JP6744169B2 - Detection device and display device - Google Patents

Detection device and display device Download PDF

Info

Publication number
JP6744169B2
JP6744169B2 JP2016154994A JP2016154994A JP6744169B2 JP 6744169 B2 JP6744169 B2 JP 6744169B2 JP 2016154994 A JP2016154994 A JP 2016154994A JP 2016154994 A JP2016154994 A JP 2016154994A JP 6744169 B2 JP6744169 B2 JP 6744169B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive thin
strip
region
shaped region
line
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016154994A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017188060A (en
Inventor
剛司 石崎
剛司 石崎
倉澤 隼人
隼人 倉澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Inc
Original Assignee
Japan Display Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Display Inc filed Critical Japan Display Inc
Priority to KR1020170039966A priority Critical patent/KR101906446B1/en
Priority to TW106110709A priority patent/TWI617960B/en
Priority to CN201710212097.6A priority patent/CN107272941B/en
Priority to US15/477,264 priority patent/US10126899B2/en
Publication of JP2017188060A publication Critical patent/JP2017188060A/en
Priority to KR1020180117537A priority patent/KR102010189B1/en
Priority to US16/163,981 priority patent/US10353528B2/en
Priority to US16/511,831 priority patent/US10534494B2/en
Priority to US16/711,103 priority patent/US10908751B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6744169B2 publication Critical patent/JP6744169B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0416Control or interface arrangements specially adapted for digitisers
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B7/00Insulated conductors or cables characterised by their form
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04105Pressure sensors for measuring the pressure or force exerted on the touch surface without providing the touch position
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04112Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Description

本発明は、外部近接物体を検出可能な検出装置に係り、特に静電容量の変化に基づいて外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置に関する。 The present invention relates to a detection device capable of detecting an external proximity object, and particularly to a detection device and a display device capable of detecting an external proximity object based on a change in capacitance.

近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能な検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化される、タッチ検出機能付き表示装置に用いられている。そして、タッチ検出機能付き表示装置は、表示装置に各種のボタン画像等を表示させることにより、タッチパネルを通常の機械式ボタンの代わりとして情報入力を可能としている。このようなタッチパネルを有する、タッチ検出機能付き表示装置は、キーボードやマウス、キーパッドのような入力装置を必要としないため、コンピュータのほか、携帯電話のような携帯情報端末などでも、使用が拡大する傾向にある。 In recent years, a detection device called a touch panel, which can detect an external proximity object, has attracted attention. A touch panel is used for a display device with a touch detection function, which is mounted on or integrated with a display device such as a liquid crystal display device. The display device with a touch detection function allows various information such as button images to be displayed on the display device, and allows the touch panel to be used as a substitute for a normal mechanical button to input information. A display device with a touch detection function that has such a touch panel does not require an input device such as a keyboard, a mouse, or a keypad, and is therefore widely used in personal computers such as computers and personal digital assistants such as mobile phones. Tend to do.

タッチ検出装置の方式として、光学式、抵抗式、静電容量式などいくつかの方式が存在する。静電容量式のタッチ検出装置は、携帯端末などに用いて、比較的単純な構造をもち、かつ低消費電力が実現できる。例えば、特許文献1には、透光性電極パターンの不可視化対策がされたタッチパネルが記載されている。 There are several types of touch detection devices such as an optical type, a resistance type, and a capacitance type. The capacitive touch detection device has a relatively simple structure and can realize low power consumption when used in a mobile terminal or the like. For example, Patent Document 1 describes a touch panel in which a transparent electrode pattern is made invisible.

さらに、外部近接物体を検出可能な検出装置では、薄型化、大画面化又は高精細化のため、検出電極の低抵抗化が求められている。検出電極は、透光性電極の材料としてITO(Indium Tin Oxide)等の透光性導電酸化物が用いられている。検出電極を低抵抗にするには、金属材料などの導電性材料を用いることが有効である。しかし、金属材料などの導電性材料を用いると、表示装置の画素と金属材料などの導電性材料との干渉によりモアレが視認される可能性がある。 Further, in a detection device capable of detecting an external proximity object, the resistance of the detection electrode is required to be low in order to reduce the thickness, increase the screen size, and increase the definition. The detection electrode uses a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide) as a material of the transparent electrode. In order to reduce the resistance of the detection electrode, it is effective to use a conductive material such as a metal material. However, when a conductive material such as a metal material is used, moire may be visually recognized due to interference between the pixels of the display device and the conductive material such as a metal material.

特開2010−197576号公報JP, 2010-197576, A 特開2014−041589号公報JP, 2014-041589, A

そこで、特許文献2には、検出電極が金属材料などの導電性材料の検出電極を用いても、モアレが視認される可能性を低減できる検出装置が記載されている。特許文献2に記載の検出装置では、モアレが視認される可能性を低減できるものの、可視光が入射すると複数の検出電極で回折又は散乱する光強度パターンが複数の散在する光の点に近くなり、光の点が視認される可能性がある。 Therefore, Patent Document 2 describes a detection device capable of reducing the possibility that moire is visually recognized even if the detection electrode is made of a conductive material such as a metal material. In the detection device described in Patent Document 2, although the possibility that moire is visually recognized can be reduced, the light intensity pattern that is diffracted or scattered by the plurality of detection electrodes when visible light is incident is close to a plurality of scattered light points. , The point of light may be visible.

本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、金属材料などの導電性材料の検出電極を用いつつ、複数の散在する光の点が視認される可能性を低減できる、外部近接物体を検出可能な検出装置及び表示装置を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to reduce the possibility that a plurality of scattered light spots are visually recognized while using a detection electrode made of a conductive material such as a metal material. An object of the present invention is to provide a detection device and a display device capable of detecting an external proximity object.

第1の態様によれば、検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上に設けられ、第1方向に延びる、複数の第1導電性細線と、前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向と角度をなす第2方向に延びる、複数の第2導電性細線と、所定幅の第1帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第2方向に互いにずれた2つの前記第1導電性細線を含む第1グループと、所定幅の第2帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第1方向に互いにずれた2つの前記第2導電性細線を含む第2グループと、を備え、前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線が接する。 According to the first aspect, the detection device includes a substrate, a plurality of first conductive thin wires provided on a surface parallel to the substrate and extending in the first direction, and the same layer as the first conductive thin wires. A plurality of second conductive thin wires that are provided above and extend in a second direction that forms an angle with the first direction, and are arranged in a first band-shaped region having a predetermined width, and are displaced from each other at least in the second direction. A first group including the two first conductive thin wires and a second group including two second conductive thin wires arranged in a second band-shaped region having a predetermined width and displaced from each other at least in the first direction. And the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other in an intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region.

第2の態様によれば、表示装置は、検出装置と、表示領域とを備え、前記表示領域と重畳する領域に、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが設けられている。 According to the second aspect, the display device includes a detection device and a display region, and the first conductive thin line and the second conductive thin line are provided in a region overlapping with the display region. ..

図1は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a display device with a touch detection function according to the first embodiment. 図2は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state in which a finger is not in contact with or in proximity to the basic principle of the capacitive touch detection method. 図3は、図2に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the finger shown in FIG. 2 is not in contact with or approaching. 図4は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which a finger is in contact with or in proximity to, in order to explain the basic principle of the capacitive touch detection method. 図5は、図4に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the finger shown in FIG. 図6は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。FIG. 6 is a diagram illustrating an example of waveforms of the drive signal and the detection signal. 図7は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing an example of a module in which a display device with a touch detection function is mounted. 図8は、タッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing an example of a module in which a display device with a touch detection function is mounted. 図9は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a schematic sectional structure of the display device with a touch detection function according to the first embodiment. 図10は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を表す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a pixel arrangement of the display device with a touch detection function according to the first embodiment. 図11は、実施形態1に係る検出電極の平面図である。FIG. 11 is a plan view of the detection electrode according to the first embodiment. 図12は、実施形態1に係る検出電極の配置方法を説明するための工程図である。FIG. 12 is a process diagram for explaining the method of arranging the detection electrodes according to the first embodiment. 図13は、実施形態2に係る検出電極の平面図である。FIG. 13 is a plan view of the detection electrode according to the second embodiment. 図14は、実施形態2の変形例1に係る検出電極の平面図である。FIG. 14 is a plan view of the detection electrode according to the first modification of the second embodiment. 図15は、実施形態2の変形例2に係る検出電極の平面図である。FIG. 15 is a plan view of the detection electrode according to the second modification of the second embodiment. 図16は、実施形態3に係る検出電極の平面図である。FIG. 16 is a plan view of the detection electrode according to the third embodiment. 図17は、実施形態4に係る検出電極の平面図である。FIG. 17 is a plan view of the detection electrode according to the fourth embodiment. 図18は、実施形態5に係る検出電極の平面図である。FIG. 18 is a plan view of the detection electrode according to the fifth embodiment. 図19は、実施形態6に係る検出電極の平面図である。FIG. 19 is a plan view of the detection electrode according to the sixth embodiment. 図20は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の一例を示す説明図である。FIG. 20 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit for self-capacitive touch detection.

以下、発明を実施するための形態(実施形態)につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 Hereinafter, modes for carrying out the invention (embodiments) will be described in detail with reference to the drawings. The present invention is not limited to the contents described in the embodiments below. Further, the constituent elements described below include those that can be easily conceived by those skilled in the art and those that are substantially the same. Furthermore, the components described below can be combined as appropriate. It should be noted that the disclosure is merely an example, and a person skilled in the art can easily think of appropriate modifications while keeping the gist of the invention, of course, is included in the scope of the invention. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part as compared with the actual mode, but this is merely an example, and the interpretation of the present invention will be understood. It is not limited. In the specification and the drawings, the same elements as those described above with reference to the already-explained drawings are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof may be appropriately omitted.

(実施形態1)
図1は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置の一構成例を表すブロック図である。タッチ検出機能付き表示装置1は、タッチ検出機能付き表示部10と、制御部11と、ゲートドライバ12と、ソースドライバ13と、駆動電極ドライバ14と、タッチ検出部(単に、検出部ともいう。)40とを備えている。タッチ検出機能付き表示部10は、いわゆる液晶表示装置と呼ばれる表示装置20と静電容量型の検出装置30とを一体化した装置である。なお、タッチ検出機能付き表示部10は、表示装置20の上に、静電容量型の検出装置30を装着した装置であってもよい。なお、表示装置20は、例えば、有機EL表示装置であってもよい。なお、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、又は、駆動電極ドライバ14は、表示部10に設けられていてもよい。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration example of a display device with a touch detection function according to the first embodiment. The display device with a touch detection function 1 includes a display unit with a touch detection function 10, a control unit 11, a gate driver 12, a source driver 13, a drive electrode driver 14, and a touch detection unit (also simply referred to as a detection unit. ) 40 and. The display unit 10 with a touch detection function is a device in which a display device 20 which is a so-called liquid crystal display device and a capacitance type detection device 30 are integrated. The display unit with a touch detection function 10 may be a device in which the electrostatic capacitance type detection device 30 is mounted on the display device 20. The display device 20 may be, for example, an organic EL display device. The gate driver 12, the source driver 13, or the drive electrode driver 14 may be provided in the display unit 10.

表示装置20は、後述するように、ゲートドライバ12から供給される走査信号Vscanに従って、1水平ラインずつ順次走査して表示を行う装置である。制御部11は、外部より供給された映像信号Vdispに基づいて、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、駆動電極ドライバ14、及びタッチ検出部40に対してそれぞれ制御信号を供給し、これらが互いに同期して動作するように制御する回路(制御装置)である。 As will be described later, the display device 20 is a device that sequentially scans and displays one horizontal line at a time according to a scanning signal Vscan supplied from the gate driver 12. The control unit 11 supplies control signals to the gate driver 12, the source driver 13, the drive electrode driver 14, and the touch detection unit 40 based on the video signal Vdisp supplied from the outside, and these are synchronized with each other. It is a circuit (control device) for controlling so as to operate as follows.

ゲートドライバ12は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部10の表示駆動の対象となる1水平ラインを順次選択する機能を有している。 The gate driver 12 has a function of sequentially selecting one horizontal line to be a display drive target of the display unit 10 with a touch detection function, based on a control signal supplied from the control unit 11.

ソースドライバ13は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部10の、後述する各副画素SPixに画素信号Vpixを供給する回路である。 The source driver 13 is a circuit that supplies a pixel signal Vpix to each sub-pixel SPix, which will be described later, of the display unit 10 with a touch detection function, based on a control signal supplied from the control unit 11.

駆動電極ドライバ14は、制御部11から供給される制御信号に基づいて、タッチ検出機能付き表示部10の、後述する駆動電極COMLに駆動信号Vcomを供給する回路である。 The drive electrode driver 14 is a circuit that supplies a drive signal Vcom to drive electrodes COML, which will be described later, of the display unit 10 with a touch detection function, based on a control signal supplied from the control unit 11.

タッチ検出部40は、制御部11から供給される制御信号と、タッチ検出機能付き表示部10の検出装置30から供給された検出信号Vdetに基づいて、検出装置30に対するタッチ(後述する接触又は近接の状態)の有無を検出し、タッチがある場合においてタッチ検出領域におけるその座標などを求める回路である。このタッチ検出部40は検出信号増幅部42と、A/D変換部43と、信号処理部44と、座標抽出部45と、検出タイミング制御部46とを備えている。 The touch detection unit 40 touches the detection device 30 based on the control signal supplied from the control unit 11 and the detection signal Vdet supplied from the detection device 30 of the display unit 10 with a touch detection function (contact or proximity described later). The state of) is detected, and when there is a touch, the coordinates of the touch detection area are obtained. The touch detection unit 40 includes a detection signal amplification unit 42, an A/D conversion unit 43, a signal processing unit 44, a coordinate extraction unit 45, and a detection timing control unit 46.

検出信号増幅部42は、検出装置30から供給される検出信号Vdetを増幅する。検出信号増幅部42は、検出信号Vdetに含まれる高い周波数成分(ノイズ成分)を除去し、タッチ成分を取り出してそれぞれ出力する低域通過アナログフィルタを備えていてもよい。 The detection signal amplifier 42 amplifies the detection signal Vdet supplied from the detection device 30. The detection signal amplifier 42 may include a low-pass analog filter that removes high frequency components (noise components) included in the detection signal Vdet, extracts touch components, and outputs the touch components.

(静電容量型タッチ検出の基本原理)
検出装置30は、静電容量型近接検出の基本原理に基づいて動作し、検出信号Vdetを出力する。図1〜図6を参照して、実施形態1のタッチ検出機能付き表示部10におけるタッチ検出の基本原理について説明する。図2は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、外部物体、例えば指が接触又は近接していない状態を表す説明図である。図3は、図2に示す指が接触又は近接していない状態の等価回路の例を示す説明図である。図4は、静電容量型タッチ検出方式の基本原理を説明するため、指が接触又は近接した状態を表す説明図である。図5は、図4に示す指が接触又は近接した状態の等価回路の例を示す説明図である。図6は、駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、外部物体とは、後述の静電容量を発生させる物体であればよく、例えば、上述の指や、スタイラスが挙げられる。本実施の形態では、外部物体として、指を例にして説明する。
(Basic principle of capacitive touch detection)
The detection device 30 operates based on the basic principle of capacitance type proximity detection and outputs a detection signal Vdet. A basic principle of touch detection in the display unit 10 with a touch detection function according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. FIG. 2 is an explanatory diagram showing a state in which an external object, for example, a finger is not in contact with or in proximity, in order to explain the basic principle of the capacitive touch detection method. FIG. 3 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the finger shown in FIG. 2 is not in contact with or approaching. FIG. 4 is an explanatory diagram showing a state in which a finger is in contact with or in proximity to, in order to explain the basic principle of the capacitive touch detection method. FIG. 5 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit in a state where the finger shown in FIG. FIG. 6 is a diagram illustrating an example of waveforms of the drive signal and the detection signal. It should be noted that the external object may be any object that generates a capacitance described below, and examples thereof include the above-mentioned finger and stylus. In the present embodiment, a finger will be described as an example of the external object.

