JP6813084B2 - Manufacturing method of elastic wave device - Google Patents
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Description
本発明は、弾性波装置の製造方法及び弾性波装置に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an elastic wave device and an elastic wave device.
従来、不要波を抑制するために、ピストンモードを利用した弾性波装置が提案されている。 Conventionally, an elastic wave device using a piston mode has been proposed in order to suppress unnecessary waves.
例えば、下記の特許文献1には、ピストンモードを利用した弾性波装置の一例が示されている。この弾性波装置は、IDT電極を有する弾性波共振子である。ここで、IDT電極の電極指が延びる方向を交叉幅方向とする。上記IDT電極は、交叉幅方向中央に配置された中央領域と、その交叉幅方向外側に配置された低音速領域と、さらに交叉幅方向外側に配置された高音速領域とを有する。 For example, Patent Document 1 below shows an example of an elastic wave device using a piston mode. This elastic wave device is an elastic wave resonator having an IDT electrode. Here, the direction in which the electrode finger of the IDT electrode extends is defined as the crossing width direction. The IDT electrode has a central region arranged in the center in the crossing width direction, a low sound velocity region arranged outside in the crossing width direction, and a high sound velocity region arranged further outside in the crossing width direction.
特許文献1に記載のIDT電極におけるバスバーは、交叉幅方向中央に設けられた、複数の開口部を有する。この複数の開口部が設けられた領域が、上記IDT電極における高音速領域である。開口部よりも交叉幅方向内側に位置している、帯状の内側バスバー部が低音速領域である。それによって、上記弾性波装置は横モードリップルを抑制している。 The bus bar in the IDT electrode described in Patent Document 1 has a plurality of openings provided at the center in the crossing width direction. The region provided with the plurality of openings is the high sound velocity region in the IDT electrode. The band-shaped inner bus bar, which is located inside the crossover width direction from the opening, is the low sound velocity region. As a result, the elastic wave device suppresses the transverse mode ripple.
特許文献1に記載のような弾性波装置を製造するに際しては、バスバー内に複数の開口部を有する微細な電極パターンを形成する必要がある。このような電極パターンをリフトオフ法により形成する場合、上記開口部の部分においてレジストが電極に囲まれることになる。そのため、レジストの剥離に際し、剥離液が安定してレジストに接触し難く、レジストの残渣による不良が発生することがあった。 When manufacturing an elastic wave device as described in Patent Document 1, it is necessary to form a fine electrode pattern having a plurality of openings in the bus bar. When such an electrode pattern is formed by the lift-off method, the resist is surrounded by the electrodes at the opening portion. Therefore, when the resist is peeled off, the stripping solution is stable and difficult to come into contact with the resist, and defects due to the residue of the resist may occur.
本発明の目的は、レジストの残渣が生じ難く、電気的特性の劣化を生じ難くすることができ、かつ生産性を高めることができる、弾性波装置の製造方法及び弾性波装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an elastic wave device and an elastic wave device capable of making it difficult for a resist residue to occur, making it difficult for deterioration of electrical characteristics to occur, and increasing productivity. is there.
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、互いに対向し合う第1のバスバー及び第2のバスバーと、前記第1のバスバーに一端が接続されている複数の第1の電極指と、前記第2のバスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第1の電極指と互いに間挿し合っている複数の第2の電極指とを含むIDT電極を有する弾性波装置の製造方法であって、圧電基板を用意する工程と、前記圧電基板上に、第1の内側バスバーと、前記第1の内側バスバーに一端が接続されている前記複数の第1の電極指と、前記第1の内側バスバーに対向する第2の内側バスバーと、前記第2の内側バスバーに一端が接続されている前記複数の第2の電極指と、前記第1の内側バスバーの前記複数の第1の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第1の接続電極と、前記第2の内側バスバーの前記複数の第2の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第2の接続電極とをリフトオフ法により形成する工程と、前記複数の第1の接続電極の一部を覆うように、前記圧電基板上に第1の外側バスバーを形成することにより、前記第1の外側バスバー、前記複数の第1の接続電極及び前記第1の内側バスバーにより囲まれた複数の第1の開口部を有する前記第1のバスバーを形成する工程と、前記複数の第2の接続電極の一部を覆うように、前記圧電基板上に第2の外側バスバーを形成することにより、前記第2の外側バスバー、前記複数の第2の接続電極及び前記第2の内側バスバーにより囲まれた複数の第2の開口部を有する前記第2のバスバーを形成する工程とを備える。
The method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention includes a first bus bar and a second bus bar facing each other, a plurality of first electrode fingers having one end connected to the first bus bar, and the first electrode finger. A method for manufacturing an elastic wave device having an IDT electrode having one end connected to the
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、前記第1の接続電極を形成する工程において、前記圧電基板上に、前記第1の接続電極の、前記第1の内側バスバーに接続されている側とは反対側の端部に接続されている、前記第1の接続電極が延びる方向に交叉する方向に延びる第3の接続電極を形成する。この場合には、IDT電極の電気抵抗を低くすることができる。 In a specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, in the step of forming the first connection electrode, on the piezoelectric substrate, on the first inner bus bar of the first connection electrode. A third connecting electrode is formed, which is connected to an end portion on the side opposite to the connected side and extends in a direction intersecting the extending direction of the first connecting electrode. In this case, the electrical resistance of the IDT electrode can be lowered.
本発明に係る弾性波装置の製造方法の他の特定の局面では、前記第1の接続電極及び前記第3の接続電極を形成する工程において、複数の前記第3の接続電極を、互いにギャップを隔てて形成する。この場合には、IDT電極の電気抵抗を低くすることができ、かつレジストパターンを効果的に剥離し易くすることができる。 In another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, in the step of forming the first connection electrode and the third connection electrode, a plurality of the third connection electrodes are gapped with each other. Formed apart. In this case, the electrical resistance of the IDT electrode can be lowered, and the resist pattern can be effectively peeled off easily.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに他の特定の局面では、前記第1の接続電極及び前記第3の接続電極を形成する工程において、前記第3の接続電極、前記複数の第1の接続電極及び前記第1の内側バスバーにより囲まれた複数の第3の開口部を形成するように、かつ前記第3の開口部の前記第1の接続電極が延びる方向に沿う寸法が、前記第1の開口部の前記第1の接続電極が延びる方向に沿う寸法より長くなるように、前記第3の接続電極を形成する。この場合には、IDT電極の電気抵抗を低くすることができ、かつレジストパターンを剥離し易い。 In still another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, in the step of forming the first connection electrode and the third connection electrode, the third connection electrode and the plurality of first connection electrodes are formed. The dimensions of the third opening along the direction in which the first connecting electrode extends so as to form a plurality of third openings surrounded by the connecting electrode and the first inner bus bar are described above. The third connection electrode is formed so as to be longer than the dimension along the extending direction of the first connection electrode of the first opening. In this case, the electrical resistance of the IDT electrode can be lowered, and the resist pattern can be easily peeled off.
