JP6752061B2 - Board transfer device and board transfer method - Google Patents

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開示の実施形態は、基板搬送装置および基板搬送方法に関する。 The disclosed embodiments relate to a substrate transfer device and a substrate transfer method.

従来、半導体ウェハやガラス基板といった基板に対し、所定の基板処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置が知られている。 Conventionally, there is known a substrate processing apparatus including a plurality of processing units for performing a predetermined substrate processing on a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate.

かかる基板処理装置における基板搬送に関し、基板を支持するパッドをダイアフラムポンプにより昇降可能に設けて複数個で１組とし、これを複数組設けて組ごとに昇降状態を変えることで、処理前の基板と処理後の基板とで支持位置を異ならせる技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。 Regarding the substrate transfer in such a substrate processing apparatus, pads for supporting the substrate are provided so as to be able to move up and down by a diaphragm pump to form a set of a plurality of pads, and a plurality of sets thereof are provided to change the raising and lowering state for each set. A technique has been proposed in which the support position is different between the and the processed substrate (see, for example, Patent Document 1).

特開平０８−１０７１３６号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 08-107136

しかしながら、上述の従来技術は、ダイアフラムポンプによる流体の給排が行われても、これにともなって実際にパッドが昇降し、所望の昇降状態にあるかまでは把握していない。 However, in the above-mentioned conventional technique, even if the fluid is supplied and discharged by the diaphragm pump, it is not known whether the pad actually moves up and down in accordance with the supply and discharge of the fluid and is in a desired raising and lowering state.

実施形態の一態様は、基板を支持するために昇降する部材の実際の昇降状態を把握することができる基板搬送装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。 One aspect of the embodiment is to provide a substrate transfer device and a substrate transfer method capable of grasping an actual elevating state of a member that elevates to support a substrate.

実施形態の一態様に係る基板搬送装置は、基部と、支持部と、昇降機構と、検出機構と、制御部とを備える。基部は、基板を保持する保持部の基部である。支持部は、基部に設けられ、基板の下方から基板を支持する。昇降機構は、基部に対し、支持部を昇降させる。検出機構は、水平方向に沿った光軸を形成可能に設けられて被検出物を光学的に検出する光学センサを有し、基板を収容可能なキャリア内における基板の収容状態の検出用、および支持部の昇降状態の検出用に設けられる。制御部は、光学センサの位置制御を行う。また、保持部は、光軸に対し、支持部を進退させる移動機構を備える。光学センサは、キャリア側および保持部側のそれぞれへ向けて回動可能に設けられる。制御部は、検出機構に支持部の昇降状態を検出させる場合に、光学センサを保持部側へ回動させて、支持部に対し光軸がオーバーラップするように、光学センサの位置制御を行う。 The substrate transfer device according to one aspect of the embodiment includes a base portion, a support portion, an elevating mechanism, a detection mechanism, and a control unit . The base is the base of the holding portion that holds the substrate. The support portion is provided on the base portion and supports the substrate from below the substrate. The elevating mechanism raises and lowers the support portion with respect to the base portion. The detection mechanism has an optical sensor that is provided so as to form an optical axis along the horizontal direction and optically detects an object to be detected, and is used for detecting the accommodation state of the substrate in a carrier that can accommodate the substrate, and Ru provided for detection of the lift state of the support portion. The control unit controls the position of the optical sensor. Further, the holding portion includes a moving mechanism for moving the supporting portion forward and backward with respect to the optical axis. The optical sensor is provided so as to be rotatable toward each of the carrier side and the holding portion side. When the detection mechanism detects the elevating state of the support unit, the control unit rotates the optical sensor toward the holding unit side and controls the position of the optical sensor so that the optical axis overlaps the support unit. ..

実施形態の一態様によれば、基板を支持するために昇降する部材の実際の昇降状態を把握することができる。 According to one aspect of the embodiment, it is possible to grasp the actual elevating state of the member that elevates and descends to support the substrate.

図１は、実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system according to an embodiment. 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of a processing unit. 図３Ａは、第１搬送装置の構成を示す斜視図である。FIG. 3A is a perspective view showing the configuration of the first transport device. 図３Ｂは、第１搬送装置の動作例を示す平面模式図である。FIG. 3B is a schematic plan view showing an operation example of the first transfer device. 図３Ｃは、保持部の構成を示す平面図である。FIG. 3C is a plan view showing the configuration of the holding portion. 図３Ｄは、図３Ｃに示すＡ−Ａ’線略断面図である。FIG. 3D is a schematic cross-sectional view taken along the line AA'shown in FIG. 3C. 図３Ｅは、保持部によるウェハの保持方法を示す模式図（その１）である。FIG. 3E is a schematic view (No. 1) showing a method of holding the wafer by the holding portion. 図３Ｆは、保持部によるウェハの保持方法を示す模式図（その２）である。FIG. 3F is a schematic view (No. 2) showing a method of holding the wafer by the holding portion. 図３Ｇは、保持部によるウェハの保持方法を示す模式図（その３）である。FIG. 3G is a schematic view (No. 3) showing a method of holding the wafer by the holding portion. 図４Ａは、基板検出機構の構成を示す斜視図である。FIG. 4A is a perspective view showing the configuration of the substrate detection mechanism. 図４Ｂは、キャリア内のウェハの収容状態を検出する場合の説明図である。FIG. 4B is an explanatory diagram when detecting the accommodation state of the wafer in the carrier. 図４Ｃは、昇降パッドの昇降状態を検出する場合の説明図（その１）である。FIG. 4C is an explanatory diagram (No. 1) when detecting the elevating state of the elevating pad. 図４Ｄは、昇降パッドの昇降状態を検出する場合の説明図（その２）である。FIG. 4D is an explanatory diagram (No. 2) when detecting the elevating state of the elevating pad. 図４Ｅは、昇降パッドの昇降状態を検出する場合の説明図（その３）である。FIG. 4E is an explanatory diagram (No. 3) when detecting the elevating state of the elevating pad. 図４Ｆは、昇降パッドの昇降状態を検出する場合の説明図（その４）である。FIG. 4F is an explanatory diagram (No. 4) when detecting the elevating state of the elevating pad. 図５は、キャリア〜受渡部間のウェハの搬送処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure of wafer transfer processing between the carrier and the delivery portion. 図６Ａは、支持部の配置形態の変形例を示す平面図（その１）である。FIG. 6A is a plan view (No. 1) showing a modified example of the arrangement form of the support portion. 図６Ｂは、支持部の配置形態の変形例を示す平面図（その２）である。FIG. 6B is a plan view (No. 2) showing a modified example of the arrangement form of the support portion. 図６Ｃは、支持部の配置形態の変形例を示す平面図（その３）である。FIG. 6C is a plan view (No. 3) showing a modified example of the arrangement form of the support portion. 図７Ａは、第２搬送装置の構成を示す平面図である。FIG. 7A is a plan view showing the configuration of the second transport device. 図７Ｂは、第２搬送装置を用いて第１搬送装置の不具合を推定する場合の説明図（その１）である。FIG. 7B is an explanatory diagram (No. 1) in the case of estimating a defect of the first transport device using the second transport device. 図７Ｃは、第２搬送装置を用いて第１搬送装置の不具合を推定する場合の説明図（その２）である。FIG. 7C is an explanatory diagram (No. 2) in the case of estimating a defect of the first transport device using the second transport device. 図７Ｄは、第２搬送装置を用いて第１搬送装置の不具合を推定する場合の説明図（その３）である。FIG. 7D is an explanatory diagram (No. 3) in the case of estimating a defect of the first transport device using the second transport device. 図８は、受渡部を介した第１搬送装置〜第２搬送装置間のウェハの搬送処理の処理手順を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure of wafer transfer processing between the first transfer device and the second transfer device via the delivery unit. 図９は、その他の実施形態に係る第１搬送装置の構成を示す斜視図である。FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of the first transport device according to another embodiment.

以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板搬送装置および基板搬送方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。 Hereinafter, embodiments of the substrate transfer apparatus and the substrate transfer method disclosed in the present application will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The present invention is not limited to the embodiments shown below.

図１は、本実施形態に係る基板処理システム１の概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。 FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a substrate processing system 1 according to the present embodiment. In the following, in order to clarify the positional relationship, the X-axis, Y-axis, and Z-axis that are orthogonal to each other are defined, and the positive direction of the Z-axis is defined as the vertically upward direction.

図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。 As shown in FIG. 1, the substrate processing system 1 includes a loading / unloading station 2 and a processing station 3. The loading / unloading station 2 and the processing station 3 are provided adjacent to each other.

搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。 The loading/unloading station 2 includes a carrier placement unit 11 and a transport unit 12. A plurality of substrates, in the present embodiment, a plurality of carriers C for accommodating semiconductor wafers (hereinafter referred to as wafers W) in a horizontal state are placed on the carrier placing portion 11.

搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport section 12 is provided adjacent to the carrier mounting section 11, and includes a substrate transport device 13 and a delivery section 14 inside. The substrate transfer device 13 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. In addition, the substrate transfer device 13 is capable of moving in the horizontal direction and the vertical direction and turning about the vertical axis, and transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 using the wafer holding mechanism. To do.

処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。 The processing station 3 is provided adjacent to the transport unit 12. The processing station 3 includes a transport unit 15 and a plurality of processing units 16. The plurality of processing units 16 are provided side by side on both sides of the transport unit 15.

搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。 The transport unit 15 includes a substrate transport device 17 inside. The substrate transfer device 17 includes a wafer holding mechanism that holds the wafer W. Further, the substrate transfer device 17 can move in the horizontal direction and the vertical direction and swivel around the vertical axis, and transfers the wafer W between the delivery unit 14 and the processing unit 16 by using the wafer holding mechanism. I do.

処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。 The processing unit 16 performs a predetermined substrate processing on the wafer W carried by the substrate carrying device 17.

また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、例えばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。 Further, the substrate processing system 1 includes a control device 4. The control device 4 is, for example, a computer, and includes a control unit 18 and a storage unit 19. The storage unit 19 stores programs that control various processes executed in the substrate processing system 1. The control unit 18 controls the operation of the substrate processing system 1 by reading and executing the program stored in the storage unit 19.

なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。 The program may be recorded on a storage medium readable by a computer, and may be installed from the storage medium in the storage unit 19 of the control device 4. Examples of storage media that can be read by a computer include a hard disk (HD), a flexible disk (FD), a compact disk (CD), a magnet optical disk (MO), and a memory card.

上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。 In the substrate processing system 1 configured as described above, first, the substrate transfer device 13 of the loading/unloading station 2 takes out the wafer W from the carrier C placed on the carrier placing part 11 and receives the taken out wafer W. Place it on the transfer unit 14. The wafer W placed on the delivery unit 14 is taken out of the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 of the processing station 3 and carried into the processing unit 16.

処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。 The wafer W loaded into the processing unit 16 is processed by the processing unit 16 and then unloaded from the processing unit 16 by the substrate transfer device 17 and placed on the delivery unit 14. Then, the processed wafer W placed on the delivery section 14 is returned to the carrier C of the carrier mounting section 11 by the substrate transfer device 13.

次に、処理ユニット１６の概略構成について図２を参照して説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。 Next, a schematic configuration of the processing unit 16 will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the processing unit 16.

図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。 As shown in FIG. 2, the processing unit 16 includes a chamber 20, a substrate holding mechanism 30, a processing fluid supply unit 40, and a recovery cup 50.

チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。 The chamber 20 houses the substrate holding mechanism 30, the processing fluid supply unit 40, and the recovery cup 50. An FFU (Fan Filter Unit) 21 is provided on the ceiling of the chamber 20. The FFU 21 forms a downflow in the chamber 20.

基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。 The substrate holding mechanism 30 includes a holding portion 31, a support portion 32, and a driving portion 33. The holding unit 31 holds the wafer W horizontally. The column portion 32 is a member extending in the vertical direction, the base end portion is rotatably supported by the drive portion 33, and the holding portion 31 is horizontally supported at the tip end portion. The drive unit 33 rotates the support column 32 about the vertical axis. The substrate holding mechanism 30 rotates the supporting column 32 by using the driving unit 33 to rotate the supporting unit 31 supported by the supporting unit 32, thereby rotating the wafer W held by the supporting unit 31. ..

処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。 The processing fluid supply unit 40 supplies the processing fluid to the wafer W. The processing fluid supply unit 40 is connected to the processing fluid supply source 70.

回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。 The recovery cup 50 is arranged so as to surround the holding unit 31, and collects the processing liquid scattered from the wafer W by the rotation of the holding unit 31. A drain port 51 is formed at the bottom of the recovery cup 50, and the processing liquid collected by the recovery cup 50 is discharged to the outside of the processing unit 16 through the drain port 51. Further, an exhaust port 52 for discharging the gas supplied from the FFU 21 to the outside of the processing unit 16 is formed at the bottom of the recovery cup 50.