例えば、図3及び図5に示すように、容量素子C1、及び容量素子C1’は、誘電体Dを挟んで互いに対向配置された一対の電極として駆動電極E1及び検出電極E2を備えている。図3に示すように、容量素子C1は、その一端が交流信号源(駆動信号源)Sに接続され、他端は電圧検出器(タッチ検出部)DETに接続される。電圧検出器DETは、例えば図1に示す検出信号増幅部42に含まれる積分回路である。 For example, as shown in FIGS. 3 and 5, the capacitive element C1 and the capacitive element C1' include a drive electrode E1 and a detection electrode E2 as a pair of electrodes that are arranged to face each other with a dielectric D in between. As shown in FIG. 3, one end of the capacitive element C1 is connected to the AC signal source (driving signal source) S and the other end is connected to the voltage detector (touch detection unit) DET. The voltage detector DET is, for example, an integrating circuit included in the detection signal amplifier 42 shown in FIG.

交流信号源Sから駆動電極E1(容量素子C1の一端)に所定の周波数(例えば数kHzから数百kHz程度)の交流矩形波Sgを印加すると、検出電極E2(容量素子C1の他端)側に接続された電圧検出器DETを介して、出力波形(検出信号Vdet1)が現れる。 When an AC rectangular wave Sg having a predetermined frequency (eg, several kHz to several hundred kHz) is applied from the AC signal source S to the drive electrode E1 (one end of the capacitive element C1), the detection electrode E2 (the other end of the capacitive element C1) side is applied. An output waveform (detection signal Vdet1) appears via the voltage detector DET connected to.

指が接触(又は近接)していない状態(非接触状態)では、図2及び図3に示すように、容量素子C1に対する充放電に伴って、容量素子C1の容量値に応じた電流Iが流れる。図6に示すように電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流Iの変動を電圧の変動(実線の波形V)に変換する。 In a state where the finger is not in contact (or in proximity) (non-contact state), as shown in FIGS. 2 and 3, as the capacitor C1 is charged and discharged, a current I 0 corresponding to the capacitance value of the capacitor C1 is generated. Flows. As shown in FIG. 6, the voltage detector DET converts the fluctuation of the current I 0 according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation of the voltage (waveform V 0 of the solid line).

一方、指が接触(又は近接)した状態(接触状態)では、図4に示すように、指によって形成される静電容量C2が検出電極E2と接している又は近傍にあることにより、駆動電極E1及び検出電極E2の間にあるフリンジ分の静電容量が遮られる。このため、容量素子C1’の容量値は、容量素子C1の容量値よりも小さくなる。そして、図5に示す等価回路でみると、容量素子C1’に電流Iが流れる。図6に示すように、電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流Iの変動を電圧の変動(点線の波形V)に変換する。この場合、波形Vは、上述した波形Vと比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Vと波形Vとの電圧差分の絶対値|ΔV|は、指などの外部から近接する物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器DETは、波形Vと波形Vとの電圧差分の絶対値|ΔV|を精度よく検出することが好ましい。このために、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Sgの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする期間Resetが設けられることがより好ましい。 On the other hand, when the finger is in contact (or in proximity) (contact state), the capacitance C2 formed by the finger is in contact with or in the vicinity of the detection electrode E2 as shown in FIG. The fringe capacitance between E1 and the detection electrode E2 is blocked. Therefore, the capacitance value of the capacitive element C1′ becomes smaller than the capacitance value of the capacitive element C1. Then, in the equivalent circuit shown in FIG. 5, the current I 1 flows through the capacitive element C1′. As shown in FIG. 6, the voltage detector DET converts the fluctuation of the current I 1 according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation of the voltage (dotted line waveform V 1 ). In this case, the waveform V 1 has a smaller amplitude than the waveform V 0 described above. As a result, the absolute value |ΔV| of the voltage difference between the waveform V 0 and the waveform V 1 changes according to the influence of an object approaching from the outside such as a finger. It is preferable that the voltage detector DET accurately detect the absolute value |ΔV| of the voltage difference between the waveform V 0 and the waveform V 1 . For this reason, it is more preferable to provide a period Reset for resetting the charge/discharge of the capacitor in accordance with the frequency of the AC rectangular wave Sg by switching in the circuit.

図1に示す検出装置30は、駆動電極ドライバ14から供給される駆動信号Vcomに従って、1検出ブロックずつ順次走査してタッチ検出を行う。 The detection device 30 illustrated in FIG. 1 sequentially scans one detection block at a time according to the drive signal Vcom supplied from the drive electrode driver 14 to perform touch detection.

検出装置30は、複数の後述する検出電極TDLから、図3又は図5に示す電圧検出器DETを介して、検出ブロック毎に検出信号Vdet1を出力し、タッチ検出部40のA/D変換部43に供給する。 The detection device 30 outputs a detection signal Vdet1 for each detection block from a plurality of detection electrodes TDL described later via the voltage detector DET shown in FIG. 3 or 5, and the A/D conversion unit of the touch detection unit 40. 43.

A/D変換部43は、駆動信号Vcomに同期したタイミングで、検出信号増幅部42から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する回路である。 The A/D conversion unit 43 is a circuit that samples the analog signals output from the detection signal amplification unit 42 and converts the analog signals into digital signals at the timing synchronized with the drive signal Vcom.

信号処理部44は、A/D変換部43の出力信号に含まれる、駆動信号Vcomをサンプリングした周波数以外の周波数成分(ノイズ成分)を低減するデジタルフィルタを備えている。信号処理部44は、A/D変換部43の出力信号に基づいて、検出装置30に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部44は、指による差分の電圧のみ取り出す処理を行う。この指による差分の電圧は、上述した波形Vと波形Vとの差分の絶対値|ΔV|である。信号処理部44は、1検出ブロック当たりの絶対値|ΔV|を平均化する演算を行い、絶対値|ΔV|の平均値を求めてもよい。これにより、信号処理部44は、ノイズによる影響を低減できる。信号処理部44は、検出した指による差分の電圧を所定のしきい値電圧と比較し、このしきい値電圧以上であれば、外部から近接する指の接触状態と判断し、しきい値電圧未満であれば、指の非接触状態と判断する。このようにして、タッチ検出部40はタッチ検出が可能となる。 The signal processing unit 44 includes a digital filter that reduces frequency components (noise components) included in the output signal of the A/D conversion unit 43 other than the frequency at which the drive signal Vcom is sampled. The signal processing unit 44 is a logic circuit that detects the presence or absence of a touch on the detection device 30 based on the output signal of the A/D conversion unit 43. The signal processing unit 44 performs a process of extracting only the voltage difference of the finger. The voltage difference due to the finger is the absolute value |ΔV| of the difference between the waveform V 0 and the waveform V 1 described above. The signal processing unit 44 may calculate the average value of the absolute values |ΔV| per detection block to obtain the average value of the absolute values |ΔV|. Thereby, the signal processing unit 44 can reduce the influence of noise. The signal processing unit 44 compares the detected voltage difference due to the finger with a predetermined threshold voltage, and if the voltage is equal to or higher than this threshold voltage, the signal processing unit 44 determines that the contact state of a finger approaching from the outside, If it is less than, it is determined that the finger is not in contact. In this way, the touch detection unit 40 can perform touch detection.

座標抽出部45は、信号処理部44においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。検出タイミング制御部46は、A/D変換部43と、信号処理部44と、座標抽出部45とが同期して動作するように制御する。座標抽出部45は、タッチパネル座標を信号出力Voutとして出力する。 The coordinate extracting unit 45 is a logic circuit that obtains touch panel coordinates when a touch is detected by the signal processing unit 44. The detection timing control unit 46 controls the A/D conversion unit 43, the signal processing unit 44, and the coordinate extraction unit 45 to operate in synchronization with each other. The coordinate extraction unit 45 outputs the touch panel coordinates as a signal output Vout.

図7及び図8は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。図7は、駆動電極の一例を示す平面図であり、図8は、検出電極の一例を示す平面図である。 7 and 8 are plan views showing an example of a module in which the display device with a touch detection function according to the first embodiment is mounted. FIG. 7 is a plan view showing an example of drive electrodes, and FIG. 8 is a plan view showing an example of detection electrodes.

図7に示すように、タッチ検出機能付き表示装置1は、TFT(Thin Film Transistor)基板21と、フレキシブルプリント基板72とを備えている。TFT基板21は、COG(Chip On Glass)19を搭載し、表示装置20(図1参照)の表示領域10aと、表示領域10aを囲む額縁領域10bとに対応する領域が形成されている。COG19は、TFT基板21に実装されたICドライバのチップであり、図1に示す制御部11、ゲートドライバ12、ソースドライバ13など、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。また、本実施形態において、ゲートドライバ12、ソースドライバ13、又は、駆動電極ドライバ14は、ガラス基板であるTFT基板21に形成してもよい。COG19及び駆動電極ドライバ14は、額縁領域10bに設けられる。なお、COG19は、駆動電極ドライバ14を内蔵していてもよい。この場合、額縁領域10bを狭くすることが可能である。フレキシブルプリント基板72は、COG19と接続されており、フレキシブルプリント基板72を介して、外部から映像信号Vdispや、電源電圧がCOG19に供給される。 As shown in FIG. 7, the display device 1 with a touch detection function includes a TFT (Thin Film Transistor) substrate 21 and a flexible printed circuit board 72. A COG (Chip On Glass) 19 is mounted on the TFT substrate 21, and a region corresponding to a display region 10a of the display device 20 (see FIG. 1) and a frame region 10b surrounding the display region 10a is formed. The COG 19 is an IC driver chip mounted on the TFT substrate 21, and incorporates each circuit required for display operation, such as the control unit 11, the gate driver 12, and the source driver 13 shown in FIG. In addition, in the present embodiment, the gate driver 12, the source driver 13, or the drive electrode driver 14 may be formed on the TFT substrate 21 which is a glass substrate. The COG 19 and the drive electrode driver 14 are provided in the frame region 10b. The COG 19 may include the drive electrode driver 14 therein. In this case, the frame area 10b can be narrowed. The flexible printed circuit board 72 is connected to the COG 19, and the video signal Vdisp and the power supply voltage are externally supplied to the COG 19 via the flexible printed circuit board 72.

図7に示すように、タッチ検出機能付き表示部10は、表示領域10aに重畳する領域に複数の駆動電極COMLが設けられている。複数の駆動電極COMLは、それぞれ、表示領域10aの一辺に沿った方向に延出しており、表示領域10aの他辺に沿った方向において、間隔を設けて配列されている。複数の駆動電極COMLは駆動電極ドライバ14にそれぞれ接続されている。 As shown in FIG. 7, the display unit with a touch detection function 10 is provided with a plurality of drive electrodes COML in a region overlapping the display region 10a. Each of the plurality of drive electrodes COML extends in the direction along one side of the display region 10a, and is arranged at intervals in the direction along the other side of the display region 10a. The plurality of drive electrodes COML are connected to the drive electrode driver 14, respectively.

図8に示すように、タッチ検出機能付き表示装置1は、さらに、基板31と、フレキシブルプリント基板71とを備える。フレキシブルプリント基板71には、上述したタッチ検出部40が搭載されている。なお、タッチ検出部40は、フレキシブルプリント基板71に搭載されてなくてもよく、フレキシブルプリント基板71が接続する別基板に搭載されていてもよい。基板31は、例えば、透光性のガラス基板であり、図7に示すTFT基板21の表面の垂直方向においてTFT基板21と対向する。図8に示すように、タッチ検出機能付き表示部10は、表示領域10aと重畳する領域に複数の検出電極TDLが設けられている。複数の検出電極TDLは、それぞれ、図7に示す駆動電極COMLの延出方向と交差する方向に延出している。図8に示すように、隣り合う検出電極TDLの間には、間隔SPがある。また、複数の検出電極TDLは、駆動電極COMLの延出方向において間隔を設けて配列されている。つまり、複数の駆動電極COMLと、複数の検出電極TDLとは、立体交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。 As shown in FIG. 8, the display device with a touch detection function 1 further includes a substrate 31 and a flexible printed circuit board 71. The touch detection unit 40 described above is mounted on the flexible printed circuit board 71. The touch detection unit 40 may not be mounted on the flexible printed board 71, and may be mounted on another board to which the flexible printed board 71 is connected. The substrate 31 is, for example, a translucent glass substrate, and faces the TFT substrate 21 in the direction perpendicular to the surface of the TFT substrate 21 shown in FIG. 7. As shown in FIG. 8, the display unit with a touch detection function 10 is provided with a plurality of detection electrodes TDL in a region overlapping with the display region 10a. Each of the plurality of detection electrodes TDL extends in a direction intersecting the extension direction of the drive electrode COML shown in FIG. 7. As shown in FIG. 8, there is a space SP between adjacent detection electrodes TDL. Further, the plurality of detection electrodes TDL are arranged at intervals in the extending direction of the drive electrodes COML. That is, the plurality of drive electrodes COML and the plurality of detection electrodes TDL are arranged so as to intersect with each other in a three-dimensional manner, and the electrostatic capacitance is formed in a portion where they overlap each other.

タッチ検出機能付き表示装置1は、後述するように、表示動作の際に、1水平ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示装置1は、表示走査を、タッチ検出機能付き表示部10の1辺に沿う方向と平行に行う(図8参照)。一方タッチ検出機能付き表示装置1は、タッチ検出動作の際に、駆動電極ドライバ14から駆動電極COMLに駆動信号Vcomを順次印加することにより、1検出ラインずつ順次走査を行う。つまり、タッチ検出機能付き表示部10は、方向SCANへ走査を、タッチ検出機能付き表示部10の他辺に沿った方向と平行に行う(図7参照)。 As will be described later, the display device with a touch detection function 1 sequentially scans one horizontal line at the time of display operation. That is, the display device with a touch detection function 1 performs display scanning parallel to the direction along one side of the display unit with a touch detection function 10 (see FIG. 8 ). On the other hand, the display device with a touch detection function 1 sequentially applies the drive signal Vcom from the drive electrode driver 14 to the drive electrode COML during the touch detection operation, thereby sequentially scanning one detection line at a time. That is, the display unit with a touch detection function 10 scans in the direction SCAN in parallel with the direction along the other side of the display unit with a touch detection function 10 (see FIG. 7 ).

図8に示すように、本実施形態の検出電極TDLは、複数の第1導電性細線33U及び複数の第2導電性細線33Vを有している。第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、それぞれ、表示領域10aの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。 As shown in FIG. 8, the detection electrode TDL of the present embodiment has a plurality of first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are inclined in directions opposite to each other with respect to the direction parallel to one side of the display region 10a.

