JP6709811B2 - 誘導電力伝送システムおよび方法 - Google Patents
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Description
予想電力伝送率を判定し、
実際の電力伝送率を判定し、
該予想電力伝送率を該実際の電力伝送率と比較することによって異物を検出する。
予想電力伝送率を判定する工程と、
実際の電力伝送率を判定する工程と、
該予想電力伝送率を該実際の電力伝送率と比較する工程とを含む。
IPT一次パッドおよびIPT二次パッド間の相対位置により、VAR電流を判定する工程と、
該IPT一次パッド内の実際のVAR電流を測定して、該IPT一次パッド上または該IPT一次パッドの近傍に異物があるかどうかを判定する工程とを含む。
制御手段と、
エア・フロー手段とを備え、
該制御手段が、該エア・フローを選択的に操作し、該システムのIPT一次パッドの表面上を流れるエア・フローを生じさせる、IPTシステムが提供される。
予想電力伝送率を判定し、
実際の電力伝送率を判定し、
該予想電力伝送率を該実際の電力伝送率と比較することによって異物を検出する。
IPT二次パッドが該システムのIPT一次パッドに対して充電位置にある時間を判定する工程と、
該IPT一次パッドの表面上を流れるエア・フローを生むエア・フロー手段を操作する工程とを含む、IPTシステムの操作方法を提供する。
予想電力伝送率を判定する工程と、
実際の電力伝送率を判定する工程と、
該予想電力伝送率を該実際の電力伝送率と比較する工程とを含む、異物を検出する該工程を含む。
IPT送信側コイルと、
IPT受信側コイルと、
制御手段とを備え、使用時、該制御手段は、
該IPT送信側コイルと該IPT受信側コイルとの間の該予想電力伝送率を判定し、
実際の電力伝送率を判定し、
該実際の電力伝送率が該予想電力伝送率を所定の量を超えて下回っていれば、火災軽減方法を実施する、IPT充電システムが提供される。
i)該IPT送信側コイルに対する所定の電力入力に対する該IPT送信側コイルとIPT受信側コイルとの間の予想電力伝送率を計算する工程と、
ii)該所定の電力入力での該IPT送信側コイルを操作する工程と、
iii)該IPT受信側コイルに対する実際の電力伝送率を測定する工程とを含む。
i)IPT送信側コイルに対する所定の電力入力に対する該IPT送信側コイルとIPT受信側コイルとの間の予想電力伝送率を計算する工程と、
ii)該所定の電力入力での該IPT送信側コイルを操作する工程と、
iii)該IPT受信側コイルに対する実際の電力伝送率を測定する工程と、
iv)実際の電力伝送率が該予想電力伝送率よりも所定の量を超えて下回っているかどうかを判定する工程と、
v)該実際の電力伝送率が該予想電力伝送率よりも所定の量を超えて下回っている場合に火災軽減方法を実施する工程とを含む。
1.小さい金属化片を引火前に一掃する。
2.枯れ葉または紙片など、その他の小さい、引火するおそれのある破片が一掃され、それによって燃料の小さい引火を除去できる。
3.一掃されない大きな物体は、温度上昇が許容限界に維持され、災害を及ぼさないよう、該エア・フローによって冷却されうる。
Claims (18)
- IPTシステムの一次磁気構造の電気的特性およびIPTシステムの二次磁気構造の電気的特性を測定して、他方に対する一方の磁気構造の位置を検出するよう適合された位置検出手段を備え、前記位置検出手段が、短絡回路電流の位相および量によって、前記一次および二次磁気構造の横方向オフセットを測定する、IPTシステムの前記一次磁気構造および前記二次磁気構造間の相対位置を検出する装置。
- 前記位置検出手段が、前記二次磁気構造で誘発された電圧よって、前記横方向オフセットを測定する、請求項1に記載の装置。
- 前記位置検出手段が、前記一次および二次磁気構造における電流量を比較することによって、前記一次および二次磁気構造間の距離を測定する、請求項1または2に記載の装置。
- IPTシステムの一次磁気構造およびIPTシステムの二次磁気構造間の相対位置により、VAR電流を判定する工程と、
前記一次磁気構造内の実際のVAR電流を測定して、前記一次磁気構造上または近傍に異物があるかどうかを判定する工程とを含む、異物の存在を検出するためにIPTシステムを操作する方法。 - 前記IPTシステムの前記一次磁気構造および前記二次磁気構造の相対位置を測定する工程を含む、請求項4に記載の方法。
- 相対位置を測定する前記工程が、前記一次磁気構造の電気的特性および前記二次磁気構造の電気的特性を測定して、他方に対する一方の磁気構造の位置を検出する工程を含む、請求項5に記載の方法。
- 相対位置を測定する前記工程が、短絡回路電流の位相および量によって、前記一次および二次磁気構造の横方向オフセットを測定する工程を含む、請求項4または5に記載の方法。
- 相対位置を測定する前記工程が、前記二次磁気構造で誘発された電圧によって、横方向オフセットを測定する工程を含む、請求項4または5に記載の方法。
- 前記一次および二次磁気構造における電流量を比較することによって、前記一次磁気構造および前記二次磁気構造間の距離を測定する工程をさらに含む、請求項5乃至8のいずれかに記載の方法。
- 前記一次磁気構造および前記二次磁気構造の1つまたは両方についての情報を制御手段に伝達する工程を含む、請求項4乃至9のいずれかに記載の方法。
- IPTシステムの一次磁気構造およびIPTシステムの二次磁気構造間の相対位置により、VAR電流を判定し、かつ、前記一次磁気構造での実際のVAR電流を測定して、前記一次磁気構造の上または近傍に異物があるかを判定するよう適合された制御手段を備える、IPTシステムのための異物検出装置。
- 前記制御手段が、前記一次および二次磁気構造の前記相対位置を検出する位置検出手段を含む、請求項11に記載の装置。
- 前記位置検出手段が、前記一次磁気構造の電気的特性および前記二次磁気構造の電気的特性を測定し、他方に対する一方の磁気構造の位置を検出する、請求項12に記載の装置。
- 前記位置検出手段が、短絡回路電流の位相および量によって、前記一次および二次磁気構造の横方向オフセットを測定する、請求項12または13に記載の装置。
- 前記位置検出手段が、前記二次磁気構造で誘発された電圧によって、横方向オフセットを測定する、請求項12または13に記載の装置。
- 前記位置検出手段が、前記一次および二次磁気構造における電流量を比較することによって、前記一次および二次磁気構造間の距離を測定する、請求項12乃至14のいずれかに記載の装置。
- 前記一次磁気構造および前記二次磁気構造の1つまたは両方についての情報を前記制御手段に伝達する手段を含む、請求項11乃至16のいずれかに記載の装置。
- IPTシステムのための異物検出装置を備えた請求項2に記載の装置であって、前記異物検出装置は、IPTシステムの一次磁気構造上または近傍にある異物が、所定の最大温度を超えた温度を有しているかを判定する赤外線検出手段を備える、装置。
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