JP6771233B2 - Semiconductor integrated circuits, control methods in semiconductor integrated circuits, image processing equipment - Google Patents

Semiconductor integrated circuits, control methods in semiconductor integrated circuits, image processing equipment Download PDF

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本発明は、半導体集積回路、及び半導体集積回路の制御方法の技術に関する。 The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a technique for controlling a semiconductor integrated circuit.

半導体集積回路は、電流が流れる回路の規模が大きくなると、消費電力が増加する。そして、回路の規模が大きくなることに伴う消費電力の増加を抑制するため、クロック・ゲ−ティングが用いられている。クロック・ゲーティングは、複数の回路を含む回路ブロックが、データの書き換えが行われない待機状態であるとき、回路ブロックへのクロック信号の供給を停止する処理である。以下の説明では、半導体集積回路のことを、単に集積回路ともいう。また、クロック信号は、例えば、連続する2値のパルス信号である。 The power consumption of a semiconductor integrated circuit increases as the scale of the circuit through which current flows increases. Then, clock gating is used in order to suppress an increase in power consumption due to an increase in the scale of the circuit. Clock gating is a process of stopping the supply of a clock signal to a circuit block when the circuit block including a plurality of circuits is in a standby state in which data is not rewritten. In the following description, the semiconductor integrated circuit is also simply referred to as an integrated circuit. The clock signal is, for example, a continuous binary pulse signal.

クロック・ゲ−ティングにおいて、クロック信号の供給が停止されると、クロック信号を用いた回路ブロックの動作も急峻に停止される。このとき、動作を停止する回路ブロックの消費電流が急峻に増大し、回路ブロックに供給されるバイアス電圧が低下することがある。低下したバイアス電圧が回路ブロックを含む集積回路の定格電圧を下回る場合、集積回路が誤動作や機能停止することがある。なお、クロック信号を用いた回路ブロックの動作の一例としては、例えば、回路ブロックを構成するフリップフロップのトグル動作等がある。 In clock gating, when the supply of the clock signal is stopped, the operation of the circuit block using the clock signal is also suddenly stopped. At this time, the current consumption of the circuit block that stops the operation may increase sharply, and the bias voltage supplied to the circuit block may decrease. If the reduced bias voltage is lower than the rated voltage of the integrated circuit including the circuit block, the integrated circuit may malfunction or stop functioning. As an example of the operation of the circuit block using the clock signal, for example, there is a toggle operation of the flip-flops constituting the circuit block.

また、クロック・ゲ−ティングでは、回路ブロックが、待機状態から、データの書き換えが行われる動作状態になったとき、回路ブロックへのクロック信号の供給を開始すると、クロック信号を用いた回路ブロックの動作が急峻に開始される。このとき、動作を開始する回路ブロックの消費電流が急峻に減少し、回路ブロックに供給されるバイアス電圧が増大する。増大したバイアス電圧が回路ブロックを含む集積回路の定格電圧を上回るとき、集積回路が誤動作や機能停止することがある。 Further, in clock gating, when the circuit block changes from the standby state to the operating state in which data is rewritten, when the supply of the clock signal to the circuit block is started, the circuit block using the clock signal The operation starts suddenly. At this time, the current consumption of the circuit block that starts operation sharply decreases, and the bias voltage supplied to the circuit block increases. When the increased bias voltage exceeds the rated voltage of the integrated circuit including the circuit block, the integrated circuit may malfunction or stop functioning.

このような事態に対応するため、従来、複数の回路ブロックと、複数の回路ブロックへ電圧を供給する電圧供給手段と、クロック信号を生成するクロック生成手段と、制御手段と、切替手段と、を備える技術が知られている。この技術において、切替手段は、クロック生成手段が生成するクロック信号を特定の回路ブロックに供給するか否かの供給状態を切替える。制御手段は、クロック生成手段が生成するクロック信号の周波数を制御する。さらに、制御手段は、切替手段が供給状態を切替える際に、クロック信号の周波数を、第1周波数から特定の回路ブロックの電力消費量に応じた第2周波数へ一時的に低下させた後に第1周波数へ戻すよう制御する(例えば、特許文献1参照)。 In order to deal with such a situation, conventionally, a plurality of circuit blocks, a voltage supply means for supplying a voltage to the plurality of circuit blocks, a clock generation means for generating a clock signal, a control means, and a switching means are provided. The technology to prepare is known. In this technique, the switching means switches the supply state of whether or not the clock signal generated by the clock generation means is supplied to a specific circuit block. The control means controls the frequency of the clock signal generated by the clock generation means. Further, the control means first temporarily lowers the frequency of the clock signal from the first frequency to the second frequency according to the power consumption of the specific circuit block when the switching means switches the supply state. It is controlled to return to the frequency (see, for example, Patent Document 1).

特開2007−148681号公報JP-A-2007-148681

ここで、特許文献1に記載の発明においては、クロック信号の周波数を第1周波数から第2周波数に変更することで、低下した周波数分だけ、回路ブロックの動作速度が低下する。したがって、回路ブロックが待機状態から動作状態に移行したとき、回路の処理能力が低下することがある。また、従来の回路ブロックにおいて、クロック・ゲ−ティングを行う場合、クロック信号の供給を停止及び開始したときに、バイアス電圧が変化するのを抑制するため、電源まわりに多数の回路を追加していた。すると、集積回路に用いられる部品点数が増加するので、集積回路の構造が複雑になり、製造コストが増大する。 Here, in the invention described in Patent Document 1, by changing the frequency of the clock signal from the first frequency to the second frequency, the operating speed of the circuit block is reduced by the reduced frequency. Therefore, when the circuit block shifts from the standby state to the operating state, the processing capacity of the circuit may decrease. Further, in the conventional circuit block, when clock gating is performed, a large number of circuits are added around the power supply in order to suppress the change of the bias voltage when the supply of the clock signal is stopped and started. It was. Then, since the number of parts used in the integrated circuit increases, the structure of the integrated circuit becomes complicated and the manufacturing cost increases.

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、電源まわりの回路の複雑化及び製造コストの増大を防ぎ、かつ、待機状態と動作状態との回路の状態の遷移にともなう処理能力の低下を抑止できる半導体集積回路を提供する。 The present invention has been made in view of the above problems, and it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and increase the manufacturing cost, and to reduce the processing capacity due to the transition of the circuit state between the standby state and the operating state. Provided is a semiconductor integrated circuit that can be suppressed.

かかる課題を解決するために、請求項1に記載の発明は、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備える半導体集積回路であって、前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする。 To solve such problems, the invention of claim 1 includes a standby state in which rewriting of data is not performed, a semiconductor integrated circuit Ru and a operating state rewriting of data is performed, the operating state in, the rewriting of the data by using the input clock signal is performed, a first circuit portion having a plurality of transistor circuits, in the operating state, rewrite rows of the data by using the input clock signal A first clock game that includes a second circuit unit having a plurality of transistor circuits, and the first circuit unit controls on / off of an input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit. The second circuit unit includes a ting unit, and the second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit. In the standby state, the first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit, and the second clock gating unit performs the second clock gating unit. A process of passing the clock signal input to the transistor circuit included in the circuit unit is performed, and in the operating state, the first clock gating unit inputs the clock signal input to the transistor circuit included in the first circuit unit. In addition to performing the process of passing the clock signal, the second clock gating unit constitutes the second circuit unit, and the clock input to the transistor circuit in which data is not rewritten. It is characterized in that it performs a process of blocking a signal .

請求項2に記載の発明は、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、それぞれの前記動作状態における電力消費量がほぼ等しくなるように構成され、前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記待機状態において前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記動作状態において前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記待機状態において前記第二の回路部を構成する個々の前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させると共に前記動作状態において前記データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする。 The invention according to claim 2 includes a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten. In the operating state, the data can be rewritten using an input clock signal. It includes a first circuit unit having a plurality of transistor circuits to be performed, a standby state in which data is not rewritten, and an operating state in which data is rewritten, and the input clock signal is input in the operating state. A second circuit unit having a plurality of transistor circuits, wherein the data is rewritten by using the first circuit unit, and the second circuit unit consume power in each of the operating states. The first circuit unit includes a first clock gating unit that controls on / off of an input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit, and is configured so that the amounts are substantially equal to each other. The second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit, and the first clock game unit. The ting unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit in the standby state, and a process of passing the clock signal input to the first circuit unit in the operating state. In the standby state, the second clock gating unit passes the clock signal input to each of the transistor circuits constituting the second circuit unit, and in the operating state, the data of the data. It is characterized in that a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit that is not rewritten is performed .

請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の構成に加え、前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、面積がほぼ等しくなるように構成されていることを特徴とする。 In the invention according to claim 3, in addition to the configuration according to claim 1 or 2, the first circuit section and the second circuit section are configured so that the areas are substantially equal to each other. It is characterized by.

請求項4に記載の発明は、請求項1乃至3の何れか一つに記載の構成に加え、前記第一の回路部における前記トランジスタ回路、及び/又は、前記第二の回路部における前記トランジスタ回路は、フリップフロップ回路であることを特徴とする。 The invention according to claim 4 has, in addition to the configuration according to any one of claims 1 to 3, the transistor circuit in the first circuit section and / or the transistor in the second circuit section. The circuit is characterized by being a flip-flop circuit.

請求項5に記載の発明は、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備える半導体集積回路における制御方法であって、前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする。 The invention according to claim 5, a standby state in which rewriting of data is not performed, a control method in the semiconductor integrated circuit rewriting data Ru and a operation which is carried out, in the operating state, is input the rewriting of data is performed using the clock signal, a first circuit portion having a plurality of transistor circuits, in the operating state, the rewriting of data is performed using the input clock signal, a plurality of transistors e Bei and a second circuit section having a circuit, the first circuit unit includes a first clock gating unit for controlling on and off of the input state of the clock signal for the entire circuit portion of said first The second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit, and is in the standby state. the first clock gating unit performs processing for cutting off the clock signal input to the first circuit portion, the second clock gating unit the second circuit portion The process of passing the clock signal input to the transistor circuit provided is performed, and in the operating state, the first clock gating unit is input to the transistor circuit included in the first circuit unit. While performing the process of passing the clock signal, the second clock gating unit cuts off the clock signal input to the transistor circuit in which data is not rewritten, which constitutes the second circuit unit. It is characterized in that the processing is performed.

