JP6772472B2 - 配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、第１物体上の所望領域に第２物体を配置する物体配置方法及び物体配置装置、並びに、このような配置方法又は配置装置を用いたデバイス製造方法及びデバイス製造装置の技術分野に関する。

光を用いて微粒子をカンチレバーに接合する方法が提案されている（特許文献１参照）。

米国特許第６，１３９，８３１号

第１の態様は、第１物体上の所望領域に第２物体を配置することを含むデバイス製造方法であって、前記第１物体上に前記第２物体を含む媒質を供給することと、前記供給された媒質と前記第１物体上の前記所望領域の少なくとも一部とに第１光を照射することとを含むデバイス製造方法である。

第２の態様は、第１物体上の所望領域に第２物体を配置する配置装置であって、前記第２物体を含む媒質が供給された前記第１物体を保持するステージ部と、前記第１物体上の所望領域の少なくとも一部に第１光を照射する光照射部とを備える配置装置である。

第３の態様は、第１物体上の所望領域に第２物体を配置する配置方法であって、前記第１物体上に前記第２物体を含む媒質を供給することと、前記供給された媒質と前記第１物体上の前記所望領域の少なくとも一部とに第１光を照射することとを含む配置方法である。

第４の態様は、上述した第２の態様の配置装置又は上述した第３の態様の配置方法を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造方法である。

第５の態様は、上述した第２の態様の配置装置又は上述した第３の態様の配置方法を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造装置である。

本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための形態から明らかにされる。

図１は、本実施形態のデバイス製造装置の構造の一例を示す側面図である。 図２（ａ）は、空間光変調器の光変調面の構造の一例を示す平面図であり、図２（ｂ）は、空間光変調器の光変調面の一部の構造を示す斜視図であり、図２（ｃ）は、空間光変調器の１つのミラー要素の構成を示す斜視図であり、図２（ｄ）は、空間光変調器が備えるミラー要素がとり得る２つの状態を示す側面図である 図３（ａ）は、電界効果トランジスタの断面図（図３（ｂ）に示す電界効果トランジスタのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）であり、図３（ｂ）は、電界効果トランジスタの上面図である。 図４（ａ）は、ボトムゲート型の電界効果トランジスタの断面図であり、図４（ｂ）は、サスペンデッド型の電界効果トランジスタの断面図である。 図５は、電界効果トランジスタの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図６は、図５のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法の流れの一例を示すフローチャートである。 図７（ａ）は、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図７（ｂ）に示す基板のＶＩＩ−ＶＩＩ’断面図）であり、図７（ｂ）及び図７（ｃ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。 図８（ａ）及び図８（ｂ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図である。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、夫々、キャリア形成領域と露光対象領域との間の位置関係を示す平面図である。 図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。 図１１は、基板に照射される光の強度と、基板上でのカーボンナノチューブの量とを示すグラフである。 図１２は、キャリア形成領域に照射される基板の強度分布を示すグラフである。 図１３（ａ）は、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１３（ｂ）に示す基板のＸＩＩ−ＸＩＩ’断面図）であり、図１３（ｂ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。 図１４（ａ）は、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の断面図（図１４（ｂ）に示す基板のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ’断面図）であり、図１４（ｂ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板の上面図である。 図１５は、実験装置の構造を示す断面図である。 図１６は、カバーガラスに付着した物質を示す平面図である。 図１７は、カバーガラスに付着した物質のラマンスペクトル示すスペクトル図である。 図１８は、カバーガラスを洗浄する前の時点でのカバーガラスに付着した物質の観察像及びＳＥＭ像を示す平面図である。 図１９は、カバーガラスを洗浄した後の時点でのカバーガラスに付着した物質の観察像及びＳＥＭ像を示す平面図である。 図２０（ａ）は、カバーガラスに付着した物質の電気特性を測定する際にプローブを配置する位置を示す平面図であり、図２０（ｂ）は、カバーガラスに付着した物質の電気特性を示すグラフである。 図２１（ａ）は、カーボンナノチューブがカバーガラスに密着している領域におけるＳＴＥＭ像であり、図２１（ｂ）は、カーボンナノチューブがカバーガラスから浮いている領域におけるＳＴＥＭ像である。 図２２は、カーボンナノチューブがカバーガラスに密着している領域におけるＥＤＳスペクトルを示すスペクトル図である。 図２３は、カーボンナノチューブがカバーガラスから浮いている領域におけるＥＤＳスペクトルを示すスペクトル図である。 図２４は、第１変形例のデバイス製造装置の構造の一例を示す側面図である。 図２５は、第２変形例のデバイス製造装置の構造の一例を示す側面図である。

以下、図面を参照しながら、配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置の実施形態について説明する。以下では、電子デバイスを製造するデバイス製造装置１を用いて、配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造装置の実施形態を説明する。但し、本発明が以下に説明する実施形態に限定されることはない。

以下の説明では、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸から定義されるＸＹＺ直交座標系を用いて、デバイス製造装置１を構成する各種構成要素の位置関係について説明する。尚、以下の説明では、説明の便宜上、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれが水平方向（つまり、水平面内の所定方向）であり、Ｚ軸方向が鉛直方向（つまり、水平面に直交する方向であり、実質的には上下方向）であるものとする。また、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸周りの回転方向（言い換えれば、傾斜方向）を、それぞれ、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向と称する。

（１）デバイス製造装置１の構造
初めに、図１を参照しながら、本実施形態のデバイス製造装置１の構造について説明する。図１は、本実施形態のデバイス製造装置１の構造の一例を示す側面図である。

本実施形態のデバイス製造装置１は、所望の第１物体上の所望領域に、第１物体よりも小さな所望の第２物体を配置する（言い換えれば、位置させる）。従って、本実施形態のデバイス製造装置１は、配置装置の一例として機能する。例えば、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズ又はマイクロメートルサイズの第２物体を、ナノメートルサイズ、マイクロメートルサイズ、ミリメートルサイズの又はセンチメートルサイズの第１物体上の所望領域に配置する。但し、デバイス製造装置１は、任意のサイズの第２物体を、任意のサイズの第１物体上の所望領域に配置してもよい。

デバイス製造装置１は、第２物体を第１物体上の所望領域に配置するために、第２物体が供給された第１物体に光を照射する。具体的には、デバイス製造装置１は、第２物体に対して光を照射する。その結果、後に実験結果を参照しながら説明するように、光の照射位置を中心とする第１物体上の所定領域に、第２物体が付着していく。デバイス製造装置１は、所望領域に基づいて光の照射位置を調整することで、第２物体を第１物体上の所望領域に付着させる。その結果、第２物体は、第１物体上の所望領域に配置される。

デバイス製造装置１は、任意の電子デバイスを製造するために用いられる。以下では、説明の便宜上、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブ（Ｃａｒｂｏｎ Ｎａｎｏ Ｔｕｂｅ）ＣＮＴをキャリアＣとして用いる電界効果トランジスタ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）ＦＥＴを製造するために用いられるものとする。この場合、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴが供給された基板２００上のキャリア形成領域２０１に光を照射する。その結果、カーボンナノチューブＣＮＴが、キャリア形成領域２０１に配置される。

カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置するために、デバイス製造装置１は、図１に示すように、光源１１と、照明光学系１２と、ミラー１３ａと、ミラー１３ｂと、ミラー１３ｃと、空間光変調器（ＳＬＭ：Ｓｐａｔｉａｌ Ｌｉｇｈｔ Ｍｏｄｕｌａｔｏｒ）１４と、ハーフミラー１５と、投影光学系１６と、ステージ１７と、検出器１８と、コントローラ１９とを備えている。

光源１１は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ１を射出する。このような光ＥＬ１として、例えば、赤外光（例えば、波長が１０６４ｎｍとなるＹＡＧレーザ光）が用いられる。但し、光ＥＬ１として、後に詳述するようにその他の種類の光が用いられてもよい。

照明光学系１２は、例えば米国特許第８，７９２，０８１号公報などに開示されるように、フライアイレンズやロッド型インテグレータ等のオプティカルインテグレータを有する照度均一化光学系、及び照野絞り（いずれも不図示）を有していてもよい。照明光学系１２は、光源１１からの光ＥＬ１の光量を均一化して光ＥＬ２として射出する。この光ＥＬ２によって空間光変調器１４の光変調面１４ａが照明される。なお、空間光変調器の光変調面１４ａ上には、照明光学系１２の照野絞り（マスキングシステム）で規定された矩形状の照明領域が形成される。

尚、照明光学系１２は、光変調面１４ａ上での光ＥＬ２の強度分布を変更するビーム強度分布変更部等を含んでいてもよい。

ミラー１３ａは、照明光学系１２から出力される光ＥＬ２を偏向して、空間光変調器１４の光変調面１４ａに導く。

空間光変調器１４は、後述するように、２次元的に配列された複数のミラー要素１４１を備える。ここで、複数のミラー要素１４１が配列されている面を光変調面１４ａと称する。光変調面１４ａには、照明光学系１２からミラー１３ａを介して伝搬してくる光ＥＬ２が照射される。光変調面１４ａは、ＸＹ平面に平行な平面であって、光ＥＬ２の進行方向に交わる面である。光変調面１４ａは、矩形の形状を有している。光ＥＬ２は、光変調面１４ａをほぼ均一な照度分布で照明する。

空間光変調器１４は、当該空間光変調器１４の光変調面１４ａに照射された光ＥＬ２を、投影光学系１５に向けて反射する。空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、光ＥＬ２を反射する際に、当該光ＥＬ２を空間変調する。ここで、「光を空間変調する」とは、当該光の進行方向を横切る断面における当該光の振幅（言い換えれば、強度）、光の位相、光の偏光状態、光の波長及び光の進行方向（言い換えれば、偏向状態）のうちの少なくとも１つである光特性の分布を変化させることを意味する。本実施形態では、空間光変調器１４は、反射型の空間光変調器である。

ここで、図２（ａ）から図２（ｄ）を参照しながら、空間光変調器１４の構造の一例について更に説明を加える。図２（ａ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの構造の一例を示す平面図である。図２（ｂ）は、空間光変調器１４の光変調面１４ａの一部の構造を示す斜視図である。図２（ｃ）は、空間光変調器１４の１つのミラー要素１４１の構成を示す斜視図である。図２（ｄ）は、空間光変調器１４が備えるミラー要素１４１がとり得る２つの状態を示す側面図である。

図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１を備えている。尚、図２（ｂ）は、図面の見易さを考慮して、図２（ａ）に示す複数のミラー要素１４１の一部を抜粋した図面である。複数のミラー要素１４１は、光変調面１４ａに平行な面であるＸＹ平面上において、二次元のアレイ状に（言い換えれば、マトリクス状に）配列されている。例えば、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数は、数百から数千である。例えば、複数のミラー要素１４１のＸ軸方向に沿った配列数は、複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数の数倍から数十倍である。複数のミラー要素１４１のＹ軸方向に沿った配列数の一例は、数百から数千である。複数のミラー要素１４１は、Ｘ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｘの間隔を隔て且つＹ軸方向に沿って所定の配置間隔ｐｙの間隔を隔てるように、配列されている。配置間隔ｐｘの一例は、例えば、１０マイクロメートルから１マイクロメートルである。配置間隔ｐｙの一例は、例えば、１０マイクロメートルから１マイクロメートルである。

