JP6705148B2 - π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device - Google Patents

π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device Download PDF

Info

Publication number
JP6705148B2
JP6705148B2 JP2015203883A JP2015203883A JP6705148B2 JP 6705148 B2 JP6705148 B2 JP 6705148B2 JP 2015203883 A JP2015203883 A JP 2015203883A JP 2015203883 A JP2015203883 A JP 2015203883A JP 6705148 B2 JP6705148 B2 JP 6705148B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
ring
group
optionally substituted
electron
oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015203883A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017075121A (en
Inventor
貴之 飯島
貴之 飯島
鈴木 隆嗣
隆嗣 鈴木
康生 宮田
康生 宮田
威人 並川
威人 並川
隆太郎 菅原
隆太郎 菅原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Konica Minolta Inc
Original Assignee
Konica Minolta Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Konica Minolta Inc filed Critical Konica Minolta Inc
Priority to JP2015203883A priority Critical patent/JP6705148B2/en
Publication of JP2017075121A publication Critical patent/JP2017075121A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6705148B2 publication Critical patent/JP6705148B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)

Description

本発明は、π共役系化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置に関する。 The present invention relates to a π-conjugated compound, an organic electroluminescence element material, a light emitting material, a light emitting thin film, an organic electroluminescence element, a display device and a lighting device.

有機材料のエレクトロルミネッセンス(Electro Luminescence:以下「EL」と略記する。)を利用した有機EL素子(「有機電界発光素子」ともいう。)は、平面発光を可能とする新しい発光システムとして既に実用化されている技術である。有機EL素子は、電子ディスプレイはもとより、最近では照明機器にも適用され、その発展が期待されている。 An organic EL element (also referred to as an “organic electroluminescent element”) that uses electroluminescence (hereinafter, abbreviated as “EL”) of an organic material has already been put into practical use as a new light emitting system capable of planar light emission. It is a technology that is being used. Organic EL devices have been applied not only to electronic displays but also to lighting devices in recent years, and their development is expected.

有機EL素子の発光方式としては、三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。 There are two types of light emission methods of organic EL devices: "phosphorescence emission" that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state and "fluorescence emission" that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. There is a street.

有機EL素子に電界をかけると、陽極と陰極からそれぞれ正孔と電子が注入され、発光層において再結合し励起子を生じる。このとき一重項励起子と三重項励起子とが25%:75%の割合で生成するため、三重項励起子を利用するリン光発光の方が、蛍光発光に比べ、理論的に高い内部量子効率が得られることが知られている。しかしながら、リン光発光方式において実際に高い量子効率を得るためには、中心金属にイリジウムや白金等の希少金属を用いた錯体を用いる必要があり、将来的に希少金属の埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となることが懸念される。 When an electric field is applied to the organic EL element, holes and electrons are injected from the anode and cathode, respectively, and recombine in the light emitting layer to generate excitons. At this time, since singlet excitons and triplet excitons are generated at a ratio of 25%:75%, phosphorescence emission using triplet excitons has theoretically higher internal quantum than fluorescence emission. It is known that efficiency can be obtained. However, in order to actually obtain high quantum efficiency in the phosphorescence emission method, it is necessary to use a complex using a rare metal such as iridium or platinum as the central metal, and in the future, the reserves of rare metals and the metal itself There is concern that price will become a big issue in the industry.

一方で、蛍光発光型においても発光効率を向上させるために様々な開発がなされており、近年新しい動きが出てきた。例えば、特許文献1には、二つの三重項励起子の衝突により一重項励起子が生成する現象(Triplet−Triplet Annihilation:以下、適宜「TTA」と略記する。また、Triplet−Triplet Fusion:「TTF」ともいう。)に着目し、TTAを効率的に起こして蛍光素子の高効率化を図る技術が開示されている。この技術により蛍光発光材料の発光効率は従来の蛍光発光材料の2〜3倍まで向上しているが、TTAにおける理論的な一重項励起子生成効率は40%程度にとどまるため、依然としてリン光発光に比べ高発光効率化の問題を有している。 On the other hand, various developments have been made to improve the luminous efficiency of the fluorescent light emitting type as well, and a new movement has recently been made. For example, in Patent Document 1, a phenomenon in which singlet excitons are generated by collision of two triplet excitons (Triplet-Triple Annihilation: hereinafter, abbreviated as "TTA" as appropriate. In addition, Triplet-Triplet Fusion: "TTF." Also referred to as "."), a technique for efficiently causing TTA to increase the efficiency of the fluorescent element is disclosed. By this technology, the emission efficiency of the fluorescent light emitting material is improved to 2 to 3 times that of the conventional fluorescent light emitting material, but the theoretical singlet exciton generation efficiency in TTA is only about 40%, and therefore the phosphorescent light emission is still possible. However, it has a problem of higher luminous efficiency.

さらに近年では、三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差(Reverse Intersystem Crossing:以下、適宜「RISC」と略記する。)が生じる現象を利用した現象(熱活性型遅延蛍光(「熱励起型遅延蛍光」ともいう:Thermally Activated Delayed Fluorescence:以下、適宜「TADF」と略記する。)を利用した蛍光発光材料と、有機EL素子への利用の可能性が報告されている(例えば、特許文献2、非特許文献1、非特許文献2参照)。このTADF機構による遅延蛍光を利用すると、電界励起による蛍光発光においても、理論的にはリン光発光と同等の100%の内部量子効率が可能となる。 Further, in recent years, a phenomenon utilizing a phenomenon (reverse intersystem crossing: hereinafter appropriately abbreviated as “RISC”) from triplet excitons to singlet excitons (heat activated delayed fluorescence (“ Also referred to as "thermally excited delayed fluorescence": Thermally Activated Delayed Fluorescence: hereinafter, abbreviated as "TADF" as appropriate), and the possibility of use in organic EL devices has been reported (for example, (Patent Document 2, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2) By using the delayed fluorescence by the TADF mechanism, theoretically 100% internal quantum efficiency equivalent to phosphorescence emission is obtained even in fluorescence emission by electric field excitation. Is possible.

TADF現象を発現させるためには、室温又は発光素子中の発光層温度で電界励起により生じた75%の三重項励起子から一重項励起子への逆項間交差が起こる必要がある。さらに、逆項間交差により生じた一重項励起子が、直接励起により生じた25%の一重項励起子と同様に蛍光発光することにより、100%の内部量子効率が理論上可能となる。この逆項間交差が起こるためには、最低励起一重項エネルギー準位(S1)と最低三重項励起エネルギー準位(T1)の差の絶対値(ΔEST)が小さいことが求められる。 In order to develop the TADF phenomenon, it is necessary that 75% of the triplet excitons are inversely crossed to singlet excitons caused by electric field excitation at room temperature or the temperature of the light emitting layer in the light emitting device. Further, the singlet excitons generated by the inverse intersystem crossing emit fluorescence similarly to the 25% singlet excitons generated by the direct excitation, whereby 100% internal quantum efficiency is theoretically possible. In order for this reverse intersystem crossing to occur, it is required that the absolute value (ΔE ST ) of the difference between the lowest excited singlet energy level (S1) and the lowest triplet excited energy level (T1) is small.

さらに、ホスト材料と発光材料からなる発光層に、TADF性を示す材料を第三成分(アシストドーパント材料)として発光層に含めると、高発光効率の発現に有効であることが知られている(非特許文献3参照)。アシストドーパント材料上に25%の一重項励起子と75%の三重項励起子を電界励起により発生させることによって、三重項励起子は逆項間交差(RISC)を伴って一重項励起子を生成することができる。一重項励起子のエネルギーは、発光材料へ蛍光共鳴エネルギー移動(Fluorescence resonance energy transfer:以下、適宜、「FRET」と略記する。)し、発光材料が移動してきたエネルギーにより発光することが可能となる。従って、理論上100%の励起子エネルギーを利用して、発光材料を発光させることが可能となり、高発光効率が発現する。 Further, it is known that when a light emitting layer composed of a host material and a light emitting material contains a material exhibiting TADF property as a third component (assist dopant material) in the light emitting layer, it is effective in exhibiting high light emitting efficiency ( Non-Patent Document 3). By generating 25% singlet excitons and 75% triplet excitons on the assisting dopant material by electric field excitation, the triplet excitons generate singlet excitons accompanied by reciprocal intersystem crossing (RISC). can do. The energy of the singlet excitons undergoes fluorescence resonance energy transfer (hereinafter, abbreviated as “FRET” as appropriate) to the light emitting material, and the light emitting material can emit light by the energy transferred. .. Therefore, theoretically 100% of exciton energy can be used to cause the light emitting material to emit light, and high light emitting efficiency is exhibited.

例えばTADF現象を発現させるためには、有機化合物のΔESTを小さくすることが有効であり;ΔESTを小さくするためには、分子内の最高被占分子軌道(HOMO)と最低空分子軌道(LUMO)を混在させずに局在化させること(明確に分離すること)が有効である。 For example, in order to express the TADF phenomenon, it is effective to reduce the Delta] E ST organic compound; in order to reduce the Delta] E ST is the highest occupied molecular orbital of the molecule (HOMO) the lowest unoccupied molecular orbital ( It is effective to localize (clearly separate) LUMO) without mixing them.

図1及び図2は、TADF現象を発現する化合物(TADF化合物)と一般的な蛍光発光材料のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。例えば、図1に示す構造を有する2CzPNでは、ベンゼン環上の1位と2位のカルバゾリル基にHOMOが局在し、4位と5位のシアノ基にLUMOが局在している。そのため、2CzPNのHOMOとLUMOを分離することができ、ΔESTが極めて小さくなってTADF現象を発現する。一方、2CzPNの4位と5位のシアノ基をメチル基に置き換えた2CzXy(図2)では、構造は類似しているが、2CzPNでみられるHOMOとLUMOの明確な分離ができないために、ΔESTを小さくすることはできず、TADF現象を発現させるには至らない。 1 and 2 are schematic diagrams showing energy diagrams of a compound expressing the TADF phenomenon (TADF compound) and a general fluorescent material. For example, in 2CzPN having the structure shown in FIG. 1, HOMO is localized at the carbazolyl groups at the 1st and 2nd positions and LUMO is localized at the 4th and 5th cyano groups on the benzene ring. Therefore, it is possible to separate the HOMO and LUMO of 2CzPN, ΔE ST express TADF phenomenon extremely small. On the other hand, in 2CzXy (Fig. 2) in which the cyano groups at the 4- and 5-positions of 2CzPN are replaced with methyl groups, the structures are similar, but because HOMO and LUMO seen in 2CzPN cannot be clearly separated, ΔE ST cannot be reduced, and the TADF phenomenon cannot be expressed.

従来技術では、HOMOとLUMOを明確に分離するには、強力な電子供与性基又は電子吸引性基を用いる手法が知られている。しかしながら、強力な電子供与性基又は電子吸引性基を用いることは、強い分子内電荷移動(CT)性の励起状態を形成するため、吸収スペクトルや発光スペクトルが長波長化する要因となり、発光波長の制御が困難であるという課題が生じている。逆に、発光波長の制御するために電子供与性又は電子吸引性を弱めると、TADF現象の発現に支障をきたすことになる。そのため、発光波長の制御しながら、TADF現象を発現させる新たな手法が望まれている。 In the prior art, in order to clearly separate HOMO and LUMO, a method using a strong electron-donating group or electron-withdrawing group is known. However, the use of a strong electron-donating group or electron-withdrawing group forms an excited state having a strong intramolecular charge transfer (CT) property, which causes a long wavelength absorption spectrum or emission spectrum. Is difficult to control. On the contrary, if the electron donating property or the electron withdrawing property is weakened to control the emission wavelength, the TADF phenomenon will be impaired. Therefore, a new method of expressing the TADF phenomenon while controlling the emission wavelength is desired.

国際公開第2010/134350号International Publication No. 2010/134350 特開2013−116975号公報JP, 2013-116975, A

H.Uoyama,et al.,Nature,2012,492,234−238H. Uoyama, et al. , Nature, 2012, 492, 234-238. Q.Zhang et al.,Nature,Photonics,2014,8,326−332Q. Zhang et al. , Nature, Photonics, 2014, 8, 326-332. H.Nakanоtani,et al.,Nature Communicaion,2014,5,4016−4022.H. Nakanotani, et al. , Nature Communication, 2014, 5, 4016-4022.

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することである。また、当該π共役系化合物を用いた、有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光材料、発光性薄膜、有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することである。 The present invention has been made in view of the above problems and circumstances, and a problem to be solved is to provide a new π-conjugated compound that can improve the light emission efficiency of an organic electroluminescence device, for example. Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescence element material, a light-emitting material, a light-emitting thin film, an organic electroluminescence element, and a display device and a lighting device including the organic electroluminescence element, which use the π-conjugated compound. ..

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、ベンゼン環に芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基Aを置換し、更に電子吸引性基Aのパラ位と、その少なくとも一方の隣に電子供与性基Dを有するπ共役系化合物を新たに想到し、この化合物を有機エレクトロルミネッセンス素子に用いると発光効率を向上できることを見出して本発明に至った。 The present inventors, in order to solve the above problems, the results of investigation of the cause or the like of the above problems, replacing the electron withdrawing group A 1 having an aromatic heterocyclic 5-membered ring skeleton to a benzene ring, further electron-withdrawing group A 1 has been newly conceived and a π-conjugated compound having an electron-donating group D adjacent to at least one of the para-positions has been found, and it has been found that the use of this compound in an organic electroluminescence device can improve the luminous efficiency. I arrived.

すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。
[1] 下記一般式(1)で表される構造を有する、π共役系化合物。

Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよい芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基を表し、
及びDは、各々独立に、電子供与性基を表し、
〜Zは、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D及びD及びZ〜Zで表される前記電子供与性基は、電子供与性基で置換されたアリール基、置換されていてもよい電子供与性の複素環基、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記Z〜Zで表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、電子吸引性基で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環基からなる群より選ばれる基である。)
[2] 前記一般式(1)において、Zは前記電子供与性基を表す、[1]に記載のπ共役系化合物。
[3] 前記一般式(1)において、Zは前記電子供与性基を表し、ZとZは水素原子を表す、[1]または[2]に記載のπ共役系化合物。
[4] 前記芳香族複素5員環骨格は、窒素原子を含む、[1]〜[3]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。
[5] 最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値ΔESTが0.50eV以下である、[1]〜[4]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。 That is, the above-mentioned subject concerning the present invention is solved by the following means.
[1] A π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an electron-withdrawing group having an optionally substituted aromatic hetero 5-membered ring skeleton,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 to Z 3 is an aryl group substituted with an electron-donating group, an electron-donating heterocyclic group which may be substituted, or a substituent. An optionally substituted amino group, and a group selected from the group consisting of an alkyl group,
The electron withdrawing group represented by Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Selected from the group consisting of an optionally substituted phosphine oxide group, an optionally substituted boryl group, an optionally substituted aryl group with an electron withdrawing group, and an optionally substituted electron withdrawing heterocyclic group. It is a base. )
[2] The π-conjugated compound according to [1], wherein in the general formula (1), Z 1 represents the electron-donating group.
[3] The π-conjugated compound according to [1] or [2], wherein in the general formula (1), Z 1 represents the electron donating group, and Z 2 and Z 3 represent a hydrogen atom.
[4] The π-conjugated compound according to any one of [1] to [3], wherein the aromatic hetero 5-membered ring skeleton contains a nitrogen atom.
[5] an absolute value of the lowest Delta] E ST of the energy difference between the excited singlet state and the lowest excited triplet level is below 0.50eV, [1] ~ π-conjugated according to any one of [4] Compounds.

[6] [1]〜[5]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
[7] [1]〜[5]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含み、前記π共役系化合物が蛍光を放射する、発光材料。
[8] 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、[7]に記載の発光材料。
[9] [1]〜[5]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、発光性薄膜。
[10] 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、[9]に記載の発光性薄膜。
[11] 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層とを含み、
前記発光層の少なくとも一層が、[1]〜[5]のいずれか一項に記載のπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
[12] 前記π共役系化合物が、励起子を生成する、[11]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[13] 前記π共役系化合物が、蛍光を放射する、[11]又は[12]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[14] 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、[13]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[15] 前記発光層が、前記π共役系化合物と、ホスト化合物と、を含む、[11]〜[14]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[16] 前記発光層は、前記π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方とを含む、[11]〜[15]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[17] 前記発光層は、前記π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方と、ホスト化合物とを含む、[11]〜[15]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
[6] An organic electroluminescence device material containing the π-conjugated compound according to any one of [1] to [5].
[7] A luminescent material containing the π-conjugated compound according to any one of [1] to [5], wherein the π-conjugated compound emits fluorescence.
[8] The luminescent material according to [7], wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence.
[9] A luminescent thin film containing the π-conjugated compound according to any one of [1] to [5].
[10] The luminescent thin film according to [9], wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence.
[11] An anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the anode and the cathode,
At least one layer of the said light emitting layer is an organic electroluminescent element containing the (pi) conjugated system compound as described in any one of [1]-[5].
[12] The organic electroluminescent device according to [11], in which the π-conjugated compound produces excitons.
[13] The organic electroluminescence device according to [11] or [12], wherein the π-conjugated compound emits fluorescence.
[14] The organic electroluminescence device according to [13], wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence.
[15] The organic electroluminescence device according to any one of [11] to [14], wherein the light emitting layer contains the π-conjugated compound and a host compound.
[16] The organic electroluminescence according to any one of [11] to [15], wherein the light emitting layer contains the π-conjugated compound and at least one of a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound. element.
[17] The emitting layer contains the π-conjugated compound, at least one of a fluorescent emitting compound and a phosphorescent emitting compound, and a host compound, according to any one of [11] to [15]. Organic electroluminescent device.

[18] 前記ホスト化合物が、下記一般式(I)で表される構造を有する、[15]または[17]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

Figure 0006705148
(一般式(I)中、
101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表し、
〜yは、各々独立に、CR106又は窒素原子を表し、
101〜R106は、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ar101及びAr102は、各々独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
n101及びn102は、各々0〜4の整数を表す。
ただし、R101が水素原子の場合は、n101は1〜4の整数を表す。)
[19] 前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物が、下記一般式(II)で表される構造を有する、[18]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0006705148
(一般式(II)中、
101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表し、
101〜R105は、各々水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ar101及びAr102は、各々独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
n102は0〜4の整数を表す。)
[20] [11]〜[19]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、表示装置。
[21] [11]〜[19]のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、照明装置。 [18] The organic electroluminescence device according to [15] or [17], wherein the host compound has a structure represented by the following general formula (I).
Figure 0006705148
(In the general formula (I),
X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 ,
y 1 to y 8 each independently represent CR 106 or a nitrogen atom,
R 101 to R 106 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring,
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4.
However, when R 101 is a hydrogen atom, n 101 represents an integer of 1 to 4. )
[19] The organic electroluminescent device according to [18], wherein the host compound having a structure represented by the general formula (I) has a structure represented by the following general formula (II).
Figure 0006705148
(In the general formula (II),
X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 ,
R 101 to R 105 each represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring,
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n102 represents an integer of 0 to 4. )
[20] A display device including the organic electroluminescence element according to any one of [11] to [19].
[21] A lighting device including the organic electroluminescence element according to any one of [11] to [19].

本発明の上記手段により、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することができる。さらに、本発明の上記手段により、発光効率の改良を実現した新たな有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。また、当該π共役系化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光性薄膜、発光材料、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。 By the above means of the present invention, it is possible to provide a new π-conjugated compound capable of improving the light emission efficiency of an organic electroluminescence device, for example. Furthermore, by the above means of the present invention, it is possible to provide a new organic electroluminescence device that realizes improvement in luminous efficiency. Further, it is possible to provide an organic electroluminescence element material, a light emitting thin film, a light emitting material using the π-conjugated compound, and a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element.

TADF化合物のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。It is the schematic diagram which showed the energy diagram of a TADF compound. 一般的な蛍光発光性材料のエネルギーダイヤグラム示した模式図である。It is a schematic diagram showing an energy diagram of a general fluorescent material. π共役系化合物がアシストドーパント材料として機能する場合のエネルギーダイヤグラムを示した模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing an energy diagram when a π-conjugated compound functions as an assist dopant material. π共役系化合物がホスト材料として機能する場合のエネルギーダイヤグラムを示した模式図である。It is a schematic diagram showing an energy diagram when a π-conjugated compound functions as a host material. 有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。It is a schematic diagram which showed an example of the display apparatus comprised from an organic EL element. アクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a display device by an active matrix system. 画素の回路を示した概略図である。It is the schematic which showed the circuit of a pixel. パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。It is a schematic diagram of a display device of a passive matrix system. 照明装置の概略図である。It is a schematic diagram of an illuminating device. 照明装置の模式図である。It is a schematic diagram of an illuminating device.

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。 Hereinafter, the present invention, its components, and modes and modes for carrying out the present invention will be described in detail. In addition, in this application, "-" is used in the meaning which includes the numerical value described before and after that as a lower limit and an upper limit.

本発明者らは、ベンゼン環と、それに置換する電子吸引性基と、少なくとも2つの電子供与性基とを含むπ共役系化合物において、電子吸引性基を芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基Aとし、更に電子吸引性基Aのパラ位と、その少なくとも一方の隣に電子供与性基を有するπ共役系化合物は、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を高めることができることを見出した。その理由は必ずしも明らかではないが、以下のように推測される。 In the π-conjugated compound containing a benzene ring, an electron-withdrawing group substituting the benzene ring, and at least two electron-donating groups, the electron-withdrawing group is an electron having an aromatic hetero 5-membered ring skeleton. and withdrawing group a 1, further and para electron-withdrawing group a 1, [pi conjugated compound having an electron-donating group on at least one neighbor, that can increase the luminous efficiency of the example organic electroluminescence element Found. The reason is not always clear, but it is presumed as follows.

芳香族複素5員環化合物(例えばトリアゾール、オキサゾールなど)や、芳香族複素5員環骨格を有する縮合環化合物(例えばベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾールなど)はTADF化合物の電子吸引性基として期待される化合物である。本発明のπ共役系化合物は、電子吸引性基として芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基を有する。このような電子吸引性基はアクセプター部位になり得る。更に、電子吸引性基から最も離れたパラ位およびその少なくとも一方の隣に(即ち、ベンゼン環のオルト位の一つの組み合わせ)に電子供与性基Dを有するという特定の構成を満たすことによって、高い電子供与性が得られると考えられる。これは電子供与性基Dが2以上存在することに加え、ベンゼン環のオルト位で置換している、即ち、「空間上で隣接」しているためである。電子供与性基が空間上で隣接していると、励起状態で電子供与性部が帯びる正電荷を複数の電子供与性基が空間的に共鳴して安定化することができるため、励起状態が安定化して無輻射失活が抑制され、発光効率を高めることができると考えられる。さらには、電子供与性基Dがスルーボンドでの連結ではなく、スルースペースで相互作用しているため、吸収スペクトルや発光スペクトルの長波長化も抑制できると考えられる。 Aromatic hetero 5-membered ring compounds (eg, triazole, oxazole, etc.) and condensed ring compounds having an aromatic hetero 5-membered ring skeleton (eg, benzotriazole, benzoxazole, etc.) are compounds expected as electron withdrawing groups of TADF compounds. Is. The π-conjugated compound of the present invention has an electron-withdrawing group having an aromatic hetero 5-membered ring skeleton as the electron-withdrawing group. Such an electron-withdrawing group can be an acceptor site. Furthermore, by satisfying the specific constitution of having an electron-donating group D in the para position farthest from the electron-withdrawing group and adjacent to at least one of the para-positions (that is, one combination of the ortho-positions of the benzene ring), It is considered that the electron donating property can be obtained. This is because, in addition to the presence of two or more electron-donating groups, they are substituted at the ortho position of the benzene ring, that is, "adjacent in space". When the electron-donating groups are adjacent to each other in space, a plurality of electron-donating groups can be spatially resonated to stabilize the positive charge carried by the electron-donating moiety in the excited state. It is considered that the emission is stabilized and the non-radiative deactivation is suppressed, and the luminous efficiency can be improved. Furthermore, it is considered that the electron-donating group D interacts not in through-bonding but in through-space, so that the absorption spectrum and the emission spectrum can be prevented from having a longer wavelength.

<π共役系化合物>
本発明のπ共役系化合物は、下記一般式(1)で表される構造を有する化合物である。

Figure 0006705148
<π-conjugated compound>
The π-conjugated compound of the present invention is a compound having a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0006705148

一般式(1)中、
は、置換されていてもよい芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基を表し、
及びDは、それぞれ独立して電子供与性基を表し、
〜Zは、それぞれ独立して水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表す。
In the general formula (1),
A 1 represents an electron-withdrawing group having an optionally substituted aromatic hetero 5-membered ring skeleton,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group.

(Aについて)
は、置換されていてもよい芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基である。置換されていてもよい芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基は、電子吸引性の芳香族複素5員環の単環化合物(例えばトリアゾール、オキサゾールなど)や、電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する縮合環化合物(例えばベンゾトリアゾール、ベンゾオキサゾールなど)から誘導される基である。このような基は、電子求引性基として優れているだけでなく、入手が容易であり、かつ有機合成も容易である。よって、TADF化合物の電子吸引性基として好適である。
(About A 1 )
A 1 is an electron-attracting group having an optionally substituted aromatic hetero 5-membered ring skeleton. The electron-withdrawing group having an optionally substituted aromatic hetero 5-membered ring skeleton is an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered monocyclic compound (for example, triazole or oxazole) or an electron-withdrawing aromatic It is a group derived from a condensed ring compound having a hetero 5-membered ring skeleton (eg, benzotriazole, benzoxazole, etc.). Such a group is not only excellent as an electron-withdrawing group, but also easily available and easily organically synthesized. Therefore, it is suitable as an electron-withdrawing group of a TADF compound.

なお、「電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する縮合環化合物から誘導される基」の結合手は、芳香族複素5員環骨格の構成原子から出ていてもよいし、それ以外の芳香族環から出ていてもよい。良好な電子吸引性が得られやすい点から、「電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する縮合環化合物から誘導される基」の結合手は、芳香族複素5員環骨格の構成原子から出ていることが好ましい。 The bond of the “group derived from a fused ring compound having an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton” may be derived from a constituent atom of the aromatic hetero 5-membered ring skeleton, or otherwise. May come out of the aromatic ring. The bond of the “group derived from a condensed ring compound having an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton” is a constituent atom of the aromatic hetero 5-membered ring skeleton from the viewpoint that good electron withdrawing property is easily obtained. Is preferred.

電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を構成するヘテロ原子としては、窒素原子、ホウ素原子、酸素原子、硫黄原子、ケイ素原子、リン原子などが挙げられる。中でも、硫黄原子又は窒素原子が好ましく、窒素原子がより好ましい。芳香族複素5員環骨格に窒素原子を含む電子吸引性基は、より電子求引性が強く、安定性が高いため好ましい。 Examples of the hetero atom constituting the electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton include a nitrogen atom, a boron atom, an oxygen atom, a sulfur atom, a silicon atom, a phosphorus atom and the like. Of these, a sulfur atom or a nitrogen atom is preferable, and a nitrogen atom is more preferable. An electron-attracting group containing a nitrogen atom in the aromatic hetero 5-membered ring skeleton is more preferable because it has higher electron withdrawing property and higher stability.

で表される「芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基」は、炭素原子数1〜30の電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような複素環基の例には、
ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、
インドール環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、
アザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、
等が含まれる。
The “electron-withdrawing group having an aromatic hetero 5-membered ring skeleton” represented by A 1 is a group derived from a heterocycle having an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton having 1 to 30 carbon atoms. Is preferred. Examples of such heterocyclic groups include:
Pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene ring Oxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring,
Indole ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene ring Ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring,
Azacarbazole ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring,
Etc. are included.

電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する複素環は、良好な電子吸引性を示すことから、電子吸引性の含窒素芳香族5員環骨格を有する複素環であることが好ましく、電子吸引性の含窒素芳香族5員環の単環化合物がより好ましく、トリアゾール環やチアゾール環がさらに好ましい。 Since the heterocycle having an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton exhibits a good electron-withdrawing property, it is preferably a heterocycle having an electron-withdrawing nitrogen-containing aromatic 5-membered ring skeleton. A nitrogen-containing aromatic 5-membered monocyclic compound having an attractive property is more preferable, and a triazole ring or a thiazole ring is further preferable.

「電子吸引性の芳香族複素5員環骨格を有する基」における芳香族複素5員環骨格は、置換基を更に有しうる。そのような置換基の例には、「フッ素原子」、「フッ素原子で置換されたアルキル基」、「置換されていてもよいカルボニル基」、「置換されていてもよいスルホニル基」、「置換されていてもよいホスフィンオキサイド基」、「置換されていてもよいボリル基」、「置換されていてもよいアリール基(好ましくは電子吸引性基で置換されていてもよいアリール基)」、及び「置換されていてもよい電子吸引性の複素環基」が含まれる。 The aromatic hetero 5-membered ring skeleton in the "group having an electron-withdrawing aromatic hetero 5-membered ring skeleton" may further have a substituent. Examples of such a substituent include "fluorine atom", "alkyl group substituted with fluorine atom", "optionally substituted carbonyl group", "optionally substituted sulfonyl group", "substituted" Optionally substituted phosphine oxide group”, “optionally substituted boryl group”, “optionally substituted aryl group (preferably aryl group optionally substituted with electron withdrawing group)”, and The “optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group” is included.

「フッ素原子で置換されたアルキル基」におけるアルキル基は、前述のアルキル基と同義である。フッ素で置換されたアルキル基の例には、−CF、−CFH、−CHF、−CFCF等が含まれる。 The alkyl group in the “alkyl group substituted with a fluorine atom” has the same meaning as the above alkyl group. Examples of the alkyl group substituted by fluorine, -CF 3, -CF 2 H, -CH 2 F, include -CF 2 CF 3 and the like.

「置換されていてもよいカルボニル基」、「置換されていてもよいスルホニル基」、「置換されていてもよいホスフィンオキサイド基」及び「置換されていてもよいボリル基」における置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素原子で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよい電子吸引性の複素環基が含まれる。 Examples of the substituents in the “optionally substituted carbonyl group”, the “optionally substituted sulfonyl group”, the “optionally substituted phosphine oxide group” and the “optionally substituted boryl group” Include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group which may be substituted with a fluorine atom, an aryl group which may be substituted, and an electron-withdrawing heterocyclic group which may be substituted.

「置換されていてもよいアリール基」におけるアリール基は、前述のアリール基と同義である。 The aryl group in the "optionally substituted aryl group" has the same meaning as the above aryl group.