本発明に係る弾性波装置の製造方法の別の特定の局面では、前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極が、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が延びる方向と平行な方向に延びている。 In another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, the first connecting electrode and the second connecting electrode are oriented in a direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend. It extends in a parallel direction.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記第1の接続電極及び前記第2の接続電極が、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が延びる方向と交叉する方向に延びている。この場合には、横モードによるスプリアスを抑制することができる。 In yet another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, the direction in which the first connecting electrode and the second connecting electrode extend in the direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend. It extends in the direction of crossing with. In this case, spurious due to the transverse mode can be suppressed.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、弾性波伝搬方向を第1の方向とし、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が延びる方向を第2の方向としたときに、前記IDT電極が、前記第1の電極指と前記第2の電極指とが前記第1の方向において重なり合っている部分である交叉領域を有し、前記交叉領域が、前記第2の方向中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記第2の方向両側に配置されている第1のエッジ領域及び第2のエッジ領域とを有し、前記第1のエッジ領域が前記第1の内側バスバー側に位置しており、前記第2のエッジ領域が前記第2の内側バスバー側に位置しており、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域における音速が、前記中央領域における音速よりも低い。この場合には、横モードによるスプリアスを抑制することができる。 In yet another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, the elastic wave propagation direction is set as the first direction, and the direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend is the second direction. When the direction is taken, the IDT electrode has a crossing region in which the first electrode finger and the second electrode finger overlap in the first direction, and the crossing region is the crossing region. It has a central region located on the central side in the second direction, and a first edge region and a second edge region arranged on both sides of the central region in the second direction. The edge region is located on the first inner bus bar side, the second edge region is located on the second inner bus bar side, and in the first edge region and the second edge region. The speed of sound is lower than the speed of sound in the central region. In this case, spurious due to the transverse mode can be suppressed.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板上に、前記第1の外側バスバーに接続するように配線電極を形成する工程がさらに備えられており、前記配線電極を形成する工程を、前記第1の外側バスバーを形成する工程と同時に行う。この場合には、生産性をより一層高めることができる。 In yet another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, a step of forming a wiring electrode on the piezoelectric substrate so as to connect to the first outer bus bar is further provided. The step of forming the wiring electrode is performed at the same time as the step of forming the first outer bus bar. In this case, the productivity can be further increased.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のさらに別の特定の局面では、前記圧電基板上に、前記配線電極に接続するように端子を形成する工程がさらに備えられており、前記端子を形成する工程を、前記第1の外側バスバー及び前記配線電極を形成する工程と同時に行う。この場合には、生産性をより一層高めることができる。 In yet another specific aspect of the method for manufacturing an elastic wave device according to the present invention, a step of forming a terminal on the piezoelectric substrate so as to connect to the wiring electrode is further provided, and the terminal is formed. The step is performed at the same time as the step of forming the first outer bus bar and the wiring electrode. In this case, the productivity can be further increased.
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられているIDT電極とを備え、前記IDT電極が、第1の内側バスバーと、前記第1の内側バスバーに一端が接続されている複数の第1の電極指と、前記第1の内側バスバーに対向する第2の内側バスバーと、前記第2の内側バスバーに一端が接続されており、かつ前記複数の第1の電極指と互いに間挿し合っている複数の第2の電極指と、前記第1の内側バスバーの前記複数の第1の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第1の接続電極と、前記第2の内側バスバーの前記複数の第2の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第2の接続電極と、前記複数の第1の接続電極上及び前記圧電基板上に設けられている第1の外側バスバーと、前記第1の外側バスバー、前記複数の第1の接続電極及び前記第1の内側バスバーにより囲まれた複数の第1の開口部と、前記複数の第2の接続電極上及び前記圧電基板上に設けられている第2の外側バスバーと、前記第2の外側バスバー、前記複数の第2の接続電極及び前記第2の内側バスバーにより囲まれた複数の第2の開口部とを有する。 The elastic wave device according to the present invention includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, and the IDT electrode is connected to a first inner bus bar and one end to the first inner bus bar. One end is connected to the plurality of first electrode fingers, the second inner bus bar facing the first inner bus bar, and the second inner bus bar, and the plurality of first electrodes A plurality of second electrode fingers that are interleaved with each other and one end connected to a side opposite to the side to which the plurality of first electrode fingers of the first inner bus bar are connected. A plurality of second connection electrodes having one end connected to a side opposite to the side to which the plurality of second electrode fingers of the second inner bus bar are connected, and the said. Surrounded by a first outer bus bar provided on the plurality of first connection electrodes and the piezoelectric substrate, the first outer bus bar, the plurality of first connection electrodes, and the first inner bus bar. A plurality of first openings, a second outer bus bar provided on the plurality of second connection electrodes and the piezoelectric substrate, the second outer bus bar, and the plurality of second connections. It has a plurality of second openings surrounded by electrodes and the second inner bus bar.
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、前記複数の第1の接続電極及び前記第2の接続電極が、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が延びる方向と交叉する方向に延びている。この場合には、横モードによるスプリアスを抑制することができる。 In a specific aspect of the elastic wave device according to the present invention, the plurality of first connecting electrodes and the second connecting electrode intersect with the direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend. It extends in the direction. In this case, spurious due to the transverse mode can be suppressed.
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、弾性波伝搬方向を第1の方向とし、前記第1の電極指及び前記第2の電極指が延びる方向を第2の方向としたときに、前記IDT電極が、前記第1の電極指と前記第2の電極指とが前記第1の方向において重なり合っている部分である交叉領域を有し、前記IDT電極が、前記交叉領域において、前記第2の方向中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記第2の方向両側に配置されている第1のエッジ領域及び第2のエッジ領域とを有し、前記第1のエッジ領域が前記第1の内側バスバー側に位置しており、前記第2のエッジ領域が前記第2の内側バスバー側に位置しており、前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域における音速が、前記中央領域における音速よりも低い。この場合には、横モードによるスプリアスを抑制することができる。 In another specific aspect of the elastic wave device according to the present invention, when the elastic wave propagation direction is set as the first direction and the direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend is set as the second direction. In addition, the IDT electrode has a crossed region in which the first electrode finger and the second electrode finger overlap in the first direction, and the IDT electrode has a crossed region in the crossed region. It has a central region located on the central side of the second direction, and a first edge region and a second edge region arranged on both sides of the central region in the second direction. The edge region is located on the first inner bus bar side, the second edge region is located on the second inner bus bar side, and the first edge region and the second edge region are located. Is lower than the sound velocity in the central region. In this case, spurious due to the transverse mode can be suppressed.
本発明に係る弾性波装置のさらに他の特定の局面では、前記第1の外側バスバーは前記複数の第1の接続電極及び前記圧電基板からなる凹凸部上に設けられており、前記第2の外側バスバーは前記複数の第2の接続電極及び前記圧電基板からなる凹凸部上に設けられている。この場合には、第1の外側バスバーと複数の第1の接続電極との接合力を高めることができる。同様に第2の外側バスバーと複数の第2の接続電極との接合力を高めることができる。 In still another specific aspect of the elastic wave device according to the present invention, the first outer bus bar is provided on an uneven portion composed of the plurality of first connection electrodes and the piezoelectric substrate, and the second outer bus bar is provided. The outer bus bar is provided on the uneven portion composed of the plurality of second connection electrodes and the piezoelectric substrate. In this case, the bonding force between the first outer bus bar and the plurality of first connecting electrodes can be increased. Similarly, the bonding force between the second outer bus bar and the plurality of second connecting electrodes can be increased.
本発明によれば、レジストの残渣が生じ難く、電気的特性の劣化を生じ難くすることができ、かつ生産性を高めることができる、弾性波装置の製造方法及び弾性波装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing an elastic wave device and an elastic wave device capable of making it difficult for a resist residue to occur, making it difficult for deterioration of electrical characteristics to occur, and increasing productivity. it can.
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。 Hereinafter, the present invention will be clarified by explaining specific embodiments of the present invention with reference to the drawings.
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。 It should be noted that each of the embodiments described herein is exemplary and that partial substitutions or combinations of configurations are possible between different embodiments.
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図1においては、後述する第1の誘電体膜及び第2の誘電体膜を省略している。 FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, the first dielectric film and the second dielectric film, which will be described later, are omitted.
