接続されていてもよい。また、スイッチ21の選択端子の数は3以上であってもよい。また、選択端子21b(第2選択端子)に接続されるフィルタの通過帯域は、第3フィルタの通過帯域と重複していてもよい。この場合であっても、スイッチ21により、第1フィルタ11を通過する高周波信号を、選択端子21aまたは21bを経由する1経路に絞って伝搬させることが可能となる。
A filter having a pass band different from that of the third filter may be connected to the
また、第2フィルタ12の後段(アンテナ共通端子101と反対側)の回路構成は、第1フィルタ11の後段の回路構成と同じ回路構成であってもよいし、また、スイッチが配置されず第2フィルタ12が増幅回路と直接接続されていてもよい。
Further, the circuit configuration of the second stage of the second filter 12 (opposite to the antenna common terminal 101) may be the same as the circuit configuration of the second stage of the
図1Bは、実施の形態1に係る高周波フロントエンド回路1の反射特性を説明する図である。同図には、アンテナ共通端子101で共通接続された第1フィルタ11および第2フィルタ12の通過特性、および、第1フィルタ11および第3フィルタ13の反射特性が示されている。ここで、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路1において、第1フィルタ11を単体でアンテナ共通端子101側から見た場合の通過帯域12H(第2通過帯域)における反射係数は、第3フィルタ13を単体で共通端子101側から見た場合の通過帯域12H(第2通過帯域)における反射係数よりも大きい。
FIG. 1B is a diagram for explaining the reflection characteristics of the high-frequency front-
なお、第1フィルタと第3フィルタとの周波数関係は、図1Bのように、第1フィルタ11が低周波側であって第2フィルタが高周波側であることに限定されず、第1フィルタ11が高周波側であって第2フィルタが低周波側であってもよい。
The frequency relationship between the first filter and the third filter is not limited to that the
[1.2 高周波フロントエンド回路の第1フィルタ、第3フィルタ、またはその両方に起因した第2フィルタの挿入損失低減効果]
図2は、2つのフィルタ(フィルタAおよびフィルタB)をアンテナ共通端子で共通接続した場合の課題を説明する図である。図2に示すように、フィルタA(通過帯域A)およびフィルタB(通過帯域B)が、アンテナ共通端子で共通接続されている分波回路を想定する。この場合における分波回路の挿入損失を考える。
[1.2 Effect of reducing insertion loss of the second filter due to the first filter, the third filter, or both of the high-frequency front-end circuits]
FIG. 2 is a diagram illustrating a problem when two filters (filter A and filter B) are commonly connected by an antenna common terminal. As shown in FIG. 2, a demultiplexing circuit in which the filter A (passband A) and the filter B (passband B) are commonly connected by the antenna common terminal is assumed. Consider the insertion loss of the demultiplexing circuit in this case.
フィルタAにおける通過帯域Aの挿入損失は、フィルタA自体の挿入損失に加え、フィルタBの影響を受けて悪化する。ここで、フィルタAの挿入損失のうちフィルタBに起因した挿入損失は、フィルタBの通過帯域Aにおける反射特性が影響する。より具体的には、フィルタAの挿入損失のうちフィルタBに起因した挿入損失は、アンテナ共通端子で共通接続される前のフィルタBにおいてアンテナ共通端子側からフィルタBを見た場合の反射係数が大きいほど、フィルタAの挿入損失のうちフィルタBに起因した挿入損失は低減する。 The insertion loss of the pass band A in the filter A is deteriorated by the influence of the filter B in addition to the insertion loss of the filter A itself. Here, of the insertion loss of the filter A, the insertion loss caused by the filter B is affected by the reflection characteristic in the pass band A of the filter B. More specifically, of the insertion loss of the filter A, the insertion loss caused by the filter B is the reflection coefficient when the filter B is viewed from the antenna common terminal side in the filter B before being commonly connected by the antenna common terminal. The larger the value, the smaller the insertion loss caused by the filter B among the insertion losses of the filter A.
共通接続された相手方のフィルタに起因した上記挿入損失を低減する構成を本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路1に適用させる場合、アンテナ共通端子101から入出力端子103へ伝搬する第2通過帯域の高周波信号を、共通接続された相手方のフィルタに起因した挿入損失を抑制して通過させるには、アンテナ共通端子101から入出力端子102へ伝搬しようとする第2通過帯域の高周波信号の反射係数を大きくすることが必要となる。つまり、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減させるには、直列接続された第1フィルタ11および第3フィルタ13をアンテナ共通端子101から見た場合の第2通過帯域における反射係数を大きくしておくことが必要となる。
When the configuration for reducing the insertion loss due to the filter of the other party connected in common is applied to the high frequency
さらに、複数のフィルタが直列接続されている場合、直列接続されたフィルタのうち、アンテナ共通端子に近接するフィルタのほうが、アンテナ共通端子側から直列接続されたフィルタを見た場合の反射係数への寄与度が高い。つまり、第2フィルタ12の挿入損失のうち共通接続された相手方のフィルタに起因した挿入損失を低減させるには、直列接続された第1フィルタ11および第3フィルタ13のうち、アンテナ共通端子101に近い第1フィルタ11の第2通過帯域における反射係数を大きくしておくことが効果的である。
Furthermore, when multiple filters are connected in series, of the filters connected in series, the filter closer to the antenna common terminal has the reflectance coefficient when the filter connected in series is viewed from the antenna common terminal side. Contribution is high. That is, in order to reduce the insertion loss caused by the filter of the other party that is commonly connected among the insertion losses of the
一方で、直列接続された第1フィルタ11および第3フィルタ13の反射特性を上記のように向上させつつ、直列接続された第1フィルタ11および第3フィルタ13の通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を要求仕様等に応じて確保する必要がある。フィルタ構成によっては、反射特性と上記フィルタ特性とは両立しないケースがある。
On the other hand, while improving the reflection characteristics of the
以上の観点から、発明者らは、直列接続された第1フィルタ11および第3フィルタ13において、反射特性に影響の大きい第1フィルタ11では反射係数を大きくすることを優先させ、反射特性に影響の小さい第3フィルタ13では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保する構成をとることを見出した。
From the above viewpoint, the inventors give priority to increasing the reflection coefficient in the
本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路1の構成によれば、第1フィルタ11の第2通過帯域における反射係数が、第3フィルタ13の第2通過帯域における反射係数よりも大きい。ここで、後段に配置された第3フィルタ13は、反射特性よりもフィルタ通過特性および減衰特性が重視されるため、アンテナ共通端子101側から第1フィルタ11、スイッチ21、および第3フィルタ13を見た場合の第2通過帯域における反射係数を、第3フィルタ13のフィルタ特性を劣化させずに、より効果的に大きくできる。これにより、アンテナ素子と第1フィルタ11および第2フィルタ12で構成される分波/合波回路との間にスイッチを配置することなく、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できるので、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性を維持できる小型の高周波フロントエンド回路1を提供することが可能となる。
According to the configuration of the high-frequency front-
なお、第1フィルタ11の第2通過帯域における反射係数は、0.9以上であることが好ましい。
The reflection coefficient of the
また、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路1において、アンテナ共通端子101で共通接続されたフィルタは、第1フィルタ11および第2フィルタ12の2つに限定されず、3つ以上のフィルタがアンテナ共通端子101で共通接続されていてもよい。
Further, in the high-frequency front-
[1.3 変形例に係る分波/合波回路の構成]
図3Aは、実施の形態1の変形例1に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波/合波回路に適用されるトリプレクサの回路構成が例示されている。
[1.3 Configuration of demultiplexing / combining circuit according to modified example]
FIG. 3A is a circuit configuration diagram of a demultiplexing circuit according to a first modification of the first embodiment. The figure illustrates the circuit configuration of the triplexer applied to the demultiplexing / merging circuit of the high frequency front-end circuit according to the present embodiment.
本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波/合波回路として、アンテナ共通端子101に接続されたLB(ローバンド:698−960MHz)フィルタ11Lと、MBa(ミドルバンド:1710−2200MHz)フィルタ11M1と、HBa(ハイバンド:2300−2690MHz)フィルタ11H1とを備える。
The high-frequency front-end circuit according to this modification is an LB (low band: 698-960 MHz)
つまり、変形例1に係る高周波フロントエンド回路は、第1フィルタ11および第2フィルタ12のほか、さらに、アンテナ共通端子101に接続され、第3通過帯域を有する第4フィルタを備える。ここで、実施の形態1に係る第1フィルタ11は、本変形例におけるLBフィルタ11L、MBaフィルタ11M1、およびHBaフィルタ11H1のいずれか任意の1つに相当する。
That is, the high-frequency front-end circuit according to the first modification includes the
図3Bは、実施の形態1の変形例2に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波/合波回路に適用されるクワッドプレクサの回路構成が例示されている。 FIG. 3B is a circuit configuration diagram of a demultiplexing circuit according to a second modification of the first embodiment. The figure illustrates the circuit configuration of the quad plexer applied to the demultiplexing / merging circuit of the high frequency front end circuit according to the present embodiment.
本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波/合波回路として、アンテナ共通端子101に接続されたLB(ローバンド:698−960MHz)フィルタ11Lと、MBa(ミドルバンド:1710−2200MHz)フィルタ11M1と、MHBa(ミドルハイバンド:2300−2400MHz)フィルタ11MH1と、HBb(ミドルハイバンド:2496−2690MHz)フィルタ11H2とを備える。
The high-frequency front-end circuit according to this modification is an LB (low band: 698-960 MHz)
つまり、変形例2に係る高周波フロントエンド回路は、第1フィルタ11および第2フィルタ12のほか、さらに、アンテナ共通端子101に接続され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、第4通過帯域を有する第5フィルタとを備える。ここで、実施の形態1に係る第1フィルタ11は、本変形例におけるLBフィルタ11L、MBaフィルタ11M1、MHBaフィルタ11MH1、およびHBbフィルタ11H2のいずれか任意の1つに相当する。
That is, the high-frequency front-end circuit according to the second modification has a fourth filter having a third pass band and a fourth pass band connected to the antenna
図3Cは、実施の形態1の変形例3に係る分波回路の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路の分波/合波回路に適用されるクワッドプレクサの回路構成が例示されている。 FIG. 3C is a circuit configuration diagram of a demultiplexing circuit according to a modification 3 of the first embodiment. The figure illustrates the circuit configuration of the quad plexer applied to the demultiplexing / merging circuit of the high frequency front end circuit according to the present embodiment.