当該アリール基が有しうる置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、置換されていてもよい電子吸引性の複素環基、置換されていてもよいアミノ基が含まれる。
中でも、当該アリール基が有しうる置換基は、電子吸引性基であることが好ましく、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環基が好ましく;フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環基がより好ましい。
Examples of the substituent which the aryl group may have include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group which may be substituted with fluorine, an optionally substituted carbonyl group, and an optionally substituted carbonyl group. It includes a sulfonyl group, an optionally substituted phosphine oxide group, an optionally substituted boryl group, an optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group, and an optionally substituted amino group.
Among them, the substituent that the aryl group may have is preferably an electron-withdrawing group, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted by fluorine, an optionally substituted carbonyl group, a substituent Optionally substituted sulfonyl group, optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted electron withdrawing heterocyclic group; fluorine atom, cyano group, An alkyl group optionally substituted with fluorine and an electron-withdrawing heterocyclic group optionally substituted are more preferable.

「置換されていてもよい電子吸引性の複素環基」は、前述のAで表される「芳香族複素5員環骨格を有する基」の他に、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、及びフェナントロリン環等のA以外の電子吸引性の芳香族複素環から誘導される基が含まれる。なお、これらの複素環は、アリール基の芳香環と縮合していないものとする。 The "optionally substituted electron-withdrawing heterocyclic group" includes, in addition to the "group having an aromatic hetero 5-membered ring skeleton" represented by A 1 , a pyridine ring, a pyridazine ring, a pyrimidine ring, From an electron-withdrawing aromatic heterocycle other than A 1 such as a pyrazine ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, a phenanthridine ring, and a phenanthroline ring. Induced groups are included. Note that these heterocycles are not condensed with the aromatic ring of the aryl group.

当該電子吸引性の複素環基が有しうる置換基の例には、重水素原子、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基で置換されていてもよいアリール基、フッ素で置換されていてもよいアリール基が含まれ;好ましくはフッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、及びフッ素で置換されていてもよいアリール基である。 Examples of the substituent that the electron-withdrawing heterocyclic group may have include a deuterium atom, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group which may be substituted with fluorine, and an alkyl group which may be substituted with fluorine. Include an aryl group optionally substituted with, an aryl group optionally substituted with fluorine; preferably a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group optionally substituted with fluorine, and a fluorine substituted Is also an aryl group.

(D及びDについて)
及びDは、それぞれ独立して電子供与性基である。電子供与性基は、「電子供与性基で置換されたアリール基」、「置換されていてもよい電子供与性の複素環基」、「置換されていてもよいアミノ基」、又は「アルキル基」でありうる。
(About D 1 and D 2 )
D 1 and D 2 are each independently an electron donating group. The electron-donating group is an "aryl group substituted with an electron-donating group", "an optionally substituted electron-donating heterocyclic group", "an optionally substituted amino group", or an "alkyl group". Can be.

Dで表される「電子供与性基で置換されたアリール基」におけるアリール基は、炭素原子数6〜24の芳香族炭化水素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族炭化水素環の例には、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、as−インダセン環、クリセン環、s−インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、及びテトラフェニル環等が含まれる。中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ビフェニレン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、クリセン環、フルオランテン環、ペリレン環、ビフェニル環、及びターフェニル環が好ましい。 The aryl group in the “aryl group substituted with an electron-donating group” represented by D is preferably a group derived from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 24 carbon atoms. Examples of such aromatic hydrocarbon rings include benzene ring, indene ring, naphthalene ring, azulene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, biphenylene ring, naphthacene ring, pyrene ring, pentalene ring, acean ring. Tolylene ring, heptalene ring, triphenylene ring, as-indacene ring, chrysene ring, s-indacene ring, pleiadene ring, phenalene ring, fluoranthene ring, perylene ring, acephenanthrylene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, and A tetraphenyl ring and the like are included. Among them, a benzene ring, naphthalene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, biphenylene ring, chrysene ring, pyrene ring, triphenylene ring, chrysene ring, fluoranthene ring, perylene ring, biphenyl ring, and terphenyl ring are preferable.

当該アリール基が有する電子供与性基の例には、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、及び置換されていてもよい電子供与性の複素環基等が含まれる。中でも、置換されていてもよいアミノ基、及び置換されていてもよい電子供与性の複素環基が好ましい。 Examples of the electron donating group contained in the aryl group include an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, and an optionally substituted electron donating heterocyclic group. Of these, an optionally substituted amino group and an optionally substituted electron-donating heterocyclic group are preferable.

アルキル基は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基、或いは炭素原子数5〜20の環状のアルキル基でありうる。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、及びn−イコシル基等が含まれ;好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、t−ブチル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基及び2−ヘキシルオクチル基である。 The alkyl group may be linear, branched or cyclic, and may be, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group. Group, 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-hexyloctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n- It includes a tetradecyl group, n-pentadecyl group, n-hexadecyl group, n-heptadecyl group, n-octadecyl group, n-nonadecyl group, n-icosyl group and the like; preferably a methyl group, an ethyl group, an isopropyl group, t -Butyl group, cyclohexyl group, 2-ethylhexyl group and 2-hexyloctyl group.

アルコシキ基は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数1〜20の直鎖又は分岐のアルコキシ基、或いは炭素原子数6〜20の環状のアルコキシ基でありうる。アルコキシ基の例には、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、イソプロポキシ基、n−ブトキシ基、イソブトキシ基、t−ブトキシ基、n−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、3,7−ジメチルオクチルオキシ基、n−ウンデシルオキシ基、n−ドデシルオキシ基、n−トリデシルオキシ基、n−テトラデシルオキシ基、2−n−ヘキシル−n−オクチルオキシ基、n−ペンタデシルオキシ基、n−ヘキサデシルオキシ基、n−ヘプタデシルオキシ基、n−オクタデシルオキシ基、n−ノナデシルオキシ基、n−イコシルオキシ基等が含まれ、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、t−ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基、2−エチルヘキシルオキシ基、2−ヘキシルオクチルオキシ基である。 The alkoxy group may be linear, branched or cyclic, and may be, for example, a linear or branched alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms or a cyclic alkoxy group having 6 to 20 carbon atoms. Examples of the alkoxy group include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, isopropoxy group, n-butoxy group, isobutoxy group, t-butoxy group, n-pentyloxy group, neopentyloxy group, n-hexyloxy group. Group, cyclohexyloxy group, n-heptyloxy group, n-octyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, nonyloxy group, decyloxy group, 3,7-dimethyloctyloxy group, n-undecyloxy group, n-dodecyloxy group Group, n-tridecyloxy group, n-tetradecyloxy group, 2-n-hexyl-n-octyloxy group, n-pentadecyloxy group, n-hexadecyloxy group, n-heptadecyloxy group, n -Octadecyloxy group, n-nonadecyloxy group, n-icosyloxy group and the like are included, and preferably methoxy group, ethoxy group, isopropoxy group, t-butoxy group, cyclohexyloxy group, 2-ethylhexyloxy group, 2-hexyloctyl group. It is an oxy group.

置換されていてもよいアミノ基における置換基の例には、アルキル基、及びアルキル基で置換されていてもよいアリール基が含まれる。アルキル基及びアリール基は、前述のアルキル基、及び(電子供与性基で置換されたアリール基における)アリール基とそれぞれ同義である。 Examples of the substituent of the amino group which may be substituted include an alkyl group and an aryl group which may be substituted with an alkyl group. The alkyl group and the aryl group have the same meanings as the above-mentioned alkyl group and aryl group (in the aryl group substituted with an electron-donating group), respectively.

置換されていてもよい電子供与性の複素環基の例には、後述の電子供与性の複素環基と同様のものが含まれる。 Examples of the electron-donating heterocyclic group which may be substituted include those similar to the electron-donating heterocyclic group described below.

Dで表される「置換されていてもよい電子供与性の複素環基」における「電子供与性の複素環基」は、炭素原子数4〜24の電子供与性の複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような複素環の例には、ピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、及びジアザカルバゾール環等が含まれる。中でも、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、及びベンゾフリルインドール環が好ましい。電子供与性の複素環基は、同一の又は異なる2以上の上記複素環が単結合を介して結合したものであってもよい。 The "electron-donating heterocyclic group" in the "optionally substituted electron-donating heterocyclic group" represented by D is a group derived from an electron-donating heterocyclic ring having 4 to 24 carbon atoms. Is preferred. Examples of such a heterocycle include a pyrrole ring, an indole ring, a carbazole ring, an indoloindole ring, a 9,10-dihydroacridine ring, a phenoxazine ring, a phenothiazine ring, a dibenzothiophene ring, a benzofurylindole ring, a benzothieno ring. Examples include an indole ring, an indolocarbazole ring, a benzofurylcarbazole ring, a benzothienocarbazole ring, a benzothienobenzothiophene ring, a benzocarbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, and a diazacarbazole ring. Of these, a carbazole ring, an indoloindole ring, a 9,10-dihydroacridine ring, a phenoxazine ring, a phenothiazine ring, a dibenzothiophene ring, and a benzofurylindole ring are preferable. The electron-donating heterocyclic group may be a combination of two or more of the same or different heterocyclic groups bonded via a single bond.

当該複素環基が有しうる置換基の例には、アルキル基、及びアルキル基で置換されていてもよいアリール基が含まれる。アルキル基及びアリール基は、それぞれ前述のアルキル基及びアリール基と同義である。 Examples of the substituent which the heterocyclic group may have include an alkyl group and an aryl group which may be substituted with an alkyl group. The alkyl group and the aryl group have the same meanings as the above-mentioned alkyl group and aryl group, respectively.

Dで表される「置換されていてもよいアミノ基」における置換基の例には、アルキル基、アルキル基で置換されていてもよいアリール基が含まれる。アルキル基及びアリール基は、それぞれ前述のアルキル基及びアリール基と同様でありうる。 Examples of the substituent in the “optionally substituted amino group” represented by D include an alkyl group and an aryl group optionally substituted with an alkyl group. The alkyl group and the aryl group may be the same as the aforementioned alkyl group and aryl group, respectively.

Dで表される「アルキル基」は、前述のアルキル基と同義である。 The “alkyl group” represented by D has the same meaning as the above alkyl group.

これらの中でも、電子供与性基Dは、高い電子供与性を有することから、「置換されていてもよい電子供与性の複素環基」であることが好ましい。 Among these, the electron donating group D is preferably an “optionally substituted electron donating heterocyclic group” because it has a high electron donating property.

(Z〜Zについて)
〜Zは、それぞれ独立して水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表す。
(About Z 1 to Z 3 )
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group.

〜Zとして用いる電子供与性基は、上述した電子供与性基と同義である。 The electron donating group used as Z 1 to Z 3 has the same meaning as the electron donating group described above.

〜Zとして用いる電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、電子吸引性基で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよい電子吸引性の複素環基が挙げられる。これらは、前述の電子吸引性の芳香族複素5員環骨格が有しうる置換基と同義である。 The electron-withdrawing group used as Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an optionally substituted phosphine. Examples thereof include an oxide group, an optionally substituted boryl group, an aryl group optionally substituted by an electron withdrawing group, and an optionally substituted electron withdrawing heterocyclic group. These are synonymous with the substituents that the electron-withdrawing aromatic heterocyclic 5-membered ring skeleton may have.

本発明のπ共役系化合物は、前記一般式(1)において、Zが電子供与性基を表すことが好ましい(下記一般式(2)参照)。Zが電子供与性基であると、電子吸引性基であるAに対してパラ位の電子供与性基であるDの両隣が電子供与性基となり、3個の電子供与性基が連続して隣り合う位置で置換している構造となる。このような構造においては、2つの電子供与性基に挟まれた中央の電子供与性基(電子供与性基D)の回転運動が抑制され、化合物としての励起状態がより安定化される。

Figure 0006705148
(一般式(2)中、
は、一般式(1)のAと同義であり、
〜Dは、それぞれ一般式(1)のD及びDと同義であり、
及びZは、それぞれ一般式(1)のZ〜Zと同義である) In the π-conjugated compound of the present invention, it is preferable that Z 1 in the general formula (1) represents an electron donating group (see the following general formula (2)). When Z 1 is an electron-donating group, both sides of D 1 which is an electron-donating group in the para position with respect to A 1 which is an electron-withdrawing group become an electron-donating group and three electron-donating groups are formed. The structure is such that replacement is performed at positions that are adjacent to each other. In such a structure, the rotational movement of the central electron donating group (electron donating group D 1 ) sandwiched between the two electron donating groups is suppressed, and the excited state as a compound is further stabilized.
Figure 0006705148
(In the general formula (2),
A 1 has the same meaning as A 1 in formula (1),
D 1 to D 3 are synonymous with D 1 and D 2 of the general formula (1), respectively,
Z 2 and Z 3 have the same meanings as Z 1 to Z 3 in formula (1), respectively.

更に本発明のπ共役系化合物は、Zが電子供与性基Dであることに加え、ZとZが水素原子であることがより好ましい(下記一般式(3)参照)。Zが電子供与性基Dであることに加え、更にZとZが水素原子であると、ドナー性部位とアクセプター性部位が適切な距離で離れているため、空間を介したドナーからアクセプターへの電荷移動が起こらないため好ましい。

Figure 0006705148
(一般式(3)中、
は、一般式(1)のAと同義であり、
〜Dは、それぞれ一般式(1)のD及びDと同義である) Further, in the π-conjugated compound of the present invention, it is more preferable that Z 1 is an electron-donating group D and that Z 2 and Z 3 are hydrogen atoms (see the following general formula (3)). When Z 1 is an electron-donating group D and Z 2 and Z 3 are hydrogen atoms, the donor site and the acceptor site are separated from each other by an appropriate distance. It is preferable because charge transfer to the acceptor does not occur.
Figure 0006705148
(In the general formula (3),
A 1 has the same meaning as A 1 in formula (1),
D 1 to D 3 have the same meanings as D 1 and D 2 in formula (1), respectively.

前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物は、該π共役系化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子材料、及び該π共役系化合物を含有する発光性薄膜、及び該π共役系化合物を含有する有機エレクトロルミネッセンス素子として用いることができる。 The π-conjugated compound having the structure represented by the general formula (1) is an organic electroluminescent device material containing the π-conjugated compound, a light emitting thin film containing the π-conjugated compound, and the π-conjugated compound. It can be used as an organic electroluminescence device containing a compound.

前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物は、電界励起によって励起状態となり、励起子を生成することができる。したがって、前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物は、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光層に好ましく含まれる。即ち、発光層は、高発光性の観点から、前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を単独で用いるか;前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物と後述のホスト化合物とを含有するか;前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物と、後述の蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種とを含有するか;或いは前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物と、後述の蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種と、後述のホスト化合物とを含有することが好ましい。 The π-conjugated compound having the structure represented by the general formula (1) becomes excited by electric field excitation and can generate excitons. Therefore, the π-conjugated compound having the structure represented by the general formula (1) is preferably contained in the light emitting layer of the organic electroluminescence device. That is, in the light emitting layer, from the viewpoint of high light emission, the π-conjugated compound having the structure represented by the general formula (1) is used alone or the π conjugated compound having the structure represented by the general formula (1) is used. Containing a conjugated compound and a host compound described below; a π-conjugated compound having a structure represented by the general formula (1), and at least one of a fluorescent emitting compound and a phosphorescent emitting compound described below. Or a π-conjugated compound having a structure represented by the general formula (1), at least one of a fluorescent emitting compound and a phosphorescent emitting compound described below, and a host compound described below. It is preferable to contain

前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物において、該π共役系化合物の最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値(ΔEST)が0.50eV以下であることが好ましく、前記有機エレクトロルミネッセンス素子、前記素子材料、又は前記発光性薄膜に含有されることが好ましい。 In the π-conjugated compound having the structure represented by the general formula (1), the absolute value (ΔE ST ) of the energy difference between the lowest excited singlet level and the lowest excited triplet level of the π-conjugated compound is It is preferably 0.50 eV or less, and is preferably contained in the organic electroluminescence element, the element material, or the light emitting thin film.

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、照明装置及び表示装置に好適に具備され得る。 The organic electroluminescent element of the present invention can be suitably provided in a lighting device and a display device.

以下に、本発明に係るπ共役系化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していたり、構造異性体などが存在していたりする場合もあり、本記述に限定されない。 Hereinafter, preferred specific examples of the π-conjugated compound according to the present invention will be given. However, these compounds may further have a substituent or may have structural isomers, etc., and are limited to the present description. Not done.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

これらの化合物のうちΔESTの絶対値が0.50eV以下の材料については、TADF性(遅延蛍光性)を示す、つまり遅延蛍光を放射してもよい。ここで、遅延蛍光性を示すとは、蛍光減衰測定を行った時に、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が2種類以上あることをいう。なお、減衰が遅い成分は一般的には減衰時間がサブマイクロ秒以上であることが多いが、材料によって減衰時間が異なるため、減衰時間は限定されない。蛍光減衰測定は、一般的には以下のように行うことができる。π共役系化合物(発光性化合物)の溶液又は薄膜、又はπ共役系化合物と第二成分との共蒸着膜に、窒素雰囲気下で励起光を照射し、ある発光波長の光子数を計測する。そしてこのとき、放射される蛍光の減衰速度の異なる成分が2種類以上ある場合に、π共役系化合物が遅延蛍光性を示すものとする。 The absolute value of the following materials 0.50eV of Delta] E ST of these compounds are shown TADF resistance (delay fluorescent), i.e. may emit delayed fluorescence. Here, the expression of delayed fluorescence means that there are two or more kinds of components having different decay rates of emitted fluorescence when fluorescence decay measurement is performed. Note that the components with slow decay generally have a decay time of submicroseconds or more in general, but the decay time is not limited because the decay time differs depending on the material. The fluorescence decay measurement can be generally performed as follows. A solution or thin film of a π-conjugated compound (light-emitting compound) or a co-deposited film of a π-conjugated compound and a second component is irradiated with excitation light in a nitrogen atmosphere, and the number of photons having a certain emission wavelength is measured. At this time, the π-conjugated compound exhibits delayed fluorescence when there are two or more components having different decay rates of the emitted fluorescence.

さらに、これらの化合物は、バイポーラー性を有し、様々なエネルギー準位に対応できることから、発光ホストとしても使用できるのみならず、正孔輸送、電子輸送にも適した化合物として使用することができるため、発光層での使用に限定されず、上述の正孔注入層、正孔輸送層、電子阻止層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層などに用いてもよい。 Furthermore, since these compounds have a bipolar property and can cope with various energy levels, they can be used not only as a light-emitting host but also as a compound suitable for hole transport and electron transport. Therefore, it is not limited to use in the light emitting layer, and may be used in the above-mentioned hole injection layer, hole transport layer, electron blocking layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, intermediate layer and the like. ..

<合成方法>
上記π共役系化合物は、例えば、国際公開第2010/113755号、Organic Letters,2002,4,1783-1785.、Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 2014-2017.に記載の方法、又は、これらの文献に記載の参照文献に記載の方法を参照することにより合成することができる。
<Synthesis method>
Examples of the π-conjugated compound include those disclosed in International Publication No. 2010/113755, Organic Letters, 2002, 4, 1783-1785. , Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 2014-2017. Or the methods described in the references described in these documents.

次に、本発明の技術思想と関連する、有機ELの発光方式及び発光材料について述べる。 Next, the light emitting system and the light emitting material of the organic EL, which are related to the technical idea of the present invention, will be described.

<有機ELの発光方式>
有機ELの発光方式としては三重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「リン光発光」と、一重項励起状態から基底状態に戻る際に光を発する「蛍光発光」の二通りがある。
有機ELのような電界で励起する場合には、三重項励起子が75%の確率で、一重項励起子が25%の確率で生成するため、リン光発光の方が蛍光発光に比べ発光効率を高くすることが可能で、低消費電力化を実現するには優れた方式である。
一方、蛍光発光においても、75%の確率で生成してしまう、通常では、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしかならない三重項励起子を、高密度で存在させることによって、二つの三重項励起子から一つの一重項励起子を発生させて発光効率を向上させるTTA(Triplet−Triplet Annihilation、また、Triplet−Triplet Fusion:「TTF」と略記する。)機構を利用した方式が見つかっている。
<Organic EL emission method>
There are two types of organic EL emission methods: "phosphorescence emission" that emits light when returning from the triplet excited state to the ground state, and "fluorescence emission" that emits light when returning from the singlet excited state to the ground state. is there.
When excited by an electric field such as an organic EL, triplet excitons are generated with a probability of 75% and singlet excitons are generated with a probability of 25%. Therefore, phosphorescence emission is more efficient than fluorescence emission. It is an excellent method for realizing low power consumption.
On the other hand, even in fluorescence emission, triplet excitons, which normally generate heat with a probability of 75% and are only heat due to non-radiative deactivation, are caused to exist at high density. A method using a TTA (triplet-triplet annealing, or abbreviated as "triple-triplet fusion (TTF)") mechanism for generating one singlet exciton from two triplet excitons to improve light emission efficiency. Found

さらに、近年では、安達らの発見により一重項励起状態と三重項励起状態のエネルギーギャップを小さくすることで、発光中のジュール熱及び/又は発光素子が置かれる環境温度によりエネルギー準位の低い三重項励起状態から一重項励起状態に逆項間交差がおこり、結果としてほぼ100%に近い蛍光発光を可能とする現象(熱励起型遅延蛍光又は熱励起型遅延蛍光ともいう:「TADF」)とそれを可能にする蛍光物質が見いだされている(例えば、非特許文献1等参照。)。 Further, in recent years, by the discovery of Adachi et al., by making the energy gap between the singlet excited state and the triplet excited state small, triple energy with low energy level due to Joule heat during light emission and/or environmental temperature where the light emitting element is placed. A phenomenon in which an inverse intersystem crossing occurs from a term excited state to a singlet excited state, and as a result, fluorescence emission close to 100% is possible (also referred to as thermally excited delayed fluorescence or thermally excited delayed fluorescence: “TADF”). A fluorescent substance that enables this has been found (for example, see Non-Patent Document 1).

<リン光発光性化合物>
前述のとおり、リン光発光は発光効率的には蛍光発光よりも理論的には3倍有利であるが、三重項励起状態から一重項基底状態へのエネルギー失活(=リン光発光)は禁制遷移であり、また同様に一重項励起状態から三重項励起状態への項間交差も禁制遷移であるため、通常その速度定数は小さい。すなわち、遷移が起こりにくいため、励起子寿命はミリ秒から秒オーダーと長くなり、所望の発光を得ることが困難である。
ただし、イリジウムや白金などの重金属を用いた錯体が発光する場合には、中心金属の重原子効果によって、前記の禁制遷移の速度定数が3桁以上増大し、配位子の選択によっては、100%のリン光量子収率を得ることも可能となる。
しかしながら、このような理想的な発光を得るためには、希少金属であるイリジウムやパラジウム、白金などのいわゆる白金属と呼ばれる貴金属を用いる必要があり、大量に使用されることになるとその埋蔵量や金属自体の値段が産業上大きな問題となってくる。
<Phosphorescent compound>
As described above, phosphorescence is theoretically three times more advantageous in terms of luminous efficiency than fluorescence, but energy deactivation (=phosphorescence) from the triplet excited state to the singlet ground state is forbidden. Since it is a transition, and similarly, intersystem crossing from a singlet excited state to a triplet excited state is also a forbidden transition, its rate constant is usually small. That is, since transition is less likely to occur, the exciton lifetime is extended from millisecond to second order, and it is difficult to obtain desired light emission.
However, when a complex using a heavy metal such as iridium or platinum emits light, the heavy atom effect of the central metal increases the rate constant of the above-mentioned forbidden transition by three orders of magnitude or more, and depending on the selection of the ligand, 100 It is also possible to obtain a phosphorescence quantum yield of %.
However, in order to obtain such ideal light emission, it is necessary to use a precious metal called a so-called white metal such as iridium, palladium, or platinum, which is a rare metal, and when it is used in a large amount, its reserves or The price of metal itself becomes a big problem in industry.

<蛍光発光性化合物>
一般的な蛍光発光性化合物は、リン光発光性化合物のような重金属錯体である必要性は特になく、炭素、酸素、窒素及び水素などの一般的な元素の組み合わせから構成される、いわゆる有機化合物が適用でき、さらに、リンや硫黄、ケイ素などその他の非金属元素を用いることも可能で、また、アルミニウムや亜鉛などの典型金属の錯体も活用できるなど、その多様性はほぼ無限と言える。
ただし、従来の蛍光化合物では前記のように励起子の25%しか発光に適用できないために、リン光発光のような高効率発光は望めない。
<Fluorescent compound>
A general fluorescent compound does not need to be a heavy metal complex such as a phosphorescent compound, and is a so-called organic compound composed of a combination of general elements such as carbon, oxygen, nitrogen and hydrogen. Can be applied, and other non-metal elements such as phosphorus, sulfur, and silicon can be used, and the complex of typical metals such as aluminum and zinc can be utilized.
However, in the conventional fluorescent compound, since only 25% of excitons can be applied to the light emission as described above, highly efficient light emission such as phosphorescence cannot be expected.

<遅延蛍光化合物>
[励起三重項−三重項消滅(TTA)遅延蛍光化合物]
蛍光発光性化合物の問題点を解決すべく登場したのが遅延蛍光を利用した発光方式である。三重項励起子同士の衝突を起源とするTTA方式は、下記のような一般式で記述できる。すなわち、従来、励起子のエネルギーが、無輻射失活により、熱にしか変換されなかった三重項励起子の一部が、発光に寄与しうる一重項励起子に逆項間交差できるメリットがあり、実際の有機EL素子においても従来の蛍光発光素子の約2倍の外部取り出し量子効率を得ることができている。
一般式: T + T → S + S
(式中、Tは三重項励起子、Sは一重項励起子、Sは基底状態分子を表す。)
しかしながら、上式からもわかるように、二つの三重項励起子から発光に利用できる一重項励起子は一つしか生成しないため、この方式で100%の内部量子効率を得ることは原理上できない。
<Delayed fluorescent compound>
[Excited triplet-triplet annihilation (TTA) delayed fluorescent compound]
A light emitting method using delayed fluorescence has appeared to solve the problems of the fluorescent compound. The TTA method, which originates from the collision of triplet excitons, can be described by the following general formula. That is, conventionally, the energy of excitons has a merit that a part of triplet excitons, which has been converted into only heat by non-radiative deactivation, can cross the singlet excitons that can contribute to light emission. In the actual organic EL device, the external extraction quantum efficiency about twice that of the conventional fluorescent light emitting device can be obtained.
General formula: T * +T * →S * +S
(In the formula, T * represents triplet excitons, S * represents singlet excitons, and S represents a ground state molecule.)
However, as can be seen from the above equation, since only one singlet exciton that can be used for light emission is generated from two triplet excitons, it is theoretically impossible to obtain 100% internal quantum efficiency by this method.

[熱活性型遅延蛍光(TADF)化合物]
もう一つの高効率蛍光発光であるTADF方式は、TTAの問題点を解決できる方式である。
蛍光発光性化合物は前記のごとく無限に分子設計できる利点を持っている。すなわち、分子設計された化合物の中で、特異的に三重項励起状態と一重項励起状態のエネルギー準位差が極めて近接する化合物が存在する。
このような化合物は、分子内に重原子を持っていないにもかかわらず、ΔESTが小さいために通常では起こりえない三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が起こる。さらに、一重項励起状態から基底状態への失活(=蛍光発光)の速度定数が極めて大きいことから、三重項励起子はそれ自体が基底状態に熱的に失活(無輻射失活)するよりも、一重項励起状態経由で蛍光を発しながら基底状態に戻る方が速度論的に有利である。そのため、TADFでは理論的には100%の蛍光発光が可能となる。
[Thermal activated delayed fluorescence (TADF) compound]
Another highly efficient fluorescent emission, the TADF method, is a method that can solve the problems of TTA.
Fluorescent compounds have the advantage that they can be designed infinitely as described above. That is, among the compounds whose molecules are designed, there are compounds in which the energy level difference between the triplet excited state and the singlet excited state is extremely close to each other.
Such compounds, even though in the molecule does not have a heavy atom, reverse intersystem crossing from a triplet excited state is usually not occur because Delta] E ST is smaller to the singlet excited state occurs. Furthermore, since the rate constant of deactivation (=fluorescence emission) from the singlet excited state to the ground state is extremely large, the triplet exciton itself is thermally deactivated to the ground state (non-radiative deactivation). It is kinetically advantageous to return to the ground state while emitting fluorescence via the singlet excited state. Therefore, TADF theoretically enables 100% fluorescence emission.

<ΔESTに関する分子設計思想>
上記ΔESTを小さくするための分子設計について説明する。
ΔESTを小さくするためには、原理上分子内の最高被占軌道(Highest Occupied Molecular Orbital:HOMO)と最低空軌道(Lowest Unoccupied Molecular Orbital:LUMO)の空間的な重なりを小さくすることが最も効果的である。
一般に分子の電子軌道において、HOMOは電子供与性部位に、LUMOは電子吸引性部位に分布することが知られており、分子内に電子供与性と電子吸引性の骨格を導入することによって、HOMOとLUMOが存在する位置を遠ざけることが可能である。
<Molecular design concepts related to ΔE ST>
It explained molecular design for reducing the Delta] E ST.
ΔE in order to reduce the ST is highest occupied molecular orbital in principle molecules (Highest Occupied Molecular Orbital: HOMO) and lowest unoccupied molecular orbital (Lowest Unoccupied Molecular Orbital: LUMO) spatial overlap the small to most effects of Target.
It is generally known that in the electron orbit of a molecule, HOMO is distributed in the electron-donating site and LUMO is distributed in the electron-withdrawing site. It is possible to move away the position where and LUMO exist.

例えば、「実用化ステージを迎えた有機光エレクトロニクス」応用物理 第82巻、第6号、2013年においては、シアノ基やトリアジンなどの電子吸引性の骨格と、カルバゾールやジフェニルアミノ基等の電子供与性の骨格とを導入することで、LUMOとHOMOとをそれぞれ局在化させている。
また、化合物の基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすることも効果的である。構造変化を小さくするための方法としては、例えば、化合物を剛直にすることなどが効果的である。ここで述べる剛直とは、例えば、分子内の環と環との結合における自由回転を抑制することや、π共役面の大きい縮合環を導入するなど、分子内において自由に動ける部位が少ないことを意味する。特に、発光に関与する部位を剛直にすることによって、励起状態における構造変化を小さくすることが可能である。
For example, in “Applied Physics at the Practical Stage”, Applied Physics Vol. 82, No. 6, 2013, electron-withdrawing skeletons such as cyano group and triazine, and electron donating such as carbazole and diphenylamino group. By introducing a sex skeleton, LUMO and HOMO are localized.
It is also effective to reduce the change in molecular structure between the ground state and the triplet excited state of the compound. As a method for reducing the structural change, for example, making the compound rigid is effective. The rigidity described here means that there are few sites that can move freely in the molecule, such as suppressing free rotation in the bond between rings in the molecule and introducing a condensed ring with a large π-conjugated plane. means. In particular, it is possible to reduce the structural change in the excited state by making the region involved in light emission rigid.

