JP6808526B2 - Wafer processing method - Google Patents
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Description
本発明は、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。 The present invention relates to a method for processing a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a scheduled division line and a wafer formed on the surface is divided into individual devices.
ＩＣ、ＬＳＩ等の複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハは、切削ブレードを備えたダイシング装置によって個々のデバイスに分割され、分割された各デバイスは携帯電話、パソコン等の電気機器に利用される。 A wafer in which a plurality of devices such as ICs and LSIs are partitioned by a planned division line and formed on the surface is divided into individual devices by a dicing device equipped with a cutting blade, and each divided device is a mobile phone, a personal computer, etc. Used for electrical equipment.
デバイスの高速化を図るためにシリコンウエーハ等の半導体基板の表面にＬｏｗ−ｋ膜（低誘電率絶縁体被膜）が複数積層されてＩＣ、ＬＳＩ等の回路が形成される。Ｌｏｗ−ｋ膜は分割予定ラインにも積層されていて切削ブレードで切断すると雲母のように剥離し、デバイスの品質を低下させるという問題があることから、レーザー光線を分割予定ラインに沿って照射してレーザー加工溝を形成することによってＬｏｗ−ｋ膜を除去し、レーザー加工溝に切削ブレードを位置づけてダイシングしウエーハを個々のデバイスに分割する技術が提案され実用に供されている（特許文献１参照。）。 In order to increase the speed of the device, a plurality of Low-k films (low dielectric constant insulator coatings) are laminated on the surface of a semiconductor substrate such as a silicon wafer to form circuits such as ICs and LSIs. The Low-k film is also laminated on the planned division line, and when cut with a cutting blade, it peels off like a mica, which has the problem of degrading the quality of the device. Therefore, a laser beam is irradiated along the planned division line. A technique has been proposed in which a Low-k film is removed by forming a laser-machined groove, a cutting blade is positioned in the laser-machined groove, dicing is performed, and a wafer is divided into individual devices, and the technique has been put into practical use (see Patent Document 1). .).
しかし、下記特許文献１に開示された技術は以下のような問題を含んでいる。
（１）レーザー加工溝の幅が十分であってもレーザー加工溝の側面に付着した溶融物に切削ブレードが接触して突発的にデバイスの外周に欠けが生じる。
（２）レーザー加工溝の形成によるＬｏｗ−ｋ膜の除去が不十分であると切削ブレードのズレや倒れが発生してデバイスのＬｏｗ−ｋ膜に剥離が生じる。
（３）切削ブレードの幅を超える幅のレーザー加工溝を形成するため、幅の広い分割予定ラインが必要となりデバイスの取り個数が減少する。
However, the technique disclosed in Patent Document 1 below includes the following problems.
(1) Even if the width of the laser processing groove is sufficient, the cutting blade comes into contact with the melt adhering to the side surface of the laser processing groove, and the outer periphery of the device is suddenly chipped.
(2) If the removal of the Low-k film by forming the laser processing groove is insufficient, the cutting blade is displaced or tilted, and the Low-k film of the device is peeled off.
(3) Since a laser machining groove having a width exceeding the width of the cutting blade is formed, a wide scheduled division line is required, and the number of devices to be taken is reduced.
そこで本出願人は、ダイシング装置によってウエーハの裏面から分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけてウエーハの表面に至らない切削溝を形成し、その後、ウエーハの裏面から切削溝に沿ってレーザー光線を照射してＬｏｗ−ｋ膜を切断する技術を提案した（特許文献２参照。）。 Therefore, the applicant positions the cutting blade from the back surface of the wafer to the region corresponding to the planned division line by the dicing device to form a cutting groove that does not reach the surface of the wafer, and then a laser beam from the back surface of the wafer along the cutting groove. We have proposed a technique for cutting a Low-k film by irradiating with (see Patent Document 2).
ところが、上記特許文献２に開示された技術では、ウエーハの裏面に切削溝を形成した後、ダイシング装置からウエーハを搬出しレーザー加工装置までウエーハを搬送する際、ウエーハが切削溝に沿って破損するという問題がある。 However, in the technique disclosed in Patent Document 2, after forming a cutting groove on the back surface of the wafer, the wafer is damaged along the cutting groove when the wafer is carried out from the dicing device and transported to the laser processing device. There is a problem.
上記事実に鑑みてなされた本発明の課題は、表面にＬｏｗ−ｋ膜が積層され分割予定ラインによって区画された領域に複数のデバイスが形成されたウエーハを破損することなく個々のデバイスに分割できるウエーハの加工方法を提供することである。 An object of the present invention made in view of the above facts is that a wafer in which a Low-k film is laminated on the surface and a plurality of devices are formed in a region partitioned by a planned division line can be divided into individual devices without damaging the wafer. It is to provide a processing method for wafers.
上記課題を解決するために本発明が提供するのは、以下のウエーハの加工方法である。すなわち、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在してダイシングテープを挟み一体にする一体化工程と、第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法である。 In order to solve the above problems, the present invention provides the following wafer processing method. That is, it is a method of processing a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a planned division line and the wafer formed on the surface is divided into individual devices, and the surface of the first wafer and the surface of the second wafer are made to face each other. The first is to position the cutting blade in the area corresponding to the planned division line formed from the back surface of the first wafer to the front surface of the first wafer in the integration process in which the dicing tape is sandwiched and integrated with the adhesive layer interposed therebetween. Corresponds to the first cutting groove forming step of forming the first cutting groove having a depth not reaching the surface of the wafer and the planned division line formed from the back surface of the second wafer to the surface of the second wafer. A second cutting groove forming step of positioning the cutting blade in the region to form a second cutting groove having a depth that does not reach the surface of the second wafer, and along the first cutting groove from the back surface of the first wafer. The first cutting step of cutting the planned division line of the first wafer by irradiating the laser beam, and the division of the second wafer by irradiating the laser beam from the back surface of the second wafer along the second cutting groove. It is a processing method of a wafer including at least a second cutting step for cutting a planned line.
好ましくは、該一体化工程の後に、第一のウエーハの裏面を研削して第一のウエーハを薄化する第一の研削工程と、第二のウエーハの裏面を研削して第二のウエーハを薄化する第二の研削工程と、が含まれる。該第二の切断工程の後、ダイシングテープを拡張して、第一のウエーハおよび第二のウエーハからデバイスをピックアップするピックアップ工程が含まれるのが好適である。該一体化工程において、第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインと第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインとが交差するように一体にするのが好都合である。該交差する角度は略４５度であるのが好ましい。 Preferably, after the integration step, a first grinding step of grinding the back surface of the first wafer to thin the first wafer and a second grinding step of grinding the back surface of the second wafer to perform the second wafer. A second grinding step, which is thinned, is included. After the second cutting step, it is preferable to include a pick-up step of expanding the dicing tape to pick up the device from the first wafer and the second wafer. In the integration step, it is convenient to integrate the scheduled division line formed on the surface of the first wafer and the scheduled division line formed on the surface of the second wafer so as to intersect with each other. The intersecting angle is preferably about 45 degrees.
