JP6758064B2 - 電子回路基板、及び電子デバイス - Google Patents

Description

本発明は、電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスに関する。

従来より、基板表面に下地層が形成されており、該下地層上に形成された導電層を介して信号伝達が行われる電子回路基板、及び、この電子回路基板を回路部に備える電子デバイスが知られている。
例えば特許文献１には、スパッタによって形成された下地層と、下地層の表面に形成されためっき導電層を有する電子回路基板が開示されている。また特許文献２には、銅によって形成された下地層の表面に、加圧接合された銅の導電層が形成されている電子回路基板が開示されている。

特開２００３−１３３６６９号公報 特開２００３−０８６９２２号公報

しかしながら上記従来技術には次の課題がある。
即ち、スパッタなどの従来の成膜技術によって下地層を形成する場合、下地層の側面など、下地層の露出部分から下地層が浸食され、下地層が基板から剥がれやすい。その結果、下地層と共に導電層も基板から剥がれ、接続不良、動作不良等の課題が生じ、つまり電子回路基板の耐久性が低下するといった課題がある。

特に、屋外に設置される太陽光発電機器や、各種ディスプレイ、タッチパネルなど、電子回路基板が外部に露出しやすい環境下では、電子回路基板に水分や粉塵等が付着し、これにより下地層が浸食されやすい。その結果、電子回路基板の耐久性が低下しやすい。

そこで本発明は、この課題を解決すべくなされたものであり、下地層と導電層が形成されている電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスを提供することを目的とする。

上記目的を達成するために本発明にあっては、
基板と、
前記基板表面に形成されている下地層と、
前記下地層上に形成されている導電層と、を有し、
前記下地層がカップリング剤によって形成されていると共に、前記導電層の厚みが、前記下地層の厚みよりも厚いことを特徴とする。

また、上記発明にあっては、
前記導電層の表面がＡｕによって形成されていると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記導電層を構成する主成分がＡｕであると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記導電層がめっき層であると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記下地層の厚みが２０ｎｍ以下であると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記下地層が単分子層であると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記カップリング剤として、アミノ系シランカップリング剤、又はメルカプト系シランカップリング剤が用いられていると好適である。

また、上記発明にあっては、
前記基板が透明材料によって形成されていると好適である。

また、本発明の電子デバイスは、上記電子回路基板を有することを特徴とする。

以上説明したように、本発明によれば、下地層と導電層が形成されている電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

第１実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第２実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第３実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第４実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第５実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第６実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第７実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第８実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第９実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。 第１０実施形態に係る導電層形成方法の概略工程図である。

以下に図面を参照して、この発明を実施するための形態を例示的に詳しく説明する。ただし、以下の実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対配置などは、特に特定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。

［第１実施形態］
図１を参照して、本発明の第１実施形態に係る電子回路基板１０について説明する。なお、図１は、本実施形態に係る電子回路基板１０の製造プロセスを示す概略図である。

（１−１：電子回路基板の概略構成）
図１（ｆ）を参照して、電子回路基板１０の概略構成について説明する。
電子回路基板１０は、基板１１と、その表面に形成されている下地層１３と、下地層１２上に形成されている導電層１５とを有している。また、基板１１において下地層１３が形成されていない領域には、保護層１２が形成されている。

基板１１は、従来公知の各種基板を用いることができるが、表面が親水化処理された基板が用いられている。なお、本実施形態では、透明材料によって形成される基板１１が用いられているが、透明材料ではない材料であってもよい。また、下地層１３は、カップリング剤を含有する材料によって形成されており、ここでは、アミノ系シランカップリング剤が用いられている。なお、カップリング剤としてはこれに限られるものではなく、メルカプト系シランカップリング剤を用いてもよい。

ここでアミノ系シランカップリング剤としては、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ，Ｎ-（１，３−ジメチルブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、１−（３−アミノプロピル）−１,１,３,３,３−ペンタメチルジシロキサン、３−アミノプロピルトリス（トリメチルシロキシ）シラン等を用いることができる。

また、メルカプト系シランカップリング剤としては、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、１,３−ビス（メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ビス（３−メルカプトメチル）−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン等を用いることができる。

上述のカップリング剤によれば、下地層１３を基板１１上に確実に接着できつつ、一方で、基板１１と反対側では、後述するＰｄとＳｎの混合材料によって形成される触媒層１４と下地層１３とを結合しやすくなる。つまり、本実施形態の下地層１３は、基板１１及び触媒層１４のそれぞれに対する接着力が非常に高い層といえる。

また、下地層１３は、上述のカップリング剤に含有される官能基によって形成される単分子層である。即ち、スパッタ等で形成する従来の下地層と比較すると、その厚みが非常に薄い。具体的には、数ｎｍ〜十数ｎｍであり、つまり２０ｎｍ以下の厚みを有している。

