JP6701688B2

JP6701688B2 - Inspection system

Info

Publication number: JP6701688B2
Application number: JP2015229897A
Authority: JP
Inventors: 田中　満弘; 満弘田中
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 2015-03-16
Filing date: 2015-11-25
Publication date: 2020-05-27
Anticipated expiration: 2035-11-25
Also published as: JP2016173553A

Description

本発明は、検査システムに関する。 The present invention relates to inspection systems.

ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）ミラー製品（素子）は、複数の異なる特性をそれぞれ検査して良否判定を行う必要がある。従来、２軸ＭＥＭＳミラー製品を検査するためには、複数の異なる特性をそれぞれ検査するために、複数の検査装置が用いられている。例えば、特許文献１には、ＭＥＭＳミラー素子の共振周波数及び最大光学振り角の測定方法が開示されている。 2. Description of the Related Art A MEMS (Micro Electro Mechanical System) mirror product (element) needs to inspect a plurality of different characteristics to make a pass/fail judgment. Conventionally, in order to inspect a biaxial MEMS mirror product, a plurality of inspection devices are used to inspect a plurality of different characteristics, respectively. For example, Patent Document 1 discloses a method of measuring the resonance frequency and the maximum optical swing angle of a MEMS mirror element.

しかしながら、従来の測定方法では、２軸ＭＥＭＳミラー製品における複数の異なる特性をそれぞれ異なる計測器によって検査しなければならなかった。よって、被検査対象の移動（ユーザによる搬送）、接続、及び検査の設定等を計測器毎に行う必要があり、非効率的であるという問題があった。 However, in the conventional measurement method, it is necessary to inspect a plurality of different characteristics of the biaxial MEMS mirror product by using different measuring instruments. Therefore, there is a problem that it is inefficient because it is necessary to perform the movement (transportation by the user) of the object to be inspected, the connection, the setting of the inspection and the like for each measuring instrument.

本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することが可能な検査システムを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above, and an object thereof is to provide an inspection system capable of efficiently inspecting a biaxial MEMS mirror.

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、互いに直交する第１軸方向及び第２軸方向に光を反射する２軸ＭＥＭＳミラーの検査システムであって、被検査対象となる前記２軸ＭＥＭＳミラーに対してレーザ光を照射する第１照射部と、前記第１軸方向の反射範囲に応じた長さのセンサ面を有し、当該センサ面の長さ方向が前記第１軸方向に沿って配置され、前記第１軸方向及び前記第２軸方向に直交する第３軸方向に設置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向のレーザ光を少なくとも受光して信号を出力する第１センサと、予め定められた間隔で離されて設置された２つの受光素子、及びウォブルセンサの少なくとも何れかであり、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記第１センサと重ならない位置に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第２軸方向のレーザ光を受光して信号を出力する第２センサと、前記２軸ＭＥＭＳミラーが設置される検査ステージと、前記検査ステージの配置位置を変更する変更部と、前記２軸ＭＥＭＳミラーが反射させた前記第１軸方向及び前記第２軸方向のレーザ光を受光し、その受光位置を検出する位置調整用センサと、前記検査ステージに設置された前記２軸ＭＥＭＳミラーに対し、前記第１照射部と同じ照射角度でレーザ光を照射する位置調整用照射部と、前記位置調整用照射部から照射され前記２軸ＭＥＭＳミラーで反射されたレーザ光の、前記位置調整用センサの検出結果に基づき前記変更部を制御することで、前記第１センサに対する前記２軸ＭＥＭＳミラーの配置位置を調整する調整部と、を有し、前記第１センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、当該２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時に前記位置調整用センサが配置されていた位置に配置され、前記位置調整用センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーの位置調整時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間に配置され、前記２軸ＭＥＭＳミラーの検査時において、前記検査ステージと前記第１センサとの間から離脱され、前記第１センサ及び前記第２センサは、前記２軸ＭＥＭＳミラーから見て前記位置調整用センサと重ならない位置に配置される。 In order to solve the above-mentioned problems and achieve the object, the present invention is an inspection system for a biaxial MEMS mirror that reflects light in a first axis direction and a second axis direction that are orthogonal to each other, and And a sensor surface having a length corresponding to a reflection range in the first axis direction, and the length direction of the sensor surface is the first direction. At least the laser beam in the first axis direction, which is arranged along the one axis direction, is installed in the third axis direction orthogonal to the first axis direction and the second axis direction, and is reflected by the biaxial MEMS mirror. At least one of a first sensor that receives light and outputs a signal, two light-receiving elements that are installed at a predetermined interval, and a wobble sensor, and the first sensor when viewed from the biaxial MEMS mirror. A second sensor which is arranged at a position not overlapping the sensor and which receives the laser beam in the second axis direction reflected by the biaxial MEMS mirror and outputs a signal, and an inspection stage in which the biaxial MEMS mirror is installed. And a changing unit for changing the arrangement position of the inspection stage, and a position adjustment for receiving the laser light in the first axis direction and the second axis direction reflected by the biaxial MEMS mirror and detecting the light receiving position. For irradiating the position sensor and the biaxial MEMS mirror installed on the inspection stage with laser light at the same irradiation angle as the first irradiation unit, and the position adjustment irradiation unit. An adjusting unit that adjusts an arrangement position of the biaxial MEMS mirror with respect to the first sensor by controlling the changing unit based on a detection result of the position adjusting sensor of the laser light reflected by the biaxial MEMS mirror. And the first sensor is arranged at a position where the position adjusting sensor was arranged at the time of adjusting the position of the biaxial MEMS mirror at the time of inspecting the biaxial MEMS mirror . The sensor is arranged between the inspection stage and the first sensor when adjusting the position of the biaxial MEMS mirror, and between the inspection stage and the first sensor when inspecting the biaxial MEMS mirror. The first sensor and the second sensor are separated from each other, and are arranged at positions that do not overlap with the position adjustment sensor when viewed from the biaxial MEMS mirror.

本発明によれば、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することができるという効果を奏する。 According to the present invention, it is possible to efficiently inspect a biaxial MEMS mirror.

図１は、従来の２軸ＭＥＭＳミラー製品の検査環境を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an inspection environment of a conventional biaxial MEMS mirror product. 図２は、第１実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system according to the first embodiment. 図３は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、センサとの位置関係を模式的に示す図である。FIG. 3 is a diagram schematically showing the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage and the sensor. 図４は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、センサとの位置関係を模式的に示す図である。FIG. 4 is a diagram schematically showing the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage and the sensor. 図５は、第１実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flowchart showing an operation example of the inspection system according to the first embodiment. 図６は、第２実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system according to the second embodiment. 図７は、ＰＭの移動位置を模式的に示す図である。FIG. 7 is a diagram schematically showing the movement position of PM. 図８は、第２実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。FIG. 8 is a flowchart showing an operation example of the inspection system according to the second embodiment. 図９は、第３実施形態に係る検査システムの構成の概要を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system according to the third embodiment. 図１０は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤとの位置関係を説明するための図である。FIG. 10 is a diagram for explaining the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage and the second PSD. 図１１は、検査ステージに設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤとの位置関係を説明するための図である。FIG. 11 is a diagram for explaining the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage and the second PSD. 図１２は、検査ステージを３軸周りに回転させた（傾けた）状態を模式的に示す図である。FIG. 12 is a diagram schematically showing a state in which the inspection stage is rotated (tilted) about three axes. 図１３は、第３実施形態に係る検査システムの動作例を示すフローチャートである。FIG. 13 is a flowchart showing an operation example of the inspection system according to the third embodiment. 図１４は、図１３に示した位置調整処理の動作例を示すフローチャートである。FIG. 14 is a flowchart showing an operation example of the position adjustment processing shown in FIG.

（背景）
まず、本発明がなされるに至った背景について説明する。図１は、従来の２軸ＭＥＭＳミラー製品の検査環境を示す図である。図１（ａ）に示すように、２軸ＭＥＭＳミラー製品（以下、単にＭＥＭＳと記す）は、例えばＬＣＲメータ１を用いて、ＰＺＴ特性が計測されていた。 (background)
First, the background that led to the present invention will be described. FIG. 1 is a diagram showing an inspection environment of a conventional biaxial MEMS mirror product. As shown in FIG. 1A, the PZT characteristic of the biaxial MEMS mirror product (hereinafter, simply referred to as “MEMS”) was measured using, for example, the LCR meter 1.

