JP6801749B2 - Radiation imaging device - Google Patents

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Description

本発明は、放射線画像撮影装置に係り、放射線の照射開始を検出可能な放射線画像撮影装置に関する。 The present invention relates to a radiation imaging device and relates to a radiation imaging device capable of detecting the start of irradiation of radiation.

照射されたX線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレーター等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号(すなわち画像データ)に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。 A so-called direct radiation imaging device that generates a charge with a detection element and converts it into an electrical signal according to the dose of radiation such as irradiated X-rays, and other radiation such as visible light with a scintillator or the like. A so-called indirect radiation imaging device that converts to an electromagnetic wave of a wavelength and then generates a charge with a photoelectric conversion element such as a photodiode according to the energy of the converted and irradiated electromagnetic wave to convert it into an electric signal (that is, image data). Have been developed in various ways. In the present invention, the detection element in the direct type radiation imaging device and the photoelectric conversion element in the indirect type radiation imaging device are collectively referred to as a radiation detection element.

このタイプの放射線画像撮影装置はFPD(Flat Panel Detector)として知られてお
り、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型(固定型等ともいう。)として構成されていたが(例えば特許文献1参照)、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納し、持ち運び可能とした可搬型(カセッテ型等ともいう。)の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている(例えば特許文献2、3参照)。
This type of radiographic imaging device is known as an FPD (Flat Panel Detector), and has conventionally been configured as a so-called dedicated machine type (also referred to as a fixed type) formed integrally with a support base or the like. However, in recent years, a portable (also referred to as a cassette type) radiation imaging device in which a radiation detection element or the like is housed in a housing and can be carried has been developed and put into practical use (see, for example, Patent Document 1). For example, see Patent Documents 2 and 3).

このような放射線画像撮影装置では、例えば後述する図2や図3等に示すように、通常、複数の放射線検出素子7が、検出部P上に二次元状(マトリクス状)に配列され、各放射線検出素子7にそれぞれ薄膜トランジスター(Thin Film Transistor。以下、TFTという。)8で形成されたスイッチ素子が接続されて構成される。 In such a radiation imaging apparatus, for example, as shown in FIGS. 2 and 3 described later, a plurality of radiation detection elements 7 are usually arranged in a two-dimensional shape (matrix shape) on the detection unit P, and each of them is arranged. A switch element formed of a thin film transistor (hereinafter referred to as a TFT) 8 is connected to each of the radiation detection elements 7.

そして、通常、放射線画像撮影は、放射線発生装置55(後述する図5参照)から放射線画像撮影装置に対して、被験者の身体等の所定の撮影部位(すなわち胸部正面や腰椎側面等)を介した状態で放射線が照射されて行われる。 Then, usually, the radiation imaging is performed from the radiation generator 55 (see FIG. 5 described later) to the radiation imaging device via a predetermined imaging site such as the subject's body (that is, the front surface of the chest, the side surface of the lumbar spine, etc.). Radiation is applied in the state.

その際、放射線画像撮影装置の走査駆動手段15のゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加して全てのTFT8をオフ状態とした状態(後述する電荷蓄積状態)で放射線を照射することで、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷が、各放射線検出素子7内に的確に蓄積される。 At that time, an off voltage is applied from the gate driver 15b of the scanning drive means 15 of the radiation imaging apparatus to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 to turn off all TFTs 8 (charge accumulation state described later). By irradiating the radiation, the electric charge generated in each radiation detecting element 7 by the irradiation of the radiation is accurately accumulated in each radiation detecting element 7.

そして、放射線画像撮影の後、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して、各TFT8を順次オン状態として、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生して蓄積された電荷を各信号線6に順次放出させて、各読み出し回路17で画像データDとしてそれぞれ読み出す画像データDの読み出し処理を行うように構成される。 Then, after taking a radiation image, an on-voltage is sequentially applied from the gate driver 15b to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5, each TFT 8 is sequentially turned on, and the radiation is generated in each radiation detection element 7. The accumulated charge is sequentially discharged to each signal line 6, and the reading process of the image data D to be read as the image data D by each reading circuit 17 is performed.

ところで、上記のように、放射線画像撮影が的確に行われるためには、放射線画像撮影装置に放射線が照射される際に、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxに適切にオフ電圧が印加され、スイッチ素子である各TFT8がオフ状態になることが必要となる。 By the way, as described above, in order to accurately perform radiation imaging, when radiation is applied to the radiation imaging device, the off voltage is appropriately applied from the gate driver 15b to each line L1 to Lx of the scanning line 5. Is applied, and it is necessary that each TFT 8 which is a switch element is turned off.

そこで、例えば従来の専用機型の放射線画像撮影装置等では、放射線発生装置との間でインターフェースを構築し、互いに信号等をやり取りして、放射線画像撮影装置が走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加して電荷蓄積状態になったことを確認したうえで、放射線発生装置から放射線を照射させるように構成される場合が多い。 Therefore, for example, in a conventional dedicated radiation imaging device or the like, an interface is constructed with the radiation generating device, signals or the like are exchanged with each other, and the radiation imaging device performs each line L1 to Lx of the scanning line 5. In many cases, it is configured to irradiate radiation from a radiation generator after confirming that an off-voltage is applied to the radiation and the charge is accumulated.

しかし、例えば、放射線画像撮影装置と放射線発生装置との製造元が異なっているような場合には、両者の間でインターフェースを構築することが必ずしも容易でない場合があり、或いは、インターフェースを構築できない場合もある。 However, for example, when the manufacturers of the radiation imaging device and the radiation generator are different, it may not always be easy to build an interface between them, or it may not be possible to build an interface. is there.

このように放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間でインターフェースが構築されない場合、放射線画像撮影装置側から見ると、放射線発生装置からどのようなタイミングで放射線が照射されるかが分からない。そのため、放射線発生装置から放射線が照射されたことを、放射線画像撮影装置が自ら検出しなければならなくなる。 When an interface is not constructed between the radiation imaging device and the radiation generator in this way, it is not possible to know at what timing the radiation is emitted from the radiation generator when viewed from the radiation imaging device side. Therefore, the radiation imaging device must detect that the radiation is emitted from the radiation generator.

そこで、近年、このような放射線画像撮影装置と放射線発生装置との間のインターフェースによらずに、放射線が照射されたことを自ら検出するように構成された放射線画像撮影装置が種々開発されている。 Therefore, in recent years, various radiation imaging devices have been developed that are configured to detect the irradiation by themselves, regardless of the interface between the radiation imaging device and the radiation generator. ..

例えば特許文献4には、放射線画像撮影装置に比較的小サイズの放射線センサー(すなわち放射線検出素子とは別体の例えばモジュール等として構成されたセンサー)を備えるように構成し、放射線センサーが照射された放射線を検出して放射線画像撮影装置に放射線が照射開始されたことを検出することが記載されている。 For example, in Patent Document 4, a radiation imaging apparatus is configured to include a relatively small-sized radiation sensor (that is, a sensor configured as, for example, a module, which is separate from the radiation detection element), and the radiation sensor is irradiated. It is described that the radiation is detected to detect that the radiation imaging device has started to irradiate the radiation.

また、例えば特許文献5には、放射線画像撮影装置に放射線が照射される前から、全てのTFT8(後述する図3等参照)をオフ状態とした状態で読み出し回路17に読み出し動作を行わせてリークデータdleakの読み出し処理を行わせ、読み出したリークデータdleakに基づいて装置自体で放射線の照射開始を検出することが記載されている。 Further, for example, in Patent Document 5, the readout circuit 17 is made to perform a readout operation with all TFTs 8 (see FIG. 3 and the like described later) turned off before the radiation imaging apparatus is irradiated with radiation. It is described that the leak data dleak is read out and the device itself detects the start of radiation irradiation based on the read out leak data dleak.

さらに、例えば特許文献6には、放射線画像撮影装置に放射線が照射される前から、本画像としての画像データDの読み出し処理を同様に走査駆動手段15や読み出し回路17を動作させて画像データの読み出し処理を行わせ、読み出した画像データに基づいて装置自体で放射線の照射開始を検出することが記載されている。 Further, for example, in Patent Document 6, even before the radiation imaging apparatus is irradiated with radiation, the scanning drive means 15 and the readout circuit 17 are similarly operated to read the image data D as the main image to obtain the image data. It is described that the reading process is performed and the start of radiation irradiation is detected by the apparatus itself based on the read image data.

また、例えば特許文献7に記載されているように、各放射線検出素子7に接続されているバイアス線9やその結線10(後述する図3等参照)に電流検出手段を設けるように構成することも可能である。この場合、放射線画像撮影装置に放射線が照射されると、各放射線検出素子7内に電荷が発生し、バイアス線9や結線10中を流れる電流が増加する。そのため、電流検出手段が検出した電流値に基づいて放射線の照射開始を検出することが可能である。 Further, for example, as described in Patent Document 7, the bias wire 9 connected to each radiation detection element 7 and the connection 10 thereof (see FIG. 3 and the like described later) are configured to be provided with current detecting means. Is also possible. In this case, when the radiation imaging apparatus is irradiated with radiation, electric charges are generated in each radiation detection element 7, and the current flowing through the bias line 9 and the connection 10 increases. Therefore, it is possible to detect the start of radiation irradiation based on the current value detected by the current detecting means.

さらに、例えば特許文献8に記載されているように、上記のように二次元状に配置されている放射線検出素子7の一部の構造を変えて放射線検知用画素とし、放射線検知用画素からの出力に基づいて放射線の照射開始を検出することも可能である。 Further, for example, as described in Patent Document 8, a part of the structure of the radiation detection element 7 arranged two-dimensionally as described above is changed to be a radiation detection pixel, and the radiation detection pixel is used. It is also possible to detect the start of radiation irradiation based on the output.

なお、以下では、特許文献5〜8に記載されているような、TFT8を介して放射線検出素子7からリークした電荷に起因するリークデータdleakや、各放射線検出素子7からバイアス線9等に流出した電荷に起因する電流値、或いは、各放射線検出素子7や放射線検知用画素等から読み出されたデータ等を、まとめて簡単に「各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータ」という。そして、この各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する方式を、第1の検出方式という。 In the following, leak data leak due to the electric charge leaked from the radiation detection element 7 via the TFT 8 as described in Patent Documents 5 to 8, and leak data from each radiation detection element 7 to the bias line 9 and the like. The current value caused by the electric charge, or the data read from each radiation detection element 7 or the radiation detection pixel, etc., is simply referred to as "data from each radiation detection element 7 or the radiation detection pixel". .. The method of detecting the start of radiation irradiation based on the data from each of the radiation detection elements 7 and the radiation detection pixels is called the first detection method.

また、特許文献4に記載されているような放射線センサーに基づいて放射線の照射開始を検出する方式を、第2の検出方式という。 Further, a method of detecting the start of radiation irradiation based on a radiation sensor as described in Patent Document 4 is referred to as a second detection method.

特開平9−73144号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 9-73144 特開2006−58124号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2006-58124 特開平6−342099号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-34209 特開2010−104398号公報JP-A-2010-104398 国際公開第2011/135917号パンフレットInternational Publication No. 2011/135917 Pamphlet 国際公開第2011/152093号パンフレットInternational Publication No. 2011/152093 Pamphlet 特開2009−219538号公報JP-A-2009-219538 特開2013−33030号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2013-33030

ところで、例えば、放射線画像撮影装置に対して照射野が絞られた状態で放射線が照射されたような場合、放射線センサーを用いる上記の第2の検出方式では、放射線センサーが照射野外に位置するように放射線が照射されてしまうと、放射線の照射開始を検出することができなくなる。それに対し、上記の第1の検出方式を採用すれば、照射野が絞られても、2次元状に配列されたうちの少なくとも一部領域では、放射線検出素子7やTFT8、放射線検知用画素のいずれかに放射線が照射されるため、放射線の照射により各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータが増加し、放射線の照射開始を検出することができる。 By the way, for example, when radiation is applied to a radiation imaging device in a state where the irradiation field is narrowed down, in the above-mentioned second detection method using a radiation sensor, the radiation sensor is located outside the irradiation field. If radiation is applied to the surface, the start of radiation irradiation cannot be detected. On the other hand, if the above-mentioned first detection method is adopted, even if the irradiation field is narrowed down, in at least a part of the two-dimensionally arranged regions, the radiation detection element 7, the TFT 8, and the radiation detection pixel Since radiation is applied to either of them, the data from each radiation detection element 7 and the radiation detection pixel increases due to the irradiation of radiation, and the start of radiation irradiation can be detected.

このように、第1の検出方式を採用することの1つのメリットとして、照射野が絞られた状態で放射線が放射線画像撮影装置に照射され、かつ、当該絞られた照射野が2次元状に配列された放射線検出素子7のどの領域に設定された場合でも、放射線の照射開始を的確に検出することができることが挙げられる。 As described above, one merit of adopting the first detection method is that the radiation is applied to the radiation imaging apparatus in a state where the irradiation field is narrowed down, and the narrowed irradiation field is two-dimensional. It can be mentioned that the start of irradiation of radiation can be accurately detected regardless of the region of the arranged radiation detection elements 7.

一方、第1の検出方式を採用した場合、可搬型の放射線画像撮影装置が患者の身体やベッド等にぶつかる等して放射線画像撮影装置に衝撃や振動等が加わると、検出部P上に二次元状(マトリクス状)に配列された複数の放射線検出素子群7の一部或いは全部にも当該振動が伝搬し、読み出されるリークデータdleak等が、本来の信号値+ノイズを含んだ状態(本来の信号以上に大きな値)となったり、場合によっては、放射線画像撮影装置に放射線が照射されていないにもかかわらず、読み出されるリークデータdleak等が閾値以上となったりする等して放射線の照射が開始されたと誤検出されてしまう場合がある。これらは、マイクロフォニック現象として、放射線撮影の分野で広く知られている。 On the other hand, when the first detection method is adopted, when an impact, vibration, or the like is applied to the radiation imaging device due to the portable radiation imaging device hitting the patient's body, bed, or the like, the detection unit P has two. The vibration propagates to a part or all of a plurality of radiation detection element groups 7 arranged in a dimensional shape (matrix shape), and the leak data dleak or the like read out contains the original signal value + noise (originally). The value is larger than the signal of), and in some cases, even though the radiation imaging device is not irradiated with radiation, the leak data leak to be read exceeds the threshold value, and so on. May be falsely detected as being started. These are widely known in the field of radiography as microphonic phenomena.

本発明者等の鋭意検討では、放射線画像撮影装置がキャパシター成分を有する場合、当該キャパシターを構成する1対の電極間の距離が、衝撃や振動等により物理的に変動して出力変動することが分かってきた。また、ハーネス等の有する寄生容量成分が、ハーネスの振動により過渡応答的に増減して、ハーネスの接続されている放射線検出素子との電位バランスを乱すことで当該放射線画像撮影装置の出力も変動してしまうことが分かってきた。また、二次元状(マトリクス状)に放射線検出素子7を配列された検出素子アレー等の比較的サイズの大きい放射線検出素子にて影響が顕著であることも分かってきた。 In the diligent study by the present inventors, when the radiation imaging apparatus has a capacitor component, the distance between the pair of electrodes constituting the capacitor may physically fluctuate due to impact, vibration, or the like, and the output may fluctuate. I understand. In addition, the parasitic capacitance component of the harness or the like changes transiently due to the vibration of the harness and disturbs the potential balance with the radiation detection element to which the harness is connected, so that the output of the radiation imaging device also fluctuates. It has become clear that it will end up. It has also been found that a relatively large radiation detection element such as a detection element array in which radiation detection elements 7 are arranged in a two-dimensional shape (matrix shape) has a remarkable effect.

その点、放射線センサーを用いる上記の第2の検出方式を採用すれば、近年、振動等の外乱が生じた場合でも出力されるノイズが大きくならず、外乱により放射線の照射開始を誤検出しにくい放射線センサーが開発されており、それを用いることで、放射線照射装置に衝撃や振動等が加わった場合でも、放射線の照射開始を誤検出することを的確に防止することができる。 In that respect, if the above-mentioned second detection method using a radiation sensor is adopted, the output noise does not increase even when a disturbance such as vibration occurs in recent years, and it is difficult to erroneously detect the start of radiation irradiation due to the disturbance. A radiation sensor has been developed, and by using it, it is possible to accurately prevent erroneous detection of the start of radiation irradiation even when an impact, vibration, or the like is applied to the radiation irradiation device.

そこで、これらの第1、第2の検出方式のそれぞれ優れた点を生かしながら、放射線画像撮影装置を、衝撃や振動等の外乱が加わった場合には放射線の照射開始を誤検出せず、放射線が照射された場合には放射線の照射開始を的確に検出することが可能となるように構成することが望まれている。 Therefore, while taking advantage of the advantages of each of these first and second detection methods, the radiation imaging device does not erroneously detect the start of irradiation when a disturbance such as impact or vibration is applied, and the radiation is emitted. It is desired to configure the structure so that the start of irradiation can be accurately detected when the radiation is irradiated.

本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、上記の第1、第2の検出方式を用い、衝撃や振動等の外乱が加わった場合には放射線の照射開始を誤検出せず、放射線が照射された場合には放射線の照射開始を的確に検出することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and by using the above-mentioned first and second detection methods, when a disturbance such as an impact or vibration is applied, the start of radiation irradiation can be erroneously detected. Instead, it is an object of the present invention to provide a radiation imaging apparatus capable of accurately detecting the start of irradiation when radiation is irradiated.

前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
次元状に配列され、放射線を受けると電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、
記放射線検出素子内に電荷を蓄積させるオフ状態、又は前記放射線検出素子に蓄積された電荷を放出させるオン状態に切り替わるスイッチ素子と
放射線を受けると出力を行う放射線センサーと、
射線の照射開始を検出して前記スイッチ素子の状態を制御する制御手段と、を備え、
記制御手段は、
記各放射線検出素子からのデータ、または前記各放射線検出素子の一部の構造が変えられた放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する第1の検出方式による放射線の照射開始の検出を所定周期で繰り返し行うとともに、前記放射線センサーの出力値に基づいて放射線の照射開始を検出する第2の検出方式による放射線の照射開始の検出を前記第の検出方式による検出と同一周期で繰り返し行い、
前記第1の検出方式と前記第2の検出方式のいずれかの方式により、または両方の方式により放射線の照射開始を検出した場合には、前記スイッチ素子をオフ状態とすることを特徴とする。
In order to solve the above problems, the radiographic imaging apparatus of the present invention is used.
Multiple radiation detection elements that are arranged in two dimensions and generate electric charges when they receive radiation ,
A switching element switched to the ON state to pre SL in the radiation detection element to accumulate charges Ruofu state, or out-release pre Symbol radiation charges accumulated in the detection element,
Receiving and the ray Sensor release for outputting the radiation,
To detect the start of irradiation of radiology and control means for controlling the state of the switching element,
Before Symbol control means,
Of radiation by a first detection system for detecting the start of irradiation based pre SL on data from the data or the portion of the radiation detection pixels structure is changed for each radiation detection element, from each radiation detection element The detection of the start of irradiation is repeated at a predetermined cycle, and the detection of the start of radiation irradiation by the second detection method of detecting the start of radiation irradiation based on the output value of the radiation sensor is defined as the detection by the first detection method. Repeat in the same cycle,
Wherein the first detection method with any of the methods of the second detection method or the detection of a start of irradiation by both schemes, characterized in that the said switching element in an off state.