本変形例に係る高周波フロントエンド回路は、分波/合波回路として、アンテナ共通端子101に接続されたMLB(ミドルローバンド:1475.9−2025MHz)フィルタ11L1と、MBb(ミドルバンド:2110−2200MHz)フィルタ11M2と、MHBa(ミドルハイバンド:2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)フィルタ11MH1と、HBb(ミドルハイバンド:2496−2690MHz)フィルタ11H2とを備える。
The high-frequency front-end circuit according to this modification is an MLB (middle low band: 1475.9-2025 MHz) filter 11L1 connected to the antenna
つまり、変形例3に係る高周波フロントエンド回路は、第1フィルタ11および第2フィルタ12のほか、さらに、アンテナ共通端子101に接続され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、第4通過帯域を有する第5フィルタとを備える。ここで、実施の形態1に係る第1フィルタ11は、本変形例におけるMLBフィルタ11L1、MBbフィルタ11M2、MHBaフィルタ11MH1、およびHBbフィルタ11H2のいずれか任意の1つに相当する。
That is, the high-frequency front-end circuit according to the third modification has a fourth filter having a third pass band and a fourth pass band connected to the antenna
[1.4 変形例4に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図4は、実施の形態1の変形例4に係る通信装置3の回路構成図である。同図には、本実施の形態に係る通信装置3が示されている。通信装置3は、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と、高周波信号処理回路(RFIC)40とで構成されている。
[1.4 Configuration of high-frequency front-end circuit according to Modification 4]
FIG. 4 is a circuit configuration diagram of the communication device 3 according to the modified example 4 of the first embodiment. The figure shows the communication device 3 according to the present embodiment. The communication device 3 is composed of the high frequency
高周波フロントエンド回路2は、アンテナ共通端子101と、分波回路10および14と、スイッチ21および22と、フィルタ回路15と、増幅回路30とを備える。
The high-frequency front-
分波回路10は、アンテナ共通端子101に接続され、ローパスフィルタ10A(通過帯域:699−960MHz)およびハイパスフィルタ10B(通過帯域:1475.9−2690MHz)で構成されている。
The
分波回路14は、ハイパスフィルタ10Bに接続され、MLBフィルタ11A(1475.9−2025MHz)、MBbフィルタ11B(2110−2200MHz)、MHBaフィルタ11C(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)、およびHBbフィルタ11D(2496−2690MHz)で構成されている。
The
スイッチ21は、スイッチ21A、21C、および21Dで構成されている。スイッチ22は、スイッチ22A、22B、22C、および22Dで構成されている。
The
フィルタ回路15は、フィルタ13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13j、および13kで構成されている。
The
増幅回路は、LNA31、32、33、34、35、および36で構成されている。
The amplifier circuit is composed of
分波回路14は、高周波信号の周波数帯域を、4つの周波数帯域群に分割する。より具体的には、MLBフィルタ11AはBa(バンドa)、Bb(バンドb)、Bc(バンドc)、Bd(バンドd)、およびBe(バンドe)の信号を通過させ、MBbフィルタ11BはBp(バンドp)の信号を通過させ、MHBaフィルタ11CはBf(バンドf)およびBg(バンドg)の信号を通過させ、HBbフィルタ11DはBh(バンドh)、Bj(バンドj)、およびBk(バンドk)の信号を通過させる。
The
スイッチ21Aは、共通端子がMLBフィルタ11Aに接続され、各選択端子が、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)に接続されている。
The common terminal of the
スイッチ21Cは、共通端子がMHBaフィルタ11Cに接続され、各選択端子が、フィルタ13f(Bf)および13g(Bg)に接続されている。
The common terminal of the
スイッチ21Dは、共通端子がHBbフィルタ11Dに接続され、各選択端子が、フィルタ13h(Bh)、13j(Bj)、および13k(Bk)に接続されている。
The
スイッチ22Bは、共通端子がLNA31に接続され、各選択端子がMBbフィルタ11Bおよびフィルタ13dに接続されている。
A common terminal of the
スイッチ22Aは、共通端子がLNA32に接続され、各選択端子がフィルタ13c、13b、および13eに接続されている。
The
スイッチ22Dは、共通端子がLNA33に接続され、各選択端子がフィルタ13k、13h、および13jに接続されている。
The
スイッチ22Cは、共通端子がLNA34に接続され、各選択端子がフィルタ13fおよび13gに接続されている。
In the switch 22C, a common terminal is connected to the LNA34, and each selection terminal is connected to the
なお、MLBフィルタ11Aの通過帯域(1475.9−2025MHz)は、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。MBbフィルタ11B(2110−2200MHz)は、Bpの各通過帯域を包含している。MHBaフィルタ11C(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)は、フィルタ13f(Bf)および13g(Bg)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。HBbフィルタ11D(2496−2690MHz)は、フィルタ13h(Bh)、13j(Bj)、および13k(Bk)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。
The pass band (1475.9-2025 MHz) of the
高周波信号処理回路(RFIC)40は、LNA31〜36の出力端子に接続され、アンテナ素子から各バンドの受信信号経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号を、後段のベースバンド信号処理回路へ出力する。RF信号処理回路40は、例えば、RFICである。また、高周波信号処理回路(RFIC)40は、使用されるバンドに応じて、制御信号S1A、S1C、S1D、S2A、S2B、S2C、およびS2Dを、それぞれ、スイッチ21A、21C、21D、22A、22B、22C、および22Dに出力する。これにより、各スイッチは信号経路の接続を切り替える。
The high-frequency signal processing circuit (RFIC) 40 is connected to the output terminals of the
上記構成を有する通信装置3において、例えば、スイッチ21A、21Cおよび21Dを切り替えることにより、MLB(1475.9−2025MHz)、MBb(2110−2200MHz)、MHBa(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)、およびHBb(2496−2690MHz)から、それぞれ1バンドを選択することにより、CA動作が可能である。
In the communication device 3 having the above configuration, for example, by switching the
ここで、実施の形態1に係る高周波フロントエンド回路1の構成を、本変形例に係る高周波フロントエンド回路2に適用することができる。つまり、高周波フロントエンド回路1における第1フィルタ11および第3フィルタ13の組み合わせとして、(1)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13a(Ba)、(2)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13b(Bb)、(3)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13c(Bc)、(4)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13d/13e(Bd/Be)、(5)MHBaフィルタ11Cおよびフィルタ13f(Bf)、(6)MHBaフィルタ11Cおよびフィルタ13g(Bg)、(7)HBbフィルタ11Dおよびフィルタ13h(Bh)、(8)HBbフィルタ11Dおよびフィルタ13j(Bj)、HBbフィルタ11Dおよびフィルタ13k(Bk)が挙げられる。また、第2フィルタ12として、MLBフィルタ11A、MBbフィルタ11B、MHBaフィルタ11C、およびHBbフィルタ11Dの少なくとも1つが挙げられる。
Here, the configuration of the high-frequency front-
例えば、第1フィルタ11および第3フィルタ13の組み合わせとして、(1)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13a(Ba)が選択され、第2フィルタ12として、MBbフィルタ11Bが選択された場合には、MLBフィルタ11Aの2110−2200MHz(MBbフィルタ11Bの通過帯域)における反射係数が、フィルタ13aの2110−2200MHz(MBbフィルタ11Bの通過帯域)における反射係数よりも大きく小さく設定される。
For example, when (1)
また、例えば、第1フィルタ11および第3フィルタ13の組み合わせとして、(1)MLBフィルタ11Aおよびフィルタ13a(Ba)が選択され、第2フィルタ12として、MBbフィルタ11B、MHBaフィルタ11C、およびHBbフィルタ11Dの3フィルタが選択された場合には、MLBフィルタ11Aの2110−2200MHz(MBbフィルタ11Bの通過帯域)、2300−2400MHzまたは2300−2370MHz(MHBaフィルタ11Cの通過帯域)、および2496−2690MHz(HBbフィルタ11Dの通過帯域)における反射係数が、フィルタ13aの2110−2200MHz、2300−2400MHzまたは2300−2370MHz、および2496−2690MHzにおける反射係数よりも大きく設定される。
Further, for example, (1)
以上の構成によれば、CA動作させるバンドの数が多くなっても、分波回路14およびフィルタ回路15の反射特性の関係を、実施の形態1における第1フィルタ11および第3フィルタ13の反射特性の関係となるよう設定することにより、例えば3GPP規格に規定されている全てのCA組み合わせに対応させることが可能となる。また、分波回路14およびフィルタ回路15の反射特性の関係を設定しておくことで、後段のフィルタ回路15に対応するバンドを容易に変更することが可能となる。よって、仕向け地ごとに最適なバンド構成のモジュールを簡素化された回路設計で提供できる。
According to the above configuration, even if the number of bands operated by CA is increased, the relationship between the reflection characteristics of the
なお、本変形例では、アンテナ素子からの高周波信号を受信して高周波信号処理回路40へ伝達する、受信用の高周波フロントエンド回路を例示したが、送信用または送受信用の高周波フロントエンド回路であってもよい。送信用の高周波フロントエンド回路の場合には、増幅回路30はパワーアンプで構成される。また、送受信用の高周波フロントエンド回路の場合には、フィルタ回路15は、各バンドに割り当てられたデュプレクサで構成される。
In this modification, a high-frequency front-end circuit for reception that receives a high-frequency signal from the antenna element and transmits it to the high-frequency
[1.5 変形例5に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図5Aは、実施の形態1の変形例5に係る高周波フロントエンド回路2Aの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Aは、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と比較して、フィルタ13gおよび13kが配置されていない点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Aについて、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
[1.5 Configuration of high-frequency front-end circuit according to modification 5]
FIG. 5A is a circuit configuration diagram of the high frequency
高周波フロントエンド回路2Aにおいて、MHBaフィルタ11Cの通過帯域が2300−2370MHzである場合には、例えば、MHBaフィルタ11Cの後段に配置されるB40a(Bgに相当:通過帯域2300−2370MHz)の通過帯域と一致している。一方、MHBaフィルタ11Cの後段に配置されるフィルタ13fは、例えば、B30(通過帯域2350−2360MHz)に対応しており、MHBaフィルタ11Cの通過帯域2300−2370MHzに含まれる。ここで、B40aの信号の通過特性は、MHBaフィルタ11Cの通過特性で十分であるので、B40aの信号経路上にはフィルタ13gを配置する必要がない。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応の分波回路14(クワッドプレクサ)を含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。
In the high-frequency front-
また、高周波フロントエンド回路2Aにおいて、MHBaフィルタ11Cの通過帯域が2300−2400MHzである場合には、例えば、MHBaフィルタ11Cの後段に配置されるB40(Bgに相当:通過帯域2300−2400MHz)の通過帯域と一致している。一方、MHBaフィルタ11Cの後段に配置されるフィルタ13fは、例えば、B30(通過帯域2350−2360MHz)に対応しており、MHBaフィルタ11Cの通過帯域2300−2400MHzに含まれる。ここで、B40の信号の通過特性は、MHBaフィルタ11Cの通過特性で十分であるので、B40の信号経路上にはフィルタ13gを配置する必要がない。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応の分波回路14(クワッドプレクサ)を含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。
When the pass band of the
また、高周波フロントエンド回路2Aにおいて、HBbフィルタ11Dの通過帯域は2496−2690MHzとなっており、HBbフィルタ11Dの後段に配置されるB41の通過帯域と一致している。一方、HBbフィルタ11Dの後段に配置されるフィルタ13hは、例えば、B38(通過帯域2570−2620MHz)に対応しており、HBbフィルタ11Dの通過帯域2496−2690MHzに含まれる。また、HBbフィルタ11Dの後段に配置されるフィルタ13jは、例えば、B7(通過帯域2620−2690MHz)に対応しており、HBbフィルタ11Dの通過帯域2496−2690MHzに含まれる。ここで、B41の信号の通過特性は、HBbフィルタ11Dの通過特性で十分であるので、B41の信号経路上にはフィルタ13kを配置する必要がない。よって、MLB、MBb、MHBaおよびHBb対応の分波回路14(クワッドプレクサ)を含む構成において、CA動作時であっても低損失な信号伝搬特性が可能な、より小型の高周波フロントエンド回路を実現できる。
Further, in the high frequency
[1.6 変形例6に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図5Bは、実施の形態1の変形例6に係る高周波フロントエンド回路2Bの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Bは、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と比較して、送信(Tx)バイパス経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Bについて、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
[1.6 Configuration of high-frequency front-end circuit according to modification 6]
FIG. 5B is a circuit configuration diagram of the high frequency
高周波フロントエンド回路2Bは、アンテナ共通端子101と、分波回路10(ローパスフィルタ10A、ハイパスフィルタ10B)および14(MLBフィルタ11A、MBbフィルタ11B、MHBaフィルタ11C、HBbフィルタ11D)と、スイッチ21(スイッチ21E、スイッチ21C、スイッチ21D)および22(図示せず)と、フィルタ回路15(フィルタ13a−13k)と、増幅回路30(図示せず)とを備える。
The high-frequency front-
スイッチ21は、スイッチ21E、21C、および21Dで構成されている。
The
スイッチ21Eは、共通端子がMLBフィルタ11Aに接続され、各選択端子が、送信(Tx)バイパス経路、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)に接続されている。
The
送信(Tx)バイパス経路は、MLB/LMBに属するバンドの送信信号を伝搬する経路であって、例えば、バンドa、バンドb、バンドc、バンドd、およびバンドeの少なくとも1つの送信帯域の信号を伝搬する経路である。 The transmission (Tx) bypass path is a path that propagates the transmission signal of the band belonging to MLB / LMB, and is, for example, a signal of at least one transmission band of band a, band b, band c, band d, and band e. It is a route that propagates.