本発明が提供するウエーハの加工方法は、第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在してダイシングテープを挟み一体にする一体化工程と、第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、を少なくとも含み構成されているので、第一のウエーハと第二のウエーハとが互いに補強しあってダイシング装置からレーザー加工装置までの搬送の際にウエーハが破損することがない。 The wafer processing method provided by the present invention includes an integration step in which the surface of the first wafer and the surface of the second wafer face each other and the dicing tape is sandwiched and integrated with an adhesive layer interposed therebetween, and the first wafer. The cutting blade is positioned in the region corresponding to the planned division line formed on the front surface of the first wafer from the back surface of the first wafer to form the first cutting groove having a depth not reaching the surface of the first wafer. In the groove forming process, the cutting blade is positioned in the region corresponding to the planned division line formed from the back surface of the second wafer to the surface of the second wafer, and the depth does not reach the surface of the second wafer. The second cutting groove forming step of forming the cutting groove and the first cutting step of irradiating a laser beam from the back surface of the first wafer along the first cutting groove to cut the planned division line of the first wafer. And, since it is configured to include at least a second cutting step of irradiating a laser beam from the back surface of the second wafer along the second cutting groove to cut the planned division line of the second wafer. The first wafer and the second wafer reinforce each other so that the wafer is not damaged during transportation from the dicing device to the laser processing device.
以下、本発明のウエーハの加工方法の実施形態について図面を参照しつつ説明する。 Hereinafter, embodiments of the wafer processing method of the present invention will be described with reference to the drawings.
図１（ａ）には、シリコン基板等から形成され得る円盤状の第一のウエーハ２及び第二のウエーハ４が示されている。Ｌｏｗ−ｋ膜（図示していない。）が複数積層されている第一のウエーハ２の表面２ａは、格子状の分割予定ライン６によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス８が形成されている。第一のウエーハ２の周縁には結晶方位を示すノッチ１０が形成され、ノッチ１０を方位の基準として分割予定ライン６が第一のウエーハ２の表面２ａに形成されている。また、Ｌｏｗ−ｋ膜（図示していない。）が複数積層されている第二のウエーハ４の表面４ａも、格子状の分割予定ライン１２によって複数の矩形領域に区画され、複数の矩形領域のそれぞれにはＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１４が形成されている。第二のウエーハ４の周縁にも結晶方位を示すノッチ１６が形成され、ノッチ１６を方位の基準として分割予定ライン１２が第二のウエーハ４の表面４ａに形成されている。 FIG. 1A shows a disk-shaped first wafer 2 and a second wafer 4 that can be formed from a silicon substrate or the like. The surface 2a of the first wafer 2 on which a plurality of Low-k films (not shown) are laminated is divided into a plurality of rectangular regions by a grid-like division schedule line 6, and each of the plurality of rectangular regions is divided into a plurality of rectangular regions. Is formed with devices 8 such as ICs and LSIs. A notch 10 indicating the crystal orientation is formed on the peripheral edge of the first wafer 2, and a line 6 scheduled to be divided is formed on the surface 2a of the first wafer 2 with the notch 10 as a reference of the orientation. Further, the surface 4a of the second wafer 4 on which a plurality of Low-k films (not shown) are laminated is also divided into a plurality of rectangular regions by a grid-like division schedule line 12, and the plurality of rectangular regions are divided. Devices 14 such as ICs and LSIs are formed in each of them. A notch 16 indicating the crystal orientation is also formed on the peripheral edge of the second wafer 4, and a planned division line 12 is formed on the surface 4a of the second wafer 4 with the notch 16 as a reference of the orientation.
図示の実施形態では図１（ｂ）に示すとおり、まず、第一のウエーハ２の表面２ａと第二のウエーハ４の表面４ａとを対面させ、接着層を介在してダイシングテープを挟み第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とを一体にする一体化工程を実施する。図示の実施形態では周縁が環状フレーム１８に固定されたダイシングテープ２０を用いる。環状フレーム１８の外周縁には直線状に延びる２個のフラット部２２が形成されている。ダイシングテープ２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂには接着力を有する接着層（図示していない。）が形成されている。一体化工程では、第一のウエーハ２の表面２ａをダイシングテープ２０の表面２０ａに貼着すると共に、第二のウエーハ４の表面４ａをダイシングテープ２０の裏面２０ｂに貼着することによって、第一のウエーハ２の表面２ａと第二のウエーハ４の表面４ａとを対面させ、ダイシングテープ２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂに形成された各接着層を介在して、ダイシングテープ２０を挟み第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とを一体にする。第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とが一体となったウエーハ２４（以下「一体化ウエーハ２４」という。）を図１（ｃ）に示す。一体化工程においては、第一のウエーハ２の径方向中心と第二のウエーハ４の径方向中心とを整合させた状態で第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とを一体にする。また、一体化工程においては、第一のウエーハ２の分割予定ライン６と第二のウエーハ４の分割予定ライン１２とが交差するように、第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とを一体にするのが好適である。図示の実施形態では図１（ｃ）に示すとおり、一体化ウエーハ２４の中心Ｏから第一のウエーハ２のノッチ１０を結ぶ線分と、一体化ウエーハ２４の中心Ｏから第二のウエーハ４のノッチ１６を結ぶ線分とのなす角度が略４５度であり、したがって第一のウエーハ２の分割予定ライン６と第二のウエーハ４の分割予定ライン１２とが交差する角度は略４５度である。第一のウエーハ２の分割予定ライン６と第二のウエーハ４の分割予定ライン１２とが交差していることによって、第一のウエーハ２の分割予定ライン６と第二のウエーハ４の分割予定ライン１２とが整合している場合と比較して、第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とがより効果的に互いに補強しあうこととなる。なお、一体化工程において、環状フレーム１８の一方のフラット部２２に第一のウエーハ２のノッチ１０を位置づけると共に、環状フレーム１８の他方のフラット部２２に第二のウエーハ４のノッチ１６を位置づけることによって、一方のフラット部２２を方位の基準として第一のウエーハ２のデバイス８が整列すると共に、他方のフラット部２２を方位の基準として第二ウエーハ４のデバイス１４が整列するので、第一のウエーハ２及び第二のウエーハ４を個々のデバイス８、１４に分割した後にフラット部２２を基準にして適宜のピックアップ手段（図示していない。）によって個々のデバイス８、１４をピックアップすることによりピックアップ作業を容易に行うことができる。 In the illustrated embodiment, as shown in FIG. 1B, first, the surface 2a of the first wafer 2 and the surface 4a of the second wafer 4 are made to face each other, and the dicing tape is sandwiched between the adhesive layers. The integration process of integrating the wafer 2 and the second wafer 4 of the above is carried out. In the illustrated embodiment, a dicing tape 20 whose peripheral edge is fixed to the annular frame 18 is used. Two flat portions 22 extending linearly are formed on the outer peripheral edge of the annular frame 18. An adhesive layer (not shown) having adhesive strength is formed on the front surface 20a and the back surface 20b of the dicing tape 20. In the integration step, the surface 2a of the first wafer 2 is attached to the surface 20a of the dicing tape 20, and the surface 4a of the second wafer 4 is attached to the back surface 20b of the dicing tape 20. The surface 2a of the wafer 2 and the surface 4a of the second wafer 4 face each other, and the dicing tape 20 is sandwiched between the adhesive layers formed on the front surface 20a and the back surface 20b of the dicing tape 20 to sandwich the first wafer. 