次に、ＭＥＭＳは、図１（ｂ）に示したＸ軸専用装置２へユーザによって移動され、接続及び設定がなされた後に、Ｘ軸の反射光の振れ角度が測定されていた。さらに、ＭＥＭＳは、図１（ｃ）に示したＹ軸専用装置３へユーザによって移動され、接続及び設定がなされた後に、Ｙ軸の反射光の振れ角度等が測定されていた。 Next, the MEMS was moved to the X-axis dedicated device 2 shown in FIG. 1B by the user, and after being connected and set, the deflection angle of the reflected light on the X-axis was measured. Further, the MEMS has been moved to the Y-axis dedicated device 3 shown in FIG. 1C by the user, and after being connected and set, the deflection angle of the reflected light on the Y-axis and the like have been measured.

このように、従来は、ＭＥＭＳの複数の特定を検査（計測）するために、専用計測器等を測定項目に応じて接続し測定する必要があり、測定のスループットをあげることが困難であった。なお、ＰＺＴ特定が計測される前に、パワーメータを用いてＭＥＭＳの反射率を測定する場合もある。 As described above, conventionally, in order to inspect (measure) a plurality of specifications of the MEMS, it is necessary to connect and measure a dedicated measuring instrument or the like according to the measurement item, which makes it difficult to increase the measurement throughput. .. Note that the reflectance of the MEMS may be measured using a power meter before the PZT identification is measured.

（第１実施形態）
次に、第１実施形態に係る検査システム１０について説明する。図２は、第１実施形態に係る検査システム１０の構成の概要を示す図である。図２に示すように、検査システム１０は、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６及び検査ステージ３４を有する。また、検査システム１０は、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４及びＰＳＤ（Position Sensitive Detector）４６を有し、これらのセンサを制御するセンサ制御部４８を備える。また、検査システム１０には、電源のオンオフを切り替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受け入れるスタートボタン等も設けられる。 (First embodiment)
Next, the inspection system 10 according to the first embodiment will be described. FIG. 2 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system 10 according to the first embodiment. As shown in FIG. 2, the inspection system 10 includes an input unit 12, a CPU board 14, a control program 16, a laser diode (LD) control unit 20, a laser irradiation unit 22, an LCR meter 24, a waveform generation unit 26, and an inspection stage 34. Have. The inspection system 10 also includes a first photodetector (PD) 40, a second photodetector (PD) 42, a wobble sensor 44, and a PSD (Position Sensitive Detector) 46 as sensors, and a sensor control unit 48 that controls these sensors. Equipped with. The inspection system 10 is also provided with a power button for switching the power on and off, a start button for receiving an operation start instruction, and the like.

入力部１２は、キーボード及びモニタ、又はタッチパネル等を備え、ユーザの操作入力を受け入れる。また、入力部１２は、ＰＣ（Personal Computer）等であってもよい。ＣＰＵボード１４は、ＣＰＵ、メモリ及びペリフェラル等を有し、検査システム１０を構成する各部を制御する。制御プログラム１６は、ＣＰＵボード１４が有するＣＰＵによって実行され、検査システム１０を構成する各部を制御する処理を行う。 The input unit 12 includes a keyboard and a monitor, a touch panel, or the like, and receives a user's operation input. The input unit 12 may be a PC (Personal Computer) or the like. The CPU board 14 has a CPU, a memory, a peripheral, and the like, and controls each unit that constitutes the inspection system 10. The control program 16 is executed by the CPU included in the CPU board 14 and performs a process of controlling each unit included in the inspection system 10.

ＬＤ制御部２０は、ＣＰＵボード１４の制御に応じてレーザ照射部２２を制御する。レーザ照射部２２は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳに対し、ＬＤ制御部２０の制御に応じてレーザ光を照射する。ＬＣＲメータ２４は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのＰＺＴ特性として、ピン間のリーク値、容量、インダクタンス等を計測する。波形発生部２６は、予め定められた任意の波形（所定のデューティ比、駆動周波数及び電圧の駆動信号）を発生させ、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳに対して出力する。検査ステージ３４には、被検査対象となるＭＥＭＳが着脱自在に設置される。 The LD control unit 20 controls the laser irradiation unit 22 according to the control of the CPU board 14. The laser irradiation unit 22 irradiates the MEMS installed on the inspection stage 34 with laser light under the control of the LD control unit 20. The LCR meter 24 measures the leak value between pins, the capacitance, the inductance, etc. as the PZT characteristics of the MEMS installed on the inspection stage 34. The waveform generator 26 generates a predetermined arbitrary waveform (a drive signal having a predetermined duty ratio, drive frequency, and voltage) and outputs it to the MEMS installed on the inspection stage 34. A MEMS to be inspected is detachably installed on the inspection stage 34.

第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、予め定められた間隔で離されて検査ステージ３４の上方に配置された受光素子であり、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させたレーザ光をそれぞれ異なる位置で検出する。つまり、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。 The first PD 40 and the second PD 42 are light receiving elements which are arranged above the inspection stage 34 with a predetermined distance therebetween, and detect the laser light reflected by the MEMS installed on the inspection stage 34 at different positions. To do. That is, the first PD 40 and the second PD 42 are sensors that receive the laser light reflected by the inspection target and output a signal.

ウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４の上方に配置されている。ウォブルセンサ４４は、例えばパルス幅の時間変化が可能な三角スリットタイプのものであり、検査ステージ３４が上方に移動すると出力信号（ウォブル信号）のパルス幅が長くなり、検査ステージ３４が下方に移動すると出力信号のパルス幅時間が短くなるようにされている。つまり、ウォブルセンサ４４も、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。 The wobble sensor 44 is arranged above the inspection stage 34. The wobble sensor 44 is, for example, a triangular slit type whose pulse width can be changed with time. When the inspection stage 34 moves upward, the pulse width of the output signal (wobble signal) becomes long, and the inspection stage 34 moves downward. Then, the pulse width time of the output signal is shortened. That is, the wobble sensor 44 is also a sensor that receives the laser light reflected by the inspection target and outputs a signal.

第１ＰＳＤ４６は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させるレーザ光（スポット）の光量の「重心」の位置を検出することができる光位置センサである。つまり、第１ＰＳＤ４６も、被検査対象が反射させたレーザ光を受光して信号を出力するセンサである。 The first PSD 46 is an optical position sensor that can detect the position of the “center of gravity” of the light amount of the laser light (spot) reflected by the MEMS installed on the inspection stage 34. That is, the first PSD 46 is also a sensor that receives the laser light reflected by the inspection target and outputs a signal.

センサ制御部４８は、複数チャンネルの時間測定器であり、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４が出力する信号の時間を測定するＴＩＡ（Time Interval Analyzer）ボードとしての機能も備える。 The sensor control unit 48 is a multi-channel time measuring device, and also has a function as a TIA (Time Interval Analyzer) board that measures the time of the signals output by the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44.

次に、図３、図４を参照して、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２、ウォブルセンサ４４及び第１ＰＳＤ４６との位置関係について詳述する。 Next, with reference to FIG. 3 and FIG. 4, the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage 34 and the first PD 40, the second PD 42, the wobble sensor 44, and the first PSD 46 will be described in detail.

図３、図４は、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２、ウォブルセンサ４４及び第１ＰＳＤ４６との位置関係を模式的に示す図である。図３、図４では、ＭＥＭＳにより反射されるレーザ光（反射光）を基準に各部の位置関係を示している。具体的に、図３は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面図である。また、図４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から反射光の光軸方向を見た側面図である。 3 and 4 are diagrams schematically showing the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage 34 and the first PD 40, the second PD 42, the wobble sensor 44, and the first PSD 46. In FIGS. 3 and 4, the positional relationship of each part is shown with reference to the laser light (reflected light) reflected by the MEMS. Specifically, FIG. 3 is a plan view in which the optical axis direction of the reflected light by the MEMS is viewed from above. FIG. 4 is a side view of the inspection stage 34 (MEMS) as viewed in the optical axis direction of the reflected light.