なお、MLBフィルタ11Aの通過帯域(1475.9−2025MHz)は、送信(Tx)バイパス経路を伝搬する送信通過帯域、および、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。MBbフィルタ11B(2110−2200MHz)は、Bpの各通過帯域を包含している。MHBaフィルタ11C(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)は、フィルタ13f(Bf)および13g(Bg)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。HBbフィルタ11D(2496−2690MHz)は、フィルタ13h(Bh)、13j(Bj)、および13k(Bk)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。
The pass band (1475.9-2025 MHz) of the
上記構成により、送信(Tx)バイパス経路、スイッチ21E、MLBフィルタ11A、ハイパスフィルタ10B、およびアンテナ共通端子101を結ぶ信号経路を、送信信号経路として使用することが可能となる。
With the above configuration, the signal path connecting the transmission (Tx) bypass path, the
上記構成によれば、MLB/LMBに属する送信信号と、MB、MHB、HBに属する受信信号とを、アンテナ共通端子101に接続されるアンテナで、CA動作させることも可能となる。つまり、アンテナ共通端子101に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。
According to the above configuration, the transmission signal belonging to MLB / LMB and the receiving signal belonging to MB, MHB, and HB can be CA-operated by the antenna connected to the antenna
なお、本変形例では、送信(Tx)バイパス経路がMLB/LMB内のバンドを切り替えるスイッチ21Eに接続された構成としたが、送信(Tx)バイパス経路がMHB内のバンドを切り替えるスイッチ21C、または、HB内のバンドを切り替えるスイッチ21Dに接続された構成であってもよい。
In this modification, the transmission (Tx) bypass path is connected to the
[1.7 変形例7に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図5Cは、実施の形態1の変形例7に係る高周波フロントエンド回路2Cの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Cは、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と比較して、送信フィルタを含む送信(Tx)経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Cについて、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
[Structure of high-frequency front-end circuit according to 1.7 modification 7]
FIG. 5C is a circuit configuration diagram of the high frequency
高周波フロントエンド回路2Cは、アンテナ共通端子101と、分波回路10(ローパスフィルタ10A、ハイパスフィルタ10B)および14(MLBフィルタ11A、MBbフィルタ11B、MHBaフィルタ11C、HBbフィルタ11D)と、スイッチ21(スイッチ21F、スイッチ21C、スイッチ21D)および22(図示せず)と、フィルタ回路15(フィルタ13a−13kおよび送信フィルタ13t)と、増幅回路30(図示せず)とを備える。
The high-frequency front-
スイッチ21は、スイッチ21F、21C、および21Dで構成されている。
The
スイッチ21Fは、共通端子がMLBフィルタ11Aに接続され、各選択端子が、送信(Tx)経路、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)に接続されている。スイッチ21Fは、共通端子と2以上の選択端子とを同時に接続することが可能なスイッチである。
In the
送信(Tx)経路には、送信フィルタ13tが配置されている。
A
なお、MLBフィルタ11Aの通過帯域(1475.9−2025MHz)は、送信フィルタ13t、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。MBbフィルタ11B(2110−2200MHz)は、Bpの各通過帯域を包含している。MHBaフィルタ11C(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)は、フィルタ13f(Bf)および13g(Bg)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。HBbフィルタ11D(2496−2690MHz)は、フィルタ13h(Bh)、13j(Bj)、および13k(Bk)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。
The pass band (1475.9-2025 MHz) of the
上記構成により、送信(Tx)経路、スイッチ21F、MLBフィルタ11A、ハイパスフィルタ10B、およびアンテナ共通端子101を結ぶ送信信号経路と、アンテナ共通端子101、ハイパスフィルタ10B、MLBフィルタ11A、スイッチ21F、および、フィルタ13a〜13eのいずれか、を結ぶ受信信号経路とを同時に使用することが可能となる。これにより、同一バンドにおいて同時送受信をすることも可能となる。また、アンテナ共通端子101に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。
With the above configuration, the transmission signal path connecting the transmission (Tx) path, the
さらに、上記送信(Tx)経路が、高周波フロントエンド回路2Cと異なる高周波フロントエンド回路にも接続されるような構成が想定され、この場合、高周波フロントエンド回路2Cと、当該異なる高周波フロントエンド回路との2系統で、2つのアンテナによる、いわゆる2アップリンクによる送信動作をすることが可能となる。
Further, it is assumed that the transmission (Tx) path is also connected to a high frequency front end circuit different from the high frequency
なお、本変形例では、送信(Tx)経路がMLB/LMB内のバンドを切り替えるスイッチ21Fに接続された構成としたが、送信(Tx)経路がMHB内のバンドを切り替えるスイッチ21C、または、HB内のバンドを切り替えるスイッチ21Dに接続された構成であってもよい。
In this modification, the transmission (Tx) path is connected to the
[1.8 変形例8に係る高周波フロントエンド回路の構成]
図5Dは、実施の形態1の変形例8に係る高周波フロントエンド回路2Dの回路構成図である。本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Dは、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と比較して、デュプレクサを含む送受信(Tx/Rx)経路が付加されている点が異なる。以下、本変形例に係る高周波フロントエンド回路2Dについて、変形例4に係る高周波フロントエンド回路2と同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明する。
[Configuration of high-frequency front-end circuit according to 1.8 Modification Example 8]
FIG. 5D is a circuit configuration diagram of the high frequency
高周波フロントエンド回路2Dは、アンテナ共通端子101と、分波回路10(ローパスフィルタ10A、ハイパスフィルタ10B)および14(MLBフィルタ11A、MBbフィルタ11B、MHBaフィルタ11C、HBbフィルタ11D)と、スイッチ21(スイッチ21G、スイッチ21C、スイッチ21D)および22(図示せず)と、フィルタ回路15(フィルタ13a−13k)と、増幅回路30(図示せず)とを備える。
The high-frequency front-
スイッチ21は、スイッチ21G、21C、および21Dで構成されている。
The
スイッチ21Gは、共通端子がMLBフィルタ11Aに接続され、各選択端子が、送受信(Tx/Rx)経路、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)に接続されている。
In the
送受信(Tx/Rx)経路には、送信フィルタ13t1および受信フィルタ13r1で構成されたデュプレクサが配置されている。 A duplexer composed of a transmission filter 13t1 and a reception filter 13r1 is arranged in the transmission / reception (Tx / Rx) path.