複数の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、それぞれ細幅であり、表示領域10aにおいて、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの延出方向と交差する方向(表示領域10aの短辺方向)に互いに間隔を設けて配置されている。複数の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの延出方向の両端は、額縁領域10bに配置された接続配線34a、34bに接続されている。これにより、複数の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは互いに電気的に接続され、1つの検出電極TDLとして機能する。複数の接続配線34aには、それぞれ配線37が接続されており、検出電極TDLとフレキシブルプリント基板71とが配線37によって接続される。なお、検出電極TDLの一部は表示領域10a外(額縁領域10b)に配置されても良い。また、接続配線34a及び接続配線34bも額縁領域10bでなく、表示領域10a内に配置されても良い。複数の接続配線34a及び接続配線34bは、配線37を介して、タッチ検出部40と接続されており、複数の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vとタッチ検出部40とを接続するための配線となっても良い。 Each of the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V has a narrow width, and in the display region 10a, a direction intersecting the extending direction of the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V ( The display areas 10a are arranged at intervals in the short side direction of the display area 10a. Both ends of the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V in the extending direction are connected to the connection wirings 34a and 34b arranged in the frame region 10b. Accordingly, the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V are electrically connected to each other and function as one detection electrode TDL. A wiring 37 is connected to each of the plurality of connection wirings 34 a, and the detection electrode TDL and the flexible printed board 71 are connected by the wiring 37. A part of the detection electrodes TDL may be arranged outside the display area 10a (frame area 10b). Further, the connection wiring 34a and the connection wiring 34b may be arranged in the display area 10a instead of the frame area 10b. The plurality of connection wirings 34a and the connection wirings 34b are connected to the touch detection unit 40 via the wiring 37, and connect the plurality of first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V to the touch detection unit 40. It may be a wiring for doing.

図9は、タッチ検出機能付き表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図9に示すように、タッチ検出機能付き表示部10は、画素基板2と、この画素基板2の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板3と、画素基板2と対向基板3との間に設けられた液晶層6とを備えている。 FIG. 9 is a sectional view showing a schematic sectional structure of a display device with a touch detection function. As shown in FIG. 9, the display unit with a touch detection function 10 includes a pixel substrate 2, a counter substrate 3 arranged to face the surface of the pixel substrate 2 in a direction perpendicular to the surface, a pixel substrate 2 and a counter substrate 3. And a liquid crystal layer 6 provided between and.

画素基板2は、回路基板としてのTFT基板21と、このTFT基板21の上方にマトリックス状に配列された複数の画素電極22と、TFT基板21と画素電極22との間に形成された複数の駆動電極COMLと、画素電極22と駆動電極COMLとを絶縁する絶縁層24と、を含む。TFT基板21の下側には、接着層66を介して偏光板65が設けられている。 The pixel substrate 2 includes a TFT substrate 21 as a circuit substrate, a plurality of pixel electrodes 22 arranged in a matrix above the TFT substrate 21, and a plurality of pixel electrodes 22 formed between the TFT substrate 21 and the pixel electrodes 22. The drive electrode COML and the insulating layer 24 that insulates the pixel electrode 22 and the drive electrode COML are included. A polarizing plate 65 is provided below the TFT substrate 21 via an adhesive layer 66.

対向基板3は、基板31と、この基板31の一方の面に形成されたカラーフィルタ32とを含む。基板31の他方の面には、検出装置30の検出電極TDLが形成される。図9に示すように、基板31の上方に検出電極TDLが設けられる。さらに、この検出電極TDLの上には、検出電極TDLの第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vを保護するための保護層38が設けられている。保護層38は、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層38の上に、接着層39を介して偏光板35が設けられている。 The counter substrate 3 includes a substrate 31 and a color filter 32 formed on one surface of the substrate 31. The detection electrode TDL of the detection device 30 is formed on the other surface of the substrate 31. As shown in FIG. 9, the detection electrode TDL is provided above the substrate 31. Further, a protective layer 38 for protecting the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL is provided on the detection electrode TDL. For the protective layer 38, a translucent resin such as an acrylic resin can be used. The polarizing plate 35 is provided on the protective layer 38 with the adhesive layer 39 interposed therebetween.

TFT基板21と基板31とは、スペーサ61により所定の間隔を設けて対向して配置される。TFT基板21、基板31、及びスペーサ61によって囲まれた空間に液晶層6が設けられる。液晶層6は、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、FFS(フリンジフィールドスイッチング)を含むIPS(インプレーンスイッチング)等の横電界モードの液晶を用いた表示パネルが用いられる。なお、図9に示す液晶層6と画素基板2との間、及び液晶層6と対向基板3との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。 The TFT substrate 21 and the substrate 31 are arranged to face each other with a predetermined space provided by a spacer 61. The liquid crystal layer 6 is provided in the space surrounded by the TFT substrate 21, the substrate 31, and the spacer 61. The liquid crystal layer 6 modulates light passing therethrough according to the state of an electric field, and for example, a display using a horizontal electric field mode liquid crystal such as IPS (in-plane switching) including FFS (fringe field switching). Panels are used. Alignment films may be provided between the liquid crystal layer 6 and the pixel substrate 2 shown in FIG. 9, and between the liquid crystal layer 6 and the counter substrate 3, respectively.

図10は、実施形態1に係るタッチ検出機能付き表示装置の画素配置を表す回路図である。図9に示すTFT基板21には、図10に示す各副画素SPixの薄膜トランジスタ素子(以下、TFT素子)Tr、各画素電極22に画素信号Vpixを供給する画素信号線SGL、各TFT素子Trを駆動する走査信号線GCL等の配線が形成されている。画素信号線SGL及び走査信号線GCLは、TFT基板21の表面と平行な平面に延在する。図10に示す副画素SPixの配列方向と直交する方向(走査信号線GCLの延在方向)を方向Dxとし、副画素SPixの配列方向(画素信号線SGLの延在方向)を方向Dyとして示している。本実施の形態では、方向Dyは、人間の視感度が最も高い色領域(後述)が並ぶ方向である。方向Dxは、対向基板3の表面と平行な平面上において方向Dyに対して直交する方向である。 FIG. 10 is a circuit diagram showing a pixel arrangement of the display device with a touch detection function according to the first embodiment. On the TFT substrate 21 shown in FIG. 9, the thin film transistor element (hereinafter referred to as TFT element) Tr of each sub-pixel SPix shown in FIG. 10, the pixel signal line SGL which supplies the pixel signal Vpix to each pixel electrode 22, and each TFT element Tr are provided. Wirings such as the scanning signal line GCL to be driven are formed. The pixel signal line SGL and the scanning signal line GCL extend in a plane parallel to the surface of the TFT substrate 21. The direction orthogonal to the arrangement direction of the sub-pixels SPix shown in FIG. 10 (the extending direction of the scanning signal line GCL) is shown as the direction Dx, and the arrangement direction of the sub-pixels SPix (the extending direction of the pixel signal line SGL) is shown as the direction Dy. ing. In the present embodiment, the direction Dy is a direction in which color regions (described later) having the highest human visibility are arranged. The direction Dx is a direction orthogonal to the direction Dy on a plane parallel to the surface of the counter substrate 3.

図10に示す表示装置20は、マトリックス状に配列された複数の副画素SPixを有している。副画素SPixは、それぞれTFT素子Tr及び液晶素子LCを備えている。TFT素子Trは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、nチャネルのMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のTFTで構成されている。TFT素子Trのソース又はドレインの一方は画素信号線SGLに接続され、ゲートは走査信号線GCLに接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子LCの一端に接続されている。液晶素子LCは、一端がTFT素子Trのソース又はドレインの他方に接続され、他端が駆動電極COMLに接続されている。 The display device 20 shown in FIG. 10 has a plurality of sub-pixels SPix arranged in a matrix. Each sub-pixel SPix includes a TFT element Tr and a liquid crystal element LC. The TFT element Tr is composed of a thin film transistor, and in this example, is composed of an n-channel MOS (Metal Oxide Semiconductor) type TFT. One of the source and the drain of the TFT element Tr is connected to the pixel signal line SGL, the gate is connected to the scanning signal line GCL, and the other of the source and the drain is connected to one end of the liquid crystal element LC. The liquid crystal element LC has one end connected to the other of the source and the drain of the TFT element Tr and the other end connected to the drive electrode COML.

副画素SPixは、走査信号線GCLにより、表示装置20の同じ行に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。走査信号線GCLは、ゲートドライバ12(図1参照)と接続され、ゲートドライバ12より走査信号Vscanが供給される。また、副画素SPixは、画素信号線SGLにより、表示装置20の同じ列に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。画素信号線SGLは、ソースドライバ13(図1参照)と接続され、ソースドライバ13より画素信号Vpixが供給される。さらに、副画素SPixは、駆動電極COMLにより、同じ行に属する他の副画素SPixと互いに接続されている。駆動電極COMLは、駆動電極ドライバ14(図1参照)と接続され、駆動電極ドライバ14より駆動信号Vcomが供給される。つまり、この例では、同じ一行に属する複数の副画素SPixが1本の駆動電極COMLを共有する。本実施形態の駆動電極COMLの延びる方向は、走査信号線GCLの延びる方向と平行である。本実施形態の駆動電極COMLの延びる方向は、これに限定されない。例えば、駆動電極COMLの延びる方向は、画素信号線SGLの延びる方向と平行な方向であってもよい。 The sub-pixel SPix is connected to another sub-pixel SPix belonging to the same row of the display device 20 by the scanning signal line GCL. The scanning signal line GCL is connected to the gate driver 12 (see FIG. 1), and the scanning signal Vscan is supplied from the gate driver 12. Further, the sub-pixel SPix is connected to another sub-pixel SPix belonging to the same column of the display device 20 by the pixel signal line SGL. The pixel signal line SGL is connected to the source driver 13 (see FIG. 1), and the pixel signal Vpix is supplied from the source driver 13. Further, the sub-pixel SPix is connected to another sub-pixel SPix belonging to the same row by the drive electrode COML. The drive electrode COML is connected to the drive electrode driver 14 (see FIG. 1), and the drive signal Vcom is supplied from the drive electrode driver 14. That is, in this example, the plurality of sub-pixels SPix belonging to the same row share one drive electrode COML. The extending direction of the drive electrode COML of this embodiment is parallel to the extending direction of the scanning signal line GCL. The extending direction of the drive electrode COML of the present embodiment is not limited to this. For example, the extending direction of the drive electrode COML may be a direction parallel to the extending direction of the pixel signal line SGL.

図1に示すゲートドライバ12は、走査信号線GCLを順次走査するように駆動する。走査信号Vscan(図1参照)が、走査信号線GCLを介して、副画素SPixのTFT素子Trのゲートに印加され、副画素SPixのうちの1水平ラインが表示駆動の対象として順次選択される。また、タッチ検出機能付き表示装置1は、1水平ラインに属する副画素SPixに対して、ソースドライバ13が画素信号Vpixを供給することにより、1水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、駆動電極ドライバ14は、その1水平ラインに対応する駆動電極COMLに対して駆動信号Vcomを印加する。 The gate driver 12 shown in FIG. 1 drives the scanning signal line GCL so as to sequentially scan. The scanning signal Vscan (see FIG. 1) is applied to the gate of the TFT element Tr of the sub-pixel SPix via the scanning signal line GCL, and one horizontal line of the sub-pixel SPix is sequentially selected as a display drive target. .. Further, in the display device with a touch detection function 1, the source driver 13 supplies the pixel signal Vpix to the sub-pixels SPix belonging to one horizontal line, so that display is performed one horizontal line at a time. When performing this display operation, the drive electrode driver 14 applies the drive signal Vcom to the drive electrode COML corresponding to the one horizontal line.

図9に示すカラーフィルタ32は、例えば赤(R)、緑(G)、青(B)の3色に着色されたカラーフィルタの色領域32R、色領域32G及び色領域32Bが周期的に配列されている。上述した図10に示す各副画素SPixに、R、G、Bの3色の色領域32R、色領域32G及び色領域32Bが1組として対応付けられ、色領域32R、色領域32G及び色領域32Bを1組として画素Pixが構成される。図9に示すように、カラーフィルタ32は、TFT基板21と垂直な方向において、液晶層6と対向する。なお、カラーフィルタ32は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。また、カラーフィルタ32は、3色の組み合わせに限定されず、4色以上の組み合わせであってもよい。 In the color filter 32 shown in FIG. 9, for example, color regions 32R, color regions 32G and 32B of color filters colored in three colors of red (R), green (G) and blue (B) are periodically arranged. Has been done. Each of the sub-pixels SPix shown in FIG. 10 described above is associated with a color region 32R of three colors of R, G, B, a color region 32G, and a color region 32B as one set, and a color region 32R, a color region 32G, and a color region. Pixels Pix are configured with 32B as one set. As shown in FIG. 9, the color filter 32 faces the liquid crystal layer 6 in the direction perpendicular to the TFT substrate 21. The color filter 32 may be a combination of other colors as long as it is colored in different colors. Further, the color filter 32 is not limited to the combination of three colors and may be a combination of four or more colors.

図11は、実施形態1に係る検出電極の平面図である。図11に示す検出電極TDLは、図8に示す検出電極TDLの部分拡大図である。図8に示す検出電極TDLにおいては、平行四辺形が均等に見えるが、実際の検出電極TDLの形状は図11に示す形状である。 FIG. 11 is a plan view of the detection electrode according to the first embodiment. The detection electrode TDL shown in FIG. 11 is a partially enlarged view of the detection electrode TDL shown in FIG. In the detection electrode TDL shown in FIG. 8, the parallelogram looks uniform, but the actual shape of the detection electrode TDL is the shape shown in FIG.

第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)及びタングステン(W)から選ばれた1種以上の金属層で形成される。または、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)及びタングステン(W)から選ばれた1種以上を含む金属材料の合金で形成される。また、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、これらアルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、モリブデン(Mo)、クロム(Cr)及びタングステン(W)から選ばれた1種以上の金属材料又はこれらの材料の1種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、上述した金属材料又は金属材料の合金の導電層に加えて、ITO(Indium Tin Oxide)等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。 The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are one kind selected from aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr) and tungsten (W). It is formed of the above metal layers. Alternatively, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are selected from aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr), and tungsten (W). It is formed of an alloy of metallic materials containing one or more kinds. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are selected from aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), molybdenum (Mo), chromium (Cr) and tungsten (W). Further, it may be a laminated body in which a plurality of conductive layers of one or more kinds of metal materials or alloys containing one or more kinds of these materials are laminated. The first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are, in addition to the conductive layer made of the metal material or the alloy of the metal material described above, a conductive layer made of a transparent conductive oxide such as ITO (Indium Tin Oxide). May be laminated. Further, a blackening film, a black organic film, or a black conductive organic film, which is a combination of the metal material and the conductive layer described above, may be laminated.

上述した金属材料は、透明電極の材料としてITO等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性または検出電極TDLのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、1つの検出電極TDLが、複数の幅細の第1導電性細線33U及び複数の第2導電性細線33Vを有しており、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置されることで、低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、検出電極TDLが低抵抗化し、タッチ検出機能付き表示装置1は、薄型化、大画面化または高精細化することができる。 The metal material described above has a lower resistance than a transparent conductive oxide such as ITO as a material of the transparent electrode. Since the above-mentioned metal material has a light-shielding property as compared with the translucent conductive oxide, the transmissivity may decrease or the pattern of the detection electrode TDL may be visually recognized. In the present embodiment, one detection electrode TDL has a plurality of narrow first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V, and the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33U. By arranging 33V with an interval larger than the line width, low resistance and invisibility can be realized. As a result, the detection electrode TDL has a low resistance, and the display device 1 with a touch detection function can be made thin, have a large screen, or have high definition.

第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの幅は、1μm以上10μm以下であることが好ましく、さらに1μm以上5μm以下の範囲にあることがより好ましい。第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの幅が10μm以下であると、表示領域10aのうちブラックマトリックスまたは後述する走査信号線GCL及び画素信号線SGLで光の透過を抑制されない領域である開口部を覆う面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの幅が1μm以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。 The width of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V is preferably 1 μm or more and 10 μm or less, and more preferably 1 μm or more and 5 μm or less. When the width of the first conductive thin line 33U and the second conductive thin line 33V is 10 μm or less, in the display region 10a, the black matrix or a region where light transmission is not suppressed by the scanning signal line GCL and the pixel signal line SGL described later. This is because the area that covers a certain opening is reduced, and the possibility of impairing the opening ratio is reduced. Further, when the width of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V is 1 μm or more, the shapes are stable and the possibility of disconnection is reduced.

