JP6799567B2 - Organic EL display panel and its manufacturing method, as well as organic EL display device and electronic equipment - Google Patents

Organic EL display panel and its manufacturing method, as well as organic EL display device and electronic equipment Download PDF

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Description

本発明は、発光素子を配列した発光表示パネル及びその製造方法に関し、特に、有機電界発光素子(以下「有機EL素子」と称する)をマトリック状に配列した有機EL表示パネルおよびその製造方法ならびに当該有機EL表示パネルを画像表示部として用いた有機EL表示装置、電子機器に関する。 The present invention relates to a light emitting display panel in which light emitting elements are arranged and a method for manufacturing the same, and in particular, an organic EL display panel in which organic electroluminescent elements (hereinafter referred to as “organic EL elements”) are arranged in a matric manner and a method for manufacturing the same. The present invention relates to an organic EL display device and an electronic device using an organic EL display panel as an image display unit.

近年、発光型のディスプレイとして、基板上に行列方向に沿って有機EL素子を複数配列した有機EL表示パネルが、電子機器のディスプレイとして実用化されている。各有機EL素子は、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、駆動時には、一対の電極対間に電圧を印加し、陽極から発光層に注入される正孔と、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発生する電流駆動型の発光素子である。 In recent years, as a light emitting type display, an organic EL display panel in which a plurality of organic EL elements are arranged along a matrix direction on a substrate has been put into practical use as a display of an electronic device. Each organic EL element has a basic structure in which a light emitting layer containing an organic light emitting material is arranged between a pair of electrode pairs of an anode and a cathode, and a voltage is applied between the pair of electrode pairs during driving to obtain an anode. This is a current-driven light emitting element generated by recombination of holes injected into the light emitting layer from the cathode and electrons injected into the light emitting layer from the cathode.

この有機EL表示パネルは、各有機EL素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。
有機EL表示パネルにおいて、一般に発光層は、EL素子ごとに絶縁材料からなる隔壁(バンク)で仕切られていて、この隔壁によって発光層が仕切られている。また、陽極と発光層との間には、正孔注入層、正孔輸送層といった有機層が必要に応じて介挿される。また、陰極と発光層との間にも、必要に応じて電子注入層、電子輸送層などが介挿される。
Since each organic EL element emits light by itself, the organic EL display panel has high visibility, and since it is a completely solid element, it has excellent impact resistance.
In an organic EL display panel, the light emitting layer is generally partitioned by a partition wall (bank) made of an insulating material for each EL element, and the light emitting layer is partitioned by the partition wall. Further, an organic layer such as a hole injection layer and a hole transport layer is interposed between the anode and the light emitting layer as needed. Further, an electron injection layer, an electron transport layer, and the like are also interposed between the cathode and the light emitting layer, if necessary.

フルカラー表示の有機EL表示パネルにおいては、このような有機EL素子が、RGB各色の副画素を形成し、隣り合うRGBの副画素が合わさって一画素が形成されている。
各有機EL素子の発光層や電荷注入層を形成する際に、隣接する各有機EL素子同士を仕切る隔壁を基板上に形成して、各隔壁で区画された各素子形成領域に、有機層、発光層など形成するための有機材料と溶媒を含む溶液(以下、単に「インク」と称する。)の液滴をノズルから吐出して塗布するウエットプロセス(湿式法)が多く用いられている(特許文献1参照)。
In a full-color display organic EL display panel, such an organic EL element forms sub-pixels of each RGB color, and adjacent RGB sub-pixels are combined to form one pixel.
When forming the light emitting layer and the charge injection layer of each organic EL element, a partition wall separating the adjacent organic EL elements is formed on the substrate, and the organic layer is formed in each element forming region partitioned by each partition wall. A wet process (wet method) in which droplets of a solution containing an organic material and a solvent for forming a light emitting layer or the like (hereinafter, simply referred to as “ink”) is ejected from a nozzle and applied is often used (patented method). Reference 1).

このウエットプロセスによれば、大型のパネルにおいても有機層や発光層を比較的容易に形成することができると共に材料の利用効率が高いので、コスト的にも優れている。 According to this wet process, the organic layer and the light emitting layer can be formed relatively easily even in a large panel, and the material utilization efficiency is high, so that the cost is excellent.

国際公開WO2012/004823号公報International Publication WO2012 / 004823

ところで、各有機EL素子の発光効率を高めるのに適した有機層の膜厚は、発光色の波長に依存する。
すなわち、赤色光と緑色光と青色光では、その波長の違いにより、有機EL素子内での最適な光路長(共振条件)が異なるので、各色副画素において、発光色の波長に合わせて有機層の膜厚を微調整することが発光効率を高める上で望ましい。
By the way, the film thickness of the organic layer suitable for increasing the luminous efficiency of each organic EL element depends on the wavelength of the emitted color.
That is, since the optimum optical path length (resonance condition) in the organic EL element differs between red light, green light, and blue light due to the difference in wavelength, the organic layer is matched to the wavelength of the emitted color in each color sub-pixel. It is desirable to fine-tune the film thickness of the light to improve the luminous efficiency.

しかし、実際にウエットプロセスでインクの滴下量を調整して膜厚の異なる有機層を形成すると、隔壁の撥液性やインクの表面張力などの影響により副画素の異なる発光色同士で有機層の膜形状を揃えることは難しく、却って表示画質が劣化するおそれがある。
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであって、有機層をウエットプロセスで形成しながら、各発光色の有機層の膜形状を揃えつつ、それぞれの発光色に適した有機層の層厚を確保して、発光効率を向上させると共に表示画質が劣化するおそれを抑制することができる有機EL表示パネルおよびそのような有機EL表示パネルの製造方法、並びに有機EL表示装置、電子機器を提供することを目的とする。
However, when the amount of ink dropped is actually adjusted in the wet process to form organic layers with different film thicknesses, the organic layers have different emission colors of sub-pixels due to the influence of the liquid repellency of the partition wall and the surface tension of the ink. It is difficult to align the film shapes, and the display image quality may deteriorate.
The present invention has been made in view of such a problem, and while forming an organic layer by a wet process and aligning the film shapes of the organic layers of each luminous color, the organic layer suitable for each luminous color An organic EL display panel that can secure the layer thickness of the above, improve the luminous efficiency, and suppress the possibility of deterioration of the display image quality, a method for manufacturing such an organic EL display panel, an organic EL display device, and an electronic device. The purpose is to provide.

本開示の一態様に係る有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成された有機EL発光部と、を備えた有機EL表示パネルであって、前記有機EL発光部は、前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極とを含み、前記有機EL発光部は、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、前記第1発光部と前記第2発光部は、前記有機層の層厚が異なっており、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層の掘り込み量が異なっていることを特徴とする。 The organic EL display panel according to one aspect of the present disclosure is an organic EL display panel including a substrate, an interlayer insulating layer formed on the substrate, and an organic EL light emitting portion formed on the interlayer insulating layer. The organic EL light emitting unit is arranged between a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer and a plurality of partition walls extending in the column direction between the pixel electrodes adjacent to each other in the row direction. And an organic layer including a light emitting layer formed in a region partitioned by the partition wall, and a counter electrode formed above the organic layer, and the organic EL light emitting unit emits a first color. It includes a first light emitting unit having a light emitting layer and a second light emitting unit having a light emitting layer that emits a second color different from the first color, and the first light emitting unit and the second light emitting unit are of the organic layer. The layer thickness is different, and the amount of digging of the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall of the first light emitting portion and the second light emitting portion is different.

なお、ここで、「前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層の掘り込み量が異なっている」との記載は、一方の発光色の発光部の隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層の掘り込み量が、「0」である場合も含む。
また、本開示の別の態様に係る有機EL表示装置は、上記の有機EL表示パネルと、前記有機EL表示パネルを駆動して画像を表示させる駆動部とを備える。
In addition, here, the description that "the amount of digging of the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall of the first light emitting part and the second light emitting part is different" is the light emitting part of one of the light emitting colors. Including the case where the amount of digging of the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall is “0”.
Further, the organic EL display device according to another aspect of the present disclosure includes the above-mentioned organic EL display panel and a driving unit for driving the organic EL display panel to display an image.

また、本開示の別の態様に係る電子機器は、画像表示部として上記の有機EL表示装置を備える。
さらに、本開示の別の態様に係る有機EL表示装置の製造方法は、基板を準備する第1工程と、前記基板上に層間絶縁層を形成する第2工程と、前記層間絶縁層上に有機EL発光部を形成する第3工程と、を含む有機EL表示パネルの製造方法であって、前記有機EL発光部は、前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極とを含む共に、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、前記第1発光部と前記第2発光部では有機層の層厚が異なっており、前記第2工程において、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層に異なる深さの掘り込みが形成されることを特徴とする。
Further, the electronic device according to another aspect of the present disclosure includes the above-mentioned organic EL display device as an image display unit.
Further, the method for manufacturing an organic EL display device according to another aspect of the present disclosure includes a first step of preparing a substrate, a second step of forming an interlayer insulating layer on the substrate, and organic on the interlayer insulating layer. A method for manufacturing an organic EL display panel including a third step of forming an EL light emitting unit, wherein the organic EL light emitting unit includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer and rows. A plurality of partition walls arranged between the pixel electrodes adjacent to each other in the direction and extending in the row direction, an organic layer including a light emitting layer formed in a region partitioned by the partition walls, and an organic layer formed above the organic layer. A first light emitting unit including a counter electrode and having a light emitting layer that emits a first color, and a second light emitting unit having a light emitting layer that emits a second color different from the first color. The layer thickness of the organic layer is different between the light emitting portion and the second light emitting portion, and in the second step, the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall of the first light emitting portion and the second light emitting portion is different. It is characterized by the formation of deep digging.

上記態様に係る有機EL表示パネルおよび有機EL表示パネルの製造方法によれば、ウエットプロセスにより色毎に層厚の異なる有機層を形成しても、その膜形状をほぼ同じ形状にすることができ、劣化が少ない画像を表示できる有機EL表示パネルやそのような有機EL表示パネルを備えた有機EL表示装置、電子機器を提供できる。 According to the organic EL display panel and the method for manufacturing an organic EL display panel according to the above aspect, even if an organic layer having a different layer thickness for each color is formed by a wet process, the film shape can be made substantially the same. It is possible to provide an organic EL display panel capable of displaying an image with less deterioration, an organic EL display device provided with such an organic EL display panel, and an electronic device.

有機EL表示装置1の全体構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the whole structure of the organic EL display device 1. 有機EL表示パネル10の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。It is a schematic plan view which enlarged a part of the image display surface of the organic EL display panel 10. 図2のA−A線に沿った模式断面図である。It is a schematic cross-sectional view along the line AA of FIG. (a)〜(f)は、有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (f) are partial cross-sectional views schematically showing a manufacturing process of an organic EL element. (a)〜(d)は、図4に続く有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (d) are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element following FIG. (a)〜(d)は、図5に続く有機EL素子の製造過程を模式的に示す部分断面図である。(A) to (d) are partial cross-sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL element following FIG. 有機EL素子の製造工程を示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the manufacturing process of an organic EL element. 実施の形態に係る有機EL素子の製造方法における各色の発光層の膜形状の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the film shape of the light emitting layer of each color in the manufacturing method of the organic EL element which concerns on embodiment. 隔壁の高さを1.2μmにした場合における各色の発光層の膜形状の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the film shape of the light emitting layer of each color when the height of a partition wall is 1.2 μm. 隔壁の高さを0.5μmにした場合における各色の発光層の膜形状の測定結果を示すグラフである。It is a graph which shows the measurement result of the film shape of the light emitting layer of each color when the height of a partition wall is 0.5 μm. (a)〜(c)は、ピニング位置から下地までの距離と、最終的に形成される発光層の膜形状との相関関係を模式的に示す図である。(A) to (c) are diagrams schematically showing the correlation between the distance from the pinning position to the substrate and the film shape of the finally formed light emitting layer. 発光層の膜形状における平坦部を定義するため模式的な断面図である。It is a schematic cross-sectional view for defining a flat part in the film shape of a light emitting layer. インク濃度と、当該インク濃度で各色の発光層を成膜する場合に必要な隔壁の高さとの関係を示す図である。It is a figure which shows the relationship between the ink density and the height of the partition wall required when the light emitting layer of each color is formed with the ink density. (a)〜(d)は、層間絶縁層に掘り込みを形成する工程の変形例を説明するための模式図である。(A) to (d) are schematic views for explaining a modification of the process of forming a digging in the interlayer insulating layer. (a)〜(d)は、層間絶縁層に掘り込みを形成する工程の別の変形例を説明するための模式図である。(A) to (d) are schematic views for demonstrating another modification of the process of forming a digging in an interlayer insulating layer. (a)〜(d)は、図15の続きの工程を示す模式図である。(A) to (d) are schematic views showing the steps following the steps of FIG. 本実施の形態に係る有機EL表示パネルを用いたテレビ装置の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the television apparatus using the organic EL display panel which concerns on this embodiment. (a)、(b)は、インクの滴下量の差異により、形成された発光層の膜形状が異なることを説明するための模式図である。(A) and (b) are schematic diagrams for explaining that the film shape of the formed light emitting layer is different depending on the difference in the amount of ink dropped. 本実施の形態により、インクの滴下量に差異があっても形成された発光層の膜形状を揃えることができることを説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating that the film shape of the formed light emitting layer can be made uniform even if there is a difference in the amount of dripping ink by this embodiment.

≪本開示の一態様に至った経緯≫
有機EL表示パネルにおける有機発光層は、従来は真空蒸着などのドライプロセス(乾式法)により成膜される場合が多かったが、塗布技術、特に印刷装置の技術の進歩に伴い、近年では、ウエットプロセスで有機発光層を形成する技術が普及しつつある。
ウエットプロセスは、有機発光材料が有機溶媒に溶解したインクを印刷装置等により必要箇所に印刷した後、乾燥させて有機発光層を形成するものであり、大型の有機EL表示パネルであってもその設備費が抑制できると共に材料利用率が高いなどコスト面で優れているからである。
<< Background to one aspect of this disclosure >>
Conventionally, the organic light emitting layer in an organic EL display panel is often formed by a dry process (dry method) such as vacuum deposition, but in recent years, it has become wet due to advances in coating technology, especially printing equipment technology. Technology for forming an organic light emitting layer in a process is becoming widespread.
In the wet process, an ink in which an organic light emitting material is dissolved in an organic solvent is printed on a necessary place by a printing device or the like and then dried to form an organic light emitting layer. Even a large organic EL display panel can be used. This is because the equipment cost can be suppressed and the material utilization rate is high, which is excellent in terms of cost.

しかし、ウエットプロセスにおいて、光共振構造を構築するため、各発光色の有機EL素子の有機発光層の膜厚を異ならせるには、各発光色のインクの滴下量を調整する必要がある。
これにより、乾燥後の有機発光層表面のプロフィール(以下、「膜形状」という。)を膜厚の異なる発光色同士で揃えるのが難しいという問題が生じる。
However, in order to construct the optical resonance structure in the wet process, it is necessary to adjust the dropping amount of the ink of each emission color in order to make the thickness of the organic emission layer of the organic EL element of each emission color different.
This causes a problem that it is difficult to align the profile of the surface of the organic light emitting layer after drying (hereinafter, referred to as “film shape”) between light emitting colors having different film thicknesses.

図18(a)、(b)は、膜形状の形成過程を模式的に示す断面図であり、図18(a)は、発光層の膜厚が大きい場合を示し、図18(b)は、発光層の膜厚が小さい場合を示す。
図18(a)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極13が形成され、画素電極13を挟むように両側に所定高さの一対の隔壁14が立設されている。
18 (a) and 18 (b) are cross-sectional views schematically showing a film shape forming process, FIG. 18 (a) shows a case where the film thickness of the light emitting layer is large, and FIG. 18 (b) shows a case where the film thickness is large. , The case where the film thickness of the light emitting layer is small is shown.
As shown in FIG. 18A, a pixel electrode 13 is formed on the interlayer insulating layer 12, and a pair of partition walls 14 having a predetermined height are erected on both sides so as to sandwich the pixel electrode 13.

