JP6814558B2

JP6814558B2 - Electrical connection device and contact

Info

Publication number: JP6814558B2
Application number: JP2016126481A
Authority: JP
Inventors: 寿男成田; 治新井; 神谷　浩; 浩神谷
Original assignee: Micronics Japan Co Ltd
Current assignee: Micronics Japan Co Ltd
Priority date: 2016-06-27
Filing date: 2016-06-27
Publication date: 2021-01-20
Anticipated expiration: 2036-06-27
Also published as: JP2018004260A

Description

本発明は、電気的接続装置及び接触子に関する技術である。 The present invention is a technique relating to an electrical connection device and a contactor.

例えば、半導体ウェハに形成されている複数の集積回路の電気的特性の検査には、電気的接続装置としてのプローブカードが用いられる。 For example, a probe card as an electrical connection device is used for inspecting the electrical characteristics of a plurality of integrated circuits formed on a semiconductor wafer.

プローブカードは絶縁基板の下面に複数の接触子（プローブ）を配置して構成されており、プローブカードは各集積回路（被検査体）を検査する検査装置に組み付けられ、プローブカードの各接触子が各集積回路の各電極に押し付けられて、各集積回路の電気的特性を検査している。 The probe card is configured by arranging a plurality of contacts (probes) on the lower surface of the insulating substrate, and the probe card is assembled to an inspection device that inspects each integrated circuit (object to be inspected), and each contact of the probe card. Is pressed against each electrode of each integrated circuit to inspect the electrical characteristics of each integrated circuit.

従来、電気的接続装置としてのプローブカードには、被検査体の各電極に対して垂直に各接触子を電気的に接触させる垂直型プローブカードと呼ばれるものがある。さらに、垂直型プローブカードに用いられる接触子（プローブ）には、スプリングタイプと、ニードルタイプとがある。 Conventionally, a probe card as an electrical connection device includes a probe card called a vertical probe card in which each contactor is electrically contacted perpendicularly to each electrode of an inspected object. Further, the contacts (probes) used for the vertical probe card include a spring type and a needle type.

スプリングタイプの接触子は、被検査体に対して垂直方向に弾性を有するため、被検査体の電極に対して弾性的に確実に接触できる。 Since the spring type contactor has elasticity in the direction perpendicular to the object to be inspected, it can be elastically and surely contacted with the electrode of the inspected object.

ニードルタイプの接触子は、線状（棒状）であるため、狭ピッチに配置された被検査体の電極に対して確実に電気的に接触できるが、垂直方向に弾性を持たせることは難しい。そのため、特許文献１に記載されるように、線状に形成した接触子を局部的に湾曲させることで、接触子に弾性を持たせている。 Since the needle type contactor has a linear shape (rod shape), it can reliably electrically contact the electrodes of the object to be inspected arranged at a narrow pitch, but it is difficult to give elasticity in the vertical direction. Therefore, as described in Patent Document 1, the contacts formed in a linear shape are locally curved to give the contacts elasticity.

図２は、従来の湾曲させたニードルタイプの接触子の構成を説明する説明図である。図２に示すように、各接触子３４の上部を支持する上段板（トップ板）４３の支持穴４３Ａの位置と、各接触子３４の下部を支持する下段板（ボトム板）４１の支持穴４１Ａの位置とが水平方向において相対的にずれて配置される。そのため、各接触子３４は湾曲し、各接触子３４は弾性を有する。 FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a configuration of a conventional curved needle type contactor. As shown in FIG. 2, the position of the support hole 43A of the upper plate (top plate) 43 that supports the upper part of each contactor 34 and the support hole of the lower plate (bottom plate) 41 that supports the lower part of each contactor 34. The position of 41A is arranged so as to be relatively offset in the horizontal direction. Therefore, each contactor 34 is curved, and each contactor 34 has elasticity.

また、図２に示すように、複数の接触子３４のそれぞれの湾曲位置を決定するために、ガイドフィルム３７が設けられている。ガイドフィルム３７には、各接触子３４を貫通する貫通穴が設けられており、各ガイドフィルム３７の各貫通穴に各接触子３４が挿通できるになっている。 Further, as shown in FIG. 2, a guide film 37 is provided in order to determine the bending position of each of the plurality of contacts 34. The guide film 37 is provided with through holes that penetrate each of the contacts 34, so that each of the contacts 34 can be inserted into each of the through holes of each guide film 37.

国際公開ＷＯ２００４／０７２６６１号パンフレットInternational Publication WO2004 / 072661 Pamphlet

上述した従来技術のように、ガイドフィルムは、所定の位置で各接触子を強制的に湾曲させると共に、湾曲している各接触子の姿勢を支持している。 As in the prior art described above, the guide film forcibly bends each contact at a predetermined position and supports the posture of each curved contact.

しかしながら、ガイドフィルムは各接触子を強制的に湾曲させるため、全ての接触子のうち一部の接触子について十分な荷重が作用しないことも生じ得、一部の接触子が各電極に対して確実に電気的な接触しないことも生じ得る。また、全ての接触子を支持するガイドフィルムを設けることにより、製造コストの増大にもつながる。 However, since the guide film forcibly bends each contact, a sufficient load may not be applied to some of all the contacts, and some of the contacts may be applied to each electrode. It can also happen that there is no reliable electrical contact. Further, by providing the guide film that supports all the contacts, the manufacturing cost can be increased.

また、各接触子を支持するガイドフィルムを設けずに、複数のニードルタイプの接触子を配置させる場合、ある接触子が隣接する接触子と接触してしまい短絡する可能性もある。近年、集積回路の電極間は狭ピッチとなっているため、接触子間の間隔（クリアランス）も狭くなっている。特に、各接触子が各電極に電気的に接触する際、いずれかの接触子が大きく湾曲してしまい、この接触子が隣接する接触子と接触して、短絡が生じてしまうこともある。 Further, when a plurality of needle type contacts are arranged without providing a guide film for supporting each contact, a certain contact may come into contact with an adjacent contact and cause a short circuit. In recent years, since the pitch between electrodes of an integrated circuit has become narrow, the distance (clearance) between contacts has also become narrow. In particular, when each contactor electrically contacts each electrode, one of the contacts may be greatly curved, and this contactor may come into contact with an adjacent contactor, resulting in a short circuit.

本発明の課題は、ガイドフィルムを設けずに、各接触子が各電極に電気的に接触する際、接触子が隣接する接触子と接触して短絡が生じてしまうことを防止することにある。 An object of the present invention is to prevent the contacts from contacting adjacent contacts and causing a short circuit when each contactor electrically contacts each electrode without providing a guide film. ..

かかる課題を解決するために、第１の本発明に係る電気的接続装置は、（１）複数の接触子と、（２）複数の接続ランドのそれぞれに対して電気的に接触する各接触子の一端部を支持する第１支持板と、（３）被検査体の複数の電極のそれぞれに対して電気的に接触する各接触子の他端部を、第１支持板により支持される各接触子の支持位置をずらして支持する第２支持板とを備え、（４）各接触子が、隣接する接触子と異なる位置で湾曲する湾曲部を有し、（５）各接触子の湾曲部の線径が、各接触子における非湾曲部の線径よりも小さく形成されており、（６）湾曲部が、第１支持板側の第１屈曲部と、第１屈曲部と所定間隔を空けて設けられた上記第２支持板側の第２屈曲部とを有し、（７）第１屈曲部、及び第２屈曲部のうちの少なくとも１つが、湾曲開始位置から湾曲終了位置まで同じ線径であることを特徴とするものである。 In order to solve such a problem, the first electrical connection device according to the present invention includes (1) a plurality of contacts and (2) each contactor that electrically contacts each of the plurality of connection lands. The first support plate that supports one end of the invention and (3) the other end of each contact that is in electrical contact with each of the plurality of electrodes of the inspected object are supported by the first support plate. and a second support plate for supporting by shifting the supporting position of the contactor, (4) each contact is, have a curved portion that is curved in a different and contacts the adjacent position, (5) curvature of each contact The wire diameter of the portion is formed to be smaller than the wire diameter of the non-curved portion in each contactor, and (6) the curved portion is at a predetermined distance between the first bent portion on the first support plate side and the first bent portion. It has a second bent portion on the side of the second support plate provided with a gap between the two, and (7) at least one of the first bent portion and the second bent portion is from the bending start position to the bending end position. It is characterized by having the same wire diameter .

第２の本発明に係る接触子は、第１支持板と第２支持板とにより支持される複数の接触子のそれぞれであって、（１）第１支持板により支持されて、接続ランドに対して電気的に接触する一端部と、（２）第１支持板による支持位置をずらした位置で、第２支持板により支持されて、被検査体の電極に対して電気的に接触する他端部と、（３）隣接する接触子と異なる位置で湾曲する湾曲部とを有し、（４）当該接触子における湾曲部の線径が、当該接触子における非湾曲部の線径よりも小さく形成されており、（５）湾曲部が、第１支持板側の第１屈曲部と、第１屈曲部と所定間隔を空けて設けられた第２支持板側の第２屈曲部とを有し、（６）第１屈曲部、及び第２屈曲部のうち少なくとも１つが、湾曲開始位置から湾曲終了位置まで同じ線径であることを特徴とするものである。 The second contactor according to the present invention is each of a plurality of contacts supported by the first support plate and the second support plate, and (1) is supported by the first support plate to form a connecting land. In addition to being supported by the second support plate at a position where the support position by the first support plate is offset from the one end that is in electrical contact with the object, it is in electrical contact with the electrode of the object to be inspected. It has an end portion and (3) a curved portion that curves at a different position from the adjacent contactor, and (4) the wire diameter of the curved portion in the contactor is larger than the wire diameter of the non-curved portion in the contactor. small rather are formed, and (5) curved portion, a second bent portion of the second support plate side which is provided spaced a first bent portion of the first support plate side, a predetermined interval and the first bent portion (6) At least one of the first bent portion and the second bent portion has the same wire diameter from the bending start position to the bending end position.

本発明によれば、ガイドフィルムを設けずに、隣接する接触子との接触による短絡を防止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent a short circuit due to contact with an adjacent contactor without providing a guide film.

第１の実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the electric connection device which concerns on 1st Embodiment. 従来の湾曲させたニードルタイプの接触子の構成を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the structure of the conventional curved needle type contactors. 第１の実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す正面図である。It is a front view which shows the structure of the electric connection device which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係る電気的接続装置の構成を示す部分断面図である。It is a partial cross-sectional view which shows the structure of the electric connection device which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態のプローブの配列状態を示す図である。It is a figure which shows the arrangement state of the probe of 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブの構造を示す構造図と、プローブにおける湾曲部を示す拡大図である。It is a structural drawing which shows the structure of the probe which concerns on 1st Embodiment, and is the enlarged view which shows the curved part in the probe. 第１の実施形態に係る各プローブの湾曲部の位置の設定を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the setting of the position of the curved part of each probe which concerns on 1st Embodiment. 第１の実施形態に係るプローブの作製方法を説明する説明図である（その１）。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the probe which concerns on 1st Embodiment (the 1). 第１の実施形態に係るプローブの作製方法を説明する説明図である（その２）。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the probe which concerns on 1st Embodiment (the 2). 第１の実施形態の変形実施形態に係るプローブにおける湾曲部５１を示す拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view showing a curved portion 51 in the probe according to the modified embodiment of the first embodiment. 第２の実施形態に係るプローブの構造を示す構造図と、プローブにおける湾曲部を示す拡大図である。It is a structural drawing which shows the structure of the probe which concerns on 2nd Embodiment, and is the enlarged view which shows the curved part in the probe. 第２の実施形態に係るプローブの作製方法を説明する説明図である。It is explanatory drawing explaining the manufacturing method of the probe which concerns on 2nd Embodiment. 第２の実施形態の変形実施形態に係るプローブにおける湾曲部を示す拡大図である。FIG. 5 is an enlarged view showing a curved portion of the probe according to the modified embodiment of the second embodiment.