＜基板搬送装置１３の構成＞
次に、本実施形態に係る基板搬送装置１３（「第１搬送装置」の一例に相当）の構成について図３Ａおよび図３Ｂを参照して説明する。図３Ａは、基板搬送装置１３の構成を示す斜視図である。図３Ｂは、基板搬送装置１３の動作例を示す平面模式図である。 <Structure of board transfer device 13>
Next, the configuration of the substrate transfer device 13 (corresponding to an example of the “first transfer device”) according to the present embodiment will be described with reference to FIGS. 3A and 3B. FIG. 3A is a perspective view showing the configuration of the substrate transfer device 13. FIG. 3B is a schematic plan view showing an operation example of the substrate transfer device 13.

図３Ａに示すように、本実施形態に係る基板搬送装置１３は、基台１３１と、保持部１３２と、複数（ここでは、４つ）の検出部１３３＿１〜１３３＿４と、支持部材１３４とを備える。 As shown in FIG. 3A, the substrate transfer device 13 according to the present embodiment includes a base 131, a holding unit 132, a plurality of (here, four) detection units 133_1 to 133_4, and a support member 134. ..

基台１３１は、Ｙ軸方向に沿った移動およびＺ軸まわりの旋回が可能である。保持部１３２、検出部１３３＿１〜１３３＿４および支持部材１３４は、基台１３１に設けられる。 The base 131 can move along the Y-axis direction and swivel around the Z-axis. The holding unit 132, the detecting unit 133_1 to 133_4, and the support member 134 are provided on the base 131.

保持部１３２は、複数のウェハＷを多段に保持可能に設けられる。具体的には、保持部１３２は、複数（ここでは、５つ）のフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５と、これらフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５を基台１３１に対し、Ｘ軸方向に沿って進退させる移動機構１３２ｂとを備える。 The holding unit 132 is provided so that a plurality of wafers W can be held in multiple stages. Specifically, the holding unit 132 includes a plurality of (here, five) forks 132a_1 to 132a_5 and a moving mechanism 132b that advances and retreats these forks 132a_1 to 132a_5 with respect to the base 131 along the X-axis direction. Be prepared.

フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５は、Ｚ軸方向に多段に配置される。保持部１３２は、かかるフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５のそれぞれにウェハＷを保持して、一括搬送（ここでは、１度に５枚搬送）することが可能である。なお、以下では、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５を総称する場合、単に「フォーク１３２ａ」と記載する。 The forks 132a_1 to 132a_5 are arranged in multiple stages in the Z-axis direction. The holding unit 132 can hold the wafer W on each of the forks 132a_1 to 132a_5 and collectively transfer (here, five wafers are conveyed at a time). In the following, when the forks 132a_1 to 132a_5 are generically referred to, they are simply described as "fork 132a".

フォーク１３２ａは、ウェハＷの径よりも横幅が小さい二股形状を有する。また、フォーク１３２ａは、複数の支持部１３２ｃを有する。支持部１３２ｃは、載置されるウェハＷを下方から摩擦力によって保持する部材である。支持部１３２ｃの詳細については、図３Ｃ以降を用いた説明で後述する。 The fork 132a has a bifurcated shape having a width smaller than the diameter of the wafer W. Further, the fork 132a has a plurality of support portions 132c. The support portion 132c is a member that holds the wafer W on which the wafer W is placed from below by a frictional force. The details of the support portion 132c will be described later in the description using FIGS. 3C and later.

検出部１３３＿１〜１３３＿４は、保持部１３２に保持されたウェハＷの外縁を、それぞれ異なる位置で検出する。各検出部１３３＿１〜１３３＿４は、投光部１３３ａと受光部１３３ｂとをそれぞれ備える。 The detection units 133_1 to 133_4 detect the outer edge of the wafer W held by the holding unit 132 at different positions. Each of the detection units 133_1 to 133_4 includes a light emitting unit 133a and a light receiving unit 133b, respectively.

投光部１３３ａおよび受光部１３３ｂは、保持部１３２がＸ軸正方向へ後退した位置（以下、「ホームポジション」と言う）において、保持部１３２によって保持されたウェハＷを上下から挟む位置に配置される。投光部１３３ａは、保持部１３２の下方に配置され、基台１３１に取り付けられる。また、受光部１３３ｂは、保持部１３２の上方に配置され、後述する支持部材１３４を介して基台１３１に取り付けられる。 The light projecting unit 133a and the light receiving unit 133b are arranged at positions where the holding unit 132 retracts in the positive direction of the X axis (hereinafter referred to as "home position") and sandwiches the wafer W held by the holding unit 132 from above and below. Will be done. The light projecting unit 133a is arranged below the holding unit 132 and is attached to the base 131. Further, the light receiving portion 133b is arranged above the holding portion 132, and is attached to the base 131 via a support member 134 described later.

受光部１３３ｂは、複数の受光素子が直線状に配列されたセンサ群である。受光部１３３ｂとしては、例えばリニアイメージセンサを用いることができる。なお、本実施形態では、受光部１３３ｂがリニアイメージセンサであるものとする。 The light receiving unit 133b is a sensor group in which a plurality of light receiving elements are linearly arranged. As the light receiving unit 133b, for example, a linear image sensor can be used. In this embodiment, it is assumed that the light receiving unit 133b is a linear image sensor.

各受光部１３３ｂは、例えば、保持部１３２がホームポジションにあり、かかる保持部１３２にウェハＷが正常に載置されている場合の、ウェハＷの中心から放射状に延びる方向に受光素子の配列方向が沿うように配置される。ここで、ウェハＷが正常に載置されているとは、ウェハＷを正常に受け渡すことが可能な位置である「基準位置」にウェハＷがズレなく保持されている状態を指す。 In each light receiving unit 133b, for example, when the holding unit 132 is in the home position and the wafer W is normally placed on the holding unit 132, the arrangement direction of the light receiving elements is radially extending from the center of the wafer W. Are arranged so that Here, the fact that the wafer W is normally placed means a state in which the wafer W is held at the "reference position", which is a position where the wafer W can be delivered normally, without any deviation.

支持部材１３４は、受光部１３３ｂが保持部１３２の上方に配置されるように、受光部１３３ｂを支持する。なお、図３Ａに示す例は、支持部材１３４の形状を限定するものではない。 The support member 134 supports the light receiving portion 133b so that the light receiving portion 133b is arranged above the holding portion 132. The example shown in FIG. 3A does not limit the shape of the support member 134.

一方、各投光部１３３ａは、図示略の光源とレンズとを備える。光源は、拡散光を照射する。レンズは、光源の上方に配置され、光源から照射された拡散光を屈折させることにより、対となる受光部１３３ｂへ向けて平行光を照射する。 On the other hand, each light projecting unit 133a includes a light source and a lens (not shown). The light source irradiates diffused light. The lens is arranged above the light source and refracts the diffused light emitted from the light source to irradiate parallel light toward the pair of light receiving portions 133b.

そして、投光部１３３ａから受光部１３３ｂへ向けて照射された平行光は、保持部１３２に保持されたウェハＷによって部分的に遮られ、受光部１３３ｂでは、投光部１３３ａからの平行光を受光する受光素子と、受光しない受光素子とで受光量に差が生じる。検出部１３３＿１〜１３３＿４は、かかる受光量の差に基づいてウェハＷの外縁を検出し、検出結果を制御部１８へ出力する。 Then, the parallel light emitted from the light emitting unit 133a toward the light receiving unit 133b is partially blocked by the wafer W held by the holding unit 132, and the light receiving unit 133b receives the parallel light from the light emitting unit 133a. There is a difference in the amount of light received between the light receiving element that receives light and the light receiving element that does not receive light. The detection units 133_1 to 133_4 detect the outer edge of the wafer W based on the difference in the amount of received light, and output the detection result to the control unit 18.

かかるウェハＷの外縁の検出は、例えば図３Ｂに示すように、基板搬送装置１３が、フォーク１３２ａをキャリアＣへ進入させてウェハＷを取り出し、フォーク１３２ａをホームポジションまで後退させた後に行われる（図中の矢印３０１，３０２参照）。かかる検出の結果を受けた制御部１８は、基準位置ＲＰおよびその中心位置ＣＰからのウェハＷのズレ量を算出し、例えば算出したズレ量に応じて保持部１３２の位置を補正させることが可能である。 The detection of the outer edge of the wafer W is performed after, for example, as shown in FIG. 3B, the substrate transport device 13 advances the fork 132a into the carrier C, takes out the wafer W, and retracts the fork 132a to the home position ( See arrows 301 and 302 in the figure). Upon receiving the result of such detection, the control unit 18 can calculate the amount of deviation of the wafer W from the reference position RP and its center position CP, and for example, correct the position of the holding unit 132 according to the calculated amount of deviation. Is.

なお、図１では図示を略していたが、図３Ｂに示すように、搬入出ステーション２には、キャリアＣに収容されたウェハＷを検出する基板検出機構８０が、各キャリアＣに対応してそれぞれ設けられている。 Although not shown in FIG. 1, as shown in FIG. 3B, a substrate detection mechanism 80 for detecting the wafer W housed in the carrier C corresponds to each carrier C at the loading / unloading station 2. Each is provided.

基板検出機構８０は、水平方向に光を照射する投光部８１ａと、投光部８１ａによって照射された光を受光する受光部８１ｂとを備え、キャリアＣの搬入出口と基板搬送装置１３との間にＹ軸に沿った光軸ａｘＯを形成可能に設けられる。また、基板検出機構８０は、かかる光軸ａｘＯをＸ軸およびＺ軸に沿って移動させることも可能である。 The substrate detection mechanism 80 includes a light projecting unit 81a that irradiates light in the horizontal direction and a light receiving unit 81b that receives the light emitted by the light projecting unit 81a, and includes an inlet / outlet of the carrier C and a substrate transport device 13. An optical axis axO along the Y axis can be formed between them. The substrate detection mechanism 80 can also move the optical axis axO along the X-axis and the Z-axis.

基板検出機構８０は、かかる光軸ａｘＯを例えばキャリアＣへ進入させ、光軸ａｘＯをウェハＷに遮らせることによって、キャリアＣ内におけるウェハＷの収容状態を光学的に検出する。基板検出機構８０の詳細については、図４Ａ以降を用いた説明で後述する。 The substrate detection mechanism 80 optically detects the accommodation state of the wafer W in the carrier C by causing the optical axis axO to enter the carrier C, for example, and block the optical axis axO by the wafer W. The details of the substrate detection mechanism 80 will be described later with reference to FIGS. 4A and later.

＜保持部１３２の構成、および、保持部１３２によるウェハＷの保持方法＞
次に、本実施形態に係る保持部１３２の構成、および、保持部１３２によるウェハＷの保持方法について、図３Ｃ〜図３Ｇを参照してより詳細に説明する。図３Ｃは、保持部１３２の構成を示す平面図である。また、図３Ｄは、図３Ｃに示すＡ−Ａ’線略断面図である。 <Structure of holding unit 132 and method of holding wafer W by holding unit 132>
Next, the configuration of the holding unit 132 and the method of holding the wafer W by the holding unit 132 according to the present embodiment will be described in more detail with reference to FIGS. 3C to 3G. FIG. 3C is a plan view showing the configuration of the holding portion 132. Further, FIG. 3D is a schematic cross-sectional view taken along the line AA'shown in FIG. 3C.

また、図３Ｅ〜図３Ｇは、保持部１３２によるウェハＷの保持方法を示す模式図（その１）〜（その３）である。 3E to 3G are schematic views (No. 1) to (No. 3) showing a method of holding the wafer W by the holding portion 132.

図３Ｃに示すように、本実施形態に係る保持部１３２は、フォーク１３２ａと、複数（ここでは、３つ）の支持部１３２ｃと、複数（ここでは、４つ）のズレ止めピン１３２ｄとを備える。なお、ここでは移動機構１３２ｂについては省略している。 As shown in FIG. 3C, the holding portion 132 according to the present embodiment includes a fork 132a, a plurality of (here, three) support portions 132c, and a plurality of (here, four) displacement prevention pins 132d. Be prepared. The moving mechanism 132b is omitted here.

フォーク１３２ａは、保持部１３２の基部にあたる部材であり、セラミックス等により形成され、既に述べたように二股形状を有する。支持部１３２ｃは、ウェハＷが載置されることでかかるウェハＷを下方から摩擦力により保持する部材である。支持部１３２ｃは、例えばフォーク１３２ａの二股の一方と、他方と、二股の基部とにそれぞれ設けられる。 The fork 132a is a member corresponding to the base of the holding portion 132, is formed of ceramics or the like, and has a bifurcated shape as described above. The support portion 132c is a member that holds the wafer W on which the wafer W is placed by a frictional force from below. The support portion 132c is provided, for example, on one of the forks of the fork 132a, the other, and the base of the fork.

また、支持部１３２ｃはそれぞれ、固定式である固定パッド１３２ｃａと、昇降式である昇降パッド１３２ｃｂとを備える。固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂは、平面視で略円状の形状を有する。固定パッド１３２ｃａはそれぞれ、対になる昇降パッド１３２ｃｂよりもフォーク１３２ａの先端側に設けられる。なお、固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂの素材としては、少なくともウェハＷとの接触面に例えばゴム等を用いることができる。 Further, each of the support portions 132c includes a fixed type fixed pad 132ca and an elevating type elevating pad 132cc. The fixed pad 132ca and the elevating pad 132cc have a substantially circular shape in a plan view. Each of the fixing pads 132ca is provided on the tip end side of the fork 132a with respect to the pair of elevating pads 132cc. As the material of the fixing pad 132ca and the elevating pad 132cc, for example, rubber or the like can be used at least on the contact surface with the wafer W.