なお、MLBフィルタ11Aの通過帯域(1475.9−2025MHz)は、送受信(Tx/Rx)経路に配置されたデュプレクサ、フィルタ13a(Ba)、13b(Bb)、13c(Bc)、13d/13e(Bd/Be)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。MBbフィルタ11B(2110−2200MHz)は、Bpの各通過帯域を包含している。MHBaフィルタ11C(2300−2400MHzまたは2300−2370MHz)は、フィルタ13f(Bf)および13g(Bg)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。HBbフィルタ11D(2496−2690MHz)は、フィルタ13h(Bh)、13j(Bj)、および13k(Bk)の各通過帯域よりも広く、当該各通過帯域を包含している。
The pass band (1475.9-2025 MHz) of the
上記構成により、上記送受信(Tx/Rx)経路、スイッチ21G、MLBフィルタ11A、ハイパスフィルタ10B、およびアンテナ共通端子101を結ぶ信号経路を使用することが可能となる。これにより、上記送受信(Tx/Rx)経路を伝搬する同一バンドの送信信号および受信信号を同時送受信することも可能となる。また、アンテナ共通端子101に接続されるアンテナを、受信用としてだけでなく、送受共用のアンテナとして使用できる。
With the above configuration, it is possible to use the signal path connecting the transmission / reception (Tx / Rx) path, the
さらに、上記送受信(Tx/Rx)経路が、高周波フロントエンド回路2Dと異なる高周波フロントエンド回路にも接続されるような構成が想定され、この場合、高周波フロントエンド回路2Dと、当該異なる高周波フロントエンド回路との2系統で、2つのアンテナによる、いわゆる2アップリンクによる送信動作をすることが可能となる。
Further, it is assumed that the transmission / reception (Tx / Rx) path is also connected to a high frequency front end circuit different from the high frequency
なお、本変形例では、送受信(Tx/Rx)経路がMLB/LMB内のバンドを切り替えるスイッチ21Gに接続された構成としたが、送受信(Tx/Rx)経路がMHB内のバンドを切り替えるスイッチ21C、または、HB内のバンドを切り替えるスイッチ21Dに接続された構成であってもよい。
In this modification, the transmission / reception (Tx / Rx) path is connected to the
(実施の形態2)
実施の形態1では、第1フィルタ11と第2フィルタ12とがアンテナ共通端子で共通接続され、第1フィルタ11と第3フィルタ13とがスイッチを介して直列接続される構成において、反射特性に影響の大きい第1フィルタ11では反射係数を大きくすることを優先させ、反射特性に影響の小さい第3フィルタ13では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保する構成をとることが好ましいことを説明した。本実施の形態では、上記観点から、第1フィルタ11および第3フィルタ13の構造の組み合わせについて例示する。
(Embodiment 2)
In the first embodiment, in a configuration in which the
本実施の形態において、第1フィルタ11および第3フィルタ13は、弾性波共振子で構成されており、ラダー型のフィルタ構造を有していてもよい。この場合、アンテナ共通端子101側に配置された1以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含んでいる。これにより、第1フィルタ11および第3フィルタ13の低損失性を確保しつつ、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
In the present embodiment, the
また、第1フィルタ11および第3フィルタ13は、縦結合型のフィルタ構造を有していてもよい。これにより、第1フィルタ11および第3フィルタ13を、減衰強化等が要求されるフィルタ特性に適応させることが可能となる。
Further, the
また、弾性波共振子の構造としては、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子、SMR(Solidly Mounted Resonator)、およびBAW(Bulk Acoustic Wave)を用いたFBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)などが例示される。 Further, as the structure of the surface acoustic wave resonator, FBAR (Film Bulk Acoustic) using surface acoustic wave (SAW: Surface Acoustic Wave) resonator, SMR (Solidly Mountain Resonator), and BAW (Bulk Acoustic Wave) is used. Illustrated.
ここで、第1フィルタ11および第3フィルタ13のそれぞれは、2以上の弾性波共振子を含み、第1フィルタ11を構成する上記2以上の弾性波共振子のうちアンテナ共通端子101側に配置された1以上の弾性波共振子を単体でアンテナ共通端子101側から見た場合の第2通過帯域における反射係数は、第3フィルタ13を構成する上記2以上の弾性波共振子のうちアンテナ共通端子101側に配置された1以上の弾性波共振子を単体でアンテナ共通端子101側から見た場合の第2通過帯域における反射係数よりも大きくてもよい。
Here, each of the
複数の弾性波共振子からなるフィルタにおいて、アンテナ共通端子101側から見た反射係数は、アンテナ共通端子101に最近接した1つの弾性波共振子の反射係数が支配的となる。これによれば、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を効果的に低減できる。
In a filter composed of a plurality of elastic wave resonators, the reflectance coefficient seen from the antenna
以下では、前段の第1フィルタ11で反射係数を増大させ、後段の第3フィルタで通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。
In the following, a combination of specific configurations in which the reflectance coefficient is increased by the
まず、弾性波共振子の構造の一例について説明する。 First, an example of the structure of the elastic wave resonator will be described.
[2.1 弾性波共振子構造]
図6は、実施の形態2に係るフィルタ共振子を模式的に表す平面図および断面図の一例である。図6では、本実施の形態に係る弾性波共振子(直列腕共振子および並列腕共振子)が、例えば、弾性表面波(SAW:Surface Acoustic Wave)共振子である場合を示している。なお、同図には、第1フィルタ11および第3フィルタ13を構成する複数の共振子のうち、1つの弾性波共振子の構造を表す平面摸式図および断面模式図が例示されている。なお、図6に示された弾性波共振子は、上記複数の共振子の典型的な構造を説明するためのものであって、電極を構成する電極指の本数や長さなどは、これに限定されない。
[2.1 Elastic wave resonator structure]
FIG. 6 is an example of a plan view and a cross-sectional view schematically showing the filter resonator according to the second embodiment. FIG. 6 shows a case where the surface acoustic wave resonators (series arm resonator and parallel arm resonator) according to the present embodiment are, for example, surface acoustic wave (SAW: Surface Acoustic Wave) resonators. Note that the figure illustrates a planar schematic diagram and a schematic cross-sectional view showing the structure of one elastic wave resonator among the plurality of resonators constituting the
第1フィルタ11および第3フィルタ13の各共振子は、圧電体層83を有する基板80と、櫛形形状を有するIDT(InterDigital Transducer)電極71aおよび71bとで構成されている。
Each resonator of the
図6の平面図に示すように、圧電体層83の上には、互いに対向する一対のIDT電極71aおよび71bが形成されている。IDT電極71aは、互いに平行な複数の電極指172aと、複数の電極指172aを接続するバスバー電極171aとで構成されている。また、IDT電極71bは、互いに平行な複数の電極指172bと、複数の電極指172bを接続するバスバー電極171bとで構成されている。複数の電極指172aおよび172bは、X軸方向と直交する方向に沿って形成されている。
As shown in the plan view of FIG. 6, a pair of
また、複数の電極指172aおよび172b、ならびに、バスバー電極171aおよび171bで構成されるIDT電極71は、図7の断面図に示すように、密着層72と主電極層73との積層構造となっている。
Further, the
密着層72は、圧電体層83と主電極層73との密着性を向上させるための層であり、材料として、例えば、Tiが用いられる。密着層72の膜厚は、例えば、10nm程度である。
The adhesion layer 72 is a layer for improving the adhesion between the
主電極層73は、材料として、例えば、Cuを1%含有したAlが用いられる。主電極層73の膜厚は、例えば130nm程度である。 As the material of the main electrode layer 73, for example, Al containing 1% of Cu is used. The film thickness of the main electrode layer 73 is, for example, about 130 nm.
保護膜84は、IDT電極71aおよび71bを覆うように形成されている。保護膜84は、主電極層73を外部環境から保護する、周波数温度特性を調整する、および、耐湿性を高めるなどを目的とする層であり、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。保護膜84の膜厚は、例えば30nm程度である。
The
なお、密着層72、主電極層73および保護膜84を構成する材料は、上述した材料に限定されない。さらに、IDT電極71は、上記積層構造でなくてもよい。IDT電極71は、例えば、Ti、Al、Cu、Pt、Au、Ag、Pdなどの金属または合金から構成されてもよく、また、上記の金属または合金から構成される複数の積層体から構成されてもよい。また、保護膜84は、形成されていなくてもよい。
The materials constituting the adhesion layer 72, the main electrode layer 73, and the
つぎに、基板80の積層構造について説明する。
Next, the laminated structure of the
図6の下段に示すように、基板80は、高音速支持基板81と、低音速膜82と、圧電体層83とを備え、高音速支持基板81、低音速膜82および圧電体層83がこの順で積層された構造(音速膜積層構造)を有している。
As shown in the lower part of FIG. 6, the
圧電体層83は、例えば、42°YカットX伝搬LiTaO3圧電単結晶または圧電セラミックス(X軸を中心軸としてY軸から42°回転した軸を法線とする面で切断したタンタル酸リチウム単結晶またはセラミックスであって、X軸方向に弾性表面波が伝搬する単結晶またはセラミックス)からなる。この場合、弾性波共振子は、リーキー波を弾性波として利用する。
The
また、圧電体層83は、例えば、128°YカットX伝搬LiNbO3圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、レイリー波を弾性波として利用する。
Further, the
また、圧電体層83は、例えば、YカットX伝搬LiNbO3圧電単結晶または圧電セラミックスからなる。この場合、弾性波共振子は、ラブ波を弾性波として利用する。
Further, the
なお、圧電体層83の単結晶材料、カット角、積層構造は、フィルタの要求仕様(通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性)などに応じて、適宜、選択される。
The single crystal material, cut angle, and laminated structure of the
高音速支持基板81は、低音速膜82、圧電体層83ならびにIDT電極71を支持する基板である。高音速支持基板81は、さらに、圧電体層83を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、高音速支持基板81中のバルク波の音速が高速となる基板であり、弾性表面波を圧電体層83および低音速膜82が積層されている部分に閉じ込め、高音速支持基板81より下方に漏れないように機能する。高音速支持基板81は、例えば、シリコン基板であり、厚みは、例えば200μmである。なお、高音速支持基板81は、(1)窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリコン、サファイア、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、または水晶等の圧電体、(2)アルミナ、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、またはフォルステライト等の各種セラミック、(3)マグネシアダイヤモンド、(4)上記各材料を主成分とする材料、ならびに、(5)上記各材料の混合物を主成分とする材料、のいずれかで構成されていてもよい。
The
低音速膜82は、圧電体層83を伝搬する弾性波の音速よりも、低音速膜82中のバルク波の音速が低速となる膜であり、圧電体層83と高音速支持基板81との間に配置される。この構造と、弾性波が本質的に低音速な媒質にエネルギーが集中するという性質とにより、弾性表面波エネルギーのIDT電極外への漏れが抑制される。低音速膜82は、例えば、二酸化ケイ素を主成分とする膜である。低音速膜82の厚みは、例えば500nm程度である。
The low
基板80の上記音速膜積層構造によれば、圧電基板を単層で使用している従来の構造と比較して、共振周波数および反共振周波数におけるQ値を大幅に高めることが可能となる。すなわち、Q値が高い弾性表面波共振子を構成し得るので、当該弾性表面波共振子を用いて、挿入損失が小さいフィルタを構成することが可能となる。
According to the above-mentioned sound velocity film laminated structure of the