被検査対象のＭＥＭＳは、検査ステージ３４に設置される。本実施形態で想定する良品のＭＥＭＳは、レーザ照射部２２から照射されるレーザ光を、互いに直交する２軸方向に反射させる。図３、図４では、良品のＭＥＭＳで反射される反射光を、互いに直交するＸ軸方向とＹ軸方向との２方向で表した例を示している。また、良品のＭＥＭＳでは、Ｘ軸及びＹ軸の両軸方向に直交するＺ軸方向ら見て、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射光が十字となるよう反射範囲（振れ角）が規定されているものとする。つまり、図３、図４でのＺ軸は、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射範囲の中心となる光軸方向に対応する。 The MEMS to be inspected is installed on the inspection stage 34. The non-defective MEMS assumed in the present embodiment reflects the laser light emitted from the laser irradiation unit 22 in the biaxial directions orthogonal to each other. FIG. 3 and FIG. 4 show an example in which the reflected light reflected by the non-defective MEMS is expressed in two directions, the X-axis direction and the Y-axis direction, which are orthogonal to each other. Further, in a good-quality MEMS, the reflection range (deflection angle) is defined so that the reflected light in the X-axis direction and the reflected light in the Y-axis direction becomes a cross when viewed from the Z-axis direction orthogonal to both the X-axis and Y-axis directions. It is assumed that That is, the Z axis in FIGS. 3 and 4 corresponds to the optical axis direction that is the center of the reflection range in the X axis direction and the Y axis direction.

第１ＰＳＤ４６は、検査ステージ３４の略正面に配置される。より具体的には、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸（Ｚ軸）上に配置される。第１ＰＳＤ４６は、例えば、Ｘ軸方向とＹ軸方向との反射光のクロスポイントの位置を検出する。また、本実施形態では、第１ＰＳＤ４６は、Ｙ軸方向の反射範囲に応じた長さのセンサ面を有し、当該センサ面の長さ方向（長手方向）がＹ軸方向に沿って配置される。これにより、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳにより反射されたＹ軸方向の反射光の反射範囲（振れ角）を検出する。 The first PSD 46 is arranged substantially in front of the inspection stage 34. More specifically, the first PSD 46 is arranged on the optical axis (Z axis) of the reflected light by the MEMS. The first PSD 46 detects the position of the cross point of the reflected light in the X-axis direction and the Y-axis direction, for example. Further, in the present embodiment, the first PSD 46 has a sensor surface having a length corresponding to the reflection range in the Y-axis direction, and the length direction (longitudinal direction) of the sensor surface is arranged along the Y-axis direction. .. As a result, the first PSD 46 detects the reflection range (deflection angle) of the reflected light in the Y-axis direction reflected by the MEMS.

第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、ＭＥＭＳで反射されたＸ軸方向の反射光を受光可能な位置、つまりＸ軸方向に沿って配置される。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に配置される。より詳細には、ＭＥＭＳにおいてレーザ光が反射される反射点（反射面）Ｏと、ＭＥＭＳに対向する第１ＰＳＤ４６の各辺とを結ぶことで形成される領域Ｈの外部に、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４が配置される。なお、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２は、例えばウォブルセンサ４４を挟んで、予め定められた離間間隔で配置される。 The first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged at a position where the reflected light in the X-axis direction reflected by the MEMS can be received, that is, along the X-axis direction. The first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged at positions that do not overlap the first PSD 46 when viewed from the inspection stage 34 (MEMS). More specifically, the first PD 40 and the second PD 42 are provided outside the region H formed by connecting the reflection point (reflection surface) O where the laser light is reflected in the MEMS and each side of the first PSD 46 facing the MEMS. And a wobble sensor 44 is arranged. The first PD 40 and the second PD 42 are arranged at predetermined intervals with the wobble sensor 44 interposed therebetween, for example.

上記の構成において、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査する場合、第１ＰＳＤ４６は、ＭＥＭＳによるＹ軸方向の反射光からＹ軸方向の反射範囲（振り角）、及びリニアリティ等の測定を行う。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、ＭＥＭＳによるＸ軸方向の反射光からＸ軸方向の反射範囲（振り角）、及びウォブル信号等の測定を行う。したがって、本実施形態の検査システム１０では、ＭＥＭＳを移動（ユーザによる着脱、搬送）させることなく、ＭＥＭＳの反射範囲やリニアリティ等を検出（検査）することができる。 In the above configuration, when inspecting the MEMS installed on the inspection stage 34, the first PSD 46 measures the reflected range (swing angle) in the Y-axis direction from the reflected light in the Y-axis direction by the MEMS, the linearity, and the like. The first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 measure a reflection range (swing angle) in the X axis direction from the reflected light in the X axis direction by the MEMS, a wobble signal, and the like. Therefore, in the inspection system 10 of the present embodiment, it is possible to detect (inspect) the reflection range, linearity, etc. of the MEMS without moving the MEMS (detachment/transportation by the user).

なお、検査ステージ３４と各センサとの間の距離や各センサ間の距離は、特に問わず、ＭＥＭＳの反射範囲等の検査条件に応じて適宜設定可能であるとする。また、図３では、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４を、Ｘ軸方向に沿って直線状に配置する構成としたが、これに限らず、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）を中心とする円弧状に配置する構成としてもよい（例えば、図７（ａ）参照）。 The distance between the inspection stage 34 and each sensor and the distance between each sensor are not particularly limited, and can be appropriately set according to inspection conditions such as the reflection range of the MEMS. Further, in FIG. 3, the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged linearly along the X-axis direction, but the present invention is not limited to this, and the arc shape is centered on the inspection stage 34 (MEMS). It may be configured to be disposed in (see, for example, FIG.

次に、検査システム１０の動作例について説明する。図５は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査システム１０が検査する動作例を示すフローチャートである。 Next, an operation example of the inspection system 10 will be described. FIG. 5 is a flowchart showing an operation example in which the inspection system 10 inspects the MEMS installed on the inspection stage 34.

図５に示すように、ステップ１００（Ｓ１００）において、入力部１２は、ユーザによる測定条件の入力を受入れる。例えば、入力部１２は、ＭＥＭＳに対する良否判定基準（テストスペック）を受入れる。 As shown in FIG. 5, in step 100 (S100), the input unit 12 receives an input of measurement conditions by the user. For example, the input unit 12 receives a pass/fail judgment standard (test specification) for the MEMS.

ステップ１０２（Ｓ１０２）において、検査システム１０は、ユーザによる初期設定、各パーツの電源オン等の操作を受入れる。 In step 102 (S102), the inspection system 10 accepts operations such as initial setting and power-on of each part by the user.

ステップ１０４（Ｓ１０４）において、検査システム１０は、ユーザによるスタートボタンの押下を受入れる。 In step 104 (S104), the inspection system 10 receives the pressing of the start button by the user.

ステップ１０６（Ｓ１０６）において、検査システム１０は、ＬＣＲメータ２４を用いてＭＥＭＳのＰＺＴ特性（ピン間のリーク電流値、容量、インダクタンス等）を測定し、良否判定を行う。検査システム１０は、良否判定の結果がよくない場合（良否判定で否となった場合）にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップ（Ｓ１０８）に進む。以下同様に、検査システム１０は、良否判定の結果がよくない場合にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップに進むものとする。 In step 106 (S106), the inspection system 10 uses the LCR meter 24 to measure the PZT characteristics of the MEMS (leakage current value between pins, capacitance, inductance, etc.), and makes a pass/fail judgment. The inspection system 10 proceeds to the processing of step 120 (S120) when the result of the quality determination is not good (when the quality determination is no), and when the result of the quality determination is good, the next step (S108). Proceed to. Similarly, the inspection system 10 proceeds to step 120 (S120) if the result of the quality determination is not good, and proceeds to the next step if the result of the quality determination is good.

ステップ１０８（Ｓ１０８）において、検査システム１０は、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２を用いて、例えばＸ軸方向のレーザ光の振れ角を測定し、良否判定を行う。 In step 108 (S108), the inspection system 10 uses the first PD 40 and the second PD 42 to measure the deflection angle of the laser light in the X-axis direction, for example, and determines the quality.

ステップ１１０（Ｓ１１０）において、検査システム１０は、第１ＰＤ４０及び第２ＰＤ４２を用いて、例えばＸ軸方向のジッタを測定し、良否判定を行う。 In step 110 (S110), the inspection system 10 uses the first PD 40 and the second PD 42 to measure the jitter in the X-axis direction, for example, and makes a pass/fail judgment.

ステップ１１２（Ｓ１１２）において、検査システム１０は、ウォブルセンサ４４を用いてＸ軸方向のウォブル信号を検出するウォブル測定を行い、良否判定を行う。 In step 112 (S112), the inspection system 10 uses the wobble sensor 44 to perform wobble measurement for detecting a wobble signal in the X-axis direction, and makes a pass/fail determination.

続くステップ１１４（Ｓ１１４）において、検査システム１０は、第１ＰＳＤ４６を用いて、例えばＹ軸方向のレーザ光の振れ角を測定し、良否判定を行う。 In the following step 114 (S114), the inspection system 10 uses the first PSD 46 to measure the deflection angle of the laser light in the Y-axis direction, for example, and makes a pass/fail determination.