本発明によれば、第1の検出方式や第2の検出方式の少なくともいずれかで放射線の照射が開始されたことが検出されるため、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 According to the present invention, since it is detected that the radiation irradiation is started by at least one of the first detection method and the second detection method, it is possible to accurately detect the start of the radiation irradiation. ..

放射線画像撮影装置の断面図である。It is sectional drawing of the radiation imaging apparatus. 放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the substrate of a radiation imaging apparatus. 放射線画像撮影装置の等価回路を表すブロック図である。It is a block diagram which shows the equivalent circuit of a radiation imaging apparatus. 各TFTを介して各放射線検出素子からリークした各電荷がリークデータとして読み出されることを説明する図である。It is a figure explaining that each charge leaked from each radiation detection element through each TFT is read out as leak data. 読み出されるリークデータの時間的推移の例を表すグラフである。It is a graph which shows the example of the time transition of the leak data read out. リークデータに基づいて放射線の照射開始を検出する場合に各走査線にオン電圧を印加するタイミング等を説明するタイミングチャートである。It is a timing chart explaining the timing of applying an on-voltage to each scanning line when detecting the start of radiation irradiation based on the leak data. 放射線画像撮影装置に照射野が絞られた放射線が照射された場合を表す図である。It is a figure which shows the case where the radiation imaging apparatus is irradiated with the radiation which narrowed down the irradiation field. 各読み出し回路で読み出されたリークデータの読み出しICごとの平均値の時間的推移の例を表すグラフである。It is a graph which shows the example of the time transition of the average value for each read IC of the leak data read by each read circuit. 移動平均の算出の仕方を説明する図である。It is a figure explaining the method of calculating a moving average. 読み出しICごとに算出される各差分の時間的推移の例を表すグラフである。It is a graph which shows the example of the time transition of each difference calculated for each read IC. 算出された差分の最大値の時間的推移の例を表すグラフである。It is a graph which shows the example of the time transition of the maximum value of the calculated difference. 図9に示した仕方とは別の移動平均の算出の仕方を説明する図である。It is a figure explaining the method of calculating a moving average different from the method shown in FIG. センサーパネルの両端部が筐体の側面の内部部分に保持される状態で筐体内に収納されている状態を表す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a state in which both ends of the sensor panel are housed in the housing while being held by internal portions on the side surface of the housing. 本実施形態に係る放射線画像撮影装置のセンサーパネルの端部付近の構成を表す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure of the vicinity of the end of the sensor panel of the radiographic imaging apparatus which concerns on this embodiment. センサーパネルを上方から見た図であり、シンチレーター基板上の導電層に導電フィルムを取り付けた状態を表す図である。It is the figure which looked at the sensor panel from above, and is the figure which shows the state which attached the conductive film to the conductive layer on the scintillator substrate. センサーパネルを下側から見た図である。It is the figure which looked at the sensor panel from the lower side. センサーパネルの基台の下面側に加速度センサーを設けた構成を表す断面図である。It is sectional drawing which shows the structure which provided the acceleration sensor on the lower surface side of the base of the sensor panel. センサーパネルを下側から見た図であり、加速度センサーをセンサーパネル下面側の四隅の部分と中心位置に設けた例を示す図である。It is the figure which looked at the sensor panel from the lower side, and is the figure which shows the example which provided the acceleration sensor at the four corners and the center position on the lower surface side of a sensor panel. (A)従来の放射線センサー、および(B)本実施形態に係る放射線センサーの、アンプ出力x(上段)およびデジタル出力d(下段)を表す図である。It is a figure which shows the amplifier output x (upper part) and digital output d (lower part) of (A) the conventional radiation sensor, and (B) the radiation sensor which concerns on this embodiment. 放射線画像撮影装置を上側から見た図であり、放射線センサーを検出部の中心位置に1個配置した例を表す図である。It is the figure which looked at the radiation image taking apparatus from the upper side, and is the figure which shows the example which arranged one radiation sensor at the center position of a detection part. 矩形状の検出部上の互いに隣り合わない2つの領域に複数の放射線センサーをそれぞれ配置した例を表す図である。It is a figure which shows the example which arranged the plurality of radiation sensors in two regions which are not adjacent to each other on a rectangular detection part. 複数の放射線センサーを矩形状の検出部の中心線上からずれた位置にそれぞれ配置した例を表す図である。It is a figure which shows the example which arranged each of a plurality of radiation sensors at the position deviated from the center line of the rectangular detection part.

以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the radiation imaging apparatus according to the present invention will be described with reference to the drawings.

なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレーター等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレーター等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。 In the following, a so-called indirect type radiation imaging device equipped with a scintillator or the like as a radiation imaging device and converting emitted radiation into electromagnetic waves of other wavelengths such as visible light to obtain an electric signal will be described. The present invention can also be applied to a so-called direct radiation imaging apparatus in which radiation is directly detected by a radiation detecting element without using a scintillator or the like.

また、放射線画像撮影装置がいわゆる可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された専用機型の放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することが可能である。 Further, although the case where the radiation imaging device is a so-called portable type will be described, the present invention can also be applied to a dedicated machine type radiation imaging device integrally formed with a support base or the like. is there.

[放射線画像撮影装置の概略的な構成]
以下、まず、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の概略的な構成について説明する。図1は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の断面図である。
[Rough configuration of radiation imaging device]
Hereinafter, first, a schematic configuration of the radiation imaging apparatus 1 according to the present embodiment will be described. FIG. 1 is a cross-sectional view of the radiation imaging apparatus according to the present embodiment.

なお、図1以下の各図における放射線画像撮影装置1の各部材等の相対的な大きさや長さ等は、必ずしも現実の放射線画像撮影装置の構成を反映するものではない。また、以下では、上下方向や水平方向(左右方向)については、放射線画像撮影装置1を、図1に示すように放射線が照射される側の面である放射線入射面Rが上方を向くように配置した状態を基準に説明する。従って、例えば、放射線画像撮影装置1を、放射線入射面Rが水平方向を向くように配置した場合には、下記の説明における上下方向は、この状態の放射線画像撮影装置1では水平方向ということになる。 It should be noted that the relative size, length, etc. of each member of the radiation imaging apparatus 1 in each of the drawings shown in FIGS. 1 and 1 and below do not necessarily reflect the actual configuration of the radiation imaging apparatus. Further, in the following, in the vertical direction and the horizontal direction (horizontal direction), the radiation imaging apparatus 1 is arranged so that the radiation incident surface R, which is the surface on which the radiation is irradiated, faces upward as shown in FIG. The explanation will be given based on the arranged state. Therefore, for example, when the radiation imaging device 1 is arranged so that the radiation incident surface R faces the horizontal direction, the vertical direction in the following description is the horizontal direction in the radiation imaging device 1 in this state. Become.

放射線画像撮影装置1は、図1に示すように、放射線入射面Rを有するカーボン板等で形成された筐体2内に、シンチレーター3やセンサー基板4等で構成されるセンサーパネルSPが収納されて構成されている。また、図1では図示を省略するが、本実施形態では、筐体2には、画像データD等を無線方式で外部装置に送信する無線方式の通信手段であるアンテナ装置51(後述する図3参照)が設けられている。 As shown in FIG. 1, in the radiation imaging apparatus 1, a sensor panel SP composed of a scintillator 3 and a sensor substrate 4 is housed in a housing 2 formed of a carbon plate or the like having a radiation incident surface R. It is composed of. Further, although not shown in FIG. 1, in the present embodiment, the housing 2 has an antenna device 51 (FIG. 3 described later) which is a wireless communication means for transmitting image data D or the like to an external device by wireless method. See).

また、図1では図示を省略するが、本実施形態では、放射線画像撮影装置1は、筐体2の側面等にコネクター52(後述する図3参照)を備えており、コネクター52を介して有線方式で信号やデータ等を外部装置に送信することができるようになっている。そして、後述する図3に示すように、アンテナ装置51やコネクター52等が接続された通信部50が放射線画像撮影装置1の通信手段として機能するようになっている。 Further, although not shown in FIG. 1, in the present embodiment, the radiation imaging device 1 is provided with a connector 52 (see FIG. 3 described later) on the side surface of the housing 2, and is wired via the connector 52. It is possible to transmit signals, data, etc. to an external device by the method. Then, as shown in FIG. 3, which will be described later, the communication unit 50 to which the antenna device 51, the connector 52, and the like are connected functions as a communication means of the radiation imaging device 1.

なお、本実施形態では、放射線画像撮影装置1の筐体2は、放射線画像撮影装置1を、従来のスクリーン/フィルム用のカセッテやCR装置のカセッテを装填することが可能なブッキー装置(図示省略。撮影台等ともいう。)に装填して用いることができるようにするために、スクリーン/フィルム用のカセッテにおけるJIS規格サイズ(JISZ4
905)に準拠するサイズで形成されており、CRカセッテとの互換サイズとされている。
In the present embodiment, the housing 2 of the radiographic imaging apparatus 1 is a bucky apparatus (not shown) capable of loading the radiographic imaging apparatus 1 with a cassette for a conventional screen / film or a cassette of a CR apparatus. JIS standard size (JISZ4) in cassettes for screens / films so that they can be loaded and used on a shooting table, etc.
It is formed in a size that conforms to 905), and is considered to be a compatible size with the CR cassette.

すなわち、少なくとも筐体2の放射線入射方向(すなわち筐体2の放射線入射面Rの延在方向に直交する方向)の厚さ寸法が13〜16mmの寸法範囲内に収まるように形成されている。また、筐体2の大きさは、14×17インチや17×17インチ等の各種のサイズに形成される。なお、本発明は、このようなJIS規格サイズに準拠するサイズで形成されていない放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。 That is, it is formed so that at least the thickness dimension of the housing 2 in the radiation incident direction (that is, the direction orthogonal to the extending direction of the radiation incident surface R of the housing 2) is within the dimension range of 13 to 16 mm. Further, the size of the housing 2 is formed into various sizes such as 14 × 17 inches and 17 × 17 inches. The present invention can also be applied to a radiographic imaging apparatus that is not formed in a size conforming to such a JIS standard size.

図1に示すように、筐体2内には、センサーパネルSPに対する基本強度メンバーであり、樹脂或いはマグネシウム等の軽量且つ堅牢な基台31が配置されており、基台31の放射線入射面R側すなわち上面側に、放射線を遮蔽するための鉛の薄板(図1では図示省略。後述する図14等参照)等が設けられており、それらを介してセンサー基板4が設けられている。そして、センサー基板4の上面側には、照射された放射線を可視光等の光に変換するシンチレーター3が0.1〜1mm厚のガラス材料であるシンチレーター基板34上に設けられ、シンチレーター3がセンサー基板4側に対向する状態で設けられている。
また、シンチレーターはCsI等の柱状結晶タイプであり、上記シンチレーター基板34上に直接蒸着されている。
As shown in FIG. 1, a lightweight and robust base 31 which is a basic strength member for the sensor panel SP and is made of resin or magnesium is arranged in the housing 2, and the radiation incident surface R of the base 31 is arranged. A thin lead plate for shielding radiation (not shown in FIG. 1, see FIG. 14 and the like described later) and the like are provided on the side, that is, the upper surface side, and the sensor substrate 4 is provided via them. Then, on the upper surface side of the sensor substrate 4, a scintillator 3 that converts the irradiated radiation into light such as visible light is provided on the scintillator substrate 34, which is a glass material having a thickness of 0.1 to 1 mm, and the scintillator 3 is a sensor. It is provided so as to face the substrate 4 side.
The scintillator is a columnar crystal type such as CsI, and is directly vapor-deposited on the scintillator substrate 34.

なお、別途シート状に製造されたシンチレーターを、シンチレーター基板34と貼合しても良い。この場合には、接着時や、剥離及び再貼合時等に、シンチレーターAssyに剥離帯電等による残留電荷を生じないように組立注意必要(個々の部品自体を除電する、組立冶具を構成する各パーツを共通GND処理する等)で、更に、シンチレーターAssy完了後にも完成品に対して除電を行うことが好ましい。 A scintillator separately manufactured in a sheet shape may be bonded to the scintillator substrate 34. In this case, it is necessary to be careful when assembling so that the scintillator assembly does not generate residual charge due to peeling charge, etc. at the time of bonding, peeling and re-bonding (each component of the assembly jig that eliminates static electricity from each part itself). It is preferable to perform common GND treatment on the parts, etc.), and further, perform static elimination on the finished product even after the scintillator assembly is completed.

また、基台31の下面側には、電子部品32等が配設されたPCB基板33やバッテリー24等が取り付けられている。また、基台31の下面側には、放射線センサー25が取り付けられている。本実施形態では、このようにして、基台31やセンサー基板4、シンチレーター基板34等でセンサーパネルSPが形成されており、センサーパネルSPと筐体2の側面との間に緩衝材35が設けられている。 Further, a PCB board 33, a battery 24, etc. on which electronic components 32 and the like are arranged are attached to the lower surface side of the base 31. A radiation sensor 25 is attached to the lower surface side of the base 31. In the present embodiment, the sensor panel SP is formed of the base 31, the sensor substrate 4, the scintillator substrate 34, and the like in this way, and the cushioning material 35 is provided between the sensor panel SP and the side surface of the housing 2. Has been done.

なお、センサーパネルSPのより詳しい構成については、後で説明する。また、図1や後述する図3では、放射線センサー25は1つだけ記載されているが、後述するように複数設けることが望ましい。また、放射線センサー25の放射線画像撮影装置1への取り付け方等については、後で詳しく説明する。 A more detailed configuration of the sensor panel SP will be described later. Further, although only one radiation sensor 25 is described in FIG. 1 and FIG. 3 described later, it is desirable to provide a plurality of radiation sensors 25 as described later. Further, how to attach the radiation sensor 25 to the radiation imaging device 1 and the like will be described in detail later.

本実施形態では、センサー基板4は0.1〜1mm厚のガラス基板で構成されており、図2に示すように、センサー基板4の上面(すなわちシンチレーター3に対向する面)4a上には、複数の走査線5と複数の信号線6とが互いに交差するように配設されている。また、センサー基板4の面4a上の複数の走査線5と複数の信号線6により区画された各小領域rには、放射線検出素子7がそれぞれ設けられている。 In the present embodiment, the sensor substrate 4 is composed of a glass substrate having a thickness of 0.1 to 1 mm, and as shown in FIG. 2, the sensor substrate 4 is placed on the upper surface (that is, the surface facing the scintillator 3) 4a of the sensor substrate 4. The plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 are arranged so as to intersect each other. Further, a radiation detection element 7 is provided in each small region r partitioned by the plurality of scanning lines 5 and the plurality of signal lines 6 on the surface 4a of the sensor substrate 4.

そして、複数の放射線検出素子7が二次元状(マトリクス状)に配列された領域全体、すなわち図2に一点鎖線で示される領域が被写体の放射線画像情報を生成可能な検出部Pとされている。すなわち、検出部Pとは、センサー基板4上で複数の放射線検出素子7が二次元状に配列された矩形状の領域である。本実施形態では、放射線検出素子7はフォトダイオードが用いられているが、例えばフォトトランジスター等を用いることも可能である。 The entire region in which the plurality of radiation detection elements 7 are arranged in a two-dimensional shape (matrix), that is, the region shown by the alternate long and short dash line in FIG. 2 is defined as the detection unit P capable of generating the radiation image information of the subject. .. That is, the detection unit P is a rectangular region in which a plurality of radiation detection elements 7 are two-dimensionally arranged on the sensor substrate 4. In the present embodiment, a photodiode is used as the radiation detection element 7, but for example, a phototransistor or the like can also be used.

ここで、放射線画像撮影装置1の回路構成について説明する。図3は本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の等価回路を表すブロック図である。 Here, the circuit configuration of the radiation image capturing apparatus 1 will be described. FIG. 3 is a block diagram showing an equivalent circuit of the radiation imaging apparatus 1 according to the present embodiment.

各放射線検出素子7の第1電極7aには、スイッチ素子であるTFT8のソース電極8s(図3の「S」参照)が接続されている。また、TFT8のドレイン電極8dおよびゲート電極8g(図3の「D」および「G」参照)は信号線6および走査線5にそれぞれ接続されている。 The source electrode 8s (see “S” in FIG. 3) of the TFT 8 which is a switch element is connected to the first electrode 7a of each radiation detection element 7. Further, the drain electrode 8d and the gate electrode 8g of the TFT 8 (see “D” and “G” in FIG. 3) are connected to the signal line 6 and the scanning line 5, respectively.

そして、TFT8は、後述する走査駆動手段15から走査線5を介してゲート電極8gにオン電圧が印加されるとオン状態となり、ソース電極8sやドレイン電極8dを介して放射線検出素子7内に蓄積されている電荷を信号線6に放出させる。また、走査線5を介してゲート電極8gにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、放射線検出素子7から信号線6への電荷の放出を停止して、放射線検出素子7内に電荷を蓄積させるようになっている。 Then, the TFT 8 is turned on when an on-voltage is applied to the gate electrode 8g from the scanning driving means 15 described later via the scanning line 5, and is accumulated in the radiation detection element 7 via the source electrode 8s and the drain electrode 8d. The charged charge is emitted to the signal line 6. Further, when an off voltage is applied to the gate electrode 8g via the scanning line 5, the off state is set, the emission of electric charge from the radiation detection element 7 to the signal line 6 is stopped, and the electric charge is accumulated in the radiation detection element 7. It is designed to let you.

また、本実施形態では、図2や図3に示すように、センサー基板4上で1列の各放射線検出素子7ごとに1本の割合で各放射線検出素子7の第2電極7bにそれぞれバイアス線9が接続されており、各バイアス線9はセンサー基板4の検出部Pの外側の位置で結線10に接続されている。 Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, one bias is applied to the second electrode 7b of each radiation detection element 7 in a row for each radiation detection element 7 on the sensor substrate 4. The wires 9 are connected, and each bias wire 9 is connected to the connection 10 at a position outside the detection unit P of the sensor substrate 4.

そして、結線10は入出力端子11(パッドともいう。図2参照)を介してバイアス電源14(図3参照)に接続されており、バイアス電源14から結線10や各バイアス線9を介して各放射線検出素子7の第2電極7bに逆バイアス電圧が印加されるようになっている。 The connection 10 is connected to the bias power supply 14 (see FIG. 3) via the input / output terminal 11 (also referred to as a pad; see FIG. 2), and is connected to the bias power supply 14 via the connection 10 and each bias wire 9. A reverse bias voltage is applied to the second electrode 7b of the radiation detection element 7.

一方、各走査線5は、それぞれ入出力端子11を介して走査駆動手段15のゲートドライバー15bにそれぞれ接続されている。走査駆動手段15では、配線15cを介して電源回路15aからゲートドライバー15bにオン電圧とオフ電圧が供給されるようになっており、ゲートドライバー15bで走査線5の各ラインL1〜Lxに印加する電圧をオン電圧とオフ電圧との間でそれぞれ切り替えるようになっている。 On the other hand, each scanning line 5 is connected to the gate driver 15b of the scanning driving means 15 via the input / output terminal 11. In the scanning drive means 15, on voltage and off voltage are supplied from the power supply circuit 15a to the gate driver 15b via the wiring 15c, and the gate driver 15b applies the voltage to each line L1 to Lx of the scanning line 5. The voltage is switched between the on voltage and the off voltage respectively.