2 and the second wafer 4 are integrated. FIG. 1 (c) shows a wafer 24 in which the first wafer 2 and the second wafer 4 are integrated (hereinafter referred to as “integrated wafer 24”). In the integration step, the first wafer 2 and the second wafer 4 are integrated in a state where the radial center of the first wafer 2 and the radial center of the second wafer 4 are aligned. Further, in the integration process, the first wafer 2 and the second wafer 4 are integrated so that the planned division line 6 of the first wafer 2 and the scheduled division line 12 of the second wafer 4 intersect. Is preferable. In the illustrated embodiment, as shown in FIG. 1 (c), a line segment connecting the center O of the integrated wafer 24 to the notch 10 of the first wafer 2 and the center O of the integrated wafer 24 to the second wafer 4 The angle formed by the line segment connecting the notches 16 is approximately 45 degrees, and therefore the angle at which the planned division line 6 of the first wafer 2 and the planned division line 12 of the second wafer 4 intersect is approximately 45 degrees. .. Since the planned division line 6 of the first wafer 2 and the planned division line 12 of the second wafer 4 intersect, the planned division line 6 of the first wafer 2 and the planned division line of the second wafer 4 Compared with the case where 12 is consistent, the first wafer 2 and the second wafer 4 reinforce each other more effectively. In the integration step, the notch 10 of the first wafer 2 is positioned on one flat portion 22 of the annular frame 18, and the notch 16 of the second wafer 4 is positioned on the other flat portion 22 of the annular frame 18. As a result, the device 8 of the first wafer 2 is aligned with one flat portion 22 as the reference of the orientation, and the device 14 of the second wafer 4 is aligned with the other flat portion 22 as the reference of the orientation. After dividing the wafer 2 and the second wafer 4 into individual devices 8 and 14, pickup is performed by picking up the individual devices 8 and 14 with an appropriate pick-up means (not shown) with reference to the flat portion 22. The work can be done easily.
一体化工程を実施した後、第一のウエーハ２の裏面２ｂを研削して第一のウエーハ２を薄化する第一の研削工程を実施する。第一の研削工程は、たとえば図２にその一部を示す研削装置２６を用いて実施することができる。研削装置２６は、被加工物を保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに保持された被加工物を研削する研削手段２８とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブルは、回転手段（図示していない。）によって上下方向に延びる軸線を中心として回転される。研削手段２８は、モータ（図示していない。）に連結され、かつ上下方向に延びる円柱状のスピンドル３０と、スピンドル３０の下端に固定された円盤状のホイールマウント３２とを含む。ホイールマウント３２の下面にはボルト３４によって環状の研削ホイール３６が固定されている。研削ホイール３６の下面の外周縁部には、周方向に間隔をおいて環状に配置された複数の研削砥石３８が固定されている。研削砥石３８がチャックテーブルの回転中心を通るように、研削ホイール３６の回転中心はチャックテーブルの回転中心に対して変位しており、チャックテーブルと研削ホイール３６とが相互に回転しながら、チャックテーブルの上面に保持された被加工物の上面と研削砥石３８とが接触した場合に、被加工物の上面全体が研削砥石３８によって研削される。 After carrying out the integration step, the first grinding step of grinding the back surface 2b of the first wafer 2 to thin the first wafer 2 is carried out. The first grinding step can be carried out, for example, by using a grinding device 26 whose part is shown in FIG. The grinding device 26 includes a chuck table (not shown) for holding the workpiece and a grinding means 28 for grinding the workpiece held on the chuck table. The chuck table configured to attract the workpiece on the upper surface is rotated about an axis extending in the vertical direction by a rotating means (not shown). The grinding means 28 includes a cylindrical spindle 30 connected to a motor (not shown) and extending in the vertical direction, and a disk-shaped wheel mount 32 fixed to the lower end of the spindle 30. An annular grinding wheel 36 is fixed to the lower surface of the wheel mount 32 by bolts 34. A plurality of grinding wheels 38 arranged in an annular shape at intervals in the circumferential direction are fixed to the outer peripheral edge of the lower surface of the grinding wheel 36. The center of rotation of the grinding wheel 36 is displaced with respect to the center of rotation of the chuck table so that the grinding wheel 38 passes through the center of rotation of the chuck table, and the chuck table and the grinding wheel 36 rotate with each other while the chuck table is rotated. When the upper surface of the workpiece held on the upper surface of the workpiece comes into contact with the grinding wheel 38, the entire upper surface of the workpiece is ground by the grinding wheel 38.
図２を参照して説明を続けると、第一の研削工程では、まず、第一のウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、研削装置２６のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブルを回転手段によって回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル３０をモータによって回転させる。次いで、研削装置２６の昇降手段（図示していない。）によってスピンドル３０を下降させ、第一のウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石３８を接触させる。第一のウエーハ２の裏面２ｂに研削砥石３８を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル３０を下降させる。これによって、第一のウエーハ２の裏面２ｂを研削して第一のウエーハ２を薄化することができる。 Continuing the description with reference to FIG. 2, in the first grinding step, first, the back surface 2b of the first wafer 2 is turned upward, and the integrated wafer 24 is attracted to the upper surface of the chuck table of the grinding device 26. .. Next, the chuck table is rotated by the rotating means at a predetermined rotation speed (for example, 300 rpm) counterclockwise when viewed from above. Further, the spindle 30 is rotated by a motor at a predetermined rotation speed (for example, 6000 rpm) counterclockwise when viewed from above. Next, the spindle 30 is lowered by an elevating means (not shown) of the grinding device 26, and the grinding wheel 38 is brought into contact with the back surface 2b of the first wafer 2. After the grinding wheel 38 is brought into contact with the back surface 2b of the first wafer 2, the spindle 30 is lowered at a predetermined grinding feed rate (for example, 1.0 μm / s). As a result, the back surface 2b of the first wafer 2 can be ground to thin the first wafer 2.