<TADF化合物が抱える一般的な問題>
TADF化合物は、その発光機構及び分子構造の面から種々の問題を抱えている。以下に、一般的にTADF化合物が抱える問題の一部について記載する。
TADF化合物においては、ΔESTを小さくするためにHOMOとLUMOの存在する部位をできるだけ離すことが必要であるが、このため、分子の電子状態はHOMO部位とLUMO部位が分離したドナー/アクセプター型の分子内CT(分子内電荷移動状態)に近い状態となってしまう。
<General problems of TADF compounds>
TADF compounds have various problems in terms of their light emitting mechanism and molecular structure. The following describes some of the problems that TADF compounds generally have.
In TADF compound, it is necessary to release as possible sites present in the HOMO and LUMO in order to reduce the Delta] E ST, Therefore, the electronic state of the molecule of the donor / acceptor type HOMO site and LUMO sites separated The state becomes close to intramolecular CT (intramolecular charge transfer state).

このような分子は、複数存在すると一方の分子のドナー部分と他方の分子のアクセプター部分とを近接させると安定化が図られる。そのような安定化状態は2分子間での形成に限らず、3分子間若しくは5分子間など、複数の分子間でも形成が可能であり、結果、広い分布を持った種々の安定化状態が存在することになり、吸収スペクトル及び発光スペクトルの形状はブロードとなる。また、2分子を超える多分子集合体を形成しない場合であっても、二つの分子の相互作用する方向や角度などの違いによって様々な存在状態を取り得るため、基本的にはやはり吸収スペクトル及び発光スペクトルの形状はブロードになる。 When a plurality of such molecules are present, stabilization is achieved by bringing the donor part of one molecule and the acceptor part of the other molecule into close proximity. Such a stable state is not limited to the formation between two molecules, but can be formed between a plurality of molecules such as between three molecules or between five molecules, and as a result, various stable states having a wide distribution can be obtained. As a result, the shape of the absorption spectrum and the emission spectrum becomes broad. Further, even when a multi-molecular aggregate of more than two molecules is not formed, various existence states can exist depending on the difference in the interaction direction and angle of the two molecules, so basically the absorption spectrum and the The shape of the emission spectrum is broad.

発光スペクトルがブロードになることは二つの大きな問題を発生する。一つは、発光色の色純度が低くなってしまう問題である。照明用途に適用する場合にはそれほど大きな問題にはならないが、電子ディスプレイ用途に用いる場合には色再現域が小さくなり、また、純色の色再現性が低くなることから、実際に商品として適用するのは困難になる。 Broad emission spectrum causes two major problems. First, there is a problem that the color purity of the emission color is low. This is not a big problem when applied to lighting applications, but when used for electronic display applications, the color gamut is small and the color reproducibility of pure colors is low, so it is actually applied as a product. Will be difficult.

もう一つの問題は、発光スペクトルの短波長側の立ち上がり波長(「蛍光0−0バンド」と呼ぶ。)が短波長化、すなわち高S化(最低励起一重項エネルギー準位の高エネルギー化)してしまうことである。
当然、蛍光0−0バンドが短波長化すると、Sよりもエネルギーの低いTに由来するリン光0−0バンドも短波長化(T準位の上昇)してしまう。そのため、ホスト化合物に用いる化合物はドーパントからの逆エネルギー移動を起こさないようにするために、高いS準位かつ高いT準位を有する必要が生じてくる。
これは非常に大きな問題である。基本的に有機化合物からなるホスト化合物は、有機EL素子中で、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態及び励起状態という、複数の活性かつ不安定な化学種の状態を取るが、それら化学種は分子内のπ共役系を拡大することで比較的安定に存在させることができる。
Another problem is that the rising wavelength on the short wavelength side of the emission spectrum (called “fluorescence 0-0 band”) is shortened, that is, S 1 is increased (energy of the lowest excited singlet energy level is increased). Is to do.
As a matter of course, when the fluorescence 0-0 band has a shorter wavelength, the phosphorescence 0-0 band derived from T 1 having lower energy than S 1 also has a shorter wavelength (increases the T 1 level). Therefore, the compound used as the host compound needs to have a high S 1 level and a high T 1 level in order to prevent reverse energy transfer from the dopant.
This is a very big problem. Basically, a host compound consisting of an organic compound has a plurality of active and unstable chemical species such as a cation radical state, an anion radical state and an excited state in an organic EL device. By expanding the π-conjugated system of, it can exist relatively stably.

しかしながら、高いS準位かつ高いT準位を分子に付与するには、分子内のπ共役系を縮小するか若しくは断ち切ることが必要となり、安定性と両立させることが困難になって、結果的には発光素子の寿命を短くしてしまうことになる。
また、重金属を含まないTADF化合物においては、三重項励起状態から基底状態に失活する遷移は禁制遷移であるため、三重項励起状態での存在時間(励起子寿命)は数百μ秒からミリ秒オーダーと極めて長い。そのため、仮にホスト化合物のTエネルギー準位が蛍光発光性化合物のそれよりも高いエネルギーレベルであったとしても、その存在時間の長さから蛍光発光性化合物の三重項励起状態からホスト化合物へと逆エネルギー移動を起こす確率が増大してしまう。その結果、本来意図するTADF化合物の三重項励起状態から一重項励起状態への逆項間交差が十分に起こらずに、ホスト化合物への好ましくない逆エネルギー移動が主流となって、十分な発光効率が得られないという不具合が生じてしまう。
However, in order to impart a high S 1 level and a high T 1 level to a molecule, it is necessary to reduce or cut off the π-conjugated system in the molecule, which makes it difficult to achieve compatibility with stability. As a result, the life of the light emitting element is shortened.
In addition, in a TADF compound that does not contain a heavy metal, the transition that deactivates from the triplet excited state to the ground state is a forbidden transition. Therefore, the existence time (exciton lifetime) in the triplet excited state is several hundred microseconds to millisecond. Very long, on the order of seconds. Therefore, even if the T 1 energy level of the host compound is higher than that of the fluorescence emitting compound, the triplet excited state of the fluorescence emitting compound changes to the host compound due to the length of the existence time. The probability of reverse energy transfer increases. As a result, undesired reverse energy transfer to the host compound becomes mainstream without sufficient intersystem crossing from the triplet excited state to the singlet excited state of the originally intended TADF compound, resulting in sufficient luminous efficiency. Will not be obtained.

上記のような問題を解決するためには、TADF化合物の発光スペクトル形状をシャープ化し、発光極大波長と発光スペクトルの立ち上がり波長の差を小さくすることが必要となる。そのためには、基本的には一重項励起状態及び三重項励起状態の分子構造の変化を小さくすることにより達成することが可能である。
また、ホスト化合物への逆エネルギー移動を抑制するためには、TADF化合物の三重項励起状態の存在時間(励起子寿命)を短くすることが効果的である。それを実現するには、基底状態と三重項励起状態との分子構造変化を小さくすること及び禁制遷移をほどくのに好適な置換基や元素を導入することなどの対策を講じることで、問題点を解決することが可能である。
In order to solve the above problems, it is necessary to sharpen the emission spectrum shape of the TADF compound and reduce the difference between the emission maximum wavelength and the rising wavelength of the emission spectrum. For that purpose, it can be basically achieved by reducing the change in the molecular structure of the singlet excited state and the triplet excited state.
Further, in order to suppress the reverse energy transfer to the host compound, it is effective to shorten the existence time (exciton lifetime) of the triplet excited state of the TADF compound. In order to realize it, it is necessary to reduce the change in the molecular structure between the ground state and the triplet excited state, and to take measures such as introducing a substituent or an element suitable for breaking the forbidden transition. It is possible to solve

本発明では、ベンゼン環と、それに置換する電子吸引性基Aと、電子供与性基Dとを有するπ共役系化合物において、ベンゼン環に置換するオルト位の組み合わせの少なくとも一つを、「電子供与性基Dと電子供与性基D」、「電子吸引性基Aと電子吸引性基A」、「電子吸引性基Aと電子供与性基D」のいずれかにする。 In the present invention, in a π-conjugated compound having a benzene ring, an electron-withdrawing group A substituting for the benzene ring, and an electron-donating group D, at least one combination of ortho-positions substituting for the benzene ring is selected as “electron-donating group”. And the electron-donating group D, the electron-withdrawing group A and the electron-withdrawing group A, and the electron-withdrawing group A and the electron-donating group D.

2以上の電子供与性基(又は2以上の電子吸引性基A)が、ベンゼン環のオルト位で置換している;即ち、「空間上で隣接」しているので、励起状態で電子供与性部が帯びる正電荷(又は電子吸引性部が帯びる負電荷)を複数の電子供与性基(又は電子吸引性基)が空間的に共鳴して安定化することができるため、励起状態が安定化して無輻射失活が抑制され、発光効率を高めることができると考えられる。 Two or more electron-donating groups (or two or more electron-withdrawing groups A) are substituted at the ortho position of the benzene ring; that is, "adjacent in space" so that they are electron-donating in the excited state. The electron-donating group (or electron-withdrawing group) can be spatially resonated to stabilize the positive charge (or the negative charge of the electron-withdrawing portion) of the moiety, stabilizing the excited state. Therefore, it is considered that the non-radiative deactivation is suppressed and the luminous efficiency can be improved.

電子吸引性基Aと電子供与性基Dをベンゼン環のオルト位に配置することで、電子供与性基Dと電子吸引性基Aとが「空間的に隣接」する。それにより、CT性の励起状態を電子供与性基Dから電子吸引性基Aへ結合を介して形成するのではなく、ごく近傍に位置する電子供与性基Dと電子吸引性基Aの間でCT性の励起状態を形成でき、CT性の励起状態が安定化するため、発光効率が高まると考えられる。 By disposing the electron-withdrawing group A and the electron-donating group D at the ortho position of the benzene ring, the electron-withdrawing group D and the electron-withdrawing group A are "spatial adjacent". As a result, a CT-state excited state is not formed from the electron-donating group D to the electron-withdrawing group A via a bond, but between the electron-donating group D and the electron-withdrawing group A located in the immediate vicinity. It is considered that the CT-excited state can be formed and the CT-excited state is stabilized, so that the luminous efficiency is increased.

さらに、いずれの態様においても、電子吸引性基Aや電子供与性基Dがスルーボンドでの連結ではなく、スルースペースで相互作用していることから、吸収スペクトルや発光スペクトルの長波長化も抑制できると考えられる。 Further, in any of the embodiments, since the electron-withdrawing group A and the electron-donating group D interact with each other through the through space instead of connecting through the through bond, the absorption spectrum and the emission spectrum are prevented from becoming longer wavelength. It is thought to be possible.

以下に、本発明に係るπ共役系化合物に関する種々の測定方法について記載する。 Hereinafter, various measuring methods for the π-conjugated compound according to the present invention will be described.

[電子密度分布]
本発明に係るπ共役系化合物は、ΔESTを小さくするという観点から、分子内においてHOMOとLUMOが実質的に分離していることが好ましい。これらHOMO及びLUMOの分布状態については、分子軌道計算により得られる構造最適化した際の電子密度分布から求めることができる。
本発明におけるπ共役系化合物の分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出することができ、ソフトウェアに特に限定はなく、いずれを用いても同様に求めることができる。
本発明においては、分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Gaussian社製のGaussian09(Revision C.01,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,2010.)を用いた。
[Electron density distribution]
Π conjugated compound according to the present invention, from the viewpoint of reducing the Delta] E ST, it is preferable that HOMO and LUMO are substantially separated in the molecule. The distribution states of these HOMO and LUMO can be obtained from the electron density distribution when the structure is optimized, which is obtained by molecular orbital calculation.
The structure optimization and the calculation of the electron density distribution by the molecular orbital calculation of the π-conjugated compound in the present invention are performed by using the software for molecular orbital calculation using B3LYP as the functional and 6-31G(d) as the basis function as the calculation method. It can be calculated using any software, and there is no particular limitation on the software, and the same can be obtained using any software.
In the present invention, Gaussian09 (Revision C.01, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian, Inc., USA was used as the software for molecular orbital calculation.

また、「HOMOとLUMOが実質的に分離している」とは、上記分子計算により算出されたHOMO軌道分布及びLUMO軌道分布の中心部位が離れており、より好ましくはHOMO軌道の分布とLUMO軌道の分布がほぼ重なっていないことを意味する。
また、HOMOとLUMOの分離状態については、前述の汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法(Time−Dependent DFT)による励起状態計算を実施してS、Tのエネルギー準位(それぞれE(S)、E(T))を求めてΔEST=|E(S)−E(T)|として算出することも可能である。算出されたΔESTが小さいほど、HOMOとLUMOがより分離していることを示す。本発明においては、前述と同様の計算手法を用いて算出されたΔESTが0.50eV以下であり、好ましくは0.30eV以下であり、より好ましくは0.10eV以下である。
Further, "the HOMO and the LUMO are substantially separated" means that the central portions of the HOMO orbital distribution and the LUMO orbital distribution calculated by the above-mentioned molecular calculation are apart from each other, and more preferably the distribution of the HOMO orbital and the LUMO orbital. It means that the distributions of do not almost overlap.
Regarding the separated state of HOMO and LUMO, from the structure optimization calculation using B3LYP as the above-mentioned functional and 6-31G(d) as the basis function, further by the time-dependent density functional method (Time-Dependent DFT). Excited state calculation is performed to obtain energy levels of S 1 and T 1 (E(S 1 ), E(T 1 ), respectively) and ΔE ST =|E(S 1 )−E(T 1 )| It is also possible to calculate. As calculated Delta] E ST is small, indicating that the HOMO and LUMO are more separated. In the present invention, it is Delta] E ST calculated using the calculation method similar to that described above or less 0.50EV, preferably not more than 0.30 eV, more preferably not more than 0.10 eV.

[最低励起一重項エネルギー準位S
本発明におけるπ共役系化合物の最低励起一重項エネルギー準位Sについては、本発明においても通常の手法と同様にして算出されるもので定義される。すなわち、測定対象となる化合物を石英基板上に蒸着して試料を作製し、常温(300K)でこの試料の吸収スペクトル(縦軸:吸光度、横軸:波長とする。)を測定する。この吸収スペクトルの長波長側の立ち上がりに対して接線を引き、その接線と横軸との交点の波長値に基づいて、所定の換算式から算出される。
ただし、本発明において使用するπ共役系化合物の分子自体の凝集性が比較的高い場合、薄膜の測定においては凝集による誤差を生じる可能性がある。本発明におけるπ共役系化合物はストークスシフトが比較的小さいこと、さらに励起状態と基底状態の構造変化が小さいことを考慮し、本発明における最低励起一重項エネルギー準位Sは、室温(25℃)におけるπ共役系化合物の溶液状態の最大発光波長のピーク値を近似値として用いた。
ここで、使用する溶媒は、π共役系化合物の凝集状態に影響を与えない、すなわち溶媒効果の影響が小さい溶媒、例えばシクロヘキサンやトルエン等の非極性溶媒等を用いることができる。
[Lowest excited singlet energy level S 1 ]
The lowest excited singlet energy level S 1 of the π-conjugated compound in the present invention is defined as that calculated in the same manner as in the usual method in the present invention. That is, a compound to be measured is deposited on a quartz substrate to prepare a sample, and the absorption spectrum (vertical axis: absorbance, horizontal axis: wavelength) of this sample is measured at room temperature (300K). A tangent line is drawn to the rising edge on the long wavelength side of this absorption spectrum, and it is calculated from a predetermined conversion formula based on the wavelength value at the intersection of the tangent line and the horizontal axis.
However, if the molecule itself of the π-conjugated compound used in the present invention has a relatively high aggregation property, an error due to aggregation may occur in the measurement of the thin film. Considering that the π-conjugated compound in the present invention has a relatively small Stokes shift and the structural change between the excited state and the ground state is small, the lowest excited singlet energy level S 1 in the present invention is at room temperature (25° C.). The peak value of the maximum emission wavelength in the solution state of the π-conjugated compound in) was used as an approximate value.
Here, as the solvent to be used, a solvent that does not affect the aggregation state of the π-conjugated compound, that is, a solvent that is less affected by the solvent effect, for example, a nonpolar solvent such as cyclohexane or toluene can be used.

[最低励起三重項エネルギー準位T
本発明で用いられるπ共役系化合物の最低励起三重項エネルギー準位(T)については、溶液若しくは薄膜のフォトルミネッセンス(PL)特性により算出した。例えば、薄膜における算出方法としては、希薄状態のπ共役系化合物の分散物を薄膜にした後に、ストリークカメラを用い、過渡PL特性を測定することで、蛍光成分とリン光成分の分離を行い、そのエネルギー差の絶対値をΔESTとして最低励起一重項エネルギー準位から最低励起三重項エネルギー準位を求めることができる。
測定・評価にあたって、絶対PL量子収率の測定については、絶対PL量子収率測定装置C9920−02(浜松ホトニクス社製)を用いた。発光寿命は、ストリークカメラC4334(浜松ホトニクス社製)を用いて、サンプルをレーザー光で励起させながら測定した。
[Lowest excited triplet energy level T 1 ]
The lowest excited triplet energy level (T 1 ) of the π-conjugated compound used in the present invention was calculated from the photoluminescence (PL) characteristics of the solution or thin film. For example, as a calculation method for a thin film, after a dispersion of a diluted π-conjugated compound is formed into a thin film, a transient PL characteristic is measured using a streak camera to separate a fluorescent component and a phosphorescent component, the absolute value of the energy difference can be determined the lowest excited triplet energy level of the lowest excited singlet energy level as Delta] E ST.
In measuring and evaluating the absolute PL quantum yield, an absolute PL quantum yield measuring device C9920-02 (manufactured by Hamamatsu Photonics KK) was used. The emission lifetime was measured using a streak camera C4334 (manufactured by Hamamatsu Photonics) while exciting the sample with laser light.

《有機EL素子の構成層》
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、該発光層の少なくとも1層が、前記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を含有することを特徴とする。
本発明の有機EL素子における代表的な素子構成としては、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
(1)陽極/発光層//陰極
(2)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
(3)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
(4)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(5)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極
(6)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(7)陽極/正孔注入層/正孔輸送層/(電子阻止層/)発光層/(正孔阻止層/)電子輸送層/電子注入層/陰極
上記の中で(7)の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
本発明に用いられる発光層は、単層又は複数層で構成されており、発光層が複数の場合は各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
<<Organic EL element constituent layers>>
The organic EL element of the present invention is an organic electroluminescence element having at least a light emitting layer between an anode and a cathode, and at least one layer of the light emitting layer has a structure represented by the general formula (1). It is characterized by containing a conjugated compound.
Typical element configurations of the organic EL element of the present invention include, but are not limited to, the following configurations.
(1) Anode/light emitting layer//cathode (2) Anode/light emitting layer/electron transporting layer/cathode (3) Anode/hole transporting layer/light emitting layer/cathode (4) Anode/hole transporting layer/light emitting layer/ Electron transport layer/cathode (5) Anode/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/electron injection layer/cathode (6) Anode/hole injection layer/hole transport layer/light emitting layer/electron transport layer/cathode (7) Anode/hole injection layer/hole transport layer/(electron blocking layer/) light emitting layer/(hole blocking layer/) electron transport layer/electron injection layer/cathode It is preferably used, but is not limited thereto.
The light emitting layer used in the present invention is composed of a single layer or a plurality of layers, and when there are a plurality of light emitting layers, a non-light emitting intermediate layer may be provided between the respective light emitting layers.

必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層(正孔障壁層ともいう)や電子注入層(陰極バッファー層ともいう)を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層(電子障壁層ともいう)や正孔注入層(陽極バッファー層ともいう)を設けてもよい。
本発明に用いられる電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する層であり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
本発明に用いられる正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する層であり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。また、複数層で構成されていてもよい。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除いた層を「有機層」ともいう。
If necessary, a hole blocking layer (also called a hole blocking layer) or an electron injection layer (also called a cathode buffer layer) may be provided between the light emitting layer and the cathode. An electron blocking layer (also referred to as an electron barrier layer) or a hole injection layer (also referred to as an anode buffer layer) may be provided therebetween.
The electron transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer. Also, it may be composed of a plurality of layers.
The hole transport layer used in the present invention is a layer having a function of transporting holes, and in a broad sense, a hole injection layer and an electron blocking layer are also included in the hole transport layer. Also, it may be composed of a plurality of layers.
In the above-mentioned typical element structure, the layer excluding the anode and the cathode is also referred to as an “organic layer”.

(タンデム構造)
また、本発明の有機EL素子は、少なくとも1層の発光層を含む発光ユニットを複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
陽極/第1発光ユニット/中間層/第2発光ユニット/中間層/第3発光ユニット/陰極
ここで、上記第1発光ユニット、第2発光ユニット及び第3発光ユニットは全て同じであっても、異なっていてもよい。また二つの発光ユニットが同じであり、残る一つが異なっていてもよい。
複数の発光ユニットは直接積層されていても、中間層を介して積層されていてもよく、中間層は、一般的に中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層、中間絶縁層とも呼ばれ、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。
(Tandem structure)
The organic EL element of the present invention may be an element having a so-called tandem structure in which a plurality of light emitting units including at least one light emitting layer are laminated.
Examples of typical tandem structure element configurations include the following configurations.
Anode/first light emitting unit/intermediate layer/second light emitting unit/intermediate layer/third light emitting unit/cathode Here, even if the first light emitting unit, the second light emitting unit and the third light emitting unit are all the same, May be different. Further, the two light emitting units may be the same and the other one may be different.
The plurality of light emitting units may be directly laminated or may be laminated with an intermediate layer interposed therebetween. A known material structure can be used as long as it is also called an insulating layer and has a function of supplying electrons to the adjacent layer on the anode side and supplying holes to the adjacent layer on the cathode side.

中間層に用いられる材料としては、例えば、ITO(インジウムスズ酸化物)、IZO(インジウム・亜鉛酸化物)、ZnO、TiN、ZrN、HfN、TiOx、VOx、CuI、InN、GaN、CuAlO、CuGaO、SrCu、LaB、RuO、Al等の導電性無機化合物層や、Au/Bi等の2層膜や、SnO/Ag/SnO、ZnO/Ag/ZnO、Bi/Au/Bi、TiO/TiN/TiO、TiO/ZrN/TiO等の多層膜、またC60等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
発光ユニット内の好ましい構成としては、例えば、上記の代表的な素子構成で挙げた(1)〜(7)の構成から、陽極と陰極を除いたもの等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
Examples of the material used for the intermediate layer include ITO (indium tin oxide), IZO (indium zinc oxide), ZnO 2 , TiN, ZrN, HfN, TiOx, VOx, CuI, InN, GaN, CuAlO 2 , and A conductive inorganic compound layer such as CuGaO 2 , SrCu 2 O 2 , LaB 6 , RuO 2 and Al, a two-layer film such as Au/Bi 2 O 3 and SnO 2 /Ag/SnO 2 , ZnO/Ag/ZnO. , Bi 2 O 3 /Au/Bi 2 O 3 , TiO 2 /TiN/TiO 2 , multilayer films such as TiO 2 /ZrN/TiO 2 , fullerene such as C 60 , conductive organic material layer such as oligothiophene, Examples include conductive organic compound layers such as metal phthalocyanines, metal-free phthalocyanines, metal porphyrins, and metal-free porphyrins, but the present invention is not limited thereto.
Examples of preferable configurations in the light-emitting unit include those obtained by removing the anode and the cathode from the configurations (1) to (7) mentioned in the above representative element configurations, but the present invention is not limited thereto. Not limited.

タンデム型有機EL素子の具体例としては、例えば、米国特許第6337492号、米国特許第7420203号、米国特許第7473923号、米国特許第6872472号、米国特許第6107734号、米国特許第6337492号、国際公開第2005/009087号、特開2006−228712号公報、特開2006−24791号公報、特開2006−49393号公報、特開2006−49394号公報、特開2006−49396号公報、特開2011−96679号公報、特開2005−340187号公報、特許第4711424号、特許第3496681号、特許第3884564号、特許第4213169号、特開2010−192719号公報、特開2009−076929号公報、特開2008−078414号公報、特開2007−059848号公報、特開2003−272860号公報、特開2003−045676号公報、国際公開第2005/094130号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of the tandem organic EL device include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. No. 7,473,923, US Pat. No. 6,872,472, US Pat. No. 6,107,734, US Pat. Publication No. 2005/009087, JP 2006-228712 A, JP 2006-24791 A, JP 2006-49393 A, JP 2006-49394 A, JP 2006-49396 A, JP 2011 A. -96679, JP 2005-340187 A, JP 4711424 A, JP 34096681 A, JP 3884564 A, JP 4213169 A, JP 2010-192719 A, JP 2009-076929 A, JP Examples of the element configurations, constituent materials, and the like described in JP 2008-078414 A, JP 2007-059848 A, JP 2003-272860 A, JP 2003-045676 A, WO 2005/094130 and the like. However, the present invention is not limited to these.

以下、本発明の有機EL素子を構成する各層について説明する。 Hereinafter, each layer constituting the organic EL device of the present invention will be described.

《発光層》
本発明に用いられる発光層は、電極又は隣接層から注入されてくる電子及び正孔が再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。本発明に用いられる発光層は、本発明で規定する要件を満たしていれば、その構成に特に制限はない。
発光層の層厚の総和は、特に制限はないが、形成する膜の均質性や、発光時に不必要な高電圧を印加するのを防止し、かつ、駆動電流に対する発光色の安定性向上の観点から、2nm〜5μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜500nmの範囲に調整され、更に好ましくは5〜200nmの範囲に調整される。
また、本発明に用いられる個々の発光層の層厚としては、2nm〜1μmの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは2〜200nmの範囲に調整され、更に好ましくは3〜150nmの範囲に調整される。
本発明に用いられる発光層に一層でもよいし、複数の層から構成されてもよい。本願のπ共役系化合物を発光層に用いる場合、単独で用いてもよいし、後述のホスト材料、蛍光発光材料、りん光発光材料などと混合して用いてもよい。発光層の少なくとも一層が、発光ドーパント(発光性化合物、発光性ドーパント、単にドーパントともいう。)を含有し、さらにホスト化合物(マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。)を含有することが好ましい。本願のπ共役系化合物は、発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種類とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。発光層の少なくとも一層が、本願π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物のうち少なくとも1種類と、ホスト化合物とを含有すると、発光効率が向上するため好ましい。
<Light emitting layer>
The light-emitting layer used in the present invention is a layer that provides a field where electrons and holes injected from an electrode or an adjacent layer are recombined and emit light via excitons, and the light-emitting portion is the light-emitting layer. It may be in the layer or at the interface between the light emitting layer and the adjacent layer. The structure of the light emitting layer used in the present invention is not particularly limited as long as it satisfies the requirements specified in the present invention.
The total thickness of the light emitting layer is not particularly limited, but the uniformity of the formed film and the application of an unnecessary high voltage during light emission are prevented, and the stability of the emission color with respect to the drive current is improved. From the viewpoint, it is preferably adjusted to the range of 2 nm to 5 μm, more preferably adjusted to the range of 2 to 500 nm, and further preferably adjusted to the range of 5 to 200 nm.
The layer thickness of each light-emitting layer used in the present invention is preferably adjusted to a range of 2 nm to 1 μm, more preferably adjusted to a range of 2 to 200 nm, and further preferably a range of 3 to 150 nm. Adjusted.
The light emitting layer used in the present invention may have a single layer or a plurality of layers. When the π-conjugated compound of the present application is used in the light emitting layer, it may be used alone, or may be used as a mixture with a host material, a fluorescent light emitting material, a phosphorescent light emitting material and the like described later. At least one of the light emitting layers contains a light emitting dopant (also referred to as a light emitting compound, a light emitting dopant, or simply a dopant) and further contains a host compound (also referred to as a matrix material, a light emitting host compound, or simply a host). preferable. In the π-conjugated compound of the present application, it is preferable that at least one layer of the light emitting layer contains the π-conjugated compound of the present application and the host compound, because the emission efficiency is improved. It is preferable that at least one of the light emitting layers contains the π-conjugated compound of the present application and at least one of the fluorescent light emitting compound and the phosphorescent light emitting compound, because the light emitting efficiency is improved. It is preferable that at least one layer of the light emitting layer contains the π-conjugated compound of the present application, at least one kind of the fluorescent light emitting compound and the phosphorescent light emitting compound, and the host compound since the light emitting efficiency is improved.

(1.1)発光ドーパント
発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント(蛍光発光性化合物、蛍光ドーパントともいう。)と、リン光発光性ドーパント(リン光発光性化合物、リン光ドーパントともいう。)が好ましく用いられる。本発明においては、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物を蛍光発光性化合物又はアシストドーパアントとして、0.1〜50質量%の範囲内で含有し、特に、1〜30質量%の範囲内で含有することが好ましい。
(1.1) Luminescent Dopant As a luminescent dopant, a fluorescent luminescent dopant (also referred to as a fluorescent luminescent compound or a fluorescent dopant) and a phosphorescent luminescent dopant (also referred to as a phosphorescent luminescent compound or a phosphorescent dopant). It is preferably used. In the present invention, the light emitting layer contains the π-conjugated compound according to the present invention as a fluorescent compound or an assist dopant within a range of 0.1 to 50% by mass, and particularly 1 to 30% by mass. It is preferably contained within the range.

本発明においては、発光層が発光性化合物を0.1〜50質量%の範囲内で含有し、特に、1〜30質量%の範囲内で含有することが好ましい。
発光層中の発光性化合物の濃度については、使用される特定の発光性化合物及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができ、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。
また、本発明で用いられる発光性化合物は、複数種を併用して用いてもよく、構造の異なる蛍光発光性化合物同士の組み合わせや、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物とを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。
In the present invention, the light emitting layer contains the light emitting compound in the range of 0.1 to 50% by mass, and particularly preferably in the range of 1 to 30% by mass.
The concentration of the light-emitting compound in the light-emitting layer can be arbitrarily determined based on the specific light-emitting compound used and the requirements of the device, and the concentration is uniform in the thickness direction of the light-emitting layer. It may be contained, and may have an arbitrary concentration distribution.
Further, the light-emitting compound used in the present invention may be used in combination of two or more kinds, and a combination of fluorescent light-emitting compounds having different structures or a combination of a fluorescent light-emitting compound and a phosphorescent light-emitting compound is used. You may. As a result, any luminescent color can be obtained.