隔壁14は、一定の撥液性を有する有機材料で形成されており、一対の隔壁14の間(以下、「開口部」という。)にインクを滴下するとインクの表面張力と隔壁14の撥液性により、上方に盛り上がったインク溜まり170が形成される。インク溜まり170中の有機溶媒が蒸発して乾燥すると、発光層の膜形状171は、隔壁14の内壁にピニング位置P1で接し、開口部の中央で下方に窪んだ凹形状になる。 The partition wall 14 is made of an organic material having a certain liquid repellency, and when ink is dropped between a pair of partition walls 14 (hereinafter, referred to as “opening”), the surface tension of the ink and the liquid repellency of the partition wall 14 are obtained. Depending on the nature, an upwardly raised ink pool 170 is formed. When the organic solvent in the ink sump 170 evaporates and dries, the film shape 171 of the light emitting layer comes into contact with the inner wall of the partition wall 14 at the pinning position P1 and becomes a concave shape recessed downward at the center of the opening.

一方、発光層の膜厚が小さい場合には図18(b)に示すように、図18(a)の場合よりも少ない量のインクを開口部に滴下してインク溜まり170を形成して、これを乾燥させると、その膜形状は太線171で示すようにピニング位置P2と開口部中央との落差が大きく、図18(a)の場合よりも急峻な凹形状となる。
このような現象が生じるのは、インクの滴下量の多少に関わらず、ピニング位置P1、P2の隔壁14頂部からの層間絶縁層12の主面に垂直な方向における距離がほとんど変化しないことによる。
On the other hand, when the film thickness of the light emitting layer is small, as shown in FIG. 18 (b), a smaller amount of ink than in the case of FIG. 18 (a) is dropped on the opening to form an ink pool 170. When this is dried, the film shape has a large difference between the pinning position P2 and the center of the opening as shown by the thick line 171 and becomes a steeper concave shape than in the case of FIG. 18A.
Such a phenomenon occurs because the distance from the top of the partition wall 14 at the pinning positions P1 and P2 in the direction perpendicular to the main surface of the interlayer insulating layer 12 hardly changes regardless of the amount of ink dropped.

ピニング位置に差異が生じないのは、隔壁14の組成材料の撥液性とインクの表面張力との関係からインクと隔壁14の接触角が所定の範囲に保たれること、および隔壁14付近の有機溶媒の方が中央部よりも速く蒸発して乾燥する傾向があるため、隔壁14と接触する膜の位置(ピニング位置)が、先に固定されてしまうことなどによるものと考えられている。 The reason why there is no difference in the pinning position is that the contact angle between the ink and the partition wall 14 is kept within a predetermined range due to the relationship between the liquid repellency of the composition material of the partition wall 14 and the surface tension of the ink, and the vicinity of the partition wall 14 Since the organic solvent tends to evaporate and dry faster than the central portion, it is considered that the position (pinning position) of the film in contact with the partition wall 14 is fixed first.

これに対処するため、(1)隔壁14を膜厚の大きい側と膜厚の小さい側とで、高さを変える構成(膜厚の小さい側の隔壁14の高さを低くする)、(2)隔壁14の内壁面を表面処理して撥液性の程度(濡れ性)を膜厚の大きい側と小さい側で変える構成などが考えられるが、(1)の構成では、隔壁14の頂部に段差を設けるために、設計上、隔壁14の幅を大きくせざるを得ず、その分、隔壁14で挟まれた空間(開口部)の面積が小さくなり発光効率が低下するおそれがある。また、(2)の構成についても、最近の高精細化のため隔壁14も微小化しており、発光色の異なる副画素ごとに対応する隔壁14の側面に異なる表面処理を施すことは、技術的に困難であり、もし、可能であったとしてもコスト的な面で現実的ではなく、ウエットプロセスを採用したことによるメリットを大きく減殺してしまう。 In order to deal with this, (1) the partition wall 14 is configured to change the height between the side having a large film thickness and the side having a small film thickness (the height of the partition wall 14 on the side having a small film thickness is lowered), (2). ) It is conceivable that the inner wall surface of the partition wall 14 is surface-treated to change the degree of liquid repellency (wetting property) between the large film thickness side and the small film thickness side, but in the configuration (1), the top surface of the partition wall 14 is used. In order to provide the step, the width of the partition wall 14 has to be increased by design, and the area of the space (opening) sandwiched by the partition wall 14 is reduced by that amount, which may reduce the light emission efficiency. Further, regarding the configuration of (2), the partition wall 14 has also been miniaturized due to the recent high definition, and it is technically technical to apply different surface treatments to the side surface of the partition wall 14 corresponding to each sub-pixel having a different emission color. It is difficult, and even if it is possible, it is not realistic in terms of cost, and the merit of adopting the wet process is greatly diminished.

そこで、本願発明者らは、各発光色ごとにピニング位置を変更して膜厚の異なる発光層の膜形状を揃えるのではなく、逆に各発光色の発光層のピニング位置が変化しないことを利用して、膜形状を揃える方法について研究を重ねて、本開示の一態様に至ったものである。
図19(a)、(b)は、本開示の基本的な原理を説明するための模式図であり、この例では、隔壁14の高さを図18の場合より低くしている。
Therefore, the inventors of the present application do not change the pinning position for each emission color to align the film shapes of the light emitting layers having different film thicknesses, but conversely, the pinning position of the light emitting layer of each emission color does not change. This is one aspect of the present disclosure, which has been studied repeatedly on a method for aligning film shapes by utilizing the method.
19 (a) and 19 (b) are schematic views for explaining the basic principle of the present disclosure, and in this example, the height of the partition wall 14 is lower than that of FIG.

そうすると、ピニング位置P3の隔壁14の頂部からの距離は、上記ピニング位置P1、P2と同じだが、ピニング位置P3より下方の開口部の容積が小さくなっているので、図19(a)のようにインクの滴下量が少ない場合でも乾燥したときに中央部の落ち込みが少なくなって、その膜形状171の凹形状が図18(b)の場合に比べて、非常になだらかになっている。 Then, the distance of the pinning position P3 from the top of the partition wall 14 is the same as that of the pinning positions P1 and P2, but the volume of the opening below the pinning position P3 is smaller, so that as shown in FIG. 19A. Even when the amount of ink dropped is small, the drop in the central portion is small when the ink is dried, and the concave shape of the film shape 171 is very gentle as compared with the case of FIG. 18B.

そして、発光層の膜厚が大きい場合には、隔壁14の高さは同じままで、図19(b)に示すように層間絶縁層12に深さd1の掘り込み部125を設けることにより、ピニング位置P4より下方の開口部の容積を、増加したインク量に相当する分だけ大きくする。
これにより、図19(a)よりインクの滴下量が多い場合でも、乾燥したときにおける中央部の落ち込み量が図19(a)と同程度になるため、その膜形状が図19(a)と図19(b)の場合とほぼ同じになって、異なる発光色同士における膜形状を揃えることが可能となる。
When the film thickness of the light emitting layer is large, the height of the partition wall 14 remains the same, and as shown in FIG. 19B, the interlayer insulating layer 12 is provided with the dug portion 125 having a depth of d1. The volume of the opening below the pinning position P4 is increased by the amount corresponding to the increased amount of ink.
As a result, even when the amount of ink dropped is larger than that in FIG. 19 (a), the amount of drop in the central portion when dried is about the same as in FIG. 19 (a), so that the film shape is the same as in FIG. 19 (a). It is almost the same as the case of FIG. 19B, and it is possible to align the film shapes of different emission colors.

つまり、隔壁の開口部の発光領域の直下に、滴下するインク量の差分に応じた掘り込みを設けて、想定されるピニング位置より上方に存在するインク量が、各発光色の副画素において同じにして、滴下直後のインク溜まり170の表面形状(図19(a)、(b)参照)がほぼ同じになるようにするという極めて簡易な構成でありながら、異なる膜厚の発光色の膜形状を揃えることが可能であることを見出したものである。 That is, a digging corresponding to the difference in the amount of ink to be dropped is provided directly under the light emitting region of the opening of the partition wall, and the amount of ink existing above the assumed pinning position is the same in the sub-pixels of each light emitting color. The surface shape of the ink sump 170 immediately after dropping (see FIGS. 19A and 19B) is made to be substantially the same, but the film shape of the luminescent color having a different film thickness is formed. It was found that it is possible to align.

≪本開示の一態様の概要≫
本開示の一態様に係る有機EL表示パネルは、基板と、前記基板上に形成された層間絶縁層と、前記層間絶縁層上に形成された有機EL発光部と、を備えた有機EL表示パネルであって、前記有機EL発光部は、前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極とを含み、前記有機EL発光部は、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、前記第1発光部と前記第2発光部は、前記有機層の層厚が異なっており、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層の掘り込み量が異なっている。
<< Outline of one aspect of the present disclosure >>
The organic EL display panel according to one aspect of the present disclosure is an organic EL display panel including a substrate, an interlayer insulating layer formed on the substrate, and an organic EL light emitting portion formed on the interlayer insulating layer. The organic EL light emitting unit is arranged between a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer and a plurality of partition walls arranged in the row direction and extended in the column direction. And an organic layer including a light emitting layer formed in a region partitioned by the partition wall, and a counter electrode formed above the organic layer, and the organic EL light emitting unit emits a first color. It includes a first light emitting unit having a light emitting layer and a second light emitting unit having a light emitting layer that emits a second color different from the first color, and the first light emitting unit and the second light emitting unit are of the organic layer. The layer thickness is different, and the amount of digging of the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall of the first light emitting portion and the second light emitting portion is different.

係る態様によれば、各発光色の有機層の膜厚を異ならせても、それらの膜形状を揃えることができる。
また、本開示の別態様に係る有機EL表示パネルは、上記態様において、前記第1発光部と前記第2発光部のうち、発光する色の波長が長い発光部の方が、他方の発光部よりも前記層間絶縁層の掘り込み量が多い。
According to this aspect, even if the film thickness of the organic layer of each emission color is different, the film shapes can be made uniform.
Further, in the organic EL display panel according to another aspect of the present disclosure, in the above aspect, of the first light emitting unit and the second light emitting unit, the light emitting unit having a longer wavelength of the light emitting color is the other light emitting unit. The amount of digging of the interlayer insulating layer is larger than that of the above.

これにより、発光色の波長に応じた有機層の層厚を確保しつつ、各発光色同士の有機層の膜形状を揃えることが可能となる。
また、本開示の別態様に係る有機EL表示パネルは、上記態様において、第1発光部と第2発光部における前記有機層の上面と前記隔壁とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機層の上面の中央位置の高さとの差分が所定の値以下となるように、前記隔壁の高さおよび前記層間絶縁層の掘り込み量が設定される。
As a result, it is possible to make the film shape of the organic layer of each emission color uniform while ensuring the layer thickness of the organic layer according to the wavelength of the emission color.
Further, in the organic EL display panel according to another aspect of the present disclosure, in the above aspect, the height of the pinning position where the upper surface of the organic layer and the partition wall in the first light emitting portion and the second light emitting portion are in contact with each other and the organic The height of the partition wall and the amount of digging of the interlayer insulating layer are set so that the difference from the height of the center position of the upper surface of the layer is equal to or less than a predetermined value.

ここで、前記有機層の上面と前記隔壁とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機層の上面の中央位置の高さとの差分は、700nm以下である 。
また、前記層間絶縁層の掘り込み部分の底面は平坦であることが望ましい。
係る態様により、各発光色同士の有機層の膜形状を、平坦部が多く開口率の高い状態に揃えることができる。
Here, the difference between the height of the pinning position where the upper surface of the organic layer and the partition wall are in contact with each other and the height of the center position of the upper surface of the organic layer is 700 nm or less.
Further, it is desirable that the bottom surface of the dug portion of the interlayer insulating layer is flat.
According to this aspect, the film shape of the organic layer between each emission color can be made uniform with many flat portions and a high aperture ratio.

また、本開示の別態様に係る有機EL表示パネルは、上記態様において、前記画素電極は、光反射性を有する金属薄膜からなる。
係る態様により、発光色の異なる第1、第2の発光部のそれぞれにおいて適した光共振構造を構築して発光効率を高めることができる。
また、本開示の別態様に係る有機EL表示装置は、上記各態様に係る有機EL表示パネルと、前記有機EL表示パネルを駆動して画像を表示させる駆動部とを備える。
Further, in the organic EL display panel according to another aspect of the present disclosure, in the above aspect, the pixel electrode is made of a metal thin film having light reflectivity.
According to this aspect, it is possible to construct a suitable optical resonance structure in each of the first and second light emitting portions having different light emitting colors to improve the luminous efficiency.
Further, the organic EL display device according to another aspect of the present disclosure includes an organic EL display panel according to each of the above aspects and a driving unit that drives the organic EL display panel to display an image.

また、本開示の別態様に係る電子機器は、画像表示部として上記有機EL表示装置を備える。
係る態様により、発光色の発光効率が安定した良質の画像を表示することができる。
また、本開示の別態様に係る有機EL表示パネルの製造方法は、基板を準備する第1工程と、前記基板上に層間絶縁層を形成する第2工程と、前記層間絶縁層上に有機EL発光部を形成する第3工程と、を含む有機EL表示パネルの製造方法であって、前記有機EL発光部は、前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極とを含む共に、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、前記第1発光部と前記第2発光部では有機層の層厚が異なっており、前記第2工程において、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層に異なる深さの掘り込みが形成される。
Further, the electronic device according to another aspect of the present disclosure includes the organic EL display device as an image display unit.
According to this aspect, it is possible to display a high-quality image in which the luminous efficiency of the emitted color is stable.
Further, the method for manufacturing an organic EL display panel according to another aspect of the present disclosure includes a first step of preparing a substrate, a second step of forming an interlayer insulating layer on the substrate, and an organic EL on the interlayer insulating layer. A method for manufacturing an organic EL display panel including a third step of forming a light emitting portion, wherein the organic EL light emitting portion includes a plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer and a row direction. A plurality of partition walls arranged between the pixel electrodes adjacent to the above and extending in the row direction, an organic layer including a light emitting layer formed in a region partitioned by the partition walls, and an organic layer formed above the organic layer. The first light emitting unit includes a first light emitting unit including a counter electrode and having a light emitting layer that emits a first color, and a second light emitting unit that has a light emitting layer that emits a second color different from the first color. The layer thickness of the organic layer is different between the portion and the second light emitting portion, and in the second step, the interlayer insulating layer in the region partitioned by the partition wall of the first light emitting portion and the second light emitting portion has a different depth. An electrode digging is formed.

係る態様により、上述のように発光効率に優れた良質な画像を表示できる有機EL表示パネルの製造が可能となる。
また、本開示の別態様に係る有機EL表示パネルの製造方法は、上記態様において、前記層間絶縁層は、感光性樹脂材料からなり、前記第2工程において、ハーフトーンマスクを利用して前記層間絶縁層に異なる深さの掘り込みを一回のフォトリソグラフ工程で形成する。
According to this aspect, it is possible to manufacture an organic EL display panel capable of displaying a high-quality image having excellent luminous efficiency as described above.
Further, in the method for manufacturing an organic EL display panel according to another aspect of the present disclosure, in the above aspect, the interlayer insulating layer is made of a photosensitive resin material, and in the second step, the interlayer is used by using a halftone mask. Digging of different depths in the insulating layer is formed in a single photolithography process.

これにより、層間絶縁層に深さの異なる掘り込みを、工数をそれほど増やさずに容易に形成することができる。
なお、上記各開示の態様において「上」とは、絶対的な空間認識における上方向(鉛直上方)を指すものではなく、有機EL表示パネルの積層構造における積層順を基に、相対的な位置関係により規定されるものである。具体的には、有機EL表示パネルにおいて、基板の主面に垂直な方向であって、基板から積層物側に向かう側を上方向とする。また、例えば「基板上」と表現した場合は、基板に直接接する領域のみを指すのではなく、積層物を介した基板の上方の領域も含めるものとする。また、例えば「基板の上方」と表現した場合、基板と間隔を空けた上方領域のみを指すのではなく、基板上の領域も含めるものとする。
As a result, it is possible to easily form diggings having different depths in the interlayer insulating layer without increasing the man-hours so much.
In each of the above-described embodiments, "upper" does not mean an upward direction (vertically upward) in absolute spatial recognition, but a relative position based on the stacking order in the laminated structure of the organic EL display panel. It is defined by the relationship. Specifically, in the organic EL display panel, the direction perpendicular to the main surface of the substrate and the direction from the substrate toward the laminate side is the upward direction. Further, for example, the expression "on the substrate" does not mean only the region directly in contact with the substrate, but also includes the region above the substrate via the laminate. Further, for example, when the expression "above the substrate" is used, it does not mean only the upper region separated from the substrate, but also includes the region on the substrate.

