JP6702078B2 - Method for producing glass plate with dielectric multilayer film and glass plate with film - Google Patents

Method for producing glass plate with dielectric multilayer film and glass plate with film Download PDF

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Description

本発明は、誘電体多層膜付ガラス板の製造方法及び膜付ガラス板に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a glass plate with a dielectric multilayer film and a glass plate with a film.

従来、ガラス板上に誘電体多層膜が設けられた、誘電体多層膜付ガラス板が用いられている。上記誘電体多層膜は、反射防止膜、赤外線反射膜、バンドパスフィルター、ミラーなどの光学機能膜として利用されている。   Conventionally, a glass plate with a dielectric multilayer film, in which a dielectric multilayer film is provided on a glass plate, has been used. The dielectric multilayer film is used as an optical function film such as an antireflection film, an infrared reflection film, a bandpass filter and a mirror.

例えば、下記の特許文献１には、酸化タンタル、酸化チタンなどの高屈折材料層と、酸化ケイ素などの低屈折率材料層を交互に積層した誘電体多層膜がガラス板の上に形成されている。誘電体多層膜の最外層は、一般に、保護層を兼ねて酸化ケイ素層が形成される場合が多い。   For example, in Patent Document 1 below, a dielectric multilayer film in which high refractive index material layers such as tantalum oxide and titanium oxide and low refractive index material layers such as silicon oxide are alternately laminated is formed on a glass plate. There is. In most cases, the outermost layer of the dielectric multilayer film is generally a silicon oxide layer that also serves as a protective layer.

特開平７−２０９５１６号公報JP-A-7-209516

ところで、誘電体多層膜が形成されたガラス板の成膜面の汚れを除去する目的で、アルカリ洗浄が施される場合がある。アルカリ洗浄を実施すると、汚れが除去されるが、最外層の酸化ケイ素層がアルカリ溶液で溶解し、最外層の厚みが薄くなり、所望の光学特性が得られないことがある。   By the way, alkali cleaning may be performed for the purpose of removing stains on the film formation surface of the glass plate on which the dielectric multilayer film is formed. When the alkali cleaning is carried out, the dirt is removed, but the outermost silicon oxide layer is dissolved by the alkaline solution, and the thickness of the outermost layer becomes thin, so that desired optical characteristics may not be obtained.

本発明の目的は、汚れの付着が少なく、かつ光学特性が低下するのを抑制することができる誘電体多層膜付ガラス板の製造方法及び膜付ガラス板を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a method for producing a glass plate with a dielectric multilayer film and a glass plate with a film, in which the adhesion of dirt is small and the deterioration of optical characteristics can be suppressed.

本発明の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法は、ガラス板の上に誘電体多層膜を形成する工程と、誘電体多層膜の上に、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜を形成して膜付ガラス板を製造する工程と、アルカリ洗浄により、酸化ケイ素膜の厚みを薄くする工程とを備えることを特徴としている。   The method for producing a glass plate with a dielectric multilayer film of the present invention comprises a step of forming a dielectric multilayer film on a glass plate and a film of forming a silicon oxide film having a thickness of 30 nm or less on the dielectric multilayer film. The method is characterized by including a step of manufacturing a glass plate with a glass and a step of reducing the thickness of the silicon oxide film by alkali cleaning.

膜付ガラス板を製造する工程において、厚みが、１ｎｍ以上となるように酸化ケイ素膜を形成することが好ましい。   In the step of producing the glass plate with a film, it is preferable to form the silicon oxide film so that the thickness is 1 nm or more.

アルカリ洗浄により、酸化ケイ素膜を実質的に完全に除去することが好ましい。   It is preferable to remove the silicon oxide film substantially completely by alkali cleaning.

誘電体多層膜の最外層は、酸化タンタルから構成されていることが好ましい。   The outermost layer of the dielectric multilayer film is preferably composed of tantalum oxide.

