JP6806419B2 - Manufacturing method of storage container, vaporizer, substrate processing device and semiconductor device - Google Patents
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Description
本発明は、液体を貯留する貯留容器、気化器、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a storage container for storing a liquid, a vaporizer, a substrate processing device, and a semiconductor device.
処理対象物を液体を気化させたガスで処理する装置があり、そこでは処理チャンバの手前でいったん液体を貯留する貯留タンクとしての容器を有する。貯留タンクは、処理チャンバへの気化ガス供給を制御する等の役割を有する。（例えば特許文献１参照）。 There is an apparatus for treating an object to be treated with a gas obtained by vaporizing a liquid, in which a container as a storage tank for temporarily storing the liquid is provided in front of the treatment chamber. The storage tank has a role of controlling the supply of vaporized gas to the processing chamber. (See, for example, Patent Document 1).
大規模集積回路（Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ:以下ＬＳＩ）の微細化に伴って、不良の原因となる塵埃の大きさも小さくなり、塵埃への注目度は増大をしている。その半面、微細化による厳しい高スペック、高い生産性を満たすプロセスを行なう必要性が高いために、プロセス、装置構造にも大きな負荷が加かっているので、多種の発塵源が潜在化する結果となっている。特にプロセスを構成するための原料ガスにおいては、原料・ガス供給源（貯蔵容器）、原料・ガス供給流路が発塵源となっており、流路への加熱など数々の対策を実施してはいるが、完全な対策とはなっていない。 As large-scale integrated circuits (Large Scale Integrated Circuits: LSIs) become finer, the size of dust that causes defects has also decreased, and the degree of attention to dust has increased. On the other hand, there is a high need to carry out processes that meet strict high specifications and high productivity due to miniaturization, which puts a heavy load on the process and equipment structure, resulting in the potential for various dust sources. It has become. In particular, in the raw material gas for composing the process, the raw material / gas supply source (storage container) and the raw material / gas supply flow path are the dust generation sources, and various measures such as heating the flow path are implemented. Yes, but it is not a complete measure.
本発明は、気化器より原料を気化して処理室に高清浄度の気化ガスを供給する構成を提供することを目的とする。 An object of the present invention is to provide a configuration in which a raw material is vaporized from a vaporizer and a highly clean vaporized gas is supplied to a processing chamber.
本発明の一態様によれば、内部に液体又は固体の原料が貯留される貯留室を構成する容器部と、前記貯留室内で気化された原料を排出する配管が設けられる蓋部と、前記容器部と前記蓋部の間に前記貯留室を密閉するように設けられる第１シール部と、該第１シール部の外側に設けられ、前記容器部と前記蓋部を接合する第１接合部と、を有する構成であって、前記蓋部には前記貯留室との連通を制御する開閉部がフランジ部を介して設けられ、前記フランジ部と前記蓋部の間の流路を密閉するように設けられる第２シール部と、該第２シール部の外側に設けられ、前記フランジ部と前記蓋部を接合する第２接合部と、を有する構成が提供される。 According to one aspect of the present invention, a container portion constituting a storage chamber for storing liquid or solid raw materials inside, a lid portion provided with a pipe for discharging vaporized raw materials in the storage chamber, and the container. a first seal portion provided so as to seal part and said storage chamber between said lid, is provided outside of the first seal portion, a first joint joining the lid and the container portion The lid portion is provided with an opening / closing portion for controlling communication with the storage chamber via a flange portion, so as to seal the flow path between the flange portion and the lid portion. Provided is a configuration having a second seal portion provided and a second joint portion provided outside the second seal portion and joining the flange portion and the lid portion .
本発明によれば、気化器より原料を気化して処理室に高清浄度の気化ガスを継続的に供給し、被処理体の不良発生を低減することができる。 According to the present invention, it is possible to vaporize the raw material from the vaporizer and continuously supply the vaporized gas with high cleanliness to the processing chamber to reduce the occurrence of defects in the object to be processed.
以下、本発明の図面を参照しつつ本発明を実施する為の最良の形態を説明する。 Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings of the present invention.
（第一の実施形態）
図１、図２は、本発明が実施される処理装置の一例である基板処理装置に用いられる縦型の処理炉２９を示すものである。(First Embodiment)
1 and 2 show a vertical processing furnace 29 used in a substrate processing apparatus, which is an example of a processing apparatus in which the present invention is carried out.
先ず、図１により本発明が適用される基板処理装置の動作の概略を説明する。 First, the outline of the operation of the substrate processing apparatus to which the present invention is applied will be described with reference to FIG.
保持具としてのボート３２に所定枚数の被処理体としてのウエハ３１が移載されると、ボートエレベータ３３によりボート３２が上昇され、ボート３２が処理炉２９に挿入される。完全にボート３２が装入された状態では、シールキャップ３５により処理炉２９が気密に閉塞される。気密に閉塞された処理炉２９内では、選択された処理レシピに従い、ウエハ３１が加熱されると共に処理ガスが処理炉２９内に供給され、ガス排気管６６から図示しない排気装置によって処理室２の雰囲気が排出されつつ、ウエハ３１に処理がなされる。 When a predetermined number of wafers 31 to be processed are transferred to the boat 32 as a holder, the boat 32 is raised by the boat elevator 33, and the boat 32 is inserted into the processing furnace 29. When the boat 32 is completely loaded, the processing furnace 29 is airtightly closed by the seal cap 35. In the airtightly closed processing furnace 29, the wafer 31 is heated and the processing gas is supplied into the processing furnace 29 according to the selected processing recipe, and the processing chamber 2 is supplied from the gas exhaust pipe 66 by an exhaust device (not shown). The wafer 31 is processed while the atmosphere is discharged.
次に、図１、図２により処理炉２９について説明する。 Next, the processing furnace 29 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
加熱装置（第１加熱手段）であるヒータ４２の内側に反応管１が設けられ、反応管１の下端には、例えばステンレス等によりマニホールド４４が気密部材であるＯリング４６を介して連設され、マニホールド４４の下端開口部（炉口部）は蓋体であるシールキャップ３５により気密部材であるＯリング１８を介して気密に閉塞され、少なくとも、反応管１、マニホールド４４及びシールキャップ３５により処理室２を画成している。 A reaction tube 1 is provided inside a heater 42 which is a heating device (first heating means), and a manifold 44 is continuously provided at the lower end of the reaction tube 1 via an O-ring 46 which is an airtight member, for example, by using stainless steel or the like. The lower end opening (furnace mouth) of the manifold 44 is airtightly closed by the seal cap 35 which is a lid through the O-ring 18 which is an airtight member, and is processed by at least the reaction tube 1, the manifold 44 and the seal cap 35. Room 2 is defined.
シールキャップ３５にはボート支持台４５を介してボート３２が立設され、ボート支持台４５はボート３２を保持する保持体となっている。 A boat 32 is erected on the seal cap 35 via a boat support 45, and the boat support 45 is a holding body for holding the boat 32.
処理室２へは複数種類、ここでは２種類の処理ガスを供給する供給経路としての２本のガス供給管（第１ガス供給管４７、第２ガス供給管４８）が設けられている。 The processing chamber 2 is provided with two gas supply pipes (first gas supply pipe 47, second gas supply pipe 48) as supply paths for supplying a plurality of types, here two types of processing gas.
第１ガス供給管４７には上流から順に、液体原料ユニット７１、貯留部５１、液体の流量制御装置（流量制御手段）である第１マスフローコントローラ（以後、ＭＦＣともいう。）４９、及び開閉弁であるバルブ５２が設けられる。バルブ５２の下流側には、キャリアガスを供給する第１キャリアガス供給管５３が合流される。第１キャリアガス供給管５３には上流から順に、キャリアガス源７２、流量制御装置（流量制御手段）である第二ＭＦＣ５４、及び開閉弁であるバルブ５５が設けられている。又、第１ガス供給管４７の先端部には、反応管１の内壁に沿って下部から上部に亘り、第１ノズル５６が設けられ、第１ノズル５６の側面にはガスを供給する第１ガス供給孔５７が設けられている。第１ガス供給孔５７は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。ここで、本実施形態の後述する気化器６０は、第一ＭＦＣ４９と、後述するように液体原料を貯留する貯留タンク(貯留容器)２００とを含む貯留部５１と、後述する液体原料を加熱するヒータ２１５を有する。本実施形態の説明においては、第１ガス供給管４７のうち、貯留部５１よりも上流であって、液体原料供給ユニット７１との間に設けられた配管を供給管４７ａとする。また、第１ガス供給管４７のうち、貯留部５１の下流側を供給管４７ｂとする。 In order from the upstream, the first gas supply pipe 47 includes a liquid raw material unit 71, a storage unit 51, a first mass flow controller (hereinafter, also referred to as MFC) 49 which is a liquid flow rate control device (flow rate control means), and an on-off valve. The valve 52 is provided. A first carrier gas supply pipe 53 for supplying carrier gas joins the downstream side of the valve 52. The first carrier gas supply pipe 53 is provided with a carrier gas source 72, a second MFC 54 as a flow rate control device (flow rate control means), and a valve 55 as an on-off valve in this order from the upstream. Further, a first nozzle 56 is provided at the tip of the first gas supply pipe 47 from the lower part to the upper part along the inner wall of the reaction pipe 1, and a first gas is supplied to the side surface of the first nozzle 56. A gas supply hole 57 is provided. The first gas supply holes 57 are provided at equal pitches from the lower part to the upper part, and each has the same opening area. Here, the vaporizer 60 described later in this embodiment heats a storage unit 51 including a first MFC 49 and a storage tank (storage container) 200 for storing the liquid raw material as described later, and the liquid raw material described later. It has a heater 215. In the description of the present embodiment, of the first gas supply pipe 47, the pipe upstream of the storage unit 51 and provided between the liquid raw material supply unit 71 is referred to as the supply pipe 47a. Further, of the first gas supply pipe 47, the downstream side of the storage unit 51 is designated as the supply pipe 47b.
