JP6755386B2 - Manufacturing method of power semiconductor module and power semiconductor module - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 310
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 348
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 326
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 109
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 98
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 78
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 239000000565 sealant Substances 0.000 claims description 16
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 129
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 52
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 24
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 20
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 20
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 20
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 17
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 17
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 17
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 17
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 13
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 5
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 3
- -1 for example Polymers 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 2-(n-methyl-4-nitroanilino)acetonitrile Chemical compound N#CCN(C)C1=CC=C([N+]([O-])=O)C=C1 DJOYTAUERRJRAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 1
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 238000012356 Product development Methods 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000003325 tomography Methods 0.000 description 1
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Description
この発明は、電力用半導体モジュール、電子部品および電力用半導体モジュールの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a power semiconductor module, an electronic component, and a power semiconductor module.
電力変換器を構成する電力用半導体装置は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子と還流ダイオードとを備えた構造を有する。一般には、珪素（Ｓｉ）を材料としたＩＧＢＴをスイッチング素子として、ｐｉｎダイオードを還流ダイオードとして用いる。近年、Ｓｉよりワイドバンドギャップを有する炭化珪素（ＳｉＣ）を用いた電力用半導体装置が開発されている。ＳｉＣは絶縁破壊強度がＳｉの約１０倍と高く、ドリフト層の厚みをＳｉからなる半導体素子の約１／１０に低減し得る事から低オン電圧化が期待されている。さらに、ＳｉＣを用いた半導体素子は高温でも動作が可能である事から、ＳｉＣを電力用半導体素子の材料として適用する事で、従来のＳｉを適用した電力用半導体装置に比較して小型化、高効率化が実現可能となる。 The power semiconductor device constituting the power converter has a structure including a switching element such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) and a freewheeling diode. Generally, an IGBT made of silicon (Si) is used as a switching element, and a pin diode is used as a freewheeling diode. In recent years, power semiconductor devices using silicon carbide (SiC) having a wider bandgap than Si have been developed. Since SiC has a dielectric breakdown strength as high as about 10 times that of Si and the thickness of the drift layer can be reduced to about 1/10 of that of a semiconductor element made of Si, low on-voltage is expected. Furthermore, since semiconductor devices using SiC can operate even at high temperatures, by applying SiC as a material for power semiconductor elements, the size can be reduced compared to conventional power semiconductor devices to which Si is applied. High efficiency can be realized.
電力用半導体素子の材料としてＳｉＣを適用する場合、スイッチング素子としてＭＯＳＦＥＴを、還流ダイオードとしてＳＢＤ（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ Ｂａｒｒｉｅｒ Ｄｉｏｄｅ）を適用する事が可能となる。しかしながら、還流ダイオードとしてＳｉＣ−ＳＢＤを用いた電力用半導体装置では、スイッチング動作時においてリンギングが発生する事が知られている。リンギングは、電力変換回路の寄生インダクタンスとＳＢＤの容量による共振に起因するものである。このようなリンギングは、その電圧のピーク値が電力用半導体装置の定格電圧を超えるとモジュールの破損を引き起こす恐れがある。また、リンギングの電圧変動はノイズの原因となりうることから極力抑制する必要がある。ＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴに代表されるワイドバンドギャップ半導体を用いたスイッチング素子では、高速なスイッチング動作が可能であるという特長を最大限に引き出すために、リンギングの抑制が重要な課題となっている。 When SiC is applied as a material for a power semiconductor element, it is possible to apply a MOSFET as a switching element and an SBD (Schottky Barrier Diode) as a freewheeling diode. However, it is known that ringing occurs in a power semiconductor device using SiC-SBD as a freewheeling diode during a switching operation. Ringing is due to resonance due to the parasitic inductance of the power conversion circuit and the capacitance of the SBD. Such ringing may cause damage to the module when the peak value of the voltage exceeds the rated voltage of the power semiconductor device. In addition, ringing voltage fluctuations can cause noise, so it is necessary to suppress them as much as possible. In a switching element using a wide bandgap semiconductor typified by SiC-MOSFET, suppression of ringing has become an important issue in order to maximize the feature that high-speed switching operation is possible.
リンギング抑制する手段の一つとしてスナバ回路の適用がある。たとえば、特開２０１３−２２２９５０号公報（特許文献１）に開示された従来の電力用半導体モジュールは、リンギングを抑制する手段としてスナバコンデンサを内蔵している。また、スナバ回路に用いられるコンデンサに関連して、たとえば特開平１１−２３３３７３号公報（特許文献２）および特開２０１５−８２７０号公報(特許文献３）では、セラミックコンデンサが温度変化により受ける熱衝撃のために破壊される事を防止するため、コンデンサ本体の端子電極に金属板からなる端子部材がはんだ付けされた構造のセラミックコンデンサが開示されている。 There is an application of a snubber circuit as one of the means for suppressing ringing. For example, the conventional power semiconductor module disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-222950 (Patent Document 1) has a built-in snubber capacitor as a means for suppressing ringing. Further, in relation to the capacitor used in the snubber circuit, for example, in JP-A-11-233373 (Patent Document 2) and JP-A-2015-8270 (Patent Document 3), the thermal impact that the ceramic capacitor receives due to the temperature change A ceramic capacitor having a structure in which a terminal member made of a metal plate is soldered to a terminal electrode of a capacitor body is disclosed in order to prevent the capacitor from being destroyed.
特許文献１の電力用半導体モジュールでは、プリント基板（上基板）と半導体素子を載置した絶縁基板（下基板）とをスナバコンデンサを介して回路的に接続している。下基板などとコンデンサとははんだ接合されている。しかし、特許文献１に開示された上記構造は２つの基板を用いたものであって非常に複雑で、また、その製造方法は煩雑なものである。そのため、当該電力用半導体モジュールの実装時および実装後の使用中におけるスナバコンデンサと基板とのはんだ接合部の信頼性が確保出来ないと言う課題があった。 In the power semiconductor module of Patent Document 1, a printed circuit board (upper board) and an insulating board (lower board) on which a semiconductor element is placed are connected in a circuit manner via a snubber capacitor. The lower board and the capacitor are solder-bonded. However, the above structure disclosed in Patent Document 1 uses two substrates and is very complicated, and the manufacturing method thereof is complicated. Therefore, there is a problem that the reliability of the solder joint between the snubber capacitor and the substrate cannot be ensured at the time of mounting the power semiconductor module and during use after mounting.
また、特許文献２および特許文献３に開示されたコンデンサでは、当該コンデンサの端子部材と基板との接合部について、その信頼性を向上させる手段について言及されていない。当該接合部の信頼性は、電力用半導体モジュールの信頼性を左右する要因の１つである。 Further, in the capacitors disclosed in Patent Documents 2 and 3, there is no mention of a means for improving the reliability of the joint portion between the terminal member of the capacitor and the substrate. The reliability of the joint is one of the factors that affect the reliability of the power semiconductor module.
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、スイッチング素子のスイッチング動作時に発生するリンギングを抑制する事ができ、高い信頼性を有する電力用半導体モジュールを提供する事を目的とする。 The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and to provide a power semiconductor module capable of suppressing ringing generated during a switching operation of a switching element and having high reliability. The purpose.
本開示に従った電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの半導体素子と、導体パターンと、少なくとも１つのスナバ回路と、封止体と、中間部材と、接合材とを備える。導体パターンには、少なくとも１つの半導体素子が接続される。少なくとも１つのスナバ回路は、導体パターンと電気的に接続される。少なくとも１つのスナバ回路は、コンデンサと抵抗体とが直列に接続された回路である。封止体は、少なくとも１つの半導体素子、導体パターン、コンデンサおよび抵抗体を封止する。中間部材はコンデンサと接続される。接合材は、当該中間部材を導体パターンに接続する。 A power semiconductor module according to the present disclosure includes at least one semiconductor element, a conductor pattern, at least one snubber circuit, a sealant, an intermediate member, and a bonding material. At least one semiconductor element is connected to the conductor pattern. At least one snubber circuit is electrically connected to the conductor pattern. At least one snubber circuit is a circuit in which a capacitor and a resistor are connected in series. The sealant seals at least one semiconductor element, conductor pattern, capacitor and resistor. The intermediate member is connected to the capacitor. The joining material connects the intermediate member to the conductor pattern.
本開示によれば、コンデンサと導体パターンとの接合部にコンデンサに接続された中間部材を利用するため、導体パターンとコンデンサとの接合部の実装が容易になり当該接合部を信頼性高く形成することができる。このため、スナバ回路によりリンギングを抑制できるとともに、コンデンサと導体パターンとの接合部の不良などに起因する問題の発生を抑制できる。この結果、信頼性の高い電力用半導体モジュールを得ることができる。 According to the present disclosure, since an intermediate member connected to the capacitor is used at the joint between the capacitor and the conductor pattern, the joint between the conductor pattern and the capacitor can be easily mounted and the joint is formed with high reliability. be able to. Therefore, ringing can be suppressed by the snubber circuit, and the occurrence of problems caused by defects in the joint between the capacitor and the conductor pattern can be suppressed. As a result, a highly reliable power semiconductor module can be obtained.
以下、図面を参照しながら本発明の実施の形態について説明する。以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰り返さない。また、図１を含め、以下の図面では各構成部材の大きさの関係が実際のものとは異なる場合がある。さらに、明細書全文に表わされている構成要素の形態は、あくまでも例示であって、これらの記載に限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings below, the same or corresponding parts are given the same reference number, and the description is not repeated. Further, in the following drawings including FIG. 1, the relationship between the sizes of the constituent members may differ from the actual one. Furthermore, the forms of the components represented in the full text of the specification are merely examples, and are not limited to these descriptions.
実施の形態１．
＜電力用半導体モジュールの構成＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る電力変換装置における電力変換回路を示す模式図である。図２は、本発明の実施の形態１に係る電力用半導体モジュールの断面および上面の一部を示す模式図である。図５は、図２に示した電力用半導体モジュールのコンデンサ実装部の上面および断面を示す模式図である。図６は、図２に示した電力用半導体モジュールの抵抗体実装部の断面を示す模式図である。図１〜図６を用いて、本実施形態に係る電力用半導体モジュールを説明する。Embodiment 1.
<Structure of semiconductor module for electric power>
FIG. 1 is a schematic diagram showing a power conversion circuit in the power conversion device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view showing a cross section and a part of the upper surface of the power semiconductor module according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is a schematic view showing the upper surface and the cross section of the capacitor mounting portion of the power semiconductor module shown in FIG. FIG. 6 is a schematic view showing a cross section of a resistor mounting portion of the power semiconductor module shown in FIG. The power semiconductor module according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 6.
図１では、電力変換装置は一つの電力用半導体モジュール１０１で構成され、モーター１０２を駆動する。電力用半導体モジュール１０１は、３つのレグ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃが電源３０に対して並列に接続されている。各レグ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃは、それぞれ正極側スイッチング素子１０３Ｐと正極側還流ダイオード１０４Ｐと負極側スイッチング素子１０３Ｎと負極側還流ダイオード１０４Ｎとを含む。 In FIG. 1, the power conversion device is composed of one power semiconductor module 101 and drives the motor 102. In the power semiconductor module 101, three legs 105a, 105b, and 105c are connected in parallel to the power supply 30. Each leg 105a, 105b, 105c includes a positive electrode side switching element 103P, a positive electrode side freewheeling diode 104P, a negative electrode side switching element 103N, and a negative electrode side freezing diode 104N, respectively.
レグ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃでは、互いに逆並列接続された正極側スイッチング素子１０３Ｐと正極側還流ダイオード１０４Ｐとが正極側電力用半導体素子を構成している。また、互いに逆並列接続された負極側スイッチング素子１０３Ｎと負極側還流ダイオード１０４Ｎとが負極側電力用半導体素子を構成している。各レグ１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃの正極側電力用半導体素子と負極側電力用半導体素子との接続点である中点がそれぞれモーター１０２と接続される。上記正極側電力用半導体素子および上記負極側電力用半導体素子が、本実施の形態に係る少なくとも１つの半導体素子の一例に相当する。 In the legs 105a, 105b, and 105c, the positive electrode side switching element 103P and the positive electrode side freewheeling diode 104P, which are connected in antiparallel to each other, constitute a positive electrode side power semiconductor element. Further, the negative electrode side switching element 103N and the negative electrode side freewheeling diode 104N, which are connected in antiparallel to each other, constitute a negative electrode side power semiconductor element. The midpoint, which is the connection point between the positive electrode side power semiconductor element and the negative electrode side power semiconductor element of each leg 105a, 105b, 105c, is connected to the motor 102, respectively. The positive electrode side power semiconductor element and the negative electrode side power semiconductor element correspond to an example of at least one semiconductor element according to the present embodiment.
レグ１０５ｃでは、正極側電力用半導体素子と負極側電力用半導体素子との直列回路に対して、スナバ回路１０６が並列に接続されている。スナバ回路１０６は、コンデンサ２０９と抵抗体２１０とが直列に接続された回路である。なお、図１に示した回路では、スナバ回路１０６はレグ１０５ｃのみに配置されているが、スナバ回路１０６を他のレグ１０５ａ、１０５ｂに配置してもよいし、レグ１０５ａ〜１０５ｃのいずれか二つにスナバ回路１０６を配置してもよいし、すべてのレグ１０５ａ〜１０５ｃのそれぞれにスナバ回路１０６を配置してもよい。 In the leg 105c, the snubber circuit 106 is connected in parallel to the series circuit of the positive electrode side power semiconductor element and the negative electrode side power semiconductor element. The snubber circuit 106 is a circuit in which a capacitor 209 and a resistor 210 are connected in series. In the circuit shown in FIG. 1, the snubber circuit 106 is arranged only on the leg 105c, but the snubber circuit 106 may be arranged on other legs 105a and 105b, or any two of the legs 105a to 105c. The snubber circuit 106 may be arranged at one time, or the snubber circuit 106 may be arranged at each of the legs 105a to 105c.
以下では、正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび負極側スイッチング素子１０３Ｎ（以下、単にスイッチング素子とも呼ぶ）としてＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ、正極側還流ダイオード１０４Ｐおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎ（以下、単に還流ダイオードとも呼ぶ）としてＳｉＣ−ＳＢＤを適用した例について説明する。 In the following, the positive electrode side switching element 103P and the negative electrode side switching element 103N (hereinafter, also simply referred to as switching elements) are SiC-MOSFETs, and the positive electrode side freewheeling diode 104P and the negative electrode side freezing diode 104N (hereinafter, also simply referred to as freezing diodes) are SiC. An example in which -SBD is applied will be described.
図１に示したように、電力変換回路における還流ダイオードとしてＳｉＣ−ＳＢＤを搭載した電力用半導体モジュールを用いた場合、スイッチング動作時にリンギングが発生する場合がある。リンギングは、上述のように電力変換回路の寄生インダクタンスとＳＢＤの容量とによる共振に起因するものである。このようなリンギングは、その電圧のピーク値が電力用半導体モジュールの定格電圧を超えると、当該モジュールの破損を引き起こしかねない。また、リンギングにおける電圧はノイズの原因となりうることから、リンギングを極力抑制する必要がある。 As shown in FIG. 1, when a power semiconductor module equipped with SiC-SBD is used as a freewheeling diode in a power conversion circuit, ringing may occur during a switching operation. Ringing is caused by resonance due to the parasitic inductance of the power conversion circuit and the capacitance of the SBD as described above. Such ringing may cause damage to the power semiconductor module when the peak value of the voltage exceeds the rated voltage of the power semiconductor module. Further, since the voltage in ringing can cause noise, it is necessary to suppress ringing as much as possible.
このようなリンギングの抑制に有効な手段として、図１に示す電力変換装置ではスナバ回路１０６を設置している。スナバ回路１０６は正極側電力用半導体素子の正電極と負極側電力用半導体素子の負電極の間に実装される。 As an effective means for suppressing such ringing, a snubber circuit 106 is installed in the power conversion device shown in FIG. The snubber circuit 106 is mounted between the positive electrode of the positive electrode side power semiconductor element and the negative electrode of the negative electrode side power semiconductor element.
図２は、図１に示した電力変換回路を実装した電力変換装置の一例の断面および上面の一部を示している。図２の上側は電力変換装置の断面を示し、図２の下側は電力変換装置の上面の一部を示している。図２に示すように、本実施の形態に係る電力変換装置は、ベース板２０１と、ベース絶縁基板２０３と、半導体素子２０４と、スナバ回路と、ケース２０２とを主に備える。スナバ回路は、セラミックコンデンサであるコンデンサ２０９と抵抗体２１０とにより構成される。ベース絶縁基板２０３は、板状の絶縁材２０３ｂと、絶縁材２０３ｂの上面に形成された導体パターン２０３ａ、２０３ｄ〜２０３ｈと、絶縁材２０３ｂの裏面に形成された導体パターン２０３ｃとを主に含む。半導体素子２０４はスイッチング素子２０４ａとしてのＳｉＣ−ＭＯＳＦＥＴ、および還流ダイオード２０４ｂとしてのＳｉＣ−ＳＢＤを含む。たとえば、スイッチング素子２０４ａは図１における正極側スイッチング素子１０３Ｐまたは負極側スイッチング素子１０３Ｎであってもよい。また、還流ダイオード２０４ｂは、図１における正極側還流ダイオード１０４Ｐまたは負極側還流ダイオード１０４Ｎであってもよい。 FIG. 2 shows a cross section and a part of the upper surface of an example of a power conversion device on which the power conversion circuit shown in FIG. 1 is mounted. The upper side of FIG. 2 shows a cross section of the power conversion device, and the lower side of FIG. 2 shows a part of the upper surface of the power conversion device. As shown in FIG. 2, the power conversion device according to the present embodiment mainly includes a base plate 201, a base insulating substrate 203, a semiconductor element 204, a snubber circuit, and a case 202. The snubber circuit is composed of a capacitor 209, which is a ceramic capacitor, and a resistor 210. The base insulating substrate 203 mainly includes a plate-shaped insulating material 203b, conductor patterns 203a and 203d to 203h formed on the upper surface of the insulating material 203b, and a conductor pattern 203c formed on the back surface of the insulating material 203b. The semiconductor element 204 includes a SiC-MOSFET as a switching element 204a and a SiC-SBD as a freewheeling diode 204b. For example, the switching element 204a may be the positive electrode side switching element 103P or the negative electrode side switching element 103N in FIG. Further, the freewheeling diode 204b may be the positive electrode side freewheeling diode 104P or the negative electrode side freewheeling diode 104N in FIG.
図２に示す電力変換装置では、ベース板２０１の上面にベース絶縁基板２０３がはんだ２０７ｂ（基板下はんだ）により接合されている。具体的には、はんだ２０７ｂはベース絶縁基板２０３の裏面側の導体パターン２０３ｃとベース板２０１の上面とに接触している。ベース絶縁基板２０３の上面には半導体素子２０４がはんだ２０７ａ（チップ下はんだ）により接合されている。半導体素子２０４とケース２０２に設置された端子２０８とは、配線部材２０６により結線されている。具体的には、図２に示された端子２０８に接続された配線部材２０６は、導体パターン２０３ｈおよびスイッチング素子２０４ａと接続されている。また、スイッチング素子２０４ａのたとえばソース電極と接続された他の配線部材２０６は、還流ダイオード２０４ｂおよび導体パターン２０３ｄと接続されている。別の配線部材２０６は、導体パターン２０３ｇと端子２０８とを接続する。 In the power conversion device shown in FIG. 2, the base insulating substrate 203 is joined to the upper surface of the base plate 201 by solder 207b (solder under the substrate). Specifically, the solder 207b is in contact with the conductor pattern 203c on the back surface side of the base insulating substrate 203 and the upper surface of the base plate 201. A semiconductor element 204 is bonded to the upper surface of the base insulating substrate 203 by solder 207a (solder under the chip). The semiconductor element 204 and the terminal 208 installed on the case 202 are connected by a wiring member 206. Specifically, the wiring member 206 connected to the terminal 208 shown in FIG. 2 is connected to the conductor pattern 203h and the switching element 204a. Further, another wiring member 206 connected to, for example, the source electrode of the switching element 204a is connected to the freewheeling diode 204b and the conductor pattern 203d. Another wiring member 206 connects the conductor pattern 203g and the terminal 208.
コンデンサ２０９と抵抗体２１０とはベース絶縁基板２０３の上面に載置され、直列に接続されている。具体的には、抵抗体２１０は導体パターン２０３ｄと導体パターン２０３ｅとの間を繋ぐように配置されている。導体パターン２０３ｅはコンデンサ２０９の一方の側の電極と接続されている。導体パターン２０３ｅとは異なる導体パターン２０３ｆとコンデンサ２０９のもう一方の側の電極とは接続されている。つまり、コンデンサ２０９は、導体パターン２０３ｅと導体パターン２０３ｆとを繋ぐように配置されている。コンデンサ２０９と抵抗体２１０とは導体パターン２０３ｅを介して直列に接続されている。 The capacitor 209 and the resistor 210 are placed on the upper surface of the base insulating substrate 203 and connected in series. Specifically, the resistor 210 is arranged so as to connect the conductor pattern 203d and the conductor pattern 203e. The conductor pattern 203e is connected to an electrode on one side of the capacitor 209. The conductor pattern 203f, which is different from the conductor pattern 203e, and the electrode on the other side of the capacitor 209 are connected. That is, the capacitor 209 is arranged so as to connect the conductor pattern 203e and the conductor pattern 203f. The capacitor 209 and the resistor 210 are connected in series via the conductor pattern 203e.
導体パターン２０３ａは半導体素子２０４を載置した正極側ドレイン電極である。スナバ回路を形成するコンデンサ２０９において、コンデンサ２０９の耐圧は電力用半導体装置の定格電圧により選択されるべきものである。しかし、コンデンサ２０９は、電力用半導体装置の定格電圧以上の耐圧を有している事が望ましい。一つのコンデンサ２０９で耐圧を満たさない場合は、セラミックコンデンサを直列に接続して複数のセラミックコンデンサで耐圧を確保しても良い。この際に、複数のコンデンサ２０９の電気的特性は実質的に同じである事が好ましい。すなわち、図２の下側の平面図に示すように、それぞれ独立した導体パターン２０３ｅと導体パターン２０３ｆと導体パターン２０３ｇをコンデンサ２０９により直列に接続してもよい。なお、図示しないが導体パターン２０３ｇは負極側のドレイン電極と接続されている。 The conductor pattern 203a is a positive electrode side drain electrode on which the semiconductor element 204 is placed. In the capacitor 209 forming the snubber circuit, the withstand voltage of the capacitor 209 should be selected according to the rated voltage of the power semiconductor device. However, it is desirable that the capacitor 209 has a withstand voltage equal to or higher than the rated voltage of the power semiconductor device. If one capacitor 209 does not satisfy the withstand voltage, ceramic capacitors may be connected in series to secure the withstand voltage with a plurality of ceramic capacitors. At this time, it is preferable that the electrical characteristics of the plurality of capacitors 209 are substantially the same. That is, as shown in the lower plan view of FIG. 2, the independent conductor pattern 203e, the conductor pattern 203f, and the conductor pattern 203g may be connected in series by the capacitor 209. Although not shown, the conductor pattern 203g is connected to the drain electrode on the negative electrode side.
