JP6807564B2 - 時間変化素子、物性時間変化予測装置及び電気遮断装置 - Google Patents
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- 230000008859 change Effects 0.000 title claims description 681
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 title claims description 612
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 282
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 192
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 93
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 80
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 44
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 20
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 19
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 claims description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 10
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 claims description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 118
- 230000009471 action Effects 0.000 description 82
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 57
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 17
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000036962 time dependent Effects 0.000 description 6
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 3
- 101000687727 Homo sapiens Transcriptional regulator PINT87aa Proteins 0.000 description 3
- 102100024797 Transcriptional regulator PINT87aa Human genes 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 3
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 3
- 239000003049 inorganic solvent Substances 0.000 description 3
- 229910001867 inorganic solvent Inorganic materials 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000000638 stimulation Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 239000003570 air Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/043—Titanium sub-oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
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- C01G23/047—Titanium dioxide
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
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- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/71—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents
- C04B35/78—Ceramic products containing macroscopic reinforcing agents containing non-metallic materials
- C04B35/80—Fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
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Description
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図1に示す物性時間変化予測装置1A(1)は、物性時間変化予測装置本体10A(10)、を備える。なお、物性時間変化予測装置1Aは、図1に示す物性時間変化予測装置本体10Aを少なくとも備えるものであればよく、図示しない周辺部材を備えていてもよい。また、後述の第2〜第13の実施形態に係る物性時間変化予測装置1B〜1Mも、第1の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Aと同様に、物性時間変化予測装置本体10B〜10Mを備える。
物性時間変化予測装置本体10は、時間変化素子40を含む部材である。図1に示す物性時間変化予測装置本体10A(10)は、時間変化素子40A(40)からなり、時間変化素子40A以外の材質を実質的に含まない。なお、例えば、後述の第3の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Cでは、物性時間変化予測装置本体10が、時間変化素子40以外の材質である母材30を含む。