ここで、第１ガス供給管４７、第一ＭＦＣ４９、貯留部５１、バルブ５２、ノズル５６をまとめて第一ガス供給部(第一ガス供給ライン)と呼ぶ。尚、キャリアガス供給管５３、第二ＭＦＣ５４、バルブ５５を第一ガス供給部に含めても良い。更には、液体原料ユニット７１、キャリアガス源７２を第一ガス供給部に含めても良い。この第一ガス供給ラインについては後述する。 Here, the first gas supply pipe 47, the first MFC 49, the storage section 51, the valve 52, and the nozzle 56 are collectively referred to as a first gas supply section (first gas supply line). The carrier gas supply pipe 53, the second MFC 54, and the valve 55 may be included in the first gas supply unit. Further, the liquid raw material unit 71 and the carrier gas source 72 may be included in the first gas supply unit. This first gas supply line will be described later.
第２ガス供給管４８には上流方向から順に、反応ガス源７３、流量制御装置（流量制御手段）である第三ＭＦＣ５８、開閉弁であるバルブ５９が設けられ、バルブ５９の下流側にキャリアガスを供給する第２キャリアガス供給管６１が合流されている。第２キャリアガス供給管６１には上流から順に、キャリアガス源７４、流量制御装置（流量制御手段）である第四ＭＦＣ６２、及び開閉弁であるバルブ６３が設けられている。第２ガス供給管４８の先端部には、第１ノズル５６と平行に第２ノズル６４が設けられ、第２ノズル６４の側面にはガスを供給する供給孔である第２ガス供給孔６５が設けられている。第２ガス供給孔６５は、下部から上部に亘って等ピッチで設けられ、それぞれ同一の開口面積を有している。 The second gas supply pipe 48 is provided with a reaction gas source 73, a third MFC 58 as a flow rate control device (flow rate control means), and a valve 59 as an on-off valve in order from the upstream direction, and a carrier gas is provided on the downstream side of the valve 59. The second carrier gas supply pipe 61 for supplying the gas is merged. The second carrier gas supply pipe 61 is provided with a carrier gas source 74, a fourth MFC 62 as a flow rate control device (flow rate control means), and a valve 63 as an on-off valve in this order from the upstream. A second nozzle 64 is provided at the tip of the second gas supply pipe 48 in parallel with the first nozzle 56, and a second gas supply hole 65, which is a supply hole for supplying gas, is provided on the side surface of the second nozzle 64. It is provided. The second gas supply holes 65 are provided at equal pitches from the lower part to the upper part, and each has the same opening area.
ここで、第２ガス供給管４８、第三ＭＦＣ５８、バルブ５９、ノズル６４をまとめて第二ガス供給部と呼ぶ。尚、キャリアガス供給管６１、第四ＭＦＣ６２、バルブ６３を第二ガス供給部に含めても良い。更には、反応ガス源７３、キャリアガス源７４を第二ガス供給部に含めても良い。 Here, the second gas supply pipe 48, the third MFC 58, the valve 59, and the nozzle 64 are collectively referred to as a second gas supply unit. The carrier gas supply pipe 61, the fourth MFC 62, and the valve 63 may be included in the second gas supply unit. Further, the reaction gas source 73 and the carrier gas source 74 may be included in the second gas supply unit.
液体原料ユニット７１から供給される液体原料は、第一ＭＦＣ４９、貯留部５１、及びバルブ５２を介し、第１キャリアガス供給管５３と合流し、更に第１ノズル５６を介して処理室２内に供給される。なお、処理室２内に供給される際は、気化器６０にて気化された状態の液体原料が供給される。反応ガス源７３から供給される反応ガスは、第三ＭＦＣ５８、バルブ５９を介し、第２キャリアガス供給管６１と合流し、更に第２ノズル６４を介して処理室２に供給される。 The liquid raw material supplied from the liquid raw material unit 71 merges with the first carrier gas supply pipe 53 via the first MFC 49, the storage section 51, and the valve 52, and further enters the processing chamber 2 via the first nozzle 56. Will be supplied. When the liquid raw material is supplied into the processing chamber 2, the liquid raw material vaporized by the vaporizer 60 is supplied. The reaction gas supplied from the reaction gas source 73 merges with the second carrier gas supply pipe 61 via the third MFC 58 and the valve 59, and is further supplied to the processing chamber 2 via the second nozzle 64.
処理室２は、ガスを排気するガス排気管６６を介して排気装置（排気手段）である真空ポンプ６８に接続され、真空排気される様になっている。尚、バルブ６７は弁を開閉して処理室２の真空排気及び真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。 The processing chamber 2 is connected to a vacuum pump 68, which is an exhaust device (exhaust means), via a gas exhaust pipe 66 for exhausting gas, and is evacuated. The valve 67 is an on-off valve that can open and close the valve to stop the vacuum exhaust and the vacuum exhaust of the processing chamber 2, and further adjust the valve opening degree to adjust the pressure.
シールキャップ３５にはボート回転機構６９が設けられ、ボート回転機構６９は処理の均一性を向上する為にボート３２を回転する様になっている。 A boat rotation mechanism 69 is provided on the seal cap 35, and the boat rotation mechanism 69 rotates the boat 32 in order to improve the uniformity of processing.
次に、図３を用いて気化ユニットとしての気化器６０を有する第一ガス供給ラインを説明するための図である。尚、図３では、処理室２のウエハ３１は省略している。また、図１と同じものには同じ番号を付し、説明を省略する場合がある。 Next, it is a figure for demonstrating the first gas supply line which has a vaporizer 60 as a vaporization unit with reference to FIG. In FIG. 3, the wafer 31 in the processing chamber 2 is omitted. Further, the same items as those in FIG. 1 may be assigned the same numbers and the description thereof may be omitted.
気化器６０は、貯留容器としての貯留タンク２００と、エアバルブ２０５と、エアバルブ２０７と、貯留タンク２００内(後述する貯留室２１０)の圧力を検出する圧力センサＰとを含む貯留部５１と、第一ＭＦＣ４９と、エアバルブ２０７と第一ＭＦＣ４９との間の配管と第一ＭＦＣ４９内部をパージするためのエアバルブＡＶを有する。貯留タンク２００に貯留された液体原料を液体原料２１６と呼ぶ。ここで、エアバルブ２０７が閉の時、エアバルブ２０７とバルブ５２との間に気化した液体原料２１６が残留する。残留した液体原料２１６は流れが止まり再液化をしてしまう。この再液化を防止するために不活性ガスを流し残留ガスのパージを行う。このパージガスを、加熱器により気化温度以上に加熱させることにより、液化防止効果を高めることができる。 The vaporizer 60 includes a storage tank 200 as a storage container, an air valve 205, an air valve 207, a storage unit 51 including a pressure sensor P for detecting the pressure in the storage tank 200 (a storage chamber 210 described later), and a first unit. It has one MFC49, a pipe between the air valve 207 and the first MFC49, and an air valve AV for purging the inside of the first MFC49. The liquid raw material stored in the storage tank 200 is called a liquid raw material 216. Here, when the air valve 207 is closed, the vaporized liquid raw material 216 remains between the air valve 207 and the valve 52. The remaining liquid raw material 216 stops flowing and is reliquefied. In order to prevent this reliquefaction, an inert gas is flowed and the residual gas is purged. By heating this purge gas to a temperature higher than the vaporization temperature with a heater, the effect of preventing liquefaction can be enhanced.
エアバルブ２０５の開閉により液体原料ユニット７１から供給管４７ａを介して貯留部５１を連通して原料が供給されるように構成されている。また、エアバルブ２０７の開閉により供給管４７ｂを介して処理室２と貯留部５１を連通して気化された原料が供給されるように構成されている。また、供給管４７ｂ内の気化された原料は、エアバルブＶ１を開、エアバルブＶ２，Ｖ３を閉にすると処理室２へ供給され、エアバルブＶ１を閉、エアバルブＶ２，Ｖ３を開にするとガス排気管６６へ供給される。 By opening and closing the air valve 205, the liquid raw material unit 71 communicates with the storage unit 51 via the supply pipe 47a to supply the raw material. Further, by opening and closing the air valve 207, the vaporized raw material is supplied by communicating the processing chamber 2 and the storage unit 51 via the supply pipe 47b. Further, the vaporized raw material in the supply pipe 47b is supplied to the processing chamber 2 when the air valve V1 is opened and the air valves V2 and V3 are closed, and the gas exhaust pipe 66 is supplied when the air valve V1 is closed and the air valves V2 and V3 are opened. Is supplied to.
尚、気化された原料が残渣として供給管４７ｂ内に残ると、供給管４７ｂの内壁に付着して堆積するとパーティクルとなってしまう。そこで、気化された原料が残渣として残らないように、真空ポンプ６８により気化された原料を供給管４７ｂから排気するようにしている。 If the vaporized raw material remains in the supply pipe 47b as a residue, it adheres to the inner wall of the supply pipe 47b and accumulates to form particles. Therefore, the vaporized raw material is exhausted from the supply pipe 47b by the vacuum pump 68 so that the vaporized raw material does not remain as a residue.
例えば、プロセスレシピの成膜ステップの終了後、又はプロセスレシピ終了後、バルブ５２、バルブ５５、エアバルブＶ１を閉、エアバルブＶ２，Ｖ３を開にして、真空ポンプにより供給管４７ｂ内の気化された原料を排気する。また、バルブ５５を開にしてキャリアガス源７２からキャリアガス(例えば、不活性ガス)を供給しつつ、エアバルブＶ１を閉、エアバルブＶ２，Ｖ３を開にして、真空ポンプ６８により供給管４７ｂ内の気化された原料を排気してもよい。 For example, after the film forming step of the process recipe is completed, or after the process recipe is completed, the valve 52, the valve 55, and the air valve V1 are closed, the air valves V2 and V3 are opened, and the vaporized raw material in the supply pipe 47b by the vacuum pump. To exhaust. Further, while opening the valve 55 and supplying the carrier gas (for example, an inert gas) from the carrier gas source 72, the air valve V1 is closed, the air valves V2 and V3 are opened, and the vacuum pump 68 is used in the supply pipe 47b. The vaporized raw material may be exhausted.