また、各信号線6は、各入出力端子11を介して読み出しIC16内に内蔵された各読み出し回路17にそれぞれ接続されている。本実施形態では、読み出し回路17は、主に増幅回路18と相関二重サンプリング回路19等で構成されている。また、本実施形態では、後述する図4に示すように、増幅回路18は、オペアンプ18aとコンデンサー18b等を並列に接続されたチャージアンプ回路で構成されており、オペアンプ18aの出力側から、コンデンサー18bに蓄積された電荷量に応じた電圧値が出力されるようになっている。 Further, each signal line 6 is connected to each read circuit 17 built in the read IC 16 via each input / output terminal 11. In the present embodiment, the read circuit 17 is mainly composed of an amplifier circuit 18 and a correlated double sampling circuit 19 and the like. Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 4 described later, the amplifier circuit 18 is composed of a charge amplifier circuit in which the operational amplifier 18a and the capacitor 18b are connected in parallel, and the capacitor is connected from the output side of the operational amplifier 18a. A voltage value corresponding to the amount of electric charge stored in 18b is output.

図3に示すように、読み出しIC16内には、さらに、アナログマルチプレクサー21と、A/D変換器20とが設けられている。なお、図3では、相関二重サンプリング回路19はCDSと表記されている。 As shown in FIG. 3, an analog multiplexer 21 and an A / D converter 20 are further provided in the readout IC 16. In FIG. 3, the correlated double sampling circuit 19 is referred to as CDS.

各放射線検出素子7からの画像データDの読み出し処理の際には、走査駆動手段15のゲートドライバー15bからある走査線5にオン電圧が印加されて各TFT8がオン状態とされると、これらの各TFT8を介して各放射線検出素子7内から信号線6に電荷がそれぞれ放出される。そして、前述したように、各読み出し回路17の増幅回路18では、放射線検出素子7からコンデンサー18bに流れ込んだ電荷量に応じた電圧値がオペアンプ18aから相関二重サンプリング回路19側に出力される。 When the image data D is read out from each radiation detection element 7, when an on-voltage is applied to the scanning line 5 from the gate driver 15b of the scanning driving means 15 to turn on each TFT 8, these TFTs 8 are turned on. Charges are emitted from the inside of each radiation detection element 7 to the signal line 6 via each TFT 8. Then, as described above, in the amplifier circuit 18 of each readout circuit 17, a voltage value corresponding to the amount of charge flowing from the radiation detection element 7 into the capacitor 18b is output from the operational amplifier 18a to the correlated double sampling circuit 19 side.

相関二重サンプリング回路19は、各放射線検出素子7から増幅回路18に電荷が流れ込む前後の増幅回路18からの出力値の増加分をアナログ値の画像データDとして下流側に出力する。そして、出力された各画像データDがアナログマルチプレクサー21を介してA/D変換器20に順次送信され、A/D変換器20でデジタル値の画像データDに順次変換されて記憶手段23に出力されて順次保存される。このようにして画像データDの読み出し処理が行われるようになっている。 The correlation double sampling circuit 19 outputs the increase in the output value from the amplifier circuit 18 before and after the electric charge flows from each radiation detection element 7 into the amplifier circuit 18 as analog image data D to the downstream side. Then, each output image data D is sequentially transmitted to the A / D converter 20 via the analog multiplexer 21, and is sequentially converted into digital value image data D by the A / D converter 20 and stored in the storage means 23. It is output and saved sequentially. In this way, the image data D reading process is performed.

また、各放射線検出素子7のリセット処理では、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して(例えば後述する図6中の「R」参照)、各放射線検出素子7からTFT8を介して信号線6に電荷を放出させて、電荷を下流側に流す。このようにすることで、各放射線検出素子7内に残存する電荷を各放射線検出素子7内から除去して、各放射線検出素子7がリセットされるようになっている。 Further, in the reset process of each radiation detection element 7, an on-voltage is sequentially applied from the gate driver 15b to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 (for example, see “R” in FIG. 6 described later) to detect each radiation. A charge is discharged from the element 7 to the signal line 6 via the TFT 8, and the charge flows downstream. By doing so, the electric charge remaining in each radiation detection element 7 is removed from each radiation detection element 7, and each radiation detection element 7 is reset.

制御手段22は、図示しないCPU(Central Processing Unit)やROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピューターや、FPGA(Field Programmable Gate Array)等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。 The control means 22 is a computer in which a CPU (Central Processing Unit), a ROM (Read Only Memory), a RAM (Random Access Memory), an input / output interface, etc. (not shown) are connected to the bus, an FPGA (Field Programmable Gate Array), or the like. It is configured. It may be composed of a dedicated control circuit.

そして、制御手段22は、走査駆動手段15や読み出し回路17を制御して上記のように画像データDの読み出し処理を行わせるなど、放射線画像撮影装置1の各機能部の動作等を制御するようになっている。 Then, the control means 22 controls the operation of each functional unit of the radiation imaging apparatus 1 such as controlling the scanning driving means 15 and the reading circuit 17 to perform the reading process of the image data D as described above. It has become.

また、図3に示すように、制御手段22には、SRAM(Static RAM)やSDRAM(Synchronous DRAM)等で構成される記憶手段23が接続されている。また、本実施形態では、制御手段22には、前述したアンテナ装置51やコネクター52等が接続された通信部50が接続されており、さらに、走査駆動手段15や読み出し回路17、記憶手段23、バイアス電源14等の各機能部に必要な電力を供給するバッテリー24、放射線センサー25が接続されている。 Further, as shown in FIG. 3, a storage means 23 composed of an SRAM (Static RAM), a SDRAM (Synchronous DRAM), or the like is connected to the control means 22. Further, in the present embodiment, the control means 22 is connected to the communication unit 50 to which the antenna device 51, the connector 52, and the like described above are connected, and further, the scanning drive means 15, the read circuit 17, the storage means 23, and the like. A battery 24 and a radiation sensor 25 that supply necessary power to each functional unit such as the bias power supply 14 are connected.

[放射線画像撮影装置における放射線の照射開始の検出処理について]
ここで、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1で行われる放射線の照射開始の検出処理について説明する。
[About the detection process of the start of radiation irradiation in the radiation imaging device]
Here, the detection process of the start of irradiation of radiation performed by the radiation imaging apparatus 1 according to the present embodiment will be described.

本実施形態では、制御手段22は、前述したように、少なくとも、各放射線検出素子7や図示しない放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する第1の検出方式と、放射線センサー25の出力値に基づいて放射線の照射開始を検出する第2の検出方式とにより放射線の照射開始を検出するように構成されている。 In the present embodiment, as described above, the control means 22 has at least a first detection method for detecting the start of radiation irradiation based on data from each radiation detection element 7 and a radiation detection pixel (not shown), and radiation. It is configured to detect the start of radiation irradiation by a second detection method that detects the start of radiation irradiation based on the output value of the sensor 25.

具体的には、本実施形態では、制御手段22は、第2の検出方式として、前述した放射線センサー25(図1や図3等参照)から出力される値に基づいて放射線の照射開始を検出することができるようになっている。 Specifically, in the present embodiment, as the second detection method, the control means 22 detects the start of irradiation of radiation based on the value output from the radiation sensor 25 (see FIGS. 1 and 3 and the like) described above. You can do it.

すなわち、放射線センサー25として、例えば放射線が照射されると出力される電流値や電圧値等が大きくなるような半導体センサー等を用いることが可能である。そして、例えば、放射線センサー25から出力される値に予め閾値を設けておき、制御手段22は、放射線センサー25から出力される値が閾値以上になった時点で放射線の照射が開始されたことを検出するように構成することが可能である。 That is, as the radiation sensor 25, for example, a semiconductor sensor or the like that increases the output current value, voltage value, or the like when irradiated with radiation can be used. Then, for example, a threshold value is set in advance for the value output from the radiation sensor 25, and the control means 22 starts irradiation of radiation when the value output from the radiation sensor 25 becomes equal to or higher than the threshold value. It can be configured to detect.

次に、本実施形態で採用されている第1の検出方式について説明する。なお、以下では、第1の検出方式として、前述した特許文献5に記載されたリークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出する方式について説明する。しかし、この他にも、第1の検出方式として、例えば前述した特許文献6〜8に記載されている検出方法を採用することも可能であり、また、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する方法であれば、他の検出方法を採用することも可能である。 Next, the first detection method adopted in the present embodiment will be described. In the following, as the first detection method, a method of detecting the start of radiation irradiation based on the leak data leak described in Patent Document 5 described above will be described. However, in addition to this, as the first detection method, for example, the detection methods described in the above-mentioned Patent Documents 6 to 8 can be adopted, and each radiation detection element 7 and the radiation detection pixel can be adopted. It is also possible to adopt another detection method as long as it is a method of detecting the start of radiation irradiation based on the data from.

リークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出する方式では、まず、放射線画像撮影装置1に放射線が照射される前から、ゲートドライバー15b(図3参照)から各走査線5にオフ電圧を印加し、各TFT8をオフ状態とした状態で各読み出し回路17に読み出し動作を行わせて、リークデータdleakの読み出し処理を繰り返し行わせるように構成される。 In the method of detecting the start of radiation irradiation based on the leak data dleak, first, an off voltage is applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b (see FIG. 3) before the radiation imaging device 1 is irradiated with radiation. Then, with each TFT 8 turned off, each read circuit 17 is made to perform a read operation, and the read process of the leak data leak is repeated.

ゲートドライバー15b各走査線5にオフ電圧を印加して各TFT8をオフ状態とした状態では、図4に示すように、オフ状態になっている各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークする電荷qが増幅回路18のコンデンサー18bに蓄積される。すなわち、増幅回路18のコンデンサー18bには、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした電荷qの合計値が蓄積される。 Gate driver 15b In a state where an off voltage is applied to each scanning line 5 to turn each TFT 8 into an off state, as shown in FIG. 4, leaks from each radiation detection element 7 via each TFT 8 in the off state. The charge q is stored in the capacitor 18b of the amplifier circuit 18. That is, the total value of the charges q leaked from each radiation detection element 7 is accumulated in the capacitor 18b of the amplifier circuit 18 via each TFT 8.

そのため、この状態で読み出し回路17で読み出し動作を行うと、増幅回路18のオペアンプ18aの出力側からは、各TFT8を介して各放射線検出素子7からリークした電荷qの合計値に応じた電圧値が出力される。そのため、各TFT8を介してリークした電荷qの合計値に相当するデータが読み出される。このようにして読み出されたデータがリークデータdleakである。 Therefore, when the read operation is performed by the read circuit 17 in this state, the voltage value from the output side of the operational amplifier 18a of the amplifier circuit 18 corresponds to the total value of the charges q leaked from each radiation detection element 7 via each TFT 8. Is output. Therefore, the data corresponding to the total value of the electric charges q leaked through each TFT 8 is read out. The data read in this way is leak data leak.

そして、このように構成した場合、放射線画像撮影装置1に放射線の照射が開始されると、各TFT8を介して各放射線検出素子7内から信号線6にリークする電荷qが増加する。そのため、放射線画像撮影装置1に放射線の照射が開始された時点で(例えば図5の時刻t1参照)、読み出されるリークデータdleakの値が急激に増加することが分かっている。 With this configuration, when the radiation imaging device 1 is started to be irradiated with radiation, the charge q leaking from the inside of each radiation detection element 7 to the signal line 6 via each TFT 8 increases. Therefore, it is known that the value of the leak data dleak to be read increases sharply when the radiation imaging apparatus 1 starts to be irradiated with radiation (see, for example, time t1 in FIG. 5).

そこで、このリークデータdleakの値が増加することを利用して、例えば図5に示すように、読み出されたリークデータdleakが設定された閾値dleak_th以上になったことを
検出することで、放射線画像撮影装置1自体で放射線の照射開始を検出するように構成することが可能である。
Therefore, by utilizing the increase in the value of the leak data dleak, for example, as shown in FIG. 5, by detecting that the read leak data dleak is equal to or higher than the set threshold value dleak_th, the radiation is emitted. The image capturing device 1 itself can be configured to detect the start of radiation irradiation.

なお、リークデータdleakを用いて放射線の照射開始を検出するように構成する場合、上記のようにゲートドライバー15bから各走査線5にオフ電圧を印加し、各TFT8をオフ状態のままとすると、各放射線検出素子7内に暗電荷が蓄積され続ける状態になってしまう。 When the leak data dleak is used to detect the start of radiation irradiation, if an off voltage is applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b as described above and each TFT 8 is left in the off state, Dark charges continue to be accumulated in each radiation detection element 7.

そのため、例えば後述する図6の左側の部分に示すように、リークデータdleakの読み出し処理(図中では「L」と記載)と次のリークデータdleakの読み出し処理との間に各放射線検出素子7のリセット処理(図中では「R」と記載)を行うように構成することが可能である。 Therefore, for example, as shown in the left part of FIG. 6 to be described later, each radiation detection element 7 is between the reading process of the leak data leak (denoted as “L” in the figure) and the reading process of the next leak data leak. (Indicated as "R" in the figure) can be configured to perform the reset process.

各放射線検出素子7のリセット処理を行う場合、図6に示すように、走査駆動手段15のゲートドライバー15b(図3参照)から走査線5の各ラインL1〜Lxにオン電圧を順次印加して行うように構成してもよく、また、図示を省略するが、ゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxに一斉にオン電圧を印加して行うように構成することも可能である。 When resetting each radiation detection element 7, as shown in FIG. 6, an on-voltage is sequentially applied from the gate driver 15b (see FIG. 3) of the scanning driving means 15 to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5. Although it is not shown, it is also possible to apply an on-voltage from the gate driver 15b to each of the lines L1 to Lx of the scanning line 5 all at once.

[放射線の照射開始の検出後の処理について]
そして、本実施形態では、制御手段22は、上記の第1の検出方式(各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式)と第2の検出方式(放射線センサー25の出力値に基づく検出方式)のいずれかの方式により放射線の照射開始を検出した場合、或いは両方の方式により放射線の照射開始を検出した場合には、全てのTFT8をオフ状態として放射線検出素子7内に電荷が蓄積される状態に移行させるようになっている。
[Processing after detection of radiation start]
Then, in the present embodiment, the control means 22 has the above-mentioned first detection method (detection method based on data from each radiation detection element 7 and radiation detection pixel) and the second detection method (output of the radiation sensor 25). When the start of radiation irradiation is detected by any of the values-based detection methods), or when the start of radiation irradiation is detected by both methods, all TFTs 8 are turned off and inside the radiation detection element 7. It is designed to shift to a state where electric charge is accumulated.

すなわち、制御手段22が、例えば第1の検出方式で、読み出したリークデータdleakが閾値dleak_th以上になったことにより放射線の照射開始を検出した場合には、図6に示すように、照射開始を検出した時点(同図における「検出」参照)でゲートドライバー15bから走査線5の各ラインL1〜Lxにオフ電圧を印加し、全てのTFT8をオフ状態として、放射線の照射により各放射線検出素子7内で発生した電荷が各放射線検出素子7内に蓄積される状態である電荷蓄積状態に移行させるようになっている。 That is, when the control means 22 detects the start of radiation irradiation because the read leak data charge is equal to or greater than the threshold value dleak_th, for example, in the first detection method, the start of irradiation is started as shown in FIG. At the time of detection (see "Detection" in the figure), an off voltage is applied from the gate driver 15b to each line L1 to Lx of the scanning line 5, all TFTs 8 are turned off, and each radiation detecting element 7 is irradiated with radiation. The charge generated in the radiation detection element 7 is shifted to a charge storage state in which the charge is accumulated in each radiation detection element 7.

そして、制御手段22は、図6に示すように、電荷蓄積状態に移行してから例えば所定時間が経過した後で、本画像としての画像データDの読み出し処理を開始させるようになっている。 Then, as shown in FIG. 6, the control means 22 is adapted to start the reading process of the image data D as the main image, for example, after a predetermined time has elapsed after shifting to the charge accumulation state.

本実施形態では、画像データDの読み出し処理では、図6に示すように、放射線の照射開始を検出した時点或いはその直前にオン電圧が印加された走査線5(図6の場合は走査線5のラインL4)の次にオン電圧を印加すべき走査線5(図6の場合は走査線5のラインL5)からオン電圧の印加を開始させ、ゲートドライバー15bから各走査線5にオン電圧を順次印加させて本画像としての画像データDの読み出し処理を行うようになっている。 In the present embodiment, in the image data D reading process, as shown in FIG. 6, the scanning line 5 to which the on-voltage is applied at the time when the start of irradiation of radiation is detected or immediately before that (in the case of FIG. 6, the scanning line 5). The on-voltage is applied to each scanning line 5 from the gate driver 15b by starting the application of the on-voltage from the scanning line 5 (in the case of FIG. 6, the line L5 of the scanning line 5) to which the on-voltage should be applied next to the line L4). The image data D as the main image is read out by sequentially applying the voltage.

なお、画像データDの読み出し処理の仕方はこれに限定されず、図示を省略するが、本画像としての画像データDの読み出し処理を、例えば、走査線5の最初のラインL1から順にオン電圧を順次行うように構成することも可能である。 The method of reading the image data D is not limited to this, and although not shown, the reading process of the image data D as the main image is performed, for example, by applying on-voltage in order from the first line L1 of the scanning line 5. It is also possible to configure it to be performed sequentially.

[より改良された放射線の照射開始の検出方法について]
上記の第1の検出方式は、例えば以下のように改良することが可能である。なお、以下においても、主に、読み出したリークデータdleakに基づいて放射線の照射開始を検出する場合について説明する。また、これらの改良された検出方法については、本願出願人が先に提出した特開2012−176155号公報等にも記載されており、詳しくは同公報等を参照されたい。
[About the improved method of detecting the start of radiation irradiation]
The above-mentioned first detection method can be improved as follows, for example. In the following, the case where the start of radiation irradiation is detected based on the read leak data dleak will be mainly described. Further, these improved detection methods are also described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-176155 submitted earlier by the applicant of the present application, and for details, refer to the same publication.

リークデータdleakに基づく検出方法を採用する場合、放射線画像撮影装置1の検出部P(図2や図3参照)には、通常、数千本から数万本の信号線6が配線されており、各信号線6にそれぞれ読み出し回路17が設けられているため、1回のリークデータdleakの読み出し処理で読み出されるリークデータdleakの数は、数千個から数万個の数になる。 When a detection method based on leak data dleak is adopted, thousands to tens of thousands of signal lines 6 are usually wired to the detection unit P (see FIGS. 2 and 3) of the radiographic imaging apparatus 1. Since each signal line 6 is provided with a read circuit 17, the number of leak data leaks read in one read process of the leak data leak is from several thousand to several tens of thousands.

そして、それらの全てのリークデータdleakについて、各読み出し処理ごとに、上記のように閾値dleak_th以上になったか否かを判断する処理を行うように構成すると、放射線の照射開始の検出処理が非常に重くなる。そこで、例えば、以下のようにして、判断の対象となるデータの数を減らして検出処理を行うように構成することが可能である。 Then, if all the leak data leaks are configured to perform the process of determining whether or not the threshold value is greater than or equal to the threshold value dleak_th as described above for each read-out process, the detection process of the start of radiation irradiation is very high. It becomes heavy. Therefore, for example, it is possible to reduce the number of data to be determined and perform the detection process as follows.

具体的には、本実施形態では、前述した読み出しIC16(図3参照)には、例えば、128個や256個の読み出し回路17が内蔵されている。すなわち、1個の読み出しIC16内の128個や256個等の読み出し回路17にそれぞれ信号線6が接続されており、1回のリークデータdleakの読み出し処理で、1個の読み出しIC16から信号線6ごとに128個や256個等のリークデータdleakが読み出される。 Specifically, in the present embodiment, for example, 128 or 256 read-out circuits 17 are built in the read-out IC 16 (see FIG. 3) described above. That is, the signal lines 6 are connected to the read circuits 17 such as 128 and 256 in one read IC 16, respectively, and the signal lines 6 are connected from one read IC 16 in one read process of the leak data leak. Leak data such as 128 or 256 leak data leaks are read out for each.