≪実施の形態≫
以下、本開示の一態様に係る有機EL表示パネルについて、図面を参照しながら説明する。なお、図面は、模式的なものを含んでおり、各部材の縮尺や縦横の比率などが実際とは異なる場合がある。
1.有機EL表示装置1の全体構成
図1は、有機EL表示装置1の全体構成を示すブロック図である。有機EL表示装置1は、例えば、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末、業務用ディスプレイ(電子看板、商業施設用大型スクリーン)などに用いられる表示装置である。
<< Embodiment >>
Hereinafter, the organic EL display panel according to one aspect of the present disclosure will be described with reference to the drawings. It should be noted that the drawings include schematic ones, and the scale and aspect ratio of each member may differ from the actual ones.
1. 1. Overall Configuration of Organic EL Display Device 1 FIG. 1 is a block diagram showing an overall configuration of the organic EL display device 1. The organic EL display device 1 is a display device used for, for example, a television, a personal computer, a mobile terminal, a commercial display (electronic signboard, a large screen for commercial facilities), and the like.

有機EL表示装置1は、有機EL表示パネル10と、これに電気的に接続された駆動制御部200とを備える。
有機EL表示パネル10は、本実施の形態では、上面が長方形状の画像表示面であるトップエミッション型の表示パネルである。有機EL表示パネル10では、画像表示面に沿って複数の有機EL素子(不図示)が配列され、各有機EL素子の発光を組み合わせて画像を表示する。なお、有機EL表示パネル10は、一例として、アクティブマトリクス方式を採用している。
The organic EL display device 1 includes an organic EL display panel 10 and a drive control unit 200 electrically connected to the organic EL display panel 10.
In the present embodiment, the organic EL display panel 10 is a top emission type display panel whose upper surface is a rectangular image display surface. In the organic EL display panel 10, a plurality of organic EL elements (not shown) are arranged along the image display surface, and the light emission of each organic EL element is combined to display an image. The organic EL display panel 10 adopts an active matrix method as an example.

駆動制御部200は、有機EL表示パネル10に接続された駆動回路210と、計算機などの外部装置又はアンテナなどの受信装置に接続された制御回路220とを有する。駆動回路210は、各有機EL素子に電力を供給する電源回路、各有機EL素子への供給電力を制御する電圧信号を印加する信号回路、一定の間隔ごとに電圧信号を印加する箇所を切り替える走査回路などを有する。 The drive control unit 200 includes a drive circuit 210 connected to the organic EL display panel 10 and a control circuit 220 connected to an external device such as a computer or a receiving device such as an antenna. The drive circuit 210 is a power supply circuit that supplies electric power to each organic EL element, a signal circuit that applies a voltage signal that controls the electric power supplied to each organic EL element, and a scan that switches a location where a voltage signal is applied at regular intervals. It has a circuit and so on.

制御回路220は、外部装置や受信装置から入力された画像情報を含むデータに応じて、駆動回路210の動作を制御する。
なお、図1では、一例として、駆動回路210が有機EL表示パネル10の周囲に4つ配置されているが、駆動制御部200の構成はこれに限定されるものではなく、駆動回路210の数や位置は適宜変更可能である。また、以下では説明のため、図1に示すように、有機EL表示パネル10上面の長辺に沿った方向をX方向、有機EL表示パネル10上面の短辺に沿った方向をY方向とする。
The control circuit 220 controls the operation of the drive circuit 210 according to data including image information input from an external device or a receiving device.
In FIG. 1, four drive circuits 210 are arranged around the organic EL display panel 10 as an example, but the configuration of the drive control unit 200 is not limited to this, and the number of drive circuits 210 is not limited to this. And the position can be changed as appropriate. Further, for the sake of explanation below, as shown in FIG. 1, the direction along the long side of the upper surface of the organic EL display panel 10 is defined as the X direction, and the direction along the short side of the upper surface of the organic EL display panel 10 is defined as the Y direction. ..

2.有機EL表示パネル10の構成
(A)平面構成
図2は、有機EL表示パネル10の画像表示面の一部を拡大した模式平面図である。有機EL表示パネル10では、一例として、R(赤色)、G(緑色)、B(青色)(以下、単にR、G、Bともいう。)にそれぞれ発光する副画素100R、100G、100Bが行列状に配列されている。副画素100R、100G、100Bは、X方向(行方向)に交互に並び、X方向に並ぶ一組の副画素100R、100G、100Bが、一つの画素Pを構成している。画素Pでは、階調制御された副画素100R、100G、100Bの発光輝度を組み合わせることにより、フルカラーを表現することが可能である。
2. 2. Configuration of Organic EL Display Panel 10 (A) Planar Configuration FIG. 2 is a schematic plan view in which a part of the image display surface of the organic EL display panel 10 is enlarged. In the organic EL display panel 10, as an example, sub-pixels 100R, 100G, and 100B that emit light to R (red), G (green), and B (blue) (hereinafter, also simply referred to as R, G, and B) are arranged in a matrix. They are arranged in a shape. The sub-pixels 100R, 100G, 100B are arranged alternately in the X direction (row direction), and a set of sub-pixels 100R, 100G, 100B arranged in the X direction constitute one pixel P. In the pixel P, it is possible to express full color by combining the emission luminance of the sub-pixels 100R, 100G, and 100B whose gradation is controlled.

また、Y方向(列方向)においては、副画素100R、副画素100G、副画素100Bのいずれかのみが並ぶことでそれぞれ副画素列CR、副画素列CG、副画素列CBが構成されている。これにより、有機EL表示パネル10全体として画素Pが、X方向及びY方向に沿った行列状に並び、この行列状に並ぶ画素Pの発色を組み合わせることにより、画像表示面に画像が表示される。 Further, in the Y direction (column direction), the sub pixel row CR, the sub pixel row CG, and the sub pixel row CB are configured by arranging only one of the sub pixel 100R, the sub pixel 100G, and the sub pixel 100B, respectively. .. As a result, the pixels P of the organic EL display panel 10 as a whole are arranged in a matrix along the X and Y directions, and the image is displayed on the image display surface by combining the coloring of the pixels P arranged in the matrix. ..

副画素100R、100G、100Bには、それぞれR、G、Bの色に発光する有機EL素子2(図3参照)が配置されている。
また、本実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、いわゆるラインバンク方式を採用している。すなわち、副画素列CR、CG、CBを1列ごとに仕切る隔壁(バンク)14がX方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素列CR、CG、CBでは、副画素100R、100G、100Bが、有機発光層を共有している。
Organic EL elements 2 (see FIG. 3) that emit light in the colors R, G, and B are arranged in the sub-pixels 100R, 100G, and 100B, respectively.
Further, the organic EL display panel 10 according to the present embodiment employs a so-called line bank method. That is, a plurality of partition walls (banks) 14 for partitioning the sub-pixel rows CR, CG, and CB for each row are arranged at intervals in the X direction, and in each sub-pixel row CR, CG, and CB, the sub-pixels 100R, 100G, 100B shares an organic light emitting layer.

ただし、各副画素列CR、CG、CBでは、副画素100R、100G、100B同士を絶縁する画素規制層141がY方向に間隔をおいて複数配置され、各副画素100R、100G、100Bは、独立して発光することができるようになっている。
なお、画素規制層141の高さは、発光層の表面の高さより低い。図2では、隔壁14及び画素規制層141は点線で表されているが、これは、画素規制層141及び隔壁14が、画像表示面の表面に露出しておらず、画像表示面の内部に配置されているからである。
However, in each of the sub-pixel sequences CR, CG, and CB, a plurality of pixel regulation layers 141 that insulate the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged at intervals in the Y direction, and the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are arranged. It can emit light independently.
The height of the pixel regulation layer 141 is lower than the height of the surface of the light emitting layer. In FIG. 2, the partition wall 14 and the pixel regulation layer 141 are represented by dotted lines, which is because the pixel regulation layer 141 and the partition wall 14 are not exposed on the surface of the image display surface and are inside the image display surface. Because it is arranged.

(B)有機EL素子の断面構成
図3は、図2のA−A線に沿った模式断面図である。
有機EL表示パネル10において、一つの画素は、R、G、Bをそれぞれ発光する3つの副画素からなる。各副画素は、対応する色を発光する有機EL素子で構成される。
各色の有機EL素子は、基本的には、ほぼ同様の構成を有するので、区別しないときは、有機EL素子2として説明する。
(B) Cross-sectional configuration of the organic EL element FIG. 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG.
In the organic EL display panel 10, one pixel is composed of three sub-pixels that emit light of R, G, and B, respectively. Each sub-pixel is composed of an organic EL element that emits a corresponding color.
Since the organic EL elements of each color basically have almost the same configuration, they will be described as the organic EL element 2 when they are not distinguished.

図3に示すように、有機EL素子2は、基板11、層間絶縁層12、画素電極13、隔壁14、正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19、対向電極20、および、封止層21とからなる。
基板11、層間絶縁層12、電子輸送層18、電子注入層19、対向電極20、および、封止層21は、画素ごとに形成されているのではなく、有機EL表示パネル10が備える複数の有機EL素子2に共通して形成されている。
As shown in FIG. 3, the organic EL element 2 includes a substrate 11, an interlayer insulating layer 12, a pixel electrode 13, a partition wall 14, a hole injection layer 15, a hole transport layer 16, a light emitting layer 17, an electron transport layer 18, and electrons. It is composed of an injection layer 19, a counter electrode 20, and a sealing layer 21.
The substrate 11, the interlayer insulating layer 12, the electron transport layer 18, the electron injection layer 19, the counter electrode 20, and the sealing layer 21 are not formed for each pixel, but a plurality of organic EL display panels 10 include. It is commonly formed in the organic EL element 2.

(1)基板
基板11は、絶縁材料である基材111と、TFT(Thin Film Transistor)層112とを含む。TFT層112には、副画素ごとに駆動回路が形成されている。基材111は、例えば、ガラス基板、石英基板、シリコン基板、硫化モリブデン、銅、亜鉛、アルミニウム、ステンレス、マグネシウム、鉄、ニッケル、金、銀などの金属基板、ガリウム砒素などの半導体基板、プラスチック基板等を採用することができる。
(1) Substrate The substrate 11 includes a base material 111 which is an insulating material and a TFT (Thin Film Transistor) layer 112. A drive circuit is formed in the TFT layer 112 for each sub-pixel. The base material 111 includes, for example, a glass substrate, a quartz substrate, a silicon substrate, molybdenum sulfide, copper, zinc, aluminum, stainless steel, magnesium, iron, nickel, gold, silver and other metal substrates, gallium arsenic and other semiconductor substrates, and plastic substrates. Etc. can be adopted.

プラスチック材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化樹脂いずれの樹脂を用いてもよい。例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアミド、ポリイミド(PI)、ポリカーボネート、アクリル系樹脂、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート、ポリアセタール、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等が挙げられ、これらのうち1種、または2種以上を積層した積層体を用いることができる。 As the plastic material, either a thermoplastic resin or a thermosetting resin may be used. For example, polyethylene, polypropylene, polyamide, polyimide (PI), polycarbonate, acrylic resin, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate, polyacetal, other fluororesins, styrene-based, polyolefin-based, polyvinyl chloride-based, polyurethane-based, Various thermoplastic elastomers such as fluororubber type and chlorinated polyethylene type, epoxy resin, unsaturated polyester, silicone resin, polyurethane, etc., or copolymers, blends, polymer alloys, etc. mainly composed of these are mentioned. A laminated body in which one type or two or more types are laminated can be used.

(2)層間絶縁層
層間絶縁層12は、基板11上に形成されている。層間絶縁層12は、樹脂材料からなり、TFT層112の上面の段差を平坦化するためのものである。樹脂材料としては、例えば、ポジ型もしくはネガ型の感光性材料が挙げられる。また、このような感光性材料として、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂が挙げられる。また、図3の断面図には示されていないが、層間絶縁層12には、副画素ごとにコンタクトホールが形成されている。
(2) Interlayer Insulation Layer The interlayer insulation layer 12 is formed on the substrate 11. The interlayer insulating layer 12 is made of a resin material and is for flattening a step on the upper surface of the TFT layer 112. Examples of the resin material include positive type and negative type photosensitive materials. Moreover, as such a photosensitive material, an acrylic resin, a polyimide resin, a siloxane resin, and a phenol resin can be mentioned. Further, although not shown in the cross-sectional view of FIG. 3, contact holes are formed in the interlayer insulating layer 12 for each sub-pixel.

また、層間絶縁層12の上面には、R、Gの発光領域に対応する箇所において掘り込み部125R、125Gが形成されている。掘り込み部125Rの掘り込み量(深さ)が掘り込み125Gより大きく、両者の底部は、基板11の主面に平行な平坦部となっている。
この掘り込み部125R、125Gにより、各発光色の副画素における発光層17(R)、17(G)、17(B)の層厚に上述した光共振構造を形成するために光学設計上望ましい差を設けつつ、膜形状を揃えることができる。光共振構造自体は、周知の構成なので、特に詳述しない。
Further, on the upper surface of the interlayer insulating layer 12, digging portions 125R and 125G are formed at locations corresponding to the light emitting regions of R and G. The digging amount (depth) of the digging portion 125R is larger than that of the digging 125G, and the bottoms of both are flat portions parallel to the main surface of the substrate 11.
It is desirable in terms of optical design to form the above-mentioned optical resonance structure in the layer thicknesses of the light emitting layers 17 (R), 17 (G), and 17 (B) in the sub-pixels of each light emitting color by the dug portions 125R and 125G. The film shape can be made uniform while making a difference. Since the optical resonance structure itself has a well-known structure, it will not be described in detail.

なお、本実施の形態では、層間絶縁層12として、ネガ型の感光性樹脂を使用して、ハーフトーンマスクを使用したフォトリソグラフィ法により、掘り込み部125R、125Gを形成するようにしている。詳しくは後述する。
(3)画素電極
画素電極13は、光反射性の金属材料からなる金属層を含み、層間絶縁層12上に形成されている。画素電極13は、副画素ごとに設けられ、コンタクトホール(不図示)を通じてTFT層112と電気的に接続されている。
In the present embodiment, a negative type photosensitive resin is used as the interlayer insulating layer 12, and the dug portions 125R and 125G are formed by a photolithography method using a halftone mask. Details will be described later.
(3) Pixel Electrode The pixel electrode 13 includes a metal layer made of a light-reflecting metal material and is formed on the interlayer insulating layer 12. The pixel electrode 13 is provided for each sub-pixel and is electrically connected to the TFT layer 112 through a contact hole (not shown).

本実施の形態においては、画素電極13は、陽極として機能する。
光反射性を具備する金属材料の具体例としては、Ag(銀)、Al(アルミニウム)、アルミニウム合金、Mo(モリブデン)、APC(銀、パラジウム、銅の合金)、ARA(銀、ルビジウム、金の合金)、MoCr(モリブデンとクロムの合金)、MoW(モリブデンとタングステンの合金)、NiCr(ニッケルとクロムの合金)などが挙げられる。
In the present embodiment, the pixel electrode 13 functions as an anode.
Specific examples of the metal material having light reflectivity include Ag (silver), Al (aluminum), aluminum alloy, Mo (molybdenum), APC (alloy of silver, palladium and copper), ARA (silver, rubidium, gold). , MoCr (alloy of molybdenum and chromium), MoW (alloy of molybdenum and tungsten), NiCr (alloy of nickel and chromium) and the like.

画素電極13は、金属層単独で構成してもよいが、金属層の上に、ITO(酸化インジウム錫)やIZO(酸化インジウム亜鉛)のような金属酸化物からなる層を積層した積層構造としてもよい。
(4)隔壁・画素規制層
隔壁14は、基板11の上方に副画素ごとに配置された複数の画素電極13を、X方向(図2参照)において列毎に仕切るものであって、X方向に並ぶ副画素列CR、CG、CBの間においてY方向に延伸するラインバンク形状である。
The pixel electrode 13 may be composed of a metal layer alone, but as a laminated structure in which a layer made of a metal oxide such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium zinc oxide) is laminated on the metal layer. May be good.
(4) Partition / Pixel Restriction Layer The partition 14 partitions a plurality of pixel electrodes 13 arranged for each sub-pixel above the substrate 11 for each row in the X direction (see FIG. 2), and is in the X direction. It is a line bank shape extending in the Y direction between the sub-pixel rows CR, CG, and CB arranged in the line.