なお、本発明の実施の形態では、コンデンサ２０９の一例として積層セラミックコンデンサを想定して説明する。しかし、コンデンサの本来の機能である、静電荷を蓄えたり放出したりする機能を有しており、使用にあたり十分な静電容量と耐圧を有していれば他の任意の構成のコンデンサを用いることができる。たとえば、コンデンサ２０９として、高誘電率材料を積層化した薄膜コンデンサを用いてもよい。このような薄膜コンデンサは、例えば、半導体製造技術を活用して形成できる。 In the embodiment of the present invention, a monolithic ceramic capacitor will be described as an example of the capacitor 209. However, it has the function of storing and discharging static electricity, which is the original function of the capacitor, and if it has sufficient capacitance and withstand voltage for use, a capacitor of any other configuration is used. be able to. For example, as the capacitor 209, a thin film capacitor in which a high dielectric constant material is laminated may be used. Such a thin film capacitor can be formed by utilizing, for example, a semiconductor manufacturing technique.
また、図３に示すように、複数のコンデンサ２０９ａ、２０９ｂを直列に接続する構成としてもよい。図３は、図２に示した電力用半導体モジュールのコンデンサ実装部の変形例の上面模式図である。図４は、図３に示したコンデンサ実装部の等価回路図である。図３に示すように、２つのコンデンサ２０９ａ、２０９ｂがスナバ回路用基板２３０に搭載されている。さらに、３つの抵抗体２３３ａ、２３３ｂ、２１０がスナバ回路用基板２３０に搭載されている。 Further, as shown in FIG. 3, a plurality of capacitors 209a and 209b may be connected in series. FIG. 3 is a schematic top view of a modified example of the capacitor mounting portion of the power semiconductor module shown in FIG. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the capacitor mounting portion shown in FIG. As shown in FIG. 3, two capacitors 209a and 209b are mounted on the snubber circuit board 230. Further, three resistors 233a, 233b, and 210 are mounted on the snubber circuit board 230.
スナバ回路用基板２３０は、セラミック基板２３０ａと、当該セラミック基板２３０ａの表面上に配置された導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅ、２３０ｆと、セラミック基板２３０ａの裏面側に配置された導体パターン（図示せず）とを含む。導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅ、２３０ｆは、互いに間隔を隔ててセラミック基板２３０ａの表面上に配置されている。導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅ、２３０ｆは互いにほぼ平行に延びるように配置されている。導体パターン２３０ｆはスルーホール２３２によりセラミック基板２３０ａの裏面側に配置された導体パターンと電気的に接続されている。スルーホール２３２は複数形成されている。 The snubber circuit board 230 includes a ceramic substrate 230a, conductor patterns 230c, 230d, 230e, 230f arranged on the surface of the ceramic substrate 230a, and a conductor pattern arranged on the back surface side of the ceramic substrate 230a (not shown). ) And. The conductor patterns 230c, 230d, 230e, and 230f are arranged on the surface of the ceramic substrate 230a at intervals from each other. The conductor patterns 230c, 230d, 230e, and 230f are arranged so as to extend substantially parallel to each other. The conductor pattern 230f is electrically connected to the conductor pattern arranged on the back surface side of the ceramic substrate 230a by a through hole 232. A plurality of through holes 232 are formed.
コンデンサ２０９ａは導体パターン２３０ｃと導体パターン２３０ｄとを接続する。コンデンサ２０９ｂは導体パターン２３０ｄと導体パターン２３０ｅとを接続する。抵抗体２３３ａは導体パターン２３０ｃと導体パターン２３０ｄとを接続する。抵抗体２３３ｂは導体パターン２３０ｄと導体パターン２３０ｅとを接続する。抵抗体２１０は導体パターン２３０ｅと導体パターン２３０ｆとを接続する。図４からもわかるように、２つのコンデンサ２０９ａ、２０９ｂおよび抵抗体２１０は直列に接続されている。抵抗体２３３ａはコンデンサ２０９ａと並列に接続されている。抵抗体２３３ｂはコンデンサ２０９ｂと並列に接続されている。すなわち、各コンデンサ２０９ａ、２０９ｂに均等に電圧を分圧するために、各コンデンサ２０９ａ、２０９ｂに並列に分圧抵抗としての抵抗体２３３ａ、２３３ｂが接続されている。ここで、分圧抵抗としての抵抗体２３３ａ、２３３ｂは、コンデンサ２０９ａ、２０９ｂに直列接続された抵抗体２１０に比較して、１０００倍以上の抵抗値を有する抵抗体であることが好ましい。また、複数のコンデンサ２０９ａ、２０９ｂに並列接続される各分圧抵抗である抵抗体２３３ａ、２３３ｂの電気的特性は実質的に同じである事が好ましい。 The capacitor 209a connects the conductor pattern 230c and the conductor pattern 230d. The capacitor 209b connects the conductor pattern 230d and the conductor pattern 230e. The resistor 233a connects the conductor pattern 230c and the conductor pattern 230d. The resistor 233b connects the conductor pattern 230d and the conductor pattern 230e. The resistor 210 connects the conductor pattern 230e and the conductor pattern 230f. As can be seen from FIG. 4, the two capacitors 209a and 209b and the resistor 210 are connected in series. The resistor 233a is connected in parallel with the capacitor 209a. The resistor 233b is connected in parallel with the capacitor 209b. That is, in order to divide the voltage evenly into the capacitors 209a and 209b, resistors 233a and 233b as voltage dividing resistors are connected in parallel with the capacitors 209a and 209b. Here, the resistors 233a and 233b as the voltage dividing resistors are preferably resistors having a resistance value 1000 times or more that of the resistors 210 connected in series to the capacitors 209a and 209b. Further, it is preferable that the electrical characteristics of the resistors 233a and 233b, which are the voltage dividing resistors connected in parallel to the plurality of capacitors 209a and 209b, are substantially the same.
ベース板２０１の外周に沿って、ケース２０２が取り付けられている。ベース板２０１、ベース絶縁基板２０３、半導体素子２０４、コンデンサ２０９、抵抗体２１０、配線部材２０６、端子２０８の一部を覆うように、ケース２０２内部は封止体２０５により満たされている。 A case 202 is attached along the outer circumference of the base plate 201. The inside of the case 202 is filled with a sealing body 205 so as to cover a part of the base plate 201, the base insulating substrate 203, the semiconductor element 204, the capacitor 209, the resistor 210, the wiring member 206, and the terminal 208.
ケース２０２は任意の樹脂により構成してもよいが、たとえばポリフェニルサルファイド樹脂（ＰＰＳ）またはポリブチレンテレフタレート樹脂（ＰＢＴ）またはポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）からなる。ベース絶縁基板２０３の絶縁材２０３ｂはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、および窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）などのセラミックス材だけでなく、エポキシ材や液晶ポリマーなどのバインダー材にシリカ、アルミナ、および窒化ホウ素（ＢＮ）などのフィラーが混練されたような有機絶縁層であってもよい。また、導体パターン２０３ａおよび導体パターン２０３ｃはたとえば銅（Cu）膜であるが、銅膜の表面にニッケル（Ｎｉ）めっきまたは銀（Ａｇ）めっきが施されていてもよい。導体パターン２０３ａおよび導体パターン２０３ｃは、アルミニウム（Ａｌ）膜の表面にＮｉめっきまたはＡｇめっきが施されたものでもよい。The case 202 may be made of any resin, for example, polyphenylene sulfide resin (PPS), polybutylene terephthalate resin (PBT), or polyethylene terephthalate resin (PET). The insulating material 203b of the base insulating substrate 203 can be used not only as a ceramic material such as alumina (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), and silicon nitride (Si 3 N 4 ), but also as a binder material such as an epoxy material and a liquid crystal polymer. It may be an organic insulating layer in which a filler such as silica, alumina, and boron nitride (BN) is kneaded. Further, although the conductor pattern 203a and the conductor pattern 203c are, for example, copper (Cu) films, nickel (Ni) plating or silver (Ag) plating may be applied to the surface of the copper films. The conductor pattern 203a and the conductor pattern 203c may be Ni-plated or Ag-plated on the surface of an aluminum (Al) film.
半導体素子２０４はスイッチング素子２０４ａとしてＳｉＣ―ＭＯＳＦＥＴ、還流ダイオード２０４ｂとしてＳｉＣ―ＳＢＤを用いている、珪素（Ｓｉ）を基材とするＳｉ―ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）およびＳｉ―ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）をそれぞれスイッチング素子２０４ａおよび還流ダイオード２０４ｂとして用いてもよい。半導体素子２０４上に配置される配線部材２０６はたとえばＡｌワイヤであり、ウェッジボンディングにより半導体素子２０４表面と接合されている。ただし、配線部材２０６としては導電性があればよく、例えばＣｕワイヤを用いてもよい。また、配線部材２０６はワイヤ形状ではなく板材であってもよい。配線部材２０６と半導体素子２０４との接合は、ウェッジボンディングとは異なる接合方法を用いてもよい。たとえば、半導体素子２０４上面に例えばＮｉ／Ａｕめっき、Ｃｕめっき、またはＡｇめっきを施してある場合、はんだ、Ａｇを含有した接着剤、またはＡｇ焼結材により配線部材２０６と半導体素子２０４とを接合していてもよい。チップ下はんだ２０７ａはたとえばＳｎを基材としたはんだ材であるが、Ａｇ焼結材によりベース絶縁基板２０３表面側の導体パターン２０３ａと半導体素子２０４とを接合していてもよい。封止体２０５はたとえばシリコンゲルであるが、電力用半導体モジュールの使用に当たり十分な絶縁性を有していればよく、封止体２０５としてフィラーが混練されたエポキシ材を用いてもよい。 The semiconductor element 204 uses a SiC-MOSFET as the switching element 204a and a SiC-SBD as the freewheeling diode 204b. The silicon (Si) -based Si-IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) and Si-FWD (Free Wheeling Diode) are used. ) May be used as the switching element 204a and the freewheeling diode 204b, respectively. The wiring member 206 arranged on the semiconductor element 204 is, for example, an Al wire, and is bonded to the surface of the semiconductor element 204 by wedge bonding. However, the wiring member 206 may be electrically conductive, and for example, a Cu wire may be used. Further, the wiring member 206 may be a plate material instead of a wire shape. A joining method different from wedge bonding may be used for joining the wiring member 206 and the semiconductor element 204. For example, when the upper surface of the semiconductor element 204 is plated with Ni / Au, Cu, or Ag, for example, the wiring member 206 and the semiconductor element 204 are joined by solder, an adhesive containing Ag, or an Ag sintered material. You may be doing it. The under-chip solder 207a is, for example, a solder material using Sn as a base material, but the conductor pattern 203a on the surface side of the base insulating substrate 203 and the semiconductor element 204 may be joined by an Ag sintered material. The sealant 205 is, for example, a silicon gel, but it may have sufficient insulating properties for use in the power semiconductor module, and an epoxy material kneaded with a filler may be used as the sealant 205.
ここで、コンデンサ２０９と導体パターン２０３ｅ、２０３ｆとははんだ接合部２１１により接続されている。当該はんだ接合部２１１は、半導体素子２０４が導体パターン２０３ａにはんだ付けされる工程、もしくは、ベース絶縁基板２０３がベース板２０１とはんだ付けされる工程において同時に形成される事が効率的で好ましい。はんだ付け工法については、以下詳細を説明する。 Here, the capacitor 209 and the conductor patterns 203e and 203f are connected by a solder joint portion 211. It is efficient and preferable that the solder joint portion 211 is formed at the same time in the step of soldering the semiconductor element 204 to the conductor pattern 203a or the step of soldering the base insulating substrate 203 to the base plate 201. The details of the soldering method will be described below.
パワーモジュールのはんだ付けでは、はんだペースト材に含有されるフラックスに起因するボイド発生やはんだの飛散（はんだボール）が懸念されることから、フラックスを含有したはんだペースト材を適用する事は一般的に少ない。そこで、半導体素子のはんだ付けでは、還元雰囲気下ではんだ材を還元しながらはんだを溶融させるはんだ付け工法を適用する場合がある。この還元雰囲気下でのはんだ付け工法を採用する場合、板状のはんだ材を導体パターン上に載置して、更に当該はんだ材の上に半導体素子を載置してはんだ付けを実施する。コンデンサ２０９をベース絶縁基板２０３上の半導体素子２０４と同一面にはんだ付けする際に、半導体素子２０４と同時にはんだ付けする事は、コンデンサ２０９を実装する事による工数増加を招かない事から非常に効率的である。 When soldering a power module, it is common to apply a solder paste material containing flux because there is a concern about void generation and solder scattering (solder balls) due to the flux contained in the solder paste material. Few. Therefore, in the soldering of semiconductor elements, a soldering method that melts the solder while reducing the solder material in a reducing atmosphere may be applied. When the soldering method under this reducing atmosphere is adopted, a plate-shaped solder material is placed on a conductor pattern, and a semiconductor element is further placed on the solder material to perform soldering. When soldering the capacitor 209 on the same surface as the semiconductor element 204 on the base insulating substrate 203, soldering at the same time as the semiconductor element 204 is very efficient because it does not increase the number of steps due to mounting the capacitor 209. Is the target.
具体的には、板状のはんだ材を導体パターンの上に載置して、更にそのはんだ材上にコンデンサ２０９のはんだ付け部を載置する。もしくは、導体パターン２０３ｅ、２０３ｆの上にコンデンサ２０９を載置して、その近傍に矩形状もしくは球状のはんだ材を載置する。この状態ではんだ材を溶融して濡れ広げる事でコンデンサ２０９をはんだ付けする。この際、はんだの濡れ広がる領域を限定するためにソルダーレジストなどからなる部材を導体パターン２０３ｅ、２０３ｆ上に予め印刷しておいてもよい。ここでは、半導体素子２０４と同時にコンデンサ２０９を実装する工法について記載したが、ベース絶縁基板２０３をベース板２０１にはんだ付けする際に、同種の方法でコンデンサ２０９を導体パターン２０３ｅ、２０３ｆに接続してもよい。 Specifically, a plate-shaped solder material is placed on the conductor pattern, and the soldered portion of the capacitor 209 is further placed on the solder material. Alternatively, the capacitor 209 is placed on the conductor patterns 203e and 203f, and a rectangular or spherical solder material is placed in the vicinity thereof. In this state, the capacitor 209 is soldered by melting the solder material and spreading it wet. At this time, a member made of a solder resist or the like may be printed in advance on the conductor patterns 203e and 203f in order to limit the area where the solder is wet and spread. Here, the method of mounting the capacitor 209 at the same time as the semiconductor element 204 has been described. However, when the base insulating substrate 203 is soldered to the base plate 201, the capacitor 209 is connected to the conductor patterns 203e and 203f by the same method. May be good.
コンデンサ２０９はサイズや内蔵される電極枚数に依存するが、およそ２ｇ／ｃｍ３以上６ｇ／ｃｍ３以下の密度を有する。はんだ付け時には、コンデンサ２０９の自重により、溶融したはんだがコンデンサ２０９の直下の領域から押し出され、はんだ接合部２１１の厚みは薄くなる。なお、コンデンサ２０９の静電容量は、たとえば１ｎＦ以上３０ｎＦ以下といった数値範囲であればリンギング抑制効果が大きい。The capacitor 209 has a density of about 2 g / cm 3 or more and 6 g / cm 3 or less, although it depends on the size and the number of built-in electrodes. At the time of soldering, due to the weight of the capacitor 209, the molten solder is extruded from the region directly below the capacitor 209, and the thickness of the solder joint portion 211 becomes thin. If the capacitance of the capacitor 209 is in a numerical range such as 1 nF or more and 30 nF or less, the ringing suppressing effect is large.
図５はコンデンサ２０９のはんだ接合部の構成例の詳細を図示した上面図と断面図とを示している。図５において上側の図が上面図であり、下側の図が断面図である。コンデンサ２０９はコンデンサ本体５０１ａと外部電極５０１ｂとを含む。図５に示した構成では、コンデンサ本体５０１ａが本実施の形態に係るコンデンサの一例に相当する。また、外部電極５０１ｂが本実施の形態に係る中間部材の一例に相当する。ベース絶縁基板２０３は、セラミック基板５０４ｃと、当該セラミック基板５０４ｃの上面上に形成された導体パターン５０４ａ、５０４ｂと、セラミック基板５０４ｃの下面上に形成された導体パターン５０４ｄとを含む。外部電極５０１ｂは、正極側の導体パターン５０４ａおよび負極側の導体パターン５０４ｂと、はんだ接合部２１１により接続されている。はんだ接合部２１１が本実施の形態に係る接合材の一例に相当する。正極側の導体パターン５０４ａおよび負極側の導体パターン５０４ｂの上にははんだが濡れ広がる事を防止するためのソルダーレジスト５０３ａ、５０３ｂが形成されている。ソルダーレジスト５０３ｂの上にコンデンサ２０９が搭載されている。ソルダーレジスト５０３ａ、５０３ｂの厚みはたとえば１０μｍ以上３０μｍ以下である。溶融したはんだがコンデンサ２０９の自重により押し広げられて、セラミックコンデンサ外部電極５０１ｂと接続されたはんだ接合部２１１を形成する。そのため、セラミックコンデンサ外部電極５０１ｂとベース絶縁基板２０３の導体パターン５０４ａとの間に配置されるはんだ厚さはソルダーレジスト５０３ｂの厚みとほぼ同等しか確保が出来ない。このため、ソルダーレジスト５０３ｂの厚みが十分ではない場合、パワーモジュールの接合信頼性として要求される接合寿命を得るには不十分なはんだ接合部２１１の厚さしか確保出来ないと言う課題があった。 FIG. 5 shows a top view and a cross-sectional view showing details of a configuration example of a solder joint portion of the capacitor 209. In FIG. 5, the upper view is a top view and the lower view is a cross-sectional view. The capacitor 209 includes a capacitor body 501a and an external electrode 501b. In the configuration shown in FIG. 5, the capacitor main body 501a corresponds to an example of the capacitor according to the present embodiment. Further, the external electrode 501b corresponds to an example of the intermediate member according to the present embodiment. The base insulating substrate 203 includes a ceramic substrate 504c, conductor patterns 504a and 504b formed on the upper surface of the ceramic substrate 504c, and a conductor pattern 504d formed on the lower surface of the ceramic substrate 504c. The external electrode 501b is connected to the conductor pattern 504a on the positive electrode side and the conductor pattern 504b on the negative electrode side by a solder joint portion 211. The solder joint portion 211 corresponds to an example of the joint material according to the present embodiment. Solder resists 503a and 503b are formed on the conductor pattern 504a on the positive electrode side and the conductor pattern 504b on the negative electrode side to prevent the solder from spreading wet. A capacitor 209 is mounted on the solder resist 503b. The thickness of the solder resists 503a and 503b is, for example, 10 μm or more and 30 μm or less. The molten solder is spread by the weight of the capacitor 209 to form a solder joint 211 connected to the ceramic capacitor external electrode 501b. Therefore, the solder thickness arranged between the ceramic capacitor external electrode 501b and the conductor pattern 504a of the base insulating substrate 203 can be secured only substantially the same as the thickness of the solder resist 503b. Therefore, when the thickness of the solder resist 503b is not sufficient, there is a problem that only the thickness of the solder joint portion 211, which is insufficient to obtain the joint life required for the joint reliability of the power module, can be secured. ..
抵抗体２１０はその抵抗値がたとえば１Ω以上２０Ω以下程度であれば、リンギング抑制効果が大きい。図６に示すように、抵抗体２１０は、ベース絶縁基板２０３の正極側の導体パターン５０４ａと負極側の導体パターン５０４ｂとの間に直接形成されていてもよい。具体的には、抵抗体２１０は、導体パターン５０４ａの端部と導体パターン５０４ｂの端部とが対向する部分において、導体パターン５０４ａと導体パターン５０４ｂとの間にて露出するセラミック基板５０４ｃの表面上から導体パターン５０４ａ、５０４ｂの上記端部上にまで延びるように形成されている。抵抗体２１０は導体パターン５０４ａ、５０４ｂの上記端部と接続されている。 If the resistance value of the resistor 210 is, for example, 1Ω or more and 20Ω or less, the ringing suppressing effect is large. As shown in FIG. 6, the resistor 210 may be directly formed between the conductor pattern 504a on the positive electrode side and the conductor pattern 504b on the negative electrode side of the base insulating substrate 203. Specifically, the resistor 210 is on the surface of the ceramic substrate 504c exposed between the conductor pattern 504a and the conductor pattern 504b at a portion where the end of the conductor pattern 504a and the end of the conductor pattern 504b face each other. It is formed so as to extend from the conductor patterns 504a and 504b onto the ends thereof. The resistor 210 is connected to the ends of the conductor patterns 504a and 504b.
このような抵抗体２１０の製造方法としては、以下のような方法を用いることができる。たとえば、ベース絶縁基板２０３の製造工程における焼成工程前に、ベース絶縁基板２０３となるべき基板材料の表面に抵抗体２１０となるペースト剤を配置する。ペースト剤は、酸化ルテニウム（ＲｕＯ２）などの導体成分および固結剤などからなる。ペースト剤は抵抗体２１０が形成されるべき領域に印刷法などを用いて配置する。固結剤は、セラミック基板５０４ｃへ抵抗体２１０を付着させるために用いられる。その後、当該ペースト剤が塗布された基板材料を焼成してベース絶縁基板２０３を製造すると同時に、ペースト剤を加熱することで抵抗体２１０を形成する。As a method for producing such a resistor 210, the following method can be used. For example, before the firing step in the manufacturing process of the base insulating substrate 203, the paste agent to be the resistor 210 is arranged on the surface of the substrate material to be the base insulating substrate 203. The paste agent is composed of a conductor component such as ruthenium oxide (RuO 2 ) and a binder and the like. The paste agent is placed in the region where the resistor 210 should be formed by a printing method or the like. The caking agent is used to attach the resistor 210 to the ceramic substrate 504c. After that, the substrate material to which the paste agent is applied is fired to produce the base insulating substrate 203, and at the same time, the paste agent is heated to form the resistor 210.
また、上述のようにベース絶縁基板２０３上に直接抵抗体２１０を形成する方法ではなく、図７に示すように支持体としてのセラミック板５０６ｂ上に抵抗膜５０６ａを形成した部品単体として抵抗体２１０を準備してもよい。図７に示す抵抗体２１０は、ベース絶縁基板２０３の表面上に配置されている。ベース絶縁基板２０３は、セラミック基板５０４ｃと、セラミック基板５０４ｃの表面上に配置された導体パターン５０４ａ、５０４ｂ、５０４ｅと、セラミック基板５０４ｃの裏面上に配置された導体パターン５０４ｄとを含む。抵抗体２１０は導体パターン５０４ｅの表面上にはんだ５０８を介して接続されている。はんだ５０８は抵抗体２１０のセラミック板５０６ｂと導体パターン５０４ｅとを接続する。 Further, instead of the method of directly forming the resistor 210 on the base insulating substrate 203 as described above, the resistor 210 is formed as a single component having the resistor film 506a formed on the ceramic plate 506b as the support as shown in FIG. May be prepared. The resistor 210 shown in FIG. 7 is arranged on the surface of the base insulating substrate 203. The base insulating substrate 203 includes a ceramic substrate 504c, conductor patterns 504a, 504b, 504e arranged on the surface of the ceramic substrate 504c, and a conductor pattern 504d arranged on the back surface of the ceramic substrate 504c. The resistor 210 is connected to the surface of the conductor pattern 504e via solder 508. The solder 508 connects the ceramic plate 506b of the resistor 210 and the conductor pattern 504e.