各ミラー要素１４１は、正方形の形状を有している。各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズは、各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢が変更されるため、それぞれ、上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙよりも小さくなる。つまり、Ｘ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間及びＹ軸方向に沿って隣接する２つのミラー要素１４１の間には、ミラー要素１４１を構成しない隙間１４２が存在する。逆に言えば、各ミラー要素１４１の位置及び／又は姿勢の変更を考慮すると、各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズがそれぞれ上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙと同一となる（つまり、隙間１４２が存在しない）ように各ミラー要素１４１を製造することは、技術的に困難であると推定される。但し、各ミラー要素１４１の形状及びサイズは任意であってもよい（例えば各ミラー要素１４１のＸ軸方向及びＹ軸方向のサイズが上述した配置間隔ｐｘ及びｐｙと実質的に同一であってもよい）。

各ミラー要素１４１のうち光ＥＬ２が照射される面は、光ＥＬ２を反射する反射面１４１ａとなっている。各ミラー要素１４１のＸＹ平面に平行な２つの表面のうち−Ｚ方向側に位置する表面は、反射面１４１ａとなっている。反射面１４１ａには、例えば金属膜が形成されている。複数のミラー要素の１４１の反射面１４１ａの集合が、実質的には、光ＥＬ２が照射される光変調面１４ａとなる。

図２（ｃ）に示すように、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１は、第１接続部材１４３によってヒンジ部１４４と接続されている。ヒンジ部１４４は、弾性変形を利用してＺ軸方向に撓むことが可能な可撓性を有している。このヒンジ部１４４は、支持基板１４９上に設けられた一対のポスト部１４５によって支持されている。また、ヒンジ部１４４には、後述する電極１４８によって静電力（引力又は斥力）の作用を受けるアンカー部１４６とヒンジ部１４４とを接続する第２接続部材１４７が設けられている。このように、アンカー部１４６とミラー要素１４１とは、第１接続部材１４３及び第２接続部材１４７並びにヒンジ部１４４を介して機械的に接続されている。そして、支持基板１４９の表面には電極１４８が形成されている。なお、ポスト部１４５は一対には限定されず、２以上の数であってもよい。

電極１４８に所定の電圧が印加されると、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力が作用する。上述の通り、アンカー部１４６の裏面と電極１４８との間に静電力を作用させると、アンカー部１４６が支持基板１４９側に移動し、この移動に伴ってミラー要素１４１も支持基板１４９側に移動する。

各ミラー要素１４１の状態は、アンカー部１４６と電極１４８との間に作用する静電力及びヒンジ部１４４の弾性力に起因して、反射面１４１ａに直交する方向（つまり、Ｚ軸方向）に沿った位置が異なる２つの状態の間で切り替わる。例えば、図２（ｄ）の左側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用していない場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいない場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１に一致する第１状態となる。例えば、図２（ｄ）の右側に示すように、アンカー部１４６と電極１４８との間に静電力が作用している場合（つまり、ヒンジ部１４４が撓んでいる場合）には、各ミラー要素１４１は、各ミラー要素１４１の反射面１４１ａが基準平面Ａ１から＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした変位平面Ａ２に一致する第２状態となる。

第２状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａは、第１状態にあるミラー要素１４１の反射面１４１ａから＋Ｚ方向側に向かって距離ｄ１だけシフトした位置にある。このため、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、距離ｄ１の倍の長さに相当する位相量だけ異なる。本実施形態では、距離ｄ１は、光ＥＬ１の波長λの１／４と一致する。つまり、ｄ１は、ｄ１＝λ／４という数式にて表現される。この場合、第２状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相は、第１状態にあるミラー要素１４１が光ＥＬ２を反射することで得られる光ＥＬ３の波面の位相と比較して、１８０度（πラジアン）だけ異なる。このため、複数のミラー要素１４１の状態に応じて、複数のミラー要素１４１が反射した光ＥＬ３の、当該光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）面における位相分布が定まる。つまり、空間光変調器１４は、光ＥＬ３の位相分布を制御することができる。

空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、カーボンナノチューブＣＮＴの配置位置（つまり、キャリア形成領域２０１）に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。その結果、空間光変調器１４は、キャリア形成領域２０１に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。尚、本実施形態における「変調パターン」は、光ＥＬ２を空間変調するためのパターン（つまり、複数のミラー要素１４１の状態の分布パターンと実質的に同一）である。この場合、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が基板２００上に分布しているカーボンナノチューブＣＮＴに照射されることで、カーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１に配置される。

尚、このような空間光変調器１４の一例は、例えば、援用によって本願明細書に取り込まれる米国特許出願公開第２０１３／０２２２７８１号明細書に記載されている。

再び図１において、ミラー１３ｂ及び１３ｃは、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を偏向して、ハーフミラー１５に導く。ハーフミラー１５は、光ＥＬ３を反射し、投影光学系１６に導く。

投影光学系１６は、空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３を基板２００に投影する。投影光学系１６は、光ＥＬ３を、基板２００の表面に設定される面状の露光領域ＥＬＡに投影する。投影光学系１６は、第１変調パターンに応じて定まる位相分布を有する光ＥＬ３を、位相分布に応じた強度分布を持つ空間像として基板２００に投影する。

ステージ１７は、基板２００を保持可能であり、保持した基板２００をリリース可能である。ステージ１７は、コントローラ１９の制御下で、基板２００を保持した状態で、露光領域ＥＬＡを含む平面（例えば、ＸＹ平面）に沿って移動可能である。ステージ１７は、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向、θＸ方向、θＹ方向及びθＺ方向のうちの少なくとも一つに沿って移動可能である。

光ＥＬ３が照射された基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）からは、光ＥＬ３の照射に起因して発生する光ＥＬ４が出射する。光ＥＬ４は、例えば、基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）によって光ＥＬ３が反射又は屈折されることで発生する光（いわゆる、反射光又は屈折光）を含んでいてもよい。光ＥＬ４は、例えば、基板２００（或いは、カーボンナノチューブＣＮＴ）によって光ＥＬ３が散乱されることで発生する光（いわゆる、散乱光であり、レイリー散乱光及びラマン散乱光のうちの少なくとも一方を含む）を含んでいてもよい。

光ＥＬ４は、ハーフミラー１５を透過する。ハーフミラー１５を透過した光ＥＬ４は、検出器１８によって検出される。コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、基板２００上におけるカーボンナノチューブＣＮＴの状態を特定する。例えば、コントローラ１９は、基板２００上におけるカーボンナノチューブＣＮＴが実際に配置されている位置を特定することができる。

コントローラ１９は、デバイス製造装置１の動作を制御する。コントローラ１９は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）や、メモリを含んでいてもよい。特に、上述したように、コントローラ１９は、空間光変調器１４による光ＥＬ２の空間変調動作を制御する。更に、コントローラ１９は、ステージ１７の移動を制御する。具体的には、コントローラ１９は、基板２００上の任意の領域に露光領域ＥＬＡが位置するように、ステージ１７を制御する。

尚、図１及び図２を用いて説明したデバイス製造装置１は一例である。従って、図１及び図２に示すデバイス製造装置１の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、デバイス製造装置１の少なくとも一部の改変の例について説明する。

デバイス製造装置１は、電子デバイスとは異なる任意のデバイスを製造するために用いられてもよい。例えば、デバイス製造装置１は、細胞、ＤＮＡ又は細菌等の生体構造物を利用した生体デバイス（或いは、ウイルス等の微小構造物を利用したデバイス）を製造するために用いられてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、生体構造物を第１物体上の所望領域に配置する。

デバイス製造装置１は、電子デバイスないしは任意のデバイスを製造するために用いられなくてもよい。デバイス製造装置１は、電子デバイスないしは任意のデバイスを製造する目的とは異なる任意の目的で、所望の第２物体を、所望の第１物体上の所望領域に配置してもよい。

デバイス製造装置１は、ミラー１３ａを備えていなくてもよい。この場合、照明光学系１２は、空間光変調器１４に向けて光ＥＬ２を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ａに加えて又は代えて、照明光学系１２が射出した光ＥＬ２を空間光変調器１４に導く導光光学系を備えていてもよい。

デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃを備えていなくてもよい。この場合、空間光変調器１４は、ハーフミラー１５又は投影光学系１６に向けて光ＥＬ３を射出する。デバイス製造装置１は、ミラー１３ｂ及び１３ｃに加えて又は代えて、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３をハーフミラー１５又は投影光学系１６に導く導光光学系を備えていてもよい。

空間光変調器１４は、光ＥＬ３の位相分布を制御することに加えて又は代えて、光ＥＬ３の強度分布（つまり、光ＥＬ３の進行方向に直交する（或いは、交わる）方向に沿った面上における強度分布）を制御してもよい。空間光変調器１４は、複数のミラー要素１４１に代えて、光ＥＬ２を空間変調することが可能な任意の装置（例えば、液晶パネル等）を備えていてもよい。空間光変調器１４は、透過型の空間光変調器であってもよい。

上述の例における空間光変調器１４は、それぞれの上下方向（つまり、光ＥＬ２の進行方向）に沿った位置が可変である複数のミラー要素１４１を備える位相型（ピストン型）の空間光変調器である。しかしながら、空間光変調器１４は、それぞれが傾斜可能な（例えば、Ｘ軸又はＹ軸に対して傾斜可能な）複数のミラー要素を備える傾斜型の空間光変調器であってもよい。また、空間光変調器１４は、傾斜型の空間光変調器が備える複数のミラー要素の反射面に段差を設けた位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器であってもよい。位相段差傾斜ミラー型の空間光変調器は、光変調面１４ａに平行な反射面１４１ａが反射した光ＥＬ３と光変調面１４ａに対して傾斜している反射面１４１ａが反射した光ＥＬ３との間の位相差をλ／２（１８０度（πラジアン））に設定する空間光変調器である。また、援用によって本願明細書に取り込まれる国際公開第２０１４／１０４００１号パンプレットに開示されている、それぞれの上下方向の位置が可変である複数のミラー要素と、当該複数のミラー要素の間に位置する固定反射面とを備え、ミラーの上下方向の移動によって光ＥＬ２を空間変調する空間光変調器が用いられてもよい。

投影光学系１６は、縮小系であってもよい。例えば、投影光学系１６の投影倍率は、１／２００であってもよい。投影光学系１６は、等倍系又は拡大系であってもよい。投影光学系１６の解像度は、空間光変調器１４の各ミラー要素１４１の大きさ（各ミラー要素の一辺の寸法）に投影倍率を乗じた値よりも大きくなるように設定されていてもよい。この場合、単一のミラー要素１４１によって反射された光ＥＬ３は、露光領域ＥＬＡ上では解像されることはない。

