JP6810830B1 - 空間周波数に基づく静電容量モーションセンサ及びその使用方法 - Google Patents

空間周波数に基づく静電容量モーションセンサ及びその使用方法 Download PDF

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Abstract

空間周波数に基づく静電容量モーションセンサ及びその制御方法が開示される。一実施形態では、モーションセンサは、アレイに近接する表面によって引き起こされる静電容量の変化を静電容量的に感知するための感知セルのアレイを備える。モーションセンサは、アレイからのモーションに依存する出力信号を処理して、アレイの表面に平行な方向における表面のモーションを計測する、マルチプレクサ及びプロセッサを備える処理回路を更に備える。一般に、プロセッサは、プログラムを実行して、アレイの感知セルを相互接続するようにマルチプレクサを制御し、アレイをくし形フィルタとして構成し、静電容量の変化の少なくとも1つの空間周波数成分を検出し、アレイに平行な方向における表面のモーションを計測するように適合される。他の実施形態も開示される。

Description

関連出願の相互参照
本出願は、U.S.C.35 119(e)に基づき2017年12月14日に出願された米国仮特許出願第62/598,618号の優先権の利益を主張する、2018年3月20日に出願された米国特許出願第15/926,175号の国際出願であり、参照によりその全体が本開示に組み込まれる。
本開示は、一般に、モーションセンサに関し、より詳細には、感知セルのアレイを含み、アレイに対する表面のモーションを検出する空間周波数検出を使用する、静電容量モーションセンサに関する。
表面上での指又はスタイラスのモーションを追跡することが可能なモーションセンサが、よく知られており、カーソル又は入力データを移動するために、フィンガーナビゲーションシステムなどのシステムで広く使用される。一般に、従来のモーションセンサは、指又はスタイラスの表面が感知される手段に応じて、光学的又は静電容量的の、2つの種類の一方に分類され得る。
光学ナビゲーションセンサは、レーザ又はLED光源又はフォトダイオードアレイを使用して、指の表面の画像、又は粗い表面からのコヒーレント光の散乱によって生成されるスペックルとして知られている光のランダムな強度分布のいずれかに基づいてモーションを検出する。次に、指の表面の画像のモーションを検出することによって、或いはスペックルの空間周波数計算によって、画像相関を使用するアルゴリズムにより、モーションが判定される。光学ナビゲーションセンサは、フォトダイオードアレイから内部的にシールドされる必要のあるレーザ又は光源の要件、及びフォトダイオードアレイ上の指の表面から反射された光を投影するために高精度の光学アセンブリが必要となることから、通常、コストが高く、サイズが比較的大きい。光学ナビゲーションセンサは、周囲の照明にもセンシティブであり、背景光の変化により表面が存在しない場合、モーションを誤って検出する。最後に、画像相関モーションの計算は、計算処理負荷が大きく、高価な処理回路を必要とし得る。
静電容量モーションセンサの最も一般的な種類は、静電容量センサの小さなアレイを使用して指の位置を検出し、複数の連続的な指の位置を比較することによりモーションを判定する、静電容量トラックパッドである。したがって、静電容量トラックパッドの重大な欠点は、追跡する表面が静電容量センサのアレイ全体を覆う場合には静電容量トラックパッドが機能しないため、指の表面より常に大きくなければならず、一般に、複数の連続的な位置で指の位置を検出するには、さらに大きくなければならないことである。したがって、大きなトラックパッドを表面積が限られている多くの用途に適合させることは困難である。更に、静電容量トラックパッドは、位置の検出に時間がかかるため、高速モーションでは機能しない。より高速のモーションをトラッキングするには、より多くの静電容量センサのアレイが必要になる。
静電容量センサの別の種類は、指紋センサである。指紋センサは、静電容量アレイを使用して、指の隆起と谷との間の静電容量の差を感知することによって、指紋画像を検出する。過去には、後続の画像を比較し、可能な各々のオフセットにおいて画像相関計算を実行してモーションを検出することにより、指紋センサをモーションセンサとして使用する試みがあった。しかしながら、速度が、指紋画像をキャプチャするのに必要な時間及び/又は画像相関を実行する時間によって制限される。モーションが速いほど、画像キャプチャ及び計算が高速になり、最大速度が制限され、センサ領域が増加する。更に、計算には高性能プロセッサが必要になることが多く、コストが増加する。最後に、指紋画像のキャプチャ及び転送は、多くのセキュリティ及びプライバシー上の懸念をもたらす。
したがって、必要な処理能力がより少なく、より小さな感知領域で、高速のモーションを検出することができる、安価なモーションセンサが求められている。モーションセンサが、指紋画像を検出して保存することから生じるセキュリティ上の懸念を生じさせることなく、これらの目的を達成することが更に望ましい。
空間周波数に基づく静電容量モーションセンサ及びそれを制御する方法が提供される。一実施形態では、モーションセンサは、アレイに近接する表面の構造における静電容量の変化を静電容量的に感知する、感知セルのアレイを備える。モーションセンサは、アレイからのモーションに依存する出力信号を処理して、アレイの表面に平行な方向における表面のモーションを計測する、マルチプレクサ及びプロセッサを備える処理回路を更に備える。一般に、プロセッサは、プログラムを実行して、アレイの感知セルを相互接続するようにマルチプレクサを制御し、アレイをくし形フィルタとして構成し、静電容量の変化の少なくとも1つの空間周波数成分を検出し、アレイに平行な方向における表面のモーションを計測するように適合される。ある実施形態では、処理回路とアレイは、表面の静電容量の変化によって生じ得る、異なる空間周波数に適応して、モーションが検出されている表面に最大強度を持つ出力信号を生成するために、動作中に感知セルのピッチ及びアレイのサイズを動的に変化させ得るように更に構成される。
本発明の実施形態の更なる特徴及び利点は、本発明の様々な実施形態の構造及びモーションとともに、添付の図面を参照して以下に詳細に記載される。本発明は、本開示に記載される特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。これらの実施形態は、例示の目的でのみ、本開示に提示される。追加の実施形態が、本開示に含まれる教示に基づいて、当業者には明らかであろう。