ステップ１１６（Ｓ１１６）において、検査システム１０は、第１ＰＳＤ４６を用いてＭＥＭＳのリニアリティを測定し、良否判定を行う。 In step 116 (S116), the inspection system 10 uses the first PSD 46 to measure the linearity of the MEMS and makes a pass/fail determination.

ステップ１１８（Ｓ１１８）において、検査システム１０は、表示部（又は入力部１２等）によって、ＭＥＭＳが良品であった旨を表示させる（良品表示）。 In step 118 (S118), the inspection system 10 causes the display unit (or the input unit 12 or the like) to display that the MEMS is a good product (good product display).

ステップ１２０（Ｓ１２０）において、検査システム１０は、表示部（又は入力部１２等）によって、ＭＥＭＳが良品でなかった旨を表示させる（不良品表示）。 In step 120 (S120), the inspection system 10 causes the display unit (or the input unit 12 or the like) to display that the MEMS is not a non-defective product (defective product display).

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る検査システム１０ａについて説明する。図６は、第２実施形態に係る検査システム１０ａの構成の概要を示す図である。図６に示すように、検査システム１０ａは、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６、検査ステージ３４、第３ステージ３７及び第３モータ制御部３８を有する。 (Second embodiment)
Next, the inspection system 10a according to the second embodiment will be described. FIG. 6 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system 10a according to the second embodiment. As shown in FIG. 6, the inspection system 10 a includes an input unit 12, a CPU board 14, a control program 16, a laser diode (LD) control unit 20, a laser irradiation unit 22, an LCR meter 24, a waveform generation unit 26, and an inspection stage 34. , A third stage 37 and a third motor controller 38.

また、検査システム１０ａは、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４、第１ＰＳＤ４６及びＰＭ（パワーメータ：センサ）４９を有し、これらのセンサを制御するセンサ制御部４８を備える。また、検査システム１０ａには、電源のオンオフを切替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受入れるスタートボタン等も設けられる。なお、図６に示した検査システム１０ａの構成部分のうち、検査システム１０（図２）に示した構成部分と実質的に同じものには、同一の符号を付している。 Further, the inspection system 10a includes a first photodetector (PD) 40, a second photodetector (PD) 42, a wobble sensor 44, a first PSD 46 and a PM (power meter: sensor) 49 as sensors, and controls these sensors. The sensor control unit 48 is provided. The inspection system 10a is also provided with a power button for switching the power on and off, a start button for receiving an operation start instruction, and the like. Note that, of the components of the inspection system 10a shown in FIG. 6, those substantially the same as the components of the inspection system 10 (FIG. 2) are designated by the same reference numerals.

第３ステージ３７は、第３モータ制御部３８によって駆動されることにより、ＰＭ４９を移動させる。第３モータ制御部３８は、レーザ照射部２２に対向する位置、及び検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させたレーザ光を受光する位置へ、ＰＭ４９を順次移動させる。 The third stage 37 moves the PM 49 by being driven by the third motor control unit 38. The third motor control unit 38 sequentially moves the PM 49 to a position facing the laser irradiation unit 22 and a position for receiving the laser light reflected by the MEMS installed on the inspection stage 34.

ＰＭ４９は、例えばサイズが３０ｍｍ×１８ｍｍとなっており、ＭＥＭＳのミラー特性を測定する。具体的には、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワー測定を行う。次に、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳが反射させたレーザ光のパワー測定を行う。そして、ＰＭ４９は、例えば測定した２つのレーザ光のパワーを用いてＭＥＭＳの反射率を測定する。 The PM 49 has a size of 30 mm×18 mm, for example, and measures the mirror characteristics of the MEMS. Specifically, the PM 49 measures the power of the laser light emitted by the laser irradiation unit 22. Next, the PM 49 measures the power of the laser light reflected by the MEMS. Then, the PM 49 measures the reflectance of the MEMS using, for example, the measured powers of the two laser lights.

図７は、ＰＭ４９の移動位置を模式的に示す図である。ここで、図７（ａ）は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面視点におけるＰＭ４９の位置を示している。また、図７（ｂ）は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を横から見た側面視点におけるＰＭ４９の位置を示している。なお、レーザ照射部２２の位置やレーザ光の入射角度、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）の角度等は、図７の例に限定されないものとする。 FIG. 7 is a diagram schematically showing the movement position of the PM 49. Here, FIG. 7A shows the position of the PM 49 in a plan view when the optical axis direction of the reflected light by the MEMS is viewed from above. Further, FIG. 7B shows the position of the PM 49 in the side view when the optical axis direction of the reflected light by the MEMS is viewed from the side. The position of the laser irradiation unit 22, the incident angle of the laser light, the angle of the inspection stage 34 (MEMS), and the like are not limited to the example of FIG. 7.

まず、ＰＭ４９は、測定待機状態において、図７に示したＡの位置に配置される。次に、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２に対して対向するように、図７に示したＢの位置へ移動され、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワー測定を行う。そして、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳ（検査ステージ３４）と第１ＰＳＤ４６との間に移動され、ＭＥＭＳが反射させたレーザ光を受光して、ＭＥＭＳの反射率を測定する。 First, the PM 49 is arranged at the position A shown in FIG. 7 in the measurement standby state. Next, the PM 49 is moved to the position B shown in FIG. 7 so as to face the laser irradiation unit 22, and the power of the laser light emitted by the laser irradiation unit 22 is measured. Then, the PM 49 is moved between the MEMS (inspection stage 34) and the first PSD 46, receives the laser light reflected by the MEMS, and measures the reflectance of the MEMS.

図８は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを検査システム１０ａが検査する動作例を示すフローチャートである。なお、図８に示した検査システム１０ａの動作例の処理のうち、図５に示した検査システム１０の動作例の処理と実質的に同じものには、同一の符号を付している。また、本動作の前提として、第３ステージ３７（ＰＭ４９）は待機位置（図７のＡの位置）にあるものとする。 FIG. 8 is a flowchart showing an operation example in which the inspection system 10a inspects the MEMS installed on the inspection stage 34. Note that among the processes of the operation example of the inspection system 10a illustrated in FIG. 8, those substantially the same as the processes of the operation example of the inspection system 10 illustrated in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals. Further, as a premise of this operation, it is assumed that the third stage 37 (PM49) is at the standby position (position A in FIG. 7).

ステップ２００（Ｓ２００）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を、レーザ照射部２２に対向する位置（図７のＢの位置）に移動させる。 In step 200 (S200), the inspection system 10a moves the PM 49 installed on the third stage 37 to a position facing the laser irradiation unit 22 (position B in FIG. 7).

ステップ２０２（Ｓ２０２）において、ＰＭ４９は、レーザ照射部２２が照射するレーザ光のパワーを測定し、良否判定を行う。検査システム１０ａは、良否判定の結果がよくない場合（良否判定で否となった場合）にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップ（Ｓ２０４）に進む。以下同様に、検査システム１０ａは、良否判定の結果がよくない場合にはステップ１２０（Ｓ１２０）の処理に進み、良否判定の結果がよい場合には次のステップに進むものとする。 In step 202 (S202), the PM 49 measures the power of the laser beam emitted by the laser irradiating section 22 and determines whether the laser beam is good or bad. The inspection system 10a proceeds to the process of step 120 (S120) when the result of the quality determination is not good (when the quality determination is no), and proceeds to the next step (S204) when the result of the quality determination is good. Proceed to. Similarly, the inspection system 10a proceeds to step 120 (S120) when the result of the quality determination is not good, and proceeds to the next step when the result of the quality determination is good.

ステップ２０４（Ｓ２０４）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を、ＭＥＭＳ（検査ステージ３４）と第１ＰＳＤ４６との間（図７のＣの位置）に移動させる。 In step 204 (S204), the inspection system 10a moves the PM 49 installed on the third stage 37 between the MEMS (inspection stage 34) and the first PSD 46 (position C in FIG. 7).

ステップ２０６（Ｓ２０６）において、ＰＭ４９は、ＭＥＭＳが反射させた反射光（レーザ光）のパワーを測定し、レーザ照射部２２が照射したレーザ光のパワーと対比させて、ＭＥＭＳの反射率を測定し、良否判定を行う。 In step 206 (S206), the PM 49 measures the power of the reflected light (laser light) reflected by the MEMS and compares it with the power of the laser light emitted by the laser irradiation unit 22 to measure the reflectance of the MEMS. , Pass/fail judgment.