投影光学系１６と基板２００との間に、光ＥＬ３の光路を含む液浸空間が形成されていてもよい。

デバイス製造装置１は、検出器１８を備えていなくてもよい。この場合、デバイス製造装置１は、ハーフミラー１５を備えていなくてもよい。デバイス製造装置１がハーフミラー１５を備えていない場合には、空間光変調器１４は、投影光学系１６に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。或いは、空間光変調器１４は、空間光変調器１４が射出した光ＥＬ３を投影光学系１６に導く導光光学系光に向けて、光ＥＬ３を射出してもよい。

（２）電界効果トランジスタＦＥＴの構造
続いて、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照しながら、デバイス製造装置１を用いて製造される電界効果トランジスタＦＥＴの構造の一例について説明する。図３（ａ）は、電界効果トランジスタＦＥＴの断面図（図３（ｂ）に示す電界効果トランジスタＦＥＴのＩＩＩ−ＩＩＩ’断面図）である。図３（ｂ）は、電界効果トランジスタＦＥＴの上面図である。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、電界効果トランジスタＦＥＴは、基板２００と、複数のソース電極Ｓと、複数のドレイン電極Ｄと、複数のゲート電極Ｇと、複数の絶縁層Ｉと、複数のキャリアＣとを備えている。基板２００には、単一のソース電極Ｓと、単一のドレイン電極Ｄと、単一のゲート電極Ｇと、単一の絶縁層Ｉと、単一のキャリアＣとを含む素子セットＥＳが、複数形成されている。複数の素子セットＥＳの夫々は、トランジスタとして機能可能である。但し、基板２００には、単一の素子セットＥＳが形成されていてもよい。

基板２００は、絶縁基板である。絶縁基板は、絶縁体から構成される第１基板であってもよい。絶縁基板は、絶縁体、半導体又は金属から構成される第１支持基板と、当該第１支持基板に積層される第１絶縁層とを含む第２基板であってもよい。第１支持基板を構成する絶縁体は、例えば、酸化シリコン、チッカシリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カリウム、絶縁性樹脂（例えば、アクリル樹脂や、エポキシ樹脂等）、ポリイミド及びテフロン（登録商標）等のうちの少なくとも一つである。第１支持基板を構成する半導体は、例えば、１４族元素（例えば、シリコンや、ゲルマニウム等）、ガリウム砒素、インジウム燐、テルル化亜鉛、及び、炭化シリコン等のうちの少なくとも一つである。第１支持基板を構成する金属は、酸化物を相対的に形成しやすい金属（例えば、アルミニウムや、マグネシウム等）である。

但し、後に詳述するように、基板２００を介して光ＥＬ３が基板２００の表面に照射される場合には（図８（ｂ）参照）、基板２００は、光ＥＬ３を透過するという透過性を有する。従って、基板２００は、透過性を有する材料から構成される。

基板２００上には、複数のソース電極Ｓと、複数のドレイン電極Ｄとが形成されている。複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの夫々は、金属（例えば、金や、白金や、チタン等）から構成される。各ソース電極Ｓと、各ソース電極Ｓと共に同一の素子セットＥＳを構成するドレイン電極Ｄとは、所定距離の間隔を確保した上で、図３（ａ）及び図３（ｂ）中Ｙ軸方向に沿って並んでいる。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の間隔は、例えば、数ナノメートルから数十ナノメートル程度である。ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとの間の領域は、キャリアＣが形成されるべきキャリア形成領域２０１である。図３（ａ）及び図３（ｂ）に示す例では、キャリア形成領域２０１は、Ｙ軸方向が長手方向となる形状を有する。

キャリア形成領域２０１には、キャリアＣが形成されている。キャリアＣは、ソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとを連結する。キャリアＣは、単一のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。或いは、キャリアＣは、バンドルされた複数のカーボンナノチューブＣＮＴから構成されていてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、単層（シングルウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴは、多層（マルチウォール）カーボンナノチューブを含んでいてもよい。尚、カーボンナノチューブＣＮＴの直径は、例えば、１ナノメートルから数ナノメートル程度である。カーボンナノチューブＣＮＴの長さ（長手方向の長さ）は、例えば、数マイクロメートル程度である。

キャリアＣの少なくとも一部の上には、絶縁層Ｉが形成されている。絶縁層Ｉは、例えば、上述した絶縁体を構成する材料から構成されている。絶縁層Ｉ上には、ゲート電極Ｇが形成されている。ゲート電極Ｇは、金属（例えば、金や、白金や、チタン等）から構成される。

以上説明した電界効果トランジスタＦＥＴは、いわゆるトップゲート型の電界効果トランジスタである。従って、デバイス製造装置１は、トップゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴを製造する。しかしながら、デバイス製造装置１は、トップゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴとは異なる電界効果トランジスタを製造してもよい。

例えば、デバイス製造装置１は、ボトムゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴ−１を製造してもよい。尚、ボトムゲート型の電界効果トランジスタＦＥＴ−１は、図４（ａ）に示すように、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ及びキャリアＣが基板２００の一表面（図４（ａ）では、＋Ｚ軸側の表面）に形成される一方で、ゲート電極Ｇが基板２００の他の表面（第１表面の逆側の表面であって、図４（ａ）では、＋Ｚ軸側の表面）に形成される電界効果トランジスタである。或いは、例えば、デバイス製造装置１は、サスペンデッド型の電界効果トランジスタＦＥＴ−２を製造してもよい。尚、サスペンデッド型の電界効果トランジスタＦＥＴ−２は、図４（ｂ）に示すように、キャリアＣが基板２００に対して浮いている（つまり、キャリアＣがソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄによって吊り下げられている）電界効果トランジスタである。尚、図４（ｂ）に示す例では、ゲート電極Ｇは、キャリアＣの下側（図４（ｂ）では、−Ｚ軸側）に形成されている。

どのような電界効果トランジスタＦＥＴを製造する場合であっても、デバイス製造装置１は、後述する製造方法に従って、カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置することに変わりはない。

尚、図３を用いて説明した電界効果トランジスタＦＥＴは一例である。従って、図３に示す電界効果トランジスタＦＥＴの少なくとも一部が適宜改変されてもよい。例えば、ゲート電極Ｇは、キャリアＣ上に形成されていてもよい。この場合、キャリアＣ上に絶縁像Ｉが形成されていなくてもよい。

（３）電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法
続いて、図５を参照しながら、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法について説明する。図５は、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。

図５に示すように、まず、基板２００上に、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが形成される（ステップＳ１）。複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄは、例えば、蒸着マスクを用いた蒸着法によって形成される。

その後、基板２００上に、複数のキャリアＣが形成される（ステップＳ２）。尚、複数のキャリアＣの形成方法については、後に詳述する（図６等参照）。

その後、ステップＳ２で形成された複数のキャリアＣ上に、複数の絶縁層Ｉが夫々形成される（ステップＳ３）。複数の絶縁層Ｉは、例えば、基板２００に絶縁膜を形成する成膜法、並びに、絶縁層Ｉの形成パターンに応じて絶縁膜をパターニングするフォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を用いて形成される。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、絶縁膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数の絶縁層Ｉの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調してもよい。その結果、絶縁膜（より具体的には、絶縁膜上に塗布されたレジスト）は、絶縁層Ｉの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、絶縁層Ｉの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。

その後、ステップＳ３で形成された絶縁層Ｉ上に、複数のゲート電極Ｇがまとめて形成される（ステップＳ４）。複数のゲート電極Ｇは、例えば、蒸着マスクを用いた蒸着法によって形成される。

以上説明したステップＳ１からステップＳ４の工程を経て、電界効果トランジスタＦＥＴが製造される。

尚、図５を用いて説明した電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法は一例である。従って、図５に示す電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、電界効果トランジスタＦＥＴの製造方法の少なくとも一部の改変の例について説明する。

複数のキャリアＣは、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが形成される前に形成されてもよい。サスペンデッド型の電界効果トランジスタＦＥＴ−２が製造される場合には、複数のキャリアＣは、複数のゲート電極Ｇが形成された後に形成されてもよい。サスペンデッド型では、サスペンデッド型の電界効果トランジスタＦＥＴ−２が製造される場合には、複数のゲート電極Ｇ、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄが同一のタイミングで形成されてもよい。

複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄは、基板２００に金属膜を形成するスパッタリング法（或いは、蒸着法）、並びに、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて金属膜をパターニングするフォトリソグラフフィ工程及びエッチング工程を用いて形成されてもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、金属膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調してもよい。その結果、金属膜（より具体的には、金属膜上に塗布されたレジスト）は、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、複数のソース電極Ｓ及び複数のドレイン電極Ｄの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。

複数のゲート電極Ｇは、基板２００に金属膜を形成するスパッタリング法（或いは、蒸着法）、並びに、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて金属膜をパターニングするフォトリソグラフフィ工程及びエッチング工程を用いて形成されてもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程の少なくとも一部は、デバイス製造装置１によって行われてもよい。具体的には、金属膜をパターニングする際に、空間光変調器１４は、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて光ＥＬ２を空間変調する。その結果、金属膜（より具体的には、金属膜上に塗布されたレジスト）は、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じて空間変調された光ＥＬ３（つまり、複数のゲート電極Ｇの形成パターンに応じた露光パターンを有する光ＥＬ３）によって露光される。

（４）キャリアＣの形成方法
続いて、図６から図１４（ｂ）を参照しながら、図５のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法について説明する。図６は、図５のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法の流れの一例を示すフローチャートである。図７（ａ）から図１４（ｂ）は、夫々、図５のステップＳ２におけるキャリアＣの形成方法を構成する一工程が行われている時点での基板２００の状態を示す。

図６に示すように、基板２００上に、カーボンナノチューブＣＮＴが分散している溶液であるＣＮＴ分散液ＬＱが供給される（図６のステップＳ２１）。ＣＮＴ分散液ＬＱを構成する溶媒は、例えば、ゲル状の又はゾル状の溶媒である。

ＣＮＴ分散液ＬＱには、カーボンナノチューブＣＮＴを溶液に均一に分散させる（溶液中でカーボンナノチューブＣＮＴを分散化させることで、カーボンナノチューブＣＮＴのバンドル化を妨げる）ための可溶化処理が施されていることが好ましい。

可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴの表面に分子を物理的に介在させることでカーボンナノチューブＣＮＴを孤立させる第１可溶化処理（いわゆる、物理修飾による可溶化処理）を含んでいてもよい。第１可溶化処理は、例えば、カーボンナノチューブＣＮＴを溶液に均一に分散させることが可能な可溶化剤をＣＮＴ分散液ＬＱに添加することで実現されてもよい。可溶化剤は、例えば、界面活性剤である。界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤、陽イオン界面活性剤、両性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、又は、陰イオン性界面活性剤と両性界面活性剤との混合物であってもよい。陰イオン性界面活性剤は、例えば、炭素数が１０から１４となるアルキル硫酸系の塩に相当する界面活性剤（例えば、ドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ）、デシル酸硫酸ナトリウム、テトラデシル硫酸ナトリウム又はドデシルベンゼン硫酸ナトリウム（ＳＤＢＳ）等）、ドデカンスルホン酸系の塩（例えば、ナトリウム塩、以下同じ）、ドデカノイルサルコシン酸系の塩、ドデカン酸系の塩及びコール酸系の塩のうちの少なくとも一つであってもよい。両性界面活性剤は、例えば、ｎ−ドデシルホスホコリンであってもよい。或いは、界面活性剤は、陰イオン性界面活性剤及び両性界面活性剤のうちの少なくとも一つと、その他の界面活性剤との混合物であってもよい。その他の界面活性剤は、その他の陰イオン性界面活性剤、その他の両性界面活性剤、陽イオン性界面活性剤、非イオン性界面活性剤、高分子ポリマーを含む分散剤、ＤＮＡを含む分散剤及びたんぱく質を含む分散剤のうちの少なくとも一つであってもよい。