本発明の実施形態は、添付の概略図面を参照しながら、例示の目的でのみ、説明され、対応する参照記号は対応する部品を示している。更に、本開示に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明の実施形態を示し、説明と共に、本発明の原理を説明し、当業者が本発明を実施及び使用することを可能にするのに役立つ。
図1は、静電容量アレイの一部の概略ブロック図である。 図2は、行として示される送信(Tx)電極と、及び列として示される受信(Rx)電極とを有する、静電容量アレイの一部の概略図である。 図3は、送信及び受信マルチプレクサ(MUX)を有する静電容量アレイの一部のブロック図である。 図4Aは、空間周波数に基づく静電容量感知セルの線形又は1次元(1D)アレイの概略ブロック図である。 図4Bは、図4Aの1Dアレイからの出力のグラフである。 図4Cは、差動検出器を使用して出力からDC成分を除去するように結合された、複数の交互配置された感知セルを含む、静電容量感知セルの1Dアレイの概略ブロック図である。 図5は、1次元のモーションを空間周波数に基づいて検出する、静電容量感知セルの1Dアレイの概略ブロック図である。 図6Aは、2次元のモーションを空間周波数に基づいて検出する、静電容量感知セルの2次元(2D)アレイの概略ブロック図である。 図6Bは、図6Aのアレイからの感知セルのブロックの概略ブロック図である。 図7は、静電容量感知セルのアレイを含み、空間周波数に基づく検出を使用して、2次元のモーションを検出する、静電容量モーションセンサの概略ブロック図である。 図8Aは、事前に構成された送信及び受信マルチプレクサ(MUX)を有する2Dアレイと、4つの信号(CC、CS、SC、SS)の第1信号(CC)を生成するように構成された差動検出器とを含む、モーションセンサの一部のブロック図である。 図8Bは、事前に構成された送信及び受信MUXを有する2Dアレイと、4つの信号の第2信号(CS)を生成するように構成された差動検出器とを含む、モーションセンサの一部のブロック図である。 図8Cは、事前に構成された送信及び受信MUXを有する2Dアレイと、4つの信号の第3信号(SC)を生成するように構成された差動検出器とを含む、モーションセンサの一部のブロック図である。 図8Dは、事前に構成された送信及び受信MUXを有する2Dアレイと、4つの信号の第4信号(SS)を生成するように構成された差動検出器とを含む、モーションセンサの一部のブロック図である。 図9Aは、アレイの中心又はピーク空間周波数の動的な調整を可能にするために様々な送信電極が接地された、送信マルチプレクサの第1の代替構成を示すブロック図である。 図9Bは、アレイの中心又はピーク空間周波数の動的な調整を可能にするために様々な送信電極が接地された、送信マルチプレクサの第2の代替構成を示すブロック図である。 図9Cは、アレイの中心又はピーク空間周波数の動的な調整を可能にするために様々な送信電極が接地された、送信マルチプレクサの第3の代替構成を示すブロック図である。 図10は、マルチ周波数空間フィルタとして構成され得る静電容量感知セルのアレイを含む空間周波数に基づくモーションセンサを制御するための方法のフローチャートである。 図11Aは、4つの感知セルのブロックを示す静電容量感知セルの2Dアレイの一部についての概略ブロック図である。 図11Bは、2次元のモーションを空間周波数に基づいて検出する代替構成を示す感知セルの2Dアレイの一部についての概略ブロック図である。 図12は、くし形フィルタとして構成されたアレイを含む、空間周波数に基づくモーションセンサを制御するための方法のフローチャートである。
本発明の実施形態の特徴及び利点は、図面と併せて以下の詳細な説明から、より明らかになるであろう。図面において、同様の参照番号は、概して、同一の、機能的に同様の、及び/又は構造的に同様の要素を示す。
本明細書には、本発明の特徴を組み込んだ1つの又は複数の実施形態が開示される。開示された実施形態は、本発明を単に例示するものである。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は、本開示に添付される特許請求の範囲によって定義される。
実施形態(単数又は複数)が記述され、「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示的な実施形態」等の明細書における参照は、説明された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むが、必ずしも全ての実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むものではない。更に、これらの用語は、必ずしも同じ実施形態を指しているわけではない。更に、特定の特徴、構造、又は特性が実施形態に関連して説明される場合、明示的に説明されるか否かに関わらず、他の実施形態に関連してこれらの特徴、構造、又は特性をもたらすことは、当業者の知識の範囲内であると理解されたい。
より詳細に様々な実施形態を説明する前に、説明全体にわたって使用されるいくつかの用語について更なる説明を行う。
「空間周波数」は、空間内の位置を横切って周期的な構造又は表面の特性又は特徴、或いは単位時間あたりの一般的な正弦波信号のサイクルの数を意味する。表面は、感知される特性又は特徴、及びモーションの検出に使用される空間周波数に基づくモーションセンサの設計に応じて、潜在的に無限の数の個々の空間周波数の重ね合わせで構成され得る。したがって、本開示で使用される空間周波数に基づくモーションセンサは、モーションセンサに対して動かされた表面の構造の変化から生じる静電容量の変化の1つ又は少数の空間周波数成分を感知するように設計されたものであって、モーションセンサを横切って検出された空間周波数の動きによってモーションを検出するものを指す。以下で更に詳細に説明するように、静電容量の変化は、検出器を横切って移動した指紋の隆起及び谷から、或いは手袋をつけた指の布の手触りテクスチャから生じ得る。