ハンドバルブＨ１、Ｈ２、Ｈ３は、液体原料ユニット７１の交換を容易にするために設けられている。先ず、ハンドバルブＨ１、エアバルブＶ２を閉、ハンドバルブＨ２、Ｈ３、エアバルブＶ３を開にして真空ポンプ６８により配管内の原料を除去する。配管内の原料が除去されると、ハンドバルブＨ２を閉にし、図３に示す第１ガス供給ラインから切り離して、液体原料ユニット７１の交換を行う。 The hand valves H1, H2, and H3 are provided to facilitate replacement of the liquid raw material unit 71. First, the hand valve H1 and the air valve V2 are closed, the hand valves H2, H3 and the air valve V3 are opened, and the raw material in the pipe is removed by the vacuum pump 68. When the raw material in the pipe is removed, the hand valve H2 is closed, disconnected from the first gas supply line shown in FIG. 3, and the liquid raw material unit 71 is replaced.
（貯留部）
続いて、図４及び図６を用いて貯留タンク２００を有する気化器６０の一部である貯留部５１を説明する。図４は、貯留部５１の製法改善を行った貯留タンク２００の断面構造である。図１１は、図４及び図６の貯留タンク２００に設けられる蓋部２０３を上から視た図である。(Reservoir)
Subsequently, the storage unit 51, which is a part of the vaporizer 60 having the storage tank 200, will be described with reference to FIGS. 4 and 6. FIG. 4 is a cross-sectional structure of the storage tank 200 in which the manufacturing method of the storage unit 51 has been improved. FIG. 11 is a top view of the lid 203 provided in the storage tank 200 of FIGS. 4 and 6.
（第１実施形態）
貯留タンク２００は液体または固体の原料を貯留する容器として用いられる。この貯留タンク２００は、内部に液体又は固体の原料が貯留される貯留室２１０を構成する容器部２２１と、貯留室２１０で気化された原料を排出する流路２２４が設けられる蓋部２０３と、容器部２２１と蓋部２０３の間に貯留室２１０を密閉するように設けられるシール部(第１シール部)としてのシール部材２２２の外側に容器部２２１と蓋部２０３を接合する接合部２２３と、を有する。(First Embodiment)
The storage tank 200 is used as a container for storing liquid or solid raw materials. The storage tank 200 includes a container portion 221 constituting a storage chamber 210 in which liquid or solid raw materials are stored, and a lid portion 203 provided with a flow path 224 for discharging the raw materials vaporized in the storage chamber 210. A joint portion 223 that joins the container portion 221 and the lid portion 203 to the outside of the seal member 222 as a seal portion (first seal portion) provided so as to seal the storage chamber 210 between the container portion 221 and the lid portion 203. , Have.
また、容器部２２１は、側部としての側壁２０１及び底部としての底壁２０２を有し、蓋部２０３は、蓋壁２０３ａを少なくとも有する。側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３ａは、それぞれ貯留室２１０の内壁を構成する。側壁２０１は、例えば円筒状（筒状）に構成される。そして、蓋壁２０３ａ近傍(側壁２０１の上部)に側壁２０１ｂより径が小さくなるよう構成された側壁２０１ａを有する。ここで、図４において、側壁２０１ａはα−β間の側壁２０１であり、側壁２０１ｂはβ−γ間の側壁２０１を指す。 Further, the container portion 221 has a side wall 201 as a side portion and a bottom wall 202 as a bottom portion, and the lid portion 203 has at least a lid wall 203a. The side wall 201, the bottom wall 202, and the lid wall 203a each form an inner wall of the storage chamber 210. The side wall 201 is formed, for example, in a cylindrical shape (cylindrical shape). Then, a side wall 201a configured to have a diameter smaller than that of the side wall 201b is provided in the vicinity of the lid wall 203a (upper part of the side wall 201). Here, in FIG. 4, the side wall 201a is the side wall 201 between α and β, and the side wall 201b refers to the side wall 201 between β and γ.
貯留タンク２００は、貯留タンク２００に用いるブロック状の材料を削りだし製法で加工し、貯留タンク２００の内面に接合部２２３を有さない構造である。また、容器部２２１と同様、蓋部２０３も同様の製法で製作を行い、蓋壁２０３ａ（貯留タンク２００の内面）に接合面を有さない構造である。 The storage tank 200 has a structure in which the block-shaped material used for the storage tank 200 is machined and processed by a manufacturing method, and the inner surface of the storage tank 200 does not have a joint portion 223. Further, like the container portion 221 and the lid portion 203, the lid portion 203 is manufactured by the same manufacturing method, and has a structure in which the lid wall 203a (inner surface of the storage tank 200) does not have a joint surface.
具体的には、蓋部２０３と容器部２２１を接合する際には、加重を行なうことにより密閉可能なシール部２２２を用いて密閉性を確保する。密閉の際に用いる加重方法は、複数のボルト等を用いて加重を行なう。接合部２２３は、固定部材(接合部材)を蓋部２０３と容器部２２１を貫通させるよう構成されている。複数のボルトはトルク管理等で均等な締め付けトルクで締めることが必要である。 Specifically, when joining the lid portion 203 and the container portion 221, the seal portion 222 that can be sealed by applying a load is used to ensure the airtightness. The weighting method used for sealing is to use a plurality of bolts or the like. The joint portion 223 is configured so that the fixing member (joining member) penetrates the lid portion 203 and the container portion 221. It is necessary to tighten a plurality of bolts with an even tightening torque for torque management or the like.
接合部２２３にボルト等の固定部材を取付ける為に、蓋部２０３と容器部２２１の両方に加工が必要であり、且つ、Ｏ−リング等のシール部２２２を蓋部２０３と容器部２２１の間に挟み込む必要がある。そこで、図４に示すように、容器部２２１の製作の際に側壁２０１ａの径を側壁２０１ｂの径よりも小さくすることにより、シール部２２２を蓋部２０３と容器部２２１の間に設け、シール部２２２の外側に接合部２２３を設けられるように貯留タンク２００が製作される。これにより、接合部２２３は、液体または固体原料及び気化された原料とシール部２２２により非接触となるよう構成されている。 In order to attach a fixing member such as a bolt to the joint portion 223, both the lid portion 203 and the container portion 221 need to be processed, and the seal portion 222 such as the O-ring is placed between the lid portion 203 and the container portion 221. Need to be sandwiched between. Therefore, as shown in FIG. 4, when the container portion 221 is manufactured, the diameter of the side wall 201a is made smaller than the diameter of the side wall 201b, so that the seal portion 222 is provided between the lid portion 203 and the container portion 221 to seal. The storage tank 200 is manufactured so that the joint portion 223 is provided on the outside of the portion 222. As a result, the joint portion 223 is configured to be non-contact with the liquid or solid raw material and the vaporized raw material by the seal portion 222.
側壁２０１、底壁２０２のうち、液体と接触する面では、液体の表面張力を最小化するために表面積を小さくすることが望ましい。それを実現するために、液体と接触する面に対して、例えば複合電解研磨を実施する。更に、液体の種類や性質に応じて、不働態化、ガラス化、フッ素処理等を行い、液体との反応を防止する。 Of the side wall 201 and the bottom wall 202, it is desirable to reduce the surface area of the surface in contact with the liquid in order to minimize the surface tension of the liquid. In order to realize this, for example, composite electrolytic polishing is performed on the surface in contact with the liquid. Further, depending on the type and properties of the liquid, passivation, vitrification, fluorine treatment and the like are performed to prevent the reaction with the liquid.
側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３ａで構成された貯留室２１０には、後述する原料供給管２０４から液体原料２１６が供給され、貯留室２１０は液体原料２１６を貯留する。また、貯留室２１０は、液体原料２１６がそのまま貯留される原料領域２１０ｂと、液体原料２１６が気化される気化領域２１０ａを含む。 The liquid raw material 216 is supplied from the raw material supply pipe 204 described later to the storage chamber 210 composed of the side wall 201, the bottom wall 202, and the lid wall 203a, and the storage chamber 210 stores the liquid raw material 216. Further, the storage chamber 210 includes a raw material region 210b in which the liquid raw material 216 is stored as it is, and a vaporization region 210a in which the liquid raw material 216 is vaporized.
また、蓋部２０３とフランジ部２１４は、同様に加重フランジ構造にすることができる。具体的には、フランジ部２１４は加重により蓋部２０３と接合することができ、密閉可能なシール部(第２シール部)としてのシール部２１２を用い、該シール部２１２の外側に接合部２１３を設けることにより、密閉性の確保が可能である。尚、フランジ部２１４を介し流路構築、センサ類取付け口構築にも加重を行ない、密閉可能なシール部２１２を用いて密閉性を確保することができる。 Further, the lid portion 203 and the flange portion 214 may have a weighted flange structure in the same manner. Specifically, the flange portion 214 can be joined to the lid portion 203 by a load, and the seal portion 212 is used as a sealable seal portion (second seal portion), and the joint portion 213 is outside the seal portion 212. It is possible to ensure the airtightness by providing the above. It should be noted that the flow path construction and the sensor attachment port construction are also weighted via the flange portion 214, and the seal portion 212 that can be sealed can be used to ensure the airtightness.
これにより、接合部２１３は、液体または固体原料及び気化された原料とシール部２１２により非接触となるよう構成されている。 As a result, the joint portion 213 is configured to be non-contact with the liquid or solid raw material and the vaporized raw material by the seal portion 212.
図４によれば、蓋部２０３は、貯留室２１０で気化された原料が処理炉２９へ流れる流路２２４を有し、該流路２２４は、フランジ部２１４を介して配管２０６に連通されている。 According to FIG. 4, the lid portion 203 has a flow path 224 through which the raw material vaporized in the storage chamber 210 flows to the processing furnace 29, and the flow path 224 is communicated with the pipe 206 via the flange portion 214. There is.