請求項6に記載の発明は、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備えた半導体集積回路における制御方法であって、前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、それぞれの前記動作状態における電力消費量がほぼ等しくなるように構成されており、前記第一の回路部は、第一のクロック・ゲーティング部によって、前記第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフが制御されるように構成され、前記第二の回路部は、第二のクロック・ゲーティング部によって、前記第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフが制御されるように構成され、前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える個々の前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする。また、請求項7に記載の発明は、画像処理装置であって、請求項1乃至4の何れか一つに記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする。 The invention according to claim 6 includes a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten. In the operating state, the data can be rewritten using an input clock signal. A first circuit unit having a plurality of transistor circuits to be performed, a standby state in which data is not rewritten, and an operating state in which data is rewritten are provided, and the input clock signal is input in the operating state. A control method in a semiconductor integrated circuit including a second circuit unit having a plurality of transistor circuits, wherein the data is rewritten by using the first circuit unit and the second circuit unit. Is configured so that the power consumption in each of the operating states is substantially equal, and the first circuit unit is configured by the first clock gating unit to obtain the clock for the entire first circuit unit. The on / off of the signal input state is controlled, and the second circuit unit is configured by the second clock gating unit to control the clock for each individual clock circuit constituting the second circuit unit. The on / off of the signal input state is controlled, and in the standby state, the first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit. The second clock gating unit performs a process of passing the clock signal input to each of the transistor circuits included in the second circuit unit, and in the operating state, the first clock gating unit. The ting unit performs a process of passing the clock signal input to the first circuit unit, and the second clock gating unit constitutes the second circuit unit, so that data can be rewritten. It is characterized in that a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit, which is not performed, is performed. The invention according to claim 7 is an image processing apparatus, characterized in that it includes the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 1 to 4.

請求項1、及び請求項5に記載の発明によれば、第一の回路部は、第一の回路部全体に対するクロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲ−ティング部を備え、第一のクロック・ゲ−ティング部は、待機状態において第一の回路部に入力されるクロック信号を遮断する処理を行うと共に、動作状態において第一の回路部に入力されるクロック信号を通過させる処理を行うことにより、待機状態における第一の回路部の消費電力を削減できる。また、第二の回路部は、第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとのクロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲ−ティング部を備え、第二のクロック・ゲ−ティング部は、待機状態において第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路に入力されるクロック信号を通過させると共に動作状態においてデータの書き換えが行われないトランジスタ回路に入力されるクロック信号を遮断する処理を行うことにより、動作状態における第二の回路部の消費電力の増大を抑止できる。そして、このような第一の回路部と第二の回路部とを併用することで、待機状態と動作状態とが遷移したときに、一方の回路部の消費電力が増大して他方の回路部の消費電力が減少する関係となり、電源まわりに消費電力の急峻な変化を抑止するための回路を設けなくても、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を抑止することができる。これにより、半導体集積回路において、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、回路が待機状態から動作状態に移行した際に処理能力が低下することを抑止できる。 According to the first and fifth aspects of the invention, the first circuit unit includes a first clock gating unit that controls on / off of an input state of a clock signal with respect to the entire first circuit unit. The first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit in the standby state, and at the same time, receives the clock signal input to the first circuit unit in the operating state. By performing the passing process, the power consumption of the first circuit unit in the standby state can be reduced. Further, the second circuit unit includes a second clock gating unit for controlling the on / off of the input state of the clock signal for each transistor circuit constituting the second circuit unit, and the second clock unit. The gating unit passes the clock signal input to the individual transistor circuits constituting the second circuit unit in the standby state, and passes the clock signal input to the transistor circuit in which the data is not rewritten in the operating state. By performing the shutoff process, it is possible to suppress an increase in the power consumption of the second circuit unit in the operating state. Then, by using the first circuit unit and the second circuit unit together, the power consumption of one circuit unit increases when the standby state and the operating state transition, and the other circuit unit increases. The power consumption is reduced, and even if a circuit for suppressing a sudden change in power consumption is not provided around the power supply, a sudden change in power consumption between the standby state and the operating state can be suppressed. As a result, in the semiconductor integrated circuit, it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and it is possible to prevent the processing capacity from decreasing when the circuit shifts from the standby state to the operating state. ..

請求項2に記載の発明によれば、第一の回路部と、第二の回路部とは、それぞれの動作状態における消費電力がほぼ等しくなるように構成されていることにより、第一のクロック・ゲ−ティング部によって削減される、待機状態における消費電力と、第二のクロック・ゲ−ティング部によって増大が抑止される、動作状態における消費電力とを、ほぼ等しい状態とすることができる。これにより、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を高い精度で抑止することができる。 According to the invention of claim 2, the first circuit unit and the second circuit unit are configured so that the power consumption in each operating state is substantially equal, so that the first clock -The power consumption in the standby state, which is reduced by the gating unit, and the power consumption in the operating state, in which the increase is suppressed by the second clock gating unit, can be made substantially equal. As a result, it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and to suppress a sudden change in power consumption between the standby state and the operating state with high accuracy.

請求項3に記載の発明によれば、第一の回路部と、第二の回路部とは、面積がほぼ等しくなるように構成されていることにより、回路の規模が回路部の面積にほぼ依存するように構成されている半導体集積回路において、第一の回路部の回路規模と第二の回路部の回路規模がほぼ同規模に構成された状態となる。そして、第一のクロック・ゲ−ティング部によって削減される、待機状態における消費電力と、第二のクロック・ゲ−ティング部によって増大が抑止される、動作状態における消費電力とを、ほぼ等しい状態とすることができる。これにより、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化をより高い精度で抑止することができる。 According to the invention of claim 3, the first circuit section and the second circuit section are configured so that the areas are substantially equal to each other, so that the scale of the circuit is substantially equal to the area of the circuit section. In the semiconductor integrated circuit that is configured to depend on it, the circuit scale of the first circuit unit and the circuit scale of the second circuit unit are configured to be substantially the same scale. Then, the power consumption in the standby state, which is reduced by the first clock gating unit, and the power consumption in the operating state, which is suppressed by the second clock gating unit, are almost equal to each other. Can be. As a result, it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and to suppress a sudden change in power consumption between the standby state and the operating state with higher accuracy.

請求項4に記載の発明によれば、第一の回路部におけるトランジスタ回路、及び/又は、第二の回路部におけるトランジスタ回路は、フリップフロップ回路であることにより、クロック信号によってデータの書き換えが行われる回路を用いて第一の回路部と第二の回路部とを構成しつつ、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を抑止することができる。 According to the invention of claim 4, since the transistor circuit in the first circuit section and / or the transistor circuit in the second circuit section is a flip-flop circuit, data can be rewritten by a clock signal. While forming the first circuit part and the second circuit part by using the circuit, it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and in the standby state and the operating state. It is possible to suppress abrupt changes in power consumption.

請求項6に記載の発明によれば、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を抑止できる画像処理装置を提供することができる。 According to the invention of claim 6, image processing capable of preventing the circuit around the power supply from becoming complicated and increasing the manufacturing cost and suppressing a sudden change in power consumption between the standby state and the operating state. Equipment can be provided.

この実施の形態に係る画像処理装置及び半導体集積回路の全体構造を示す機能ブロック図である。It is a functional block diagram which shows the whole structure of the image processing apparatus and the semiconductor integrated circuit which concerns on this embodiment. この実施の形態の半導体集積回路の概要を模式的に示した図である。It is a figure which showed typically the outline of the semiconductor integrated circuit of this embodiment. 同上半導体集積回路の、回路ブロックと機能ブロックとの対応関係例を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the correspondence example of the circuit block and the functional block of the semiconductor integrated circuit. 同上半導体集積回路における、第一の回路部の第一回路ブロックの構成概要を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural outline of the 1st circuit block of the 1st circuit part in the semiconductor integrated circuit. 同上半導体集積回路における、第二の回路部の第四回路ブロックの構成概要を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the structural outline of the 4th circuit block of the 2nd circuit part in the semiconductor integrated circuit. この実施の形態の半導体集積回路の、(a)第一の回路部の待機状態と動作状態とにおける時間と電流の値との関係を模式的に示す図、(b)第二の回路部の待機状態と動作状態とにおける時間と電流の値との関係を模式的に示す図である。In the semiconductor integrated circuit of this embodiment, (a) a diagram schematically showing the relationship between the time and current values in the standby state and the operating state of the first circuit unit, and (b) the second circuit unit. It is a figure which shows typically the relationship between the value of time, and the value of a current in a standby state and an operating state. (a)従来技術に係る半導体集積回路の待機状態と動作状態とにおける電流の値の変化を模式的に示す図、(b)この実施の形態に係る半導体集積回路の待機状態と動作状態とにおける電流の値の変化を模式的に示す図である。(A) A diagram schematically showing a change in the current value between the standby state and the operating state of the semiconductor integrated circuit according to the prior art, and (b) the standby state and the operating state of the semiconductor integrated circuit according to this embodiment. It is a figure which shows the change of the value of an electric current schematically.

図1乃至図7にこの発明の実施の形態を示す。 1 to 7 show embodiments of the present invention.

[基本構成]
図1は、この実施の形態に係る画像処理装置及び半導体集積回路の全体構造を示す機能ブロック図である。
[Basic configuration]
FIG. 1 is a functional block diagram showing the overall structure of the image processing apparatus and the semiconductor integrated circuit according to this embodiment.

[画像処理装置]
図1に示す画像処理装置100は、例えば遊技機(図示せず)の正面に設けられた画像表示装置(図示せず)に、動画や静止画を表示させる、画像生成処理及び画像出力処理などを含む各種処理を実行する組み込み機器である。なお、画像処理装置100は、遊技機に設けられた画像表示装置に限らず、他の機器設けられた画像表示装置に動画や静止画を表示させてもよい。また、遊技機とは、例えば、パチンコ機、及びスロット機などである。
[Image processing device]
The image processing device 100 shown in FIG. 1 is, for example, an image generation process and an image output process for displaying a moving image or a still image on an image display device (not shown) provided in front of a game machine (not shown). It is an embedded device that executes various processes including. The image processing device 100 is not limited to the image display device provided in the game machine, and may display a moving image or a still image on an image display device provided in another device. Further, the gaming machine is, for example, a pachinko machine, a slot machine, or the like.

