JP6701597B2 - Exposure apparatus, exposure method, flat panel display manufacturing method, and device manufacturing method - Google Patents

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本発明は、露光装置、露光方法、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法に係り、更に詳しくは、物体に対してエネルギビームを所定の走査方向に走査する走査露光により、所定のパターンを物体上に形成する露光装置及び方法、並びに前記露光装置又は露光方法を用いるフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to an exposure apparatus, an exposure method, a flat panel display manufacturing method, and a device manufacturing method, and more specifically, a predetermined pattern is formed by scanning exposure of an object with an energy beam in a predetermined scanning direction. The present invention relates to an exposure apparatus and method for forming on an object, and a method for manufacturing a flat panel display or device using the exposure apparatus or the exposure method.

従来、液晶表示素子、半導体素子(集積回路等)等の電子デバイス(マイクロデバイス)を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル(以下、「マスク」と総称する)に形成されたパターンをエネルギビームを用いてガラスプレート又はウエハ(以下、「基板」と総称する)上に転写する露光装置が用いられている。   Conventionally, in a lithography process for manufacturing an electronic device (micro device) such as a liquid crystal display device or a semiconductor device (an integrated circuit or the like), a pattern formed on a mask or a reticle (hereinafter referred to as “mask”) There is used an exposure apparatus which is used to transfer onto a glass plate or a wafer (hereinafter collectively referred to as “substrate”).

この種の露光装置としては、マスクと基板とを実質的に静止させた状態で、露光用照明光(エネルギビーム)を所定の走査方向に走査することで基板上に所定のパターンを形成するビームスキャン式の走査露光装置が知られている(例えば特許文献1参照)。   This type of exposure apparatus is a beam that forms a predetermined pattern on a substrate by scanning exposure illumination light (energy beam) in a predetermined scanning direction with the mask and the substrate substantially stationary. A scan type scanning exposure apparatus is known (for example, refer to Patent Document 1).

上記特許文献1に記載の露光装置では、基板上の露光対象領域とマスクとの位置誤差を補正するために、投影光学系を露光時の走査方向と逆方向に移動させながら投影光学系を介してアライメント顕微鏡によって基板上及びマスク上のマークの計測(アライメント計測)を行い、該計測結果に基づいて基板とマスクとの位置誤差を補正している。ここで、露光精度を向上させるためには、より多くのマークを計測することが望ましいが、スループットが低下する恐れがある。   In the exposure apparatus described in Patent Document 1, in order to correct the positional error between the exposure target area on the substrate and the mask, the projection optical system is moved through the projection optical system while moving in the direction opposite to the scanning direction at the time of exposure. The alignment microscope measures the marks on the substrate and the mask (alignment measurement), and the positional error between the substrate and the mask is corrected based on the measurement result. Here, in order to improve the exposure accuracy, it is desirable to measure more marks, but there is a risk that throughput will decrease.

特開2000−12422号公報JP, 2000-12422, A

本発明の第1の態様によれば、マスクが有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上に設けられた複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光装置であって、前記照明光を前記物体に対して発する照明系と、前記投影像を前記物体に投影する投影系と、前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとをそれぞれ検出する検出部と、前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる検出部駆動系と、前記検出部の検出結果に基づいて前記マスクに対する相対位置が調整された前記物体上の第1区画領域が前記走査露光されるよう、互いに対向する前記第1区画領域及び前記マスクに対して、走査方向の一方側に位置する前記照明系及び前記投影系を、前記走査方向の他方側へ相対的に移動させる駆動系と、前記第1区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向に関して前記第1区画領域の一方側に設けられた第2区画領域に対向するように、前記物体に対して前記マスクを前記走査方向へ相対移動させるマスク駆動系と、を備え、前記駆動系は、前記マスク駆動系による前記物体に対する前記マスクの前記走査方向への相対移動中に、前記走査方向に関して前記第1区画領域の他方側に位置する前記照明系と前記投影系とを一方側へ移動させ、前記検出部駆動系は、前記第2区画領域に対する前記走査露光の前に、前記走査方向に関して前記照明系及び前記投影系に対する前記検出部の間隔が変更されるよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる露光装置が、提供される。 According to the first aspect of the present invention, scanning exposure is performed while illuminating a pattern included in a mask with illumination light and projecting a projected image of the pattern onto each of a plurality of divided areas provided on an object. An exposure apparatus comprising: an illumination system that emits the illumination light to the object; a projection system that projects the projection image onto the object ; and a plurality of first units that are formed on the mask and are separated from each other in a scanning direction. A detection unit that detects a mark and a plurality of second marks that are formed on the object in the scanning direction and are separated from each other; and a plurality of first marks and a plurality of second marks that are detected. A detection unit drive system that moves the detection unit in the scanning direction, and a first partitioned region on the object whose relative position with respect to the mask is adjusted based on the detection result of the detection unit so that the scanning exposure is performed. with respect to the first divided area and the mask facing each other, the illumination system and the projection system positioned on one side of the scanning direction, a driving system for relatively moving to the other side of the scanning direction, wherein said Relative movement of the mask in the scanning direction with respect to the object so that the mask facing the one partitioned area faces a second partitioned area provided on one side of the first partitioned area in the scanning direction. And a mask drive system for driving the mask, wherein the drive system is located on the other side of the first partitioned region with respect to the scanning direction during relative movement of the mask in the scanning direction with respect to the object by the mask driving system. The illumination system and the projection system are moved to one side, and the detection unit drive system is configured to detect the detection unit for the illumination system and the projection system in the scanning direction before the scanning exposure for the second partitioned area. that spacing is changed, the exposure detecting unit Before moving to the scanning direction device is provided.