ガラス板の両方の主面上に誘電体多層膜及び酸化ケイ素膜がそれぞれ形成されていてもよい。   A dielectric multilayer film and a silicon oxide film may be formed on both main surfaces of the glass plate.

本発明の膜付ガラス板は、ガラス板と、ガラス板の上に設けられる誘電体多層膜と、誘電体多層膜の上に設けられる、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜とを備えることを特徴としている。   The film-coated glass plate of the present invention comprises a glass plate, a dielectric multilayer film provided on the glass plate, and a silicon oxide film having a thickness of 30 nm or less provided on the dielectric multilayer film. There is.

誘電体多層膜の最外層が、酸化タンタルから構成されていることが好ましい。   The outermost layer of the dielectric multilayer film is preferably composed of tantalum oxide.

ガラス板の両方の主面上に誘電体多層膜及び酸化ケイ素膜がそれぞれ設けられていてもよい。   A dielectric multilayer film and a silicon oxide film may be provided on both main surfaces of the glass plate, respectively.

本発明によれば、汚れの付着が少なく、かつ光学特性が低下するのを抑制することができる誘電体多層膜付ガラス板の製造方法及び膜付ガラス板を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide a method for manufacturing a glass plate with a dielectric multilayer film and a glass plate with a film, in which adhesion of dirt is small and deterioration of optical characteristics can be suppressed.

本発明の一実施形態の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法を説明するための模式的断面図である。It is a schematic cross section for explaining the manufacturing method of the glass plate with a dielectric multilayer film of one embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法を説明するための模式的断面図である。It is a schematic cross section for explaining the manufacturing method of the glass plate with a dielectric multilayer film of one embodiment of the present invention.

以下、好ましい実施形態について説明する。但し、以下の実施形態は単なる例示であり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。また、各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照する場合がある。   Hereinafter, preferred embodiments will be described. However, the following embodiments are merely examples, and the present invention is not limited to the following embodiments. In each drawing, members having substantially the same function may be referred to by the same reference numeral.

図１は、本発明の一実施形態の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法を説明するための模式的断面図である。図１には、後述するアルカリ洗浄前の膜付ガラス板１０を示している。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining a method for manufacturing a glass plate with a dielectric multilayer film according to an embodiment of the present invention. FIG. 1 shows a film-coated glass plate 10 before alkali cleaning, which will be described later.

図１に示すように、本実施形態の膜付ガラス板１０は、ガラス板２と、ガラス板２の上に設けられる誘電体多層膜３と、誘電体多層膜３の上に設けられる、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜７とを備える。ガラス板２は、互いに対向している第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂを有する。本実施形態において、誘電体多層膜３は、ガラス板２の第１の主面２ａ上に設けられている。   As shown in FIG. 1, the film-coated glass plate 10 of the present embodiment has a thickness of a glass plate 2, a dielectric multilayer film 3 provided on the glass plate 2, and a dielectric multilayer film 3 provided on the dielectric multilayer film 3. And a silicon oxide film 7 having a thickness of 30 nm or less. The glass plate 2 has a first main surface 2a and a second main surface 2b facing each other. In this embodiment, the dielectric multilayer film 3 is provided on the first main surface 2a of the glass plate 2.

ガラス板２を構成するガラスとしては、例えば、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ（ＲはＭｇ、Ｃａ、ＳｒまたはＢａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−Ｒ’２Ｏ（Ｒ’はＬｉ、ＮａまたはＫａ）系ガラス、ＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＲＯ−Ｒ’２Ｏ系ガラス、ＳｎＯ−Ｐ２Ｏ５系ガラス、ＴｅＯ２系ガラス又はＢｉ２Ｏ３系ガラスなどを用いることができる。 Examples of the glass that constitutes the glass plate 2 include SiO 2 —B 2 O 3 —RO (R is Mg, Ca, Sr or Ba) based glass, SiO 2 —B 2 O 3 —R′ 2 O (R′). Is Li, Na or Ka) type glass, SiO 2 —B 2 O 3 —RO—R′ 2 O type glass, SnO—P 2 O 5 type glass, TeO 2 type glass or Bi 2 O 3 type glass. be able to.