また、昇降パッド１３２ｃｂは、前述の基準位置ＲＰの中心位置ＣＰから仮想的に描かれる同心円ＣＣの円周上に等間隔で設けられる。すなわち、図３Ｃに示す例では、３つの昇降パッド１３２ｃｂは、同心円ＣＣの円周上の１２０°等分配された位置に設けられている。なお、固定パッド１３２ｃａも、同心円ＣＣとは異なる同一円の円周上に配置されていてよい。 Further, the elevating pads 132cc are provided at equal intervals on the circumference of the concentric circle CC virtually drawn from the center position CP of the reference position RP described above. That is, in the example shown in FIG. 3C, the three elevating pads 132cc are provided at positions such as 120 ° on the circumference of the concentric circle CC. The fixed pad 132ca may also be arranged on the circumference of the same circle different from the concentric circle CC.

ズレ止めピン１３２ｄは、搬送中の遠心力等によってウェハＷが許容量以上ズレたり落下したりしてしまうことを防止するための部材であって、ウェハＷのズレを規定の許容内に規制する位置に配置される。したがって、ズレ止めピン１３２ｄは、基準位置ＲＰにあるウェハＷの周縁部との間に、ズレを許容する所定の隙間が空く位置に配置され、フォーク１３２ａからＺ軸正方向に突出させて設けられる。 The misalignment prevention pin 132d is a member for preventing the wafer W from being displaced or dropped by an allowable amount or more due to centrifugal force during transportation, and regulates the displacement of the wafer W within a specified allowable range. Placed in position. Therefore, the misalignment prevention pin 132d is arranged at a position where a predetermined gap that allows misalignment is provided between the peripheral portion of the wafer W at the reference position RP, and is provided so as to project from the fork 132a in the positive direction of the Z axis. ..

支持部１３２ｃおよびズレ止めピン１３２ｄについてさらに詳細に説明する。図３Ｄに示すように、固定パッド１３２ｃａは、フォーク１３２ａからの突出部分が高さａを有するように設けられる。 The support portion 132c and the misalignment prevention pin 132d will be described in more detail. As shown in FIG. 3D, the fixing pad 132ca is provided so that the protruding portion from the fork 132a has a height a.

これに対し、昇降パッド１３２ｃｂは、フォーク１３２ａからの突出部分が、高さａよりも低い高さｂ’から、高さａよりも高い高さｂの間で昇降可能となるように設けられる（図中の矢印３０３参照）。かかる昇降パッド１３２ｃｂは、昇降機構１５０が昇降させる。なお、高さｂの高さ位置は「第１位置」の一例に、高さｂ’の高さ位置は「第２位置」の一例に、それぞれ相当する。 On the other hand, the elevating pad 132cc is provided so that the protruding portion from the fork 132a can be elevated from a height b'lower than the height a to a height b higher than the height a ( See arrow 303 in the figure). The elevating mechanism 150 elevates and elevates the elevating pad 132cc. The height position of the height b corresponds to an example of the "first position", and the height position of the height b'corresponds to an example of the "second position".

昇降機構１５０は、例えば昇降パッド１３２ｃｂ下方のフォーク１３２ａ内部に設けられ、例えばエア圧を利用することによって昇降パッド１３２ｃｂを昇降させる。 The elevating mechanism 150 is provided inside, for example, the fork 132a below the elevating pad 132cc, and elevates the elevating pad 132cc by using, for example, air pressure.

かかるエア圧を利用する場合、図３Ｄに示すようにフォーク１３２ａ内部にはエア供給管１５３が設けられる。エア供給管１５３は、バルブ１５２に接続され、エア供給源１５１からのエアをバルブ１５２の作動により、昇降機構１５０の有する内部空間へ給排する。 When such air pressure is used, an air supply pipe 153 is provided inside the fork 132a as shown in FIG. 3D. The air supply pipe 153 is connected to the valve 152, and air from the air supply source 151 is supplied and discharged to the internal space of the elevating mechanism 150 by the operation of the valve 152.

昇降機構１５０は、かかるエア供給管１５３からのエアの給排による内圧の変化に応じて昇降パッド１３２ｃｂを昇降させる。すなわち、昇降機構１５０は、エア供給管１５３からエアが供給されて内部空間の内圧が上がることにより昇降パッド１３２ｃｂを上昇させ、エア供給管１５３からエアが排出されて内部空間の内圧が下がることにより昇降パッド１３２ｃｂを下降させる。これら動作は、制御部１８によって制御される。 The elevating mechanism 150 elevates and elevates the elevating pad 132cc according to a change in the internal pressure due to the supply and discharge of air from the air supply pipe 153. That is, the elevating mechanism 150 raises the elevating pad 132cc by supplying air from the air supply pipe 153 and increasing the internal pressure of the internal space, and the air is discharged from the air supply pipe 153 to decrease the internal pressure of the internal space. The elevating pad 132cc is lowered. These operations are controlled by the control unit 18.

なお、ここで説明したエア圧を利用する例はあくまで一例であって、昇降機構１５０の構造を限定するものではなく、例えばアクチュエータ等を利用するものであってもよい。 The example of using the air pressure described here is just an example, and the structure of the elevating mechanism 150 is not limited, and for example, an actuator or the like may be used.

ズレ止めピン１３２ｄは、フォーク１３２ａからの突出部分が、昇降パッド１３２ｃｂの高さｂよりも高い高さｃを有するように設けられる。 The misalignment prevention pin 132d is provided so that the protruding portion from the fork 132a has a height c higher than the height b of the elevating pad 132cc.

ここで、本実施形態の比較例として、従来のウェハＷの保持方法の一例について説明しておく。従来では、例えばフォークに多段の支持部が複数設けられ、ウェハＷはかかる複数の支持部の異なる段の間で傾斜させて保持されていた。 Here, as a comparative example of the present embodiment, an example of a conventional wafer W holding method will be described. Conventionally, for example, a fork is provided with a plurality of multi-stage support portions, and the wafer W is held by being inclined between different stages of the plurality of support portions.

また、処理後のウェハＷが処理前のウェハＷの悪影響を受けて例えばパーティクルの転移により再汚染されてしまうのを避けるため、処理前のウェハＷと処理後のウェハＷとで傾斜させる方向を変え、ウェハＷが処理前後で支持部の同一部位に触れないようにしていた。 Further, in order to prevent the wafer W after processing from being adversely affected by the wafer W before processing and being recontaminated by, for example, the transfer of particles, the direction in which the wafer W before processing and the wafer W after processing are inclined is set. It was changed so that the wafer W did not touch the same part of the support portion before and after the treatment.

しかしながら、従来では、ウェハＷの周縁部が支持部へ接触してしまうため、例えばウェハＷの周縁部へ膜等が形成されていた場合、膜が削れるなどしてウェハＷの周縁部からパーティクルが生じるおそれがあった。 However, in the past, since the peripheral edge of the wafer W comes into contact with the support portion, for example, when a film or the like is formed on the peripheral edge of the wafer W, particles are removed from the peripheral edge of the wafer W due to scraping of the film or the like. There was a risk of it occurring.

そこで、本実施形態では、まず図３Ｅに示すように、「処理前」のウェハＷを保持するに際しては、昇降パッド１３２ｃｂを高さａより低い高さ（例えば、高さｂ’）まで下降させて（図中の矢印３０４参照）、固定パッド１３２ｃａのみによってウェハＷを保持することとした（図中の閉曲線に囲まれた部分参照）。 Therefore, in the present embodiment, first, as shown in FIG. 3E, when holding the wafer W "before processing", the elevating pad 132cc is lowered to a height lower than the height a (for example, height b'). (See arrow 304 in the figure), it was decided to hold the wafer W only by the fixing pad 132ca (see the part surrounded by the closed curve in the figure).

また、本実施形態では、図３Ｆに示すように、「処理後」のウェハＷを保持するに際しては、昇降パッド１３２ｃｂを高さａより高い高さ（例えば、高さｂ）まで上昇させて（図中の矢印３０５参照）、昇降パッド１３２ｃｂのみによってウェハＷを保持することとした（図中の閉曲線に囲まれた部分参照）。 Further, in the present embodiment, as shown in FIG. 3F, when holding the “processed” wafer W, the elevating pad 132cc is raised to a height higher than the height a (for example, the height b) (for example, the height b). (Refer to arrow 305 in the figure), it was decided to hold the wafer W only by the elevating pad 132 cc (see the part surrounded by the closed curve in the figure).

これにより、ウェハＷは、処理前後で支持部１３２ｃの異なる部位によって保持されるので、処理後のウェハＷが処理前のウェハＷの悪影響を受けて例えばパーティクルの転移により再汚染されてしまうのを防ぐことができる。 As a result, the wafer W is held by different parts of the support portion 132c before and after the treatment, so that the wafer W after the treatment is adversely affected by the wafer W before the treatment and is recontaminated by, for example, particle transfer. Can be prevented.

また、仮にウェハＷが基準位置ＲＰからズレたとしても、そのズレ量が許容内であればウェハＷの周縁部はズレ止めピン１３２ｄへ接触する可能性が低いので、ウェハＷの周縁部からのパーティクルの発生を抑えることができる。 Further, even if the wafer W deviates from the reference position RP, if the amount of the deviation is within the allowable range, the peripheral portion of the wafer W is unlikely to come into contact with the misalignment prevention pin 132d, so that the peripheral portion of the wafer W is deviated from the peripheral portion of the wafer W. It is possible to suppress the generation of particles.

なお、仮にウェハＷがズレ止めピン１３２ｄへ接触したとしても、図３Ｇに示すように、ウェハＷはズレ止めピン１３２ｄに対し、「処理後」は「処理前」の高さａよりも高い高さｂにて、すなわち異なる高さにて接触することとなる。 Even if the wafer W comes into contact with the slip prevention pin 132d, as shown in FIG. 3G, the wafer W has a height higher than the height a of the “before treatment” with respect to the slip prevention pin 132d. At b, that is, at different heights.

したがって、例えば「処理前」のウェハＷに付着していたパーティクルが、ズレ止めピン１３２ｄを介して転移し、「処理後」のウェハＷに付着して再汚染するのを防ぐことができる。 Therefore, for example, it is possible to prevent particles adhering to the “before treatment” wafer W from being transferred via the misalignment prevention pin 132d and adhering to the “after treatment” wafer W to be recontaminated.

また、「処理前」のウェハＷからズレ止めピン１３２ｄへ転移したパーティクルが仮に落下しても、高さａより高い高さｂで保持される「処理後」のウェハＷへは重力作用により影響を及ぼしにくいので、やはり「処理後」のウェハＷを再汚染するのを防ぐことができる。 Further, even if the particles transferred from the "before processing" wafer W to the slip prevention pin 132d fall, the "after processing" wafer W held at a height b higher than the height a is affected by the gravitational action. Therefore, it is possible to prevent the wafer W "after processing" from being recontaminated.

＜昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する場合＞
ところで、昇降パッド１３２ｃｂは、制御部１８により制御される昇降機構１５０の動作に基づいて昇降される点については既に述べたが、処理前後で確実にウェハＷを支持部１３２ｃの異なる部位によって保持するためには、実際の昇降パッド１３２ｃｂが制御部１８の制御に基づく所望の昇降状態にあるか否かを検出することが好ましい。 <When detecting the elevating state of the elevating pad 132cc>
By the way, although it has already been described that the elevating pad 132cc is elevated based on the operation of the elevating mechanism 150 controlled by the control unit 18, the wafer W is surely held by different parts of the support unit 132c before and after the processing. For this purpose, it is preferable to detect whether or not the actual elevating pad 132cc is in a desired elevating state based on the control of the control unit 18.

そこで、本実施形態では、前述の基板検出機構８０（図３Ｂ参照）によって、実際の昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出し、所望の昇降状態にある場合に、支持部１３２ｃによりウェハＷを保持し、搬送することとした。 Therefore, in the present embodiment, the above-mentioned substrate detection mechanism 80 (see FIG. 3B) detects the actual elevating state of the elevating pad 132cc, and when the desired elevating state is obtained, the wafer W is held by the support portion 132c. , I decided to transport it.

これにより、例えば昇降機構１５０に不具合が生じて昇降パッド１３２ｃｂが所望の昇降状態にない場合に、処理前後でウェハＷを支持部１３２ｃの例えば同一部位で保持してしまい、処理後のウェハＷに対し処理前のウェハＷの悪影響を及ぼしてしまうのを防ぐことができる。 As a result, for example, when the elevating mechanism 150 has a problem and the elevating pad 132cc is not in the desired elevating state, the wafer W is held at, for example, the same portion of the support portion 132c before and after the processing, and the wafer W after the processing On the other hand, it is possible to prevent the wafer W before processing from being adversely affected.