最低励起一重項エネルギー準位と最低励起三重項エネルギー準位の差の絶対値(ΔEST)が、0.50eV以下である本発明に係るπ共役系化合物と、発光性化合物と、ホスト化合物を発光層に含有する場合、本発明に係るπ共役系化合物はアシストドーパントとして作用する。一方、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物と発光性化合物を含有し、ホスト化合物を含有しない場合、本発明に係るπ共役系化合物はホスト化合物として作用する。発光層が、本発明に係るπ共役系化合物のみを含有する場合、本発明に係るπ共役系化合物はホスト化合物兼発光性化合物として作用する。
効果が発現する機構としては、いずれの場合も同様であり、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した三重項励起子を逆項間交差(RISC)で一重項励起子へと変換する点にある。
これにより、本発明に係るπ共役系化合物上に生成した理論上すべての励起子エネルギーを発光性化合物に蛍光共鳴エネルギー移動(FRET)することができ、高発光効率の発現を可能にする。
したがって、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物、発光性化合物及びホスト化合物の3成分を含有する場合は、π共役系化合物のSとTのエネルギー準位は、ホスト化合物のSとTのエネルギー準位よりも低く、発光性化合物のSとTのエネルギー準位よりも高い方が好ましい。
同様に、発光層が、本発明に係るπ共役系化合物と発光性化合物の2成分を含有する場合は、π共役系化合物のSとTのエネルギー準位は、発光性化合物のSとTのエネルギー準位よりも高い方が好ましい。
The absolute value of the difference between the lowest excited singlet energy level and the lowest excited triplet energy level (Delta] E ST) is a π conjugated compound according to the present invention which is a less 0.50EV, a luminescent compound, a host compound When contained in the light emitting layer, the π-conjugated compound according to the present invention acts as an assist dopant. On the other hand, when the light emitting layer contains the π-conjugated compound according to the present invention and the luminescent compound and does not contain the host compound, the π-conjugated compound according to the present invention acts as a host compound. When the light emitting layer contains only the π-conjugated compound according to the present invention, the π-conjugated compound according to the present invention acts as a host compound and a luminescent compound.
The mechanism for producing the effect is the same in any case, and the point of converting triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention into singlet excitons by reverse intersystem crossing (RISC). It is in.
As a result, theoretically all the exciton energies generated on the π-conjugated compound according to the present invention can be transferred to the luminescent compound by fluorescence resonance energy transfer (FRET), and high luminescence efficiency can be realized.
Therefore, when the light emitting layer contains three components of the π-conjugated compound, the light-emitting compound and the host compound according to the present invention, the energy levels of S 1 and T 1 of the π-conjugated compound are S of the host compound. 1 and T 1 of the lower than the energy level, it is preferably higher than the energy level of the S 1 and T 1 of the light-emitting compound.
Similarly, light emitting layer, the energy level of the S 1 and T 1 of the case containing the two components of the light emitting compound and [pi conjugated compound according to the present invention, [pi-conjugated compounds, S 1 luminescent compound And higher than the energy level of T 1 .

図3及び図4に、本発明のパイ共役系化合物がそれぞれアシストドーパント及びホスト化合物として作用する場合の模式図を示す。図3及び図4は一例であって、本発明に係るπ共役系化合物上に生成する三重項励起子の生成過程は電界励起のみに限定されず、発光層内又は周辺層界面からのエネルギー移動や電子移動等も含まれる。
さらに、図3及び図4では、発光材料として蛍光発光性化合物を用いて示しているが、これに限定されず、リン光発光性化合物を用いてもよいし、蛍光発光性化合物とリン光発光性化合物の両者を用いてもよい。
3 and 4 are schematic views showing the case where the pi-conjugated compound of the present invention acts as an assist dopant and a host compound, respectively. FIG. 3 and FIG. 4 are examples, and the generation process of triplet excitons generated on the π-conjugated compound according to the present invention is not limited to electric field excitation, and energy transfer from the light emitting layer or from the peripheral layer interface. And electronic transfer are also included.
Further, in FIGS. 3 and 4, a fluorescent light emitting compound is used as the light emitting material, but the present invention is not limited to this, and a phosphorescent light emitting compound may be used, or a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound may be used. Both of the sex compounds may be used.

本発明に係るπ共役系化合物をアシストドーパントとして用いる場合、発光層は、π共役系化合物に対し質量比で100%以上のホスト化合物を含有し、蛍光発光性化合物及び/又はリン光発光性化合物がπ共役系化合物に対して質量比0.1〜50%の範囲内で含有していることが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as an assist dopant, the light-emitting layer contains a host compound in a mass ratio of 100% or more with respect to the π-conjugated compound, and has a fluorescence emitting compound and/or a phosphorescence emitting compound. Is preferably contained within a mass ratio range of 0.1 to 50% with respect to the π-conjugated compound.

本発明に係るπ共役系化合物をホスト化合物として用いる場合、発光層は、蛍光発光性化合物及び/又はリン光発光性化合物をπ共役系化合物に対して質量比0.1〜50%の範囲内で含有することが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as a host compound, the light emitting layer has a mass ratio of the fluorescent compound and/or the phosphorescent compound to the π-conjugated compound in the range of 0.1 to 50%. It is preferable to contain.

本発明に係るπ共役系化合物をアシスタドーパント又はホスト化合物として用いる場合、本発明に係るπ共役系化合物の発光スペクトルと発光性化合物の吸収スペクトルが重なることが好ましい。 When the π-conjugated compound according to the present invention is used as an assist dopant or a host compound, it is preferable that the emission spectrum of the π-conjugated compound according to the present invention and the absorption spectrum of the luminescent compound overlap.

本発明の有機EL素子や本発明に用いられる化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」(日本色彩学会編、東京大学出版会、1985)の108頁の図3.16において、分光放射輝度計CS−1000(コニカミノルタ(株)製)で測定した結果をCIE色度座標に当てはめたときの色で決定される。
本発明においては、1層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。
白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組合わせ等が挙げられる。
本発明の有機EL素子における白色とは、2度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、1000cd/mでのCIE1931表色系における色度がx=0.39±0.09、y=0.38±0.08の領域内にあることが好ましい。
The luminescent color of the organic EL device of the present invention or the compound used in the present invention is shown in FIG. It is determined by the color when a result measured by a luminance meter CS-1000 (manufactured by Konica Minolta Co., Ltd.) is applied to CIE chromaticity coordinates.
In the present invention, it is also preferable that one or a plurality of light emitting layers contain a plurality of light emitting dopants having different light emitting colors and emit white light.
The combination of light emitting dopants exhibiting white is not particularly limited, and examples thereof include combinations of blue and orange, combinations of blue, green and red, and the like.
White in the organic EL device of the present invention means that the chromaticity in the CIE1931 color system at 1000 cd/m 2 is x=0.39±0.09 when the 2° viewing angle front luminance is measured by the above method. , Y=0.38±0.08.

(1.2)蛍光発光性ドーパント
蛍光発光性ドーパント(蛍光ドーパント)は、本発明のπ共役系化合物を用いてもよいし、有機EL素子の発光層に使用される公知の蛍光ドーパントや遅延蛍光性ドーパントの中から適宜選択して用いてもよい。
(1.2) Fluorescent Luminescent Dopant As the fluorescent luminescent dopant (fluorescent dopant), the π-conjugated compound of the present invention may be used, or a known fluorescent dopant or delayed fluorescence used in the light emitting layer of an organic EL device. You may select suitably from a sexual dopant and may be used.

本発明に使用できる公知の蛍光ドーパントの具体例としては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、又は希土類錯体系化合物等が挙げられる。また、近年では遅延蛍光を利用した発光ドーパントも開発されており、これらを用いてもよい。遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第2011/156793号、特開2011−213643号公報、特開2010−93181号公報、特許5366106号等に記載の化合物が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Specific examples of known fluorescent dopants that can be used in the present invention include, for example, anthracene derivatives, pyrene derivatives, chrysene derivatives, fluoranthene derivatives, perylene derivatives, fluorene derivatives, arylacetylene derivatives, styrylarylene derivatives, styrylamine derivatives, arylamine derivatives. , Boron complex, coumarin derivative, pyran derivative, cyanine derivative, croconium derivative, squarylium derivative, oxobenzanthracene derivative, fluorescein derivative, rhodamine derivative, pyrylium derivative, perylene derivative, polythiophene derivative, or rare earth complex compound. Further, in recent years, luminescent dopants utilizing delayed fluorescence have been developed, and these may be used. Specific examples of the luminescent dopant using delayed fluorescence include compounds described in International Publication No. 2011/156793, JP 2011-213643 A, JP 2010-93181 A, JP 5366106 A, and the like. However, the present invention is not limited to these.

(1.3)リン光発光性ドーパント
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントについて説明する。
本発明に用いられるリン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温(25℃)にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、25℃において0.01以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は0.1以上である。
上記リン光量子収率は、第4版実験化学講座7の分光IIの398頁(1992年版、丸善)に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率(0.01以上)が達成されればよい。
(1.3) Phosphorescent Luminescent Dopant The phosphorescent luminescent dopant used in the present invention will be described.
The phosphorescent dopant used in the present invention is a compound in which light emission from an excited triplet is observed, specifically, a compound which emits phosphorescence at room temperature (25° C.), and has a phosphorescence quantum yield. Is defined as a compound of 0.01 or more at 25° C., but a preferable phosphorescence quantum yield is 0.1 or more.
The phosphorescence quantum yield can be measured by the method described in Spectra II, 4th edition, Experimental Chemistry Course 7, page 398 (1992, Maruzen). The phosphorescence quantum yield in a solution can be measured using various solvents, but the phosphorescence dopant used in the present invention achieves the above phosphorescence quantum yield (0.01 or more) in any solvent. Just do it.

リン光ドーパントは、有機EL素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。本発明に使用できる公知のリン光ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Nature 395,151(1998)、Appl.Phys.Lett.78,1622(2001)、Adv.Mater.19,739(2007)、Chem.Mater.17,3532(2005)、Adv.Mater.17,1059(2005)、国際公開第2009/100991号、国際公開第2008/101842号、国際公開第2003/040257号、米国特許出願公開第2006/835469号明細書、米国特許出願公開第2006/0202194号明細書、米国特許出願公開第2007/0087321号明細書、米国特許出願公開第2005/0244673号明細書、Inorg.Chem.40,1704(2001)、Chem.Mater.16,2480(2004)、Adv.Mater.16,2003(2004)、Angew.Chem.lnt.Ed.2006,45,7800、Appl.Phys.Lett.86,153505(2005)、Chem.Lett.34,592(2005)、Chem.Commun.2906(2005)、Inorg.Chem.42,1248(2003)、国際公開第2009/050290号、国際公開第2002/015645号、国際公開第2009/000673号、米国特許出願公開第2002/0034656号明細書、米国特許第7332232号、米国特許出願公開第2009/0108737号明細書、米国特許出願公開第2009/0039776号明細書、米国特許第6921915号、米国特許第6687266号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2006/0008670号明細書、米国特許出願公開第2009/0165846号明細書、米国特許出願公開第2008/0015355号明細書、米国特許第7250226号、米国特許第7396598号、米国特許出願公開第2006/0263635号明細書、米国特許出願公開第2003/0138657号明細書、米国特許出願公開第2003/0152802号明細書、米国特許第7090928号、Angew.Chem.lnt.Ed.47,1(2008)、Chem.Mater.18,5119(2006)、Inorg.Chem.46,4308(2007)、Organometallics 23,3745(2004)、Appl.Phys.Lett.74,1361(1999)、国際公開第2002/002714号、国際公開第2006/009024号、国際公開第2006/056418号、国際公開第2005/019373号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2005/123873号、国際公開第2007/004380号、国際公開第2006/082742号、米国特許出願公開第2006/0251923号明細書、米国特許出願公開第2005/0260441号明細書、米国特許第7393599号、米国特許第7534505号、米国特許第7445855号、米国特許出願公開第2007/0190359号明細書、米国特許出願公開第2008/0297033号明細書、米国特許第7338722号、米国特許出願公開第2002/0134984号明細書、米国特許第7279704号、米国特許出願公開第2006/098120号明細書、米国特許出願公開第2006/103874号明細書、国際公開第2005/076380号、国際公開第2010/032663号、国際公開第2008140115号、国際公開第2007/052431号、国際公開第2011/134013号、国際公開第2011/157339号、国際公開第2010/086089号、国際公開第2009/113646号、国際公開第2012/020327号、国際公開第2011/051404号、国際公開第2011/004639号、国際公開第2011/073149号、米国特許出願公開第2012/228583号明細書、米国特許出願公開第2012/212126号明細書、特開2012−069737号公報、特願2011−181303号公報、特開2009−114086号公報、特開2003−81988号公報、特開2002−302671号公報、特開2002−363552号公報等である。
中でも、好ましいリン光ドーパントとしてはIrを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。
The phosphorescent dopant can be appropriately selected and used from known ones used for the light emitting layer of the organic EL device. Specific examples of known phosphorescent dopants that can be used in the present invention include compounds described in the following documents.
Nature 395, 151 (1998), Appl. Phys. Lett. 78, 1622 (2001), Adv. Mater. 19, 739 (2007), Chem. Mater. 17, 3532 (2005), Adv. Mater. 17, 1059 (2005), International Publication No. 2009/100991, International Publication No. 2008/101842, International Publication No. 2003/040257, US Patent Application Publication No. 2006/835469, US Patent Application Publication No. 2006/ 0202194, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0087321, U.S. Patent Application Publication No. 2005/0244673, Inorg. Chem. 40, 1704 (2001), Chem. Mater. 16, 2480 (2004), Adv. Mater. 16, 2003 (2004), Angew. Chem. lnt. Ed. 2006, 45, 7800, Appl. Phys. Lett. 86,153505 (2005), Chem. Lett. 34, 592 (2005), Chem. Commun. 2906 (2005), Inorg. Chem. 42, 1248 (2003), International Publication No. 2009/050290, International Publication No. 2002/015645, International Publication No. 2009/000673, US Patent Application Publication No. 2002/0034656, US Patent No. 7332232, US Patent Application Publication No. 2009/0108737, U.S. Patent Application Publication No. 2009/00397776, U.S. Patent No. 6,921,915, U.S. Patent No. 6,687,266, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0190359, U.S. Patent Application Publication 2006/0008670, US Patent Application Publication 2009/0165846, US Patent Application Publication 2008/0015355, US Patent 7250226, US Patent 7396598, US Patent Application Publication No. 2006/0263635, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0138657, U.S. Patent Application Publication No. 2003/0152802, U.S. Patent No. 7,090,928, Angew. Chem. lnt. Ed. 47, 1 (2008), Chem. Mater. 18, 5119 (2006), Inorg. Chem. 46, 4308 (2007), Organometallics 23, 3745 (2004), Appl. Phys. Lett. 74, 1361 (1999), International Publication No. 2002/002714, International Publication No. 2006/009024, International Publication No. 2006/056418, International Publication No. 2005/019373, International Publication No. 2005/123873, International Publication No. 2005/123873, International Publication No. 2007/004380, International Publication No. 2006/082742, United States Patent Application Publication No. 2006/0251923, United States Patent Application Publication No. 2005/0260441, United States Patent No. 7393599. U.S. Patent No. 7,534,505, U.S. Patent No. 7,445,855, U.S. Patent Application Publication No. 2007/0190359, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0297033, U.S. Patent No. 7,338,722, U.S. Patent Application Publication No. 2002/. No. 0134984, U.S. Pat. No. 7,279,704, U.S. Patent Application Publication No. 2006/098120, U.S. Patent Application Publication No. 2006/103874, International Publication No. 2005/076380, International Publication No. 2010/032663. , International Publication No. 2008140115, International Publication No. 2007/052431, International Publication No. 2011/134013, International Publication No. 2011/157339, International Publication No. 2010/086089, International Publication No. 2009/113646, International Publication No. 2012/020327, International Publication No. 2011/051404, International Publication No. 2011/004639, International Publication No. 2011/073149, US Patent Application Publication No. 2012/228583, US Patent Application Publication No. 2012/212126. Description, JP 2012-069737 A, Japanese Patent Application No. 2011-181303, JP 2009-114086 A, JP 2003-81988 A, JP 2002-302671 A, JP 2002-363552 A. Etc.
Among them, preferable phosphorescent dopants include organic metal complexes having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond and a metal-sulfur bond is preferable.

(2)ホスト化合物
本発明に用いられるホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機EL素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
ホスト化合物は、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が20%以上であることが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機エレクトロルミネッセンス素子を高効率化することができる。
以下に、本発明において好ましく用いられるホスト化合物について述べる。
(2) Host compound The host compound used in the present invention is a compound mainly responsible for injecting and transporting charges in the light emitting layer, and emission of light itself is not substantially observed in the organic EL device.
Among the compounds contained in the light emitting layer, the host compound preferably has a mass ratio of 20% or more in the layer.
The host compounds may be used alone or in combination of two or more. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the transfer of charges and improve the efficiency of the organic electroluminescence device.
The host compound preferably used in the present invention is described below.

ホスト化合物としては、上述のように本発明で用いられるπ共役系化合物を用いてもよいが、特に制限はない。逆エネルギー移動の観点から、ドーパント励起一重項エネルギーより大きな励起エネルギーをもつものが好ましく、さらにドーパントの励起三重項エネルギーより大きな励起三重項エネルギーをもつものがより好ましい。
ホスト化合物は、発光層内においてキャリアの輸送及び励起子の生成を担う。そのため、カチオンラジカル状態、アニオンラジカル状態、及び励起状態の全ての活性種の状態において安定に存在でき、分解や付加反応などの化学変化を起こさないこと、さらに、層中において通電経時でホスト分子がオングストロームレベルで移動しないことが好ましい。
As the host compound, the π-conjugated compound used in the present invention may be used as described above, but there is no particular limitation. From the viewpoint of reverse energy transfer is preferably one having a larger excitation energy than the excited singlet energy of the dopant, and more preferably even more with a large triplet energy than triplet energy of the dopant.
The host compound is responsible for transporting carriers and generating excitons in the light emitting layer. Therefore, cation radical state, anion radical state, and can exist stably in the state of all active species of the excited state, does not cause chemical changes such as decomposition and addition reactions, further, the host molecule in the layer over time with electricity It is preferable not to move at the Angstrom level.

また、特に併用する発光ドーパントがTADF発光を示す場合には、TADF化合物の三重項励起状態の存在時間が長いことから、ホスト化合物自体のTエネルギー準位が高いこと、さらにホスト化合物同士が会合した状態で低T状態を作らないこと、TADF化合物とホスト化合物とがエキサイプレックスを形成しないこと、ホスト化合物が電界によりエレクトロマーを形成しないことなど、ホスト化合物が低T化しないような分子構造の適切な設計が必要となる。
このような要件を満たすためには、ホスト化合物自体が電子のホッピング移動性が高いこと、かつ、正孔のホッピング移動が高いこと、三重項励起状態となったときの構造変化が小さいことが必要である。このような要件を満たすホスト化合物の代表格としてカルバゾール骨格、アザカルバゾール骨格、ジベンゾフラン骨格、ジベンゾチオフェン骨格又はアザジベンゾフラン骨格などの、高Tエネルギー準位を有するものが好ましく挙げられる。
Further, especially when the light emitting dopant in combination exhibits TADF emission, since long dwell time of the triplet excited state of the TADF compound, the higher the T 1 energy level of the host compound itself, further host compound each other association that in a state not to create a low T 1 state, that the TADF compound and the host compound does not form a exciplex, such that the host compound does not form a electro-mer by the electric field, molecules such as the host compound does not lower T 1 of Proper design of the structure is required.
In order to meet these requirements, the host compound itself must have high electron hopping mobility, high hole hopping mobility, and a small structural change in the triplet excited state. Is. Typical examples of host compounds satisfying such requirements include those having a high T 1 energy level such as a carbazole skeleton, an azacarbazole skeleton, a dibenzofuran skeleton, a dibenzothiophene skeleton or an azadibenzofuran skeleton.

また、ホスト化合物は、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、かつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対して安定して動作させる観点から、高いガラス転移温度(Tg)を有することが好ましい。好ましくはTgが90℃以上であり、より好ましくは120℃以上である。
ここで、ガラス転移点(Tg)とは、DSC(Differential Scanning Colorimetry:示差走査熱量法)を用いて、JIS K 7121−2012に準拠した方法により求められる値である。
In addition, the host compound has a hole transporting ability or an electron transporting ability, prevents the emission of light having a long wavelength, and is stable against heat generation when the organic electroluminescence element is driven at a high temperature or while the element is driven. From the viewpoint of operating as described above, it is preferable to have a high glass transition temperature (Tg). The Tg is preferably 90°C or higher, more preferably 120°C or higher.
Here, the glass transition point (Tg) is a value determined by a method according to JIS K 7121-2012 using DSC (Differential Scanning Colorimetry).

また、本発明に用いられるホスト化合物としては、上述のように本発明に係るπ共役系化合物を用いることも好適である。本発明に係るπ共役系化合物は、高いTを有しており、発光波長の短い(すなわちT及びSのエネルギー準位が高い)発光材料に対しても好適に用いることができるためである。 Moreover, as the host compound used in the present invention, it is also preferable to use the π-conjugated compound according to the present invention as described above. The π-conjugated compound according to the present invention has a high T 1 , and can be suitably used for a light emitting material having a short emission wavelength (that is, a high energy level of T 1 and S 1 ). Is.

本発明の有機EL素子に公知のホスト化合物を用いる場合、その具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開2001−257076号公報、同2002−308855号公報、同2001−313179号公報、同2002−319491号公報、同2001−357977号公報、同2002−334786号公報、同2002−8860号公報、同2002−334787号公報、同2002−15871号公報、同2002−334788号公報、同2002−43056号公報、同2002−334789号公報、同2002−75645号公報、同2002−338579号公報、同2002−105445号公報、同2002−343568号公報、同2002−141173号公報、同2002−352957号公報、同2002−203683号公報、同2002−363227号公報、同2002−231453号公報、同2003−3165号公報、同2002−234888号公報、同2003−27048号公報、同2002−255934号公報、同2002−260861号公報、同2002−280183号公報、同2002−299060号公報、同2002−302516号公報、同2002−305083号公報、同2002−305084号公報、同2002−308837号公報、米国特許公開第20030175553号、米国特許公開第20060280965号、米国特許公開第20050112407号、米国特許公開第20090017330号、米国特許公開第20090030202号、米国特許公開第20050238919号、国際公開第2001039234号、国際公開第2009021126号、国際公開第2008056746号、国際公開第2004093207号、国際公開第2005089025号、国際公開第2007063796号、国際公開第2007063754号、国際公開第2004107822号、国際公開第2005030900号、国際公開第2006114966号、国際公開第2009086028号、国際公開第2009003898号、国際公開第2012023947号、特開2008−074939号、特開2007−254297号、EP2034538、国際公開第2011055933号、国際公開第2012035853号、特開2015−38941号等である。特開2015−38941号に記載のホスト化合物の例には、明細書の[0255]〜[0293]に記載の化合物H−1〜H−230が含まれる。
以下に、本発明に用いられるホスト化合物として、具体的な化合物例を示すが、これらに限定されるものではない。

Figure 0006705148
When a known host compound is used in the organic EL device of the present invention, specific examples thereof include the compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
JP-A-2001-257076, JP-A-2002-308855, JP-A-2001-313179, JP-A-2002-319491, JP-A-2001-357977, JP-A-2002-334786, and JP-A-2002-8860, No. 2002-334787, No. 2002-15871, No. 2002-334788, No. 2002-43056, No. 2002-334789, No. 2002-75645, No. 2002-338579, No. No. 2002-105445, No. 2002-343568, No. 2002-141173, No. 2002-352957, No. 2002-203683, No. 2002-363227, No. 2002-231453, No. 2003. No. 3165, No. 2002-234888, No. 2003-27048, No. 2002-255934, No. 2002-260861, No. 2002-280183, No. 2002-299060, No. 2002. No. 302516, No. 2002-305083, No. 2002-305084, No. 2002-308837, U.S. Patent Publication No. 20030175553, U.S. Patent Publication No. 20060280965, U.S. Patent Publication No. 20050112407, U.S. Patent Publication No. 20090017330, U.S. Patent Publication No. 20090030202, U.S. Patent Publication No. 200502389919, International Publication No. 2001039234, International Publication No. 20090221126, International Publication No. 2008056746, International Publication No. 2004093207, International Publication No. 2005089025, International Publication No. 2007063796, International Publication No. 2007703754, International Publication No. 2004107822, International Publication No. 2005030900, International Publication No. 2006149666, International Publication No. 2009086028, International Publication No. 2009003898, International Publication No. 2012023947, JP2008-074939A. No. 2007-254297, EP2034538, International Publication No. 20110559933, International Publication No. 2012035853, Japanese Patent Application Publication No. 2015-38941, and the like. Examples of the host compound described in JP-A-2015-38941 include compounds H-1 to H-230 described in [0255] to [0293] of the specification.
Specific examples of the compound used as the host compound in the present invention are shown below, but the host compound is not limited thereto.
Figure 0006705148

さらに、本発明に用いられるホスト化合物は、下記一般式(I)で表される化合物であることが好ましい。下記一般式(I)で表される化合物はバイポーラー性を有し、かつ非常に安定である。したがってホスト化合物が下記一般式(I)で表される化合物であると、有機EL素子の寿命が長くなりやすい。

Figure 0006705148
上記一般式(I)中、X101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表す。また、y〜yは、それぞれ独立に、CR106、又は窒素原子を表す。ここで、R101〜R106は、それぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。R101〜R106でありうる置換基の例には、以下の基が含まれる。 Furthermore, the host compound used in the present invention is preferably a compound represented by the following general formula (I). The compound represented by the following general formula (I) has a bipolar property and is very stable. Therefore, when the host compound is a compound represented by the following general formula (I), the life of the organic EL device tends to be long.
Figure 0006705148
In the above general formula (I), X 101 represents NR 101 , oxygen atom, sulfur atom, sulfinyl group, sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 . In addition, y 1 to y 8 each independently represent CR 106 or a nitrogen atom. Here, R 101 to R 106 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring. Examples of the substituent that may be R 101 to R 106 include the following groups.