処理炉２９と連通する配管２０６は貯留室２１０内で気化されたガス状態の原料が流れるガス流路として構成される。配管２０６の下流側には供給管４７ｂが接続される。配管２０６はフランジ部２１４に設けられる。フランジ部２１４に設けられる場合、蓋部２０３に設けられた流路２２４に配管２０６を連通させる。また、フランジ部２１４には第一のバルブであるエアバルブ２０７が設けられる。エアバルブ２０７を開閉することで、処理室２との間を連通させたり遮断させたりする。 The pipe 206 communicating with the processing furnace 29 is configured as a gas flow path through which the vaporized gas-state raw material flows in the storage chamber 210. A supply pipe 47b is connected to the downstream side of the pipe 206. The pipe 206 is provided on the flange portion 214. When provided on the flange portion 214, the pipe 206 communicates with the flow path 224 provided on the lid portion 203. Further, the flange portion 214 is provided with an air valve 207 which is a first valve. By opening and closing the air valve 207, the air valve 207 can communicate with or shut off from the processing chamber 2.
原料供給管２０４は液体原料を貯留室２１０に供給するための液体供給流路として構成される。原料供給管２０４は、一方はフランジ部２１４に設けられ、他方はフランジ部２１４を介して蓋部２０３に設けられる。蓋部２０３に設けられる場合、蓋部２０３に設けられた(蓋部２０３を刳り貫いて制作された)穴に原料供給管２０４を貫通させる。そして、原料供給管２０４の一端は供給管４７ａを介して液体原料ユニット７１に接続され、他端は貯留室２１０に設けられる。原料供給管２０４にはフランジ部２１４を介してエアバルブ２０５が設けられる。エアバルブ２０５を開閉することで、第一ＭＦＣ４９や液体原料ユニット７１との間を連通させたり遮断させたりする。 The raw material supply pipe 204 is configured as a liquid supply flow path for supplying the liquid raw material to the storage chamber 210. One of the raw material supply pipes 204 is provided on the flange portion 214, and the other is provided on the lid portion 203 via the flange portion 214. When provided in the lid portion 203, the raw material supply pipe 204 is passed through a hole (made by hollowing out the lid portion 203) provided in the lid portion 203. One end of the raw material supply pipe 204 is connected to the liquid raw material unit 71 via the supply pipe 47a, and the other end is provided in the storage chamber 210. The raw material supply pipe 204 is provided with an air valve 205 via a flange portion 214. By opening and closing the air valve 205, the air valve 205 communicates with or shuts off the first MFC 49 and the liquid raw material unit 71.
側壁２０１の外周及び底壁２０２の外側にはヒータ２１５が設けられる。ヒータ２１５は貯留室２１０を加熱する。特にここでは、貯留室２１０に貯留された液体原料２１６を加熱し、気化させる。 Heaters 215 are provided on the outer periphery of the side wall 201 and the outside of the bottom wall 202. The heater 215 heats the storage chamber 210. In particular, here, the liquid raw material 216 stored in the storage chamber 210 is heated and vaporized.
ここで、貯留部５１は、容器部２２１と、蓋部２０３を含む貯留タンク２００だけでなく、原料供給管２０４、エアバルブ２０７、エアバルブ２０５、接合部２１３、フランジ部２１４、接合部２２３、図４には図示しない圧力センサＰをまとめて貯留部５１と呼ぶようにしてもよい。また、貯留部５１には、ヒータ２１５、配管２０６、フランジ部２１４のいずれか、もしくはその組み合わせを加えても良い。 Here, the storage portion 51 includes not only the container portion 221 and the storage tank 200 including the lid portion 203, but also the raw material supply pipe 204, the air valve 207, the air valve 205, the joint portion 213, the flange portion 214, the joint portion 223, and FIG. The pressure sensor P (not shown) may be collectively referred to as a storage unit 51. Further, any one of the heater 215, the pipe 206, and the flange portion 214, or a combination thereof may be added to the storage portion 51.
図１１は、蓋部２０３を上から見た図である。図１１には、図４では図示されていない圧力センサＰが図示されている。圧力センサＰは、貯留タンク２００内の圧力を検出するように構成されている。また、蓋部２０３の周囲には、複数の接合部２２３が均等に設けられている。本実施形態では、接合部２２３が１２箇所設けられているが、この数字には限定されない。また、フランジ部２１４の四隅にはそれぞれ接合部２１３が設けられており、エアバルブ２０５またはエアバルブ２０７を蓋部２０３に加重フランジ構造で固定することができる。 FIG. 11 is a top view of the lid 203. FIG. 11 shows a pressure sensor P (not shown in FIG. 4). The pressure sensor P is configured to detect the pressure in the storage tank 200. Further, a plurality of joint portions 223 are evenly provided around the lid portion 203. In the present embodiment, 12 joints 223 are provided, but the number is not limited to this number. Further, joint portions 213 are provided at the four corners of the flange portion 214, respectively, and the air valve 205 or the air valve 207 can be fixed to the lid portion 203 with a weighted flange structure.
（第２実施形態）
図６は、原料を気化する気化器６０の一部である貯留部５１の製法改善を更に行った貯留タンク２００の断面構造である。ここでは、第１実施形態と同じ要素は同じ番号を付し、説明を省略し、第１実施形態と異なる点について説明する。(Second Embodiment)
FIG. 6 is a cross-sectional structure of the storage tank 200 in which the manufacturing method of the storage unit 51, which is a part of the vaporizer 60 for vaporizing the raw material, is further improved. Here, the same elements as those in the first embodiment are assigned the same numbers, the description thereof will be omitted, and the points different from those in the first embodiment will be described.
第２の実施形態における貯留タンク２００は、内部に液体又は固体の原料が貯留される貯留室２１０を構成する容器部２２１と、貯留室２１０で気化された原料を排出する流路２２４が設けられる蓋部２０３と、容器部２２１と蓋部２０３の間に貯留室２１０を密閉するように設けられるシール部２２２の外側に容器部２２１と蓋部２０３を接合する接合部２２３と、を有する。 The storage tank 200 according to the second embodiment is provided with a container portion 221 constituting a storage chamber 210 for storing liquid or solid raw materials inside, and a flow path 224 for discharging the raw materials vaporized in the storage chamber 210. It has a lid portion 203 and a joint portion 223 that joins the container portion 221 and the lid portion 203 to the outside of the seal portion 222 provided so as to seal the storage chamber 210 between the container portion 221 and the lid portion 203.
また、容器部２２１は、側壁２０１及び底壁２０２を有し、蓋部２０３は、蓋壁２０３ａを少なくとも有する。側壁２０１、底壁２０２、蓋壁２０３ａは、それぞれ貯留室２１０の内壁を構成する。側壁２０１は、例えば円筒状（筒状）に構成される。側壁２０１は、径が等しい筒状構造である側壁２０１ａと、底壁２０２に向かうほど径が小さくなるよう構成された側壁２０１ｂを有する。図６において、側壁２０１ａはα−β間の側壁２０１であり、側壁２０１ｂはβ−γ間の側壁２０１を指す。 Further, the container portion 221 has a side wall 201 and a bottom wall 202, and the lid portion 203 has at least a lid wall 203a. The side wall 201, the bottom wall 202, and the lid wall 203a each form an inner wall of the storage chamber 210. The side wall 201 is formed, for example, in a cylindrical shape (cylindrical shape). The side wall 201 has a side wall 201a having a tubular structure having the same diameter, and a side wall 201b configured so that the diameter becomes smaller toward the bottom wall 202. In FIG. 6, the side wall 201a is the side wall 201 between α and β, and the side wall 201b refers to the side wall 201 between β and γ.
第２実施形態では、側壁２０１ａと側壁２０１ｂは段差のない連続した構造である。側壁２０１ｂは底壁２０２に向かうほど径が小さくなる構造であり、そこでは液体の表面張力の影響を最小とする曲率となるよう構成される。 In the second embodiment, the side wall 201a and the side wall 201b have a continuous structure without a step. The side wall 201b has a structure in which the diameter becomes smaller toward the bottom wall 202, and is configured to have a curvature that minimizes the influence of the surface tension of the liquid.
側壁２０１ａと側壁２０１ｂは段差のない連続した構造である。側壁２０１ｂは底壁２０２に向かうほど径が小さくなる構造であり、そこでは液体の表面張力の影響を最小とする曲率となるよう構成される。ここで、第１実施形態と同様に、液体と接触する面では、液体の表面張力を最小化するために表面積を小さくすることが望ましい。更に、液体の種類や性質に応じて、不働態化、ガラス化、フッ素処理等を行い、液体との反応を防止するよう構成してもよい。 The side wall 201a and the side wall 201b have a continuous structure without a step. The side wall 201b has a structure in which the diameter becomes smaller toward the bottom wall 202, and is configured to have a curvature that minimizes the influence of the surface tension of the liquid. Here, as in the first embodiment, it is desirable to reduce the surface area of the surface in contact with the liquid in order to minimize the surface tension of the liquid. Further, depending on the type and properties of the liquid, passivation, vitrification, fluorine treatment and the like may be performed to prevent the reaction with the liquid.
貯留タンク２００は、貯留タンク２００に用いる板状材料に金型を用いて絞り出し製法で製造し、第１実施形態と同様に貯留タンク２００の内面に接合部２２３を有さない構造であり、特に、底壁２０２を擂鉢形状が構成されている。また、底壁２０２が、擂り鉢形状なので、原料の液体あるいは固体の残量が必ず貯留タンク２００内で決められた領域に集まる構造である。また、容器部２２１の頂部２２１ａ、２２１ｂは、シール部２２２の外側で溶接接合加工が施されている(溶接部２２３ａ)。 The storage tank 200 is manufactured by a squeezing method using a mold for the plate-shaped material used for the storage tank 200, and has a structure having no joint 223 on the inner surface of the storage tank 200 as in the first embodiment. , The bottom wall 202 is configured in a mortar shape. Further, since the bottom wall 202 has a mortar shape, the remaining amount of the liquid or solid of the raw material always collects in a predetermined area in the storage tank 200. Further, the top portions 221a and 221b of the container portion 221 are welded and joined on the outside of the seal portion 222 (welded portion 223a).