（Ａ）第１の実施形態
以下では、本発明に係る電気的接続装置及び接触子の第１の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。 (A) First Embodiment The first embodiment of the electrical connection device and the contact according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第１の実施形態は、本発明を利用して、ウェハに形成された複数の集積回路の電気的特性の検査（例えば通電検査等）を行う検査装置（テスターとも呼ぶ。）に組み付けられる電気的接続装置に適用する場合を例示する。 The first embodiment is electrically assembled to an inspection device (also referred to as a tester) that inspects the electrical characteristics (for example, energization inspection) of a plurality of integrated circuits formed on a wafer by using the present invention. An example of application to a connecting device will be illustrated.

以下の説明において「被検査体」は、検査装置が電気的特性を検査する対象物であり、例えば、集積回路、半導体ウェハ等を示す。「半導体ウェハ」は、ウェハに回路パターンが形成されて得た複数の集積回路を有し、各集積回路に切断するダイジング前の状態を示す。 In the following description, the "object to be inspected" is an object for which an inspection device inspects electrical characteristics, and indicates, for example, an integrated circuit, a semiconductor wafer, or the like. The "semiconductor wafer" has a plurality of integrated circuits obtained by forming a circuit pattern on the wafer, and indicates a state before dying for cutting into each integrated circuit.

「電気的接続装置」は、被検査体の各電極と電気的に接触する複数の接触子を有し、検査装置に組み付けられて、被検査体と検査装置とを電気的に接続する。電気的接続装置は、例えばプローブカード等であり、この実施形態では、垂直型プローブカードである場合を例示する。 The "electrical connection device" has a plurality of contacts that are in electrical contact with each electrode of the test object, and is assembled to the test device to electrically connect the test body and the test device. The electrical connection device is, for example, a probe card or the like, and in this embodiment, a case where it is a vertical probe card is illustrated.

「接触子」は、被検査体の電極に対して電気的に接触するものである。接触子は、例えばプローブを適用でき、この実施形態では、ニードルタイプのプローブである場合を例示する。 A "contactor" is one that makes electrical contact with an electrode of an object to be inspected. As the contactor, for example, a probe can be applied, and in this embodiment, a case where the probe is a needle type probe is illustrated.

（Ａ−１）第１の実施形態の構成
（Ａ−１−１）電気的接続装置１の詳細な構成
図１は、第１の実施形態に係る電気的接続装置１の構成を示す平面図である。図３は、第１の実施形態に係る電気的接続装置１の構成を示す正面図である。図４は、第１の実施形態に係る電気的接続装置１の構成を示す部分断面図である。 (A-1) Configuration of First Embodiment (A-1-1) Detailed Configuration of Electrical Connection Device 1 FIG. 1 is a plan view showing the configuration of the electrical connection device 1 according to the first embodiment. Is. FIG. 3 is a front view showing the configuration of the electrical connection device 1 according to the first embodiment. FIG. 4 is a partial cross-sectional view showing the configuration of the electrical connection device 1 according to the first embodiment.

電気的接続装置１は、配線基板２と、接続基板３と、複数の配線４と、プローブ組立体５とを有する。 The electrical connection device 1 includes a wiring board 2, a connection board 3, a plurality of wirings 4, and a probe assembly 5.

配線基板２は、円板上に形成される。配線基板２には、当該配線基板２の上面側の中央部で、厚さ方向（板厚方向）に基板を貫通する矩形の開口７が形成されている。配線基板２の一方の面（例えば上面）には、矩形の開口７の一対の対辺に沿って、接続部としての多数の接続ランド９が整列して形成されている。また、配線基板２の一方の面（例えば上面）の外縁部には、テスターの電気回路に接続されるテスター接続部としての複数のテスターランド８が形成されている。各接続ランド９は、従来の電気接続装置と同様に、配線基板２の導電路（図示しない）を経て、対応するテスターランド８に接続される。 The wiring board 2 is formed on a disk. The wiring board 2 is formed with a rectangular opening 7 that penetrates the substrate in the thickness direction (plate thickness direction) at the central portion on the upper surface side of the wiring board 2. On one surface (for example, the upper surface) of the wiring board 2, a large number of connection lands 9 as connection portions are arranged and formed along a pair of opposite sides of a rectangular opening 7. Further, a plurality of tester lands 8 as tester connection portions connected to the electric circuit of the tester are formed on the outer edge portion of one surface (for example, the upper surface) of the wiring board 2. Each connection land 9 is connected to the corresponding tester land 8 via a conductive path (not shown) of the wiring board 2 as in the conventional electrical connection device.

接続基板３は、配線基板２の上側（上面側）に組み込まれる。接続基板３は、開口７内に収容される矩形平面形状の矩形部１１と、矩形部１１の一方の面から矩形部１１の外縁に張り出す矩形の環状フランジ１２とを有する。接続基板３は、電気絶縁性材料により形成される。接続基板３は、矩形部１１が配線基板２の開口７内に収められ、開口７の縁部に環状フランジ１２が載置された状態で、複数のネジ部材１３により環状フランジ１２が配線基板２の上面に組み付けられる。 The connection board 3 is incorporated on the upper side (upper surface side) of the wiring board 2. The connection substrate 3 has a rectangular portion 11 having a rectangular planar shape housed in the opening 7, and a rectangular annular flange 12 projecting from one surface of the rectangular portion 11 to the outer edge of the rectangular portion 11. The connection board 3 is formed of an electrically insulating material. In the connection board 3, the rectangular portion 11 is housed in the opening 7 of the wiring board 2, and the annular flange 12 is placed on the edge of the opening 7, and the annular flange 12 is formed by the plurality of screw members 13 on the wiring board 2. It is assembled on the upper surface of.

接続基板３の矩形部１１には、図１に示すように、基板の厚み方向（板厚方向）に基板を貫通する複数の貫通穴１４が形成されている。複数の貫通穴１４のそれぞれは、被検査体としての半導体ウェハ１５の集積回路の電極１６（図４参照）の位置に対応して形成されている。 As shown in FIG. 1, a plurality of through holes 14 penetrating the substrate in the thickness direction (plate thickness direction) of the substrate 3 are formed in the rectangular portion 11 of the connection substrate 3. Each of the plurality of through holes 14 is formed corresponding to the position of the electrode 16 (see FIG. 4) of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15 as the object to be inspected.

各配線４の一端部は、接続基板３の各貫通穴１４に挿入されており（図４参照）、接続基板３の各貫通穴１４に挿入されている各配線４の一端部の先端面は、接続基板３の下面の高さ位置に維持されている。各配線４の一端部は、後述するプローブ組立体５が支持している、対応の各プローブ２１と電気的に接続されている（図４参照）。また、各配線４の他端部は、対応する各接続ランド９に接続されている（図３参照）。従って、各プローブ２１は、各配線４を通じて接続される各接続ランド９に対応するテスターランド８を経て、テスターの電気回路に接続される。 One end of each wiring 4 is inserted into each through hole 14 of the connection board 3 (see FIG. 4), and the tip surface of one end of each wiring 4 inserted into each through hole 14 of the connection board 3 is , It is maintained at the height position of the lower surface of the connection board 3. One end of each wiring 4 is electrically connected to each corresponding probe 21 supported by the probe assembly 5 described later (see FIG. 4). Further, the other end of each wiring 4 is connected to each corresponding connection land 9 (see FIG. 3). Therefore, each probe 21 is connected to the electric circuit of the tester via the tester land 8 corresponding to each connection land 9 connected through each wiring 4.

プローブ組立体５は、接続基板３の下側（下面側）に組み込まれる。プローブ組立体５は、各プローブ２１の貫通を許すプローブ支持体２２を備える。プローブ支持体２２は、矩形の第２の板状部材１７と、第２の板状部材１７の上側に矩形の第１の板状部材１８とを配置している。さらにプローブ支持体２２は、第１の板状部材１８の上側には、第１の板状部材１８に対して間隔をおいて、矩形の第３の板状部材１９が配置されており、第１の板状部材１８と第３の板状部材１９との間には矩形の枠部材２０が配置されている。 The probe assembly 5 is incorporated on the lower side (lower surface side) of the connection board 3. The probe assembly 5 includes a probe support 22 that allows penetration of each probe 21. The probe support 22 has a rectangular second plate-shaped member 17 and a rectangular first plate-shaped member 18 arranged on the upper side of the second plate-shaped member 17. Further, in the probe support 22, a rectangular third plate-shaped member 19 is arranged on the upper side of the first plate-shaped member 18 at intervals from the first plate-shaped member 18. A rectangular frame member 20 is arranged between the plate-shaped member 18 of 1 and the plate-shaped member 19 of the third plate.

なお、以下の説明では、第１の板状部材１８を、第１下段板若しくは第１ボトム板とも呼び、第２の板状部材１７を、第２下段板若しくは第２ボトム板とも呼ぶ。 In the following description, the first plate-shaped member 18 is also referred to as a first lower plate or a first bottom plate, and the second plate-shaped member 17 is also referred to as a second lower plate or a second bottom plate.

また、第３の板状部材１９は、プローブ２１の上端部側を支持する支持部材であり、以下の説明では、第３の板状部材１９を、上段板若しくはトップ板とも呼ぶ。 Further, the third plate-shaped member 19 is a support member that supports the upper end side of the probe 21, and in the following description, the third plate-shaped member 19 is also referred to as an upper plate or a top plate.

第２の板状部材１７は、各プローブ２１の下部の位置決めをし、各プローブ２１の位置を保持し、各プローブ２１の上下方向の摺動を許すための支持部材である。すなわち、第２の板状部材１７は、各プローブ２１の下端部の位置保持ガイド部材である。第２の板状部材１７は、絶縁性を有する材料で、矩形平板状に形成されており、中央部に凹部が設けられている。また、第２の板状部材１７の凹部には、被検査体としての半導体ウェハ１５の集積回路の各電極１６と整合する位置に、電極１６と同じ数の貫通穴２４が設けられている。各プローブ２１の下端部が貫通穴２４に貫通し、貫通穴２４から突出している各プローブ２１の下端部が半導体ウェハ１５の各電極１６に電気的に接触するようになっている。 The second plate-shaped member 17 is a support member for positioning the lower portion of each probe 21, holding the position of each probe 21, and allowing each probe 21 to slide in the vertical direction. That is, the second plate-shaped member 17 is a position holding guide member at the lower end of each probe 21. The second plate-shaped member 17 is made of an insulating material, is formed in a rectangular flat plate shape, and is provided with a recess in the central portion. Further, in the recess of the second plate-shaped member 17, the same number of through holes 24 as the electrodes 16 are provided at positions consistent with each electrode 16 of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15 as the object to be inspected. The lower end of each probe 21 penetrates through the through hole 24, and the lower end of each probe 21 protruding from the through hole 24 comes into electrical contact with each electrode 16 of the semiconductor wafer 15.