直鎖状又は分岐状のアルキル基(例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、t−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基等);
アルケニル基(例えば、ビニル基、アリル基等);
アルキニル基(例えば、エチニル基、プロパルギル基等);
芳香族炭化水素環基(芳香族炭素環基やアリール基等とも称される。例えば、ベンゼン環、ビフェニル、ナフタレン環、アズレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、トリフェニレン環、o−ターフェニル環、m−ターフェニル環、p−ターフェニル環、アセナフテン環、コロネン環、インデン環、フルオレン環、フルオラントレン環、ナフタセン環、ペンタセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ピセン環、ピレン環、ピラントレン環、アンスラアントレン環、テトラリン等から導出される基);
芳香族複素環基(例えば、フラン環、ジベンゾフラン環、チオフェン環、ジベンゾチオフェン環、オキサゾール環、ピロール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、ベンゾイミダゾール環、オキサジアゾール環、トリアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、チアゾール環、インドール環、インダゾール環、ベンゾイミダゾール環、ベンゾチアゾール環、ベンゾオキサゾール環、キノキサリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノリン環、イソキノリン環、フタラジン環、ナフチリジン環、カルバゾール環、カルボリン環、ジアザカルバゾール環(カルボリン環を構成する炭化水素環の炭素原子の一つが更に窒素原子で置換されている環等から導出される基。また、カルボリン環とジアザカルバゾール環を合わせて「アザカルバゾール環」と称される場合もある。);
非芳香族炭化水素環基(例えば、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等);
非芳香族複素環基(例えば、ピロリジル基、イミダゾリジル基、モルホリル基、オキサゾリジル基等);
アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、ドデシルオキシ基等);
シクロアルコキシ基(例えば、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等);
アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基、ナフチルオキシ基等);
アルキルチオ基(例えば、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、ドデシルチオ基等);
シクロアルキルチオ基(例えば、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等);
アリールチオ基(例えば、フェニルチオ基、ナフチルチオ基等):
アルコキシカルボニル基(例えば、メチルオキシカルボニル基、エチルオキシカルボニル基、ブチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基等);
アリールオキシカルボニル基(例えば、フェニルオキシカルボニル基、ナフチルオキシカルボニル基等);
スルファモイル基(例えば、アミノスルホニル基、メチルアミノスルホニル基、ジメチルアミノスルホニル基、ブチルアミノスルホニル基、ヘキシルアミノスルホニル基、シクロヘキシルアミノスルホニル基、オクチルアミノスルホニル基、ドデシルアミノスルホニル基、フェニルアミノスルホニル基、ナフチルアミノスルホニル基、2−ピリジルアミノスルホニル基等);
アシル基(例えば、アセチル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基、オクチルカルボニル基、2−エチルヘキシルカルボニル基、ドデシルカルボニル基、フェニルカルボニル基、ナフチルカルボニル基、ピリジルカルボニル基等);
アシルオキシ基(例えば、アセチルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、オクチルカルボニルオキシ基、ドデシルカルボニルオキシ基、フェニルカルボニルオキシ基等);
アミド基(例えば、メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、ジメチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、ペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基、2−エチルヘキシルカルボニルアミノ基、オクチルカルボニルアミノ基、ドデシルカルボニルアミノ基、フェニルカルボニルアミノ基、ナフチルカルボニルアミノ基等);
カルバモイル基(例えば、アミノカルボニル基、メチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、ペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、オクチルアミノカルボニル基、2−エチルヘキシルアミノカルボニル基、ドデシルアミノカルボニル基、フェニルアミノカルボニル基、ナフチルアミノカルボニル基、2−ピリジルアミノカルボニル基等);
ウレイド基(例えば、メチルウレイド基、エチルウレイド基、ペンチルウレイド基、シクロヘキシルウレイド基、オクチルウレイド基、ドデシルウレイド基、フェニルウレイド基ナフチルウレイド基、2−ピリジルアミノウレイド基等);
スルフィニル基(例えば、メチルスルフィニル基、エチルスルフィニル基、ブチルスルフィニル基、シクロヘキシルスルフィニル基、2−エチルヘキシルスルフィニル基、ドデシルスルフィニル基、フェニルスルフィニル基、ナフチルスルフィニル基、2−ピリジルスルフィニル基等);
アルキルスルホニル基(例えば、メチルスルホニル基、エチルスルホニル基、ブチルスルホニル基、シクロヘキシルスルホニル基、2−エチルヘキシルスルホニル基、ドデシルスルホニル基等);
アリールスルホニル基又はヘテロアリールスルホニル基(例えば、フェニルスルホニル基、ナフチルスルホニル基、2−ピリジルスルホニル基等);
アミノ基(例えば、アミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ブチルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、2−エチルヘキシルアミノ基、ドデシルアミノ基、アニリノ基、ナフチルアミノ基、2−ピリジルアミノ基、ジフェニルアミノ基等);
ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等);
フッ化炭化水素基(例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ペンタフルオロフェニル基等);
シアノ基;
ニトロ基;
ヒドロキシ基;
チオール基;
シリル基(例えば、トリメチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリフェニルシリル基、フェニルジエチルシリル基等);
重水素原子
Linear or branched alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, t-butyl group, pentyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group, tridecyl group, tetradecyl group, pentadecyl group, etc. );
An alkenyl group (eg, vinyl group, allyl group, etc.);
An alkynyl group (eg, ethynyl group, propargyl group, etc.);
Aromatic hydrocarbon ring group (also referred to as aromatic carbocyclic group, aryl group, etc., for example, benzene ring, biphenyl, naphthalene ring, azulene ring, anthracene ring, phenanthrene ring, pyrene ring, chrysene ring, naphthacene ring, triphenylene Ring, o-terphenyl ring, m-terphenyl ring, p-terphenyl ring, acenaphthene ring, coronene ring, indene ring, fluorene ring, fluoranthrene ring, naphthacene ring, pentacene ring, perylene ring, pentaphene ring, picene Ring, pyrene ring, pyrantrene ring, anthraanthrene ring, group derived from tetralin, etc.);
Aromatic heterocyclic group (for example, furan ring, dibenzofuran ring, thiophene ring, dibenzothiophene ring, oxazole ring, pyrrole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, benzimidazole ring, oxadiazole ring , Triazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, thiazole ring, indole ring, indazole ring, benzimidazole ring, benzothiazole ring, benzoxazole ring, quinoxaline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoline ring, isoquinoline ring, phthalazine ring, naphthyridine Ring, carbazole ring, carboline ring, diazacarbazole ring (a group derived from a ring in which one of the carbon atoms of the hydrocarbon ring constituting the carboline ring is further substituted with a nitrogen atom, etc.). The carbazole ring may be collectively referred to as "azacarbazole ring".);
Non-aromatic hydrocarbon ring group (for example, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc.);
Non-aromatic heterocyclic group (eg, pyrrolidyl group, imidazolidyl group, morpholyl group, oxazolidyl group, etc.);
Alkoxy groups (eg, methoxy, ethoxy, propyloxy, pentyloxy, hexyloxy, octyloxy, dodecyloxy, etc.);
A cycloalkoxy group (for example, a cyclopentyloxy group, a cyclohexyloxy group, etc.);
Aryloxy groups (eg, phenoxy group, naphthyloxy group, etc.);
Alkylthio group (eg, methylthio group, ethylthio group, propylthio group, pentylthio group, hexylthio group, octylthio group, dodecylthio group, etc.);
Cycloalkylthio group (eg, cyclopentylthio group, cyclohexylthio group, etc.);
Arylthio group (eg, phenylthio group, naphthylthio group, etc.):
Alkoxycarbonyl group (eg, methyloxycarbonyl group, ethyloxycarbonyl group, butyloxycarbonyl group, octyloxycarbonyl group, dodecyloxycarbonyl group, etc.);
Aryloxycarbonyl group (eg, phenyloxycarbonyl group, naphthyloxycarbonyl group, etc.);
Sulfamoyl group (for example, aminosulfonyl group, methylaminosulfonyl group, dimethylaminosulfonyl group, butylaminosulfonyl group, hexylaminosulfonyl group, cyclohexylaminosulfonyl group, octylaminosulfonyl group, dodecylaminosulfonyl group, phenylaminosulfonyl group, naphthyl Aminosulfonyl group, 2-pyridylaminosulfonyl group, etc.);
Acyl group (for example, acetyl group, ethylcarbonyl group, propylcarbonyl group, pentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, octylcarbonyl group, 2-ethylhexylcarbonyl group, dodecylcarbonyl group, phenylcarbonyl group, naphthylcarbonyl group, pyridylcarbonyl group, etc. );
An acyloxy group (eg, acetyloxy group, ethylcarbonyloxy group, butylcarbonyloxy group, octylcarbonyloxy group, dodecylcarbonyloxy group, phenylcarbonyloxy group, etc.);
Amido group (for example, methylcarbonylamino group, ethylcarbonylamino group, dimethylcarbonylamino group, propylcarbonylamino group, pentylcarbonylamino group, cyclohexylcarbonylamino group, 2-ethylhexylcarbonylamino group, octylcarbonylamino group, dodecylcarbonylamino group) Groups, phenylcarbonylamino groups, naphthylcarbonylamino groups, etc.);
Carbamoyl group (for example, aminocarbonyl group, methylaminocarbonyl group, dimethylaminocarbonyl group, propylaminocarbonyl group, pentylaminocarbonyl group, cyclohexylaminocarbonyl group, octylaminocarbonyl group, 2-ethylhexylaminocarbonyl group, dodecylaminocarbonyl group , Phenylaminocarbonyl group, naphthylaminocarbonyl group, 2-pyridylaminocarbonyl group, etc.);
Ureido group (for example, methylureido group, ethylureido group, pentylureido group, cyclohexylureido group, octylureido group, dodecylureido group, phenylureido group, naphthylureido group, 2-pyridylaminoureido group, etc.);
Sulfinyl group (for example, methylsulfinyl group, ethylsulfinyl group, butylsulfinyl group, cyclohexylsulfinyl group, 2-ethylhexylsulfinyl group, dodecylsulfinyl group, phenylsulfinyl group, naphthylsulfinyl group, 2-pyridylsulfinyl group, etc.);
An alkylsulfonyl group (eg, methylsulfonyl group, ethylsulfonyl group, butylsulfonyl group, cyclohexylsulfonyl group, 2-ethylhexylsulfonyl group, dodecylsulfonyl group, etc.);
Arylsulfonyl group or heteroarylsulfonyl group (eg, phenylsulfonyl group, naphthylsulfonyl group, 2-pyridylsulfonyl group, etc.);
Amino group (for example, amino group, ethylamino group, dimethylamino group, butylamino group, cyclopentylamino group, 2-ethylhexylamino group, dodecylamino group, anilino group, naphthylamino group, 2-pyridylamino group, diphenylamino group, etc. );
Halogen atom (eg, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, etc.);
Fluorohydrocarbon group (eg, fluoromethyl group, trifluoromethyl group, pentafluoroethyl group, pentafluorophenyl group, etc.);
Cyano group;
Nitro group;
Hydroxy group;
Thiol group;
A silyl group (eg, trimethylsilyl group, triisopropylsilyl group, triphenylsilyl group, phenyldiethylsilyl group, etc.);
Deuterium atom

上記の中でも好ましい基として、直鎖又は分岐アルキル基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、アミノ基、フッ素原子、フッ化炭化水素基、シアノ基、及びシリル基が挙げられる。 Among the above groups, preferable groups include linear or branched alkyl groups, aromatic hydrocarbon ring groups, aromatic heterocyclic groups, amino groups, fluorine atoms, fluorohydrocarbon groups, cyano groups, and silyl groups.

また、Ar101及びAr102は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表す。「置換されていてもよいアリール基」におけるアリール基は、炭素原子数6〜24の芳香族炭化水素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族炭化水素環の例には、ベンゼン環、インデン環、ナフタレン環、アズレン環、フルオレン環、フェナントレン環、アントラセン環、アセナフチレン環、ビフェニレン環、ナフタセン環、ピレン環、ペンタレン環、アセアントリレン環、ヘプタレン環、トリフェニレン環、as−インダセン環、クリセン環、s−インダセン環、プレイアデン環、フェナレン環、フルオランテン環、ペリレン環、アセフェナントリレン環、ビフェニル環、ターフェニル環、及びテトラフェニル環等が含まれる。好ましくは、ベンゼン環、ビフェニル環、ターフェニル環である。 In addition, Ar 101 and Ar 102 each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group. The aryl group in the "optionally substituted aryl group" is preferably a group derived from an aromatic hydrocarbon ring having 6 to 24 carbon atoms. Examples of such aromatic hydrocarbon rings include benzene ring, indene ring, naphthalene ring, azulene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, biphenylene ring, naphthacene ring, pyrene ring, pentalene ring, acean ring. Tolylene ring, heptalene ring, triphenylene ring, as-indacene ring, chrysene ring, s-indacene ring, pleiadene ring, phenalene ring, fluoranthene ring, perylene ring, acephenanthrylene ring, biphenyl ring, terphenyl ring, and A tetraphenyl ring and the like are included. Of these, a benzene ring, a biphenyl ring and a terphenyl ring are preferable.

また、「置換されていてもよいヘテロアリール基」におけるヘテロアリール基は、各種芳香族複素環から誘導される基であることが好ましい。そのような芳香族複素環の例にはピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、5,10−ジヒドロフェナジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環、ジアザカルバゾール環、ジアザジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンオキシド環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環、フェナントロリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホールオキシド環等が含まれる。好ましくは、カルバゾール環、ベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、アザジベンゾフラン環、ジアザカルバゾール環、ジアザジベンゾフラン環、ピリジン環、ピリミジン環、トリアジン環である。 Further, the heteroaryl group in the “optionally substituted heteroaryl group” is preferably a group derived from various aromatic heterocycles. Examples of such aromatic heterocycles include pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, 5,10-dihydrophenazine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring. Ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, azadibenzofuran ring, dia Zacarbazole ring, diazadibenzofuran ring, dibenzothiophene oxide ring, dibenzothiophene dioxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, A phthalazine ring, a pteridine ring, a phenanthridine ring, a phenanthroline ring, a dibenzofuran ring, a dibenzosilole ring, a dibenzoborol ring, a dibenzophosphole oxide ring and the like are included. Preferred are a carbazole ring, a benzocarbazole ring, an azacarbazole ring, an azadibenzofuran ring, a diazacarbazole ring, a diazadibenzofuran ring, a pyridine ring, a pyrimidine ring and a triazine ring.

アリール基やヘテロアリール基が有しうる置換基の例には、アルキル基で置換されていてもよいアリール基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、置換されていてもよい複素環基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいシリル基等が含まれる。上記「アルキル基」は、直鎖、分岐又は環状のいずれであってもよく、例えば炭素原子数1〜20の直鎖又は分岐のアルキル基、或いは炭素原子数5〜20の環状のアルキル基でありうる。アルキル基の例には、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、n−ヘキシル基、シクロヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、2−ヘキシルオクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ウンデシル基、n−ドデシル基、n−トリデシル基、n−テトラデシル基、n−ペンタデシル基、n−ヘキサデシル基、n−ヘプタデシル基、n−オクタデシル基、n−ノナデシル基、及びn−イコシル基等が含まれる。また、「アリール基」及び「複素環基」は、Ar101及びAr102で表されるアリール基やヘテロアリール基と同様でありうる。 Examples of the substituent which the aryl group or heteroaryl group may have include an aryl group which may be substituted with an alkyl group, a fluorine atom, a cyano group, an alkyl group which may be substituted with a fluorine atom, and a substituted group. Optionally carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group, optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, optionally substituted heterocyclic group, optionally substituted amino Groups, optionally substituted silyl groups, and the like are included. The "alkyl group" may be linear, branched or cyclic, and is, for example, a linear or branched alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or a cyclic alkyl group having 5 to 20 carbon atoms. It is possible. Examples of the alkyl group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, neopentyl group, n-hexyl group, cyclohexyl group. Group, 2-ethylhexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, 2-hexyloctyl group, n-nonyl group, n-decyl group, n-undecyl group, n-dodecyl group, n-tridecyl group, n- A tetradecyl group, an n-pentadecyl group, an n-hexadecyl group, an n-heptadecyl group, an n-octadecyl group, an n-nonadecyl group, an n-icosyl group and the like are included. The “aryl group” and “heterocyclic group” may be the same as the aryl group or heteroaryl group represented by Ar 101 and Ar 102 .

また、上記一般式(I)において、n101及びn102は、各々0〜4の整数を表すが、R101が水素原子の場合は、n101は1〜4の整数を表す。 In addition, in the above general formula (I), n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4, but when R 101 is a hydrogen atom, n101 represents an integer of 1 to 4.

上記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物は、下記一般式(II)で表される構造を有することがより好ましい。

Figure 0006705148
一般式(II)において、X101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表す。R101〜R105は、それぞれ独立して水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。なお、R101〜R105は、一般式(I)のR101〜R105と同義である。 The host compound having the structure represented by the general formula (I) more preferably has the structure represented by the following general formula (II).
Figure 0006705148
In the general formula (II), X 101 represents NR 101 , oxygen atom, sulfur atom, sulfinyl group, sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 . R 101 to R 105 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring. In addition, R< 101 >-R< 105 > is synonymous with R< 101 >-R< 105 > of general formula (I).

Ar101及びAr102は、それぞれ独立に、置換されていてもよいアリール基、置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、Ar101及びAr102は、一般式(I)のAr101及びAr102と同義である。 Ar 101 and Ar 102 are independently an optionally substituted aryl group, an heteroaryl group which may be substituted, Ar 101 and Ar 102 are Ar 101 and Ar 102 in Formula (I) Is synonymous with.

また、n102は0〜4の整数を表す。 Further, n102 represents an integer of 0 to 4.

さらに、一般式(II)で表される化合物は、下記一般式(III−1)、(III−2)又は(III−3)で表される化合物であることが好ましい。 Further, the compound represented by the general formula (II) is preferably a compound represented by the following general formula (III-1), (III-2) or (III-3).

Figure 0006705148
Figure 0006705148

一般式(III−1)〜(III−3)において、X101、Ar102、n102は、前記一般式(II)におけるX101、Ar102、n102と同義である。また、一般式(III−2)において、R104は、前記一般式(I)におけるR104と同義である。
一般式(III−1)〜(III−3)において、X101を含んで形成される縮合環、カルバゾール環及びベンゼン環は、ホスト化合物の機能を阻害しない範囲でさらに置換基を有してもよい。
In the general formula (III-1) ~ (III -3), X 101, Ar 102, n102 have the same meanings as X 101, Ar 102, n102 in the general formula (II). In the general formula (III-2), R 104 has the same meaning as R 104 in formula (I).
In the general formulas (III-1) to (III-3), the condensed ring, carbazole ring and benzene ring formed by including X 101 may further have a substituent as long as the function of the host compound is not impaired. Good.

上記一般式(I)、(II)、又は(III−1)〜(III−3)で表されるホスト化合物の好ましい具体例を挙げるが、これらの化合物はさらに置換基を有していたり、構造異性体などが存在していたりする場合もあり、本記述に限定されない。 Specific preferred examples of the host compounds represented by the above general formulas (I), (II), or (III-1) to (III-3) will be given. These compounds may further have a substituent, There are cases where structural isomers and the like may exist, and the present invention is not limited to this description.

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

《電子輸送層》
本発明において電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は2nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
また、有機EL素子においては発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極によって反射されてから取り出される光とが干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数nm〜数μmの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は10−5cm/Vs以上であることが好ましい。
電子輸送層に用いられる材料(以下、電子輸送材料という)としては、電子の注入性又は輸送性、正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
<Electron transport layer>
In the present invention, the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and may have a function of transmitting the electrons injected from the cathode to the light emitting layer.
The total thickness of the electron transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 2 nm to 5 μm, more preferably 2 to 500 nm, further preferably 5 to 200 nm.
Further, in the organic EL element, when the light generated in the light emitting layer is extracted from the electrode, the light directly extracted from the light emitting layer interferes with the light extracted after being reflected by the electrode that is opposite to the light extracting electrode. It is known to wake up. When the light is reflected by the cathode, it is possible to efficiently use this interference effect by appropriately adjusting the total layer thickness of the electron transport layer within a range of several nm to several μm.
On the other hand, when the layer thickness of the electron transport layer is increased, the voltage is likely to increase. Therefore, especially when the layer thickness is large, the electron mobility of the electron transport layer is preferably 10 −5 cm 2 /Vs or more. ..
The material used for the electron transporting layer (hereinafter referred to as electron transporting material) may have any of an electron injecting property, a transporting property, and a hole blocking property, and is arbitrarily selected from conventionally known compounds. Those selected can be used.

例えば、含窒素芳香族複素環誘導体(カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体(カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換されたもの)、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体等)、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、シロール誘導体、芳香族炭化水素環誘導体(ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体等)等が挙げられる。 For example, nitrogen-containing aromatic heterocyclic derivatives (carbazole derivatives, azacarbazole derivatives (one or more of the carbon atoms constituting the carbazole ring are substituted with nitrogen atoms), pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, pyridazine derivatives, Triazine derivative, quinoline derivative, quinoxaline derivative, phenanthroline derivative, azatriphenylene derivative, oxazole derivative, thiazole derivative, oxadiazole derivative, thiadiazole derivative, triazole derivative, benzimidazole derivative, benzoxazole derivative, benzthiazole derivative, etc.), dibenzofuran derivative, Examples thereof include dibenzothiophene derivatives, silole derivatives, aromatic hydrocarbon ring derivatives (naphthalene derivatives, anthracene derivatives, triphenylene derivatives, etc.).

また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス(8−キノリノール)アルミニウム(Alq)、トリス(5,7−ジクロロ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5,7−ジブロモ−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(2−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、トリス(5−メチル−8−キノリノール)アルミニウム、ビス(8−キノリノール)亜鉛(Znq)等、及びこれらの金属錯体の中心金属がIn、Mg、Cu、Ca、Sn、Ga又はPbに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にn型−Si、n型−SiC等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
Further, a metal complex having a quinolinol skeleton or a dibenzoquinolinol skeleton as a ligand, for example, tris(8-quinolinol)aluminum (Alq), tris(5,7-dichloro-8-quinolinol)aluminum, tris(5,7- Dibromo-8-quinolinol)aluminum, tris(2-methyl-8-quinolinol)aluminum, tris(5-methyl-8-quinolinol)aluminum, bis(8-quinolinol)zinc (Znq), and the like, and metal complexes thereof. A metal complex in which the central metal is replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga or Pb can also be used as the electron transport material.
In addition, metal-free or metal phthalocyanine, or those whose terminal is substituted with an alkyl group, a sulfonic acid group, or the like can be preferably used as the electron transport material. Further, the distyrylpyrazine derivatives exemplified as the material for the light emitting layer can also be used as the electron transport material, and like the hole injection layer and the hole transport layer, an inorganic semiconductor such as n-type-Si or n-type-SiC. Can also be used as an electron transport material.
Further, a polymer material obtained by introducing these materials into a polymer chain or using these materials as a polymer main chain can also be used.

本発明に係る電子輸送層においては、電子輸送層にドープ材をゲスト材料としてドープして、n性の高い(電子リッチ)電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体やハロゲン化金属など金属化合物等のn型ドーパントが挙げられる。このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平4−297076号公報、同10−270172号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等の文献に記載されたものが挙げられる。 In the electron transport layer according to the present invention, the electron transport layer may be doped with a dopant as a guest material to form an electron transport layer having a high n property (electron rich). Examples of the doping material include n-type dopants such as metal compounds such as metal complexes and metal halides. Specific examples of the electron transport layer having such a structure include, for example, JP-A-4-297076, JP-A-10-270172, JP-A-2000-196140, JP-A-2001-102175 and J. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.

本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
米国特許第6528187号、米国特許第7230107号、米国特許出願公開第2005/0025993号明細書、米国特許出願公開第2004/0036077号明細書、米国特許出願公開第2009/0115316号明細書、米国特許出願公開第2009/0101870号明細書、米国特許出願公開第2009/0179554号明細書、国際公開第2003/060956号、国際公開第2008/132085号、Appl.Phys.Lett.75,4(1999)、Appl.Phys.Lett.79,449(2001)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.81,162(2002)、Appl.Phys.Lett.79,156(2001)、米国特許第7964293号、米国特許出願公開第2009/030202号明細書、国際公開第2004/080975号、国際公開第2004/063159号、国際公開第2005/085387号、国際公開第2006/067931号、国際公開第2007/086552号、国際公開第2008/114690号、国際公開第2009/069442号、国際公開第2009/066779号、国際公開第2009/054253号、国際公開第2011/086935号、国際公開第2010/150593号、国際公開第2010/047707号、欧州特許第2311826号明細書、特開2010−251675号公報、特開2009−209133号公報、特開2009−124114号公報、特開2008−277810号公報、特開2006−156445号公報、特開2005−340122号公報、特開2003−45662号公報、特開2003−31367号公報、特開2003−282270号公報、国際公開第2012/115034号等である。
Specific examples of known preferable electron transporting materials used in the organic EL device of the present invention include compounds described in the following documents, but the present invention is not limited thereto.
United States Patent No. 6528187, United States Patent No. 7230107, United States Patent Application Publication No. 2005/0025993, United States Patent Application Publication No. 2004/0036077, United States Patent Application Publication No. 2009/0115316, United States Patent Published application 2009/0101870, Published US patent application 2009/0179554, Published international application 2003/060956, Published international application 2008/132085, Appl. Phys. Lett. 75, 4 (1999), Appl. Phys. Lett. 79,449 (2001), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 81, 162 (2002), Appl. Phys. Lett. 79,156 (2001), U.S. Patent No. 7,964,293, U.S. Patent Application Publication No. 2009/030202, International Publication No. 2004/080975, International Publication No. 2004/063159, International Publication No. 2005/085387, International. Publication No. 2006/067931, International Publication No. 2007/086552, International Publication No. 2008/114690, International Publication No. 2009/069482, International Publication No. 2009/066779, International Publication No. 2009/054253, International Publication No. 2011/086935, International Publication No. 2010/150593, International Publication No. 2010/047707, European Patent No. 2311826, JP 2010-251675 A, JP 2009-209133 A, JP 2009-124114 A. JP-A-2008-277810, JP-A-2006-156445, JP-A-2005-340122, JP-A-2003-45662, JP-A-2003-31367, and JP-A-2003-228270. , International Publication No. 2012/115034 and the like.

本発明におけるより好ましい公知の電子輸送材料としては、少なくとも一つの窒素原子を含む芳香族複素環化合物や、リン原子を含む化合物が挙げられ、例えばピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、アザジベンゾフラン誘導体、アザジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、アリールホスフィンオキサイド誘導体などが挙げられる。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
More preferable known electron transporting materials in the present invention include aromatic heterocyclic compounds containing at least one nitrogen atom and compounds containing a phosphorus atom, such as pyridine derivatives, pyrimidine derivatives, pyrazine derivatives, triazine derivatives and dibenzofuran. Examples thereof include derivatives, dibenzothiophene derivatives, azadibenzofuran derivatives, azadibenzothiophene derivatives, carbazole derivatives, azacarbazole derivatives, benzimidazole derivatives and arylphosphine oxide derivatives.
The electron transport material may be used alone or in combination of two or more kinds.

《正孔阻止層》
正孔阻止層とは広い意味では電子輸送層の機能を有する層であり、好ましくは電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が小さい材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する電子輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る正孔阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、前述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。
<Hole blocking layer>
The hole blocking layer is a layer having a function of an electron transporting layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting an electron and a small ability to transport a hole. By blocking the above, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Further, the structure of the electron transport layer described above can be used as the hole blocking layer according to the present invention, if necessary.
The hole blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the cathode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the hole blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
As the material used for the hole blocking layer, the material used for the electron transport layer described above is preferably used, and the material used as the host compound described above is also preferably used for the hole blocking layer.

《電子注入層》
本発明に係る電子注入層(「陰極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において電子注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陰極と発光層との間、又は陰極と電子輸送層との間に存在させてもよい。
電子注入層はごく薄い膜であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は0.1〜5nmの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な層(膜)であってもよい。
<Electron injection layer>
The electron injection layer (also referred to as “cathode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to reduce the driving voltage and improve the light emission brightness. It is described in detail in Chapter 2, "Electrode Materials" (Pages 123 to 166), Volume 2, "Forefront of Industrialization" (published on Nov. 30, 1998, NTS Co., Ltd.).
In the present invention, the electron injection layer may be provided as necessary and may be present between the cathode and the light emitting layer or between the cathode and the electron transport layer as described above.
The electron injection layer is preferably a very thin film, and the layer thickness is preferably in the range of 0.1 to 5 nm, although it depends on the material. Further, it may be a non-uniform layer (film) in which the constituent material is present intermittently.

電子注入層は、特開平6−325871号公報、同9−17574号公報、同10−74586号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、8−ヒドロキシキノリネートリチウム(Liq)等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、前述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。
Details of the electron injection layer are described in JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like, and specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. , Metals such as strontium and aluminum, alkali metal compounds such as lithium fluoride, sodium fluoride and potassium fluoride, alkaline earth metal compounds such as magnesium fluoride and calcium fluoride, oxidation Examples thereof include metal oxides typified by aluminum, metal complexes typified by lithium 8-hydroxyquinolinate (Liq), and the like. It is also possible to use the above-mentioned electron transport material.
The materials used for the electron injection layer may be used alone or in combination of two or more.

《正孔輸送層》
本発明において正孔輸送層とは、正孔を輸送する機能を有する材料からなり、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有していればよい。
本発明に係る正孔輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は5nm〜5μmの範囲であり、より好ましくは2〜500nmであり、さらに好ましくは5〜200nmである。
正孔輸送層に用いられる材料(以下、正孔輸送材料という)としては、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー(例えばPEDOT/PSS、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等)等が挙げられる。
<Hole transport layer>
In the present invention, the hole transport layer is made of a material having a function of transporting holes, and may have a function of transmitting the holes injected from the anode to the light emitting layer.
The total thickness of the hole transport layer according to the present invention is not particularly limited, but is usually in the range of 5 nm to 5 μm, more preferably 2 to 500 nm, further preferably 5 to 200 nm.
The material used for the hole-transporting layer (hereinafter referred to as the hole-transporting material) may have any of the hole-injecting or transporting property and the electron-blocking property. Any of these can be selected and used.
For example, porphyrin derivative, phthalocyanine derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, triazole derivative, imidazole derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, polyarylalkane derivative, triarylamine derivative, carbazole derivative. , Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, and polyvinylcarbazole, polymer materials or oligomers containing aromatic amines introduced in the main chain or side chains, polysilane, conductive Polymers or oligomers (for example, PEDOT/PSS, aniline-based copolymers, polyaniline, polythiophene, etc.) and the like can be mentioned.

トリアリールアミン誘導体としては、α−NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)に代表されるベンジジン型や、MTDATAに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
また、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
さらに不純物をドープしたp性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平4−297076号公報、特開2000−196140号公報、同2001−102175号公報の各公報、J.Appl.Phys.,95,5773(2004)等に記載されたものが挙げられる。
Examples of triarylamine derivatives include benzidine type compounds represented by α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) and starburst type compounds represented by MTDATA. Examples thereof include compounds having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core portion.
Further, a hexaazatriphenylene derivative as described in JP-B-2003-515432, JP-A-2006-135145, etc. can be similarly used as the hole transport material.
Further, a hole transport layer having a high p property doped with impurities can be used. Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, and JP-A-2001-102175, and J. Appl. Phys. , 95, 5773 (2004) and the like.

また、特開平11−251067号公報、J.Huang et.al.著文献(Applied Physics Letters 80(2002),p.139)に記載されているような、いわゆるp型正孔輸送材料やp型−Si、p型−SiC等の無機化合物を用いることもできる。さらにIr(ppy)3に代表されるような中心金属にIrやPtを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。
正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。
Further, JP-A No. 11-251067, J. Huang et. al. It is also possible to use a so-called p-type hole transporting material or an inorganic compound such as p-type-Si or p-type-SiC as described in the literature (Applied Physics Letters 80 (2002), p.139). Furthermore, an orthometalated organometallic complex having Ir or Pt as a central metal represented by Ir(ppy)3 is also preferably used.
As the hole transport material, the above materials can be used, but a triarylamine derivative, a carbazole derivative, an indolocarbazole derivative, an azatriphenylene derivative, an organometallic complex, and an aromatic amine are introduced into the main chain or side chains. The polymer materials or oligomers mentioned above are preferably used.

本発明の有機EL素子に用いられる、公知の好ましい正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
例えば、Appl.Phys.Lett.69,2160(1996)、J.Lumin.72−74,985(1997)、Appl.Phys.Lett.78,673(2001)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.90,183503(2007)、Appl.Phys.Lett.51,913(1987)、Synth.Met.87,171(1997)、Synth.Met.91,209(1997)、Synth.Met.111,421(2000)、SID Symposium Digest,37,923(2006)、J.Mater.Chem.3,319(1993)、Adv.Mater.6,677(1994)、Chem.Mater.15,3148(2003)、米国特許出願公開第2003/0162053号明細書、米国特許出願公開第2002/0158242号明細書、米国特許出願公開第2006/0240279号明細書、米国特許出願公開第2008/0220265号明細書、米国特許第5061569号、国際公開第2007/002683号、国際公開第2009/018009号、EP650955、米国特許出願公開第2008/0124572号明細書、米国特許出願公開第2007/0278938号明細書、米国特許出願公開第2008/0106190号明細書、米国特許出願公開第2008/0018221号明細書、国際公開第2012/115034号、特表2003−519432号公報、特開2006−135145号公報、米国特許出願番号13/585981号等である。
正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
Specific examples of known preferable hole transport materials used in the organic EL device of the present invention include the compounds described in the following documents in addition to the above-mentioned documents, but the present invention is not limited thereto. Not done.
For example, Appl. Phys. Lett. 69, 2160 (1996), J. Lumin. 72-74, 985 (1997), Appl. Phys. Lett. 78, 673 (2001), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 90, 183503 (2007), Appl. Phys. Lett. 51, 913 (1987), Synth. Met. 87,171 (1997), Synth. Met. 91, 209 (1997), Synth. Met. 111, 421 (2000), SID Symposium Digest, 37, 923 (2006), J. Am. Mater. Chem. 3, 319 (1993), Adv. Mater. 6,677 (1994), Chem. Mater. 15, 3148 (2003), U.S. Patent Application Publication No. 2003/0162053, U.S. Patent Application Publication No. 2002/0158242, U.S. Patent Application Publication No. 2006/0240279, U.S. Patent Application Publication No. 2008/. No. 0220265, U.S. Pat. Description, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0106190, U.S. Patent Application Publication No. 2008/0018221, International Publication No. 2012/115034, Japanese Patent Publication No. 2003-159432, Japanese Patent Laid-Open No. 2006-135145. U.S. Patent Application No. 13/585981 and the like.
The hole transport material may be used alone or in combination of two or more kinds.

《電子阻止層》
電子阻止層とは、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層であり、好ましくは正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、前述する正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明に係る電子阻止層として用いることができる。
本発明の有機EL素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。
本発明に係る電子阻止層の層厚としては、好ましくは3〜100nmの範囲内であり、更に好ましくは5〜30nmの範囲内である。
電子阻止層に用いられる材料としては、前述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、前述のホスト化合物も電子阻止層に好ましく用いられる。
<Electron blocking layer>
The electron blocking layer is a layer having a function of a hole transporting layer in a broad sense, and is preferably made of a material having a function of transporting holes and having a small ability to transport electrons, while transporting holes. By blocking the electrons, the recombination probability of electrons and holes can be improved.
Further, the structure of the hole transport layer described above can be used as the electron blocking layer according to the present invention, if necessary.
The electron blocking layer provided in the organic EL device of the present invention is preferably provided adjacent to the anode side of the light emitting layer.
The layer thickness of the electron blocking layer according to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably 5 to 30 nm.
As the material used for the electron blocking layer, the materials used for the hole transport layer described above are preferably used, and the host compounds described above are also preferably used for the electron blocking layer.