ステップ２０８（Ｓ２０８）において、検査システム１０ａは、第３ステージ３７に設置されたＰＭ４９を待機位置（図７のＡの位置）に戻す。 In step 208 (S208), the inspection system 10a returns the PM 49 installed on the third stage 37 to the standby position (position A in FIG. 7).

以上のように、検査システム１０及び検査システム１０ａによれば、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向（Ｚ軸方向）に配置された第１ＰＳＤ４６により、Ｙ軸方向の反射範囲（振り角）、及びリニアリティ等の測定を行う。また、ＭＥＭＳから見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置にＸ軸方向に沿って配置された、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４により、Ｘ軸方向の反射範囲（振り角）、及びウォブル信号等の測定を行う。 As described above, according to the inspection system 10 and the inspection system 10a, the first PSD 46 arranged in the optical axis direction (Z axis direction) of the reflected light by the MEMS allows the reflection range (swing angle) in the Y axis direction and the linearity. Etc. are measured. Further, as viewed from the MEMS, the reflection range (swing angle) in the X-axis direction, the wobble signal, etc. are determined by the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44, which are arranged along the X-axis direction at positions not overlapping the first PSD 46. Measure.

これにより、本実施形態の検査システム１０では、ＭＥＭＳを移動（ユーザによる着脱、搬送）させることなく、ＭＥＭＳの反射範囲やリニアリティ等を検出（検査）することができる。したがって、２軸ＭＥＭＳミラーを効率的に検査することが可能となり、検査効率（スループット）の向上を図ることができる。また、ＭＥＭＳを回転させるような機構（モータやモータ制御部等）を必要とせず、Ｘ軸方向及びＹ軸方向の反射光を検査することができるため、検査システムの装置費用を低減することができる。 As a result, in the inspection system 10 of the present embodiment, it is possible to detect (inspect) the reflection range, linearity, etc. of the MEMS without moving (attaching/detaching or carrying by the user) the MEMS. Therefore, the biaxial MEMS mirror can be efficiently inspected, and the inspection efficiency (throughput) can be improved. Further, since it is possible to inspect the reflected light in the X-axis direction and the Y-axis direction without requiring a mechanism (motor, motor control unit, etc.) for rotating the MEMS, it is possible to reduce the device cost of the inspection system. it can.

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る検査システム１０ｂについて説明する。上記した検査システム１０、１０ａでＭＥＭＳの検査を行う場合、ユーザは被検査対象のＭＥＭＳを検査ステージ３４に設置することになる。このとき、検査精度を確保するため、検査に適した位置にＭＥＭＳを位置付ける調整作業が必要となる。しかしながら、人手による方法では、位置の調整に時間を要し、精度にバラツキがある等の問題があった。 (Third Embodiment)
Next, the inspection system 10b according to the third embodiment will be described. When the inspection of the MEMS is performed by the inspection system 10 or 10 a described above, the user installs the inspection target MEMS on the inspection stage 34. At this time, in order to secure the inspection accuracy, it is necessary to perform an adjustment work to position the MEMS at a position suitable for the inspection. However, the manual method has a problem in that it takes time to adjust the position and the accuracy varies.

そこで、第３実施形態では、ＭＥＭＳの設置位置を自動で調整することが可能な構成について説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態で説明した構成部分と実質的に同じものには、同一の符号を付している。 Therefore, in the third embodiment, a configuration capable of automatically adjusting the installation position of the MEMS will be described. In addition, the substantially same components as those described in the first and second embodiments are designated by the same reference numerals.

図９は、第３実施形態に係る検査システム１０ｂの構成の概要を示す図である。図９に示すように、検査システム１０ｂは、入力部１２、ＣＰＵボード１４、制御プログラム１６、レーザダイオード（ＬＤ）制御部２０、レーザ照射部２２、ＬＣＲメータ２４、波形発生部２６、検査ステージ３４、位置変更部５１及び調整制御部５２を有する。 FIG. 9 is a diagram showing an outline of the configuration of the inspection system 10b according to the third embodiment. As shown in FIG. 9, the inspection system 10b includes an input unit 12, a CPU board 14, a control program 16, a laser diode (LD) control unit 20, a laser irradiation unit 22, an LCR meter 24, a waveform generation unit 26, and an inspection stage 34. A position changing unit 51 and an adjustment control unit 52 are included.

また、検査システム１０ｂは、センサとして第１フォトディテクタ（ＰＤ）４０、第２フォトディテクタ（ＰＤ）４２、ウォブルセンサ４４、第１ＰＳＤ４６及び第２ＰＳＤ５３を有する。また、検査システム１０ｂは、センサ制御部４８を備える。また、検査システム１０ｂには、電源のオンオフを切替える電源ボタン、及び動作の開始指示を受入れるスタートボタン等も設けられる。 Further, the inspection system 10b has a first photodetector (PD) 40, a second photodetector (PD) 42, a wobble sensor 44, a first PSD 46, and a second PSD 53 as sensors. The inspection system 10b also includes a sensor control unit 48. The inspection system 10b is also provided with a power button for switching the power on and off, a start button for receiving an operation start instruction, and the like.

位置変更部５１は、ステッピングモータ等を備え、調整制御部５２の制御の下、検査ステージ３４の配置位置や配置角度を変更する。 The position changing unit 51 includes a stepping motor and the like, and changes the arrangement position and the arrangement angle of the inspection stage 34 under the control of the adjustment control unit 52.

第２ＰＳＤ５３は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳが反射させるレーザ光（スポット）の光量の「重心」の位置を、２軸方向について検出することができる二次元の光位置センサである。 The second PSD 53 is a two-dimensional optical position sensor that can detect the position of the “center of gravity” of the light amount of the laser light (spot) reflected by the MEMS installed on the inspection stage 34 in the biaxial directions.

ここで、図１０、図１１を参照して、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）と第２ＰＳＤ５３との位置関係について説明する。 Here, the positional relationship between the inspection stage 34 (MEMS) and the second PSD 53 will be described with reference to FIGS. 10 and 11.

図１０、図１１は、検査ステージ３４に設置されるＭＥＭＳと、第２ＰＳＤ５３との位置関係を説明するための図である。図１０は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を横から見た側面図である。また、図１１は、ＭＥＭＳによる反射光の光軸方向を上から見た平面図である。なお、図１０では、ハーフミラー等のビームスプリッタＢＳを介して、レーザ照射部２２のレーザ光をＭＥＭＳに照射する構成としたが、これに限らないものとする。 10 and 11 are diagrams for explaining the positional relationship between the MEMS installed on the inspection stage 34 and the second PSD 53. FIG. 10 is a side view in which the optical axis direction of the reflected light by the MEMS is viewed from the side. Further, FIG. 11 is a plan view of the optical axis direction of the reflected light by the MEMS as viewed from above. Note that, in FIG. 10, the configuration is such that the laser light of the laser irradiation unit 22 is applied to the MEMS via the beam splitter BS such as a half mirror, but the present invention is not limited to this.

図１０、図１１において、位置変更部５１は、検査ステージ３４を支持し、検査ステージ３４の配置位置や配置角度を変更可能な機構を備える。具体的に、位置変更部５１は、検査ステージ３４を、Ｘ軸及びＹ軸の２軸方向に所定量移動させること可能な機構を備える。また、位置変更部５１は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の３軸周りに、検査ステージ３４を所定角度回転させる（傾ける）ことが可能な機構を備える。 10 and 11, the position changing unit 51 includes a mechanism that supports the inspection stage 34 and can change the arrangement position and the arrangement angle of the inspection stage 34. Specifically, the position changing unit 51 includes a mechanism capable of moving the inspection stage 34 in the biaxial directions of the X axis and the Y axis by a predetermined amount. In addition, the position changing unit 51 includes a mechanism that can rotate (tilt) the inspection stage 34 around a predetermined angle around the three axes of the X axis, the Y axis, and the Z axis.

ここで、図１２は、検査ステージ３４を３軸周りに回転させた（傾けた）状態を模式的に示す図である。この図１２では、まず、（ａ）で検査ステージ３４をＸ軸周りに所定量回転させ、（ｂ）で検査ステージ３４をＹ軸周りに所定量回転させた後、（ｃ）で検査ステージ３４をＺ軸周りに所定量回転させた例を示している。なお、破線は、（ａ）〜（ｃ）の各段階において、検査ステージ３４の回転前の位置を意味する。このように、位置変更部５１に検査ステージ３４の角度回転（角度調整）機構を設けることにより、検査ステージ３４を所望の角度に回転させる（傾ける）ことができる。 Here, FIG. 12 is a diagram schematically showing a state in which the inspection stage 34 is rotated (tilted) about three axes. In FIG. 12, first, the inspection stage 34 is rotated about the X axis by a predetermined amount in (a), the inspection stage 34 is rotated about the Y axis by a predetermined amount in (b), and then the inspection stage 34 is rotated in (c). Shows an example in which is rotated about the Z axis by a predetermined amount. The broken line means the position before the rotation of the inspection stage 34 in each of the stages (a) to (c). As described above, by providing the position changing unit 51 with the angle rotation (angle adjustment) mechanism of the inspection stage 34, the inspection stage 34 can be rotated (tilted) at a desired angle.