図３を参照して説明する。第一の研削工程を実施した後、第二のウエーハ４の裏面４ｂを研削して第二のウエーハ４を薄化する第二の研削工程を実施する。第二の研削工程は、上述の研削装置２６を用いて実施することができる。第二の研削工程では、まず、第二のウエーハ４の裏面４ｂを上に向けて、研削装置２６のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば３００ｒｐｍ）でチャックテーブルを回転手段によって回転させる。また、上方からみて反時計回りに所定の回転速度（たとえば６０００ｒｐｍ）でスピンドル３０をモータによって回転させる。次いで、研削装置２６の昇降手段によってスピンドル３０を下降させ、第二のウエーハ４の裏面４ｂに研削砥石３８を接触させる。第二のウエーハ４の裏面４ｂに研削砥石３８を接触させた後は所定の研削送り速度（たとえば１．０μｍ／ｓ）でスピンドル３０を下降させる。これによって、第二のウエーハ４の裏面４ｂを研削して第二のウエーハ４を薄化することができる。 This will be described with reference to FIG. After carrying out the first grinding step, a second grinding step of grinding the back surface 4b of the second wafer 4 to thin the second wafer 4 is carried out. The second grinding step can be carried out using the above-mentioned grinding device 26. In the second grinding step, first, the back surface 4b of the second wafer 4 is turned upward, and the integrated wafer 24 is attracted to the upper surface of the chuck table of the grinding device 26. Next, the chuck table is rotated by the rotating means at a predetermined rotation speed (for example, 300 rpm) counterclockwise when viewed from above. Further, the spindle 30 is rotated by a motor at a predetermined rotation speed (for example, 6000 rpm) counterclockwise when viewed from above. Next, the spindle 30 is lowered by the elevating means of the grinding device 26, and the grinding wheel 38 is brought into contact with the back surface 4b of the second wafer 4. After the grinding wheel 38 is brought into contact with the back surface 4b of the second wafer 4, the spindle 30 is lowered at a predetermined grinding feed rate (for example, 1.0 μm / s). As a result, the back surface 4b of the second wafer 4 can be ground to thin the second wafer 4.
第二の研削工程を実施した後、第一のウエーハ２の裏面２ｂから、第一のウエーハ２の表面２ａに形成された分割予定ライン６に対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハ２の表面２ａに至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程を実施する。第一の切削溝形成工程は、たとえば図４（ａ）にその一部を示すダイシング装置４０を用いて実施することができる。ダイシング装置４０は、被加工物を保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削手段４２と、チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段（図示していない。）とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブルは、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、切削手段４２に対して相対的に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。切削手段４２は、実質上水平に延びる円筒状のスピンドルハウジング４４と、実質上水平に延びる軸線を中心として回転自在にスピンドルハウジング４４に内蔵された円柱状のスピンドル（図示していない。）とを含む。スピンドルの基端部にはモータ（図示していない。）が連結され、スピンドルの先端部には環状の切削ブレード４６が固定されている。切削ブレード４６の上部はブレードカバー４８で覆われている。撮像手段は、可視光線により被加工物を撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）と、被加工物に赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段により照射された赤外線を捕らえる光学系と、光学系が捕らえた赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含む（いずれも図示していない。）。なお、Ｘ方向は図４（ａ）に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図４（ａ）に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。 After performing the second grinding step, the cutting blade is positioned from the back surface 2b of the first wafer 2 to the region corresponding to the planned division line 6 formed on the surface 2a of the first wafer 2, and the first wafer is positioned. The first cutting groove forming step for forming the first cutting groove having a depth not reaching the surface 2a of 2 is carried out. The first cutting groove forming step can be carried out, for example, by using the dicing device 40 shown in part in FIG. 4A. The dicing device 40 takes an image of a chuck table (not shown) for holding the workpiece, a cutting means 42 for cutting the workpiece held on the chuck table, and a workpiece held on the chuck table. An imaging means (not shown) is provided. The chuck table configured to attract the workpiece on the upper surface is rotated about an axis extending in the vertical direction by the rotating means, and is X by the moving means in the X direction relative to the cutting means 42. It advances and retreats in the direction, and advances and retreats in the Y direction by the Y-direction moving means (neither is shown). The cutting means 42 comprises a cylindrical spindle housing 44 extending substantially horizontally and a cylindrical spindle (not shown) built in the spindle housing 44 rotatably about an axis extending substantially horizontally. Including. A motor (not shown) is connected to the base end of the spindle, and an annular cutting blade 46 is fixed to the tip of the spindle. The upper part of the cutting blade 46 is covered with the blade cover 48. The imaging means include a normal imaging element (CCD) that images the work piece with visible light, an infrared irradiation means that irradiates the work piece with infrared rays, an optical system that captures the infrared rays radiated by the infrared irradiation means, and optics. It includes an image pickup element (infrared CCD) that outputs an electric signal corresponding to the infrared rays captured by the system (neither is shown). The X direction is the direction indicated by the arrow X in FIG. 4A, and the Y direction is the direction indicated by the arrow Y in FIG. 4A and is orthogonal to the X direction. The plane defined by the X and Y directions is substantially horizontal.
図４（ａ）を参照して説明を続けると、第一の切削溝形成工程では、まず、第一のウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、ダイシング装置４０のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、ダイシング装置４０の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ２４を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ２４の画像に基づいて、ダイシング装置４０のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブルを移動及び回転させることによって、第一のウエーハ２の分割予定ライン６をＸ方向及びＹ方向に整合させると共に、Ｘ方向に整合させた分割予定ライン６に対応する領域の片端部の上方に切削ブレード４６を位置づける。このとき、第一のウエーハ２の裏面２ｂが上に向けられ、分割予定ライン６が形成されている表面２ａは下に向けられているが、上述のとおり、撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含むので、第一のウエーハ２の裏面２ｂから透かして表面２ａの分割予定ライン６を撮像することができる。次いで、図４（ａ）に矢印Ａで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード４６をモータによって回転させる。次いで、ダイシング装置４０の昇降手段（図示していない。）によってスピンドルハウジング４４を下降させ、第一のウエーハ２の分割予定ライン６に対応する領域に、第一のウエーハ２の裏面２ｂから表面２ａに至らない深さ（すなわち、Ｌｏｗ−ｋ膜に至らない深さ）まで切削ブレード４６の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りすることによって、図４（ａ）及び（ｂ）に示すとおり、第一のウエーハ２の分割予定ライン６の片端部から他端部までに対応する領域に裏面２ｂから表面２ａに至らない深さの第一の切削溝５０を形成する第一の切削加工を施す。次いで、第一のウエーハ２の分割予定ライン６の間隔の分だけ一体化ウエーハ２４と切削ブレード４６とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一のウエーハ２の分割予定ライン６の間隔の分だけ、切削ブレード４６をＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、第一の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第一のウエーハ２の分割予定ライン６に対応する領域のすべてに第一の切削加工を施す。また、ダイシング装置４０の回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、第一の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第一の切削加工を施した分割予定ライン６に対応する領域と直交する分割予定ライン６に対応する領域のすべてにも第一の切削加工を施す。これによって、図６に示すとおり、第一のウエーハ２の表面２ａに形成された格子状の分割予定ライン６に対応する領域に第一のウエーハ２の裏面２ｂから表面２ａに至らない深さの第一の切削溝５０を格子状に形成することができる。 