本発明の第2の態様によれば、マスクが有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上に設けられた複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光方法であって、検出部を前記走査方向へ移動させながら、前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとを検出することと、前記第1マーク及び前記第2マークの検出結果に基づいて、対向した状態で互いに相対位置が調整された前記物体上の第1区画領域及び前記マスクに対して、走査方向の一方側に位置する前記照明系及び前記投影系を、前記走査方向の他方側へ相対的に移動させ、前記第1区画領域の前記走査露光を行うことと、前記第1区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向に関して前記第1区画領域の一方側に設けられた第2区画領域に対向するように、前記物体に対して前記マスクを前記走査方向へ相対移動させることと、前記物体に対する前記マスクの前記走査方向への相対移動中に、前記走査方向に関して前記第1区画領域の他方側に位置する前記照明系と前記投影系とを一方側へ移動させることと、前記第2区画領域に対する前記走査露光の前に、前記走査方向に関して前記照明系及び前記投影系に対する前記検出部の間隔が変更されるよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させ、前記複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第3マークとを検出することと、前記照明系と前記投影系とを、前記走査方向に関して前記第2区画領域の他方側から一方側へ移動させ、前記マスクに対向された前記第2区画領域の前記走査露光を行うことと、を含む露光方法が、提供される。 According to the second aspect of the present invention, the scanning exposure is performed while illuminating the pattern of the mask with illumination light and projecting a projected image of the pattern onto each of a plurality of divided areas provided on the object. An exposure method , wherein a plurality of first marks are formed on the mask so as to be separated from each other in the scanning direction while moving the detection unit in the scanning direction, and are formed on the object so as to be separated from each other in the scanning direction. Detecting a plurality of second marks, and based on the detection results of the first mark and the second mark , the first partitioned area on the object and the relative position of the first partition and the relative position of the second mark on the object are adjusted. The illumination system and the projection system located on one side in the scanning direction with respect to the mask are relatively moved to the other side in the scanning direction to perform the scanning exposure of the first partitioned area; The mask is opposed to the object in the scanning direction so that the mask facing the first partitioned area faces a second partitioned area provided on one side of the first partitioned area in the scanning direction. Moving and moving the illumination system and the projection system located on the other side of the first partitioned area with respect to the scanning direction to one side during relative movement of the mask with respect to the object in the scanning direction. Prior to the scanning exposure of the second partitioned area, the detection unit is moved in the scanning direction so that the interval of the detection unit with respect to the illumination system and the projection system is changed with respect to the scanning direction. Detecting the plurality of first marks and a plurality of third marks formed on the object in the scanning direction so as to be separated from each other, and the illumination system and the projection system with respect to the scanning direction. An exposure method is provided, which comprises moving from the other side to the one side of the two-partitioned region and performing the scanning exposure of the second parted region facing the mask.

本発明の第3の態様によれば、第1の態様に係る露光装置又は第2の態様に係る露光方法を用いてフラットパネルディスプレイに用いられるレジストが塗布された基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。 According to a third aspect of the present invention, exposing a substrate coated with a resist used in a flat panel display by using the exposure apparatus according to the first aspect or the exposure method according to the second aspect, and And a method of manufacturing a flat panel display, the method including: developing the formed substrate.

本発明の第4の態様によれば、第1の態様に係る露光装置又は第2の態様に係る露光方法を用いてレジストが塗布された前記物体を露光することと、露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。 According to a fourth aspect of the present invention, exposing the object coated with the resist using the exposure apparatus according to the first aspect or the exposure method according to the second aspect, and exposing the exposed object. A device manufacturing method is provided that includes developing.