なお、高音速支持基板81は、支持基板と、圧電体層83を伝搬する表面波や境界波の弾性波よりも、伝搬するバルク波の音速が高速となる高音速膜とが積層された構造を有していてもよい。この場合、支持基板は、サファイア、リチウムタンタレート、リチウムニオベイト、水晶等の圧電体、アルミナ、マグネシア、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト等の各種セラミック、ガラス等の誘電体またはシリコン、窒化ガリウム等の半導体及び樹脂基板等を用いることができる。また、高音速膜は、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、DLC膜またはダイヤモンド、上記材料を主成分とする媒質、上記材料の混合物を主成分とする媒質等、様々な高音速材料を用いることができる。
The high sound
なお、上記説明では、弾性波共振子を構成するIDT電極71は、圧電体層83を有する基板80上に形成された例を示したが、IDT電極71が形成される基板は、圧電体層83の単層からなる圧電基板であってもよい。この場合の圧電基板は、例えば、LiTaO3の圧電単結晶、または、LiNbO3などの他の圧電単結晶で構成される。
In the above description, the
また、IDT電極71が形成される基板は、圧電体層83を有する限り、全体が圧電体層からなるものの他、支持基板上に圧電体層が積層されている構造を用いてもよい。
Further, as long as the substrate on which the
ここで、IDT電極71の設計パラメータについて説明する。弾性表面波共振子の波長とは、図6の中段に示すIDT電極71を構成する複数の電極指172aまたは172bの繰り返し周期である波長λで規定される。また、電極ピッチは、波長λの1/2であり、IDT電極71aおよび71bを構成する電極指172aおよび172bのライン幅をWとし、隣り合う電極指172aと電極指172bとの間のスペース幅をSとした場合、(W+S)で定義される。また、IDT電極の交叉幅Lは、図6の上段に示すように、IDT電極71aの電極指172aとIDT電極71bの電極指172bとのX軸方向から見た場合の重複する電極指長さである。また、各共振子の電極デューティーは、複数の電極指172aおよび172bのライン幅占有率であり、複数の電極指172aおよび172bのライン幅とスペース幅との加算値に対する当該ライン幅の割合であり、W/(W+S)で定義される。
Here, the design parameters of the
[2.2 弾性波共振子構造_低域1における反射係数]
以下、第1フィルタ11で反射係数を増大させ、第3フィルタ13で通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を向上させる具体的構成の組み合わせを例示する。
[2.2 Elastic wave resonator structure_reflection coefficient in low frequency 1]
Hereinafter, a combination of specific configurations in which the reflection coefficient is increased by the
図7Aは、実施の形態2の変形例2に係る高周波フロントエンド回路の低域1における反射特性を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子のインピーダンス特性において、インピーダンスが極小値となる共振点、および、インピーダンスが極大値となる反共振点が確認される。ここで、共振点よりも低周波側の領域(図7Aの低域1)では、弾性波共振子の構造に応じてインピーダンスが異なり、当該インピーダンスの大小に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造、ならびに(4)上記音速膜積層構造、の方が、SMRまたはFBARよりも、低域1における反射係数損失が大きい。
FIG. 7A is a diagram for explaining the reflection characteristics in the
図7Bは、実施の形態2に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構成の組み合わせを表す図である。
FIG. 7B is a diagram showing a combination of configurations of the
上記反射係数の関係より、第1フィルタ11の第1通過帯域が、第2フィルタ12の第2通過帯域よりも高周波側に位置する場合、図7Bに示すように、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路において、第1フィルタ11では、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、および(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する構造としてもよい。
From the relationship of the reflection coefficient, when the first pass band of the
これにより、高周波フロントエンド回路において、第1フィルタ11の第2通過帯域(第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、第3フィルタ13の第2通過帯域(第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
As a result, in the high-frequency front-end circuit, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter 11 (pass band of the second filter 12) is changed to the second pass band of the third filter 13 (pass band of the second filter 12). It is possible to make it larger than the reflectance coefficient in. As a result, among the insertion losses in the second pass band of the
一方、第3フィルタ13では、弾性波共振子がSMRまたはFBARで構成されてもよい。
On the other hand, in the
これにより、第1フィルタ11の構成により第2フィルタ12の反射係数を増大させつつ、第3フィルタ13の上記構成により、第2フィルタ12の低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。
As a result, while increasing the reflection coefficient of the
また、図7Bに示すように、第1フィルタ11を構成する弾性波共振子のそれぞれは、上述した音速膜積層構造を有し、第3フィルタ13では、弾性波共振子がSMRまたはFBARで構成されてもよい。
Further, as shown in FIG. 7B, each of the elastic wave resonators constituting the
これにより、高周波フロントエンド回路において、第1フィルタ11の第2通過帯域(第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、第3フィルタ13の第2通過帯域(第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。第1フィルタ11の構成により第2フィルタ12の反射係数を増大させつつ、第3フィルタ13の上記構成により、第2フィルタ12の低損失性および通過帯域の急峻性を確保できる。
As a result, in the high-frequency front-end circuit, the reflectance coefficient in the second pass band of the first filter 11 (pass band of the second filter 12) is changed to the second pass band of the third filter 13 (pass band of the second filter 12). It is possible to make it larger than the reflectance coefficient in. Therefore, among the insertion losses in the second pass band of the
[2.3 弾性波共振子構造_高域1におけるバルク波漏洩]
図8Aは、実施の形態2の変形例1に係る高周波フロントエンド回路の高域1におけるバルク波漏洩を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の反共振点よりも高周波側の領域(図8Aの高域1)では、バルク波漏洩(不要波)によるインピーダンスの変化が発生し、当該インピーダンスの変化に応じて反射特性の優劣が存在する。より具体的には、高域1でのバルク波漏洩による反射損失は、小さい方から順に、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性波として利用する構造、SMR、FBAR、(2)音速膜積層構造、(3)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造、(4)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性波として利用する構造、となる。
[2.3 Elastic wave resonator structure_Bulk wave leakage in high frequency 1]
FIG. 8A is a diagram illustrating bulk wave leakage in the
図8Bは、実施の形態2の変形例1に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構成の組み合わせを表す図である。
FIG. 8B is a diagram showing a combination of configurations of the
上記反射損失の優劣順位により、第1フィルタ11の第1通過帯域が、第2フィルタ12の第2通過帯域よりも低周波側に位置する場合、図8Bに示すように、高周波フロントエンド回路の低周波側の第1フィルタ11では、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、(2)弾性波共振子がSMRで構成される、および(3)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであってもよい。
When the first pass band of the
これにより、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、第3フィルタ13の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
As a result, in the high-frequency front-end circuit, the reflection coefficient in the second pass band of the
一方、第3フィルタ13は、(1)上記音速膜積層構造、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、および(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、のいずれかを有していてもよい。
On the other hand, the
これにより、第1フィルタ11の構成により第1フィルタ11の反射係数を増大させつつ、第3フィルタ13を音速膜積層構造とした場合には、第3フィルタ13の低損失性および良好な温度特性を確保できる。また、第3フィルタ13においてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタ13の広い帯域幅を確保できる。
As a result, when the
また、第1フィルタ11では、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有し、第3フィルタ13では、(1)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、または(2)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。
Further, in the
これにより、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、第3フィルタ13の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数よりも大きくすることが可能となる。よって、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第3フィルタ13においてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタ13の広い帯域幅を確保できる。
As a result, in the high-frequency front-end circuit, the reflection coefficient in the second pass band of the
また、第1フィルタ11では、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有し、第3フィルタ13では、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。
Further, the
よって、高周波フロントエンド回路において、低周波側の第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、第3フィルタ13の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数よりも大きくすることが可能となる。これにより、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。さらに、第3フィルタ13においてLiNbO3によるラブ波を弾性表面波として利用した場合には、第3フィルタ13の広い帯域幅を確保できる。
Therefore, in the high-frequency front-end circuit, the reflectance coefficient in the second pass band of the
[2.4 弾性波共振子構造_低域2におけるスプリアス]
図9Aは、実施の形態2の変形例2に係る高周波フロントエンド回路の低域2におけるスプリアスの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも低周波側の領域(図9Aの低域2)では、特に、上記音速膜積層構造、または、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性波として利用する構造において、共振周波数の0.76倍付近にレイリー波のスプリアスが発生する。このスプリアス発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。
[2.4 Elastic wave resonator structure_spurious in low frequency 2]
FIG. 9A is a diagram illustrating the generation of spurious in the
図9Bは、実施の形態2の変形例2に係る第1フィルタおよび第3フィルタの構成の組み合わせを表す図である。 FIG. 9B is a diagram showing a combination of configurations of the first filter and the third filter according to the second modification of the second embodiment.