「くし形アレイ」又は「くし形フィルタとして構成されたアレイ」は、周期的に接続された静電容量検出器のアレイを一般的に説明するために本開示で用いられ、そのため、アレイは、アレイからの出力信号の1つの空間周波数成分(及びその奇数次高調波)のフィルタとして機能する。くし形フィルタとして構成された1次元アレイ(1Dアレイ)は、単一の長軸に沿って配置され、感知セルの幅と実質的に等しい短軸に沿った幅を有する、複数の感知セルを意味する。このような1Dアレイの例は、図4A〜4C及び5に示され、以下で更に詳細に説明される。くし形フィルタとして構成された2次元アレイ(2Dアレイ)は、少なくとも2つの非平行軸に沿って配置された複数の感知セルを意味する。このような2Dアレイの1つの例が、図6A及び6Bに示されて、以下で更に詳細に説明されており、複数の感知セルが長方形又は正方形のアレイに配置される。この特定の実施形態に示される2Dアレイは、隣り合う1Dアレイの単なる複数のインスタンスであるように見えるが、2Dアレイは、静電容量感知セルが、x方向及びy方向の両方において他の感知セルと周期的に接続されるという点で1Dアレイとは異なることに留意されたい。図6A及び6Bの2Dアレイは長方形であるが、これは全ての実施形態において必ずしも当てはまらないことに更に留意されたい。例えば、2Dアレイは、3つの非平行軸に沿って配置された感知セルのアレイを含み、六角形の2Dアレイを形成してもよい。
本開示の静電容量空間周波数に基づくモーションセンサは、相互容量(mutual capacitance)感知セルと、絶対静電容量感知素子としても知られる自己容量(self-capacitance)感知セルとを含む、様々な種類の静電容量感知セルで実装され得る。
相互容量感知セルの動作原理は、図1を参照して説明される。図1は、相互容量感知セルのアレイ100の一部の概略ブロック図である。アレイ100は、絶縁誘電体層又は絶縁体106によって分離された送信電極(Tx電極)102及びその上にある受信電極(Rx電極)104の行及び列で構成される。Tx電極及びRx電極のそれぞれの交差点は、アレイの検出器又は感知セル108を形成する。ある実施形態では、絶縁体106は、ガラス等の透明材料を含み、Tx電極102及びRx電極104は、導電性材料の層から形成される。ある実施形態では、導電性材料は、光学的に透明であり、且つ/又は光の少なくとも一部の波長が実質的に減衰せずにアレイ100を通過するのに十分に薄いため、静電容量空間周波数に基づくモーションセンサが携帯電話の画面又は光学式指紋センサなどのディスプレイで使用され得る。
制御において、信号がTx電極102に印加されるとき、電界線110が生成され、Rx電極104に電流が誘導される。RX感知電極受信信号は、Tx電極102及びRx電極104の間の接続静電容量に依存する。これは、いわゆる相互容量である。導電性物体又は表面112、或いは単一でない誘電率を有するものがRx電極104に近接させられると、相互容量が変化する。単一でない誘電率の表面がそれに近接していない場合の信号と比較して、Rx電極104での信号の変化を計測することにより、表面112による相互容量の変化を計算することができる。このような相互容量感知セル108のアレイ100を用いて、Tx電極102及びRx電極104をスキャンして、以下に更に詳細に記載されるように限られた数の信号からモーションを判定することができる。指紋が感知セルを横切って又は相対的に移動すると、セルの相互容量の変動又は変化により、受信回路の信号が変化する。
代替的に、アレイは、上板又は基板の上面の電極、又はアレイが形成されるICと、基板の下面のグランドプレーンとの間の静電容量を検出する、複数の自己容量感知セルを含む自己容量アレイであってもよい。
図2は、静電容量アレイ200の一部を示す概略図であり、送信(Tx)電極202が行として示され、受信(Rx)電極204が列として示される。図における各々の正方形206は、Tx電極202及びRx電極204の交差点に形成される特定の感知セル207によって計測される静電容量の領域を表す。アレイ200の全体的なサイズは、Tx電極202及びRx電極204の大きさ、及び隣り合うTx電極及びRx電極間の距離又は間隔(ピッチとも呼ばれる)に依存する。一般的に、Tx電極202及びRx電極204の大きさ、及び隣り合うTx電極及びRx電極間の間隔は、検出されるべき表面の空間周波数成分の推定に基づいて選択され、検出される表面の構造における突起の空間周波数又は特徴と一致してもよく、或いは一致しなくてもよい。
上述のとおり、相互容量アレイのTx電極は信号で駆動され、Rx電極は、増幅器又は感知回路に接続され、入力信号を計測し、これによって、アレイの感知セルの静電容量を計測する。図3に示されるように、駆動及び感知回路の過度の重複を回避するために、限られた数のTx駆動回路302及びRx感知回路304が使用され、これらは、それぞれTxマルチプレクサ(MUX306)及びRxマルチプレクサ(MUX308)を介して、アレイ300に接続される。Tx駆動回路302及びRx感知回路304の両方は、図3に示されるように、シングルエンドであってもよく、差動であってもよい。差動モードのTx駆動回路302では、Tx+信号の反転バージョンであるTx−信号が、生成される。Rx感知回路304では、Rx+及びRx−信号は、差動検出器(図示なし)の正及び負の入力に接続される。代わりに、図9Aから図9Cを参照して以下で更に詳細に説明されるように、RXマルチプレクサ308は、個々のRx電極のそれぞれが、Rx+ライン、Rx−ラインに接続され得る、或いは接地され得るように構成されてもよい。TXマルチプレクサ306は、個々のパネルTx電極のそれぞれがTx+ライン、Tx−ラインに接続され得る、或いは接地され得るように構成されてもよい。
1次元のモーションの変位を計測する、空間周波数に基づくモーションセンサにおいて使用される線形又は1次元(1D)アレイが、図4から図6を参照して、説明される。
図4Aは、単一の長軸に沿って配置され、感知セルの幅と実質的に等しい短軸に沿った幅を有する、相互又は自己容量感知セル402の1Dアレイ400の概略ブロック図である。感知セル402が間隔Λで離間されており、1Dアレイに近接させた単一でない誘電率を有する表面の変化によって生じる静電容量の変化から成る入力空間信号404を計測するように構成される。動作中、感知セル402は、ワイヤ合成され(wire-summed)又は一緒に接続され、各々の感知セルからの出力の合計を表す単一の出力信号406を生成する。入力空間信号404は1次元アレイ400に関して移動させられ、モーションの量の関数である出力信号406を生成する。図4Bに示すように、入力空間信号404が空間周波数Λで何らかのコンテンツを有するとすると、出力信号406は、周波数Λの周期信号となる。これは、入力空間信号404の全体のサイズが、空間周波数Λの周期よりもはるかに大きいためであり、アレイ400は、くし形アレイ又はくし形フィルタとして機能し、複数の基本周波数空間期間にわたって情報を処理し、これは、ある時点で計測された入力空間信号全体が別の時点で計測されたものと非常に類似していることを意味する。1Dアレイ400に対する入力空間信号404の変位は、出力信号406の位相変化を計測することによって計算され得る。