この隔壁14には、電気絶縁性材料が用いられる。電気絶縁性材料の具体例として、例えば、絶縁性の有機材料(例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等)が用いられる。
隔壁14は、発光層17を塗布法で形成する場合に塗布された各色のインクが溢れて混色しないようにするための構造物として機能する。
An electrically insulating material is used for the partition wall 14. As a specific example of the electrically insulating material, for example, an insulating organic material (for example, acrylic resin, polyimide resin, novolak resin, phenol resin, etc.) is used.
The partition wall 14 functions as a structure for preventing the applied inks of each color from overflowing and mixing when the light emitting layer 17 is formed by the coating method.

なお、樹脂材料を用いる際は、加工性の点から感光性を有することが好ましい。当該感光性は、ポジ型、ネガ型のいずれであってもよい。
隔壁14は、有機溶媒や熱に対する耐性を有することが好ましい。また、インクの流出を抑制するために、隔壁14の表面は所定の撥液性を有することが好ましい。
画素電極13が形成されていない部分において、隔壁14の底面が層間絶縁層12の上面と接している。
When a resin material is used, it is preferable to have photosensitivity from the viewpoint of processability. The photosensitivity may be either positive type or negative type.
The partition wall 14 preferably has resistance to an organic solvent and heat. Further, in order to suppress the outflow of ink, it is preferable that the surface of the partition wall 14 has a predetermined liquid repellency.
In the portion where the pixel electrode 13 is not formed, the bottom surface of the partition wall 14 is in contact with the upper surface of the interlayer insulating layer 12.

画素規制層141は、電気絶縁性材料からなり、各副画素列においてY方向(図2)に隣接する画素電極13の端部を覆い、当該Y方向に隣接する画素電極13同士を仕切っている。
画素規制層141の膜厚は、画素電極13の膜厚よりも若干大きいが、発光層17の上面までの厚みよりも小さくなるように設定されている。これにより、各副画素列CR、CG、CBにおける発光層17は、画素規制層141によっては仕切られず、発光層17を形成する際のインクの流動が妨げられない。そのため、各副画素列における発光層17の厚みを均一に揃えることを容易にする。
The pixel regulation layer 141 is made of an electrically insulating material, covers the ends of the pixel electrodes 13 adjacent to the Y direction (FIG. 2) in each sub-pixel row, and partitions the pixel electrodes 13 adjacent to the Y direction. ..
The film thickness of the pixel regulation layer 141 is set to be slightly larger than the film thickness of the pixel electrode 13 but smaller than the thickness up to the upper surface of the light emitting layer 17. As a result, the light emitting layer 17 in each of the sub-pixel rows CR, CG, and CB is not partitioned by the pixel regulating layer 141, and the flow of ink when forming the light emitting layer 17 is not hindered. Therefore, it is easy to make the thickness of the light emitting layer 17 in each sub-pixel row uniform.

画素規制層15は、上記構造により、Y方向に隣接する画素電極13の電気絶縁性を向上しつつ、各副画素列CR、CG、CBにおける有機発光層16の段切れ抑制、画素電極13と対向電極17との間の電気絶縁性の向上などの役割を有する。
画素規制層15に用いられる電気絶縁性材料の具体例としては、上記隔壁14の材料として例示した樹脂材料や無機材料などが挙げられる。また、上層となる有機発光層16を形成する際、インクが濡れ広がりやすいように、画素規制層15の表面はインクに対する親液性を有することが好ましい。
With the above structure, the pixel regulation layer 15 improves the electrical insulation of the pixel electrodes 13 adjacent to each other in the Y direction, suppresses the step breakage of the organic light emitting layer 16 in each of the sub-pixel rows CR, CG, and CB, and forms the pixel electrodes 13. It has a role of improving the electrical insulation between the counter electrode 17 and the like.
Specific examples of the electrically insulating material used for the pixel regulation layer 15 include a resin material and an inorganic material exemplified as the material of the partition wall 14. Further, when the organic light emitting layer 16 to be the upper layer is formed, it is preferable that the surface of the pixel regulation layer 15 has a liquid property to the ink so that the ink can be easily wetted and spread.

(5)正孔注入層
正孔注入層15は、画素電極13から発光層17への正孔の注入を促進させる目的で、画素電極13上に設けられている。正孔注入層15は、例えば、Ag(銀)、Mo(モリブデン)、Cr(クロム)、V(バナジウム)、W(タングステン)、Ni(ニッケル)、Ir(イリジウム)などの酸化物、あるいは、PEDOT(ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物)などの導電性ポリマー材料からなる層である。
(5) Hole Injection Layer The hole injection layer 15 is provided on the pixel electrode 13 for the purpose of promoting the injection of holes from the pixel electrode 13 into the light emitting layer 17. The hole injection layer 15 is, for example, an oxide such as Ag (silver), Mo (molybdenum), Cr (chromium), V (vanadium), W (tungsten), Ni (nickel), Ir (iridium), or A layer made of a conductive polymeric material such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid).

上記のうち、酸化金属からなる正孔注入層15は、正孔を安定的に、または、正孔の生成を補助して、発光層17に対し正孔を注入する機能を有し、大きな仕事関数を有する。
本実施の形態では、正孔注入層15は、酸化タングステンからなる。正孔注入層15を遷移金属の酸化物で形成すると、複数の酸化数を取るため、複数の準位を取ることができ、その結果、正孔注入が容易になり、駆動電圧の低減に寄与する。
Of the above, the hole injection layer 15 made of a metal oxide has a function of injecting holes into the light emitting layer 17 in a stable manner or assisting the generation of holes, which is a major task. Has a function.
In this embodiment, the hole injection layer 15 is made of tungsten oxide. When the hole injection layer 15 is formed of a transition metal oxide, it takes a plurality of oxidation numbers, so that a plurality of levels can be taken. As a result, hole injection becomes easy and contributes to a reduction in driving voltage. To do.

(6)正孔輸送層
正孔輸送層16は、正孔注入層15から注入された正孔を発光層17へ輸送する機能を有する。正孔輸送層16は、例えば、ポリフルオレンやその誘導体、あるいは、ポリアリールアミンやその誘導体などの高分子化合物であって、親水基を備えないものなどを用いてウエットプロセスにより形成される。
(6) Hole Transport Layer The hole transport layer 16 has a function of transporting holes injected from the hole injection layer 15 to the light emitting layer 17. The hole transport layer 16 is formed by a wet process using, for example, polyfluorene or a derivative thereof, or a polymer compound such as polyarylamine or a derivative thereof, which does not have a hydrophilic group.

(7)発光層
発光層17は、開口部14a内に形成されており、正孔と電子の再結合により、R、G、Bの各色の光を発光する機能を有する。なお、特に、発光色を特定して説明する必要があるときには、発光層17(R)、17(G)、17(B)と記す。
発光層17の材料としては、公知の材料を利用することができる。具体的には、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、8−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、2−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とIII族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。
(7) Light-emitting layer The light-emitting layer 17 is formed in the opening 14a and has a function of emitting light of each color of R, G, and B by recombination of holes and electrons. In particular, when it is necessary to specify and explain the emission color, the emission layers 17 (R), 17 (G), and 17 (B) are described.
As the material of the light emitting layer 17, a known material can be used. Specifically, for example, an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, an azacmarin compound, an oxazole compound, an oxaziazole compound, a perinone compound, a pyrolopyrrole compound, a naphthalene compound, an anthracene compound, a fluorene compound, a fluorantene compound, a tetracene compound, and pyrene. Compounds, coronen compounds, quinolone compounds and azaquinolone compounds, pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives, rhodamine compounds, chrysene compounds, phenanthrene compounds, cyclopentadiene compounds, stylben compounds, diphenylquinone compounds, styryl compounds, butadiene compounds, dicyanomethylenepyran compounds, dicyanomethylene Thiopyran compound, fluorescein compound, pyririum compound, thiapyrrium compound, selenapyrylium compound, tellropyrylium compound, aromatic aldaziene compound, oligophenylene compound, thioxanthene compound, cyanine compound, aclysine compound, metal complex of 8-hydroxyquinoline compound, 2 -It is preferably formed of a fluorescent substance such as a metal complex of a bipyridine compound, a complex of a shift salt and a group III metal, an oxine metal complex, or a rare earth complex.

(8)電子輸送層
電子輸送層18は、対向電極20からの電子を発光層17へ輸送する機能を有する。電子輸送層18は、電子輸送性が高い有機材料からなり、アルカリ金属、および、アルカリ土類金属を含まない。
電子輸送層18に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
(8) Electron transport layer The electron transport layer 18 has a function of transporting electrons from the counter electrode 20 to the light emitting layer 17. The electron transport layer 18 is made of an organic material having high electron transport properties, and does not contain alkali metals and alkaline earth metals.
Examples of the organic material used for the electron transport layer 18 include π-electron low molecular weight organic materials such as an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), and a phenanthroline derivative (BCP, Bphen).

(9)電子注入層
電子注入層19は、対向電極20から供給される電子を発光層17側へと注入する機能を有する。電子注入層19は、例えば、電子輸送性が高い有機材料に、アルカリ金属、または、アルカリ土類金属から選択されるドープ金属がドープされて形成されている。
アルカリ金属に該当する金属は、リチウム(Li)、ナトリウム(Na)、カリウム(K)、ルビジウム(Rb)、セシウム(Cs)、フランシウム(Fr)であり、アルカリ土類金属に該当する金属は、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ラジウム(Ra)である。
(9) Electron injection layer The electron injection layer 19 has a function of injecting electrons supplied from the counter electrode 20 toward the light emitting layer 17. The electron injection layer 19 is formed by, for example, doping an organic material having high electron transport property with a doping metal selected from an alkali metal or an alkaline earth metal.
The metals corresponding to alkali metals are lithium (Li), sodium (Na), potassium (K), rubidium (Rb), cesium (Cs), and francium (Fr), and the metals corresponding to alkaline earth metals are Calcium (Ca), Strontium (Sr), Barium (Ba), Rubidium (Ra).

本実施の形態では、バリウム(Ba)がドープされている。
また、電子注入層19に用いられる有機材料としては、例えば、オキサジアゾール誘導体(OXD)、トリアゾール誘導体(TAZ)、フェナンスロリン誘導体(BCP、Bphen)などのπ電子系低分子有機材料が挙げられる。
(10)対向電極
対向電極20は、透光性の導電性材料からなり、電子注入層19上に形成されている。対向電極20は、陰極として機能する。
In this embodiment, barium (Ba) is doped.
Examples of the organic material used for the electron injection layer 19 include π-electron low-molecular-weight organic materials such as an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), and a phenanthroline derivative (BCP, Bphen). Be done.
(10) Counter electrode The counter electrode 20 is made of a translucent conductive material and is formed on the electron injection layer 19. The counter electrode 20 functions as a cathode.

対向電極20の材料としては、例えば、ITOやIZOなどを用いることができるが、光共振構造をより効果的に得るためには、対向電極20の材料として、銀、銀合金、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属を用いるのが望ましい。この場合、対向電極20は透光性を有する必要があるため、膜厚は、約20nm以下の薄膜として形成される。
(11)封止層
封止層21は、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19などの有機層が水分に晒されたり、空気に晒されたりして劣化するのを防止するために設けられるものである。
As the material of the counter electrode 20, for example, ITO or IZO can be used, but in order to obtain the optical resonance structure more effectively, the material of the counter electrode 20 is silver, a silver alloy, aluminum, or an aluminum alloy. It is desirable to use a metal such as. In this case, since the counter electrode 20 needs to have translucency, the film thickness is formed as a thin film of about 20 nm or less.
(11) Encapsulation layer The encapsulation layer 21 deteriorates when organic layers such as the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the electron transport layer 18, and the electron injection layer 19 are exposed to moisture or air. It is provided to prevent this from happening.

封止層21は、例えば、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)などの透光性材料を用いて形成される。
(12)その他
図3には示されてないが、封止層21上に接着剤を介して防眩用の偏光板や上部基板を貼り合せてもよい。これらを貼り合せることによって、正孔輸送層16、発光層17、電子輸送層18、電子注入層19を水分および空気などからさらに保護できる。
The sealing layer 21 is formed by using a translucent material such as silicon nitride (SiN) or silicon oxynitride (SiON).
(12) Others Although not shown in FIG. 3, a polarizing plate for antiglare or an upper substrate may be attached onto the sealing layer 21 via an adhesive. By laminating these, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the electron transport layer 18, and the electron injection layer 19 can be further protected from moisture, air, and the like.

3.有機EL表示パネル10の製造方法
以下、有機EL表示パネル10の製造方法について、図面を用いて説明する。
図4(a)〜(f)、図5(a)〜(d)および図6(a)〜(d)は、有機EL表示パネル10の製造における各工程での状態を示す模式断面図である。また、図7は、有機EL表示パネル10の製造工程を示すフローチャートである。
3. 3. Manufacturing Method of Organic EL Display Panel 10 Hereinafter, a manufacturing method of the organic EL display panel 10 will be described with reference to the drawings.
4 (a) to (f), FIGS. 5 (a) to 5 (d), and FIGS. 6 (a) to 6 (d) are schematic cross-sectional views showing states in each step in the manufacture of the organic EL display panel 10. is there. Further, FIG. 7 is a flowchart showing a manufacturing process of the organic EL display panel 10.

(1)基板準備工程
まず、図4(a)に示すように、基材111上にTFT層112を成膜して基板11を準備する(図7のステップS1)。TFT層112は、公知のTFTの製造方法により成膜することができる。
(2)層間絶縁層形成工程
次に、図4(b)に示すように、基板11上に、掘り込み部125R、125Gを有する層間絶縁層12を形成する(図7のステップS2)。
(1) Substrate Preparation Step First, as shown in FIG. 4A, a TFT layer 112 is formed on the substrate 111 to prepare the substrate 11 (step S1 in FIG. 7). The TFT layer 112 can be formed by a known method for manufacturing a TFT.
(2) Interlayer Insulation Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 4B, an interlayer insulation layer 12 having the dug portions 125R and 125G is formed on the substrate 11 (step S2 in FIG. 7).

具体的には、一定の流動性を有するネガ型の感光性樹脂材料を、例えば、ダイコート法により、基板11の上面に沿って、TFT層112による基板11上の凹凸を埋めるように塗布する。これにより、層間絶縁層12の上面は、基材111の上面に沿って平坦化した形状となる。
次に、層間絶縁層12の各発光色の副画素における発光層17の形成予定領域に掘り込み部を形成する。
Specifically, a negative-type photosensitive resin material having a constant fluidity is applied, for example, by a die coating method along the upper surface of the substrate 11 so as to fill the unevenness on the substrate 11 by the TFT layer 112. As a result, the upper surface of the interlayer insulating layer 12 has a flattened shape along the upper surface of the base material 111.
Next, a digging portion is formed in a region where the light emitting layer 17 is planned to be formed in the sub-pixels of each light emitting color of the interlayer insulating layer 12.

なお、一番波長の短い青(B)の発光層の膜厚は一番薄いので、掘り込み部を形成する必要がない(本明細書では、掘り込み量が「0」であると定義する。)。
そのため、層間絶縁層12の上面にフォトマスク120を配して露光する。このフォトマスク120は、第1ハーフトーン部1201、第2ハーフトーン部1202、全露光部1203を有しており、この順に光透過率が大きくなるように形成されている。
Since the film thickness of the blue (B) light emitting layer having the shortest wavelength is the thinnest, it is not necessary to form a digging portion (in the present specification, the digging amount is defined as "0". .).
Therefore, a photomask 120 is arranged on the upper surface of the interlayer insulating layer 12 for exposure. The photomask 120 has a first halftone section 1201, a second halftone section 1202, and a full exposure section 1203, and is formed so that the light transmittance increases in this order.