画像処理装置100は、電源から供給される電力で駆動する。電源は、例えば、店舗、家庭、及び工場に配電された商用電源、または蓄電池等でもよい。 The image processing device 100 is driven by the electric power supplied from the power source. The power source may be, for example, a commercial power source distributed to stores, homes, and factories, a storage battery, or the like.

画像処理装置100は、たとえば図1に示す、画像処理装置100の機能を制御するCPU2、描画回路6による画像生成の処理領域等として機能するSRAM3、及び各種データやプログラムを記録するEEPROM4を含む。さらに、画像処理装置100は、符号化されたデータを復号するデコーダ5、データに基づいて画像生成のための処理等を行う描画回路6、及びクロック信号を発振する発振回路7を含む。そして、画像処理装置100は、ハードウェアとして、この実施の形態の半導体集積回路1を備える。この半導体集積回路1は、CMOS(Complementary MOS)回路等の構造を有する集積回路である。半導体集積回路1は、図1に示すCPU2、SRAM3、EEPROM4、デコーダ5、描画回路6、及び発振回路7の機能を実現する。 The image processing device 100 includes, for example, a CPU 2 that controls the functions of the image processing device 100, an SRAM 3 that functions as a processing area for image generation by the drawing circuit 6, and an EEPROM 4 that records various data and programs, as shown in FIG. Further, the image processing device 100 includes a decoder 5 that decodes the encoded data, a drawing circuit 6 that performs processing for image generation based on the data, and an oscillation circuit 7 that oscillates a clock signal. The image processing device 100 includes the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment as hardware. The semiconductor integrated circuit 1 is an integrated circuit having a structure such as a CMOS (Complementary MOS) circuit. The semiconductor integrated circuit 1 realizes the functions of the CPU 2, SRAM 3, EEPROM 4, the decoder 5, the drawing circuit 6, and the oscillation circuit 7 shown in FIG.

なお、以下の説明では、説明の簡単化のため、CPU2、SRAM3、EEPROM4、デコーダ5、描画回路6及び発振回路7を、半導体集積回路1の構成として記載する。ただし、半導体集積回路1に含まれる各構成要素は、ハードウェアとソフトウェアとが協働することにより、特有の機能を実現してもよい。 In the following description, for simplification of the description, the CPU 2, SRAM 3, EEPROM 4, the decoder 5, the drawing circuit 6, and the oscillation circuit 7 will be described as the configuration of the semiconductor integrated circuit 1. However, each component included in the semiconductor integrated circuit 1 may realize a unique function by the cooperation of hardware and software.

[第一の回路部、第二の回路部]
図2は、実施の形態の半導体集積回路1の概要を模式的に示した図である。図2を参照して、半導体集積回路1の構成を説明する。
[First circuit section, second circuit section]
FIG. 2 is a diagram schematically showing an outline of the semiconductor integrated circuit 1 of the embodiment. The configuration of the semiconductor integrated circuit 1 will be described with reference to FIG.

半導体集積回路1は、大きくは、第一の回路部A10と、第二の回路部B10の2つの回路部を備えている。 The semiconductor integrated circuit 1 largely includes two circuit units, a first circuit unit A10 and a second circuit unit B10.

第一の回路部A10は「第一のクロック・ゲーティング部」としての全体クロック・ゲーティング部11(図4参照。図2に図示せず。)によってクロック・ゲーティングが行われる。第二の回路部B10は「第二のクロック・ゲーティング部」としてのm個(m>1)の個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21(図5参照。図2に図示せず。)によってクロック・ゲーティングが行われる。なお、全体クロック・ゲーティング部11、個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21については後述する。 The first circuit unit A10 is clock-gated by the entire clock gating unit 11 (see FIG. 4, not shown in FIG. 2) as the “first clock gating unit”. Second circuit portion B10 individual clock gating section 21 1 of the m (m> 1) as a "second clock gating unit", 21 2, · · · 21 m (see Fig. 5. Figure Clock gating is performed by (not shown in 2). The overall clock gating unit 11, the individual clock gating unit 21 1, 21 2 will be described later · · · 21 m.

[回路ブロック]
図2に示すとおり、この実施の形態の半導体集積回路1は、第一の回路部A10と、第二の回路部B10とがそれぞれ一又は複数の回路ブロックを含む。具体的には、第一の回路部A10は複数たとえば3つの第一回路ブロックA1、第二回路ブロックA2、第三回路ブロックA3を備え、第二の回路部B10は複数たとえば3つの第四回路ブロックB1、第五回路ブロックB2、第三回路ブロックB3を備えている。
[Circuit block]
As shown in FIG. 2, in the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment, the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 each include one or a plurality of circuit blocks. Specifically, the first circuit unit A10 includes a plurality of, for example, three first circuit blocks A1, the second circuit block A2, and the third circuit block A3, and the second circuit unit B10 includes a plurality of, for example, three fourth circuits. It includes a block B1, a fifth circuit block B2, and a third circuit block B3.

第一ないし第六回路ブロックA1,A2,A3,B1,B2,B3は、それぞれ、画像処理装置100において、所定の機能を備える単位として構成されている。 The first to sixth circuit blocks A1, A2, A3, B1, B2, and B3 are each configured as a unit having a predetermined function in the image processing apparatus 100.

図3は、この実施の形態に係る半導体集積回路1の、回路ブロックと機能ブロックとの対応関係例を模式的に示す図である。図3に示すとおり、第一ないし第三回路ブロックA1,A2,A3は描画回路6の機能を備える。また、第四および第五回路ブロックB1,B2はSRAM3の機能を備え、第六回路ブロックB3はデコーダ5の機能を備えるものとして説明する。ただし、第一ないし第六回路ブロックA1,A2,A3,B1,B2,B3は、上記以外のどのような区分で機能ブロックを構成してもよいし、上記以外のキャッシュ、EEPROM等の機能を備える機能ブロックとして構成されてもよい。 FIG. 3 is a diagram schematically showing an example of a correspondence relationship between a circuit block and a functional block of the semiconductor integrated circuit 1 according to this embodiment. As shown in FIG. 3, the first to third circuit blocks A1, A2, and A3 have the function of the drawing circuit 6. Further, the fourth and fifth circuit blocks B1 and B2 will be described as having the functions of the SRAM 3, and the sixth circuit blocks B3 will be described as having the functions of the decoder 5. However, the first to sixth circuit blocks A1, A2, A3, B1, B2, and B3 may form functional blocks in any division other than the above, and functions such as cache and EEPROM other than the above may be provided. It may be configured as a functional block to be provided.

[回路ブロックを構成する回路とクロック・ゲーティング部]
図4及び図5は、この実施の形態の半導体集積回路1の回路ブロックを構成する回路を模式的に示す図である。同図においては、第一回路ブロックA1の構成を示しているが、他の第二ないし第六回路ブロックA2,A3,B0,B1,B2も同様の構成となっている。
[Circuit and clock gating section that make up the circuit block]
4 and 5 are diagrams schematically showing circuits constituting the circuit block of the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment. Although the configuration of the first circuit block A1 is shown in the figure, the other second to sixth circuit blocks A2, A3, B0, B1, B2 also have the same configuration.

[第一の回路部を構成する回路]
図4は、この実施の形態の半導体集積回路1における、第一の回路部A10の第一回路ブロックA1の構成概要を模式的に示す図である。同図に示すとおり、第一の回路部A10は、一つの「第一のクロック・ゲーティング部」としての全体クロック・ゲーティング部11と、複数例えばn個(n>1)の「第二のクロック・ゲーティング部」としての個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12と、複数例えばn個(n>1)の「トランジスタ回路」としてのフリップフロップ回路13,13,・・・13とを備えている。
[Circuit that constitutes the first circuit section]
FIG. 4 is a diagram schematically showing a configuration outline of the first circuit block A1 of the first circuit unit A10 in the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment. As shown in the figure, the first circuit unit A10 includes the entire clock gating unit 11 as one "first clock gating unit" and a plurality of, for example, n (n> 1) "second". Individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n, and a plurality of, for example, n (n> 1) flip-flop circuits 13 1 , as "transistor circuits". 13 2, and a ··· 13 n.

全体クロック・ゲーティング部11や個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12は、例えば、AND回路等の論理回路である。 The overall clock gating unit 11 and the individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n are, for example, logic circuits such as an AND circuit.

全体クロック・ゲーティング部11や個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12は、少なくとも2系統の入力部と1系統の出力部を備える。具体的には、例えば、第一の回路部A10の全体クロック・ゲーティング部11は、2系統の入力部としてクロック信号入力部31と制御信号入力部32Aとを備え、1系統の出力部としてクロック信号出力部33を備える。なお、図示しないが、第二の回路部A2の全体クロック・ゲーティング部11は制御信号入力部32Aに替えて制御信号入力部32B、第三の回路部A3の全体クロック・ゲーティング部11は制御信号入力部32Aに替えて制御信号入力部32C、を備え、それぞれの制御信号入力部32A,32B,32Cには異なるクロック信号が入力される。 The overall clock gating unit 11 and the individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n include at least two input units and one output unit. Specifically, for example, the overall clock gating unit 11 of the first circuit unit A10 includes a clock signal input unit 31 and a control signal input unit 32A as input units of two systems, and serves as an output unit of one system. A clock signal output unit 33 is provided. Although not shown, the overall clock gating unit 11 of the second circuit unit A2 is replaced with the control signal input unit 32A, and the overall clock gating unit 11 of the third circuit unit A3 is replaced with the control signal input unit 32B. A control signal input unit 32C is provided in place of the control signal input unit 32A, and different clock signals are input to the respective control signal input units 32A, 32B, 32C.