或いは、可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴの一部に官能基を埋め込むことでカーボンナノチューブＣＮＴを孤立させる第２可溶化処理（いわゆる、化学修飾による可溶化処理）を含んでいてもよい。第２可溶化処理は、カーボンナノチューブＣＮＴを分散可能な溶媒を、ＣＮＴ分散液ＬＱの溶媒として用いることで実現されてもよい。カーボンナノチューブＣＮＴを分散可能な溶媒は、例えば、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）、Ｎ，Ｎジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）のうちの少なくとも一つを含んでいてもよい。

以下、ＣＮＴ分散液ＬＱの供給方法の一例を説明する。図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、ＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給される前に、基板２００の第１表面２００ａ上には、第１表面２００ａの外縁に沿って壁部材２２０が形成される。壁部材２２０は、ＸＹ平面上において閉じたループ状の形状を有する。その後、基板２００と壁部材２２０とによって囲まれた空間に、ＣＮＴ分散液ＬＱが注入される。その後、壁部材２２０の上部に、基板２００の第１表面２００ａと対向するようにカバー部材２１０が形成される。その結果、ＣＮＴ分散液ＬＱは、基板２００と、カバー部材２１０と、壁部材２２０との間に囲まれた空間に密封される。

基板２００の第１表面２００ａは、キャリアＣが形成される面である。従って、図７（ｃ）に示すように、第１表面２００ａには、キャリア形成領域２０１が設定されている。尚、図７（ｃ）は、第１表面２００ａに既に形成されているソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄを点線で示している。ＣＮＴ分散液ＬＱが基板２００に供給された時点では、カーボンナノチューブＣＮＴは、ＣＮＴ分散液ＬＱ内をランダムに浮遊している。従って、図７（ｃ）に示すように、第１表面２００ａ上においても、カーボンナノチューブＣＮＴは、ランダムに分布している。つまり、カーボンナノチューブＣＮＴは、キャリア形成領域２０１上のみならず、キャリア形成領域２０１とは異なる第１表面２００ａ上の領域２０２（以下、適宜“キャリア非形成領域２０２”と称する）にも分布している。デバイス製造装置１は、このような基板２００に対して光ＥＬ３を照射することで、カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に集めて付着させる。

カーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に集めて付着させるために、ＣＮＴ分散液ＬＱが供給された基板２００が、デバイス製造装置１のステージ１７にローディングされる（ステップＳ２２）。

具体的には、図８（ａ）に示すように、基板２００がカバー部材２１０の下方に位置するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。光ＥＬ３の伝搬方向に沿って第１表面２００ａの逆側に位置する基板２００の第２表面２００ｂがステージ１７に対向するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。第１表面２００ａがステージ１７に対向しないように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。ステージ１７から見て、基板２００とカバー部材２１０とがこの順番に配置されるように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。この場合には、デバイス製造装置１は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを介して、光ＥＬ３を第１表面２００ａに照射する。つまり、光ＥＬ３は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを透過して、第１表面２００ａに到達する。

尚、図８（ａ）に示すように基板２００がローディングされる場合には、カバー部材２１及び壁部材２２０のうちの少なくとも一方が形成されていなくてもよい。つまり、ＣＮＴ分散液ＬＱが単に第１表面２００ａに供給されていてもよい。

或いは、図８（ｂ）に示すように、基板２００がカバー部材２１０の上方に位置するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。第１表面２００ａがステージ１７に対向するように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。ステージ１７から見て、カバー部材２１０と基板２００とがこの順番に配置されるように、基板２００がステージ１７にローディングされてもよい。この場合には、デバイス製造装置１は、基板２００を介して、光ＥＬ３を基板２００の第１表面２００ａに照射する。言い換えれば、デバイス製造装置１は、カバー部材２１０及びＣＮＴ分散液ＬＱを介することなく、光ＥＬ３を基板２００の第１表面２００ａに照射する。つまり、光ＥＬ３は、光ＥＬ３の伝搬方向に沿って第１表面２００ａの逆側に位置する基板２００の第２表面２００ｂから基板２００の内部に侵入し、基板２００を透過して、基板２００の第１表面２００ａに到達する。

尚、図８（ｂ）に示すように基板２００がローディングされる場合には、カバー部材２１０形成されていなくてもよい。この場合には、ステージ１７がカバー部材２１として用いられてもよい。

その後、コントローラ１９は、基板２００上での複数のキャリア形成領域２０１の位置に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。この場合、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のミラー要素１４１の状態に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。つまり、空間光変調器１４は、コントローラ１９の制御下で、複数のキャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。その結果、第１変調パターンで空間変調された光ＥＬ３によってキャリア形成領域２０１の少なくとも一部を含む露光対象領域２０３が露光される（図６のステップＳ２３）。このため、複数のキャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターンは、露光対象領域２０３の形成位置に応じた第１変調パターンであるとも言える。

各露光対象領域２０３は、図９（ａ）に示すように、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１と一致する領域であってもよい。或いは、各露光対象領域２０３は、図９（ｂ）に示すように、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１の一部と一致する領域であってもよい。例えば、キャリア形成領域２０１の形状が長手方向（図９（ｂ）のＹ軸方向）に延びる矩形である場合には、露光対象領域２０３は、短手方向（図９（ｂ）Ｘ軸方向）に沿ったキャリア形成領域２０１の中心（或いは、中心付近）を通って長手方向に沿って延びる領域であってもよい。一方で、キャリア非形成領域２０２は、光ＥＬ３によって露光されない。但し、キャリア非形成領域２０２は、相対的に弱い強度（例えば、後述するようにカーボンナノチューブＣＮＴを付着させることができない強度）の光ＥＬ３によって露光されてもよい。或いは、露光対象領域２０３は、図示しないものの、各露光対象領域２０３に対応するキャリア形成領域２０１を包含する領域であってもよい。

図１０（ａ）に示すように、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３の全体に同時に光ＥＬ３を照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。つまり、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３の全体が光ＥＬ３で同時に露光されるように、空間光変調器１４を制御してもよい。この場合、光ＥＬ３が照射される領域（図１０（ａ）中のハッチング領域参照）と露光対象領域２０３とが一致する。

更に、露光領域ＥＬＡ内に複数の露光対象領域２０３が含まれる場合には、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３の全てにまとめて同時に光ＥＬ３を照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。或いは、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３に順に光ＥＬ３を照射する（例えば、少なくとも一つの露光対象領域２０３毎に光ＥＬ３を照射する）ように、空間光変調器１４を制御してもよい。

或いは、図１０（ｂ）に示すように、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３を構成する複数の領域部分に光ＥＬ３を順次照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。つまり、コントローラ１９は、各露光対象領域２０３が光ＥＬ３で部分的に順次走査露光されるように、空間光変調器１４を制御してもよい。例えば、図１０（ｂ）に示すように、コントローラ１９は、露光対象領域２０３上に光ＥＬ３の集光スポットＳＰが形成されるように、空間光変調器１４を制御してもよい。その後、コントローラ１９は、集光スポットＳＰが露光対象領域２０３上を移動する（走査する）ように、空間光変調器１４を制御してもよい。

更に、露光領域ＥＬＡ内に複数の露光対象領域２０３が含まれる場合には、コントローラ１９は、露光対象領域２０３を光ＥＬ３で部分的に順次走査露光する動作が、複数の露光対象領域２０３で同時に行われるように、空間光変調器１４を制御してもよい。例えば、コントローラ１９は、露光領域ＥＬＡ内の複数の露光対象領域２０３に複数の集光スポットＳＰが夫々形成されると共に、複数の集光スポットＳＰが同時に移動するように、空間光変調器１４を照射してもよい。或いは、コントローラ１９は、コントローラ１９は、露光対象領域２０３を光ＥＬ３で部分的に順次走査露光する動作が、複数の露光対象領域２０３を対象に順次行われる（例えば、少なくとも一つの露光対象領域２０３毎に順次行われる）ように、空間光変調器１４を制御してもよい。

尚、各露光対象領域２０３が光ＥＬ３で部分的に順次走査露光される場合には、空間光変調器１４が集光スポットＳＰを移動させることに加えて又は代えて、集光スポットＳＰが基板２００に対して相対的に移動するようにステージ１７が移動してもよい。

露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射されると、後に実験結果を参照しながら説明するように、カーボンナノチューブＣＮＴは、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）に集まってくる。従って、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）がキャリア形成領域２０１と一致するように露光対象領域２０３が設定されれば、カーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１上に集まってくる。以下では、露光対象領域２０３を中心とする所定領域（或いは、露光対象領域２０３）がキャリア形成領域２０１と一致するものとする。

露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射される時間が長くなるほど、キャリア形成領域２０１にはより多くのカーボンナノチューブＣＮＴが集まる。従って、コントローラ１９は、キャリアＣを形成するために必要な量のカーボンナノチューブＣＮＴがキャリア形成領域２０１上に集まるまで露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射されるように、空間光変調器１４を制御する。その結果、キャリア形成領域２０１には、キャリアＣを形成するために必要な量のカーボンナノチューブＣＮＴが集まる（言い換えれば、堆積又は集積する）。

キャリア形成領域２０１に集められたカーボンナノチューブＣＮＴは、基板２００との間の分子間力及び摩擦力によって、実質的に基板２００に付着している。従って、カーボンナノチューブＣＮＴが集められたキャリア形成領域２０１（或いは、露光対象領域２０３）に光ＥＬ３が照射されなくなったとしても、キャリア形成領域２０１には、集められたカーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。一方で、キャリア非形成領域２０２が光ＥＬ３によって露光されないがゆえに、キャリア非形成領域２０２にカーボンナノチューブＣＮＴが集まることは殆どない。

カーボンナノチューブＣＮＴが分散している所定領域に向けて光ＥＬ３を照射した場合において、所定領域のうち当該所定領域上での光ＥＬ３の強度が大きく変化する領域部分に集まるカーボンナノチューブＣＮＴの量が、所定領域のうちその他の領域部分に集まるカーボンナノチューブＣＮＴの量よりも多くなる。具体的には、図１１の上側のグラフに示すように、（ｉ）所定領域内の位置Ｐ１から位置Ｐ２の間にある領域部分＃１に、相対的に高い強度の光ＥＬ３を照射し、（ｉ）所定領域内の位置Ｐ２から位置Ｐ３の間にある領域部分＃２に、照射位置が位置Ｐ２から位置Ｐ３に向かうにつれて強度が低くなっていく光ＥＬ３を照射し、（ｉｉｉ）所定領域内の位置Ｐ３から位置Ｐ４の間にある領域部分＃３に光ＥＬ３を照射しない場合を想定する。この場合には、図１１の下側のグラフに示すように、領域部分＃２に集まるカーボンナノチューブＣＮＴの積量は、領域部分＃１に集まるカーボンナノチューブＣＮＴの量及び領域部分＃３に集まるカーボンナノチューブＣＮＴの量よりも多くなる。