図4Bを参照すると、出力信号406に大きなDC成分があることが分かる。図4Cに示すように、差動検出器410の反転入力に接続された第2の感知セルのセット408を追加することにより、DC成分が取り除かれ得る。図4Cを参照すると、差動検出器410からの総出力信号iは、第1の感知セルのセット402からの信号iと、感知セルのセット408からのiとの差である。図4のアレイ400において、感知セル402、408の差動検出及びスペーシングは、DC及び偶数次の空間高調波をキャンセルする。差動検出器410からの出力信号iの出力信号は以下のとおり表される。
ここで、xは変位であり、Λは出力信号iの周波数であり、Bは定数である。
図4Cのアレイ400からの出力信号iは、正及び負の方向のモーションを区別できないことに留意されたい。つまり、図4Cのアレイ400はモーションを検出して変位を計測できるが、アレイの長軸に沿ったどの方向で変位が生じたかを判定できない。
図2に示されるように、追加の感知セルを追加することにより、出力信号の同相(in-phase)及び直角位相(quadrature)部分が生成される。したがって、変位の方向は、出力信号の直角位相部分(i)が時間的に出力信号の同相部分(i)より進んでいるか、又は遅れているかを確認することによって判定され得る。あるいは、i及びiは、複素数ベクトルの実数成分及び虚数成分として解釈されることができ、モーションの方向は、ベクトルの位相変化の方向を見ることによって判定され得る。
図5を参照すると、1Dアレイ500は、第1の感知セルのセット502a、第2の感知セルのセット502b、第3の感知セルのセット502c、及び第4の感知セルのセット502dを含む。第1の感知セルのセット502aからの出力(i)は、ワイヤ合成され又は一緒に接続され、第1の差動検出器504aの非反転入力に接続される。第3の感知セルのセット502cからの出力(i)は、一緒に接続され、そして、第1の差動検出器504aの反転入力に接続されて、出力信号の同相部分(i)を生成する。第2の感知セルのセット502bからの出力(i)は、一緒に接続され、第2の差動検出器504bの非反転入力に接続される。第4の感知セルのセット502dからの出力(i)は、一緒に接続され、第2の差動検出器504bの反転入力に接続されて、出力信号(i)の直角位相部分を生成する。出力信号の同相部分(i)は、上述の式(1)で与えられるとおりである。図5の1Dアレイ500からの出力信号の直角位相部分(i)は以下のとおり表される。
ここで、xは変位であり、出力信号iの周波数はΛであり、Bは定数である。
4つのセットに接続された複数の個々の感知セル502a〜dを含む1Dアレイ500にも関わらず、1Dアレイに接続された差動検出器504a、504bからの出力信号は、i及びiの2つしか存在しないことに留意されたい。
他の実施形態では、図6A及び6Bに示されるように、アレイは、2次元に配置された静電容量感知セルを含む2次元(2D)アレイである。図6A及び6Bは、静電容量感知セルの2Dアレイ602を含むモーションセンサの一部の概略ブロック図である。図6Aを参照すると、2次元アレイ602の各々の正方形604は、Tx電極606及びRx電極608の交差点に形成された特定の感知セルによって計測される静電容量の領域を表す。2次元アレイ602は、更に、感知セルのグループ又はブロック610に分割又は配置されており、静電容量感知セルを有する感知セルの各々のブロックは4’4エレメント・パー・セル(又は4’4エレメント/ピリオド)の構成に配置される。図6Bに詳細に示されるように、同じ文字を有する感知セル610のブロック内の静電容量感知セルは、RX MUX612に、電気的に接続され、或いはワイヤ合成され、8つの信号614、A1からD2を生成する。8つのワイヤ合成された信号614は、更に、差動検出器616によって結合され、x及びy方向におけるモーション又は変位から生じる同相及び直角位相情報を含む、4つの出力信号(CC、CS、SC及びSS)を生成する。図6Bに示される感知セル610のブロックの要素の各々は、図6Aに示されるように、差動検出器616の1つの正(A1、B1、C1、D1)又は負(A2、B2、C2、D2)の入力に接続される。
本実施形態で示されるように、2Dアレイ602が相互容量感知セルのアレイである場合、モーションセンサは、Tx駆動回路の過度の重複を回避するために、TX Mux618を更に含んでもよい。あるいは、2Dアレイ602が自己容量感知セルのアレイである場合、TX Mux618が省略され、「Tx電極」が接地又は固定電圧に電気的に接続されてもよい。
図6の2Dアレイ602の信号(CC、CS、SC及びSS)は、以下のように計算することができる。
ここで、xはx次元の変位であり、yはy次元の変位であり、Λは出力信号の周波数であり、Aは定数である。
2Dアレイ602が、複数の感知セルのブロックのグループ610にグループ分けされた、複数の個々の感知セルを含んでおり、且つ、4つのそれぞれ異なる差動検出器616に接続された、8つのワイヤ合成された信号614を提供しているにも関わらず、システム全体では、4つの出力信号(CC、CS、SC、及びSS)のみが生成されることに再度留意されたい。処理されるべき信号が4つのみであるため、プロセッサの速度及びメモリの要件は、画像相関を使用する光学又は静電容量モーションセンサの他の実装に必要な要件よりもはるかに少なくなる。4つの信号のみが生成され、指紋画像は検出されず、又はメモリに保存されないことを再度理解されたい。
その後、変位は、4つの信号のCC、CS、SC、及びSSから判定されることができ、P、P、M、Mと示される「正」及び「負」の信号を計算することによって、以下のように定義することができる。
これらのP及びM信号は、大きさが信号の強さに比例し、位相が感知セルに沿った変位を表すベクトルとして扱うことができる。360度の位相回転は、Λのモーション変位、感知セルの分離を表す。