セラミック板５０６ｂはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）などのセラミックスからなる。なお、導体パターン５０４ｅは正極用の導体パターン５０４ａもしくは負極用の導体パターン５０４ｂのいずれかと接続してあってもよい。抵抗体２１０の上面に複数のボンディングパッド５０６ｃを形成しておいてもよい。正極用の導体パターン５０４ａと負極用の導体パターン５０４ｂとは、導体パターン５０４ａとボンディングパッド５０６ｃとを繋ぐようにボンディングされた配線材５０７と、導体パターン５０４ｂと他のボンディングパッド５０６ｃとを繋ぐようにボンディングされた配線材５０７と、抵抗体２１０とを介して電気的に接続されていてもよい。The ceramic plate 506b is made of ceramics such as alumina (Al 2 O 3 ) and aluminum nitride (Al N). The conductor pattern 504e may be connected to either the conductor pattern 504a for the positive electrode or the conductor pattern 504b for the negative electrode. A plurality of bonding pads 506c may be formed on the upper surface of the resistor 210. The conductor pattern 504a for the positive electrode and the conductor pattern 504b for the negative electrode are such that the wiring material 507 bonded so as to connect the conductor pattern 504a and the bonding pad 506c, and the conductor pattern 504b and another bonding pad 506c are connected to each other. The bonded wiring material 507 and the resistor 210 may be electrically connected to each other.
ここで、図２に示したベース板２０１はＡｌＳｉＣ板やＣｕ板でも良いが、電力用半導体装置を使用するに当たり十分な強度を有するのであれば、図８に示すように、ベース板２０１（図２参照）が無い構造、すなわちベース絶縁基板２０３の裏面側の導体層２０３ｉがそのまま露出していてもよい。導体層２０３ｉはたとえば銅（Ｃｕ）からなっていてもよい。図８は、上述した電力用半導体モジュールの変形例の断面を示す模式図である。図８に示した電力用半導体モジュールは、基本的には図２に示した電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、ベース板２０１（図２参照）を備えていない点、およびベース絶縁基板２０３の外周部に直接ケース２０２が接続されている点、およびコンデンサ２０９の形状が、図２に示した電力用半導体モジュールと異なっている。図８に示した電力用半導体モジュールにおけるコンデンサ２０９は、コンデンサ本体３０６ａに金属端子３０６ｂが接続された構造を有する。金属端子３０６ｂはコンデンサ本体３０６ａの端面側に接続されている。金属端子３０６ｂはコンデンサ本体３０６ａの下側に向けて延びるように形成されている。金属端子３０６ｂの下側の端部が導体パターン２０３ｅ、２０３ｆとはんだ接合部２１１を介して接続されている。コンデンサ本体３０６ａと絶縁材２０３ｂとの間には空間が形成されている。図８に示した構成では、コンデンサ本体３０６ａが本実施の形態に係るコンデンサの一例に相当する。また、金属端子３０６ｂが本実施の形態に係る中間部材の一例に相当する。また、はんだ接合部２１１が本実施の形態に係る接合材の一例に相当する。 Here, the base plate 201 shown in FIG. 2 may be an AlSiC plate or a Cu plate, but if it has sufficient strength for using a power semiconductor device, the base plate 201 (FIG. 8) is shown in FIG. The structure without (see 2), that is, the conductor layer 203i on the back surface side of the base insulating substrate 203 may be exposed as it is. The conductor layer 203i may be made of, for example, copper (Cu). FIG. 8 is a schematic view showing a cross section of a modified example of the power semiconductor module described above. The power semiconductor module shown in FIG. 8 basically has the same configuration as the power semiconductor module shown in FIG. 2, but does not include the base plate 201 (see FIG. 2), and the base insulating substrate. The point that the case 202 is directly connected to the outer peripheral portion of 203 and the shape of the capacitor 209 are different from the power semiconductor module shown in FIG. The capacitor 209 in the power semiconductor module shown in FIG. 8 has a structure in which the metal terminal 306b is connected to the capacitor body 306a. The metal terminal 306b is connected to the end face side of the capacitor body 306a. The metal terminal 306b is formed so as to extend toward the lower side of the capacitor body 306a. The lower end of the metal terminal 306b is connected to the conductor patterns 203e and 203f via the solder joint 211. A space is formed between the capacitor body 306a and the insulating material 203b. In the configuration shown in FIG. 8, the capacitor main body 306a corresponds to an example of the capacitor according to the present embodiment. Further, the metal terminal 306b corresponds to an example of the intermediate member according to the present embodiment. Further, the solder joint portion 211 corresponds to an example of the joint material according to the present embodiment.
ここで、コンデンサ２０９を導体パターン２０３ｅ、２０３ｆとはんだ付けする場合、はんだ付けされる導体パターン２０３ｅ、２０３ｆがたとえばＣｕから構成されていると、当該導体パターン２０３ｅ、２０３ｆとコンデンサ２０９との線膨張率の差に起因して、はんだ付け時のはんだ材の凝固収縮、ベース絶縁基板２０３の反り変形、さらにはベース板２０１（図２参照）の反り変形が発生する。この結果、コンデンサ２０９が割れる、あるいははんだ接合部２１１の接合部寿命が極端に低下するといった問題が発生する。さらに、抵抗体２１０を備えている場合、抵抗体２１０が導体パターン２０３ｄ、２０３ｅから剥離する、あるいは抵抗体２１０のはんだ接合部の寿命が極端に低下する、といった問題があった。 Here, when the capacitor 209 is soldered to the conductor patterns 203e and 203f, if the conductor patterns 203e and 203f to be soldered are composed of, for example, Cu, the linear expansion rate of the conductor patterns 203e and 203f and the capacitor 209. Due to the difference between the two, solidification and shrinkage of the solder material during soldering, warpage deformation of the base insulating substrate 203, and warpage deformation of the base plate 201 (see FIG. 2) occur. As a result, there arises a problem that the capacitor 209 is cracked or the joint life of the solder joint 211 is extremely shortened. Further, when the resistor 210 is provided, there is a problem that the resistor 210 is peeled off from the conductor patterns 203d and 203e, or the life of the solder joint portion of the resistor 210 is extremely shortened.
このような問題を解決するために、前述のエポキシ樹脂からなる封止体２０５により電力用半導体モジュール内部を封止する事により、エポキシ樹脂が導体パターン２０３ａ、２０３ｄ〜２０３ｆ、コンデンサ２０９、および抵抗体２１０と十分に密着しているだけでなく、ベース絶縁基板２０３またはベース板２０１（図２参照）の反りや変形を抑制できる。このため、コンデンサ２０９のコンデンサ本体部５０１ａ、３０６ａに発生する応力、抵抗体２１０の抵抗膜に発生する応力、およびはんだ接合部２１１に発生する応力を低減させる事が可能となる。 In order to solve such a problem, the epoxy resin seals the inside of the power semiconductor module with the sealant 205 made of the epoxy resin described above, so that the epoxy resin forms the conductor patterns 203a, 203d to 203f, the capacitor 209, and the resistor. Not only is it sufficiently in close contact with the 210, but also warpage and deformation of the base insulating substrate 203 or the base plate 201 (see FIG. 2) can be suppressed. Therefore, it is possible to reduce the stress generated in the capacitor main bodies 501a and 306a of the capacitor 209, the stress generated in the resistance film of the resistor 210, and the stress generated in the solder joint portion 211.
更には、通電時にコンデンサ２０９や抵抗体２１０は発熱する。このコンデンサ２０９および抵抗体２１０の自己発熱により、コンデンサ２０９や抵抗体２１０の電気特性は変動してしまう。このため、上述した自己発熱に起因する熱を効率的に外部へ放出する必要がある。封止体２０５としてゲル材料を用いる場合と比較して、当該ゲル材料より熱伝導率が大きいエポキシ樹脂を封止体２０５として用いる事により、電力用半導体モジュールの放熱性が向上する。エポキシ樹脂の熱伝導率は混廉するフィラーの種類や含有量により調整が可能である。また、前述の通りフィラーの種類および含有量は硬化したエポキシ樹脂の線膨張特性とも密接に関連する。このため、封止体２０５の熱伝導率は０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下である事が好ましい。 Further, the capacitor 209 and the resistor 210 generate heat when energized. Due to the self-heating of the capacitor 209 and the resistor 210, the electrical characteristics of the capacitor 209 and the resistor 210 fluctuate. Therefore, it is necessary to efficiently release the heat caused by the self-heating described above to the outside. Compared with the case where a gel material is used as the sealing body 205, the heat dissipation of the power semiconductor module is improved by using an epoxy resin having a higher thermal conductivity than the gel material as the sealing body 205. The thermal conductivity of the epoxy resin can be adjusted by the type and content of the filler to be mixed. In addition, as described above, the type and content of the filler are closely related to the linear expansion characteristics of the cured epoxy resin. Therefore, the thermal conductivity of the sealing body 205 is preferably 0.5 W / m · K or more and 5 W / m · K or less.
特に、図８で示すように、図２で示したベース板２０１がなく絶縁材２０３ｂの裏面に直接接するように形成されたＣｕからなる導体層２０３ｉが露出している構造では、通電時の半導体素子２０４の発熱による導体層２０３ｉの線膨張に整合して当該導体層２０３ｉなどの反り変形を抑制するため、エポキシ樹脂による封止体２０５を用いることが好ましい。具体的には、硬化した際のエポキシ樹脂の線膨張率がＣｕの線膨張率１６．８ｐｐｍ／℃に近い値になるように、フィラー材の材質およびフィラー含有量を調整したエポキシ樹脂を封止体２０５として用いる事が好ましい。 In particular, as shown in FIG. 8, in the structure in which the conductor layer 203i made of Cu formed so as to be in direct contact with the back surface of the insulating material 203b without the base plate 201 shown in FIG. 2 is exposed, the semiconductor when energized It is preferable to use the sealing body 205 made of epoxy resin in order to suppress the warp deformation of the conductor layer 203i or the like in accordance with the linear expansion of the conductor layer 203i due to the heat generation of the element 204. Specifically, the epoxy resin whose filler material and filler content are adjusted is sealed so that the linear expansion coefficient of the epoxy resin when cured is close to the linear expansion coefficient of Cu at 16.8 ppm / ° C. It is preferable to use it as a body 205.
更には、導体層２０３ｉの反り挙動は、導体層２０３ｉ上の構造、具体的には絶縁材２０３ｂ、導体パターン２０３ａ、２０３ｄ〜２０３ｆ、２０３ｈ、スイッチング素子２０４ａおよび還流ダイオード２０４ｂなどの半導体素子２０４といった構成部材の影響を受ける。そのため、封止体２０５を構成するエポキシ材の線膨張率は１６．８ｐｐｍ／℃に限定する必要はなく、線膨張率を１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下の範囲で適宜選択することにより、導体層２０３ｉの反り挙動を抑制してもよい。 Further, the warp behavior of the conductor layer 203i is such that the structure on the conductor layer 203i, specifically, the insulating material 203b, the conductor patterns 203a, 203d to 203f, 203h, the switching element 204a, and the semiconductor element 204 such as the freewheeling diode 204b. Affected by members. Therefore, the coefficient of linear expansion of the epoxy material constituting the sealing body 205 does not need to be limited to 16.8 ppm / ° C., and the coefficient of linear expansion can be appropriately selected in the range of 10 ppm / ° C. or higher and 20 ppm / ° C. or lower to form a conductor. The warp behavior of the layer 203i may be suppressed.
また、図９に示す通り、コンデンサ２０９が覆われる高さまでエポキシ材からなる封止体２０５によって封止した後、たとえば封止体２０５とは異なる材料からなる上部封止体２１５を封止体２０５上に配置してもよい。上部封止体２１５としてはたとえば絶縁材を用いてもよい。 Further, as shown in FIG. 9, after sealing with the sealing body 205 made of an epoxy material to the height where the capacitor 209 is covered, for example, the upper sealing body 215 made of a material different from the sealing body 205 is put into the sealing body 205. It may be placed on top. As the upper sealing body 215, for example, an insulating material may be used.
具体的には、コンデンサ２０９の高さは当該コンデンサ２０９に必要な静電容量により任意に選択されるものであるが、当該高さはたとえば１ｍｍ以上３．５ｍｍ以下の範囲である。そのため、導体パターン２０３ａから封止体２０５の上部表面までの高さは少なくとも１ｍｍ以上である事が好ましい。一方で、配線部材２０６のループ高さは、ループ高さが高くなる事で配線インダクタンスが大きくなる事から、できるだけ低い方が好ましい。たとえば、導体パターン２０３ａから配線部材２０６のループの最高部である頂部までの高さが４ｍｍ以下である事が好ましい。また、封止体２０５は、配線部材２０６と半導体素子２０４との接合部および配線部材２０６を封止するので、配線部材２０６の上記接合部を補強する事が可能となる効果が得られるだけでなく、封止体２０５として高価なエポキシ材を用いる場合に、当該エポキシ材の使用量を少なくする事が出来るという効果も得られる。 Specifically, the height of the capacitor 209 is arbitrarily selected according to the capacitance required for the capacitor 209, and the height is, for example, in the range of 1 mm or more and 3.5 mm or less. Therefore, the height from the conductor pattern 203a to the upper surface of the sealing body 205 is preferably at least 1 mm or more. On the other hand, the loop height of the wiring member 206 is preferably as low as possible because the wiring inductance increases as the loop height increases. For example, the height from the conductor pattern 203a to the top of the loop of the wiring member 206 is preferably 4 mm or less. Further, since the sealing body 205 seals the joint portion between the wiring member 206 and the semiconductor element 204 and the wiring member 206, only the effect of being able to reinforce the joint portion of the wiring member 206 can be obtained. However, when an expensive epoxy material is used as the sealing body 205, the effect that the amount of the epoxy material used can be reduced can be obtained.
ここで封止体２１５は、封止体２０５と同じ材質を用いてもよいが、封止体２０５と異なる物性の材料を用いてもよい。例えば、封止体２１５の材料として、シリコンゲルを用いてもよく、封止体２０５とはフィラーの種類および含有量の少なくともいずれか一方を変更したエポキシ樹脂を用いてもよい。しかしながら、配線部材２０６のループの途中で封止体が異なる材料になる、つまり配線部材２０６のループの途中に封止体２０５と封止体２１５との界面が位置する構造となると、封止体２０５と封止体２１５との線膨張率の違いから、配線部材２０６のループが応力を受ける。具体的には、上記界面近傍の配線部材２０６のループは、電力用半導体モジュールの使用中の発熱によって繰り返し発生する封止体２０５、２１５の膨張収縮に起因する応力を受けて細り、結果的に疲労破壊が生じる場合がある。そのため、封止体２０５の高さは、配線部材２０６およびコンデンサ２０９のいずれもが覆われる高さであることが好ましい。 Here, the sealing body 215 may use the same material as the sealing body 205, but may use a material having different physical properties from the sealing body 205. For example, as the material of the sealing body 215, a silicon gel may be used, and with the sealing body 205, an epoxy resin in which at least one of the type and the content of the filler is changed may be used. However, if the material of the sealing body is different in the middle of the loop of the wiring member 206, that is, the interface between the sealing body 205 and the sealing body 215 is located in the middle of the loop of the wiring member 206, the sealing body is formed. Due to the difference in linear expansion coefficient between 205 and the sealing body 215, the loop of the wiring member 206 is stressed. Specifically, the loop of the wiring member 206 near the interface becomes thinner due to the stress caused by the expansion and contraction of the sealing bodies 205 and 215 that are repeatedly generated by the heat generated during the use of the power semiconductor module, and as a result. Fatigue fracture may occur. Therefore, the height of the sealing body 205 is preferably a height that covers both the wiring member 206 and the capacitor 209.
上述した電力用半導体モジュールの特徴的な構成を要約すれば、図１および図２に示した電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの半導体素子２０４と、導体パターン２０３ａ、２０３ｄ〜２０３ｆと、少なくとも１つのスナバ回路１０６と、封止体２０５とを備える。半導体素子２０４の一例としては、たとえば少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐと、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎとが挙げられる。導体パターン２０３ａには、少なくとも１つの半導体素子２０４が接続される。少なくとも１つのスナバ回路１０６は、コンデンサとしてのコンデンサ本体３０６ａ（図８参照）と抵抗体２１０とが直列に接続された回路である。封止体２０５は、少なくとも１つの半導体素子２０４、導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆ、コンデンサ本体３０６ａおよび抵抗体２１０を封止する。コンデンサ本体３０６ａは、中間部材としての金属端子３０６ｂ（図８参照）と接続される。接合材としてのはんだ接合部２１１により金属端子３０６ｂが導体パターン２０３ｅ、２０３ｆに接続されている。なお、封止体２０５は、図８に示すように少なくとも１つの半導体素子２０４、導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆ、コンデンサ本体３０６ａ、中間部材としての金属端子３０６ｂ、接合材としてのはんだ接合部２１１、および抵抗体２１０を封止してもよい。つまり、封止体２０５はベース絶縁基板２０３上に配置されたすべての構成要素を封止してもよい。 To summarize the characteristic configurations of the power semiconductor module described above, the power semiconductor module shown in FIGS. 1 and 2 includes at least one semiconductor element 204, conductor patterns 203a, 203d to 203f, and at least one. A snubber circuit 106 and a sealant 205 are provided. As an example of the semiconductor element 204, for example, at least one positive electrode side switching element 103P and positive electrode side freewheeling diode 104P, which are semiconductor elements for positive electrode side power, and at least one negative electrode side switching element 103N, which is a semiconductor element for negative electrode side power, and A negative electrode side freewheeling diode 104N can be mentioned. At least one semiconductor element 204 is connected to the conductor pattern 203a. At least one snubber circuit 106 is a circuit in which a capacitor body 306a (see FIG. 8) as a capacitor and a resistor 210 are connected in series. The sealing body 205 seals at least one semiconductor element 204, conductor patterns 203d to 203f as a conductor layer, a capacitor body 306a, and a resistor 210. The capacitor body 306a is connected to a metal terminal 306b (see FIG. 8) as an intermediate member. The metal terminals 306b are connected to the conductor patterns 203e and 203f by a solder joint portion 211 as a bonding material. As shown in FIG. 8, the encapsulant 205 includes at least one semiconductor element 204, conductor patterns 203d to 203f as a conductor layer, a capacitor body 306a, a metal terminal 306b as an intermediate member, and a solder joint as a bonding material. The 211 and the resistor 210 may be sealed. That is, the sealing body 205 may seal all the components arranged on the base insulating substrate 203.
また、異なる観点から言えば、図１および図２に示した電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐと、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎと、導体パターン２０３ａと、導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆと、少なくとも１つのスナバ回路１０６と、封止体２０５とを備える。導体パターン２０３ａには、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐ、および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎ、のいずれか一方である半導体素子２０４が接続される。導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆは、導体パターン２０３ａと同一レイヤにより構成される。少なくとも１つのスナバ回路１０６は、コンデンサ２０９と抵抗体２１０とが直列に接続された回路である。封止体２０５は、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子、導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆ、コンデンサ２０９および抵抗体２１０を封止する。コンデンサ２０９および抵抗体２１０の少なくともいずれか一方は、導体層としての導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆに接続される。封止体２０５はエポキシ樹脂を含む。 From a different point of view, the power semiconductor modules shown in FIGS. 1 and 2 include at least one positive electrode side power semiconductor element, a positive electrode side switching element 103P, a positive electrode side freewheeling diode 104P, and at least one negative electrode. A negative electrode side switching element 103N and a negative electrode side freewheeling diode 104N, which are semiconductor elements for side power, a conductor pattern 203a, conductor patterns 203d to 203f as a conductor layer, at least one snubber circuit 106, and a sealant 205. Be prepared. In the conductor pattern 203a, at least one positive electrode side switching element 103P and positive electrode side recirculation diode 104P, which are semiconductor elements for positive electrode side power, and at least one negative electrode side switching element 103N and negative electrode side recirculation, which are semiconductor elements for negative electrode side power. A semiconductor element 204, which is one of the electrodes 104N, is connected. The conductor patterns 203d to 203f as the conductor layer are formed of the same layer as the conductor pattern 203a. At least one snubber circuit 106 is a circuit in which a capacitor 209 and a resistor 210 are connected in series. The sealing body 205 seals at least one positive electrode side power semiconductor element, at least one negative electrode side power semiconductor element, conductor patterns 203d to 203f as a conductor layer, a capacitor 209, and a resistor 210. At least one of the capacitor 209 and the resistor 210 is connected to the conductor patterns 203d to 203f as the conductor layer. The sealant 205 contains an epoxy resin.
＜作用効果＞
図１〜図９に示した電力用半導体モジュールによれば、導体パターン２０３ｄ〜２０３ｇ、２３０ｃ〜２３０ｆとコンデンサ２０９、２０９ａ、２０９ｂまたは抵抗体２１０との接合部の実装が容易なため当該接合部を信頼性高く形成することができる。このため、スナバ回路１０６によりリンギングを抑制できるとともに、コンデンサ２０９、２０９ａ、２０９ｂまたは抵抗体２１０と導体パターン２０３ｄ〜２０３ｇ、２３０ｃ〜２３０ｆとの接合部の不良などに起因する問題の発生を抑制できる。さらに、封止体２０５としてエポキシ樹脂を用いるため、導体パターン２０３ａ、２０３ｄ〜２０３ｆ、２３０ｃ〜２３０ｆの変形を封止体２０５により抑制できる。このため、当該導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆ、２３０ｃ〜２３０ｆとコンデンサ２０９、２０９ａ、２０９ｂまたは抵抗体２１０との接合部における上記変形に起因する応力の発生を抑制できる。この結果、信頼性の高い電力用半導体モジュールを得ることができる。<Action effect>
According to the power semiconductor module shown in FIGS. 1 to 9, the joint between the conductor patterns 203d to 203g, 230c to 230f and the capacitors 209, 209a, 209b or the resistor 210 can be easily mounted, so that the joint can be used. It can be formed with high reliability. Therefore, the snubber circuit 106 can suppress ringing, and can also suppress the occurrence of problems caused by defects in the joints between the capacitors 209, 209a, 209b or the resistor 210 and the conductor patterns 203d to 203g, 230c to 230f. Further, since the epoxy resin is used as the sealing body 205, the deformation of the conductor patterns 203a, 203d to 203f, and 230c to 230f can be suppressed by the sealing body 205. Therefore, it is possible to suppress the generation of stress due to the above deformation at the joint between the conductor patterns 203d to 203f, 230c to 230f and the capacitors 209, 209a, 209b or the resistor 210. As a result, a highly reliable power semiconductor module can be obtained.