また、下地層１３以外の領域に形成されている保護層１２は疎水性を有しているので、この保護層１２によって下地層１３及び基板１１が保護されると共に、後述する製造工程において、下地層１３上にのみ触媒層１４を形成することができる（保護層１２上には触媒層１４、導電層１５が形成されない）。
即ち、保護層１２が形成されていることによって、下地層１３及び基板１１の耐久性を向上させると共に、製造プロセスにおいて保護層１２のパターニングに基づいて導電層を形成することができ、即ち、導電層の形状精度を向上させることができる。

保護層１２は、少なくともその表面が疎水性を有しており、後述する触媒層１４とは結合しないカップリング剤によって形成されている。該カップリング剤として、例えば、アルキルシラン系、又はフッ化アルキルシラン系のカップリング剤を用いることができる。

また、導電層１５は、下地層１３上にＡｕとＮｉによるめっき層によって形成されている。なお、本実施形態では、ＡｕとＮｉを用いているが、導電層１５のめっき材料はこれに限られるものではなく、Ａｕのみであってもよいし、Ａｇ、Ｃｕなどを用いることも可能である。しかしながら、導電層１５の耐久性を考慮すると、少なくとも導電層１５の表面がＡｕなどの貴金属類によって形成されていることが好ましい。
また、導電層１５を一般的なアンカー効果で密着させる場合際、めっき層に含まれるＮｉの６０％以上がＡｕに置換されると導電層１５が接着しにくくなるが、本実施形態のように、下地層１３にカップリング剤を用いることで、例えば、めっき層に含まれるＮｉの９０％以上をＡｕに置換しても、導電層１５の接着力を高く保つことが出来る。即ち、従来と比較すると、導電層１５の耐久性を大幅に向上させることが可能になる。なお、めっき層の組成は、エネルギー分散型Ｘ線分析装置等で測定することが出来る。
なお、導電層１５の厚みは、めっき処理の条件によって可変であるが、本実施形態のように無電解めっきによって導電層１５を形成する場合は、導電層１５は２０ｎｍよりも厚い。

（１−２：電子回路基板の製造方法）
図１（ａ）〜図１（ｆ）を参照して、電子回路基板１０の製造方法について説明する。
本実施形態では、まず基板１１の準備を行う（図１（ａ））。ここでは、基板１１の表面の親水化を行う。即ち、基板１１の材料に基づいて、アルカリ洗浄、オゾン処理、ＵＶ照射、プラズマ処理等を適宜選択し、基板１１の表面を親水化する。

次に、基板１１の表面に気相法、又はカップリング剤を含有する溶液への浸漬によって保護層１２を形成する（図１（ｂ））。保護層１２は、上述のように、少なくともその表面が疎水性を有しており、後述する触媒層１４とは結合しないカップリング剤によって形成されている。

保護層１２を形成した後、保護層１２に対してレーザ光を照射することで保護層１２をパターニングする。このパターニングは、後の工程で形成される導電層１５に基づいて形成されるものである、これにより、レーザ光が照射された部分の保護層１２が除去され基板１１が露出し、基板１１上に導電層１５に倣ったパターンが形成される（図１（ｃ））。

次に、上述の保護層形成工程においてレーザ加工によって形成されたパターンに対して、導電材料と結合する下地層１３を形成する。下地層１３の形成方法は、保護層１２の形成方法と同一方法であってもよい。なお、上述のように保護層１２は、少なくともその表面が疎水性を有しているので、下地層１３を形成する工程において、保護層１２の表面に下地層１３が付着することはない。よって、下地層１３は、保護層１２が形成されていない基板１１の露出領域にのみ付着する。

次に、上述の下地層形成工程において形成された下地層１３上に、厚み数十ｎｍ程度の触媒層１４を形成し（図１（ｅ））、さらに触媒層１４に対してめっき処理を施してめっき層を形成し、所望の導電層１５を得る（図１（ｆ））。導電層１５の厚さは上述のように２０ｎｍよりも厚い。

触媒層１４としては、上述のように、ＰｄとＳｎの混合材料が用いられ、このような材料を用いた場合、主にパラジウムが触媒作用を発揮することになる。なお、触媒層１４の形成方法は、下地層１３のカップリング分子に対して触媒を確実に結合させることができれば、特に方法を限定するものではないが、例えば、センシタイザー・アクチベータ法、又はキャタリスト・アクセレーター法を採用することができる。

センシタイザー・アクチベータ法とは、Ｓｎ溶液に基板１１を浸漬し、続いてＰｄ溶液に浸漬して下地層１３上にパラジウムを付着させる方法であり、複数回、この工程を繰り返すことで、下地層１３に対するパラジウム触媒の付着量を増やすことができる。

また、キャタリスト・アクセレーター法とは、ＳｎとＰｄのコロイド溶液に基板１１を浸漬し、続いて酸性溶液にて錫を除去することでパラジウム触媒を基板１１上に付着する方法である。