また、各プローブ２１が各貫通穴２４に嵌り込んだ状態で、各プローブ２１が半導体ウェハ１５の各電極１６に対して電気的に接触すると、各プローブ２１が撓み（弾性変形）、各プローブ２１が弾性を有する。そのため、各プローブ２１は下方に付勢し、各プローブ２１が上下方向に摺動する。 Further, when each probe 21 is electrically fitted to each electrode 16 of the semiconductor wafer 15 in a state where each probe 21 is fitted into each through hole 24, each probe 21 bends (elastic deformation) and each probe 21 Has elasticity. Therefore, each probe 21 is urged downward, and each probe 21 slides in the vertical direction.

第１の板状部材１８は、第２の板状部材１７と同様に、各プローブ２１の下部の位置を決め、各プローブ２１の位置を保持し、各プローブ２１の上下方向の摺動を許すための支持部材である。すなわち、第１の板状部材１８は、各プローブ２１の下端部の位置保持ガイド部材である。第１の板状部材１８は、絶縁性を有する材料で、矩形平板状に形成されており、中央部に凹部が設けられている。また、第１の板状部材１８の凹部には、被検査体としての半導体ウェハ１５の集積回路の各電極１６と対応する位置に、電極１６と同じ数の貫通穴２５が設けられている。 Like the second plate-shaped member 17, the first plate-shaped member 18 determines the position of the lower part of each probe 21, holds the position of each probe 21, and allows the probe 21 to slide in the vertical direction. It is a support member for. That is, the first plate-shaped member 18 is a position holding guide member at the lower end of each probe 21. The first plate-shaped member 18 is a material having an insulating property, is formed in a rectangular flat plate shape, and is provided with a recess in the central portion. Further, in the recess of the first plate-shaped member 18, the same number of through holes 25 as the electrodes 16 are provided at positions corresponding to the electrodes 16 of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15 as the object to be inspected.

第１の板状部材１８の各貫通穴２５と第２の板状部材１７の各貫通穴２４とに各プローブ２１が嵌り込んだ状態で、各プローブ２１が半導体ウェハ１５の各電極１６に対して電気的に接触すると、各プローブ２１は垂直に支持された状態で上下方向に摺動するようになっている。そのため、各プローブ２１の下端部を、各電極１６に対して正確に位置合わせすることができる。 With the probes 21 fitted in the through holes 25 of the first plate-shaped member 18 and the through holes 24 of the second plate-shaped member 17, each probe 21 is attached to each electrode 16 of the semiconductor wafer 15. When electrically contacted with each other, each probe 21 slides in the vertical direction while being vertically supported. Therefore, the lower end of each probe 21 can be accurately aligned with respect to each electrode 16.

なお、貫通穴２４及び貫通穴２５に挿通されている各プローブ２１の下部には、ストッパー部２７が設けられている。つまり、ストッパー部２７が、第２の板状部材１７及び第１の板状部材１８の間に位置するように配設されている。 A stopper portion 27 is provided at the lower part of each probe 21 inserted through the through hole 24 and the through hole 25. That is, the stopper portion 27 is arranged so as to be located between the second plate-shaped member 17 and the first plate-shaped member 18.

各プローブ２１にはストッパー部２７が配設されているため、各プローブ２１の上下方向への移動範囲が規制される。これにより、各プローブ２１が上下方向に移動した場合でも、各プローブ２１のストッパー部２７が、第２の板状部材１７及び第１の板状部材１８に当たるため、上下方向に移動する各プローブ２１の動きを規制できる。 Since each probe 21 is provided with a stopper portion 27, the range of movement of each probe 21 in the vertical direction is restricted. As a result, even when each probe 21 moves in the vertical direction, the stopper portion 27 of each probe 21 hits the second plate-shaped member 17 and the first plate-shaped member 18, so that each probe 21 that moves in the vertical direction Can regulate the movement of.

図４の例では、第１の板状部材１８の板厚は、第２の板状部材１７の板厚よりも厚く形成されている場合を例示しているが、これに限定されない。つまり、第１の板状部材１８及び第２の板状部材１７の厚さは、第１の板状部材１８の各貫通穴２５と第２の板状部材１７の各貫通穴２４の位置や、貫通穴２５及び貫通穴２４の間隔等に合わせて適宜設定できる。 In the example of FIG. 4, the case where the plate thickness of the first plate-shaped member 18 is formed to be thicker than the plate thickness of the second plate-shaped member 17 is illustrated, but the present invention is not limited to this. That is, the thickness of the first plate-shaped member 18 and the second plate-shaped member 17 is the position of each through hole 25 of the first plate-shaped member 18 and each through hole 24 of the second plate-shaped member 17. , The spacing between the through holes 25 and the through holes 24 can be appropriately set.

枠部材２０は、第２の板状部材１７、第１の板状部材１８及び第３の板状部材１９の位置を保つと中間スペーサーとして機能する。枠部材２０は、肉厚の環状に形成された部材である。 The frame member 20 functions as an intermediate spacer when the positions of the second plate-shaped member 17, the first plate-shaped member 18, and the third plate-shaped member 19 are maintained. The frame member 20 is a member formed in a thick annular shape.

第３の板状部材１９は、各プローブ２１の上端部の位置決めをし、各プローブ２１の位置を保持し、各プローブ２１の上下方向の摺動を許すための支持部材である。第３の板状部材１９は、絶縁性を有する材料により、矩形平板状に形成される。 The third plate-shaped member 19 is a support member for positioning the upper end portion of each probe 21, holding the position of each probe 21, and allowing each probe 21 to slide in the vertical direction. The third plate-shaped member 19 is formed in a rectangular flat plate shape by a material having an insulating property.

第３の板状部材１９の中央部には、下方に開放している凹部が設けられている。また、第３の板状部材１９の上面部（すなわち、下方開放の凹部の上面部）には、接続基板３の貫通穴１４と整合する位置に、半導体ウェハ１５の集積回路の電極１６の数の貫通穴２６が設けられている。 A recess that is open downward is provided in the central portion of the third plate-shaped member 19. Further, on the upper surface portion of the third plate-shaped member 19 (that is, the upper surface portion of the recess that is open downward), the number of electrodes 16 of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15 is located at a position consistent with the through hole 14 of the connection substrate 3. A through hole 26 is provided.

各プローブ２１が各貫通穴２６に嵌り込んだ状態で、各プローブ２１が半導体ウェハ１５の各電極１６に対して電気的に接触すると、各プローブ２１が撓み（弾性変形）、各プローブ２１が弾性を有する。そのため、各プローブ２１が上方に付勢し、各プローブ２１が各配線４に確実に接触する。 When each probe 21 is electrically fitted to each electrode 16 of the semiconductor wafer 15 in a state where each probe 21 is fitted into each through hole 26, each probe 21 is bent (elastic deformation) and each probe 21 is elastic. Has. Therefore, each probe 21 is urged upward, and each probe 21 surely contacts each wiring 4.

第２の板状部材１７、第１の板状部材１８、第３の板状部材１９及び枠部材２０は、上記のように重ねられた状態で、複数のねじ部材２３により結合されて、複数のプローブ２１を支持するプローブ支持体２２を構成している。ねじ部材２３は、第３の板状部材１９、枠部材２０及び第１の板状部材１８を貫通して、第２の板状部材１７に螺合されている。 The second plate-shaped member 17, the first plate-shaped member 18, the third plate-shaped member 19, and the frame member 20 are connected by a plurality of screw members 23 in a state of being overlapped as described above, and a plurality of them. The probe support 22 that supports the probe 21 of the above is configured. The screw member 23 penetrates the third plate-shaped member 19, the frame member 20, and the first plate-shaped member 18, and is screwed into the second plate-shaped member 17.

第２の板状部材１７及び第１の板状部材１８はそれぞれ、図４に示すように、上方に開放する矩形の凹部を有しており、第３の板状部材１９は下方に開放する矩形の凹部を有している。第１の板状部材１８の下面は、第２の板状部材１７の凹部を閉鎖するように、第２の板状部材１７に重ねられている。枠部材２０は、第１の板状部材１８及び第３の板状部材１９の凹部を連通させる矩形の内側空間を有している。 As shown in FIG. 4, each of the second plate-shaped member 17 and the first plate-shaped member 18 has a rectangular recess that opens upward, and the third plate-shaped member 19 opens downward. It has a rectangular recess. The lower surface of the first plate-shaped member 18 is overlapped with the second plate-shaped member 17 so as to close the recess of the second plate-shaped member 17. The frame member 20 has a rectangular inner space that communicates the recesses of the first plate-shaped member 18 and the third plate-shaped member 19.

第２の板状部材１７、第１の板状部材１８、第３の板状部材１９及び枠部材２０について、上記のような結合状態とすることで、第１の板状部材１８の下面は第２の板状部材１７の凹部底面に対して間隔をおいて配置され、また、第３の板状部材１９の凹部天井面は、第２の板状部材１７が配置された側と反対側で、第１の板状部材１８の凹部底面に対して間隔をおいて配置される。 By bringing the second plate-shaped member 17, the first plate-shaped member 18, the third plate-shaped member 19 and the frame member 20 into the above-mentioned bonded state, the lower surface of the first plate-shaped member 18 can be formed. The second plate-shaped member 17 is arranged at a distance from the bottom surface of the recess, and the recessed ceiling surface of the third plate-shaped member 19 is on the side opposite to the side on which the second plate-shaped member 17 is arranged. Therefore, they are arranged at intervals with respect to the bottom surface of the recess of the first plate-shaped member 18.

第２の板状部材１７の貫通穴２４及び第１の板状部材１８の貫通穴２５はそれぞれ、相互に整合する位置に設けられている。しかし、貫通穴２４及び２５は、接続基板３の貫通穴１４に対して一方向にずれた位置にある。 The through hole 24 of the second plate-shaped member 17 and the through hole 25 of the first plate-shaped member 18 are each provided at positions consistent with each other. However, the through holes 24 and 25 are unidirectionally displaced with respect to the through holes 14 of the connection board 3.

これに対して、第３の板状部材１９の貫通穴２６は、接続基板３の貫通穴１４の位置に対応する位置に設けられている。しかし、貫通穴２６は、貫通穴２４及び２５に対して一方向にずれた位置にある。 On the other hand, the through hole 26 of the third plate-shaped member 19 is provided at a position corresponding to the position of the through hole 14 of the connection board 3. However, the through hole 26 is located at a position deviated in one direction with respect to the through holes 24 and 25.

各プローブ２１は、対応する貫通穴２４、貫通穴２５及び貫通穴２６に挿通されて配置される（図４参照）。 Each probe 21 is inserted and arranged through the corresponding through hole 24, through hole 25 and through hole 26 (see FIG. 4).

各プローブ２１の上端部は、貫通穴２６に上下方向に移動可能に挿し込まれ、各プローブ２１の上端部の先端面は第３の板状部材１９の上面の高さの位置とほぼ同じ位置に保持される。そのため、各プローブ２１の上端部は、接続基板３の下面の高さ位置にある各配線４と電気的に接触される（図４参照）。 The upper end of each probe 21 is movably inserted into the through hole 26 in the vertical direction, and the tip surface of the upper end of each probe 21 is substantially the same as the height of the upper surface of the third plate-shaped member 19. Is held in. Therefore, the upper end portion of each probe 21 is electrically contacted with each wiring 4 at the height position of the lower surface of the connection board 3 (see FIG. 4).