図8、図10及び図11を参照して説明すると、検出電極TDLは、複数の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vが所定のピッチで配置されており、検出電極TDLは、全体として、カラーフィルタ32の各色領域32R、色領域32G及び色領域32Bの延出方向と平行な方向に延びている。つまり、検出電極TDLは、図10に示す画素信号線SGLが延在する方向Dyと平行な方向に延在する。各第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vがカラーフィルタ32の特定の色領域を遮光してしまわないように、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、互いに逆向きに傾斜する細線片が交差して接続された網目状となっている。第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、色領域32R、色領域32G及び色領域32Bの延出方向(方向Dy)と平行な方向に対して、角度θを有して互いに逆向きの方向Du及び方向Dvへ傾斜する。第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vが電気的に接続された箇所で電気的接続部33xが形成される。例えば、角度θは、5度以上75度以下であり、好ましくは25度以上40度以下、さらに好ましくは50度以上65度以下である。 Explaining with reference to FIG. 8, FIG. 10 and FIG. 11, the detection electrode TDL has a plurality of first conductive thin wires 33U and second conductive thin wires 33V arranged at a predetermined pitch. As a whole, the color regions 32R, 32G, and 32B of the color filter 32 extend in a direction parallel to the extending direction of the color regions 32R, 32G, and 32B. That is, the detection electrode TDL extends in a direction parallel to the direction Dy in which the pixel signal line SGL shown in FIG. 10 extends. The first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V are opposite to each other so that each of the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V does not block a specific color region of the color filter 32. It has a mesh-like shape in which thin wire pieces that incline to each other intersect. The first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V are opposite to each other with an angle θ with respect to a direction parallel to the extending direction (direction Dy) of the color regions 32R, 32G, and 32B. Inclining in the direction Du and the direction Dv. The electrical connection portion 33x is formed at a location where the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are electrically connected. For example, the angle θ is 5 degrees or more and 75 degrees or less, preferably 25 degrees or more and 40 degrees or less, and more preferably 50 degrees or more and 65 degrees or less.

このように、検出電極TDLは、方向Duへ延びる少なくとも1つの第1導電性細線33Uと、第1導電性細線33Uと交差して方向Dvへ延びる少なくとも1つの第2導電性細線33Vと、を含む。複数の第1導電性細線33Uと、複数の第2導電性細線33Vとがそれぞれ複数交差すると、検出電極TDLの1つの網目の形状が平行四辺形となる。 Thus, the detection electrode TDL includes at least one first conductive thin wire 33U extending in the direction Du and at least one second conductive thin wire 33V intersecting the first conductive thin wire 33U and extending in the direction Dv. Including. When each of the plurality of first conductive thin wires 33U and each of the plurality of second conductive thin wires 33V cross each other, one mesh shape of the detection electrode TDL becomes a parallelogram.

本実施形態において、接続配線34aに最も近い電気的接続部33xを境界とした場合、接続配線34aに最も近い電気的接続部33xよりも接続配線34aに近い側であって、接続配線34aに最も近い電気的接続部33xから接続配線34aまでの領域が検出電極TDLの端部領域10cである(図11参照)。同様に、接続配線34aに最も近い電気的接続部33xよりも接続配線34aから遠い側の領域が検出電極TDLの主検出領域10dである。 In the present embodiment, when the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34a is used as a boundary, the side closer to the connection wiring 34a than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34a is the closest to the connection wiring 34a. The region from the nearby electrical connection portion 33x to the connection wiring 34a is the end region 10c of the detection electrode TDL (see FIG. 11). Similarly, the area farther from the connection wiring 34a than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34a is the main detection area 10d of the detection electrode TDL.

接続配線34aの周囲における検出電極TDLのパターンと、接続配線34bの周囲における検出電極のパターンとは、図8に示すように線対称あるいは、点対称となる。このため、接続配線34bに最も近い電気的接続部33xを境界として、接続配線34bに最も近い電気的接続部33xよりも接続配線34bに近い側かつ接続配線34bまでの領域が検出電極TDLの端部領域である。同様に、接続配線34bに最も近い電気的接続部33xよりも接続配線34bから遠い側の領域が検出電極TDLの主検出領域である。 The pattern of the detection electrodes TDL around the connection wiring 34a and the pattern of the detection electrodes around the connection wiring 34b are line-symmetrical or point-symmetrical as shown in FIG. Therefore, with the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34b as a boundary, a region closer to the connection wiring 34b than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34b and a region up to the connection wiring 34b is an end of the detection electrode TDL. It is a partial area. Similarly, the area farther from the connection wiring 34b than the electrical connection portion 33x closest to the connection wiring 34b is the main detection area of the detection electrode TDL.

図11に示すように、検出電極TDLの端部領域10cにおいて、第1導電性細線33Uが延長された位置に導電性細線33aが配置され、接続配線34aと主検出領域10dの第1導電性細線33Uとが導電性細線33aを介して電気的に接続されている。 As shown in FIG. 11, in the end region 10c of the detection electrode TDL, the conductive thin wire 33a is arranged at a position where the first conductive thin wire 33U is extended, and the connection wiring 34a and the first conductive area of the main detection region 10d are conductive. The thin wire 33U is electrically connected to the thin wire 33U through the conductive thin wire 33a.

図7及び図9に示す駆動電極COMLは、表示装置20の複数の画素電極22に共通の電位を与える共通電極として機能するとともに、検出装置30の相互静電容量方式によるタッチ検出を行う際の駆動電極としても機能する。検出装置30は、画素基板2に設けられた駆動電極COMLと、対向基板3に設けられた検出電極TDLにより構成されている。 The drive electrode COML shown in FIGS. 7 and 9 functions as a common electrode that applies a common electric potential to the plurality of pixel electrodes 22 of the display device 20, and at the time of performing touch detection by the mutual capacitance method of the detection device 30. It also functions as a drive electrode. The detection device 30 includes a drive electrode COML provided on the pixel substrate 2 and a detection electrode TDL provided on the counter substrate 3.

駆動電極COMLは、図7に示す表示領域10aの他辺と平行な方向に延在する複数の電極パターンに分割されている。検出電極TDLは、駆動電極COMLの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びる複数の金属配線を有する電極パターンから構成されている。そして、検出電極TDLは、TFT基板21(図9参照)の表面に対する垂直な方向において、駆動電極COMLと対向している。検出電極TDLの各電極パターンは、タッチ検出部40の検出信号増幅部42の入力にそれぞれ接続される(図1参照)。駆動電極COMLと検出電極TDLにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせている。 The drive electrode COML is divided into a plurality of electrode patterns extending in a direction parallel to the other side of the display area 10a shown in FIG. The detection electrode TDL is composed of an electrode pattern having a plurality of metal wirings extending in a direction intersecting the extending direction of the electrode pattern of the drive electrode COML. The detection electrode TDL faces the drive electrode COML in the direction perpendicular to the surface of the TFT substrate 21 (see FIG. 9). Each electrode pattern of the detection electrode TDL is connected to the input of the detection signal amplification section 42 of the touch detection section 40 (see FIG. 1). The electrode patterns intersecting with each other by the drive electrode COML and the detection electrode TDL generate a capacitance at the intersection.

駆動電極COMLは、例えば、ITO等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、検出電極TDL及び駆動電極COML(駆動電極ブロック)は、ストライプ状に複数に分割される形状に限られない。例えば、検出電極TDL及び駆動電極COMLは、櫛歯形状であってもよい。あるいは検出電極TDL及び駆動電極COMLは、複数に分割されていればよく、駆動電極COMLを分割するスリットの形状は直線であっても、曲線であってもよい。 For the drive electrode COML, for example, a light-transmitting conductive material such as ITO is used. The detection electrode TDL and the drive electrode COML (drive electrode block) are not limited to the shape divided into a plurality of stripes. For example, the detection electrode TDL and the drive electrode COML may be comb-shaped. Alternatively, the detection electrode TDL and the drive electrode COML may be divided into a plurality of pieces, and the shape of the slit dividing the drive electrode COML may be a straight line or a curved line.

この構成により、検出装置30では、相互静電容量方式のタッチ検出動作を行う際、駆動電極ドライバ14が駆動電極ブロックとして時分割的に順次走査するように駆動することにより、駆動電極COMLの1検出ブロックが順次選択される。そして、検出電極TDLから検出信号Vdet1が出力されることにより、1検出ブロックのタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ブロックは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極E1に対応し、検出電極TDLは、検出電極E2に対応するものである。検出装置30はこの基本原理に従ってタッチ入力を検出する。互いに立体交差した検出電極TDL及び駆動電極COMLは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、検出装置30のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、外部からの導体の接触または近接が生じた位置の検出が可能となっている。 With this configuration, in the detection device 30, when the touch detection operation of the mutual capacitance method is performed, the drive electrode driver 14 drives the drive electrode block so as to sequentially scan in a time-division manner, so that one of the drive electrodes COML is detected. The detection blocks are sequentially selected. Then, the detection signal Vdet1 is output from the detection electrode TDL, so that the touch detection of one detection block is performed. That is, the drive electrode block corresponds to the drive electrode E1 in the basic principle of the touch detection of the mutual capacitance method described above, and the detection electrode TDL corresponds to the detection electrode E2. The detection device 30 detects a touch input according to this basic principle. The detection electrodes TDL and the drive electrodes COML that intersect each other three-dimensionally form a capacitive touch sensor in a matrix. Therefore, by scanning over the entire touch detection surface of the detection device 30, it is possible to detect the position where contact or proximity of the conductor from the outside occurs.

タッチ検出機能付き表示装置1の動作方法の一例として、タッチ検出機能付き表示装置1は、タッチ検出動作(検出期間)と表示動作(表示動作期間)とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。 As an example of the operation method of the display device with a touch detection function 1, the display device with a touch detection function 1 performs a touch detection operation (detection period) and a display operation (display operation period) in a time division manner. The touch detection operation and the display operation may be performed separately.

なお、本実施形態において、駆動電極COMLは表示装置20の共通電極を兼用するので、表示動作期間においては、駆動電極ドライバ14を介して選択される駆動電極COMLに、制御部11が表示用の共通電極電位である駆動信号Vcomを供給する。 In the present embodiment, the drive electrode COML also serves as the common electrode of the display device 20, and therefore the control unit 11 displays the drive electrode COML selected via the drive electrode driver 14 during the display operation period. The drive signal Vcom, which is the common electrode potential, is supplied.

検出期間に駆動電極COMLを用いず、検出電極TDLのみで検出動作を行う場合、例えば、後述する自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ14は、検出電極TDLにタッチ検出用の駆動信号Vcomを供給してもよい。 When the detection operation is performed only by the detection electrode TDL without using the drive electrode COML in the detection period, for example, when the touch detection is performed based on the touch detection principle of the self-capacitance method described later, the drive electrode driver 14 detects The drive signal Vcom for touch detection may be supplied to the electrode TDL.

このように、検出電極TDLの第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの延在方向がカラーフィルタ32の各色領域32R、色領域32G及び色領域32Bの延在方向(方向Dy)に対して角度θをなす。その結果、検出電極TDLの第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vは、カラーフィルタ32の各色領域32R、色領域32G及び色領域32Bを順に遮光することから、カラーフィルタ32の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。この結果、実施形態1に係る検出装置は、明暗模様が一定の周期を有しにくくなり、モアレが視認される可能性を低減できる。 Thus, the extending direction of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL is the extending direction (direction Dy) of each color region 32R, color region 32G, and color region 32B of the color filter 32. Forms an angle θ. As a result, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the detection electrode TDL sequentially shield the respective color regions 32R, 32G, and 32B of the color filter 32 from light, and thus the specific color of the color filter 32. It is possible to suppress a decrease in transmittance in the region. As a result, in the detection device according to the first embodiment, the bright and dark patterns are less likely to have a constant cycle, and the possibility that moire is visually recognized can be reduced.

特許文献1に記載の技術では、可視光が入射すると複数の検出電極で回折又は散乱する光強度パターンが複数の散在する光の点に近くなる。視認者が検出装置自体を傾けることで、散在する複数の光強度パターンの光の点の位置又は数を変えることができるが、複数の光強度パターンの光の点の視認を低減させることが難しい。特許文献1に記載の技術では、隣り合う細線片a及び細線片bのなす角度がランダムである。このため、視認者が検出装置自体を傾けることで、新たな回折又は散乱が生じやすく、散在する複数の光強度パターンの光の点が発現しやすいと考えられる。 In the technique described in Patent Document 1, when visible light is incident, the light intensity pattern that is diffracted or scattered by the plurality of detection electrodes becomes close to a plurality of scattered light points. By tilting the detection device itself by the viewer, the position or number of scattered light points of the plurality of light intensity patterns can be changed, but it is difficult to reduce the visibility of the light points of the plurality of light intensity patterns. .. In the technique described in Patent Document 1, the angle formed by the adjacent thin wire pieces a and b is random. Therefore, it is considered that when the viewer tilts the detection device itself, new diffraction or scattering is likely to occur and light spots of a plurality of scattered light intensity patterns are likely to appear.

これに対して、実施形態1の第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vの方向Dyに対してなす角度θが一定である。このため、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vに、可視光が入射すると、それぞれの第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vで回折又は散乱する光強度パターンが拡散しづらくなる。さらに、それぞれの第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vで回折又は散乱する光強度パターンが4方向に集まりやすく、一定の指向性が発現しやすい。そして、視認者が実施形態1に係る検出装置30自体を傾けることで、光強度パターンが発現しやすい角度を回避しやすくなる。 On the other hand, the angle θ formed by the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V of the first embodiment with respect to the direction Dy is constant. Therefore, when visible light enters the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V, the light intensity patterns diffracted or scattered by the respective first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V diffuse. It becomes difficult. Furthermore, the light intensity patterns diffracted or scattered by the respective first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V are likely to gather in four directions, and a certain directivity is likely to be exhibited. Then, when the viewer tilts the detection device 30 itself according to the first embodiment, it becomes easy to avoid an angle at which the light intensity pattern is likely to appear.

そこで、実施形態1の複数の第1導電性細線33Uが所定幅WUの第1帯状領域UAに配置され、かつ、少なくとも方向Dvに互いにずれた2つの第1導電性細線33Uを含む複数の第1グループGUが形成されている(図11参照)。 Therefore, the plurality of first conductive thin wires 33U of the first embodiment are arranged in the first strip-shaped area UA having the predetermined width WU, and include the plurality of first conductive thin wires 33U that are displaced from each other at least in the direction Dv. One group GU is formed (see FIG. 11).

同様に、実施形態1の複数の第2導電性細線33Vが所定幅WVの第2帯状領域VAに配置され、かつ、少なくとも方向Duに互いにずれた2つの第2導電性細線33Vを含む複数の第2グループGVが形成されている(図11参照)。 Similarly, the plurality of second conductive thin wires 33V of the first embodiment are arranged in the second strip-shaped area VA having the predetermined width WV, and include a plurality of second conductive thin wires 33V displaced from each other at least in the direction Du. The second group GV is formed (see FIG. 11).