ガラス板２の厚みとしては、特に限定されないが、例えば、０．１ｍｍ〜１．１ｍｍとすることができる。   The thickness of the glass plate 2 is not particularly limited, but may be 0.1 mm to 1.1 mm, for example.

誘電体多層膜３は、高屈折率層と低屈折率層とを交互に積層することにより構成されている。高屈折率層は、例えば、酸化ニオブ、酸化チタン、酸化タンタル、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウム等により構成することができる。低屈折率層は、例えば、酸化ケイ素等により構成することができる。誘電体多層膜３を構成する膜の層数は、特に限定されない。誘電体多層膜３を構成する膜の層数は、好ましくは３層以上であり、好ましくは、５０層以下である。   The dielectric multilayer film 3 is formed by alternately stacking high refractive index layers and low refractive index layers. The high refractive index layer can be made of, for example, niobium oxide, titanium oxide, tantalum oxide, lanthanum oxide, yttrium oxide, tungsten oxide, bismuth oxide, zirconium oxide, or the like. The low refractive index layer can be made of, for example, silicon oxide. The number of layers of the film forming the dielectric multilayer film 3 is not particularly limited. The number of layers of the film forming the dielectric multilayer film 3 is preferably 3 or more, and preferably 50 or less.

高屈折率層及び低屈折率層の１層あたりの膜厚としては、特に限定されないが、好ましくは１ｎｍ以上であり、より好ましくは１．５ｎｍ以上であり、好ましくは１８０ｎｍ以下であり、より好ましくは１５０ｎｍ以下である。   The thickness of each of the high refractive index layer and the low refractive index layer is not particularly limited, but is preferably 1 nm or more, more preferably 1.5 nm or more, preferably 180 nm or less, and more preferably Is 150 nm or less.

本実施形態における誘電体多層膜３では、低屈折率層として酸化ケイ素層４を形成し、第１の高屈折率層として酸化ニオブ層５を形成し、第２の高屈折率層として酸化タンタル層６を形成している。具体的には、ガラス板２の上に酸化ケイ素層４と酸化ニオブ層５を交互に形成し、最外層に酸化タンタル層６を形成している。本実施形態における誘電体多層膜３は、反射防止膜として形成されており、誘電体多層膜３を構成する膜の層数は、３〜２５とすることが好ましい。   In the dielectric multilayer film 3 of this embodiment, the silicon oxide layer 4 is formed as the low refractive index layer, the niobium oxide layer 5 is formed as the first high refractive index layer, and the tantalum oxide layer is formed as the second high refractive index layer. Forming layer 6. Specifically, the silicon oxide layers 4 and the niobium oxide layers 5 are alternately formed on the glass plate 2, and the tantalum oxide layer 6 is formed as the outermost layer. The dielectric multilayer film 3 in the present embodiment is formed as an antireflection film, and it is preferable that the number of layers constituting the dielectric multilayer film 3 is 3 to 25.