また、各プローブ２１の下端部は、貫通穴２４を上下方向に移動可能に貫通して、第２の板状部材１７から下方に突出している。従って、各プローブ２１の下端部は、被検査体としての半導体ウェハ１５の各電極１６に対して電気的に接触する針先部として機能する。 Further, the lower end portion of each probe 21 penetrates through the through hole 24 so as to be movable in the vertical direction, and protrudes downward from the second plate-shaped member 17. Therefore, the lower end portion of each probe 21 functions as a needle tip portion that makes electrical contact with each electrode 16 of the semiconductor wafer 15 as an inspected object.

（Ａ−１−２）プローブ２１の詳細な構造
配線基板２の下面に組み立てられたプローブ組立体５は、複数のプローブ２１を支持することができ、各プローブ２１の下端部が、第２の板状部材１７の下面から下方に向けて突出する。 (A-1-2) Detailed Structure of Probe 21 The probe assembly 5 assembled on the lower surface of the wiring board 2 can support a plurality of probes 21, and the lower end of each probe 21 is a second probe 21. It projects downward from the lower surface of the plate-shaped member 17.

電気的接続装置１を用いて半導体ウェハ１５を検査する際には、プローブ組立体５の下方に半導体ウェハ１５が配置され、各プローブ２１の下端部が半導体ウェハ１５の集積回路の各電極１６に向けて荷重が作用し、各プローブ２１の下端部が半導体ウェハ１５の集積回路の各電極１６に対して電気的に接触する。 When inspecting the semiconductor wafer 15 using the electrical connection device 1, the semiconductor wafer 15 is arranged below the probe assembly 5, and the lower end of each probe 21 is attached to each electrode 16 of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15. A load acts toward the probe, and the lower end of each probe 21 makes electrical contact with each electrode 16 of the integrated circuit of the semiconductor wafer 15.

従来、電気的接続装置のプローブ組立体には、各プローブを強制的に湾曲させて弾性を持たせるため、各プローブを支持するガイドフィルムが設けられている。 Conventionally, the probe assembly of an electrical connection device is provided with a guide film that supports each probe in order to forcibly bend each probe to give elasticity.

しかし、第１の実施形態の電気的接続装置１のプローブ組立体５は、ガイドフィルムを設けていない。このようにガイドフィルムがない状態でも、プローブ２１間の接触による短絡を防止するため、プローブ２１の湾曲している部分（以下、湾曲部）が、隣接するプローブ２１同士で重ならないように、湾曲部をずらして各プローブ２１を配置させるようにする。 However, the probe assembly 5 of the electrical connection device 1 of the first embodiment is not provided with a guide film. In order to prevent a short circuit due to contact between the probes 21 even in the absence of the guide film, the curved portion of the probe 21 (hereinafter referred to as the curved portion) is curved so as not to overlap with the adjacent probes 21. The portions are shifted so that each probe 21 is arranged.

そこで、以下では、プローブ組立体５に組み込んだ複数のプローブ２１の状態を、図面を参照しながら詳細に説明する。 Therefore, in the following, the states of the plurality of probes 21 incorporated in the probe assembly 5 will be described in detail with reference to the drawings.

図５（Ａ）は、非コンタクト時における第１の実施形態のプローブ２１の配列状態を示す図であり、図５（Ｂ）は、コンタクト時における第１の実施形態のプローブ２１の配列状態を示す図である。 FIG. 5A is a diagram showing the arrangement state of the probe 21 of the first embodiment at the time of non-contact, and FIG. 5B is a diagram showing the arrangement state of the probe 21 of the first embodiment at the time of contact. It is a figure which shows.

図５（Ａ）は、プローブ組立体５に複数のプローブ２１を組み込んだ状態であって、半導体ウェハ１５の各電極１６に各プローブ２１を接触させていない状態（すなわち、非コンタクト状態）の各プローブ２１の配列状態を示している。 FIG. 5A shows a state in which a plurality of probes 21 are incorporated in the probe assembly 5, and each probe 21 is not in contact with each electrode 16 of the semiconductor wafer 15 (that is, in a non-contact state). The arrangement state of the probe 21 is shown.

図５（Ａ）に示すように、各プローブ２１の上部は、第３の板状部材１９の各貫通穴２６に挿入され、各プローブ２１の下部は、第１の板状部材１８の各貫通穴２５に挿入されて、プローブ組立体５に複数のプローブ２１が組み込まれる。そのため、非コンタクト状態では、各プローブ２１は湾曲部５１においてほぼＳ字状に湾曲する。各プローブ２１はＳ字状に湾曲する湾曲部５１において比較的小さな曲率で湾曲する。 As shown in FIG. 5A, the upper portion of each probe 21 is inserted into each through hole 26 of the third plate-shaped member 19, and the lower portion of each probe 21 is inserted into each through hole 26 of the first plate-shaped member 18. A plurality of probes 21 are incorporated into the probe assembly 5 by being inserted into the hole 25. Therefore, in the non-contact state, each probe 21 is curved in a substantially S shape at the curved portion 51. Each probe 21 is curved with a relatively small curvature at the curved portion 51 that is curved in an S shape.

また、図５（Ｂ）は、半導体ウェハ１５の各電極１６にプローブ２１を接触させた状態（すなわち、コンタクト状態）の各プローブ２１の配列状態を示している。コンタクト状態では、各プローブ２１において長手方向に圧縮荷重が作用する。そのため、各プローブ２１は、図５（Ａ）の非コンタクト時の場合よりも大きな曲率で、ほぼＳ字状に湾曲する。 Further, FIG. 5B shows an arrangement state of each probe 21 in a state where the probe 21 is in contact with each electrode 16 of the semiconductor wafer 15 (that is, in a contact state). In the contact state, a compressive load acts on each probe 21 in the longitudinal direction. Therefore, each probe 21 is curved in a substantially S shape with a larger curvature than in the case of non-contact in FIG. 5 (A).

コンタクト状態では、各プローブ２１が隣接するプローブ２１との間で接触して生じ得る短絡を防止するため、図５（Ｂ）に示すように、各プローブ２１の湾曲部５１の位置が、隣接するプローブ２１の湾曲部５１の位置と同じにならないように、各プローブ２１の湾曲部５１の位置をずらすように配置する。 In the contact state, in order to prevent a short circuit that may occur when each probe 21 comes into contact with an adjacent probe 21, the positions of the curved portions 51 of each probe 21 are adjacent to each other as shown in FIG. 5 (B). The positions of the curved portions 51 of each probe 21 are staggered so as not to be the same as the positions of the curved portions 51 of the probes 21.

例えば、図５（Ｂ）において、最も左に配置されているプローブ２１は、右側に隣接しているプローブ２１の湾曲部５１の位置よりも上方に位置するようにする。他のプローブ２１についても同様にして、右側に隣接しているプローブ２１の湾曲部５１の位置よりも上方に位置するようにしている。 For example, in FIG. 5B, the probe 21 arranged on the leftmost side is located above the position of the curved portion 51 of the probe 21 adjacent to the right side. Similarly, the other probes 21 are positioned above the position of the curved portion 51 of the probe 21 adjacent to the right side.

このように、隣接するプローブ２１との間で、湾曲部５１の位置がずれるように複数のプローブ２１を配置することにより、隣接するプローブ２１同士の接触を回避でき、短絡を防止できる。 In this way, by arranging the plurality of probes 21 so that the positions of the curved portions 51 are displaced from the adjacent probes 21, contact between the adjacent probes 21 can be avoided and a short circuit can be prevented.

また例えば、複数の電極１６がマトリックス状に配置されている半導体ウェハ１５の場合、隣接するプローブ２１同士で湾曲部５１の位置がずれるように複数のプローブ２１を列（若しくは行）毎に配置するようにしてもよい。 Further, for example, in the case of a semiconductor wafer 15 in which a plurality of electrodes 16 are arranged in a matrix, the plurality of probes 21 are arranged in each column (or row) so that the positions of the curved portions 51 are displaced between adjacent probes 21. You may do so.

次に、第１の実施形態に係るプローブ２１の構造を、図面を参照しながら詳細に説明する。 Next, the structure of the probe 21 according to the first embodiment will be described in detail with reference to the drawings.

図６（Ａ）は、第１の実施形態に係るプローブ２１の構造を示す構造図である。図６（Ｂ）は、プローブ２１における湾曲部５１（図６（Ａ）の点線部分）を示す拡大図である。 FIG. 6A is a structural diagram showing the structure of the probe 21 according to the first embodiment. FIG. 6B is an enlarged view showing a curved portion 51 (dotted line portion in FIG. 6A) of the probe 21.

図７は、第１の実施形態に係る各プローブ２１の湾曲部５１の位置の設定を説明する説明図である。 FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating the setting of the position of the curved portion 51 of each probe 21 according to the first embodiment.

図６（Ａ）において、第１の実施形態に係るプローブ２１は、ニードルタイプの接触子であり、例えば導電性金属細線で形成された接触子である。プローブ２１の線径（プローブ２１の直径）や長さは特に限定されるものではなく、検査対象とする半導体ウェハ１５の電極１６のサイズ等に応じて適宜形成するようにしてもよい。この実施形態では、プローブ２１の線径は数十μｍ程度であり、長さが数ｍｍ程度のプローブ２１を用いる場合を例示する。 In FIG. 6A, the probe 21 according to the first embodiment is a needle type contactor, for example, a contactor formed of a thin conductive metal wire. The wire diameter (diameter of the probe 21) and the length of the probe 21 are not particularly limited, and may be appropriately formed according to the size of the electrode 16 of the semiconductor wafer 15 to be inspected. In this embodiment, a case where the probe 21 has a wire diameter of about several tens of μm and a length of about several mm is used is illustrated.

プローブ２１の形成材料は、導電性と強度を兼ね備えた材料を適用することが望ましく、例えば、銅合金、ベリリウム銅合金等を適用できる。また、プローブ２１は、必要に応じて、金メッキ等のメッキ加工等をプローブ２１の表面に施したものであってもよい。 As the material for forming the probe 21, it is desirable to apply a material having both conductivity and strength, and for example, a copper alloy, a beryllium copper alloy, or the like can be applied. Further, the probe 21 may be obtained by subjecting the surface of the probe 21 to a plating process such as gold plating, if necessary.

図６（Ａ）において、各プローブ２１は、各配線４に対して電気的に接触する配線接触部としての上端部２１１と、半導体ウェハ１５の各電極１６に対して電気的に接触する針先部としての下端部２１２と、湾曲させる部分（湾曲部）５１とを有する。 In FIG. 6A, each probe 21 has an upper end portion 211 as a wiring contact portion that electrically contacts each wiring 4, and a needle tip that electrically contacts each electrode 16 of the semiconductor wafer 15. It has a lower end portion 212 as a portion and a curved portion (curved portion) 51.

湾曲部５１は、コンタクト時に、各プローブ２１において湾曲する部分である（図５（Ｂ）参照）。なお、湾曲部５１は、上述したように、非コンタクト状態においても湾曲する部分でもある（図５（Ａ）参照）。 The curved portion 51 is a portion that bends in each probe 21 at the time of contact (see FIG. 5 (B)). As described above, the curved portion 51 is also a curved portion even in the non-contact state (see FIG. 5A).

図６（Ｂ）に示すように、各プローブ２１の湾曲部５１は、２箇所の屈曲部５１１と５１２を有する。屈曲部５１１は、下に凸となるように屈曲する部分であり、屈曲部５１２は、上に凸となるように屈曲する部分である。 As shown in FIG. 6B, the curved portion 51 of each probe 21 has two bent portions 511 and 512. The bent portion 511 is a portion that bends so as to be convex downward, and the bent portion 512 is a portion that bends so as to be convex upward.