第1ハーフトーン部1201、第2ハーフトーン部1202の位置は、それぞれ、副画素100R、100Gにおける、発光層17(R)、発光層17(G)の形成予定位置に対応している。第1ハーフトーン部1201、第2ハーフトーン部1202の透過率は、予め決定された露光時間で、層間絶縁層12の掘り込み部125R、125Gの形成予定位置を、それぞれに必要な深さまで露光できるように設定されている。 The positions of the first halftone unit 1201 and the second halftone unit 1202 correspond to the planned formation positions of the light emitting layer 17 (R) and the light emitting layer 17 (G) in the sub-pixels 100R and 100G, respectively. The transmittance of the first halftone section 1201 and the second halftone section 1202 exposes the planned formation positions of the dug portions 125R and 125G of the interlayer insulating layer 12 to the required depths at a predetermined exposure time. It is set so that it can be done.

露光後、現像・洗浄することにより、図4(d)に示すように層間絶縁層12上面に掘り込み部125R、125Gが形成される。
また、層間絶縁層12における、TFT素子の例えばソース電極上の個所にドライエッチング法を行い、コンタクトホール(不図示)を形成する。コンタクトホールは、その底部にソース電極の表面が露出するようにパターニングなどを用いて形成される。
By developing and cleaning after the exposure, the dug portions 125R and 125G are formed on the upper surface of the interlayer insulating layer 12 as shown in FIG. 4D.
Further, a contact hole (not shown) is formed in the interlayer insulating layer 12 by performing a dry etching method on a portion of the TFT element, for example, on the source electrode. The contact hole is formed by patterning or the like so that the surface of the source electrode is exposed at the bottom thereof.

次に、コンタクトホールの内壁に沿って接続電極層を形成する。接続電極層の上部は、その一部が層間絶縁層12上に配される。接続電極層の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることができ、金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法を用いてパターニングすればよい。
(3)画素電極・正孔注入層の形成工程
次に、図4(e)に示すように、層間絶縁層12上に画素電極材料層130を形成する。画素電極材料層130は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法などを用いて形成することができる。
Next, a connection electrode layer is formed along the inner wall of the contact hole. A part of the upper part of the connection electrode layer is arranged on the interlayer insulating layer 12. For the formation of the connection electrode layer, for example, a sputtering method can be used, and after forming a metal film, patterning may be performed using a photolithography method and a wet etching method.
(3) Step of Forming Pixel Electrode / Hole Injection Layer Next, as shown in FIG. 4E, the pixel electrode material layer 130 is formed on the interlayer insulating layer 12. The pixel electrode material layer 130 can be formed by, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, or the like.

さらに、画素電極材料層130上に正孔注入材料層150を形成する。正孔注入材料層150は、例えば、反応性スパッタ法などを用いて形成することができる。
そして、図4(f)に示すように、画素電極材料層130と正孔注入材料層150とをエッチングによりパターニングして、副画素ごとに区画された複数の画素電極13と正孔注入層15とを形成する(図7のステップS3)。
Further, the hole injection material layer 150 is formed on the pixel electrode material layer 130. The hole injection material layer 150 can be formed by, for example, a reactive sputtering method or the like.
Then, as shown in FIG. 4 (f), the pixel electrode material layer 130 and the hole injection material layer 150 are patterned by etching, and a plurality of pixel electrodes 13 and hole injection layers 15 partitioned for each sub-pixel are formed. And are formed (step S3 in FIG. 7).

なお、画素電極13、正孔注入層15の形成方法は上述の方法に限られず、例えば、画素電極材料層130をパターニングして画素電極13を形成してから、正孔注入層15を形成してもよい。
また、隔壁14を形成してから、正孔注入層15を湿式法によって形成するようにしてもよい。
The method of forming the pixel electrode 13 and the hole injection layer 15 is not limited to the above method. For example, the pixel electrode material layer 130 is patterned to form the pixel electrode 13, and then the hole injection layer 15 is formed. You may.
Further, the hole injection layer 15 may be formed by a wet method after the partition wall 14 is formed.

(4)隔壁・画素規制層形成工程
次に、隔壁14および画素規制層141を形成する(図7のステップS4)。本実施の形態では、以下のようにしてハーフトーンマスクを用いて、隔壁14と画素規制層141を同時に形成するようにしている。
まず、図5(a)に示すように、画素電極13、正孔注入層15が形成された層間絶縁層12上に、樹脂材料を隔壁14の膜厚だけ塗布して隔壁材料層140を形成する。具体的な塗布方法として、例えばダイコート法やスリットコート法、スピンコート法などの湿式法を用いることができる。
(4) Partition / Pixel Restriction Layer Forming Step Next, the partition 14 and the pixel regulation layer 141 are formed (step S4 in FIG. 7). In the present embodiment, the partition wall 14 and the pixel regulation layer 141 are formed at the same time by using the halftone mask as follows.
First, as shown in FIG. 5A, a resin material is applied to the interlayer insulating layer 12 on which the pixel electrode 13 and the hole injection layer 15 are formed by the film thickness of the partition wall 14 to form the partition wall material layer 140. To do. As a specific coating method, for example, a wet method such as a die coating method, a slit coating method, or a spin coating method can be used.

塗布後には、例えば、真空乾燥及び60℃〜120℃程度の低温加熱乾燥(プリベーク)などを行って不要な溶媒を除去するとともに、隔壁材料層140を層間絶縁層12に定着させることが好ましい。
次に、フォトマスク(不図示)を介して隔壁材料層140を露光する。
例えば、隔壁材料層140がポジ型の感光性を有する場合は、隔壁材料層140を残す箇所を遮光し、除去する部分を露光する。
After coating, for example, it is preferable to perform vacuum drying and low temperature heat drying (prebaking) at about 60 ° C. to 120 ° C. to remove unnecessary solvents and fix the partition wall material layer 140 to the interlayer insulating layer 12.
Next, the partition material layer 140 is exposed via a photomask (not shown).
For example, when the partition wall material layer 140 has positive photosensitivity, the portion where the partition wall material layer 140 is left is shielded from light, and the portion to be removed is exposed.

本例の場合、画素規制層141は、隔壁14よりも膜厚が小さいので、画素規制層141の部分は、隔壁材料層140を半露光する必要がある。
そのため、この露光工程で使用されるフォトマスクは、隔壁14に対応する位置に配され光を完全に遮断する遮光部と、画素規制層141に対応する位置に配された半透明部と、それ以外の画素電極13の露出部分に対応する位置に配された透光部とを有するものが用いられる。
In the case of this example, since the pixel regulation layer 141 has a smaller film thickness than the partition wall 14, it is necessary to semi-expose the partition wall material layer 140 on the portion of the pixel regulation layer 141.
Therefore, the photomask used in this exposure step includes a light-shielding portion arranged at a position corresponding to the partition wall 14 to completely block light, a translucent portion arranged at a position corresponding to the pixel regulation layer 141, and the like. Those having a translucent portion arranged at a position corresponding to the exposed portion of the pixel electrode 13 other than the above are used.

半透明部の透光度は、所定時間露光したときに、画素電極13上の隔壁材料層140が全露光され、画素規制層141は、その高さ分だけ露光されないで残るように決定される。
次に、現像を行い、隔壁材料層140の露光領域を除去することにより、隔壁14と、これよりも膜厚の小さな画素規制層141を形成することができる。具体的な現像方法としては、例えば、基板11全体を、隔壁材料層140の露光により感光した部分を溶解させる有機溶媒やアルカリ液などの現像液に浸した後、純水などのリンス液で基板11を洗浄すればよい。
The translucency of the translucent portion is determined so that when exposed for a predetermined time, the partition wall material layer 140 on the pixel electrode 13 is fully exposed, and the pixel restricting layer 141 remains unexposed by the height thereof. ..
Next, by developing and removing the exposed region of the partition wall material layer 140, the partition wall 14 and the pixel regulation layer 141 having a smaller film thickness can be formed. As a specific developing method, for example, the entire substrate 11 is immersed in a developing solution such as an organic solvent or an alkaline solution that dissolves the exposed portion of the partition wall material layer 140, and then the substrate is rinsed with a rinsing solution such as pure water. 11 may be washed.

これにより、層間絶縁層12上に、Y方向に延伸する形状の隔壁14およびX方向に延伸する画素規制層141を形成することができる。
(5)正孔輸送層形成工程
次に、図5(c)に示すように、隔壁14が規定する開口部14aに対し、正孔輸送層16の構成材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッド301のノズル3011から吐出して開口部14a内の正孔注入層15上に塗布する。この際、正孔注入層15は、画素電極列の上方においてY方向(図2)に沿って延伸するように塗布される。その後、乾燥させて、正孔輸送層16を形成する(図7のステップS5)。
As a result, a partition wall 14 having a shape extending in the Y direction and a pixel regulating layer 141 extending in the X direction can be formed on the interlayer insulating layer 12.
(5) Hole Transport Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 5 (c), an ink containing the constituent material of the hole transport layer 16 is applied to the opening 14a defined by the partition wall 14 in a printing apparatus. It is discharged from the nozzle 3011 of the head 301 and applied onto the hole injection layer 15 in the opening 14a. At this time, the hole injection layer 15 is applied so as to extend along the Y direction (FIG. 2) above the pixel electrode row. Then, it is dried to form the hole transport layer 16 (step S5 in FIG. 7).

(6)発光層形成工程
次に、上記正孔輸送層16の上方に、発光層17を形成する(図7のステップS6)。
具体的には、図7(d)に示すように、各開口部14aに対応する発光色の発光材料を含むインクを、印刷装置の塗布ヘッド301のノズル3011から順次吐出して開口部14a内の正孔輸送層16上に塗布する。この際、インクを画素規制層141の上方においても連続するように塗布する。これにより、Y方向に沿ってインクが流動可能となり、インクの塗布むらを低減して、同一の副画素列における発光層17の膜厚を均一化することが可能となる。なお、発光層17(R)、17(G)、17(B)の順に膜厚が薄くなるように各発光色のインクの滴下量が制御される。
(6) Light-emitting layer forming step Next, the light-emitting layer 17 is formed above the hole transport layer 16 (step S6 in FIG. 7).
Specifically, as shown in FIG. 7D, ink containing a luminescent material having a luminescent color corresponding to each opening 14a is sequentially ejected from the nozzle 3011 of the coating head 301 of the printing apparatus into the opening 14a. Is applied on the hole transport layer 16. At this time, the ink is applied so as to be continuous even above the pixel regulation layer 141. As a result, the ink can flow along the Y direction, the uneven coating of the ink can be reduced, and the film thickness of the light emitting layer 17 in the same sub-pixel row can be made uniform. The amount of ink dropped in each emission color is controlled so that the film thickness becomes thinner in the order of the light emitting layers 17 (R), 17 (G), and 17 (B).

そして、インク塗布後の基板11を真空乾燥室内に搬入して真空環境下で加熱することにより、インク中の有機溶媒を蒸発させる。これにより、発光層17を形成できる。
(7)電子輸送層形成工程
次に、図6(a)に示すように、発光層17および隔壁14上に、電子輸送層18を形成する(図7のステップS7)。電子輸送層18は、例えば、電子輸送性の有機材料を蒸着法により各副画素に共通して成膜することにより形成される。
Then, the substrate 11 after the ink is applied is carried into the vacuum drying chamber and heated in a vacuum environment to evaporate the organic solvent in the ink. As a result, the light emitting layer 17 can be formed.
(7) Electron Transport Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 6A, the electron transport layer 18 is formed on the light emitting layer 17 and the partition wall 14 (step S7 in FIG. 7). The electron transport layer 18 is formed, for example, by forming an electron transportable organic material in common with each sub-pixel by a vapor deposition method.

(8)電子注入層形成工程
次に、図6(b)に示すように、電子輸送層18上に、電子注入層19を形成する(図7のステップS8)。電子注入層19は、例えば、電子輸送性の有機材料とドープ金属を共蒸着法により各副画素に共通して成膜することにより形成される。
(9)対向電極形成工程
次に、図6(c)に示すように、電子注入層19上に、対向電極20を形成する(図7のステップS9)。本実施の形態では、対向電極20は、銀、アルミニウム等を、スパッタリング法、真空蒸着法により成膜することにより形成される。
(8) Electron Injection Layer Forming Step Next, as shown in FIG. 6B, an electron injection layer 19 is formed on the electron transport layer 18 (step S8 in FIG. 7). The electron injection layer 19 is formed, for example, by forming an electron-transporting organic material and a doped metal in common on each sub-pixel by a co-evaporation method.
(9) Counter electrode forming step Next, as shown in FIG. 6 (c), the counter electrode 20 is formed on the electron injection layer 19 (step S9 in FIG. 7). In the present embodiment, the counter electrode 20 is formed by forming a film of silver, aluminum, or the like by a sputtering method or a vacuum vapor deposition method.

(10)封止層形成工程
次に、図6(d)に示すように、対向電極20上に、封止層21を形成する(図7のステップS10)。封止層21は、SiON、SiN等を、スパッタリング法、CVD法などにより成膜することにより形成することができる。
これにより、有機EL表示パネル10が完成する。
(10) Sealing layer forming step Next, as shown in FIG. 6D, the sealing layer 21 is formed on the counter electrode 20 (step S10 in FIG. 7). The sealing layer 21 can be formed by forming a film of SiON, SiN, etc. by a sputtering method, a CVD method, or the like.
As a result, the organic EL display panel 10 is completed.

なお、上記の製造方法は、あくまで例示であり、適宜変更可能である。
4.各発光層の膜形状
図8は、上記有機EL表示パネルの製造方法において、隔壁14を高さ0.8μmで形成した場合における各RGBの有機EL素子の正孔注入層15、正孔輸送層16、発光層17の表面の、画素電極13からの高さを測定した結果を示すグラフである。R、Gの有機EL素子には、上記掘り込み部125R、Gが設けられている。
The above manufacturing method is merely an example and can be changed as appropriate.
4. The film shape of each light emitting layer FIG. 8 shows the hole injection layer 15 and the hole transport layer of each RGB organic EL element when the partition wall 14 is formed at a height of 0.8 μm in the method for manufacturing the organic EL display panel. 16. It is a graph which shows the result of having measured the height from the pixel electrode 13 of the surface of the light emitting layer 17. The digging portions 125R and G are provided in the organic EL elements of R and G.

図8において、破線は、正孔注入層15の表面の高さ、実線(細線)は、正孔輸送層16の表面の高さ、最上位にある実線(太線)は、発光層17の表面の高さの測定値を示す。なお、各測定は、原子間力顕微鏡(Atomic Force Microscope:AFM)を用いて行った。
同図に示すようにRGBの各発光層17の膜厚が異なっているにも関わらず、その上面の膜形状は、平坦部が開口幅のほとんどを占め、しかも各色で揃っているのが分かる。
In FIG. 8, the broken line is the height of the surface of the hole injection layer 15, the solid line (thin line) is the height of the surface of the hole transport layer 16, and the solid line (thick line) at the top is the surface of the light emitting layer 17. The measured value of the height of is shown. Each measurement was performed using an atomic force microscope (AFM).
As shown in the figure, although the film thickness of each of the RGB light emitting layers 17 is different, it can be seen that in the film shape of the upper surface thereof, the flat portion occupies most of the opening width and is uniform in each color. ..

また、図9、図10は、それぞれ隔壁14の高さを1.2μm、0.5μmで形成したときの膜形状の検出結果を示すグラフである。このように隔壁14の高さを変更した場合でも、本実施の形態のように層間絶縁層12の掘り込み構造を採用し、掘り込み量を各膜厚の差分に応じた深さだけとることにより、RGBの発光色の発光層17の膜形状を、ほぼ揃わせることができる。 9 and 10 are graphs showing the detection results of the film shape when the heights of the partition walls 14 are 1.2 μm and 0.5 μm, respectively. Even when the height of the partition wall 14 is changed in this way, the digging structure of the interlayer insulating layer 12 is adopted as in the present embodiment, and the digging amount is set to a depth corresponding to the difference in each film thickness. As a result, the film shapes of the light emitting layers 17 of the RGB light emitting colors can be substantially made uniform.

但し、図8の場合(隔壁14の高さが0.8μm)に比べて、隔壁14の高さが1.2μmの場合には(図9)、隔壁14に近い部分の湾曲が大きくなり、開口部中央の平坦部の面積がやや小さくなっている。
また、図10の隔壁14の高さが0.5μmの場合には、開口部の中央部がその両端の部分より少し上方に盛り上がっているのが分かる。
However, when the height of the partition wall 14 is 1.2 μm (FIG. 9), the curvature of the portion close to the partition wall 14 becomes larger than that in the case of FIG. 8 (height of the partition wall 14 is 0.8 μm). The area of the flat part in the center of the opening is slightly smaller.
Further, when the height of the partition wall 14 in FIG. 10 is 0.5 μm, it can be seen that the central portion of the opening is slightly raised above the portions at both ends thereof.