図１０、図１１に戻り、第２ＰＳＤ５３は、２軸方向（Ｘ−Ｙ軸方向）に形成されたセンサ面を有し、当該センサ面上においてレーザ光を受光した位置と、その受光量とを検出する。なお、検査ステージ３４に対する第２ＰＳＤ５３の設置（配置）位置は、特に問わないものとするが、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との位置関係に準じた位置とすることが好ましい。 Returning to FIG. 10 and FIG. 11, the second PSD 53 has a sensor surface formed in the biaxial direction (X-Y axis direction), and the position where the laser light is received on the sensor surface and the received light amount thereof. To detect. Note that the installation (arrangement) position of the second PSD 53 with respect to the inspection stage 34 is not particularly limited, but it is preferably a position according to the positional relationship between the inspection stage 34 and the first PSD 46.

例えば、第２ＰＳＤ５３は、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との間に設ける構成としてもよい。この場合、第２ＰＳＤ５３は、ＭＥＭＳの位置調整時において、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６との間に配置し、ＭＥＭＳの検査時において、検査ステージ３４と第１ＰＳＤ４６とを結ぶ線上から移動（離脱）させる構成としてもよい。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。なお、第２ＰＳＤ５３の移動方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、第２ＰＳＤ５３の移動を制御する構成としてもよいし、手動で第２ＰＳＤ５３を移動させる構成としてもよい。 For example, the second PSD 53 may be provided between the inspection stage 34 and the first PSD 46. In this case, the second PSD 53 is arranged between the inspection stage 34 and the first PSD 46 during the position adjustment of the MEMS, and is moved (separated) from the line connecting the inspection stage 34 and the first PSD 46 during the inspection of the MEMS. May be Accordingly, the positional relationship of the MEMS (inspection stage 34) with respect to the second PSD 53 can be applied to the first PSD 46. The method of moving the second PSD 53 is not particularly limited. Further, the adjustment controller 52 (CPU board 14) may be configured to control the movement of the second PSD 53, or may be configured to manually move the second PSD 53.

また、例えば、第１ＰＳＤ４６と、第２ＰＳＤ５３との位置を切り替え可能な構成としてもよい。この場合、ＭＥＭＳの位置調整時には、第２ＰＳＤ５３を所定位置（例えば、）に配置する。そして、ＭＥＭＳの検査時には、第２ＰＳＤ５３を移動させ、ＭＥＭＳの位置調整時に第２ＰＳＤ５３が配置されていた位置に、第１ＰＳＤ４６を配置する。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。なお、第１ＰＳＤ４６及び第２ＰＳＤ５３の切り替え（移動）方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、切り替えを制御する構成としてもよいし、手動で切り替える構成としてもよい。 Further, for example, the positions of the first PSD 46 and the second PSD 53 may be switched. In this case, when adjusting the position of the MEMS, the second PSD 53 is arranged at a predetermined position (for example). Then, when the MEMS is inspected, the second PSD 53 is moved, and the first PSD 46 is arranged at the position where the second PSD 53 was arranged at the time of adjusting the position of the MEMS. Accordingly, the positional relationship of the MEMS (inspection stage 34) with respect to the second PSD 53 can be applied to the first PSD 46. The method of switching (moving) the first PSD 46 and the second PSD 53 is not particularly limited. Further, the adjustment control unit 52 (CPU board 14) may be configured to control switching or may be configured to be manually switched.

また、例えば、位置調整用のレーザ照射部（以下、第２レーザ照射部という）を別途備え、この第２レーザ照射部から照射されるレーザ光を用いてＭＥＭＳの位置調整を行う構成としてもよい。この場合、検査用のレーザ照射部２２及び第１ＰＳＤ４６の組と、位置調整用の第２レーザ照射部及び第２ＰＳＤ５３の組とを用意し、ＭＥＭＳの位置調整及び検査に応じて、上記同様、検査ステージ３４に対する各組の位置関係を切り替え可能な構成としてもよい。これにより、第２ＰＳＤ５３に対するＭＥＭＳ（検査ステージ３４）の位置関係を、第１ＰＳＤ４６に適用することができる。 In addition, for example, a laser irradiation unit for position adjustment (hereinafter, referred to as a second laser irradiation unit) may be separately provided, and the position of the MEMS may be adjusted using the laser light emitted from the second laser irradiation unit. .. In this case, a set of the laser irradiation unit 22 and the first PSD 46 for inspection and a set of the second laser irradiation unit and the second PSD 53 for position adjustment are prepared, and the same as the above according to the position adjustment and inspection of the MEMS. The positional relationship of each set with respect to the stage 34 may be switched. Accordingly, the positional relationship of the MEMS (inspection stage 34) with respect to the second PSD 53 can be applied to the first PSD 46.

なお、第２レーザ照射部の配置位置や出力パワーは特に問わないものとするが、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）に対する第２レーザ照射部のレーザ光の照射角度は、レーザ照射部２２と同等とすることが好ましい。なお、各組の切り替え（移動）方法は特に問わないものとする。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、第２ＰＳＤ５３の移動を制御する構成としてもよいし、手動で第２ＰＳＤ５３を移動させる構成としてもよい。また、調整制御部５２（ＣＰＵボード１４）が、切り替えを制御する構成としてもよいし、手動で切り替える構成としてもよい。 Although the arrangement position and output power of the second laser irradiation unit are not particularly limited, the irradiation angle of the laser light of the second laser irradiation unit with respect to the inspection stage 34 (MEMS) is the same as that of the laser irradiation unit 22. It is preferable. The method for switching (moving) each group is not particularly limited. Further, the adjustment controller 52 (CPU board 14) may be configured to control the movement of the second PSD 53, or may be configured to manually move the second PSD 53. Further, the adjustment control unit 52 (CPU board 14) may be configured to control switching or may be configured to be manually switched.

図９に戻り、調整制御部５２は、第２ＰＳＤ５３での検出結果（受光量、検出位置等）に基づき、位置変更部５１を制御することで、第２ＰＳＤ５３（第１ＰＳＤ４６）に対する検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）の配置位置や配置角度を調整する。なお、調整制御部５２は、ＣＰＵボード１４の制御の下で動作する構成としてもよい。また、ＣＰＵボード１４自体が調整制御部５２として機能する構成としてもよい。 Returning to FIG. 9, the adjustment control unit 52 controls the position changing unit 51 based on the detection result (light receiving amount, detection position, etc.) of the second PSD 53, so that the inspection stage 34 (MEMS) for the second PSD 53 (first PSD 46) is controlled. ) Adjust the placement position and placement angle. The adjustment control unit 52 may be configured to operate under the control of the CPU board 14. Alternatively, the CPU board 14 itself may function as the adjustment control unit 52.

具体的に、調整制御部５２は、ＭＥＭＳの配置位置や配置角度が、検査に適した位置となるよう調整する。ここで、「検査に適した位置」は、検査内容等に応じて適宜設定することが可能であるとする。例えば、レーザ照射部２２から照射されたレーザ光が、ＭＥＭＳの中央に位置する状態や、ＭＥＭＳで反射されたレーザ光が第２ＰＳＤ５３の中央に位置する状態での、ＭＥＭＳの位置を「検査に適した位置」としてもよい。 Specifically, the adjustment control unit 52 adjusts the arrangement position and the arrangement angle of the MEMS to a position suitable for the inspection. Here, it is assumed that the “position suitable for the inspection” can be appropriately set according to the inspection content and the like. For example, when the laser light emitted from the laser irradiation unit 22 is located in the center of the MEMS, or the laser light reflected by the MEMS is located in the center of the second PSD 53, the position of the MEMS is “suitable for inspection. It is also possible to use

上記例の「検査に適した位置」にＭＥＭＳを位置付ける場合、調整制御部５２は、例えば以下のような制御を行う。まず、調整制御部５２は、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸方向に移動させながら、その移動量と第２ＰＳＤ５３での検出結果（受光量）を取得する。調整制御部５２は、取得した移動量及び検出結果に基づき、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのサイズと中心位置とを検出（推定）する。なお、サイズ及び中心位置の推定方法は特に問わず、公知の技術を用いてもよい。例えば、ＭＥＭＳを一方向に移動させた際の受光量の変化（暗→明→暗）に基づき、明部分にあるときの移動量の中間値を中心位置としてもよい。 When positioning the MEMS at the “position suitable for inspection” in the above example, the adjustment control unit 52 performs the following control, for example. First, the adjustment control unit 52 acquires the movement amount and the detection result (light reception amount) by the second PSD 53 while moving the inspection stage 34 in the X-axis and Y-axis directions. The adjustment control unit 52 detects (estimates) the size and center position of the MEMS installed on the inspection stage 34 based on the acquired movement amount and detection result. Note that the size and center position estimation method is not particularly limited, and a known technique may be used. For example, based on the change in the amount of received light when the MEMS is moved in one direction (dark→bright→dark), the intermediate value of the amount of movement in the bright portion may be set as the central position.