時間変化素子40とは、時間変化相転移材料を含み、特定の物性が時間経過に伴って変化する素子を意味する。ここで、特定の物性とは、組成、体積、透過率、反射率、電気抵抗及び磁性からなる群より選択される1種以上の物性を意味する。特定の物性の経時的な変化としては、例えば、組成変化、体積変化、色変化、電気抵抗変化、磁性変化等が挙げられる。なお、色変化では、これに代えて透過率変化や反射率変化を用いることができる。
図1に示す時間変化素子40は、時間変化相転移材料からなる素子である。換言すれば、時間変化相転移材料は、時間変化素子40の材質である。ここで、時間変化相転移材料とは、外部からの刺激の有無に関わらず、製造後の時間経過に伴って固体間の相転移が進行する物質を意味する。ここで、「外部からの刺激の有無に関わらず、」とは、外部からの、電気、磁気、熱等の動力やエネルギーの供給の有無に関わらないこと、を意味する。
物性時間変化予測装置1Aは、時間変化素子40の材質である時間変化相転移五酸化三チタンの特性を利用して、動力やエネルギーの供給がなくても時間変化素子40の製造後の時間経過に伴う物性の経時的変化を予測する機能を有する。
時間変化素子40は動力やエネルギーの供給がなくても製造後の時間経過に伴って相転移する。また、物性時間変化予測装置1Aは、この時間変化素子40からなる物性時間変化予測装置本体10Aを備える。このため、物性時間変化予測装置1Aによれば、動力やエネルギーの供給がなくても時間変化素子の製造後の時間経過に伴う物性の経時的変化を予測することができる。さらに、物性時間変化予測装置1を電気遮断装置として用いると、製造後の時間経過に伴って電気を遮断することができる。
図2は、第2の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図2に示す物性時間変化予測装置1B(1)は、物性時間変化予測装置本体10B(10)を備える。物性時間変化予測装置本体10Bは、時間変化素子40B(40)からなり、この時間変化素子40Bは、時間変化相転移五酸化三チタンからなる薄膜になっている。また、薄膜状の時間変化素子40Bは、基板50上に形成される。換言すれば、物性時間変化予測装置1Bは、基板50と、この基板50上に形成された薄膜状の時間変化素子40Bと、を備える。
物性時間変化予測装置本体10Bは、図1に示す第1の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Aの物性時間変化予測装置本体10Aと同様に、時間変化素子40B(40)からなり、時間変化素子40B以外の材質を実質的に含まない。時間変化素子40Bは、図1に示す第1の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Aの時間変化素子40Aと同じ材質である時間変化相転移五酸化三チタンからなる。ただし、時間変化素子40Bは、基板50上に形成される。
時間変化素子40Bの作用は、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Bによれば、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aと同様の効果を奏する。
図3(a)は第3の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図3(b)は図3(a)のC−C線に沿った模式的な断面図である。図3に示す物性時間変化予測装置1C(1)は、物性時間変化予測装置本体10C(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Cは、母材30C(30)と、この母材30C中に含まれる時間変化素子40C(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Cは、母材30Cと、この母材30C中に含まれる時間変化素子40Cと、を有する。図3に示す母材30Cは板状であるが、母材30Cの形状は特に限定されない。
時間変化素子40Cの作用は、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Cによれば、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aと同様の効果を奏する。
図4(a)は第4の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図4(b)は図4(a)のD−D線に沿った模式的な断面図である。図4に示す物性時間変化予測装置1D(1)は、物性時間変化予測装置本体10D(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Dは、母材30D(30)と、この母材30D中に含まれる時間変化素子40D(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Dは、母材30Dと、この母材30D中に含まれる時間変化素子40Dと、を有する。図4に示す母材30Dは板状であるが、母材30Dの形状は特に限定されない。
時間変化素子40Dの作用は、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Dによれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図5(a)は第5の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図5(b)は図5(a)のE−E線に沿った模式的な断面図である。図5に示す物性時間変化予測装置1E(1)は、物性時間変化予測装置本体10E(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Eは、母材30E(30)と、この母材30E中に含まれる時間変化素子40E(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Eは、母材30Eと、この母材30E中に含まれる時間変化素子40Eと、を有する。図5に示す母材30Eは板状であるが、母材30Eの形状は特に限定されない。