弾性波装置1は、圧電基板2を有する。本実施形態では、圧電基板2は127.5°Y−XのLiNbO3からなる。なお、圧電基板2のカット角は上記に限定されない。圧電基板2は、LiTaO3などの、LiNbO3以外の圧電単結晶からなっていてもよく、あるいは、適宜の圧電セラミックスからなっていてもよい。The elastic wave device 1 has a
圧電基板2上には、IDT電極3が設けられている。IDT電極3に交流電圧を印加すると、弾性波が励振される。IDT電極3の弾性波伝搬方向両側には反射器13a及び反射器13bが設けられている。このように、本実施形態では、弾性波装置1は1ポート型の弾性波共振子である。なお、本発明の弾性波装置はこれに限定されず、例えば、弾性波共振子を複数有するラダー型フィルタや、IDT電極を複数有する縦結合共振子型弾性波フィルタであってもよい。
The
本実施形態の弾性波装置1は、ピストンモードを利用しており、IDT電極3は後述する第1の低音速領域La及び第1の高音速領域Ha並びに第2の低音速領域Lb及び第2の高音速領域Hbを有する。これを以下においてより具体的に説明する。
The elastic wave device 1 of the present embodiment uses the piston mode, and the
IDT電極3は、互いに対向し合う第1の内側バスバー4a及び第2の内側バスバー5aを有する。IDT電極3は、第1の内側バスバー4aに一端が接続されている、複数の第1の電極指4bを有する。さらに、IDT電極3は、第2の内側バスバー5aに一端が接続されている、複数の第2の電極指5bを有する。複数の第1の電極指4bと複数の第2の電極指5bとは、互いに間挿し合っている。
The
ここで、弾性波伝搬方向を第1の方向xとし、第1の電極指4b及び第2の電極指5bが延びる方向を第2の方向yとする。本実施形態では、第1の方向xに直交する方向と、第2の方向yとは平行である。
Here, the elastic wave propagation direction is defined as the first direction x, and the direction in which the
IDT電極3は、第1の内側バスバー4aの第1の電極指4bが接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第1の接続電極4cを有する。本実施形態では、第1の接続電極4cは、第2の方向yに平行に延びている。第1の内側バスバー4a及び複数の第1の接続電極4cは、櫛歯状の電極パターンを形成しており、第2の方向yにおける外側においては、電極間においてギャップが形成されている。
The
IDT電極3は、第2の内側バスバー5aの第2の電極指5bが接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第2の接続電極5cを有する。本実施形態では、第2の接続電極5cは、第2の方向yに平行に延びている。第2の内側バスバー5a及び複数の第2の接続電極5cは、櫛歯状の電極パターンを形成しており、第2の方向yにおける外側においては、電極間においてギャップが形成されている。
The
複数の第1の接続電極4cの一部を覆うように、圧電基板2上に第1の外側バスバー6が設けられている。第1の外側バスバー6、複数の第1の接続電極4c及び第1の内側バスバー4aにより、第1のバスバー14が構成されている。第1のバスバー14は、第1の外側バスバー6、複数の第1の接続電極4c及び第1の内側バスバー4aにより囲まれた複数の第1の開口部8を有する。
A first
図2は、図1中のI−I線に沿う断面図である。なお、図2においては、後述する第1の誘電体膜及び第2の誘電体膜を省略している。 FIG. 2 is a cross-sectional view taken along the line I-I in FIG. In FIG. 2, the first dielectric film and the second dielectric film, which will be described later, are omitted.
第1の外側バスバー6は、圧電基板2及び複数の第1の接続電極4cにより形成された凹凸部上に設けられている。
The first
図1に戻り、複数の第2の接続電極5cの一部を覆うように、圧電基板2上に第2の外側バスバー7が設けられている。第2の外側バスバー7は、圧電基板2及び複数の第2の接続電極5cにより形成された凹凸部上に設けられている。第2の外側バスバー7、複数の第2の接続電極5c及び第2の内側バスバー5aにより、第2のバスバー15が構成されている。第2のバスバー15は、第2の外側バスバー7、複数の第2の接続電極5c及び第2の内側バスバー5aにより囲まれた複数の第2の開口部9を有する。
Returning to FIG. 1, a second
IDT電極3は、第1の電極指4bと第2の電極指5bとが第1の方向xにおいて重なり合っている部分である交叉領域Aを有する。交叉領域Aは、第2の方向yにおける第1の電極指4b及び第2の電極指5bの中央に位置している中央領域Bを有する。交叉領域Aは、第2の方向yにおける中央領域Bの外側に配置された第1のエッジ領域Ca及び第2のエッジ領域Cbを有する。第1のエッジ領域Caは第1の内側バスバー4a側に位置し、第2のエッジ領域Cbは第2の内側バスバー5a側に位置している。
The
図3は、第1の実施形態におけるIDT電極の第1のエッジ領域付近の拡大平面図である。 FIG. 3 is an enlarged plan view of the vicinity of the first edge region of the IDT electrode in the first embodiment.
第1の電極指4b及び第2の電極指5bの第1の方向xに沿う寸法を幅とする。第1の電極指4bは、第1のエッジ領域Caにおいて、他の部分より幅が広い幅広部16を有する。第2の電極指5bも、第1のエッジ領域Caにおいて、他の部分より幅が広い幅広部17を有する。これにより、第1のエッジ領域Caにおける音速は、中央領域Bにおける音速よりも低い。さらに、第1の内側バスバー4aが設けられている領域における音速も、中央領域Bにおける音速よりも低い。このように、第1のエッジ領域Caから第1の内側バスバー4aが設けられている領域にかけて、平均音速が中央領域Bにおける音速よりも低い、第1の低音速領域Laが構成されている。なお、本明細書において、音速とは弾性波の第1の方向xにおける伝搬速度である。
The width is defined as the dimension of the
図1に戻り、第1の電極指4b及び第2の電極指5bは、第2のエッジ領域Cbにおいても、幅広部を有する。第2のエッジ領域Cbから第2の内側バスバー5aが設けられている領域にかけて、平均音速が中央領域Bにおける音速よりも低い、第2の低音速領域Lbが構成されている。
Returning to FIG. 1, the
上記第1の開口部8は、第1のエッジ領域Caの第2の方向yにおける外側に位置している。本実施形態では、第1の開口部8を構成している第1の接続電極4cは、第1の電極指4bの、第2の方向yにおける延長線上に位置しており、第2の電極指5bの上記延長線上には位置していない。よって、第1の開口部8が設けられている領域における、第1の方向xに沿う電極の占有率は、中央領域Bにおける、第1の方向xに沿う電極の占有率より小さい。従って、第1の開口部8が設けられている領域において、中央領域Bの音速よりも音速が高い、第1の高音速領域Haが構成されている。
The
上記第2の開口部9は、第2のエッジ領域Cbの第2の方向yにおける外側に位置している。第1の開口部8が設けられている領域と同様に、第2の開口部9が設けられている領域において、中央領域Bの音速よりも音速が高い、第2の高音速領域Hbが構成されている。
The
このように、中央領域B、第1の低音速領域La及び第1の高音速領域Haがこの順序で配置されており、中央領域B、第2の低音速領域Lb及び第2の高音速領域Hbがこの順序で配置されている。それによって、弾性波のエネルギーを閉じ込め、かつ高次の横モードによるスプリアスを抑制している。 In this way, the central region B, the first low sound velocity region La, and the first high sound velocity region Ha are arranged in this order, and the central region B, the second low sound velocity region Lb, and the second high sound velocity region are arranged in this order. Hb is arranged in this order. As a result, the energy of elastic waves is confined and spurious due to higher-order transverse mode is suppressed.
図4は、第1の実施形態における第1の電極指の拡大正面断面図である。 FIG. 4 is an enlarged front sectional view of the first electrode finger in the first embodiment.