そこで、例えば、1回のリークデータdleakの読み出し処理で1つの読み出しIC16から出力される256個等のリークデータdleakの平均値や合計値、中間値、最大値等(以下、これらをまとめて統計値という。)を算出する。そして、各読み出しIC16ごとに1つずつ算出されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が、それぞれ当該統計値dleak_st(z)について設定された閾値dthA以上になったか否かを判断するように構成することが可能である。なお、zは読み出しIC16の番号である。 Therefore, for example, the average value, the total value, the intermediate value, the maximum value, etc. of 256 leak data leaks output from one read IC 16 in one read process of the leak data leak, etc. (hereinafter, these are collectively statistical). ) Is calculated. Then, it is determined whether or not the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak calculated for each read IC 16 becomes equal to or greater than the threshold value dthA set for the statistical value dleak_st (z). It is possible to configure. Note that z is the number of the read IC 16.

このように構成すると、例えば検出部Pに信号線6が4096本設けられており、1個の読み出しIC16に128個の読み出し回路17が内蔵されている(すなわち1個の読み出しIC16に128本の信号線6が接続されている)とすると、読み出しIC16の数は、全部で4096÷128=32個になる。 With this configuration, for example, the detection unit P is provided with 4096 signal lines 6, and one read IC 16 contains 128 read circuits 17 (that is, one read IC 16 has 128 signal lines). (The signal line 6 is connected), the total number of read ICs 16 is 4096 ÷ 128 = 32.

そのため、上記のように構成すれば、例えば4096個分のリークデータdleakについて閾値dleak_th以上になったか否かを判断しなければならなかった検出処理が、32個の統計値dleak_st(z)(z=1〜32)について判断を行うだけでよくなり、検出処理を軽くすることが可能となる。 Therefore, with the above configuration, for example, the detection process that had to determine whether or not the leak data dleak for 4096 pieces had exceeded the threshold value dleak_th was 32 statistical values dleak_st (z) (z) (z). = 1-32) It is only necessary to make a judgment, and the detection process can be lightened.

[差分法]
また、さらに検出処理における上記の判断処理を軽くするために、制御手段22で、1回のリークデータdleakの読み出し処理で各読み出しIC16から出力されたリークデータdleakから算出した例えば32個の統計値dleak_st(z)の中から、最大値を抽出し、リークデータdleakの統計値dleak_st(z)の最大値が閾値以上になったか否かを判断するように構成することも可能である。
[Difference method]
Further, in order to further lighten the above-mentioned determination process in the detection process, the control means 22 calculates, for example, 32 statistical values from the leak data leak output from each read IC 16 in the read process of the leak data dleak once. It is also possible to extract the maximum value from the dleak_st (z) and determine whether or not the maximum value of the leak data dleak statistical value dleak_st (z) exceeds the threshold value.

このように構成すれば、32個の統計値dleak_st(z)の中から抽出された1個の最大値が閾値以上になったか否かだけを判断すればよくなり、検出処理が非常に軽くなる。 With this configuration, it is only necessary to determine whether or not one maximum value extracted from the 32 statistical values dleak_st (z) exceeds the threshold value, and the detection process becomes very light. ..

しかし、通常、読み出しIC16ごとの読み出し特性が異なるため、仮に各放射線検出素子7から信号線6にリークする電荷q(図4参照)の合計値が信号線6ごとに同じであったとしても、他の読み出しIC16よりもリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が常に大きくなる読み出しIC16もあれば、他の読み出しIC16よりもリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が常に小さくなる読み出しIC16もある。 However, since the read characteristics are usually different for each read IC 16, even if the total value of the charges q (see FIG. 4) leaking from each radiation detection element 7 to the signal line 6 is the same for each signal line 6. Some read ICs 16 have a leak data leak statistic that is always larger than the other read ICs 16, and some read ICs 16 have a leak data leak statistic that is always smaller than the other read ICs 16. ..

そして、このような状況で、例えば図7に示すように、放射線画像撮影装置1に対して放射線が、検出部Pの中央部分に照射野Fが絞られた状態で照射される場合を考える。 Then, in such a situation, as shown in FIG. 7, for example, consider a case where the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation in a state where the irradiation field F is narrowed down to the central portion of the detection unit P.

このとき、他の読み出しIC16よりもリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が常に大きくなる読み出しIC16に接続されている信号線6aが照射野F外に存在すると、例えば図8に示すように、照射野F内に存在する信号線6が接続されている読み出しIC16γから出力されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)(図中のγ参照)が放射線の照射によって上昇しても、照射野F外に存在する信号線6aが接続されている読み出しIC16δから出力されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)(図中のδ参照)以上にならない場合が生じ得る。 At this time, if the signal line 6a connected to the read-out IC 16 whose leak data leak statistical value dleak_st (z) is always larger than that of the other read-out IC 16 exists outside the irradiation field F, for example, as shown in FIG. Even if the leak data dleak statistical value dleak_st (z) (see γ in the figure) output from the readout IC 16γ to which the signal line 6 existing in the irradiation field F is connected rises due to irradiation, the irradiation field There may be a case where the signal line 6a existing outside the F is not equal to or more than the leak data dleak statistical value dleak_st (z) (see δ in the figure) output from the connected read IC 16δ.

そして、このような場合に、各読み出しIC16におけるリークデータdleakの統計値dleak_st(z)の中から最大値を抽出すると、図中δで示されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が抽出されるが、抽出されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)は、放射線の照射によっても変動しない。そのため、抽出されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)の最大値が閾値以上にならなくなり、結局、放射線の照射を検出することができなくなってしまう。 Then, in such a case, when the maximum value is extracted from the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak in each read IC 16, the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak indicated by δ in the figure is extracted. However, the statistical value dleak_st (z) of the extracted leak data dleak does not fluctuate even when irradiated with radiation. Therefore, the maximum value of the statistical value dleak_st (z) of the extracted leak data dleak does not exceed the threshold value, and eventually the radiation irradiation cannot be detected.

そこで、このような問題を回避するために、例えば、以下のような移動平均(Moving Average)を用いる方法を採用することが可能である。 Therefore, in order to avoid such a problem, for example, it is possible to adopt a method using the following moving average.

すなわち、各読み出し処理ごとに、各読み出しIC16から出力されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)に基づいて、その移動平均dlst_ma(z)をそれぞれ算出する。
具体的には、リークデータdleakの読み出し処理の際に読み出しIC16から出力されるリークデータdleakの統計値dleak_st(z)を算出するごとに、図9に示すように、当該読み出し処理の直前の読み出し処理を含む所定回数(例えば10回)分の過去の各読み出し処理の際に算出された、読み出しIC16ごとのリークデータdleakの統計値dleak_st(z)の平均(すなわち移動平均dlst_ma(z))を算出するように構成する。
That is, for each read process, the moving average dlst_ma (z) is calculated based on the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak output from each read IC 16.
Specifically, every time the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak output from the read IC 16 is calculated during the read process of the leak data dleak, as shown in FIG. 9, the read immediately before the read process is performed. The average of the leak data dleak statistical value dleak_st (z) (that is, the moving average dlst_ma (z)) calculated at the time of each past reading process for a predetermined number of times (for example, 10 times) including the processing is calculated. Configure to calculate.

なお、この場合、移動平均dlst_ma(z)の算出方法としては、単純移動平均や加重移動平均、或いは指数移動平均等の公知の方法を用いることが可能である。 In this case, as a method for calculating the moving average dlst_ma (z), a known method such as a simple moving average, a weighted moving average, or an exponential moving average can be used.

そして、下記(1)式に従って、読み出しIC16ごとに、今回の読み出し処理で算出したリークデータdleakの統計値dleak_st(z)と、算出した移動平均dlst_ma(z)との差分Δd(z)を算出するように構成する。
Δd(z)=dleak_st(z)−dlst_ma(z) …(1)
Then, according to the following equation (1), the difference Δd (z) between the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak calculated in the current read process and the calculated moving average dlst_ma (z) is calculated for each read IC 16. Configure to do.
Δd (z) = dleak_st (z) −dlst_ma (z)… (1)

このようにして、制御手段22で、1回のリークデータdleakの読み出し処理で読み出しIC16から出力されたリークデータdleakから上記のように統計値dleak_st(z)を算出すると同時に、それぞれに対応する移動平均dlst_ma(z)との差分Δd(z)を、各読み出しIC16ごとにそれぞれ算出する。 In this way, the control means 22 calculates the statistical value dleak_st (z) from the leak data dleak output from the read IC 16 in one read process of the leak data dleak, and at the same time, moves corresponding to each. The difference Δd (z) from the average dlst_ma (z) is calculated for each read IC 16.

そして、算出した差分Δd(z)(上記の例では32個の差分Δd(z))の中から最大値Δdmaxを抽出し、差分Δd(z)の最大値Δdmaxが閾値Δdth以上になったか否かを判断するように構成することが可能である。なお、このような検出方法に基づく放射線の照射開始の検出方法を、以下、差分法という。 Then, the maximum value Δdmax is extracted from the calculated difference Δd (z) (32 differences Δd (z) in the above example), and whether or not the maximum value Δdmax of the difference Δd (z) becomes the threshold value Δdth or more. It can be configured to determine. The method for detecting the start of radiation irradiation based on such a detection method is hereinafter referred to as a difference method.

このように構成すれば、読み出しIC16ごとに読み出し特性にばらつきがあったとしても、同じ読み出しIC16において同じ読み出し特性の下で読み出されたリークデータdleakの統計値dleak_st(z)と移動平均dlst_ma(z)との差分Δd(z)を算出することで、読み出しIC16ごとの読み出し特性によるばらつきが相殺される。 With this configuration, even if the read characteristics vary from read IC 16 to read IC 16, the statistical value of leak data dleak read under the same read characteristics in the same read IC 16 dleak_st (z) and the moving average dlst_ma ( By calculating the difference Δd (z) from z), the variation due to the read characteristics of each read IC 16 is offset.

すなわち、各読み出しIC16ごとに仮に図8に示したような読み出し特性のばらつきがあったとしても、図10に示すように、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されない限り、上記の読み出しIC16γ、16δを含むいずれの読み出しIC16においても、算出される差分Δd(z)の値がほぼ0になる(図10における放射線の照射開始前のγ、δ参照)。 That is, even if there are variations in the readout characteristics of each readout IC 16 as shown in FIG. 8, as shown in FIG. 10, unless the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation, the readout ICs 16γ and 16δ are described above. The value of the calculated difference Δd (z) becomes almost 0 in any of the readout ICs 16 including the above (see γ and δ before the start of radiation irradiation in FIG. 10).

そのため、上記差分Δd(z)が、読み出しIC16ごとに、純粋にリークデータdleakの統計値dleak_st(z)が過去のデータから増加したか否かのみを反映する値になり、それに基づいて放射線の照射開始を検出するように構成することで、図8に示したような問題が発生することを的確に防止することが可能となる。 Therefore, the above difference Δd (z) becomes a value that purely reflects whether or not the statistical value of leak data dleak, dleak_st (z), has increased from the past data for each read IC 16, and based on this, the radiation By configuring so as to detect the start of irradiation, it is possible to accurately prevent the problem as shown in FIG. 8 from occurring.

また、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると(図11中の時刻T1参照)、少なくともいずれかの読み出しIC16で、今回の読み出し処理で読み出されたリークデータdleakに基づく統計値dleak_st(z)が、移動平均dst_ma(z)よりも格段に大きくなり、図11に示すように、差分Δd(z)の最大値Δdmaxが確実に閾値Δdth以上になる。そのため、放射線の照射が開始されたことを的確に検出することが可能となる。 Further, when the radiation imaging device 1 is started to be irradiated with radiation (see time T1 in FIG. 11), a statistical value based on the leak data leak read in the current read process by at least one read IC16. The dleak_st (z) becomes much larger than the moving average dst_ma (z), and as shown in FIG. 11, the maximum value Δdmax of the difference Δd (z) is surely equal to or more than the threshold value Δdth. Therefore, it is possible to accurately detect that the irradiation of radiation has started.

なお、前述したように、本実施形態では、移動平均dlst_ma(z)を算出する場合、図9に示したように、今回のリークデータdleakの読み出し処理の直前の読み出し処理を含む所定回数(例えば10回)分の過去の各読み出し処理の際に算出された読み出しIC16ごとのリークデータdleakの統計値dleak_st(z)について移動平均dlst_ma(z)を算出するように構成することが可能である。 As described above, in the present embodiment, when the moving average dlst_ma (z) is calculated, as shown in FIG. 9, a predetermined number of times including the reading process immediately before the reading process of the leak data dleak this time (for example, It is possible to calculate the moving average dlst_ma (z) for the leak data dleak statistical value dleak_st (z) for each read IC 16 calculated during each of the past read processes for 10 times).

しかし、このように構成する代わりに、図12に示すように、今回のリークデータdleakの読み出し処理から所定回数(例えば10回や50回等)前の読み出し処理を含む所定回数(例えば10回)分の過去の各読み出し処理の際に算出された読み出しIC16ごとのリークデータdleakの統計値dleak_st(z)について移動平均dlst_ma(z)を算出するように構成することも可能である。 However, instead of configuring in this way, as shown in FIG. 12, a predetermined number of times (for example, 10 times) including a predetermined number of times (for example, 10 times, 50 times, etc.) before the reading process of the leak data dleak this time is included. It is also possible to configure the moving average dlst_ma (z) to be calculated for the leak data dleak statistical value dleak_st (z) for each read IC 16 calculated in each past read process of the minute.

[積算法]
一方、放射線発生装置55から放射線画像撮影装置1に照射される放射線の線量率が非常に小さい場合、上記のようにして算出される読み出しIC16ごとのリークデータdleakの平均値等の統計値dleak_st(z)が小さくなる。そして、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されても、統計値dleak_st(z)が閾値dthA以上にならない場合が生じ得る。
[Integration method]
On the other hand, when the dose rate of the radiation emitted from the radiation generator 55 to the radiation imaging device 1 is very small, the statistical value such as the average value of the leak data dleak for each read IC 16 calculated as described above dleak_st ( z) becomes smaller. Then, even if the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation, there may be a case where the statistical value dleak_st (z) does not exceed the threshold value dthA.

また、上記の差分法を採用する場合も同様に、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された場合の読み出しIC16ごとのリークデータdleakの統計値dleak_st(z)と移動平均dlst_ma(z)との差分Δd(z)が小さくなり、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されても差分Δd(z)が閾値Δdth以上にならなくなる場合が生じ得る。 Similarly, when the above difference method is adopted, the statistical value of leak data dleak for each read IC 16 when the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation and the moving average dlst_ma (z) The difference Δd (z) may become small, and even if the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation, the difference Δd (z) may not exceed the threshold value Δdth.

しかし、それでは、上記の差分法を採用しても、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されているにもかかわらず放射線画像撮影装置1が放射線の照射開始を検出することができなくなる場合が生じ得ることになってしまう。 However, in that case, even if the above difference method is adopted, the radiation imaging device 1 may not be able to detect the start of irradiation even though the radiation imaging device 1 is irradiated with radiation. You will get it.

そこで、例えば、読み出しIC16ごとに、リークデータdleakの統計値dleak_st(z)と移動平均dlst_ma(z)との差分Δd(z)の時間的な積算値(積分値ともいう。)ΣΔdを算出するように構成する。そして、この積算値ΣΔdが閾値ΣΔdth以上になった読み出しIC16があるか否かを判断するように構成することが可能である。なお、この検出方法に基づく放射線の照射開始の検出方法を、以下、積算法という。 Therefore, for example, for each read IC 16, a temporal integrated value (also referred to as an integrated value) ΣΔd of the difference Δd (z) between the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak and the moving average dlst_ma (z) is calculated. It is configured as follows. Then, it can be configured to determine whether or not there is a read IC 16 in which the integrated value ΣΔd is equal to or greater than the threshold value ΣΔdth. The method for detecting the start of radiation irradiation based on this detection method is hereinafter referred to as an integration method.

このように構成すると、図示を省略するが、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されないうちは、リークデータdleakの統計値dleak_st(z)がゆらいで移動平均dlst_ma(z)よりも大きくなったり小さくなったりする。そのため、それらの差分Δd(z)の積算値ΣΔdは0に近い値で推移する。 With this configuration, although not shown, the statistical value of leak data dleak, dleak_st (z), fluctuates and becomes larger or smaller than the moving average dlst_ma (z) until the radiation imaging device 1 is irradiated with radiation. Or become. Therefore, the integrated value ΣΔd of the difference Δd (z) changes at a value close to 0.

しかし、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、リークデータdleakの統計値dleak_st(z)は移動平均dlst_ma(z)よりも有意に大きな値になるため、それらの差分Δd(z)は、正の値になる場合が多くなる。そのため、上記のように構成すれば、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射が開始されると、積算値ΣΔdが増加していき、閾値ΣΔdth以上になる。 However, when the irradiation of the radiation imaging apparatus 1 with radiation is started, the statistical value dleak_st (z) of the leak data dleak becomes a significantly larger value than the moving average dlst_ma (z), and therefore the difference Δd (z) between them. ) Is often a positive value. Therefore, with the above configuration, when the radiation imaging device 1 is started to be irradiated with radiation, the integrated value ΣΔd increases and becomes equal to or higher than the threshold value ΣΔdth.

そのため、放射線発生装置55から放射線画像撮影装置1に照射される放射線の線量が非常に小さい場合でも、放射線画像撮影装置1に対する放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 Therefore, even when the dose of radiation emitted from the radiation generator 55 to the radiation imaging device 1 is very small, it is possible to accurately detect the start of irradiation of the radiation to the radiation imaging device 1.

なお、この積算法では、差分Δd(z)を積算する回数を制限しないと、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されなくても、差分Δd(z)の積算を重ねるうちに積算値ΣΔdが閾値ΣΔdth以上になってしまい、放射線画像撮影装置1に放射線が照射されたと誤検出されてしまう。そこで、積算法を採用する場合には、差分Δd(z)の積算回数を所定の回数に制限することが望ましい。 In this integration method, unless the number of times the difference Δd (z) is integrated is limited, the integrated value ΣΔd will be increased as the difference Δd (z) is integrated even if the radiation imaging apparatus 1 is not irradiated with radiation. The threshold value becomes ΣΔdth or more, and it is erroneously detected that the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation. Therefore, when the integration method is adopted, it is desirable to limit the number of integrations of the difference Δd (z) to a predetermined number.

[本発明に特有の構成等について]
次に、放射線画像撮影装置1における本発明に特有の構成等について説明する。また、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1の作用についてもあわせて説明する。
[About the configuration peculiar to the present invention]
Next, the configuration and the like peculiar to the present invention in the radiation imaging apparatus 1 will be described. In addition, the operation of the radiographic imaging apparatus 1 according to the present embodiment will also be described.

本実施形態では、図13に示すように、前述したセンサー基板4やシンチレーター基板34等で形成されたセンサーパネルSPが、その両端部が筐体2の側面の内部部分にそれぞれ保持される状態で筐体2内に収納されている。なお、図13は、図1と直交方向の断面図である。 In the present embodiment, as shown in FIG. 13, the sensor panel SP formed of the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34 described above is held in a state where both ends thereof are held by internal portions on the side surface of the housing 2. It is housed in the housing 2. Note that FIG. 13 is a cross-sectional view in the direction orthogonal to FIG.