第1フィルタ11の第1通過帯域が、第2フィルタ12の第2通過帯域よりも高周波側に位置する場合、図9Bに示すように、第1フィルタ11は、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、および(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、第3フィルタ13は、弾性波共振子が、上記音速膜積層構造を有していてもよい。
When the first pass band of the
つまり、第3フィルタ13を音速膜積層構造とし、第1フィルタ11を音速膜積層構造としないことにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
That is, by making the
また、図9Bに示すように、第1フィルタ11は、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、(2)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、(3)上記音速膜積層構造、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、および(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、第3フィルタ13は、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。
Further, as shown in FIG. 9B, the
つまり、第3フィルタ13ではLiTaO3のリーキー波を弾性波として利用し、第1フィルタ11ではLiTaO3のリーキー波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
That is, the
[2.5 弾性波共振子構造_高域2における高次モード]
図10Aは、実施の形態2の変形例3に係る高周波フロントエンド回路の高域2における高次モードの発生を説明する図である。同図の下段に示すように、弾性波共振子の共振点よりも高周波側の領域(図10Aの高域2)では、特に、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、または、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造において、共振周波数の1.2倍付近に高次モードが発生する。この高次モード発生によりインピーダンスが変化し、当該インピーダンスの変化に応じて反射係数が小さくなる。
[2.5 Elastic wave resonator structure_higher-order mode in high frequency 2]
FIG. 10A is a diagram illustrating the generation of a higher-order mode in the
図10Bは、実施の形態2の変形例3に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構成の組み合わせを表す図である。
FIG. 10B is a diagram showing a combination of configurations of the
第1フィルタ11の第1通過帯域が、第2フィルタ12の第2通過帯域よりも低周波側に位置する場合、図10Bに示すように、第1フィルタ11は、(1)上記音速膜積層構造、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造、(4)SMR、および(5)FBAR、のいずれかを有し、第3フィルタ13は、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。
When the first pass band of the
つまり、第3フィルタ13ではLiNbO3のレイリー波と弾性波として利用し、第1フィルタ11ではLiNbO3のレイリー波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
That is, the
また、図10Bに示すように、第1フィルタ11は、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する構造、(2)上記音速膜積層構造、(3)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する構造、(4)SMR、および(5)FBARのいずれかを有しており、第3フィルタ13では、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する構造を有していてもよい。
Further, as shown in FIG. 10B, the
つまり、第3フィルタ13ではLiNbO3のラブ波と弾性波として利用し、第1フィルタ11ではLiNbO3のラブ波を弾性波として利用しないことにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を、大きくできる。よって、高周波フロントエンド回路において、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
That is, the
[2.6 弾性波共振子構造パラメータの調整]
図11Aは、実施の形態2に係る第1フィルタ11の高次モードによる反射損失の劣化を表すグラフである。同図に示すように、アンテナ共通端子101(Port1)から見た第1フィルタ11の反射損失は、共振点の高域側において、高次モードにより増大する(図11Aの破線領域)。ここで、高次モードにより反射損失が増大する周波数を、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高周波側または低周波側へシフトさせることが可能である。または、弾性波共振子の構造パラメータを変化させることにより、高次モードにより反射損失の増大を抑制することが可能である。
[2.6 Adjustment of elastic wave resonator structural parameters]
FIG. 11A is a graph showing the deterioration of the reflection loss due to the higher-order mode of the
この観点から、発明者らは、反射特性に影響の大きい第1フィルタ11では、構造パラメータを変化させることで高次モードやスプリアスなどの発生周波数を第2フィルタ12の通過帯域外へとシフトさせ、反射特性に影響の小さい第3フィルタ13では、通過特性、減衰特性、温度特性、および帯域幅などのフィルタ特性を確保するために構造パラメータを最適化することを見出した。
From this point of view, in the
図11Bは、実施の形態2の変形例4に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構造を異ならせるパラメータを表す図である。
FIG. 11B is a diagram showing parameters that make the structures of the
第1フィルタ11を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層83を有する基板80と当該基板上に形成されたIDT電極71とで構成された弾性表面波共振子である。第1フィルタ11および第3フィルタでは、図11Bに示すように、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、第1フィルタ11を構成するIDT電極71と、第3フィルタ13を構成するIDT電極71とでは、電極膜厚またはデューティーが異なる。
Each of the elastic wave resonators constituting the
LiTaO3のリーキー波を弾性波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第1フィルタ11と第3フィルタ13とで、IDT電極71の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第1フィルタ11におけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を大きくでき、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
When the leaky wave of LiTaO 3 is used as an elastic wave, a Rayleigh wave spurious is generated on the low frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the electrode thickness or duty of the
また、第1フィルタ11および第3フィルタ13では、図11Bに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、第1フィルタ11と第3フィルタ13とでは、IDT電極71の電極膜厚、IDT電極71のデューティー、および低音速膜82の膜厚、のいずれかが異なってもよい。
Further, in the
音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の低周波側にレイリー波のスプリアスが発生する。これに対して、第1フィルタ11と第3フィルタ13とで、IDT電極71の電極膜厚またはデューティーを異ならせることにより、第1フィルタ11におけるレイリー波スプリアスの発生周波数を、第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(低周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を大きくでき、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
When a sonic film laminated structure is adopted, Rayleigh wave spurious is generated on the low frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the electrode thickness or duty of the
図11Cは、実施の形態2の変形例5に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構造を異ならせるパラメータを表す図である。
FIG. 11C is a diagram showing parameters that make the structures of the
第1フィルタ11および第3フィルタ13を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層83を有する基板80と当該基板上に形成されたIDT電極71と当該IDT電極71上に形成された保護膜84で構成された弾性表面波共振子である。低周波側の第1フィルタ11および第3フィルタ13では、図11Cに示すように、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波、または、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第1フィルタ11と第3フィルタ13とでは、IDT電極71の電極膜厚、IDT電極71のデューティー、および保護膜84の膜厚、のいずれかが異なる。
Each of the surface acoustic wave resonators constituting the
LiNbO3のレイリー波、またはLiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第1フィルタ11と第3フィルタ13とで、IDT電極71の電極膜厚、IDT電極71のデューティー、または低音速膜82の膜厚を異ならせることにより、第1フィルタ11における高次モードの発生周波数を、第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を大きくでき、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
Rayleigh waves LiNbO 3, or when utilizing Love waves of LiNbO 3 as a surface acoustic wave, high-order mode occurs in the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonators. On the other hand, by making the electrode film thickness of the
また、第1フィルタ11および第3フィルタ13では、図11Cに示すように、弾性波共振子が上記音速膜積層構造を有し、高音速支持基板81はシリコン結晶で構成され、第1フィルタ11と第3フィルタ13とでは、圧電体層83の膜厚、低音速膜82の膜厚、および高音速支持基板81のシリコン結晶方位、のいずれかが異なってもよい。
Further, in the
音速膜積層構造を採用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側に高次モードが発生する。これに対して、第1フィルタ11と第3フィルタ13とで、圧電体層83の膜厚、低音速膜82の膜厚、または高音速支持基板81のシリコン結晶方位を異ならせることにより、第1フィルタ11における高次モードの発生周波数を、第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を大きくでき、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
When the sound velocity film laminated structure is adopted, a high-order mode is generated on the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, the
図12は、実施の形態2の変形例6に係る第1フィルタ11および第3フィルタ13の構造を異ならせるパラメータを表す図である。
FIG. 12 is a diagram showing parameters that make the structures of the
第1フィルタ11および第3フィルタ13を構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層83を有する基板80と当該基板上に形成されたIDT電極71とで構成された弾性表面波共振子である。第1フィルタ11および第3フィルタ13では、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波、または、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用し、第1フィルタ11と第3フィルタ13とでは、IDT電極71の電極膜厚が異なる。
Each of the elastic wave resonators constituting the
LiTaO3のリーキー波またはLiNbO3のラブ波を弾性表面波として利用する場合には、弾性波共振子の共振周波数の高周波側にバルク波(不要波)が発生する。これに対して、第1フィルタ11と第3フィルタ13とで、IDT電極71の電極膜厚を異ならせることにより、第1フィルタ11におけるバルク波の発生周波数を、第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)外へとシフトさせることが可能となる。これにより、第1フィルタ11の第2通過帯域(高周波側の第2フィルタ12の通過帯域)における反射係数を大きくでき、第2フィルタ12の第2通過帯域における挿入損失のうちの、第1フィルタ11、第3フィルタ13、またはその両方に起因した挿入損失を低減できる。
When a leaky wave of LiTaO 3 or a love wave of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave, a bulk wave (unnecessary wave) is generated on the high frequency side of the resonance frequency of the elastic wave resonator. On the other hand, by making the electrode film thickness of the
(実施の形態3)
本実施の形態では、アンテナ共通端子に接続された分波回路と、当該分波回路の後段に配置された各バンドに対応したフィルタとで構成された高周波フロントエンド回路の低損失化および小型化を実現する構成を説明する。
(Embodiment 3)
In the present embodiment, the loss reduction and miniaturization of the high-frequency front-end circuit composed of the demultiplexing circuit connected to the antenna common terminal and the filter corresponding to each band arranged in the subsequent stage of the demultiplexing circuit are reduced. The configuration that realizes the above will be described.
図13Aは、実施の形態3に係る高周波フロントエンド回路6の回路構成図である。同図に示された高周波フロントエンド回路6は、アンテナ共通端子101と、LBフィルタ11Lと、MBフィルタ11Mと、HBフィルタ11Hと、B3用のフィルタ13bと、B30用の13fと、LNA31、32および34とを備える。
FIG. 13A is a circuit configuration diagram of the high frequency front end circuit 6 according to the third embodiment. The high-frequency front-end circuit 6 shown in the figure includes an antenna
LBフィルタ11L、MBフィルタ11M、およびHBフィルタ11Hは、アンテナ素子に接続される分波回路である。
The
LBフィルタ11Lは、ローバンド帯(例えば2GHz以下)を通過帯域とする低域通過側フィルタである。
The
HBフィルタ11Hは、ハイバンド帯(例えば2.3GHz以上)を通過帯域とする高域通過側フィルタである。
The
MBフィルタ11Mは、Band66(2110−2200MHz)を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。
The
フィルタ13bは、Band3(1805−1880MHz)を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。
The
フィルタ13fは、Band30(2350−2360MHz)を通過帯域とする帯域通過型フィルタである。
The
ここで、Band66の通過帯域(2110−2200MHz)は、Band1の通過帯域(2110−2170MHz)およびBand4の通過帯域(2110−2155MHz)を含む関係にある。 Here, the pass band of Band 66 (2110-2200 MHz) includes the pass band of Band 1 (2110-2170 MHz) and the pass band of Band 4 (2110-2155 MHz).
これにより、Band1およびBand4の信号伝搬経路を、Band66の信号伝搬経路で共用させることが可能となる。つまり、MBフィルタ11MからLNA31までの信号経路上を、Band1およびBand4の高周波信号が伝搬する。
As a result, the signal propagation paths of
なお、上記回路構成において、CA動作をする組み合わせとしては、Band1とBand3とのCA動作、および、Band4とBand30とのCA動作である。つまり、周波数帯域が重複するBand1とBand4とはCA動作しない。
In the above circuit configuration, the combination of CA operations is the CA operation of
図13Bは比較例に係る高周波フロントエンド回路600の回路構成図である。Band1とBand3とのCA動作、および、Band4とBand30とのCA動作を実現する回路構成としては、従来、比較例に係る高周波フロントエンド回路600が提示されていた。高周波フロントエンド回路600は、アンテナ共通端子101と、スイッチ21と、B1用のフィルタ13p、B3用のフィルタ13b、B4用のフィルタ13p、およびB30用のフィルタ13fと、LNA31、32、31、および34とを備える。この構成において、スイッチ21に切り替えにより、Band1とBand3とのCA動作、または、Band4とBand30とのCA動作が選択される。
FIG. 13B is a circuit configuration diagram of the high frequency
このようなCA動作を実施する場合、比較例に示すように、B1用のフィルタ13pとB4用のフィルタ13pとを別途用意し、スイッチ21により切り替えることで対応することが一般的である。しかしながら、Band1とBand4とは、通過帯域が大きく重複しているため、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路6のように、広帯域のMBフィルタ11Mを用いることでフィルタを共用化できる。これに対して、比較例では、占有面積上で無駄が生じている。
When such a CA operation is performed, as shown in a comparative example, it is common to separately prepare a
つまり、本実施の形態に係る高周波フロントエンド回路6によれば、Band1およびBand4の高周波信号を、Band66を通過帯域とするMBフィルタ11Mで共用化できる。これにより、複数バンドの通過帯域を1つのバンドパスフィルタで実現することで、省スペース化が達成される。さらに、Band1およびBand4の高周波信号が通過するフィルタの数を低減できるため、高周波信号の伝搬損失を改善できる。
That is, according to the high-frequency front-end circuit 6 according to the present embodiment, the high-frequency signals of
(その他の変形例など)
以上、本発明の実施の形態に係るマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置について、実施の形態およびその変形例を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態および変形例における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る高周波フロントエンド回路および通信装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。
(Other variants, etc.)