さらに、図１および図２に示した電力用半導体モジュールでは、スナバ回路１０６を構成するコンデンサ２０９と抵抗体２１０との少なくとも一方が導体パターン２０３ａと同一レイヤにより構成される導体パターン２０３ｄ〜２０３ｆに接続されているので、電力用半導体素子が実装される基板とは別の基板をスナバ回路用に準備する場合より電力用半導体モジュールの構成を簡略化できる。また、図３および図４に示したスナバ回路用基板２３０に実装されたスナバ回路を含む電力用半導体モジュールでは、当該スナバ回路用基板２３０にあらかじめコンデンサ２０９ａ、２０９ｂ、抵抗体２１０、２３３ａ、２３３ｂなどを実装してスナバ回路を準備しておくことができるので、当該スナバ回路を異なる構成の電力用半導体モジュールに適用することができる。 Further, in the power semiconductor module shown in FIGS. 1 and 2, at least one of the capacitor 209 and the resistor 210 constituting the snubber circuit 106 is connected to the conductor patterns 203d to 203f formed of the same layer as the conductor pattern 203a. Therefore, the configuration of the power semiconductor module can be simplified as compared with the case where a board different from the board on which the power semiconductor element is mounted is prepared for the snubber circuit. Further, in the power semiconductor module including the snubber circuit mounted on the snubber circuit board 230 shown in FIGS. 3 and 4, capacitors 209a, 209b, resistors 210, 233a, 233b, etc. are previously mounted on the snubber circuit board 230. Can be implemented to prepare a snubber circuit, so that the snubber circuit can be applied to a power semiconductor module having a different configuration.
上記電力用半導体モジュールにおいて、封止体２０５は、熱伝導率が０．５Ｗ／ｍ・Ｋ以上５Ｗ／ｍ・Ｋ以下であってもよい。封止体２０５は、線膨張係数が１０ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下であってもよい。 In the power semiconductor module, the encapsulant 205 may have a thermal conductivity of 0.5 W / m · K or more and 5 W / m · K or less. The sealant 205 may have a coefficient of linear expansion of 10 ppm / ° C. or higher and 20 ppm / ° C. or lower.
この場合、電力用半導体モジュールの使用時にコンデンサ２０９が発熱したときに、封止体２０５を介して当該コンデンサ２０９の熱を電力用半導体モジュールの外部へ容易に放出することができる。このため、コンデンサ２０９の温度が過剰に上昇することを防止できる。この結果、コンデンサ２０９の温度特性が電力用半導体モジュールの電気的特性に影響を与えることを防止し、安定した電気的特性を示す電力用半導体モジュールを実現できる。同様に、電力用半導体モジュールの使用時に抵抗体２１０が発熱したときに、封止体２０５を介して当該抵抗体２１０の熱を電力用半導体モジュールの外部へ容易に放出することができる。このため、抵抗体２１０の温度が過剰に上昇することを防止できる。この結果、抵抗体２１０の温度特性が電力用半導体モジュールの電気的特性に影響を与えることを防止し、安定した電気的特性を示す電力用半導体モジュールを実現できる。 In this case, when the capacitor 209 generates heat when the power semiconductor module is used, the heat of the capacitor 209 can be easily released to the outside of the power semiconductor module through the sealant 205. Therefore, it is possible to prevent the temperature of the capacitor 209 from rising excessively. As a result, it is possible to prevent the temperature characteristics of the capacitor 209 from affecting the electrical characteristics of the power semiconductor module, and to realize a power semiconductor module exhibiting stable electrical characteristics. Similarly, when the resistor 210 generates heat when the power semiconductor module is used, the heat of the resistor 210 can be easily released to the outside of the power semiconductor module via the sealing body 205. Therefore, it is possible to prevent the temperature of the resistor 210 from rising excessively. As a result, it is possible to prevent the temperature characteristics of the resistor 210 from affecting the electrical characteristics of the power semiconductor module, and to realize a power semiconductor module exhibiting stable electrical characteristics.
上記電力用半導体モジュールにおいて、封止体２０５は、コンデンサ２０９が埋設された状態となるように配置されている。図９に示すように、電力用半導体モジュールは、封止体２０５上に配置された上部封止体２１５をさらに備える。 In the power semiconductor module, the sealing body 205 is arranged so that the capacitor 209 is embedded. As shown in FIG. 9, the power semiconductor module further includes an upper sealing body 215 arranged on the sealing body 205.
この場合、コンデンサ２０９などの電力用半導体モジュールの構成部材に接触する領域は封止体２０５を配置し、当該構成部材と直接接触しない部分には、たとえば封止体２０５とは別の絶縁体などからなる上部封止体２１５を配置するので、エポキシ樹脂を含む封止体２０５の使用量を低減できる。したがって、上部封止体２１５として封止体２０５よりコストの安価な材料を用いることで、電力用半導体モジュールの製造コストを低減できる。 In this case, the sealing body 205 is arranged in the region in contact with the constituent members of the power semiconductor module such as the capacitor 209, and in the portion not in direct contact with the constituent members, for example, an insulator different from the sealing body 205 or the like is provided. Since the upper sealing body 215 made of the above is arranged, the amount of the sealing body 205 containing the epoxy resin can be reduced. Therefore, by using a material that is cheaper than the sealing body 205 as the upper sealing body 215, the manufacturing cost of the power semiconductor module can be reduced.
上記電力用半導体モジュールにおいて、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である半導体素子２０４は、ワイドバンドギャップ半導体からなる。この場合、上記半導体素子２０４がワイドバンドギャップ半導体からなるため、リンギングの抑制に加え、高速スイッチング動作および高温動作が可能になる。 In the power semiconductor module, the semiconductor element 204, which is at least one positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element, is made of a wide bandgap semiconductor. In this case, since the semiconductor element 204 is made of a wide bandgap semiconductor, high-speed switching operation and high-temperature operation are possible in addition to suppressing ringing.
上記電力用半導体モジュールにおいて、ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、ダイヤモンド、酸化ガリウムからなる群から選択される１つである。この場合、上記のような半導体材料により半導体素子２０４を構成することで、リンギングの抑制、高速スイッチング動作、高温動作に加え、高耐圧化が可能な電力用半導体モジュールを得ることができる。 In the power semiconductor module, the wide bandgap semiconductor is one selected from the group consisting of silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), diamond, and gallium oxide. In this case, by constructing the semiconductor element 204 with the above-mentioned semiconductor material, it is possible to obtain a power semiconductor module capable of increasing the withstand voltage in addition to suppressing ringing, high-speed switching operation, and high-temperature operation.
実施の形態２．
上述した実施の形態１に係る電力用半導体モジュールにおいては、封止体２０５としてエポキシ樹脂を用いた構成を特徴として説明した。一方、以下説明する実施の形態２に係る電力用半導体モジュールでは、これに限らず、コンデンサ２０９のセラミック割れを抑制し、はんだ接合部２１１の長寿命化を図る手段について図１０を用いて説明する。図１０は、本発明の実施の形態２に係る電力用半導体モジュールの部分断面を示す模式図である。Embodiment 2.
The power semiconductor module according to the first embodiment described above is characterized in that an epoxy resin is used as the sealing body 205. On the other hand, the power semiconductor module according to the second embodiment described below is not limited to this, and a means for suppressing ceramic cracking of the capacitor 209 and extending the life of the solder joint portion 211 will be described with reference to FIG. .. FIG. 10 is a schematic view showing a partial cross section of the power semiconductor module according to the second embodiment of the present invention.
図１０に示す電力用半導体モジュールは、基本的には実施の形態１に係る電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、コンデンサ２０９として金属端子付きセラミックコンデンサを適用する。コンデンサ２０９は、端面に形成された外部電極を含むコンデンサ本体３０６ａと、コンデンサ本体３０６ａの外部電極に接続された金属端子３０６ｂとを主に含む。異なる観点から言えば、本開示に従った電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐと、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎと、導体パターン３０３ａと、導体層としての導体パターン３０３ｂ、３０３ｃと、少なくとも１つのスナバ回路とを備える。導体パターン３０３ａには、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子のいずれか一方である半導体素子２０４が接続される。導体パターン３０３ｂ、３０３ｃは、導体パターン３０３ａと同一レイヤにより構成される。少なくとも１つのスナバ回路は、コンデンサ２０９と抵抗体２１０（図１参照）とが直列に接続された回路である。コンデンサ２０９および抵抗体２１０の少なくともいずれか一方は、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃに接続される。コンデンサ２０９は、コンデンサ本体３０６ａと、コンデンサ本体３０６ａに接続された金属端子３０６ｂとを含む。金属端子３０６ｂは導体パターン３０３ｂ、３０３ｃに接続さている。 The power semiconductor module shown in FIG. 10 basically has the same configuration as the power semiconductor module according to the first embodiment, but a ceramic capacitor with a metal terminal is applied as the capacitor 209. The capacitor 209 mainly includes a capacitor body 306a including an external electrode formed on the end face and a metal terminal 306b connected to the external electrode of the capacitor body 306a. From a different point of view, the power semiconductor module according to the present disclosure includes at least one positive electrode side power semiconductor element, a positive electrode side switching element 103P, a positive electrode side freewheeling diode 104P, and at least one negative electrode side power semiconductor element. It is provided with a negative electrode side switching element 103N, a negative electrode side freewheeling diode 104N, a conductor pattern 303a, conductor patterns 303b and 303c as a conductor layer, and at least one snubber circuit. A semiconductor element 204, which is one of at least one positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element, is connected to the conductor pattern 303a. The conductor patterns 303b and 303c are formed of the same layer as the conductor pattern 303a. At least one snubber circuit is a circuit in which a capacitor 209 and a resistor 210 (see FIG. 1) are connected in series. At least one of the capacitor 209 and the resistor 210 is connected to the conductor patterns 303b, 303c. The capacitor 209 includes a capacitor body 306a and a metal terminal 306b connected to the capacitor body 306a. The metal terminals 306b are connected to the conductor patterns 303b and 303c.
このような構成により、はんだ付け時に発生する応力を金属端子３０６ｂで吸収することができる。このため、コンデンサ本体３０６ａの割れを防ぐ事が可能になるだけでなく、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃと金属端子３０６ｂのはんだ接合部３０７に発生する応力を低減できる。この結果、はんだ接合部３０７の長期信頼性が向上すると言う従来にない効果を得る事が出来る。 With such a configuration, the stress generated during soldering can be absorbed by the metal terminal 306b. Therefore, not only can the cracking of the capacitor body 306a be prevented, but also the stress generated at the solder joint 307 of the conductor patterns 303b and 303c and the metal terminal 306b can be reduced. As a result, it is possible to obtain an unprecedented effect of improving the long-term reliability of the solder joint portion 307.
以下、図１０を用いてより詳細に説明する。図１０に示した電力用半導体モジュールでは、銅（Ｃｕ）からなるベース部材３０５の上に絶縁層３０４が形成されている。絶縁層３０４上には導体パターン３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃが形成されている。導体パターン３０３ａ上には電力用の半導体素子２０４がダイボンド材３０２により接合されている。半導体素子２０４が搭載された導体パターン３０３ａと同一面に位置し、同一レイヤにより構成される導体パターンとして導体パターン３０３ｂと導体パターン３０３ｃとがそれぞれ形成されている。導体パターン３０３ｂと導体パターン３０３ｃとは金属端子付きセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９により接続されている。なお、導体パターン３０３ａと導体パターン３０３ｂとは例えば配線部材２０６により接続されている。 Hereinafter, it will be described in more detail with reference to FIG. In the power semiconductor module shown in FIG. 10, the insulating layer 304 is formed on the base member 305 made of copper (Cu). Conductor patterns 303a, 303b, and 303c are formed on the insulating layer 304. A semiconductor element 204 for electric power is joined on the conductor pattern 303a by a die bond material 302. The conductor pattern 303b and the conductor pattern 303c are formed on the same surface as the conductor pattern 303a on which the semiconductor element 204 is mounted, and are formed of the same layer. The conductor pattern 303b and the conductor pattern 303c are connected by a capacitor 209, which is a ceramic capacitor with a metal terminal. The conductor pattern 303a and the conductor pattern 303b are connected by, for example, a wiring member 206.
コンデンサ２０９は、上述のようにコンデンサ本体３０６ａと、当該コンデンサ本体３０６ａの端面である接続部３０６ｃに位置する外部電極と接続された一対の金属端子３０６ｂとを含む。接続部３０６ｃはコンデンサ本体３０６ａと金属端子３０６ｂとの接続部となっている。金属端子３０６ｂにおいて、コンデンサ本体３０６ａと接続された根元部と反対側に位置する先端部が導体パターン３０３ｂ、３０３ｃと接続される接続部となっている。金属端子３０６ｂの先端部である接続部は、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃとはんだ付けされている。つまり、金属端子３０６ｂの接続部と導体パターン３０３ｂ、３０３ｃとの間にははんだ接合部３０７が形成されている。また、はんだが濡れ広がってはんだ接合部３０７の形状が不安定にならないように、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃ上にはソルダーレジストからなるはんだ規制部３０８が形成されている。はんだ規制部３０８ははんだ付け前に予め導体パターン３０３ｂ、３０３ｃ上に形成されている。 As described above, the capacitor 209 includes a capacitor body 306a and a pair of metal terminals 306b connected to an external electrode located at a connection portion 306c which is an end surface of the capacitor body 306a. The connection portion 306c is a connection portion between the capacitor body 306a and the metal terminal 306b. In the metal terminal 306b, the tip portion located on the opposite side of the root portion connected to the capacitor main body 306a is a connecting portion connected to the conductor patterns 303b and 303c. The connecting portion, which is the tip of the metal terminal 306b, is soldered to the conductor patterns 303b and 303c. That is, a solder joint portion 307 is formed between the connection portion of the metal terminal 306b and the conductor patterns 303b and 303c. Further, a solder regulating portion 308 made of a solder resist is formed on the conductor patterns 303b and 303c so that the solder does not get wet and spread and the shape of the solder joint portion 307 becomes unstable. The solder regulating portion 308 is formed on the conductor patterns 303b and 303c in advance before soldering.
ここで、金属端子付きセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９の構成について説明する。コンデンサ２０９は、たとえばジルコン酸カルシウムを主成分とするセラミックコンデンサであるが、チタン酸バリウムを主成分とするセラミックコンデンサであってもよい。コンデンサ２０９は所望の電気特性が得られる材料から構成されていればよい。コンデンサ２０９のサイズは電気的に必要とする特性を有しているものであれば任意に選択できる。たとえば、コンデンサ本体３０６ａのサイズは、縦×横のサイズが３．２ｍｍ×１．６ｍｍ（３２１６サイズ）、３．２ｍｍ×２．５ｍｍ（３２２５サイズ）、４．５ｍｍ×３．２ｍｍ（４５３２サイズ）、５．７ｍｍ×５．０ｍｍ（５７５０サイズ）、といった値を採用できる。また、コンデンサ２０９の高さは電気特性により任意に選択されるが、たとえば当該高さを１．０ｍｍ以上３．５ｍｍ以下とすることができる。金属端子３０６ｂはたとえば銅を主成分とするフレーム材である。金属端子３０６ｂの材料としては導電性を有していれば良く、たとえば一般的なリードフレーム材である４２アロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）であっても良い。本開示においては、コンデンサ２０９から発熱する熱を放熱する経路として金属端子３０６ｂを利用するため、より熱伝導率が大きいＣｕを主成分とする材質を金属端子３０６ｂの材料とすることが望ましい。また、コンデンサ本体３０６ａと金属端子３０６ｂとの接続部３０６ｃに位置する外部電極は、たとえば錫（Ｓｎ）を主成分とするはんだからなることが望ましい。外部電極の材料としては、金属端子３０６ｂ先端のはんだ接合部３０７を構成するはんだよりも融点が低くない材料であれば良い。 Here, the configuration of the capacitor 209, which is a ceramic capacitor with a metal terminal, will be described. The capacitor 209 is, for example, a ceramic capacitor containing calcium zirconate as a main component, but may be a ceramic capacitor containing barium titanate as a main component. The capacitor 209 may be made of a material that can obtain desired electrical characteristics. The size of the capacitor 209 can be arbitrarily selected as long as it has the characteristics required electrically. For example, the size of the capacitor body 306a is 3.2 mm x 1.6 mm (3216 size), 3.2 mm x 2.5 mm (3225 size), 4.5 mm x 3.2 mm (4532 size) in length x width. Values such as 5.7 mm x 5.0 mm (5750 size) can be adopted. The height of the capacitor 209 is arbitrarily selected depending on the electrical characteristics, and for example, the height can be 1.0 mm or more and 3.5 mm or less. The metal terminal 306b is, for example, a frame material containing copper as a main component. The material of the metal terminal 306b may be any as long as it has conductivity, and may be, for example, 42 alloy (Fe—Ni alloy) which is a general lead frame material. In the present disclosure, since the metal terminal 306b is used as a path for dissipating heat generated from the capacitor 209, it is desirable to use a material containing Cu as a main component having a higher thermal conductivity as the material of the metal terminal 306b. Further, it is desirable that the external electrode located at the connection portion 306c between the capacitor main body 306a and the metal terminal 306b is made of, for example, tin (Sn) -based solder. The material of the external electrode may be any material whose melting point is not lower than that of the solder constituting the solder joint 307 at the tip of the metal terminal 306b.
本実施の形態においては、一つのセラミックコンデンサであるコンデンサ本体３０６ａを金属端子３０６ｂに接続しているが、図１１に示すように、複数のコンデンサ本体３０６ａを多段に積み上げて、１組の金属端子３０６ｂ、３０６ｃによりこれら複数のコンデンサ本体３０６ａを接続することで、一つの部品としてもよい。このようにコンデンサ本体３０６ａを１組の金属端子３０６ｂ、３０６ｃにより並列に接続することで、必要な電気特性を満たしたコンデンサ２０９を構成してもよい。図１１は、本発明の実施の形態２の変形例に係る電力用半導体モジュールのコンデンサの断面を示す模式図である。図１１では、３つのコンデンサ本体３０６ａを積層して１組の金属端子３０６ｂ、３０６ｃにより接続し、１つのコンデンサ２０９としている。なお、積層するコンデンサ本体３０６ａの数は、２でも、４以上でもよく、必要な電気的特性に整合するように適宜選択される。図１１に示す構成では、１組の金属端子３０６ｂ、３０６ｃが本実施の形態に係る中間部材の一例に相当する。 In the present embodiment, the capacitor body 306a, which is one ceramic capacitor, is connected to the metal terminal 306b. However, as shown in FIG. 11, a plurality of capacitor bodies 306a are stacked in multiple stages to form a set of metal terminals. By connecting these plurality of capacitor main bodies 306a by 306b and 306c, one component may be used. By connecting the capacitor main body 306a in parallel with a set of metal terminals 306b and 306c in this way, a capacitor 209 satisfying the required electrical characteristics may be configured. FIG. 11 is a schematic view showing a cross section of a capacitor of a power semiconductor module according to a modified example of the second embodiment of the present invention. In FIG. 11, three capacitor bodies 306a are laminated and connected by a set of metal terminals 306b and 306c to form one capacitor 209. The number of the capacitor main bodies 306a to be stacked may be 2 or 4 or more, and is appropriately selected so as to match the required electrical characteristics. In the configuration shown in FIG. 11, one set of metal terminals 306b and 306c corresponds to an example of the intermediate member according to the present embodiment.
ここで、実施の形態１で説明したように、図１０に示したような金属端子３０６ｂがなく、図５に示すようにコンデンサ本体５０１ａを導体パターン５０４ａ、５０４ｂに近接して実装する場合、コンデンサ２０９と絶縁層であるセラミック基板５０４ｃとの間に形成される空間２２０（図５参照）は、導体パターン５０４ａ、５０４ｂとソルダーレジスト５０３ｂとのそれぞれの厚さの総和と同等になる。図５に示す構造において、導体パターン５０４ａ、５０４ｂの厚さと幅とは、当該導体パターン５０４ａ、５０４ｂに通電したい電流に応じて設計されるが、当該厚さについては０．２ｍｍ程度とする事が一般的である。また、上述のようにソルダーレジスト５０３ａ、５０３ｂの厚みはたとえば１０μｍ以上３０μｍ以下である。このため、コンデンサ２０９の下部とセラミック基板５０４ｃとの距離は０．２１ｍｍ〜０．２３ｍｍ程度となる。粘度が高い封止体２０５を適用する場合、コンデンサ２０９の下部とセラミック基板５０４ｃとの間の空間２２０に、封止体２０５を空隙なく完全に封入する事は困難である。ここで、封止体２０５により封止した後に、セラミック基板５０４ｃとコンデンサ２０９との間に空隙が生じる場合、直径５０μｍ以上の空隙が存在すれば超音波探傷装置（ＳＡＴ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｔｏｍｏｇｒａｐｈ）により空隙の判別が可能である。そのため、本実施の形態における封止体２０５における空隙は直径５０μｍ以上のものとする。 Here, as described in the first embodiment, when there is no metal terminal 306b as shown in FIG. 10 and the capacitor main body 501a is mounted close to the conductor patterns 504a and 504b as shown in FIG. 5, the capacitor The space 220 (see FIG. 5) formed between 209 and the ceramic substrate 504c which is the insulating layer is equivalent to the sum of the thicknesses of the conductor patterns 504a and 504b and the solder resist 503b, respectively. In the structure shown in FIG. 5, the thickness and width of the conductor patterns 504a and 504b are designed according to the current to be applied to the conductor patterns 504a and 504b, but the thickness may be about 0.2 mm. It is common. Further, as described above, the thicknesses of the solder resists 503a and 503b are, for example, 10 μm or more and 30 μm or less. Therefore, the distance between the lower part of the capacitor 209 and the ceramic substrate 504c is about 0.21 mm to 0.23 mm. When the encapsulant 205 having a high viscosity is applied, it is difficult to completely enclose the encapsulant 205 in the space 220 between the lower part of the capacitor 209 and the ceramic substrate 504c without any voids. Here, when a gap is generated between the ceramic substrate 504c and the capacitor 209 after being sealed by the sealing body 205, if a gap having a diameter of 50 μm or more exists, the gap is detected by an ultrasonic flaw detector (SAT: Scanning Acoustic Tomography). Can be identified. Therefore, the void in the sealing body 205 in the present embodiment has a diameter of 50 μm or more.
ここで、導体パターン５０４ａ、５０４ｂには、Ｐ、Ｎ間の電圧が掛かるため、絶縁距離を十分に確保しておかなければならない。一方、コンデンサ本体５０１ａと導体パターン５０４ａ、５０４ｂとにより形成される挟空間である空間２２０にボイドが発生することで、導体パターン５０４ａ、５０４ｂ間の絶縁が十分に確保出来なくなる可能性がある。このため、当該空間２２０を浸入性の高いアンダーフィル剤で埋めてしまい、絶縁性を確保してもよい。アンダーフィル剤としては、任意の絶縁体を用いることができるが、たとえばエポキシ系の樹脂またはシリコン系の樹脂を用いてもよい。 Here, since the voltage between P and N is applied to the conductor patterns 504a and 504b, it is necessary to secure a sufficient insulation distance. On the other hand, if voids are generated in the space 220 formed by the capacitor main body 501a and the conductor patterns 504a and 504b, it is possible that sufficient insulation between the conductor patterns 504a and 504b cannot be secured. Therefore, the space 220 may be filled with a highly permeable underfill agent to ensure insulating properties. Any insulator can be used as the underfill agent, and for example, an epoxy resin or a silicon resin may be used.