かかる基板検出機構８０を用いて昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する場合について、図４Ａ〜図４Ｆを参照してより詳細に説明する。図４Ａは、基板検出機構８０の構成を示す斜視図である。 A case where the elevating state of the elevating pad 132cc is detected by using the substrate detection mechanism 80 will be described in more detail with reference to FIGS. 4A to 4F. FIG. 4A is a perspective view showing the configuration of the substrate detection mechanism 80.

また、図４Ｂは、キャリアＣ内のウェハＷの収容状態を検出する場合の説明図である。また、図４Ｃ〜図４Ｆは、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する場合の説明図（その１）〜（その４）である。 Further, FIG. 4B is an explanatory diagram in the case of detecting the accommodation state of the wafer W in the carrier C. Further, FIGS. 4C to 4F are explanatory views (No. 1) to (No. 4) in the case of detecting the elevating state of the elevating pad 132cc.

図４Ａに示すように、基板検出機構８０は、光学センサ８１と、支持アーム８２，８３と、支持シャフト８４と、回動機構８５と、昇降機構８６とを備える。光学センサ８１は、前述の投光部８１ａと、受光部８１ｂとを備える。 As shown in FIG. 4A, the substrate detection mechanism 80 includes an optical sensor 81, support arms 82 and 83, a support shaft 84, a rotation mechanism 85, and an elevating mechanism 86. The optical sensor 81 includes the above-mentioned light emitting unit 81a and the light receiving unit 81b.

支持アーム８２は、先端部において投光部８１ａを支持し、基端部において支持シャフト８４に支持される。支持アーム８３は、先端部において受光部８１ｂを支持し、基端部において支持シャフト８４に支持される。 The support arm 82 supports the light projecting portion 81a at the tip end portion and is supported by the support shaft 84 at the base end portion. The support arm 83 supports the light receiving portion 81b at the tip end portion and is supported by the support shaft 84 at the base end portion.

支持シャフト８４は、投光部８１ａおよび受光部８１ｂによりＹ軸に沿った光軸ａｘＯが形成可能となるように、支持アーム８２，８３を平行に支持する。また、支持シャフト８４は、回動機構８５に対し、水平軸ａｘＨまわりに回動可能に設けられており、回動することによって光学センサ８１を水平軸ａｘＨまわりに回動させる（図中の矢印４０１参照）。 The support shaft 84 supports the support arms 82 and 83 in parallel so that the light emitting portion 81a and the light receiving portion 81b can form the optical axis axO along the Y axis. Further, the support shaft 84 is rotatably provided around the horizontal axis axH with respect to the rotation mechanism 85, and by rotating the support shaft 84, the optical sensor 81 is rotated around the horizontal axis axH (arrows in the drawing). 401).

回動機構８５は、内部に例えばモータ等によって構成される図示略の駆動部を有し、かかる駆動部によって支持シャフト８４を水平軸ａｘＨまわりに回動させる。 The rotation mechanism 85 has a drive unit (not shown) composed of, for example, a motor or the like inside, and the support shaft 84 is rotated around the horizontal axis axH by the drive unit.

昇降機構８６は、例えばキャリアＣの搬入出口よりもＹ軸負方向側で、ウェハＷの搬入出を規制しない位置に設けられ、回動機構８５を支持する。また、昇降機構８６は、内部に例えばモータ等によって構成される図示略の駆動部を有し、かかる駆動部によって回動機構８５を鉛直軸ａｘＶ沿いに昇降させる。回動機構８５の昇降によって、光学センサ８１が鉛直軸ａｘＶ沿いに昇降する（図中の矢印４０２参照）。なお、回動機構８５および昇降機構８６の動作の組み合わせによる光学センサ８１の位置制御は、制御部１８によって行われる。 The elevating mechanism 86 is provided, for example, on the Y-axis negative direction side of the loading / unloading outlet of the carrier C at a position that does not restrict the loading / unloading of the wafer W, and supports the rotating mechanism 85. Further, the elevating mechanism 86 has a drive unit (not shown) composed of, for example, a motor, inside the elevating mechanism 86, and the rotating mechanism 85 is elevated and lowered along the vertical axis axV by the driving unit. As the rotating mechanism 85 moves up and down, the optical sensor 81 moves up and down along the vertical axis axV (see arrow 402 in the figure). The position control of the optical sensor 81 by the combination of the operations of the rotation mechanism 85 and the elevating mechanism 86 is performed by the control unit 18.

そして、図４Ｂに示すように、キャリアＣ内のウェハＷの収容状態を検出する場合、制御部１８は、光学センサ８１（投光部８１ａおよび受光部８１ｂ）がキャリアＣ内へ進入し、かつ、光軸ａｘＯによるスキャンが可能となるように、光学センサ８１の位置制御を行う（図中の矢印４０１，４０２参照）。 Then, as shown in FIG. 4B, when detecting the accommodation state of the wafer W in the carrier C, the control unit 18 has the optical sensor 81 (light emitting unit 81a and light receiving unit 81b) entering the carrier C and , The position of the optical sensor 81 is controlled so that scanning by the optical axis axO is possible (see arrows 401 and 402 in the figure).

なお、図４Ｂに示すように、キャリアＣは、ＹＺ平面沿いのＸ軸正方向側の端面が搬入出口として開口された箱体であり、ＸＺ平面沿いの内壁にはウェハＷの周縁部を支持する１対の支持部Ｓｐが多段に設けられている。ウェハＷは、これら支持部Ｓｐに支持されることにより、水平姿勢でキャリアＣに収容された状態となる。 As shown in FIG. 4B, the carrier C is a box body in which the end surface on the positive direction side of the X axis along the YZ plane is opened as a carry-in outlet, and the peripheral portion of the wafer W is supported on the inner wall along the XZ plane. A pair of support parts Sp are provided in multiple stages. By being supported by these support portions Sp, the wafer W is in a state of being accommodated in the carrier C in a horizontal posture.

したがって、制御部１８は、かかるキャリアＣ内における例えば各支持部Ｓｐの高さ位置を基準としながら前述の光学センサ８１の位置制御を行い、光軸ａｘＯが遮光される遮光結果に基づいてキャリアＣ内のウェハＷの収容状態を検出する。 Therefore, the control unit 18 controls the position of the optical sensor 81 described above with reference to, for example, the height position of each support portion Sp in the carrier C, and the carrier C is based on the light-shielding result in which the optical axis axO is shielded from light. The accommodation state of the wafer W inside is detected.

ウェハＷの収容状態には、キャリアＣ内の各段のウェハＷの有無や、キャリアＣの側面から見たウェハＷの見かけ上の厚み等が含まれる。例えば、ウェハＷが支持部Ｓｐに対し、水平姿勢でなく斜めに支持されている場合等には、上記した見かけ上の厚みが厚くなるので、制御部１８はこの見かけ上の厚みの検出データに基づいてウェハＷの収容姿勢を判定することができる。なお、図４Ｂは、キャリアＣにおけるウェハＷの収容枚数を限定するものではない。 The accommodation state of the wafer W includes the presence or absence of the wafer W in each stage in the carrier C, the apparent thickness of the wafer W as seen from the side surface of the carrier C, and the like. For example, when the wafer W is supported at an angle to the support portion Sp instead of in a horizontal posture, the apparent thickness is increased, and the control unit 18 uses the apparent thickness detection data. Based on this, the accommodation posture of the wafer W can be determined. Note that FIG. 4B does not limit the number of wafers W that can be accommodated in the carrier C.

また、図４Ｃに示すように、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する場合、制御部１８は、光学センサ８１（投光部８１ａおよび受光部８１ｂ）を保持部１３２側であるＸ軸正方向側へ回動させ、昇降パッド１３２ｃｂにつき光軸ａｘＯによるスキャンが可能となるように、光学センサ８１の位置制御を行う（図中の矢印４０１，４０２参照）。 Further, as shown in FIG. 4C, when detecting the elevating state of the elevating pad 132cc, the control unit 18 holds the optical sensor 81 (light emitting unit 81a and light receiving unit 81b) on the X-axis positive direction side which is the holding unit 132 side. The position of the optical sensor 81 is controlled so that the elevating pad 132 cc can be scanned by the optical axis axO (see arrows 401 and 402 in the figure).

なお、このとき、制御部１８は、光学センサ８１の位置制御とともに、保持部１３２の例えばＺ軸方向およびＸ軸方向の動作制御を組み合わせてもよい（図中の矢印４０３，４０４参照）。無論、さらにＹ軸方向の動作制御を組み合わせてもよい。 At this time, the control unit 18 may combine the position control of the optical sensor 81 with the operation control of the holding unit 132, for example, in the Z-axis direction and the X-axis direction (see arrows 403 and 404 in the figure). Of course, motion control in the Y-axis direction may be further combined.

かかる位置制御および動作制御の組み合わせにより、制御部１８は、図４Ｄに示すように、昇降パッド１３２ｃｂ＿１〜１３２ｃｂ＿３のそれぞれにつき、個別に光軸ａｘＯをオーバーラップさせることによって昇降状態を検出する。 By the combination of the position control and the operation control, as shown in FIG. 4D, the control unit 18 detects the elevating state by individually overlapping the optical axes axO for each of the elevating pads 132cc_1 to 132cc_3.

なお、個別に光軸ａｘＯをオーバーラップさせるにあたり、昇降パッド１３２ｃｂ＿１，１３２ｃｂ＿２のように例えばＸ軸について同一位置にある場合には、前述の基台１３１（図３Ａ参照）のＺ軸まわりの旋回動作を組み合わせてもよい。 In addition, when the optical axes axO are individually overlapped, when they are at the same position with respect to the X axis as in the elevating pads 132 kb_1 and 132 kb_2, the swivel operation around the Z axis of the above-mentioned base 131 (see FIG. 3A) May be combined.

具体的には、図４Ｅに示すように、フォーク１３２ａの中心軸が光軸ａｘＯに対し斜行するように基台１３１をＺ軸まわりに旋回させたうえで、フォーク１３２ａを例えば前進させることによって（図中の矢印４０５参照）、昇降パッド１３２ｃｂ＿１，１３２ｃｂ＿２のそれぞれにつき、個別に光軸ａｘＯをオーバーラップさせることが可能となる。 Specifically, as shown in FIG. 4E, the base 131 is swiveled around the Z axis so that the central axis of the fork 132a is oblique to the optical axis axO, and then the fork 132a is advanced, for example. (Refer to the arrow 405 in the figure), the optical axis axO can be overlapped individually for each of the elevating pads 132cc_1 and 132cc_2.

なお、図４Ｅは、破線の閉曲線に囲まれた部分に示すように、昇降パッド１３２ｃｂ＿１につき光軸ａｘＯをオーバーラップさせた例を示している。 Note that FIG. 4E shows an example in which the optical axis axO is overlapped with respect to the elevating pad 132cc_1 as shown in the portion surrounded by the closed curve of the broken line.

このような光学センサ８１の位置制御および保持部１３２の動作制御の組み合わせによって、制御部１８は、昇降パッド１３２ｃｂの厚み方向につき光軸ａｘＯによりスキャンし、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する。 By combining the position control of the optical sensor 81 and the operation control of the holding unit 132, the control unit 18 scans the thickness direction of the elevating pad 132cc by the optical axis axO and detects the elevating state of the elevating pad 132cc.

具体的に、図４Ｆに示すように、昇降パッド１３２ｃｂが高さｂまで正常に上昇しているかを検出するものとする。 Specifically, as shown in FIG. 4F, it is assumed that it is detected whether the elevating pad 132cc is normally raised to the height b.

かかる場合、例えばフォーク１３２ａが光透過性の低いものであれば、制御部１８は、光学センサ８１の検出結果に基づき、フォーク１３２ａの厚み寸法に対し高さｂを加えた長さｄの遮光部分を検出すれば、昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇していると判定する。また、遮光部分が長さｄに満たなければ、昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇していないと判定する。 In such a case, for example, if the fork 132a has low light transmission, the control unit 18 has a light-shielding portion having a length d obtained by adding a height b to the thickness dimension of the fork 132a based on the detection result of the optical sensor 81. Is detected, it is determined that the elevating pad 132cc is normally raised. Further, if the light-shielding portion does not meet the length d, it is determined that the elevating pad 132cc is not normally raised.

また、例えばフォーク１３２ａが光透過性の高いものであれば、制御部１８は、光学センサ８１の検出結果に基づき、昇降機構１５０の厚み寸法に対し高さｂを加えた長さｄ’の遮光部分を検出すれば、昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇していると判定する。また、遮光部分が長さｄ’に満たなければ、昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇していないと判定する。 Further, for example, if the fork 132a has high light transmission, the control unit 18 blocks light of length d'by adding height b to the thickness dimension of the elevating mechanism 150 based on the detection result of the optical sensor 81. If the portion is detected, it is determined that the elevating pad 132cc is normally raised. Further, if the light-shielding portion does not reach the length d', it is determined that the elevating pad 132cc is not normally raised.