また、蓋部２０３は、第１実施形態と同様に削り出し製法等で製作されており、蓋壁２０３ａ（貯留タンク２００の内面）に接合面(例えば、溶接部２２３ａ)を有さない構造となっている。これにより、接合部２２３は、液体または固体原料及び気化された原料とシール部２２２により非接触となるよう構成されている。更に、その溶接部２２３ａの外側に接合部２２３が設けられている。 Further, the lid portion 203 is manufactured by a machined manufacturing method or the like as in the first embodiment, and has a structure in which the lid wall 203a (inner surface of the storage tank 200) does not have a joint surface (for example, a welded portion 223a). It has become. As a result, the joint portion 223 is configured to be non-contact with the liquid or solid raw material and the vaporized raw material by the seal portion 222. Further, a joint portion 223 is provided on the outside of the welded portion 223a.
例えば、ボルト２２３ｂとナット２２３ｃにより、蓋部２０３と容器部２２１の頂部２２１ｂが固定されることで、加重が加わりＯ−リング等であるシール部２２２により貯留室２１０を密閉することができる。接合部２２３は、固定部材(ボルト２２３ｂ)を蓋部２０３と容器部２２１ｂを貫通させるよう構成されている。複数のボルトはトルク管理等で均等なトルクで締めつけられている。ボルト２２３ｂとナット２２３ｃは、後述する。 For example, by fixing the lid portion 203 and the top portion 221b of the container portion 221 by the bolt 223b and the nut 223c, a load is applied and the storage chamber 210 can be sealed by the seal portion 222 such as an O-ring. The joint portion 223 is configured so that the fixing member (bolt 223b) penetrates the lid portion 203 and the container portion 221b. A plurality of bolts are tightened with an even torque by torque management or the like. The bolt 223b and the nut 223c will be described later.
尚、蓋部２０３に設けられている原料供給管２０４、エアバルブ２０５、配管２０６、エアバルブ２０７、シール部２１２、フランジ部２１４に関しては、第１実施形態と同様であるため説明を省略する。また、図１１に示す上から見た図も同様である。 The raw material supply pipe 204, the air valve 205, the pipe 206, the air valve 207, the seal portion 212, and the flange portion 214 provided on the lid portion 203 are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof will be omitted. The same applies to the upper view shown in FIG.
（第３実施形態）
第３実施形態は、第１実施形態又は第２実施形態に示す貯留部５１に液面レベル(高さ)を検出するセンサＬを設けた形態である。図７に第３実施形態を第２実施形態における貯留部５１の貯留タンク２００に適用した一例を示す。尚、実施形態２と同じ構成には同じ番号を付し、説明を省略する。(Third Embodiment)
The third embodiment is a form in which the sensor L for detecting the liquid level (height) is provided in the storage unit 51 shown in the first embodiment or the second embodiment. FIG. 7 shows an example in which the third embodiment is applied to the storage tank 200 of the storage unit 51 in the second embodiment. The same configuration as that of the second embodiment is given the same number, and the description thereof will be omitted.
原料を気化する気化器の内部に取付けられている液面レベルを検出するセンサの一般的な構造では、フロートが上下することで液面検知が可能であるが、フロートと軸の接触による擦れ等によって塵埃を発生させる要因となっていた。第３実施形態によれば、フロート等の駆動物を有しないので塵埃を発生させることは無い。 In the general structure of the sensor that detects the liquid level installed inside the vaporizer that vaporizes the raw material, the liquid level can be detected by moving the float up and down, but rubbing due to contact between the float and the shaft, etc. It was a factor that generated dust. According to the third embodiment, since it does not have a driving object such as a float, dust is not generated.
（第４実施形態）
第４実施形態は、第１実施形態又は第２実施形態における貯留タンク２００に接地を施した形態を示すものである。図８に第４実施形態を第２実施形態における貯留部５１の貯留タンク２００に適用した一例を示す。尚、実施形態２と同じ構成には同じ番号を付し、説明を省略する。(Fourth Embodiment)
The fourth embodiment shows a mode in which the storage tank 200 in the first embodiment or the second embodiment is grounded. FIG. 8 shows an example in which the fourth embodiment is applied to the storage tank 200 of the storage unit 51 in the second embodiment. The same configuration as that of the second embodiment is given the same number, and the description thereof will be omitted.
液体原料２１６を貯留する貯留タンク２００を加熱機構(例えば、ヒータ２１５)により温めた場合、原料や気化ガスは各々が領有する領域(２１０ａ、２１０ｂ)内での熱伝導が異なることから、各々の領域(２１０ａ、２１０ｂ)内で温度差が生じる。生じた温度差は図８に示す様な対流を発生させる。対流ができることで、原子同士の衝突が発生し静電気が生じ、生じた静電気は原料中、あるいは、気化ガス(気化された原料ガス)中、容器側壁２０１ａ、２０１ｂに帯電される。 When the storage tank 200 for storing the liquid raw material 216 is heated by a heating mechanism (for example, a heater 215), the raw materials and the vaporized gas have different heat conductions in the regions (210a, 210b) occupied by each of them. A temperature difference occurs within the region (210a, 210b). The generated temperature difference causes convection as shown in FIG. The formation of convection causes collisions between atoms to generate static electricity, and the generated static electricity is charged in the raw material or in the vaporized gas (vaporized raw material gas) on the side walls 201a and 201b of the container.
これらの静電気は、塵埃や不純物を吸引し、貯留タンク２００内部に堆積させて、一定量の容量が超えた時に、原料ガス中や気化ガスを飛散し汚染させる。そのため、貯留タンク２００に帯電した静電気を蓄積させないために接地を施し(接合部２２３にＧＮＤ線を接続し)、静電気の帯電を防止する構造とした。 These static electricity sucks dust and impurities and accumulates them inside the storage tank 200, and when a certain amount of capacity is exceeded, the raw material gas and vaporized gas are scattered and polluted. Therefore, the storage tank 200 is grounded (a GND wire is connected to the joint 223) so as not to accumulate static electricity, so that the static electricity is prevented from being charged.
具体的には、接合部２２３はボルト２２３ｂとナット２２３ｃ(どちらも金属製)を含む構成であり、図８に示すように蓋部２０３と容器部２２１(頂部２２１ａ、２２１ｂ)が、ボルト２２３ｂとナット２２３ｃで締め付けることにより加重がかかり取り付けられている。よって、ボルト２２３ｂとナット２２３ｃにＧＮＤ線を接続しているため、静電気を逃すことができる。これにより、液対流により生じた静電気が貯留タンク２００に蓄積しないため、(液体若しくは固体の)原料で持ち込まれた汚染物質の、静電気による容器部２２１内面へ再付着（静電吸着）及び堆積を低減することができる。 Specifically, the joint portion 223 has a configuration including a bolt 223b and a nut 223c (both made of metal), and as shown in FIG. 8, the lid portion 203 and the container portion 221 (tops 221a and 221b) are connected to the bolt 223b. It is attached by applying a load by tightening it with the nut 223c. Therefore, since the GND wire is connected to the bolt 223b and the nut 223c, static electricity can be released. As a result, static electricity generated by liquid convection does not accumulate in the storage tank 200, so that pollutants brought in from raw materials (liquid or solid) are reattached (electrostatic adsorption) and deposited on the inner surface of the container 221 due to static electricity. Can be reduced.
（制御部）
基板処理装置は、各部の動作を制御するコントローラ４１を有している。(Control unit)
The substrate processing device has a controller 41 that controls the operation of each part.
コントローラ４１の概略を図５に示す。制御部（制御手段）であるコントローラ４１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）４１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）４１ｂ、記憶装置４１ｃ、Ｉ／Ｏポート４１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ４１ｂ、記憶装置４１ｃ、Ｉ／Ｏポート４１ｄは、内部バス４１ｅを介して、ＣＰＵ４１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ４１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置４１１や、外部記憶装置４１２が接続可能に構成されている。更に、上位装置７５にネットワークを介して接続される受信部４１３が設けられる。受信部４１３は、上位装置７５から他の装置の情報を受信することが可能である。 The outline of the controller 41 is shown in FIG. The controller 41, which is a control unit (control means), is configured as a computer including a CPU (Central Processing Unit) 41a, a RAM (Random Access Memory) 41b, a storage device 41c, and an I / O port 41d. The RAM 41b, the storage device 41c, and the I / O port 41d are configured so that data can be exchanged with the CPU 41a via the internal bus 41e. The controller 41 is configured to be connectable to an input / output device 411 configured as, for example, a touch panel or the like, or an external storage device 412. Further, a receiving unit 413 connected to the host device 75 via a network is provided. The receiving unit 413 can receive information on another device from the host device 75.
記憶装置４１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置４１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、後述する基板処理の手順や条件などが記載されたプロセスレシピ等が読み出し可能に格納されている。なお、プロセスレシピは、後述する基板処理モードで実施される基板処理工程における各手順をコントローラ４１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。なお、本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、プロセスレシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合がある。また、ＲＡＭ４１ｂは、ＣＰＵ４１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。 The storage device 41c is composed of, for example, a flash memory, an HDD (Hard Disk Drive), or the like. In the storage device 41c, a control program for controlling the operation of the substrate processing apparatus, a process recipe in which the procedures and conditions for substrate processing described later are described, and the like are readablely stored. The process recipe is a combination of the process recipes so that the controller 41 can execute each procedure in the substrate processing process performed in the substrate processing mode described later and obtain a predetermined result, and functions as a program. When the term program is used in the present specification, it may include only the process recipe alone, the control program alone, or both. Further, the RAM 41b is configured as a memory area (work area) in which programs, data, and the like read by the CPU 41a are temporarily held.
Ｉ／Ｏポート４１ｄは、昇降部材、ヒータ、マスフローコントローラ、バルブ等に接続されている。 The I / O port 41d is connected to an elevating member, a heater, a mass flow controller, a valve, and the like.
コントローラ４１は、ＭＦＣの流量調整、バルブの開閉動作、ヒータの温度調整、真空ポンプの起動及び停止、ボート回転機構の回転速度調節、ボート昇降機構の昇降動作制御等が行われる。 The controller 41 adjusts the flow rate of the MFC, opens and closes the valve, adjusts the temperature of the heater, starts and stops the vacuum pump, adjusts the rotation speed of the boat rotation mechanism, controls the ascending / descending operation of the boat elevating mechanism, and the like.