Continuing the description with reference to FIG. 4A, in the first cutting groove forming step, first, the back surface 2b of the first wafer 2 is turned upward and integrated with the upper surface of the chuck table of the dicing apparatus 40. The wafer 24 is adsorbed. Next, the integrated wafer 24 is imaged from above by the imaging means of the dicing device 40. Next, the chuck table is moved and rotated by the X-direction moving means, the Y-direction moving means, and the rotating means of the dicing device 40 based on the image of the integrated wafer 24 captured by the imaging means, so that the first wafer 2 The planned division line 6 is aligned in the X and Y directions, and the cutting blade 46 is positioned above one end of the region corresponding to the planned division line 6 aligned in the X direction. At this time, the back surface 2b of the first wafer 2 is directed upward, and the surface 2a on which the planned division line 6 is formed is directed downward. As described above, the imaging means includes the infrared irradiation means and the infrared irradiation means. Since it includes an optical system that captures infrared rays and an image sensor (infrared CCD) that outputs an electric signal corresponding to infrared rays, it is possible to image the planned division line 6 of the front surface 2a through the back surface 2b of the first wafer 2. it can. Next, the cutting blade 46 is rotated by the motor together with the spindle in the direction indicated by the arrow A in FIG. 4A. Next, the spindle housing 44 is lowered by an elevating means (not shown) of the dicing device 40, and the back surface 2b to the front surface 2a of the first wafer 2 are placed in a region corresponding to the planned division line 6 of the first wafer 2. The cutting edge of the cutting blade 46 is cut to a depth that does not reach (that is, a depth that does not reach the Low-k film), and the chuck table is machined and fed in the X direction by the X direction moving means at a predetermined machining feed rate. As a result, as shown in FIGS. 4A and 4B, the depth corresponding to the region from one end to the other end of the planned division line 6 of the first wafer 2 does not reach the front surface 2b from the back surface 2b. The first cutting process for forming the first cutting groove 50 is performed. Next, the integrated wafer 24 and the cutting blade 46 are index-fed relatively in the Y direction by the interval of the planned division line 6 of the first wafer 2. In the illustrated embodiment, in the index feed, the cutting blade 46 is index-feeded in the Y direction by the Y-direction moving means by the interval of the planned division line 6 of the first wafer 2. Then, by alternately repeating the first cutting process and the index feed, the first cutting process is performed on all the regions corresponding to the planned division lines 6 of the first wafer 2 aligned in the X direction. Further, after rotating the chuck table by 90 degrees by the rotating means of the dicing apparatus 40, the first cutting process and the index feed are alternately repeated, so that the first cutting process is performed on the scheduled division line 6 first. The first cutting process is also performed on all the regions corresponding to the planned division line 6 orthogonal to the region corresponding to. As a result, as shown in FIG. 6, the depth from the back surface 2b of the first wafer 2 to the surface 2a does not reach the region corresponding to the grid-like division scheduled line 6 formed on the surface 2a of the first wafer 2. The first cutting groove 50 can be formed in a grid pattern.
図５を参照して説明する。第一の切削溝形成工程を実施した後、第二のウエーハ４の裏面４ｂから、第二のウエーハ４の表面４ａに形成された分割予定ライン１２に対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハ４の表面４ａに至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程を実施する。第二の切削溝形成工程は、上述のダイシング装置４０を用いて実施することができる。第二の切削溝形成工程では、まず、第二のウエーハ４の裏面４ｂを上に向けて、ダイシング装置４０のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、ダイシング装置４０の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ２４を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ２４の画像に基づいて、ダイシング装置４０のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブルを移動及び回転させることによって、第二のウエーハ４の分割予定ライン１２をＸ方向及びＹ方向に整合させると共に、Ｘ方向に整合させた分割予定ライン１２に対応する領域の片端部の上方に切削ブレード４６を位置づける。このとき、第二のウエーハ４の裏面４ｂが上に向けられ、分割予定ライン１２が形成されている表面４ａは下に向けられているが、上述のとおり、撮像手段は、赤外線照射手段と、赤外線を捕らえる光学系と、赤外線に対応する電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）とを含むので、第二のウエーハ４の裏面４ｂから透かして表面４ａの分割予定ライン１２を撮像することができる。次いで、図５（ａ）に矢印Ａで示す方向にスピンドルと共に切削ブレード４６をモータによって回転させる。次いで、ダイシング装置４０の昇降手段によってスピンドルハウジング４４を下降させ、第二のウエーハ４の分割予定ライン１２に対応する領域に、第二のウエーハ４の裏面４ｂから表面４ａに至らない深さ（すなわち、Ｌｏｗ−ｋ膜に至らない深さ）まで切削ブレード４６の刃先を切り込ませると共に、チャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りすることによって、図５（ａ）及び（ｂ）に示すとおり、第二のウエーハ４の分割予定ライン１２の片端部から他端部までに対応する領域に裏面４ｂから表面４ａに至らない深さの第二の切削溝５２を形成する第二の切削加工を施す。次いで、第二のウエーハ４の分割予定ライン１２の間隔の分だけ一体化ウエーハ２４と切削ブレード４６とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第二のウエーハ４の分割予定ライン１２の間隔の分だけ、切削ブレード４６をＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、第二の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第二のウエーハ４の分割予定ライン１２に対応する領域のすべてに第二の切削加工を施す。また、ダイシング装置４０の回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、第二の切削加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第二の切削加工を施した分割予定ライン１２に対応する領域と直交する分割予定ライン１２に対応する領域のすべてにも第二の切削加工を施す。これによって、第二のウエーハ４の表面４ａに形成された格子状の分割予定ライン１２に対応する領域に第二のウエーハ４の裏面４ｂから表面４ａに至らない深さの第二の切削溝５２を格子状に形成することができる。 This will be described with reference to FIG. After performing the first cutting groove forming step, the cutting blade is positioned from the back surface 4b of the second wafer 4 to the region corresponding to the planned division line 12 formed on the front surface 4a of the second wafer 4, and the second cutting blade is positioned. A second cutting groove forming step of forming a second cutting groove having a depth not reaching the surface 4a of the wafer 4 is carried out. The second cutting groove forming step can be carried out by using the dicing device 40 described above. In the second cutting groove forming step, first, the integrated wafer 24 is attracted to the upper surface of the chuck table of the dicing apparatus 40 with the back surface 4b of the second wafer 4 facing upward. Next, the integrated wafer 24 is imaged from above by the imaging means of the dicing device 40. Next, the second wafer 4 is moved and rotated by the X-direction moving means, the Y-direction moving means, and the rotating means of the dicing apparatus 40 based on the image of the integrated wafer 24 captured by the imaging means. The planned division line 12 is aligned in the X and Y directions, and the cutting blade 46 is positioned above one end of the region corresponding to the planned division line 12 aligned in the X direction. At this time, the back surface 4b of the second wafer 4 is directed upward, and the surface 4a on which the planned division line 12 is formed is directed downward. As described above, the imaging means includes the infrared irradiation means and the infrared irradiation means. Since it includes an optical system that captures infrared rays and an