2Dアレイ600が、それぞれが特定の数の個々の感知セル604を有する、特定の数の感知セルのブロック606のアレイを有しているものとして、図6A及び図6Bに示され、上述されたが、他の実施形態及び構成が可能であることを理解されたい。Rx及びTxマルチプレクサ(図示せず)の設定を変更して、Txマルチプレクサによって駆動され、及び/又はRxマルチプレクサによって差動検出器608に接続された感知セル604を変更することで、2Dアレイ600の感知セルのブロック606の数と、各々の感知セルのブロックの個々の感知セル604の数との両方が増やされ、或いは減らされる。つまり、本方法は、CC信号の生成のためにRx及びTxマルチプレクサを構成して、CC信号をスキャン及び計測することと、CS信号の生成のためにRx及びTxマルチプレクサを構成して、CS信号をスキャン及び計測することと、SS信号の生成のためにRx及びTxマルチプレクサを構成して、SS信号をスキャン及び計測することと、SC信号の生成のためにRx及びTxマルチプレクサを構成して、SC信号をスキャン及び計測することとを含む。感知セルのブロック606を加えることで、より高い信号強度が得られるが、アレイ領域が大きくなり、検出できる表面の種類を制限する空間周波数検出の帯域幅が減少し、特定の用途に最適化され得るトレードオフを作成する。より大きな感知セルのブロック606、すなわち、より多くの個々の感知セル604を含む感知セルのブロックは、より良いモーション精度を提供するが、追跡され得る表面の種類を制限し、特定の用途に最適化され得るトレードオフを生じる。
図7は、静電容量感知セルの2Dアレイ702を含み、2次元のモーションを検出するために空間周波数に基づく検出を使用する、静電容量モーション感知システム又はモーションセンサ700の概略ブロック図である。図7を参照すると、モーションセンサ700は、2Dアレイ702に加えて、2Dアレイからのモーション依存出力信号を処理して2Dアレイの表面に平行な方向における表面のモーションを計測する処理回路704を含む。図示の実施形態では、処理回路704は、2Dアレイ702のTx電極(図示なし)を駆動するための送信駆動回路及びマルチプレクサ(Tx及びMUX706)、受信感知回路及びマルチプレクサ(Rx及びMUX708)、及びプロセッサ710を含む。上述のとおり、プロセッサ710は、RxおよびMUX708を制御して、2Dアレイ702からの出力信号を合成して、x及びy軸に沿ったモーションから生じる2Dアレイからの出力信号から同相及び直角位相情報を含む4つの信号(CC、CS、SC、及びSS)を生成する。次に、プロセッサ710は、プログラム又はアルゴリズムを実行して、Rx及びMUX708から出力された4つの信号(CC、CS、SC、及びSS)に基づいて、上述の式(7)から式(10)によって、モーションを計算する。
処理されるべき信号が4つのみであるため、プロセッサ710の処理時間、処理能力、及びメモリの要件は、画像相関を使用する光学又は静電容量モーションセンサの他の実装に必要な要件よりもはるかに少なく、これにより、従来のモーションセンサよりも、特定のサンプル及びプロセス時間の高速なモーションの検出及び計測を可能にする。上述の1D又は2Dアレイを含む空間周波数に基づく静電容量モーションセンサは、より少ない必要な処理能力で、且つ、より小さなアレイ又は感知領域で、1,000mm/秒を超えるモーションを検出できる。一実施形態では、2Dアレイを含む空間周波数に基づく静電容量モーションセンサは、4×4mm未満の感知領域、及び48MHzプロセッサの10%未満の負荷で実装された。典型的なトラックパッドは、およそ25×25mmであり、画像相関を使用する静電容量モーションセンサは、一般に100mm/秒を超えるトラッキング速度を達成できない。
本開示の空間周波数に基づく静電容量モーションセンサが、指紋画像を検出、処理、及び記憶することのセキュリティ上の問題なしに、これらの結果を達成することを更に理解されたい。外部制御が利用できない、プロセッサ710の直接制御下において、Rx MUX708及びTx MUX706の設定により、2Dアレイ702は、感知された表面の画像をキャプチャするために使用されることができず、指紋画像を読み取り、保存、又は報告することを不可能にする。この指紋画像を読み取り、保存し、或いは報告することができないことは、望ましいセキュリティ特性である。
モーションセンサ700のコンポーネントは、1つ又は複数の集積回路(IC)に実装されることができ、共通のマルチチップモジュール(MCM)内にパッケージ化された、又はプリント回路基板(PCB)に実装された個別のコンポーネントとして実装されることができ、あるいは、共通又は共有基板上の単一のICとして一体的に形成されることができる。例えば、一実施形態では、2Dアレイ702、Tx及びMUX706、並びにRx及びMUX708は、PCBに実装された単一のICとして一体的に形成されることができ、或いは別のIC上に形成されたプロセッサ710とともにパッケージ化されることができる。
図8Aから図8Dは、2Dアレイ800、送信マルチプレクサ(Tx MUX802)、受信マルチプレクサ(Rx MUX804)、差動検出器806、及びTx駆動回路808を含む、モーションセンサの一部のブロック図である。これらの図の各々のTx MUX802及びRx MUX804は、4つの信号(CC、CS、SC、及びSS)のうちの1つを生成するように構成される。
図8Aは、Tx MUX802及びRx MUX804が図示のように構成され、検出スキャンが実行され、CC信号が生成される、第1の構成を示す。
図8Bに示される第2の構成では、Tx MUX802の構成は同一のままで、Rx MUX804が、受信(Rx)電極810を変更するように再構成されており、Rx電極は、差動検出器806の反転入力(Rx−)に接続するように一緒に接続され、且つ、Rx電極は、差動検出器の非反転入力(Rx+)に接続するように一緒に接続される。それから、第2の検出スキャンが実行され、CS信号が生成される。
図8Cで示される第3の構成では、Rx MUX804の構成は、図8Bに示されるものと変わらず、一方で、Tx MUX802が、電気的な接地812に接続された送信(Tx)電極を変更するように再構成されており、Tx電極は、Tx駆動回路808の正の駆動信号(Tx+)に接続するように一緒に接続され、且つ、Tx電極は、Tx駆動回路の負の駆動信号(Tx−)に一緒に接続される。それから、第3の検出スキャンが実行され、SC信号が生成される。
図8Dで示される第4の構成では、Tx MUX802の構成は、図8Cに示されるものと変わらず、一方で、Rx MUX804は、電気的な接地812に接続されたRx電極810を変更するように再構成され、Rx電極は、差動検出器806の反転入力(Rx−)に接続するように一緒に接続され、且つ、Rx電極は、差動検出器の非反転入力(Rx+)に接続するために一緒に接続される。それから、第4の検出スキャンが実行され、SS信号が生成される。
これらの4つの信号(CC、CS、SC、SS)は、それから、プログラム又はアルゴリズムを実行するプロセッサ(図示なし)によって、4つの信号に基づいてモーションを計算するために使用される。