本実施形態では、第1の電極指4bは、圧電基板2側から、第1の金属層3a、第2の金属層3b、第3の金属層3c、第4の金属層3d及び第5の金属層3eがこの順序で積層された積層金属膜からなる。第1の金属層3aはNiCrからなる。第2の金属層3bはPtからなる。第3の金属層3cはTiからなる。第4の金属層3dはAlCuからなる。第5の金属層3eはTiからなる。第1の金属層3aの膜厚は10nmであり、第2の金属層3bの膜厚は72nmであり、第3の金属層3cの膜厚は60nmであり、第4の金属層3dの膜厚は130nmであり、第5の金属層3eの膜厚は10nmである。IDT電極の他の第1の電極指、複数の第2の電極指、複数の第1の接続電極及び複数の第2の接続電極も同様に構成されている。
In the present embodiment, the
なお、複数の第1の電極指、複数の第2の電極指、複数の第1の接続電極及び複数の第2の接続電極の材料及び膜厚は上記に限定されない。複数の第1の電極指、複数の第2の電極指、複数の第1の接続電極及び複数の第2の接続電極は、単層の金属膜からなっていてもよい。上記第1の外側バスバー及び上記第2の外側バスバーも、複数の金属層が積層された積層金属膜からなっていてもよく、あるいは、単層の金属膜からなっていてもよい。 The materials and film thicknesses of the plurality of first electrode fingers, the plurality of second electrode fingers, the plurality of first connecting electrodes, and the plurality of second connecting electrodes are not limited to the above. The plurality of first electrode fingers, the plurality of second electrode fingers, the plurality of first connecting electrodes, and the plurality of second connecting electrodes may be made of a single layer metal film. The first outer bus bar and the second outer bus bar may also be made of a laminated metal film in which a plurality of metal layers are laminated, or may be made of a single layer metal film.
圧電基板2上には、IDT電極及び反射器を覆うように第1の誘電体膜18が設けられている。第1の誘電体膜18は、特に限定されないが、SiO2からなる。それによって、周波数温度特性を改善することができる。第1の誘電体膜18の膜厚は、特に限定されないが、1110nmである。A
第1の誘電体膜18上には、第2の誘電体膜19が設けられている。第2の誘電体膜19は、特に限定されないが、SiNからなる。第2の誘電体膜19の膜厚を調整することにより、容易に周波数調整を行うことができる。第2の誘電体膜19の膜厚は、特に限定されないが、40nmである。なお、第1の誘電体膜18及び第2の誘電体膜19は設けられていなくともよい。
A
図1に戻り、本実施形態の特徴は、複数の第1の接続電極4cの一部を覆うように、圧電基板2上に第1の外側バスバー6が設けられており、複数の第2の接続電極5cの一部を覆うように、圧電基板2上に第2の外側バスバー7が設けられていることにある。これにより、弾性波装置1の製造に際し、レジストの残渣を生じ難くすることができる。それによって、フィルタ特性などの電気的特性の劣化を生じ難くすることができ、かつ生産性を高めることができる。これを、以下において、本実施形態の弾性波装置1の製造方法の一例と共に説明する。
Returning to FIG. 1, the feature of the present embodiment is that the first
図5(a)及び図5(b)は、第1の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための平面図である。図6(a)及び図6(b)は、第1の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための平面図である。図7は、第1の実施形態に係る弾性波装置の製造方法の一例を説明するための正面断面図である。なお、図5(a)においては、後述するレジストパターンをハッチングにより示す。 5 (a) and 5 (b) are plan views for explaining an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to a first embodiment. 6 (a) and 6 (b) are plan views for explaining an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to the first embodiment. FIG. 7 is a front sectional view for explaining an example of a method for manufacturing an elastic wave device according to the first embodiment. In FIG. 5A, a resist pattern described later is shown by hatching.
図5(a)に示すように、圧電基板2を用意する。次に、リフトオフ法により、圧電基板2上に、IDT電極の第1の内側バスバーと、複数の第1の電極指と、第2の内側バスバーと、複数の第2の電極指と、複数の第1の接続電極と、複数の第2の接続電極とを形成する。
As shown in FIG. 5A, the
より具体的には、圧電基板2上に、レジスト層を形成する。レジスト層は、例えば、印刷法やスピンコート法などにより形成することができる。次に、レジスト層を露光した後に現像することにより、レジストパターン22を形成する。レジストパターン22におけるIDT電極に相当する部分は、全て連なっている。
More specifically, a resist layer is formed on the
次に、図5(b)に示すように、レジストパターン22を覆うように圧電基板2上に、第1の内側バスバー、第2の内側バスバー、第1の電極指、第2の電極指、第1の接続電極及び第2の接続電極用の金属膜23を形成する。金属膜23は、真空蒸着法により形成する。なお、金属膜23は、例えば、スパッタリング法などの適宜の方法によって形成してもよい。
Next, as shown in FIG. 5B, a first inner bus bar, a second inner bus bar, a first electrode finger, and a second electrode finger are placed on the
次に、レジストパターン22を剥離する。このとき、上述したように、レジストパターン22のIDT電極に相当する部分は全て連なっているため、レジストパターン22を容易に、かつより一層確実に剥離することができる。これにより、図6(a)に示すように、第1の内側バスバー4a、第2の内側バスバー5a、複数の第1の電極指4b、複数の第2の電極指5b、複数の第1の接続電極4c及び複数の第2の接続電極5cを形成することができる。
Next, the resist
次に、図6(b)に示すように、複数の第1の接続電極4cの一部を覆うように、圧電基板2上に第1の外側バスバー6を形成する。これにより、第1の外側バスバー6、複数の第1の接続電極4c及び第1の内側バスバー4aにより囲まれた複数の第1の開口部8を有する第1のバスバー14を形成する。これと同時に、複数の第2の接続電極5cの一部を覆うように、圧電基板2上に第2の外側バスバー7を形成する。これにより、第2の外側バスバー7、複数の第2の接続電極5c及び第2の内側バスバー5aにより囲まれた複数の第2の開口部9を有する第2のバスバー15を形成する。第1の外側バスバー6及び第2の外側バスバー7は、リフトオフ法により形成することができる。これにより、圧電基板2上にIDT電極3を形成することができる。
Next, as shown in FIG. 6B, the first
なお、反射器13a及び反射器13bも、IDT電極3と同時に、リフトオフ法により形成する。
The
次に、図7に示すように、IDT電極3、反射器13a及び反射器13bを覆うように、圧電基板2上に第1の誘電体膜18を形成する。次に、第1の誘電体膜18上に第2の誘電体膜19を形成する。第1の誘電体膜18及び第2の誘電体膜19は、例えば,スパッタリング法や真空蒸着法により形成することができる。
Next, as shown in FIG. 7, a
本実施形態の弾性波装置1の製造においては、第1のバスバー及び第2のバスバーを、図5(a)及び図5(b)並びに図6(a)に示す工程と、図6(b)に示す工程とに分けて形成する。そのため、図5(a)に示すように、IDT電極の第1の開口部及び第2の開口部に相当する部分において、レジスト層は、レジスト層が除去された部分により囲まれていない。これにより、図5(b)に示すように、レジストパターン22のIDT電極に相当する部分におけるレジスト層は、圧電基板2上に直接的に金属膜23が形成されている部分により囲まれていない。そのため、レジストパターン22のIDT電極に相当する部分が全て連なった状態とすることができる。よって、レジストパターン22を容易に剥離することができ、生産効率を高めることができる。加えて、レジストパターン22をより一層確実に剥離することができるため、レジスト残渣による不良の発生率を低減することができる。従って、生産性を効果的に高めることができる。
In the manufacture of the elastic wave device 1 of the present embodiment, the first bus bar and the second bus bar are shown in FIGS. 5 (a), 5 (b) and 6 (a), and FIG. 6 (b). ) Is divided into the steps shown in). Therefore, as shown in FIG. 5A, the resist layer is not surrounded by the portion from which the resist layer has been removed in the portion corresponding to the first opening and the second opening of the IDT electrode. As a result, as shown in FIG. 5B, the resist layer in the portion corresponding to the IDT electrode of the resist
ここで、図1に示す、IDT電極3の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。第1の開口部8の第2の方向yに沿う寸法を第1の開口長とする。第2の開口部9の第2の方向yに沿う寸法を第2の開口長とする。本実施形態では、第1の開口長は、第1の内側バスバー4aと第1の外側バスバー6との距離であり、第2の開口長は、第2の内側バスバー5aと第2の外側バスバー7との距離である。第1の開口長及び第2の開口長は、2λ以下であることが好ましい。それによって、IDT電極3の電気抵抗を低くすることができる。
Here, let λ be the wavelength defined by the electrode finger pitch of the
他方、第1の開口長及び第2の開口長は、1λ以上であることが好ましく、1.2λ以上であることがより好ましい。それによって、リターンロスを良好とすることができる。これを以下において説明する。 On the other hand, the first opening length and the second opening length are preferably 1λ or more, and more preferably 1.2λ or more. Thereby, the return loss can be improved. This will be described below.