図12は、実施形態1に係る検出電極の配置方法を説明するための工程図である。図11及び図12に示す複数の第1基準線33SUは、方向Dvに等ピッチで配置され、方向Duに延びる仮想線である。第1基準線33SUは、第1帯状領域UAを幅方向(方向Dv)に二等分する直線である。同様に、複数の第2基準線33SVは、方向Duに等ピッチで配置され、方向Dvに延びる仮想線である。第2基準線33SVは、第2帯状領域VAを幅方向(方向Du)に二等分する直線である。所定幅WUは、第1基準線33SUを中心とした場合に、第1導電性細線33Uを第1基準線33SUからずらしてもよい幅である。方向Dvに隣り合う2つの第1基準線33SU間の長さを第1基準長さSW1とすると、所定幅WUは第1基準長さSW1の1/20以上1/5以下である。例えば所定幅WUは、10μm以上30μm以下である。所定幅WVは、第2基準線33SVを中心とした場合に、第2導電性細線33Vを第2基準線33SVからずらしてもよい幅である。方向Duに隣り合う2つの第2基準線33SV間の長さを第2基準長さSW2とすると、所定幅WVは第2基準長さSW2の1/20以上1/5以下である。例えば所定幅WVは、10μm以上30μm以下である。 FIG. 12 is a process diagram for explaining the method of arranging the detection electrodes according to the first embodiment. The plurality of first reference lines 33SU shown in FIGS. 11 and 12 are virtual lines that are arranged at equal pitches in the direction Dv and extend in the direction Du. The first reference line 33SU is a straight line that bisects the first strip area UA in the width direction (direction Dv). Similarly, the plurality of second reference lines 33SV are virtual lines that are arranged at equal pitches in the direction Du and extend in the direction Dv. The second reference line 33SV is a straight line that bisects the second strip area VA in the width direction (direction Du). The predetermined width WU is a width in which the first conductive thin wire 33U may be displaced from the first reference line 33SU when the first reference line 33SU is the center. When the length between two first reference lines 33SU adjacent in the direction Dv is the first reference length SW1, the predetermined width WU is 1/20 or more and 1/5 or less of the first reference length SW1. For example, the predetermined width WU is 10 μm or more and 30 μm or less. The predetermined width WV is a width in which the second conductive thin wire 33V may be displaced from the second reference line 33SV when the second reference line 33SV is the center. When the length between the two second reference lines 33SV adjacent to each other in the direction Du is the second reference length SW2, the predetermined width WV is 1/20 or more and 1/5 or less of the second reference length SW2. For example, the predetermined width WV is 10 μm or more and 30 μm or less.

すなわち、第1導電性細線33Uの長さは、隣接する前記第2基準線33SV間の長さ(第2基準長さSW2)の2倍と第2帯状領域VAの所定幅WVとの差以上である。且つ、第1導電性細線33Uの長さは、隣接する第2基準線33SV間の長さ(第2基準長さSW2)の2倍と第2帯状領域VAの所定幅WVとの和以下である。第2導電性細線33Vの長さは、隣接する前記第1基準線SW1間の長さ(第1基準長さSW1)の2倍と第1帯状領域UAの所定幅WUとの差以上である。且つ、第2導電性細線33Vの長さは、隣接する第1基準線SW1間の長さ(第1基準長さSW1)の2倍と第1帯状領域UAの所定幅WUとの和以下である。 That is, the length of the first conductive thin wire 33U is equal to or more than the difference between twice the length between the adjacent second reference lines 33SV (second reference length SW2) and the predetermined width WV of the second strip-shaped area VA. Is. In addition, the length of the first conductive thin wire 33U is less than or equal to twice the length between the adjacent second reference lines 33SV (second reference length SW2) and the predetermined width WV of the second strip-shaped area VA. is there. The length of the second conductive thin wire 33V is equal to or more than the difference between twice the length between the adjacent first reference lines SW1 (first reference length SW1) and the predetermined width WU of the first strip-shaped area UA. .. The length of the second conductive thin wire 33V is less than or equal to twice the length between the adjacent first reference lines SW1 (first reference length SW1) and the predetermined width WU of the first strip-shaped area UA. is there.

図12に示すように、1つの第1導電性細線33Uの第1端部U11を基準点に配置する。基準点において、方向Dxに対し第1導電性細線33Uがなす角度を角度αとする。第1導電性細線33Uの第1端部U11から方向Duへ第2基準長さSW2の2倍±長さβの位置に、第1導電性細線33Uの第2端部U12を配置する。ここで、長さβは、所定幅WV/2以内であって、ランダムに選ばれる長さである。第1導電性細線33Uの第2端部U12の位置が決まると、第1導電性細線33Uの第2端部U12の位置から方向Dxに対して(90°−α)の角度をなす方向に、所定幅WU/2以内の長さであって、ランダムに選ばれる長さγ分ずれた位置に、次の第1導電性細線33Uの第1端部U11を配置する。上述した検出電極TDLの配置方法を繰り返すことで、方向Duに沿って延びる1つの第1帯状領域UA内に、複数の第1導電性細線33Uが方向Dvに互いにずれることを許容しつつ配置される。第2導電性細線33Vも同様に配置できる。 As shown in FIG. 12, the first end U11 of one first conductive thin wire 33U is arranged at the reference point. At the reference point, an angle formed by the first conductive thin wire 33U with respect to the direction Dx is an angle α. The second end U12 of the first conductive thin wire 33U is arranged at a position of twice the second reference length SW2±length β from the first end U11 of the first conductive thin wire 33U in the direction Du. Here, the length β is within a predetermined width WV/2 and is a length randomly selected. When the position of the second end U12 of the first conductive thin wire 33U is determined, in the direction forming an angle of (90°-α) with respect to the direction Dx from the position of the second end U12 of the first conductive thin wire 33U. The first end U11 of the next first conductive thin wire 33U is arranged at a position within a predetermined width WU/2 and displaced by a randomly selected length γ. By repeating the arrangement method of the detection electrodes TDL described above, the plurality of first conductive thin wires 33U are arranged in one first strip-shaped area UA extending along the direction Du while allowing the first conductive thin wires 33U to be displaced from each other in the direction Dv. It The second conductive thin wire 33V can be similarly arranged.

図11に示すように、第1帯状領域UAと、第2帯状領域VAとが交差する交差領域AXにおいて、第1導電性細線33Uと、第2導電性細線33Vとが接する電気的接続部33xができる。方向Dvに互いにずれた2つの第1導電性細線33Uを含む交差領域AXには、2つの第1導電性細線33Uと、1つの第2導電性細線33Vとが接して2つの電気的接続部33xがある。方向Duに互いにずれた2つの第2導電性細線33Vを含む交差領域AXには、2つの第2導電性細線33Vと、1つの第1導電性細線33Uとが接して2つの電気的接続部33xがある。その結果、第1導電性細線33Uと、第2導電性細線33Vとが十字交差する箇所が抑制される。 As shown in FIG. 11, in the intersection area AX where the first strip-shaped area UA and the second strip-shaped area VA intersect, the electrical connection portion 33x where the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V are in contact with each other. You can Two first conductive thin wires 33U and one second conductive thin wire 33V are in contact with each other in the intersection area AX including the two first conductive thin wires 33U which are displaced from each other in the direction Dv, and thus two electrical connection portions are formed. There is 33x. In the intersection area AX including the two second conductive thin wires 33V which are offset from each other in the direction Du, the two second conductive thin wires 33V and one first conductive thin wire 33U are in contact with each other to form two electrical connection portions. There is 33x. As a result, a portion where the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V cross each other is suppressed.

すなわち、1つの第1導電性細線33Uにおいて4つの電気的接続部33xが生じる。つまり、1つの第1導電性細線33Uに接する第2導電性細線33Vの数は4つである。1つの第1導電性細線33Uが、一端と、他端と、中間の2箇所とにおいて第2導電性細線33Vに接している。 That is, four electrical connection portions 33x are generated in one first conductive thin wire 33U. That is, the number of the second conductive thin wires 33V in contact with one first conductive thin wire 33U is four. One first conductive thin wire 33U is in contact with the second conductive thin wire 33V at one end, the other end, and two intermediate places.

また、1つの第2導電性細線33Vにおいて4つの電気的接続部33xが生じる。つまり、1つの第2導電性細線33Vに接する第1導電性細線33Uの数は4つである。1つの第2導電性細線33Vが、一端と、他端と、中間の2箇所とにおいて第1導電性細線33Uに接している。 Further, four electrical connection portions 33x are formed in one second conductive thin wire 33V. That is, the number of the first conductive thin wires 33U in contact with one second conductive thin wire 33V is four. One second conductive thin wire 33V is in contact with the first conductive thin wire 33U at one end, the other end, and two intermediate places.

(実施形態2)
次に、実施形態2に係る検出装置について説明する。図13は、実施形態2に係る検出電極の平面図である。なお、上述した実施形態1で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 2)
Next, a detection device according to the second embodiment will be described. FIG. 13 is a plan view of the detection electrode according to the second embodiment. In addition, the same components as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図8に示すように、隣り合う検出電極TDLの間には、間隔SPがある。視認者によって間隔SPが視認されてしまうことを抑制するため、図13に示すように、ダミー電極TDDが配置されている。 As shown in FIG. 8, there is a space SP between adjacent detection electrodes TDL. In order to prevent the viewer from visually recognizing the interval SP, as shown in FIG. 13, dummy electrodes TDD are arranged.

ダミー電極TDDにおいて、複数の第1導電性細線33Uが所定幅WVの第1帯状領域UAに配置され、かつ、少なくとも方向Dvに互いにずれた2つの第1導電性細線33Uを含む複数の第1グループGUが形成されている。 In the dummy electrode TDD, the plurality of first conductive thin wires 33U are arranged in the first strip-shaped area UA having the predetermined width WV, and the plurality of first conductive thin wires 33U including at least two first conductive thin wires 33U displaced from each other in the direction Dv. A group GU is formed.

同様に、ダミー電極TDDにおいて、複数の第2導電性細線33Vが所定幅WUの第2帯状領域VAに配置され、かつ、少なくとも方向Duに互いにずれた2つの第2導電性細線33Vを含む複数の第2グループGVが形成されている。 Similarly, in the dummy electrode TDD, a plurality of second conductive thin wires 33V are arranged in the second strip-shaped region VA having a predetermined width WU and include a plurality of second conductive thin wires 33V displaced from each other at least in the direction Du. The second group GV is formed.

ダミー電極TDDにおいて、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vのそれぞれに、スリットSLが設けられている。スリットSLは、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vを構成する材料が形成されていないか、エッチングなどにより、除去されており、絶縁性材料のみがある部分となっている。スリットSLは、隣接する電気的接続部33xの間に設けられている。電気的接続部33xからスリットSLまでの距離が一定であることにより、スリットSL自体を視認し難くすることができる。 In the dummy electrode TDD, the slit SL is provided in each of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. The slit SL is a portion where the material forming the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V is not formed, or is removed by etching or the like, and is a portion having only an insulating material. The slit SL is provided between the adjacent electrical connection portions 33x. Since the distance from the electrical connection portion 33x to the slit SL is constant, it is possible to make the slit SL itself difficult to visually recognize.

ダミー電極TDDは、検出電極TDLを構成する第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vと同じ方向に延びる構成要素を備えているので、間隔SPを不可視化することができるとともに、検出電極TDLが視認される可能性を低減できる。 Since the dummy electrode TDD is provided with components that extend in the same direction as the first conductive thin wires 33U and the second conductive thin wires 33V that form the detection electrode TDL, it is possible to make the interval SP invisible and to detect the detection electrode. It is possible to reduce the possibility that the TDL is visually recognized.

(実施形態2の変形例1)
図14は、実施形態2の変形例1に係る検出電極の平面図である。図14に示すように、ダミー電極TDDは、スリットSLを挟む第1導電性細線33Uが方向Dvにずれている。同様に、ダミー電極TDDは、スリットSLを挟む第2導電性細線33Vが方向Duにずれている。
(Modification 1 of Embodiment 2)
FIG. 14 is a plan view of the detection electrode according to the first modification of the second embodiment. As shown in FIG. 14, in the dummy electrode TDD, the first conductive thin wire 33U sandwiching the slit SL is displaced in the direction Dv. Similarly, in the dummy electrode TDD, the second conductive thin wire 33V sandwiching the slit SL is displaced in the direction Du.

(実施形態2の変形例2)
図15は、実施形態2の変形例2に係る検出電極の平面図である。図15に示すように、実施形態2の変形例2において複数のスリットSLは、方向Dyに平行な直線LY1上、直線LY2上又は直線LY3上に配置されている。直線LY1は、1つの検出電極TDLの方向Dxでの一端に位置する仮想直線であり、直線LY2は、1つの検出電極TDLの方向Dxでの他端に位置する仮想直線である。直線LY3は、直線LY1と直線LY2との間に配置される。例えば、直線LY1から直線LY2までの幅WTDLは一定である。これにより、ダミー電極TDDを挟んで隣接する2つの検出電極TDLの寄生容量が概略同等となる。なお、直線LY1と直線LY2との間に複数の直線LY3があってもよい。すなわち、直線LY1と直線LY2との間の領域において、同一直線上に配置された複数のスリットSLで構成される列が複数あってもよい。
(Modification 2 of Embodiment 2)
FIG. 15 is a plan view of the detection electrode according to the second modification of the second embodiment. As shown in FIG. 15, in the second modification of the second embodiment, the plurality of slits SL are arranged on the straight line LY1, the straight line LY2, or the straight line LY3 parallel to the direction Dy. The straight line LY1 is a virtual straight line positioned at one end of the one detection electrode TDL in the direction Dx, and the straight line LY2 is a virtual straight line positioned at the other end of the one detection electrode TDL in the direction Dx. The straight line LY3 is arranged between the straight line LY1 and the straight line LY2. For example, the width WTDL from the straight line LY1 to the straight line LY2 is constant. As a result, the parasitic capacitances of the two detection electrodes TDL adjacent to each other with the dummy electrode TDD in between are substantially equal. There may be a plurality of straight lines LY3 between the straight lines LY1 and LY2. That is, in a region between the straight line LY1 and the straight line LY2, there may be a plurality of rows configured by the plurality of slits SL arranged on the same straight line.

(実施形態3)
次に、実施形態3に係る検出装置について説明する。図16は、実施形態3に係る検出電極の平面図である。図16に示すように、実施形態3において、第1導電性細線33Uは、第1主細線331Uと、第1補助細線332Uとを含む。第2導電性細線33Vは、第2主細線331Vと、第2補助細線332Vとを含む。なお、上述した実施形態1で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 3)
Next, a detection device according to the third embodiment will be described. FIG. 16 is a plan view of the detection electrode according to the third embodiment. As shown in FIG. 16, in the third embodiment, the first conductive thin wire 33U includes a first main thin wire 331U and a first auxiliary thin wire 332U. The second conductive thin wire 33V includes a second main thin wire 331V and a second auxiliary thin wire 332V. In addition, the same components as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図16に示すように、複数の第1主細線331Uは、所定幅WUの第1主帯状領域UAaに配置されている。少なくとも方向Dvに互いにずれた2つの第1主細線331Uを含む複数の第1主グループGU1が形成されている。複数の第1補助細線332Uは、所定幅WUの第1補助帯状領域UAbに配置されている。少なくとも方向Dvに互いにずれた2つの第1補助細線332Uを含む複数の第1補助グループGU2が形成されている。第1主帯状領域UAa及び第1補助帯状領域UAbは、方向Dvに交互に等ピッチで配置されている。隣接する第1主帯状領域UAaと第1補助帯状領域UAbとの間の長さが第1基準長さSW1である。 As shown in FIG. 16, the plurality of first main thin wires 331U are arranged in the first main strip-shaped area UAa having a predetermined width WU. A plurality of first main groups GU1 including two first main thin lines 331U displaced from each other at least in the direction Dv are formed. The plurality of first auxiliary fine wires 332U are arranged in the first auxiliary strip-shaped area UAb having a predetermined width WU. A plurality of first auxiliary groups GU2 including two first auxiliary thin wires 332U displaced from each other at least in the direction Dv are formed. The first main strip-shaped areas UAa and the first auxiliary strip-shaped areas UAb are alternately arranged at equal pitches in the direction Dv. The length between the adjacent first main strip-shaped area UAa and first auxiliary strip-shaped area UAb is the first reference length SW1.