image sensor (infrared CCD) that outputs an electric signal corresponding to infrared rays, it is possible to image the planned division line 12 of the front surface 4a through the back surface 4b of the second wafer 4. it can. Next, the cutting blade 46 is rotated by the motor together with the spindle in the direction indicated by the arrow A in FIG. 5A. Next, the spindle housing 44 is lowered by the elevating means of the dicing device 40, and the depth corresponding to the planned division line 12 of the second wafer 4 is not reached from the back surface 4b of the second wafer 4 to the front surface 4a (that is,). , The cutting edge of the cutting blade 46 is cut to a depth that does not reach the Low-k film), and the chuck table is machined and fed in the X direction by the X direction moving means at a predetermined machining feed rate. ) And (b), a second cutting groove 52 having a depth not reaching the front surface 4a from the back surface 4b is provided in the region corresponding to one end to the other end of the planned division line 12 of the second wafer 4. Perform the second cutting process to be formed. Next, the integrated wafer 24 and the cutting blade 46 are index-fed relatively in the Y direction by the interval of the scheduled division line 12 of the second wafer 4. In the illustrated embodiment, in the index feed, the cutting blade 46 is index-feeded in the Y direction by the Y-direction moving means by the interval of the planned division line 12 of the second wafer 4. Then, by alternately repeating the second cutting process and the index feed, the second cutting process is performed on all the regions corresponding to the planned division lines 12 of the second wafer 4 aligned in the X direction. Further, after rotating the chuck table by 90 degrees by the rotating means of the dicing device 40, the second cutting process and the index feed are alternately repeated, so that the planned division line 12 in which the second cutting process is performed first is performed. The second cutting process is also performed on all the regions corresponding to the planned division line 12 orthogonal to the region corresponding to. As a result, the second cutting groove 52 having a depth not reaching the front surface 4a from the back surface 4b of the second wafer 4 in the region corresponding to the grid-like division scheduled line 12 formed on the surface 4a of the second wafer 4. Can be formed in a grid pattern.
第二の切削溝形成工程を実施した後、第一のウエーハ２の裏面２ｂから第一の切削溝５０に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハ２の分割予定ライン６を切断する第一の切断工程を実施する。第一の切断工程は、たとえば図７（ａ）にその一部を示すレーザー加工装置５４を用いて実施することができる。レーザー加工装置５４は、被加工物を保持するチャックテーブル（図示していない。）と、チャックテーブルに保持された被加工物にパルスレーザー光線ＬＢを照射する集光器５６とを備える。上面において被加工物を吸着するように構成されているチャックテーブルは、回転手段によって上下方向に延びる軸線を中心として回転されると共に、Ｘ方向移動手段によってＸ方向に進退され、Ｙ方向移動手段によってＹ方向に進退される（いずれも図示していない。）。集光器５６は、レーザー加工装置５４のパルスレーザー光線発振器から発振されたパルスレーザー光線ＬＢを集光して被加工物に照射するための集光レンズ（いずれも図示していない。）を含む。なお、Ｘ方向は図７（ａ）に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図７（ａ）に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向及びＹ方向が規定する平面は実質上水平である。 After performing the second cutting groove forming step, a laser beam is irradiated from the back surface 2b of the first wafer 2 along the first cutting groove 50 to cut the planned division line 6 of the first wafer 2. Carry out the cutting process of. The first cutting step can be carried out, for example, by using the laser processing apparatus 54 shown in FIG. 7A as a part thereof. The laser machining apparatus 54 includes a chuck table (not shown) for holding the workpiece and a condenser 56 for irradiating the workpiece held on the chuck table with a pulsed laser beam LB. The chuck table configured to attract the workpiece on the upper surface is rotated about an axis extending in the vertical direction by the rotating means, and is advanced and retreated in the X direction by the X direction moving means, and is moved back and forth in the X direction by the Y direction moving means. It advances and retreats in the Y direction (neither is shown). The condenser 56 includes a condenser lens (none of which is shown) for condensing the pulse laser beam LB oscillated from the pulse laser beam oscillator of the laser processing apparatus 54 and irradiating the workpiece. The X direction is the direction indicated by the arrow X in FIG. 7 (a), and the Y direction is the direction indicated by the arrow Y in FIG. 7 (a) and is orthogonal to the X direction. The plane defined by the X and Y directions is substantially horizontal.
図７（ａ）を参照して説明を続けると、第一の切断工程では、まず、第一のウエーハ２の裏面２ｂを上に向けて、レーザー加工装置５４のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、レーザー加工装置５４の撮像手段（図示していない。）によって上方から一体化ウエーハ２４を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ２４の画像に基づいて、レーザー加工装置５４のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブルを移動及び回転させることによって、格子状の第一の切削溝５０をＸ方向及びＹ方向に整合させると共に、Ｘ方向に整合させた第一の切削溝５０の片端部の上方に集光器５６を位置づける。次いで、レーザー加工装置５４の集光点位置調整手段（図示していない。）によって集光器５６を昇降させ、第一の切削溝５０の下端に集光点を位置づける。次いで、一体化ウエーハ２４と集光点とを相対的にＸ方向に移動させながら、第一の切削溝５０の片端部から他端部まで第一の切削溝５０に沿って第一のウエーハ２に対して吸収性を有するパルスレーザー光線ＬＢを集光器５６から照射して分割予定ライン６を切断する第一のアブレーション加工を施す。図示の実施形態では第一のアブレーション加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしている。次いで、第一の切削溝５０の間隔の分だけ一体化ウエーハ２４と集光点とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第一の切削溝５０の間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルをＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、第一のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第一の切削溝５０のすべてに第一のアブレーション加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、第一のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第一のアブレーション加工を施した第一の切削溝５０と直交する第一の切削溝５０のすべてにも第一のアブレーション加工を施す。これによって、第一のウエーハ２の裏面２ｂから第一の切削溝５０に沿って第一のウエーハ２の分割予定ライン６を切断することができ、したがって第一のウエーハ２を個々のデバイス８に分割することができる。第一のアブレーション加工によって第一のウエーハ２の分割予定ライン６が切断された部分（第一の切削溝５０の下端に形成されたレーザー加工溝）を図７（ｂ）に符号５８で示す。 Continuing the description with reference to FIG. 7A, in the first cutting step, first, the back surface 2b of the first wafer 2 is turned upward, and the integrated wafer is integrated with the upper surface of the chuck table of the laser processing apparatus 54. 