個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12は、全体クロック・ゲーティング部11と同様のクロック信号入力部31とクロック信号出力部33とを備えると共に、制御信号入力部32a01,32a02,・・・32a0nを備える。制御信号入力部32a01,32a02,・・・32a0nにはそれぞれ異なるクロック信号が入力される。これらのクロック信号は、制御信号入力部32A,32B,32Cに入力されるクロック信号とも異なる。


なお図示しないが、第二の回路部A2の個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12の制御信号入力部32a11,32a12,・・・32a1n、第三の回路部A3の個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12の制御信号入力部32a21,32a22,・・・32a2n、も、相互に異なるクロック信号が入力される構成となっている。
The individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n include the same clock signal input unit 31 and clock signal output unit 33 as the overall clock gating unit 11, and the control signal input unit 32a. 01 , 32a 02 , ... 32a 0n is provided. Different clock signals are input to the control signal input units 32a 01 , 32a 02 , ... 32a 0n . These clock signals are also different from the clock signals input to the control signal input units 32A, 32B, 32C.


Although not shown, the individual clock gating portion of the second circuit portion A2 12 1, 12 2, ··· 12 n of the control signal input section 32a 11, 32a 12, ··· 32a 1n, the third circuit The individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n of the control signal input units 32a 21 , 32a 22 , ... 32a 2n of the unit A3 also have a configuration in which different clock signals are input. It has become.

フリップフロップ回路13,13,・・・13は、複数の論理回路の組み合わせで構成された、例えばRS型、D型等のフリップフロップ回路である。フリップフロップ回路13,13,・・・13では、入力されたクロック信号の起ち上がりや起ち下がりのタイミングで、「0」「1」の2値からなるデータの保持や、一方の値例えば「0」から他方の値例えば「1」への書き替えが行われる。 Flip-flop circuit 13 1, 13 2, ··· 13 n is composed of a combination of a plurality of logic circuits, for example RS-type, a flip-flop circuit of the D type. Flip-flop circuit 13 1, 13 2, the · · · 13 n, in Tachi up and stood timing of falling of the input clock signal, "0", "1" holds and the data consisting of binary, one value For example, the rewriting is performed from "0" to the other value, for example, "1".

全体クロック・ゲーティング部11は、後段側にある個々の個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12と接続される。また、個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12は、それぞれ後段側にあるフリップフロップ回路13,13,・・・13と接続される。 The overall clock gating unit 11 is connected to individual individual clock gating units 12 1 , 12 2 , ... 12 n on the rear stage side. Further, the individual clock gating unit 12 1, 12 2, ··· 12 n includes flip-flop circuits 13 1, 13 2 in the rear stage side, respectively, it is connected to the · · · 13 n.

個別クロック・ゲーティング部12は、例えば、後段側にあるフリップフロップ回路13と接続される。フリップフロップ回路13,13,・・・13には、それぞれデータ入力部14,14,・・・14と、データ出力部15,15,・・・15と、が設けられている。 The individual clock gating unit 12 1 is connected to, for example, the flip-flop circuit 13 1 on the rear stage side. Flip-flop circuit 13 1, 13 2, the · · · 13 n, each of the data input unit 14 1, 14 2, and · · · 14 n, the data output unit 15 1, 15 2, and · · · 15 n, Is provided.

全体クロック・ゲーティング部11は、第一回路ブロックA1を構成する全てのフリップフロップ回路13,13,・・・13に対するクロック信号の供給と停止とを制御する。全体クロック・ゲーティング部11は、待機状態においても動作状態においても作動し、待機状態においてはクロック信号を遮断して第一回路ブロックA1へのクロック信号の供給を停止し、動作状態においてはクロック信号を通過させて第一回路ブロックA1にクロック信号を供給させる。 Global clock gating section 11, all of the flip-flop circuit 13 1 constituting the first circuit block A1, 13 2, which controls the supply and stop of the clock signal to the · · · 13 n. The overall clock gating unit 11 operates in both the standby state and the operating state, cuts off the clock signal in the standby state, stops the supply of the clock signal to the first circuit block A1, and clocks in the operating state. A clock signal is supplied to the first circuit block A1 by passing the signal.

個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12は、後段側に接続された個々のフリップフロップ回路13,13,・・・13に対するクロック信号の供給と停止とを制御する。個別クロック・ゲーティング部12は、例えば、待機状態においては全体クロック・ゲーティング部11がクロック信号の供給を停止しているため機能せず、動作状態においてはフリップフロップ回路13へのクロック信号の供給と停止とを制御する。 Individual clock gating unit 12 1, 12 2, ··· 12 n is the individual flip-flop circuit connected to the rear stage 13 1, 13 2, and clock signal supply to · · · 13 n stopped and Control. Individual clock gating unit 12 1, for example, does not work because the entire clock gating unit 11 has stopped the supply of the clock signal is in the standby state, the clock of the operating state to the flip-flop circuit 13 1 Controls the supply and stop of signals.

データ入力部14,14,・・・14、及びデータ出力部15,15,・・・15は、伝送路である。データ入力部14,14,・・・14は、それぞれフリップフロップ回路13,13,・・・13に入力されるデータが伝送される。データ出力部15,15,・・・15は、それぞれフリップフロップ回路13,13,・・・13から出力されるデータが伝送される。 Data input unit 14 1, 14 2, ··· 14 n, and the data output unit 15 1, 15 2, ··· 15 n is a transmission path. Data input unit 14 1, 14 2, ··· 14 n are each flip-flop circuit 13 1, 13 2, the data input to · · · 13 n is transmitted. Data output unit 15 1, 15 2, ··· 15 n are each flip-flop circuit 13 1, 13 2, the data output from · · · 13 n is transmitted.

なお、以下の説明では、特に区別の必要がある場合を除き、個別クロック・ゲーティング部12,12,・・・12、フリップフロップ回路13,13,・・・13を、それぞれ個別クロック・ゲーティング部12、フリップフロップ回路13と記載する。また、データ入力部14,14,・・・14、データ出力部15,15,・・・15を、それぞれデータ入力部14、データ出力部15と記載する。 In the following description, unless when it is necessary to distinguish the individual clock gating unit 12 1, 12 2, ··· 12 n, the flip-flop circuit 13 1, 13 2, the · · · 13 n , The individual clock gating unit 12 and the flip-flop circuit 13, respectively. Further, the data input unit 14 1, 14 2, · · · 14 n, the data output unit 15 1, 15 2, the · · · 15 n, each of the data input unit 14, referred to as data output unit 15.

[第二の回路部を構成する回路]
図5は、この実施の形態の半導体集積回路1における、第二の回路部B10の第四回路ブロックB1の構成概要を模式的に示す図である。図5に示すとおり、第四回路ブロックB1は、例えば、m個の「第二のクロック・ゲーティング部」としての個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21を備えている。また、第四回路ブロックB1は、m個の「トランジスタ回路」としてのフリップフロップ回路22,22,・・・22を備えている。個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21は、それぞれ、後段側にあるフリップフロップ回路22,22,・・・22に接続される。個別クロック・ゲーティング部21は、例えば、フリップフロップ回路22に接続される。フリップフロップ回路22,22,・・・22には、それぞれデータ入力部23,23,・・・23と、データ出力部24,24,・・・24と、が設けられている。
[Circuit that constitutes the second circuit section]
FIG. 5 is a diagram schematically showing a configuration outline of a fourth circuit block B1 of the second circuit unit B10 in the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment. As shown in FIG. 5, a fourth circuit block B1 is, for example, the individual clock gating unit 21 1 as the m "second clock gating unit", 21 2, provided with a · · · 21 m There is. Further, the fourth circuit block B1 includes a flip-flop circuit 22 1, 22 2 as a "transistor circuit" of m, and a · · · 22 m. Individual clock gating unit 21 1, 21 2, · · · 21 m, respectively, the flip-flop circuit 22 1, 22 2 in the rear stage side, is connected to the · · · 22 m. The individual clock gating unit 21 1 is connected to, for example, the flip-flop circuit 22 1 . Flip-flop circuit 22 1, 22 2, the · · · 22 m, each of the data input unit 23 1, 23 2, and · · · 23 m, the data output unit 24 1, 24 2, and · · · 24 m, Is provided.

個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21は、全体クロック・ゲーティング部11や個別クロック・ゲーティング部12と同様の構成である。 Individual clock gating unit 21 1, 21 2, ··· 21 m has the same structure as the whole clock gating section 11 and the individual clock gating section 12.

個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21は、制御信号入力部32b01,32b02,・・・32b0mを備える。制御信号入力部32b01,32b02,・・・32b0mにはそれぞれ異なるクロック信号が入力される。これらのクロック信号は、他のいずれの制御信号入力部32A,32B,32C,32a01,32a02,・・・32a0n,32a11,32a12,・・・32a1n,32a21,32a22,・・・32a2n,に入力されるクロック信号とも異なる。なお図示しないが、第五の回路部B2の個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21の制御信号入力部3211,3212,・・・321n、第六の回路部B3の個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21の制御信号入力部3221,3222,・・・322nも、相互に異なるクロック信号が入力される構成となっている。 Individual clock gating unit 21 1, 21 2, ··· 21 m includes a control signal input section 32 b 01, 32 b 02, a · · · 32 b 0 m. Different clock signals are input to the control signal input units 32b 01 , 32b 02 , ... 32b 0m . These clock signals are input to any of the other control signal input units 32A, 32B, 32C, 32a 01 , 32a 02 , ... 32a 0n , 32a 11 , 32a 12 , ... 32a 1n , 32a 21 , 32a 22 , ... It is also different from the clock signal input to 32a 2n . Although not shown, the individual clock gating section 21 1 of the fifth circuit portion B2, 21 2, control · · · 21 m signal input unit 32 11, 32 12, ··· 32 1n, sixth circuit individual clock gating unit 21 1, 21 2 parts B3, the control signal input section 32 21 of ··· 21 m, 32 22, ··· 32 2n also is configured to mutually different clock signals are input ing.

フリップフロップ回路22,22,・・・22はフリップフロップ回路13と同様の構成である。 Flip-flop circuit 22 1, 22 2, ··· 22 m has a configuration similar to that of the flip-flop circuit 13.