具体的には、本実施形態では、放射線画像撮影装置1の筐体2は、放射線入射面Rを有する角筒状の本体部2Aの両方の側面の開口部に、蓋部材2B、2Cが嵌め込まれるようにして形成される。そして、蓋部材2B、2Cの内側には、本体部2Aへの挿入部2B1、2C1がそれぞれ設けられており、挿入部2B1、2C1にはそれぞれ凹部が形成されている。また、挿入部2B1、2C1の凹部にそれぞれ、断面が略コ字状の緩衝部材2B2、2C2が嵌め込まれている。 Specifically, in the present embodiment, in the housing 2 of the radiation imaging apparatus 1, the lid members 2B and 2C are fitted into the openings on both side surfaces of the square tubular main body 2A having the radiation incident surface R. It is formed so as to be. Inside the lid members 2B and 2C, insertion portions 2B1 and 2C1 into the main body portion 2A are provided, respectively, and recesses are formed in the insertion portions 2B1 and 2C1, respectively. Further, buffer members 2B2 and 2C2 having a substantially U-shaped cross section are fitted into the recesses of the insertion portions 2B1 and 2C1, respectively.

そして、センサーパネルSPを筐体2の本体部2Aに挿入した後、本体部2Aの開口に蓋部材2B、2Cを嵌め込む際、蓋部材2B、2Cの内側に設けられた緩衝部材2B2、2C2に、センサーパネルSPの両端部を嵌め込むようにすることで、センサーパネルSPの両端部が筐体2の側面の内部部分にそれぞれ保持される状態でセンサーパネルSPが筐体2内に収納されるようになっている。 Then, when the lid members 2B and 2C are fitted into the openings of the main body 2A after the sensor panel SP is inserted into the main body 2A of the housing 2, the cushioning members 2B2 and 2C2 provided inside the lid members 2B and 2C By fitting both ends of the sensor panel SP into the housing 2, the sensor panel SP is housed in the housing 2 in a state where both ends of the sensor panel SP are held in the inner portions of the side surfaces of the housing 2. It has become so.

そのため、本実施形態の放射線画像撮影装置1では、センサーパネルSPは、その端部が、緩衝部材2B2、2C2や緩衝材35(図1参照)を介して筐体2の内部に支持されているだけであり、センサーパネルSPの他の部分は筐体2には保持されていない。すなわち、センサーパネルSPは、緩衝部材2B2、2C2や緩衝材35に支持されている端部以外は、いわば浮いている状態になっている。 Therefore, in the radiation imaging apparatus 1 of the present embodiment, the end portion of the sensor panel SP is supported inside the housing 2 via the cushioning members 2B2, 2C2 and the cushioning material 35 (see FIG. 1). However, other parts of the sensor panel SP are not held in the housing 2. That is, the sensor panel SP is in a floating state except for the end portions supported by the cushioning members 2B2 and 2C2 and the cushioning material 35.

そして、このように構成すると、例えば放射線画像撮影装置1を落下させる等して筐体2に大きな衝撃が加わっても、センサーパネルSPには、その衝撃が緩衝部材2B2、2C2や緩衝材35を介して伝わるため、センサーパネルSPがさほど大きなダメージを受けずに済むというメリットがある。 With this configuration, even if a large impact is applied to the housing 2 by dropping the radiation imaging device 1, for example, the impact causes the cushioning members 2B2, 2C2 and the cushioning material 35 to be applied to the sensor panel SP. Since it is transmitted through the sensor panel SP, there is an advantage that the sensor panel SP does not receive much damage.

一方、このような構成では、センサーパネルSPに筐体2から振動が伝わった場合、その後、筐体2の振動が収まっても、その内部でセンサーパネルSPの振動がしばらく続く状態(すなわち振動減衰時間が長い状態)になる場合があることが分かってきた。 On the other hand, in such a configuration, when vibration is transmitted from the housing 2 to the sensor panel SP, even if the vibration of the housing 2 subsides thereafter, the vibration of the sensor panel SP continues for a while inside (that is, vibration damping). It has become clear that it may take a long time.

このようにセンサーパネルSPが振動すると、センサーパネルSPを構成するセンサー基板4やシンチレーター基板34等に内在している残留電荷が局所的に集中して電位バランスが乱れ、各放射線検出素子7等に与える影響の度合が振動により変化し、上記の第1の検出方式を採用した場合に、読み出されるリークデータdleak等の値がその影響(すなわち電位バランスの変動)で変化して閾値dleak_th以上になり、放射線が照射されていないにもかかわらず、放射線の照射が開始されたと誤検出してしまう場合がある。 When the sensor panel SP vibrates in this way, the residual charges inherent in the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34, etc., which constitute the sensor panel SP, are locally concentrated and the potential balance is disturbed, and the radiation detection elements 7 and the like are affected. The degree of influence changes due to vibration, and when the above-mentioned first detection method is adopted, the value of the read leak data dleak or the like changes due to the influence (that is, fluctuation of the potential balance) and becomes equal to or higher than the threshold dleak_th. , Even though the radiation is not irradiated, it may be erroneously detected that the radiation irradiation has started.

そして、図1や図13に示したような構成では、上記のように筐体2の内部でセンサーパネルSPの振動がしばらく続く状態になる場合があるため、上記のような振動等による放射線の照射開始の誤検出が生じ易く可能性がある。 Then, in the configuration shown in FIGS. 1 and 13, the vibration of the sensor panel SP may continue for a while inside the housing 2 as described above, so that the radiation due to the vibration or the like as described above may be generated. False detection of the start of irradiation may occur easily.

そこで、本実施形態では、以下に示すような特有の構成を採用することにより、放射線の照射開始の誤検出等が生じないようにするための工夫がなされている。 Therefore, in the present embodiment, by adopting a peculiar configuration as shown below, a device is made to prevent erroneous detection of the start of radiation irradiation and the like.

なお、図13では、角筒状の本体部2Aの開口部に蓋部材2B、2Cを嵌め込んで筐体2を形成する場合について説明したが、例えば上側部材と下側部材とを合わせて筐体とする、いわゆる弁当箱タイプの筐体であって、下側部材上に緩衝部材を設け、当該緩衝部材上にセンサーパネルSPを載せ、最後に上側部材を被せ、上下部材をネジ等で固定する組立方法でも、上記の本実施形態と同様の問題を有している。従って、筐体2が弁当箱タイプの放射線画像撮影装置にも、本発明を適用することができる。 Although the case where the lid members 2B and 2C are fitted into the opening of the square tubular main body 2A to form the housing 2 is described in FIG. 13, for example, the upper member and the lower member are combined to form a housing. It is a so-called lunch box type housing that is a body, and a cushioning member is provided on the lower member, the sensor panel SP is placed on the cushioning member, the upper member is finally covered, and the upper and lower members are fixed with screws or the like. The assembly method to be performed also has the same problems as those in the present embodiment described above. Therefore, the present invention can also be applied to a radiation imaging device in which the housing 2 is a lunch box type.

[特有の構成1]
図14に、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1のセンサーパネルSPの端部付近のより詳しい構成を表す断面図を示す。
[Unique configuration 1]
FIG. 14 shows a cross-sectional view showing a more detailed configuration near the end of the sensor panel SP of the radiation imaging apparatus 1 according to the present embodiment.

なお、図14では、センサーパネルSPの下面側のPCB33や電子部品32、バッテリー24、放射線センサー25等(図1等参照)の図示が省略されている。また、図14において、44は、入出力端子11に接続されているフレキシブル回路基板を表し、45は、接着剤37を介して外気中の湿気が内部空間IS内に流入すること等を防止するための防湿絶縁樹脂を表す。また、図示を省略するが、フレキシブル回路基板44上に、前述した読み出しIC16等が組み込まれており、また、このフレキシブル回路基板44を介してセンサー基板4上の走査線5や信号線6、バイアス線9等がセンサーパネルSP下側の電子機器32に接続される。 In FIG. 14, the PCB 33 on the lower surface side of the sensor panel SP, the electronic component 32, the battery 24, the radiation sensor 25, etc. (see FIG. 1 and the like) are not shown. Further, in FIG. 14, 44 represents a flexible circuit board connected to the input / output terminal 11, and 45 prevents moisture in the outside air from flowing into the internal space IS via the adhesive 37. Represents a moisture-proof insulating resin for use. Further, although not shown, the above-mentioned readout IC 16 and the like are incorporated on the flexible circuit board 44, and the scanning line 5, the signal line 6, and the bias on the sensor board 4 pass through the flexible circuit board 44. The wire 9 and the like are connected to the electronic device 32 under the sensor panel SP.

図14に示すように、本実施形態では、走査線5や信号線6、放射線検出素子7、TFT8、バイアス線9等が上面4a上に形成されたセンサー基板4と、シンチレーター3を支持するシンチレーター基板34とが、放射線検出素子7とシンチレーター3とが対向する状態で配置されている。なお、図14では、放射線検出素子7等が平坦化層36で充填され、シンチレーターと放射線検出素子との相対位置関係が一定となるように構成されており、振動による電位バランスや寄生容量等の変動を生じ難い構成(すなわち前述したマイクロフォニック影響を受け難い構成)としている。 As shown in FIG. 14, in the present embodiment, the sensor substrate 4 in which the scanning line 5, the signal line 6, the radiation detection element 7, the TFT 8, the bias line 9, and the like are formed on the upper surface 4a, and the scintillator supporting the scintillator 3 The substrate 34 is arranged so that the radiation detection element 7 and the scintillator 3 face each other. In FIG. 14, the radiation detection element 7 and the like are filled with the flattening layer 36 so that the relative positional relationship between the scintillator and the radiation detection element is constant, and the potential balance due to vibration, the parasitic capacitance, and the like are checked. The configuration is such that fluctuations are unlikely to occur (that is, the configuration is less susceptible to the microphonic effects described above).

そして、センサー基板4とシンチレーター基板34との間隙部分の、放射線検出素子7やシンチレーター3の周囲の部分に塗布され、最終的に硬化処理された接着剤37により、センサー基板4とシンチレーター基板34とが貼り付けられ、相対位置関係が固定されるようになっている。なお、本実施形態では、センサー基板4とシンチレーター基板34との貼り付けの際、センサー基板4とシンチレーター基板34と接着剤37で囲まれた内部空間ISが減圧されるように、接着剤37の一部に減圧吸気用の開口を設け、然る後、当該開口に接着剤37を充填し最終的に硬化処理されるようになっている。本実施形態では、接着剤37として熱硬化性の樹脂や紫外線硬化性の樹脂等の既知の接着剤を用いることが可能であるが、硬化のプロセスが短時間で済むことから、紫外線処理により硬化する紫外線硬化性の接着剤を使用することが好ましい。 Then, the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34 are formed by the adhesive 37 which is applied to the peripheral portion of the radiation detection element 7 and the scintillator 3 in the gap portion between the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34 and finally cured. Is pasted so that the relative positional relationship is fixed. In the present embodiment, when the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34 are attached, the adhesive 37 is used so that the internal space IS surrounded by the sensor substrate 4, the scintillator substrate 34, and the adhesive 37 is depressurized. An opening for decompression intake is provided in a part thereof, and then the opening is filled with an adhesive 37 and finally cured. In the present embodiment, it is possible to use a known adhesive such as a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin as the adhesive 37, but since the curing process can be completed in a short time, it is cured by ultraviolet treatment. It is preferable to use a UV curable adhesive.

また、シンチレーター基板34等の反りを防止するために、シンチレーター基板34の上面(すなわちシンチレーター3が形成された面とは反対側の面)に、反り防止層38を設けることができる。例えば、シンチレーター基板34と熱膨張或いは熱収縮の異なる材料を接着或いは塗布することによって、シンチレーター基板34の反りを抑制することができる。本発明の反り防止層38に用いられる材料としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、セルロースアセテート、ポリアミド、ポリイミド、ポリエーテルイミド、エポキシ、ポリアミドイミド、ビスマレイイミド、フッ素樹脂、アクリル、ポリウレタン、アラミド、ナイロン、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルサルフォン、ポリサルフォン、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマー、炭素繊維強化樹脂シート等が挙げられる。そして、これらのうちの1つの材料を用いて単独の層として反り防止層38を形成してもよく、また、複数の材料からなる層を積層して反り防止層38を形成してもよい。さらに、シンチレーター基板34と反り防止層38の間に接着層や導電層、防湿層等の他の機能層を設けることも可能である。 Further, in order to prevent the scintillator substrate 34 and the like from warping, a warp prevention layer 38 can be provided on the upper surface of the scintillator substrate 34 (that is, the surface opposite to the surface on which the scintillator 3 is formed). For example, the warpage of the scintillator substrate 34 can be suppressed by adhering or applying a material having a different thermal expansion or contraction to the scintillator substrate 34. Materials used for the warp prevention layer 38 of the present invention include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, cellulose acetate, polyamide, polyimide, polyetherimide, epoxy, polyamideimide, bismarayimide, fluororesin, acrylic, polyurethane, aramid, and the like. Examples thereof include nylon, polycarbonate, polyphenylene sulfide, polyether sulfone, poly sulfone, polyether ether ketone, liquid crystal polymer, and carbon fiber reinforced resin sheet. Then, one of these materials may be used to form the warp prevention layer 38 as a single layer, or layers made of a plurality of materials may be laminated to form the warp prevention layer 38. Further, another functional layer such as an adhesive layer, a conductive layer, and a moisture-proof layer can be provided between the scintillator substrate 34 and the warp prevention layer 38.

本実施形態では、特有の構成1として、図14に示すように、このシンチレーター基板34の上面側の、例えば、シンチレーター基板34と樹脂層38との間に、例えばITO(Indium Tin Oxide)等からなる導電層39が形成されている。しかし、これに限られるものではなく、構成される導電性材料としては有機系、無機系いずれでも構わない。有機系としては、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアセチレン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチエニレンビニレン、ポリフルオレン、ポリアセン、ポリ(3,4−ジアルキルピロール)、ポリ(アニリンスルホン酸)等の導電性高分子や、カーボン等が挙げられる。無機系としては アルミニウム、銅、銀、ニッケル等の金属や、SiO2、TiO2、Al2O3、ZrO2、MgO、ZnO等の金属酸化物やインジウム金属酸化物(In2O3)とスズ金属酸化物とからなるITO等が挙げられる。 In the present embodiment, as a unique configuration 1, as shown in FIG. 14, from, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or the like on the upper surface side of the scintillator substrate 34, for example, between the scintillator substrate 34 and the resin layer 38. The conductive layer 39 is formed. However, the present invention is not limited to this, and the conductive material to be composed may be either an organic material or an inorganic material. Organic systems include polypyrrole, polyaniline, polythiophene, polyisothianaphene, polyethylenedioxythiophene, polyacetylene, polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polythienylene vinylene, polyfluorene, polyacene, and poly (3,4-dialkylpyrrole). ), Poly (aniline sulfonic acid) and other conductive polymers, carbon and the like. Examples of the inorganic system include metals such as aluminum, copper, silver and nickel, metal oxides such as SiO2, TiO2, Al2O3, ZrO2, MgO and ZnO, and ITO composed of indium metal oxide (In2O3) and tin metal oxide. Can be mentioned.

導電層39は、導電性材料を基板上に付与されたシート状、テープ状のものや、有機繊維の表面に極めて薄い金属をメッキして得られる導電布が挙げられる。シート状、テープ状の導電部材はシート表面上に接着層があってもよく、剥離帯電等の発生を防止するためにシンチレーター基板34や、反り防止層38と全面で接着されていることが好ましい。 Examples of the conductive layer 39 include a sheet-like or tape-like material in which a conductive material is applied on a substrate, and a conductive cloth obtained by plating an extremely thin metal on the surface of an organic fiber. The sheet-shaped or tape-shaped conductive member may have an adhesive layer on the sheet surface, and is preferably adhered to the scintillator substrate 34 or the warp prevention layer 38 on the entire surface in order to prevent the occurrence of peeling charge or the like. ..

導電層39の作製方法としては、導電性材料を含む塗工剤をシート状やテープ状の基材状に塗布し皮膜を形成する溶液塗布方式や押し出しコーティング方式の他、導電性成分を溶融させた熱可塑性樹脂中に練り込み成形する練り込み方式、金属(ターゲット)を真空中で加熱蒸着させ基板表面上にコートする蒸着方式、スパッタ方式や、皮膜状の導電性物質を基材と貼り合わせるラミネート方式等が挙げられる。また、所望の形状に導電性材料を各種印刷方式を用いて印刷をしてもよい。 As a method for producing the conductive layer 39, a coating agent containing a conductive material is applied to a sheet or tape-like substrate to form a film, a solution coating method or an extrusion coating method, or a conductive component is melted. A kneading method in which the metal (target) is heated and vapor-deposited in a vacuum and coated on the substrate surface, a sputtering method, or a film-like conductive substance is bonded to the base material. A laminating method and the like can be mentioned. Further, the conductive material may be printed on a desired shape by using various printing methods.

これら導電部材の表面抵抗値は、一般に帯電防止用途の場合には10Ω/□〜10Ω/□、導電用途の場合には10Ω/□以下が好ましい。 The surface resistance of these conductive members, in the case of general antistatic applications 10 9 Ω / □ ~10 5 Ω / □, in the case of conductive applications preferably 10 5 Ω / □ or less.

そして、導電層39には導電フィルム40が接続されており、この導電フィルム40が図14では図示を省略するが、電子機器32(図1や図13参照)の基準GND(共通GND等ともいう。以下同じ。)に電気的に接続されるようになっている。具体的には、図14に示すように、シンチレーター基板34の上面に導電層39を積層して形成する。そして、その上方に反り防止層38を貼り付ける等して配置する。 A conductive film 40 is connected to the conductive layer 39, and the conductive film 40 is not shown in FIG. 14, but is also referred to as a reference GND (common GND or the like) of the electronic device 32 (see FIGS. 1 and 13). The same applies below.) It is electrically connected. Specifically, as shown in FIG. 14, the conductive layer 39 is laminated on the upper surface of the scintillator substrate 34. Then, the warp prevention layer 38 is attached and arranged above the warp prevention layer 38.

そして、その際、センサーパネルSPを上方から見た図15に示すように、例えば、反り防止層38の一部を切り欠いておき、導電層39を露出させる。そして、その部分に、図示しない導電性の両面テープ等を介して導電フィルム40を接着する等して取り付ける。 Then, at that time, as shown in FIG. 15 when the sensor panel SP is viewed from above, for example, a part of the warp prevention layer 38 is cut out to expose the conductive layer 39. Then, the conductive film 40 is attached to the portion by adhering it to the portion via a conductive double-sided tape (not shown) or the like.

