JP6777364B2 - 外部磁界の非存在下での、スピン・軌道トルクによる垂直磁化ナノ磁石のスイッチング - Google Patents
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Description
本出願は、2015年5月8日に出願された同時係属中の米国仮特許出願第62/158,805号「SWITCHING OF PERPENDICULARLY MAGNETIZED NANOMAGNETS WITH SPIN−ORBIT TORQUES IN THE ABSENCE OF EXTERNAL MAGNETIC FIELDS」に対する優先権及びその利益を主張し、その出願は、参照によりその全体が本明細書に組込まれる。
本発明は、情報先端研究プロジェクト活動(IARPA:Intelligence Advanced Research Projects Activity)によって授与された契約GR526115及びGR526116の下で政府支援を受けて行われた。
表面を有する重金属ストリップ及び表面に隣接して配設される強磁性ナノ磁石を設けるステップであって、強磁性ナノ磁石は、第1の磁化平衡状態及び第2の磁化平衡状態を有する、設けるステップと、
電荷方向に重金属ストリップを通して電荷を流すステップであって、それにより、
ナノ磁石の磁化状態を外部磁界の非存在下で第1の磁化平衡状態に設定する、または、磁化状態を第2の磁化平衡状態に設定する、電荷を流すステップとを含む。
種々の図を通して同様の部品を示す。
異方性との間の所与の比について、高いスイッチング確率(決定論的スイッチング)が、スピン軌道を平衡させトルクを減衰させることによって、著しく短い継続時間の電流パルスについて達成可能であり、超高速スイッチングをもたらす。更に、外部磁界が、述べるスキーム内で磁化スイッチングのために必要とされないため、エネルギー効率及び集積密度は、著しく改善され、超高速超高密度メモリ及び低電力消費ロジックシステムをもたらす。
として記述される。ここで、γは磁気回転比であり、αは減衰係数であり、TSTはスピントルクであり、Heffは、強磁性層の磁化によって経験される有効場である。Heffは、HkxとHkzの関数である。スピントルクは、面内トルク及び面外トルクと呼ばれる2つの成分を有する:TST=TIP+TOOP。
電流Jeを注入することによって、平衡位置(平衡状態とも呼ばれる)から出てナノ磁石の面内に向かうスピントルク派生のMを生成した。te秒後に電荷電流Jeをターンオフすることによって、スピントルクは、ゼロまで減じ、Mは、x−y平面に近く、かつ、θの角度だけez軸から離れる。ここではクリティカルゾーンと呼ばれるこのゾーンにおいて、Heffは、Hkzによってかなり支配される。したがって、Mは、Heffの周りですりこぎ運動することによって磁化困難軸を通過する。磁化困難軸を通過することによって、HeffはHkzによって支配される。したがって、Mは、Heffの周りですりこぎ運動し減衰することによって、新しい平衡状態に引込まれ、磁化スイッチングを終了する。
1の磁化平衡状態501または第2の磁化平衡状態502は、重金属ストリップを通る電荷電流方向301を有する電荷の流れによって設定可能である。強磁性ナノ磁石は、同様に、ベース要素を組込む集積デバイス内の磁性層の特徴であり得る。
Claims (19)
- ナノ磁石の磁化状態をスイッチングするためのベース要素であって、
表面を有する重金属ストリップと、
前記表面に隣接して配設される強磁性ナノ磁石とを備え、前記強磁性ナノ磁石は長軸と短軸を有する形状を備え、前記強磁性ナノ磁石は面に垂直な異方性H kz と面内異方性H kx とを有し、前記強磁性ナノ磁石は、第1の磁化平衡状態及び第2の磁化平衡状態を有し、前記第1の磁化平衡状態または前記第2の磁化平衡状態は、前記重金属ストリップを通る電荷の流れによって外部磁界の非存在下で設定可能であり、前記重金属ストリップを通る前記電荷の流れの方向は、前記ナノ磁石の前記短軸に対して角度ξを含む、ベース要素。 - 前記重金属ストリップを通る第1の方向への電荷の前記流れは前記第1の磁化平衡状態をもたらし、前記重金属ストリップを通る第2の方向への電荷の前記流れは前記第2の磁化平衡状態をもたらす、請求項1に記載のベース要素。
- 前記ナノ磁石は、長軸及び短軸を有する楕円形状を備える、請求項1に記載のベース要素。
- 前記長軸は、前記重金属ストリップの前記表面にほぼ平行である、請求項3に記載のベース要素。
- 前記角度ξは、スイッチングのエネルギーを決定する、請求項1に記載のベース要素。
- 前記角度ξは、スイッチングの速度を決定する、請求項1に記載のベース要素。
- 集積メモリデバイスのビットを提供する、請求項1に記載のベース要素。
- 集積ロジックデバイスのビットを提供する、請求項1に記載のベース要素。
- 集積パイプライン化マイクロプロセッサデバイスのビットを提供する、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、タングステンまたはタンタルを含む、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、アルミニウム(Al)または金(Au)を含む、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、ビスマス(Bi)またはモリブデン(Mo)を含む、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、ニオブ(Nb)またはパラジウム(Pd)を含む、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、プラチナ(Pt)を含む、請求項1に記載のベース要素。
- 前記重金属ストリップは、銅(Cu)及びBiの合金またはCu及びイリジウム(Ir)の合金を含む、請求項1に記載のベース要素。
- ナノ磁石の磁化状態をスイッチングするための方法であって、
表面を有する重金属ストリップ及び前記表面に隣接して配設される強磁性ナノ磁石を設けるステップであって、前記強磁性ナノ磁石は長軸と短軸を有する形状を備え、前記強磁性ナノ磁石は面に垂直な異方性H kz と面内異方性H kx とを有し、前記強磁性ナノ磁石は、第1の磁化平衡状態及び第2の磁化平衡状態を有し、前記重金属ストリップを通る電荷の流れの方向は、前記ナノ磁石の前記短軸に対して角度ξを含む、設けるステップと、
電荷方向に前記重金属ストリップを通して電荷を流すステップであって、それにより、前記ナノ磁石の前記磁化状態を外部磁界の非存在下で前記第1の磁化平衡状態に設定する、または、前記磁化状態を前記第2の磁化平衡状態に設定する、電荷を流すステップとを含む、方法。 - 電荷を流す前記ステップは、電荷方向に前記重金属ストリップを通して電荷を流すことであって、それにより、約50ピコ秒未満の期間以内に前記磁化状態を設定する、電荷を流すことを含む、請求項16に記載の方法。
- 電荷を流す前記ステップは、電荷方向に前記重金属ストリップを通して電荷を流すことであって、それにより、メモリデバイスのビットを設定することに対応する前記磁化状態を設定する、電荷を流すことを含む、請求項16に記載の方法。
- 電荷を流す前記ステップは、電荷方向に前記重金属ストリップを通して電荷を流すことであって、それにより、ロジックデバイスのビットを設定することに対応する前記磁化状態を設定する、電荷を流すことを含む、請求項16に記載の方法。
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