誘電体多層膜３の上には、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜７が設けられている。酸化ケイ素膜７は、後述するアルカリ洗浄で少なくとも一部が除去される膜である。酸化ケイ素膜７の少なくとも一部を除去することにより、酸化ケイ素膜７に付着した汚れを取り除くことができる。酸化ケイ素膜７の厚みは、アルカリ洗浄で酸化ケイ素膜７が残存した場合に、誘電体多層膜３の光学特性に悪影響を与えない厚みであることが好ましい。このような観点から、本発明では酸化ケイ素膜７の厚みを、３０ｎｍ以下に規定しており、好ましくは、１〜２０ｎｍの範囲内であり、さらに好ましくは、５〜１５ｎｍの範囲内である。酸化ケイ素膜７の厚みが薄すぎると、アルカリ洗浄により汚れを十分に取り除くことができない場合がある。   A silicon oxide film 7 having a thickness of 30 nm or less is provided on the dielectric multilayer film 3. The silicon oxide film 7 is a film that is at least partially removed by the alkali cleaning described below. By removing at least a part of the silicon oxide film 7, the dirt attached to the silicon oxide film 7 can be removed. The thickness of the silicon oxide film 7 is preferably a thickness that does not adversely affect the optical characteristics of the dielectric multilayer film 3 when the silicon oxide film 7 remains after the alkali cleaning. From such a viewpoint, in the present invention, the thickness of the silicon oxide film 7 is specified to be 30 nm or less, preferably in the range of 1 to 20 nm, and more preferably in the range of 5 to 15 nm. If the silicon oxide film 7 is too thin, it may not be possible to sufficiently remove stains by alkali cleaning.

以下、図２に示す誘電体多層膜付ガラス板１を製造する方法について説明する。   Hereinafter, a method for manufacturing the glass plate with a dielectric multilayer film 1 shown in FIG. 2 will be described.

まず、図１に示す膜付ガラス板１０を作製する。図１に示すように、ガラス板２の上に誘電体多層膜３を形成する。誘電体多層膜３は、低屈折率層及び高屈折率層を交互に積層することにより形成する。本実施形態では、ガラス板２の上に酸化ケイ素層４と酸化ニオブ層５を交互に形成し、最外層として酸化タンタル層６を酸化ケイ素層４の上に形成する。各層の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法により形成することができる。   First, the glass plate with film 10 shown in FIG. 1 is manufactured. As shown in FIG. 1, the dielectric multilayer film 3 is formed on the glass plate 2. The dielectric multilayer film 3 is formed by alternately stacking low refractive index layers and high refractive index layers. In this embodiment, the silicon oxide layers 4 and the niobium oxide layers 5 are alternately formed on the glass plate 2, and the tantalum oxide layer 6 is formed on the silicon oxide layer 4 as the outermost layer. The method of forming each layer is not particularly limited, but can be formed by, for example, a sputtering method.

誘電体多層膜３の上に、すなわち酸化タンタル層６の上に、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜７を形成する。酸化ケイ素膜７の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば、スパッタリング法により形成することができる。   A silicon oxide film 7 having a thickness of 30 nm or less is formed on the dielectric multilayer film 3, that is, on the tantalum oxide layer 6. The method for forming the silicon oxide film 7 is not particularly limited, but it can be formed by, for example, a sputtering method.

以上のようにして、膜付ガラス板１０を作製することができる。   As described above, the glass plate with film 10 can be manufactured.

次に、膜付ガラス板１０をアルカリ洗浄する。アルカリ洗浄に用いる洗浄液は、表面の酸化ケイ素膜７を除去することができるものであれば特に限定されない。一般には、水酸化ナトリウム水溶液を主成分とする洗浄液が用いられる。水酸化ナトリウムの濃度は、例えば、１．０〜５．０質量％が好ましく用いられる。また、アルカリ洗浄の際、洗浄液の温度は、４０〜８０℃程度することが好ましい。   Next, the glass plate with film 10 is washed with an alkali. The cleaning liquid used for the alkali cleaning is not particularly limited as long as it can remove the silicon oxide film 7 on the surface. Generally, a cleaning liquid containing an aqueous solution of sodium hydroxide as a main component is used. The concentration of sodium hydroxide is preferably 1.0 to 5.0% by mass, for example. Further, it is preferable that the temperature of the cleaning liquid during the alkaline cleaning is about 40 to 80°C.

アルカリ洗浄で酸化ケイ素膜７の少なくとも表面を除去し、酸化ケイ素膜７の厚みを薄くすることにより、酸化ケイ素膜７に付着した汚れを除去することができる。   By removing at least the surface of the silicon oxide film 7 by alkali cleaning and thinning the thickness of the silicon oxide film 7, it is possible to remove the dirt attached to the silicon oxide film 7.