なお、他の例として、例えば、少なくとも固定パッド１３２ｃａの高さａ（図３Ｄ等参照）よりも高い位置まで昇降パッド１３２ｃｂが上昇していることが検出できれば、昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇していると見なしてもよい。すなわち、基板検出機構８０が、少なくとも昇降パッド１３２ｃｂの外面を検出可能であれば、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を確認することができる。 As another example, for example, if it can be detected that the elevating pad 132cc is raised to a position higher than the height a of the fixed pad 132ca (see FIG. 3D or the like), the elevating pad 132cc is normally raised. It may be considered that there is. That is, if the substrate detection mechanism 80 can detect at least the outer surface of the elevating pad 132cc, the elevating state of the elevating pad 132cc can be confirmed.

また、これまでは昇降パッド１３２ｃｂが正常に上昇しているかを検出する場合について説明したが、無論、昇降パッド１３２ｃｂが正常に下降しているかといった、所望の昇降状態の検出についても同様の手法を用いることができる。 Further, the case of detecting whether the elevating pad 132cc is normally lowered has been described so far, but of course, the same method can be used for detecting a desired elevating state such as whether the lifting pad 132cc is normally lowered. Can be used.

そして、制御部１８は、昇降パッド１３２ｃｂが所望の昇降状態にあれば、基板搬送装置１３により、ウェハＷをキャリアＣと受渡部１４との間で搬送させる。また、昇降パッド１３２ｃｂが所望の昇降状態になければ、例えば基板搬送装置１３によるウェハＷの搬送を中止させる。 Then, when the elevating pad 132cc is in a desired elevating state, the control unit 18 transfers the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 by the substrate transfer device 13. Further, if the elevating pad 132cc is not in the desired elevating state, for example, the transfer of the wafer W by the substrate transfer device 13 is stopped.

このように、基板検出機構８０によって実際の昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出し、所望の昇降状態にある場合に、支持部１３２ｃによりウェハＷを保持し、搬送することによって、処理前後でウェハＷを支持部１３２ｃの異なる部位で確実に保持することができる。すなわち、処理後のウェハＷに対し処理前のウェハＷの悪影響を及ぼしてしまうのを防ぐことができる。 In this way, the substrate detection mechanism 80 detects the actual elevating state of the elevating pad 132cc, and when the elevating state is in the desired elevating state, the support portion 132c holds the wafer W and conveys the wafer W before and after processing. Can be reliably held at different parts of the support portion 132c. That is, it is possible to prevent the wafer W after processing from being adversely affected by the wafer W before processing.

なお、かかる基板検出機構８０によって昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出するタイミングは、基板搬送装置１３がキャリアＣへアクセスするたびに実行されてもよいし、ウェハＷが規定の処理枚数処理されるごとに実行されてもよい。また、キャリアＣが入れ替えられるたびに実行されてもよいし、日次の先頭のキャリアＣについてのみ実行されてもよい。また、規定の時間や日数が経過するたびに実行されてもよい。 The timing of detecting the elevating state of the elevating pad 132cc by the substrate detection mechanism 80 may be executed every time the substrate transport device 13 accesses the carrier C, or every time the wafer W is processed in a specified number of processed sheets. May be executed. Further, it may be executed every time the carrier C is replaced, or may be executed only for the carrier C at the beginning of the day. In addition, it may be executed every time a specified time or number of days elapses.

＜キャリアＣ〜受渡部１４間のウェハＷの搬送手順＞
次に、制御部１８が基板搬送装置１３や基板検出機構８０等を制御して、ウェハＷをキャリアＣと受渡部１４との間で搬送する搬送処理の処理手順について図５を参照して説明する。図５は、キャリアＣ〜受渡部１４間のウェハＷの搬送処理の処理手順を示すフローチャートである。なお、ここでは、ウェハＷを搬送するごとに昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態が検出されるものとする。 <Wafer W transfer procedure between carrier C and delivery section 14>
Next, the processing procedure of the transfer process in which the control unit 18 controls the substrate transfer device 13, the substrate detection mechanism 80, and the like to transfer the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 will be described with reference to FIG. To do. FIG. 5 is a flowchart showing a processing procedure of a wafer W transfer process between the carrier C and the delivery unit 14. Here, it is assumed that the elevating state of the elevating pad 132cc is detected every time the wafer W is conveyed.

図５に示すように、まず、制御部１８は、基板処理の処理シーケンスが予め規定されたレシピ情報等に基づき、次なるキャリアＣと受渡部１４との間の搬送が、処理後のウェハＷを搬送する場合か否かを判定する（ステップＳ１０１）。 As shown in FIG. 5, first, the control unit 18 transfers the substrate processing sequence between the next carrier C and the delivery unit 14 based on the recipe information and the like defined in advance, and the wafer W after processing is performed. Is determined (step S101).

ここで、処理後のウェハＷを搬送する場合であるならば（ステップＳ１０１，Ｙｅｓ）、制御部１８は、昇降パッド１３２ｃｂを上昇させる（ステップＳ１０２）。一方、処理後のウェハＷを搬送する場合でない（処理前のウェハＷを搬送する場合である）ならば（ステップＳ１０１，Ｎｏ）、昇降パッド１３２ｃｂを下降させる（ステップＳ１０３）。 Here, in the case of transporting the processed wafer W (step S101, Yes), the control unit 18 raises the elevating pad 132cc (step S102). On the other hand, if it is not the case of transporting the wafer W after processing (the case of transporting the wafer W before processing) (steps S101 and No), the elevating pad 132cc is lowered (step S103).

つづいて、制御部１８は、基板検出機構８０により、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する（ステップＳ１０４）。そして、制御部１８は、検出結果に基づき、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態が正常であるか否かを判定する（ステップＳ１０５）。 Subsequently, the control unit 18 detects the elevating state of the elevating pad 132cc by the substrate detection mechanism 80 (step S104). Then, the control unit 18 determines whether or not the elevating state of the elevating pad 132cc is normal based on the detection result (step S105).

ここで、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態が正常であるならば（ステップＳ１０５，Ｙｅｓ）、制御部１８は、キャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷを搬送する（ステップＳ１０６）。一方、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態が正常でないならば（ステップＳ１０５，Ｎｏ）、制御部１８は、キャリアＣと受渡部１４との間でのウェハＷの搬送を中止する（ステップＳ１０７）。 Here, if the elevating state of the elevating pad 132cc is normal (step S105, Yes), the control unit 18 conveys the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 (step S106). On the other hand, if the elevating state of the elevating pad 132cc is not normal (step S105, No), the control unit 18 stops the transfer of the wafer W between the carrier C and the delivery unit 14 (step S107).

そして、制御部１８は、すべてのウェハＷの搬送完了であるか否かを判定し（ステップＳ１０８）、搬送完了でなければ（ステップＳ１０８，Ｎｏ）、ステップＳ１０１からの処理を繰り返し、搬送完了であれば（ステップＳ１０８，Ｙｅｓ）、処理を終了する。 Then, the control unit 18 determines whether or not the transfer of all the wafers W is completed (step S108), and if the transfer is not completed (steps S108, No), the process from step S101 is repeated, and the transfer is completed. If there is (step S108, Yes), the process ends.

＜支持部１３２ｃの配置形態の変形例＞
ところで、これまでは、３つの昇降パッド１３２ｃｂが、基準位置ＲＰの中心位置ＣＰから仮想的に描かれる同心円ＣＣの円周上の等間隔位置に、言い換えれば、同心円ＣＣの円周上の１２０°等分配された位置に設けられている場合を例に挙げた（図３Ｃ参照）。 <Modification example of the arrangement form of the support portion 132c>
By the way, until now, the three elevating pads 132cc are located at equidistant positions on the circumference of the concentric circle CC virtually drawn from the center position CP of the reference position RP, in other words, 120 ° on the circumference of the concentric circle CC. An example is given when the plants are provided at evenly distributed positions (see FIG. 3C).

かかる配置形態により、少なくとも処理後のウェハＷにつき、基準位置ＲＰに対し均等な力配分でウェハＷを保持することが可能となり、ウェハＷをズレなく正確に搬送するのに資することができる。しかしながら、支持部１３２ｃの配置形態はこれに限られない。 With such an arrangement form, it is possible to hold the wafer W at least with respect to the processed wafer W with an even force distribution with respect to the reference position RP, and it is possible to contribute to accurately transporting the wafer W without deviation. However, the arrangement form of the support portion 132c is not limited to this.

次に、かかる支持部１３２ｃの配置形態の変形例について図６Ａ〜図６Ｃを参照して説明する。図６Ａ〜図６Ｃは、支持部１３２ｃの配置形態の変形例を示す平面図（その１）〜（その３）である。 Next, a modified example of the arrangement form of the support portion 132c will be described with reference to FIGS. 6A to 6C. 6A to 6C are plan views (No. 1) to (No. 3) showing a modified example of the arrangement form of the support portion 132c.

支持部１３２ｃの配置形態は、例えば図６Ａに示すように、昇降パッド１３２ｃｂではなく、固定パッド１３２ｃａが、中心位置ＣＰから仮想的に描かれる同心円ＣＣの円周上の等間隔位置に設けられていてもよい。かかる場合、少なくとも処理前のウェハＷにつき、前述の基準位置ＲＰに対し均等な力配分でウェハＷを保持することが可能となる。 As shown in FIG. 6A, for example, the support portion 132c is provided with the fixed pad 132ca instead of the elevating pad 132cc at equidistant positions on the circumference of the concentric circle CC virtually drawn from the center position CP. You may. In such a case, it is possible to hold the wafer W at least with respect to the wafer W before processing with an even force distribution with respect to the above-mentioned reference position RP.

また、例えば図６Ｂに示すように、固定パッド１３２ｃａが昇降パッド１３２ｃｂに対し、フォーク１３２ａの基端側にあってもよい。また、かかる固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂの配置関係が、すべての支持部１３２ｃで同じでなくともよい。また、同じく図６Ｂに示すように、例えばすべての昇降パッド１３２ｃｂ（または固定パッド１３２ｃａ）が、同心円ＣＣの円周上になくともよい。 Further, for example, as shown in FIG. 6B, the fixing pad 132ca may be on the proximal end side of the fork 132a with respect to the elevating pad 132cc. Further, the arrangement relationship between the fixed pad 132ca and the elevating pad 132cc does not have to be the same for all the supporting portions 132c. Also, as also shown in FIG. 6B, for example, all the elevating pads 132cc (or fixed pads 132ca) do not have to be on the circumference of the concentric circle CC.

すなわち、昇降パッド１３２ｃｂまたは固定パッド１３２ｃａは、必ずしも中心位置ＣＰに対して均等に配置される必要はなく、例えばフォーク１３２ａの内部構造等の制約等に応じて適宜配置することができる。 That is, the elevating pad 132cc or the fixing pad 132ca does not necessarily have to be evenly arranged with respect to the center position CP, and can be appropriately arranged according to restrictions such as the internal structure of the fork 132a.

また、支持部１３２ｃの数は３つに限定されず、例えば図６Ｃに示すように、支持部１３２ｃが３つ以上である４つであってもよい。支持部１３２ｃの数を多くすることによって、支持部１３２ｃとウェハＷの裏面との間に作用する摩擦力を強化することができるので、ウェハＷをズレなく正確に搬送するのに資することができる。 Further, the number of support portions 132c is not limited to three, and may be four, for example, as shown in FIG. 6C, where the number of support portions 132c is three or more. By increasing the number of the support portions 132c, the frictional force acting between the support portion 132c and the back surface of the wafer W can be strengthened, so that it can contribute to accurately transporting the wafer W without deviation. ..

また、これまでは、固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂがそれぞれ複数個設けられる場合を例に挙げたが、ウェハＷを下方から摩擦力により保持可能であれば、それぞれ１つずつであってもよい。この場合、例えば、固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂは、ウェハＷの直径より小さい二重リング状となるように同心配置される。 Further, up to now, the case where a plurality of fixing pads 132ca and a plurality of elevating pads 132cc are provided is given as an example, but if the wafer W can be held from below by frictional force, one of each may be used. .. In this case, for example, the fixing pad 132ca and the elevating pad 132cc are concentrically arranged so as to form a double ring shape smaller than the diameter of the wafer W.

＜基板搬送装置１７の構成＞
次に、本実施形態に係る基板搬送装置１７（「第２搬送装置」の一例に相当）の構成について図７Ａを参照して説明する。図７Ａは、基板搬送装置１７の構成を示す平面図である。 <Configuration of substrate transfer device 17>
Next, the configuration of the substrate transfer device 17 (corresponding to an example of the “second transfer device”) according to the present embodiment will be described with reference to FIG. 7A. FIG. 7A is a plan view showing the configuration of the substrate transfer device 17.

図７Ａに示すように、本実施形態に係る基板搬送装置１７は、基台１７１と、複数（ここでは、２つ）の保持部１７２＿１，１７２＿２と、複数（ここでは、４つ）の検出部１７３＿１〜１７３＿４と、支持部材１７４とを備える。 As shown in FIG. 7A, the substrate transfer device 17 according to the present embodiment includes a base 171 and a plurality of (here, two) holding units 172_1, 172_2, and a plurality of (here, four) detecting units. It includes 173_1 to 173_4 and a support member 174.