上述した構成を異なる観点から言えば、上述した電力用半導体モジュールにおいて、導体層としての導体パターンは、第１導体パターンとしての導体パターン５０４ａと、導体パターン５０４ａと間隔を隔てて配置された第２導体パターンとしての導体パターン５０４ｂとを含む。コンデンサ２０９は導体パターン５０４ａと導体パターン５０４ｂとを繋ぐように配置される。電力用半導体モジュールは、コンデンサ２０９と導体パターン５０４ａと導体パターン５０４ｂとに囲まれた空間２２０に配置され、封止体２０５とは異なる材料からなる絶縁体としてのアンダーフィル剤を備える。なお、上述したアンダーフィル剤は、たとえば図１０または図１１に示したコンデンサ２０９のコンデンサ本体３０６ａ下に位置する空間に配置されてもよい。この場合、アンダーフィル剤は、たとえばコンデンサ本体３０６ａ下において導体パターン３０３ｂと導体パターン３０３ｃとの間を分離するように配置されてもよい。 Speaking of the above-described configuration from a different point of view, in the above-mentioned power semiconductor module, the conductor pattern as the conductor layer is a second conductor pattern 504a as the first conductor pattern and a second conductor pattern 504a arranged at intervals. Includes a conductor pattern 504b as a conductor pattern. The capacitor 209 is arranged so as to connect the conductor pattern 504a and the conductor pattern 504b. The power semiconductor module is arranged in a space 220 surrounded by a capacitor 209, a conductor pattern 504a, and a conductor pattern 504b, and includes an underfill agent as an insulator made of a material different from that of the sealant 205. The underfill agent described above may be arranged in a space located below the capacitor body 306a of the capacitor 209 shown in FIG. 10 or 11, for example. In this case, the underfill agent may be arranged so as to separate the conductor pattern 303b and the conductor pattern 303c under the capacitor body 306a, for example.
封止体２０５により封止してコンデンサ２０９と絶縁層としてのセラミック基板５０４ｃとの間に空隙が生じている状態では、通電時に半導体素子２０４およびコンデンサ２０９から繰り返し発生する熱により、コンデンサ２０９に応力が繰り返し発生する。当該応力の値がコンデンサ２０９の破壊強度以上の場合、コンデンサ２０９に応力が集中して当該コンデンサ２０９が割れる。しかし、図１０および図１１に示すような金属端子付きコンデンサをコンデンサ２０９として適用する事により、コンデンサ本体３０６ａと絶縁層３０４との間の空間を広げる事が可能となる。このため、高粘度の封止体２０５を封入するときに、当該空間での空隙の発生を抑制可能となる。コンデンサ本体３０６ａと絶縁層３０４との間の距離が１．０ｍｍ以上確保できれば、上述した封止体２０５での空隙の発生は大幅に抑制される。このように、図１０および図１１に示したような金属端子付きのコンデンサ２０９を適用する事で、封止体２０５の封止時に発生する空隙を抑制出来ると言う効果を得る事が出来る。なお、コンデンサ２０９の下の空間にアンダーフィル剤を配置してもよい。 In a state where a gap is generated between the capacitor 209 and the ceramic substrate 504c as an insulating layer by sealing with the sealing body 205, stress is applied to the capacitor 209 due to the heat repeatedly generated from the semiconductor element 204 and the capacitor 209 when energized. Occurs repeatedly. When the value of the stress is equal to or higher than the breaking strength of the capacitor 209, the stress is concentrated on the capacitor 209 and the capacitor 209 is cracked. However, by applying a capacitor with a metal terminal as shown in FIGS. 10 and 11 as the capacitor 209, it is possible to widen the space between the capacitor body 306a and the insulating layer 304. Therefore, when the high-viscosity sealing body 205 is sealed, the generation of voids in the space can be suppressed. If the distance between the capacitor main body 306a and the insulating layer 304 can be secured at 1.0 mm or more, the generation of voids in the sealing body 205 described above is significantly suppressed. As described above, by applying the capacitor 209 with the metal terminal as shown in FIGS. 10 and 11, it is possible to obtain the effect that the voids generated at the time of sealing the sealing body 205 can be suppressed. An underfill agent may be placed in the space under the capacitor 209.
特に封止体２０５となる樹脂の流動性が悪いと、コンデンサ２０９の下部の空間にだけ、封止体２０５中の樹脂成分だけが選択的に流れ込み、フィラー成分が当該空間に流れ込まない現象が発生する。この場合、コンデンサ２０９の下部の空間では、フィラー成分が不足することに起因して、局所的に封止体２０５の熱伝導率が低くなり封止体２０５の線膨張係数が大きくなる。この結果、封止後にコンデンサ２０９が割れるという不良が発生することがあった。コンデンサ２０９として上記のように金属端子付きセラミックコンデンサを用いることで、上記のように封止体２０５となるべき樹脂の流動性が低いことに起因する空隙の発生を抑制する、という今までにない効果を得る事ができた。なお、封止体２０５となるエポキシ樹脂の粘度はより小さい方が望ましいが、フィラーの種類およびフィラーの含有量により当該粘度は異なる。そのため、たとえば封止体２０５となる樹脂の粘度は、１０Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下、といった範囲である事が好ましい。 In particular, when the fluidity of the resin to be the sealing body 205 is poor, a phenomenon occurs in which only the resin component in the sealing body 205 selectively flows into the space below the capacitor 209 and the filler component does not flow into the space. To do. In this case, in the space below the capacitor 209, the thermal conductivity of the sealing body 205 is locally lowered and the linear expansion coefficient of the sealing body 205 is increased due to the lack of the filler component. As a result, a defect that the capacitor 209 cracks after sealing may occur. By using a ceramic capacitor with a metal terminal as described above as the capacitor 209, it is possible to suppress the generation of voids due to the low fluidity of the resin that should be the sealing body 205 as described above. I was able to get the effect. The viscosity of the epoxy resin used as the sealing body 205 is preferably smaller, but the viscosity varies depending on the type of filler and the content of the filler. Therefore, for example, the viscosity of the resin to be the sealing body 205 is preferably in the range of 10 Pa · s or more and 100 Pa · s or less.
図１０および図１１に示すような金属端子付きセラミックコンデンサをコンデンサ２０９として電力用半導体モジュールに内蔵する事で、コンデンサ２０９のはんだ付け時およびＣｕからなるベース部材３０５の反り変形により発生する応力を、金属端子３０６ｂにより緩和できる。このため、コンデンサ２０９の割れを抑制するだけでなく、金属端子３０６ｂの先端側に位置するはんだ接合部３０７に発生する応力を緩和すると言う効果が得られる。さらに、通電時に半導体素子２０４およびコンデンサ２０９から発生する熱を、金属端子３０６ｂを伝熱経路として、効率的にベース部材３０５に伝える事が可能になると言う従来には無かった効果が得られる。更に、封止体２０５としてエポキシ樹脂を用いて封止する事で、コンデンサ２０９として金属端子付きセラミックコンデンサを用いる事により得られる上記効果をより顕著なものにできる。 By incorporating a ceramic capacitor with a metal terminal as shown in FIGS. 10 and 11 into a power semiconductor module as a capacitor 209, the stress generated when the capacitor 209 is soldered and the warp deformation of the base member 305 made of Cu can be reduced. It can be relaxed by the metal terminal 306b. Therefore, not only the cracking of the capacitor 209 is suppressed, but also the stress generated in the solder joint portion 307 located on the tip side of the metal terminal 306b can be relaxed. Further, the heat generated from the semiconductor element 204 and the capacitor 209 at the time of energization can be efficiently transferred to the base member 305 through the metal terminal 306b as a heat transfer path, which is an effect not previously available. Further, by sealing with an epoxy resin as the sealing body 205, the above-mentioned effect obtained by using a ceramic capacitor with a metal terminal as the capacitor 209 can be made more remarkable.
また、図１０に示すように、金属端子付きのコンデンサ２０９の高さＨ１について、当該高さＨ１が高くなるほど金属端子３０６ｂによる配線インダクタンスが大きくなる。そのため、図１０に示すように、配線部材２０６のループ高さＨ２より当該高さＨ１は低い事が好ましい。 Further, as shown in FIG. 10, with respect to the height H1 of the capacitor 209 with a metal terminal, the higher the height H1, the larger the wiring inductance due to the metal terminal 306b. Therefore, as shown in FIG. 10, it is preferable that the height H1 is lower than the loop height H2 of the wiring member 206.
＜作用効果＞
上記電力用半導体モジュールにおいて、コンデンサ２０９は、コンデンサ本体３０６ａと、コンデンサ本体３０６ａに接続された金属端子３０６ｂとを含む。金属端子３０６ｂは導体層としての導体パターン３０３ｂ、３０３ｃに接続さている。<Action effect>
In the power semiconductor module, the capacitor 209 includes a capacitor body 306a and a metal terminal 306b connected to the capacitor body 306a. The metal terminal 306b is connected to the conductor patterns 303b and 303c as the conductor layer.
このようにすれば、コンデンサ２０９を導体パターン３０３ｂ、３０３ｃに接続するときにはんだ付けなどを実施する際に、当該はんだ付けに伴って発生する熱応力を金属端子３０６ｂで吸収することで、コンデンサ本体３０６ａが当該応力により破損するといった問題の発生を抑制できる。さらに、スナバ回路を構成するコンデンサ２０９が導体パターン３０３ａと同一レイヤにより構成される導体パターン３０３ｂ、３０３ｃに接続されているので、ベース部材３０５とは別の基板を、スナバ回路用に新たに準備する場合より電力用半導体モジュールの構成を簡略化できるとともに、当該導体パターン３０３ｂ、３０３ｃとコンデンサ２０９との接合部の実装が容易なため当該接合部を信頼性高く形成することができる。このため、スナバ回路によりリンギングを抑制できるとともに、コンデンサ２０９と導体パターン３０３ｂ、３０３ｃとの接合部の不良などに起因する問題の発生を抑制できる。 By doing so, when soldering or the like is performed when the capacitor 209 is connected to the conductor patterns 303b and 303c, the thermal stress generated by the soldering is absorbed by the metal terminal 306b, whereby the capacitor main body is used. It is possible to suppress the occurrence of problems such as the 306a being damaged by the stress. Further, since the capacitor 209 constituting the snubber circuit is connected to the conductor patterns 303b and 303c formed of the same layer as the conductor pattern 303a, a substrate different from the base member 305 is newly prepared for the snubber circuit. In addition to simplifying the configuration of the semiconductor module for electric power, it is possible to form the joint portion with high reliability because the joint portion between the conductor patterns 303b and 303c and the capacitor 209 can be easily mounted. Therefore, ringing can be suppressed by the snubber circuit, and the occurrence of problems caused by defects in the joints between the capacitor 209 and the conductor patterns 303b and 303c can be suppressed.
上記電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子のいずれか、すなわち半導体素子２０４に接続された配線部材２０６を備える。図１０に示すように、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃから配線部材２０６の頂部までの高さＨ２より、導体パターン３０３ｂ、３０３ｃからコンデンサ２０９の頂部までの高さＨ１が低い。 The power semiconductor module includes at least one positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element, that is, a wiring member 206 connected to the semiconductor element 204. As shown in FIG. 10, the height H1 from the conductor patterns 303b and 303c to the top of the capacitor 209 is lower than the height H2 from the conductor patterns 303b and 303c to the top of the wiring member 206.
この場合、コンデンサ本体３０６ａと導体パターン３０３ｂ、３０３ｃとを接続する金属端子３０６ｂの長さが長くなるほど金属端子３０６ｂによるインダクタンスが大きくなるため、コンデンサ２０９の頂部までの高さＨ１を配線部材２０６の頂部までの高さＨ２より低くしておくことで、金属端子３０６ｂの長さが長くなりすぎることを防止できる。この結果、金属端子３０６ｂによるインダクタンスの増大を抑制でき、電力用半導体モジュール全体の配線インダクタンスの増加を抑制できる。このため、リンギング発生時のサージ電圧を抑制できる。 In this case, the longer the length of the metal terminals 306b connecting the capacitor body 306a and the conductor patterns 303b and 303c, the larger the inductance due to the metal terminals 306b. Therefore, the height H1 to the top of the capacitor 209 is set to the top of the wiring member 206. By setting the height to less than H2, it is possible to prevent the length of the metal terminal 306b from becoming too long. As a result, an increase in inductance due to the metal terminal 306b can be suppressed, and an increase in wiring inductance of the entire power semiconductor module can be suppressed. Therefore, the surge voltage when ringing occurs can be suppressed.
実施の形態３．
図１２は、本発明の実施の形態３に係る電力用半導体モジュールの断面を示す模式図である。図１３は、図１２に示した本発明の実施の形態３に係る電力用半導体モジュールの部分断面を示す模式図である。図１２に示した電力用半導体モジュールは基本的には図８に示した電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、図１２に示すように、スナバ回路を形成する金属端子付きセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９と、抵抗器２１０とを半導体素子２０４と同一レイヤではなく、スナバ回路用基板２３０に搭載している点、およびスナバ回路用基板２３０を電力用半導体モジュールの上側の導体パターン２０３ｊにはんだ２３１により接合している点が異なる。以下、図１２および図１３を用いて説明する。Embodiment 3.
FIG. 12 is a schematic view showing a cross section of the power semiconductor module according to the third embodiment of the present invention. FIG. 13 is a schematic view showing a partial cross section of the power semiconductor module according to the third embodiment of the present invention shown in FIG. The power semiconductor module shown in FIG. 12 basically has the same configuration as the power semiconductor module shown in FIG. 8, but as shown in FIG. 12, it is a ceramic capacitor with a metal terminal that forms a snubber circuit. The capacitor 209 and the resistor 210 are mounted on the snubber circuit board 230 instead of the same layer as the semiconductor element 204, and the snubber circuit board 230 is soldered to the conductor pattern 203j on the upper side of the power semiconductor module. The point that they are joined is different. Hereinafter, it will be described with reference to FIGS. 12 and 13.
図１３は電力用半導体モジュールのスナバ回路を形成する金属端子付のコンデンサ２０９と抵抗器２１０との周囲を拡大した部分断面図である。図１２および図１３に示す電力用半導体モジュールでは、コンデンサ２０９および抵抗体２１０がスナバ回路用基板２３０に搭載されている。 FIG. 13 is an enlarged partial cross-sectional view of the periphery of the capacitor 209 with a metal terminal and the resistor 210 forming the snubber circuit of the power semiconductor module. In the power semiconductor module shown in FIGS. 12 and 13, the capacitor 209 and the resistor 210 are mounted on the snubber circuit board 230.
スナバ回路用基板２３０は、絶縁基板であるセラミック基板２３０ａと、当該セラミック基板２３０ａの表面上に配置された導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅと、セラミック基板２３０ａの裏面側に配置された導体パターン２３０ｂとを含む。導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅは、互いに間隔を隔ててセラミック基板２３０ａの表面上に配置されている。導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅの配置は任意に決定できるが、たとえばこれらは互いにほぼ平行に延びるように配置されていてもよい。セラミック基板２３０ａの裏面上に配置された導体パターン２３０ｂははんだ２３１により絶縁材２０３ｂ上の導体パターン２０３ｊに接続されている。図１２および図１３に示した構成では、スナバ回路用基板２３０が本実施の形態に係る中間部材の一例に相当する。また、コンデンサ２０９が本実施の形態に係るコンデンサの一例に相当する。また、はんだ２３１が本実施の形態に係る接合材の一例に相当する。なお、スナバ回路用基板２３０において、セラミック基板２３０ａに代えて他の絶縁材料からなる基板を絶縁基板として用いてもよい。たとえば、セラミック基板２３０ａに代えて樹脂製の基板を用いてもよい。 The snubber circuit board 230 includes a ceramic substrate 230a which is an insulating substrate, conductor patterns 230c, 230d, 230e arranged on the surface of the ceramic substrate 230a, and a conductor pattern 230b arranged on the back surface side of the ceramic substrate 230a. including. The conductor patterns 230c, 230d, and 230e are arranged on the surface of the ceramic substrate 230a at intervals from each other. The arrangement of the conductor patterns 230c, 230d, and 230e can be arbitrarily determined, but for example, they may be arranged so as to extend substantially parallel to each other. The conductor pattern 230b arranged on the back surface of the ceramic substrate 230a is connected to the conductor pattern 203j on the insulating material 203b by the solder 231. In the configurations shown in FIGS. 12 and 13, the snubber circuit board 230 corresponds to an example of the intermediate member according to the present embodiment. Further, the capacitor 209 corresponds to an example of the capacitor according to the present embodiment. Further, the solder 231 corresponds to an example of the bonding material according to the present embodiment. In the snubber circuit board 230, a board made of another insulating material may be used as the insulating board instead of the ceramic board 230a. For example, a resin substrate may be used instead of the ceramic substrate 230a.
コンデンサ２０９はコンデンサ本体部３０６ａと金属端子３０６ｂとを含む。コンデンサ２０９は導体パターン２３０ｃと導体パターン２３０ｄとを接続する。抵抗体２１０は導体パターン２３０ｄと導体パターン２３０ｅとを接続する。コンデンサ２０９と抵抗体２１０とは直列に接続されている。導体パターン２３０ｅは配線部材２０６により半導体素子２０４などと接続されている。実施の形態２と同様に、コンデンサ２０９として上記のように金属端子付きセラミックコンデンサを用いることで、封止体２０５となるべき樹脂の流動性が低いことに起因する空隙の発生を抑制する、という今までにない効果を得る事ができる。 The capacitor 209 includes a capacitor body 306a and a metal terminal 306b. The capacitor 209 connects the conductor pattern 230c and the conductor pattern 230d. The resistor 210 connects the conductor pattern 230d and the conductor pattern 230e. The capacitor 209 and the resistor 210 are connected in series. The conductor pattern 230e is connected to the semiconductor element 204 and the like by the wiring member 206. Similar to the second embodiment, by using the ceramic capacitor with a metal terminal as the capacitor 209 as described above, it is said that the generation of voids due to the low fluidity of the resin to be the sealing body 205 is suppressed. You can get an unprecedented effect.
スナバ回路用基板２３０の上側の導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅには、金属端子付きのコンデンサ２０９と抵抗体２１０とが直列に接続されている。導体パターン２３０ｃは、少なくとも一つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐ、および少なくとも一つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎのいずれか一方である半導体素子２０４が接続されている。 A capacitor 209 with a metal terminal and a resistor 210 are connected in series to the conductor patterns 230c, 230d, 230e on the upper side of the snubber circuit board 230. The conductor pattern 230c has at least one positive electrode side switching element 103P and a positive electrode side freewheeling diode 104P, which are semiconductor elements for positive electrode side power, and at least one negative electrode side switching element 103N and a negative electrode side freezing diode, which are semiconductor elements for negative electrode side power. A semiconductor element 204, which is one of 104N, is connected.
具体的には、セラミック基板２３０ａは任意の絶縁材料からなる基板であるが、たとえば、アルミナ（ＡＬ２Ｏ３）や窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化けい素（ＳｉＮ）などからなる基板である。抵抗体２１０は、セラミック基板２３０ａの表面に、抵抗体２１０になる酸化ルテニウム（Ｒｕ２Ｏ）などのペースト材を印刷法などを用いて配置して形成する。また、抵抗体２１０になるペースト材を印刷する手法と同様に、Ａｇペースト材を印刷法などによりセラミック基板２３０ａの表面および裏面に配置してもよい。このように配置されたＡｇペースト材を焼成することにより、上側の導体パターン２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅおよび下側の導体パターン２３０ｂを得ることができる。Specifically, the ceramic substrate 230a is a substrate made of an arbitrary insulating material, and is, for example, a substrate made of alumina (AL 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon nitride (SiN), or the like. The resistor 210 is formed by arranging a paste material such as ruthenium oxide (Ru 2 O) to be the resistor 210 on the surface of the ceramic substrate 230a by a printing method or the like. Further, the Ag paste material may be arranged on the front surface and the back surface of the ceramic substrate 230a by a printing method or the like in the same manner as the method of printing the paste material to be the resistor 210. By firing the Ag paste material arranged in this way, the upper conductor patterns 230c, 230d, 230e and the lower conductor pattern 230b can be obtained.
このようにして得られたスナバ回路用基板２３０に、電力用半導体モジュールの製造工程とは異なる工程においてコンデンサ２０９をはんだ付けにより実装することで、スナバ回路基板が得られる。さらに、電力用半導体モジュールの半導体素子２０４を導体パターン２０３ａにはんだ付けする工程において、コンデンサ２０９が実装されたスナバ回路基板を同時に導体パターン２０３ｊに接続する。さらに、スナバ回路基板および半導体素子２０４が実装されたベース絶縁基板２０３に配線部材２０６、ケース２０２などを接続し、半導体素子２０４などを覆うように封止体２０５を形成することで、図１２に示す電力用半導体モジュールが得られる。 A snubber circuit board can be obtained by mounting the capacitor 209 on the snubber circuit board 230 thus obtained by soldering in a process different from the manufacturing process of the power semiconductor module. Further, in the step of soldering the semiconductor element 204 of the power semiconductor module to the conductor pattern 203a, the snubber circuit board on which the capacitor 209 is mounted is simultaneously connected to the conductor pattern 203j. Further, by connecting the wiring member 206, the case 202, etc. to the base insulating substrate 203 on which the snubber circuit board and the semiconductor element 204 are mounted, and forming the sealing body 205 so as to cover the semiconductor element 204, etc., FIG. The semiconductor module for power shown is obtained.