以下の条件において、本実施形態の弾性波装置1の共振周波数及び反共振周波数の中間の周波数におけるリターンロスを評価した。なお、第1のバスバー14及び第2のバスバー15の第2の方向yに沿う寸法を第1の内側バスバー4a及び第2の内側バスバー5aの幅とする。他方、本実施形態において、第1の電極指4b及び第2の電極指5bの第2の方向yに沿う寸法を、第1の電極指4b及び第2の電極指5bの長さとする。上述したように、第1の電極指4b及び第2の電極指5bの第1の方向xに沿う寸法は、第1の電極指4b及び第2の電極指5bの幅である。交叉領域Aの第2の方向yに沿う寸法を交叉幅とする。
Under the following conditions, the return loss at a frequency intermediate between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the elastic wave device 1 of the present embodiment was evaluated. The width of the
圧電基板:材料127.5°Y−X LiNbO3
第1の内側バスバー及び第2の内側バスバーの幅:0.85μm
第1の電極指及び第2の電極指の幅(幅広部以外):1μm
第1の電極指の幅広部及び第2の電極指の幅広部の幅:1.4μm
第1の電極指の幅広部及び第2の電極指の幅広部の長さ:1μm
波長:4μm
交叉幅:40μm
第1の電極指及び第2の電極指の対数:150対Piezoelectric Substrate: Material 127.5 ° Y-X LiNbO 3
Width of first inner busbar and second inner busbar: 0.85 μm
Width of the first electrode finger and the second electrode finger (other than the wide part): 1 μm
Wide part of the first electrode finger and wide part of the second electrode finger: 1.4 μm
Length of the wide part of the first electrode finger and the wide part of the second electrode finger: 1 μm
Wavelength: 4 μm
Cross width: 40 μm
Logarithm of first electrode finger and second electrode finger: 150 pairs
図8は、第1の実施形態に係る弾性波装置の、共振周波数及び反共振周波数の中間の周波数におけるリターンロスと、第1の開口長との関係を示す図である。 FIG. 8 is a diagram showing the relationship between the return loss at a frequency intermediate between the resonance frequency and the antiresonance frequency of the elastic wave device according to the first embodiment and the first aperture length.
図8に示すように、第1の開口長が1λ以上、2λ以下の範囲のとき、リターンロスの絶対値を0.35以下とすることができ、リターンロスを良好とし得ることがわかる。第1の開口長が1.2λ以上、2λ以下の範囲のとき、より一層リターンロスを良好とし得ることがわかる。 As shown in FIG. 8, when the first opening length is in the range of 1λ or more and 2λ or less, the absolute value of the return loss can be set to 0.35 or less, and it can be seen that the return loss can be made good. It can be seen that the return loss can be further improved when the first opening length is in the range of 1.2λ or more and 2λ or less.
ところで、図2に示すように、第1の外側バスバー6は複数の第1の接続電極4c及び圧電基板2からなる凹凸部上に設けられている。それによって、第1の外側バスバー6と複数の第1の接続電極4cとの接合力を高めることができる。同様に第2の外側バスバーと複数の第2の接続電極との接合力を高めることができる。よって、IDT電極が破損し難く、弾性波装置1の信頼性を高めることができる。
By the way, as shown in FIG. 2, the first
図3に示すように、本実施形態では、第1のエッジ領域Caにおいては、第1の電極指4bが幅広部16を有し、第2の電極指5bが幅広部17を有することにより、音速が低くなっている。なお、第1のエッジ領域Caの音速を低くする構成はこれに限定されない。例えば、第1のエッジ領域Caにおいて、第1の電極指4b上及び第2の電極指5b上に質量付加膜が設けられていてもよい。第2のエッジ領域における音速を低くする構成についても同様である。
As shown in FIG. 3, in the present embodiment, in the first edge region Ca, the
以下において、第1の実施形態の第1〜第3の変形例を示す。第1〜第3の変形例においては、第1のバスバー及び第2のバスバーの構成が第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第1〜第3の変形例は、第1の実施形態と同様に構成されている。なお、第1〜第3の変形例においては、第1のバスバーにおける第1の内側バスバー及び第1の外側バスバー並びに第2のバスバーにおける第2の内側バスバー及び第2の外側バスバーは、第1の実施形態と同様に構成されている。第1〜第3の変形例においても、第1の実施形態と同様に、生産性を高めることができる。 Hereinafter, first to third modifications of the first embodiment will be shown. In the first to third modifications, the configurations of the first bus bar and the second bus bar are different from those of the first embodiment. Except for the above points, the first to third modifications are configured in the same manner as in the first embodiment. In the first to third modifications, the first inner bus bar and the first outer bus bar in the first bus bar, and the second inner bus bar and the second outer bus bar in the second bus bar are the first. It is configured in the same manner as in the embodiment of. In the first to third modifications, the productivity can be increased as in the first embodiment.
図9は、第1の実施形態の第1の変形例におけるIDT電極の平面図である。なお、図9では、圧電基板におけるIDT電極が設けられている部分付近を示す。後述する、IDT電極を示す各図においても同様である。 FIG. 9 is a plan view of the IDT electrode in the first modification of the first embodiment. Note that FIG. 9 shows the vicinity of the portion of the piezoelectric substrate where the IDT electrode is provided. The same applies to each figure showing the IDT electrode, which will be described later.
本変形例においては、第1の接続電極4cは、第2の電極指5bの第2の方向yにおける延長線上に設けられている。第2の接続電極5cは、第1の電極指4bの第2の方向yにおける延長線上に設けられている。
In this modification, the
図10は、第1の実施形態の第2の変形例におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 10 is a plan view of the IDT electrode in the second modification of the first embodiment.
本変形例においては、第1の接続電極104cの幅が第1の電極指4bの幅よりも広い。各第1の接続電極104cは、1本以上おきの第1の電極指4bに、第1の内側バスバー4aを介して対向するように設けられている。同様に、第2の接続電極105cの幅は第1の電極指4bの幅よりも広い。各第2の接続電極105cは、1本以上おきの第1の電極指4bの第2の方向yにおける延長線上に設けられている。
In this modification, the width of the first connection electrode 104c is wider than the width of the
図11は、第1の実施形態の第3の変形例におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 11 is a plan view of the IDT electrode in the third modification of the first embodiment.
本変形例においては、第1の接続電極114c及び第2の接続電極115cが曲線形状を有する。第1の開口部118及び第2の開口部119も曲線形状を有する。
In this modification, the
図12は、第2の実施形態におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 12 is a plan view of the IDT electrode in the second embodiment.