続いて、調整制御部５２は、レーザ照射部２２のレーザ光がＭＥＭＳの中心に位置するよう、検査ステージ３４のＸ軸及びＹ軸方向の位置を調整する。そして、調整制御部５２は、検査ステージ３４を各軸（Ｘ，Ｙ、Ｚ）方向に回転（傾斜）させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（検出位置）を取得することで、ＭＥＭＳによる反射光の重心が第２ＰＳＤ５３の中央に位置するようＭＥＭＳの位置を調整する。 Subsequently, the adjustment control unit 52 adjusts the position of the inspection stage 34 in the X-axis and Y-axis directions so that the laser light of the laser irradiation unit 22 is located at the center of the MEMS. Then, the adjustment control unit 52 acquires the detection result (detection position) of the second PSD 53 while rotating (tilting) the inspection stage 34 in each axis (X, Y, Z) direction, and thereby the reflected light of the MEMS is detected. The position of the MEMS is adjusted so that the center of gravity is located at the center of the second PSD 53.

次に、図１３、図１４を参照して。検査システム１０ｂの動作例について説明する。図１３は、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳの位置を検査システム１０ｂが調整する動作例を示すフローチャートである。この図１３の動作に係る処理は、ＭＥＭＳの検査に先駆けて行われるものである。例えば、図１３の動作に係る処理は、図５や図８で説明した動作の前や、ステップ１０２（Ｓ１０２）とステップ１０４（Ｓ１０４）との間に実行される。なお、本処理の前提として、被検査対象のＭＥＭＳは検査ステージ３４に設置されているものとする。 Next, refer to FIG. 13 and FIG. An operation example of the inspection system 10b will be described. FIG. 13 is a flowchart showing an operation example in which the inspection system 10b adjusts the position of the MEMS installed on the inspection stage 34. The process related to the operation of FIG. 13 is performed prior to the inspection of the MEMS. For example, the process related to the operation of FIG. 13 is executed before the operation described in FIG. 5 and FIG. 8 or between step 102 (S102) and step 104 (S104). As a premise of this processing, it is assumed that the MEMS to be inspected is installed on the inspection stage 34.

図１３に示すように、ステップ３００（Ｓ３００）において、検査システム１０ｂは、第１ＰＳＤ４６や第２ＰＳＤ５３等を移動させることで、ＭＥＭＳの位置調整を行う動作モード（位置調整モード）に移行する。続くステップ３０２（Ｓ３０２）において、検査システム１０ｂは、ＭＥＭＳの位置を調整する位置調整処理を実行する。 As shown in FIG. 13, in step 300 (S300), the inspection system 10b moves to the operation mode (position adjustment mode) for adjusting the position of the MEMS by moving the first PSD 46, the second PSD 53, and the like. In the following step 302 (S302), the inspection system 10b executes a position adjustment process for adjusting the position of the MEMS.

図１４は、ステップ３０２の位置調整処理の動作例を示すフローチャートである。まず、検査システム１０ｂは、ステップ４００（Ｓ４００）において、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸方向に移動させる。続くステップ４０２（Ｓ４０２）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４の移動量や第２ＰＳＤ５３の検出結果に基づき、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳのサイズ及び中心位置を検出する。 FIG. 14 is a flowchart showing an operation example of the position adjustment processing in step 302. First, the inspection system 10b moves the inspection stage 34 in the X-axis and Y-axis directions in step 400 (S400). In subsequent step 402 (S402), the inspection system 10b detects the size and center position of the MEMS installed on the inspection stage 34 based on the movement amount of the inspection stage 34 and the detection result of the second PSD 53.

続くステップ４０４（Ｓ４０４）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４をＸ軸及びＹ軸周りに傾斜させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（受光位置、受光量）に基づき、ＭＥＭＳの傾き補正を行う。また、ステップ４０６（Ｓ４０６）において、検査システム１０ｂは、検査ステージ３４をＺ軸周りに傾斜させながら、第２ＰＳＤ５３の検出結果（受光位置、受光量）に基づき、ＭＥＭＳの傾き補正を行う。 In the following step 404 (S404), the inspection system 10b performs the inclination correction of the MEMS based on the detection result (light receiving position, light receiving amount) of the second PSD 53 while tilting the inspection stage 34 around the X axis and the Y axis. In step 406 (S406), the inspection system 10b performs the inclination correction of the MEMS based on the detection result (light receiving position, light receiving amount) of the second PSD 53 while inclining the inspection stage 34 around the Z axis.

ここで、ステップ４０４、４０６の処理では、例えば、レーザ照射部２２のレーザ光がＭＥＭＳの中央に位置するよう調整するとともに、ＭＥＭＳによる反射光の重心が第２ＰＳＤ５３の中央に位置するよう調整する。ＭＥＭＳの位置調整が完了すると、検査システム１０ｂは、図１３のステップ３０４（Ｓ３０４）に移行する。なお、ステップ４０４、４０６を実行する回数は１回に限らず、予め設定された設定値等に基づき複数回実行する構成としてもよい。 Here, in the processing of steps 404 and 406, for example, the laser light of the laser irradiation unit 22 is adjusted to be located at the center of the MEMS, and the center of gravity of the reflected light by the MEMS is adjusted to be located at the center of the second PSD 53. When the MEMS position adjustment is completed, the inspection system 10b proceeds to step 304 (S304) in FIG. It should be noted that the number of times that steps 404 and 406 are executed is not limited to once, but may be executed a plurality of times based on preset setting values or the like.

図１３に戻り、ステップ３０４（Ｓ３０４）において、検査システム１０ｂは、センサ（第２ＰＳＤ５３）に対するＭＥＭＳの位置の良否判定を行う。ここで、良否判定の判定基準は特に問わないものとする。例えば第２ＰＳＤ５３で検出される受光量が規定値以上の場合に、良と判定してもよい。また、例えば第２ＰＳＤ５３で検出されるレーザ光（反射光）のスポット範囲が規定範囲以内の場合に、良と判定してもよい。また、例えば位置調整処理が正常に終了した場合に、良と判定してもよい。 Returning to FIG. 13, in step 304 (S304), the inspection system 10b determines whether the position of the MEMS with respect to the sensor (second PSD 53) is good or bad. Here, the criterion for the quality determination is not particularly limited. For example, when the amount of received light detected by the second PSD 53 is equal to or larger than the specified value, it may be determined as good. In addition, for example, when the spot range of the laser light (reflected light) detected by the second PSD 53 is within the specified range, it may be determined as good. Further, for example, when the position adjustment processing is normally completed, it may be determined as good.

ステップ３０４（Ｓ３０４）で否と判定した場合（Ｓ３０４：ＮＧ）、検査システム１０ｂは、ステップ３０６（Ｓ３０６）において、表示部（又は入力部１２等）に位置調整のエラーを表示し、本処理を終了する。なお、ステップ３０４で否と判定した場合、ステップ３０２に戻ることで、位置調整を再度行う構成としてもよい。 If the inspection system 10b determines NO in step 304 (S304) (S304: NG), the inspection system 10b displays a position adjustment error on the display unit (or the input unit 12 or the like) in step 306 (S306), and the present process is executed. finish. If it is determined to be no in step 304, the configuration may be such that the position adjustment is performed again by returning to step 302.