図11(a)、(b)、(c)は、隔壁14の高さが異なる開口部に対して、同量のインクを滴下したときの膜形状の相違をやや誇張して示す模式図である。
実際の製造ラインでは、発光層のインクを塗布した後、真空乾燥装置内に搬入して乾燥させるようになっているが、真空装置に搬入して装置内の雰囲気を目的の気圧まで低下させるまで多少の待ち時間を要する。一般的にインクの有機溶媒は揮発性が高いため上記待ち時間中にも有機溶媒の蒸発が進む。
11 (a), (b), and (c) are schematic views showing slightly exaggerated differences in film shape when the same amount of ink is dropped on openings having different heights of the partition walls 14. is there.
In the actual production line, after applying the ink of the light emitting layer, it is carried into the vacuum drying device and dried, but until it is carried into the vacuum device and the atmosphere inside the device is lowered to the target atmospheric pressure. It takes some waiting time. Generally, since the organic solvent of ink is highly volatile, the organic solvent evaporates even during the above waiting time.

図11(a)、(b)、(c)の各図の上段は、真空乾燥前の待ち時間における膜形状の変化を模式的に示すものである。破線1701はインク滴下直後におけるインク溜まりの表面形状を示し、実線1702は、上記待ち時間経過後のインク溜まりの表面形状を示す。
上述した通り、隔壁14の頂部からのピニング位置は、ほとんど変化しない。また、この段階では乾燥速度にそれほど大きくなく、溶質(有機材料)がインク内を移動する速度は、乾燥速度に比べて十分速いため、図11(a)の上段のように隔壁14が高い場合には、中央部が大きく落ち込む。その後、真空乾燥すると(図11(a)下段)、急速に乾燥が進んでインクの粘度が増加して溶質の移動速度が鈍くなるため、上段の液面の形状をほぼ維持したまま実線1703で示す膜形状が形成されることになる。
The upper part of each of FIGS. 11A, 11B, and 11C schematically shows the change in film shape during the waiting time before vacuum drying. The broken line 1701 shows the surface shape of the ink pool immediately after the ink is dropped, and the solid line 1702 shows the surface shape of the ink pool after the lapse of the waiting time.
As described above, the pinning position from the top of the partition wall 14 hardly changes. Further, at this stage, the drying speed is not so high, and the speed at which the solute (organic material) moves in the ink is sufficiently faster than the drying speed. Therefore, when the partition wall 14 is high as shown in the upper part of FIG. 11A. The central part is greatly depressed. After that, when vacuum dried (lower part of FIG. 11A), the drying progresses rapidly, the viscosity of the ink increases, and the moving speed of the solute slows down. Therefore, the solid line 1703 keeps the shape of the liquid surface in the upper part. The indicated film shape will be formed.

また、図11(b)のように隔壁14の高さが図11(a)の場合よりも低く、インクの滴下量とのバランスが取れている場合には、その上段に示されているように、真空乾燥前の自然乾燥において、実線1702で示すようにインク溜まりの表面がほぼ平坦になっており、真空乾燥中に、その膜形状がほぼ維持されたまま急速に乾燥する(同図(b)下段の実線1703参照)。 Further, when the height of the partition wall 14 is lower than that in the case of FIG. 11A as shown in FIG. 11B and is balanced with the amount of ink dropped, as shown in the upper part thereof. In addition, in the natural drying before vacuum drying, the surface of the ink pool is almost flat as shown by the solid line 1702, and during vacuum drying, the ink pool is rapidly dried while the film shape is almost maintained (the figure (Fig. b) See solid line 1703 at the bottom).

さらに、図11(c)のように隔壁14の高さが、図11(b)の場合よりもさらに低い場合には、その上段の図にも示されているように、真空乾燥前の自然乾燥において、膜形状がやや上方に膨らんだようになっており(破線1701)、真空乾燥中に、その膜形状がほぼ維持されたまま急速に乾燥する(同図(c)下段、実線1703参照)。
このように隔壁14の高さ、より具体的には、隔壁14の高さとその撥液性とインクの表面張力によって決定されるピニング位置より下方の開口部の容積と、インク滴下量や溶媒の種類などを適切に調整することにより、発光層の膜形状において平坦部の占める割合が所定値以上である、より望ましい形状にすることができる。
Further, when the height of the partition wall 14 is lower than that in the case of FIG. 11 (b) as shown in FIG. 11 (c), the natural state before vacuum drying is shown as shown in the upper figure thereof. In drying, the film shape bulges slightly upward (broken line 1701), and during vacuum drying, the film shape is rapidly maintained while being almost maintained (see the lower part of Fig. (C), solid line 1703). ).
As described above, the height of the partition wall 14, more specifically, the volume of the opening below the pinning position determined by the height of the partition wall 14, its liquid repellency, and the surface tension of the ink, and the amount of ink dropped and the solvent. By appropriately adjusting the type and the like, it is possible to obtain a more desirable shape in which the proportion of the flat portion in the film shape of the light emitting layer is a predetermined value or more.

図12は、上記図11(b)の場合に形成される青色の発光層17の膜形状を拡大して模式的に示す図である。
同図に示すように、発光層17は、中央の平坦部172と隔壁14の側面に沿ってピニング位置P4まで乗り上がる部分(乗り上げ部)173を有する。
なお、「平坦部」とはいっても、微視的には、下地の表面形状などの影響もあって、平坦部172の表面には微小な凹凸が生じることが考えられるが、ここで、発光層17の膜形状の中央部の最も薄い部分の表面の高さとの差分が、400nm以内である連続した領域を「平坦部」と定義したとき、当該平坦部の、隔壁14の伸びる方向(列方向)と直交する方向(図2:X方向)における幅W1が、隣接する隔壁14の開口部14aのX方向における最も狭い幅W2に対する割合(以下、「平坦率」という。)が、90%以上であることが望ましい。これにより、各副画素について、望ましい開口率および発光効率を得ることができるからである。
FIG. 12 is a diagram schematically showing an enlarged film shape of the blue light emitting layer 17 formed in the case of FIG. 11B.
As shown in the figure, the light emitting layer 17 has a central flat portion 172 and a portion (riding portion) 173 that rides up to the pinning position P4 along the side surface of the partition wall 14.
Although the term "flat portion" is microscopically affected by the surface shape of the base, it is conceivable that the surface of the flat portion 172 may have minute irregularities. When a continuous region in which the difference from the surface height of the thinnest portion of the central portion of the film shape of the layer 17 is within 400 nm is defined as a “flat portion”, the direction in which the partition wall 14 extends (row) of the flat portion. The ratio of the width W1 in the direction orthogonal to the direction (FIG. 2: X direction) to the narrowest width W2 in the X direction of the opening 14a of the adjacent partition wall 14 (hereinafter referred to as “flatness”) is 90%. The above is desirable. This is because the desired aperture ratio and luminous efficiency can be obtained for each sub-pixel.

そして、上記のような膜形状の平坦率の条件を満たすべく、図8〜図10と同様の実験を、その形成条件(隔壁の高さ、隔壁の材質、インクの溶媒の材質、インクの滴下量)を変えて行ったところ、ピニング位置P4の高さと、発光層の膜形状の中央部の一番低い位置の高さとの差分h(図12参照)が、700nm以下となるように上記形成条件を決定することが望ましいことが分かった。 Then, in order to satisfy the condition of the flatness of the film shape as described above, the same experiment as in FIGS. 8 to 10 was carried out under the formation conditions (height of partition wall, material of partition wall, material of solvent of ink, dropping of ink). When the amount) was changed, the difference h (see FIG. 12) between the height of the pinning position P4 and the height of the lowest position at the center of the film shape of the light emitting layer was 700 nm or less. It turned out that it was desirable to determine the conditions.

なお、さらに優れた発光効率を得るためには、発光層17の膜形状の中央部の最も薄い部分の表面の高さとの差分が、100nm以内である平坦部の平坦率が90%以上であることが、より望ましい。
そして、青色の発光層よりも膜厚の大きい赤色、緑色の発光層が形成される開口部に、層間絶縁層12にその差分に応じた深さの掘り下げ部を設けることにより、各発光色を担当する発光層の膜形状を最適な状態に揃えることができる。
In order to obtain even better luminous efficiency, the flatness of the flat portion where the difference from the surface height of the thinnest portion of the central portion of the film shape of the light emitting layer 17 is 100 nm or less is 90% or more. Is more desirable.
Then, in the opening where the red and green light emitting layers having a larger film thickness than the blue light emitting layer are formed, the interlayer insulating layer 12 is provided with a digging portion having a depth corresponding to the difference, so that each light emitting color can be obtained. The film shape of the light emitting layer in charge can be adjusted to the optimum state.

5.インクの必要液量と掘り下げ量との関係
図13は、発光層17(R)、17(G)、17(B)の目標膜厚を、それぞれ0.12μm、0.08μm、0.04μmとした場合におけるインクの必要液量を試算したときの表である。
なお、同表において、各インクの量は、基板の法線に直交する面におけるインク溜まりの断面積が一定であると仮定した場合のインク上面(液面)の、下地(実施の形態では正孔輸送層16であるが、ここでは、説明の便宜上、掘り込み部を有さない層間絶縁層12の表面を下地として説明する。)から、液面までの高さ(液高)をμmを単位として記している。
5. Relationship between the required amount of ink and the amount of digging In FIG. 13, the target film thicknesses of the light emitting layers 17 (R), 17 (G), and 17 (B) are set to 0.12 μm, 0.08 μm, and 0.04 μm, respectively. It is a table when the required liquid amount of ink in the case of this is calculated.
In the same table, the amount of each ink is positive on the base (in the embodiment) of the ink top surface (liquid level) on the assumption that the cross-sectional area of the ink pool on the surface orthogonal to the normal of the substrate is constant. Although the hole transport layer 16 is provided, here, for convenience of explanation, the surface of the interlayer insulating layer 12 having no dug portion will be described as a base.) The height from the liquid surface to the liquid surface (liquid height) is set to μm. It is written as a unit.

また、必要な隔壁の高さは、隔壁の材料に撥液性がなく、隔壁の高さに3μmのインクを盛っても、その表面張力によりインク溜まりが維持できる(溢れない)ことを想定して、下地からの高さで求めている。各インク濃度は体積パーセントで示している。
図13の表において、例えば、インク濃度が0.5%の場合には、R、G、Bの発光層の膜厚0.12μm、0.08μm、0.04μmをそれぞれ得るためには、インク量が液高で、24μm、16μm、8μm必要である。
In addition, the required height of the partition wall is based on the assumption that the material of the partition wall is not liquid-repellent, and even if 3 μm of ink is applied to the height of the partition wall, the ink pool can be maintained (does not overflow) due to its surface tension. Therefore, the height from the base is used. Each ink density is shown as a volume percentage.
In the table of FIG. 13, for example, when the ink density is 0.5%, in order to obtain the film thicknesses of the light emitting layers of R, G, and B of 0.12 μm, 0.08 μm, and 0.04 μm, respectively, the ink is used. The amount is the liquid height, and 24 μm, 16 μm, and 8 μm are required.

Bの発光層の膜厚が一番小さいため、この部分には層間絶縁層に掘り込み部を設ける必要がなく、青色のインクの液高が、必要な隔壁の高さを求める基準となる。上述のように隔壁上に3μmまでインクを盛ることができる場合には、青色のインクの液高8μmから上記3μmを差し引いた5μmが必要な隔壁の高さとなる。
インクの液高の最大値(Rの24μm)から液高の最小値(Bの8μm)を差し引いた値16.0μmが、Rの有機EL素子における層間絶縁層の掘り込み量Δ(Δ=MAX−MIN)となる。また、同濃度のインクを使用した、緑(G)の有機EL素子における層間絶縁層の掘り込み量は、16μm−8μm=8μmとなる。
Since the film thickness of the light emitting layer of B is the smallest, it is not necessary to provide a digging portion in the interlayer insulating layer in this portion, and the liquid height of the blue ink is a standard for determining the required partition height. When the ink can be piled up to 3 μm on the partition wall as described above, the required partition wall height is 5 μm, which is obtained by subtracting the above 3 μm from the liquid height of the blue ink of 8 μm.
The value 16.0 μm, which is obtained by subtracting the minimum value of the liquid height (8 μm of B) from the maximum value of the liquid height of the ink (24 μm of R), is the amount of digging of the interlayer insulating layer in the organic EL element of R Δ (Δ = MAX). -MIN). Further, the amount of digging of the interlayer insulating layer in the green (G) organic EL element using the ink having the same concentration is 16 μm-8 μm = 8 μm.

他のインク濃度についても、同様にして、隔壁高さと掘り込み量が求められている。
なお、インク濃度が1.6%以上の場合においては、青色のインク量を示す液高が、インクの盛り高さの3μm未満になっているので、隔壁の高さは、計算上は0μmでも構わない筈であるが、実際にはインクを盛るための仕切りとして最低0.1μmはあることが望ましい。
Similarly, for other ink densities, the partition height and the amount of digging are required.
When the ink density is 1.6% or more, the liquid height indicating the amount of blue ink is less than 3 μm of the ink filling height, so that the height of the partition wall is calculated to be 0 μm. It should be okay, but in reality, it is desirable that there is at least 0.1 μm as a partition for filling ink.

上述のようにインク濃度がRGBで同一とした場合には、インク濃度が0.5%〜10%の範囲である場合に、必要な隔壁の高さは、0.1μm〜5.0μmの範囲にあり、Rの有機EL素子における掘り込み量は、0.8μm〜16μmの範囲となる。
もっとも、上記はあくまでもモデルケースにおける試算の一例であるので、実験などにより適当な補正係数を求めて、実際の設計に適用される。
When the ink density is the same for RGB as described above, the required partition height is in the range of 0.1 μm to 5.0 μm when the ink density is in the range of 0.5% to 10%. The amount of digging in the organic EL element of R is in the range of 0.8 μm to 16 μm.
However, since the above is just an example of a trial calculation in a model case, an appropriate correction coefficient is obtained by an experiment or the like and applied to an actual design.

次に、仮に、層間絶縁層12への掘り込み部を形成せずに、各発光色におけるインクの濃度を変更する場合について検討する。
図13の表によれば、例えば、隔壁の高さが、2.0μmの場合、青色発光用の発光層形成のためのインクについては、インク濃度が0.8%で液高5μmのインク量が必要である。もし、緑色発光用のインクでインク量の液高を同じ5μmにしようとすれば、インク濃度を1.6%にする必要があり、さらに、赤色発光用のインクでインク量の液高を同じ5μmにしようとすれば、インク濃度を2.4%まで上げる必要がある。
Next, a case where the density of the ink in each emission color is changed without forming a dug portion in the interlayer insulating layer 12 will be examined.
According to the table of FIG. 13, for example, when the height of the partition wall is 2.0 μm, the ink for forming the light emitting layer for blue light emission has an ink density of 0.8% and a liquid height of 5 μm. is required. If you want to make the liquid height of the ink amount the same 5 μm with the ink for green light emission, you need to make the ink density 1.6%, and further, the liquid height of the ink amount is the same with the ink for red light emission. If you want to make it 5 μm, you need to increase the ink density to 2.4%.

しかし、印刷装置のノズルから円滑に吐出させて精密に位置決めさせためには、インク濃度(粘度)は重要なファクターであり、インク濃度の取り得る範囲には一定の限界があると考えられる。特に、上記の例では、赤色発光用のインク濃度は、青色発光用のインク濃度の3倍もあり、粘度が大きく異なる。そのため、ピニング位置が各発光色の発光層同士で不安定になったり、開口部へのインクの濡れ広がりの程度に差異が生じたりして、膜形状が不揃いになるおそれがある。 However, the ink density (viscosity) is an important factor for smooth ejection from the nozzle of the printing apparatus and precise positioning, and it is considered that there is a certain limit to the range in which the ink density can be taken. In particular, in the above example, the ink density for red light emission is three times as high as the ink density for blue light emission, and the viscosities are significantly different. Therefore, the pinning position may become unstable between the light emitting layers of each light emitting color, or the degree of wetting and spreading of the ink to the opening may differ, and the film shape may become uneven.