本実施形態においては、IDT電極33が、第1の接続電極4cに接続されている第3の接続電極34c及び第2の接続電極5cに接続されている第4の接続電極35cを有する。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
In the present embodiment, the
第3の接続電極34cは、複数の第1の接続電極4cの、第1の内側バスバー4aに接続されている側とは反対側の端部に接続されている。第3の接続電極34cは、第3の接続電極34c、複数の第1の接続電極4c及び第1の内側バスバー4aにより囲まれた複数の第3の開口部38が形成されるように設けられている。他方、第2のバスバー35側においても、第1のバスバー34側と同様に、複数の第4の開口部39が形成されるように、複数の第4の接続電極35cが設けられている。第3の接続電極34c及び第4の接続電極35cを有することにより、IDT電極33の電気抵抗を小さくすることができる。
The
第3の接続電極34cは第1の方向xに延びている。なお、第3の接続電極34cは、第1の接続電極4cが延びる方向に交叉する方向に延びていればよい。第4の接続電極35cも同様である。
The
ここで、図12に示すように、第1の開口長をD1とし、第2の開口長をD2とする。第3の開口部38の第2の方向yに沿う寸法を第3の開口長D3とし、第4の開口部39の第2の方向yに沿う寸法を第4の開口長D4とする。このとき、第3の開口長D3は第1の開口長D1より長い。同様に、第4の開口長D4は第2の開口長D2より長い。
Here, as shown in FIG. 12, the first opening length is D1 and the second opening length is D2. The dimension of the
第2の実施形態に係る弾性波装置の製造に際しては、第1の接続電極4c及び第2の接続電極5cを形成する工程において、圧電基板2上に、第3の接続電極34c及び第4の接続電極35cを形成すればよい。このとき、第1の接続電極4cの第1の内側バスバー4aに接続される側とは反対側の端部に接続するように、かつ複数の第3の開口部38を形成するように、第3の接続電極34cを形成すればよい。同様に、第2の接続電極5cの第2の内側バスバー5aに接続される側とは反対側の端部に接続するように、かつ複数の第4の開口部39を形成するように、第4の接続電極35cを形成すればよい。
In the production of the elastic wave device according to the second embodiment, in the step of forming the
このとき、第1のバスバー34側においては、第3の開口長D3は、第1の開口長D1より長いため、レジストパターンを容易に剥離することができ、かつレジスト残渣による不良が発生し難い。第2のバスバー35側においても同様である。従って、本実施形態においても、生産性を高めることができる。
At this time, on the
もっとも、図1に示す第1の実施形態のように、第1の内側バスバー4aよりも第2の方向yにおける外側において、電極間にギャップが形成されており、電極が連なっていないことが好ましい。第2の内側バスバー5aよりも第2の方向yにおける外側において、電極間にギャップが形成されており、電極が連なっていないことが好ましい。それによって、レジストパターンをより一層容易にかつより一層確実に剥離することができる。
However, as in the first embodiment shown in FIG. 1, it is preferable that a gap is formed between the electrodes on the outside in the second direction y with respect to the first
なお、第1の接続電極4c及び第2の接続電極5cを形成する工程の後の工程は、第1の実施形態の弾性波装置1の製造方法と同様である。
The step after the step of forming the first connecting
図13は、第2の実施形態の第1の変形例におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 13 is a plan view of the IDT electrode in the first modification of the second embodiment.
本変形例においては、第3の接続電極124cが互いにギャップを隔てて複数設けられている点及び第4の接続電極125cが互いにギャップを隔てて複数設けられている点において、第2の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本変形例の弾性波装置は第2の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
In the present modification, the second embodiment is in that a plurality of
本変形例においては、第1の実施形態と同様に、第1の内側バスバー4aよりも第2の方向yにおける外側において、電極間にギャップが形成されており、電極が連なっていない。第2の内側バスバー5aよりも第2の方向yにおける外側においても、電極間にギャップが形成されており、電極が連なっていない。よって、第1の実施形態と同様に、生産性を効果的に高めることができる。
In this modification, as in the first embodiment, a gap is formed between the electrodes on the outer side in the second direction y from the first
なお、本変形例に係る弾性波装置の製造に際しては、第1の接続電極4c及び第3の接続電極124cを形成する工程において、複数の第3の接続電極124cを、互いにギャップを隔てて形成すればよい。他の工程は、第2の実施形態の弾性波装置の製造に際しての工程と同様である。
In the production of the elastic wave device according to the present modification, in the step of forming the
図14は、第2の実施形態の第2の変形例におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 14 is a plan view of the IDT electrode in the second modification of the second embodiment.
本変形例は、第1のバスバー134が複数の第1の電極134cを含む点及び第2のバスバー135が複数の第2の電極135cを含む点において、第2の実施形態の第1の変形例と異なる。上記の点以外においては、本変形例の弾性波装置は、第2の実施形態の第1の変形例の弾性波装置と同様の構成を有する。
In this modification, the first modification of the second embodiment is made in that the
第1の電極134cは、第2の方向yにおける第1の電極指4bの延長線上に設けられている。第1の電極134cは、第1の接続電極4cが延びる方向に平行に延びている。第1の電極134cの第1の内側バスバー4a側の端部と、第1の内側バスバー4aとの間には、ギャップが形成されている。第1の方向xに沿い、第1の接続電極4cと複数の第1の電極134cとが交互に配置されている。
The
第1の電極134cの第1の内側バスバー4a側とは反対側の端部には、第3の接続電極124cが接続されている。第1の電極134cに接続されている第3の接続電極124cと、第1の接続電極4cに接続されている第3の接続電極124cとの間には、ギャップが形成されている。他方、第2のバスバー135側も、第1のバスバー134側と同様に構成されている。
A
本変形例においても、第2の実施形態の第1の変形例と同様に、第3の接続電極124c同士の間及び第4の接続電極125c同士の間においてギャップが形成されている。加えて、第1の電極134cと第1の内側バスバー4aとの間及び第2の電極135cと第2の内側バスバー5aとの間においてもギャップが形成されている。よって、本変形例においても、製造工程において、レジストパターンを容易にかつより一層確実に剥離することができ、生産性を高めることができる。
In this modification as well, a gap is formed between the
図15は、第3の実施形態におけるIDT電極の平面図である。 FIG. 15 is a plan view of the IDT electrode according to the third embodiment.
第3の実施形態は、第1の接続電極44c及び第2の接続電極45cが、第1の電極指44b及び第2の電極指45bが延びる方向と交叉する方向に延びている点において、第1の実施形態と異なる。さらに、第1の電極指44b及び第2の電極指45bが、幅広部を有しない点においても、第3の実施形態は第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、第3の実施形態の弾性波装置は、第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
A third embodiment is in that the
本実施形態においても、第1の実施形態と同様に、生産性を効果的に高めることができる。 In this embodiment as well, productivity can be effectively increased as in the first embodiment.
本実施形態においては、複数の第1の接続電極44cが第2の方向yと交叉する方向に延びているため、第1の開口部48は第2の方向yに対して傾斜している。第2の開口部49も、同様に、第2の方向yに対して傾斜している。
In the present embodiment, since the plurality of
ここで、交叉領域において弾性波が励振された際に生じる横モードは、第1のバスバー44側及び第2のバスバー45側に伝搬する。第1のバスバー44及び第2のバスバー45は、上記のように傾斜した第1の開口部48及び第2の開口部49を有するため、横モードを交叉領域側に反射させることができる。反射された横モードと、交叉領域から第1のバスバー44側及び第2のバスバー45側に伝搬する横モードとは相殺される。それによって、横モードによるスプリアスを抑制することができる。
Here, the transverse mode generated when the elastic wave is excited in the crossing region propagates to the
なお、本実施形態においても、第1の電極指44b及び第2の電極指45bは、第1のエッジ領域及び第2のエッジ領域において幅広部を有していてもよい。
Also in this embodiment, the first electrode finger 44b and the
図16は、第4の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。なお、図16中の一点鎖線は、後述する各IDT電極と各配線電極との境界線及び後述する各配線電極と各端子との境界線を示す。 FIG. 16 is a plan view of the elastic wave device according to the fourth embodiment. The alternate long and short dash line in FIG. 16 indicates a boundary line between each IDT electrode and each wiring electrode described later and a boundary line between each wiring electrode and each terminal described later.