上述した電力用半導体モジュールの製造方法の特徴的な構成を要約すれば、上記電力用半導体モジュールの製造方法は、コンデンサとしてのコンデンサ本体３０６ａと抵抗体２１０とが直列に接続された回路であるスナバ回路を備える電力用半導体モジュールの製造方法であって、スナバ回路が形成される中間部材にコンデンサを接続する工程を備える。当該中間部材は、表面を有する絶縁基板の一例としてのセラミック基板２３０ａと、当該セラミック基板２３０ａの表面に形成されたスナバ回路用導体パターンである導体パターン２３０ｂ、２３０ｃ、２３０ｄ、２３０ｅとを含む。上記接続する工程では、コンデンサ本体３０６ａ金属端子３０６ｂを介して導体パターン２３０ｃ、２０３ｄに接続される。上記電力用半導体モジュールの製造方法は、さらに、コンデンサ本体部３０６ａが導電体パターン２３０ｃ、２０３ｄに接続されたセラミック基板２３０ａを、表面を有するベース絶縁基板２０３に設置する工程を備える。ベース絶縁基板２０３の表面上には、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である半導体素子２０４と、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である半導体素子２０４のいずれか一方が接続される導体パターン２０３ａ、２０３ｈ、２０３ｊと、が配置される。ベース絶縁基板２０３に設置する工程では、セラミック基板２３０がベース絶縁基板２０３の導体パターン２０３ｊに接続される。その後、ケース２０２や配線部材２０６の設置、封止体２０５の形成などの工程を実施することで、図１２に示すようなスナバ回路を内蔵した電力用半導体モジュールが得られる。 To summarize the characteristic configuration of the method for manufacturing a semiconductor module for electric power described above, the method for manufacturing a semiconductor module for electric power is a snubber in which a capacitor body 306a as a capacitor and a resistor 210 are connected in series. It is a method of manufacturing a power semiconductor module including a circuit, and includes a step of connecting a capacitor to an intermediate member in which a snubber circuit is formed. The intermediate member includes a ceramic substrate 230a as an example of an insulating substrate having a surface, and conductor patterns 230b, 230c, 230d, 230e which are conductor patterns for a snubber circuit formed on the surface of the ceramic substrate 230a. In the above connection step, the conductor patterns 230c and 203d are connected via the capacitor body 306a and the metal terminal 306b. The method for manufacturing a power semiconductor module further includes a step of installing a ceramic substrate 230a in which a capacitor main body 306a is connected to conductor patterns 230c and 203d on a base insulating substrate 203 having a surface. On the surface of the base insulating substrate 203, at least one positive side power semiconductor element and at least one negative side power semiconductor element, semiconductor element 204, at least one positive side power semiconductor element, and at least one negative side. Conductor patterns 203a, 203h, and 203j to which any one of the semiconductor elements 204, which are semiconductor elements for side power, are connected are arranged. In the step of installing on the base insulating substrate 203, the ceramic substrate 230 is connected to the conductor pattern 203j of the base insulating substrate 203. After that, by carrying out steps such as installation of the case 202 and the wiring member 206 and formation of the sealing body 205, a power semiconductor module having a snubber circuit as shown in FIG. 12 can be obtained.
また、製品開発において、構成の異なる複数種類の電力用半導体モジュールに対して、スナバ回路用基板２３０をそのまま流用する事が可能となる。したがって、電力用半導体素子２０４の配置や配線部材２０６のレイアウトを変更する場合において、スナバ回路を新たに設計し直す必要がなく、電力用半導体モジュールの設計に要する工数およびコストを低減できる。 Further, in product development, the snubber circuit board 230 can be used as it is for a plurality of types of power semiconductor modules having different configurations. Therefore, when the arrangement of the power semiconductor element 204 or the layout of the wiring member 206 is changed, it is not necessary to redesign the snubber circuit, and the man-hours and costs required for designing the power semiconductor module can be reduced.
図１４は、本発明の実施の形態３の変形例に係る電力用半導体モジュールの部分断面を示す模式図である。図１４に示したスナバ回路用基板２３０を備える電力用半導体モジュールは、基本的には図１２および図１３に示した電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、スナバ回路用基板２３０の構成が図１２および図１３に示した電力用半導体モジュールと異なっている。すなわち、図１４に示した電力用半導体モジュールでは、スナバ回路用基板２３０において導体パターン２３０ｅから下側の導体パターン２３０ｂに向かってセラミック基板２３０ａを貫通するスルーホール２３２が形成されている。当該スルーホール２３２もしくは当該スルーホール２３２内が導電体で充填されたヴィアにより、導体パターン２３０ｅと導体パターン２３０ｂが接続されている。スナバ回路用基板２３０と電力用半導体モジュールの上側の導体パターン２０３ｊとは、はんだ２３１により接続されている。導体パターン２０３ｊには配線部材２０６を通じて電力用半導体モジュールの上側の導体パターン２０３ａ（図１２参照）へと接続されている。 FIG. 14 is a schematic view showing a partial cross section of the power semiconductor module according to the modified example of the third embodiment of the present invention. The power semiconductor module including the snubber circuit board 230 shown in FIG. 14 basically has the same configuration as the power semiconductor modules shown in FIGS. 12 and 13, but the snubber circuit board 230 has a configuration. It is different from the power semiconductor module shown in FIGS. 12 and 13. That is, in the power semiconductor module shown in FIG. 14, through holes 232 penetrating the ceramic substrate 230a from the conductor pattern 230e toward the lower conductor pattern 230b are formed in the snubber circuit substrate 230. The conductor pattern 230e and the conductor pattern 230b are connected by a via in which the through hole 232 or the through hole 232 is filled with a conductor. The snubber circuit board 230 and the upper conductor pattern 203j of the power semiconductor module are connected by solder 231. The conductor pattern 203j is connected to the conductor pattern 203a (see FIG. 12) on the upper side of the power semiconductor module through the wiring member 206.
図１４に示した電力用半導体モジュールでは、図１２および図１３に示した電力用半導体モジュールと同様の効果を得ることができる。さらに、図１４に示した電力用半導体モジュールでは、スルーホール２３２を設ける事で、スナバ回路用基板２３０の上側の導体パターン２３０ｅ上に配線部材２０６を接合するための面積を確保する必要がない。そのため、導体パターン２３０ｅの面積を削減する事が可能となり、スナバ回路用基板２３０を小型化できる。また、スルーホール２３２を抵抗体２１０の近傍に設置することで、スナバ回路に電流が流された際の発熱を電力用半導体モジュールのベース絶縁基板２０３方向に効率的に放熱する事ができる。 The power semiconductor module shown in FIG. 14 can obtain the same effect as the power semiconductor module shown in FIGS. 12 and 13. Further, in the power semiconductor module shown in FIG. 14, it is not necessary to secure an area for joining the wiring member 206 on the conductor pattern 230e on the upper side of the snubber circuit board 230 by providing the through hole 232. Therefore, the area of the conductor pattern 230e can be reduced, and the snubber circuit board 230 can be miniaturized. Further, by installing the through hole 232 in the vicinity of the resistor 210, the heat generated when a current is passed through the snubber circuit can be efficiently dissipated in the direction of the base insulating substrate 203 of the power semiconductor module.
図１５は、本発明の実施の形態３の変形例に係る電力用半導体モジュールの部分断面を示す模式図である。図１５は、図１３に対応している。図１５に開示された電力用半導体モジュールは、基本的には図１３に開示された電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、図１３に開示された金属端子付きのコンデンサ２０９ではなく、金属端子が設置されていないセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９を備える点が図１３に示した電力用半導体モジュールと異なっている。セラミックコンデンサと線膨張係数が近いセラミック基板２３０ａ上にコンデンサ２０９を実装することで、コンデンサ２０９のはんだ接合部２１１に生じる応力が少なくなる。このため、コンデンサ２０９の接合信頼性を向上することが可能となる。したがって、図１３に示すようにコンデンサ２０９に金属端子３０６ｂを設置しなくても、電力半導体モジュールに求められる信頼性を確保する事ができる。なお、本実施の形態では絶縁体であるセラミックを支持体とするセラミック基板２３０ａについて記載したが、プリント基板のような樹脂を支持体とした回路基板にスナバ回路を形成した構造であっても、エポキシ樹脂などによる封止体２０５により封止している事で、プリント基板のはんだ接合部２１１に発生する応力を小さく出来る。そのため、このような構成によっても電力用半導体モジュールに求められる信頼性を確保する事が可能である。 FIG. 15 is a schematic view showing a partial cross section of the power semiconductor module according to the modified example of the third embodiment of the present invention. FIG. 15 corresponds to FIG. The power semiconductor module disclosed in FIG. 15 basically has the same configuration as the power semiconductor module disclosed in FIG. 13, but is not a capacitor 209 with a metal terminal disclosed in FIG. 13, but a metal. It differs from the power semiconductor module shown in FIG. 13 in that it includes a capacitor 209, which is a ceramic capacitor to which no terminal is installed. By mounting the capacitor 209 on the ceramic substrate 230a having a linear expansion coefficient close to that of the ceramic capacitor, the stress generated at the solder joint 211 of the capacitor 209 is reduced. Therefore, it is possible to improve the junction reliability of the capacitor 209. Therefore, as shown in FIG. 13, the reliability required for the power semiconductor module can be ensured without installing the metal terminal 306b in the capacitor 209. In the present embodiment, the ceramic substrate 230a having a ceramic as an insulator as a support has been described, but even if the structure is such that a snubber circuit is formed on a circuit board having a resin as a support such as a printed circuit board. By sealing with a sealing body 205 made of an epoxy resin or the like, the stress generated at the solder joint portion 211 of the printed circuit board can be reduced. Therefore, it is possible to secure the reliability required for the power semiconductor module even with such a configuration.
図１６は、本発明の実施の形態３の変形例に係る電力用半導体モジュールの部分断面を示す模式図である。図１６は、図１４に対応している。図１６に開示された電力用半導体モジュールは、基本的には図１４に開示された電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、図１４に開示された金属端子付きのコンデンサ２０９ではなく、金属端子が設置されていないセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９を備える点が図１４に示した電力用半導体モジュールと異なっている。このような構成によっても、図１４に開示された電力用半導体モジュールと同様の効果を得ることができる。さらに、図１５に示した電力用半導体モジュールと同様の効果も得られる。すなわち、セラミックコンデンサと線膨張係数が近いセラミック基板２３０ａ上にコンデンサ２０９を実装することで、コンデンサ２０９のはんだ接合部２１１に生じる応力が少なくなる。このため、コンデンサ２０９の接合信頼性を向上することが可能となる。 FIG. 16 is a schematic view showing a partial cross section of the power semiconductor module according to the modified example of the third embodiment of the present invention. FIG. 16 corresponds to FIG. The power semiconductor module disclosed in FIG. 16 basically has the same configuration as the power semiconductor module disclosed in FIG. 14, but is not a capacitor 209 with a metal terminal disclosed in FIG. 14, but a metal. It differs from the power semiconductor module shown in FIG. 14 in that it includes a capacitor 209, which is a ceramic capacitor to which no terminal is installed. Even with such a configuration, the same effect as that of the power semiconductor module disclosed in FIG. 14 can be obtained. Further, the same effect as that of the power semiconductor module shown in FIG. 15 can be obtained. That is, by mounting the capacitor 209 on the ceramic substrate 230a having a linear expansion coefficient close to that of the ceramic capacitor, the stress generated at the solder joint portion 211 of the capacitor 209 is reduced. Therefore, it is possible to improve the junction reliability of the capacitor 209.
なお、上述した図１２〜図１６に示した電力用半導体モジュールにおいて、上述した実施の形態１または実施の形態２において説明した特徴を追加してもよい。たとえば、図１２〜図１４に示した電力用半導体モジュールにて、コンデンサ本体３０６ｂ下に位置する領域であって導体パターン２３０ｃ、２３０ｄの表面に、図１１に示したようなはんだ規制部３０８を形成してもよい。絶縁体としてのはんだ規制部３０８は、封止体２０５とは異なる材料により構成されてもよい。また、図１５および図１６に示した電力用半導体モジュールにて、コンデンサ２０９下に位置する領域であって導体パターン２３０ｃ、２３０ｄの表面に、図５に示しソルダーレジスト５０３ｂを形成してもよい。絶縁体としてのソルダーレジスト５０３ｂに代えて、他の絶縁体を当該位置に配置してもよい。 The features described in the above-described first embodiment or the second embodiment may be added to the power semiconductor modules shown in FIGS. 12 to 16 described above. For example, in the power semiconductor modules shown in FIGS. 12 to 14, solder regulation portions 308 as shown in FIG. 11 are formed on the surfaces of the conductor patterns 230c and 230d in the region located below the capacitor main body 306b. You may. The solder regulating portion 308 as an insulator may be made of a material different from that of the sealing body 205. Further, in the power semiconductor module shown in FIGS. 15 and 16, the solder resist 503b shown in FIG. 5 may be formed on the surfaces of the conductor patterns 230c and 230d in the region located under the capacitor 209. Instead of the solder resist 503b as the insulator, another insulator may be placed at the position.
実施の形態４．
図１７は、本発明の実施の形態４に係る電力用半導体モジュールのコンデンサの部分断面および接続部の上面を示す模式図である。図１７に示した電力用半導体モジュールは、基本的には実施の形態２に係る電力用半導体モジュールと同様の構成を備えるが、図１７に示すようにコンデンサ２０９の金属端子３０６ｂにおいて導体パターン４０４と接続される接続部４０１ｃの構成が異なっている。以下、説明する。なお、図１７の上側の図はコンデンサおよび接続部の部分断面を示し、下側の図は接続部の上面図を示す。Embodiment 4.
FIG. 17 is a schematic view showing a partial cross section of the capacitor of the power semiconductor module according to the fourth embodiment of the present invention and the upper surface of the connection portion. The power semiconductor module shown in FIG. 17 basically has the same configuration as the power semiconductor module according to the second embodiment, but as shown in FIG. 17, the metal terminal 306b of the capacitor 209 has a conductor pattern 404. The configuration of the connecting portion 401c to be connected is different. This will be described below. The upper view of FIG. 17 shows a partial cross section of the capacitor and the connection portion, and the lower view shows a top view of the connection portion.
図１７に示すように、金属端子付きセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９（図２参照）は、コンデンサ本体３０６ａと、金属端子３０６ｂとを主に含む。金属端子３０６ｂの先端には、導体パターン４０４との接続部４０１ｃが形成されている。金属端子３０６ｂは、接続部４０１ｃに連なりコンデンサ本体３０６ａに接続される本体側部４０１ｂを有する。本体側部４０１ｂの延在する方向に対して、接続部４０１ｃの延在する方向は交差している。本体側部４０１ｂと接続部４０１ｃの交差する角度は好ましくは８０°以上１００°以下であり、８５°以上９５°以下でもよく、９０°でもよい。 As shown in FIG. 17, the capacitor 209 (see FIG. 2), which is a ceramic capacitor with a metal terminal, mainly includes a capacitor body 306a and a metal terminal 306b. A connection portion 401c with the conductor pattern 404 is formed at the tip of the metal terminal 306b. The metal terminal 306b has a main body side portion 401b that is connected to the connection portion 401c and connected to the capacitor main body 306a. The extending direction of the connecting portion 401c intersects with the extending direction of the main body side portion 401b. The angle at which the main body side portion 401b and the connecting portion 401c intersect is preferably 80 ° or more and 100 ° or less, and may be 85 ° or more and 95 ° or less, or 90 °.
接続部４０１ｃには、はんだ接合部４０２のはんだ厚Ｔ１を確保するために凸部４０１ｄが設けられている。凸部４０１ｄは、図１７に示すように、たとえば接続部４０１ｃの一部を凸状に塑性変形させた部分である。凸部４０１ｄは、接続部４０１ｃの表面に導電体または絶縁体など任意の材料を凸状に配置して形成してもよい。なお、はんだ接合部４０２の形状を安定化するため、導体パターン４０４の表面上にはソルダーレジスト４０３が印刷されている。複数のソルダーレジスト４０３は、はんだ接合部４０２の外周を規定するため、接続部４０１ｃが配置された領域を挟むように配置されている。 The connecting portion 401c is provided with a convex portion 401d in order to secure the solder thickness T1 of the solder joint portion 402. As shown in FIG. 17, the convex portion 401d is, for example, a portion of the connecting portion 401c that is plastically deformed in a convex shape. The convex portion 401d may be formed by arranging an arbitrary material such as a conductor or an insulator in a convex shape on the surface of the connecting portion 401c. A solder resist 403 is printed on the surface of the conductor pattern 404 in order to stabilize the shape of the solder joint portion 402. The plurality of solder resists 403 are arranged so as to sandwich the region where the connecting portion 401c is arranged in order to define the outer circumference of the solder joint portion 402.
金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃにおける凸部４０１ｄは、コンデンサ本体３０６ａに金属端子３０６ｂを接続する前であって、金属端子３０６ｂがリードフレーム状態においてプレスにより形成してもよい。 The convex portion 401d in the connecting portion 401c of the metal terminal 306b may be formed by pressing before the metal terminal 306b is connected to the capacitor main body 306a and in the lead frame state of the metal terminal 306b.
図１８〜図２３は、本発明の実施の形態４の変形例に係る電力用半導体モジュールのコンデンサの接続部の上面を示す模式図であって、接続部４０１ｃの構成の変形例を示している。図１８に示すように、凸部４０１ｄは金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃにおいて中央からずれた位置に配置されていてもよい。また、図１９に示すように、接続部４０１ｃに複数の凸部４０１ｄ、たとえば２つの凸部４０１ｄを配置してもよい。あるいは、図２０に示すように、接続部４０１ｃに３つの凸部４０１ｄを配置してもよい。接続部４０１ｄに配置される凸部４０１ｄの数は、４つ以上でもよい。このように複数の凸部４０１ｄを設けている方が、コンデンサ２０９の導体パターン４０４に対する傾きの発生を確実に抑制できる。凸部４０１ｄの高さは、はんだ接合部４０２の接合信頼性が十分に確保出来る厚さＴ１が確保出来れば良く、たとえば当該凸部４０１ｄの高さ（厚さＴ１）を５０μｍ以上３００μｍ以下とすることができる。 18 to 23 are schematic views showing the upper surface of the connection portion of the capacitor of the power semiconductor module according to the modification of the fourth embodiment of the present invention, and show the modification of the configuration of the connection portion 401c. .. As shown in FIG. 18, the convex portion 401d may be arranged at a position deviated from the center in the connecting portion 401c of the metal terminal 306b. Further, as shown in FIG. 19, a plurality of convex portions 401d, for example, two convex portions 401d may be arranged on the connecting portion 401c. Alternatively, as shown in FIG. 20, three convex portions 401d may be arranged on the connecting portion 401c. The number of convex portions 401d arranged on the connecting portion 401d may be four or more. By providing the plurality of convex portions 401d in this way, it is possible to reliably suppress the occurrence of inclination of the capacitor 209 with respect to the conductor pattern 404. The height of the convex portion 401d should be such that a thickness T1 that can sufficiently secure the joining reliability of the solder joint portion 402 can be secured. For example, the height (thickness T1) of the convex portion 401d is set to 50 μm or more and 300 μm or less. be able to.
また、図１７に示した凸部４０１ｄは、接続部４０１ｃを突起状に塑性変形させて形成されていたが、図２１に示すように、凸部４０１ｄの先端部に貫通孔が形成されていてもよい。図２１に示した接続部４０１ｃの凸部４０１ｄは、たとえば接続部４０１ｃに対するプレス加工時に凸部４０１ｄとなるべき部分の一部を打ち抜いて貫通孔を形成している。このとき、当該プレス加工時の打抜き方向を、金属端子３０６ｂにおいてコンデンサ本体３０６ａが接続される搭載面側から、導体パターン４０４に接する面側に向かう方向としてもよい。このようにすれば、打抜き時の返しが導体パターン４０４に接する面側に生じることで、当該返しが凸部４０１ｄとなる。この際に打抜き時の返しの高さは同様に３０μｍ以上３００μｍ以下としてもよい。また、貫通孔の数も一つ以上であれば良く、当該貫通孔が形成された凸部４０１ｄを複数個設けてある事が望ましい。この場合、貫通孔にはんだが濡れ広がる事で、金属端子３０６ｂとはんだとの接合面積が従来に比較して増加する。この結果、金属端子３０６ｂと導体パターン４０４との接合強度が向上するだけでなく、接合信頼性を向上させる事ができる。 Further, the convex portion 401d shown in FIG. 17 was formed by plastically deforming the connecting portion 401c into a protrusion shape, but as shown in FIG. 21, a through hole is formed at the tip portion of the convex portion 401d. May be good. The convex portion 401d of the connecting portion 401c shown in FIG. 21 is formed by punching a part of a portion that should become the convex portion 401d during press working on the connecting portion 401c, for example. At this time, the punching direction at the time of the press working may be the direction from the mounting surface side to which the capacitor main body 306a is connected at the metal terminal 306b toward the surface side in contact with the conductor pattern 404. By doing so, the return at the time of punching occurs on the surface side in contact with the conductor pattern 404, and the return becomes the convex portion 401d. At this time, the height of the return at the time of punching may be similarly 30 μm or more and 300 μm or less. Further, the number of through holes may be one or more, and it is desirable that a plurality of convex portions 401d in which the through holes are formed are provided. In this case, the solder spreads wet and spreads in the through holes, so that the joint area between the metal terminal 306b and the solder increases as compared with the conventional case. As a result, not only the bonding strength between the metal terminal 306b and the conductor pattern 404 can be improved, but also the bonding reliability can be improved.
上述のように、金属端子付きセラミックコンデンサであるコンデンサ２０９と導体パターン４０４との接合部であるはんだ接合部４０２のはんだ厚を確保する事で、当該はんだ接合部４０２の接合信頼性を向上させる事が出来る。そこで、図２２に示すように、金属端子３０６ｂの先端側に位置する接続部４０１ｃと、本体側部４０１ｂとのなす角度θ２が鋭角であってもよい。この場合、接続部４０１ｃと導体パターン４０４の表面とが、接続部４０１ｃと本体側部４０１ｂとの連結部側でなす角度θ１も０°越えとなる。このように接続部４０１ｃが導体パターン４０４の表面に対して傾斜した状態となることで、はんだ接合部４０２を構成するはんだの厚みを厚くすることができる。また、接続部４０１ｃにはんだ４０２がどこまで濡れあがっているかを外観目視検査にて判断が容易になるという効果が得られる。 As described above, by securing the solder thickness of the solder joint portion 402, which is the joint portion between the capacitor 209, which is a ceramic capacitor with a metal terminal, and the conductor pattern 404, the joint reliability of the solder joint portion 402 is improved. Can be done. Therefore, as shown in FIG. 22, the angle θ2 formed by the connecting portion 401c located on the tip end side of the metal terminal 306b and the main body side portion 401b may be an acute angle. In this case, the angle θ1 formed by the connecting portion 401c and the surface of the conductor pattern 404 on the connecting portion side between the connecting portion 401c and the main body side portion 401b also exceeds 0 °. When the connecting portion 401c is inclined with respect to the surface of the conductor pattern 404 in this way, the thickness of the solder constituting the solder joint portion 402 can be increased. Further, it is possible to obtain an effect that it is easy to determine how much the solder 402 is wet on the connecting portion 401c by visual inspection.
また、図２３に示すように、金属端子３０６ｂの先端側に位置する接続部４０１ｃと、本体側部４０１ｂとのなす角度θ２が鈍角であってもよい。この場合、接続部４０１ｃと導体パターン４０４の表面とが、接続部４０１ｃの先端側でなす角度θ３も０°越えとなる。このように接続部４０１ｃが導体パターン４０４の表面に対して傾斜した状態となることで、図２２に示した構成と同様に、はんだ接合部４０２を構成するはんだの厚みを厚くすることができる。また、接続部４０１ｃにはんだ４０２がどこまで濡れあがっているかを外観目視検査にて判断が容易になるという効果が得られる。 Further, as shown in FIG. 23, the angle θ2 formed by the connection portion 401c located on the tip end side of the metal terminal 306b and the main body side portion 401b may be an obtuse angle. In this case, the angle θ3 formed by the connecting portion 401c and the surface of the conductor pattern 404 on the tip side of the connecting portion 401c also exceeds 0 °. By causing the connecting portion 401c to be inclined with respect to the surface of the conductor pattern 404 in this way, the thickness of the solder constituting the solder joint portion 402 can be increased in the same manner as in the configuration shown in FIG. Further, it is possible to obtain an effect that it is easy to determine how much the solder 402 is wet on the connecting portion 401c by visual inspection.