一方、ステップ３０４（Ｓ３０４）で良と判定した場合（Ｓ３０４：ＯＫ）、検査システム１０ｂは、本処理を終了する。なお、ステップ３０４（Ｓ３０４）で良と判定した場合、検査システム１０ｂは、第１ＰＳＤ４６や第２ＰＳＤ５３等を移動させることで、ＭＥＭＳの検査を行う動作モード（検査モード）に移行する。そして、検査システム１０ｂは、例えば、上述したステップ１０４（Ｓ１０４）に移行することで、ＭＥＭＳの検査を開始させる。 On the other hand, when it is determined to be good in step 304 (S304) (S304: OK), the inspection system 10b ends this process. When it is determined to be good in step 304 (S304), the inspection system 10b moves to the operation mode (inspection mode) for inspecting the MEMS by moving the first PSD 46, the second PSD 53, and the like. Then, the inspection system 10b starts the inspection of the MEMS, for example, by shifting to step 104 (S104) described above.

以上のように、検査システム１０ｂによれば、検査ステージ３４に設置されたＭＥＭＳを、検査に適した位置に自動で位置付けることができる。したがって、検査システム１０ｂによれば、ＭＥＭＳの位置調整に係るユーザの利便性を向上できるとともに、検査精度の向上を図ることができる。 As described above, according to the inspection system 10b, the MEMS installed on the inspection stage 34 can be automatically positioned at a position suitable for inspection. Therefore, according to the inspection system 10b, it is possible to improve the convenience of the user regarding the position adjustment of the MEMS and improve the inspection accuracy.

なお、本実施形態では、第２ＰＳＤ５３を用いてＭＥＭＳの位置調整を行ったが、これに限らないものとする。例えば、第１ＰＳＤ４６を二次元の光位置センサとすることで、第１ＰＳＤ４６を用いて、ＭＥＭＳの位置調整を行う構成としてもよい。 In addition, in the present embodiment, the position of the MEMS is adjusted using the second PSD 53, but the present invention is not limited to this. For example, by using the first PSD 46 as a two-dimensional optical position sensor, the position of the MEMS may be adjusted using the first PSD 46.

また、本実施形態では、検査ステージ３４を５軸方向に移動可能な構成としたが、これに限らず、例えば、Ｘ軸及びＹ軸の２軸方向や、６軸以上の方向に移動可能な構成としてもよい。 Further, in the present embodiment, the inspection stage 34 is configured to be movable in five axis directions. However, the present invention is not limited to this. It may be configured.

また、本実施形態では、図２の構成を用いて位置変更部５１及び調整制御部５２を説明したが、これに限らず、図６の構成に位置変更部５１及び調整制御部５２を適用してもよい。 Further, in the present embodiment, the position changing unit 51 and the adjustment control unit 52 are described using the configuration of FIG. 2, but the present invention is not limited to this, and the position changing unit 51 and the adjustment control unit 52 are applied to the configuration of FIG. May be.

以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。 Although some embodiments of the present invention have been described above, these embodiments are presented as examples and are not intended to limit the scope of the invention. These novel embodiments can be implemented in various other forms, and various omissions, replacements, and changes can be made without departing from the spirit of the invention. These embodiments and their modifications are included in the scope and gist of the invention, and are also included in the invention described in the claims and the scope of equivalents thereof.

例えば、上記実施形態では、ＭＥＭＳによる２軸方向の反射光のうち、Ｘ軸方向を第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４で検出し、Ｙ軸方向を第１ＰＳＤ４６で検出する構成としたが、検出対象の軸方向を逆にしてもよい。具体的には、第１ＰＳＤ４６を、当該第１ＰＳＤ４６が有するセンサ面の長手方向をＸ軸方向に沿って配置する。また、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４を、ＭＥＭＳから見て第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に、Ｙ軸方向に沿って配置する。これにより、上記実施形態と同様の効果を奏することができる。 For example, in the above-described embodiment, of the reflected light in the biaxial directions by the MEMS, the X-axis direction is detected by the first PD 40, the second PD 42 and the wobble sensor 44, and the Y-axis direction is detected by the first PSD 46. The target axial direction may be reversed. Specifically, the first PSD 46 is arranged with the longitudinal direction of the sensor surface of the first PSD 46 along the X-axis direction. In addition, the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged along the Y-axis direction at positions that do not overlap the first PSD 46 when viewed from the MEMS. As a result, the same effect as that of the above embodiment can be obtained.

また、上記実施形態では、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６の後方に配置する構成としたが（図３、図４参照）、これに限らず、第１ＰＳＤ４６の前方に配置する構成としてもよい。なお、この構成を採用する場合であっても、第１ＰＤ４０、第２ＰＤ４２及びウォブルセンサ４４は、検査ステージ３４（ＭＥＭＳ）から見て、第１ＰＳＤ４６に重ならない位置に配置されるものとする。 In the above embodiment, the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged behind the first PSD 46 when viewed from the inspection stage 34 (MEMS) (see FIGS. 3 and 4). The configuration is not limited to this, and may be arranged in front of the first PSD 46. Even when this configuration is adopted, the first PD 40, the second PD 42, and the wobble sensor 44 are arranged at positions that do not overlap the first PSD 46 when viewed from the inspection stage 34 (MEMS).

また、上記実施形態では、ＭＥＭＳによる２軸方向の反射光の検査を、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向の順に行ったが（図５、図８参照）、これに限らず、Ｙ軸方向、Ｘ軸方向の順に行う構成としてもよい。 In addition, in the above-described embodiment, the inspection of the reflected light in the biaxial directions by the MEMS is performed in the order of the X axis direction and the Y axis direction (see FIGS. 5 and 8). The configuration may be performed in the axial direction.

１０、１０ａ、１０ｂ検査システム
１２入力部
１４ＣＰＵボード
１６制御プログラム
２０ＬＤ制御部
２２レーザ照射部
２４ＬＣＲメータ
２６波形発生部
３４検査ステージ
３７第３ステージ
３８第３モータ制御部
４０第１ＰＤ
４２第２ＰＤ
４４ウォブルセンサ
４６第１ＰＳＤ
４８センサ制御部
４９ＰＭ
５１位置変更部
５２調整制御部
５３第２ＰＳＤ 10, 10a, 10b Inspection system 12 Input unit 14 CPU board 16 Control program 20 LD control unit 22 Laser irradiation unit 24 LCR meter 26 Waveform generation unit 34 Inspection stage 37 Third stage 38 Third motor control unit 40 First PD
42 Second PD
44 wobble sensor 46 first PSD
48 sensor control unit 49 PM
51 Position Change Unit 52 Adjustment Control Unit 53 Second PSD

特許第５０２７６１７号公報Japanese Patent No. 5027617

Claims

A two-axis MEMS mirror inspection system that reflects light in a first axis direction and a second axis direction that are orthogonal to each other,
A first irradiation unit for irradiating the biaxial MEMS mirror to be inspected with laser light;
The sensor surface has a length corresponding to the reflection range in the first axial direction, and the length direction of the sensor surface is arranged along the first axial direction, and the first axial direction and the second axial direction. A first sensor that is installed in a third axis direction orthogonal to and that receives at least the laser beam in the first axis direction reflected by the biaxial MEMS mirror and outputs a signal;
At least one of two light receiving elements and a wobble sensor that are installed at a predetermined interval, and is arranged at a position that does not overlap with the first sensor when viewed from the two-axis MEMS mirror. A second sensor that receives the laser beam in the second axis direction reflected by the MEMS mirror and outputs a signal;
An inspection stage on which the biaxial MEMS mirror is installed;
A change unit for changing the arrangement position of the inspection stage,
A position adjusting sensor that receives the laser beams in the first axis direction and the second axis direction reflected by the biaxial MEMS mirror, and detects the light receiving position.
A position adjusting irradiation unit that irradiates the biaxial MEMS mirror installed on the inspection stage with laser light at the same irradiation angle as the first irradiation unit;
The biaxial MEMS for the first sensor is controlled by controlling the changing unit based on the detection result of the position adjustment sensor of the laser light emitted from the position adjustment irradiation unit and reflected by the biaxial MEMS mirror. An adjustment unit that adjusts the arrangement position of the mirror,
Have
The first sensor is arranged at the position where the position adjusting sensor was arranged at the time of adjusting the position of the biaxial MEMS mirror during inspection of the biaxial MEMS mirror.
The position adjusting sensor is disposed between the inspection stage and the first sensor when adjusting the position of the biaxial MEMS mirror, and the inspection stage and the first sensor are used when inspecting the biaxial MEMS mirror. Separated from the sensor,
The first sensor and the second sensor are arranged at positions that do not overlap with the position adjustment sensor when viewed from the biaxial MEMS mirror.
An inspection system characterized by that.

The inspection system according to claim 1, wherein the first sensor is an optical position sensor that detects a position of laser light.