時間変化素子40Eの作用は、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Eによれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図6(a)は第6の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図6(b)は図6(a)のF−F線に沿った模式的な断面図である。図6に示す物性時間変化予測装置1F(1)は、物性時間変化予測装置本体10F(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Fは、母材30F(30)と、この母材30F中に含まれる時間変化素子40F(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Fは、母材30Fと、この母材30F中に含まれる時間変化素子40Fと、を有する。図6に示す母材30Fは板状であるが、母材30Fの形状は特に限定されない。
時間変化素子40Fの作用は、図5に示す第5の実施形態に係る時間変化素子40Eの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Fによれば、図5に示す第5の実施形態に係る時間変化素子40Eと同様の効果を奏する。
図7(a)は第7の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図7(b)は図7(a)のG−G線に沿った模式的な断面図である。図7に示す物性時間変化予測装置1G(1)は、物性時間変化予測装置本体10G(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Gは、母材30G(30)と、この母材30G中に含まれる時間変化素子40G(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Gは、母材30Gと、この母材30G中に含まれる時間変化素子40Gと、を有する。
時間変化素子40Gの作用は、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Gによれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図8(a)は第8の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図8(b)は図8(a)のH−H線に沿った模式的な断面図である。図8に示す物性時間変化予測装置1H(1)は、物性時間変化予測装置本体10H(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Hは、母材30H(30)と、この母材30H中に含まれる時間変化素子40H(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Hは、母材30Hと、この母材30H中に含まれる時間変化素子40Hと、を有する。
時間変化素子40Hの作用は、図7に示す第7の実施形態に係る時間変化素子40Gの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Hによれば、図7に示す第7の実施形態に係る時間変化素子40Gと同様の効果を奏する。
図9は、第9の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図9に示す物性時間変化予測装置1I(1)は、物性時間変化予測装置本体10I(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Iは、母材30I(30)と、この母材30I中に含まれる時間変化素子40I(40)と、を有する。なお、物性時間変化予測装置本体10Iは、スラリー状又はゲル状であり、流動性を有するため、容器60に収容される。このため、物性時間変化予測装置1Iは、物性時間変化予測装置本体10Iと、この物性時間変化予測装置本体10Iを収容する容器60と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Iは、母材30Iと、この母材30I中に含まれる時間変化素子40Iと、を有する。
時間変化素子40Iの作用は、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Iによれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図10は、第10の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図10に示す物性時間変化予測装置1J(1)は、物性時間変化予測装置本体10J(10)を備える。この物性時間変化予測装置本体10Jは、母材30J(30)と、この母材30J中に含まれる時間変化素子40J(40)と、を有する。
物性時間変化予測装置本体10Jは、母材30Jと、この母材30J中に含まれる時間変化素子40Jと、を有する。
時間変化素子40Jの作用は、図9に示す第9の実施形態に係る時間変化素子40Iの作用と同じであるため、説明を省略する。
時間変化素子40Jによれば、図9に示す第9の実施形態に係る時間変化素子40Iと同様の効果を奏する。
物性時間変化予測装置1Jによれば、図9に示す第9の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Iと同様の効果を奏する。
物性時間変化予測装置1Jからなる電気遮断装置によれば、図9に示す第9の実施形態に係る物性時間変化予測装置1Iからなる電気遮断装置と同様の効果を奏する。
図11は、第11の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な断面図である。図11に示す物性時間変化予測装置1K(1)は、物性時間変化予測装置本体10K(10)と、物性時間変化予測装置本体10Kに接触する電極70a、70b(70)とを備える。
物性時間変化予測装置本体10Kに含まれる時間変化素子の作用は、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aの作用と同じであるため、説明を省略する。
物性時間変化予測装置本体10Kに含まれる時間変化素子によれば、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aと同様の効果を奏する。
図12は、第12の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な断面図である。図12に示す物性時間変化予測装置1L(1)は、物性時間変化予測装置本体10L(10)と、物性時間変化予測装置本体10Lに接触する電極70c、70d(70)とを備える。