以上のようにして、図２に示す誘電体多層膜付ガラス板１を製造することができる。本実施形態では、酸化ケイ素膜７を実質的に完全に除去し、酸化ケイ素膜７の下の酸化タンタル層６を露出させている。なお、酸化ケイ素膜７を実質的に完全に除去するとは、酸化ケイ素膜７の厚みが０．５ｎｍ未満となるまで除去することをいう。酸化ケイ素膜７の下の層は、アルカリ洗浄に対し耐性を有するものであることが好ましい。酸化タンタル層６は、優れた耐薬品性を有しており、アルカリ洗浄に対して耐性を有している。そのため、酸化タンタル層６が、アルカリ洗浄による誘電体多層膜３の溶解を抑制することができ、所望の光学特性を発揮させることができる。   As described above, the glass plate with a dielectric multilayer film 1 shown in FIG. 2 can be manufactured. In this embodiment, the silicon oxide film 7 is substantially completely removed, and the tantalum oxide layer 6 under the silicon oxide film 7 is exposed. The phrase “substantially completely removing the silicon oxide film 7” means removing the silicon oxide film 7 until the thickness of the silicon oxide film 7 becomes less than 0.5 nm. The layer under the silicon oxide film 7 is preferably resistant to alkali cleaning. The tantalum oxide layer 6 has excellent chemical resistance and resistance to alkali cleaning. Therefore, the tantalum oxide layer 6 can suppress dissolution of the dielectric multilayer film 3 due to alkali cleaning, and can exhibit desired optical characteristics.

本実施形態では、酸化ケイ素膜７を実質的に完全に除去しているが、必ずしも実質的に完全に除去しなくてもよい。誘電体多層膜３の光学特性に悪影響を与えない厚み、例えば、０．５ｎｍ〜３ｎｍであれば、アルカリ洗浄後において酸化ケイ素膜７が残存していてもよい。   In the present embodiment, the silicon oxide film 7 is substantially completely removed, but it is not always required to be substantially completely removed. The silicon oxide film 7 may remain after the alkali cleaning as long as it has a thickness that does not adversely affect the optical characteristics of the dielectric multilayer film 3, for example, 0.5 nm to 3 nm.

なお、アルカリ洗浄時間は、酸化ケイ素膜７が実質的に除去された時に終了するように調整することが好ましい。アルカリ洗浄時間が過度に長い場合、誘電体多層膜３の最外層の厚みが薄くなる場合がある。アルカリ洗浄により誘電体多層膜３が除去される場合、除去される誘電体多層膜３の厚みは、０ｎｍ超、３ｎｍ以下であることが好ましい。   The alkali cleaning time is preferably adjusted so that it ends when the silicon oxide film 7 is substantially removed. If the alkali cleaning time is excessively long, the outermost layer of the dielectric multilayer film 3 may be thin. When the dielectric multilayer film 3 is removed by alkaline cleaning, the thickness of the dielectric multilayer film 3 to be removed is preferably more than 0 nm and 3 nm or less.

本実施形態では、誘電体多層膜３の最外の高屈折率層にのみ酸化タンタル層６を形成しているが、酸化ニオブ層５の少なくとも一部または全部を酸化タンタル層６に置き換えて誘電体多層膜３を形成してもよい。また、最外の高屈折率層である酸化タンタル層６を酸化ニオブ層５に置き換えて誘電体多層膜３を形成してもよい。また、高屈折率層として、酸化チタン、酸化ランタン、酸化イットリウム、酸化タングステン、酸化ビスマス、酸化ジルコニウムなどから選ばれる少なくとも１種以上の層を用いてもよい。   In the present embodiment, the tantalum oxide layer 6 is formed only on the outermost high refractive index layer of the dielectric multilayer film 3, but at least a part or the whole of the niobium oxide layer 5 is replaced with the tantalum oxide layer 6, and the dielectric layer 6 The body multilayer film 3 may be formed. Alternatively, the outermost tantalum oxide layer 6, which is the high refractive index layer, may be replaced with the niobium oxide layer 5 to form the dielectric multilayer film 3. As the high refractive index layer, at least one layer selected from titanium oxide, lanthanum oxide, yttrium oxide, tungsten oxide, bismuth oxide, zirconium oxide and the like may be used.