図16に示すように、複数の第2主細線331Vは、所定幅WVの第2主帯状領域VAaに配置されている。少なくとも方向Duに互いにずれた2つの第2主細線331Vを含む複数の第2主グループGV1が形成されている。複数の第2補助細線332Vは、所定幅WVの第2補助帯状領域VAbに配置されている。少なくとも方向Duに互いにずれた2つの第2補助細線332Vを含む複数の第2補助グループGV2が形成されている。第2主帯状領域VAa及び第2補助帯状領域VAbは、方向Duに交互に等ピッチで配置されている。隣接する第2主帯状領域VAaと第2補助帯状領域VAbとの間の長さが第2基準長さSW2である。 As shown in FIG. 16, the plurality of second main thin wires 331V are arranged in the second main strip-shaped region VAa having the predetermined width WV. A plurality of second main groups GV1 including two second main thin lines 331V displaced from each other at least in the direction Du are formed. The plurality of second auxiliary fine wires 332V are arranged in the second auxiliary strip-shaped region VAb having the predetermined width WV. A plurality of second auxiliary groups GV2 including two second auxiliary thin wires 332V displaced from each other at least in the direction Du are formed. The second main strip-shaped areas VAa and the second auxiliary strip-shaped areas VAb are alternately arranged at equal pitches in the direction Du. The length between the adjacent second main strip-shaped region VAa and second auxiliary strip-shaped region VAb is the second reference length SW2.

第1主細線331Uの長さは、第2基準長さSW2の2倍と所定幅WVとの差以上であり第2基準長さSW2の2倍と所定幅WVとの和以下である。1つの第1主細線331Uには2つの電気的接続部33xが生じている。第1主細線331Uの一端に1つの第2補助細線332Vが接しており、第1主細線331Uの他端に他の第2補助細線332Vが接している。さらに、第1主細線331Uの中間で、2つの第2主細線331Vが接している。つまり、1つの第1主細線331Uに対して、2つの第2主細線331V及び2つの第2補助細線332V(4つの第2導電性細線33V)が接している。 The length of the first main thin wire 331U is not less than the difference between twice the second reference length SW2 and the predetermined width WV and not more than the sum of twice the second reference length SW2 and the predetermined width WV. Two electrical connection portions 33x are formed in one first main thin wire 331U. One second auxiliary thin wire 332V is in contact with one end of the first main thin wire 331U, and another second auxiliary thin wire 332V is in contact with the other end of the first main thin wire 331U. Further, two second main thin wires 331V are in contact with each other in the middle of the first main thin wires 331U. That is, the two second main thin wires 331V and the two second auxiliary thin wires 332V (four second conductive thin wires 33V) are in contact with one first main thin wire 331U.

第1補助細線332Uの長さは、所定幅WV以下である。1つの第1補助細線332Uには2つの電気的接続部33xが生じている。第1補助細線332Uの一端に1つの第2主細線331Vが接しており、第1補助細線332Uの他端に他の第2主細線331Vが接している。つまり、1つの第1補助細線332Uに対して、2つの第2主細線331V(2つの第2導電性細線33V)が接している。 The length of the first auxiliary thin wire 332U is not more than the predetermined width WV. Two electrical connection portions 33x are formed in one first auxiliary thin wire 332U. One second main thin wire 331V is in contact with one end of the first auxiliary thin wire 332U, and another second main thin wire 331V is in contact with the other end of the first auxiliary thin wire 332U. That is, the two second main thin wires 331V (two second conductive thin wires 33V) are in contact with one first auxiliary thin wire 332U.

第2主細線331Vの長さは、第1基準長さSW1と所定幅WUとの差以上であり第1基準長さSW1と所定幅WUとの和以下である。1つの第2主細線331Vには2つの電気的接続部33xが生じている。第2主細線331Vの一端に1つの第1主細線331Uが接しており、第2主細線331Vの他端に1つの第1補助細線332Uが接している。つまり、1つの第2主細線331Vに対して、1つの第1主細線331及び1つの第1補助細線332U(2つの第1導電性細線33U)が接している。 The length of the second main thin wire 331V is not less than the difference between the first reference length SW1 and the predetermined width WU and not more than the sum of the first reference length SW1 and the predetermined width WU. Two electrical connecting portions 33x are formed in one second main thin wire 331V. One first main thin wire 331U is in contact with one end of the second main thin wire 331V, and one first auxiliary thin wire 332U is in contact with the other end of the second main thin wire 331V. That is, one first main thin wire 331 and one first auxiliary thin wire 332U (two first conductive thin wires 33U) are in contact with one second main thin wire 331V.

第2補助細線332Vの長さは、所定幅WU以下である。1つの第2補助細線332Vには2つの電気的接続部33xが生じている。第2補助細線332Vの一端に1つの第1主細線331Uが接しており、第2補助細線332Vの他端に他の第1主細線331Uが接している。つまり、1つの第2補助細線332Vに対して、2つの第1主細線331U(2つの第1導電性細線33U)が接している。 The length of the second auxiliary thin wire 332V is not more than the predetermined width WU. Two electrical connection portions 33x are formed in one second auxiliary thin wire 332V. One first main thin wire 331U is in contact with one end of the second auxiliary thin wire 332V, and another first main thin wire 331U is in contact with the other end of the second auxiliary thin wire 332V. That is, the two first main thin wires 331U (two first conductive thin wires 33U) are in contact with one second auxiliary thin wire 332V.

図16に示すように、一部の交差領域AX(交差領域AX1)においては、2つの電気的接続部33xが生じている。一方、その他の交差領域AX(交差領域AX2)においては電気的接続部33xが生じない。 As shown in FIG. 16, in some of the intersection regions AX (intersection region AX1), two electrical connection portions 33x are generated. On the other hand, in the other intersection area AX (intersection area AX2), the electrical connection portion 33x does not occur.

実施形態3においては、実施形態1と比較して、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vによって形成される多角形の面積がばらつきにくい。このため、表示領域10aにおいて開口率が均一になりやすい。 In the third embodiment, the area of the polygon formed by the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V is less likely to vary than in the first embodiment. Therefore, the aperture ratio is likely to be uniform in the display area 10a.

(実施形態4)
次に、実施形態4に係る検出装置について説明する。図17は、実施形態4に係る検出電極の平面図である。図17に示すように、実施形態4において、検出電極TDLは、第1導電性細線33Uと、第2導電性細線33Vと、第3導電性細線33Yとを含む。なお、上述した実施形態1で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 4)
Next, a detection device according to the fourth embodiment will be described. FIG. 17 is a plan view of the detection electrode according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 17, in the fourth embodiment, the detection electrode TDL includes a first conductive thin wire 33U, a second conductive thin wire 33V, and a third conductive thin wire 33Y. In addition, the same components as those described in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図17に示すように、複数の第1導電性細線33Uは、所定幅WUの第1帯状領域UAに配置されている。少なくとも方向Dvに互いにずれた2つの第1導電性細線33Uを含む複数の第1グループGUが形成されている。 As shown in FIG. 17, the plurality of first conductive thin wires 33U are arranged in the first strip-shaped area UA having a predetermined width WU. A plurality of first groups GU including two first conductive thin wires 33U displaced from each other at least in the direction Dv are formed.

複数の第2導電性細線33Vは、所定幅WVの第2帯状領域VAに配置されている。少なくとも方向Duに互いにずれた2つの第2導電性細線33Vを含む複数の第2グループGVが形成されている。 The plurality of second conductive thin wires 33V are arranged in the second strip area VA having a predetermined width WV. A plurality of second groups GV including two second conductive thin wires 33V that are displaced from each other at least in the direction Du are formed.

複数の第3導電性細線33Yは、所定幅WYの第3帯状領域YAに配置されている。少なくとも方向Dxに互いにずれた2つの第3導電性細線33Yを含む複数の第3グループGYが形成されている。 The plurality of third conductive thin wires 33Y are arranged in the third strip area YA having a predetermined width WY. A plurality of third groups GY including two third conductive thin wires 33Y displaced from each other at least in the direction Dx are formed.

複数の基準線33SYは、方向Dxに等ピッチで配置され、方向Dyに延びる仮想線である。所定幅WYは、基準線33SYを中心とした場合に、第3導電性細線33Yを基準線33SYからずらしてもよい幅である。所定幅WYは、方向Dxに隣り合う2つの基準線33SY間の長さを第3基準長さSW3とすると第3基準長さSW3の1/20以上1/5以下である。例えば所定幅WYは、10μm以上30μm以下である。 The plurality of reference lines 33SY are virtual lines arranged in the direction Dx at equal pitches and extending in the direction Dy. The predetermined width WY is a width in which the third conductive thin line 33Y may be displaced from the reference line 33SY when the reference line 33SY is the center. The predetermined width WY is 1/20 or more and 1/5 or less of the third reference length SW3 when the length between the two reference lines 33SY adjacent in the direction Dx is the third reference length SW3. For example, the predetermined width WY is 10 μm or more and 30 μm or less.

検出電極TDLの1つの網目の形状は六角形である。すなわち、2つ第1導電性細線33Uと、2つの第2導電性細線33Vと、2つの第3導電性細線33Yとにより六角形が形成されている。 One mesh shape of the detection electrode TDL is a hexagon. That is, a hexagon is formed by two first conductive thin wires 33U, two second conductive thin wires 33V, and two third conductive thin wires 33Y.

第1帯状領域UAと、第2帯状領域VAと、第3帯状領域YAとが交差する交差領域AXXにおいて、1つの第1導電性細線33Uと、1つの第2導電性細線33Vと、1つの第3導電性細線33Yとが接している。すなわち、第1導電性細線33Uと第2導電性細線33Vとの交点である電気的接続部33xxに第3導電性細線33Yが接している。交差領域AXXは、六角形の領域である。一部の交差領域AXXにおいては、1つの電気的接続部33xxが生じている。一方、その他の交差領域AXXにおいては電気的接続部33xxが生じない。 In the intersection area AXX where the first strip-shaped area UA, the second strip-shaped area VA, and the third strip-shaped area YA intersect, one first conductive thin wire 33U, one second conductive thin wire 33V, and one It is in contact with the third conductive thin wire 33Y. That is, the third conductive thin wire 33Y is in contact with the electrical connection portion 33xx, which is the intersection of the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. The intersection area AXX is a hexagonal area. In some intersection regions AXX, one electrical connection portion 33xx is generated. On the other hand, the electrical connection portion 33xx does not occur in the other intersection regions AXX.

このように、検出電極TDLは、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vに加えて、第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vとは異なる方向に延びる第3導電性細線33Yを備えていてもよい。 As described above, the detection electrode TDL includes, in addition to the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V, the third conductive thin wire extending in a direction different from the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V. 33Y may be provided.

(実施形態5)
図18は、実施形態5に係る検出電極の平面図である。図なお、上述した実施形態1で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
(Embodiment 5)
FIG. 18 is a plan view of the detection electrode according to the fifth embodiment. It should be noted that the same components as those described in the above-described first embodiment are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

図18に示すように、第1帯状領域UAは、第1基準線33SUで隔てられた第1右領域UAaと、第1左領域UAbとを含む。実施形態5では、複数の第1導電性細線33Uは、それぞれ第1右領域UAa及び第1左領域UAbのいずれかに配置されている。第1基準線33SUに対する第1導電性細線33Uのずれ量である長さγは、0を含まない所定範囲内の値からランダムに選択された値である。すなわち、長さγとして選択される値の出現頻度は一様である。例えば、長さγは、5μm以上15μmの範囲にある値から選択される。 As shown in FIG. 18, the first strip-shaped area UA includes a first right area UAa and a first left area UAb that are separated by a first reference line 33SU. In the fifth embodiment, the plurality of first conductive thin wires 33U are arranged in either the first right area UAa or the first left area UAb. The length γ, which is the amount of displacement of the first conductive thin wire 33U with respect to the first reference line 33SU, is a value randomly selected from values within a predetermined range that does not include 0. That is, the appearance frequency of the value selected as the length γ is uniform. For example, the length γ is selected from values in the range of 5 μm to 15 μm.

1つの第1帯状領域UAにおいて、第1右領域UAaに配置される第1導電性細線33Uと、第1左領域UAbに配置される第1導電性細線33Uとが、方向Duに沿って交互に並べられている。すなわち、1つの第1帯状領域UAにおいて、第1右領域UAaに配置される第1導電性細線33Uの隣りの第1導電性細線33Uは第1左領域UAbに配置され、且つ第1左領域UAbに配置される第1導電性細線33Uの隣りの第1導電性細線33Uは第1右領域UAaに配置される。例えば、第1基準線33SUに対して第1導電性細線33Uがずれる方向は、乱数によって決められる。当該乱数は、コンピュータによって生成される。1つの第1帯状領域UAに含まれる第1導電性細線33Uの設計時において、コンピュータは、正の値と負の値が方向Duに沿って交互に表れるように乱数を制御する。 In one first strip-shaped area UA, the first conductive thin wires 33U arranged in the first right area UAa and the first conductive thin wires 33U arranged in the first left area UAb alternate along the direction Du. Are lined up. That is, in one first strip-shaped area UA, the first conductive thin wire 33U adjacent to the first conductive thin wire 33U arranged in the first right area UAa is arranged in the first left area UAb and the first left area UAb. The first conductive thin wire 33U adjacent to the first conductive thin wire 33U arranged in the UAb is arranged in the first right area UAa. For example, the direction in which the first conductive thin wire 33U deviates from the first reference line 33SU is determined by a random number. The random number is generated by a computer. When designing the first conductive thin wires 33U included in one first strip-shaped area UA, the computer controls the random numbers so that positive values and negative values alternately appear along the direction Du.

図18に示すように、第2帯状領域VAは、第2基準線33SVで隔てられた第2右領域VAaと、第2左領域VAbとを含む。実施形態5では、複数の第2導電性細線33Vは、それぞれ第2右領域VAa及び第2左領域VAbのいずれかに配置されている。第2基準線33SVに対する第2導電性細線33Vのずれ量である長さβは、0を含まない所定範囲内の値からランダムに選択された値である。すなわち、長さβとして選択される値の出現頻度は一様である。例えば、長さβは、5μm以上15μmの範囲にある値から選択される。 As shown in FIG. 18, the second strip area VA includes a second right area VAa and a second left area VAb that are separated by a second reference line 33SV. In the fifth embodiment, the plurality of second conductive thin wires 33V are arranged in either the second right area VAa or the second left area VAb. The length β, which is the amount of deviation of the second conductive thin wire 33V with respect to the second reference line 33SV, is a value randomly selected from values within a predetermined range that does not include zero. That is, the appearance frequency of the value selected as the length β is uniform. For example, the length β is selected from values in the range of 5 μm or more and 15 μm.