ある実施形態では、アレイの中心又はピーク空間周波数は、モーションセンサに対して移動した表面の構造の変化から生じる静電容量の変化の空間周波数成分と実質的に一致するように選択される。例えば、移動する表面が指又は指先である場合、これらの変化の一般的な原因の1つは、指紋の隆起及び谷である。指紋の隆起間の平均距離又は平均周期は、一般的に平均隆起幅又はMRB(Mean Ridge Breadth)と呼ばれ、ユーザに依存し、年齢、性別、身長又はサイズ、並びにユーザの民族性に応じて、300〜600μmで異なる。アレイがくし形フィルタとして機能できるピーク周波数又は周波数の範囲は、一般に、感知セル間の物理的な間隔又はピッチによって決まる。しかしながら、本開示のモーションセンサの処理回路は、ある実施形態では、Rx Muxを制御するプロセッサによって動的に、自動的に変更されて、感知セル間の相互接続を変更することができる。したがって、アレイのピーク空間周波数を特定のMRBに一致させて、信号強度、追跡速度、及び精度を最大化することができる。
一実施形態では、モーションセンサはくし形フィルタとして構成されたアレイ含み、送信(Tx)電極によって駆動される、又は受信(Rx)電極によって検出される感知セル間に、より多くの接地感知セルを配置するか、あるいは、より少ないRx電極を接続することによって、より低いピーク周波数を実現するためにピーク周波数が動的に調整される。図9Aから図9Cに示される、本実施形態の1つの変形例では、感知セルは、プロセッサ(図示せず)を使用して、Tx MUX900を構成することで接地され、代替のTx電極902が電気的な接地904に接続され、これらの接地された電極に関連付けられた感知セルがTx信号によって駆動されず、実質的に電荷を蓄積せず、或いは静電容量の変化が計測可能でない。
図9Aを参照すると、第1の実施形態では、モーションセンサのプロセッサ(図示せず)が、プログラムを実行し、Tx MUX900を動作又は構成させて、代替のTx電極902aがノード906を介して接地される。プロセッサは、それから、接地されていないTx電極902bの正及び負の駆動信号(Tx+、Tx−)を駆動させ、1/(4d)に等しいアレイの中心又はピーク周波数Fを提供する。ここで、dは、隣り合うTx電極の間隔である。
図9Bを参照すると、第2の実施形態では、プロセッサはTx MUX900を構成して、接地されていないTx電極902b間の、隣り合う接地されたTx電極902aの対が、1/(6d)に等しいアレイピーク周波数Fを提供する。
図9Cを参照すると、第3の実施形態では、プロセッサは、Tx MUX900を構成し、接地されていないTx電極902bの対の間の、隣り合う接地されたTx電極902aの対が接地され、1/(8d)に等しいアレイピーク周波数Fを提供する。
制御において、モーションセンサのプロセッサは、異なる2つ以上のアレイピーク周波数F、F、及びFで複数の検出スキャンを自動的に実行して、ピーク周波数F、F、及びFでのアレイからの出力信号の信号の大きさ(SF1、SF2、及びSF3)に基づいて、変位(モーション)計算の処理に使用されるスキャンサイクルを含むデータを判定するように構成され得る。信号の大きさ(SF1、SF2及びSF3)は、以下の式を使用して計算され得る。
ここで、Pは、上述のとおり、CC−SSから判定される正の同相ベクトルである。Pは、CS+SCから判定される正の直角位相ベクトルである。Mは、CC+SSから判定される負の同相ベクトルである。そして、MはCS−SCから判定した負の直角位相ベクトルである。
信号の大きさの計算に使用される出力信号は変位の計算にも使用できるため、変位(モーション)を計算する前に、選択されたピーク周波数でのスキャンを繰り返す必要はない。同様に、MRBが短期間に大きくも早くも変化しない可能性が高いため、モーションセンサに近接する表面を検出した後、変位を計算する前に、異なるアレイピーク周波数F、F、及びFの各々で複数の検出スキャンを繰り返す必要はない。むしろ、プロセッサは、所定の時間の後、又は所定の数のスキャンの後、或いは使用されるピーク周波数の信号の大きさが所定の閾値を下回ったときに、信号の大きさ(SF1、SF2、及びSF3)をチェックするように構成され得る。
静電容量モーションセンサに基づいてマルチ周波数の空間周波数を制御する方法について、図10を参照して説明する。図10は、マルチ周波数空間フィルタとして構成又は再構成され得る静電容量感知セルのアレイを含むモーションセンサを空間周波数に基づいて制御する方法を示すフローチャートであり、図10Aから図10Cに示されるように、相互接続された感知セルの間の1つ又は複数の送信(Tx)電極を接地することで、より低いピーク周波数が達成される。図10を参照すると、本方法は、図10Aに示されるように、Tx MUX1000を構成することから始まり、これにより、代替のTx電極1002が接地され、Fのアレイピーク周波数を提供し、アレイの受信(Rx)電極のスキャンを実行する(ステップ1002)。次に、Tx MUX1000は、図10Bに示されるように、Tx電極のペア1002が、接地されていないTx電極の間で設置されており、Fのアレイピーク周波数を提供し、アレイのRx電極の第2のスキャンを実行する(ステップ1004)。その後、正(P)及び負(M)の信号の大きさ(SF1及びSF2)が、上述の式を使用して、F及びFスキャンについて計算される(ステップ1006)。そして、信号の大きさSF1及びSF2が比較される(ステップ1008)。信号の大きさSF1が信号の大きさSF2よりも大きい場合、Fデータが変位(モーション)計算に使用される(ステップ1010)。信号の大きさSF1が信号の大きさSF2よりも大きくない場合、Fデータが変位(モーション)計算に使用される(ステップ1012)。しかし、図10に示され上述されたマルチ周波数の空間周波数に基づく静電容量モーションセンサを制御する方法は、2つのピーク周波数F及びFのみでのスキャンを使用し、Tx MUX1000の再構成及び計算は、モーションセンサのプロセッサによって自動的且つ迅速に実行されるため、本方法は、図10Aから図10Cを参照して上述されるように、モーションセンサの性能を大幅に低下させることなく、例えば、F、F、及びFなどの複数のピーク周波数で追加のスキャンを実行するように拡張され得ることを理解されたい。