本実施形態において、誘電体多層膜３は第１の主面２ａの上に設けられているが、第２の主面２ｂ上にも設けられていてもよい。すなわち、誘電体多層膜３は、第１の主面２ａ及び第２の主面２ｂのうち一方の主面上にのみに設けられていてもよいし、両側の主面上に設けられていてもよい。   In the present embodiment, the dielectric multilayer film 3 is provided on the first main surface 2a, but it may be provided on the second main surface 2b. That is, the dielectric multilayer film 3 may be provided only on one main surface of the first main surface 2a and the second main surface 2b, or may be provided on both main surfaces. Good.

以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明する。本発明は、以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。   Hereinafter, the present invention will be described in more detail based on specific examples. The present invention is not limited to the following examples, and can be appropriately modified and implemented within the scope of the invention.

（実施例１）
図１に示す膜付ガラス板１０を作製した。具体的には、ガラス板２の上に酸化ケイ素層４と酸化ニオブ層５を交互に形成し、最外層として酸化タンタル層６を酸化ケイ素層４の上に形成した。誘電体多層膜３の層数に関しては、酸化ケイ素層４を５層、酸化ニオブ層５を４層、酸化タンタル層６を１層形成した。酸化タンタル層６の上に、酸化ケイ素膜７を形成した。各層は、スパッタリング法より形成した。酸化ケイ素膜７の厚みは、１０ｎｍとした。ガラス板２のサイズは、２８．３ｍｍ×３４．３ｍｍのものを用いた。作製したサンプル数は、１６である。 (Example 1)
The glass plate with film 10 shown in FIG. 1 was produced. Specifically, the silicon oxide layers 4 and the niobium oxide layers 5 were alternately formed on the glass plate 2, and the tantalum oxide layer 6 was formed on the silicon oxide layer 4 as the outermost layer. Regarding the number of layers of the dielectric multilayer film 3, five silicon oxide layers 4, four niobium oxide layers 5 and one tantalum oxide layer 6 were formed. A silicon oxide film 7 was formed on the tantalum oxide layer 6. Each layer was formed by a sputtering method. The thickness of the silicon oxide film 7 was 10 nm. The size of the glass plate 2 used was 28.3 mm×34.3 mm. The number of prepared samples is 16.

作製した膜付ガラス板１０をアルカリ洗浄した。洗浄液としては、３質量％の水酸化ナトリウム水溶液を用い、洗浄液の温度を６０℃とした。酸化ケイ素膜７は、アルカリ洗浄により、実質的に完全に除去した。   The produced glass plate with a film 10 was washed with an alkali. As the cleaning liquid, a 3 mass% sodium hydroxide aqueous solution was used, and the temperature of the cleaning liquid was set to 60°C. The silicon oxide film 7 was substantially completely removed by alkali cleaning.

膜付ガラス板１０をアルカリ洗浄することにより得られた誘電体多層膜付ガラス板１について、汚れの付着を肉眼で観察した。その結果、汚れが付着していたのは、１６個中１個であった。したがって、汚れ付着の発生割合は、１／１６であった。   With respect to the glass plate with a dielectric multilayer film 1 obtained by washing the glass plate with a film 10 with an alkali, the adhesion of dirt was visually observed. As a result, the number of stains attached was 1 out of 16. Therefore, the rate of occurrence of stain adhesion was 1/16.