このため、図１２に示すように、コントローラ１９は、キャリア形成領域２０１（或いは、露光対象領域２０３、以下本段落において同じ）上において強度が大きく変化する光ＥＬ３を基板２００に照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。言い換えれば、コントローラ１９は、キャリア形成領域２０１上における光ＥＬ３の強度の変化率がキャリア非形成領域２０２上における光ＥＬ３の強度の変化率よりも大きくなるように、空間光変調器１４を制御してもよい。例えば、図１２に示すように、コントローラ１９は、光ＥＬ３の照射位置がキャリア形成領域２０１の端部からキャリア形成領域２０１の中心に向かうにつれて強度が単調に増加する又は減少する光ＥＬ３を基板２００に照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。或いは、例えば、コントローラ１９は、光ＥＬ３の照射位置がキャリア形成領域２０１の一方の端部から他方の端部に向かって強度が単調に増加する又は減少する光ＥＬ３を基板２００に照射するように、空間光変調器１４を制御してもよい。その結果、キャリア形成領域２０１には、カーボンナノチューブＣＮＴがより効率的に集められる。

その後、基板２００がデバイス製造装置１から取り出される。その後、基板２００（特に、カーボンナノチューブＣＮＴが集められたキャリア形成領域２０１が設定されている第１表面２００ａ）が、洗浄液（例えば、水）によって洗浄される（図６のステップＳ２４）。ここで、上述したように、露光対象領域２０３に光ＥＬ３が照射されなくなったとしても、キャリア形成領域２０１には、分子間力及び摩擦力によって、カーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。従って、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、基板２００が洗浄された場合であっても、キャリア形成領域２０１には、分子間力及び摩擦力によって、カーボンナノチューブＣＮＴが付着し続ける。一方で、キャリア非形成領域２０２には、カーボンナノチューブＣＮＴが付着していない。従って、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）に示すように、基板２００が洗浄された場合には、キャリア非形成領域２０２には、カーボンナノチューブＣＮＴが存在することは殆どない。

その後、基板２００が乾燥される（図６のステップＳ２４）。例えば、ＣＮＴ分散液ＬＱ及び洗浄水を構成する液体が蒸発させられる。その結果、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示すように、キャリア形成領域２０１に集められたカーボンナノチューブＣＮＴによって、キャリア形成領域２０１にキャリアＣが形成される。

尚、基板２００が洗浄及び乾燥されるタイミングで、ＣＮＴ分散液ＬＱを保持するために基板２００上に形成されたカバー部材２１０及び壁部材２２０が除去されてもよい。

以上説明したように、本実施形態のデバイス製造装置１は、電界効果トランジスタＦＥＴを製造することができる。特に、本実施形態のデバイス製造装置１は、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するキャリアＣを、基板２００上に形成することができる。

デバイス製造装置１は、光ＥＬ３を用いて、キャリア形成領域２０１にカーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させることで、キャリアＣを形成する。このため、デバイス製造装置１は、ナノメートルサイズのカーボンナノチューブＣＮＴを用いた電界効果トランジスタＦＥＴを好適に製造することができる。更には、デバイス製造装置１は、各カーボンナノチューブＣＮＴを光トラップ力で個別に捕捉し且つ捕捉した各カーボンナノチューブＣＮＴを移動させることでキャリア形成領域２０１に集めなくてもよい。つまり、デバイス製造装置１は、露光対象領域２０３に光ＥＬ３を照射すれば、キャリア形成領域２０１にカーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させることができる。従って、デバイス製造装置１は、比較的容易に、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣを形成することができる。

デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱを介して光ＥＬ３を照射することで、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣを形成することができる（図８（ａ）参照）。このため、ＣＮＴ分散液ＬＱを介することなく光ＥＬ３が照射される場合と比較して、より多くのカーボンナノチューブＣＮＴが光ＥＬ３の伝搬経路上に分布することになる。従って、デバイス製造装置１は、より多くのカーボンナノチューブＣＮＴを集めることで、キャリアＣを形成することができる。或いは、キャリアＣを構成するために必要な量のカーボンナノチューブＣＮＴを集めるために要する時間が短縮されるため、デバイス製造装置１は、キャリアＣを効率的に形成することができる。

デバイス製造装置１は、ＣＮＴ分散液ＬＱを介することなく光ＥＬ３を照射することで、カーボンナノチューブＣＮＴから構成されるキャリアＣを形成することができる（図８（ｂ）参照）。このため、ＣＮＴ分散液ＬＱを光ＥＬ３が通過することに起因した光ＥＬ３の減衰が防止される。従って、デバイス製造装置１は、相対的に高強度な光ＥＬ３を照射することで、キャリアＣを効率的に形成することができる。

尚、図６から図１４（ｂ）を用いて説明したキャリアＣの形成方法は一例である。従って、図６から図１４（ｂ）に示すキャリアＣの形成方法の少なくとも一部が適宜改変されてもよい。以下、キャリアＣの形成方法の少なくとも一部の改変の例について説明する。

デバイス製造装置１は、フォトリソグラフィ法を用いて基板２００上にデバイスパターンを形成するための露光と同一のタイミングで、露光対象領域２０３に光ＥＬ３を照射してもよい。つまり、デバイス製造装置１は、キャリア形成領域２０１の形成位置に応じた第１変調パターン及びデバイスパターンに応じた第２変調パターンの双方を含む第３変調パターンで空間変調された光ＥＬ３で、基板２００を露光してもよい。この場合、デバイス製造装置１は、デバイスパターンを形成する工程を流用して、キャリアＣを形成することができる。このため、キャリアＣを形成する工程の簡略化（短縮化）が実現される。尚、デバイスパターンは、例えば、電界効果トランジスタＦＥＴを構成する任意の構造物（例えば、素子、電極又は配線）に対応するデバイスパターンであってもよい。デバイスパターンは、基板２００上に形成され且つ電界効果トランジスタＦＥＴとは異なる任意の回路素子を構成する任意の構造物に対応するデバイスパターンであってもよい。

コントローラ１９は、検出器１８の検出結果に基づいて、カーボンナノチューン部ＣＮＴがキャリア形成領域２０１に集められているか否か（或いは、付着しているか否か）を判定してもよい。例えば、検出器１８がラマン分光計である場合には、コントローラ１９は、ラマン散乱光を計測する検出器１８の検出結果（つまり、ラマン散乱光の検出結果）に基づいて、カーボンナノチューブＣＮＴの位置を特定することができる。その結果、コントローラ１９は、カーボンナノチューン部ＣＮＴがキャリア形成領域２０１に集められているか否か（或いは、付着しているか否か）を判定することができる。

デバイス製造装置１は、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの夫々とキャリアＣとを固着させてもよい。具体的には、ソース電極ＳとキャリアＣとが接触する位置において、ソース電極Ｓ及びキャリアＣの双方と接触するように光硬化樹脂が形成される。更に、ドレイン電極ＤとキャリアＣとが接触する位置において、ドレイン電極Ｄ及びキャリアＣの双方と接触するように光硬化樹脂が形成される。その後、デバイス製造装置１は、光硬化樹脂に対して、光ＥＬ３を照射する。具体的には、コントローラ１９は、光硬化樹脂２２０の形成位置に応じて、複数のミラー要素１４１の状態を制御する。この場合、空間光変調器１４は、光硬化樹脂２２０の形成位置に応じた第４変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。従って、第４変調パターンで空間変調された光ＥＬ３が、光硬化樹脂２２０に照射される。その結果、光ＥＬ３の照射に起因して、光硬化樹脂が硬化する。このため、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの夫々とキャリアＣとが固着される。

この場合、デバイス製造装置１は、同一の空間光変調器１４を用いて、カーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させる動作と、キャリアＣの固着動作とを行うことができる。このため、カーボンナノチューブＣＮＴを集めて付着させるための装置とキャリアＣを固着するための装置とを別個独立に用意しなくてもよい。このため、デバイス製造装置１を用いて電界効果トランジスタＦＥＴを製造する場合には、装置コストの低減が可能である。

光硬化樹脂の形成位置は、制御情報として、メモリに格納されていてもよい。この場合、コントローラ１９は、制御情報に基づいて、光硬化樹脂の形成位置に応じた第３変調パターンを決定してもよい。空間光変調器１４は、コントローラ１９が決定した第３変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調してもよい。

デバイス製造装置１は、第４変調パターンで空間変調した光ＥＬ３を、光硬化樹脂（つまり、ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄの夫々とキャリアＣとの固着位置）に照射することに代えて、任意の処理を施す位置に照射してもよい。この場合、空間光変調器１４は、任意の処理を施す位置や任意の処理の種類等に応じた第５変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。例えば、光ＥＬ３の強度が相対的に大きい場合には、光ＥＬ３の照射によってカーボンナノチューブＣＮＴの特性が変わることがある。例えば、カーボンナノチューブＣＮＴのうち光ＥＬ３が照射された部分が、光ＥＬ３の照射によって燃焼することがある。この場合、デバイス製造装置１は、光ＥＬ３の照射によるカーボンナノチューブＣＮＴの燃焼を利用して、カーボンナノチューブＣＮＴを切断してもよい。例えば、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に光ＥＬ３を照射することで、切断位置においてカーボンナノチューブＣＮＴを切断してもよい。この場合、空間光変調器１４は、カーボンナノチューブＣＮＴの切断位置に応じた第５変調パターンで、光ＥＬ２を空間変調する。或いは、デバイス製造装置１は、光ＥＬ３の照射によるカーボンナノチューブＣＮＴの燃焼を利用して、不要なカーボンナノチューブＣＮＴを燃焼（つまり、基板２００上より除去）してもよい。

キャリアＣは、カーボンナノチューブＣＮＴに加えて又は代えて、その他のナノ物質（典型的には、カーボンナノ物質）から構成されていてもよい。その他のナノ物質の形状は、カーボンナノチューブの形状のように長手形状又は棒状であってもよい。その他のナノ物質の形状は、長手形状又は棒状とは異なる任意の形状（例えば、シート状、板状、球状、円形状又は矩形形状等）であってもよい。その他のナノ物質の一例として、カーボンナノホーン、カーボンナノコイル、カーボンマイクロコイル、カーボンファイバ、カーボンナノオニオン、フラーレン、及び、カーボンナノカプセル等があげられる。この場合であっても、デバイス製造装置１は、カーボンナノチューブＣＮＴと同様に、ナノ物質をキャリア形成領域２０１に配置することができる。