個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21は、後段側に接続された個々のフリップフロップ回路22,22,・・・22に対するクロック信号の供給と停止とを制御する。個別クロック・ゲーティング部21は、例えば、待機状態においては機能が停止し、動作状態においてはフリップフロップ回路22へのクロック信号の供給と停止とを制御する。 Individual clock gating unit 21 1, 21 2, · · · 21 m, the individual flip-flop circuit 22 connected to the rear stage side 1, 22 2, and clock signal supply to · · · 22 m stopped and Control. The individual clock gating unit 21 1 controls, for example, the function is stopped in the standby state, and the supply and stop of the clock signal to the flip-flop circuit 22 1 in the operating state.

データ入力部23,23,・・・23、及びデータ出力部24,24,・・・24はデータ入力部14、及びデータ出力部15と同じ構成である。 Data input unit 23 1, 23 2, ··· 23 m, and a data output unit 24 1, 24 2, ··· 24 m has the same configuration as the data input unit 14 and data output unit 15.

なお、以下は説明では、特に区別の必要がある場合を除き、個別クロック・ゲーティング部21,21,・・・21、フリップフロップ回路22,22,・・・22を、それぞれ個別クロック・ゲーティング部21、フリップフロップ回路22と記載する。また、データ入力部23,23,・・・23、データ出力部24,24,・・・24を、それぞれデータ入力部23、データ出力部24と記載する。 In the description below, unless otherwise there is a need for distinction, the individual clock gating unit 21 1, 21 2, · · · 21 m, the flip-flop circuit 22 1, 22 2, the · · · 22 m , The individual clock gating unit 21 and the flip-flop circuit 22, respectively. Further, the data input unit 23 1, 23 2, · · · 23 m, the data output unit 24 1, 24 2, the · · · 24 m, each of the data input unit 23, referred to as data output unit 24.

[第一の回路部と第二の回路部の大きさ1・設定の概念]
この実施の形態において、第一の回路部A10と、第二の回路部B10とは、ほぼ等しい大きさに形成されている。
[Size of the first circuit part and the second circuit part 1. Concept of setting]
In this embodiment, the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are formed to have substantially the same size.

ここで、第一の回路部A10と第二の回路部B10の大きさについて説明する。 Here, the sizes of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 will be described.

第一の回路部A10と第二の回路部B10とは、それぞれの回路規模がほぼ等しい大きさとなり、消費電力が等しくなるように構成されている。この実施の形態における消費電力とは、単位時間(例えば1秒間)に第一の回路部A10や第二の回路部B10で消費される電力の大きさをいう。なお、第一の回路部A10と第二の回路部B10とは、消費電力に代えて、消費される電力に関連する物理量の大きさが等しくなるように構成されてもよい。消費される電力に関連する物理量の大きさとは、例えば、単位時間あたりに第一の回路部A10や第二の回路部B10を流れる電流の大きさや、所定の時点における第一の回路部A10や第二の回路部B10に印加される電圧の大きさ等であってもよい。消費電力、電流、及び電圧などの物理量のことを、特に区別しないときには、電力消費量という。 The first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are configured so that their respective circuit scales are substantially the same and the power consumption is the same. The power consumption in this embodiment means the magnitude of the power consumed by the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 in a unit time (for example, 1 second). The first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 may be configured so that the magnitudes of physical quantities related to the consumed power are equal to each other instead of the power consumption. The magnitude of the physical quantity related to the consumed power is, for example, the magnitude of the current flowing through the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 per unit time, the first circuit unit A10 at a predetermined time point, and the like. It may be the magnitude of the voltage applied to the second circuit unit B10 or the like. Physical quantities such as power consumption, current, and voltage are referred to as power consumption unless otherwise distinguished.

この実施の形態において、第一の回路部A10の消費電力は、待機状態では小さく、動作状態では大きい状態に遷移する(具体的には後述する。)。一方、第二の回路部B10の消費電力は、待機状態では大きく、動作状態では小さい状態に遷移する(具体的には後述する。)。 In this embodiment, the power consumption of the first circuit unit A10 transitions to a small state in the standby state and a large state in the operating state (specifically, will be described later). On the other hand, the power consumption of the second circuit unit B10 transitions to a large state in the standby state and a small power state in the operating state (specifically, will be described later).

このため、消費電力の等しい第一の回路部A10と第二の回路部B10とを併用すれば、待機状態と動作状態との遷移に伴い、一方の回路部(例えば第一の回路部A10)の消費電力が小さい状態から大きい状態に遷移する。また、同時に他方の回路部(第二の回路部B10)の消費電力が大きい状態から小さい状態に遷移する。そして、待機状態と動作状態とで状態が遷移したときに、第一の回路部A10と第二の回路部B10との消費電力がそれぞれ逆方向に遷移するので、半導体集積回路1全体としての消費電力の変化が小さくなる。これにより、半導体集積回路100は、消費電力の急峻な変化を効果的に抑止できる。特に、画像処理装置100及び半導体集積回路1が商用電源等から連続的に安定した電力の供給を受けられる状況においては、消費電力の急峻な変化を効果的に抑止できる効果を長時間安定的に行える。 Therefore, if the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 having the same power consumption are used in combination, one of the circuit units (for example, the first circuit unit A10) accompanies the transition between the standby state and the operating state. Transition from a state in which the power consumption of the power consumption is small to a state in which the power consumption is large. At the same time, the power consumption of the other circuit unit (second circuit unit B10) changes from a large state to a small state. Then, when the states transition between the standby state and the operating state, the power consumption of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 transitions in opposite directions, so that the power consumption of the semiconductor integrated circuit 1 as a whole is consumed. The change in power is small. As a result, the semiconductor integrated circuit 100 can effectively suppress abrupt changes in power consumption. In particular, in a situation where the image processing device 100 and the semiconductor integrated circuit 1 can continuously receive a stable power supply from a commercial power source or the like, the effect of effectively suppressing abrupt changes in power consumption can be stably suppressed for a long time. You can.

また、このような効果を高めるためには、第一の回路部A10と第二の回路部B10との回路規模は、第一の回路部A10における消費電力の平均値と、第二の回路部B10における消費電力の平均値とがほぼ等しくなるように、設定されるのが望ましい。第一の回路部A10と第二の回路部B10との回路規模は、それぞれの回路部A10,B10の消費電力の最大値同士(又は最小値同士)がほぼ等しく設定される構成であってもよい。また、一方の回路部たとえば第一の回路部A10の平均値と他方の回路部たとえば第二の回路部B10の最大値(又は最小値)がほぼ等しく設定されるような構成であってもよい。 Further, in order to enhance such an effect, the circuit scales of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are the average value of the power consumption in the first circuit unit A10 and the second circuit unit. It is desirable that the setting is made so that the average value of the power consumption in B10 is substantially equal to the average value. The circuit scale of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 is such that the maximum values (or minimum values) of the power consumption of the respective circuit units A10 and B10 are set to be substantially equal. Good. Further, the configuration may be such that the average value of one circuit unit, for example, the first circuit unit A10 and the maximum value (or minimum value) of the other circuit unit, for example, the second circuit unit B10 are set to be substantially equal. ..

なお、第一の回路部A10と第二の回路部B10を併用することで消費電力の急峻な変化を抑止できるものであれば、第一の回路部A10と、第二の回路部B10とは回路規模や消費電力が相違していてもよい。 If the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 can be used together to suppress a sudden change in power consumption, the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 can be used together. The circuit scale and power consumption may be different.

[第一の回路部と第二の回路部の大きさ2・面積の設定]
一般に、半導体集積回路1の回路規模は、回路の面積にほぼ依存する。
[Size 2 and area setting of the first circuit section and the second circuit section]
In general, the circuit scale of the semiconductor integrated circuit 1 largely depends on the area of the circuit.

そして、図2に示すとおり、この実施の形態においては、第一の回路部A10の面積S1と第二の回路部B10の面積S2がほぼ等しい大きさとなるように構成し、双方の回路部A10,B10の回路規模がほぼ等しくなり、双方の回路部A10,B10の消費電力がほぼ等しくなるように構成されている。 Then, as shown in FIG. 2, in this embodiment, the area S1 of the first circuit unit A10 and the area S2 of the second circuit unit B10 are configured to have substantially the same size, and both circuit units A10 , B10 are configured so that the circuit scales are substantially equal, and the power consumption of both circuit units A10 and B10 is substantially equal.

なお、ここでの第一の回路部A10の面積S1と第二の回路部B10の面積S2は、それらを平面視した際に視認できる面積であってもよいし、積層された回路の層を展開した状態における面積であってもよいし、側面視した際に視認できる面積も含めた面積であってもよいし、どのような面積であってもよい。 The area S1 of the first circuit unit A10 and the area S2 of the second circuit unit B10 here may be an area that can be visually recognized when they are viewed in a plan view, or layers of stacked circuits may be formed. It may be the area in the unfolded state, the area including the area that can be visually recognized when viewed from the side, or any area.

[動作手順]
次に、この実施の形態の画像処理装置100における、半導体集積回路1の動作手順を説明する。具体的には、半導体集積回路1の待機状態と動作状態とにおける動作手順について説明する。
[Operation procedure]
Next, the operation procedure of the semiconductor integrated circuit 1 in the image processing apparatus 100 of this embodiment will be described. Specifically, the operation procedure in the standby state and the operating state of the semiconductor integrated circuit 1 will be described.

[動作手順1・待機状態]
待機状態の場合、第一の回路部A10においては、全体クロック・ゲーティング部11が第一の回路部A10へのクロック信号を遮断する。そのため、第一の回路部A10を構成する全てのフリップフロップ回路13へのクロック信号の供給が停止され、全てのフリップフロップ回路13のデータの書き換えは行われない。
[Operation procedure 1 / Standby state]
In the standby state, in the first circuit unit A10, the overall clock gating unit 11 cuts off the clock signal to the first circuit unit A10. Therefore, the supply of the clock signal to all the flip-flop circuits 13 constituting the first circuit unit A10 is stopped, and the data of all the flip-flop circuits 13 is not rewritten.