《正孔注入層》
本発明に係る正孔注入層(「陽極バッファー層」ともいう)とは、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層のことで、「有機EL素子とその工業化最前線(1998年11月30日エヌ・ティー・エス社発行)」の第2編第2章「電極材料」(123〜166頁)に詳細に記載されている。
本発明において正孔注入層は必要に応じて設け、上記のごとく陽極と発光層又は陽極と正孔輸送層との間に存在させてもよい。
正孔注入層は、特開平9−45479号公報、同9−260062号公報、同8−288069号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば前述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。
中でも銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表2003−519432号公報や特開2006−135145号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン(エメラルディン)やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
前述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
<Hole injection layer>
The hole injection layer (also referred to as “anode buffer layer”) according to the present invention is a layer provided between the anode and the light emitting layer for lowering the driving voltage and improving the light emission brightness. It is described in detail in Chapter 2, “Electrode Materials” (Pages 123 to 166), Volume 2, “Forefront of Industrialization” (published on Nov. 30, 1998, NTS Co., Ltd.).
In the present invention, the hole injection layer may be provided as necessary and may be present between the anode and the light emitting layer or between the anode and the hole transport layer as described above.
The hole injection layer is described in detail in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069 and the like, and examples of materials used for the hole injection layer include: Examples thereof include the materials used for the hole transport layer.
Among them, a phthalocyanine derivative typified by copper phthalocyanine, a hexaazatriphenylene derivative as described in JP 2003-515432 A, JP 2006-135145 A, a metal oxide typified by vanadium oxide, or an amorphous carbon. Conductive polymers such as polyaniline (emeraldine) and polythiophene, orthometallated complexes represented by tris(2-phenylpyridine)iridium complex, triarylamine derivatives and the like are preferable.
The above-mentioned materials used for the hole injection layer may be used alone or in combination of two or more.

《添加物》
前述した本発明における有機層は、更に他の添加物が含まれていてもよい。
添加物としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Pd、Ca、Na等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。
添加物の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量%に対して1000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは50ppm以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。
"Additive"
The organic layer in the present invention described above may further contain other additives.
Examples of the additives include halogen elements such as bromine, iodine and chlorine and halogenated compounds, alkali metals and alkaline earth metals such as Pd, Ca and Na, compounds and complexes of transition metals, salts and the like.
The content of the additive can be arbitrarily determined, but it is preferably 1000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, and further preferably 50 ppm or less based on the total mass% of the layer to be contained. .
However, it is not within this range depending on the purpose of improving the transportability of electrons and holes and the purpose of making energy transfer of excitons advantageous.

《有機層の形成方法》
本発明に係る有機層(正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層、中間層等)の形成方法について説明する。
本発明に係る有機層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
<Method of forming organic layer>
A method for forming the organic layer (hole injection layer, hole transport layer, light emitting layer, hole blocking layer, electron transport layer, electron injection layer, intermediate layer, etc.) according to the present invention will be described.
The method for forming the organic layer according to the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
As the wet method, there are spin coating method, casting method, ink jet method, printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, LB method (Langmuir-Blodgett method) and the like. From the viewpoint of easy production of a uniform thin film and high productivity, a roll-to-roll method having high suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable.

本発明に用いられる有機EL材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。
また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層ごとに異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度50〜450℃、真空度10−6〜10−2Pa、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、層(膜)厚0.1nm〜5μm、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
本発明に係る有機層の形成は、一回の真空引きで一貫して正孔注入層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
As a liquid medium for dissolving or dispersing the organic EL material used in the present invention, for example, methyl ethyl ketone, ketones such as cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbons such as mesitylene and cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.
As the dispersion method, it is possible to disperse by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shearing force dispersion or media dispersion.
Further, a different film forming method may be applied to each layer. When a vapor deposition method is adopted for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used and the like, but generally, the boat heating temperature is 50 to 450° C., the vacuum degree is 10 −6 to 10 −2 Pa, the vapor deposition rate is 0.01 to 50 nm/sec, substrate temperature −50 to 300° C., layer (film) thickness 0.1 nm to 5 μm, preferably 5 to 200 nm are appropriately selected.
In forming the organic layer according to the present invention, it is preferable to consistently form from the hole injection layer to the cathode by vacuuming once, but it is also possible to take out in the middle and apply a different film forming method. In that case, it is preferable to carry out the work in a dry inert gas atmosphere.

《陽極》
有機EL素子における陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上、好ましくは4.5eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウムスズ酸化物(ITO)、SnO、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
陽極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成してもよく、あるいはパターン精度を余り必要としない場合は(100μm以上程度)、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。
あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。
陽極の膜厚は材料にもよるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲内で選ばれる。
"anode"
As the anode in the organic EL element, a material having a high work function (4 eV or more, preferably 4.5 eV or more), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof as an electrode substance is preferably used. Specific examples of such an electrode substance include a conductive transparent material such as a metal such as Au, CuI, indium tin oxide (ITO), SnO 2 , and ZnO. Alternatively, a material such as IDIXO (In 2 O 3 —ZnO) that can form an amorphous transparent conductive film may be used.
The anode may be formed into a thin film by a method such as vapor deposition or sputtering of these electrode substances, and a pattern of a desired shape may be formed by a photolithography method, or when pattern accuracy is not required so much (about 100 μm or more). Alternatively, a pattern may be formed through a mask having a desired shape during vapor deposition or sputtering of the electrode material.
Alternatively, when a coatable substance such as an organic conductive compound is used, a wet film forming method such as a printing method or a coating method can be used. When the emitted light is taken out from this anode, it is desirable that the transmittance is higher than 10%, and the sheet resistance as the anode is preferably several hundred Ω/□ or less.
Although the thickness of the anode depends on the material, it is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.

《陰極》
陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。
"cathode"
As the cathode, a metal having a low work function (4 eV or less) (referred to as an electron injecting metal), an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof is used as an electrode material. Specific examples of such an electrode material include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium/copper mixture, magnesium/silver mixture, magnesium/aluminum mixture, magnesium/indium mixture, aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ). 3 ) Mixtures, indium, lithium/aluminum mixtures, aluminum, rare earth metals and the like. Among these, a mixture of an electron injecting metal and a second metal which is a stable metal having a larger work function than that of the electron injecting metal, for example, a magnesium/silver mixture, from the viewpoint of electron injecting property and durability against oxidation and the like. A magnesium/aluminum mixture, a magnesium/indium mixture, an aluminum/aluminum oxide (Al 2 O 3 ) mixture, a lithium/aluminum mixture, aluminum and the like are suitable.

陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させることで作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましく、膜厚は通常10nm〜5μm、好ましくは50〜200nmの範囲で選ばれる。
なお、発光した光を透過させるため、有機EL素子の陽極又は陰極のいずれか一方が透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
また、陰極に上記金属を1〜20nmの膜厚で作製した後に、陽極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の陰極を作製することができ、これを応用することで陽極と陰極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode substances by a method such as vapor deposition or sputtering. The sheet resistance of the cathode is preferably several hundred Ω/□ or less, and the film thickness is usually selected in the range of 10 nm to 5 μm, preferably 50 to 200 nm.
Since the emitted light is transmitted, if either the anode or the cathode of the organic EL element is transparent or semi-transparent, the emission brightness is improved, which is convenient.
In addition, a transparent or semitransparent cathode can be produced by producing the above-mentioned metal in a thickness of 1 to 20 nm on the cathode and then producing the conductive transparent material mentioned in the description of the anode thereon. By applying, it is possible to fabricate a device in which both the anode and the cathode are transparent.

[支持基板]
本発明の有機EL素子に用いることのできる支持基板(以下、基板、基材等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等の種類には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。特に好ましい支持基板は、有機EL素子にフレキシブル性を与えることが可能な樹脂フィルムである。
[Supporting substrate]
The supporting substrate (hereinafter, also referred to as a substrate, a base material, etc.) that can be used in the organic EL device of the present invention is not particularly limited in the kind of glass, plastic, etc., and is transparent or opaque. May be. When extracting light from the supporting substrate side, the supporting substrate is preferably transparent. Examples of transparent support substrates that are preferably used include glass, quartz, and transparent resin films. A particularly preferable support substrate is a resin film that can give flexibility to the organic EL element.

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート(TAC)、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート(CAP)、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリルあるいはポリアリレート類、アートン(商品名JSR社製)あるいはアペル(商品名三井化学社製)といったシクロオレフィン系樹脂等を挙げられる。 Examples of the resin film include polyesters such as polyethylene terephthalate (PET) and polyethylene naphthalate (PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, cellulose triacetate (TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate ( CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose esters such as cellulose nitrate or derivatives thereof, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol, syndiotactic polystyrene, polycarbonate, norbornene resin, polymethylpentene, polyether ketone, polyimide , Polyethersulfone (PES), Polyphenylene sulfide, Polysulfones, Polyetherimide, Polyetherketone imide, Polyamide, Fluoropolymer, Nylon, Polymethylmethacrylate, Acrylic or polyarylate, Arton (product name JSR) or Apell (Trade name, manufactured by Mitsui Chemicals, Inc.) and the like.

樹脂フィルムの表面には、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が形成されていてもよく、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度(90±2)%RH)が0.01g/m・24h以下のバリア性フィルムであることが好ましく、更には、JIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が、1×10−3ml/m・24h・atm以下、水蒸気透過度が、1×10−5g/m・24h以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。 On the surface of the resin film, an inorganic film, an organic film, or a hybrid film of both of them may be formed, and the water vapor permeability (25±0.5° C.) measured by a method according to JIS K 7129-1992 , Relative humidity (90±2)% RH) is preferably a barrier film having a relative humidity of 0.01 g/m 2 ·24 h or less, and further, oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987. Is preferably 1×10 −3 ml/m 2 ·24 h·atm or less and a water vapor permeability of 1×10 −5 g/m 2 ·24 h or less, which is a high barrier film.

バリア膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。更に該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。
バリア膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができるが、特開2004−68143号公報に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
As a material for forming the barrier film, any material may be used as long as it has a function of suppressing entry of moisture or oxygen, which causes deterioration of the element, and examples thereof include silicon oxide, silicon dioxide, and silicon nitride. Further, in order to improve the brittleness of the film, it is more preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and layers made of an organic material. The order of stacking the inorganic layer and the organic layer is not particularly limited, but it is preferable to alternately stack the plurality of layers.
The method for forming the barrier film is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method. The plasma CVD method, the laser CVD method, the thermal CVD method, the coating method and the like can be used, but the atmospheric pressure plasma polymerization method as described in JP 2004-68143 A is particularly preferable.

不透明な支持基板としては、例えば、アルミ、ステンレス等の金属板、フィルムや不透明樹脂基板、セラミック製の基板等が挙げられる。
本発明の有機EL素子の発光の室温(25℃)における外部取り出し量子効率は、1%以上であることが好ましく、5%以上であるとより好ましい。
ここで、外部取り出し量子効率(%)=有機EL素子外部に発光した光子数/有機EL素子に流した電子数×100である。
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機EL素子からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。
Examples of the opaque support substrate include metal plates such as aluminum and stainless steel, films and opaque resin substrates, and ceramic substrates.
The external extraction quantum efficiency of light emission of the organic EL device of the present invention at room temperature (25° C.) is preferably 1% or more, and more preferably 5% or more.
Here, the external extraction quantum efficiency (%)=the number of photons emitted outside the organic EL element/the number of electrons flown into the organic EL element×100.
Further, a hue improving filter such as a color filter or the like may be used together, or a color conversion filter that converts the emission color from the organic EL element into multiple colors by using a phosphor may be used together.

[封止]
本発明の有機EL素子の封止に用いられる封止手段としては、例えば、封止部材と、電極、支持基板とを接着剤で接着する方法を挙げることができる。封止部材としては、有機EL素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に限定されない。
具体的には、ガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等が挙げられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。金属板としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる1種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。
[Sealing]
Examples of the sealing means used for sealing the organic EL element of the present invention include a method of adhering a sealing member, an electrode, and a support substrate with an adhesive. The sealing member may be arranged so as to cover the display area of the organic EL element, and may have a concave plate shape or a flat plate shape. Moreover, the transparency and the electrical insulation are not particularly limited.
Specific examples include a glass plate, a polymer plate/film, a metal plate/film, and the like. Examples of the glass plate include soda lime glass, barium/strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz. Examples of the polymer plate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like. Examples of the metal plate include those made of one or more metals or alloys selected from the group consisting of stainless steel, iron, copper, aluminum, magnesium, nickel, zinc, chromium, titanium, molybdenum, silicon, germanium and tantalum.

本発明においては、有機EL素子を薄膜化できるということからポリマーフィルム、金属フィルムを好ましく使用することができる。さらには、ポリマーフィルムはJIS K 7126−1987に準拠した方法で測定された酸素透過度が1×10−3ml/m・24h以下、JIS K 7129−1992に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度(25±0.5℃、相対湿度90±2%)が、1×10−3g/m・24h以下のものであることが好ましい。
封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。
In the present invention, a polymer film or a metal film can be preferably used because the organic EL device can be made thin. Further, the polymer film has an oxygen permeability of 1×10 −3 ml/m 2 ·24 h or less measured by a method according to JIS K 7126-1987, and a method according to JIS K 7129-1992. The water vapor permeability (25±0.5° C., relative humidity 90±2%) is preferably 1×10 −3 g/m 2 ·24 h or less.
Sandblasting, chemical etching or the like is used to process the sealing member into a concave shape.

接着剤として具体的には、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、2−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型(二液混合)を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。
なお、有機EL素子が熱処理により劣化する場合があるので、室温から80℃までに接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。封止部分への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。
Specific examples of the adhesive include photocurable and thermosetting adhesives having a reactive vinyl group of acrylic acid-based oligomer and methacrylic acid-based oligomer, and moisture-curable adhesives such as 2-cyanoacrylic acid ester. be able to. In addition, epoxy and other heat and chemical curing types (mixing of two liquids) can be used. Moreover, hot-melt type polyamide, polyester, and polyolefin can be mentioned. Further, a cation-curing type UV-curing type epoxy resin adhesive can be mentioned.
Since the organic EL element may be deteriorated by heat treatment, it is preferable that the adhesive can be cured from room temperature to 80°C. A desiccant may be dispersed in the adhesive. The adhesive may be applied to the sealing portion using a commercially available dispenser or may be printed by screen printing.

また、有機層を挟み支持基板と対向する側の電極の外側に該電極と有機層を被覆し、支持基板と接する形で無機物、有機物の層を形成し封止膜とすることも好適にできる。この場合、該膜を形成する材料としては、水分や酸素等素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化ケイ素、二酸化ケイ素、窒化ケイ素等を用いることができる。
さらに該膜の脆弱性を改良するために、これら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることが好ましい。これらの膜の形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマCVD法、レーザーCVD法、熱CVD法、コーティング法等を用いることができる。
Further, it is also preferable that the electrode and the organic layer are covered on the outer side of the electrode on the side opposite to the supporting substrate with the organic layer sandwiched therebetween, and an inorganic or organic material layer is formed in contact with the supporting substrate to form a sealing film. . In this case, the material for forming the film may be any material that has a function of suppressing the intrusion of water or oxygen, which causes deterioration of the element, such as silicon oxide, silicon dioxide, and silicon nitride. it can.
Further, in order to improve the brittleness of the film, it is preferable to have a laminated structure of these inorganic layers and a layer made of an organic material. The method for forming these films is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, molecular beam epitaxy method, cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, and atmospheric pressure plasma heavy. A legal method, a plasma CVD method, a laser CVD method, a thermal CVD method, a coating method, or the like can be used.

封止部材と有機EL素子の表示領域との間隙には、気相及び液相では、窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することが好ましい。また、真空とすることも可能である。また、内部に吸湿性化合物を封入することもできる。
吸湿性化合物としては、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ナトリウム、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム等)、硫酸塩(例えば、硫酸ナトリウム、硫酸カルシウム、硫酸マグネシウム、硫酸コバルト等)、金属ハロゲン化物(例えば、塩化カルシウム、塩化マグネシウム、フッ化セシウム、フッ化タンタル、臭化セリウム、臭化マグネシウム、ヨウ化バリウム、ヨウ化マグネシウム等)、過塩素酸類(例えば、過塩素酸バリウム、過塩素酸マグネシウム等)等が挙げられ、硫酸塩、金属ハロゲン化物及び過塩素酸類においては無水塩が好適に用いられる。
In the gap between the sealing member and the display region of the organic EL element, an inert gas such as nitrogen or argon or an inert liquid such as fluorocarbon or silicon oil may be injected in the vapor phase and the liquid phase. preferable. A vacuum can also be used. Also, a hygroscopic compound can be enclosed inside.
Examples of the hygroscopic compound include metal oxides (eg, sodium oxide, potassium oxide, calcium oxide, barium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, etc.), sulfates (eg, sodium sulfate, calcium sulfate, magnesium sulfate, cobalt sulfate). Etc.), metal halides (eg, calcium chloride, magnesium chloride, cesium fluoride, tantalum fluoride, cerium bromide, magnesium bromide, barium iodide, magnesium iodide, etc.), perchloric acids (eg, perchloric acid) Barium, magnesium perchlorate, etc.) and the like, and anhydrous salts are preferably used for sulfates, metal halides and perchloric acids.

[保護膜、保護板]
有機層を挟み支持基板と対向する側の前記封止膜あるいは前記封止用フィルムの外側に、素子の機械的強度を高めるために、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が前記封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
[Protective film, protective plate]
A protective film or a protective plate may be provided outside the encapsulating film or the encapsulating film on the side facing the support substrate with the organic layer interposed therebetween in order to enhance the mechanical strength of the device. In particular, when the sealing is performed by the sealing film, its mechanical strength is not necessarily high, so that it is preferable to provide such a protective film or protective plate. As the material that can be used for this, the same glass plate, polymer plate/film, metal plate/film, etc. as those used for the above-mentioned encapsulation can be used, but the polymer film is lightweight and thin. Is preferably used.

[光取り出し向上技術]
有機EL素子は、空気よりも屈折率の高い(屈折率1.6〜2.1程度の範囲内)層の内部で発光し、発光層で発生した光のうち15%から20%程度の光しか取り出せないことが一般的に言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面(透明基板と空気との界面)に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
[Light extraction improvement technology]
The organic EL element emits light inside a layer having a refractive index higher than air (refractive index within a range of about 1.6 to 2.1), and emits 15% to 20% of the light generated in the light emitting layer. It is generally said that it can only be taken out. This is because light incident on the interface (interface between the transparent substrate and air) at an angle θ equal to or greater than the critical angle causes total reflection and cannot be extracted to the outside of the device. This is because the light undergoes total internal reflection between them, and the light is guided through the transparent electrode or the light emitting layer, and as a result, the light escapes in the lateral direction of the element.

この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法(例えば、米国特許第4774435号明細書)、基板に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法(例えば、特開昭63−314795号公報)、素子の側面等に反射面を形成する方法(例えば、特開平1−220394号公報)、基板と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法(例えば、特開昭62−172691号公報)、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法(例えば、特開2001−202827号公報)、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法(特開平11−283751号公報)などが挙げられる。 As a method for improving the efficiency of extracting light, for example, a method of forming irregularities on the surface of a transparent substrate to prevent total internal reflection at the interface between the transparent substrate and the air (for example, US Pat. No. 4,774,435), is used. A method of improving efficiency by providing light condensing property (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 63-314795), a method of forming a reflecting surface on a side surface of an element (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1-220394), substrate And a light-emitting body by introducing a flat layer having an intermediate refractive index to form an antireflection film (for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-172691), and a lower refractive index than the substrate between the substrate and the light-emitting body. (For example, Japanese Patent Laid-Open No. 2001-202827), a method of forming a diffraction grating between any of the substrate, the transparent electrode layer, and the light emitting layer (including the substrate and the outside) ( JP-A No. 11-283751) and the like.

本発明においては、これらの方法を本発明の有機EL素子と組み合わせて用いることができるが、基板と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、あるいは基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間(含む、基板と外界間)に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。
本発明は、これらの手段を組み合わせることにより、更に高輝度あるいは耐久性に優れた素子を得ることができる。
In the present invention, these methods can be used in combination with the organic EL device of the present invention. A method of forming a diffraction grating between any of the electrode layers and the light emitting layer (including between the substrate and the outside) can be preferably used.
In the present invention, by combining these means, it is possible to obtain an element having higher brightness or durability.

透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚さで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。
低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に1.5〜1.7程度の範囲内であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ1.5以下であることが好ましい。またさらに1.35以下であることが好ましい。
また、低屈折率媒質の厚さは、媒質中の波長の2倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚さが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基板内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。
When a medium with a low refractive index is formed between the transparent electrode and the transparent substrate with a thickness that is longer than the wavelength of light, the light emitted from the transparent electrode has a higher extraction efficiency to the outside as the refractive index of the medium is lower. Become.
Examples of the low refractive index layer include aerogel, porous silica, magnesium fluoride, and fluoropolymer. Since the refractive index of the transparent substrate is generally within the range of about 1.5 to 1.7, the low refractive index layer preferably has a refractive index of about 1.5 or less. Further, it is preferably 1.35 or less.
Moreover, it is desirable that the thickness of the low-refractive-index medium be at least twice the wavelength in the medium. This is because when the thickness of the low-refractive-index medium becomes about the wavelength of light and the electromagnetic wave exuded by evanescent enters into the substrate, the effect of the low-refractive-index layer diminishes.

全反射を起こす界面又は、いずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が1次の回折や、2次の回折といった、いわゆるブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光のうち、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中(透明基板内や透明電極内)に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。 The method of introducing a diffraction grating into the interface that causes total internal reflection or into any one of the media is characterized by a high effect of improving the light extraction efficiency. This method uses the property that the diffraction grating can change the direction of light to a specific direction different from refraction by means of so-called Bragg diffraction such as first-order diffraction and second-order diffraction. The light that cannot go out due to total reflection between layers is diffracted by introducing a diffraction grating into any of the layers or into the medium (in the transparent substrate or transparent electrode). , Trying to get the light out.

導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な一次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。
しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
回折格子を導入する位置としては、いずれかの層間、若しくは媒質中(透明基板内や透明電極内)でもよいが、光が発生する場所である有機発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約1/2〜3倍程度の範囲内が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、二次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
The diffraction grating to be introduced preferably has a two-dimensional periodic refractive index. This is because the light emitted from the light emitting layer is randomly generated in all directions, so in a general one-dimensional diffraction grating that has a periodic refractive index distribution only in a certain direction, only the light traveling in a specific direction is diffracted. Therefore, the light extraction efficiency does not increase so much.
However, by making the refractive index distribution a two-dimensional distribution, light traveling in all directions is diffracted, and the light extraction efficiency is improved.
The position where the diffraction grating is introduced may be in any layer or in the medium (in the transparent substrate or in the transparent electrode), but is preferably near the organic light emitting layer where light is generated. At this time, the period of the diffraction grating is preferably in the range of about 1/2 to 3 times the wavelength of the light in the medium. The array of diffraction gratings is preferably a two-dimensional array such as a square lattice shape, a triangular lattice shape, or a honeycomb lattice shape.

[集光シート]
本発明の有機EL素子は、支持基板(基板)の光取出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設ける加工や、いわゆる集光シートと組み合わせることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することにより、特定方向上の輝度を高めることができる。
マイクロレンズアレイの例としては、基板の光取り出し側に一辺が30μmでその頂角が90度となるような四角錐を二次元に配列する。一辺は10〜100μmの範囲内が好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚さが厚くなり好ましくない。
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のLEDバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム(BEF)などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば、基材に頂角90度、ピッチ50μmの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。
また、有機EL素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、(株)きもと製拡散フィルム(ライトアップ)などを用いることができる。
[Condensing sheet]
The organic EL device of the present invention has a structure in which, for example, a structure on a microlens array is provided on the light extraction side of a supporting substrate (substrate), or by combining it with a so-called light-condensing sheet, the organic EL device is fronted in a specific direction, for example, the light emitting surface of the device. By converging in the direction, the brightness in the specific direction can be increased.
As an example of the microlens array, square pyramids having a side of 30 μm and an apex angle of 90 degrees are two-dimensionally arranged on the light extraction side of the substrate. One side is preferably in the range of 10 to 100 μm. If it is smaller than this, the effect of diffraction occurs and it is colored, and if it is too large, the thickness becomes thick, which is not preferable.
As the light-condensing sheet, it is possible to use, for example, one that has been put to practical use in an LED backlight of a liquid crystal display device. As such a sheet, for example, a brightness enhancement film (BEF) manufactured by Sumitomo 3M Limited can be used. As the shape of the prism sheet, for example, a Δ-shaped stripe having a vertical angle of 90° and a pitch of 50 μm may be formed on the base material, or the vertical angle may be rounded or the pitch may be changed randomly. It may have a different shape or another shape.
Further, a light diffusing plate/film may be used together with the light collecting sheet in order to control the light emission angle from the organic EL element. For example, a diffusion film (light up) manufactured by Kimoto Co., Ltd. can be used.

[用途]
本発明の有機EL素子は、電子機器、例えば、表示装置、ディスプレイ、各種発光装置として用いることができる。
発光装置として、例えば、照明装置(家庭用照明、車内照明)、時計や液晶用バックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるがこれに限定するものではないが、特に液晶表示装置のバックライト、照明用光源としての用途に有効に用いることができる。
本発明の有機EL素子においては、必要に応じ成膜時にメタルマスクやインクジェットプリンティング法等でパターニングを施してもよい。パターニングする場合は、電極のみをパターニングしてもよいし、電極と発光層をパターニングしてもよいし、素子全層をパターニングしてもよく、素子の作製においては、従来公知の方法を用いることができる。
[Use]
The organic EL element of the present invention can be used as an electronic device such as a display device, a display, and various light emitting devices.
Examples of the light emitting device include lighting devices (home lighting, interior lighting), clocks and liquid crystal backlights, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, and light sources. Examples of the light source include a light source of a sensor, but the present invention is not limited to this. In particular, it can be effectively used for a backlight of a liquid crystal display device and a light source for illumination.
In the organic EL device of the present invention, patterning may be performed by a metal mask, an inkjet printing method, or the like at the time of film formation, if necessary. When patterning, only the electrode may be patterned, the electrode and the light emitting layer may be patterned, or the entire element layer may be patterned. In the fabrication of the element, a conventionally known method is used. You can

<表示装置>
本発明の有機EL素子を具備する表示装置は単色でも多色でもよいが、ここでは多色表示装置について説明する。
<Display device>
A display device including the organic EL element of the present invention may be monochromatic or polychromatic. Here, a multicolor display device will be described.

多色表示装置の場合は発光層形成時のみシャドーマスクを設け、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法又は印刷法等で膜を形成できる。
発光層のみパターニングを行う場合、その方法に限定はないが、好ましくは蒸着法、インクジェット法、スピンコート法及び印刷法である。
In the case of a multicolor display device, a shadow mask is provided only when the light emitting layer is formed, and the film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a casting method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like.
When patterning only the light emitting layer, the method is not limited, but vapor deposition method, ink jet method, spin coating method and printing method are preferable.

表示装置に具備される有機EL素子の構成は、必要に応じて上記の有機EL素子の構成例の中から選択される。 The configuration of the organic EL element included in the display device is selected from the above-described configuration examples of the organic EL element as needed.

また、有機EL素子の製造方法は、上記の本発明の有機EL素子の製造の一態様に示したとおりである。 The method for manufacturing the organic EL element is as shown in the above-described one aspect of manufacturing the organic EL element of the present invention.

このようにして得られた多色表示装置に直流電圧を印加する場合には、陽極を+、陰極を−の極性として電圧2〜40V程度を印加すると発光が観測できる。また、逆の極性で電圧を印加しても電流は流れずに発光は全く生じない。更に交流電圧を印加する場合には、陽極が+、陰極が−の状態になったときのみ発光する。なお、印加する交流の波形は任意でよい。 When a direct current voltage is applied to the thus obtained multicolor display device, light emission can be observed by applying a voltage of about 2 to 40 V with the anode having a positive polarity and the cathode having a negative polarity. Further, even if a voltage is applied with the opposite polarity, no current flows and no light emission occurs. Further, when an AC voltage is applied, light is emitted only when the anode is in the + state and the cathode is in the − state. The waveform of the alternating current applied may be arbitrary.

多色表示装置は、表示デバイス、ディスプレイ又は各種発光光源として用いることができる。表示デバイス又はディスプレイにおいて、青、赤及び緑発光の3種の有機EL素子を用いることによりフルカラーの表示が可能となる。 The multicolor display device can be used as a display device, a display, or various light emitting light sources. In a display device or display, full-color display can be performed by using three types of organic EL elements that emit blue, red, and green light.

表示デバイス又はディスプレイとしては、テレビ、パソコン、モバイル機器、AV機器、文字放送表示及び自動車内の情報表示等が挙げられる。特に静止画像や動画像を再生する表示装置として使用してもよく、動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は単純マトリクス(パッシブマトリクス)方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。 Examples of the display device or display include a television, a personal computer, a mobile device, an AV device, a teletext display, and an information display in a car. In particular, it may be used as a display device for reproducing a still image or a moving image, and a drive system for use as a display device for reproducing a moving image may be either a simple matrix (passive matrix) system or an active matrix system.

発光装置としては、家庭用照明、車内照明、時計や液晶用のバックライト、看板広告、信号機、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。 Light-emitting devices include home lighting, interior lighting, backlights for watches and liquid crystals, billboard advertisements, traffic lights, light sources for optical storage media, light sources for electrophotographic copying machines, light sources for optical communication processors, light sources for optical sensors, etc. However, the present invention is not limited thereto.

以下、本発明の有機EL素子を有する表示装置の一例を図面に基づいて説明する。
図5は有機EL素子から構成される表示装置の一例を示した模式図である。有機EL素子の発光により画像情報の表示を行う、例えば、携帯電話等のディスプレイの模式図である。
Hereinafter, an example of a display device having the organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 5 is a schematic diagram showing an example of a display device composed of organic EL elements. It is a schematic diagram of a display such as a mobile phone, which displays image information by light emission of an organic EL element.

ディスプレイ1は複数の画素を有する表示部A、画像情報に基づいて表示部Aの画像走査を行う制御部B、表示部Aと制御部Bとを電気的に接続する配線部C等を有する。
制御部Bは表示部Aと配線部Cを介して電気的に接続され、複数の画素それぞれに外部からの画像情報に基づいて走査信号と画像データ信号を送り、走査信号により走査線ごとの画素が画像データ信号に応じて順次発光して画像走査を行って画像情報を表示部Aに表示する。
The display 1 has a display section A having a plurality of pixels, a control section B that performs image scanning of the display section A based on image information, a wiring section C that electrically connects the display section A and the control section B, and the like.
The control unit B is electrically connected to the display unit A via the wiring unit C, sends a scanning signal and an image data signal to each of a plurality of pixels based on image information from the outside, and the pixels for each scanning line by the scanning signal. Emits light sequentially according to the image data signal to perform image scanning and display image information on the display unit A.