1つの第2帯状領域VAにおいて、第2右領域VAaに配置される第2導電性細線33Vと、第2左領域VAbに配置される第2導電性細線33Vとが、方向Dvに沿って交互に並べられている。すなわち、1つの第2帯状領域VAにおいて、第2右領域VAaに配置される第2導電性細線33Vの隣りの第2導電性細線33Vは第2左領域VAbに配置され、且つ第2左領域VAbに配置される第2導電性細線33Vの隣りの第1導電性細線33Vは第2右領域VAaに配置される。例えば、第2基準線33SVに対して第2導電性細線33Vがずれる方向は、乱数によって決められる。当該乱数は、コンピュータによって生成される。1つの第2帯状領域VAに含まれる第2導電性細線33Vの設計時において、コンピュータは、正の値と負の値が方向Dvに沿って交互に表れるように乱数を制御する。 In one second strip-shaped area VA, the second conductive thin wire 33V arranged in the second right area VAa and the second conductive thin wire 33V arranged in the second left area VAb alternate along the direction Dv. Are lined up. That is, in one second strip-shaped area VA, the second conductive thin wire 33V adjacent to the second conductive thin wire 33V arranged in the second right area VAa is arranged in the second left area VAb and the second left area VAb. The first conductive thin wire 33V adjacent to the second conductive thin wire 33V arranged in VAb is arranged in the second right area VAa. For example, the direction in which the second conductive thin wire 33V deviates from the second reference line 33SV is determined by a random number. The random number is generated by a computer. When designing the second conductive thin wire 33V included in one second strip-shaped area VA, the computer controls the random numbers so that positive values and negative values alternately appear along the direction Dv.

上述した構成により、図18に示すように第1導電性細線33U及び第2導電性細線33Vが十字に交差しなくなる。このため、電気的接続部33xの周辺領域での開口率とその他の領域での開口率との間の差が小さくなるので、視認性が向上する。 With the above-described configuration, the first conductive thin wire 33U and the second conductive thin wire 33V do not cross each other as shown in FIG. For this reason, the difference between the aperture ratio in the peripheral region of the electrical connection portion 33x and the aperture ratio in the other regions is reduced, so that the visibility is improved.

(実施形態6)
図19は、実施形態6に係る検出電極の平面図である。図19に示すように、実施形態6に係る検出電極TDLは、複数の第1導電性細線33U及び複数の第2導電性細線33Vを含む複数の検出ブロックTDLBを有する。例えば、複数の検出ブロックTDLBは、基板31と平行な平面上にマトリクス状に配列されている。複数の検出ブロックTDLBは、それぞれ配線37によってフレキシブルプリント基板71(図8参照)に接続されている。実施形態6に係る検出装置30は、相互静電容量方式ではなく、自己静電容量方式のタッチ検出動作を行う。
(Embodiment 6)
FIG. 19 is a plan view of the detection electrode according to the sixth embodiment. As shown in FIG. 19, the detection electrode TDL according to the sixth embodiment has a plurality of detection blocks TDLB including a plurality of first conductive thin wires 33U and a plurality of second conductive thin wires 33V. For example, the plurality of detection blocks TDLB are arranged in a matrix on a plane parallel to the substrate 31. The plurality of detection blocks TDLB are respectively connected to the flexible printed board 71 (see FIG. 8) by the wiring 37. The detection device 30 according to the sixth embodiment performs the touch detection operation of the self-capacitance method instead of the mutual capacitance method.

次に、図20を参照して、自己静電容量方式のタッチ検出の基本原理について説明する。図20は、自己静電容量方式のタッチ検出の等価回路の一例を示す説明図である。 Next, with reference to FIG. 20, the basic principle of touch detection of the self-capacitance method will be described. FIG. 20 is an explanatory diagram showing an example of an equivalent circuit for self-capacitive touch detection.

図20に示すように、検出電極E2に電圧検出器DETが接続されている。電圧検出器DETはイマジナリーショートされたオペアンプを含む検出回路である。非反転入力部(+)に所定の周波数(例えば数kHzから数百kHz程度)の交流矩形波Sgが印加されると、検出電極E2に同電位の交流矩形波Sgが印加される。 As shown in FIG. 20, the voltage detector DET is connected to the detection electrode E2. The voltage detector DET is a detection circuit including an imaginarily shorted operational amplifier. When the AC rectangular wave Sg having a predetermined frequency (for example, several kHz to several hundred kHz) is applied to the non-inverting input section (+), the AC rectangular wave Sg having the same potential is applied to the detection electrode E2.

指などの導体が接触又は近接していない状態(非接触状態)では、検出電極E2が有する容量Cx1に応じた電流が流れる。電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(波形)に変換する。指などの導体が接触又は近接した状態(接触状態)では、検出電極E2が有する容量Cx1に、検出電極E2に近接している指により生じる容量Cx2が加えられ、非接触状態の容量よりも増加した容量(Cx1+Cx2)に応じた電流が流れる。電圧検出器DETは、交流矩形波Sgに応じた電流の変動を電圧の変動(波形)に変換する。接触状態での波形の振幅は、非接触状態での波形の振幅と比べて大きくなる。これにより、接触状態での波形と非接触状態での波形との電圧差分の絶対値は、指などの外部から接触又は近接する導体の影響に応じて変化することになる。スイッチSWは、タッチ検出を行う際にオン(開)状態となり、タッチ検出を行わないときはオフ(閉)状態となり、電圧検出器DETのリセット動作を行う。 When a conductor such as a finger is not in contact or in proximity (non-contact state), a current flows according to the capacitance Cx1 of the detection electrode E2. The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation (waveform) of the voltage. In the state where a conductor such as a finger is in contact with or in proximity (contact state), the capacitance Cx2 generated by the finger in proximity to the detection electrode E2 is added to the capacitance Cx1 of the detection electrode E2, which is larger than the capacitance in the non-contact state. A current corresponding to the charged capacity (Cx1+Cx2) flows. The voltage detector DET converts the fluctuation of the current according to the AC rectangular wave Sg into the fluctuation (waveform) of the voltage. The amplitude of the waveform in the contact state is larger than the amplitude of the waveform in the non-contact state. As a result, the absolute value of the voltage difference between the waveform in the contact state and the waveform in the non-contact state changes in accordance with the influence of the conductor that is in contact with or approaching from the outside such as a finger. The switch SW is in an on (open) state when touch detection is performed, and is in an off (closed) state when touch detection is not performed, and resets the voltage detector DET.

また、上述した実施形態において述べた態様によりもたらされる他の作用効果について本明細書記載から明らかなもの、又は当業者において適宜想到し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 In addition, it is understood that other actions and effects that are brought about by the aspects described in the above-described embodiments are apparent from the description of the present specification, or those that can be appropriately conceived by those skilled in the art, are brought about by the present invention. It

本発明は、以下の態様に係る検出装置及び表示装置に広く適用可能である。 The present invention can be widely applied to the detection device and the display device according to the following aspects.

(1)基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、第1方向に延びる、複数の第1導電性細線と、
前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向と角度をなす第2方向に延びる、複数の第2導電性細線と、
所定幅の第1帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第2方向に互いにずれた2つの前記第1導電性細線を含む第1グループと、
所定幅の第2帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第1方向に互いにずれた2つの前記第2導電性細線を含む第2グループと、を備え、
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線が接する、
検出装置。
(1) substrate,
A plurality of first conductive thin wires provided on a plane parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires provided on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first group arranged in a first band-shaped region having a predetermined width and including at least two first conductive thin lines displaced from each other in the second direction;
A second group that is arranged in a second band-shaped region having a predetermined width and that includes at least two second conductive thin lines that are offset from each other in the first direction,
In the intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other.
Detection device.

(2)前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域において、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する接続部が2つある
(1)に記載の検出装置。
(2) The detection device according to (1), wherein in the intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, there are two connecting portions where the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other.

(3)前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する複数の接続部を有し、2つの接続部間にある前記第1導電性細線又は前記第2導電性細線には、スリットがある
(1)又は(2)に記載の検出装置。
(3) The first conductive thin wire or the second conductive thin wire having a plurality of connecting portions in which the first conductive thin wire and the second conductive thin wire are in contact with each other, There is a slit. The detection device according to (1) or (2).

(4)前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが囲む1つの網目が平行四辺形である
(1)から(3)のいずれか一項に記載の検出装置。
(4) The detection device according to any one of (1) to (3), wherein one mesh surrounded by the first conductive thin wire and the second conductive thin wire is a parallelogram.

(5)前記第1帯状領域を幅方向に二等分する直線を第1基準線とし、前記第2帯状領域を幅方向に二等分する直線を第2基準線としたとき、
前記第1導電性細線の長さは、隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との和以下であり、
前記第2導電性細線の長さは、隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との和以下である
(1)から(4)のいずれか一項に記載の検出装置。
(5) When a straight line bisecting the first strip-shaped region in the width direction is a first reference line and a straight line bisecting the second strip-shaped region in a width direction is a second reference line,
The length of the first conductive thin line is equal to or more than a difference between twice the length between the adjacent second reference lines and a predetermined width of the second strip-shaped region, and between the adjacent second reference lines. Is equal to or less than the sum of twice the length of the second strip-shaped region and a predetermined width of the second strip-shaped region,
The length of the second conductive thin line is not less than a difference between twice the length between the adjacent first reference lines and a predetermined width of the first strip-shaped region, and between the adjacent first reference lines. The detection device according to any one of (1) to (4), which is equal to or less than a sum of twice the length of the first strip-shaped region and a predetermined width of the first strip-shaped region.

(6)前記第1導電性細線は、所定幅の第1主帯状領域に配置される第1主細線と、所定幅の第1補助帯状領域に配置される第1補助細線とを含み、
前記第2導電性細線は、所定幅の第2主帯状領域に配置される第2主細線と、所定幅の第2補助帯状領域に配置される第2補助細線とを含み、
1つの前記第1主細線は、2つの前記第2主細線と、2つの前記第2補助細線とに接し、
1つの前記第1補助細線は、2つの前記第2主細線に接し、
1つの前記第2主細線は、1つの前記第1主細線と、1つの前記第1補助細線に接し、
1つの前記第2補助細線は、2つの前記第1主細線に接する
(1)に記載の検出装置。
(6) The first conductive thin line includes a first main thin line arranged in a first main strip-shaped region having a predetermined width and a first auxiliary thin line arranged in a first auxiliary strip-shaped region having a predetermined width,
The second conductive thin line includes a second main thin line arranged in a second main strip-shaped region having a predetermined width and a second auxiliary thin line arranged in a second auxiliary strip-shaped region having a predetermined width,
One said 1st main thin wire is in contact with 2 said 2nd main thin wires and 2 said 2nd auxiliary|assistant thin wires,
One said first auxiliary thin line is in contact with two said second main thin lines,
One said 2nd main thin wire touches one said 1st main thin wire and 1 said 1st auxiliary|assistant thin wire,
One said 2nd auxiliary|assistant thin wire is in contact with two said 1st main thin wires, The detection apparatus as described in (1).

(7)前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向及び前記第2方向と角度をなす第3方向に延びる、複数の第3導電性細線と、
所定幅の第3帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第3方向に対して直交する方向に互いにずれた2つの前記第3導電性細線を含む第3グループと、を備え、
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域と前記第3帯状領域との交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線と前記第3導電性細線とが接する
(1)に記載の検出装置。
(7) A plurality of third conductive thin wires provided on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a third direction forming an angle with the first direction and the second direction,
A third group that is disposed in a third band-shaped region having a predetermined width and that includes at least two of the third conductive thin wires that are offset from each other in at least a direction orthogonal to the third direction,
In the intersecting region of the first strip-shaped region, the second strip-shaped region and the third strip-shaped region, the first conductive thin line, the second conductive thin line and the third conductive thin line are in contact with each other (1). The detection device described.

(8)前記第1帯状領域は、第1帯状領域を前記第2方向に二等分する第1基準線で隔てられた第1右領域と、第1左領域とを含み、
1つの前記第1帯状領域において、前記第1右領域に配置される前記第1導電性細線と、前記第1左領域に配置される前記第1導電性細線が、前記第1方向に沿って交互に並べられ、
前記第2帯状領域は、第2帯状領域を前記第1方向に二等分する第2基準線で隔てられた第2右領域と、第2左領域とを含み、
1つの前記第2帯状領域において、前記第2右領域に配置される前記第2導電性細線と、前記第2左領域に配置される前記第2導電性細線が、前記第2方向に沿って交互に並べられる
(1)に記載の検出装置。
(8) The first strip-shaped region includes a first right region and a first left region that are separated by a first reference line that bisects the first strip-shaped region in the second direction,
In one of the first strip-shaped regions, the first conductive thin line arranged in the first right region and the first conductive thin line arranged in the first left region are arranged along the first direction. Alternated,
The second strip-shaped region includes a second right region and a second left region that are separated by a second reference line that bisects the second strip-shaped region in the first direction.
In one of the second strip-shaped regions, the second conductive thin line arranged in the second right region and the second conductive thin line arranged in the second left region are arranged along the second direction. The detection device according to (1), which is arranged alternately.

(9)(1)から(8)のいずれか1項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、
前記表示領域と重畳する領域に、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが設けられている、表示装置。
(9) The detection device according to any one of (1) to (8), and a display area,
A display device, wherein the first conductive thin line and the second conductive thin line are provided in a region overlapping with the display region.

1 タッチ検出機能付き表示装置
2 画素基板
3 対向基板
6 液晶層
10 タッチ検出機能付き表示部
10a 表示領域
10b 額縁領域
11 制御部
12 ゲートドライバ
13 ソースドライバ
14 駆動電極ドライバ
20 表示装置
21 TFT基板
22 画素電極
30 検出装置
31 基板
32 カラーフィルタ
33a 導電性細線
33U 第1導電性細線
33V 第2導電性細線
33Y 第3導電性細線
33x、33xx 電気的接続部
331U 第1主細線
331V 第2主細線
332U 第1補助細線
332V 第2補助細線
37 配線
38 保護層
40 タッチ検出部(検出部)
42 検出信号増幅部
43 A/D変換部
44 信号処理部
45 座標抽出部
46 検出タイミング制御部
AX、AXX 交差領域
COML 駆動電極
GCL 走査信号線
Pix 画素
SGL 画素信号線
SPix 副画素
SL スリット
TDL 検出電極
TDLB 検出ブロック
Tr TFT素子
UA 第1帯状領域
UAa 第1主帯状領域
UAb 第1補助帯状領域
VA 第2帯状領域
VAa 第1主帯状領域
VAb 第1補助帯状領域
Vcom 駆動信号
Vdet 検出信号
Vdisp 映像信号
Vpix 画素信号
Vscan 走査信号
YA 第3帯状領域
1 Display Device with Touch Detection Function 2 Pixel Substrate 3 Counter Substrate 6 Liquid Crystal Layer 10 Display Unit with Touch Detection Function 10a Display Area 10b Frame Region 11 Control Unit 12 Gate Driver 13 Source Driver 14 Drive Electrode Driver 20 Display Device 21 TFT Substrate 22 Pixel Electrode 30 Detection device 31 Substrate 32 Color filter 33a Conductive thin wire 33U First conductive thin wire 33V Second conductive thin wire 33Y Third conductive thin wire 33x, 33xx Electrical connection portion 331U First main thin wire 331V Second main thin wire 332U first 1 Auxiliary fine wire 332V Second auxiliary fine wire 37 Wiring 38 Protective layer 40 Touch detection unit (detection unit)
42 detection signal amplification section 43 A/D conversion section 44 signal processing section 45 coordinate extraction section 46 detection timing control section AX, AXX crossing area COML drive electrode GCL scanning signal line Pix pixel SGL pixel signal line SPix subpixel SL slit TDL detection electrode TDLB detection block Tr TFT element UA first belt-shaped area UAa first main belt-shaped area UAb first auxiliary belt-shaped area VA second belt-shaped area VAa first main belt-shaped area VAb first auxiliary belt-shaped area Vcom drive signal Vdet detection signal Vdisp video signal Vpix Pixel signal Vscan Scan signal YA Third band area

Claims (13)