一方、待機状態の場合、第二の回路部B10においては、個別クロック・ゲーティング部21の機能が停止しているので、クロック信号は全てのフリップフロップ回路22に供給される。しかし、待機状態においてはデータ入力部23からフリップフロップ回路22へのデータの供給が行われないので、フリップフロップ回路22においてデータの書き換え処理は行われない。 On the other hand, in the standby state, in the second circuit unit B10, the function of the individual clock gating unit 21 is stopped, so that the clock signal is supplied to all the flip-flop circuits 22. However, since the data is not supplied from the data input unit 23 to the flip-flop circuit 22 in the standby state, the data rewriting process is not performed in the flip-flop circuit 22.

[動作手順2・動作状態]
動作状態の場合、第一の回路部A10においては、全体クロック・ゲーティング部11が第一の回路部A10へのクロック信号を通過させる。これにより、全ての個別クロック・ゲーティング部12にクロック信号が供給される。また、個別クロック・ゲーティング部12は、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路13に接続されたもののみがクロック信号を通過させる。
[Operation procedure 2-Operating state]
In the operating state, in the first circuit unit A10, the entire clock gating unit 11 passes the clock signal to the first circuit unit A10. As a result, the clock signal is supplied to all the individual clock gating units 12. Further, in the individual clock gating unit 12, only the one connected to the flip-flop circuit 13 in which the data is rewritten passes the clock signal.

具体的には、例えば、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路13に接続された個別クロック・ゲーティング部12は、クロック信号を通過させてフリップフロップ回路13にクロック信号を供給する。フリップフロップ回路13は、データ入力部14から入力されたデータを用いてデータの書き換えを行い、書き替えたデータをデータ出力部15に出力する。 Specifically, for example, flip-flop circuit 13 connected to individual clock gating unit 12 1 to 1 rewriting of data is performed, supplies a clock signal to the flip-flop circuit 13 1 is passed through the clock signal. Flip-flop circuit 13 1 performs rewriting of data using the data input from the data input unit 14 1, and outputs the rewritten data to the data output unit 15 1.

データの書き換えが行われない、その他のフリップフロップ回路13,・・・13に接続された個別クロック・ゲーティング部12,・・・12は、クロック信号を遮断する。したがって、フリップフロップ回路13,・・・13にクロック信号は供給されず、データの書き換えは行われない。 It is not performed rewriting data, other flip-flop circuit 13 2, ··· 13 n connected to individual clock gating unit 12 2, ··· 12 n blocks the clock signal. Accordingly, the flip-flop circuit 13 2, the clock signal to · · · 13 n is not supplied, the rewriting of data is not performed.

一方、動作状態の場合、第二の回路部B10においては、全ての個別クロック・ゲーティング部21が作動している。また、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路22に接続された個別クロック・ゲーティング部21のみがクロック信号を通過させる。 On the other hand, in the operating state, in the second circuit unit B10, all the individual clock gating units 21 are operating. Further, only the individual clock gating unit 21 connected to the flip-flop circuit 22 in which the data is rewritten passes the clock signal.

具体的には、例えば、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路22に接続された個別クロック・ゲーティング部21は、クロック信号を通過させてフリップフロップ回路22にクロック信号を供給する。フリップフロップ回路22は、入力部23から入力されたデータを用いてデータの書き換えを行い、書き替えたデータをデータ出力部24に出力する。 Specifically, for example, the individual clock gating unit 21 1 connected to the flip-flop circuit 22 1 in which data is rewritten passes the clock signal and supplies the clock signal to the flip-flop circuit 22 1 . The flip-flop circuit 22 1 rewrites the data using the data input from the input unit 23 1, and outputs the rewritten data to the data output unit 24 1 .

データの書き換えが行われない、その他のフリップフロップ回路22,・・・22に接続された個別クロック・ゲーティング部21,・・・21は、クロック信号を遮断する。したがって、フリップフロップ回路22,・・・22にクロック信号は供給されず、データの書き換えは行われない。 Is not performed rewriting data, other flip-flop circuit 22 2, ... 22 connected to the m individual clock gating unit 21 2, ... 21 m blocks the clock signal. Accordingly, the flip-flop circuit 22 2, the clock signal to · · · 22 m is not supplied, the rewriting of data is not performed.

[動作手順3・待機状態と動作手順における電力消費]
上記動作手順1、動作手順2に示したとおり、待機状態の場合、第一の回路部A10においては、全体クロック・ゲーティング部11が第一の回路部A10へのクロック信号を遮断する。
[Operation procedure 3-Power consumption in standby state and operation procedure]
As shown in the operation procedure 1 and the operation procedure 2, in the standby state, in the first circuit unit A10, the overall clock gating unit 11 cuts off the clock signal to the first circuit unit A10.

そのため、第一の回路部A10においては、クロック信号が第一の回路部A10の全てのフリップフロップ回路13に入力されることによる電力消費や、フリップフロップ回路13が作動してデータの書き換えが行われることによる電力消費は発生しない。従って、待機状態の場合、第一の回路部A10における消費電力は非常に小さいものとなる。 Therefore, in the first circuit unit A10, power consumption due to input of the clock signal to all the flip-flop circuits 13 of the first circuit unit A10 and data rewriting are performed by operating the flip-flop circuit 13. There is no power consumption due to the flip-flops. Therefore, in the standby state, the power consumption in the first circuit unit A10 is very small.

一方、待機状態の場合、第二の回路部B10においては、全ての個別クロック・ゲーティング部21はクロック信号を通過させて、全てのフリップフロップ回路22にクロック信号が入力される。 On the other hand, in the standby state, in the second circuit unit B10, all the individual clock gating units 21 pass the clock signal, and the clock signal is input to all the flip-flop circuits 22.

そのため、クロック信号が全てのフリップフロップ回路22に入力されることによる電力消費が発生する。従って、待機状態の場合、第二の回路部B10においては、大きな電力消費が発生することとなる。 Therefore, power consumption occurs because the clock signal is input to all the flip-flop circuits 22. Therefore, in the standby state, a large amount of power is consumed in the second circuit unit B10.

次に、動作状態の場合、第一の回路部A10においては、全体クロック・ゲーティング部11が第一の回路部A10へのクロック信号を通過させる。また、第一の回路部A10においては、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路例えばフリップフロップ回路13にクロック信号が供給され、フリップフロップ回路13におけるデータの書き換え処理が行われる。 Next, in the operating state, in the first circuit unit A10, the entire clock gating unit 11 passes the clock signal to the first circuit unit A10. In the first circuit portion A10, a flip-flop circuit clock signal to the flip-flop circuit 13 1 for example rewriting of data is performed is supplied, the process of rewriting the data in the flip-flop circuit 13 1 is performed.

そのため、動作状態の場合、第一の回路部A10においては、第一の回路部A10の全ての個別クロック・ゲーティング部12にクロック信号が供給され、また、フリップフロップ回路13においてデータの書き換え処理が行われることで、電力消費が発生する。従って、第一の回路部A10においては、待機状態の場合よりも大きな消費電力となる。 Therefore, if the operating state, in the first circuit portion A10, all clock signals to the individual clock gating portion 12 of the first circuit portion A10 is supplied, also data rewriting in the flip-flop circuit 13 1 Power consumption occurs as a result of the processing. Therefore, the power consumption of the first circuit unit A10 is larger than that in the standby state.

一方、動作状態の場合、第二の回路部B10においては、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路22にクロック信号が供給されてフリップフロップ回路22におけるデータの書き換え処理が行われる。また、第二の回路部10においては、データの書き換えが行われないフリップフロップ回路22,・・・22に接続された個別クロック・ゲーティング部21,・・・21はクロック信号を遮断し、クロック信号はフリップフロップ回路22に供給されない。 On the other hand, if the operating state, in the second circuit portion B10, the process of rewriting the data in the flip-flop circuit 22 1 to the flip-flop circuit 22 1 rewriting of data is performed is supplied the clock signal is performed. In the second circuit portion 10 of the flip-flop circuit 22 2 rewriting of data is not performed, ... 22 connected to the m individual clock gating unit 21 2, ... 21 m clock signals The clock signal is not supplied to the flip-flop circuit 22 m .

このため、動作状態において、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路22が全てのフリップフロップ回路22,22,・・・22に対して低い比率である場合、第二の回路部B10における消費電力は、待機状態のときよりも小さくなる。なお、上述の説明では、動作状態において、データの書き換えが行われるフリップフロップ回路は、フリップフロップ回路22として説明したが、同時に2以上のフリップフロップ回路22のデータの書き換えが行われてもよい。 Therefore, in the operating state, the flip-flop circuit 22 1 is all of the flip-flop circuit 22 1 rewriting of data is performed, 22 2, when a low ratio with respect · · · 22 m, the second circuit portion B10 The power consumption in is smaller than that in the standby state. In the above description, in the operating state, the flip-flop circuit rewriting of data is performed is described as a flip-flop circuit 22 1, it may be performed rewriting data of two or more flip-flop circuit 22 is at the same time ..

図6は、この実施の形態の半導体集積回路1の、第一の回路部A10と第二の回路部B10の消費電力の関係を模式的に示す図である。なお、同図では横軸を時間、縦軸を電流の値とするが、この実施の形態の半導体集積回路1は電流の大きさに依存して消費電力の大きさが変化するので、同図の状態は時間ごとの消費電力の変化を示す(同じパラメータを用いた図7の模式図も同様である。)。 FIG. 6 is a diagram schematically showing the relationship between the power consumption of the first circuit unit A10 and the power consumption of the second circuit unit B10 of the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment. In the figure, the horizontal axis is the time and the vertical axis is the current value. However, since the size of the power consumption of the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment changes depending on the size of the current, the figure is shown in the figure. The state of shows the change in power consumption with time (the same applies to the schematic diagram of FIG. 7 using the same parameters).