（比較例１）
酸化ケイ素膜７を形成しない以外は、実施例１と同様にして、膜付ガラス板１０を作製し、アルカリ洗浄した。アルカリ洗浄後の誘電体多層膜付ガラス板１について、汚れの付着を実施例１と同様にして観察した。その結果、汚れが付着していたのは、１６個中１１個であった。したがって、汚れ付着の発生割合は、１１／１６であった。 (Comparative Example 1)
A glass plate with a film 10 was prepared and alkali-cleaned in the same manner as in Example 1 except that the silicon oxide film 7 was not formed. The adhesion of dirt was observed in the same manner as in Example 1 on the glass plate 1 with a dielectric multilayer film after alkali cleaning. As a result, the number of stains adhered was 11 out of 16. Therefore, the rate of occurrence of stain adhesion was 11/16.

本発明によれば、誘電体多層膜の上に、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜を形成することにより、この酸化ケイ素膜をアルカリ洗浄して、容易に汚れを除去することができる。また、この酸化ケイ素膜は、誘電体多層膜の光学特性に影響を与えるものでないので、アルカリ洗浄を行っても、光学特性が低下するのを抑制することができる。   According to the present invention, by forming a silicon oxide film having a thickness of 30 nm or less on the dielectric multilayer film, the silicon oxide film can be washed with an alkali to easily remove stains. Further, since this silicon oxide film does not affect the optical characteristics of the dielectric multilayer film, it is possible to prevent the optical characteristics from being deteriorated even if alkali cleaning is performed.

１…誘電体多層膜付ガラス板
２…ガラス板
２ａ，２ｂ…第１，第２の主面
３…誘電体多層膜
４…酸化ケイ素層
５…酸化ニオブ層
６…酸化タンタル層
７…酸化ケイ素膜
１０…膜付ガラス板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Glass plate with dielectric multilayer film 2... Glass plates 2a, 2b... First and second main surfaces 3... Dielectric multilayer film 4... Silicon oxide layer 5... Niobium oxide layer 6... Tantalum oxide layer 7... Silicon oxide Membrane 10... Glass plate with membrane

Claims (4)

ガラス板の上に誘電体多層膜を形成する工程と、
前記誘電体多層膜の上に、厚み３０ｎｍ以下の酸化ケイ素膜を形成して膜付ガラス板を製造する工程と、
アルカリ洗浄により、前記酸化ケイ素膜の厚みを薄くする工程とを備え、
前記誘電体多層膜の最外層が、酸化タンタルから構成されている、誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。 A step of forming a dielectric multilayer film on a glass plate,
A step of forming a silicon oxide film having a thickness of 30 nm or less on the dielectric multilayer film to manufacture a glass plate with a film;
A step of reducing the thickness of the silicon oxide film by alkali cleaning ,
The outermost layer of the dielectric multilayer film, that consists of tantalum oxide, method for producing a dielectric multi-layer film with the glass plate. 膜付ガラス板を製造する工程において、厚みが、１ｎｍ以上となるように前記酸化ケイ素膜を形成する、請求項１に記載の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。   The method for producing a glass plate with a dielectric multilayer film according to claim 1, wherein in the step of producing the glass plate with a film, the silicon oxide film is formed so as to have a thickness of 1 nm or more. 前記アルカリ洗浄により、前記酸化ケイ素膜を実質的に完全に除去する、請求項１または２に記載の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。   The method for producing a glass plate with a dielectric multilayer film according to claim 1, wherein the silicon oxide film is substantially completely removed by the alkali cleaning. 前記ガラス板の両方の主面上に前記誘電体多層膜及び前記酸化ケイ素膜がそれぞれ形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の誘電体多層膜付ガラス板の製造方法。 Wherein on both major surfaces of the glass plate dielectric multilayer film and the silicon oxide film are formed, a manufacturing method of a dielectric multilayer film coated glass plate according to any one of claims 1 to 3 .
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