屈曲部５１１及び５１２はそれぞれ、プローブ２１の屈曲させる部分の周面を、例えばエッチング等の表面加工処理を施すことで形成し、プローブ２１の湾曲部５１以外の部分の線径よりも、屈曲部５１１及び５１２の線径が小さくなうように形成している。より具体的には、エッチング等によりプローブ２１の周面を侵食して線径を小さくして、屈曲部５１１及び５１２のそれぞれを形成する方法を適用できる。 Each of the bent portions 511 and 512 is formed by subjecting the peripheral surface of the bent portion of the probe 21 to surface processing such as etching, and the bent portion is larger than the wire diameter of the portion other than the curved portion 51 of the probe 21. The wire diameters of 511 and 512 are formed so as to be small. More specifically, a method of forming each of the bent portions 511 and 512 by eroding the peripheral surface of the probe 21 by etching or the like to reduce the wire diameter can be applied.

このように、プローブ２１において局部的に線径の細い部分を形成することで、プローブ２１が半導体ウェハ１５の電極１６に対して接触し、プローブ２１の長手方向に圧縮荷重が作用すると、屈曲部５１１及び５１２のそれぞれにおいてプローブ２１が屈曲する。 By forming a locally narrow wire diameter portion in the probe 21 in this way, when the probe 21 comes into contact with the electrode 16 of the semiconductor wafer 15 and a compressive load acts in the longitudinal direction of the probe 21, the bent portion The probe 21 bends at each of 511 and 512.

屈曲部５１１及び５１２のそれぞれの線径Ｘは、プローブ２１の線径Ｙに対して８０％〜９０％程度とすることができる。 The wire diameter X of each of the bent portions 511 and 512 can be about 80% to 90% of the wire diameter Y of the probe 21.

これは、屈曲部５１１及び５１２の線径Ｘが細すぎる場合、電極１６に対してプローブ２１を電気的に接触させて半導体ウェハ１５に電流を流す際に、電流の流れが悪くなり、検査精度に影響するおそれが生じ得る。また屈曲部５１１及び５１２においてプローブ２１が座屈による破壊が生じ得る。 This is because when the wire diameters X of the bent portions 511 and 512 are too thin, the current flow becomes poor when the probe 21 is electrically contacted with the electrode 16 and a current is passed through the semiconductor wafer 15, and the inspection accuracy is improved. May affect. Further, the probe 21 may be broken by buckling at the bent portions 511 and 512.

一方、屈曲部５１１及び５１２の線径Ｘが太すぎる場合、プローブ２１が屈曲部５１１及び５１２で充分に屈曲せず、プローブのバネ性が発揮できない可能性がある。 On the other hand, if the wire diameters X of the bent portions 511 and 512 are too thick, the probe 21 may not be sufficiently bent at the bent portions 511 and 512, and the springiness of the probe may not be exhibited.

そこで、屈曲部５１１及び５１２のそれぞれの線径Ｘは、プローブ２１の線径Ｙに対して８０％〜９０％程度とすることが望ましい。 Therefore, it is desirable that the wire diameters X of the bent portions 511 and 512 are about 80% to 90% of the wire diameter Y of the probe 21.

さらに、屈曲部５１１及び５１２のそれぞれの線径Ｘや、長手方向の長さＬ１、Ｌ２は、全てのプローブ２１において同じであることが望ましいが、複数のプローブ２１を配列する際の当該プローブ２１の位置に応じて決定するようにしてもよい。 Further, it is desirable that the wire diameters X of the bent portions 511 and 512 and the lengths L1 and L2 in the longitudinal direction are the same for all the probes 21, but the probes 21 when arranging the plurality of probes 21 are arranged. It may be decided according to the position of.

例えば、図５（Ｂ）において、最も左側に位置しているプローブ２１の屈曲部５１１は、他のプローブ２１の屈曲部５１１に比べて、第３の板状部材１９に対して近い位置にある。プローブ２１が電極１６に対して電気的に接触した際、第３の板状部材１９はプローブ２１の上部を支持するため、比較的強い荷重が屈曲部５１１に作用する。 For example, in FIG. 5B, the bent portion 511 of the probe 21 located on the leftmost side is located closer to the third plate-shaped member 19 than the bent portion 511 of the other probe 21. .. When the probe 21 is in electrical contact with the electrode 16, the third plate-shaped member 19 supports the upper portion of the probe 21, so that a relatively strong load acts on the bent portion 511.

そのため、例えば、第３の板状部材１９に近い位置に屈曲部５１１を有するプローブ２１は、その屈曲部５１１の線径Ｘを、他のプローブ２１の屈曲部５１１の線径Ｘよりも太くしたり、又はその屈曲部５１１の長さＬ１を、他のプローブ２１の屈曲部５１１の長さＬ１よりもわずかに短くしたりするようにしてもよい。 Therefore, for example, the probe 21 having the bent portion 511 at a position close to the third plate-shaped member 19 makes the wire diameter X of the bent portion 511 thicker than the wire diameter X of the bent portion 511 of the other probe 21. Alternatively, the length L1 of the bent portion 511 thereof may be made slightly shorter than the length L1 of the bent portion 511 of the other probe 21.

また逆に、例えば図５（Ｂ）において、最も右側に位置しているプローブ２１の屈曲部５１２は、他のプローブ２１の屈曲部５１２に比べて、第１の板状部材１８に対して近い位置にある。そのため、上記同様の概念により、第１の板状部材１８に近い位置に屈曲部５１２を有するプローブ２１は、その屈曲部５１２の線径Ｘを、他のプローブ２１の屈曲部５１２の線径Ｘよりも太くしたり、又はその屈曲部５１２の長さｌ２を、他のプローブ２１の屈曲部５１２の長さＬ２よりもわずかに短くしたりするようにしてもよい。 On the contrary, for example, in FIG. 5B, the bent portion 512 of the probe 21 located on the far right side is closer to the first plate-shaped member 18 than the bent portion 512 of the other probe 21. In position. Therefore, according to the same concept as described above, the probe 21 having the bent portion 512 at a position close to the first plate-shaped member 18 has the wire diameter X of the bent portion 512 and the wire diameter X of the bent portion 512 of the other probe 21. It may be made thicker than the above, or the length l2 of the bent portion 512 thereof may be made slightly shorter than the length L2 of the bent portion 512 of the other probe 21.

上記のように、プローブ組立体５に組み込む複数のプローブ２１のうち、各プローブ２１の配列位置に応じて、各プローブ２１の屈曲部５１１及び５１２の線径や長さを設定するようにしてもよい。 As described above, among the plurality of probes 21 incorporated in the probe assembly 5, the wire diameters and lengths of the bent portions 511 and 512 of each probe 21 may be set according to the arrangement position of each probe 21. Good.

なお、図６（Ｂ）において、点Ａは、プローブ２１が湾曲を開始する位置である。点Ｂは、プローブ２１が湾曲を終了する位置である。さらに、具体的に示すと、点Ａは、屈曲部５１１の屈曲を開始する位置であり、点Ａ１は、屈曲部５１１の屈曲の終了する位置である。また、点Ｂ１は屈曲部５１２の屈曲を開始する位置であり、点Ｂは屈曲部５１２の屈曲が終了する位置である。 In FIG. 6B, the point A is the position where the probe 21 starts to bend. Point B is the position where the probe 21 ends the curvature. More specifically, the point A is the position where the bending portion 511 starts bending, and the point A1 is the position where the bending portion 511 ends bending. Further, the point B1 is a position where the bending portion 512 starts to bend, and the point B is a position where the bending portion 512 ends bending.

複数のプローブ２１のうち、あるプローブ２１が隣接するプローブ２１との接触を回避するため、各プローブ２１が同程度に湾曲する湾曲部５１を有することが望ましい。そのため、各プローブ２１において、点Ａ〜点Ｂの長さＬは、全てのプローブ２１において同じとする。また、屈曲部５１１と屈曲部５１２との間の間隔（長さＬ３）も全てのプローブ２１において同じとする。 Of the plurality of probes 21, it is desirable that each probe 21 has a curved portion 51 that is curved to the same extent in order to avoid contact with the adjacent probe 21. Therefore, in each probe 21, the length L of points A to B is the same in all probes 21. Further, the distance (length L3) between the bent portion 511 and the bent portion 512 is also the same for all the probes 21.

次に、複数のプローブ２１のそれぞれに設ける湾曲部５１の位置を、図７を用いて説明する。 Next, the positions of the curved portions 51 provided on each of the plurality of probes 21 will be described with reference to FIG.

図７に示すように、配列する複数のプローブ２１のうち、あるプローブ２１の湾曲部５１の位置と、これに隣接するプローブ２１の湾曲部５１の位置とが同じにならないように、湾曲部５１の位置をプローブ２１毎にずらす。 As shown in FIG. 7, among the plurality of probes 21 arranged, the curved portion 51 is set so that the position of the curved portion 51 of a certain probe 21 and the position of the curved portion 51 of the probe 21 adjacent thereto are not the same. The position of is shifted for each probe 21.

つまり、図７に示すように、配列する各プローブ２１の位置に応じて、各プローブ２１の湾曲部５１の位置がずれるように、湾曲部５１をプローブ２１毎に設定する。隣接するプローブ２１との間で、湾曲部５１の位置のずれ量は、配列するプローブ２１間のピッチやプローブ２１の数等に応じて決定することができる。 That is, as shown in FIG. 7, the curved portion 51 is set for each probe 21 so that the position of the curved portion 51 of each probe 21 shifts according to the position of each probe 21 to be arranged. The amount of deviation of the position of the curved portion 51 from the adjacent probes 21 can be determined according to the pitch between the arranged probes 21 and the number of probes 21.

図８は、第１の実施形態に係るプローブ２１の作製方法を説明する説明図である。 FIG. 8 is an explanatory diagram illustrating a method of manufacturing the probe 21 according to the first embodiment.

第１の実施形態では、例えばフォトエッチングにより各プローブ２１の屈曲部５１１及び５１２を作成する方法を例示する。 In the first embodiment, a method of creating bent portions 511 and 512 of each probe 21 by, for example, photoetching is illustrated.

まず、導電性金属細線であるプローブ２１を洗浄した後、プローブ２１の表面に感光材としてのレジスト（マスク部材）により保護するために、スプレーを用いてプローブ２１の表面にレジストを塗布する（Ｓ１１）。これにより、プローブ２１の表面にレジストの薄膜が形成される。なお、プローブ２１の表面にレジストの薄膜を形成する方法は、特に限定されることなく、例えばスプレー方式、ディップ（浸漬）方式等を広く適用できる。 First, after cleaning the probe 21 which is a thin conductive metal wire, a resist is applied to the surface of the probe 21 using a spray in order to protect the surface of the probe 21 with a resist (mask member) as a photosensitive material (S11). ). As a result, a thin film of resist is formed on the surface of the probe 21. The method of forming the resist thin film on the surface of the probe 21 is not particularly limited, and for example, a spray method, a dip (immersion) method, or the like can be widely applied.

次に、プローブ２１の表面において屈曲部５１１及び５１２を形成する部分を露光する（Ｓ１２）。例えばレジストは感光性を有する材料で形成されており、ポジ型、ネガ型等を適用できる。例えば、プローブ２１の表面に形成されたレジストの薄膜に、紫外線等の光を照射ことにより、屈曲部５１１及び５１２の長さ（形状）に応じたパターンを露光する。 Next, on the surface of the probe 21, the portions forming the bent portions 511 and 512 are exposed (S12). For example, the resist is made of a photosensitive material, and a positive type, a negative type, or the like can be applied. For example, the resist thin film formed on the surface of the probe 21 is irradiated with light such as ultraviolet rays to expose a pattern corresponding to the length (shape) of the bent portions 511 and 512.