キャリアＣに加えて又は代えて、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するその他の構造物が、カーボンナノチューブＣＮＴ（或いは、その他のナノ物質）から構成されていてもよい。その他の構造物は、例えば、複数のソース電極Ｓ、複数のドレイン電極Ｄ及び複数のゲート電極Ｇのうちの少なくとも一つである。この場合、デバイス製造装置１は、キャリアＣを構成するカーボンナノチューブＣＮＴと同様に、電界効果トランジスタＦＥＴを構成するその他の構造物を所望領域に配置することができる。

上述の実施形態では、デバイス製造装置１は、基板２００の表面に沿った又は平行な方向に延びるカーボンナノチューブＣＮＴを配置している。しかしながら、デバイス製造装置１は、基板２００の表面に垂直な方向に延びるカーボンナノチューブＣＮＴを配置してもよい。

光源１１は、光ＥＬ１として、赤外光とは異なる任意の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、波長が１９３ｎｍであるＡｒＦエキシマレーザ光又は波長が２４８ｎｍであるＫｒＦエキシマレーザ光等の遠紫外光（ＤＵＶ光：Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光：Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ光）を射出してもよい。光源１１は、所望の波長を有する任意のレーザ光又はその他任意の光（例えば、水銀ランプから射出される輝線であり、例えば、ｇ線、ｈ線若しくはｉ線等）を射出してもよい。光源１１は、米国特許第７，０２３，６１０号明細書に開示されているように、ＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（或いは、エルビウムとイットリウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅すると共に非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換することで得られる高調波を射出してもよい。光源１１は、波長が１００ｎｍ以上の光に限らず、波長が１００ｎｍ未満の光を射出してもよい。例えば、光源１１は、軟Ｘ線領域（例えば、５から１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光を射出してもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な電子線ビームを射出する電子線ビーム源を備えていてもよい。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、ＹＡＧレーザ若しくは固体レーザ（半導体レーザ等）から出力されるレーザ光の高調波を生成する固体パルスレーザ光源を備えていてもよい。固体パルスレーザ光源は、光ＥＬ１として用いることが可能な波長が１９３ｎｍ（これ以外の種々の波長、例えば２１３ｎｍ、２６６ｎｍ、３５５ｎｍ等の波長が可能）でパルス幅１ｎｓ程度のパルスレーザ光を１〜２ＭＨｚ程度の周波数で射出可能である。露光装置１は、光源１１に加えて又は代えて、光ＥＬ１として用いることが可能な任意のエネルギビームを射出するビーム源を備えていてもよい。

（５）カーボンナノチューブをカバーガラスに付着させる実験の結果
続いて、図１５から図２３を参照しながら、光の照射によってカーボンナノチューブをカバーガラスに付着させる実験の結果について説明する。尚、この実験は、本願発明者等によって行われた。

図１５は、実験に用いた実験装置３の構造を示す断面図である。実験装置３は、ソーラボ社製の光ピンセット（光トラップ）キットを流用した。図１５に示すように、実験装置３は、光源３１と、レーザ光学系３２と、ハーフミラー３３と、油浸対物レンズ３４と、ステージ３５と、観察器３６と、観察光学系３７とを備える。光源３１は、ファイバ出力型のバタフライレーザダイオード（ＰＬ９７５Ｐ３５０Ｊ−ＦＴ９００−ＡＰＣ）である。光源３１は、９７５ｎｍの波長のレーザ光ＥＬを、最大３００ｍＷの出力で出射可能である。レーザ光学系３２は、光源３１が出射したレーザ光ＥＬをハーフミラー３３に導く。ハーフミラー３３は、レーザ光学系３２から入射するレーザ光ＥＬを、油浸対物レンズ３４の入射面に向けて反射する。油浸対物レンズ３４は、油浸対物レンズ３４の出射面とステージ３５上のサンプル４０との間に油浸空間３４ａを形成する。油浸対物レンズ３４は、サンプル４０にレーザ光ＥＬを集光する。ステージ３５は、サンプル４０を搭載する。観察器３６は、ハーフミラー３３及び観察光学系３７を介して、サンプル４０を観察する。

サンプル４０は、ステージ３５上に搭載されるスライドガラス４１と、スライドガラス４１上に貼り付けられ且つ中央に穴があけられたゴムシート４２と、ゴムシート４２を覆うカバーガラス４３と、スライドガラス４１、ゴムシート４２及びカバーガラス４３によって囲まれた空間に密封されたＣＮＴ分散液４４とを備える。サンプル４０は、カバーガラス４３が油浸空間３４ａに面するように、ステージ３５上に搭載した。

ＣＮＴ分散液４４は、以下の手順で製造された。まず、１ｗｔ％のドデシル硫酸ナトリウム（ＳＤＳ：界面活性剤）を含む溶媒１０ｍｌに対して、４ｍｇのカーボンナノチューブを加えた。カーボンナノチューブは、ＣｏＭｏＣＡＴ法で合成された単層カーボンナノチューブ（シグマアルドリッチジャパン社製のＣｏＭｏＣＡＴ７２４７７７）である。その後、得られた溶液を懸濁した。その後、溶液を高圧噴射することで溶液内においてカーボンナノチューブを分散させる高圧分散処理を行った。高圧分散処理は、スギノマシン社製のＳｔａｒ Ｂｕｒｓｔ ｍｉｎｉｍｏを用いて行った。噴射圧は２４０ＭＰａに設定し、噴射回数は３０回であった。その後、冷水で溶液を冷却しながら、２５０ｍＷの出力の超音波を溶液に５時間照射した。超音波の照射には、コスモバイオ社製のナノラプターを用いた。その後、超遠心分離器を用いて、１００００ｒｐｍの回転速度で溶液を１５分間遠心分離した。その後、溶液の上澄み液を８０％回収した。回収した上澄み液を、ＣＮＴ分散液４４として用いた。

このような実験装置３を用いてサンプル４０にレーザ光ＥＬを照射した。この際、ＣＮＴ分散液４４に面するカバーガラス４３の上面（図１５中の＋Ｚ軸側の面）にレーザ光ＥＬが集光されるように、ステージ３５のＺ軸方向に沿った位置を調整した。また、光源３１の出力は、１００ｍＷに設定した。このような前提でサンプル４０にレーザ光ＥＬを照射すると、レーザ光ＥＬの照射開始から１秒も経過しないうちに、カバーガラス４３の上面に何らかの物質が付着する様子が、観察器３６によって観察された。更に、レーザ光ＥＬを照射したまま、ステージ３５をＸＹ平面に沿って移動させた。移動速度は、厳密に一定ではないものの、概ね２ｍｍ／ｓであった。その結果、図１６に示すように、カバーガラス４３の上面には、ステージ３５の移動軌跡に合致した軌跡に沿って何らかの物質が付着する様子が観察された。尚、物質が付着した領域の径（軌跡に交わる方向に沿ったサイズ）は、概ね１００μｍであった。一方で、カバーガラス４３上でのレーザ光ＥＬのスポットの径は、概ね１μｍであった。つまり、本実験では、レーザ光ＥＬのスポットが移動した領域を中心とする所定領域に、物質が付着した様子が観察された。

カバーガラス４３上に付着した物質がどのような物質であるかを評価するために、カバーガラス４３を純水で洗浄した後、当該物質のラマンスペクトルを観察した。その結果、図１７に示すラマンスペクトルが観察された。尚、図１７には、ＣＮＴ分散液４４のラマンスペクトルも合わせて描画されている。図１７に示すように、付着した物質のラマンスペクトルには、Ｇ−Ｂａｎｄのスペクトルが含まれていた。Ｇ−Ｂａｎｄは、カーボンナノチューブの基本構造であるグラフェンシートに特有のＣ−Ｃの振動構造に特有のスペクトルである。更に、カーボンナノチューブの振動構造は、カーボンナノチューブの円周方向に沿った振動成分と、カーボンナノチューブの円筒方向（長手方向）に沿った振動成分とを含んでいることが知られている。図１７は、Ｇ−Ｂａｎｄにこれら２つの成分に相当する２つのスペクトルが存在することを示している。更に、図１７に示すように、付着した物質のラマンスペクトルには、ＲＢＭ（Ｒａｄｉａｌ Ｂｒｅａｔｈｉｎｇ Ｍｏｄｅ）のスペクトルが含まれていた。ＲＢＭは、カーボンナノチューブの直径方向に沿った振動成分に特有のスペクトルである。このため、図１７に示すラマンスペクトルを見る限りは、カバーガラス４３上に付着した物質は、カーボンナノチューブであることが明らかである。

尚、図１８は、カバーガラス４３を洗浄する前の時点でのカバーガラス４３上に付着した物質の観察器３６による観察像（図１８上部）及びＳＥＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）による観察像（図１８下部）を示す。一方で、図１９は、カバーガラス４３を洗浄した後の時点でのカバーガラス４３上に付着した物質の観察器３６による観察像（図１９下部）及びＳＥＭによる観察像（図１９下部）を示す。図１８及び図１９に示すように、カバーガラス４３を洗浄したとしても、カバーガラス４３上にはカーボンナノチューブが付着し続けたことが分かる。一方で、図１８及び図１９に示すように、カバーガラス４３の洗浄により、バンドル化したカーボンナノチューブの径（つまり、カーボンナノチューブのバンドル構造体の径）が、概ね２０ｎｍから６０ｎｍから、概ね１０ｎｍから４０ｎｍにまで小さくなっていることが分かる。これは、カバーガラス４３の洗浄により、バンドル構造体の表面から界面活性剤（ＳＤＳ）が剥離したことに起因していると考えられる。

カーボンナノチューブは、上述したように電子デバイスを構成する部品として使用可能である。用いられる。このため、カーボンナノチューブが電子デバイスを構成する部品として使用される場合には、カバーガラス４３に付着したカーボンナノチューブの電気特性は、電子デバイスを構成する部品として使用することができる程度に良好であることが好ましい。そこで、カバーガラス４３上に付着したカーボンナノチューブの電気特性の一例であるＩＶ特性（電流−電圧特性）を測定した。ＩＶ特性を測定するために、図２０（ａ）に示すように、付着したカーボンナノチューブの点Ａ及び点Ｂの夫々にプローブを接触させると共に、当該プローブを介して点Ａと点Ｂとの間に０Ｖから１０Ｖの間で変動する電圧を印加した。電圧の印加と合わせて、プローブを介して、点Ａと点Ｂとの間に流れる電流を測定した。その結果、図２０（ｂ）に示すＩＶ特性が得られた。図２０（ｂ）に示すように、カバーガラス４３に付着したカーボンナノチューブのＩＶ特性は、付着したカーボンナノチューブがオーミックコンタクトによって相互に接触していることを示している。つまり、カバーガラス４３に付着したカーボンナノチューブの電気特性は、電子デバイスを構成する部品として使用することができる程度に良好であることが分かる。

尚、図２０（ｂ）は、カバーガラス４３を洗浄した後の時点でのＩＶ特性に加えて、カバーガラス４３を洗浄する前の時点でのＩＶ特性をも示している。これら２つのＩＶ特性を見る限りは、カバーガラス４３の洗浄によりＩＶ特性が向上していることが分かる。このような洗浄によるＩＶ特性の向上は、カバーガラス４３の洗浄によってカーボンナノチューブから界面活性剤が剥離したことに起因していると考えられる。