図6はアクティブマトリクス方式による表示装置の模式図である。
表示部Aは基板上に、複数の走査線5及びデータ線6を含む配線部Cと複数の画素3等とを有する。表示部Aの主要な部材の説明を以下に行う。
図6においては、画素3の発光した光が白矢印方向(下方向)へ取り出される場合を示している。
FIG. 6 is a schematic view of a display device of the active matrix system.
The display section A has a wiring section C including a plurality of scanning lines 5 and data lines 6 and a plurality of pixels 3 and the like on a substrate. The main members of the display unit A will be described below.
FIG. 6 shows a case where the light emitted from the pixel 3 is extracted in the direction of the white arrow (downward).

配線部の走査線5及び複数のデータ線6はそれぞれ導電材料からなり、走査線5とデータ線6は格子状に直交して、直交する位置で画素3に接続している(詳細は図示していない)。
画素3は走査線5から走査信号が印加されると、データ線6から画像データ信号を受け取り、受け取った画像データに応じて発光する。
発光の色が赤領域の画素、緑領域の画素、青領域の画素を適宜同一基板上に並置することによって、フルカラー表示が可能となる。
The scanning lines 5 and the plurality of data lines 6 of the wiring portion are each made of a conductive material, and the scanning lines 5 and the data lines 6 are orthogonal to each other in a grid pattern and are connected to the pixels 3 at the orthogonal positions (details are shown in the drawings). Not).
When a scanning signal is applied from the scanning line 5, the pixel 3 receives an image data signal from the data line 6 and emits light according to the received image data.
Full-color display is possible by appropriately arranging pixels in the red color region, green color region, and blue color region on the same substrate.

次に、画素の発光プロセスを説明する。図7は画素の回路を示した概略図である。
画素は、有機EL素子10、スイッチングトランジスタ11、駆動トランジスタ12、コンデンサー13等を備えている。複数の画素に有機EL素子10として、赤色、緑色及び青色発光の有機EL素子を用い、これらを同一基板上に並置することでフルカラー表示を行うことができる。
Next, the light emitting process of the pixel will be described. FIG. 7 is a schematic diagram showing a pixel circuit.
The pixel includes an organic EL element 10, a switching transistor 11, a drive transistor 12, a capacitor 13 and the like. Full-color display can be performed by using red, green, and blue light-emitting organic EL elements as the organic EL elements 10 in a plurality of pixels and arranging them in parallel on the same substrate.

図7において、制御部Bからデータ線6を介してスイッチングトランジスタ11のドレインに画像データ信号が印加される。そして、制御部Bから走査線5を介してスイッチングトランジスタ11のゲートに走査信号が印加されると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオンし、ドレインに印加された画像データ信号がコンデンサー13と駆動トランジスタ12のゲートに伝達される。 In FIG. 7, an image data signal is applied from the control unit B to the drain of the switching transistor 11 via the data line 6. Then, when a scanning signal is applied to the gate of the switching transistor 11 from the control unit B via the scanning line 5, the driving of the switching transistor 11 is turned on, and the image data signal applied to the drain is transferred to the capacitor 13 and the driving transistor 12. Is transmitted to the gate.

画像データ信号の伝達により、コンデンサー13が画像データ信号の電位に応じて充電されるとともに、駆動トランジスタ12の駆動がオンする。駆動トランジスタ12は、ドレインが電源ライン7に接続され、ソースが有機EL素子10の電極に接続されており、ゲートに印加された画像データ信号の電位に応じて電源ライン7から有機EL素子10に電流が供給される。 By transmitting the image data signal, the capacitor 13 is charged according to the potential of the image data signal, and the driving of the drive transistor 12 is turned on. The drive transistor 12 has a drain connected to the power supply line 7 and a source connected to the electrode of the organic EL element 10. The drive transistor 12 is connected from the power supply line 7 to the organic EL element 10 according to the potential of the image data signal applied to the gate. Electric current is supplied.

制御部Bの順次走査により走査信号が次の走査線5に移ると、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフする。しかし、スイッチングトランジスタ11の駆動がオフしてもコンデンサー13は充電された画像データ信号の電位を保持するので、駆動トランジスタ12の駆動はオン状態が保たれて、次の走査信号の印加が行われるまで有機EL素子10の発光が継続する。順次走査により次に走査信号が印加されたとき、走査信号に同期した次の画像データ信号の電位に応じて駆動トランジスタ12が駆動して有機EL素子10が発光する。
すなわち、有機EL素子10の発光は、複数の画素それぞれの有機EL素子10に対して、アクティブ素子であるスイッチングトランジスタ11と駆動トランジスタ12を設けて、複数の画素3それぞれの有機EL素子10の発光を行っている。このような発光方法をアクティブマトリクス方式と呼んでいる。
When the scanning signal is transferred to the next scanning line 5 by the sequential scanning of the control unit B, the driving of the switching transistor 11 is turned off. However, since the capacitor 13 holds the potential of the charged image data signal even if the switching transistor 11 is turned off, the driving transistor 12 is kept on and the next scanning signal is applied. The organic EL element 10 continues to emit light. When a scanning signal is applied next by sequential scanning, the driving transistor 12 is driven according to the potential of the next image data signal synchronized with the scanning signal, and the organic EL element 10 emits light.
That is, the light emission of the organic EL element 10 is such that the switching transistor 11 and the drive transistor 12 which are active elements are provided for the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels, and the organic EL element 10 of each of the plurality of pixels 3 emits light. It is carried out. Such a light emitting method is called an active matrix method.

ここで、有機EL素子10の発光は複数の階調電位を持つ多値の画像データ信号による複数の階調の発光でもよいし、2値の画像データ信号による所定の発光量のオン、オフでもよい。また、コンデンサー13の電位の保持は次の走査信号の印加まで継続して保持してもよいし、次の走査信号が印加される直前に放電させてもよい。
本発明においては、上述したアクティブマトリクス方式に限らず、走査信号が走査されたときのみデータ信号に応じて有機EL素子を発光させるパッシブマトリクス方式の発光駆動でもよい。
Here, the light emission of the organic EL element 10 may be light emission of a plurality of gradations according to a multivalued image data signal having a plurality of gradation potentials, or may be ON or OFF of a predetermined light emission amount according to a binary image data signal. Good. Further, the potential of the capacitor 13 may be held continuously until the next scanning signal is applied, or may be discharged immediately before the next scanning signal is applied.
The present invention is not limited to the above-mentioned active matrix system, but may be a passive matrix system light emission drive in which the organic EL element emits light according to the data signal only when the scanning signal is scanned.

図8は、パッシブマトリクス方式による表示装置の模式図である。図8において、複数の走査線5と複数の画像データ線6が画素3を挟んで対向して格子状に設けられている。
順次走査により走査線5の走査信号が印加されたとき、印加された走査線5に接続している画素3が画像データ信号に応じて発光する。
パッシブマトリクス方式では画素3にアクティブ素子が無く、製造コストの低減が計れる。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した表示装置が得られた。
FIG. 8 is a schematic view of a display device of a passive matrix system. In FIG. 8, a plurality of scanning lines 5 and a plurality of image data lines 6 are provided in a grid pattern so as to face each other with the pixel 3 interposed therebetween.
When the scanning signal of the scanning line 5 is applied by sequential scanning, the pixels 3 connected to the applied scanning line 5 emit light according to the image data signal.
In the passive matrix method, the pixel 3 has no active element, so that the manufacturing cost can be reduced.
By using the organic EL element of the present invention, a display device having improved luminous efficiency was obtained.

<照明装置>
本発明の有機EL素子は、照明装置に用いることもできる。
本発明の有機EL素子は、共振器構造を持たせた有機EL素子として用いてもよい。このような共振器構造を有した有機EL素子の使用目的としては、光記憶媒体の光源、電子写真複写機の光源、光通信処理機の光源、光センサーの光源等が挙げられるが、これらに限定されない。また、レーザー発振をさせることにより上記用途に使用してもよい。
また、本発明の有機EL素子は、照明用や露光光源のような一種のランプとして使用してもよいし、画像を投影するタイプのプロジェクション装置や、静止画像や動画像を直接視認するタイプの表示装置(ディスプレイ)として使用してもよい。
動画再生用の表示装置として使用する場合の駆動方式は、パッシブマトリクス方式でもアクティブマトリクス方式でもどちらでもよい。又は、異なる発光色を有する本発明の有機EL素子を2種以上使用することにより、フルカラー表示装置を作製することが可能である。
<Lighting device>
The organic EL element of the present invention can also be used in a lighting device.
The organic EL element of the present invention may be used as an organic EL element having a resonator structure. Examples of the purpose of using the organic EL element having such a resonator structure include a light source for an optical storage medium, a light source for an electrophotographic copying machine, a light source for an optical communication processor, a light source for an optical sensor, and the like. Not limited. Moreover, you may use it for the said use by making a laser oscillation.
Further, the organic EL element of the present invention may be used as a kind of lamp for illumination or an exposure light source, or may be a projection device of a type for projecting an image, or a type of type for directly visually recognizing a still image or a moving image. It may be used as a display device (display).
When used as a display device for reproducing moving images, either a passive matrix system or an active matrix system may be used as a drive system. Alternatively, a full-color display device can be manufactured by using two or more kinds of organic EL elements of the present invention having different emission colors.

また、本発明に用いられるπ共役系化合物は、実質的に白色の発光を生じる有機EL素子を具備する照明装置に適用できる。例えば、複数の発光材料を用いる場合、複数の発光色を同時に発光させて、混色することで白色発光を得ることができる。複数の発光色の組み合わせとしては、赤色、緑色及び青色の3原色の三つの発光極大波長を含有させたものでもよいし、青色と黄色、青緑と橙色等の補色の関係を利用した二つの発光極大波長を含有したものでもよい。 In addition, the π-conjugated compound used in the present invention can be applied to a lighting device including an organic EL element that emits substantially white light. For example, when a plurality of light emitting materials are used, white light emission can be obtained by simultaneously emitting a plurality of light emitting colors and mixing the colors. As a combination of a plurality of emission colors, one containing three emission maximum wavelengths of three primary colors of red, green and blue may be used, or two combinations of complementary colors such as blue and yellow, blue green and orange may be used. It may contain a maximum emission wavelength.

また、本発明の有機EL素子の形成方法は、発光層、正孔輸送層あるいは電子輸送層等の形成時のみマスクを設け、マスクにより塗り分ける等単純に配置するだけでよい。他層は共通であるのでマスク等のパターニングは不要であり、一面に蒸着法、キャスト法、スピンコート法、インクジェット法及び印刷法等で、例えば、電極膜を形成でき、生産性も向上する。
この方法によれば、複数色の発光素子をアレー状に並列配置した白色有機EL装置と異なり、素子自体が白色発光である。
Further, in the method for forming an organic EL device of the present invention, a mask is provided only when the light emitting layer, the hole transporting layer, the electron transporting layer and the like are formed, and the masks may be simply arranged such that they are separately coated. Since the other layers are common, patterning such as a mask is unnecessary, and for example, an electrode film can be formed on one surface by a vapor deposition method, a cast method, a spin coating method, an inkjet method, a printing method, or the like, and the productivity is improved.
According to this method, unlike a white organic EL device in which light emitting elements of a plurality of colors are arranged in parallel in an array, the element itself emits white light.

[本発明の照明装置の一態様]
本発明の有機EL素子を具備した、本発明の照明装置の一態様について説明する。
本発明の有機EL素子の非発光面をガラスケースで覆い、厚さ300μmのガラス基板を封止用基板として用いて、周囲にシール材として、エポキシ系光硬化型接着剤(東亞合成社製ラックストラックLC0629B)を適用し、これを陰極上に重ねて透明支持基板と密着させ、ガラス基板側からUV光を照射して、硬化させて、封止し、図9及び図10に示すような照明装置を形成することができる。
図9は、照明装置の概略図を示し、本発明の有機EL素子(照明装置内の有機EL素子101)はガラスカバー102で覆われている(なお、ガラスカバーでの封止作業は、照明装置内の有機EL素子101を大気に接触させることなく窒素雰囲気下のグローブボックス(純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下)で行った。)。
図10は、照明装置の断面図を示し、105は陰極、106は有機層、107は透明電極付きガラス基板を示す。なお、ガラスカバー102内には窒素ガス108が充填され、捕水剤109が設けられている。
本発明の有機EL素子を用いることにより、発光効率が向上した照明装置が得られる。
[One Embodiment of Illumination Device of the Present Invention]
One aspect of the lighting device of the present invention, which includes the organic EL element of the present invention, will be described.
The non-light-emitting surface of the organic EL device of the present invention is covered with a glass case, a glass substrate having a thickness of 300 μm is used as a sealing substrate, and an epoxy-based photocurable adhesive (Lux manufactured by Toagosei Co., Ltd. is used as a sealing material around the periphery. Track LC0629B) is applied, and this is stacked on the cathode and brought into close contact with the transparent supporting substrate, and UV light is irradiated from the glass substrate side to cure and seal the illumination as shown in FIGS. 9 and 10. A device can be formed.
FIG. 9 shows a schematic view of a lighting device. The organic EL element of the present invention (organic EL element 101 in the lighting device) is covered with a glass cover 102 (note that the sealing work with the glass cover is performed by lighting The organic EL element 101 in the apparatus was placed in a glove box (under an atmosphere of high-purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more) under a nitrogen atmosphere without contacting the atmosphere.
FIG. 10 is a cross-sectional view of the lighting device, in which 105 is a cathode, 106 is an organic layer, and 107 is a glass substrate with a transparent electrode. The glass cover 102 is filled with nitrogen gas 108 and is provided with a water catching agent 109.
By using the organic EL element of the present invention, a lighting device having improved luminous efficiency can be obtained.

<発光材料>
本発明のπ共役系化合物は、電界励起等により、蛍光を放射することができる。したがって、各種発光材料として使用することができる。発光材料には、π共役系化合物以外に、必要に応じて他の成分が含まれてもよい。また、発光材料は、粉体状で用いられてもよく、所望の形状に加工されて用いられてもよい。発光材料は、例えば後述の発光性薄膜を形成するための材料や、蛍光塗料、バイオイメージング蛍光色素に適用することができる。
<Light emitting material>
The π-conjugated compound of the present invention can emit fluorescence when excited by an electric field or the like. Therefore, it can be used as various light emitting materials. The luminescent material may contain other components, if necessary, in addition to the π-conjugated compound. Further, the light emitting material may be used in the form of powder, or may be processed into a desired shape for use. The luminescent material can be applied to, for example, a material for forming a luminescent thin film described later, a fluorescent paint, and a bioimaging fluorescent dye.

また、π共役系化合物のΔESTの絶対値が0.50eV以下である場合、π共役系化合物が、遅延蛍光を放射することがあり、このような化合物は、バイオイメージング蛍光色素に適用することができる。さらに遅延蛍光は、酸素により消光されることが知られているため、酸素センシング材料にも適用することができる。 Further, if the absolute value of Delta] E ST of [pi conjugated compound is less than 0.50eV, π-conjugated compounds, and can radiate delayed fluorescence, such compounds can be applied to bio-imaging fluorescent dyes You can Furthermore, since delayed fluorescence is known to be quenched by oxygen, it can also be applied to oxygen sensing materials.

<発光性薄膜>
本発明に係る発光性薄膜は、上述の本発明に係るπ共役系化合物を含有することを特徴とし、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
本発明の発光性薄膜及は、前記有機層の形成方法と同様に作製することができる。
<Light emitting thin film>
The luminescent thin film according to the present invention is characterized by containing the above-described π-conjugated compound according to the present invention, and can be produced in the same manner as the method for forming the organic layer.
The luminescent thin film and the luminescent thin film of the present invention can be produced in the same manner as the method for forming the organic layer.

本発明の発光性薄膜の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の例えば真空蒸着法、湿式法(ウェットプロセスともいう)等による形成方法を用いることができる。
湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、LB法(ラングミュア−ブロジェット法)等があるが、均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法などのロール・ツー・ロール方式適性の高い方法が好ましい。
The method for forming the luminescent thin film of the present invention is not particularly limited, and a conventionally known method such as a vacuum vapor deposition method or a wet method (also referred to as a wet process) can be used.
As the wet method, there are spin coating method, casting method, ink jet method, printing method, die coating method, blade coating method, roll coating method, spray coating method, curtain coating method, LB method (Langmuir-Blodgett method) and the like. From the viewpoint of easy production of a uniform thin film and high productivity, a roll-to-roll method having high suitability such as a die coating method, a roll coating method, an ink jet method, and a spray coating method is preferable.

本発明に用いられる発光材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、DMF、DMSO等の有機溶媒を用いることができる。 Examples of the liquid medium for dissolving or dispersing the luminescent material used in the present invention include ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone, fatty acid esters such as ethyl acetate, halogenated hydrocarbons such as dichlorobenzene, toluene, xylene and mesitylene. , Aromatic hydrocarbons such as cyclohexylbenzene, aliphatic hydrocarbons such as cyclohexane, decalin and dodecane, and organic solvents such as DMF and DMSO can be used.

また、分散方法としては、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。
更に層毎に異なる成膜法を適用してもよい。成膜に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を50〜450℃の範囲内、真空度を10−6〜10−2Paの範囲内、蒸着速度0.01〜50nm/秒の範囲内、基板温度−50〜300℃の範囲内、層厚0.1nm〜5μmの範囲内、好ましくは5〜200nmの範囲内で適宜選ぶことが望ましい。
また、成膜にスピンコート法を採用する場合、スピンコーターを100〜1000rpmの範囲内、10〜120秒の範囲内で、乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
As the dispersion method, it is possible to disperse by a dispersion method such as ultrasonic wave, high shearing force dispersion or media dispersion.
Further, a different film forming method may be applied to each layer. When the vapor deposition method is adopted for film formation, the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used and the like, but generally, the boat heating temperature is in the range of 50 to 450° C., and the vacuum degree is in the range of 10 −6 to 10 −2 Pa. Among them, the vapor deposition rate is 0.01 to 50 nm/sec, the substrate temperature is −50 to 300° C., the layer thickness is 0.1 nm to 5 μm, and preferably 5 to 200 nm. desirable.
When the spin coating method is used for film formation, it is preferable to perform the spin coater in a dry inert gas atmosphere within a range of 100 to 1000 rpm and within a range of 10 to 120 seconds.

以下、実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれにより限定されるものではない。なお、実施例において「%」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量%」を表す。 Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. In the examples, "%" is used, but "% by mass" is used unless otherwise specified.

実施例及び比較例で用いた化合物を以下に示す。

Figure 0006705148
The compounds used in Examples and Comparative Examples are shown below.
Figure 0006705148

Figure 0006705148
Figure 0006705148

(化合物A-3の合成)
国際公開第2010/113755号、Organic Letters,2002,4,1783-1785.、Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 2014 -2017.に記載された方法を用いて、化合物A-3を合成した。具体的には、1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼンとカルバゾールとの求核置換反応を行い、1−ブロモ−3,4−ジカルバゾール中間体を得た。
1−ブロモ−3,4−ジカルバゾリルベンゼン中間体と4−フェニル−1,2,3−トリアゾールをパラジウム触媒存在下で反応させることにより、化合物A-3の粗精製物を得た。その後、カラムクロマトグラフィー、再結晶、昇華精製を行って、化合物A-3の高純度品を取得した。
(Synthesis of Compound A-3)
International Publication No. 2010/113755, Organic Letters, 2002, 4, 1783-1785. , Angew. Chem. Int. Ed. 2010, 49, 2014-2017. Compound A-3 was synthesized using the method described in 1. Specifically, 1-bromo-3,4-difluorobenzene and carbazole were subjected to a nucleophilic substitution reaction to obtain a 1-bromo-3,4-dicarbazole intermediate.
The 1-bromo-3,4-dicarbazolylbenzene intermediate and 4-phenyl-1,2,3-triazole were reacted in the presence of a palladium catalyst to obtain a crude product of compound A-3. Then, column chromatography, recrystallization, and sublimation purification were performed to obtain a high-purity compound A-3.

(その他の化合物の合成)
前述と同様にして、化合物A−22、A−25、A−29、A−33、A−37、A−41、A−63及びA−64を合成した。
(Synthesis of other compounds)
Compounds A-22, A-25, A-29, A-33, A-37, A-41, A-63 and A-64 were synthesized in the same manner as above.

得られた化合物及び比較化合物1〜4のΔESTを、以下の方法で計算して求めた。 The resulting compound and Delta] E ST of comparative compounds 1 to 4, was calculated in the following manner.

(ΔESTの算出)
化合物の分子軌道計算による構造最適化及び電子密度分布の算出は、計算手法として、汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた分子軌道計算用ソフトウェアを用いて算出した。分子軌道計算用ソフトウェアとして、米国Gaussian社製のGaussian09(Revision C.01,M.J.Frisch,et al,Gaussian,Inc.,2010.)を用いた。
この汎関数としてB3LYP、基底関数として6−31G(d)を用いた構造最適化計算から、さらに時間依存密度汎関数法(Time−Dependent DFT)による励起状態計算を実施してS、Tのエネルギー準位(それぞれE(S)、E(T))を求めてΔEST=|E(S)−E(T)|として算出した。
(Calculation of ΔE ST)
The structure optimization and the calculation of the electron density distribution by the molecular orbital calculation of the compound were calculated using the software for molecular orbital calculation using B3LYP as the functional and 6-31G(d) as the basis function as the calculation method. Gaussian09 (Revision C.01, MJ Frisch, et al, Gaussian, Inc., 2010.) manufactured by Gaussian, Inc., USA was used as the software for molecular orbital calculation.
From the structure optimization calculation using B3LYP as the functional and 6-31G(d) as the basis function, the excited state calculation by the time-dependent density functional method (Time-Dependent DFT) is further carried out to obtain S 1 , T 1. the energy level (respectively E (S 1), E ( T 1)) of seeking ΔE ST = | E (S 1 ) -E (T 1) | is calculated as.

[実施例1]
(有機EL素子1−1の作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで成膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Example 1]
(Production of Organic EL Element 1-1)
A transparent substrate with ITO (indium tin oxide) film formed as a positive electrode on a glass substrate of 50 mm x 50 mm and a thickness of 0.7 mm with a thickness of 150 nm, and then with this ITO transparent electrode attached. Was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.
Each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for producing each element. The vapor deposition crucible was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

真空度1×10−4Paまで減圧した後、HAT−CN(1,4,5,8,9,12−ヘキサアザトリフェニレンヘキサカルボニトリル)の入った蒸着用るつぼに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚10nmの正孔注入輸送層を形成した。
次いで、α−NPD(4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)を蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚40nmの正孔輸送層を形成した。ホスト化合物H−232、比較化合物1を、それぞれ94%、6%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚30nmの発光層を形成した。
その後、BCP(2,9−ジメチル−4,7−ジフェニル−1,10−フェナントロリン)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化リチウムを膜厚0.5nmで形成した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子1−1を作製した。
After the pressure was reduced to 1×10 −4 Pa, the crucible for vapor deposition containing HAT-CN (1,4,5,8,9,12-hexaazatriphenylenehexacarbonitrile) was energized and heated to vaporize it. A hole injecting and transporting layer having a layer thickness of 10 nm was formed by vapor deposition on the ITO transparent electrode at a speed of 0.1 nm/sec.
Then, α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) was vapor-deposited on the hole injection layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to give a layer thickness of 40 nm. To form a hole transport layer. The host compound H-232 and the comparative compound 1 were co-evaporated at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec so as to be 94% and 6% by volume, respectively, to form a light emitting layer having a layer thickness of 30 nm.
Then, BCP (2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron transport layer having a layer thickness of 30 nm.
Furthermore, after forming lithium fluoride with a film thickness of 0.5 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-light-emitting surface side of the above device was covered with a can glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and electrode lead-out wiring was installed to produce an organic EL device 1-1.

(有機EL素子1−2〜1−13の作製)
発光性化合物を比較化合物1から表1に示すように変えた以外は有機EL素子1−1と同様の方法で有機EL素子1−2から1−13を作製した。
(Production of Organic EL Elements 1-2 to 1-13)
Organic EL elements 1-2 to 1-13 were produced in the same manner as in the organic EL element 1-1 except that the light emitting compound was changed from comparative compound 1 as shown in Table 1.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

[実施例2]
(有機EL素子2−1の作製)
陽極として100mm×100mm×1.1mmのガラス基板上にITO(インジウムチンオキシド)を100nm成膜した基板(NHテクノグラス社製NA45)にパターニングを行った後、このITO透明電極を設けた透明支持基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った。
この透明支持基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)−ポリスチレンスルホネート(PEDOT/PSS、Bayer社製、Baytron P Al 4083)を純水で70%に希釈した溶液を用いて3000rpm、30秒の条件下、スピンコート法により薄膜を形成した後、200℃にて1時間乾燥し、層厚20nmの正孔注入層を設けた。この透明支持基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、真空蒸着装置内の蒸着用るつぼの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。蒸着用るつぼはモリブデン製またはタングステン製の抵抗加熱用材料で作製されたものを用いた。
[Example 2]
(Production of Organic EL Element 2-1)
After patterning a substrate (NA45 manufactured by NH Techno Glass Co., Ltd.) in which ITO (Indium Tin Oxide) was formed to a thickness of 100 nm on a glass substrate of 100 mm×100 mm×1.1 mm as an anode, this ITO transparent electrode was provided as a transparent support. The substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and UV ozone cleaned for 5 minutes.
On this transparent support substrate, poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate (PEDOT/PSS, manufactured by Bayer, Baytron P Al 4083) was diluted to 70% with pure water to obtain 3000 rpm, After forming a thin film by spin coating under the condition of 30 seconds, it was dried at 200° C. for 1 hour to provide a hole injection layer having a layer thickness of 20 nm. This transparent support substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum vapor deposition apparatus, and each of the vapor deposition crucibles in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for device production. The vapor deposition crucible was made of a resistance heating material made of molybdenum or tungsten.

真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPDを蒸着速度0.1nm/秒で前記正孔注入層上に蒸着し、層厚40nmの正孔輸送層を形成した。H−234、2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレンが、それぞれ97%、3%の体積%になるように蒸着速度0.1nm/秒で共蒸着し、層厚30nmの発光層を形成した。
その後、TPBi(1,3,5−トリス(N−フェニルベンゾイミダゾール−2−イル)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの電子輸送層を形成した。
さらに、フッ化ナトリウムを膜厚1nmで形成した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成した。
上記素子の非発光面側を、純度99.999%以上の高純度窒素ガスの雰囲気下で、缶状ガラスケースで覆い、電極取り出し配線を設置して、有機EL素子2−1を作製した。
After reducing the vacuum degree to 1×10 −4 Pa, α-NPD was vapor-deposited on the hole injection layer at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole transport layer having a layer thickness of 40 nm. H-234, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene was co-evaporated at a deposition rate of 0.1 nm/sec so that the volume% was 97% and 3%, respectively, and the light emission had a layer thickness of 30 nm. Layers were formed.
Then, TPBi (1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazol-2-yl)) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form an electron-transporting layer having a layer thickness of 30 nm.
Further, after forming sodium fluoride with a film thickness of 1 nm, 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode.
The non-emission surface side of the above device was covered with a can glass case in an atmosphere of high purity nitrogen gas having a purity of 99.999% or more, and electrode lead-out wiring was installed to fabricate an organic EL device 2-1.

(有機EL素子2−2の作製)
ホスト化合物としてH−234、発光性化合物として2,5,8,11−テトラ−t−ブチルペリレン、第三成分として比較化合物1を用い、それぞれの比率が82%、3%、15%の体積%となるように発光層を形成した以外は有機EL素子2−1の作製と同様にして、有機EL素子2−2を作製した。
(Production of Organic EL Element 2-2)
H-234 was used as the host compound, 2,5,8,11-tetra-t-butylperylene was used as the luminescent compound, and Comparative Compound 1 was used as the third component, and the respective ratios were 82%, 3%, and 15% by volume. An organic EL element 2-2 was produced in the same manner as the organic EL element 2-1, except that the light emitting layer was formed so as to have a%.

(有機EL素子2−3〜2−12の作製)
表2に示すように、第三成分を変えた以外は有機EL素子2−2と同様の方法で有機EL素子2−3から2−12を作製した。
(Production of Organic EL Elements 2-3 to 2-12)
As shown in Table 2, organic EL elements 2-3 to 2-12 were produced in the same manner as the organic EL element 2-2 except that the third component was changed.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

[実施例3]
(有機EL素子3−1の作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
[Example 3]
(Production of Organic EL Element 3-1)
A transparent substrate on which ITO (indium tin oxide) having a thickness of 150 nm was formed as an anode on a glass substrate having a size of 50 mm×50 mm and a thickness of 0.7 mm, followed by patterning, and then the ITO transparent electrode was attached. Was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。 Each of the resistance heating boats for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for producing each element. The resistance heating boat was made of molybdenum or tungsten.

真空度1×10−4Paまで減圧した後、HI−1の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚15nmの正孔注入層を形成した。 After decompressing to a vacuum degree of 1×10 −4 Pa, a resistance heating boat containing HI-1 was energized and heated, and vapor-deposited on an ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec. A hole injection layer was formed.

次いで、α−NPD(4,4’−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30nmの正孔輸送層を形成した。 Then, α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) is deposited at a deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole transport layer having a layer thickness of 30 nm. did.

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物1とGD−1の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/秒、0.010nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚40nmの発光層を形成した。 Then, a resistance heating boat containing Comparative Compound 1 and GD-1 as a comparative host compound is energized and heated to deposit on the hole transport layer at vapor deposition rates of 0.1 nm/sec and 0.010 nm/sec, respectively. Co-evaporation was performed to form a light emitting layer having a layer thickness of 40 nm.

次いで、HB−1を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚5nmの第一電子輸送層を形成した。 Then, HB-1 was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first electron-transporting layer having a layer thickness of 5 nm.

さらにその上に、ET―1を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚45nmの第二電子輸送層を形成した。 Further thereon, ET-1 was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second electron transport layer having a layer thickness of 45 nm.

その後、フッ化リチウムを厚さ0.5nmになるよう蒸着した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子3−1を作製した。 After that, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and then 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, to fabricate an organic EL element 3-1.

(有機EL素子3−2〜3−11の作製)
ホスト化合物を比較化合物1から表3に示すように変えた以外は有機EL素子3−1と同様の方法で有機EL素子3−2から3−11を作製した。
(Production of Organic EL Elements 3-2 to 3-11)
Organic EL elements 3-2 to 3-11 were produced in the same manner as in the organic EL element 3-1, except that the host compound was changed from comparative compound 1 as shown in Table 3.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

(発光効率の測定)
有機EL素子駆動時の各サンプルの発光効率は下記測定を行うことにより評価した。
(Measurement of luminous efficiency)
The luminous efficiency of each sample when the organic EL device was driven was evaluated by performing the following measurement.