プローブ２１に形成する屈曲部５１１及び５１２の部分のレジストを除去するため、プローブ２１の表面に形成されたレジストパターンを現像する（Ｓ１３）。現像方法は、特に限定されるものではなく、スプレー現像、ディップ現像等の方法を適用できる。 In order to remove the resist at the bent portions 511 and 512 formed on the probe 21, the resist pattern formed on the surface of the probe 21 is developed (S13). The developing method is not particularly limited, and methods such as spray development and dip development can be applied.

そして、プローブ２１の表面に形成されたレジストパターンが現像されたプローブ２１にエッチング液を塗布（若しくは浸漬）して、屈曲部５１１及び５１２を形成する（Ｓ１４）。ここで、屈曲部５１１及び５１２の所望の線径とするために、エッチングに係る時間やエッチング液の種類等を調整することが必要となる。 Then, the etching solution is applied (or immersed) to the probe 21 in which the resist pattern formed on the surface of the probe 21 is developed to form the bent portions 511 and 512 (S14). Here, it is necessary to adjust the time required for etching, the type of etching solution, and the like in order to obtain the desired wire diameters of the bent portions 511 and 512.

その後、プローブ２１の表面に残っているレジストの薄膜を除去するために、プローブ２１にレジスト剥離液を塗布（若しくは浸漬）して、プローブ２１の表面上のレジストを剥離する（Ｓ１５）。 Then, in order to remove the resist thin film remaining on the surface of the probe 21, a resist stripping solution is applied (or immersed) to the probe 21 to strip the resist on the surface of the probe 21 (S15).

上記のようにして、プローブ２１において湾曲部５１を作製することができる。 As described above, the curved portion 51 can be produced in the probe 21.

ここで、湾曲部５１を有するプローブ２１の作製方法は、例えば、プローブ組立体５に組み込む際に、長さが調整された所定長のプローブ２１に対してエッチングを施して湾曲部５１を作製するようにしてもよい。 Here, as a method of manufacturing the probe 21 having the curved portion 51, for example, when incorporating the probe 21 into the probe assembly 5, the curved portion 51 is manufactured by etching the probe 21 having a predetermined length whose length has been adjusted. You may do so.

また例えば、図９に示すように、複数のプローブ２１分の長さの導電性金属細線に対してエッチングを施し、エッチングにより湾曲部５１を形成した後、プローブ２１の長さ及びプローブ２１における湾曲部５１の位置を調整した上で、所定の位置（図９の点Ｃ１、点Ｃ２）で導電性金属細線を切断し、湾曲部５１を有する複数のプローブ２１を作製するようにしてもよい。 Further, for example, as shown in FIG. 9, a plurality of conductive metal wires having a length of 21 minutes are etched to form a curved portion 51 by etching, and then the length of the probe 21 and the curvature of the probe 21 are formed. After adjusting the position of the portion 51, the conductive metal wire may be cut at a predetermined position (points C1 and C2 in FIG. 9) to produce a plurality of probes 21 having a curved portion 51.

これにより、プローブ２１における湾曲部５１の位置が同じである複数のプローブ２１を同時に作製することができる。また、プローブ２１における湾曲部５１の位置を調整できるため、湾曲部５１の位置がそれぞれ異なる複数のプローブ２１を作製することもできる。 As a result, a plurality of probes 21 having the same position of the curved portion 51 on the probe 21 can be manufactured at the same time. Further, since the position of the curved portion 51 in the probe 21 can be adjusted, it is possible to manufacture a plurality of probes 21 having different positions of the curved portion 51.

（Ａ−２）第１の実施形態の変形実施形態
図１０は、第１の実施形態の変形実施形態に係るプローブ２１における湾曲部５１を示す拡大図である。 (A-2) Modified Embodiment of the First Embodiment FIG. 10 is an enlarged view showing a curved portion 51 in the probe 21 according to the modified embodiment of the first embodiment.

上述した図６（Ｂ）の湾曲部５１は、２箇所の屈曲部５１１及び５１２を有する場合を例示した。 The case where the curved portion 51 of FIG. 6B described above has two bent portions 511 and 512 is illustrated.

これに対して、図１０に示す変形実施形態に係るプローブ２１は、プローブ２１の湾曲を開始する位置（点Ａ）から湾曲を終了する位置（点Ｂ）まで同じ線径とした１つの湾曲部５１Ａを有する。 On the other hand, the probe 21 according to the modified embodiment shown in FIG. 10 has one curved portion having the same wire diameter from the position where the probe 21 starts to bend (point A) to the position where the curve ends (point B). It has 51A.

このように、プローブ２１が、点Ａ〜点Ｂまで同じ線径とした湾曲部５１Ａを有する場合も、各プローブ２１をプローブ組立体５に組み込んだ際に、従来のようにガイドフィルムを設けることなく、プローブ２１が湾曲部５１ＡでほぼＳ字状に湾曲する。 In this way, even when the probe 21 has a curved portion 51A having the same wire diameter from the point A to the point B, when each probe 21 is incorporated into the probe assembly 5, a guide film is provided as in the conventional case. Instead, the probe 21 is curved in a substantially S shape at the curved portion 51A.

また、隣接するプローブ２１との間でプローブ２１における湾曲部５１Ａの位置をずらすことにより、各プローブ２１が湾曲する位置を調整できるため、あるプローブ２１が隣接するプローブ２１との間で接触することを回避でき、その結果として短絡を防止できる。 Further, since the position where each probe 21 is curved can be adjusted by shifting the position of the curved portion 51A in the probe 21 with the adjacent probe 21, a certain probe 21 comes into contact with the adjacent probe 21. Can be avoided, and as a result, a short circuit can be prevented.

図１０に例示する湾曲部５１Ａの線径Ｘは、図６（Ｂ）の屈曲部５１１及び５１２と同様に、プローブ２１の線径Ｙに対して８０％〜９０％程度とすることが望ましい。また、図９に例示する湾曲部５１Ａの長さＬは、図６（Ｂ）の湾曲部５１の長さＬと同程度とすることが望ましい。 The wire diameter X of the curved portion 51A illustrated in FIG. 10 is preferably about 80% to 90% with respect to the wire diameter Y of the probe 21, similar to the bent portions 511 and 512 in FIG. 6B. Further, it is desirable that the length L of the curved portion 51A illustrated in FIG. 9 is about the same as the length L of the curved portion 51 in FIG. 6 (B).

（Ａ−３）第１の実施形態の効果
以上のように、第１の実施形態によれば、プローブ組立体に組み込む複数のプローブのそれぞれが、各プローブの線径よりも小さい線径とした湾曲部を有することにより、従来のガイドフィルムを設けることなく、各プローブを湾曲させ、また各プローブの湾曲を支持することができる。 (A-3) Effect of First Embodiment As described above, according to the first embodiment, each of the plurality of probes incorporated in the probe assembly has a wire diameter smaller than the wire diameter of each probe. By having the curved portion, each probe can be curved and the curvature of each probe can be supported without providing a conventional guide film.

また、第１の実施形態によれば、複数のプローブのうち、あるプローブと、これに隣接するプローブとの間で、位置をずらして湾曲部を形成することにより、隣接するプローブとの接触を防止できるため、短絡を防止できる。 Further, according to the first embodiment, among a plurality of probes, a certain probe and a probe adjacent thereto are displaced from each other to form a curved portion, thereby making contact with the adjacent probe. Since it can be prevented, a short circuit can be prevented.

（Ｂ）第２の実施形態
次に、本発明に係る電気的接続装置及び接触子の第２の実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。 (B) Second Embodiment Next, a second embodiment of the electrical connection device and the contact according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第２の実施形態も、第１の実施形態と同様に、半導体ウェハに形成された複数の集積回路の電気的特性の検査を行う検査装置に組み付けられる電気的接続装置に適用する場合を例示する。 Similar to the first embodiment, the second embodiment also illustrates a case where it is applied to an electrical connection device assembled in an inspection device for inspecting the electrical characteristics of a plurality of integrated circuits formed on a semiconductor wafer. ..

（Ｂ−１）第２の実施形態の構成
第２の実施形態は、接触子としてのプローブの構造は、第１の実施形態と異なるが、電気的接続装置は、第１の実施形態と同様の電気的接続装置を適用できる。そのため、第２の実施形態においても、第１の実施形態の図１、図３、図４を用いて説明する。 (B-1) Configuration of Second Embodiment In the second embodiment, the structure of the probe as a contactor is different from that of the first embodiment, but the electrical connection device is the same as that of the first embodiment. Electrical connection device can be applied. Therefore, the second embodiment will also be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4 of the first embodiment.

図１１（Ａ）は、第２の実施形態に係るプローブ２１の構造を示す構造図である。図１１（Ｂ）及び図１１（Ｃ）は、プローブ２１における湾曲部５１Ｂ及び湾曲部５１Ｃ（図１１（Ａ）の点線部分）を示す拡大図である。 FIG. 11A is a structural diagram showing the structure of the probe 21 according to the second embodiment. 11 (B) and 11 (C) are enlarged views showing a curved portion 51B and a curved portion 51C (dotted line portion of FIG. 11A) in the probe 21.

上述した第１の実施形態では、プローブ２１に対してエッチング等を施して、線径を小さくした湾曲部５１を形成する場合を例示した。 In the first embodiment described above, a case where the probe 21 is etched or the like to form a curved portion 51 having a reduced wire diameter has been illustrated.

これに対して、第２の実施形態では、プローブ２１における湾曲部５１Ｂ（湾曲部５１Ｃ）以外のプローブ表面部分に対して、メッキ加工等の表面加工処理を施して、湾曲部５１Ｂ、５１Ｃの線径が、メッキ加工等を施したプローブ表面部分の線径よりも小さくなるようにする。 On the other hand, in the second embodiment, the probe surface portion other than the curved portion 51B (curved portion 51C) of the probe 21 is subjected to surface processing such as plating, and the lines of the curved portions 51B and 51C are applied. The diameter should be smaller than the wire diameter of the surface of the probe that has been plated.

これにより、プローブ組立体５に組み込んだ複数のプローブ２１のそれぞれが、各プローブ２１において形成した湾曲部５１がほぼＳ字状に湾曲するため、従来のガイドフィルムを設けることなく、各プローブ２１を湾曲させ、また各プローブ２１の湾曲を支持できる。 As a result, in each of the plurality of probes 21 incorporated in the probe assembly 5, the curved portion 51 formed in each probe 21 is curved in a substantially S-shape, so that each probe 21 can be formed without providing a conventional guide film. It can be curved and can support the curvature of each probe 21.

ここで、第２の実施形態において、各プローブ２１に対して施す表面加工処理は、メッキ加工を行なう場合を例示するが、メッキ加工に限定されるものではなく、コーティング加工、表面硬化加工等を適用できる。 Here, in the second embodiment, the surface processing treatment applied to each probe 21 exemplifies the case where plating processing is performed, but the present invention is not limited to plating processing, and coating processing, surface hardening processing, etc. are performed. Applicable.