図6の(a)に示すとおり、第一の回路部A10は待機状態よりも動作状態の方が電流の値が大きくなる。逆に、図6の(b)に示すとおり、第二の回路部B10は待機状態よりも動作状態の方が電流の値が小さくなる。 As shown in FIG. 6A, the current value of the first circuit unit A10 is larger in the operating state than in the standby state. On the contrary, as shown in FIG. 6B, the current value of the second circuit unit B10 is smaller in the operating state than in the standby state.

このため、この実施の形態においては、待機状態から動作状態に移行する場合や、動作状態から待機状態に移行する場合において、第一の回路部A10と第二の回路部B10との消費電力が、一方側が増加すれば他方側が減少するという関係になる。したがって、半導体集積回路1全体として、消費電力は、第一の回路部A10の変化の方向と第二の回路部B10の変化の方向とが相殺し合う関係になる。 Therefore, in this embodiment, the power consumption of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 is increased when the standby state is changed to the operating state or the operating state is changed to the standby state. , If one side increases, the other side decreases. Therefore, the power consumption of the semiconductor integrated circuit 1 as a whole has a relationship in which the direction of change of the first circuit unit A10 and the direction of change of the second circuit unit B10 cancel each other out.

これを、図7の模式図において、従来技術と比較しながら説明する。 This will be described in the schematic diagram of FIG. 7 in comparison with the prior art.

従来技術においては、描画回路6、SRAM3、デコーダ5の全てが第一の回路部A10によって構成されている。そのため、図7の(a)の模式図に示すように、従来技術に係る半導体集積回路おいては、待機状態では描画回路6、SRAM3、デコーダ5の全ての電流の値が小さくなる一方で、動作状態では描画回路6、SRAM3、デコーダ5の全ての電流の値が大きくなる。 In the prior art, the drawing circuit 6, the SRAM 3, and the decoder 5 are all configured by the first circuit unit A10. Therefore, as shown in the schematic diagram of FIG. 7A, in the semiconductor integrated circuit according to the prior art, the current values of the drawing circuit 6, the SRAM 3, and the decoder 5 are all reduced in the standby state, while the current values are reduced. In the operating state, the values of all the currents of the drawing circuit 6, the SRAM 3, and the decoder 5 become large.

これに対し、この実施の形態の半導体集積回路1においては、図7の(b)の模式図に示すように、第一の回路部A10を構成する描画回路6の電流の値は待機状態から動作状態に移行すると電流の値が大きくなる。また、第二の回路部B10を構成するSRAM3とデコーダ5は、待機状態から動作状態に移行すると電流の値が大きくなる。このため、待機状態と動作状態との変化に伴い、描画回路6の消費電力の変化と、SRAM3及びデコーダ5の描画回路6の消費電力の変化とによって、消費電力の変化は相殺される関係となる。 On the other hand, in the semiconductor integrated circuit 1 of this embodiment, as shown in the schematic diagram of FIG. 7B, the current value of the drawing circuit 6 constituting the first circuit unit A10 is set from the standby state. The current value increases when the operating state is entered. Further, when the SRAM 3 and the decoder 5 constituting the second circuit unit B10 shift from the standby state to the operating state, the current value becomes large. Therefore, with the change between the standby state and the operating state, the change in the power consumption of the drawing circuit 6 and the change in the power consumption of the drawing circuit 6 of the SRAM 3 and the decoder 5 cancel each other out. Become.

これにより、実施の形態の半導体集積回路1は、待機状態から動作状態に移行したり、動作状態から待機状態に移行する際に、消費電力が急激に増加したり、急激に減少したりすること急峻な変化を起こすことが抑止される。また、第一の回路部A10自体と第二の回路部B10自体によって消費電力の急峻な変化を抑止できるので、電源まわりに、消費電力を安定させるための他の回路を付加しなくても、回路構成の複雑化や、部品点数の増大による製造コストの増大を抑止することができる。 As a result, in the semiconductor integrated circuit 1 of the embodiment, when the standby state is changed to the operating state or the operating state is changed to the standby state, the power consumption is rapidly increased or decreased. It is prevented from causing sudden changes. Further, since the first circuit unit A10 itself and the second circuit unit B10 itself can suppress a sudden change in power consumption, it is not necessary to add another circuit for stabilizing power consumption around the power supply. It is possible to suppress an increase in manufacturing cost due to a complicated circuit configuration and an increase in the number of parts.

また、この実施の形態においては、第一の回路部A10と第二の回路部B10の回路規模がほぼ等しく、第一の回路部A10と第二の回路部B10とにおいて、ほぼ等しい消費電力となる。そのため、半導体集積回路1が待機状態から動作状態に移行したり、動作状態から待機状態に移行する際の消費電力の急峻な変化が、より効果的に抑止されることとなる。また、消費電力を安定させるための他の回路の必要性はより低くなり、回路構成の複雑化や、部品点数の増大による製造コストの増大をより効果的に抑止できる。 Further, in this embodiment, the circuit scales of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are substantially the same, and the power consumption of the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 is substantially the same. Become. Therefore, a sudden change in power consumption when the semiconductor integrated circuit 1 shifts from the standby state to the operating state or shifts from the operating state to the standby state is more effectively suppressed. In addition, the need for other circuits for stabilizing power consumption becomes lower, and it is possible to more effectively suppress an increase in manufacturing cost due to a complicated circuit configuration and an increase in the number of parts.

[作用効果]
以上に示したとおり、この実施の形態においては、第一の回路部A10は、第一の回路部A10全体に対するクロック信号の入力状態のオンオフを制御する全体クロック・ゲーティング部11を備える。全体クロック・ゲーティング部11は、待機状態において第一の回路部A10に入力されるクロック信号を遮断する処理を行うと共に、動作状態において第一の回路部A10に入力されるクロック信号を通過させる処理を行う。これにより、半導体集積回路1は、待機状態における第一の回路部A10の消費電力を削減できる。
[Action effect]
As shown above, in this embodiment, the first circuit unit A10 includes an overall clock gating unit 11 that controls on / off of the input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit A10. The overall clock gating unit 11 performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit A10 in the standby state, and passes the clock signal input to the first circuit unit A10 in the operating state. Perform processing. As a result, the semiconductor integrated circuit 1 can reduce the power consumption of the first circuit unit A10 in the standby state.

また、第二の回路部B10は、第二の回路部B10を構成するフリップフロップ回路22ごとのクロック信号の入力状態のオンオフを制御する個別クロック・ゲーティング部21を備える。個別クロック・ゲーティング部21は、待機状態において第二の回路部B10を構成する個々のフリップフロップ回路22に入力されるクロック信号を通過させる。また、個別クロック・ゲーティング部21は、動作状態においてデータの書き換えが行われないフリップフロップ回路22に入力されるクロック信号を遮断する処理を行う。これにより、半導体集積回路1は、動作状態における第二の回路部B10の消費電力の増大を抑止できる。 Further, the second circuit unit B10 includes an individual clock gating unit 21 that controls on / off of the input state of the clock signal for each flip-flop circuit 22 constituting the second circuit unit B10. The individual clock gating unit 21 passes the clock signal input to the individual flip-flop circuits 22 constituting the second circuit unit B10 in the standby state. Further, the individual clock gating unit 21 performs a process of blocking the clock signal input to the flip-flop circuit 22 in which the data is not rewritten in the operating state. As a result, the semiconductor integrated circuit 1 can suppress an increase in power consumption of the second circuit unit B10 in the operating state.

そして、上述のような第一の回路部A10と第二の回路部B10とを併用することで、待機状態と動作状態とが遷移したときに、一方の回路部たとえば第一の回路部A10の消費電力が増大して他方の回路部たとえば第二の回路部B10の消費電力が減少する関係となる。これにより、半導体集積回路1は、電源まわりに消費電力の急峻な変化を抑止するための回路を設けなくても、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を抑止することができる。 Then, by using the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 together as described above, when the standby state and the operating state transition, one of the circuit units, for example, the first circuit unit A10 The power consumption increases and the power consumption of the other circuit unit, for example, the second circuit unit B10 decreases. As a result, the semiconductor integrated circuit 1 can suppress a steep change in power consumption between the standby state and the operating state without providing a circuit around the power supply for suppressing a steep change in power consumption.

以上により、半導体集積回路1において、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、回路が待機状態から動作状態に移行した際に処理能力が低下することを抑止できる。 As described above, in the semiconductor integrated circuit 1, it is possible to prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and to prevent the processing capacity from decreasing when the circuit shifts from the standby state to the operating state. it can.

実施の形態においては、第一の回路部A10と、第二の回路部B10とは、それぞれの動作状態における消費電力がほぼ等しくなるように構成されている。これにより、全体クロック・ゲーティング部11によって削減される、待機状態における消費電力と、個別クロック・ゲーティング部21によって増大が抑止される、動作状態における消費電力とを、ほぼ等しい状態とすることができる。したがって、半導体集積回路1は、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化を高い精度で抑止することができる。 In the embodiment, the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are configured so that the power consumption in each operating state is substantially equal. As a result, the power consumption in the standby state, which is reduced by the overall clock gating unit 11, and the power consumption in the operating state, whose increase is suppressed by the individual clock gating unit 21, are made substantially equal. Can be done. Therefore, the semiconductor integrated circuit 1 can prevent the circuit around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and can suppress abrupt changes in power consumption between the standby state and the operating state with high accuracy. it can.

実施の形態においては、第一の回路部A10と、第二の回路部B10とは、面積がほぼ等しくなるように構成されている。したがって、回路の規模が回路部の面積にほぼ依存するように構成されている半導体集積回路1において、第一の回路部A10の回路規模と第二の回路部B10の回路規模がほぼ同規模に構成された状態となる。これにより、全体クロック・ゲーティング部11によって削減される、待機状態における消費電力と、個別クロック・ゲーティング部21によって増大が抑止される、動作状態における消費電力とを、ほぼ等しい状態とすることができる。したがって、半導体集積回路1は、電源まわりの回路が複雑化したり製造コストが増大したりすることを防ぎ、かつ、待機状態と動作状態とにおける消費電力の急峻な変化をより高い精度で抑止することができる。 In the embodiment, the first circuit unit A10 and the second circuit unit B10 are configured so that the areas are substantially equal to each other. Therefore, in the semiconductor integrated circuit 1 in which the scale of the circuit is configured to be substantially dependent on the area of the circuit unit, the circuit scale of the first circuit unit A10 and the circuit scale of the second circuit unit B10 are substantially the same scale. It will be in the configured state. As a result, the power consumption in the standby state, which is reduced by the overall clock gating unit 11, and the power consumption in the operating state, whose increase is suppressed by the individual clock gating unit 21, are made substantially equal. Can be done. Therefore, the semiconductor integrated circuit 1 prevents the circuits around the power supply from becoming complicated and the manufacturing cost from increasing, and suppresses abrupt changes in power consumption between the standby state and the operating state with higher accuracy. Can be done.