(相対発光効率の測定)
上記作製した各有機EL素子を、室温(約25℃)で、2.5mA/cmの定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度を、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタ社製)を用いて測定した。
表1〜3に、得られた発光輝度の相対値(実施例1では有機EL素子1-1の発光輝度に対する相対値、実施例2では有機EL素子2-1の発光輝度に対する相対値、実施例3では有機EL素子3-1の発光輝度に対する相対値)を示した。
(Measurement of relative luminous efficiency)
Each of the organic EL devices produced above was allowed to emit light at room temperature (about 25° C.) under a constant current condition of 2.5 mA/cm 2 , and the emission brightness immediately after the start of emission was measured by a spectral radiance meter CS-2000 (Konica Minolta). (Manufactured by the company).
Tables 1 to 3 show the obtained relative values of the emission brightness (relative value to the emission brightness of the organic EL element 1-1 in Example 1, and relative value to the emission brightness of the organic EL element 2-1 in Example 2. In Example 3, the relative value with respect to the emission brightness of the organic EL element 3-1 is shown.

これらの結果から、一般式(1)で表される、芳香族複素5員環骨格を有する電子吸引性基Aと、電子吸引性基Aのパラ位と、その少なくとも一方の隣とに電子供与性基を有する本発明のπ共役系化合物は、比較化合物よりも相対発光効率が高いことが明らかである。また、電子吸引性基Aのパラ位と、その両隣に電子供与性基を有する一般式(2)で表される本発明のπ共役系化合物(化合物A−29)の方が、一般式(1)で表されるπ共役系化合物(化合物A−3、A−22、A−25)よりも相対発光効率が高く、電子吸引性基Aの両隣のZとZが水素原子である一般式(3)で表されるπ共役系化合物(化合物A−33、A−37、A−41)は、相対発光効率が更に高かった。 From these results, the electron-withdrawing group A 1 having the aromatic hetero 5-membered ring skeleton represented by the general formula (1), the para-position of the electron-withdrawing group A 1 and adjacent to at least one of them It is clear that the π-conjugated compound of the present invention having an electron donating group has a higher relative luminous efficiency than the comparative compound. Further, the π-conjugated compound of the present invention (compound A-29) represented by the general formula (2) having an electron donating group on both sides of the para position of the electron-withdrawing group A 1 has a general formula The relative luminous efficiency is higher than that of the π-conjugated compound represented by (1) (Compounds A-3, A-22, A-25), and Z 2 and Z 3 on both sides of the electron-withdrawing group A 1 are hydrogen atoms. The relative emission efficiency of the π-conjugated compound represented by the general formula (3) (Compounds A-33, A-37, A-41) was further higher.

[実施例4]
(有機EL素子4−1の作製)
50mm×50mm、厚さ0.7mmのガラス基板上に、陽極としてITO(インジウム・スズ酸化物)を150nmの厚さで製膜し、パターニングを行った後、このITO透明電極を付けた透明基板をイソプロピルアルコールで超音波洗浄し、乾燥窒素ガスで乾燥し、UVオゾン洗浄を5分間行った後、この透明基板を市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定した。
[Example 4]
(Production of Organic EL Element 4-1)
A transparent substrate on which ITO (indium tin oxide) having a thickness of 150 nm was formed as an anode on a glass substrate having a size of 50 mm×50 mm and a thickness of 0.7 mm, followed by patterning, and then the ITO transparent electrode was attached. Was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol, dried with dry nitrogen gas, and subjected to UV ozone cleaning for 5 minutes, and then this transparent substrate was fixed to a substrate holder of a commercially available vacuum deposition apparatus.

真空蒸着装置内の蒸着用の抵抗加熱ボートの各々に、各層の構成材料を、各々素子作製に最適の量を充填した。前記抵抗加熱ボートはモリブデン製又はタングステン製を用いた。 Each of the resistance heating boats for vapor deposition in the vacuum vapor deposition apparatus was filled with the constituent material of each layer in an optimum amount for producing each element. The resistance heating boat was made of molybdenum or tungsten.

真空度1×10−4Paまで減圧した後、α−NPD(4,4′−ビス〔N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ〕ビフェニル)の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度0.1nm/秒でITO透明電極上に蒸着し、層厚30nmの正孔注入層を形成した。 After decompressing to a vacuum degree of 1×10 −4 Pa, electricity is applied to a resistance heating boat containing α-NPD (4,4′-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenylamino]biphenyl) to heat it. Then, vapor deposition was performed on the ITO transparent electrode at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a hole injection layer having a layer thickness of 30 nm.

次いで、TCTA(トリス(4-カルバゾイル-9-イルフェニル)アミン)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚20nmの第一正孔輸送層を形成した。 Then, TCTA (tris(4-carbazoyl-9-ylphenyl)amine) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first hole-transporting layer having a layer thickness of 20 nm.

次いで、H−233を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚10nmの第二正孔輸送層を形成した。 Then, H-233 was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a second hole transport layer having a layer thickness of 10 nm.

次いで、比較のホスト化合物である比較化合物1とTBPe(2,5,8,11−テトラ−tert−ブチルペリレン)の入った抵抗加熱ボートに通電して加熱し、それぞれ蒸着速度0.1nm/秒、0.010nm/秒で前記正孔輸送層上に共蒸着し、層厚20nmの発光層を形成した。 Then, a resistance heating boat containing Comparative Compound 1 as a comparative host compound and TBPe (2,5,8,11-tetra-tert-butylperylene) was energized and heated, and the vapor deposition rate was 0.1 nm/sec. Was co-deposited on the hole transport layer at a rate of 0.010 nm/sec to form a light emitting layer having a layer thickness of 20 nm.

次いで、H−232を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚10nmの第一電子輸送層を形成した。 Next, H-232 was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/sec to form a first electron-transporting layer having a layer thickness of 10 nm.

さらにその上に、TBPI(1,3,5−トリス(1−フェニル−1H−ベンズイミダゾール−2−イル)ベンゼン)を蒸着速度0.1nm/秒で蒸着し、層厚30mの第二電子輸送層を形成した。 Further thereon, TBPI (1,3,5-tris(1-phenyl-1H-benzimidazol-2-yl)benzene) was vapor-deposited at a vapor deposition rate of 0.1 nm/second to transport a second electron having a layer thickness of 30 m. Layers were formed.

その後、フッ化リチウムを厚さ0.5nmになるよう蒸着した後に、アルミニウム100nmを蒸着して陰極を形成し、有機EL素子4−1を作製した。 After that, lithium fluoride was vapor-deposited to a thickness of 0.5 nm, and then 100 nm of aluminum was vapor-deposited to form a cathode, thereby producing an organic EL element 4-1.

(有機EL素子4−2〜4−8の作製)
ホスト化合物を比較化合物1から表4に示すように変えた以外は有機EL素子4−1と同様の方法で有機EL素子4−2から4−8を作製した。
(Production of Organic EL Elements 4-2 to 4-8)
Organic EL elements 4-2 to 4-8 were prepared in the same manner as the organic EL element 4-1, except that the host compound was changed from Comparative Compound 1 as shown in Table 4.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

有機EL素子4においていずれも場合も、比較例化合物より本願材料の方が高い発光効率を示した。 In all cases of the organic EL devices 4, the material of the present invention showed higher luminous efficiency than the comparative compound.

[実施例5]
実施例1の有機EL素子1−9の初期輝度300cd/mで点灯した時の輝度半減時間を測定した。
[Example 5]
The luminance half-time when the organic EL element 1-9 of Example 1 was turned on at an initial luminance of 300 cd/m 2 was measured.

(有機EL素子5−1〜5−9の作製)
実施例1の素子1−13から、ホスト化合物および発光性化合物を表5に示すように変えた以外は有機EL素子1−13と同様の方法で有機EL素子5−1から5−9を作製した。
(Production of Organic EL Elements 5-1 to 5-9)
Organic EL elements 5-1 to 5-9 were prepared from the element 1-13 of Example 1 by the same method as the organic EL element 1-13 except that the host compound and the light emitting compound were changed as shown in Table 5. did.

Figure 0006705148
Figure 0006705148

有機EL素子5において、ホスト化合物が、前述の一般式(I)で表される化合物である場合に、特に長い相対輝度半減時間を有していた。また、発光性化合物が前述の一般式(3)で表される化合物(化合物A−41)である場合には、長い相対輝度半減時間を有していた。 In the organic EL device 5, when the host compound was the compound represented by the general formula (I), the relative luminance half-life was particularly long. In addition, when the light emitting compound was the compound represented by the general formula (3) (Compound A-41), it had a long relative luminance half time.

本発明によれば、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率を改良しうる新たなπ共役系化合物を提供することができる。また、当該π共役系化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子材料、発光性薄膜、発光材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、並びに当該有機エレクトロルミネッセンス素子が具備された表示装置及び照明装置を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a new π-conjugated compound capable of improving the luminous efficiency of an organic electroluminescence device, for example. Further, it is possible to provide an organic electroluminescence element material, a light emitting thin film, a light emitting material, an organic electroluminescence element using the π-conjugated compound, and a display device and a lighting device provided with the organic electroluminescence element.

1 ディスプレイ
3 画素
5 走査線
6 データ線
7 電源ライン
10 有機EL素子
11 スイッチングトランジスタ
12 駆動トランジスタ
13 コンデンサー
101 照明装置内の有機EL素子
102 ガラスカバー
105 陰極
106 有機層
107 透明電極付きガラス基板
108 窒素ガス
109 捕水剤
A 表示部
B 制御部
C 配線部
1 Display 3 Pixel 5 Scan Line 6 Data Line 7 Power Line 10 Organic EL Element 11 Switching Transistor 12 Driving Transistor 13 Capacitor 101 Organic EL Element in Lighting Device 102 Glass Cover 105 Cathode 106 Organic Layer 107 Glass Substrate with Transparent Electrode 108 Nitrogen Gas 109 Water trap A Display B Control C Wiring

Claims (20)

下記一般式(1)で表される構造を有する、π共役系化合物。
Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよいフラン環、トリアゾール環、またはベンゾトリアゾール環を表し、
及びDは、各々独立に、電子供与性基を表し、
は、電子供与性基を表し、
及びZ は、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D及びD及び で表される前記電子供与性基は、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、または置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環で置換されたアリール基、置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記 及びZ で表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよいイミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環からなる群より選ばれる基である。)
A π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1).
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an optionally substituted furan ring, triazole ring, or benzotriazole ring,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 represents an electron donating group ,
Z 2 and Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 is an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, or an optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring. , Indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, Benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, aryl group substituted with diazacarbazole ring, optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole ring, 9 , 10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzo A group selected from the group consisting of a carbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, a diazacarbazole ring, an optionally substituted amino group, and an alkyl group,
The electron-withdrawing group represented by Z 2 and Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Optionally phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, fluorine atom, cyano group, optionally fluorine substituted alkyl group, optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group , Optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole Ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide Ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenediene ring Oxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, Azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, feh An aryl group which may be substituted with a nantrizine ring, and an imidazole ring which may be substituted, a pyrazole ring, a 1,2,3-triazole ring, a 1,2,4-triazole ring, a tetrazole ring, a furan ring, Oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring, benzimidazole ring, indazole ring , Benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzoo Oxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, Azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine A ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, and a phenanthridine ring. )
前記一般式(1)において、Z とZは水素原子を表す、請求項1に記載のπ共役系化合物。 Formula Te (1) odor, Z 2 and Z 3 represents a hydrogen atom, [pi conjugated compound according to claim 1. 前記Aは、窒素原子を含む、請求項1または2に記載のπ共役系化合物。 The π-conjugated compound according to claim 1 , wherein A 1 contains a nitrogen atom. 最低励起一重項準位と最低励起三重項準位とのエネルギー差の絶対値ΔESTが0.50eV以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のπ共役系化合物。 Absolute value Delta] E ST of the energy difference between the lowest excited singlet state and the lowest excited triplet level is below 0.50eV, π-conjugated compound according to any one of claims 1 to 3. 下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子材料。
Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよいフラン環、トリアゾール環、またはベンゾトリアゾール環を表し、
及びD は、各々独立に、電子供与性基を表し、
〜Z は、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D 及びD 及びZ 〜Z で表される前記電子供与性基は、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、または置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環で置換されたアリール基、置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記Z 〜Z で表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよいイミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環からなる群より選ばれる基である。)
An organic electroluminescence device material containing a π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1) .
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an optionally substituted furan ring, triazole ring, or benzotriazole ring,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 to Z 3 is an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, or an optionally substituted pyrrole ring or indole ring. , Carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothieno ring Carbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, aryl group substituted with diazacarbazole ring, optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole Ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene A ring, a benzocarbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, a diazacarbazole ring, an optionally substituted amino group, and a group selected from the group consisting of an alkyl group,
The electron withdrawing group represented by Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Optionally phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, fluorine atom, cyano group, optionally fluorine substituted alkyl group, optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group , Optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole Ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide Ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenediene ring Oxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, Azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, feh An aryl group which may be substituted with a nantrizine ring, and an imidazole ring which may be substituted, a pyrazole ring, a 1,2,3-triazole ring, a 1,2,4-triazole ring, a tetrazole ring, a furan ring, Oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring, benzimidazole ring, indazole ring , Benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzoo Oxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, Azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine A ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, and a phenanthridine ring. )
下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を含み、前記π共役系化合物が蛍光を放射する、発光材料。
Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよいフラン環、トリアゾール環、またはベンゾトリアゾール環を表し、
及びD は、各々独立に、電子供与性基を表し、
〜Z は、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D 及びD 及びZ 〜Z で表される前記電子供与性基は、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、または置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環で置換されたアリール基、置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記Z 〜Z で表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよいイミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環からなる群より選ばれる基である。)
A luminescent material comprising a π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1) , wherein the π-conjugated compound emits fluorescence.
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an optionally substituted furan ring, triazole ring, or benzotriazole ring,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 to Z 3 is an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, or an optionally substituted pyrrole ring or indole ring. , Carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothieno ring Carbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, aryl group substituted with diazacarbazole ring, optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole Ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene A ring, a benzocarbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, a diazacarbazole ring, an optionally substituted amino group, and a group selected from the group consisting of an alkyl group,
The electron withdrawing group represented by Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Optionally phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, fluorine atom, cyano group, optionally fluorine substituted alkyl group, optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group , Optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole Ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide Ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenediene ring Oxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, Azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, feh An aryl group which may be substituted with a nantrizine ring, and an imidazole ring which may be substituted, a pyrazole ring, a 1,2,3-triazole ring, a 1,2,4-triazole ring, a tetrazole ring, a furan ring, Oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring, benzimidazole ring, indazole ring , Benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzoo Oxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, Azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine It is a group selected from the group consisting of a ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, and a phenanthridine ring. )
前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、請求項6に記載の発光材料。 The light emitting material according to claim 6 , wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence. 下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を含む、発光性薄膜。
Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよいフラン環、トリアゾール環、またはベンゾトリアゾール環を表し、
及びD は、各々独立に、電子供与性基を表し、
〜Z は、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D 及びD 及びZ 〜Z で表される前記電子供与性基は、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、または置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環で置換されたアリール基、置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記Z 〜Z で表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよいイミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環からなる群より選ばれる基である。)
A luminescent thin film containing a π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1) .
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an optionally substituted furan ring, triazole ring, or benzotriazole ring,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 to Z 3 is an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, or an optionally substituted pyrrole ring or indole ring. , Carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothieno ring Carbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, aryl group substituted with diazacarbazole ring, optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole Ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene A ring, a benzocarbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, a diazacarbazole ring, an optionally substituted amino group, and a group selected from the group consisting of an alkyl group,
The electron withdrawing group represented by Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Optionally phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, fluorine atom, cyano group, optionally fluorine substituted alkyl group, optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group , Optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole Ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide Ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenediene ring Oxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, Azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, feh An aryl group which may be substituted with a nantrizine ring, and an imidazole ring which may be substituted, a pyrazole ring, a 1,2,3-triazole ring, a 1,2,4-triazole ring, a tetrazole ring, a furan ring, Oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring, benzimidazole ring, indazole ring , Benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzoo Oxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, Azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine A ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, and a phenanthridine ring. )
前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、請求項8に記載の発光性薄膜。 The luminescent thin film according to claim 8 , wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence. 陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた発光層とを含み、
前記発光層の少なくとも一層が、下記一般式(1)で表される構造を有するπ共役系化合物を含む、有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0006705148
(一般式(1)中、
は、置換されていてもよいフラン環、トリアゾール環、またはベンゾトリアゾール環を表し、
及びD は、各々独立に、電子供与性基を表し、
〜Z は、各々独立に、水素原子、重水素原子、電子供与性基又は電子吸引性基を表し、
前記D 及びD 及びZ 〜Z で表される前記電子供与性基は、アルキル基、アルコキシ基、置換されていてもよいアミノ基、または置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環で置換されたアリール基、置換されていてもよいピロール環、インドール環、カルバゾール環、インドロインドール環、9,10−ジヒドロアクリジン環、フェノキサジン環、フェノチアジン環、ジベンゾチオフェン環、ベンゾフリルインドール環、ベンゾチエノインドール環、インドロカルバゾール環、ベンゾフリルカルバゾール環、ベンゾチエノカルバゾール環、ベンゾチエノベンゾチオフェン環、ベンゾカルバゾール環、ジベンゾカルバゾール環、アザカルバゾール環、ジアザカルバゾール環、置換されていてもよいアミノ基、及びアルキル基からなる群より選ばれる基であり、
前記Z 〜Z で表される前記電子吸引性基は、フッ素原子、フッ素原子で置換されたアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、フッ素原子、シアノ基、フッ素で置換されていてもよいアルキル基、置換されていてもよいカルボニル基、置換されていてもよいスルホニル基、置換されていてもよいホスフィンオキサイド基、置換されていてもよいボリル基、及び置換されていてもよい、イミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環で置換されていてもよいアリール基、及び置換されていてもよいイミダゾール環、ピラゾール環、1,2,3−トリアゾール環、1,2,4−トリアゾール環、テトラゾール環、フラン環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、オキサジアゾール環、チオフェン環、チオフェンジオキシド環、チアゾール環、イソチアゾール環、チアジアゾール環、シロール環、ボロール環、ホスホール環、ホスホールオキシド環、ベンゾイミダゾール環、インダゾール環、ベンゾトリアゾール環、ベンゾフラン環、ベンゾオキサゾール環、ベンゾオキサジアゾール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾチオフェンジオキシド環、ベンゾチアゾール環、ベンゾチアジアゾール環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェンジオキシド環、ジベンゾシロール環、ジベンゾボロール環、ジベンゾホスホール環、ジベンゾホスホールオキシド環、アザジベンゾフラン環、アザジベンゾチオフェン環、アザジベンゾチオフェンジオキシド環、アザジベンゾシロール環、アザジベンゾボロール環、アザジベンゾホスホール環、アザジベンゾホスホールオキシド環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、キナゾリン環、シンノリン環、キノキサリン環、フタラジン環、プテリジン環、フェナントリジン環からなる群より選ばれる基である。)
An anode, a cathode, and a light emitting layer provided between the anode and the cathode,
An organic electroluminescent device, wherein at least one of the light emitting layers contains a π-conjugated compound having a structure represented by the following general formula (1) .
Figure 0006705148
(In the general formula (1),
A 1 represents an optionally substituted furan ring, triazole ring, or benzotriazole ring,
D 1 and D 2 each independently represent an electron-donating group,
Z 1 to Z 3 each independently represent a hydrogen atom, a deuterium atom, an electron-donating group or an electron-withdrawing group,
The electron-donating group represented by D 1 and D 2 and Z 1 to Z 3 is an alkyl group, an alkoxy group, an optionally substituted amino group, or an optionally substituted pyrrole ring or indole ring. , Carbazole ring, indoloindole ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothieno ring Carbazole ring, benzothienobenzothiophene ring, benzocarbazole ring, dibenzocarbazole ring, azacarbazole ring, aryl group substituted with diazacarbazole ring, optionally substituted pyrrole ring, indole ring, carbazole ring, indoloindole Ring, 9,10-dihydroacridine ring, phenoxazine ring, phenothiazine ring, dibenzothiophene ring, benzofurylindole ring, benzothienoindole ring, indolocarbazole ring, benzofurylcarbazole ring, benzothienocarbazole ring, benzothienobenzothiophene A ring, a benzocarbazole ring, a dibenzocarbazole ring, an azacarbazole ring, a diazacarbazole ring, an optionally substituted amino group, and a group selected from the group consisting of an alkyl group,
The electron withdrawing group represented by Z 1 to Z 3 is a fluorine atom, an alkyl group substituted with a fluorine atom, an optionally substituted carbonyl group, an optionally substituted sulfonyl group, or an unsubstituted group. Optionally phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, fluorine atom, cyano group, optionally fluorine substituted alkyl group, optionally substituted carbonyl group, optionally substituted sulfonyl group , Optionally substituted phosphine oxide group, optionally substituted boryl group, and optionally substituted imidazole ring, pyrazole ring, 1,2,3-triazole ring, 1,2,4-triazole Ring, tetrazole ring, furan ring, oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide Ring, benzimidazole ring, indazole ring, benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzooxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophenediene ring Oxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, Azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, triazine ring, quinoline ring, isoquinoline ring, quinazoline ring, cinnoline ring, quinoxaline ring, phthalazine ring, pteridine ring, feh An aryl group optionally substituted with a nantrizine ring, and an optionally substituted imidazole ring, a pyrazole ring, a 1,2,3-triazole ring, a 1,2,4-triazole ring, a tetrazole ring, a furan ring, Oxazole ring, isoxazole ring, oxadiazole ring, thiophene ring, thiophene dioxide ring, thiazole ring, isothiazole ring, thiadiazole ring, silole ring, borole ring, phosphole ring, phosphole oxide ring, benzimidazole ring, indazole ring , Benzotriazole ring, benzofuran ring, benzoxazole ring, benzoo Oxadiazole ring, benzothiophene ring, benzothiophene dioxide ring, benzothiazole ring, benzothiadiazole ring, dibenzofuran ring, dibenzothiophene dioxide ring, dibenzosilole ring, dibenzoborol ring, dibenzophosphole ring, dibenzophosphole oxide ring, Azadibenzofuran ring, azadibenzothiophene ring, azadibenzothiophene dioxide ring, azadibenzosilole ring, azadibenzoborol ring, azadibenzophosphole ring, azadibenzophosphole oxide ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine A ring, a triazine ring, a quinoline ring, an isoquinoline ring, a quinazoline ring, a cinnoline ring, a quinoxaline ring, a phthalazine ring, a pteridine ring, and a phenanthridine ring. )
前記π共役系化合物が、励起子を生成する、請求項10に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 10 , wherein the π-conjugated compound produces excitons. 前記π共役系化合物が、蛍光を放射する、請求項10又は11に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 10 , wherein the π-conjugated compound emits fluorescence. 前記π共役系化合物が、遅延蛍光を放射する、請求項12に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent device according to claim 12 , wherein the π-conjugated compound emits delayed fluorescence. 前記発光層が、前記π共役系化合物と、ホスト化合物と、を含む、請求項10〜13のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent element according to claim 10 , wherein the light emitting layer contains the π-conjugated compound and a host compound. 前記発光層は、前記π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方とを含む、請求項10〜14のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescence device according to claim 10 , wherein the light emitting layer contains the π-conjugated compound and at least one of a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound. 前記発光層は、前記π共役系化合物と、蛍光発光性化合物及びリン光発光性化合物の少なくとも一方と、ホスト化合物とを含む、請求項10〜14のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。 The organic electroluminescent element according to claim 10 , wherein the light emitting layer contains the π-conjugated compound, at least one of a fluorescent light emitting compound and a phosphorescent light emitting compound, and a host compound. .. 前記ホスト化合物が、下記一般式(I)で表される構造を有する、請求項14または16に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0006705148
(一般式(I)中、
101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表し、
〜yは、各々独立に、CR106又は窒素原子を表し、
101〜R106は、各々独立に、水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ar101及びAr102は、各々独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
n101及びn102は、各々0〜4の整数を表す。
ただし、R101が水素原子の場合は、n101は1〜4の整数を表す。)
The organic electroluminescence device according to claim 14 or 16 , wherein the host compound has a structure represented by the following general formula (I).
Figure 0006705148
(In the general formula (I),
X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 ,
y 1 to y 8 each independently represent CR 106 or a nitrogen atom,
R 101 to R 106 each independently represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring,
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n101 and n102 each represent an integer of 0 to 4.
However, when R 101 is a hydrogen atom, n 101 represents an integer of 1 to 4. )
前記一般式(I)で表される構造を有するホスト化合物が、下記一般式(II)で表される構造を有する、請求項17に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
Figure 0006705148
(一般式(II)中、
101は、NR101、酸素原子、硫黄原子、スルフィニル基、スルホニル基、CR102103又はSiR104105を表し、
101〜R105は、各々水素原子又は置換基を表し、互いに結合して環を形成してもよく、
Ar101及びAr102は、各々独立に、置換されていてもよいアリール基、又は置換されていてもよいヘテロアリール基を表し、
n102は0〜4の整数を表す。)
The organic electroluminescence device according to claim 17 , wherein the host compound having a structure represented by the general formula (I) has a structure represented by the following general formula (II).
Figure 0006705148
(In the general formula (II),
X 101 represents NR 101 , an oxygen atom, a sulfur atom, a sulfinyl group, a sulfonyl group, CR 102 R 103 or SiR 104 R 105 ,
R 101 to R 105 each represent a hydrogen atom or a substituent, and may be bonded to each other to form a ring,
Ar 101 and Ar 102 each independently represent an optionally substituted aryl group or an optionally substituted heteroaryl group,
n102 represents an integer of 0 to 4. )
請求項10〜18のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、表示装置。 A display device comprising the organic electroluminescence element according to claim 10 . 請求項10〜18のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を含む、照明装置。 A lighting device comprising the organic electroluminescent element according to claim 10 .
JP2015203883A 2015-10-15 2015-10-15 π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device Active JP6705148B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015203883A JP6705148B2 (en) 2015-10-15 2015-10-15 π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015203883A JP6705148B2 (en) 2015-10-15 2015-10-15 π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017075121A JP2017075121A (en) 2017-04-20
JP6705148B2 true JP6705148B2 (en) 2020-06-03

Family

ID=58550026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015203883A Active JP6705148B2 (en) 2015-10-15 2015-10-15 π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6705148B2 (en)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10892425B1 (en) 2017-03-03 2021-01-12 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11283027B1 (en) 2017-03-03 2022-03-22 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10547014B2 (en) 2017-06-23 2020-01-28 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11069860B2 (en) 2017-08-21 2021-07-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
JP7346015B2 (en) * 2017-09-06 2023-09-19 住友化学株式会社 light emitting element
JP7178693B2 (en) * 2017-09-29 2022-11-28 株式会社Kyulux charge transport materials, organic light-emitting devices and compounds
US11444250B2 (en) 2017-12-05 2022-09-13 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11575088B2 (en) 2017-12-22 2023-02-07 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10644249B2 (en) 2017-12-22 2020-05-05 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11542260B2 (en) 2018-01-31 2023-01-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11104669B2 (en) 2018-02-02 2021-08-31 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11608333B2 (en) 2018-03-20 2023-03-21 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11498914B2 (en) 2018-03-30 2022-11-15 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11778904B2 (en) 2018-05-09 2023-10-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
CN110872286B (en) * 2018-09-04 2023-04-07 江苏三月科技股份有限公司 Organic compound based on azabenzene and benzoxadiazole and application thereof
JP7172393B2 (en) * 2018-10-01 2022-11-16 Dic株式会社 Organic electroluminescence device and material
JPWO2020189117A1 (en) * 2019-03-18 2020-09-24

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB8514207D0 (en) * 1985-06-05 1985-07-10 Pfizer Ltd Cardiac stimulants
JP4810805B2 (en) * 2003-07-31 2011-11-09 三菱化学株式会社 Organic compound, charge transport material, organic electroluminescent element material, and organic electroluminescent element
JP2014522874A (en) * 2011-08-12 2014-09-08 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア Anthranilamido compounds and their use as insecticides
JP6627508B2 (en) * 2013-08-14 2020-01-08 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescent element, lighting device, display device, and fluorescent compound
JPWO2015029964A1 (en) * 2013-08-30 2017-03-02 コニカミノルタ株式会社 Organic electroluminescence element, luminescent material, luminescent thin film, display device and lighting device
US20170244049A1 (en) * 2014-05-14 2017-08-24 President And Fellows Of Harvard College Organic light-emitting diode materials
GB201507340D0 (en) * 2015-04-29 2015-06-10 Univ St Andrews Light emitting devices and compounds

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017075121A (en) 2017-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6975639B2 (en) π-conjugated compound, organic electroluminescence element material, light emitting material, luminescent thin film, organic electroluminescence element, display device and lighting device
JP6705148B2 (en) π-conjugated compound, organic electroluminescent element material, light emitting material, light emitting thin film, organic electroluminescent element, display device and lighting device
JP7060670B2 (en) Assist dopant material, luminescent thin film, organic electroluminescence device, display device and lighting device
JP6761662B2 (en) Organic electroluminescence elements, display devices and lighting devices
JP6627508B2 (en) Organic electroluminescent element, lighting device, display device, and fluorescent compound
WO2017170812A1 (en) Luminescent thin film and organic electroluminescent element
WO2016017514A1 (en) Organic electroluminescent element, light-emitting thin film, display device, and lighting device
JP6128119B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP6673203B2 (en) Organic electroluminescence device
WO2016017741A1 (en) Organic electroluminescence element, display device, illumination device, fluorescent light-emitting compound, and light-emitting thin film
WO2018008721A1 (en) Organic electroluminescent element, display device, and illumination device
JP6264001B2 (en) ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT, LIGHT-EMITTING THIN FILM, DISPLAY DEVICE AND LIGHTING DEVICE
JP7081898B2 (en) Organic electroluminescence elements, display devices and lighting devices
JP6686748B2 (en) Organic electroluminescence device, display device, lighting device, π-conjugated compound
WO2013058098A1 (en) Organic electroluminescent element
JP6942127B2 (en) Organic electroluminescence elements, display devices, lighting devices
JP2016092320A (en) Organic electroluminescent element and lighting device
JP6701817B2 (en) Charge transfer thin film, electronic device provided with the same, organic electroluminescence element, display device and lighting device
WO2019163355A1 (en) Organic electroluminescent element, luminescent thin film, display device, and luminescent device
WO2016194865A1 (en) Organic electroluminescent element
WO2016076187A1 (en) Organic electroluminescence element
JP6701649B2 (en) Organic electroluminescence element, display device, lighting device, π-conjugated compound, and light-emitting thin film
JP7253646B2 (en) π-conjugated compound, organic electroluminescence device material, light-emitting material, charge transport material, light-emitting thin film, organic electroluminescence device, display device and lighting device
JPWO2016047661A1 (en) Organic electroluminescence device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180910

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190507

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190425

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190705

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20190708

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20191011

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20191105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20191226

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200414

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200427

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6705148

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250