なお、第２の実施形態に係るプローブ２１も、第１の実施形態で説明したように、隣接するプローブ２１との接触を回避するため、プローブ組立体５に組み込む各プローブ２１の位置に応じて、隣接するプローブ２１の湾曲部５１Ｂ、５１Ｃの位置をずらして、湾曲部５１Ｂ、５１Ｃをプローブ２１毎に作製する。 The probe 21 according to the second embodiment also depends on the position of each probe 21 incorporated in the probe assembly 5 in order to avoid contact with the adjacent probe 21 as described in the first embodiment. , The positions of the curved portions 51B and 51C of the adjacent probes 21 are shifted, and the curved portions 51B and 51C are manufactured for each probe 21.

図１１（Ｂ）において、各プローブ２１の湾曲部５１Ｂは、屈曲部５１１Ｂと屈曲部５１２Ｂとを有する。 In FIG. 11B, the curved portion 51B of each probe 21 has a bent portion 511B and a bent portion 512B.

屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂは、第１の実施形態の屈曲部５１１及び５１２と同様に、下に凸又は上に凸に屈曲する機能を有する。屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの線径Ｘは、導電性金属細線であるプローブ２１自体の線径であり、屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの上部及び下部において、メッキ加工によりメッキ部材６０がプローブ２１の表面に被膜している。そのため、屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの上部及び下部においてメッキ加工後のメッキ部材の線径Ｙは、屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの線径Ｘよりも大きくなる。 The bent portions 511B and 512B have a function of bending downwardly or upwardly, similarly to the bent portions 511 and 512 of the first embodiment. The wire diameters X of the bent portions 511B and 512B are the wire diameters of the probe 21 itself, which is a thin conductive metal wire. doing. Therefore, the wire diameter Y of the plated member after plating at the upper and lower portions of the bent portions 511B and 512B is larger than the wire diameter X of the bent portions 511B and 512B.

屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂのそれぞれの線径Ｘは、メッキ部材６０の材料種類にもよるが、メッキ加工後のメッキ部材の線径Ｙに対して８０％〜９０％程度である。もちろん、線径Ｘと線径Ｙとの関係は、メッキ部材６０の材料種類に応じて変わり得るものであり、引張強度の大きさに影響のあるヤング率の高いメッキ部材を用いる場合にはメッキ被膜厚を比較的小さくでき、逆にヤング率の小さいメッキ部材を用いる場合にはメッキ被膜を比較的大きくする。なお、メッキ部材は、導電性を有する金属材料であり、例えば、銅、銅合金、ニッケル、ニッケル合金等を適用できる。 The wire diameter X of each of the bent portions 511B and 512B is about 80% to 90% with respect to the wire diameter Y of the plated member after the plating process, although it depends on the material type of the plating member 60. Of course, the relationship between the wire diameter X and the wire diameter Y can change depending on the material type of the plating member 60, and when a plating member having a high Young's modulus that affects the magnitude of the tensile strength is used, plating is performed. The film thickness can be made relatively small, and conversely, when a plating member having a small Young's modulus is used, the plating film is made relatively large. The plating member is a conductive metal material, and for example, copper, a copper alloy, nickel, a nickel alloy, or the like can be applied.

屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの長さＬ１及びＬ２、並びに、湾曲部５１Ｂの長さＬは、第１の実施形態と同様に、基本的には、全てのプローブ２１間で同じとすることが望ましい。 It is desirable that the lengths L1 and L2 of the bent portions 511B and 512B and the length L of the bent portions 51B are basically the same among all the probes 21 as in the first embodiment.

図１１（Ｃ）では、各プローブ２１の湾曲部５１Ｃが、プローブ２１の湾曲を開始させる位置（点Ａ）から、湾曲を終了させる位置（点Ｂ）までの線径が同じとしたものである。つまり、湾曲部５１Ｃの上部及び下部において、メッキ加工によりメッキ部材６０をプローブ２１の表面に被膜している。そのため、湾曲部５１Ｃの上部及び下部においてメッキ加工後のメッキ部材の線径Ｙは、湾曲部５１Ｃの線径Ｘよりも大きくなる。 In FIG. 11C, the curved portion 51C of each probe 21 has the same wire diameter from the position where the probe 21 starts to bend (point A) to the position where the curve ends (point B). .. That is, the plating member 60 is coated on the surface of the probe 21 by plating at the upper and lower parts of the curved portion 51C. Therefore, the wire diameter Y of the plated member after the plating process at the upper part and the lower part of the curved portion 51C is larger than the wire diameter X of the curved portion 51C.

図１２は、第２の実施形態に係るプローブ２１の作製方法を説明する説明図である。ここでは、図１１（Ｂ）の屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂを有する湾曲部５１Ｂを作製する場合を例示する。もちろん、図１１（Ｃ）湾曲部５１Ｃを作製する場合も同様の方法により作製できる。 FIG. 12 is an explanatory diagram illustrating a method for producing the probe 21 according to the second embodiment. Here, a case where the curved portion 51B having the bent portions 511B and 512B of FIG. 11B is produced is illustrated. Of course, when the curved portion 51C shown in FIG. 11C is manufactured, it can be manufactured by the same method.

図１２のＳ２１〜Ｓ２３の処理は、基本的には、図８のＳ１１〜Ｓ１３の処理を用いることができるため、ここでは、図１２のＳ２１〜Ｓ２３の処理を簡単に説明する。 Since the processes of S21 to S23 of FIG. 12 can basically use the processes of S11 to S13 of FIG. 8, the processes of S21 to S23 of FIG. 12 will be briefly described here.

まず、導電性金属細線であるプローブ２１を洗浄した後、プローブ２１の表面に感光材としてのレジスト（マスク部材）７０により保護するために、スプレーを用いてプローブ２１の表面にレジストを塗布する（Ｓ２１）。 First, after cleaning the probe 21 which is a thin conductive metal wire, a resist is applied to the surface of the probe 21 using a spray in order to protect the surface of the probe 21 with a resist (mask member) 70 as a photosensitive material (a spray is used). S21).

次に、プローブ２１の表面において屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂを形成する部分を露光する（Ｓ２２）。例えば、プローブ２１の表面に形成されたレジストの薄膜に、紫外線等の光を照射ことにより、屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの長さ（形状）に応じたパターンを露光する。 Next, on the surface of the probe 21, the portions forming the bent portions 511B and 512B are exposed (S22). For example, the resist thin film formed on the surface of the probe 21 is irradiated with light such as ultraviolet rays to expose a pattern corresponding to the length (shape) of the bent portions 511B and 512B.

プローブ２１に形成する屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂの部分のレジストを除去するため、プローブ２１の表面に形成されたレジストパターンを現像する（Ｓ２３）。 In order to remove the resist at the bent portions 511B and 512B formed on the probe 21, the resist pattern formed on the surface of the probe 21 is developed (S23).

そして、プローブ２１の表面に形成されたレジストパターンが現像されたプローブ２１をメッキ加工する（Ｓ２４）。メッキ加工方法は、メッキ部材６０の種類に応じて、様々なメッキ加工方法を広く適用することができ、例えば、電気メッキ方法や、無電解メッキ方法等を適用できる。 Then, the probe 21 in which the resist pattern formed on the surface of the probe 21 is developed is plated (S24). As the plating method, various plating methods can be widely applied depending on the type of the plating member 60, and for example, an electroplating method, an electroless plating method, or the like can be applied.

このとき、プローブ２１において、湾曲部５１Ｂが有する屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂを形成する部分には、レジスト７０の薄膜が被膜されているため、これらレジスト７０が被膜されている部分のプローブ２１の表面部分に、メッキ部材６０が被膜する。 At this time, since the portion of the probe 21 that forms the bent portions 511B and 512B of the curved portion 51B is coated with a thin film of the resist 70, the surface portion of the probe 21 of the portion coated with the resist 70. The plating member 60 is coated on the surface.

その後、プローブ２１の表面に残っているレジスト７０の薄膜を除去するために、プローブ２１にレジスト剥離液を塗布（若しくは浸漬）して、プローブ２１の表面からレジスト７０を剥離する（Ｓ２５）。 Then, in order to remove the thin film of the resist 70 remaining on the surface of the probe 21, a resist stripping solution is applied (or immersed) to the probe 21 to strip the resist 70 from the surface of the probe 21 (S25).

上記のようにして、プローブ２１において、屈曲部５１１Ｂ及び５１２Ｂ以外の部分に、メッキ部材６０を被膜することができる。 As described above, in the probe 21, the plating member 60 can be coated on the portions other than the bent portions 511B and 512B.

なお、湾曲部５１Ｂを有するプローブ２１の作製方法は、第１の実施形態でも説明したように、例えば、プローブ組立体５に組み込む際に、長さが調整された所定長のプローブ２１に対してメッキ加工を施して湾曲部５１Ｂを作製するようにしてもよい。また例えば、複数のプローブ２１分の長さの導電性金属細線に対してメッキ加工を施して湾曲部５１Ｂを形成した後、プローブ２１の長さ及びプローブ２１における湾曲部５１Ｂの位置を調整した上で、所定の位置で導電性金属細線を切断し、湾曲部５１を有する複数のプローブ２１を作製するようにしてもよい（図９参照）。 As described in the first embodiment, the method of manufacturing the probe 21 having the curved portion 51B is, for example, with respect to the probe 21 having a predetermined length whose length is adjusted when the probe 21 is incorporated into the probe assembly 5. The curved portion 51B may be manufactured by performing a plating process. Further, for example, after plating a conductive metal wire having a length of a plurality of probes 21 minutes to form a curved portion 51B, the length of the probe 21 and the position of the curved portion 51B in the probe 21 are adjusted. Then, the conductive metal wire may be cut at a predetermined position to produce a plurality of probes 21 having a curved portion 51 (see FIG. 9).

（Ｂ−２）第２の実施形態の変形実施形態
図１３（Ａ）は、第２の実施形態の変形実施形態に係るプローブ２１における湾曲部５１Ｄを示す拡大図である。図１３（Ｂ）は、第２の実施形態の変形実施形態に係るプローブ２１における５１Ｅを示す拡大図である。 (B-2) Modified Embodiment of the Second Embodiment FIG. 13 (A) is an enlarged view showing a curved portion 51D in the probe 21 according to the modified embodiment of the second embodiment. FIG. 13B is an enlarged view showing 51E in the probe 21 according to the modified embodiment of the second embodiment.

図１３（Ａ）のプローブ２１は、湾曲部５１Ｄよりも下にあるプローブ２１部分が、湾曲部５１Ｄよりも上にあるプローブ２１部分よりも長いものとする。つまり、湾曲部５１Ｄはプローブ２１の上部に位置している。 In the probe 21 of FIG. 13A, it is assumed that the probe 21 portion below the curved portion 51D is longer than the probe 21 portion above the curved portion 51D. That is, the curved portion 51D is located above the probe 21.

このとき、屈曲部５１１Ｄの上部に施すメッキ部材６１をメッキ部材Ａと呼ぶ。また、屈曲部５１１Ｄと屈曲部５１２Ｄとの間に施すメッキ部材６２をメッキ部材Ｂと呼ぶ。、また、屈曲部５１２Ｄの下部に施すメッキ部材６３をメッキ部材Ｃと呼ぶ。 At this time, the plating member 61 applied to the upper part of the bent portion 511D is called a plating member A. Further, the plating member 62 applied between the bent portion 511D and the bent portion 512D is referred to as a plating member B. Further, the plating member 63 applied to the lower part of the bent portion 512D is referred to as a plating member C.