基台１７１は、Ｘ軸方向に沿った移動およびＺ軸まわりの旋回が可能である。保持部１７２＿１，１７２＿２、検出部１７３＿１〜１７３＿４および支持部材１７４は、基台１７１に設けられる。 The base 171 can move along the X-axis direction and swivel around the Z-axis. The holding units 172_1 and 172_2, the detecting units 173_1 to 173_4, and the support member 174 are provided on the base 171.

保持部１７２＿１，１７２＿２は、それぞれウェハＷを１枚ずつ保持可能に設けられ、Ｚ軸方向に２段に配置される。また、保持部１７２＿１，１７２＿２は、それぞれ図示略の移動機構を備え、かかる移動機構によって、図７Ａに示す例ではＸ軸方向に沿ってそれぞれ独立に進退可能に設けられている。 The holding portions 172_1 and 172_2 are provided so as to be able to hold one wafer W each, and are arranged in two stages in the Z-axis direction. Further, the holding portions 172_1 and 172_2 are provided with moving mechanisms (not shown), respectively, and are provided so as to be able to move forward and backward independently along the X-axis direction in the example shown in FIG. 7A by such moving mechanisms.

したがって、例えば、保持部１７２＿１によって処理前のウェハＷを保持して受渡部１４から取り出すとともに、保持部１７２＿２によって処理後のウェハＷを保持して受渡部１４へ戻すといった動作を行うことが可能である。 Therefore, for example, the holding unit 172_1 can hold the wafer W before processing and take it out from the delivery unit 14, and the holding unit 172_2 can hold the wafer W after processing and return it to the delivery unit 14. is there.

なお、保持部１７２＿１，１７２＿２は略同様の構成であるため、図７Ａでは、保持部１７２＿２の各部材については符号を一部省略している。また、以下では、保持部１７２＿１，１７２＿２を総称する場合、単に「保持部１７２」と記載する。 Since the holding portions 172_1 and 172_2 have substantially the same configuration, in FIG. 7A, some reference numerals are omitted for each member of the holding portion 172_2. Further, in the following, when the holding units 172_1 and 172_2 are collectively referred to, they are simply described as "holding unit 172".

保持部１７２は、フォーク１７２ａを備える。フォーク１７２ａは、内径がウェハＷの径よりも大きい弧状形状を有する。また、フォーク１７２ａには、複数（ここでは、４つ）の支持部１７２ｃが設けられる。支持部１７２ｃは、弧状のフォーク１７２ａの内周に配置され、ウェハＷの周縁部を下方から保持する。 The holding portion 172 includes a fork 172a. The fork 172a has an arc shape having an inner diameter larger than the diameter of the wafer W. Further, the fork 172a is provided with a plurality of (here, four) support portions 172c. The support portion 172c is arranged on the inner circumference of the arc-shaped fork 172a and holds the peripheral edge portion of the wafer W from below.

また、支持部１７２ｃはそれぞれ、吸着口１７２ｄを有する。吸着口１７２ｄはそれぞれ、例えばフォーク１７２ａの内部に形成された配管１７２ｅへ接続される。本実施形態では、配管１７２ｅは、図示略の真空ポンプに接続されている。 Further, each of the support portions 172c has a suction port 172d. Each of the suction ports 172d is connected to, for example, a pipe 172e formed inside the fork 172a. In this embodiment, the pipe 172e is connected to a vacuum pump (not shown).

すなわち、支持部１７２ｃは、載置されるウェハＷを吸着によって保持する部材である。このように吸着によってウェハＷを保持することによって、ウェハＷの周縁部の水平位置を位置決めすることができる。また、例えば摩擦力によってウェハＷを保持する基板搬送装置１３に比して、ズレなく正確にウェハＷを搬送することができる。本実施形態では、真空ポンプによってウェハＷを吸着したが、静電チャックを用いてウェハＷを吸着してもよい。 That is, the support portion 172c is a member that holds the wafer W on which it is placed by suction. By holding the wafer W by adsorption in this way, the horizontal position of the peripheral edge portion of the wafer W can be positioned. Further, as compared with the substrate transfer device 13 that holds the wafer W by frictional force, for example, the wafer W can be conveyed accurately without deviation. In the present embodiment, the wafer W is adsorbed by the vacuum pump, but the wafer W may be adsorbed by using the electrostatic chuck.

検出部１７３＿１〜１７３＿４は、保持部１７２に保持されたウェハＷの外縁を、それぞれ異なる位置で検出する。なお、検出部１７３＿１〜１７３＿４は、既に説明した基板搬送装置１３の検出部１３３＿１〜１３３＿４に対応し、これらと同様の構成であるため、ここでの詳細な説明を省略する。支持部材１７４も、基板搬送装置１３の支持部材１３４に対応するため、同様に説明を省略する。図７Ａ中に示す基準位置ＲＰおよびその中心位置ＣＰについても同様である。 The detection units 173_1 to 173_4 detect the outer edge of the wafer W held by the holding unit 172 at different positions. Since the detection units 173_1 to 173_4 correspond to the detection units 133_1 to 133_4 of the substrate transport device 13 already described and have the same configuration as these, detailed description thereof will be omitted here. Since the support member 174 also corresponds to the support member 134 of the substrate transfer device 13, the description thereof will be omitted in the same manner. The same applies to the reference position RP and its center position CP shown in FIG. 7A.

＜基板搬送装置１７を用いて基板搬送装置１３の不具合を推定する場合＞
ところで、一般に装置には、構成要素となる各機械部品に経年劣化等による不具合が生じる場合がある。基板処理システム１を例に取っても、例えば基板搬送装置１３や基板搬送装置１７、処理ユニット１６の基板保持機構３０等、ウェハＷを処理する各種機能を実現するために様々な形で駆動機構が設けられた構成要素が存在する。 <When estimating a defect of the board transfer device 13 using the board transfer device 17>
By the way, in general, a device may have a problem due to aged deterioration or the like in each mechanical component which is a component. Taking the substrate processing system 1 as an example, for example, a drive mechanism in various forms for realizing various functions for processing the wafer W, such as the substrate transfer device 13, the substrate transfer device 17, and the substrate holding mechanism 30 of the processing unit 16. There is a component provided with.

駆動機構の経年劣化としては、例えば可動部分や可動部分に接する部分の変形や磨耗、ベルトの伸び、被保持物に接する支持部の変形や摩耗、汚染等が考えられるが、これらに起因する不具合の発生を予防する観点からは、経年劣化を含む不具合の予兆を把握しておくことが好ましい。 Aged deterioration of the drive mechanism may include, for example, deformation or wear of the moving part or a part in contact with the moving part, elongation of the belt, deformation or wear of the support part in contact with the object to be held, contamination, etc. From the viewpoint of preventing the occurrence of the above, it is preferable to grasp the signs of defects including aging deterioration.

そこで、本実施形態では、特に基板搬送装置１３につき、受渡部１４を介した基板搬送装置１７との間のウェハＷの受渡しにおいて、基板搬送装置１７によって検出されるウェハＷのズレ量に基づいて基板搬送装置１３に内在する不具合を推定することとした。 Therefore, in the present embodiment, particularly for the substrate transfer device 13, in the transfer of the wafer W to and from the substrate transfer device 17 via the transfer unit 14, the displacement amount of the wafer W detected by the substrate transfer device 17 is used. It was decided to estimate the defects inherent in the substrate transfer device 13.

これは、上述のように基板搬送装置１３では、搬送中のウェハＷを摩擦力によって保持しているので、不具合の予兆、例えば支持部１３２ｃの各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂの摩耗や汚染等は、基板搬送装置１７において検出されるウェハＷの基準位置ＲＰからのズレ量として現れやすいためである。 This is because, as described above, in the substrate transfer device 13, the wafer W being transferred is held by the frictional force, so that a sign of failure, for example, wear or contamination of the pads 132ca and 132cc of the support portion 132c, etc., is caused by the substrate. This is because it tends to appear as the amount of deviation of the wafer W detected in the transfer device 17 from the reference position RP.

なお、基板搬送装置１７では、上述のようにウェハＷを吸着によって保持することで基板搬送装置１３に比して精度よくウェハＷの水平位置を位置決めできるため、基板搬送装置１７側を基準にズレ量を検出することが好適である。 In the substrate transfer device 17, the horizontal position of the wafer W can be positioned more accurately than the substrate transfer device 13 by holding the wafer W by suction as described above, so that the wafer W is displaced with respect to the substrate transfer device 17 side. It is preferable to detect the amount.

以下、かかる基板搬送装置１７を用いて基板搬送装置１３の不具合を推定する場合について、図７Ｂ〜図７Ｄを参照して具体的に説明する。図７Ｂ〜図７Ｄは、基板搬送装置１７を用いて基板搬送装置１３の不具合を推定する場合の説明図（その１）〜（その３）である。 Hereinafter, a case of estimating a defect of the substrate transfer device 13 using the substrate transfer device 17 will be specifically described with reference to FIGS. 7B to 7D. 7B to 7D are explanatory views (No. 1) to (No. 3) in the case of estimating a defect of the substrate transfer device 13 by using the substrate transfer device 17.

まず、搬送部１２において、基板搬送装置１３によりキャリアＣから複数（本実施形態では、５枚）のウェハＷが取り出され、図７Ｂに示すように、受渡部１４へ一括搬送される（ステップＳ１）。なお、受渡部１４では、一括搬送されたウェハＷが多段に保持される。 First, in the transfer unit 12, a plurality of wafers W (five wafers in this embodiment) are taken out from the carrier C by the substrate transfer device 13, and are collectively conveyed to the delivery unit 14 as shown in FIG. 7B (step S1). ). In the delivery unit 14, the batch-conveyed wafers W are held in multiple stages.

そして、搬送部１５において、基板搬送装置１７が受渡部１４へアクセスし、ウェハＷを１枚ずつ取り出して、各処理ユニット１６へ搬送する。このとき、制御部１８は、基板搬送装置１７が受渡部１４からウェハＷを１枚取り出すたび、検出部１７３＿１〜１７３＿４によりウェハＷの位置を検出させる（ステップＳ２）。 Then, in the transfer unit 15, the substrate transfer device 17 accesses the delivery unit 14, takes out the wafers W one by one, and transfers them to each processing unit 16. At this time, the control unit 18 causes the detection units 173_1 to 173_4 to detect the position of the wafer W each time the substrate transfer device 17 takes out one wafer W from the delivery unit 14 (step S2).

そして、図７Ｃに示すように、制御部１８は、検出部１７３＿１〜１７３＿４の検出結果に基づき、基準位置ＲＰおよびその中心位置ＣＰからのウェハＷのズレ量を算出する（ステップＳ３）。そして、制御部１８により算出されたズレ量は、時系列に記憶部１９へ記憶される（ステップＳ４）。 Then, as shown in FIG. 7C, the control unit 18 calculates the amount of deviation of the wafer W from the reference position RP and the center position CP thereof based on the detection results of the detection units 173_1 to 173_4 (step S3). Then, the deviation amount calculated by the control unit 18 is stored in the storage unit 19 in time series (step S4).

そして、図７Ｄに示すように、制御部１８は、記憶部１９に記憶されたズレ量の時系列データに基づき、時間軸に対応する例えばある「動作回数」においてズレ量が所定の閾値を超えたならば、基板搬送装置１３に不具合があると推定し（ステップＳ５）、例えば処理を中止する。なお、所定の閾値を超えた場合に限らず、過去の傾向からこのまま処理を継続すればかかる閾値を超えるであろうと判断される場合に、不具合があるという推定を働かせてもよい。過去の傾向は、例えば、過去に不具合があると推定されたごとのズレ量の時系列データを蓄積データとして記憶しておき、かかる蓄積データから制御部１８が例えば統計的分析等を行うことによって判定することができる。 Then, as shown in FIG. 7D, the control unit 18 has the deviation amount exceeding a predetermined threshold value in, for example, a certain "operation number" corresponding to the time axis, based on the time series data of the deviation amount stored in the storage unit 19. If so, it is estimated that there is a problem in the substrate transfer device 13 (step S5), and the process is stopped, for example. It should be noted that not only when a predetermined threshold value is exceeded, but also when it is determined from the past tendency that the threshold value will be exceeded if the processing is continued as it is, the estimation that there is a problem may be used. The past tendency is, for example, by storing time-series data of the amount of deviation for each estimated defect in the past as accumulated data, and the control unit 18 performing, for example, statistical analysis from the accumulated data. Can be determined.

なお、ズレ量の時系列データは、例えば受渡部１４においてウェハＷを１枚ずつ保持している各段にそれぞれ紐付けられて記憶部１９へ記憶されることが好ましい。これにより、制御部１８は、受渡部１４の各段、すなわちこれに対応する保持部１３２の各段であるフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５ごとのズレ量の時系列データを把握できるので、不具合箇所（例えばフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５のうちのいずれか）を特定しやすくすることができる。また、ズレ量の時系列データは、基板搬送装置１３のフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５が受渡部１４の各段のどこに搬送したかを記憶しておいて、基板搬送装置１７が受渡部１４からウェハＷを取り出すときに、記憶されていた情報（受渡部１４のどこに搬送したか）に紐付けられてもよい。 It is preferable that the time-series data of the amount of deviation is stored in the storage unit 19 in association with each stage holding the wafer W one by one in the delivery unit 14, for example. As a result, the control unit 18 can grasp the time-series data of the deviation amount for each stage of the delivery unit 14, that is, each stage of the holding unit 132 corresponding to the forks 132a_1 to 132a_5, so that the defective portion (for example, the fork) can be grasped. Any one of 132a_1 to 132a_5) can be easily identified. Further, the time-series data of the amount of deviation stores the location where the forks 132a_1 to 132a_5 of the substrate transfer device 13 have transferred to each stage of the delivery section 14, and the substrate transfer device 17 transfers the wafer W from the delivery section 14. When it is taken out, it may be associated with the stored information (where it was carried in the delivery unit 14).