なお、コントローラ４１は、専用のコンピュータとして構成されている場合に限らず、汎用のコンピュータとして構成されていても良い。例えば、上述のプログラムを格納した外部記憶装置（例えば、ＵＳＢメモリやメモリカード等の半導体メモリ等）４１２を用意し、係る外部記憶装置４１２を用いて汎用のコンピュータにプログラムをインストールすること等により、本実施形態に係るコントローラ４１を構成することができる。なお、コンピュータにプログラムを供給するための手段は、外部記憶装置４１２を介して供給する場合に限らない。例えば、インターネットや専用回線等の通信手段を用い、外部記憶装置４１２を介さずにプログラムを供給するようにしても良い。なお、記憶装置４１ｃや外部記憶装置４１２は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成される。以下、これらを総称して、単に記録媒体ともいう。なお、本明細書において、記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置４１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置４１２単体のみを含む場合、または、その両方を含む場合が有る。 The controller 41 is not limited to the case where it is configured as a dedicated computer, and may be configured as a general-purpose computer. For example, by preparing an external storage device (for example, a semiconductor memory such as a USB memory or a memory card) 412 that stores the above-mentioned program, and installing the program on a general-purpose computer using the external storage device 412, or the like. The controller 41 according to this embodiment can be configured. The means for supplying the program to the computer is not limited to the case of supplying the program via the external storage device 412. For example, a communication means such as the Internet or a dedicated line may be used to supply the program without going through the external storage device 412. The storage device 41c and the external storage device 412 are configured as computer-readable recording media. Hereinafter, these are collectively referred to simply as a recording medium. In addition, when the term recording medium is used in this specification, it may include only the storage device 41c alone, it may include only the external storage device 412 alone, or it may include both of them.
（基板処理工程）
次に、基板を処理する例について説明する。ここでは、半導体デバイスの製造工程の一例として、ソース（原料）とリアクタント（反応ガス）を交互に処理室に供給することで膜処理を行うサイクル処理を説明する。本実施形態においては、ソースとしてのヘキサクロロジシラン（Ｓｉ2Ｃｌ6、略称：ＨＣＤＳ）ガスを用い、リアクタントとしてアンモニア（ＮＨ3）ガスを用いて基板上でシリコン窒化膜（Ｓｉ3Ｎ4膜、以下、ＳｉＮ膜ともいう）を形成する例を記す。なお、ＨＣＤＳは液体原料の一例である。(Substrate processing process)
Next, an example of processing the substrate will be described. Here, as an example of a semiconductor device manufacturing process, a cycle process in which a film treatment is performed by alternately supplying a source (raw material) and a reactor (reaction gas) to a processing chamber will be described. In the present embodiment, hexachlorodisilane (Si 2 Cl 6 , abbreviated as HCDS) gas is used as a source, and ammonia (NH 3 ) gas is used as a reactor, and a silicon nitride film (Si 3 N 4 film, hereinafter) is used on the substrate. , Also referred to as SiN film) will be described. HCDS is an example of a liquid raw material.
本実施形態における成膜処理では、処理室２のウエハ３１に対してＨＣＤＳガスを供給する工程（ステップ１）と、処理室２からＨＣＤＳガス（残留ガス）を除去する工程（ステップ２）と、処理室２のウエハ３１に対してＮＨ3ガスを供給する工程（ステップ３）と、処理室２からＮＨ3ガス（残留ガス）を除去する工程（ステップ４）と、を非同時に行うサイクルを所定回数（１回以上）行うことで、ウエハ３１上にＳｉＮ膜を形成する。In the film forming process in the present embodiment, a step of supplying the HCDS gas to the wafer 31 of the processing chamber 2 (step 1), a step of removing the HCDS gas (residual gas) from the processing chamber 2 (step 2), and A cycle is defined in which the step of supplying NH 3 gas to the wafer 31 of the processing chamber 2 (step 3) and the step of removing NH 3 gas (residual gas) from the processing chamber 2 (step 4) are performed non-simultaneously. By performing this number of times (one or more times), a SiN film is formed on the wafer 31.
先ず、上述した様にウエハ３１をボート３２に装填し、処理室２に搬入する。このとき、図２に記載のように、貯留部５１は液体原料ユニット７１に接続される。ボート３２を処理室２に搬入後、後述する４つのステップを順次実行する。 First, as described above, the wafer 31 is loaded into the boat 32 and carried into the processing chamber 2. At this time, as shown in FIG. 2, the storage unit 51 is connected to the liquid raw material unit 71. After the boat 32 is carried into the processing chamber 2, the four steps described later are sequentially executed.
（ステップ１）
ステップ１では、ヒータ４２とヒータ２１５を稼働させた状態で、ＨＣＤＳガスとキャリアガス(Ｎ2ガス)を流す。まずバルブ５２、バルブ５５、バルブ６７を開ける。ＨＣＤＳガスは供給管４７ａから原料供給管２０４を介して貯留部５１に供給される。ＨＣＤＳガスは貯留室２１０に貯留されると共に、ヒータ２１５によって気化される。気化されたガス状のＨＣＤＳガスは、配管２０６を介して第一ＭＦＣ４９により流量調整されて供給管４７ｂに供給される。供給管４７ｂでは、第１キャリアガス供給管５３から第二ＭＦＣ５４により流量調整されたキャリアガス(Ｎ2ガス)が混合される。この混合ガスを第１ノズル５６の第１ガス供給孔５７から処理室２内に供給しつつガス排気管６６から排気する。第一ＭＦＣ４９で制御するＨＣＤＳガスの供給流量は０．１〜０．５ｇ／ｍｉｎである。ウエハ３１にＨＣＤＳガスを晒す時間は２０〜１８０秒間である。この時のヒータ４２の温度はウエハ３１が５５０〜６５０℃になる様設定してある。又、処理室２内の圧力は３０〜１２０Ｐａである。これによりウエハ３１上にＳｉを含む膜が形成される。(Step 1)
In step 1, HCDS gas and carrier gas (N 2 gas) are flowed while the heater 42 and the heater 215 are in operation. First, the valve 52, the valve 55, and the valve 67 are opened. The HCDS gas is supplied from the supply pipe 47a to the storage unit 51 via the raw material supply pipe 204. The HCDS gas is stored in the storage chamber 210 and vaporized by the heater 215. The vaporized gaseous HCDS gas is supplied to the supply pipe 47b by adjusting the flow rate by the first MFC 49 via the pipe 206. In the supply pipe 47b, the carrier gas (N 2 gas) whose flow rate is adjusted by the second MFC 54 is mixed from the first carrier gas supply pipe 53. This mixed gas is supplied from the first gas supply hole 57 of the first nozzle 56 into the processing chamber 2 and exhausted from the gas exhaust pipe 66. The supply flow rate of the HCDS gas controlled by the first MFC 49 is 0.1 to 0.5 g / min. The time for exposing the HCDS gas to the wafer 31 is 20 to 180 seconds. The temperature of the heater 42 at this time is set so that the temperature of the wafer 31 is 550 to 650 ° C. The pressure in the processing chamber 2 is 30 to 120 Pa. As a result, a film containing Si is formed on the wafer 31.
（ステップ２）
ステップ２では、第１ガス供給管４７のバルブ５２及び第１キャリア供給管５３のバルブ５５を閉めて、ＨＣＤＳガスガスとキャリアガスの供給を止める。ガス排気管６６のバルブ６７は開いたままにし、真空ポンプ６８により、処理炉２９を２０Ｐａ以下に排気し、残留ＨＣＤＳガスガスを処理室２内から排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったＮ2ガスを処理炉２９に供給すると、更に残留ＨＣＤＳガスを排除する効果が高まる。(Step 2)
In step 2, the valve 52 of the first gas supply pipe 47 and the valve 55 of the first carrier supply pipe 53 are closed to stop the supply of HCDS gas gas and carrier gas. The valve 67 of the gas exhaust pipe 66 is left open, and the processing furnace 29 is exhausted to 20 Pa or less by the vacuum pump 68, and the residual HCDS gas gas is discharged from the processing chamber 2. Further, at this time, if the inert gas, for example, N 2 gas used as the carrier gas is supplied to the processing furnace 29, the effect of removing the residual HCDS gas is further enhanced.
（ステップ３）
ステップ３では、ＮＨ3ガスとキャリアガス(Ｎ2ガス)を流す。まず第２ガス供給管４８に設けたバルブ５９、第２キャリアガス供給管６１に設けたバルブ６３を共に開けて、第２ガス供給管４８から第三ＭＦＣ５８により流量調整されたＮＨ3ガスと、第２キャリアガス供給管６１から第四ＭＦＣ６２により流量調整されたキャリアガス(Ｎ2ガス)とを混合し、第２ノズル６４の第２ガス供給孔６５から処理室２内に供給しつつガス排気管６６から排気する。ウエハ３１にＮＨ3ガスを晒す時間は１０〜１２０秒間である。この時のウエハ３１の温度はＨＣＤＳガスの供給時と同じく５５０〜６５０℃である。又、処理室２内の圧力はＨＣＤＳガスの供給時と異なり、９００〜９８０Ｐａである。ＮＨ3ガス
の供給により、ウエハ３１の下地膜上のＳｉを含む膜とＮＨ3ガスとが反応して、ウエハ３１上にＳｉＮ膜が形成される。(Step 3)
In step 3, NH 3 gas and carrier gas (N 2 gas) are flowed. First, the valve 59 provided in the second gas supply pipe 48 and the valve 63 provided in the second carrier gas supply pipe 61 are both opened, and the NH 3 gas whose flow is adjusted by the third MFC 58 from the second gas supply pipe 48 and The carrier gas (N 2 gas) whose flow rate is adjusted by the fourth MFC 62 from the second carrier gas supply pipe 61 is mixed, and the gas is exhausted while being supplied into the processing chamber 2 from the second gas supply hole 65 of the second nozzle 64. Exhaust from pipe 66. The time for exposing the NH 3 gas to the wafer 31 is 10 to 120 seconds. The temperature of the wafer 31 at this time is 550 to 650 ° C., which is the same as when the HCDS gas is supplied. Further, the pressure in the processing chamber 2 is 900 to 980 Pa, which is different from that when the HCDS gas is supplied. By supplying the NH 3 gas, the film containing Si on the base film of the wafer 31 reacts with the NH 3 gas to form a SiN film on the wafer 31.