The multiplexer, high-frequency front-end circuit, and communication device according to the embodiment of the present invention have been described above with reference to the embodiments and modifications thereof. However, the present invention has any configuration in the embodiments and modifications. Another embodiment realized by combining the elements, a modification obtained by applying various modifications that a person skilled in the art can think of without departing from the gist of the present invention, and a high frequency according to the present invention. Various devices incorporating a front-end circuit and a communication device are also included in the present invention.
例えば、上記説明では、マルチプレクサとして、2つの受信信号経路が共通端子で共通接続された2分波/合波回路を例に説明したが、本発明は、例えば、送信経路および受信経路の双方を含む回路や3つ以上の信号経路が共通端子で共通接続された分波/合波回路についても適用することができる。 For example, in the above description, as a multiplexer, a two-segment / duplex circuit in which two reception signal paths are commonly connected at a common terminal has been described as an example, but the present invention describes, for example, both a transmission path and a reception path. It can also be applied to a circuit including the circuit and a demultiplexing / multiplexing circuit in which three or more signal paths are commonly connected by a common terminal.
また、マルチプレクサが有する各フィルタにおいて、さらに、入出力端子および接地端子などの各端子の間に、インダクタやキャパシタが接続されていてもよいし、抵抗素子などのインダクタおよびキャパシタ以外の回路素子が付加されていてもよい。 Further, in each filter of the multiplexer, an inductor or a capacitor may be connected between each terminal such as an input / output terminal and a ground terminal, and an inductor such as a resistor element and a circuit element other than the capacitor are added. It may have been done.
本発明は、マルチバンド化およびマルチモード化された周波数規格に適用できる低損失、小型および低コストのマルチプレクサ、高周波フロントエンド回路および通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。 The present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as low-loss, compact and low-cost multiplexers, high-frequency front-end circuits and communication devices applicable to multi-band and multi-mode frequency standards.
1、2、2A、2B、2C、2D、6、600 高周波フロントエンド回路
3 通信装置
10、14 分波回路
10A ローパスフィルタ
10B ハイパスフィルタ
11 第1フィルタ
11A、11L1 MLBフィルタ
11B、11M2 MBbフィルタ
11C、11MH1 MHBaフィルタ
11D、11H2 HBbフィルタ
11H HBフィルタ
11H1 HBaフィルタ
11L LBフィルタ
11M MBフィルタ
11M1 MBaフィルタ
11X、12H 通過帯域
12 第2フィルタ
13 第3フィルタ
13a、13b、13c、13d、13e、13f、13g、13h、13j、13k、13p フィルタ
13r1 受信フィルタ
13t、13t1 送信フィルタ
15 フィルタ回路
21、22、21A、21C、21D、21E、21F、21G、22A、22B、22C、22D スイッチ
21a、12b 選択端子
21c 共通端子
30 増幅回路
31、32、33、34、35、36 LNA
71、71a、71b IDT電極
72 密着層
73 主電極層
80 基板
81 高音速支持基板
82 低音速膜
83 圧電体層
84 保護膜
101 アンテナ共通端子
102、103 入出力端子
171a、171b バスバー電極
172a、172b 電極指
1,2,2A, 2B, 2C, 2D, 6,600 High-frequency front-end circuit 3
71, 71a, 71b IDT electrode 72 Adhesion layer 73
Claims (31)
第1入出力端子および第2入出力端子と、
第1端子および第2端子を有し、第1通過帯域を有し、前記第1端子が前記アンテナ共通端子に接続される第1フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第2入出力端子との間に配置され、前記第1通過帯域と異なる第2通過帯域を有する第2フィルタと、
共通端子および複数の選択端子を有し、前記共通端子が前記第2端子に接続されたスイッチと、
前記複数の選択端子のうちの第1選択端子に接続され、前記スイッチと前記第1入出力端子との間に配置された第3フィルタと、を備え、
前記第1フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数は、前記第3フィルタを単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数よりも大きい、
高周波フロントエンド回路。 Antenna common terminal connected to the antenna element and
The first input / output terminal and the second input / output terminal,
A first filter having a first terminal and a second terminal, having a first pass band, and the first terminal being connected to the antenna common terminal,
A second filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the second input / output terminal, and having a second pass band different from the first pass band,
A switch that has a common terminal and a plurality of selection terminals, and the common terminal is connected to the second terminal.
A third filter connected to the first selection terminal among the plurality of selection terminals and arranged between the switch and the first input / output terminal is provided.
The reflectance coefficient in the second pass band when the first filter is viewed alone from the antenna common terminal side is in the second pass band when the third filter is viewed alone from the antenna common terminal side. Greater than the reflectance coefficient,
High frequency front end circuit.
前記第1フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数は、前記第3フィルタを構成する前記2以上の弾性波共振子のうち前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子を単体で前記アンテナ共通端子側から見た場合の前記第2通過帯域における反射係数よりも大きい、
請求項1に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the third filter contains two or more elastic wave resonators.
The second passage when one or more elastic wave resonators arranged on the antenna common terminal side among the two or more elastic wave resonators constituting the first filter are viewed alone from the antenna common terminal side. Regarding the reflectance coefficient in the band, one or more elastic wave resonators arranged on the antenna common terminal side among the two or more elastic wave resonators constituting the third filter are viewed from the antenna common terminal side as a single unit. Greater than the reflectance coefficient in the second pass band of the case,
The high frequency front end circuit according to claim 1.
前記アンテナ共通端子側に配置された1以上の弾性波共振子は、直列腕共振子および並列腕共振子の少なくとも一方を含む、
請求項1または2に記載の高周波フロントエンド回路。 At least one of the first filter and the third filter has a ladder type filter structure.
One or more elastic wave resonators arranged on the antenna common terminal side include at least one of a series arm resonator and a parallel arm resonator.
The high frequency front end circuit according to claim 1 or 2.
請求項1〜3のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 At least one of the first filter and the third filter has a vertically coupled filter structure.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 3.
前記第2フィルタと前記第2増幅回路との間には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項1〜4のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The second input / output terminal is connected to the second amplifier circuit.
No filter circuit is arranged between the second filter and the second amplifier circuit.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 4.
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、をさらに備え、
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、および前記第4フィルタは、トリプレクサを構成し、
前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、および前記第3通過帯域は、ローバンド(LB:698−960MHz)、ミドルバンド(MBa:1710−2200MHz)、ハイバンド(HBa:2300−2690MHz)に適用され、
前記第1通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 With the third input / output terminal
A fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band is further provided.
The first filter, the second filter, and the fourth filter constitute a triplexer.
The first pass band, the second pass band, and the third pass band are applied to the low band (LB: 698-960 MHz), the middle band (MBa: 1710-2200 MHz), and the high band (HBa: 2300-2690 MHz). Being done
The first pass band is any of the low band, the middle band, and the high band.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 5.
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ローバンド(LB:698−960MHz)、ミドルバンド(MBa:1710−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、
前記第1通過帯域は、前記ローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 With the 3rd input / output terminal and the 4th input / output terminal,
A fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band,
A fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band is further provided.
The first filter, the second filter, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer.
The first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are a low band (LB: 698-960 MHz), a middle band (MBa: 1710-2200 MHz), and a middle high band (MHBa:: 2300-2400MHz), applied to high band (HBb: 2496-2690MHz),
The first pass band is any one of the low band, the middle band, the middle high band, and the high band.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 5.
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、
前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、前記ミドルハイバンド、および前記ハイバンドのいずれかである、
請求項1〜5のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 With the 3rd input / output terminal and the 4th input / output terminal,
A fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band,
A fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band is further provided.
The first filter, the second filter, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer.
The first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low band (MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), and middle high band. (MHBa: 2300-2400MHz or MHBb: 2300-2370MHz), applied to the high band (HBb: 2496-2690MHz),
The first pass band is any one of the middle low band, the middle band, the middle high band, and the high band.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 5.
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、をさらに備え、
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、
前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ハイバンドのいずれかであり、
前記第2通過帯域は、前記ミドルハイバンドであり、
前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項5に記載の高周波フロントエンド回路。 With the 3rd input / output terminal and the 4th input / output terminal,
A fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band,
A fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band is further provided.
The first filter, the second filter, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer.
The first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low band (MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), and middle high band. (MHBa: 2300-2400MHz or MHBb: 2300-2370MHz), applied to the high band (HBb: 2496-2690MHz),
The first pass band is any of the middle low band, the middle band, and the high band.
The second pass band is the middle high band.
No filter circuit is arranged on the signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit.
The high frequency front end circuit according to claim 5.
請求項9に記載の高周波フロントエンド回路。 The signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit is a path for transmitting and receiving Band 40a (reception band: 2300-2370 MHz).
The high frequency front end circuit according to claim 9.
請求項9に記載の高周波フロントエンド回路。 The signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit is a path for transmitting and receiving Band 40 (reception band: 2300-2400 MHz).
The high frequency front end circuit according to claim 9.
第3入出力端子および第4入出力端子と、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第3入出力端子との間に配置され、第3通過帯域を有する第4フィルタと、
前記アンテナ共通端子に接続され、前記アンテナ共通端子と前記第4入出力端子との間に配置され、第4通過帯域を有する第5フィルタと、を備え、
前記第1フィルタ、前記第2フィルタ、前記第4フィルタ、および前記第5フィルタはクワッドプレクサを構成し、
前記第1通過帯域、前記第2通過帯域、前記第3通過帯域、および前記第4通過帯域は、ミドルローバンド(MLB:1475.9−2025MHz)、ミドルバンド(MBb:2110−2200MHz)、ミドルハイバンド(MHBa:2300−2400MHzまたはMHBb:2300−2370MHz)、ハイバンド(HBb:2496−2690MHz)に適用され、
前記第1通過帯域は、前記ミドルローバンド、前記ミドルバンド、および前記ミドルハイバンドのいずれかであり、
前記第2通過帯域は、前記ハイバンドであり、
前記第2フィルタと前記第2増幅回路とを接続する信号経路上には、フィルタ回路が配置されていない、
請求項5に記載の高周波フロントエンド回路。 further,
With the 3rd input / output terminal and the 4th input / output terminal,
A fourth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the third input / output terminal, and having a third pass band,
A fifth filter connected to the antenna common terminal, arranged between the antenna common terminal and the fourth input / output terminal, and having a fourth pass band is provided.
The first filter, the second filter, the fourth filter, and the fifth filter constitute a quad plexer.
The first pass band, the second pass band, the third pass band, and the fourth pass band are middle low band (MLB: 1475.9-2025 MHz), middle band (MBb: 2110-2200 MHz), and middle high band. (MHBa: 2300-2400MHz or MHBb: 2300-2370MHz), applied to the high band (HBb: 2496-2690MHz),
The first pass band is any one of the middle low band, the middle band, and the middle high band.