＜作用効果＞
ここで、上述したコンデンサ２０９のはんだ付けについて従来のプリント基板上へのはんだ付けを想定すると、以下のようなプロセスが考えられる。すなわち、フラックスを含有したはんだペーストを導体パターン４０４上に印刷した上に、コンデンサ２０９を載置して加熱することではんだ付けする。このようにすれば、金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃ下にはんだが濡れ広がる事が出来る。しかし、コンデンサ２０９の自重により濡れ拡がったはんだが接続部４０１ｃの下から押し出されて、接続部４０１ｃ下のはんだ厚を十分に確保する事が難しかった。また、コンデンサ２０９の近傍に矩形状もしくは球状のはんだ材を載置してはんだ付けする際は、溶融したはんだ材が濡れ広がる事で金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃ下にはんだ材が濡れ広がらねばならない。この場合も、十分な接合信頼性を得るための接続部４０１ｃ下のはんだ厚を確保する事が困難であった。そこで図１７〜図２１に示すように金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃにおける下面（裏面）に凸部４０１ｄを設ける事で、金属端子３０６ｂ下のはんだの厚みを十分に確保する事を可能にした。<Action effect>
Here, assuming that the above-mentioned soldering of the capacitor 209 is performed on a conventional printed circuit board, the following process can be considered. That is, the flux-containing solder paste is printed on the conductor pattern 404, and then the capacitor 209 is placed and heated for soldering. By doing so, the solder can be wetted and spread under the connection portion 401c of the metal terminal 306b. However, it was difficult to secure a sufficient thickness of the solder under the connecting portion 401c because the solder that had spread wet due to the weight of the capacitor 209 was pushed out from under the connecting portion 401c. Further, when a rectangular or spherical solder material is placed in the vicinity of the capacitor 209 and soldered, the molten solder material must be wet and spread under the connection portion 401c of the metal terminal 306b. .. In this case as well, it was difficult to secure the solder thickness under the connecting portion 401c in order to obtain sufficient joining reliability. Therefore, as shown in FIGS. 17 to 21, by providing the convex portion 401d on the lower surface (back surface) of the connection portion 401c of the metal terminal 306b, it is possible to sufficiently secure the thickness of the solder under the metal terminal 306b.
すなわち、上記電力用半導体モジュールにおいて、金属端子３０６ｂは、導体パターン４０４と接続される接続部４０１ｃを含む。接続部４０１ｃの一部には導体パターン４０４側に向かって突出した形状である凸部４０１ｄが形成される。電力用半導体モジュールは、接続部４０１ｃの一部以外の部分と導体パターン４０４との間に配置された導電性の接合部材としてのはんだを含むはんだ接合部４０２を備える。 That is, in the power semiconductor module, the metal terminal 306b includes a connecting portion 401c connected to the conductor pattern 404. A convex portion 401d having a shape protruding toward the conductor pattern 404 side is formed in a part of the connecting portion 401c. The power semiconductor module includes a solder joint portion 402 including solder as a conductive joint member arranged between a portion other than a part of the connection portion 401c and the conductor pattern 404.
この場合、接続部４０１ｃの一部に凸部４０１ｄが形成されているため、当該凸部４０１ｄの突出高さだけ接合部材としてのはんだの厚みを確保することができる。この結果、はんだにより接続部４０１ｃと導体パターン４０４とが接続された接合構造の信頼性を向上させることができる。 In this case, since the convex portion 401d is formed in a part of the connecting portion 401c, the thickness of the solder as the joining member can be secured by the protruding height of the convex portion 401d. As a result, the reliability of the joint structure in which the connecting portion 401c and the conductor pattern 404 are connected by solder can be improved.
上記電力用半導体モジュールにおいて、図２１に示すように凸部４０１ｄには貫通孔４０１ｅが形成されていてもよい。この場合、金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃに貫通孔４０１ｅを形成するときに当該接続部４０１ｃの一部を塑性変形させることで、凸部４０１ｄを容易に形成できる。また、貫通孔４０１ｅの内部にも接合部材としてのはんだを配置することができるので、当該はんだと接続部４０１ｃとの接触面積を大きくでき、接合構造の信頼性をより高めることができる。 In the power semiconductor module, as shown in FIG. 21, a through hole 401e may be formed in the convex portion 401d. In this case, when the through hole 401e is formed in the connection portion 401c of the metal terminal 306b, the convex portion 401d can be easily formed by plastically deforming a part of the connection portion 401c. Further, since the solder as a joining member can be arranged inside the through hole 401e, the contact area between the solder and the connecting portion 401c can be increased, and the reliability of the joining structure can be further improved.
上記電力用半導体モジュールにおいて、金属端子３０６ｂは、接続部４０１ｃと本体側部４０１ｂとを含む。接続部４０１ｃは、導体パターン４０４と接続される。本体側部４０１ｂは、接続部４０１ｃに連なりコンデンサ本体３０６ａに接続される。本体側部４０１ｂの延在方向に対して接続部４０１ｃの延在方向は交差している。図２２に示すように本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鋭角である。 In the power semiconductor module, the metal terminal 306b includes a connection portion 401c and a main body side portion 401b. The connecting portion 401c is connected to the conductor pattern 404. The main body side portion 401b is connected to the connection portion 401c and is connected to the capacitor main body 306a. The extending direction of the connecting portion 401c intersects with the extending direction of the main body side portion 401b. As shown in FIG. 22, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c is an acute angle.
上記電力用半導体モジュールにおいて、金属端子３０６ｂは、接続部４０１ｃと本体側部４０１ｂとを含む。接続部４０１ｃは導体パターン４０４と接続される。本体側部４０１ｂは、接続部４０１ｃに連なりコンデンサ本体３０６ａに接続される。本体側部４０１ｂの延在方向に対して接続部４０１ｃの延在方向は交差している。図２３に示すように本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鈍角である。 In the power semiconductor module, the metal terminal 306b includes a connection portion 401c and a main body side portion 401b. The connecting portion 401c is connected to the conductor pattern 404. The main body side portion 401b is connected to the connection portion 401c and is connected to the capacitor main body 306a. The extending direction of the connecting portion 401c intersects with the extending direction of the main body side portion 401b. As shown in FIG. 23, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c is an obtuse angle.
この場合、導体パターン４０４の表面に対してほぼ垂直な方向に本体側部４０１ｂの延在方向が沿うように、コンデンサ２０９を導体パターン４０４と接続すれば、接続部４０１ｃは導体パターン４０４の表面に対して傾斜した状態となる。このため、導体パターン４０４と接続部４０１ｃとの間に接合部材としてはんだを配置するときに、当該はんだの厚さを十分に確保できる。このため、はんだにより接続部４０１ｃと導体パターン４０４とが接続された接合構造の信頼性を向上させることができる。 In this case, if the capacitor 209 is connected to the conductor pattern 404 so that the extending direction of the main body side portion 401b is along the direction substantially perpendicular to the surface of the conductor pattern 404, the connection portion 401c is connected to the surface of the conductor pattern 404. On the other hand, it becomes inclined. Therefore, when the solder is arranged as a joining member between the conductor pattern 404 and the connecting portion 401c, a sufficient thickness of the solder can be secured. Therefore, the reliability of the joint structure in which the connecting portion 401c and the conductor pattern 404 are connected by solder can be improved.
本開示に従った電子部品としてのコンデンサ２０９は、セラミック電子部品本体としてのコンデンサ本体３０６ａと、金属端子３０６ｂとを備える。コンデンサ本体３０６ａは、互いに対向する２つの端面を有し、２つの端面上に形成された外部電極を含む。金属端子３０６ｂは、外部電極に接続される。金属端子３０６ｂは、外部の導体層としての導体パターン４０４と接続されるべき接続部４０１ｃを含む。図１７〜図２１に示すように、接続部４０１ｃの一部には凸部４０１ｄが形成されている。 The capacitor 209 as an electronic component according to the present disclosure includes a capacitor body 306a as a ceramic electronic component body and a metal terminal 306b. The capacitor body 306a has two end faces facing each other and includes an external electrode formed on the two end faces. The metal terminal 306b is connected to an external electrode. The metal terminal 306b includes a connecting portion 401c to be connected to a conductor pattern 404 as an external conductor layer. As shown in FIGS. 17 to 21, a convex portion 401d is formed in a part of the connecting portion 401c.
このようにすれば、接続部４０１ｃの一部に凸部４０１ｄが形成されているため、導体パターン４０４と接続部４０１ｃとを接合部材であるはんだを介して接続する場合に、当該凸部４０１ｄの突出高さだけはんだの厚みを確保することができる。この結果、はんだにより接続部４０１ｃと導体パターン４０４とが接続された接合構造の信頼性を向上させることができる。 In this way, since the convex portion 401d is formed in a part of the connecting portion 401c, when the conductor pattern 404 and the connecting portion 401c are connected via solder which is a joining member, the convex portion 401d The thickness of the solder can be secured by the protruding height. As a result, the reliability of the joint structure in which the connecting portion 401c and the conductor pattern 404 are connected by solder can be improved.
上記電子部品において、図２１に示すように凸部４０１ｄには貫通孔４０１ｅが形成されていてもよい。この場合、金属端子３０６ｂの接続部４０１ｃに貫通孔４０１ｅを形成するときに当該接続部４０１ｃの一部を塑性変形させることで、凸部４０１ｄを容易に形成できる。また、貫通孔４０１ｅの内部にもはんだを配置することができるので、当該はんだと接続部４０１ｃとの接触面積を大きくでき、接合構造の信頼性をより高めることができる。 In the electronic component, as shown in FIG. 21, a through hole 401e may be formed in the convex portion 401d. In this case, when the through hole 401e is formed in the connection portion 401c of the metal terminal 306b, the convex portion 401d can be easily formed by plastically deforming a part of the connection portion 401c. Further, since the solder can be arranged inside the through hole 401e, the contact area between the solder and the connecting portion 401c can be increased, and the reliability of the joint structure can be further improved.
本開示に従った電子部品は、セラミック電子部品本体としてのコンデンサ本体３０６ａと、金属端子３０６ｂとを備える。コンデンサ本体３０６ａは、互いに対向する２つの端面を有し、２つの端面上に形成された外部電極を含む。金属端子３０６ｂは、外部電極に接続される。金属端子３０６ｂは、外部の導体層としての導体パターン４０４と接続されるべき接続部４０１ｃと、接続部４０１ｃに連なりコンデンサ本体３０６ａに接続される本体側部４０１ｂとを含む。本体側部４０１ｂの延在方向に対して接続部４０１ｃの延在方向は交差している。図２２に示すように本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鋭角である。 The electronic component according to the present disclosure includes a capacitor body 306a as a ceramic electronic component body and a metal terminal 306b. The capacitor body 306a has two end faces facing each other and includes an external electrode formed on the two end faces. The metal terminal 306b is connected to an external electrode. The metal terminal 306b includes a connecting portion 401c to be connected to the conductor pattern 404 as an external conductor layer, and a main body side portion 401b connected to the connecting portion 401c and connected to the capacitor main body 306a. The extending direction of the connecting portion 401c intersects with the extending direction of the main body side portion 401b. As shown in FIG. 22, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c is an acute angle.
本開示に従った電子部品は、セラミック電子部品本体としてのコンデンサ本体３０６ａと、金属端子３０６ｂとを備える。コンデンサ本体３０６ａは、互いに対向する２つの端面を有し、２つの端面上に形成された外部電極を含む。金属端子３０６ｂは、外部電極に接続される。金属端子３０６ｂは、外部の導体層としての導体パターン４０４と接続されるべき接続部４０１ｃと、接続部４０１ｃに連なりコンデンサ本体３０６ａに接続される本体側部４０１ｂとを含む。本体側部４０１ｂの延在方向に対して接続部４０１ｃの延在方向は交差している。図２３に示すように本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鈍角である。 The electronic component according to the present disclosure includes a capacitor body 306a as a ceramic electronic component body and a metal terminal 306b. The capacitor body 306a has two end faces facing each other and includes an external electrode formed on the two end faces. The metal terminal 306b is connected to an external electrode. The metal terminal 306b includes a connecting portion 401c to be connected to the conductor pattern 404 as an external conductor layer, and a main body side portion 401b connected to the connecting portion 401c and connected to the capacitor main body 306a. The extending direction of the connecting portion 401c intersects with the extending direction of the main body side portion 401b. As shown in FIG. 23, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c is an obtuse angle.
この場合、導体パターン４０４の表面に対してほぼ垂直な方向に本体側部４０１ｂの延在方向が沿うように、電子部品を導体パターン４０４と接続すれば、接続部４０１ｃは導体パターン４０４の表面に対して傾斜した状態となる。このため、導体パターン４０４と接続部４０１ｃとの間に接合部材としてのはんだを配置するときに、当該はんだの厚さを十分に確保できる。このため、はんだにより接続部４０１ｃと導体パターン４０４とが接続された接合構造の信頼性を向上させることができる。 In this case, if the electronic component is connected to the conductor pattern 404 so that the extending direction of the main body side portion 401b is along the direction substantially perpendicular to the surface of the conductor pattern 404, the connecting portion 401c is connected to the surface of the conductor pattern 404. On the other hand, it becomes inclined. Therefore, when the solder as the joining member is arranged between the conductor pattern 404 and the connecting portion 401c, a sufficient thickness of the solder can be secured. Therefore, the reliability of the joint structure in which the connecting portion 401c and the conductor pattern 404 are connected by solder can be improved.
本開示に従った電力用半導体モジュールは、図１および図２に示すように少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐと、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎと、導体パターンと、上記電子部品としてのコンデンサ２０９とを備える。導体パターンには、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子のいずれか一方が電気的に接続される。コンデンサ２０９は、導体パターンと電気的に接続される。 As shown in FIGS. 1 and 2, the power semiconductor module according to the present disclosure includes at least one positive side power semiconductor element, a positive side switching element 103P and a positive side freewheeling diode 104P, and at least one negative side power. It includes a negative electrode side switching element 103N and a negative electrode side freewheeling diode 104N, which are semiconductor elements for use, a conductor pattern, and a capacitor 209 as the electronic component. At least one of the positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element is electrically connected to the conductor pattern. The capacitor 209 is electrically connected to the conductor pattern.
このようにすれば、電子部品としてのコンデンサ２０９の接続部４０１ｃと、導体パターンと電気的につながった導体層である導体パターン４０４との接合構造において、はんだなどの接合部材の厚さを十分に確保できる。この結果、接合構造の信頼性が向上した、長寿命化が可能な電力用半導体モジュールを得ることができる。 By doing so, in the joining structure of the connecting portion 401c of the capacitor 209 as an electronic component and the conductor pattern 404 which is a conductor layer electrically connected to the conductor pattern, the thickness of the joining member such as solder is sufficiently increased. Can be secured. As a result, it is possible to obtain a power semiconductor module having an improved reliability of the junction structure and a long life.
上記電力用半導体モジュールは、封止体２０５（図２参照）を備える。封止体２０５は、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子と少なくとも１つの負極側電力用半導体素子とに対応する半導体素子２０４、および電子部品としてのコンデンサ２０９を封止する。封止体はエポキシ樹脂を含む。 The power semiconductor module includes a sealant 205 (see FIG. 2). The sealing body 205 seals the semiconductor element 204 corresponding to at least one positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element, and the capacitor 209 as an electronic component. The sealant contains an epoxy resin.
この場合、封止体２０５としてエポキシ樹脂を用いるため、コンデンサ２０９が接続された導体パターン４０４など電子部品近傍の構造の変形を封止体により抑制できる。このため、当該コンデンサ２０９近傍における上記変形に起因する応力の発生を抑制できる。 In this case, since the epoxy resin is used as the sealing body 205, deformation of the structure near the electronic component such as the conductor pattern 404 to which the capacitor 209 is connected can be suppressed by the sealing body. Therefore, it is possible to suppress the generation of stress due to the above deformation in the vicinity of the capacitor 209.
上記電力用半導体モジュールは、導体層としての導体パターン４０４を備える。導体パターン４０４は、半導体素子２０４が搭載された導体パターンと同一レイヤにより構成される。電子部品としてのコンデンサ２０９は導体パターン４０４に接続されている。 The power semiconductor module includes a conductor pattern 404 as a conductor layer. The conductor pattern 404 is composed of the same layer as the conductor pattern on which the semiconductor element 204 is mounted. The capacitor 209 as an electronic component is connected to the conductor pattern 404.
この場合、電子部品としてのコンデンサ２０９が、導体パターンと同一レイヤにより構成される導体パターン４０４に接続されているので、導体パターンなどが形成された基板とは別の基板を、電子部品としてのコンデンサ２０９を実装するために用いる場合より、電力用半導体モジュールの構成を簡略化できるとともに、当該導体パターン４０４と電子部品としてのコンデンサ２０９との接合部の実装が容易なため当該接合部を信頼性高く形成することができる。 In this case, since the capacitor 209 as an electronic component is connected to the conductor pattern 404 composed of the same layer as the conductor pattern, a capacitor different from the substrate on which the conductor pattern or the like is formed can be used as an electronic component. Compared with the case of using it for mounting 209, the configuration of the semiconductor module for power can be simplified, and the joint between the conductor pattern 404 and the capacitor 209 as an electronic component can be easily mounted, so that the joint is highly reliable. Can be formed.
また、上記電力用半導体モジュールにおいて、コンデンサ本体３０６ａ下に位置する空間にアンダーフィル剤が配置されていてもよい。アンダーフィル剤は封止体２０５とは異なる材料から構成されていてもよい。 Further, in the power semiconductor module, the underfill agent may be arranged in a space located below the capacitor body 306a. The underfill agent may be composed of a material different from that of the sealant 205.
上述した各実施の形態に係る電力用半導体モジュールの特徴的な構成を要約すれば、電力用半導体モジュールは、少なくとも１つの半導体素子２０４と、導体パターン２０３ａ、２０３ｅ、２０３ｆ、２０３ｊ、と、少なくとも１つのスナバ回路１０６と、封止体２１５と、中間部材としてのスナバ回路用基板２３０（図１２参照）または金属端子３０６ｂ（図８参照）と、接合材としてのはんだ２３１（図１２参照）またははんだ接合部２１１（図８参照）とを備える。半導体素子２０４の一例としては、たとえば少なくとも１つの正極側電力用半導体素子である正極側スイッチング素子１０３Ｐおよび正極側還流ダイオード１０４Ｐと、少なくとも１つの負極側電力用半導体素子である負極側スイッチング素子１０３Ｎおよび負極側還流ダイオード１０４Ｎとが挙げられる。導体パターン２０３ａには、少なくとも１つの半導体素子２０４が接続される。少なくとも１つのスナバ回路１０６は、導体パターン２０３ｊ（図１２参照）または導体パターン２０３ｄ（図８参照）と電気的に接続される。少なくとも１つのスナバ回路１０６は、コンデンサとしての図１２のコンデンサ２０９または図８のコンデンサ本体３０６ａと抵抗体２１０とが直列に接続された回路である。封止体２０５は、少なくとも１つの半導体素子２０４、導体パターン２０３ａ、２０３ｅ、２０３ｆ、２０３ｊ、コンデンサとしての図１２のコンデンサ２０９または図８のコンデンサ本体３０６ｂおよび抵抗体２１０を封止する。中間部材としてのスナバ回路用基板２３０（図１２参照）または金属端子３０６ｂ（図８参照）はコンデンサとしての図１２のコンデンサ２０９または図８のコンデンサ本体３０６ｂと接続される。接合材としてのはんだ２３１（図１２参照）またははんだ接合部２１１（図８参照）は、当該部材を導体パターン２０３ｊ、２０３ｅ、２０３ｆに接続する。 Summarizing the characteristic configurations of the power semiconductor module according to each of the above-described embodiments, the power semiconductor module includes at least one semiconductor element 204 and conductor patterns 203a, 203e, 203f, 203j, and at least one. One snubber circuit 106, a sealant 215, a snubber circuit board 230 (see FIG. 12) or a metal terminal 306b (see FIG. 8) as an intermediate member, and a solder 231 (see FIG. 12) or solder as a bonding material. It is provided with a joint portion 211 (see FIG. 8). As an example of the semiconductor element 204, for example, at least one positive electrode side switching element 103P and positive electrode side freewheeling diode 104P, which are semiconductor elements for positive electrode side power, and at least one negative electrode side switching element 103N, which is a semiconductor element for negative electrode side power, and A negative electrode side freewheeling diode 104N can be mentioned. At least one semiconductor element 204 is connected to the conductor pattern 203a. The at least one snubber circuit 106 is electrically connected to the conductor pattern 203j (see FIG. 12) or the conductor pattern 203d (see FIG. 8). The at least one snubber circuit 106 is a circuit in which the capacitor 209 of FIG. 12 or the capacitor body 306a of FIG. 8 as a capacitor and the resistor 210 are connected in series. The sealing body 205 seals at least one semiconductor element 204, conductor patterns 203a, 203e, 203f, 203j, the capacitor 209 of FIG. 12 as a capacitor, or the capacitor body 306b of FIG. 8 and the resistor 210. The snubber circuit board 230 (see FIG. 12) or the metal terminal 306b (see FIG. 8) as an intermediate member is connected to the capacitor 209 of FIG. 12 or the capacitor body 306b of FIG. 8 as a capacitor. The solder 231 (see FIG. 12) or the solder joint 211 (see FIG. 8) as the bonding material connects the member to the conductor patterns 203j, 203e, 203f.
上記電力用半導体モジュールにおいて、少なくとも１つのスナバ回路１０６は、図３および図４に示すように、少なくとも１つの追加コンデンサとしてのコンデンサ２０９ｂと並列抵抗体としての抵抗体２３３ａ、２３３ｂとを含んでもよい。少なくとの１つの追加コンデンサ２０９ｂは、上記コンデンサ２０９ａおよび抵抗体２１０と直列に接続されてもよい。並列抵抗体としての抵抗体２３３ａ、２３３ｂは、コンデンサ２０９ａおよび少なくとも１つの追加コンデンサ２０９ｂのそれぞれと並列に接続されてもよい。 In the power semiconductor module, at least one snubber circuit 106 may include at least one capacitor 209b as an additional capacitor and resistors 233a and 233b as parallel resistors, as shown in FIGS. 3 and 4. .. At least one additional capacitor 209b may be connected in series with the capacitor 209a and the resistor 210. The resistors 233a and 233b as parallel resistors may be connected in parallel with each of the capacitor 209a and at least one additional capacitor 209b.