これらの方法によって触媒層１４を形成した後、触媒層１４に対してめっき処理（本実施形態では無電解めっき）を施して、めっき層を形成する。本実施形態では、上述のようにＡｕのめっきを形成している。

即ち、めっき処理を施すことで、触媒層１４を取り込むようにしてめっき層が成長し、その結果、導電層１５が形成される。より具体的には、まず、触媒層１４を囲むようにＮｉ層が形成され、さらにＮｉ層がＡｕ層に置換されることで、Ａｕによる耐腐食性に優れた導電層１５を得ることができる。

（１−３：電子デバイスの構成）
本実施形態では、上述の電子回路基板１０を介して、入出力信号が伝送される電子デバイスとして、太陽光発電機器（不図示）が挙げられる。本実施形態に係る電子回路基板１０は透明材料であり、かつ、耐久性に優れているので、屋外での使用においても、耐久性に優れた太陽光発電機器を提供することができる。

さらには、上述のように導電層１５の形状精度が高いので、即ち、微細な導電パターンを形成可能である。よって、従来と比較して、電子回路基板１０を透過する太陽光を増加させることができるので、太陽光発電機器の発電効率を向上させることができる。また、発電効率が向上することにより、機器の小型化も達成できる。

（１−４：本実施形態の効果）
本実施形態によれば、従来と比較すると厚さが薄く、かつ接着力の高い下地層１３を形成し、その上に導電層１５が形成されるので、下地層１３が侵食されにくい。よって、下地層１３が基板から剥がれにくく、下地層１３、導電層１５の耐久性を向上させることができる。

また、導電層１５以外の領域には、疎水性を有する保護層１２が形成されているので、これによっても、電子回路基板１０の耐久性を向上させることが可能である。

また、上述の電子回路基板１０を有する電子デバイスによれば、耐久性が向上するので、屋外使用が可能になるなど、使用用途を大幅に増やすことができる。また、上述のように、発電効率の向上、及び小型化等、従来では得ることのできない効果を得ることが出来る。なお、本実施形態では、電子デバイスとして太陽光発電機器を挙げているが、例えば、ディスプレイや、タッチパネル等に電子回路基板１０を適用することも可能である。

このように本実施形態では、下地層１３と導電層１５が形成されている電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第２実施形態］
図２を参照して、本発明の第２実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図２は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第１実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

（２−１：下地層形成工程）
本実施形態では、まず基板２１を準備し（図２（ａ））、表面の親水化を行った後、基板２１に下地層２３を形成する（図２（ｂ））。なお、下地層２３に用いられるカップリング剤は、上述の実施形態で用いられたカップリング剤と同一のカップリング剤であればよい。

その後、レーザ加工によって下地層２３をパターニングし、後の工程で形成される導電層２５以外の領域の下地層２３を、基板２１表面から除去する。即ち、本実施形態では、レーザ加工における非加工領域に対して、導電層２５が形成されることになる。

（２−２：保護層形成工程）
次に、基板１１の表面に保護層２２を形成する（図２（ｄ））。保護層２２は疎水性を有し、上述の第１実施形態と同一の材料を用いることができる。

（２−３：導電層形成工程）
次に、下地層２３上に厚み数十ｎｍ程度の触媒層２４を形成し（図２（ｅ））、さらに触媒層１４に対してめっき処理を施してめっき層を形成し、所望の導電層２５を得る（図２（ｆ））。なお、この工程は上述の実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層２３と導電層２５が形成されている電子回路基板２０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第３実施形態］
図３を参照して、本発明の第３実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図３は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

（３−１：保護層形成工程）
本実施形態では、準備済みの基板３１（図３（ａ））に対して、保護層３２としてレジスト膜を用い、基板３１上に形成することが特徴である（図３（ｂ））。そしてレーザ加工によってレジスト膜をパターニングする（図３（ｃ））。

（３−２：下地層形成工程、導電層形成工程）
次に、図３（ｄ）〜図３（ｆ）に図示するように、保護層３２がパターニングされた基板３１に対して、下地層３３を形成し、さらに触媒層３４、導電層３５を形成する（上記第１実施形態と同一であるので説明は省略する）。
なお、導電層３５を形成する際に、保護層３２上に導電層３５が形成された場合は、レジスト除去によって、保護層３２ごと、導電層３５を除去することが可能になる。よって、不要な領域に導電層３５を形成することなく、導電層３５を高精度に形成することができる。

このように本実施形態では、下地層３３と導電層３５が形成されている電子回路基板３０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板３０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第４実施形態］
図４を参照して、本発明の第４実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図４は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第１実施形態の保護層形成工程において、印刷によって基板４１に保護層４２を形成する点が特徴である（図４（ｂ））。これにより、導電層４５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、下地層形成工程、導電層形成工程は、上述の第１実施形態と同一であるので、説明は省略する。（なお、図中４３が下地層、４４が触媒層、４５が導電層である）