また、インク濃度が高くなると印刷装置のノズル詰まりなどのトラブル発生の原因にもなりかねない。さらには、インク濃度の管理は手間がかかり、設計変更や、仕様の異なる機種についてもできるだけ同じ印刷装置、同じインクを使用して製造コストを下げたいとの要請も強い。
以上の諸点を考慮すると、既存のインク濃度はできるだけ変更せずに、制御の容易なインクの滴下量で膜厚を調整するのが望ましく、その際に上記のように各発光色の有機EL素子における層間絶縁層の掘り込み量を調整して膜形状を揃えることによって、発光光率が良好で各発光色ごとに開口率のばらつきの少ない高画質な有機EL表示パネルを得ることができるものである。
Further, if the ink density is high, it may cause troubles such as nozzle clogging of the printing apparatus. Furthermore, it takes time to manage the ink density, and there is a strong demand for design changes and for reducing manufacturing costs by using the same printing device and the same ink for models with different specifications as much as possible.
Considering the above points, it is desirable to adjust the film thickness by adjusting the amount of ink dropped, which is easy to control, without changing the existing ink density as much as possible. At that time, the organic EL element of each emission color as described above. By adjusting the amount of digging of the interlayer insulating layer in the above and aligning the film shapes, it is possible to obtain a high-quality organic EL display panel having a good emission light rate and a small variation in aperture ratio for each emission color. is there.

6.効果(まとめ)
(1)上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10によれば、各発光色の発光層の層厚が異なる場合に、必要な層厚に応じて、層間絶縁層の掘り込み量を調整することにより、各発光色の発光層の膜形状を均一化することができる。また、隔壁の高さを所定の値に設定することにより、乾燥後の発光層の平坦率を改善して、発光効率を向上させることができる。
6. Effect (summary)
(1) According to the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, when the layer thickness of the light emitting layer of each light emitting color is different, the amount of digging of the interlayer insulating layer is adjusted according to the required layer thickness. As a result, the film shape of the light emitting layer of each light emitting color can be made uniform. Further, by setting the height of the partition wall to a predetermined value, the flatness of the light emitting layer after drying can be improved, and the luminous efficiency can be improved.

ここで、各発光色の有機EL素子における具体的な掘り込み量は、次のような手法により求めることができる。
(ア)各発光色における発光層の平坦部の層厚を、光共振構造を構築するための光学的設計により求める。
(イ)決定された各色の発光層の層厚と、使用するインク濃度および発光層を形成すべき開口部の形状(容量)とから、各発光層形成位置に滴下すべきインク量を決定する。
Here, the specific amount of digging in the organic EL element of each emission color can be obtained by the following method.
(A) The thickness of the flat portion of the light emitting layer in each light emitting color is obtained by an optical design for constructing an optical resonance structure.
(B) The amount of ink to be dropped at each light emitting layer formation position is determined from the determined layer thickness of the light emitting layer of each color, the ink density to be used, and the shape (capacity) of the opening on which the light emitting layer should be formed. ..

(ウ)特定の発光色(上記では青)におけるインク溜まりの表面形状を基準にして、他の発光色のインク溜まりの表面形状が同じになるように(すなわち、インク溜まりの、ピニング位置から上方のインク量(以下、「インク盛り上がり量」という。)が同じになるように)、他の発光色の有機EL素子における掘り込み量を決定する。
また、隔壁の高さは、上記(ウ)におけるインク盛り上がり量を適正な範囲内にして(図11(b)参照)、乾燥後の発光層の平坦率が90%以上となるように決定される。具体的には、乾燥後の発光層の中央位置の高さとピニング位置の高さとの差分が、700nm以下となるように設定されればよい。
(C) Based on the surface shape of the ink sump in a specific emission color (blue in the above), the surface shape of the ink sump of other emission colors is the same (that is, above the pinning position of the ink sump). (Hereinafter, so that the amount of ink swelling is the same) and the amount of digging in the organic EL element of another emission color are determined.
Further, the height of the partition wall is determined so that the amount of ink swelling in the above (c) is within an appropriate range (see FIG. 11 (b)) and the flatness of the light emitting layer after drying is 90% or more. To. Specifically, the difference between the height of the center position and the height of the pinning position of the light emitting layer after drying may be set to be 700 nm or less.

これにより、ウエットプロセスにより有機発光層を効率的に形成しつつ、発光効率に優れ、良質な画像表示が可能な有機EL表示パネルを提供することができる。
(2)また、層間絶縁層形成工程において、層間絶縁層を感光性樹脂材料で形成して、光透過率の異なるハーフトーンマスクを使用して、露光、現像することにより、一挙に異なる深さの掘り込み部を形成することができるので、工数がそれほど増えるわけではないにも関わらず、得られる効果が大きい。
This makes it possible to provide an organic EL display panel capable of displaying a high-quality image with excellent luminous efficiency while efficiently forming an organic light emitting layer by a wet process.
(2) Further, in the interlayer insulating layer forming step, the interlayer insulating layer is formed of a photosensitive resin material and exposed and developed using halftone masks having different light transmittances to obtain different depths at once. Since it is possible to form a digging part of the material, the effect obtained is large even though the man-hours do not increase so much.

≪変形例≫
以上、本発明の一態様として、有機EL表示パネル及び有機EL表示パネルの製造方法の実施の形態について説明したが、本発明は、その本質的な特徴的構成要素を除き、以上の説明に何ら限定を受けるものではない。以下では、本発明の他の態様例である変形例を説明する。
≪Modification example≫
As described above, an embodiment of an organic EL display panel and a method for manufacturing an organic EL display panel has been described as one aspect of the present invention, but the present invention has nothing to do with the above description except for its essential characteristic components. It is not limited. Hereinafter, a modified example which is another embodiment of the present invention will be described.

(1)層間絶縁層形成工程の変形例
上記実施の形態では、ハーフトーンマスクを利用して、層間絶縁層12に深さの異なる掘り込み部を1回のフォトリソグラフ工程で形成したが、勿論これに限定されるわけではない。
(1−1)多層露光を行う場合
図14(a)〜(d)は、層間絶縁層12に掘り込み部を形成するための第1の変形例を示す模式図である。
(1) Modification Example of Interlayer Insulation Layer Forming Step In the above embodiment, a halftone mask is used to form digging portions having different depths in the interlayer insulation layer 12 in one photolithography step. It is not limited to this.
(1-1) When Multilayer Exposure is Performed FIGS. 14 (a) to 14 (d) are schematic views showing a first modification example for forming a dug portion in the interlayer insulating layer 12.

本変形例では、層間絶縁層12はポジ型の有機樹脂材料で形成されているものとする。
まず、掘り込み部125Rの対応箇所のみを全露光するマスク121を介して層間絶縁層12表面の露光処理を実行し(図14(a))、これを現像後、洗浄して不要部分を流し去ることで、掘り込み部125Rの形成予定部分に第1回の掘り込みを行い、掘り込み部125R’を形成する(図14(b))。
In this modification, it is assumed that the interlayer insulating layer 12 is made of a positive organic resin material.
First, the surface of the interlayer insulating layer 12 is exposed through a mask 121 that fully exposes only the corresponding portion of the dug portion 125R (FIG. 14A), which is developed and then washed to remove unnecessary portions. By leaving, the first digging is performed in the portion to be formed of the digging portion 125R, and the digging portion 125R'is formed (FIG. 14 (b)).

次に、掘り込み部125R、掘り込み部125Gに対応する箇所を全露光すべくマスク122を用いて層間絶縁層12を露光する(図14(c))。その後、これを現像後、洗浄して不要部分を流し去ることで、掘り込み部125R、125Gが形成される(図14(d))。
各掘り込み部125R、125Gの深さが目標値となるように、第1回目と第2回目の露光量が決定されている。
Next, the interlayer insulating layer 12 is exposed using the mask 122 in order to fully expose the portions corresponding to the dug portion 125R and the dug portion 125G (FIG. 14 (c)). Then, after developing this, it is washed and unnecessary portions are washed away to form the dug portions 125R and 125G (FIG. 14 (d)).
The exposure amounts for the first and second times are determined so that the depths of the dug portions 125R and 125G are the target values.

実施の形態では、フォトマスクのハーフトーン部における透過率が特定されているため、工数を少なくできるという利点がある一方でマスクの汎用性に乏しいという面があったが、本変形例によれば、第1回目と第2回目の露光量を制御するだけで様々な掘り込み量が設定できるので、機種変更やインクの種類の変更にも柔軟に対応して掘り込み部の深さを調整できる。 In the embodiment, since the transmittance in the halftone portion of the photomask is specified, there is an advantage that the number of man-hours can be reduced, but the mask is not versatile. However, according to this modification. Since various digging amounts can be set simply by controlling the exposure amount of the first and second times, the depth of the digging part can be adjusted flexibly in response to model changes and ink type changes. ..

(1−2)エッチング処理を行う場合
図15(a)〜(d)、図16(a)〜(d)は、エッチングにより掘り込み部125R、125Gを形成する場合の変形例を示す模式図である。
まず、層間絶縁層12の表面にレジスト123を塗布する(図15(a))。そして、マスク(不図示)を用いて、レジスト123の、掘り込み部125Rに対応する位置を露光、現像、洗浄して、レジスト123に開口123Rを形成し、レジスト123をマスクとしてドライエッチング処理を行って、層間絶縁層12に掘り込み部125R’を形成する(図15(c))。そして、レジスト123をアセトンなどの有機溶剤で除去する(図15(d))。
(1-2) When Etching is Performed FIGS. 15 (a) to 15 (d) and FIGS. 16 (a) to 16 (d) are schematic views showing deformation examples when the dug portions 125R and 125G are formed by etching. Is.
First, the resist 123 is applied to the surface of the interlayer insulating layer 12 (FIG. 15A). Then, using a mask (not shown), the position of the resist 123 corresponding to the dug portion 125R is exposed, developed, and washed to form an opening 123R in the resist 123, and a dry etching process is performed using the resist 123 as a mask. This is done to form a dug portion 125R'in the interlayer insulating layer 12 (FIG. 15 (c)). Then, the resist 123 is removed with an organic solvent such as acetone (FIG. 15 (d)).

次に、図16(a)に示すように、層間絶縁層12上にレジスト124を塗布し、マスク(不図示)を用いて、レジスト123の、掘り込み部125R、125Gに対応する位置を露光、現像、洗浄して、レジスト124に開口124R、124Gを形成し、レジスト124をマスクとしてドライエッチング処理を行って、層間絶縁層12に掘り込み部125R、125Gを形成する(図16(c))。そして、レジスト124をアセトンなどの有機溶剤で除去する(図16(d))。 Next, as shown in FIG. 16A, the resist 124 is applied onto the interlayer insulating layer 12, and the positions of the resist 123 corresponding to the dug portions 125R and 125G are exposed using a mask (not shown). , Developed and washed to form openings 124R and 124G in the resist 124, and dry etching using the resist 124 as a mask to form dug portions 125R and 125G in the interlayer insulating layer 12 (FIG. 16C). ). Then, the resist 124 is removed with an organic solvent such as acetone (FIG. 16 (d)).

なお、掘り込み部125R、125Gを形成するためドライエッチングに代えてウエットエッチングを行ってもよい。
また、図14(a)、図15(a)の前に層間絶縁層12を全露光して、層間絶縁層12の表面を整える前処理工程を設けてもよい。
(2)上記実施の形態では、高さの異なる隔壁14と画素規制層141をハーフトーンマスクを用いることにより一つの工程で同時に形成したが、隔壁14と画素規制層141を別工程で形成するようにしても構わない。
In addition, in order to form the dug portions 125R and 125G, wet etching may be performed instead of dry etching.
Further, a pretreatment step may be provided in which the interlayer insulating layer 12 is fully exposed before FIGS. 14 (a) and 15 (a) to prepare the surface of the interlayer insulating layer 12.
(2) In the above embodiment, the partition wall 14 and the pixel regulation layer 141 having different heights are simultaneously formed in one step by using a halftone mask, but the partition wall 14 and the pixel regulation layer 141 are formed in another step. It doesn't matter.

例えば、まず、Y方向における画素電極列を仕切るための画素規制層141を形成する。
具体的な画素規制層141の形成方法としては、例えば、ダイコート法などにより、画素電極13を形成した基板11の上面に、樹脂材料を塗布する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて、Y方向に隣接する画素電極13の間に画素規制層141を形成すべく樹脂材料をパターニングした後、焼成することにより、画素規制層141を形成することができる。
For example, first, a pixel regulation layer 141 for partitioning a pixel electrode row in the Y direction is formed.
As a specific method for forming the pixel regulation layer 141, for example, a resin material is applied to the upper surface of the substrate 11 on which the pixel electrode 13 is formed by a die coating method or the like. Then, the pixel regulation layer 141 can be formed by patterning the resin material so as to form the pixel regulation layer 141 between the pixel electrodes 13 adjacent to each other in the Y direction using a photolithography method and then firing the resin material. ..

次に、隔壁14の材料である隔壁用樹脂を、例えば、ダイコート法などを用いて一様に塗布し、隔壁材料層を形成し、フォトリソグラフィ法により隔壁材料層にパターニングした後、焼成して隔壁14を形成する。
(3)有機EL素子の積層構造の変形例
上記実施の形態では、有機EL素子の積層構成として、電子輸送層18や電子注入層19、正孔注入層15や正孔輸送層16を有する構成であるとしたが、これに限られない。例えば、電子輸送層18を有しない有機EL素子や、正孔輸送層16を有しない有機EL素子であってもよい。また、例えば、正孔注入層15と正孔輸送層16とに替えて、単一層の正孔注入輸送層を有していてもよい。また、例えば、発光層17と電子輸送層18との間に、アルカリ金属からなる中間層を備えてもよい。
Next, the partition wall resin, which is the material of the partition wall 14, is uniformly applied by, for example, a die coating method to form a partition wall material layer, patterned on the partition wall material layer by a photolithography method, and then fired. The partition wall 14 is formed.
(3) Deformation Example of Laminated Structure of Organic EL Element In the above embodiment, the laminated structure of the organic EL element includes an electron transport layer 18, an electron injection layer 19, a hole injection layer 15, and a hole transport layer 16. However, it is not limited to this. For example, it may be an organic EL element having no electron transport layer 18 or an organic EL element having no hole transport layer 16. Further, for example, a single hole injection transport layer may be provided instead of the hole injection layer 15 and the hole transport layer 16. Further, for example, an intermediate layer made of an alkali metal may be provided between the light emitting layer 17 and the electron transport layer 18.

しかし、有機EL素子として機能を発揮するための最低限の構成(画素電極と対向電極との間に有機発光層を介在させる基本的な構成)は必要である。
(4)上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、図2に示すように、画素規制層141の延伸方向が有機EL表示パネル10の長軸X方向、隔壁14の延伸方向が有機EL表示パネル10の短軸Y方向であったが、画素規制層141と隔壁14の延伸方向は、逆であってもよい。また、画素絶縁層及び隔壁の延伸方向は、有機EL表示パネル10の形状とは無関係な方向であってもよい。
However, a minimum configuration (a basic configuration in which an organic light emitting layer is interposed between a pixel electrode and a counter electrode) is required to exert a function as an organic EL element.
(4) In the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, as shown in FIG. 2, the stretching direction of the pixel regulation layer 141 is the long axis X direction of the organic EL display panel 10, and the stretching direction of the partition wall 14 is the organic EL. Although it was in the Y direction of the minor axis of the display panel 10, the stretching directions of the pixel regulation layer 141 and the partition wall 14 may be opposite. Further, the stretching direction of the pixel insulating layer and the partition wall may be a direction irrelevant to the shape of the organic EL display panel 10.

また、上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、一例として画像表示面を長方形状としたが、画像表示面の形状に限定はなく、適宜変更可能である。
また、上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、画素電極13を長方形平板状の部材としたが、これに限られない。
さらに、上記実施の形態においてはラインバンク方式の有機EL表示パネルについて説明したが、一つの副画素ごとにその四方を隔壁で囲むようにした、いわゆるピクセルバンク方式の有機EL表示パネルであっても構わない。
Further, in the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, the image display surface is rectangular as an example, but the shape of the image display surface is not limited and can be changed as appropriate.
Further, in the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, the pixel electrode 13 is a rectangular flat plate-shaped member, but the present invention is not limited to this.
Further, although the line bank type organic EL display panel has been described in the above embodiment, even a so-called pixel bank type organic EL display panel in which each sub-pixel is surrounded on all four sides by a partition wall is used. I do not care.