上記電力用半導体モジュールにおいて、図１２に示すように、中間部材は、絶縁基板としてのセラミック基板２３０ａと、スナバ回路用導体パターンとしての導体パターン２３０ｃ〜２３０ｅとを含んでもよい。セラミック基板２３０ａは表面を有する。導体パターン２３０ｃ〜２３０ｅは、セラミック基板２３０ａの表面に形成されてもよい。コンデンサ２０９はスナバ導体パターン２３０ｃ、２３０ｄに接続されてもよい。 In the power semiconductor module, as shown in FIG. 12, the intermediate member may include a ceramic substrate 230a as an insulating substrate and conductor patterns 230c to 230e as a conductor pattern for a snubber circuit. The ceramic substrate 230a has a surface. The conductor patterns 230c to 230e may be formed on the surface of the ceramic substrate 230a. The capacitor 209 may be connected to the snubber conductor patterns 230c, 230d.
上記電力用半導体モジュールにおいて、スナバ回路用導体パターンは、第１導体パターンとしての導体パターン２３０ｃと、第２導体パターンとしての導体パターン２３０ｄとを含んでもよい。導体パターン２３０ｄは、導体パターン２３０ｃと間隔を隔てて配置される。コンデンサ２０９は導体パターン２３０ｃと導体パターン２３０ｄとを繋ぐように配置されてもよい。電力用半導体モジュールは、絶縁体としてのアンダーフィル剤を備えてもよい。絶縁体は、コンデンサ２０９と導体パターン２３０ｃと導体パターン２３０ｄとに囲まれた空間２２０に配置され、封止体２０５とは異なる材料からなっていてもよい。 In the power semiconductor module, the conductor pattern for the snubber circuit may include the conductor pattern 230c as the first conductor pattern and the conductor pattern 230d as the second conductor pattern. The conductor pattern 230d is arranged at a distance from the conductor pattern 230c. The capacitor 209 may be arranged so as to connect the conductor pattern 230c and the conductor pattern 230d. The power semiconductor module may include an underfill agent as an insulator. The insulator is arranged in the space 220 surrounded by the capacitor 209, the conductor pattern 230c, and the conductor pattern 230d, and may be made of a material different from that of the sealing body 205.
図１５および図１６に示す上記電力用半導体モジュールにおいて、コンデンサ２０９は、図５に示すように、コンデンサ本体５０１ａと、当該コンデンサ本体５０１ａの表面に形成された外部電極５０１ｂとを含んでもよい。外部電極５０１ｂはスナバ回路用導体パターンとしての導体パターン２３０ｃ、２３０ｄに接続されてもよい。 In the power semiconductor module shown in FIGS. 15 and 16, as shown in FIG. 5, the capacitor 209 may include a capacitor body 501a and an external electrode 501b formed on the surface of the capacitor body 501a. The external electrode 501b may be connected to the conductor patterns 230c and 230d as the conductor pattern for the snubber circuit.
図１２〜図１４に示した上記電力用半導体モジュールにおいて、コンデンサ２０９は、コンデンサ本体３０６ａと、当該コンデンサ本体３０６ａに接続された金属端子３０６ｂとを含んでもよい。金属端子３０６ｂはスナバ回路用導体パターンとしての導体パターン２３０ｃ、２３０ｄに接続されてもよい。 In the power semiconductor module shown in FIGS. 12 to 14, the capacitor 209 may include a capacitor body 306a and a metal terminal 306b connected to the capacitor body 306a. The metal terminal 306b may be connected to conductor patterns 230c and 230d as a conductor pattern for a snubber circuit.
上記電力用半導体モジュールにおいて、中間部材は、図８などに示すようにコンデンサとしてのコンデンサ本体３０６ａに接続された金属端子３０６ｂを含んでもよい。金属端子３０６ｂは導体パターン２０３ｅ、２０３ｆに接合材としてのはんだ接合部２１１により接続されてもよい。 In the power semiconductor module, the intermediate member may include a metal terminal 306b connected to a capacitor body 306a as a capacitor as shown in FIG. 8 and the like. The metal terminal 306b may be connected to the conductor patterns 203e and 203f by a solder joint portion 211 as a bonding material.
上記電力用半導体モジュールにおいて、導体パターンは、図１１に示すように、第１導体パターンとしての導体パターン３０３ｂと、第２導体パターンとしての導体パターン３０３ｃとを含んでもよい。導体パターン３０３ｃは、導体パターン３０３ｂと間隔を隔てて配置されてもよい。コンデンサ２０９は導体パターン３０３ｂと導体パターン３０３ｃとを繋ぐように配置されてもよい。電力用半導体モジュールは、絶縁体としてのアンダーフィル剤を備えてもよい。アンダーフィル剤は、コンデンサ２０９と導体パターン３０３ｂと導体パターン３０３ｃとに囲まれた空間に配置され、封止体２０５とは異なる材料からなっていてもよい。 In the power semiconductor module, as shown in FIG. 11, the conductor pattern may include a conductor pattern 303b as a first conductor pattern and a conductor pattern 303c as a second conductor pattern. The conductor pattern 303c may be arranged at a distance from the conductor pattern 303b. The capacitor 209 may be arranged so as to connect the conductor pattern 303b and the conductor pattern 303c. The power semiconductor module may include an underfill agent as an insulator. The underfill agent may be arranged in a space surrounded by the capacitor 209, the conductor pattern 303b, and the conductor pattern 303c, and may be made of a material different from that of the sealing body 205.
上記電力用半導体モジュールにおいて、図１７〜図２１に示すように、金属端子４０１ｂは、導体パターン４０４と接続される接続部４０１ｃを含んでもよい。接続部４０１ｃの一部には導体パターン４０４側に向かって突出した形状である凸部４０１ｄが形成されてもよい。接合材としてのはんだ接合部４０２は、接続部４０１ｃの一部以外の部分と導体パターン４０４との間に配置された導電性の材料であってもよい。 In the power semiconductor module, as shown in FIGS. 17 to 21, the metal terminal 401b may include a connecting portion 401c connected to the conductor pattern 404. A convex portion 401d having a shape protruding toward the conductor pattern 404 side may be formed in a part of the connecting portion 401c. The solder joint portion 402 as the joint material may be a conductive material arranged between a portion other than a part of the connection portion 401c and the conductor pattern 404.
上記電力用半導体モジュールにおいて、図２１に示すように凸部４０１ｄには貫通孔４０１ｅが形成されてもよい。 In the power semiconductor module, as shown in FIG. 21, a through hole 401e may be formed in the convex portion 401d.
上記電力用半導体モジュールにおいて、金属端子は、図２２または図２３に示すように、導体パターン４０４と接続される接続部４０１ｃと、当該接続部４０１ｃに連なりコンデンサとしてのコンデンサ本体３０６ａに接続される本体側部４０１ｂとを含んでもよい。本体側部４０１ｂの延在方向に対して接続部４０１ｃの延在方向は交差していてもよい。図２２に示すように、本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鋭角であってもよい。あるいは、図２３に示すように、本体側部４０１ｂの延在方向と接続部４０１ｃの延在方向とのなす角度θ２は鈍角であってもよい。また、当該角度θ２は直角でもよい。 In the power semiconductor module, as shown in FIG. 22 or 23, the metal terminal is a main body connected to a connecting portion 401c connected to the conductor pattern 404 and connected to the connecting portion 401c and connected to a capacitor main body 306a as a capacitor. The side portion 401b may be included. The extending direction of the connecting portion 401c may intersect with the extending direction of the main body side portion 401b. As shown in FIG. 22, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c may be an acute angle. Alternatively, as shown in FIG. 23, the angle θ2 formed by the extending direction of the main body side portion 401b and the extending direction of the connecting portion 401c may be an obtuse angle. Further, the angle θ2 may be a right angle.
上記電力用半導体モジュールは、配線部材２０６をさらに備えてもよい。配線部材２０６は、少なくとも１つの正極側電力用半導体素子および少なくとも１つの負極側電力用半導体素子のいずれかである少なくとも１つの半導体素子２０４に接続されてもよい。図１０に示すように、導体パターン３０３ｂから配線部材２０６の頂部までの高さＨ２より、導体パターン３０３ｃからコンデンサ２０９の頂部までの高さＨ１が低くてもよい。 The power semiconductor module may further include a wiring member 206. The wiring member 206 may be connected to at least one semiconductor element 204, which is either at least one positive electrode side power semiconductor element and at least one negative electrode side power semiconductor element. As shown in FIG. 10, the height H1 from the conductor pattern 303c to the top of the capacitor 209 may be lower than the height H2 from the conductor pattern 303b to the top of the wiring member 206.
以上のように本発明の実施の形態について説明を行ったが、上述の実施の形態を様々に変形することも可能である。また、本発明の範囲は上述の実施の形態および実施例に限定されるものではない。本発明の範囲は、請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むことが意図される。 Although the embodiment of the present invention has been described above, it is possible to modify the above-described embodiment in various ways. Moreover, the scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments and examples. The scope of the present invention is indicated by the claims and is intended to include all modifications within the meaning and scope equivalent to the claims.
本開示は、実装時の接合品質が安定化可能なセラミック電子部品とこのセラミック電子部品を実装し、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等をスイッチング素子とする電力用半導体モジュールに有利に適用される。 The present disclosure is advantageously applied to a power semiconductor module in which a ceramic electronic component capable of stabilizing the bonding quality at the time of mounting and the ceramic electronic component are mounted and the switching element is an IGBT, MOSFET, or the like.
３０ 電源、１０１ 電力用半導体モジュール、１０２ モーター、１０３Ｎ 負極側スイッチング素子、１０３Ｐ 正極側スイッチング素子、１０４Ｎ 負極側還流ダイオード、１０４Ｐ 正極側還流ダイオード、１０５ａ〜１０５ｃ レグ、１０６ スナバ回路、２０１ ベース板、２０２ ケース、２０３ ベース絶縁基板、２０３ａ，２０３ｃ，２０３ｄ，２０３ｅ，２０３ｆ，２０３ｇ，２０３ｈ，２０３ｊ，２３０ｂ，２３０ｃ，２３０ｄ，２３０ｅ，２３０ｆ，３０３ａ，３０３ｂ，３０３ｃ，４０４，５０４ａ，５０４ｂ，５０４ｄ，５０４ｅ 導体パターン、２０３ｂ 絶縁材、２０３ｉ 導体層、２０４ 半導体素子、２０４ａ スイッチング素子、２０４ｂ 還流ダイオード、２０５ 封止体、２０６ 配線部材、２０７ｂ，５０８ はんだ、２０８ 端子、２０９ コンデンサ、２１０ 抵抗体、２１１，３０７，４０２ はんだ接合部、２１５ 上部封止体、２２０ 空間、２３２ スルーホール、３０２ ダイボンド材、３０４ 絶縁層、３０５ ベース部材、３０６ａ，３０６ｂ，５０１ａ コンデンサ本体、３０６ｂ 金属端子、３０６ｃ，４０１ｃ，４０１ｄ 接続部、３０８ はんだ規制部、４０１ｂ 本体側部、４０１ｄ 凸部、４０１ｅ 貫通孔、４０３，５０３ａ，５０３ｂ ソルダーレジスト、５０１ａ コンデンサ本体部、５０１ｂ 外部電極、２３０ａ，５０４ｃ セラミック基板、５０６ａ 抵抗膜、５０６ｂ セラミック板、５０６ｃ ボンディングパッド、５０７ 配線材。 30 power supply, 101 power semiconductor module, 102 motor, 103N negative electrode side switching element, 103P positive electrode side switching element, 104N negative electrode side freewheeling diode, 104P positive electrode side freezing diode, 105a to 105c leg, 106 snubber circuit, 201 base plate, 202 Case, 203 base insulating substrate, 203a, 203c, 203d, 203e, 203f, 203g, 203h, 203j, 230b, 230c, 230d, 230e, 230f, 303a, 303b, 303c, 404, 504a, 504b, 504d, 504e Conductor pattern , 203b Insulation material, 203i conductor layer, 204 semiconductor element, 204a switching element, 204b freewheeling diode, 205 encapsulant, 206 wiring member, 207b, 508 solder, 208 terminal, 209 capacitor, 210 resistor, 211,307,402 Solder joint, 215 upper seal, 220 space, 232 through hole, 302 die bond material, 304 insulation layer, 305 base member, 306a, 306b, 501a capacitor body, 306b metal terminal, 306c, 401c, 401d connection, 308 Solder regulation part, 401b body side part, 401d convex part, 401e through hole, 403, 503a, 503b solder resist, 501a capacitor body part, 501b external electrode, 230a, 504c ceramic substrate, 506a resistance film, 506b ceramic plate, 506c bonding Pad, 507 wiring material.
Claims (13)
前記少なくとも１つの半導体素子が接続される導体パターンと、
前記導体パターンと電気的に接続される少なくとも１つのスナバ回路とを備え、
前記少なくとも１つのスナバ回路は、コンデンサと抵抗体とが直列に接続された回路であり、さらに、
前記少なくとも１つの半導体素子、前記導体パターン、前記コンデンサおよび前記抵抗体を封止する封止体と、
前記コンデンサと接続される中間部材と、
前記中間部材を前記導体パターンに接続する接合材とを備え、
前記少なくとも１つのスナバ回路は、
前記コンデンサおよび前記抵抗体と直列に接続された少なくとも１つの追加コンデンサと、
前記コンデンサおよび前記少なくとも１つの追加コンデンサのそれぞれと並列に接続された並列抵抗体とを含み、
前記並列抵抗体の抵抗値は前記抵抗体の抵抗値の１０００倍以上である、電力用半導体モジュール。 With at least one semiconductor element
A conductor pattern to which the at least one semiconductor element is connected and
It comprises at least one snubber circuit that is electrically connected to the conductor pattern.
The at least one snubber circuit is a circuit in which a capacitor and a resistor are connected in series, and further
A sealant that seals the at least one semiconductor element, the conductor pattern, the capacitor, and the resistor.
An intermediate member connected to the capacitor and
A bonding material for connecting the intermediate member to the conductor pattern is provided.
The at least one snubber circuit
With the capacitor and at least one additional capacitor connected in series with the resistor,
Includes a parallel resistor connected in parallel with each of the capacitor and at least one additional capacitor.
A power semiconductor module in which the resistance value of the parallel resistor is 1000 times or more the resistance value of the resistor.
表面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記表面に形成されたスナバ回路用導体パターンとを含み、
前記スナバ回路用導体パターンは、第１導体パターンと、前記第１導体パターンと間隔を隔てて配置された第２導体パターンとを含み、
前記コンデンサは前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを繋ぐように配置され、
前記コンデンサと前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとに囲まれた空間に配置され、前記封止体とは異なる材料からなる絶縁体を備える、請求項１に記載の電力用半導体モジュール。 The intermediate member
Insulated substrate with surface and
Including a conductor pattern for a snubber circuit formed on the surface of the insulating substrate.
The conductor pattern for a snubber circuit includes a first conductor pattern and a second conductor pattern arranged at a distance from the first conductor pattern.
The capacitor is arranged so as to connect the first conductor pattern and the second conductor pattern.
The power semiconductor module according to claim 1, further comprising an insulator arranged in a space surrounded by the capacitor, the first conductor pattern, and the second conductor pattern, and made of a material different from that of the encapsulant.
コンデンサ本体部と、
前記コンデンサ本体部の表面に形成された外部電極とを含み、
前記外部電極は前記スナバ回路用導体パターンに接続されている、請求項２または３に記載の電力用半導体モジュール。 The capacitor is
Capacitor body and
Including an external electrode formed on the surface of the capacitor body,
The power semiconductor module according to claim 2 or 3 , wherein the external electrode is connected to the snubber circuit conductor pattern.
コンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体に接続された金属端子とを含み、
前記金属端子は前記スナバ回路用導体パターンに接続されている、請求項２または３に記載の電力用半導体モジュール。 The capacitor is
With the capacitor body
Including a metal terminal connected to the capacitor body
The power semiconductor module according to claim 2 or 3 , wherein the metal terminal is connected to the conductor pattern for the snubber circuit.
前記金属端子は前記導体パターンに前記接合材により接続されている、請求項１に記載の電力用半導体モジュール。 The intermediate member comprises a metal terminal connected to the capacitor.
The power semiconductor module according to claim 1 , wherein the metal terminal is connected to the conductor pattern by the bonding material.
前記コンデンサは前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを繋ぐように配置され、
前記コンデンサと前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとに囲まれた空間に配置され、前記封止体とは異なる材料からなる絶縁体を備える、請求項６に記載の電力用半導体モジュール。 The conductor pattern includes a first conductor pattern and a second conductor pattern arranged at a distance from the first conductor pattern.
The capacitor is arranged so as to connect the first conductor pattern and the second conductor pattern.
The power semiconductor module according to claim 6, further comprising an insulator arranged in a space surrounded by the capacitor, the first conductor pattern, and the second conductor pattern, and made of a material different from that of the encapsulant.
前記接続部の一部には前記導体パターン側に向かって突出した形状である凸部が形成され、
前記接合材は、前記接続部の前記一部以外の部分と前記導体パターンとの間に配置された導電性の材料である、請求項６または７に記載の電力用半導体モジュール。 The metal terminal includes a connection portion connected to the conductor pattern.
A convex portion having a shape protruding toward the conductor pattern side is formed in a part of the connecting portion.
The power semiconductor module according to claim 6 or 7 , wherein the joining material is a conductive material arranged between a portion other than the part of the connecting portion and the conductor pattern.
前記封止体上に配置された上部封止体をさらに備える、請求項１〜９のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。 The sealing body is arranged so that the capacitor is embedded in the sealing body.
The power semiconductor module according to any one of claims 1 to 9, further comprising an upper sealing body arranged on the sealing body.
前記導体パターンから前記配線部材の頂部までの高さより、前記導体パターンから前記コンデンサの頂部までの高さが低い、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電力用半導体モジュール。 Further comprising a wiring member connected to the at least one semiconductor element,
The power semiconductor module according to any one of claims 1 to 10, wherein the height from the conductor pattern to the top of the capacitor is lower than the height from the conductor pattern to the top of the wiring member.
前記スナバ回路が形成される中間部材に前記コンデンサを接続する工程を備え、
前記中間部材は、表面を有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の前記表面に形成されたスナバ回路用導体パターンとを含み、
前記接続する工程では、前記コンデンサが前記スナバ回路用導体パターンに接続され、さらに、
前記コンデンサが前記スナバ回路用導体パターンに接続された前記絶縁基板を、表面を有するベース絶縁基板に設置する工程を備え、
前記ベース絶縁基板の前記表面上には、
少なくとも１つの半導体素子と、
前記少なくとも１つの半導体素子が接続される導体パターンと、が配置され、
前記ベース絶縁基板に設置する工程では、前記絶縁基板が前記ベース絶縁基板の前記導体パターンに接続される、電力用半導体モジュールの製造方法。 A method for manufacturing a power semiconductor module including a snubber circuit, which is a circuit in which a capacitor and a resistor are connected in series.
A step of connecting the capacitor to an intermediate member on which the snubber circuit is formed is provided.
The intermediate member includes an insulating substrate having a surface and
Including a conductor pattern for a snubber circuit formed on the surface of the insulating substrate.
In the connecting step, the capacitor is connected to the snubber circuit conductor pattern, and further.
A step of installing the insulating substrate in which the capacitor is connected to the conductor pattern for a snubber circuit on a base insulating substrate having a surface is provided.
On the surface of the base insulating substrate,
With at least one semiconductor element
A conductor pattern to which the at least one semiconductor element is connected is arranged.
A method for manufacturing a power semiconductor module in which the insulating substrate is connected to the conductor pattern of the base insulating substrate in the step of installing the insulating substrate on the base insulating substrate.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017084625 | 2017-04-21 | ||
| JP2017084625 | 2017-04-21 | ||
| PCT/JP2018/016263 WO2018194153A1 (en) | 2017-04-21 | 2018-04-20 | Power semiconductor module, electronic component and method for producing power semiconductor module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2018194153A1 JPWO2018194153A1 (en) | 2019-11-14 |
| JP6755386B2 true JP6755386B2 (en) | 2020-09-16 |
Family
ID=63855855
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019513697A Active JP6755386B2 (en) | 2017-04-21 | 2018-04-20 | Manufacturing method of power semiconductor module and power semiconductor module |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6755386B2 (en) |
| CN (1) | CN110494977B (en) |
| WO (1) | WO2018194153A1 (en) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019062042A (en) * | 2017-09-26 | 2019-04-18 | 太陽誘電株式会社 | Electronic component with metal terminal and electronic component mounted circuit board |
| WO2019163205A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-29 | 三菱電機株式会社 | Power semiconductor module and power conversion device using same |
| JP7170272B2 (en) * | 2019-03-27 | 2022-11-14 | ネクスファイ・テクノロジー株式会社 | Power board and high voltage module with it |
| US11988688B2 (en) | 2019-05-29 | 2024-05-21 | Mitsubishi Electric Corporation | Voltage dividing device |
| JP7419781B2 (en) * | 2019-12-10 | 2024-01-23 | 富士電機株式会社 | semiconductor module |
| JP7301009B2 (en) * | 2020-02-10 | 2023-06-30 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JPWO2021229837A1 (en) * | 2020-05-12 | 2021-11-18 | ||
| JP7459672B2 (en) * | 2020-06-10 | 2024-04-02 | 住友電気工業株式会社 | semiconductor equipment |
| WO2024057860A1 (en) * | 2022-09-13 | 2024-03-21 | ローム株式会社 | Semiconductor device |
| FR3144696A1 (en) * | 2022-12-28 | 2024-07-05 | Safran Electrical & Power | POWER MODULE, AIRCRAFT COMPRISING SUCH A POWER MODULE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE POWER MODULE |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6151952A (en) * | 1984-08-22 | 1986-03-14 | Hitachi Ltd | Semiconductor device |
| JPS6315034U (en) * | 1986-07-15 | 1988-02-01 | ||
| JPH0529108U (en) * | 1991-09-24 | 1993-04-16 | 株式会社トーキン | Surface mount component terminals |
| JP5169353B2 (en) * | 2008-03-18 | 2013-03-27 | 三菱電機株式会社 | Power module |
| JP5045649B2 (en) * | 2008-11-17 | 2012-10-10 | 株式会社村田製作所 | Ceramic capacitor and electronic component including the same |
| JP2012210153A (en) * | 2012-08-03 | 2012-10-25 | Daikin Ind Ltd | Electric power conversion apparatus |
| WO2014097798A1 (en) * | 2012-12-18 | 2014-06-26 | 富士電機株式会社 | Semiconductor device |
| JP6425380B2 (en) * | 2013-12-26 | 2018-11-21 | ローム株式会社 | Power circuit and power module |
| GB2528980A (en) * | 2014-08-08 | 2016-02-10 | Reinhausen Maschf Scheubeck | Voltage balancing in series connected power switches |
-
2018
- 2018-04-20 CN CN201880020955.XA patent/CN110494977B/en active Active
- 2018-04-20 WO PCT/JP2018/016263 patent/WO2018194153A1/en active Application Filing
- 2018-04-20 JP JP2019513697A patent/JP6755386B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN110494977A (en) | 2019-11-22 |
| WO2018194153A1 (en) | 2018-10-25 |
| JPWO2018194153A1 (en) | 2019-11-14 |
| CN110494977B (en) | 2023-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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|
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|
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|
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|
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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