物性時間変化予測装置本体10Lに含まれる時間変化素子の作用は、図11に示す第11の実施形態に係る物性時間変化予測装置本体10Kに含まれる時間変化素子の作用と同じであるため、説明を省略する。
物性時間変化予測装置本体10Kに含まれる時間変化素子によれば、図1に示す第1の実施形態に係る時間変化素子40Aと同様の効果を奏する。
図13は、第13の実施形態に係る物性時間変化予測装置を示す模式的な斜視図である。図13に示す物性時間変化予測装置1M(1)は、物性時間変化予測装置本体10M(10)と、物性時間変化予測装置本体10Mに接触する電極70e、70f(70)とを備える。図13に示すように、1電極70e及び70fは、一部が物性時間変化予測装置本体10M中に浸漬するように設けられる。なお、物性時間変化予測装置本体10Mに接触する電極70は、図示しないが2個以上にすることができる。
時間変化素子40Mの作用は、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cの作用と同じであるため、作用についての説明を省略する。
時間変化素子40Mによれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図13に示す第13の実施形態の物性時間変化予測装置本体10Mでは、図9に示す第9の実施形態の物性時間変化予測装置本体10Iと同様に、時間変化相転移五酸化三チタンからなる粒子40Mは、分散した状態で、母材30M中に含まれる。
物性時間変化予測装置1Mの変形例に含まれる時間変化素子によれば、図3に示す第3の実施形態に係る時間変化素子40Cと同様の効果を奏する。
図1に示す時間変化素子40Aからなる物性時間変化予測装置1Aを作製した。
(時間変化相転移五酸化三チタンの調製)
はじめに、原料としてルチル型及びアナターゼ型が含まれるTiO2を用意した。このTiO2のX線回折結果を図14の(b)に示す。次に、このTiO2を、水素ガス雰囲気中で1140℃で2時間、焼成したところ、Ti3O5粉末が得られた。得られたTi3O5粉末のX線回折結果を図14の(a)に示す。図14の(a)のX線回折結果より、得られたTi3O5粉末は、λ型Ti3O5とβ型Ti3O5とが一つの粉末試料の中に混在(共存)していることが分かった。
なお、得られたTi3O5粉末は、後述の経時変化試験の結果より、製造直後からの時間の経過の程度が大きいほど、λ型Ti3O5の組成比が減少しかつβ型Ti3O5の組成比が増加することが分かった。このため、得られたTi3O5粉末は、時間変化相転移五酸化三チタンであることが分かった。
次に、複数個の時間変化相転移五酸化三チタン粉末を、空気中、25℃、1気圧の状態で放置した。そして、所定日数が経過した時間変化相転移五酸化三チタン粉末につき、上記と同様にして、λ相五酸化三チタン及びβ相五酸化三チタンの相比率を算出した。
これにより、製造直後から時間が経過した各時間変化相転移五酸化三チタン粉末における、λ相五酸化三チタン及びβ相五酸化三チタンの相比率を測定した。結果を図15に示す。図15は、時間変化相転移五酸化三チタンの経過時間と、製造直後から時間が経過した時間変化相転移五酸化三チタンにおけるλ−Ti3O5の相比率(λ相含有率)及びβ−Ti3O5の相比率(β相含有率)と、の関係を示すグラフである。λ相含有率及びβ相含有率の単位は、モル%である。
図15より、製造後の経過時間の増加に伴って、λ相五酸化三チタンの相比率は単調減少する曲線を示し、β相五酸化三チタンの相比率は単調増加する曲線を示すことが分かった。
10、10A、10B、10C、10D、10E、10F、10G、10H、10I、10J、10K、10L、10M 物性時間変化予測装置本体
30、30C、30D、30E、30F、30G、30H、30I、30J 母材
40、40A、40B、40C、40D、40E、40F、40G、40H、40I、40J 時間変化素子
45 時間変化相転移五酸化三チタンからなる粒子の連結体
50 基板
60 容器
70、70a、70b、70c、70d、70e、70f 電極
Claims (7)
- 外部からの刺激の有無に関わらず、製造後の時間経過に伴って固体間の相転移が進行する時間変化相転移材料を含み、
組成、体積、透過率、反射率、電気抵抗及び磁性からなる群より選択される1種以上の物性が時間経過に伴って変化する時間変化素子であって、
前記時間変化相転移材料は、少なくともλ相五酸化三チタン(λ−Ti 3 O 5 )の結晶粒を有する五酸化三チタンであることを特徴とする時間変化素子。 - 前記時間変化相転移材料は、λ相五酸化三チタン(λ−Ti3O5)及びβ相五酸化三チタン(β−Ti3O5)の結晶粒を有する五酸化三チタンであることを特徴とする請求項1に記載の時間変化素子。
- 前記時間変化相転移材料は、350℃未満でβ相五酸化三チタン(β−Ti3O5)の結晶粒及びλ相五酸化三チタン(λ−Ti3O5)の結晶粒を有し、350℃以上に加熱したときに前記β相五酸化三チタン(β−Ti3O5)の結晶粒及びλ相五酸化三チタン(λ−Ti3O5)の結晶粒の少なくとも一部が二酸化チタン(TiO2)の結晶粒に変化する性質を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の時間変化素子。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の時間変化素子を含む物性時間変化予測装置本体を備え、
組成、体積、透過率、反射率、電気抵抗及び磁性からなる群より選択される1種以上の物性の経時的変化を予測することを特徴とする物性時間変化予測装置。 - カード状体であることを特徴とする請求項4に記載の物性時間変化予測装置。
- 請求項4又は5に記載の物性時間変化予測装置からなり、前記電気抵抗の経時的変化を予測することを特徴とする電気遮断装置。
- 請求項4又は5に記載の物性時間変化予測装置からなり、前記体積の経時的変化を予測することを特徴とする電気遮断装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017068232 | 2017-03-30 | ||
JP2017068232 | 2017-03-30 | ||
PCT/JP2018/011014 WO2018180759A1 (ja) | 2017-03-30 | 2018-03-20 | 時間変化素子、物性時間変化予測装置及び電気遮断装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018180759A1 JPWO2018180759A1 (ja) | 2020-05-14 |