他の実施形態では、図11A及び11Bを参照して説明されるように、モーションセンサの処理回路を使用して、2Dアレイ内の感知セルのブロックのサイズ、形状又は向きを変更することができる。図11Aは、各々が4’4エレメント・パー・セル(又は4’4エレメント/ピリオド)の構成に配置された感知セル1106を有している、4つの感知セルのブロック1104を含む、2Dアレイ1102の一部を示している。各々の感知セルのブロック1104内の感知セル1106、並びに感知セルのブロックは、図6A及び図6Bを参照して説明されるように、8つの信号A1からD2を生成するように電気的に接続され、或いはワイヤ合成される。図11Bを参照すると、感知セル1106間の相互接続がマルチプレクサを使用して変更され、2Dアレイ1102内の感知セルのブロック1104の向きを45度だけ効果的に回転させ、感知セルのブロック内の個々の感知セル間のピッチ又は間隔を増加させることで、その結果、ピーク空間周波数が略41%変化する。
空間周波数に基づいて静電容量モーションセンサを制御する方法を、図12のフローチャートを参照して説明する。図12を参照すると、第1のステップでは、モーションセンサ内の静電容量感知セルのアレイを使用して、アレイに近接する表面によって引き起こされるアレイにわたる静電容量変化のマップが生成される(ステップ1202)。図5、図6A及び図6Bに関連して示され、上述されるように、これは、アレイをくし形フィルタとして構成して、単一の空間周波数のみでの静電容量の変化のマップを生成することによって達成され得る。あるいは、静電容量マップを生成することは、表面の完全な静電容量マップ画像を含むことができ、それから少なくとも1つの空間周波数が続いて検出され得る。次に、空間周波数が、アレイに近接する表面によって引き起こされるアレイにわたる静電容量の変化で検出され(ステップ1204)、表面が、アレイに対して、アレイの表面に平行な方向に移動又は変位する(ステップ1206)。この表面の変位により、表面の変位の関数であり、空間周波数での周期的信号である出力信号が生成される(ステップ1208)。上述のとおり、アレイは少なくとも2つの非平行な軸を含む2Dアレイであり、このステップは、一般的に、2Dアレイからの出力信号を合成して、軸に沿ったモーションから生じる同相及び直角位相情報を含む4つの信号(CC、CS、SC、及びSS)を生成することを含む。プロセッサは、それからプログラム又はアルゴリズムを実行して、Rx及びMUXから出力された4つの信号(CC、CS、SC、及びSS)の出力に基づいて、上述の式(3)から式(6)によって、モーションを計算する。それから、出力信号の位相変化が計測され(ステップ1210)、アレイに対する表面の変位が、式(7)から(10)を用いて、P及びM信号を計算することによって、出力信号から判定される(ステップ1212)。上述のとおり、これらのP、P、M、及びMは、ベクトルとして扱うことができ、大きさが信号の強度に比例し、位相が感知セルに沿った変位を表す。
本開示に記載される1D又は2Dアレイを含む空間周波数に基づく静電容量モーションセンサは、表面のモーション感知を必要とする任意のシステム又はデバイスに含まれ得ることを理解されたい。実施例には、データを入力し、スクロールリストのアイテムをスクロール又は選択し、或いはディスプレイのアイコンフィールド又は画像でカーソルを再配置するために、コンピュータ又はモバイルデバイスに使用される、フィンガーナビゲーションシステムが含まれる。更に、空間周波数に基づく静電容量式モーションセンサは頑丈なデバイスであり、振動及び周囲の照明などの環境条件の影響を受けないため、自動車のステアリングホイール、ダッシュボード、又はコンソールに取り付けられたユーザインターフェイスでの使用に特に適しており、オーディオの音量、座席の位置、温度調節の温度などの変更など、モーションに基づいてタスクを実行する。
概要及び要約のセクションではなく、詳細な説明のセクションが、特許請求の範囲を解釈するために使用されるものであることを更に理解されたい。概要及び要約のセクションは、発明者によって企図される本発明の例示的な実施形態の全てではなく、1つ又は複数を説明し得るものであり、したがって、決して本発明及び添付の特許請求の範囲を限定するものではない。
このように、静電容量感知セルのアレイを含み、空間周波数検出を使用してアレイに対する表面のモーションを検出する、空間周波数に基づくモーションセンサが開示される。本発明の実施形態が、特定された機能及びそれらの関係の実装を示す機能的及び概略的なブロック図を用いて上述された。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜上、本明細書では定義される。特定された機能及びそれらの関係が適切に実行される限り、代替の境界が定義されてもよい。
特定の実施形態について上述した説明は、当該技術の範囲内の知識を適用することにより、これらの特定の実施形態の様々な用途に容易のために修正及び/又は適用し、過度の実験なしで、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、他の人が発明を実施できるように、発明の一般的な性質を完全に開示するであろう。したがって、そのような適用及び修正は、本明細書に提示された教示及びガイダンスに基づいて、開示された実施形態の均等物の意味及び範囲内であることが意図される。本明細書の専門的表現又は専門用語は限定ではなく説明を目的とするものであり、本明細書の専門的表現又は専門用語が教示及びガイダンスに照らして当業者によって解釈されるものであることを理解されたい。
本発明の広さ及び範囲は、上述した例示的な実施形態のいずれによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲及びその均等物によって定義されるべきである。

Claims (20)

  1. 感知セルのアレイであって、前記アレイに近接する検出された表面の構造における静電容量の変化を静電容量的に感知する、感知セルのアレイと、
    前記アレイからのモーションに依存する出力信号を処理して、前記アレイの感知表面に平行な方向における前記検出された表面のモーションを計測する、マルチプレクサ及びプロセッサを備える、処理回路と、
    を備える、モーションセンサであって、
    前記プロセッサは、プログラムを実行して、少なくとも2つの交互配置された感知セルのグループであって、感知セルのグループの各々の感知セルが前記検出された表面の前記構造における前記静電容量の変化の空間周波数成分の推定に基づいて周期的に離間されている感知セルのグループに、前記アレイの前記感知セルを相互接続するように前記マルチプレクサを制御し、前記アレイをくし形フィルタとして構成し、前記静電容量の変化の少なくとも1つの空間周波数成分を検出し、前記アレイに平行な方向における前記検出された表面のモーションを計測するように適合される、モーションセンサ。
  2. 前記アレイは、それに対して移動する前記検出された表面よりも小さい感知領域を備える、請求項1に記載のモーションセンサ。