The second pass band is the high band.
No filter circuit is arranged on the signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit.
The high frequency front end circuit according to claim 5.
請求項10に記載の高周波フロントエンド回路。 The signal path connecting the second filter and the second amplifier circuit is a path for transmitting and receiving Band 41 (reception band: 2494-2690 MHz).
The high frequency front end circuit according to claim 10.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタを構成する前記1以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、(2)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、および(3)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、のいずれかを弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
Each of the one or more surface acoustic wave resonators constituting the first filter is a surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter, (1) a Rayleigh wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 , (2) a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 , and (3) the piezoelectric wave made of LiNbO 3. Use one of the Rayleigh waves propagating in the body layer as a surface acoustic wave,
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
請求項14に記載の高周波フロントエンド回路。 In the third filter, the elastic wave resonator is composed of SMR (Solidly Mountain Resonator) or FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator).
The high frequency front end circuit according to claim 14.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタを構成する前記1以上の弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタでは、弾性波共振子が、前記IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第3フィルタでは、弾性波共振子がSMRまたはFBARで構成される、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
Each of the one or more surface acoustic wave resonators constituting the first filter is a surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter, the elastic wave resonator propagates at a speed higher than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer and the piezoelectric layer having the IDT electrode formed on one of the main surfaces. It is composed of a high-pitched sound support substrate and a low-pitched sound film which is arranged between the high-pitched sound support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity is lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. Has a sound velocity film laminated structure
In the third filter, the elastic wave resonator is composed of SMR or FBAR.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)弾性波共振子がSMRで構成される、および(3)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかである、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
In the first filter, (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as elastic surface waves, (2) elastic wave resonators are composed of SMRs, and (3) elastic wave resonances. The child is either composed of FBAR,
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
請求項17に記載の高周波フロントエンド回路。 In the third filter, (1) the surface acoustic wave resonator propagates at a speed higher than that of the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one of the main surfaces and the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. It is composed of a high-pitched sound support substrate, and a low-pitched sound film which is arranged between the high-pitched sound support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity propagates lower than the surface acoustic wave propagating in the piezoelectric layer. (2) A leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave, and (3) a love wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 is elastic. It is either used as a surface wave,
The high frequency front end circuit according to claim 17.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタでは、弾性波共振子が、前記IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第3フィルタでは、(1)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
Each of the first filter and the elastic wave resonator constituting the third filter is an elastic surface wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter, the elastic wave resonator propagates at a speed higher than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer and the piezoelectric layer having the IDT electrode formed on one of the main surfaces. It is composed of a high-pitched sound support substrate and a low-pitched sound film which is arranged between the high-pitched sound support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity is lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. Has a sound velocity film laminated structure
In the third filter, (1) a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave, or (2) a love wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave. Use as a wave,
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタを構成する弾性波共振子のそれぞれは、圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタでは、LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、
前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
Each of the first filter and the elastic wave resonator constituting the third filter is an elastic surface wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter, a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave.
In the third filter, a surface acoustic wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、および(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、
前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
In the first filter, (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as surface acoustic waves, and (2) leaky waves propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 are used as surface acoustic waves. , (3) Utilizes the Rayleigh wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 as an elastic surface wave, (4) The elastic wave resonator is composed of SMR, and (5) The elastic wave resonator is FBAR. Is composed of,
In the third filter, the elastic wave resonator has a high bulk wave sound velocity propagating faster than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the piezoelectric layer. A sound velocity composed of a sound velocity support substrate and a bass sound film arranged between the high tone velocity support substrate and the piezoelectric layer and having a bulk wave sound velocity lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. Has a film laminated structure,
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(3)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、
前記第3フィルタでは、LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the higher frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
In the first filter, (1) Rayleigh waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as surface acoustic waves, and (2) love waves propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 are used as surface acoustic waves. (3) The surface acoustic wave resonator propagates in a piezoelectric layer in which an IDT electrode is formed on one of the main surfaces, and the bulk wave sound velocity propagating is faster than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. A sound velocity film composed of a support substrate and a low sound velocity film which is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and whose bulk wave sound velocity propagates lower than the surface acoustic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. It has a laminated structure, (4) the surface acoustic wave resonator is composed of SMR, and (5) the surface acoustic wave resonator is composed of FBAR.
In the third filter, a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタでは、(1)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(2)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(3)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、
前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
In the first filter, (1) the bulk wave sound velocity propagated by the elastic wave resonator is faster than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the piezoelectric layer. It is composed of a high-sound velocity support substrate, and a low-sound velocity film which is arranged between the high-sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and has a bulk wave sound velocity lower than the elastic wave sound velocity propagating in the piezoelectric layer. (2) A leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave, and (3) a love wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave. It is used as a wave, (4) the surface acoustic wave resonator is composed of SMR, and (5) the surface acoustic wave resonator is composed of FBAR.
In the third filter, a Rayleigh wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as a surface acoustic wave.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタのそれぞれは、1以上の弾性波共振子を含み、
前記第1フィルタでは、(1)LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するレイリー波を弾性表面波として利用する、(2)弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有する、(3)LiTaO3からなる圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用する、(4)弾性波共振子がSMRで構成される、ならびに(5)弾性波共振子がFBARで構成される、のいずれかであり、
前記第3フィルタでは、LiNbO3からなる圧電体層を伝搬するラブ波を弾性表面波として利用する、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first pass band is located on the lower frequency side than the second pass band.
Each of the first filter and the third filter contains one or more elastic wave resonators.
In the first filter, (1) a Rayleigh wave propagating in a piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave, and (2) an elastic wave resonator is formed on one main surface of an IDT electrode. The piezoelectric layer, the high-sound velocity support substrate in which the bulk wave sound velocity propagating is faster than the surface acoustic wave propagating in the piezoelectric layer, and the piezoelectric body arranged between the high-sound velocity support substrate and the piezoelectric layer. Surface acoustic wave propagating in the layer Bulk wave propagating at a sound velocity slower than the sound velocity. It has a sound velocity film laminated structure composed of a low-pitched sound film. (3) A leaky wave propagating in a piezoelectric layer made of LiTaO 3 is an elastic surface. It is used as a wave, (4) the surface acoustic wave resonator is composed of SMR, and (5) the surface acoustic wave resonator is composed of FBAR.
In the third filter, a surface acoustic wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is used as an elastic surface wave.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波を弾性表面波として利用し、
前記第1フィルタを構成する前記IDT電極と、前記第3フィルタを構成する前記IDT電極とでは、膜厚またはデューティーが異なる、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter
A surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter and the third filter, a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 is used as a surface acoustic wave.
The film thickness or duty is different between the IDT electrode constituting the first filter and the IDT electrode constituting the third filter.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚、前記IDT電極のデューティー、および前記低音速膜の膜厚、のいずれかが異なる、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter
A surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter and the third filter, the elastic wave resonator is a bulk wave propagating from the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer. A high sound velocity support substrate having a high sound velocity, and a low sound velocity whose bulk wave sound velocity, which is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and propagates, is slower than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer. It has a sound velocity film laminated structure composed of films,
The film thickness of the IDT electrode, the duty of the IDT electrode, and the film thickness of the bass sound film are different between the first filter and the third filter.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極と当該IDT電極上に形成された保護膜で構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、(1)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するレイリー波、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、
前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚、前記IDT電極のデューティー、および前記保護膜の膜厚、のいずれかが異なる、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter
A surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer, an IDT electrode formed on the substrate, and a protective film formed on the IDT electrode.
In the first filter and said third filter, (1) the Rayleigh wave, or (2) Love wave propagating through the piezoelectric layer made of LiNbO 3, the surface acoustic wave propagating through the piezoelectric layer made of LiNbO 3 Use as
The film thickness of the IDT electrode, the duty of the IDT electrode, and the film thickness of the protective film are different between the first filter and the third filter.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、弾性波共振子が、IDT電極が一方の主面上に形成された前記圧電体層、前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が高速である高音速支持基板、および前記高音速支持基板と前記圧電体層との間に配置され前記圧電体層を伝搬する弾性波音速よりも伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜で構成された音速膜積層構造を有し、
前記高音速支持基板はシリコン結晶で構成され、
前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記圧電体層の膜厚、前記低音速膜の膜厚、および前記高音速支持基板のシリコン結晶方位、のいずれかが異なる、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter
A surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter and the third filter, the elastic wave resonator is a bulk wave propagating from the piezoelectric layer in which the IDT electrode is formed on one main surface and the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer. A high sound velocity support substrate having a high sound velocity, and a low sound velocity whose bulk wave sound velocity, which is arranged between the high sound velocity support substrate and the piezoelectric layer and propagates, is slower than the elastic wave sound velocity propagating through the piezoelectric layer. It has a sound velocity film laminated structure composed of films,
The hypersonic support substrate is composed of silicon crystals.
The first filter and the third filter differ in any one of the film thickness of the piezoelectric layer, the film thickness of the hypersonic film, and the silicon crystal orientation of the hypersonic support substrate.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
圧電体層を有する基板と当該基板上に形成されたIDT電極とで構成された弾性表面波共振子であり、
前記第1フィルタおよび前記第3フィルタでは、(1)LiTaO3からなる前記圧電体層を伝搬するリーキー波、または(2)LiNbO3からなる前記圧電体層を伝搬するラブ波、を弾性表面波として利用し、
前記第1フィルタと前記第3フィルタとでは、前記IDT電極の膜厚が異なる、
請求項1〜13のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 Each of the first filter and the two or more elastic wave resonators constituting the third filter
A surface acoustic wave resonator composed of a substrate having a piezoelectric layer and an IDT electrode formed on the substrate.
In the first filter and the third filter, (1) a leaky wave propagating in the piezoelectric layer made of LiTaO 3 or (2) a love wave propagating in the piezoelectric layer made of LiNbO 3 is a surface acoustic wave. Use as
The film thickness of the IDT electrode is different between the first filter and the third filter.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 13.
前記第2入出力端子に接続された第2増幅回路と、をさらに備える、
請求項1〜29のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路。 The first amplifier circuit connected to the first input / output terminal and
A second amplifier circuit connected to the second input / output terminal is further provided.
The high frequency front end circuit according to any one of claims 1 to 29.
前記アンテナ素子と前記RF信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項1〜30のいずれか1項に記載の高周波フロントエンド回路と、を備える、
通信装置。 An RF signal processing circuit that processes high-frequency signals transmitted and received by the antenna element, and
The high-frequency front-end circuit according to any one of claims 1 to 30, which transmits the high-frequency signal between the antenna element and the RF signal processing circuit.
Communication device.
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