この場合、湾曲部５１Ｄはプローブ２１の上部に位置しているため、プローブ組立体５に当該プローブ２１を組み込んだときには、湾曲した後に垂直方向に伸びるプローブ２１部分が長くなり、この湾曲した部分より下側のプローブ２１部分が変形しやすくなってします。 In this case, since the curved portion 51D is located above the probe 21, when the probe 21 is incorporated into the probe assembly 5, the probe 21 portion that extends in the vertical direction after being curved becomes longer than the curved portion. The lower probe 21 part is easily deformed.

そこで、メッキ部材の材料特性を考慮して、プローブ２１に対してメッキ加工を行なう。より具体的には、メッキ材料のヤング率を考慮して、プローブ２１に対してメッキ加工を行なう。 Therefore, in consideration of the material characteristics of the plating member, the probe 21 is plated. More specifically, the probe 21 is plated in consideration of the Young's modulus of the plating material.

図１３（Ａ）において、メッキ部材Ａ、メッキ部材Ｂ、メッキ部材Ｃのそれぞれヤング率は、メッキ部材Ｃ＞メッキ部材Ｂ＞メッキ部材Ａの順に大きいものとする。 In FIG. 13A, the Young's moduluss of the plating member A, the plating member B, and the plating member C are increased in the order of plating member C> plating member B> plating member A.

これは、湾曲部５１Ｄよりも下のプローブ２１部分が長いため、このプローブ２１部分の強度を強くするためである。より具体的な一例としては、例えば、メッキ部材Ｃとしてニッケル合金を使用し、メッキ部材Ｂとしてニッケルを使用し、メッキ部材Ａとして銅合金を使用する。 This is because the probe 21 portion below the curved portion 51D is long, so that the strength of the probe 21 portion is increased. As a more specific example, for example, a nickel alloy is used as the plating member C, nickel is used as the plating member B, and a copper alloy is used as the plating member A.

このように、高いヤング率のメッキ部材Ｃを、湾曲部５１Ｄより下のプローブ２１部分に被覆することにより、このプローブ２１部分の強度が高まり、このプローブ２１部分の変形を抑えることができる。 By coating the probe 21 portion below the curved portion 51D with the plating member C having a high Young's modulus in this way, the strength of the probe 21 portion can be increased and the deformation of the probe 21 portion can be suppressed.

なお、プローブ組立体５に組み込む複数のプローブ２１の配列位置に応じて、湾曲部５１Ｄの位置はプローブ２１毎に異なる。そのため、プローブ２１によっては、湾曲部５１Ｄがプローブ２１の下部に位置するものもある。この場合、湾曲部５１Ｄよりも上にあるプローブ２１部分が長くなるため、湾曲部５１Ｄよりも上のプローブ２１部分に、ヤング率の高いメッキ部材Ｃをプローブ２１に被覆することが望ましい。 The position of the curved portion 51D differs for each probe 21 depending on the arrangement position of the plurality of probes 21 incorporated in the probe assembly 5. Therefore, in some probes 21, the curved portion 51D is located below the probe 21. In this case, since the probe 21 portion above the curved portion 51D becomes long, it is desirable to cover the probe 21 portion above the curved portion 51D with a plating member C having a high Young's modulus.

図１３（Ｂ）の１つの湾曲部５１Ｅを有するプローブ２１においても同様である。 The same applies to the probe 21 having one curved portion 51E in FIG. 13 (B).

つまり、図１３（Ｂ）において、湾曲部５１Ｅよりも下のプローブ２１部分が、湾曲部５１Ｅよりも上のプローブ２１部分よりも長い場合、メッキ部材のヤング率は、メッキ部材Ｅ＞メッキ部材Ｄとする。 That is, in FIG. 13B, when the probe 21 portion below the curved portion 51E is longer than the probe 21 portion above the curved portion 51E, the Young's modulus of the plating member is such that the plating member E> plating member D. And.

（Ｂ−３）第２の実施形態の効果
以上のように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏する。 (B-3) Effect of Second Embodiment As described above, according to the second embodiment, the same effect as that of the first embodiment is obtained.

さらに、第２の実施形態によれば、材料特性（ヤング率）の異なるメッキ部材を用いて、プローブに対してメッキ加工処理を施すことにより、プローブのうち長く伸びるプローブ部分の強度を高めることができ、このようなプローブ部分の変形を抑えることができる。 Further, according to the second embodiment, the strength of the long-extending probe portion of the probe can be increased by subjecting the probe to a plating process using plating members having different material properties (Young's modulus). It is possible to suppress such deformation of the probe portion.

（Ｃ）他の実施形態
上述した第１及び第２の実施形態においても種々の変形実施形態を言及したが、本発明は、以下の変形実施形態にも適用できる。 (C) Other Embodiments Although various modified embodiments have been mentioned in the above-mentioned first and second embodiments, the present invention can also be applied to the following modified embodiments.

（Ｃ−１）上述した第１の実施形態では、湾曲部５１の形成方法として、エッチングによる表面加工処理を行なう場合を例示した。しかし、表面加工処理の方法は、湾曲部５１の線径が非湾曲部の線径よりも小さくできるのであれば、エッチングに限定されるものではなく、研削等であってもよい。 (C-1) In the first embodiment described above, a case where a surface processing treatment by etching is performed is exemplified as a method for forming the curved portion 51. However, the surface processing method is not limited to etching as long as the wire diameter of the curved portion 51 can be made smaller than the wire diameter of the non-curved portion, and may be grinding or the like.

（Ｃ−２）上述した第２の実施形態では、湾曲部以外の非湾曲部を、メッキ加工により、プローブの線材よりもヤング率の高い被覆部材で被覆する場合を例示した。しかし、湾曲部と非湾曲部とのヤング率の違いを考慮して、湾曲部で湾曲することができるのであれば、プローブにおいて、湾曲部を形成する材質と、非湾曲部を形成する材質とが異なるようにして、湾曲部を形成するようにしてもよい。つまり、プローブにおいて、湾曲部は、非湾曲部よりもヤング率の小さい材質の部材で形成し、非湾曲部は、湾曲部よりもヤング率の高い材質の部材で形成するようにしてもよい。 (C-2) In the second embodiment described above, a case where the non-curved portion other than the curved portion is covered with a coating member having a higher Young's modulus than the wire rod of the probe by plating is illustrated. However, in consideration of the difference in Young's modulus between the curved portion and the non-curved portion, if the curved portion can be curved, the material forming the curved portion and the material forming the non-curved portion in the probe May be different to form a curved portion. That is, in the probe, the curved portion may be formed of a member made of a material having a Young's modulus smaller than that of the non-curved portion, and the non-curved portion may be formed of a member made of a material having a Young's modulus higher than that of the curved portion.

１…電気的接続装置、２…配線基板、３…接続基板、４…配線、５…プローブ組立体、１５…半導体ウェハ１５…電極、１７…第２の板状部材、１８…第１の板状部材、１９…第３の板状部材、２０…枠部材、２１…接触子、２２…プローブ支持体、２４…貫通穴、２５…貫通穴、２６…貫通穴、
２１…プローブ、５１、５１Ａ、５１Ｂ、５１Ｃ、５１Ｄ、５１Ｅ…湾曲部、
５１１、５１１Ｂ、５１１Ｄ…屈曲部、５１２、５１２Ｂ、５１２Ｅ…屈曲部。

1 ... Electrical connection device, 2 ... Wiring board, 3 ... Connection board, 4 ... Wiring, 5 ... Probe assembly, 15 ... Semiconductor wafer 15 ... Electrode, 17 ... Second plate-shaped member, 18 ... First plate Shaped member, 19 ... 3rd plate-shaped member, 20 ... Frame member, 21 ... Contact, 22 ... Probe support, 24 ... Through hole, 25 ... Through hole, 26 ... Through hole,
21 ... Probe, 51, 51A, 51B, 51C, 51D, 51E ... Curved part,
511, 511B, 511D ... Bending part, 512, 512B, 512E ... Bending part.

Claims

With multiple contacts,
A first support plate that supports one end of each of the contacts that are in electrical contact with each of the plurality of connecting lands,
The other end of each of the above contacts, which is in electrical contact with each of the plurality of electrodes of the object to be inspected, is
A second support plate that is supported by the first support plate by shifting the support position of each of the contacts is provided.
Each of the above contacts has a curved portion that curves at a different position from the adjacent contacts.
The wire diameter of the curved portion of each of the contacts is formed to be smaller than the wire diameter of the non-curved portion of each of the contacts.
The curved part is
The first bent portion on the first support plate side and
It has the first bent portion and the second bent portion on the second support plate side provided at a predetermined interval.
An electrical connection device characterized in that at least one of the first bent portion and the second bent portion has the same wire diameter from a bending start position to a bending end position.

The electricity according to claim 1, wherein the position of the curved portion in each of the contacts differs depending on the arrangement position of each of the contacts supported by the first support plate and the second support plate. Connection device.

The electrical connection device according to claim 1 or 2, wherein each of the contacts is curved in a substantially S shape at the curved portion.

The non-curved portion of each of the contacts was formed by covering each of the contacts with a covering member, and the first bent portion and the second bent portion of each of the contacts were not covered with the covering member. Area
The first covering member formed above the first bent portion, the second covering member between the first bent portion and the second bent portion, and the second covering member formed below the second bent portion. 3. The electrical connection device according to any one of claims 1 to 3, wherein the Young's modulus of each of the covering members is higher than the Young's modulus of the contactor.

The fourth aspect of claim 4, wherein the Young's modulus values of the first covering member, the second covering member, and the third covering member are determined according to the position of the curved portion with respect to each of the contacts. Electrical connection device.

When the lower end of the curved portion is located above the central portion of the contact, the Young's modulus is higher in the order of the third covering member, the second covering member, and the first covering member, and the upper end of the curved portion. The fifth aspect of claim 5, wherein when the portion is located below the central portion of the contact, the Young's modulus is higher in the order of the first covering member, the second covering member, and the third covering member. Electrical connection device.

Each of the plurality of contacts supported by the first support plate and the second support plate,
One end that is supported by the first support plate and makes electrical contact with the connecting land,
The other end, which is supported by the second support plate and electrically contacts the electrode of the object to be inspected, at a position shifted from the support position by the first support plate.
It has an adjacent contact and a curved part that curves at a different position,
Wire diameter of the curved portion of the contactor, are small rather than the wire diameter of the non-curved portion of the contact,
The curved part is
The first bent portion on the first support plate side and
It has the first bent portion and the second bent portion on the second support plate side provided at a predetermined interval.
A contacter characterized in that at least one of the first bent portion and the second bent portion has the same wire diameter from the bending start position to the bending end position.

The contact according to claim 7, wherein the position of the curved portion differs depending on the arrangement position of each of the contacts supported by the first support plate and the second support plate.

The contact according to claim 7 or 8, wherein the curved portion is curved substantially in an S shape.

The non-curved portion is formed by covering the contact with a covering member, and the first bent portion and the second bent portion are regions not covered with the covering member.
The first covering member formed above the first bent portion, the second covering member between the first bent portion and the second bent portion, and the second covering member formed below the second bent portion. 3. The contact according to any one of claims 7 to 9, wherein each Young's modulus with the covering member is higher than the Young's modulus of the contact.

The tenth aspect of the present invention, wherein the Young's modulus values of the first covering member, the second covering member, and the third covering member are determined according to the position of the curved portion with respect to the contact. Contact.

When the lower end of the curved portion is located above the central portion of the contact, the Young's modulus is higher in the order of the third covering member, the second covering member, and the first covering member, and the upper end of the curved portion. The contact according to claim 11, wherein when is located below the central portion of the contact, the Young's modulus is higher in the order of the first covering member, the second covering member, and the third covering member. Child.