(5)上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、R、G、B色にそれぞれ発光する副画素100R、100G、100Bが配列されていたが、副画素の発光色はこれに限られず、例えば、R、G、Bに加えて黄色(Y)の4色であってもよい。また、一つの画素Pにおいて、副画素は1色あたり1個に限られず、複数配置されてもよい。また、画素Pにおける副画素の配列は、図2に示すような、赤色、緑色、青色の順番に限られず、これらを入れ替えた順番であってもよい。 (5) In the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, sub-pixels 100R, 100G, and 100B that emit light in R, G, and B colors are arranged, but the emission color of the sub-pixels is not limited to this. For example, in addition to R, G, and B, four colors of yellow (Y) may be used. Further, in one pixel P, the number of sub-pixels is not limited to one per color, and a plurality of sub-pixels may be arranged. Further, the arrangement of the sub-pixels in the pixel P is not limited to the order of red, green, and blue as shown in FIG. 2, and may be in the order in which these are interchanged.

このように発光色が3種類以上ある場合に、そのうちの任意の異なる2種類の発光色を発光する副画素を第1発光部、第2発光部としたとき、層間絶縁層12における掘り込み部の深さが、それらの発光色の発光層の膜厚に応じて異なるようにすることにより、従来よりも均一な膜形状を得られる。
(6)上記実施の形態においては、発光色が一番波長の短い青色の有機EL素子については、層厚が一番小さいため、層間絶縁層に掘り込み部を設けていなかったが、場合によっては、この部分にも掘り込みを設けてもよい。その分だけ、他の赤色と緑色の発光色の副画素における層間絶縁層の掘り込み量も深くなる。
When there are three or more types of emission colors in this way, and the sub-pixels that emit two different types of emission colors are the first light emitting unit and the second light emitting unit, the dug portion in the interlayer insulating layer 12 By making the depth of the light emitting layer different depending on the film thickness of the light emitting layer of those light emitting colors, a film shape more uniform than the conventional one can be obtained.
(6) In the above embodiment, since the layer thickness of the blue organic EL element having the shortest emission color is the smallest, the interlayer insulating layer is not provided with a digging portion. May also provide a digging in this part. By that amount, the amount of digging of the interlayer insulating layer in the sub-pixels of other red and green emission colors becomes deeper.

(7)上記実施の形態においては、発光層の層厚が大きい有機EL素子の掘り込み部(掘り込み部125R)が、それよりも層厚の小さな有機EL素子の掘り込み部(掘り込み部125G)よりも深くなるように形成したが、必ずしも、発光層の層厚の大小関係と掘り込み量の大小関係が一致するとは限らない。
今、使用する印刷装置の仕様が許す範囲で、インク濃度を発光色ごとで変更できるような場合を想定する。例えば、図13の表において、R用のインク濃度が、1.6%、G用のインク濃度が1.0%の場合を考えると、R用の必要インク量は液高で7.5μmであるが、G用の必要インク量の液高は8.0μmとなって、RとGでインク必要量が逆転することになり、掘り込み部125Gの掘り込み量が、掘り込み部125Rの掘り込み量よりも多くなってしまう場合が生じ得るからである。
(7) In the above embodiment, the digging portion (digging portion 125R) of the organic EL element having a large layer thickness of the light emitting layer is the digging portion (digging portion) of the organic EL element having a smaller layer thickness. Although it was formed so as to be deeper than 125G), the magnitude relation of the layer thickness of the light emitting layer and the magnitude relation of the digging amount do not always match.
It is assumed that the ink density can be changed for each emission color within the range permitted by the specifications of the printing apparatus to be used. For example, in the table of FIG. 13, considering the case where the ink density for R is 1.6% and the ink density for G is 1.0%, the required amount of ink for R is 7.5 μm at the liquid height. However, the liquid height of the required ink amount for G is 8.0 μm, and the ink required amount is reversed between R and G, and the digging amount of the digging portion 125G is the digging of the digging portion 125R. This is because there may be a case where the amount is larger than the amount of ink.

(8)上記実施の形態では、画素電極13を光反射性にして光共振効果を得べく、発光層の膜厚を調整して、光路差が所定の条件を満たすようにしたが、発光層に加えて、もしくは発光層に代えて、その下層の正孔注入層および/または正孔輸送層の膜厚も変更して光共振効果を得るようにしてもよい。要するに発光層を含む有機層全体の膜厚を調整すればよい。 (8) In the above embodiment, the film thickness of the light emitting layer is adjusted so that the optical path difference satisfies a predetermined condition in order to obtain the optical resonance effect by making the pixel electrode 13 light reflective. In addition to or instead of the light emitting layer, the film thickness of the hole injection layer and / or the hole transport layer under the light emitting layer may be changed to obtain the optical resonance effect. In short, the film thickness of the entire organic layer including the light emitting layer may be adjusted.

正孔注入層や正孔輸送層をウエットプロセスで形成して層厚を異ならせる場合でも、発光層の形成時と同様な問題が発生するため、掘り込み部を設ける必要があるからである。
(9)掘り込み部の底面の形状はできるだけ平坦であることが望ましい。もし底面が湾曲していれば、その形状が、上方に積層する各層の表面形状に影響を与え、発光層の膜形状を平坦にするのが難しくなるからである。
This is because even when the hole injection layer and the hole transport layer are formed by a wet process to have different layer thicknesses, the same problem as when the light emitting layer is formed occurs, and it is necessary to provide a digging portion.
(9) It is desirable that the shape of the bottom surface of the dug portion is as flat as possible. This is because if the bottom surface is curved, the shape affects the surface shape of each layer laminated above, and it becomes difficult to flatten the film shape of the light emitting layer.

もっとも、掘り込み部に要求される「平坦性」は、各色の発光層の膜形状を揃えることを主目的としているので、掘り込み部を設けていない青色の有機EL素子における層間絶縁層12の表面と同程度の平坦性であればよい。
また、図3に示した例では、掘り込み部125R、125Gの掘り込み量があまり深くないため、掘り込み部の側面形状がそれほど問題にならないが、図19(b)に示すように掘り込み部が深く、発光層ないしは他の有機層が、掘り込み部の内側面に接触するような場合には、当該掘り込み部の内側面は、当該図19(b)に示すように掘り込み部の内側面と連続的に繋がるように成形され、掘り込み部の内側面と掘り込み部の内側面とのなす角度もできるだけ小さい方が望ましい。
However, since the main purpose of the "flatness" required for the digging portion is to make the film shapes of the light emitting layers of each color uniform, the interlayer insulating layer 12 in the blue organic EL element having no digging portion is provided. It suffices as long as it is as flat as the surface.
Further, in the example shown in FIG. 3, since the digging amount of the digging portions 125R and 125G is not so deep, the side shape of the digging portion does not matter so much, but digging as shown in FIG. 19B. When the portion is deep and the light emitting layer or another organic layer comes into contact with the inner surface of the dug portion, the inner surface of the dug portion is the dug portion as shown in FIG. 19 (b). It is desirable that the shape is formed so as to be continuously connected to the inner surface of the digging portion, and the angle between the inner surface of the digging portion and the inner surface of the digging portion is as small as possible.

もし、掘り込み部の内側面と掘り込み部の内側面との繋ぎ部分に段部ができたり、隔壁の底に隙間ができたりすると、ピニングがその部分に形成されるおそれがあり、発光層を設計通りの膜形状に成膜するのが困難になるからである。
(10)上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10では、画素電極13を陽極、対向電極17を陰極としたが、これに限られず、画素電極13を陰極、対向電極17を陽極とする逆構造であってもよい。正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などを設ける場合には、その積層順も陰極と陽極の位置によって適宜修正される。
If a step is formed at the connecting portion between the inner surface of the digging portion and the inner surface of the digging portion, or if there is a gap at the bottom of the partition wall, pinning may be formed at that portion, and the light emitting layer. This is because it becomes difficult to form a film in the film shape as designed.
(10) In the organic EL display panel 10 according to the above embodiment, the pixel electrode 13 is an anode and the counter electrode 17 is a cathode, but the present invention is not limited to this, and the pixel electrode 13 is a cathode and the counter electrode 17 is an anode. It may be a structure. When the hole injection layer, the hole transport layer, the electron transport layer, the electron injection layer and the like are provided, the stacking order thereof is also appropriately modified depending on the positions of the cathode and the anode.

(11)また、上記実施の形態に係る有機EL表示パネル10は、アクティブマトリクス方式を採用したが、これに限られず、パッシブマトリクス方式を採用してもよい。
(12)上記実施の形態で示した有機EL表示パネルは、図17に示すようにテレビ300の表示部301や、その他パーソナルコンピュータ、形態端末、業務用ディスプレイなど様々な電子機器の表示パネルとして用いることができる。
≪補足≫
以上、本開示に係る有機EL表示パネルおよびその製造方法並びに有機EL表示装置、電子機器について、実施の形態および変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態および変形例に限定されるものではない。上記実施の形態および変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施の形態および変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
(11) Further, the organic EL display panel 10 according to the above embodiment adopts an active matrix method, but the present invention is not limited to this, and a passive matrix method may be adopted.
(12) As shown in FIG. 17, the organic EL display panel shown in the above embodiment is used as a display panel for a display unit 301 of a television 300 and various electronic devices such as a personal computer, a form terminal, and a commercial display. be able to.
≪Supplement≫
The organic EL display panel and its manufacturing method, the organic EL display device, and the electronic device according to the present disclosure have been described above based on the embodiments and modifications, but the present invention has been described in the above embodiments and modifications. It is not limited. By arbitrarily combining the components and functions in the embodiment and the modified example, the form obtained by applying various modifications that a person skilled in the art can think of, and the embodiment and the modified example without departing from the spirit of the present invention. The realized form is also included in the present invention.

本開示に係る有機EL表示パネルは、様々な電子機器に用いられる表示パネルとして広く利用することができる。 The organic EL display panel according to the present disclosure can be widely used as a display panel used in various electronic devices.

1 有機EL表示装置
2 有機EL素子
10 有機EL表示パネル
11 基板
12 層間絶縁層
13 画素電極
14 隔壁
15 正孔注入層
16 正孔輸送層
17 発光層
18 電子輸送層
19 電子注入層
20 対向電極
21 封止層
100B、100G、100R 副画素
111 基材
112 TFT層
125R、125G 掘り込み部
140 隔壁材料層
141 画素規制層
1 Organic EL display device 2 Organic EL display device 10 Organic EL display panel 11 Substrate 12 Thin film transistor 13 Pixel electrode 14 Partition 15 Hole injection layer 16 Hole transport layer 17 Light emitting layer 18 Electron transport layer 19 Electron injection layer 20 Opposite electrode 21 Sealing layer 100B, 100G, 100R Sub-pixel 111 Base material 112 TFT layer 125R, 125G Digging part 140 Partition material layer 141 Pixel regulation layer

Claims (8)

基板と、
前記基板上に形成された層間絶縁層と、
前記層間絶縁層上に形成された有機EL発光部と、
を備えた有機EL表示パネルであって、
前記有機EL発光部は、
前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極と
を含み、
前記有機EL発光部は、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、
前記第1発光部と前記第2発光部は、前記有機層の層厚が異なると共に、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層の掘り込み量が異なっており、
前記第1発光部と前記第2発光部のうち、発光する色の波長が長い発光部の方が、他方の発光部よりも前記層間絶縁層の掘り込み量が多い
有機EL表示パネル。
With the board
The interlayer insulating layer formed on the substrate and
The organic EL light emitting portion formed on the interlayer insulating layer and
It is an organic EL display panel equipped with
The organic EL light emitting unit is
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer, a plurality of partition walls arranged between the pixel electrodes adjacent in the row direction and extending in the column direction, and a region partitioned by the partition wall are formed. The organic layer including the light emitting layer and the counter electrode formed above the organic layer are included.
The organic EL light emitting unit includes a first light emitting unit having a light emitting layer that emits a first color, and a second light emitting unit having a light emitting layer that emits a second color different from the first color.
Wherein the first light emitting portion second light emitting unit, the layer thickness of the organic layer is different Rutotomoni, engraved interlayer insulating layer in the regions divided by the first light emitting portion and said partition wall of the second light-emitting portion The amount is different ,
Of the first light emitting unit and the second light emitting unit, the light emitting unit having a longer wavelength of the light emitting color is an organic EL display panel in which the amount of digging of the interlayer insulating layer is larger than that of the other light emitting unit .
前記有機層の上面と前記隔壁とが互いに接触するピニング位置の高さと、前記有機層の上面の中央位置の高さとの差分は、700nm以下である
請求項に記載の有機EL表示パネル。
The height of the pinning position where the upper surface of the organic layer and the partition wall are in contact with each other, the difference between the height of the center position of the upper surface of the organic layer, the organic EL display panel according to claim 1 is 700nm or less.
前記層間絶縁層の掘り込み部分の底面は平坦である
請求項1または2に記載の有機EL表示パネル。
The organic EL display panel according to claim 1 or 2 , wherein the bottom surface of the dug portion of the interlayer insulating layer is flat.
前記画素電極は、光反射性を有する金属薄膜からなる
請求項1からまでのいずれかに記載の有機EL表示パネル。
The organic EL display panel according to any one of claims 1 to 3 , wherein the pixel electrode is made of a metal thin film having light reflectivity.
請求項1からまでのいずれかに記載の有機EL表示パネルと、
前記有機EL表示パネルを駆動して画像を表示させる駆動部と
を備える有機EL表示装置。
The organic EL display panel according to any one of claims 1 to 4 ,
An organic EL display device including a drive unit that drives the organic EL display panel to display an image.
画像表示部として請求項に記載の有機EL表示装置を備える
電子機器。
An electronic device including the organic EL display device according to claim 5 as an image display unit.
基板を準備する第1工程と、
前記基板上に層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に有機EL発光部を形成する第3工程と、
を含む有機EL表示パネルの製造方法であって、
前記有機EL発光部は、
前記層間絶縁層上に行列状に配された複数の画素電極と、行方向に隣接する前記画素電極間に配され、列方向に延伸する複数の隔壁と、前記隔壁で仕切られた領域に形成された、発光層を含む有機層と、前記有機層の上方に形成された対向電極とを含む共に、第1色を発光する発光層を有する第1発光部と、第1色と異なる第2色を発光する発光層を有する第2発光部とを含み、
前記第1発光部と前記第2発光部では有機層の層厚が異なっており、前記第2工程において、前記第1発光部と前記第2発光部の前記隔壁で仕切られた領域における層間絶縁層に異なる深さの掘り込みが形成され
前記第1発光部と前記第2発光部のうち、発光する色の波長が長い発光部の方が、他方の発光部よりも前記層間絶縁層の掘り込みが深い
有機EL表示パネルの製造方法。
The first step of preparing the board and
The second step of forming the interlayer insulating layer on the substrate and
The third step of forming the organic EL light emitting portion on the interlayer insulating layer,
It is a manufacturing method of an organic EL display panel including
The organic EL light emitting unit is
A plurality of pixel electrodes arranged in a matrix on the interlayer insulating layer, a plurality of partition walls arranged between the pixel electrodes adjacent in the row direction and extending in the column direction, and a region partitioned by the partition wall are formed. A first light emitting portion having a light emitting layer including a light emitting layer and a counter electrode formed above the organic layer and emitting a first color, and a second light emitting portion different from the first color. Including a second light emitting part having a light emitting layer that emits color,
The layer thickness of the organic layer is different between the first light emitting portion and the second light emitting portion, and in the second step, interlayer insulation is provided in the region of the first light emitting portion and the second light emitting portion separated by the partition wall. Digging of different depths is formed in the layers ,
A method for manufacturing an organic EL display panel in which, of the first light emitting unit and the second light emitting unit, the light emitting unit having a longer wavelength of the light emitting color has a deeper digging of the interlayer insulating layer than the other light emitting unit .
前記層間絶縁層は、感光性樹脂材料からなり、
前記第2工程において、ハーフトーンマスクを利用して前記層間絶縁層に異なる深さの掘り込みを一回のフォトリソグラフ工程で形成する
請求項に記載の有機EL表示パネルの製造方法。
The interlayer insulating layer is made of a photosensitive resin material.
The method for manufacturing an organic EL display panel according to claim 7 , wherein in the second step, a halftone mask is used to dig a different depth in the interlayer insulating layer in one photolithography step.
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