本実施形態の弾性波装置51は、縦結合共振子型弾性波フィルタ52と、縦結合共振子型弾性波フィルタ52に接続されている配線電極58と、配線電極58に接続されている複数の端子とを有する。なお、配線電極58及び複数の端子は、圧電基板2上に設けられている。
The
縦結合共振子型弾性波フィルタ52は、第1の方向xに沿い配置された第1のIDT電極53A、第2のIDT電極53B及び第3のIDT電極53Cを有する。第1のIDT電極53A、第2のIDT電極53B及び第3のIDT電極53Cは、第1の実施形態におけるIDT電極と同様の構成を有する。第1のIDT電極53Aの第2のIDT電極53B側とは反対側に反射器13aが配置されており、第3のIDT電極53Cの第2のIDT電極53B側とは反対側に反射器13bが配置されている。なお、本実施形態では、縦結合共振子型弾性波フィルタ52は3個のIDT電極を有するが、IDT電極の個数は上記に限定されない。
The longitudinally coupled resonator type
本実施形態では、複数の端子は、入力端子59a、出力端子59b及びグラウンド端子59cである。第1のIDT電極53Aの第1の外側バスバー56Aには、配線電極58を介して出力端子59bが接続されている。第1のIDT電極53Aの第2の外側バスバー57Aには、配線電極58を介してグラウンド端子59cが接続されている。第2のIDT電極53Bの第1の外側バスバー56Bには、配線電極58を介してグラウンド端子59cが接続されている。第2のIDT電極53Bの第2の外側バスバー57Bには、配線電極58を介して入力端子59aが接続されている。第3のIDT電極53Cの第1の外側バスバー56Cには、配線電極58を介して出力端子59bが接続されている。第3のIDT電極53Cの第2の外側バスバー57Cには、配線電極58を介してグラウンド端子59cが接続されている。
In this embodiment, the plurality of terminals are an
第1のIDT電極53A、第2のIDT電極53B及び第3のIDT電極53Cは、第1の実施形態におけるIDT電極と同様の構成を有するため、製造工程においてレジストパターンを容易に、かつより一層確実に剥離することができる。従って、第1の実施形態と同様に、生産性を高めることができる。
Since the
本実施形態の弾性波装置51の製造に際しては、第1の実施形態の弾性波装置1の製造方法と同様に、第1の内側バスバー、第2の内側バスバー、複数の第1の電極指、複数の第2の電極指、複数の第1の接続電極及び複数の第2の接続電極を形成する。第1のIDT電極53A、第2のIDT電極53B及び第3のIDT電極53Cの上記の各部分を同時に形成することが好ましい。これにより生産性を高めることができる。
In the manufacture of the
次に、第1の実施形態の弾性波装置1の製造方法と同様に、第1の外側バスバー56Aを形成する。このとき、第1の外側バスバー56Aと同時に、圧電基板2上に、第1の外側バスバー56Aに接続するように配線電極58を形成することが好ましい。第1の外側バスバー56A及び配線電極58と同時に、配線電極58に接続するように、圧電基板2上に出力端子59bを形成することがより好ましい。ここで、第1の外側バスバー56B、第1の外側バスバー56C、第2の外側バスバー57A、第2の外側バスバー57B、第2の外側バスバー57C、他の配線電極58、他の出力端子59b、入力端子59a及び各グラウンド端子59cも同時に形成することがさらに好ましい。それによって、生産性をより一層高めることができる。
Next, the first
この後の工程は、第1の実施形態の弾性波装置1の製造方法と同様である。 The subsequent steps are the same as the method for manufacturing the elastic wave device 1 of the first embodiment.
図17は、第5の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。 FIG. 17 is a plan view of the elastic wave device according to the fifth embodiment.
本実施形態の弾性波装置61は、複数の弾性波共振子を有するラダー型フィルタである。弾性波装置61は、複数の弾性波共振子を電気的に接続している配線電極68と、複数の弾性波共振子に配線電極58を介して電気的に接続されている複数の端子とを有する。なお、配線電極58、配線電極68及び複数の端子は、圧電基板上に設けられている。
The elastic wave device 61 of the present embodiment is a ladder type filter having a plurality of elastic wave resonators. The elastic wave device 61 has a
弾性波装置61における複数の弾性波共振子は、第1の弾性波共振子62A、第2の弾性波共振子62B及び第3の弾性波共振子62Cである。第1の弾性波共振子62A、第2の弾性波共振子62B及び第3の弾性波共振子62Cは、第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。なお、本実施形態の弾性波装置61は3個の弾性波共振子を有するが、弾性波共振子の個数は特に限定されない。
The plurality of elastic wave resonators in the elastic wave device 61 are a first
本実施形態では、複数の端子は、入力端子59a、出力端子59b及びグラウンド端子59cである。第1の弾性波共振子62Aの第1の外側バスバーには、配線電極58を介して入力端子59aが接続されている。第2の弾性波共振子62Bの第1の外側バスバーには、配線電極58を介してグラウンド端子59cが接続されている。第3の弾性波共振子62Cの第2の外側バスバーには、配線電極58を介して出力端子59bが接続されている。第1の弾性波共振子62Aの第2の外側バスバー、第2の弾性波共振子62Bの第2の外側バスバー及び第3の弾性波共振子62Cの第1の外側バスバーは、配線電極68により接続されている。第1の弾性波共振子62A及び第3の弾性波共振子62Cはラダー型フィルタにおける直列腕共振子であり、第2の弾性波共振子62Bは並列腕共振子である。
In this embodiment, the plurality of terminals are an
第1の弾性波共振子62A、第2の弾性波共振子62B及び第3の弾性波共振子62Cは、第1の実施形態と同様の構成を有する。従って、第1の実施形態と同様に、生産性を高めることができる。
The first
弾性波装置61の製造に際し、第1の弾性波共振子62A、第2の弾性波共振子62B及び第3の弾性波共振子62Cを構成する工程は、第1の実施形態と同様に行うことができる。なお、第4の実施形態と同様に、各第1の外側バスバー、各第2の外側バスバー、各配線電極58、配線電極68、入力端子59a、出力端子59b及びグラウンド端子59cを同時に形成することが好ましい。それによって、生産性をより一層高めることができる。
In the manufacture of the elastic wave device 61, the steps of forming the first
1…弾性波装置
2…圧電基板
3…IDT電極
3a〜3e…第1〜第5の金属層
4a…第1の内側バスバー
4b…第1の電極指
4c…第1の接続電極
5a…第2の内側バスバー
5b…第2の電極指
5c…第2の接続電極
6,7…第1,第2の外側バスバー
8,9…第1,第2の開口部
13a,13b…反射器
14,15…第1,第2のバスバー
16,17…幅広部
18,19…第1,第2の誘電体膜
22…レジストパターン
23…金属膜
33…IDT電極
34,35…第1,第2のバスバー
34c,35c…第3,第4の接続電極
38,39…第3,第4の開口部
44,45…第1,第2のバスバー
44b,45b…第1,第2の電極指
44c,45c…第1,第2の接続電極
48,49…第1,第2の開口部
51…弾性波装置
52…縦結合共振子型弾性波フィルタ
53A〜53C…第1〜第3のIDT電極
56A〜56C…第1の外側バスバー
57A〜57C…第2の外側バスバー
58…配線電極
59a…入力端子
59b…出力端子
59c…グラウンド端子
61…弾性波装置
62A〜62C…第1〜第3の弾性波共振子
68…配線電極
104c,105c…第1,第2の接続電極
114c,115c…第1,第2の接続電極
118,119…第1,第2の開口部
124c,125c…第3,第4の接続電極
134,135…第1,第2のバスバー
134c,135c…第1,第2の電極1 ...