24 is adsorbed. Next, the integrated wafer 24 is imaged from above by the imaging means (not shown) of the laser processing apparatus 54. Then, based on the image of the integrated wafer 24 captured by the imaging means, the chuck table is moved and rotated by the X-direction moving means, the Y-direction moving means, and the rotating means of the laser processing apparatus 54, thereby forming a grid-like first position. The one cutting groove 50 is aligned in the X direction and the Y direction, and the concentrator 56 is positioned above one end of the first cutting groove 50 aligned in the X direction. Next, the condenser 56 is raised and lowered by the condensing point position adjusting means (not shown) of the laser processing device 54, and the condensing point is positioned at the lower end of the first cutting groove 50. Next, the first wafer 2 is moved along the first cutting groove 50 from one end to the other end of the first cutting groove 50 while moving the integrated wafer 24 and the condensing point relatively in the X direction. A pulsed laser beam LB having absorbency is irradiated from the condenser 56 to perform a first ablation process for cutting the scheduled division line 6. In the illustrated embodiment, in the first ablation process, the chuck table is processed and fed in the X direction by the X-direction moving means at a predetermined processing feed rate with respect to the condensing point without moving the condensing point. Next, the integrated wafer 24 and the condensing point are relatively indexed in the Y direction by the distance of the first cutting groove 50. In the illustrated embodiment, in the index feed, the chuck table is index-fed in the Y direction by the Y-direction moving means with respect to the condensing point without moving the condensing point by the interval of the first cutting groove 50. There is. Then, by alternately repeating the first ablation process and the index feed, the first ablation process is performed on all of the first cutting grooves 50 aligned in the X direction. Further, after rotating the chuck table by 90 degrees by the rotating means, the first ablation process and the index feed are alternately repeated, so that the chuck table is orthogonal to the first cutting groove 50 which has been subjected to the first ablation process. All of the first cutting grooves 50 to be processed are also subjected to the first ablation process. Thereby, the planned division line 6 of the first wafer 2 can be cut from the back surface 2b of the first wafer 2 along the first cutting groove 50, and thus the first wafer 2 can be attached to the individual devices 8. Can be split. The portion where the planned division line 6 of the first wafer 2 is cut by the first ablation processing (laser processing groove formed at the lower end of the first cutting groove 50) is shown by reference numeral 58 in FIG. 7 (b).
図８を参照して説明する。第一の切断工程を実施した後、第二のウエーハ４の裏面４ｂから第二の切削溝５２に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハ４の分割予定ライン１２を切断する第二の切断工程を実施する。第二の切断工程は、上述のレーザー加工装置５４を用いて実施することができる。第二の切断工程では、まず、第二のウエーハ４の裏面４ｂを上に向けて、レーザー加工装置５４のチャックテーブルの上面に一体化ウエーハ２４を吸着させる。次いで、レーザー加工装置５４の撮像手段によって上方から一体化ウエーハ２４を撮像する。次いで、撮像手段によって撮像された一体化ウエーハ２４の画像に基づいて、レーザー加工装置５４のＸ方向移動手段、Ｙ方向移動手段及び回転手段によってチャックテーブルを移動及び回転させることによって、格子状の第二の切削溝５２をＸ方向及びＹ方向に整合させると共に、Ｘ方向に整合させた第二の切削溝５２の片端部の上方に集光器５６を位置づける。次いで、レーザー加工装置５４の集光点位置調整手段によって集光器５６を昇降させ、第二の切削溝５２の下端に集光点を位置づける。次いで、一体化ウエーハ２４と集光点とを相対的にＸ方向に移動させながら、第二の切削溝５２の片端部から他端部まで第二の切削溝５２に沿って第二のウエーハ４に対して吸収性を有するパルスレーザー光線ＬＢを集光器５６から照射して分割予定ライン１２を切断する第二のアブレーション加工を施す。図示の実施形態では第二のアブレーション加工において、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルを所定の加工送り速度でＸ方向移動手段によってＸ方向に加工送りしている。次いで、第二の切削溝５２の間隔の分だけ一体化ウエーハ２４と集光点とを相対的にＹ方向にインデックス送りする。図示の実施形態ではインデックス送りにおいて、第二の切削溝５２の間隔の分だけ、集光点を移動させずに集光点に対してチャックテーブルをＹ方向移動手段によってＹ方向にインデックス送りしている。そして、第二のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、Ｘ方向に整合させた第二の切削溝５２のすべてに第二のアブレーション加工を施す。また、回転手段によってチャックテーブルを９０度回転させた上で、第二のアブレーション加工とインデックス送りとを交互に繰り返すことにより、先に第二のアブレーション加工を施した第二の切削溝５２と直交する第二の切削溝５２のすべてにも第二のアブレーション加工を施す。これによって、第二のウエーハ４の裏面４ｂから第二の切削溝５２に沿って第二のウエーハ４の分割予定ライン１２を切断することができ、したがって第二のウエーハ４を個々のデバイス１４に分割することができる。第二のアブレーション加工によって第二のウエーハ４の分割予定ライン１２が切断された部分（第二の切削溝５２の下端に形成されたレーザー加工溝）を図８（ｂ）に符号６０で示す。 This will be described with reference to FIG. After performing the first cutting step, a laser beam is irradiated from the back surface 4b of the second wafer 4 along the second cutting groove 52 to cut the planned division line 12 of the second wafer 4. Carry out the process. The second cutting step can be carried out using the laser processing apparatus 54 described above. In the second cutting step, first, the integrated wafer 24 is attracted to the upper surface of the chuck table of the laser processing apparatus 54 with the back surface 4b of the second wafer 4 facing upward. Next, the integrated wafer 24 is imaged from above by the imaging means of the laser processing apparatus 54. Then, based on the image of the integrated wafer 24 captured by the imaging means, the chuck table is moved and rotated by the X-direction moving means, the Y-direction moving means, and the rotating means of the laser processing apparatus 54, thereby forming a grid-like first position. The second cutting groove 52 is aligned in the X direction and the Y direction, and the concentrator 56 is positioned above one end of the second cutting groove 52 aligned in the X direction. Next, the concentrator 56 is moved up and down by the condensing point position adjusting means of the laser processing device 54, and the condensing point is positioned at the lower end of the second cutting groove 52. Next, the second wafer 4 is moved along the second cutting groove 52 from one end to the other end of the second cutting groove 52 while moving the integrated wafer 24 and the condensing point relatively in the X direction. A second ablation process is performed in which a pulsed laser beam LB having absorbency is irradiated from the condenser 56 to cut the scheduled division line 12. In the illustrated embodiment, in the second ablation process, the chuck table is processed and fed in the X direction by the X direction moving means at a predetermined processing feed rate with respect to the condensing point without moving the condensing point. Next, the integrated wafer 24 and the condensing point are relatively indexed in the Y direction by the distance of the second cutting groove 52. In the illustrated embodiment, in the index feed, the chuck table is index-feeded in the Y direction by the Y-direction moving means with respect to the light-collecting point without moving the light-collecting point by the distance of the second cutting groove 52. There is. Then, by alternately repeating the second ablation process and the index feed, the second ablation process is performed on all of the second cutting grooves 52 aligned in the X direction. Further, after rotating the chuck table by 90 degrees by the rotating means, the second ablation process and the index feed are alternately repeated, so that the chuck table is orthogonal to the second cutting groove 52 which has been subjected to the second ablation process. The second ablation process is also applied to all of the second cutting grooves 52. Thereby, the planned division line 12 of the second wafer 4 can be cut from the back surface 4b of the second wafer 4 along the second cutting groove 52, and thus the second wafer 4 can be attached to the individual devices 14. Can be split. The portion where the scheduled division line 12 of the second wafer 4 is cut by the second ablation processing (laser processing groove formed at the lower end of the second cutting groove 52) is shown by reference numeral 60 in FIG. 8 (b).