また、制御部１８は、前述の所定の閾値を段階的に設けることとしたうえで、ズレ量が例えば警告レベルの閾値を超えたならば、オペレータに対して清掃等のメンテナンス作業を促す旨を報知するようにしてもよい。 Further, the control unit 18 decides to set the above-mentioned predetermined threshold value stepwise, and if the deviation amount exceeds, for example, the warning level threshold value, prompts the operator for maintenance work such as cleaning. It may be notified.

＜受渡部１４を介した基板搬送装置１３〜基板搬送装置１７間のウェハＷの搬送手順＞
次に、制御部１８が基板搬送装置１３や基板搬送装置１７等を制御して、ウェハＷを受渡部１４を介して搬送する搬送処理の処理手順について図８を参照して説明する。図８は、受渡部１４を介した基板搬送装置１３〜基板搬送装置１７間のウェハＷの搬送処理の処理手順を示すフローチャートである。 <Wafer W transfer procedure between the substrate transfer device 13 and the substrate transfer device 17 via the delivery unit 14>
Next, a processing procedure of a transfer process in which the control unit 18 controls the substrate transfer device 13, the substrate transfer device 17, and the like to transfer the wafer W via the delivery unit 14 will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a flowchart showing a processing procedure of the wafer W transfer process between the substrate transfer device 13 and the substrate transfer device 17 via the delivery unit 14.

図８に示すように、まず、制御部１８は、基板処理の処理シーケンスが予め規定されたレシピ情報等に基づき、基板搬送装置１３（第１搬送装置）にキャリアＣから受渡部１４へウェハＷを一括搬送させる（ステップＳ２０１）。 As shown in FIG. 8, first, the control unit 18 transfers the wafer W from the carrier C to the delivery unit 14 on the substrate transfer device 13 (first transfer device) based on the recipe information or the like in which the processing sequence of the substrate processing is predetermined. (Step S201).

つづいて、制御部１８の制御により、基板搬送装置１７（第２搬送装置）が受渡部１４から処理前のウェハＷを１枚ずつ取り出す（ステップＳ２０２）。そして、制御部１８は、取り出したウェハＷにつき、検出部１７３＿１〜１７３＿４にウェハ位置を検出させる（ステップＳ２０３）。 Subsequently, under the control of the control unit 18, the substrate transfer device 17 (second transfer device) takes out the unprocessed wafers W one by one from the delivery unit 14 (step S202). Then, the control unit 18 causes the detection units 173_1 to 173_4 to detect the wafer position of the removed wafer W (step S203).

つづいて、制御部１８は、検出部１７３＿１〜１７３＿４の検出結果に基づき、受渡部１４から取り出したウェハＷの基準位置ＲＰからのズレ量を算出する（ステップＳ２０４）。そして、制御部１８は、算出したズレ量を時系列に記憶部１９へ記憶させる（ステップＳ２０５）。 Subsequently, the control unit 18 calculates the amount of deviation of the wafer W taken out from the delivery unit 14 from the reference position RP based on the detection results of the detection units 173_1 to 173_4 (step S204). Then, the control unit 18 stores the calculated deviation amount in the storage unit 19 in chronological order (step S205).

つづいて、制御部１８は、ズレ量の時系列データに基づいてズレ量の変化が許容内であるか否か、すなわち前述の所定の閾値を超えていないか否かを判定する（ステップＳ２０６）。 Subsequently, the control unit 18 determines whether or not the change in the amount of deviation is within the allowable range based on the time-series data of the amount of deviation, that is, whether or not the above-mentioned predetermined threshold value is exceeded (step S206). ..

ここで、ズレ量の変化が許容内であるならば（ステップＳ２０６，Ｙｅｓ）、制御部１８は、基板搬送装置１７に処理ユニット１６との間でウェハＷを搬送させる（ステップＳ２０７）。また、処理ユニット１６で処理された処理後のウェハＷは、制御部１８の制御により、基板搬送装置１７が受渡部１４へ戻す（ステップＳ２０８）。 Here, if the change in the amount of deviation is within the permissible range (step S206, Yes), the control unit 18 causes the substrate transfer device 17 to transfer the wafer W to and from the processing unit 16 (step S207). Further, the processed wafer W processed by the processing unit 16 is returned to the delivery unit 14 by the substrate transfer device 17 under the control of the control unit 18 (step S208).

そして、制御部１８は、受渡部１４に処理前のウェハＷがまだあるか否かを判定し（ステップＳ２０９）、まだあるならば（ステップＳ２０９，Ｙｅｓ）、ステップＳ２０２からの処理を繰り返す。 Then, the control unit 18 determines whether or not the wafer W before processing is still present in the delivery unit 14 (step S209), and if it is still present (step S209, Yes), the processing from step S202 is repeated.

一方、受渡部１４に処理前のウェハＷがないならば（ステップＳ２０９，Ｎｏ）、制御部１８は、基板搬送装置１３に受渡部１４からキャリアＣへウェハＷを一括搬送させ（ステップＳ２１０）、処理を終了する。 On the other hand, if the delivery unit 14 does not have the wafer W before processing (step S209, No), the control unit 18 causes the substrate transfer device 13 to collectively transfer the wafer W from the delivery unit 14 to the carrier C (step S210). End the process.

また、ステップＳ２０６でズレ量の変化が許容内でないならば（ステップＳ２０６，Ｎｏ）、制御部１８は、処理を中止させて（ステップＳ２１１）、処理を終了する。 If the change in the amount of deviation is not within the permissible range in step S206 (steps S206, No), the control unit 18 stops the process (step S211) and ends the process.

なお、図８では図示していないが、制御部１８は、ズレ量の変化につき、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５間で部分的に、例えば１本のフォークのみが他のフォークとは異なるズレ量の変化を示すならば、かかるフォークに何らかの不具合がある（あるいは生じつつある）ことを推定することができる。 Although not shown in FIG. 8, the control unit 18 partially changes the amount of deviation between the forks 132a_1 to 132a_5, for example, only one fork is different from the other forks. If shown, it can be inferred that there is something wrong with (or is occurring) in such a fork.

また、制御部１８は、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５が全体で同様のズレ量の変化を示すならば、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５以外で何らかの不具合がある（あるいは生じつつある）ことを推定することができる。 Further, if the forks 132a_1 to 132a_5 show the same change in the amount of deviation as a whole, the control unit 18 can estimate that there is some problem (or is occurring) other than the forks 132a_1 to 132a_5.

すなわち、制御部１８は、保持部１３２のフォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５間のズレ量の差異に基づき、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５のいずれかに不具合があるか、または、フォーク１３２ａ＿１〜１３２ａ＿５以外に不具合があるかを判定する。これにより、基板搬送装置１３の不具合箇所を、少なくともフォークとフォーク以外とで切り分けることができる。 That is, the control unit 18 determines whether any of the forks 132a_1 to 132a_5 has a defect or a defect other than the forks 132a_1 to 132a_5 based on the difference in the amount of deviation between the forks 132a_1 to 132a_5 of the holding unit 132. judge. As a result, the defective portion of the substrate transfer device 13 can be separated by at least a fork and a non-fork.

そして、制御部１８は、不具合箇所がフォークである場合、例えばその時系列データから原因が各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂの汚染であると推定して、各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂのクリーニング時期をオペレータに対し報知することができる。さらに、制御部１８は、例えば過去のクリーニング回数等を加味した結果によっては原因が各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂの摩耗であると推定して、各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂの交換時期をオペレータに対し報知することができる。 Then, when the defective part is a fork, the control unit 18 presumes that the cause is contamination of the pads 132ca and 132cc from the time series data, and notifies the operator of the cleaning time of the pads 132ca and 132cc. be able to. Further, the control unit 18 presumes that the cause is wear of the pads 132ca and 132cc depending on the result of considering the number of cleanings in the past and the like, and notifies the operator of the replacement time of the pads 132ca and 132cc. Can be done.

また、制御部１８は、不具合箇所がフォーク以外である場合、例えば原因が駆動機構の劣化であると推定し、一例として駆動機構を構成する直動ガイドのグリスアップ時期や、プーリーベルトの交換時期等をオペレータに対し報知することができる。 Further, when the defective part is other than the fork, the control unit 18 presumes that the cause is deterioration of the drive mechanism, and as an example, the grease-up timing of the linear motion guide constituting the drive mechanism and the replacement timing of the pulley belt. Etc. can be notified to the operator.

また、これまでは、基板搬送装置１７の検出部１７３＿１〜１７３＿４の検出結果に基づいて基板搬送装置１３の不具合を推定する場合について説明したが、基板搬送装置１３自体の検出部１３３＿１〜１３３＿４を用いて基板搬送装置１３の不具合を推定してもよい。 Further, although the case of estimating the defect of the substrate transfer device 13 based on the detection result of the detection units 173_1 to 173_4 of the substrate transfer device 17 has been described so far, the detection units 133_1 to 133_4 of the board transfer device 13 itself are used. The defect of the substrate transfer device 13 may be estimated.

具体的には、この場合、制御部１８は、キャリアＣから受渡部１４への搬送前後のズレ量、および、受渡部１４からキャリアＣへの搬送前後のズレ量をそれぞれ検出部１３３＿１〜１３３＿４の検出結果に基づいて算出し、記憶部１９へ時系列データとして記憶させる。そして、制御部１８は、基板搬送装置１７の検出部１７３＿１〜１７３＿４を用いた場合と同様に、時系列データに基づいてズレ量の変化が許容内であるか否かを判定し、その判定結果から例えば各パッド１３２ｃａ，１３２ｃｂのクリーニング時期や交換時期等をオペレータに対し報知することができる。 Specifically, in this case, the control unit 18 determines the amount of deviation before and after the transfer from the carrier C to the delivery unit 14 and the amount of deviation before and after the transfer from the delivery unit 14 to the carrier C, respectively, of the detection units 133_1 to 133_4. It is calculated based on the detection result and stored in the storage unit 19 as time series data. Then, the control unit 18 determines whether or not the change in the amount of deviation is within the allowable range based on the time series data, as in the case of using the detection units 173_1 to 173_4 of the substrate transfer device 17, and the determination result. For example, it is possible to notify the operator of the cleaning time, replacement time, etc. of the pads 132ca and 132cc.

上述してきたように、実施形態に係る基板搬送装置１３は、フォーク１３２ａ（「基部」の一例に相当）と、昇降パッド１３２ｃｂ（「支持部」の一例に相当）と、昇降機構１５０と、基板検出機構８０（「検出機構」の一例に相当）とを備える。 As described above, the substrate transport device 13 according to the embodiment includes a fork 132a (corresponding to an example of a “base”), an elevating pad 132cc (corresponding to an example of a “support portion”), an elevating mechanism 150, and a substrate. It is provided with a detection mechanism 80 (corresponding to an example of a “detection mechanism”).

フォーク１３２ａは、ウェハＷ（「基板」の一例に相当）を保持する保持部１３２の基部である。昇降パッド１３２ｃｂは、フォーク１３２ａに設けられ、ウェハＷの下方からウェハＷを支持する。 The fork 132a is a base of a holding portion 132 that holds a wafer W (corresponding to an example of a “board”). The elevating pad 132cc is provided on the fork 132a and supports the wafer W from below the wafer W.

昇降機構１５０は、フォーク１３２ａに対し、昇降パッド１３２ｃｂを昇降させる。基板検出機構８０は、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出する。 The elevating mechanism 150 elevates and elevates the elevating pad 132cc with respect to the fork 132a. The substrate detection mechanism 80 detects the elevating state of the elevating pad 132cc.

したがって、基板搬送装置１３によれば、ウェハＷを支持するために昇降する昇降パッド１３２ｃｂの実際の昇降状態を把握することができる。 Therefore, according to the substrate transfer device 13, it is possible to grasp the actual elevating state of the elevating pad 132cc that elevates and descends to support the wafer W.

＜その他の実施形態＞
その他の実施形態について図９を参照して説明する。図９は、その他の実施形態に係る基板搬送装置１３の構成を示す斜視図である。図９に示すように、その他の実施形態として基板搬送装置１３は、例えば基台１３１に設けられるカメラ１３５を備えることができる。 <Other embodiments>
Other embodiments will be described with reference to FIG. FIG. 9 is a perspective view showing the configuration of the substrate transfer device 13 according to another embodiment. As shown in FIG. 9, as another embodiment, the substrate transfer device 13 may include, for example, a camera 135 provided on the base 131.