また、導電層39そのものを延出させて導電フィルム40としてもよい。導電層39と導電フィルム40を一体として形成する場合、画像が形成されるシンチレータ上(すなわち導電層39部分)は導電性高分子等の放射線透過性の良い材料で構成することが好ましく、導電フィルム40部分は小面積で高い導電機能が求められるため例えば金属等を密にするように形成することが好ましい。このように、導電層39と導電フィルム40を一体的に形成する場合でも導電層39の部分と導電フィルム40の部分とで別々の材料を使用することも可能であり、或いは、例えば導電層39の部分と導電フィルム40の部分とをともに導電性高分子等で形成し、導電フィルム40の部分にはさらに金属等を導電性高分子中に配置したり、或いは金属層を設ける等して多層化するように構成することも可能である。また、導電層39や導電フィルム40に保護層や腐食防止層等の機能層を付与することも可能である。 Further, the conductive layer 39 itself may be extended to form the conductive film 40. When the conductive layer 39 and the conductive film 40 are integrally formed, it is preferable that the scintillator on which the image is formed (that is, the conductive layer 39 portion) is made of a material having good radiation permeability such as a conductive polymer, and the conductive film. Since the 40 portion has a small area and is required to have a high conductive function, it is preferable to form the 40 portion so that, for example, a metal or the like is densely formed. In this way, even when the conductive layer 39 and the conductive film 40 are integrally formed, it is possible to use different materials for the portion of the conductive layer 39 and the portion of the conductive film 40, or for example, the conductive layer 39. And the part of the conductive film 40 are both formed of a conductive polymer or the like, and a metal or the like is further arranged in the conductive polymer or a metal layer is provided on the part of the conductive film 40 to form a multilayer. It is also possible to configure it to be. It is also possible to add a functional layer such as a protective layer or a corrosion prevention layer to the conductive layer 39 and the conductive film 40.

そして、導電フィルム40を延出させた舌状の部分を、基台31の、シンチレーター基板34等が設けられた側とは反対側に設けられた電子部品32が配設されたセンサーパネルSPの下面側に引き回して、電子部品32の基準GND電極等に接続する等して、導電フィルム40を介して導電層39を電子機器32の基準GNDに電気的に接続するように構成される。 Then, the tongue-shaped portion in which the conductive film 40 is extended is provided on the sensor panel SP on which the electronic component 32 provided on the side of the base 31 opposite to the side on which the scintillator substrate 34 or the like is provided is arranged. The conductive layer 39 is electrically connected to the reference GND of the electronic device 32 via the conductive film 40 by being routed to the lower surface side and connected to the reference GND electrode of the electronic component 32 or the like.

本実施形態では、センサーパネルSPを下側から見た図16に示すように、センサーパネルSPの裏面側には、電子機器32やバッテリー24等のほか、前述したフレキシブル回路基板44を介してセンサー基板4の表面側の信号線6(図2等参照)と接続される基板46(以下、読み出し基板46という。)や、フレキシブル回路基板44を介してセンサー基板4の表面側の走査線5と接続される基板47(以下、ゲート基板47という。)等が設けられている。なお、読み出し基板46やゲート基板47も電子機器32に含まれる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 16 when the sensor panel SP is viewed from below, a sensor is placed on the back surface side of the sensor panel SP via an electronic device 32, a battery 24, etc., as well as the above-mentioned flexible circuit board 44. A substrate 46 (hereinafter referred to as a readout substrate 46) connected to a signal line 6 (see FIG. 2 and the like) on the surface side of the substrate 4, and a scanning line 5 on the surface side of the sensor substrate 4 via a flexible circuit board 44. A substrate 47 to be connected (hereinafter referred to as a gate substrate 47) and the like are provided. The readout board 46 and the gate board 47 are also included in the electronic device 32.

また、電子機器32と読み出し基板46やゲート基板47等とがハーネス48を介してそれぞれ接続されている。なお、バッテリー24や電子機器32、読み出し基板46、ゲート基板47、図16では図示を省略したアンテナ51やコネクター52(図3参照)等を結ぶ配線等については、図示を省略した。 Further, the electronic device 32 and the read-out board 46, the gate board 47, and the like are connected via the harness 48, respectively. The wiring for connecting the battery 24, the electronic device 32, the readout board 46, the gate board 47, the antenna 51 and the connector 52 (see FIG. 3), which are not shown in FIG. 16, is not shown.

そして、本実施形態では、例えば読み出し基板46やゲート基板47には、基準GND電極46a、47aが露出された部分が形成されており、それらの部分にネジ46b、47bで配線等を締め付けて固定できるようになっている。
なお、各基準GND電極46a、47aは、これらの各電極を同電位に保つべく、共通の導電パターン部(図示を省略)と接続されている。
Then, in the present embodiment, for example, the read-out substrate 46 and the gate substrate 47 are formed with exposed portions of the reference GND electrodes 46a and 47a, and the wiring and the like are tightened and fixed to these portions with screws 46b and 47b. You can do it.
The reference GND electrodes 46a and 47a are connected to a common conductive pattern portion (not shown) in order to keep these electrodes at the same potential.

そこで、上記のようにシンチレーター基板34の上面に形成された導電層39に取り付けられた導電フィルム40(図14参照)をセンサーパネルSPの下面側に引き回し、上記のように読み出し基板46やゲート基板47の基準GND電極46a、47aにネジ46b、47bで固定する等して取り付けることで、導電フィルム40を介して導電層39を電子機器32の基準GNDに電気的に接続するように構成することが可能である。 Therefore, the conductive film 40 (see FIG. 14) attached to the conductive layer 39 formed on the upper surface of the scintillator substrate 34 as described above is routed to the lower surface side of the sensor panel SP, and the readout substrate 46 and the gate substrate are routed as described above. By attaching to the reference GND electrodes 46a, 47a of 47 by fixing them with screws 46b, 47b, etc., the conductive layer 39 is configured to be electrically connected to the reference GND of the electronic device 32 via the conductive film 40. Is possible.

前述したように、放射線画像撮影装置1に振動等が加わると、センサーパネルSPが振動し、センサーパネルSPを構成するセンサー基板4やシンチレーター基板34等に発生している残留電荷の、各放射線検出素子7等に与える影響の度合が振動により変化すること(すなわち全体分散から局所的に集中して電位バランスを乱すこと)が一因となり、その影響でリークデータdleak等の値が変化して閾値dleak_th以上になり、放射線の照射
が開始されたと誤検出してしまう場合があった。
As described above, when vibration or the like is applied to the radiation imaging apparatus 1, the sensor panel SP vibrates, and each radiation detection of the residual charge generated on the sensor substrate 4 and the scintillator substrate 34 constituting the sensor panel SP is detected. One of the causes is that the degree of influence on the element 7 and the like changes due to vibration (that is, the potential balance is disturbed by locally concentrating from the total dispersion), and the value of the leak data leak etc. changes due to the influence and the threshold value. When it became dleak_th or higher, it may be erroneously detected that the irradiation of radiation was started.

しかし、上記の特有の構成1のように構成し、シンチレーター基板34の上面に導電層39を形成し、導電フィルム40等を介して電子機器32の基準GNDに電気的に接続するように構成することで、シンチレーター基板34に残留電荷が存在しても、導電層39により分散され、局所的集中が発生いないため、電位バランスがくずれることがなく、読み出されるリークデータdleak等への影響を低減させることができる。 However, it is configured as in the above-mentioned unique configuration 1, a conductive layer 39 is formed on the upper surface of the scintillator substrate 34, and is electrically connected to the reference GND of the electronic device 32 via the conductive film 40 or the like. As a result, even if residual charges are present on the scintillator substrate 34, they are dispersed by the conductive layer 39 and local concentration does not occur, so that the potential balance is not disturbed and the influence on the leak data leak to be read is reduced. be able to.

[効果]
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、シンチレーター基板34の上面側に導電層39を形成し、当該導電層39が電子機器32の基準GNDに電気的に接続されるように構成した。そして、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する第1の検出方式と、放射線センサー25の出力値に基づいて放射線の照射開始を検出する第2の検出方式のいずれかの方式により、または両方の方式により放射線の照射開始を検出した場合には、スイッチ素子であるTFT8をオフ状態として電荷蓄積状態に移行させて放射線画像撮影を行うように構成した。
[effect]
As described above, according to the radiation imaging apparatus 1 according to the present embodiment, the conductive layer 39 is formed on the upper surface side of the scintillator substrate 34, and the conductive layer 39 is electrically connected to the reference GND of the electronic device 32. It was configured to. Then, the control means 22 of the radiation imaging apparatus 1 is based on the first detection method for detecting the start of radiation irradiation based on the data from each radiation detection element 7 and the radiation detection pixel, and the output value of the radiation sensor 25. When the start of radiation irradiation is detected by one of the second detection methods for detecting the start of radiation irradiation based on the above, or by both methods, the switch element TFT8 is turned off and the charge is accumulated. It was configured to shift and take radiographic images.

そのため、シンチレーター基板34に、製造過程上で残留電荷が存在したままとなっても、導電層39により分散され、局所的集中が発生しないため、電位バランスがくずれることがなく、読み出されるリークデータdleak等への影響を低減させることができる。また、製造工程で発生する静電気や剥離帯電等によりシンチレーター基板34に内在残留してしまう電荷(静電気)の除去率も100%ではなくても、所定のレベルまでを許容することとなるので、製造歩留まりの向上も可能となる。 Therefore, even if the residual charge remains on the scintillator substrate 34 during the manufacturing process, it is dispersed by the conductive layer 39 and local concentration does not occur, so that the potential balance is not disturbed and the leak data is read out. It is possible to reduce the influence on the above. Further, even if the removal rate of the electric charge (static electricity) inherently remaining on the scintillator substrate 34 due to the static electricity generated in the manufacturing process or the peeling charge is not 100%, it is allowed to reach a predetermined level. It is also possible to improve the yield.

また、導電層39は、放射線画像撮影装置1に照射された放射線がシンチレーター3に到達することを阻害しないため、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された場合には、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータの値が的確に増加する。そのため、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された場合には、第1の検出方式や第2の検出方式の少なくともいずれかで放射線の照射が開始されたことが検出されるため、本実施形態に係る放射線画像撮影装置1によれば、放射線画像撮影装置1に放射線が照射された場合には放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。
なお、導電層39の厚さを変えても(すなわち、例えば厚さを50μm、100μm、150μmに変化させても)、上記の効果に差異は少なく、導電層を設けること自体が重要である知見も得られている。
Further, since the conductive layer 39 does not prevent the radiation irradiated to the radiation imaging device 1 from reaching the scintillator 3, when the radiation imaging device 1 is irradiated with radiation, each radiation detecting element 7 or The value of the data from the radiation detection pixel increases accurately. Therefore, when the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation, it is detected that the radiation irradiation is started by at least one of the first detection method and the second detection method. According to the radiation imaging apparatus 1 according to the above, when the radiation imaging apparatus 1 is irradiated with radiation, it is possible to accurately detect the start of irradiation of the radiation.
It should be noted that even if the thickness of the conductive layer 39 is changed (that is, even if the thickness is changed to 50 μm, 100 μm, 150 μm, for example), there is little difference in the above effects, and it is important to provide the conductive layer itself. Has also been obtained.

[特有の構成2]
一方、前述したように、センサーパネルSPには、放射線画像撮影装置1に照射された放射線がセンサーパネルSPの下面側の電子機器32に到達しないように、放射線を遮蔽するための鉛の薄板が設けられているが、例えば、その鉛の薄板を上記の導電層39と同様に活用して、センサー基板4に発生する静電気を除去するように構成することも可能である。
[Unique configuration 2]
On the other hand, as described above, the sensor panel SP is provided with a thin lead plate for shielding the radiation so that the radiation irradiated to the radiation imaging device 1 does not reach the electronic device 32 on the lower surface side of the sensor panel SP. Although it is provided, for example, it is also possible to utilize the thin plate of lead in the same manner as the above-mentioned conductive layer 39 to remove static electricity generated in the sensor substrate 4.

具体的には、図14に示すように、本実施形態では、センサー基板4とその下方の基台31との間に、緩衝材41と鉛の薄板42が設けられている。なお、100〜200μm厚の鉛の薄板42は、それ自体では容易に撓んでしまうため、本実施形態では、導電性PETの樹脂板43、43で鉛の薄板42を上下から挟んで鉛の薄板42の平面性を確保するように構成されている。 Specifically, as shown in FIG. 14, in the present embodiment, a cushioning material 41 and a lead thin plate 42 are provided between the sensor substrate 4 and the base 31 below the sensor substrate 4. Since the lead thin plate 42 having a thickness of 100 to 200 μm easily bends by itself, in the present embodiment, the lead thin plate 42 is sandwiched between the conductive PET resin plates 43 and 43 from above and below. It is configured to ensure the flatness of 42.

そして、この特有の構成2では、図14に示すように、この鉛の薄板42を、上記の導電層39の場合と同様にセンサーパネルSPの下面側に配設されている電子部品32の基準GNDに電気的に接続するように構成することが可能である。 Then, in this unique configuration 2, as shown in FIG. 14, the lead thin plate 42 is used as a reference for the electronic component 32 arranged on the lower surface side of the sensor panel SP as in the case of the conductive layer 39. It can be configured to be electrically connected to the GND.

この場合、基準GND(例えば図16に示した読み出し基板46やゲート基板47の基準GND電極46a、47a)には、前述した導電フィルム40と鉛板とがともに固定される、いわゆる共締の状態となり、センサーパネルSP全体にわたる電位バランスが安定化し、前述した局所的集中が生じ難くなる。 In this case, the conductive film 40 and the lead plate are both fixed to the reference GND (for example, the reference GND electrodes 46a and 47a of the readout substrate 46 and the gate substrate 47 shown in FIG. 16), that is, a so-called co-tightening state. Therefore, the potential balance over the entire sensor panel SP is stabilized, and the above-mentioned local concentration is less likely to occur.

なお、従来の放射線画像撮影装置1のセンサーパネルSPでは、鉛の薄板42が電子機器32の上側部分にのみ形成され、センサー基板4の端部部分には形成されない場合があった。しかし、そのように構成すると、センサー基板の端部部分に残留電荷が存在していた場合には、振動等によって局所的集中を起こし電位バランスを乱すことがあり、放射線照射開始の誤検出を招く虞れがあるが、図14に示すように、鉛の薄板42をセンサー基板4の端部部分まで延設するように構成することで、当該リスクを低減できる。 In the sensor panel SP of the conventional radiographic imaging apparatus 1, the lead thin plate 42 may be formed only on the upper portion of the electronic device 32 and not on the end portion of the sensor substrate 4. However, with such a configuration, if residual charges are present at the end of the sensor substrate, local concentration may occur due to vibration or the like and the potential balance may be disturbed, leading to erroneous detection of the start of irradiation. Although there is a risk, as shown in FIG. 14, the risk can be reduced by configuring the lead thin plate 42 to extend to the end portion of the sensor substrate 4.

また、上記の特有の構成1や特有の構成2を採用しても、図14に示すように、入出力端子11等(図2参照)が形成された、センサー基板4の端部部分の上面4a側の部分の静電気は除去し難い。 Further, even if the above-mentioned unique configuration 1 or unique configuration 2 is adopted, as shown in FIG. 14, the upper surface of the end portion of the sensor substrate 4 on which the input / output terminals 11 and the like (see FIG. 2) are formed. It is difficult to remove the static electricity on the 4a side.

上記のフレキシブル回路基板44は、センサー基板4の端部に残留する残留電荷の局所集中の影響を受け易く、鉛の薄板42をセンサー基板4の端部部分まで延設するように構成することで、当該影響を抑制することが可能となる。
また、防湿絶縁樹脂45表面やフレキシブル回路基板44については、センサーパネルSPの製造工程で残留電荷が内在すると、低レベルの振動でも局所的集中により大きなノイズが信号値に重畳し易く、残留電荷が発生することがないように充分な(100%の)除電を行う必要がある。
The flexible circuit board 44 is susceptible to the local concentration of residual charges remaining on the end of the sensor board 4, and the lead thin plate 42 is configured to extend to the end of the sensor board 4. , It is possible to suppress the influence.
Further, regarding the surface of the moisture-proof insulating resin 45 and the flexible circuit board 44, if residual charges are inherent in the manufacturing process of the sensor panel SP, large noise is likely to be superimposed on the signal value due to local concentration even at low level vibration, and the residual charges are generated. It is necessary to perform sufficient (100%) static elimination so that it does not occur.

また、センサーパネルSPを筺体2の一方の開口より装填する際に、図1に示されたように、両サイドの緩衝材35が、それぞれ角筒状筺体の内壁とこすられながら装填されるので、摩擦帯電による残留電荷を生じる可能性がある。特開2010−160044号公報の図6及び図7にも示されたように、当該緩衝材35と前述するフレキシブル回路基板は、互い違いに配置されているので、やはり、当該残留電荷の局所的集中の影響を受けてしまう。 Further, when the sensor panel SP is loaded from one opening of the housing 2, as shown in FIG. 1, the cushioning materials 35 on both sides are loaded while being rubbed against the inner wall of the square tubular housing. , May generate residual charge due to triboelectric charging. As shown in FIGS. 6 and 7 of JP-A-2010-160044, since the cushioning material 35 and the flexible circuit board described above are arranged alternately, the residual charge is also locally concentrated. Will be affected by.

従って、同公報の図7に示されるように、各緩衝材にまたがり、装填を円滑として摩擦帯電を生じ難くする滑り部材(PET等のシート)を設けることが好ましい。また、当該滑り部材を導電性とし、同公報の図11のように上下に折り曲げ、フレキシブル回路基板を覆うようにすることで、残留電荷の局所的集中を防止でき好ましい。また、緩衝材自体も導電性とすることが好ましい。さらに、フレキシブル回路基板が、開口部に挿入する辺側に配置されている場合には、特開2010−276659号公報に開示された、1枚の導電性の滑りシートを上下方向に折り曲げて配置し、フレキシブル回路基板周辺部を覆うことで、残留電荷の局所的集中を防止でき好ましい。 Therefore, as shown in FIG. 7 of the same publication, it is preferable to provide a sliding member (sheet such as PET) straddling each cushioning material to facilitate loading and prevent triboelectric charging. Further, it is preferable that the sliding member is made conductive and bent up and down as shown in FIG. 11 of the same publication to cover the flexible circuit board, so that local concentration of residual charge can be prevented. Further, it is preferable that the cushioning material itself is also conductive. Further, when the flexible circuit board is arranged on the side to be inserted into the opening, one conductive sliding sheet disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-276658 is arranged by being bent in the vertical direction. However, it is preferable to cover the peripheral portion of the flexible circuit board because local concentration of residual charge can be prevented.

[特有の構成3]
また、例えば図17に示すように、センサーパネルSPの基台31の下面側、すなわち例えばPCB基板33の下面側等に、センサーパネルSPに生じた加速度を検出する加速度センサー26を設けるように構成することも可能である。この場合、加速度センサー26は、例えば加速度を3次元的或いは平面的に検出する、いわゆる3次元センサーや2次元センサーでもよいが、少なくともセンサーパネルSPの上下方向の加速度を検出することができるものが用いられる。
[Unique configuration 3]
Further, for example, as shown in FIG. 17, an acceleration sensor 26 for detecting the acceleration generated in the sensor panel SP is provided on the lower surface side of the base 31 of the sensor panel SP, that is, on the lower surface side of the PCB substrate 33, for example. It is also possible to do. In this case, the acceleration sensor 26 may be, for example, a so-called three-dimensional sensor or a two-dimensional sensor that detects the acceleration three-dimensionally or two-dimensionally, but at least one that can detect the acceleration in the vertical direction of the sensor panel SP. Used.