  3. 前記アレイは、少なくとも2つの非平行軸に沿って配置された感知セルを備える、2次元アレイである、請求項1に記載のモーションセンサ。
  4. 前記処理回路は、前記マルチプレクサと前記プロセッサとの間に接続され、前記2つの非平行軸に沿ったモーションから生じる前記2次元アレイからの出力信号からの同相及び直角位相信号を含む4つの信号を生成する、差動検出器を更に含む、請求項3に記載のモーションセンサ。
  5. 前記プロセッサは、前記4つの信号を処理して、前記2つの非平行軸の各々に沿った方向におけるベクトルを生成するように更に適合され、前記ベクトルの大きさは、前記直角位相信号の強度を表し、前記ベクトルの方向の変化は前記2つの非平行軸に沿ったモーションを表す、請求項4に記載のモーションセンサ。
  6. 前記プロセッサは、前記マルチプレクサを制御して前記感知セルの相互接続を変更し、前記アレイの前記感知セルによって感知される前記空間周波数成分の周波数を変更するように更に適合される、請求項5に記載のモーションセンサ。
  7. 前記プロセッサは、前記アレイの前記感知セルによって感知された前記空間周波数成分の異なる周波数における前記4つの信号の強度を比較し、前記マルチプレクサを制御して、モーションが検出されている前記検出された表面に最大強度を有する出力信号の周波数を選択するように更に適合される、請求項6に記載のモーションセンサ。
  8. 前記アレイは、第1方向に延びる複数の受信電極(Rx電極)と、前記第1方向と平行ではない第2方向に延びる複数の送信電極(Tx電極)とを備える相互容量アレイであって、前記複数のRx電極は絶縁体によって前記Tx電極から分離されており、Tx電極及びRx電極の交差点の各々は、前記アレイ内で相互容量感知セルを形成する、請求項1に記載のモーションセンサ。
  9. 前記アレイは、前記処理回路に接続され第1方向に延びる複数の第1電極と、DC電圧レベルに接続され前記第1方向と平行ではない第2方向に延びる複数の第2電極とを備える自己容量アレイであって、前記複数の第1電極は絶縁体によって前記第2電極から分離されており、第1及び第2電極の交差点の各々は、前記アレイ内で自己容量感知セルを形成する、請求項1に記載のモーションセンサ。
  10. 前記検出された表面は、指の表面であって、前記検出された表面の前記構造における前記静電容量の変化は、指紋の隆起及び谷から生じる、請求項1に記載のモーションセンサ。
  11. 前記指紋の画像は、前記モーションセンサによって生成されず、それに接続されたメモリに格納されない、請求項10に記載のモーションセンサ。
  12. 前記検出された表面は、手袋の表面であって、前記検出された表面の前記構造における前記静電容量の変化は、前記手袋の前記表面上の布のテクスチャから生じる、請求項1に記載のモーションセンサ。
  13. 感知セルの2次元アレイ(2Dアレイ)であって、少なくとも2つの非平行軸に沿って配置され、前記2Dアレイに近接する指の指紋の隆起及び谷から生じる静電容量の変化を静電容量的に感知する、感知セルの2Dアレイと、
    少なくとも2つの交互配置された感知セルのグループであって、感知セルのグループの各々の感知セルが前記指紋の構造における前記静電容量の変化の空間周波数成分の推定に基づいて周期的に離間されている感知セルのグループに、前記2Dアレイの前記感知セルを相互接続して、前記2Dアレイをくし形フィルタとして構成し、前記静電容量の変化の少なくとも1つの空間周波数成分を検出し、前記2Dアレイに平行な方向における前記のモーションを計測する、プロセッサを備える処理回路と、
    を備える、モーションセンサであって、
    前記指紋の画像は、前記モーションセンサによって生成されず、それに接続されたメモリに格納されない、モーションセンサ。
  14. 前記処理回路は、前記のモーションから生じる前記2Dアレイからの出力信号から同相及び直角位相信号を含む4つの信号を生成するように構成される、請求項13に記載のモーションセンサ。
  15. 前記プロセッサは、前記感知セルの相互接続を変更し、前記2Dアレイの前記感知セルによって感知される前記空間周波数成分の周波数を変更するように構成される、請求項14に記載のモーションセンサ。
  16. 前記プロセッサは、前記2Dアレイの前記感知セルによって感知された前記空間周波数成分の異なる周波数における前記4つの信号の強度を比較し、前記感知セルの相互接続を変更して、前記4つの信号が最大強度を有する前記空間周波数成分の前記周波数を選択するように更に適合される、請求項15に記載のモーションセンサ。
  17. 前記検出された表面は、スタイラスの表面であり、前記検出された表面の前記構造における前記静電容量の変化は、前記スタイラスの前記表面の変化から生じる、請求項1に記載のモーションセンサ。
  18. モーションセンサの静電容量感知セルのアレイを使用して、前記アレイに近接する検出された表面によって引き起こされる前記アレイにわたる静電容量の変化のマップを生成することと、
    前記マップ内の少なくとも第1空間周波数を検出することと、
    前記アレイの感知表面に平行な方向において、前記アレイに対して前記検出された表面を変位させることと、
    前記検出された表面の前記変位の関数である出力信号を生成することであって、前記出力信号は前記第1空間周波数での周期的信号であることと、
    前記出力信号の数の位相変化を判定することと、
    前記位相変化から前記検出された表面の変位の計算することと、
    を含み、
    静電容量の変化のマップを生成することは、少なくとも2つの交互配置された感知セルのグループであって、感知セルのグループの各々の感知セルが前記第1空間周波数の推定に基づいて周期的に離間されている感知セルのグループに、前記アレイの前記静電容量感知セルを相互接続することを含み、くし形フィルタとして前記アレイを構成して、前記第1空間周波数での前記静電容量の変化の前記マップを生成することを含む、方法。
  19. 静電容量の変化のマップを生成することは、前記検出された表面の完全な静電容量マップ画像を生成することを含む、請求項18に記載の方法。
  20. 前記アレイを構成することは、第1の感知セルのグループからの出力を相互接続することと、第2の感知セルのグループからの出力を相互接続して、各々のグループの相互接続された感知セルが前記アレイの軸の少なくとも1つに沿って、前記第1空間周波数に比例する間隔で、交互配置され及び離間される、請求項18に記載の方法。
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