上に述べたラマンスペクトル及びＩＶ特性の測定に加えて、カバーガラス４３の厚み方向（図１５のＺ軸方向）におけるカーボンナノチューブの状態を更に評価するために、カバーガラス４３の厚み方向におけるカーボンナノチューブの像（断層像）を撮影した。断層像は、走査透過電子顕微鏡（ＳＴＥＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）を用いて撮影した。撮影結果は、図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示す。図２１（ａ）及び図２１（ｂ）に示すように、本実験では、カバーガラス４３に密着した状態で集まったカーボンナノチューブのみならず、カバーガラス４３から浮いた状態で（つまり、ブリッジ状に）集まったカーボンナノチューブもまた観察された。カーボンナノチューブをカバーガラス４３に強固に付着させるためには、カーボンナノチューブは、カバーガラス４３に密着した状態で集まることが好ましいと想定される。そこで、カバーガラス４３に密着した状態で集まったカーボンナノチューブとカバーガラス４３から浮いた状態で集まったカーボンナノチューブとの違いを評価するために、ＥＤＳ元素分析を行った。具体的には、カーボンナノチューブがカバーガラス４３に密着している領域及びカーボンナノチューブがカバーガラス４３から浮いている領域の夫々において、エネルギー分散型Ｘ線分光器を用いて、カバーガラス４３の厚み方向に沿ったＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−ｒａｙ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ）スペクトルを観察した。図２２は、カーボンナノチューブがカバーガラス４３に密着している領域において観察されたＥＤＳスペクトルを示す。図２３は、カーボンナノチューブがカバーガラス４３から浮いている領域において観察されたＥＤＳスペクトルを示す。図２２に示すように、カーボンナノチューブがカバーガラス４３に密着している領域では、カバーガラス４３とカーボンナノチューブとの間の界面に、ナトリウム元素に相当するスペクトルのピークが観察された。一方で、図２３に示すように、カーボンナノチューブがカバーガラス４３から浮いている領域では、カバーガラス４３とカーボンナノチューブとの間の界面に、ナトリウム元素に相当するスペクトルのピークが観察されなかった。このため、カーボンナノチューブとカバーガラス４３との間の界面にカーボンナノチューブとカバーガラス４３とをつなぐ物質（本実験では、ナトリウム又はナトリウムを含む物質）が存在すれば、カーボンナノチューブとカバーガラス４３との密着性が高まることが分かる。

ここで、ＥＤＳスペクトルにおいて観察されたナトリウムの由来について検討するに、まず、カバーガラス４３は、ナトリウムを含んでいる。しかしながら、本実験で用いた１００ｍＷ程度の出力のレーザ光ＥＬでは、カバーガラス４３からナトリウムが溶け出すほどにカバーガラス４３が高温になることはない。従って、ＥＤＳスペクトルにおいて観察されたナトリウムの由来は、カバーガラス４３ではないと推測される。そうすると、ＥＤＳスペクトルにおいて観察されたナトリウムの由来は、ＣＮＴ分散液４４に含まれるドデシル硫酸ナトリウム（つまり、界面活性剤）である可能性が高いと推測される。従って、本実験結果を見る限りは、ＣＮＴ分散液４４に界面活性剤が添加される場合には、ＣＮＴ分散液４４に界面活性剤が添加されない場合と比較して、カーボンナノチューブとカバーガラス４３との密着性が高まると想定される。

このため、本実験結果を見る限りは、上述したデバイス製造装置１がカーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置する際には、ＣＮＴ分散液ＬＱに界面活性剤が添加されることが好ましい。但し、ＣＮＴ分散液ＬＱに界面活性剤が添加されていなくても、デバイス製造装置１がカーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置することができることに変わりはない。

或いは、ＣＮＴ分散液ＬＱに界面活性剤が添加されることに加えて又は代えて、上述したデバイス製造装置１がカーボンナノチューブＣＮＴをキャリア形成領域２０１に配置する際に、基板２００の第１表面２００ａ上に、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００とをつなぐ物質（いわゆる、カップリング剤）が予め塗布されていてもよい。この場合であっても、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００との間の界面にカーボンナノチューブＣＮＴと基板２００をつなぐ物質が存在することになる。このため、カーボンナノチューブとカバーガラス４３との密着性が高まる。尚、カーボンナノチューブＣＮＴと基板２００とをつなぐ物質の一例として、シランカップリング剤（例えば、アミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＰＴＥＳ）等）や、テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱであり、例えば、フッ素化ＴＣＮＱであるＦ４−ＴＣＮＱ等）があげられる。

尚、本願発明者等は、界面活性剤（ドデシル硫酸ナトリウム）が添加されていないＣＮＴ分散液を用いた実験も行っている。説明の簡略化のためにこの実験の結果についての詳細な説明は省略するものの、この実験においても、カバーガラス４３上にカーボンナノチューブが付着する様子が観察された。但し、界面活性剤が添加されていないＣＮＴ分散液を用いて付着したカーボンナノチューブの電気特性よりも、界面活性剤が添加されたＣＮＴ分散液４４を用いて付着したカーボンナノチューブの電気特性の方が良好であった。但し、界面活性剤が添加されていないＣＮＴ分散液を用いて付着したカーボンナノチューブが、電子デバイスを構成する部品として使用することができることに変わりはない。

（６）デバイス製造装置の変形例
（６−１）第１変形例のデバイス製造装置１ａ
続いて、図２４を参照しながら、第１変形例のデバイス製造装置１ａを説明する。図２４は、第１変形例のデバイス製造装置１ａの構造の一例を示す側面図である。

図２４に示すように、デバイス製造装置１ａは、上述したデバイス製造装置１と比較して、空間光変調器１４に代えて、マスク２４を備えていると言う点で異なっている。デバイス製造装置１ａのその他の構成要件は、デバイス製造装置１のその他の構成要件と同一であってもよい。

マスク２４には、キャリア形成領域２０１に応じたマスクパターンが形成されている。具体的には、マスク２４には、マスク２４を通過した光ＥＬ３がキャリア形成領域２０１に照射されるように、光ＥＬ２の少なくとも一部を遮光し且つ光ＥＬ２の少なくとも他の一部を通過させるマスクパターンが形成されている。このため、マスク２４を透過した光ＥＬ３は、上述した空間光変調器１４によって空間変調された光ＥＬ３と同様に、キャリア形成領域２０１に照射される。従って、デバイス製造装置１ａもまた、上述したデバイス製造装置１が享受することが可能な効果と同様の効果を享受することができる。加えて、マスク２４が使用されるがゆえに、空間光変調器１４が使用される場合と比較して、露光領域ＥＬＡを大きくすることができる。このため、キャリアＣの形成効率が向上する。つまり、電界効果トランジスタＦＥＴの製造に関するスループットが向上する。

但し、マスク２４に形成されているマスクパターンが固定されているため、第１変形例では、デバイス製造装置１ａは、各キャリア形成領域２０１を構成する複数の領域部分に光ＥＬ３を順次照射することはできない（図１０（ｂ）参照）。

（６−２）第２変形例のデバイス製造装置１ｂ
続いて、図２５（ａ）及び図２５（ｂ）を参照しながら、第２変形例のデバイス製造装置１ｂを説明する。図２５（ａ）は、第２変形例のデバイス製造装置１ｂの構造の一例を示す側面図である。図２５（ｂ）は、第２変形例のデバイス製造装置１ｂが備える光学素子３４の構造を、光ＥＬ２の経路と共に示す断面図である。

図２５（ａ）に示すように、デバイス製造装置１ｂは、上述したデバイス製造装置１と比較して、空間光変調器１４に代えて、光学部材３４を備えていると言う点で異なっている。更に、デバイス製造装置１ｂは、上述したデバイス製造装置１と比較して、ハーフミラー１５及び投影光学系１６を備えていなくてもよいと言う点で異なっている。更に、デバイス製造装置１ｂは、上述したデバイス製造装置１と比較して、照明光学系１２からの光ＥＬ２を光学部材３４に向けて反射するミラー３５を備えていてもよいと言う点で異なっている。デバイス製造装置１ｂのその他の構成要件は、デバイス製造装置１のその他の構成要件と同一であってもよい。

光学部材３４は、当該光学素子３４に入射した光ＥＬ２を、キャリア形成領域２０１を照射可能な光ＥＬ３に変換する。光ＥＬ２を光ＥＬ３に変換するために、光学部材３４は、光学素子を含んでいる。光学素子は、光ＥＬ２を反射可能な反射素子を含んでいてもよい。光学素子は、光ＥＬ２を透過可能な透過素子を含んでいてもよい。光学素子は、光ＥＬ２を屈折可能な屈折素子を含んでいてもよい。光学素子は、光ＥＬ２を遮断（遮光）可能な遮光素子を含んでいてもよい。

図２５（ｂ）は、光学部材３４の構造の一例を示す。図２５（ｂ）に示すように、光学部材３４１は、第１光学素子３４１と、第２光学素子３４２と、第３光学素子３４３と、第４光学素子３４４とを含んでいてもよい。第１光学素子３４１は、光ＥＬ２を、光ＥＬ２−１と光ＥＬ２−２とに分岐する。第２光学素子３４２は、第１光学素子３４１から伝搬してくる光ＥＬ２−１を、第４光学素子３４４に向けて反射する。第３光学素子３４３は、第１光学素子３４１から伝搬してくる光ＥＬ２−２を、第４光学素子３４４に向けて反射する。特に、第３光学素子３４３は、コントローラ１９の制御下で、第１光学素子３４１から伝搬してくる光ＥＬ２−２の特性（例えば、光ＥＬ２−２の位相や、強度や、反射角度等）を変えながら、光ＥＬ２−２を第４光学素子３４４に向けて反射する。このような第３光学素子３４３の一例として、例えば、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｍｉｒｒｏｒ Ｄｅｖｉｃｅ）があげられる。第４光学素子３４４は、入射する光ＥＬ２−１及びＥＬ２−２を全反射させる全反射面（図２５（ｂ）中の右側の面）を含む。光ＥＬ２−１及びＥＬ２−２が全反射することで、第４光学素子３４４の全反射面には、近接場光が発生する。第２変形例では、デバイス製造装置１ｂは、この近接場光を光ＥＬ３として用いる。従って、第２変形例では、第４光学素子３４４の全反射面が基板２００に近接し且つ対向するように、光学部材３４が配置される。

全反射面は、光ＥＬ２−１及びＥＬ２−２を全反射している。このため、近接場光は、光ＥＬ２−１と光ＥＬ２−２とが干渉することで生ずるパターンを有する。デバイス製造装置１ｂは、第３光学素子３４３における光ＥＬ２−２の特性を変えることで、光ＥＬ２−１と光ＥＬ２−２との間の干渉態様を変えることができる。光ＥＬ２−１と光ＥＬ２−２との間の干渉態様が変わると、干渉によって生ずるパターン（つまり、近接場光が有するパターン）も変わる。従って、第３光学素子３４３は、コントローラ１９の制御下で、近接場光が有するパターンがキャリア形成領域２０１に応じたパターンとなるように、光ＥＬ２−２の特性を変えてもよい。