そして、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、前述したように、上記の第1の検出方式(各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式)と第2の検出方式(放射線センサー25の出力値に基づく検出方式)のいずれかの方式により放射線の照射開始を検出した場合、或いは両方の方式により放射線の照射開始を検出した場合に、全てのTFT8をオフ状態として電荷蓄積状態(図6参照)に移行させる。 Then, as described above, the control means 22 of the radiation imaging apparatus 1 has the above-mentioned first detection method (detection method based on data from each radiation detection element 7 and radiation detection pixel) and the second detection method. When the start of radiation irradiation is detected by any of the methods (detection method based on the output value of the radiation sensor 25), or when the start of radiation irradiation is detected by both methods, all TFTs 8 are turned off and charged. It shifts to the accumulation state (see FIG. 6).

なお、第1の検出方式における照射開始の判断に必要な処理時間を基本周期として設定し、第2の検出方式は、当該基本周期の間に、放射線センサー25自身の検出サイクルを複数回回せる(複数回の判断結果が算出される)よう構成し、複数回連続して照射開始と判断された場合にのみ、第2検出方式は照射開始と総合判断することで、放射線センサー25への単発的なノイズに対応することが可能となる。 The processing time required for determining the start of irradiation in the first detection method is set as a basic cycle, and in the second detection method, the detection cycle of the radiation sensor 25 itself can be repeated a plurality of times during the basic cycle ( The result of multiple judgments is calculated), and only when it is judged that irradiation is started multiple times in a row, the second detection method comprehensively judges that irradiation is started, so that the radiation sensor 25 is sporadic. It is possible to deal with various noises.

また、第2の検知方式で照射開始と判断された際に、第1の方式の状態に係らず直ちに電荷蓄積状態に移行させると、例えば、第1の検知方式による(リークデータdleak読み出しに続く)リセット処理途中であった場合等に、リセット終了ラインと未終了ラインとで差異を生じ、結果として放射線画像情報にムラが重畳することにもなり易いので、ムラ防止の観点から、本実施形態における放射線照射開始検出のサイクルを、第1の検出方式の基本周期時間(リークデータ読み出し時間とこれに続くリセット時間をも含んだ時間)に設定している。 Further, when it is determined by the second detection method that irradiation is started, if the state is immediately shifted to the charge accumulation state regardless of the state of the first method, for example, the first detection method (following the leakage data leak reading). ) When the reset process is in progress, a difference occurs between the reset end line and the unfinished line, and as a result, unevenness is likely to be superimposed on the radiation image information. Therefore, from the viewpoint of preventing unevenness, this embodiment The cycle of radiation irradiation start detection in the above is set to the basic cycle time (time including the leak data read time and the subsequent reset time) of the first detection method.

しかし、第1の検出方式すなわち各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式で放射線の照射開始を検出したとしても、上記のように、放射線画像撮影装置1に振動等が加わったことによりリークデータdleak等の値が増加して閾値dleak_th以上になり放射線の照射開始が誤検出された可能性がある。 However, even if the start of radiation irradiation is detected by the first detection method, that is, the detection method based on the data from each radiation detection element 7 or the radiation detection pixel, vibration or the like is generated in the radiation image capturing device 1 as described above. As a result of the addition, the value of the leak data dleak or the like increases and becomes equal to or higher than the threshold dleak_th, and it is possible that the start of radiation irradiation is erroneously detected.

そこで、この特有の構成3では、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になった時点から所定期間の間は、仮に第1の検出方式により、読み出されたリークデータdleak等の値が増加して閾値dleak_th以上になる等して放射線の照射開始が検出される状態であっても放射線の照射開始を検出しないように構成することが可能である。 Therefore, in this unique configuration 3, the control means 22 of the radiation imaging apparatus 1 is tentatively first for a predetermined period from the time when the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 becomes equal to or greater than a predetermined threshold value. The detection method is configured so that the start of radiation irradiation is not detected even when the start of radiation irradiation is detected, such as when the value of the read leak data dleak increases and becomes equal to or higher than the threshold value dleak_th. It is possible.

或いは、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になった時点から所定期間の間は、そもそも第1の検出方式による放射線の照射開始の検出処理を行わないように構成することも可能である。 Alternatively, the control means 22 of the radiation imaging apparatus 1 starts irradiation of radiation by the first detection method for a predetermined period from the time when the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 becomes equal to or greater than a predetermined threshold value. It is also possible to configure so that the detection process of is not performed.

なお、上記の「加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になった時点」とは、例えば加速度センサー26が検出した加速度の絶対値を算出し、その絶対値が所定の閾値以上になった時点としてもよく、また、加速度センサー26が検出した加速度についてプラス側およびマイナス側にそれぞれ所定の閾値を設定しておき、検出したプラスの値の加速度がプラス側の所定の閾値以上になった時点、或いは検出したマイナスの値の加速度がマイナス側の所定の閾値以下になった時点としてもよい。 The above-mentioned "time when the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 exceeds a predetermined threshold value" means, for example, the absolute value of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 is calculated, and the absolute value is the predetermined threshold value. It may be the time when the above is reached, or a predetermined threshold value is set on the plus side and the minus side for the acceleration detected by the acceleration sensor 26, and the detected positive value acceleration is equal to or more than the predetermined threshold value on the plus side. It may be the time when the acceleration becomes equal to or less than the predetermined threshold value on the negative side.

このように構成すれば、加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になり、センサーパネルSPに大きな加速度が生じた場合に、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式(第1の検出方式)で放射線の照射開始を検出しても、放射線の照射開始として検出されず、或いは、加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になってから所定期間の間、第1の検出方式による放射線の照射開始の検出処理が行われないため、放射線画像撮影装置1に振動等が加わったことにより放射線の照射開始を誤検出することを的確に防止することが可能となる。 With this configuration, when the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 exceeds a predetermined threshold value and a large acceleration occurs in the sensor panel SP, data from each radiation detection element 7 and radiation detection pixels Even if the start of radiation irradiation is detected by the detection method based on (the first detection method), it is not detected as the start of radiation irradiation, or the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 becomes equal to or greater than a predetermined threshold value. Since the detection process of the start of radiation irradiation by the first detection method is not performed for a predetermined period after that, it is accurate to erroneously detect the start of radiation irradiation due to the application of vibration or the like to the radiation imaging apparatus 1. It is possible to prevent radiation.

また、上記のように加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上になってから所定期間の間、第1の検出方式で放射線の照射開始を検出できない場合であっても、放射線センサー25の出力値に基づく検出方式(第2の検出方式)で放射線の照射開始が検出された場合には実際に放射線の照射が開始された可能性が高い。 Further, even if the start of radiation irradiation cannot be detected by the first detection method for a predetermined period after the magnitude of the acceleration detected by the acceleration sensor 26 exceeds a predetermined threshold value as described above, the radiation is emitted. When the start of radiation irradiation is detected by the detection method (second detection method) based on the output value of the sensor 25, it is highly possible that the radiation irradiation is actually started.

そのため、この特有の構成3では、このような場合には、放射線画像撮影装置1の制御手段22は、放射線の照射が開始されたと判断して、TFT8をオフ状態として電荷蓄積状態に移行させ、その後、画像データDの読み出し処理を行うように構成される(図6参照)。 Therefore, in this unique configuration 3, in such a case, the control means 22 of the radiation imaging apparatus 1 determines that the irradiation of radiation has started, turns the TFT 8 into an off state, and shifts the TFT 8 to a charge accumulation state. After that, the image data D is read out (see FIG. 6).

なお、上記の第1の検出方式は、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式であるため、各放射線検出素子7等に加速度が生じているか否かを加速度センサー26で検出するように構成することが望ましい。そのため、例えば、加速度センサー26を筐体2の内側等に取り付けるのではなく、図17に示したように、センサーパネルSPの基台31の下面側等に取り付ける等して設けることが望ましい。 Since the first detection method described above is a detection method based on data from each radiation detection element 7 and radiation detection pixels, the acceleration sensor 26 determines whether or not each radiation detection element 7 or the like is accelerating. It is desirable to configure it to detect with. Therefore, for example, it is desirable that the acceleration sensor 26 is not attached to the inside of the housing 2 or the like, but is attached to the lower surface side or the like of the base 31 of the sensor panel SP as shown in FIG.

そして、本発明者らの研究では、加速度センサー26を、例えばセンサーパネルSPの中心位置(後述する図21のC参照)に配置するように構成すれば、加速度センサー26が1個だけ配置される場合でも、センサーパネルSPに生じた振動(すなわち加速度)を的確に検出することができることが分かっている。 Then, in the research by the present inventors, if the acceleration sensor 26 is configured to be arranged at, for example, the center position of the sensor panel SP (see C in FIG. 21 described later), only one acceleration sensor 26 is arranged. Even in this case, it is known that the vibration (that is, acceleration) generated in the sensor panel SP can be accurately detected.

しかし、センサーパネルSPによっては(すなわち放射線画像撮影装置1によっては)、例えば筐体2の端部に加わった衝撃等による振動が緩衝部材2B2、2C2(図17等参照)を介してセンサーパネルSPに伝達され、その振動がセンサーパネルSPの中心位置に設けた加速度センサー26で検出されるまでに時間がかかる可能性がある。 However, depending on the sensor panel SP (that is, depending on the radiation imaging device 1), for example, vibration due to an impact applied to the end of the housing 2 is transmitted through the buffer members 2B2 and 2C2 (see FIG. 17 and the like). It may take some time before the vibration is detected by the acceleration sensor 26 provided at the center position of the sensor panel SP.

そして、振動が加速度センサー26で検出されるまでに時間がかかると、放射線画像撮影装置1に振動等が加わったことによりリークデータdleak等の値が増加して閾値dleak_th以上になるタイミングと、加速度センサー26が振動(すなわち加速度)を検出するタイミングとがずれてしまう虞れがある。 Then, when it takes time for the vibration to be detected by the acceleration sensor 26, the value of the leak data dleak or the like increases due to the addition of the vibration or the like to the radiation imaging apparatus 1, and the timing and acceleration of the threshold dleak_th or more. There is a risk that the timing at which the sensor 26 detects vibration (that is, acceleration) will be different.

そして、上記のようにタイミングがずれると、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づく検出方式(第1の検出方式)で放射線の照射開始を検出した時点では、まだ加速度センサー26が検出した加速度の大きさが所定の閾値以上に大きくならないため、放射線の照射開始を誤検出してしまう虞れがある。すなわち、上記の特有の構成3が機能しなくなる虞れがある。 Then, when the timing is deviated as described above, the acceleration sensor 26 is still at the time when the start of radiation irradiation is detected by the detection method (first detection method) based on the data from each radiation detection element 7 and the radiation detection pixel. Since the magnitude of the acceleration detected by is not larger than a predetermined threshold value, there is a risk that the start of radiation irradiation may be erroneously detected. That is, there is a risk that the above-mentioned unique configuration 3 will not function.

そこで、上記のような虞れがある場合には、加速度センサー26をセンサーパネルSPの下面側の端部部分に設けるように構成することが可能である。この場合、例えば、加速度センサー26をセンサーパネルSPの四隅の部分にそれぞれ設けたり、或いは、例えば図18に示すように、センサーパネルSPの四隅の部分と中心位置とにそれぞれ計5個の加速度センサー26を設けるように構成することも可能である。 Therefore, when there is a possibility as described above, the acceleration sensor 26 can be configured to be provided at the end portion on the lower surface side of the sensor panel SP. In this case, for example, the acceleration sensors 26 are provided at the four corners of the sensor panel SP, or as shown in FIG. 18, for example, a total of five acceleration sensors are provided at the four corners and the center position of the sensor panel SP. It is also possible to configure the 26 to be provided.

このように構成すれば、少なくとも、放射線画像撮影装置1に衝撃や振動等が加わった部分に最も近い位置に設けられた加速度センサー26は、リークデータdleak等の値が増加して閾値dleak_th以上になるタイミングと同じタイミングで出力値が大きくなる。そのため、上記の特有の構成3を的確に機能させることが可能となる。 With this configuration, at least the acceleration sensor 26 provided at the position closest to the portion where the radiation imaging device 1 is subjected to impact, vibration, or the like increases the value of the leak data dleak or the like and becomes equal to or higher than the threshold value dleak_th. The output value increases at the same timing as when Therefore, it is possible to make the above-mentioned unique configuration 3 function properly.

[求められる放射線センサーの性能について]
なお、本実施形態では、上記の特有の構成1〜3を成立させるために、第2の検出方式を担当する放射線センサー25として、前述したように、振動等の外乱が生じた場合でも出力されるノイズが大きくならず、外乱により放射線の照射開始を誤検出しにくい放射線センサーが用いられる。
[Required radiation sensor performance]
In this embodiment, in order to establish the above-mentioned unique configurations 1 to 3, the radiation sensor 25 in charge of the second detection method is output even when a disturbance such as vibration occurs as described above. A radiation sensor is used in which the noise does not increase and it is difficult to erroneously detect the start of radiation irradiation due to disturbance.

また、例えば図19(A)に示す場合に比べて、図19(B)に示すように、ノイズ、すなわち放射線の照射を検出していない場合のセンサー内でのアンプ出力xの上下の振れ幅が小さい放射線センサー25を用いると、照射された放射線を的確に検出することが可能となる。 Further, as compared with the case shown in FIG. 19A, for example, as shown in FIG. 19B, the vertical fluctuation width of the amplifier output x in the sensor when noise, that is, irradiation of radiation is not detected. By using the radiation sensor 25 having a small size, it is possible to accurately detect the irradiated radiation.

すなわち、図19(A)に示すようにアンプ出力xの上下の振れ幅(すなわちノイズ)が大きい場合には、図の上段に示すアンプ出力xに対する照射判定レベルを高い値にせざるを得ない。そのため、この状態で、図中矢印で示されるタイミングで放射線が照射されたとすると、照射される線量率(すなわち単位時間当たりの線量)が小さい放射線では、放射線が照射されたことによりアンプ出力xが上昇しても照射判定レベル以上にならない場合がある。 That is, when the vertical swing width (that is, noise) of the amplifier output x is large as shown in FIG. 19A, the irradiation determination level for the amplifier output x shown in the upper part of the figure must be set to a high value. Therefore, in this state, if radiation is irradiated at the timing indicated by the arrow in the figure, the amplifier output x will be increased due to the irradiation of radiation with a small dose rate (that is, dose per unit time). Even if it rises, it may not exceed the irradiation judgment level.

そのため、このように線量率が小さい放射線(すなわちいわゆる弱い放射線)が照射された場合には、図19(A)の下段に示すように、放射線センサー25からのデジタル出力dが発信されず、結局、放射線の照射開始を検出できなくなる場合がある。 Therefore, when radiation having such a small dose rate (that is, so-called weak radiation) is irradiated, the digital output d from the radiation sensor 25 is not transmitted as shown in the lower part of FIG. 19A, and eventually , It may not be possible to detect the start of radiation.

それに対し、図19(B)に示すようなノイズが小さい放射線センサー25では、ノイズすなわちアンプ出力xの上下の振れ幅が小さい分だけ、図の上段に示すアンプ出力xに対する照射判定レベルを下げることが可能となる。そのため、図中矢印で示されるタイミングで放射線が照射されたとすると、線量率が小さい放射線が照射された場合でも、設定される照射判定レベルが低いため、放射線が照射されたことによりアンプ出力xが上昇して照射判定レベル以上になる。 On the other hand, in the radiation sensor 25 having a small noise as shown in FIG. 19B, the irradiation determination level for the amplifier output x shown in the upper part of the figure is lowered by the amount of noise, that is, the vertical swing width of the amplifier output x is small. Is possible. Therefore, if radiation is irradiated at the timing indicated by the arrow in the figure, even if radiation with a small dose rate is irradiated, the set irradiation judgment level is low, so the amplifier output x will be increased due to the irradiation. It rises and becomes above the irradiation judgment level.

そのため、ノイズが小さい放射線センサー25を用いれば、このように線量率が小さい放射線が照射された場合でも、図19(B)の下段に示すように、放射線センサー25からのデジタル出力dが的確に発信され、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 Therefore, if the radiation sensor 25 with low noise is used, the digital output d from the radiation sensor 25 can be accurately obtained even when the radiation with such a low dose rate is irradiated, as shown in the lower part of FIG. 19B. It is transmitted and it becomes possible to accurately detect the start of radiation irradiation.

[放射線センサーの配置について]
また、放射線センサー25は、図1に示すように基台31の下面に直接取り付けたり、或いは基台31の下面側に設けられたPCB基板33の下面に取り付ける等して配置することが可能である。また、上記の実施形態の構成においては、照射線量に対し、放射線センサー25に到達する線量は1/30程度に減弱される。照射線量に対し放射線センサー25に到達する線量割合を増加せしめるために、基台31に部分的に凹部を設けて放射線センサー25を固定したり、放射線センサー25に対応する鉛板42を部分的に切欠いたりしても良い。
[About the placement of radiation sensors]
Further, the radiation sensor 25 can be arranged by being directly attached to the lower surface of the base 31 as shown in FIG. 1, or by being attached to the lower surface of the PCB substrate 33 provided on the lower surface side of the base 31. is there. Further, in the configuration of the above embodiment, the dose reaching the radiation sensor 25 is attenuated to about 1/30 with respect to the irradiation dose. In order to increase the ratio of the dose reaching the radiation sensor 25 to the irradiation dose, the base 31 is partially provided with a recess to fix the radiation sensor 25, or the lead plate 42 corresponding to the radiation sensor 25 is partially provided. It may be cut out.

その際、放射線センサー25を1個だけ設ける場合には、例えば放射線画像撮影装置1を上側から見た図である図20に示すように、放射線センサー25を放射線画像撮影装置1の検出部P(すなわちセンサー基板4上で複数の放射線検出素子7が二次元状に配列された矩形状の領域)の中心位置(すなわち矩形状領域の対角線の交点位置(後述する図21のC参照))に配置するように構成することが理想的である。
撮影を行う放射線技師は、撮影可能領域の中心に放射線センサー25が設けられていることを意識して、患者をポジショニングすることができる。
At that time, when only one radiation sensor 25 is provided, for example, as shown in FIG. 20, which is a view of the radiation imaging device 1 from above, the radiation sensor 25 is used as the detection unit P of the radiation imaging device 1. That is, they are arranged at the center position (that is, the diagonal intersection of the rectangular regions (see C in FIG. 21 to be described later)) of the plurality of radiation detection elements 7 on the sensor substrate 4 in a two-dimensionally arranged rectangular region. Ideally, it should be configured to do so.
The radiological technologist who performs the imaging can position the patient consciously that the radiation sensor 25 is provided in the center of the imageable area.

なお、CRカセッテと互換サイズの放射線画像撮影装置1の場合には、検出部Pの中心位置は強度が最も弱い領域であるので、放射線画像撮影装置1の強度(剛性)を向上させるための補強部品や、バッテリー等の機能部品と補強部品を兼ねる部品が取り付けられていることが多い。そのため、放射線センサー25を1個だけ設ける場合、図示を省略するが、放射線センサー25を、検出部Pの中心位置から所定方向に所定の距離だけずれた位置に配置するように構成することも可能である。
その際には、当該ズレ量を意識して放射線技師がポジショニングを行うことは困難な場面も想定され、放射線の照射開始を検出できなくなる場合も予測される。
In the case of the radiation imaging device 1 having a size compatible with the CR cassette, the center position of the detection unit P is the region where the intensity is the weakest, so that reinforcement for improving the intensity (rigidity) of the radiation imaging device 1 In many cases, parts and parts that double as functional parts such as batteries and reinforcing parts are attached. Therefore, when only one radiation sensor 25 is provided, although not shown, the radiation sensor 25 can be configured to be arranged at a position deviated from the center position of the detection unit P by a predetermined distance in a predetermined direction. Is.
In that case, it may be difficult for the radiologist to perform positioning while being aware of the amount of deviation, and it is predicted that the start of irradiation of radiation cannot be detected.