（ステップ４）
ステップ４では、膜を形成後、バルブ５９及びバルブ６３を閉じ、真空ポンプ６８により処理室２内を真空排気し、成膜に寄与した後に残留するＮＨ3ガスを排除する。又、この時には不活性ガス、例えばキャリアガスとして使ったＮ2ガスを処理室２内に供給すると、更に残留するＮＨ3ガスを処理室２から排除する効果が高まる。(Step 4)
In step 4, after forming the film, the valve 59 and the valve 63 are closed, the inside of the processing chamber 2 is evacuated by the vacuum pump 68, and the NH 3 gas remaining after contributing to the film formation is removed. Further, at this time, if the inert gas, for example, the N 2 gas used as the carrier gas is supplied into the processing chamber 2, the effect of further removing the residual NH 3 gas from the processing chamber 2 is enhanced.
又、上述したステップ１〜４を１サイクルとし、このサイクルを複数回繰返すことにより、ウエハ３１上に所定の膜厚のＳｉＮ膜を形成することができる。 Further, by setting steps 1 to 4 described above as one cycle and repeating this cycle a plurality of times, a SiN film having a predetermined film thickness can be formed on the wafer 31.
図９は、既存の溶接を用いて製作した貯留容器と本実施形態(第１実施形態乃至第４実施形態)における貯留タンク２００各々に不活性ガスを流して、貯留容器を介して排出された不活性ガスを数秒間集塵した結果の比較である。０．０２６μｍ以上の塵埃は、作業環境で３４個であったため、この値を基準とした。この基準値(３４個)からの増加量は、既存の溶接を用いて製作した貯留容器で６９個に対し、本実施形態での貯留容器では４１個と２８個の大幅な削減をすることができた。 FIG. 9 shows an inert gas flowing through each of the storage container manufactured by using the existing welding and the storage tank 200 in the present embodiment (first to fourth embodiments), and discharged through the storage container. This is a comparison of the results of collecting the inert gas for several seconds. Since the number of dusts of 0.026 μm or more was 34 in the working environment, this value was used as a reference. The amount of increase from this standard value (34 pieces) can be significantly reduced by 41 pieces and 28 pieces in the storage container in the present embodiment, compared with 69 pieces in the storage container manufactured by using the existing welding. did it.
図１０は図９に示すパーティクルから比較例と本実施形態における貯留タンク２００の両方で抽出されたパーティクル(比較例２１個、本発明１８個)をそれぞれ成分解析した結果を示す。 FIG. 10 shows the results of component analysis of particles (21 comparative examples, 18 of the present invention) extracted from the particles shown in FIG. 9 in both the comparative example and the storage tank 200 in the present embodiment.
図１０に示すように、本実施形態(第１実施形態乃至第４実施形態)における貯留タンク２００によれば、パーティクルの成分を解析したところ、比較例では、鉄とニッケル(Ｆｅ+Ｎｉ)が主に析出されたパーティクルが４個、アルミニウム(Ａｌ)が主に析出されたパーティクルが８個、他の金属が析出されたパーティクル６個、炭素(Ｃ)とシリコン(Ｓｉ)及び酸素(Ｏ)がそれぞれ１個だった。一方、本実施形態では、全てのパーティクルが主に炭素(Ｃ)が析出されたものの金属成分が検出されることはなかった。よって、溶接を用いないことで金属汚染を大幅に低減できる。尚、本実施形態で確認された、炭素(Ｃ)を主とするパーティクルは、集塵環境で確認したパーティクルの成分と同様のものであった。 As shown in FIG. 10, according to the storage tank 200 in the present embodiment (first to fourth embodiments), when the components of the particles were analyzed, iron and nickel (Fe + Ni) were found in the comparative example. 4 particles mainly precipitated, 8 particles mainly precipitated aluminum (Al), 6 particles mainly precipitated from other metals, carbon (C) and silicon (Si) and oxygen (O) Was one each. On the other hand, in the present embodiment, although carbon (C) was mainly precipitated in all the particles, the metal component was not detected. Therefore, metal contamination can be significantly reduced by not using welding. The particles mainly composed of carbon (C) confirmed in the present embodiment were the same as the components of the particles confirmed in the dust collecting environment.
本実施形態(第１実施形態乃至第４実施形態)における貯留容器によれば、以下の効果のうち一つ又は複数の効果を奏する。 According to the storage container in the present embodiment (first to fourth embodiment), one or more of the following effects are exhibited.
（１）内部に液体又は固体の原料が貯留される貯留室を構成する容器部と、貯留室内で気化された原料を排出する配管が設けられる蓋部(蓋壁)と、容器部と蓋部の間に貯留室を密閉(隔離)するように設けられるシール部材の外側に接合部を有するように構成されているので、接合部がシール部材により、液体または固体原料及び気化された原料と非接触となる。よって、接合部(溶接)から貯留容器内にゴミの混入することを防ぐことができるのでパーティクルが低減される。 (1) A container portion constituting a storage chamber in which liquid or solid raw materials are stored, a lid portion (lid wall) provided with a pipe for discharging vaporized raw materials in the storage chamber, and a container portion and a lid portion. Since the joint is configured to have a joint on the outside of the seal member provided so as to seal (isolate) the storage chamber between the two, the joint is not separated from the liquid or solid raw material and the vaporized raw material by the seal member. It becomes a contact. Therefore, it is possible to prevent dust from entering the storage container from the joint (welding), and particles are reduced.
（２）蓋部が配管やエアバルブがフランジ部を介して設けられる構成となっている。これにより、蓋部を刳り貫いて設けられる流路を密閉(隔離)するように設けられるシール部材の外側に蓋部とフランジ部の接合部を有するように構成されているので、接合部がシール部材により、液体または固体原料及び気化された原料と非接触となる。よって、接合部(溶接)から気化されたガスが流れる配管内(流路)にゴミの混入することを防ぐことができるのでパーティクルが低減される。 (2) The lid portion is configured such that piping and an air valve are provided via the flange portion. As a result, the joint portion is configured to have a joint portion between the lid portion and the flange portion on the outside of the seal member provided so as to seal (separate) the flow path provided by hollowing out the lid portion. Depending on the member, it becomes non-contact with liquid or solid raw materials and vaporized raw materials. Therefore, it is possible to prevent dust from being mixed into the pipe (flow path) through which the vaporized gas flows from the joint (welding), so that the number of particles is reduced.
（３）蓋部２０３をボルトで締め付けて密閉可能なシール部２２２を用いた構造としたことにより、全ての接合面を溶接で密閉化していたタンク構造と異なり、ボルト２２３ｂを外すことで個々の部位を容易に解体できる為、例えば、貯留タンク２００単体を個別に隅々まで洗浄でき高清浄化が可能である。 (3) By adopting a structure using a seal portion 222 that can be sealed by tightening the lid portion 203 with bolts, unlike the tank structure in which all joint surfaces are sealed by welding, individual bolts 223b are removed. Since the part can be easily disassembled, for example, the storage tank 200 alone can be individually washed to every corner, and high cleaning is possible.
（４）従来、不具合が生じた際、不具合部品交換により大気や塵埃がタンク内に流入することで、タンク内部の清浄度が低下し、再利用ができない事態となっていたが、本構造により個々の部位（例えばタンク）の交換後、洗浄とシール部２２２を新規品に代えることで、清浄度が保たれることとなり、再利用が可能となった。 (4) Conventionally, when a defect occurs, air and dust flow into the tank due to replacement of defective parts, which reduces the cleanliness inside the tank and makes it impossible to reuse. However, this structure allows After exchanging individual parts (for example, tanks), cleaning and replacing the seal portion 222 with a new product ensured cleanliness and made it possible to reuse.
（５）フランジ部２１４を用いての密閉化は、フランジ部２１４を複数のボルト等で均等な加重を加え、シール部２１２を用いた構造で密閉化している。これにより、個々の部品（エアバルブや液面レベルセンサ等）に不具合が生じた場合、全ての接合面を溶接で密閉化していたタンク構造は不具合部品交換により大気や塵埃がタンク内に流入することで、タンク内部の清浄度が低下し、再利用ができない事態となっていたが、本実施形態における貯留部５１の構造とすることで、該当部品、及び、密閉可能なシール部２１２の交換と開放部の洗浄（例えば貯留タンク２００）で容易に復旧が可能となった。 (5) For sealing using the flange portion 214, the flange portion 214 is evenly weighted with a plurality of bolts and the like, and the flange portion 214 is sealed with a structure using the seal portion 212. As a result, if a defect occurs in an individual part (air valve, liquid level sensor, etc.), the tank structure in which all joint surfaces are sealed by welding will allow air and dust to flow into the tank by replacing the defective part. As a result, the cleanliness inside the tank deteriorated and it was not possible to reuse it. However, by adopting the structure of the storage unit 51 in this embodiment, the corresponding parts and the sealable seal portion 212 can be replaced. Restoration can be easily performed by cleaning the open portion (for example, the storage tank 200).
（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。(Other Embodiments of the present invention)
Although the embodiments of the present invention have been specifically described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications can be made without departing from the gist thereof.