なお、この実施の形態においては、半導体集積回路1は画像処理装置100を構成するものとしたが、これに限定されず、その他のデータを処理するデータ処理装置や信号を処理する信号処理装置を構成するものとして半導体集積回路1を用いてもよい。その他の構成は、例えば、音声処理装置、または機械学習装置などである。 In this embodiment, the semiconductor integrated circuit 1 constitutes the image processing device 100, but the present invention is not limited to this, and a data processing device for processing other data and a signal processing device for processing signals are used. A semiconductor integrated circuit 1 may be used as a configuration. Other configurations are, for example, voice processing devices, machine learning devices, and the like.

この実施の形態においては、半導体集積回路1の第一の回路部A10や第二の回路部B10を構成するトランジスタ回路はフリップフロップ回路13,22であるものとしたが、これに限定しない。トランジスタ回路は、例えば、カウンタ回路、レジスタ回路、ラッチ回路等、クロック信号によって作動する回路であればどのようなものでもよいし、クロック信号で作動する複数種類の回路を組み合わせたものであってもよい。 In this embodiment, the transistor circuits constituting the first circuit section A10 and the second circuit section B10 of the semiconductor integrated circuit 1 are flip-flop circuits 13 and 22, but the present invention is not limited to this. The transistor circuit may be any circuit that operates by a clock signal, such as a counter circuit, a register circuit, or a latch circuit, or may be a combination of a plurality of types of circuits that operate by a clock signal. Good.

上記実施の形態は本発明の例示であり、本発明が上記実施の形態のみに限定されることを意味するものではないことは、いうまでもない。 It goes without saying that the above-described embodiment is an example of the present invention and does not mean that the present invention is limited to the above-mentioned embodiment.

1・・・半導体集積回路
11・・・全体クロック・ゲーティング部(第一のクロック・ゲーティング部)
12,12,12,・・・12・・・個別クロック・ゲーティング部(第二のクロック・ゲーティング部)
13,13,13,・・・13・・・フリップフロップ回路(トランジスタ回路)
21,21,21,・・・21・・・個別クロック・ゲーティング部(第二のクロック・ゲーティング部)
22,22,22,・・・22・・・フリップフロップ回路(トランジスタ回路)
A10・・・第一の回路部
B10・・・第二の回路部
100・・・画像処理装置
1 ... Semiconductor integrated circuit 11 ... Overall clock gating section (first clock gating section)
12, 12 1 , 12 2 , ... 12 n ... Individual clock gating section (second clock gating section)
13,13 1, 13 2, ··· 13 n ··· flip-flop circuit (transistor circuit)
21,21 1, 21 2, ··· 21 m ··· individual clock gating section (second clock gating section)
22, 22 1 , 22 2 , ... 22 m ... Flip-flop circuit (transistor circuit)
A10 ... First circuit unit B10 ... Second circuit unit 100 ... Image processing device

Claims (7)

データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備える半導体集積回路であって、
前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、
前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、
前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、
前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、
前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、
前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする半導体集積回路。
A standby state in which rewriting of data is not performed, a semiconductor integrated circuit Ru and a operating state rewriting of data is performed,
In the operating state, the first circuit unit having a plurality of transistor circuits, in which the data is rewritten using the input clock signal, and
A second circuit unit having a plurality of transistor circuits, in which the data is rewritten using the input clock signal in the operating state, is provided.
The first circuit unit includes a first clock gating unit that controls on / off of an input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit.
The second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit.
In the standby state, the first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit, and the second clock gating unit performs the second clock gating unit. A process of passing the clock signal input to the transistor circuit included in the circuit unit is performed.
In the operating state, the first clock gating unit performs a process of passing the clock signal input to the transistor circuit included in the first circuit unit, and the second clock gating unit. The unit is a semiconductor integrated circuit that constitutes the second circuit unit and performs a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit in which data is not rewritten .
データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、
データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、
前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、それぞれの前記動作状態における電力消費量がほぼ等しくなるように構成され
前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、
前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、
前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記待機状態において前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記動作状態において前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、
前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記待機状態において前記第二の回路部を構成する個々の前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させると共に、前記動作状態において前記データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする半導体集積回路。
It has a plurality of transistor circuits having a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten, and in the operating state, the data is rewritten using an input clock signal. The first circuit part and
It has a plurality of transistor circuits having a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten, and in the operating state, the data is rewritten using an input clock signal. Equipped with a second circuit section
The first circuit unit and the second circuit unit are configured so that the power consumption in each of the operating states is substantially equal .
The first circuit unit includes a first clock gating unit that controls on / off of an input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit.
The second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit.
The first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit in the standby state, and is input to the first circuit unit in the operating state. The process of passing the clock signal is performed.
The second clock gating unit passes the clock signal input to the individual transistor circuits constituting the second circuit unit in the standby state, and rewrites the data in the operating state. A semiconductor integrated circuit characterized by performing a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit, which is not performed.
前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、面積がほぼ等しくなるように構成されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体集積回路。 The semiconductor integrated circuit according to claim 1 or 2, wherein the first circuit unit and the second circuit unit are configured so that the areas are substantially equal to each other. 前記第一の回路部における前記トランジスタ回路、及び/又は、前記第二の回路部における前記トランジスタ回路は、フリップフロップ回路であることを特徴とする請求項1乃至3の何れか一つに記載の半導体集積回路。 The invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the transistor circuit in the first circuit section and / or the transistor circuit in the second circuit section is a flip-flop circuit. Semiconductor integrated circuit. データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備える半導体集積回路における制御方法であって、
前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、
前記動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備え、
前記第一の回路部は、該第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第一のクロック・ゲーティング部を備え、
前記第二の回路部は、該第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフを制御する第二のクロック・ゲーティング部を備え、
前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、
前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部が備える前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする半導体集積回路における制御方法。
A standby state in which rewriting of data is not performed, a control method in the semiconductor integrated circuit Ru and a operating state rewriting of data is performed,
In the operating state, the first circuit unit having a plurality of transistor circuits, in which the data is rewritten using the input clock signal, and
In the operating state, the rewriting of data is performed using the input clock signal, e Bei and a second circuit portion having a plurality of transistor circuits,
The first circuit unit includes a first clock gating unit that controls on / off of an input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit.
The second circuit unit includes a second clock gating unit that controls on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit.
In the standby state, the first clock gating unit performs processing for cutting off the clock signal input to the first circuit portion, the second clock gating unit the second Performs a process of passing the clock signal input to the transistor circuit provided in the circuit unit of
In the operating state, the first clock gating unit performs a process of passing the clock signal input to the transistor circuit included in the first circuit unit, and the second clock gating unit. The unit is a control method in a semiconductor integrated circuit, which comprises a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit in which data is not rewritten, which constitutes the second circuit unit.
データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第一の回路部と、
データの書き換えが行われない待機状態と、データの書き換えが行われる動作状態とを備え、該動作状態において、入力されたクロック信号を用いて前記データの書き換えが行われる、複数のトランジスタ回路を有する第二の回路部とを備えた半導体集積回路における制御方法であって、
前記第一の回路部と、前記第二の回路部とは、それぞれの前記動作状態における電力消費量がほぼ等しくなるように構成され、
前記第一の回路部は、第一のクロック・ゲーティング部によって、前記第一の回路部全体に対する前記クロック信号の入力状態のオンオフが制御されるように構成され、
前記第二の回路部は、第二のクロック・ゲーティング部によって、前記第二の回路部を構成する個々のトランジスタ回路ごとの前記クロック信号の入力状態のオンオフが制御されるように構成され、
前記待機状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は前記第二の回路部が備える個々の前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行い、
前記動作状態において、前記第一のクロック・ゲーティング部は、前記第一の回路部に入力される前記クロック信号を通過させる処理を行うと共に、前記第二のクロック・ゲーティング部は、前記第二の回路部を構成する、データの書き換えが行われない前記トランジスタ回路に入力される前記クロック信号を遮断する処理を行うことを特徴とする半導体集積回路における制御方法
It has a plurality of transistor circuits having a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten, and in the operating state, the data is rewritten using an input clock signal. The first circuit part and
It has a plurality of transistor circuits having a standby state in which data is not rewritten and an operating state in which data is rewritten, and in the operating state, the data is rewritten using an input clock signal. It is a control method in a semiconductor integrated circuit provided with a second circuit unit.
The first circuit unit and the second circuit unit are configured so that the power consumption in each of the operating states is substantially equal.
The first circuit unit is configured so that the first clock gating unit controls the on / off of the input state of the clock signal with respect to the entire first circuit unit.
The second circuit unit is configured such that the second clock gating unit controls the on / off of the input state of the clock signal for each individual transistor circuit constituting the second circuit unit.
In the standby state, the first clock gating unit performs a process of blocking the clock signal input to the first circuit unit, and the second clock gating unit performs the second clock gating unit. A process of passing the clock signal input to each of the transistor circuits included in the circuit unit is performed.
In the operating state, the first clock gating unit performs a process of passing the clock signal input to the first circuit unit, and the second clock gating unit performs the process of passing the clock signal input to the first circuit unit. A control method in a semiconductor integrated circuit, comprising a process of blocking the clock signal input to the transistor circuit in which data is not rewritten, which constitutes the second circuit unit .
請求項1乃至4の何れか一つに記載の半導体集積回路を備えたことを特徴とする画像処理装置。An image processing apparatus comprising the semiconductor integrated circuit according to any one of claims 1 to 4.
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