かかるカメラ１３５により、保持部１３２のフォーク１３２ａが基台１３１に進退し、ウェハＷをキャリアＣまたは受渡部１４に搬入出する間や、キャリアＣ〜受渡部１４間を搬送中の間、常時撮像することによって、不具合が生じた場合の原因究明等を効率化することができる。 With the camera 135, the fork 132a of the holding portion 132 moves back and forth to the base 131, and images are constantly taken while the wafer W is carried in and out of the carrier C or the delivery portion 14 and while the carrier C and the delivery portion 14 are being conveyed. Therefore, it is possible to improve the efficiency of investigating the cause when a problem occurs.

カメラ１３５は、その撮像範囲に、例えばフォーク１３２ａの進退方向（図中の矢印９０１参照）や、フォーク１３２ａ同士の間等が含まれるように設けられることが好ましい。また、図９では１台のカメラ１３５を図示しているが、複数台のカメラ１３５が設けられてもよい。 It is preferable that the camera 135 is provided so that the imaging range includes, for example, the advancing / retreating direction of the forks 132a (see arrow 901 in the drawing), the space between the forks 132a, and the like. Further, although one camera 135 is shown in FIG. 9, a plurality of cameras 135 may be provided.

また、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態を検出するのに、かかるカメラ１３５の撮像画像を用いてもよい。また、基板搬送装置１３に限らず、基板搬送装置１７ほか、経年劣化等により生じる不具合がシステム全体に影響を及ぼしやすい各装置や各機構に、カメラ１３５が設けられてもよい。 Further, the captured image of the camera 135 may be used to detect the elevating state of the elevating pad 132cc. Further, the camera 135 may be provided not only in the substrate transfer device 13, but also in the board transfer device 17, and in each device and each mechanism in which defects caused by aged deterioration or the like are likely to affect the entire system.

また、上述した実施形態では、固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂの形状が平面視で略円状であるものとしたが、形状を限定するものではない。また、固定パッド１３２ｃａおよび昇降パッド１３２ｃｂは、それぞれ１つずつで１組でなくともよく、互いの個数が異なっていてもよい。 Further, in the above-described embodiment, the shapes of the fixed pad 132ca and the elevating pad 132cc are assumed to be substantially circular in a plan view, but the shapes are not limited. Further, the fixing pad 132ca and the elevating pad 132cc do not have to be one set each, and the numbers may be different from each other.

また、上述した実施形態では、基板検出機構８０の投光部８１ａおよび受光部８１ｂの配置関係や、検出部１３３＿１〜１３３＿４の投光部１３３ａおよび受光部１３３ｂの配置関係について説明したが、配置関係を限定するものではない。例えば、投光部８１ａおよび受光部８１ｂの配置位置は逆でもよい。同じく投光部１３３ａおよび受光部１３３ｂの配置位置は逆でもよい。 Further, in the above-described embodiment, the arrangement relationship between the light emitting unit 81a and the light receiving unit 81b of the substrate detection mechanism 80 and the arrangement relationship between the light emitting unit 133a and the light receiving unit 133b of the detection units 133_1 to 133_4 have been described. Is not limited to. For example, the arrangement positions of the light emitting unit 81a and the light receiving unit 81b may be reversed. Similarly, the arrangement positions of the light projecting unit 133a and the light receiving unit 133b may be reversed.

また、これらは透過型に限らず、反射型として構成されてもよい。反射型の場合、投光部８１ａおよび受光部８１ｂの両方、投光部１３３ａおよび受光部１３３ｂの両方が、同じ側に配置されてよい。 Further, these are not limited to the transmissive type and may be configured as a reflective type. In the case of the reflection type, both the light projecting unit 81a and the light receiving unit 81b, and both the light projecting unit 133a and the light receiving unit 133b may be arranged on the same side.

また、上述した実施形態では、昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態の検出を、キャリアＣに対応して設けられた基板検出機構８０を用いて行ったが、使用する検出機器や、検出する場所を限定するものではない。たとえば、受渡部１４に検出機構を設けて、そこで昇降パッド１３２ｃｂの昇降状態の検出を行ってもよい。この場合、検出機構は光学センサでなくてもよく、具体的には、距離センサ、近接センサ等でもよい。また、吸引機構を設けた検出部を昇降パッド１３２ｃｂに接近させ、吸引機構の圧力変動でも昇降状態の検出を行うことができる。 Further, in the above-described embodiment, the elevating state of the elevating pad 132cc is detected by using the substrate detection mechanism 80 provided corresponding to the carrier C, but the detection device to be used and the detection location are limited. It's not a thing. For example, a detection mechanism may be provided in the delivery unit 14, and the elevating state of the elevating pad 132cc may be detected there. In this case, the detection mechanism does not have to be an optical sensor, and specifically, a distance sensor, a proximity sensor, or the like may be used. Further, the detection unit provided with the suction mechanism can be brought close to the elevating pad 132cc, and the elevating state can be detected even by the pressure fluctuation of the suction mechanism.

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。 Further effects and variations can be easily derived by those skilled in the art. For this reason, the broader aspects of the invention are not limited to the particular details and representative embodiments expressed and described as described above. Therefore, various modifications can be made without departing from the spirit or scope of the general concept of the invention as defined by the appended claims and their equivalents.

Ｃ キャリア
ＣＣ 同心円
ＣＰ 中心位置
ＲＰ 基準位置
Ｗ ウェハ
１ 基板処理システム
２ 搬入出ステーション
３ 処理ステーション
４ 制御装置
１１ キャリア載置部
１２ 搬送部
１３ 基板搬送装置
１４ 受渡部
１５ 搬送部
１６ 処理ユニット
１７ 基板搬送装置
１８ 制御部
１９ 記憶部
８０ 基板検出機構
８１ 光学センサ
８１ａ 投光部
８１ｂ 受光部
８２ 支持アーム
８３ 支持アーム
８４ 支持シャフト
８５ 回動機構
８６ 昇降機構
１３１ 基台
１３２ 保持部
１３２ａ フォーク
１３２ｂ 移動機構
１３２ｃ 支持部
１３２ｃａ 固定パッド
１３２ｃｂ 昇降パッド
１３２ｄ ズレ止めピン
１３３＿１〜１３３＿４ 検出部
１３３ａ 投光部
１３３ｂ 受光部
１３４ 支持部材
１３５ カメラ
１５０ 昇降機構
１７１ 基台
１７２ 保持部
１７２ａ フォーク
１７２ｃ 支持部
１７２ｄ 吸着口
１７２ｅ 配管
１７３＿１〜１７３＿４ 検出部
１７４ 支持部材 C Carrier CC Concentric circle CP Center position RP Reference position W Wafer 1 Substrate processing system 2 Carry-in / out station 3 Processing station 4 Control device 11 Carrier mounting unit 12 Transport unit 13 Board transport device 14 Delivery section 15 Transport section 16 Processing unit 17 Substrate transport Device 18 Control unit 19 Storage unit 80 Board detection mechanism 81 Optical sensor 81a Flooding unit 81b Light receiving unit 82 Support arm 83 Support arm 84 Support shaft 85 Rotation mechanism 86 Lifting mechanism 131 Base 132 Holding unit 132a Fork 132b Moving mechanism 132c Support Part 132ca Fixed pad 132cc Lifting pad 132d Anti-displacement pin 133_1 to 133_4 Detection part 133a Light emitting part 133b Light receiving part 134 Support member 135 Camera 150 Lifting mechanism 171 Base 172 Holding part 172a Fork 172c Support part 172d Suction port 172e Piping 173_1 to 173 Detection unit 174 Support member

Claims (7)

基板を保持する保持部の基部と、
前記基部に設けられ、前記基板の下方から該基板を支持する支持部と、
前記基部に対し、前記支持部を昇降させる昇降機構と、
水平方向に沿った光軸を形成可能に設けられて被検出物を光学的に検出する光学センサを有し、前記基板を収容可能なキャリア内における前記基板の収容状態の検出用、および前記支持部の昇降状態の検出用に設けられる検出機構と、
前記光学センサの位置制御を行う制御部と
を備え、
前記保持部は、
前記光軸に対し、前記支持部を進退させる移動機構
を備え、
前記光学センサは、
前記キャリア側および前記保持部側のそれぞれへ向けて回動可能に設けられ、
前記制御部は、
前記検出機構に前記支持部の昇降状態を検出させる場合に、前記光学センサを前記保持部側へ回動させて、前記支持部に対し前記光軸がオーバーラップするように、前記光学センサの位置制御を行うこと
を特徴とする基板搬送装置。 The base of the holding part that holds the board and
A support portion provided on the base portion and supporting the substrate from below the substrate,
An elevating mechanism that elevates and elevates the support to the base,
It has an optical sensor that is provided so as to form an optical axis along the horizontal direction and optically detects an object to be detected, and is used for detecting the accommodation state of the substrate in a carrier that can accommodate the substrate, and the support. a detection mechanism that is provided for detection of the lift state of parts,
It is provided with a control unit that controls the position of the optical sensor .
The holding part is
A moving mechanism that moves the support portion forward and backward with respect to the optical axis.
Equipped with
The optical sensor is
It is provided so as to be rotatable toward each of the carrier side and the holding portion side.
The control unit is
When the detection mechanism detects the elevating state of the support portion, the position of the optical sensor is such that the optical sensor is rotated toward the holding portion so that the optical axis overlaps the support portion. A substrate transfer device characterized by performing control . 前記制御部は、
前記光学センサの位置制御とともに、前記移動機構の制御を含む前記保持部の動作制御を組み合わせることによって、前記支持部に対し前記光軸をオーバーラップさせること
を特徴とする請求項１に記載の基板搬送装置。 The control unit
The substrate according to claim 1 , wherein the optical axis is overlapped with the support portion by combining the position control of the optical sensor with the operation control of the holding portion including the control of the movement mechanism. Conveyor device. 前記支持部は、複数個設けられ、
前記制御部は、
前記支持部のそれぞれにつき、個別に前記光軸がオーバーラップするように、前記光学センサの位置制御および前記保持部の動作制御を行うこと
を特徴とする請求項２に記載の基板搬送装置。 A plurality of the support portions are provided.
The control unit
The substrate transport device according to claim 2 , wherein the position of the optical sensor and the operation of the holding portion are controlled so that the optical axes of the support portions overlap each other individually. 前記制御部は、
前記支持部の厚み方向につき、前記光軸によりスキャンさせることによって、前記検出機構に前記支持部の昇降状態を検出させること
を特徴とする請求項１、２または３に記載の基板搬送装置。 The control unit
The substrate transport device according to claim 1, 2 or 3 , wherein the detection mechanism detects an elevating state of the support portion by scanning the thickness direction of the support portion with the optical axis. 前記検出機構は、
前記キャリアと前記保持部との間に設けられ、
前記光学センサは、
前記キャリア側および前記保持部側へ位置変更可能に設けられていること
を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の基板搬送装置。 The detection mechanism
Provided between the carrier and the holding portion,
The optical sensor is
The substrate transfer device according to any one of claims 1 to 4, wherein the position can be changed to the carrier side and the holding portion side. 前記制御部は、
前記保持部が前記キャリアへアクセスするたびに前記検出機構に前記支持部の昇降状態を検出させること
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の基板搬送装置。 The control unit
The substrate transfer device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the detection mechanism detects an elevating state of the support portion each time the holding portion accesses the carrier. 基板を保持する保持部の基部と、前記基部に設けられ、前記基板の下方から前記基板を支持する支持部と、前記基部に対し、前記支持部を昇降させる昇降機構と、水平方向に沿った光軸を形成可能に設けられて被検出物を光学的に検出する光学センサを有し、前記基板を収容可能なキャリア内における前記基板の収容状態の検出用、および前記支持部の昇降状態の検出用に設けられる検出機構とを備え、前記保持部は、前記光軸に対し、前記支持部を進退させる移動機構を備え、前記光学センサは、前記キャリア側および前記保持部側のそれぞれへ向けて回動可能に設けられた基板搬送装置における基板搬送方法であって、
前記光学センサの位置制御を行う制御工程
を含み、
前記制御工程は、
前記検出機構に前記支持部の昇降状態を検出させる場合に、前記光学センサを前記保持部側へ回動させて、前記支持部に対し前記光軸がオーバーラップするように、前記光学センサの位置制御を行うこと
を特徴とする基板搬送方法。 A base portion of a holding portion for holding the substrate, a support portion provided on the base portion for supporting the substrate from below the substrate, an elevating mechanism for raising and lowering the support portion with respect to the base portion, and a horizontal direction. It has an optical sensor that is provided so as to form an optical axis and optically detects an object to be detected, for detecting the accommodation state of the substrate in a carrier capable of accommodating the substrate, and for raising and lowering the support portion. The holding portion includes a detection mechanism provided for detection, the holding portion includes a moving mechanism for moving the support portion forward and backward with respect to the optical axis, and the optical sensor is directed toward the carrier side and the holding portion side, respectively. It is a substrate transfer method in a substrate transfer device provided so as to be rotatable .
Look including a control step of controlling the position of the optical sensor,
The control step is
When the detection mechanism detects the elevating state of the support portion, the position of the optical sensor is such that the optical sensor is rotated toward the holding portion so that the optical axis overlaps the support portion. A substrate transfer method characterized by performing control .
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