JP6807564B2 true JP6807564B2 (ja) | 2021-01-06 |
Family
ID=63677315
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019509587A Active JP6807564B2 (ja) | 2017-03-30 | 2018-03-20 | 時間変化素子、物性時間変化予測装置及び電気遮断装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200024150A1 (ja) |
JP (1) | JP6807564B2 (ja) |
CN (1) | CN110495002A (ja) |
WO (1) | WO2018180759A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11332381B2 (en) * | 2016-09-01 | 2022-05-17 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Functional element and temperature sensor of crystal grain trititanium pentoxide |
JP7357200B2 (ja) * | 2019-07-02 | 2023-10-06 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 酸化チタン系材料、蓄放熱デバイス、及び酸化チタン系材料の製造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA938735A (en) * | 1971-10-01 | 1973-12-18 | Multi-State Devices Ltd. | Electrical relay |
JPH08118532A (ja) * | 1994-10-28 | 1996-05-14 | Toppan Printing Co Ltd | 二酸化チタン被覆フィルム |
JP2006245251A (ja) * | 2005-03-03 | 2006-09-14 | Mitsubishi Materials Corp | 非晶質状態が安定な相変化記録膜およびこの相変化記録膜を形成するためのスパッタリングターゲット |
JP5403565B2 (ja) * | 2009-09-11 | 2014-01-29 | 国立大学法人東北大学 | 相変化材料および相変化型メモリ素子 |
JP5736664B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2015-06-17 | 国立大学法人 東京大学 | 酸化チタン粒子、その製造方法、磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリ |
JP5700622B2 (ja) * | 2010-05-21 | 2015-04-15 | 国立大学法人 東京大学 | 酸化チタン薄膜、その製造方法、磁気メモリ、光情報記録媒体及び電荷蓄積型メモリ |
ITBG20110034A1 (it) * | 2011-08-01 | 2013-02-02 | Abb Spa | Dispositivo di comando per la richiusura di un interruttore in bassa tensione. |
US8913418B2 (en) * | 2013-03-14 | 2014-12-16 | Intermolecular, Inc. | Confined defect profiling within resistive random memory access cells |
JP6607434B2 (ja) * | 2015-03-11 | 2019-11-20 | 国立大学法人 東京大学 | メモリ、メモリ装置および揮発性記録媒体 |
JP7056843B2 (ja) * | 2016-03-22 | 2022-04-19 | 国立大学法人 東京大学 | 金属置換型酸化チタン、及び金属置換型酸化チタン焼結体の製造方法 |
CN106083030B (zh) * | 2016-06-22 | 2019-11-12 | 成都锦钛精工科技有限公司 | Ti3O5致密块体材料及其制备方法 |
JP6861393B2 (ja) * | 2016-10-25 | 2021-04-21 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 圧力センサ |
-
2018
- 2018-03-20 US US16/499,794 patent/US20200024150A1/en not_active Abandoned
- 2018-03-20 WO PCT/JP2018/011014 patent/WO2018180759A1/ja active Application Filing
- 2018-03-20 JP JP2019509587A patent/JP6807564B2/ja active Active
- 2018-03-20 CN CN201880021395.XA patent/CN110495002A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200024150A1 (en) | 2020-01-23 |
WO2018180759A1 (ja) | 2018-10-04 |
JPWO2018180759A1 (ja) | 2020-05-14 |
CN110495002A (zh) | 2019-11-22 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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|
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|
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|
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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