例えば、上述の各実施形態では、基板処理装置が行う成膜処理として、ソース（液体原料）としてＨＣＤＳガスを用い、リアクタント（反応ガス）としてＮＨ3ガスを用いて、それらを交互に供給することによってウエハＷ上にＳｉＮ膜を形成する場合を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、ソースとしては液体原料を用いていれば良く、リアクタントとしてはソースと反応して膜処理を行うガスを用いて他の種類の薄膜を形成しても構わない。さらには、３種類以上の処理ガスを用いる場合であっても、これらを交互に供給して成膜処理を行うのであれば、本発明を適用することが可能である。For example, in each of the above-described embodiments, HCDS gas is used as a source (liquid raw material) and NH 3 gas is used as a reactor (reaction gas) as the film forming process performed by the substrate processing apparatus, and they are alternately supplied. The case where the SiN film is formed on the wafer W has been given as an example, but the present invention is not limited thereto. That is, a liquid raw material may be used as the source, and another type of thin film may be formed as the reactor using a gas that reacts with the source to perform film treatment. Furthermore, even when three or more types of processing gases are used, the present invention can be applied as long as these are alternately supplied to perform the film forming process.
また、例えば、上述した各実施形態では、基板処理装置が行う処理として半導体装置における成膜処理を例にあげたが、本発明がこれに限定されることはない。すなわち、成膜処理の他、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理であってもよい。また、基板処理の具体的内容は不問であり、成膜処理だけでなく、アニール処理、酸化処理、窒化処理、拡散処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも好適に適用できる。さらに、本発明は、他の基板処理装置、例えばアニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置、プラズマを利用した処理装置等の他の基板処理装置にも好適に適用できる。また、本発明は、これらの装置が混在していてもよい。 Further, for example, in each of the above-described embodiments, the film forming process in the semiconductor device is given as an example as the process performed by the substrate processing device, but the present invention is not limited thereto. That is, in addition to the film forming process, a process of forming an oxide film and a nitride film, and a process of forming a film containing a metal may be used. Further, the specific content of the substrate treatment does not matter, and it can be suitably applied not only to the film forming treatment but also to other substrate treatments such as annealing treatment, oxidation treatment, nitriding treatment, diffusion treatment, and lithography treatment. Furthermore, the present invention relates to other substrate processing devices such as annealing devices, oxidation treatment devices, nitriding treatment devices, exposure devices, coating devices, drying devices, heating devices, and plasma-based processing devices. It can also be suitably applied to. Further, in the present invention, these devices may be mixed.
また、例えば、上述した各実施形態は、半導体製造プロセスについて説明したが、それに限るものではなく、化学工業分野における液体の高清浄度を必要とする液体を貯留する液体原料タンクや中間貯蔵タンク、気化器に内蔵する液体タンク等に用いても良い。ここでいう化学工業分野における液体とは、例えば純水、過酸化水素水、アンモニア水、アルコール類、有機酸類である。 Further, for example, each of the above-described embodiments has described the semiconductor manufacturing process, but is not limited to this, and is not limited to a liquid raw material tank or an intermediate storage tank for storing a liquid that requires high cleanliness of the liquid in the chemical industry field. It may be used for a liquid tank or the like built in a vaporizer. The liquid in the field of the chemical industry referred to here is, for example, pure water, hydrogen peroxide solution, aqueous ammonia, alcohols, and organic acids.
また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることも可能である。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることも可能である。 Further, it is possible to replace a part of the configuration of one embodiment with the configuration of another embodiment, and it is also possible to add the configuration of another embodiment to the configuration of one embodiment. It is also possible to add, delete, or replace a part of the configuration of each embodiment with another configuration.
２９…処理炉、３１…ウエハ（基板）、３２…ボート、４７…第１ガス供給管、４８…第２ガス供給管、５１…貯留部、２００…貯留タンク、２０１…側壁、２０２…底壁、２０３…蓋部、２１５…ヒータ(加熱機構) 29 ... Processing furnace, 31 ... Wafer (board), 32 ... Boat, 47 ... First gas supply pipe, 48 ... Second gas supply pipe, 51 ... Storage unit, 200 ... Storage tank, 201 ... Side wall, 202 ... Bottom wall , 203 ... Lid, 215 ... Heater (heating mechanism)
Claims (12)
前記貯留室内で気化された原料を排出する配管が設けられる蓋部と、
前記容器部と前記蓋部の間に前記貯留室を密閉するように設けられる第１シール部と、
該第１シール部の外側に設けられ、前記容器部と前記蓋部を接合する第１接合部と、を有する貯留容器であって、
前記蓋部には前記貯留室との連通を制御する開閉部がフランジ部を介して設けられ、
前記フランジ部と前記蓋部の間の流路を密閉するように設けられる第２シール部と、
該第２シール部の外側に設けられ、前記フランジ部と前記蓋部を接合する第２接合部と、
を有する貯留容器。 A container that constitutes a storage chamber in which liquid or solid raw materials are stored,
A lid piping is provided for discharging the material that has been vaporized in the storage chamber,
A first seal portion provided between the container portion and the lid portion so as to seal the storage chamber, and
Is provided outside of the first seal portion, a reservoir having a first bonding portion for bonding the lid portion and the vessel portion,
An opening / closing portion for controlling communication with the storage chamber is provided on the lid portion via a flange portion.
A second seal portion provided so as to seal the flow path between the flange portion and the lid portion, and
A second joint portion provided on the outside of the second seal portion and for joining the flange portion and the lid portion,
Storage container with .
前記容器部は、前記加熱機構により前記貯留室内で対流が生じることで発生する静電気を外部に逃がすために電気的に接地されている請求項１に記載の貯留容器。 Further, it has a heating mechanism for heating the raw materials stored in the storage chamber.
The storage container according to claim 1, wherein the container portion is electrically grounded in order to release static electricity generated by convection in the storage chamber by the heating mechanism to the outside.
前記貯留室内で気化された前記原料を排出する配管が設けられる蓋部と、
前記容器部と前記蓋部の間に前記貯留室を密閉するように設けられる第１シール部と、
該第１シール部の外側に設けられ、前記容器部と前記蓋部を接合する第１接合部とを有する貯留容器であって、
前記蓋部には前記貯留室との連通を制御する開閉部がフランジ部を介して設けられ、
前記フランジ部と前記蓋部の間の流路を密閉するように設けられる第２シール部と、
該第２シール部の外側に設けられ、前記フランジ部と前記蓋部を接合する第２接合部と、を有する貯留容器と、
前記貯留室を加熱する加熱機構と、
を有する気化器。 A container that constitutes a storage chamber in which liquid or solid raw materials are stored,
A lid provided with a pipe for discharging the raw material vaporized in the storage chamber ,
A first seal portion provided between the container portion and the lid portion so as to seal the storage chamber, and
Is provided outside of the first seal portion, a reservoir having a first bonding portion for bonding the lid portion and the vessel portion,
An opening / closing portion for controlling communication with the storage chamber is provided on the lid portion via a flange portion.
A second seal portion provided so as to seal the flow path between the flange portion and the lid portion, and
A storage container provided on the outside of the second seal portion and having a second joint portion for joining the flange portion and the lid portion.
A heating mechanism that heats the storage chamber and
Vaporizer with.
前記貯留室内で気化された前記原料を排出する配管が設けられる蓋部と、
前記容器部と前記蓋部の間に前記貯留室を密閉するように設けられる第１シール部と、
該第１シール部の外側に設けられ、前記容器部と前記蓋部を接合する第１接合部とを有する貯留容器であって、
前記蓋部には前記貯留室との連通を制御する開閉部がフランジ部を介して設けられ、
前記フランジ部と前記蓋部の間の流路を密閉するように設けられる第２シール部と、
該第２シール部の外側に設けられ、前記フランジ部と前記蓋部を接合する第２接合部と、を有する貯留容器と、
前記貯留室を加熱する加熱機構と、を有する気化器と、
前記気化器に連通され、前記気化器で気化された前記原料により基板が処理される処理室と、
を有する基板処理装置。 A container that constitutes a storage chamber in which liquid or solid raw materials are stored,
A lid provided with a pipe for discharging the raw material vaporized in the storage chamber ,
A first seal portion provided between the container portion and the lid portion so as to seal the storage chamber, and
Is provided outside of the first seal portion, a reservoir having a first bonding portion for bonding the lid portion and the vessel portion,
An opening / closing portion for controlling communication with the storage chamber is provided on the lid portion via a flange portion.
A second seal portion provided so as to seal the flow path between the flange portion and the lid portion, and
A storage container provided on the outside of the second seal portion and having a second joint portion for joining the flange portion and the lid portion.
A vaporizer having a heating mechanism for heating the storage chamber, and
A processing chamber that communicates with the vaporizer and processes the substrate with the raw material vaporized by the vaporizer.
Substrate processing equipment with.
前記貯留室内で気化された前記原料を排出する配管が設けられる蓋部と、
前記容器部と前記蓋部の間に前記貯留室を密閉するように設けられる第１シール部と、
該第１シール部の外側に設けられ、前記容器部と前記蓋部を接合する第１接合部とを有する貯留容器であって、
前記蓋部には前記貯留室との連通を制御する開閉部がフランジ部を介して設けられ、
前記フランジ部と前記蓋部の間の流路を密閉するように設けられる第２シール部と、
該第２シール部の外側に設けられ、前記フランジ部と前記蓋部を接合する第２接合部と、を有する貯留容器と、
前記貯留室を加熱する加熱機構と、
を有する気化器に前記原料を供給し、前記原料を気化する工程と、
前記気化器に連通された処理室内に気化された前記原料を供給し、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 A container that constitutes a storage chamber in which liquid or solid raw materials are stored,
A lid provided with a pipe for discharging the raw material vaporized in the storage chamber ,
A first seal portion provided between the container portion and the lid portion so as to seal the storage chamber, and
Is provided outside of the first seal portion, a reservoir having a first bonding portion for bonding the lid portion and the vessel portion,
An opening / closing portion for controlling communication with the storage chamber is provided on the lid portion via a flange portion.
A second seal portion provided so as to seal the flow path between the flange portion and the lid portion, and
A storage container provided on the outside of the second seal portion and having a second joint portion for joining the flange portion and the lid portion.
A heating mechanism that heats the storage chamber and
The process of supplying the raw material to the vaporizer having the above and vaporizing the raw material, and
The process of supplying the vaporized raw material to the processing chamber communicated with the vaporizer and processing the substrate, and
A method for manufacturing a semiconductor device having.
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