基板と、
前記基板と平行な面上に設けられ、第1方向に延びる、複数の第1導電性細線と、
前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向と角度をなす第2方向に延びる、複数の第2導電性細線と、
所定幅の第1帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第2方向に互いにずれた2つの前記第1導電性細線を含む第1グループと、
所定幅の第2帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第1方向に互いにずれた2つの前記第2導電性細線を含む第2グループと、を備え、
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線が接
前記第1帯状領域は、所定幅の第1主帯状領域と所定幅の第1補助帯状領域とを含み、
前記第2帯状領域は、所定幅の第2主帯状領域と所定幅の第2補助帯状領域とを含み、
前記第1導電性細線は、前記第1主帯状領域に配置される第1主細線と、前記第1補助帯状領域に配置される第1補助細線とを含み、
前記第2導電性細線は、前記第2主帯状領域に配置される第2主細線と、前記第2補助帯状領域に配置される第2補助細線とを含み、
1つの前記第1主細線は、2つの前記第2主細線と、2つの前記第2補助細線とに接し、
1つの前記第1補助細線は、2つの前記第2主細線に接し、
1つの前記第2主細線は、1つの前記第1主細線と、1つの前記第1補助細線に接し、
1つの前記第2補助細線は、2つの前記第1主細線に接する
検出装置。
Board,
A plurality of first conductive thin wires provided on a plane parallel to the substrate and extending in a first direction;
A plurality of second conductive thin wires provided on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
A first group arranged in a first band-shaped region having a predetermined width and including at least two first conductive thin lines displaced from each other in the second direction;
A second group that is arranged in a second band-shaped region having a predetermined width and that includes at least two second conductive thin lines that are offset from each other in the first direction,
Wherein in the crossing region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, the second conductive thin wire and the first electroconductive thin line is tangent,
The first strip-shaped region includes a first main strip-shaped region having a predetermined width and a first auxiliary strip-shaped region having a predetermined width,
The second strip-shaped region includes a second main strip-shaped region having a predetermined width and a second auxiliary strip-shaped region having a predetermined width,
The first conductive thin line includes a first main thin line arranged in the first main strip-shaped region and a first auxiliary thin line arranged in the first auxiliary strip-shaped region,
The second conductive thin wire includes a second main thin wire arranged in the second main strip-shaped area and a second auxiliary thin wire arranged in the second auxiliary strip-shaped area,
One said 1st main thin wire is in contact with 2 said 2nd main thin wires and 2 said 2nd auxiliary|assistant thin wires,
One said first auxiliary thin line is in contact with two said second main thin lines,
One said 2nd main thin wire touches one said 1st main thin wire and 1 said 1st auxiliary|assistant thin wire,
A detection device in which one of the second auxiliary thin wires is in contact with two of the first main thin wires .
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域において、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する接続部が2つある、請求項1に記載の検出装置。 The detection device according to claim 1, wherein in the intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, there are two connecting portions where the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other. 前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する複数の接続部を有し、2つの接続部間にある前記第1導電性細線又は前記第2導電性細線には、スリットがある請求項1に記載の検出装置。 The first conductive thin wire and the second conductive thin wire have a plurality of connecting portions in contact with each other, and the first conductive thin wire or the second conductive thin wire between the two connecting portions has a slit. The detection device according to claim 1. 前記第1帯状領域を幅方向に二等分する直線を第1基準線とし、前記第2帯状領域を幅方向に二等分する直線を第2基準線としたとき、
前記第1主細線の長さは、隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との和以下であり、
前記第2主細線の長さは、隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との和以下である
請求項1に記載の検出装置。
When a straight line bisecting the first strip-shaped region in the width direction is a first reference line and a straight line bisecting the second strip-shaped region in a width direction is a second reference line,
The length of the first main thin line is not less than a difference between twice the length between the adjacent second reference lines and a predetermined width of the second main strip-shaped region, and between the adjacent second reference lines. Is less than or equal to the sum of twice the length of the second main strip-shaped region and a predetermined width of the second main strip-shaped region,
The length of the second main thin line is equal to or more than a difference between twice the length between the adjacent first reference lines and a predetermined width of the first main strip-shaped region, and between the adjacent first reference lines. 2. The detection device according to claim 1, which is less than or equal to twice the length of the first main strip-shaped region and a predetermined width of the first main strip-shaped region.
前記第1帯状領域は、第1帯状領域を前記第2方向に二等分する第1基準線で隔てられた第1右領域と、第1左領域とを含み、
1つの前記第1帯状領域において、前記第1右領域に配置される前記第1導電性細線と、前記第1左領域に配置される前記第1導電性細線が、前記第1方向に沿って交互に並べられ、
前記第2帯状領域は、第2帯状領域を前記第1方向に二等分する第2基準線で隔てられた第2右領域と、第2左領域とを含み、
1つの前記第2帯状領域において、前記第2右領域に配置される前記第2導電性細線と、前記第2左領域に配置される前記第2導電性細線が、前記第2方向に沿って交互に並べられる
請求項1に記載の検出装置。
The first strip-shaped region includes a first right region and a first left region that are separated by a first reference line that bisects the first strip-shaped region in the second direction.
In one of the first strip-shaped regions, the first conductive thin line arranged in the first right region and the first conductive thin line arranged in the first left region are arranged along the first direction. Alternated,
The second strip-shaped region includes a second right region and a second left region that are separated by a second reference line that bisects the second strip-shaped region in the first direction.
In one of the second strip-shaped regions, the second conductive thin line arranged in the second right region and the second conductive thin line arranged in the second left region are arranged along the second direction. The detection device according to claim 1, which is arranged alternately.
請求項1から請求項のいずれか1項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、
前記表示領域と重畳する領域に、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが設けられている、表示装置。
A detection device according to any one of claims 1 to 5 , and a display area,
A display device, wherein the first conductive thin line and the second conductive thin line are provided in a region overlapping with the display region.
基板と、Board,
前記基板と平行な面上に設けられ、第1方向に延びる、複数の第1導電性細線と、A plurality of first conductive thin wires provided on a plane parallel to the substrate and extending in a first direction;
前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向と角度をなす第2方向に延びる、複数の第2導電性細線と、A plurality of second conductive thin wires provided on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a second direction forming an angle with the first direction;
所定幅の第1帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第2方向に互いにずれた2つの前記第1導電性細線を含む第1グループと、A first group arranged in a first band-shaped region having a predetermined width and including at least two first conductive thin lines displaced from each other in the second direction;
所定幅の第2帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第1方向に互いにずれた2つの前記第2導電性細線を含む第2グループと、を備え、A second group that is arranged in a second band-shaped region having a predetermined width and that includes at least two second conductive thin lines that are offset from each other in the first direction,
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線が接し、In the intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other,
前記第1帯状領域を幅方向に二等分する直線を第1基準線とし、前記第2帯状領域を幅方向に二等分する直線を第2基準線としたとき、When a straight line bisecting the first strip-shaped region in the width direction is a first reference line and a straight line bisecting the second strip-shaped region in a width direction is a second reference line,
前記第1導電性細線の長さは、隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第2基準線間の長さの2倍と前記第2帯状領域の所定幅との和以下であり、The length of the first conductive thin line is equal to or more than a difference between twice the length between the adjacent second reference lines and a predetermined width of the second strip-shaped region, and between the adjacent second reference lines. Is equal to or less than the sum of twice the length of the second strip-shaped region and a predetermined width of the second strip-shaped region,
前記第2導電性細線の長さは、隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との差以上であり、且つ隣接する前記第1基準線間の長さの2倍と前記第1帯状領域の所定幅との和以下であるThe length of the second conductive thin line is not less than a difference between twice the length between the adjacent first reference lines and a predetermined width of the first strip-shaped region, and between the adjacent first reference lines. Is equal to or less than the sum of twice the length and the predetermined width of the first strip-shaped region.
検出装置。Detection device.
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域の交差領域において、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する接続部が2つある、請求項7に記載の検出装置。The detection device according to claim 7, wherein in the intersecting region of the first strip-shaped region and the second strip-shaped region, there are two connecting portions where the first conductive thin line and the second conductive thin line are in contact with each other. 前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが接する複数の接続部を有し、2つの接続部間にある前記第1導電性細線又は前記第2導電性細線には、スリットがある請求項7に記載の検出装置。The first conductive thin wire and the second conductive thin wire have a plurality of connecting portions, and the first conductive thin wire or the second conductive thin wire between the two connecting portions has a slit. The detection device according to claim 7. 前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが囲む1つの網目が平行四辺形である、請求項7に記載の検出装置。The detection device according to claim 7, wherein one mesh surrounded by the first conductive thin wire and the second conductive thin wire is a parallelogram. 前記第1導電性細線と同一層上に設けられ、前記第1方向及び前記第2方向と角度をなす第3方向に延びる、複数の第3導電性細線と、A plurality of third conductive thin wires provided on the same layer as the first conductive thin wires and extending in a third direction forming an angle with the first direction and the second direction;
所定幅の第3帯状領域に配置され、かつ、少なくとも前記第3方向に対して直交する方向に互いにずれた2つの前記第3導電性細線を含む第3グループと、を備え、A third group that is disposed in a third band-shaped region having a predetermined width, and that includes at least two third conductive thin wires that are offset from each other in at least a direction orthogonal to the third direction,
前記第1帯状領域と前記第2帯状領域と前記第3帯状領域との交差領域では、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線と前記第3導電性細線とが接するThe first conductive thin line, the second conductive thin line, and the third conductive thin line are in contact with each other in an intersecting region of the first strip-shaped region, the second strip-shaped region, and the third strip-shaped region.
請求項7に記載の検出装置。The detection device according to claim 7.
前記第1帯状領域は、第1帯状領域を前記第2方向に二等分する第1基準線で隔てられた第1右領域と、第1左領域とを含み、The first strip-shaped region includes a first right region and a first left region that are separated by a first reference line that bisects the first strip-shaped region in the second direction.
1つの前記第1帯状領域において、前記第1右領域に配置される前記第1導電性細線と、前記第1左領域に配置される前記第1導電性細線が、前記第1方向に沿って交互に並べられ、In one said 1st strip|belt-shaped area|region, the said 1st electroconductive thin wire arrange|positioned in the said 1st right area|region and the said 1st electroconductive thin wire arrange|positioned in the said 1st left area|region are along the said 1st direction. Alternated,
前記第2帯状領域は、第2帯状領域を前記第1方向に二等分する第2基準線で隔てられた第2右領域と、第2左領域とを含み、The second strip-shaped region includes a second right region and a second left region that are separated by a second reference line that bisects the second strip-shaped region in the first direction.
1つの前記第2帯状領域において、前記第2右領域に配置される前記第2導電性細線と、前記第2左領域に配置される前記第2導電性細線が、前記第2方向に沿って交互に並べられるIn the one second strip-shaped region, the second conductive thin line arranged in the second right region and the second conductive thin line arranged in the second left region are along the second direction. Staggered
請求項7に記載の検出装置。The detection device according to claim 7.
請求項7から請求項12のいずれか1項に記載の検出装置と、表示領域とを備え、A detection device according to any one of claims 7 to 12, and a display region,
前記表示領域と重畳する領域に、前記第1導電性細線と前記第2導電性細線とが設けられている、表示装置。A display device, wherein the first conductive thin line and the second conductive thin line are provided in a region overlapping with the display region.
JP2016154994A 2016-04-04 2016-08-05 Detection device and display device Active JP6744169B2 (en)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170039966A KR101906446B1 (en) 2016-04-04 2017-03-29 Detection device and display device
TW106110709A TWI617960B (en) 2016-04-04 2017-03-30 Detection device and display device
CN201710212097.6A CN107272941B (en) 2016-04-04 2017-03-31 Detection device and display device
US15/477,264 US10126899B2 (en) 2016-04-04 2017-04-03 Detection device and display device
KR1020180117537A KR102010189B1 (en) 2016-04-04 2018-10-02 Detection device and display device
US16/163,981 US10353528B2 (en) 2016-04-04 2018-10-18 Detection device and display device
US16/511,831 US10534494B2 (en) 2016-04-04 2019-07-15 Detection device and display device
US16/711,103 US10908751B2 (en) 2016-04-04 2019-12-11 Detection device and display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016075499 2016-04-04
JP2016075499 2016-04-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017188060A JP2017188060A (en) 2017-10-12
JP6744169B2 true JP6744169B2 (en) 2020-08-19

Family

ID=60044125

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016154994A Active JP6744169B2 (en) 2016-04-04 2016-08-05 Detection device and display device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6744169B2 (en)
KR (2) KR101906446B1 (en)
CN (1) CN107272941B (en)
TW (1) TWI617960B (en)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093117A1 (en) 2017-11-13 2019-05-16 パナソニックIpマネジメント株式会社 Touch sensor
US20200334437A1 (en) * 2019-04-22 2020-10-22 Himax Technologies Limited Optical fingerprint detecting system
CN113052076B (en) * 2021-03-25 2024-02-27 敦泰电子(深圳)有限公司 Signal optimization method, electronic device and memory chip
US11650707B2 (en) * 2021-05-25 2023-05-16 Sitronix Technology Corporation Capacitive sensing device and sensing method thereof

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8284332B2 (en) * 2008-08-01 2012-10-09 3M Innovative Properties Company Touch screen sensor with low visibility conductors
KR101111565B1 (en) 2011-07-15 2012-02-15 유현석 Sensor for capacitive touch panel including honeycomb mesh pattern and capacitive touch panel including the same
CN103984461B (en) * 2011-12-16 2017-09-15 富士胶片株式会社 Conducting strip and touch panel
CN104520789B (en) * 2012-07-31 2017-04-26 夏普株式会社 Touch panel substrate and display device
JP6001089B2 (en) * 2012-12-18 2016-10-05 富士フイルム株式会社 Display device and method for determining pattern of conductive film
JP6033671B2 (en) * 2012-12-27 2016-11-30 三菱製紙株式会社 Light transmissive conductive material
JP5893582B2 (en) * 2013-03-27 2016-03-23 株式会社ジャパンディスプレイ Display device with touch detection function and electronic device
CN103295671B (en) * 2013-05-30 2016-08-10 南昌欧菲光科技有限公司 Nesa coating
JP6170420B2 (en) * 2013-12-02 2017-07-26 富士フイルム株式会社 Conductive sheet and touch panel
JP6470264B2 (en) * 2014-04-15 2019-02-13 株式会社Vtsタッチセンサー Touch sensor electrode, touch panel, and display device
JP6329817B2 (en) * 2014-06-10 2018-05-23 株式会社ジャパンディスプレイ Display device with sensor
CN105448386B (en) * 2014-08-18 2018-10-12 深圳欧菲光科技股份有限公司 Touch control component and its conductive film
TWM518362U (en) * 2015-09-16 2016-03-01 明興光電股份有限公司 Touch panel

Also Published As

Publication number Publication date
CN107272941A (en) 2017-10-20
CN107272941B (en) 2020-06-09
KR102010189B1 (en) 2019-08-12
KR101906446B1 (en) 2018-10-11
JP2017188060A (en) 2017-10-12
KR20170114938A (en) 2017-10-16
TWI617960B (en) 2018-03-11
TW201737042A (en) 2017-10-16
KR20180114524A (en) 2018-10-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6581927B2 (en) Detection device, display device, and electronic device
US10402010B2 (en) Detection device and display device
US10496223B2 (en) Touch detection device and display device with touch detection function
US10606403B2 (en) Detection device
KR102010189B1 (en) Detection device and display device
US10845636B2 (en) Input detection device
JP2018169680A (en) Display device
JP2018190347A (en) Display device
JP2019067142A (en) Detector and display
US10908751B2 (en) Detection device and display device
JP2018181151A (en) Display apparatus
US10976861B2 (en) Detection device and display device
JP7329641B2 (en) Display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190726

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200327

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200525

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200630

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200730

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6744169

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250