このように本実施形態では、下地層４３と導電層４５が形成されている電子回路基板４０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板４０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第５実施形態］
図５を参照して、本発明の第５実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図５は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第２実施形態の下地層形成工程において、印刷によって基板５１に下地層５３を形成する点が特徴である（図５（ｂ））。これにより、導電層５５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、導電層形成工程は、上述の第２実施形態と同一であるので、説明は省略する（なお、図中５２が保護層、５４が触媒層、５５が導電層である）。

このように本実施形態では、下地層５３と導電層５５が形成されている電子回路基板５０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板５０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第６実施形態］
図６を参照して、本発明の第６実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図６は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第１実施形態の導電層形成工程において、基板６１上にパターニングされた保護層６２、さらに下地層６３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層６５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層６２には導電層６５は形成されないので、導電層６５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第１実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層６３と導電層６５が形成されている電子回路基板６０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板６０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第７実施形態］
図７を参照して、本発明の第７実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図７は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第２実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第２実施形態の導電層形成工程において、基板７１上にパターニングされた下地層７３、さらに保護層７２に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層７５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層７２には導電層７５は形成されないので、導電層７５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第２実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層７３と導電層７５が形成されている電子回路基板７０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板７０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第８実施形態］
図８を参照して、本発明の第８実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図８は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第３実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第３実施形態の導電層形成工程において、基板８１上にパターニングされた保護層８２、さらに下地層８３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層８５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層８２には導電層８５は形成されないので、導電層８５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第３実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層８３と導電層８５が形成されている電子回路基板８０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板８０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第９実施形態］
図９を参照して、本発明の第９実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図９は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の第４実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第４実施形態の導電層形成工程において、基板９１上に印刷によってパターニングされた保護層９２、さらに下地層９３に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層９５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層８２には導電層９５は形成されないので、導電層９５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第４実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層９３と導電層９５が形成されている電子回路基板９０、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板９０、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

［第１０実施形態］
図１０を参照して、本発明の第１０実施形態に係る導電層形成方法について説明する。なお、図１０は、本実施形態における導電層形成方法の概略工程を示す図であるが、上述の実施形態と同一内容に関してはここでは説明を省略する。

本実施形態では、第５実施形態の導電層形成工程において、基板１０１上に印刷によってパターニングされた下地層１０３、さらに保護層１０２に対し、めっき処理ではなく、スパッタで導電層１０５を形成することを特徴とする。これによれば、疎水性を有する保護層１０２には導電層１０５は形成されないので、導電層１０５の形状精度を高めることが可能になる。その他の工程、即ち、保護層形成工程、下地層形成工程は、上述の第５実施形態と同一であるので、説明は省略する。

このように本実施形態では、下地層１０３と導電層１０５が形成されている電子回路基板１００、及びそれを備える電子デバイスにおいて、耐久性を向上させることが可能な電子回路基板１００、及びそれを備える電子デバイスを提供することが可能になる。

１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００…電子回路基板、１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１、８１、９１、１０１…基板、１２、２２、３２、４２、５２、６２、７２、８２、９２、１０２…保護層、１３、２３、３３、４３、５３、６３、７３、８３、９３、１０３…下地層、１４、２４、３４、４４、５４…触媒層、１５、２５、３５、４５、５５、６５、７５、８５、９５、１０５…導電層

Claims (9)

1. 基板と、
   前記基板表面に形成されている下地層と、
   前記下地層上に形成されている導電層と、を有し、
   前記下地層がカップリング剤によって形成されていると共に、前記導電層の厚みが、前記下地層の厚みよりも厚い、
   電子回路基板であって、
   前記基板表面には、前記下地層の周囲に保護層が形成されており、
   前記下地層は、カップリング剤に含有される官能基によって形成された単分子層であり、
   前記保護層は、前記下地層を形成するカップリング剤とは異なる、少なくとも表面が疎水性を有するカップリング剤によって形成されている
   ことを特徴とする電子回路基板。
2. 前記導電層の表面がＡｕによって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子回路基板。
3. 前記導電層を構成する主成分がＡｕであることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子回路基板。
4. 前記導電層がめっき層であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子回路基板。
5. 前記下地層の厚みが２０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子回路基板。
6. 前記保護層を形成するカップリング剤として、アルキルシラン系のカップリング剤、又はフッ化アルキルシラン系のカップリング剤が用いられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子回路基板。
7. 前記下地層を形成するカップリング剤として、アミノ系シランカップリング剤、又はメルカプト系シランカップリング剤が用いられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子回路基板。
8. 前記基板が透明材料によって形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子回路基板。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子回路基板を有することを特徴とする電子デバイス。

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