図９を参照して説明する。第二の切断工程を実施した後、ダイシングテープ２０を拡張して、第一のウエーハ２および第二のウエーハ４からデバイス８、１４をピックアップするピックアップ工程を実施する。ピックアップ工程では、まず、第一のウエーハ２を上に向けて、適宜の固定手段（図示していない。）によって環状フレーム１８を固定した上で、環状フレーム１８と一体化ウエーハ２４とを上下方向において離間させることにより、ダイシングテープ２０を拡張してデバイス８同士の間隔を拡張させる。次いで、適宜のピックアップ手段（図示していない。）によって個々のデバイス８をピックアップする。デバイス８をピックアップする際は、デバイス８同士の間隔が広がっているので隣接するデバイス８同士が接触することなくピックアップ作業を行うことができる。第一のウエーハ２を分割したデバイス８のピックアップ作業の後は、第二のウエーハ４を上に向けて、適宜の固定手段（図示していない。）によって環状フレーム１８を固定した上で、環状フレーム１８と第二のウエーハ４とを上下方向において離間させることにより、ダイシングテープ２０を拡張してデバイス１４同士の間隔を拡張させる。次いで、適宜のピックアップ手段（図示していない。）によって個々のデバイス１４をピックアップする。 This will be described with reference to FIG. After carrying out the second cutting step, the dicing tape 20 is expanded to carry out a pick-up step of picking up the devices 8 and 14 from the first wafer 2 and the second wafer 4. In the pick-up process, first, the first wafer 2 is turned upward, the annular frame 18 is fixed by an appropriate fixing means (not shown), and then the annular frame 18 and the integrated wafer 24 are vertically oriented. By separating the dicing tape 20 in the dicing tape 20, the distance between the devices 8 is expanded. The individual devices 8 are then picked up by an appropriate pickup means (not shown). When picking up the device 8, since the distance between the devices 8 is widened, the pick-up operation can be performed without the adjacent devices 8 coming into contact with each other. After the pick-up work of the device 8 in which the first wafer 2 is divided, the annular frame 18 is fixed by an appropriate fixing means (not shown) with the second wafer 4 facing upward, and then the annular frame 18 is formed. By separating the frame 18 and the second wafer 4 in the vertical direction, the dicing tape 20 is expanded to expand the distance between the devices 14. The individual devices 14 are then picked up by an appropriate pickup means (not shown).
以上のとおり、本発明のウエーハの加工方法では、第一のウエーハ２と第二のウエーハ４とが互いに補強しあってダイシング装置４０からレーザー加工装置５４までの搬送の際に第一のウエーハ２及び第二のウエーハ４が破損することがない。 As described above, in the wafer processing method of the present invention, the first wafer 2 and the second wafer 4 reinforce each other, and the first wafer 2 is transported from the dicing apparatus 40 to the laser processing apparatus 54. And the second wafer 4 is not damaged.
２：第一のウエーハ
２ａ：表面
２ｂ：裏面
４：第二のウエーハ
４ａ：表面
４ｂ：裏面
６：分割予定ライン（第一のウエーハ）
８：デバイス（第一のウエーハ）
１２：分割予定ライン（第二のウエーハ）
１４：デバイス（第二のウエーハ）
２０：ダイシングテープ
４６：切削ブレード
５０：第一の切削溝
５２：第二の切削溝
ＬＢ：パルスレーザー光線
2: First wafer 2a: Front surface 2b: Back surface 4: Second wafer 4a: Front surface 4b: Back surface 6: Scheduled division line (first wafer)
8: Device (first wafer)
12: Scheduled division line (second wafer)
14: Device (second wafer)
20: Dicing tape 46: Cutting blade 50: First cutting groove 52: Second cutting groove LB: Pulse laser beam
Claims (5)
第一のウエーハの表面と第二のウエーハの表面とを対面させ接着層を介在してダイシングテープを挟み一体にする一体化工程と、
第一のウエーハの裏面から第一のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第一のウエーハの表面に至らない深さの第一の切削溝を形成する第一の切削溝形成工程と、
第二のウエーハの裏面から第二のウエーハの表面に形成された分割予定ラインに対応する領域に切削ブレードを位置づけて第二のウエーハの表面に至らない深さの第二の切削溝を形成する第二の切削溝形成工程と、
第一のウエーハの裏面から第一の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第一のウエーハの分割予定ラインを切断する第一の切断工程と、
第二のウエーハの裏面から第二の切削溝に沿ってレーザー光線を照射して第二のウエーハの分割予定ラインを切断する第二の切断工程と、
を少なくとも含み構成されるウエーハの加工方法。 It is a processing method of a wafer in which a plurality of devices are partitioned by a scheduled division line and the wafer formed on the surface is divided into individual devices.
An integration process in which the surface of the first wafer and the surface of the second wafer face each other and the dicing tape is sandwiched and integrated with an adhesive layer.
The cutting blade is positioned in the region corresponding to the planned division line formed from the back surface of the first wafer to the surface of the first wafer to form a first cutting groove having a depth that does not reach the surface of the first wafer. The first cutting groove forming process and
The cutting blade is positioned in the region corresponding to the planned division line formed on the front surface of the second wafer from the back surface of the second wafer to form a second cutting groove having a depth that does not reach the surface of the second wafer. The second cutting groove forming process and
The first cutting step of irradiating a laser beam from the back surface of the first wafer along the first cutting groove to cut the planned division line of the first wafer, and
A second cutting step of irradiating a laser beam from the back surface of the second wafer along the second cutting groove to cut the planned division line of the second wafer, and
A method of processing a wafer that includes at least.
第一のウエーハの裏面を研削して第一のウエーハを薄化する第一の研削工程と、
第二のウエーハの裏面を研削して第二のウエーハを薄化する第二の研削工程と、
が含まれる請求項１記載のウエーハの加工方法。 After the integration step
The first grinding process, which grinds the back surface of the first wafer to thin the first wafer, and
A second grinding process that grinds the back surface of the second wafer to thin the second wafer,
The method for processing a wafer according to claim 1, wherein the wafer is processed.
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