このようなデバイス製造装置１ｂもまた、上述したデバイス製造装置１が享受することが可能な効果と同様の効果を享受することができる。

尚、デバイス製造装置１が近接場光を光ＥＬ３として用いない場合であっても、デバイス製造装置１は、光ＥＬ２を光ＥＬ３に変換可能な光学部材３４を備えていてもよいことは言うまでもない。

また、上述の実施形態において、分子間力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、静電力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、表面力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、電磁力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、自然界の４つの力のうち重力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、自然界の４つの力のうち電磁力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、自然界の４つの力のうち弱い力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。また、上述の実施形態において、自然界の４つの力のうち強い力を利用して第２物体を第１物体に付着させてもよい。

上述の各実施形態の構成要件の少なくとも一部は、上述の各実施形態の構成要件の少なくとも他の一部と適宜組み合わせることができる。上述の各実施形態の構成要件のうちの一部が用いられなくてもよい。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態で引用した全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。

本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う配置方法及び配置装置、並びに、デバイス製造方法及びデバイス製造方法もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。

１ デバイス製造装置
１１ 光源
１２ 照明光学系
１４ 空間光変調器
１６ 投影光学系
１７ ステージ
１９ コントローラ
２００ 基板
２０１ キャリア形成領域
ＦＥＴ 電界効果トランジスタ
Ｓ ソース電極
Ｄ ドレイン電極
Ｇ ゲート電極
Ｃ キャリア
ＣＮＴ カーボンナノチューブ
ＥＬ１、ＥＬ２、ＥＬ３、ＥＬ４ 光

Claims (54)

1. 第１物体上の所望領域に第２物体を配置することを含むデバイス製造方法であって、
   前記第１物体上に前記第２物体を含む媒質を供給することと、
   前記供給された媒質と前記第１物体上の前記所望領域の少なくとも一部とに第１光を照射することで光ピンセットを形成し、前記光ピンセットで前記媒質に含まれている前記第２物体を集めて前記所望領域に付着させることと
   を含むデバイス製造方法。
2. 前記第２物体は、前記デバイスの回路を形成する
   請求項１に記載のデバイス製造方法。
3. 前記第２物体は、前記デバイスの配線を形成する
   請求項２に記載のデバイス製造方法。
4. 前記第２物体は、前記デバイスのゲートを形成する
   請求項２に記載のデバイス製造方法。
5. 前記照射することは、前記供給された媒質を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
   請求項１から４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
6. 前記供給することは、前記第１物体の第１表面上に前記媒質を供給することを含み、
   前記照射することは、前記媒質を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
   請求項５に記載のデバイス製造方法。
7. 前記照射することは、前記第１物体を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
   請求項１から６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
8. 前記供給することは、前記第１物体の第１表面上に前記第２物体を供給することを含み、
   前記照射することは、前記第１表面の逆側に位置する前記第１物体の第２表面側から、前記第１物体を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
   請求項７に記載のデバイス製造方法。
9. 前記第１物体は、前記光を透過可能な部材である
   請求項７又は８に記載のデバイス製造方法。
10. 前記照射することは、第２光が照射されるマスク及び空間光変調器のうちの少なくとも一方を用いて前記第２光から前記第１光を生成し、前記生成した第１光を照射することを含む
    請求項１から９のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
11. 前記照射することは、第２光を透過、屈折、遮断又は反射可能な光学素子を用いて前記第２光から前記第１光を生成し、前記生成した第１光を照射することを含む
    請求項１から１０のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
12. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第１領域に前記第１光を照射する一方で、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第２領域に前記第１光を照射しないことを含む
    請求項１から１１のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
13. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第３領域に前記第１光の集光スポットを形成する一方で、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第４領域に前記第１光の集光スポットを形成しないことを含む
    請求項１から１２のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
14. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第５領域内での前記第１光の強度の変化率が、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第６領域内での前記第１光の強度の変化率よりも大きくなる光を照射することを含む
    請求項１から１３のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
15. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第７領域の全体に前記第１光を照射することを含む
    請求項１から１４のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
16. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第８領域を部分的に順次走査露光するように、前記第１光を照射することを含む
    請求項１から１５のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
17. 前記媒質は、可溶化剤を含む
    請求項１から１６のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
18. 前記供給することは、カップリング剤を含む所定膜が形成された前記第１物体上に前記媒質を供給することを含む
    請求項１から１７のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
19. 前記第２物体は、ナノメートルサイズの物体を含む
    請求項１から１８のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
20. 前記第２物体は、カーボンナノチューブを含む
    請求項１から１９のいずれか一項に記載のデバイス製造方法。
21. 第１物体上の所望領域に第２物体を配置する配置装置であって、
    前記第２物体を含む媒質が供給された前記第１物体を保持するステージ部と、
    前記供給された媒質と前記第１物体上の所望領域の少なくとも一部とに第１光を照射して光ピンセットを形成し、前記光ピンセットで前記媒質に含まれている前記第２物体を前記所望領域に集めて付着させる光照射部と
    を備える配置装置。
22. 前記第１物体上に前記第２物体を含む媒質を供給する供給部を備える
    請求項２１に記載の配置装置。
23. 前記光照射部は、前記供給された媒質を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射する
    請求項２１又は２２に記載の配置装置。
24. 前記ステージ部は、前記媒質が供給された第１表面を備える第１物体を保持し、
    前記光照射部は、前記媒質を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射する
    請求項２１から２３のいずれか一項に記載の配置装置。
25. 前記光照射部は、前記第１物体を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射する
    請求項２１から２４のいずれか一項に記載の配置装置。
26. 前記ステージ部は、前記媒質が供給された第１表面を備える第１物体を保持し、
    前記光照射部は、前記第１表面の逆側に位置する前記第１物体の第２表面側から、前記第１物体を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射する
    請求項２５に記載の配置装置。
27. 前記ステージ部は、前記第１物体と、前記第１物体との間に前記媒質を保持可能な空間を形成する所定部材と、前記空間に保持された前記媒質とを含む保持対象物を保持する
    請求項２５又は２６に記載の配置装置。
28. 前記光照射部は、照射された第２光から前記第１光を生成可能なマスク及び空間光変調器のうちの少なくとも一方を含む
    請求項２１から２７のいずれか一項に記載の配置装置。
29. 前記光照射部は、第２光を透過、屈折、遮断又は反射することで前記第１光を生成可能な光学素子を含む
    請求項２１から２８のいずれか一項に記載の配置装置。
30. 前記光学素子は、前記第２光を全反射可能な全反射面を含み、
    前記第１光は、複数の前記第２光の全反射に起因して発生する近接場光であって、前記複数の第２光の干渉に応じたパターンを有する近接場光を含む
    請求項２９に記載の配置装置。
31. 第１物体上の所望領域に第２物体を配置する配置方法であって、
    前記第１物体上に前記第２物体を含む媒質を供給することと、
    前記供給された媒質と前記第１物体上の前記所望領域の少なくとも一部とに第１光を照射して光ピンセットを形成し、前記光ピンセットで前記媒質に含まれている前記第２物体を集めて前記所望領域に付着させることと
    を含む配置方法。
32. 前記照射することは、前記供給された媒質を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
    請求項３１に記載の配置方法。
33. 前記供給することは、前記第１物体の第１表面上に前記媒質を供給することを含み、
    前記照射することは、前記媒質を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
    請求項３２に記載の配置方法。
34. 前記照射することは、前記第１物体を介して前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
    請求項３１から３３のいずれか一項に記載の配置方法。
35. 前記供給することは、前記第１物体の第１表面上に前記第２物体を供給することを含み、
    前記照射することは、前記第１表面の逆側に位置する前記第１物体の第２表面側から、前記第１物体を介して、前記第１表面上の前記所望領域の少なくとも一部に前記第１光を照射することを含む
    請求項３４に記載の配置方法。
36. 前記第１物体は、前記光を透過可能な部材である
    請求項３４又は３５に記載の配置方法。
37. 前記照射することは、第２光が照射されるマスク及び空間光変調器のうちの少なくとも一方を用いて前記第２光から前記第１光を生成し、前記生成した第１光を照射することを含む
    請求項３１から３６のいずれか一項に記載の配置方法。
38. 前記照射することは、第２光を透過、屈折、遮断又は反射可能な光学素子を用いて前記第２光から前記第１光を生成し、前記生成した第１光を照射することを含む
    請求項３１から３７のいずれか一項に記載の配置方法。
39. 前記光学素子は、前記第２光を全反射可能な全反射面を含み、
    前記第１光は、複数の前記第２光の全反射に起因して発生する近接場光であって、前記複数の第２光の干渉に応じたパターンを有する近接場光を含む
    請求項３８に記載の配置方法。
40. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第１領域に前記第１光を照射する一方で、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第２領域に前記第１光を照射しないことを含む
    請求項３１から３９のいずれか一項に記載の配置方法。
41. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第３領域に前記第１光の集光スポットを形成する一方で、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第４領域に前記第１光の集光スポットを形成しないことを含む
    請求項３１から４０のいずれか一項に記載の配置方法。
42. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第５領域内での前記第１光の強度の変化率が、前記所望領域を含まない前記第１物体上の第６領域内での前記第１光の強度の変化率よりも大きくなる光を照射することを含む
    請求項３１から４１のいずれか一項に記載の配置方法。
43. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第７領域の全体に前記第１光を照射することを含む
    請求項３１から４２のいずれか一項に記載の配置方法。
44. 前記照射することは、前記所望領域の少なくとも一部を含む前記第１物体上の第８領域を部分的に順次走査露光するように、前記第１光を照射することを含む
    請求項３１から４３のいずれか一項に記載の配置方法。
45. 前記媒質は、可溶化剤を含む
    請求項３１から４４のいずれか一項に記載の配置方法。
46. 前記供給することは、カップリング剤を含む所定膜が形成された前記第１物体上に前記媒質を供給することを含む
    請求項３１から４５のいずれか一項に記載の配置方法。
47. 前記第２物体は、ナノメートルサイズの物体を含む
    請求項３１から４６のいずれか一項に記載の配置方法。
48. 前記第２物体は、カーボンナノチューブを含む
    請求項３１から４７のいずれか一項に記載の配置方法。
49. 請求項３１から４８のいずれか一項に記載の配置方法を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造方法。
50. 請求項２１から３０のいずれか一項に記載の配置装置を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造方法。
51. 請求項３１から４８のいずれか一項に記載の配置方法を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造装置。
52. 請求項２１から３０のいずれか一項に記載の配置装置を用いて、前記第１物体上に前記第２物体が配置されたデバイスを製造するデバイス製造装置。
53. 前記第２物体は、前記デバイスの配線である
    請求項４９又は５０に記載のデバイス製造方法。
54. 前記第２物体は、前記デバイスのゲート電極である
    請求項４９、５０又は５３に記載のデバイス製造方法。