Claims (8)
圧電基板を用意する工程と、
前記圧電基板上に、第1の内側バスバーと、前記第1の内側バスバーに一端が接続されている前記複数の第1の電極指と、前記第1の内側バスバーに対向する第2の内側バスバーと、前記第2の内側バスバーに一端が接続されている前記複数の第2の電極指と、前記第1の内側バスバーの前記複数の第1の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第1の接続電極と、前記第2の内側バスバーの前記複数の第2の電極指が接続されている側とは反対側に一端が接続されている複数の第2の接続電極と、をリフトオフ法により形成する工程と、
前記複数の第1の接続電極の一部を覆うように、前記圧電基板上に第1の外側バスバーを形成することにより、前記第1の外側バスバー、前記複数の第1の接続電極及び前記第1の内側バスバーにより囲まれた複数の第1の開口部を有する前記第1のバスバーを形成する工程と、
前記複数の第2の接続電極の一部を覆うように、前記圧電基板上に第2の外側バスバーを形成することにより、前記第2の外側バスバー、前記複数の第2の接続電極及び前記第2の内側バスバーにより囲まれた複数の第2の開口部を有する前記第2のバスバーを形成する工程と、
を備え、
前記第1の接続電極を形成する工程において、前記圧電基板上に、前記第1の接続電極の、前記第1の内側バスバーに接続されている側とは反対側の端部に接続されている、前記第1の接続電極が延びる方向に交叉する方向に延びる第3の接続電極を形成する、弾性波装置の製造方法。 A first bus bar and a second bus bar facing each other, a plurality of first electrode fingers having one end connected to the first bus bar, and one end connected to the second bus bar, and A method for manufacturing an elastic wave device having an IDT electrode including the plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers that are interleaved with each other.
The process of preparing the piezoelectric substrate and
On the piezoelectric substrate, a first inner bus bar, a plurality of first electrode fingers having one end connected to the first inner bus bar, and a second inner bus bar facing the first inner bus bar. And the side opposite to the side of the first inner bus bar to which the plurality of first electrode fingers are connected to the plurality of second electrode fingers whose one end is connected to the second inner bus bar. A plurality of first connection electrodes to which one end is connected to, and a plurality of ends to be connected to the side of the second inner bus bar opposite to the side to which the plurality of second electrode fingers are connected. The process of forming the second connection electrode by the lift-off method and
By forming the first outer bus bar on the piezoelectric substrate so as to cover a part of the plurality of first connection electrodes, the first outer bus bar, the plurality of first connection electrodes, and the first outer bus bar are formed. A step of forming the first bus bar having a plurality of first openings surrounded by the inner bus bar of 1.
By forming the second outer bus bar on the piezoelectric substrate so as to cover a part of the plurality of second connection electrodes, the second outer bus bar, the plurality of second connection electrodes, and the second outer bus bar are formed. A step of forming the second bus bar having a plurality of second openings surrounded by two inner bus bars, and a step of forming the second bus bar.
Bei to give a,
In the step of forming the first connection electrode, the first connection electrode is connected to the end of the first connection electrode on the piezoelectric substrate on the side opposite to the side connected to the first inner bus bar. , A method for manufacturing an elastic wave device , which forms a third connecting electrode extending in a direction intersecting in a direction in which the first connecting electrode extends .
前記交叉領域が、前記第2の方向中央側に位置している中央領域と、前記中央領域の前記第2の方向両側に配置されている第1のエッジ領域及び第2のエッジ領域と、を有し、
前記第1のエッジ領域が前記第1の内側バスバー側に位置しており、前記第2のエッジ領域が前記第2の内側バスバー側に位置しており、
前記第1のエッジ領域及び前記第2のエッジ領域における音速が、前記中央領域における音速よりも低い、請求項1〜5のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。 When the elastic wave propagation direction is the first direction and the direction in which the first electrode finger and the second electrode finger extend is the second direction, the IDT electrode is the first electrode finger and the first electrode finger. It has a crossing region that is a portion where the second electrode finger and the second electrode finger overlap in the first direction.
A central region in which the crossing region is located on the central side in the second direction, and a first edge region and a second edge region arranged on both sides of the central region in the second direction. Have and
The first edge region is located on the first inner busbar side, and the second edge region is located on the second inner busbar side.
The method for manufacturing an elastic wave device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the sound velocity in the first edge region and the second edge region is lower than the sound velocity in the central region.
前記配線電極を形成する工程を、前記第1の外側バスバーを形成する工程と同時に行う、請求項1〜6のいずれか1項に記載の弾性波装置の製造方法。 A step of forming a wiring electrode on the piezoelectric substrate so as to connect to the first outer bus bar is further provided.
The method for manufacturing an elastic wave device according to any one of claims 1 to 6 , wherein the step of forming the wiring electrode is performed at the same time as the step of forming the first outer bus bar.
前記端子を形成する工程を、前記第1の外側バスバー及び前記配線電極を形成する工程と同時に行う、請求項7に記載の弾性波装置の製造方法。 A step of forming a terminal on the piezoelectric substrate so as to connect to the wiring electrode is further provided.
The method for manufacturing an elastic wave device according to claim 7 , wherein the step of forming the terminal is performed at the same time as the step of forming the first outer bus bar and the wiring electrode.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017089125 | 2017-04-28 | ||
JP2017089125 | 2017-04-28 | ||
PCT/JP2018/016563 WO2018199071A1 (en) | 2017-04-28 | 2018-04-24 | Acoustic wave device manufacturing method and acoustic wave device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018199071A1 JPWO2018199071A1 (en) | 2019-12-19 |
JP6813084B2 true JP6813084B2 (en) | 2021-01-13 |
Family
ID=63919831
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019514522A Active JP6813084B2 (en) | 2017-04-28 | 2018-04-24 | Manufacturing method of elastic wave device |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6813084B2 (en) |
WO (1) | WO2018199071A1 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102018131952A1 (en) | 2018-12-12 | 2020-06-18 | RF360 Europe GmbH | Electroacoustic resonator with suppressed excitation of transverse slit modes and reduced transverse modes |
CN113474995B (en) * | 2019-03-11 | 2023-07-28 | 株式会社村田制作所 | Elastic wave device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5643818A (en) * | 1979-09-17 | 1981-04-22 | Hitachi Ltd | Surface elastic wave device and its manufacture |
DE102010005596B4 (en) * | 2010-01-25 | 2015-11-05 | Epcos Ag | Electroacoustic transducer with reduced losses due to transversal emission and improved performance by suppression of transverse modes |
WO2012063521A1 (en) * | 2010-11-10 | 2012-05-18 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device and method for manufacturing same |
DE112014006765T5 (en) * | 2014-06-24 | 2017-04-20 | Epcos Ag | Electroacoustic transducer and electroacoustic component with electroacoustic transducer |
WO2016084526A1 (en) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device |
-
2018
- 2018-04-24 JP JP2019514522A patent/JP6813084B2/en active Active
- 2018-04-24 WO PCT/JP2018/016563 patent/WO2018199071A1/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2018199071A1 (en) | 2019-12-19 |
WO2018199071A1 (en) | 2018-11-01 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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