一方、放射線センサー25を複数配置するように構成すれば、例えば照射野が絞られた放射線が放射線画像撮影装置1に照射された場合に、放射線画像撮影装置1に放射線センサー25を1個だけ設ける場合に比べて、いずれかの放射線センサー25に放射線が照射される確率が高くなり、放射線の照射開始を検出できる可能性が高まるため、好ましい。 On the other hand, if a plurality of radiation sensors 25 are arranged, for example, when radiation with a narrowed irradiation field is applied to the radiation imaging apparatus 1, only one radiation sensor 25 is provided in the radiation imaging apparatus 1. This is preferable because the probability that any of the radiation sensors 25 is irradiated with radiation is higher than in the case, and the possibility of detecting the start of radiation irradiation is increased.

そして、放射線センサー25を複数配置する場合、例えば、以下の点を考慮する必要がある。 When a plurality of radiation sensors 25 are arranged, for example, the following points need to be considered.

すなわち、患者によっては、例えば脊椎を金属部材で固定したり補強したりしている場合がある。そして、放射線画像撮影で胸部正面や腹部正面を撮影する場合、通常、脊椎が検出部Pの中央部に位置するように、患者と放射線画像撮影装置1との位置関係が調整される。 That is, depending on the patient, for example, the spine may be fixed or reinforced with a metal member. When the front of the chest or the front of the abdomen is photographed by radiographic imaging, the positional relationship between the patient and the radiographic imaging device 1 is usually adjusted so that the spine is located at the center of the detection unit P.

また、例えば腰部正面の撮影を行う場合、放射線が当らないようにするために男性器を鉛板等の遮蔽板で覆う場合もある。この場合も、基本的に腰部の中央部分に遮蔽板が位置するようになるため、腰部正面の撮影を行う場合、遮蔽板が検出部Pの中央部に位置するように位置関係が調整される。 In addition, for example, when photographing the front of the lumbar region, the male genitalia may be covered with a shielding plate such as a lead plate to prevent radiation. In this case as well, since the shielding plate is basically located at the center of the lumbar region, the positional relationship is adjusted so that the shielding plate is located at the center of the detection unit P when photographing the front of the lumbar region. ..

そのような状況で、放射線センサー25が放射線画像撮影装置1の検出部Pの中心付近に配置されていると、照射された放射線が患者の脊椎部分の金属部材や腰部の中央部分の遮蔽板等で散乱されたり吸収されたりする。そのため、放射線センサー25に到達する放射線が弱くなり、放射線センサー25で放射線の照射開始を的確に検出することができなくなる虞れがある。 In such a situation, when the radiation sensor 25 is arranged near the center of the detection unit P of the radiation imaging device 1, the irradiated radiation is emitted to a metal member of the spine of the patient, a shielding plate of the central part of the lumbar region, or the like. Is scattered or absorbed by. Therefore, the radiation reaching the radiation sensor 25 becomes weak, and there is a possibility that the radiation sensor 25 cannot accurately detect the start of irradiation.

そこで、放射線センサー25を複数配置する場合、放射線センサー25を検出部Pの中心からずれた位置に配置するように構成することが好ましい。この場合、複数の放射線センサー25を、検出部Pの中心からずれた位置にまとめて配置するように構成すると、全ての放射線センサー25が金属部材等で遮蔽されてしまい、放射線の照射開始を的確に検出することができなくなる虞れがある。 Therefore, when a plurality of radiation sensors 25 are arranged, it is preferable to arrange the radiation sensors 25 at positions deviated from the center of the detection unit P. In this case, if the plurality of radiation sensors 25 are arranged together at positions deviated from the center of the detection unit P, all the radiation sensors 25 are shielded by a metal member or the like, and the start of radiation irradiation is accurate. There is a risk that it will not be detected.

そこで、複数の放射線センサー25を互いに離れた位置に配置するようにするために、例えば、図21に示すように、矩形状の検出部Pを2本の対角線Aで4つの領域に仮想的に分割した各領域Pa、Pb、Pc、Pdを考えた場合、互いに隣り合わない2つの領域に放射線センサー25をそれぞれ配置するように構成することが可能である。 Therefore, in order to arrange the plurality of radiation sensors 25 at positions separated from each other, for example, as shown in FIG. 21, the rectangular detection unit P is virtually arranged in four regions by two diagonal lines A. Considering each of the divided regions Pa, Pb, Pc, and Pd, it is possible to configure the radiation sensors 25 to be arranged in two regions that are not adjacent to each other.

そして、その場合、例えば図21に示すように、放射線画像撮影装置1の検出部Pが長方形状である場合には、複数の放射線センサー25を、長方形状の検出部Pの仮想的に分割された4つの領域のうち、長方形の短辺を含む2つの領域Pa、Pcにそれぞれ配置するように構成することが可能である。なお、図21や後述する図22では、放射線センサー25を2個設ける場合が示されているが、放射線センサー25を3個以上設けてもよい。 Then, in that case, for example, as shown in FIG. 21, when the detection unit P of the radiation imaging apparatus 1 has a rectangular shape, the plurality of radiation sensors 25 are virtually divided into the rectangular detection unit P. Of the four regions, it can be configured to be arranged in two regions Pa and Pc including the short side of the rectangle, respectively. Although FIG. 21 and FIG. 22 described later show a case where two radiation sensors 25 are provided, three or more radiation sensors 25 may be provided.

例えば、被写体である患者が太っている場合には、胸部や腹部、腰部等の正面の撮影を行う際に、放射線画像撮影装置1を横向きに配置して(すなわち例えば図21に示す縦向きの放射線画像撮影装置1を横向きにして)撮影が行われる場合がある。 For example, when the patient who is the subject is fat, the radiographic imaging apparatus 1 is arranged sideways (that is, in the vertical direction shown in FIG. 21, for example) when taking a front view of the chest, abdomen, waist, and the like. Imaging may be performed (with the radiation imaging apparatus 1 turned sideways).

その際、複数の放射線センサー25が上記のように配置されていれば、当該放射線センサー25の配置方向(横方向)に照射野が絞られることはないので、両方の放射線センサー25で、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 At that time, if a plurality of radiation sensors 25 are arranged as described above, the irradiation field is not narrowed down in the arrangement direction (lateral direction) of the radiation sensors 25, so that both radiation sensors 25 can be used for radiation. It is possible to accurately detect the start of irradiation.

また、例えば、被写体である患者が太っていない場合には、放射線画像撮影装置1を図21に示した縦向きのまま使用して撮影が行われることが多い。そして、このような場合に、例えば患者の脊椎が金属部材で固定等されていたり、或いは、腰部の中央部分が遮蔽板で覆われる等していると、複数の放射線センサー25が金属部材や遮蔽板等で遮蔽されてしまい、放射線の照射開始を的確に検出することができなくなる虞れがある。 Further, for example, when the patient who is the subject is not fat, the radiographic image capturing apparatus 1 is often used in the vertical orientation shown in FIG. 21 for imaging. Then, in such a case, for example, if the spine of the patient is fixed with a metal member, or the central portion of the lumbar region is covered with a shielding plate, the plurality of radiation sensors 25 may use the metal member or the shielding. It may be shielded by a plate or the like, making it impossible to accurately detect the start of radiation irradiation.

そこで、例えば図22に示すように、複数の放射線センサー25を、矩形状の検出部Pを同形の矩形状の2つの領域(すなわち図22の場合には縦長の2つの領域)Pe、Pfに仮想的に分割する中心線B上ではなく、中心線B上からずれた位置にそれぞれ配置するように構成することが可能である。 Therefore, for example, as shown in FIG. 22, a plurality of radiation sensors 25 are provided in two rectangular regions having the same shape (that is, two vertically long regions in the case of FIG. 22) Pe and Pf. It is possible to configure the devices so that they are arranged at positions deviated from the center line B, not on the center line B that is virtually divided.

このように構成すれば、放射線画像撮影装置1を縦向きに配置して撮影を行う場合に、例えば患者の脊椎部分の金属部材や腰部の中央部分の遮蔽板等の左右の位置に複数の放射線センサー25がそれぞれ位置するようになるため、金属部材や遮蔽板等で放射線センサー25が遮蔽されてしまうことを的確に防止することが可能となる。そして、複数の放射線センサー25のうちのいずれか或いは全てで、放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 With this configuration, when the radiation imaging device 1 is arranged vertically for imaging, a plurality of radiations are emitted at left and right positions such as a metal member in the spine of the patient and a shielding plate in the center of the lumbar region. Since the sensors 25 are positioned respectively, it is possible to accurately prevent the radiation sensor 25 from being shielded by a metal member, a shielding plate, or the like. Then, any or all of the plurality of radiation sensors 25 can accurately detect the start of radiation irradiation.

CRカセッテ互換サイズの放射線画像撮影装置1の場合には、放射線技師は、被写体に対し縦長/横長の各設定において、それぞれ2つの放射線画像撮影装置1のセット方向が考えられるが、上記のように2個の放射線センサー25を配置することで、いずれの撮影においても、少なくとも1つの放射線センサー25で放射線の照射開始を的確に検出することが可能となる。 In the case of the radiation imaging device 1 having a size compatible with the CR cassette, the radiologist may set the two radiation imaging devices 1 in each of the portrait / landscape settings for the subject, as described above. By arranging the two radiation sensors 25, it is possible to accurately detect the start of radiation irradiation with at least one radiation sensor 25 in any of the imaging.

なお、図21や図22では、複数の放射線センサー25を、検出部Pの中心C(図21参照)について対称な位置に配置する場合を示したが、必ずしもこのように構成する必要はなく、適宜の位置に配置するように構成することが可能である。 Although FIGS. 21 and 22 show a case where a plurality of radiation sensors 25 are arranged at symmetrical positions with respect to the center C (see FIG. 21) of the detection unit P, it is not always necessary to configure the radiation sensors 25 in this way. It can be configured to be arranged at an appropriate position.

また、上記の実施形態では、第1の検出方式として、主に、読み出されたリークデータdleakやそれに基づいて算出される値(差分Δd(z)等)に基づいて放射線の照射開始を検出する方式(前述した特許文献5等参照)について説明したが、前述したように、この他にも、第1の検出方式として、例えば前述した特許文献6〜8に記載されている検出方法等を採用することも可能であり、本発明が第1の検出方式としてそのような検出方法を採用した場合にも適用されることは言うまでもない。 Further, in the above embodiment, as the first detection method, the start of radiation irradiation is mainly detected based on the read leak data dleak and the value calculated based on the leak data dleak (difference Δd (z) or the like). However, as described above, as the first detection method, for example, the detection methods described in the above-mentioned Patent Documents 6 to 8 and the like have been described. It is also possible to adopt it, and it goes without saying that the present invention is also applied when such a detection method is adopted as the first detection method.

さらに、本発明が上記の実施形態や変形例に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜変更可能であることは言うまでもない。 Furthermore, it goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments and modifications, and can be appropriately modified as long as the gist of the present invention is not deviated.

例えば、本実施形態においては、各放射線検出素子7や放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する第1の検出方式、および、放射線センサー25の出力値に基づいて放射線の照射開始を検出する第2の検出方式の両方式を常に有効化していたが、予め撮影対象となる部位や撮影対象となる関心領域の大きさ等が事前に判明している場合(例えば、胸部正面撮影等の体幹部の撮影であることが撮影オーダー情報により事前に判明しているような場合)には、一般的にエネルギー消費の大きい第1の検出方式は使用せず、後者の第2の検出方式のみ使用とすることで、内蔵バッテリーの消耗を抑制することも可能となる。
その際には、放射線センサーが複数回連続して照射開始と判断した場合に、直ちに電荷蓄積状態(図6参照)に移行させることも可能となり、前述する基本周期よりも短い周期
設定も可能となる。
For example, in the present embodiment, the first detection method for detecting the start of radiation irradiation based on the data from each radiation detection element 7 and the radiation detection pixel, and the radiation based on the output value of the radiation sensor 25. Both of the second detection methods for detecting the start of irradiation have always been enabled, but when the area to be imaged and the size of the area of interest to be imaged are known in advance (for example, the chest). In the case where it is known in advance from the shooting order information that the shooting is the trunk such as frontal shooting), the first detection method, which generally consumes a large amount of energy, is not used, and the latter second detection method is not used. By using only the detection method of, it is possible to suppress the consumption of the built-in battery.
In that case, when the radiation sensor determines that irradiation is started multiple times in a row, it is possible to immediately shift to the charge accumulation state (see FIG. 6), and it is possible to set a cycle shorter than the above-mentioned basic cycle. Become.

また、放射線画像撮影装置1に、もう1つの加速度センサーを設け、或いは図17や図18に示した加速度センサー26を用いて、加速度センサーを落下高さ検知センサーとして用いるように構成することも可能である。すなわち、放射線画像撮影装置1を落下させた際の高さと装置に加わる加速度との関係を予め求めておき、また、落下高さ検知センサーが検知した加速度を放射線画像撮影装置1に記憶するように構成して、落下高さ検知センサーが検知した加速度から、放射線画像撮影装置1をどの高さから落下させたかを知ることができるように構成することも可能である。このデータ(落下高さに関するデータ)はメンテナンス等に有効活用可能である。 Further, it is also possible to provide the radiation imaging device 1 with another acceleration sensor, or to use the acceleration sensor 26 shown in FIGS. 17 and 18 so that the acceleration sensor can be used as a drop height detection sensor. Is. That is, the relationship between the height when the radiation imaging device 1 is dropped and the acceleration applied to the device is obtained in advance, and the acceleration detected by the drop height detection sensor is stored in the radiation imaging device 1. It is also possible to configure it so that it is possible to know from what height the radiation imaging apparatus 1 was dropped from the acceleration detected by the drop height detection sensor. This data (data related to the drop height) can be effectively used for maintenance and the like.

なお、工場出荷後の輸送途中における落下や衝撃検知用として、ショックセンサーと併用することも可能である。なお、当該ショックセンサーは開梱設置時にサービスパーソンにより確認可能な位置に取り付けることが必要で、上記の加速度センサーとは異なり、図17等に示す、開口部を覆う蓋部材2B或いは蓋部材2C近傍に設けられることが好ましい。 It can also be used in combination with a shock sensor for detecting drops and shocks during transportation after shipment from the factory. The shock sensor needs to be installed at a position that can be confirmed by a service person at the time of unpacking and installation, and unlike the above acceleration sensor, the lid member 2B or the lid member 2C that covers the opening is shown in FIG. It is preferable that it is provided in.

1 放射線画像撮影装置
2 筐体
3 シンチレーター
4 センサー基板
5 走査線
6 信号線
7 放射線検出素子
8 TFT(スイッチ素子)
15 走査駆動手段
17 読み出し回路
22 制御手段
25 放射線センサー
26 加速度センサー
32 電子機器
31 基台
34 シンチレーター基板
39 導電層
42 鉛の薄板
A 対角線
B 中心線
D 画像データ
dleak リークデータ(データ)
dleak_st(z) リークデータの統計値(リークデータに基づいて算出される値)
P 検出部
Pa〜Pf 仮想的に分割された領域
q 電荷
SP センサーパネル
Δdmax 差分の最大値(リークデータに基づいて算出される値)
Δd(z) 差分(リークデータに基づいて算出される値)
ΣΔd 積算値(リークデータに基づいて算出される値)
1 Radiation imaging device 2 Housing 3 Scintillator 4 Sensor board 5 Scanning line 6 Signal line 7 Radiation detection element 8 TFT (switch element)
15 Scanning drive means 17 Read circuit 22 Control means 25 Radiation sensor 26 Acceleration sensor 32 Electronic equipment 31 Base 34 Scintillator substrate 39 Conductive layer 42 Lead thin plate A Diagonal B Center line D Image data leak data (data)
dleak_st (z) Leak data statistics (values calculated based on leak data)
P Detection unit Pa to Pf Virtually divided area q Charge SP Sensor panel Δdmax Maximum value of difference (value calculated based on leak data)
Δd (z) difference (value calculated based on leak data)
ΣΔd integrated value (value calculated based on leak data)

Claims (4)

次元状に配列され、放射線を受けると電荷を発生させる複数の放射線検出素子と、
記放射線検出素子内に電荷を蓄積させるオフ状態、又は前記放射線検出素子に蓄積された電荷を放出させるオン状態に切り替わるスイッチ素子と
放射線を受けると出力を行う放射線センサーと、
射線の照射開始を検出して前記スイッチ素子の状態を制御する制御手段と、を備え、
記制御手段は、
記各放射線検出素子からのデータ、または前記各放射線検出素子の一部の構造が変えられた放射線検知用画素からのデータに基づいて放射線の照射開始を検出する第1の検出方式による放射線の照射開始の検出を所定周期で繰り返し行うとともに、前記放射線センサーの出力値に基づいて放射線の照射開始を検出する第2の検出方式による放射線の照射開始の検出を前記第の検出方式による検出と同一周期で繰り返し行い、
前記第1の検出方式と前記第2の検出方式のいずれかの方式により、または両方の方式により放射線の照射開始を検出した場合には、前記スイッチ素子をオフ状態とすることを特徴とする放射線画像撮影装置。
Multiple radiation detection elements that are arranged in two dimensions and generate electric charges when they receive radiation ,
A switching element switched to the ON state to pre SL in the radiation detection element to accumulate charges Ruofu state, or out-release pre Symbol radiation charges accumulated in the detection element,
Receiving and the ray Sensor release for outputting the radiation,
To detect the start of irradiation of radiology and control means for controlling the state of the switching element,
Before Symbol control means,
Of radiation by a first detection system for detecting the start of irradiation based pre SL on data from the data or the portion of the radiation detection pixels structure is changed for each radiation detection element, from each radiation detection element The detection of the start of irradiation is repeated at a predetermined cycle, and the detection of the start of radiation irradiation by the second detection method of detecting the start of radiation irradiation based on the output value of the radiation sensor is defined as the detection by the first detection method. Repeat in the same cycle,
Wherein when detecting the start of irradiation by the first detection method and the by any of the methods of the second detection system or both systems, radiation, characterized in that the switching element turned off Imaging device.
前記制御手段は、 The control means
前記第2の検出方式による放射線の照射開始の検出を、前記所定周期で繰り返し行うのに加え、当該所定周期で行われる検出の間にも行い、 In addition to repeating the detection of the start of radiation irradiation by the second detection method in the predetermined cycle, the detection is performed during the detection performed in the predetermined cycle.
前記所定周期の間に得られた複数の出力値に基づいて放射線の照射が開始されたか否かを判断する請求項1に記載の放射線画像撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1, wherein it is determined whether or not irradiation of radiation is started based on a plurality of output values obtained during the predetermined period.
前記放射線センサーは、振動が生じた場合に出力するノイズが、前記放射線検出素子又は前記放射線検知用画素の出力よりも小さい請求項1又は請求項2に記載の放射線画像撮影装置。 The radiation imaging apparatus according to claim 1 or 2, wherein the noise output by the radiation sensor when vibration occurs is smaller than the output of the radiation detection element or the radiation detection pixel. 前記制御手段は、所定の撮影部位又は所定の関心領域を撮影する場合には、前記第1の検出方式による放射線の照射開始の検出を行わない請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。 The control means according to any one of claims 1 to 3, which does not detect the start of radiation irradiation by the first detection method when photographing a predetermined imaging site or a predetermined region of interest. The radiographic imaging apparatus described.
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