第1の実施形態に係る液晶露光装置の概念図である。It is a conceptual diagram of the liquid crystal exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 図1の液晶露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main control device which mainly constitutes a control system of the liquid crystal exposure apparatus of FIG. 1. 投影系本体、及びアライメント顕微鏡の計測系の構成を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the structure of a projection system main body and the measurement system of an alignment microscope. 図4(a)〜図4(e)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置の動作を説明するための図(その1〜その5)である。4A to 4E are views (No. 1 to No. 5) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during scanning exposure of the substrate. 図5(a)〜図5(d)は、基板に対する走査露光時における液晶露光装置の動作を説明するための図(その6〜その9)である。FIGS. 5A to 5D are views (No. 6 to No. 9) for explaining the operation of the liquid crystal exposure apparatus during scanning exposure of the substrate. 図6(a)〜図6(d)は、第2の実施形態における照明領域とマスクとの関係を説明するための図(その1〜その4)である。FIGS. 6A to 6D are views (No. 1 to No. 4) for explaining the relationship between the illumination area and the mask in the second embodiment. 図7(a)〜図7(e)は、第2の実施形態に係る液晶露光装置の走査露光時における動作を説明するための図(その1〜その5)である。7A to 7E are views (No. 1 to No. 5) for explaining the operation at the time of scanning exposure of the liquid crystal exposure apparatus according to the second embodiment. 図8(a)〜図8(d)は、第3の実施形態における照明領域とマスクとの関係を説明するための図(その1〜その4)である。FIG. 8A to FIG. 8D are views (No. 1 to No. 4) for explaining the relationship between the illumination area and the mask in the third embodiment. 図9(a)〜図9(e)は、第3の実施形態に係る液晶露光装置の走査露光時における動作を説明するための図(その1〜その5)である。9A to 9E are views (No. 1 to No. 5) for explaining the operation during scanning exposure of the liquid crystal exposure apparatus according to the third embodiment.

《第1の実施形態》
以下、第1の実施形態について、図1〜図5(d)を用いて説明する。
<<First Embodiment>>
Hereinafter, the first embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 5D.

図1には、第1の実施形態に係る液晶露光装置10の概念図が示されている。液晶露光装置10は、例えば液晶表示装置(フラットパネルディスプレイ)などに用いられる矩形(角型)のガラス基板P(以下、単に基板Pと称する)を露光対象物とするステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。   FIG. 1 shows a conceptual diagram of a liquid crystal exposure apparatus 10 according to the first embodiment. The liquid crystal exposure apparatus 10 is of a step-and-scan type in which a rectangular (square) glass substrate P (hereinafter, simply referred to as a substrate P) used in, for example, a liquid crystal display device (flat panel display) is an exposure target. It is a projection exposure apparatus, a so-called scanner.

液晶露光装置10は、露光用のエネルギビームである照明光ILを照射する照明系20と、投影光学系40とを有している。以下、照明系20から投影光学系40を介して基板Pに照射される照明光ILの光軸と平行な方向をZ軸方向と称するとともに、Z軸に直交する平面内に互いに直交するX軸及びY軸を設定して説明を行う。また、本実施形態の座標系において、Y軸は、重力方向に実質的に平行であるものとする。従って、XZ平面は、水平面に実質的に平行である。また、Z軸回りの回転(傾斜)方向をθz方向として説明する。   The liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20 that emits illumination light IL that is an energy beam for exposure, and a projection optical system 40. Hereinafter, a direction parallel to the optical axis of the illumination light IL emitted from the illumination system 20 to the substrate P via the projection optical system 40 will be referred to as a Z-axis direction, and X-axes orthogonal to each other in a plane orthogonal to the Z-axis. And the Y-axis will be set and explained. Further, in the coordinate system of the present embodiment, the Y axis is assumed to be substantially parallel to the direction of gravity. Therefore, the XZ plane is substantially parallel to the horizontal plane. Further, the rotation (tilt) direction around the Z axis will be described as the θz direction.

ここで、本実施形態では、1枚の基板P上に複数の露光対象領域(適宜、区画領域、又はショット領域と称して説明する)が設定され、これら複数のショット領域に順次マスクパターンが転写される。なお、本実施形態では、基板P上に4つの区画領域が設定されている(いわゆる4面取り)場合について説明するが、区画領域の数は、これに限定されず、適宜変更が可能である。   Here, in the present embodiment, a plurality of exposure target areas (which will be appropriately referred to as partition areas or shot areas) are set on one substrate P, and a mask pattern is sequentially transferred to these plurality of shot areas. To be done. In addition, in the present embodiment, a case will be described in which four partitioned areas are set on the substrate P (so-called four-chamfering), but the number of partitioned areas is not limited to this and can be appropriately changed.

また、液晶露光装置10では、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われるが、スキャン露光動作時には、マスクM、及び基板Pが実質的に静止状態とされ、照明系20及び投影光学系40(照明光IL)がマスクM、及び基板Pに対してそれぞれX軸方向(適宜、走査方向と称する)に長ストロークで相対移動する(図1の白矢印参照)。これに対し、露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時には、マスクMがX軸方向に所定のストロークでステップ移動するとともに、基板PがY軸方向に所定のストロークでステップ移動する(それぞれ図1の黒矢印参照)。   Further, in the liquid crystal exposure apparatus 10, a so-called step-and-scan type exposure operation is performed. During the scan exposure operation, the mask M and the substrate P are kept substantially stationary, and the illumination system 20 and the projection optical system. 40 (illumination light IL) relatively moves with respect to the mask M and the substrate P in a long stroke in the X-axis direction (appropriately referred to as a scanning direction) (see the white arrow in FIG. 1 ). On the other hand, during the step operation for changing the divided area of the exposure target, the mask M is step-moved in the X-axis direction by a predetermined stroke, and the substrate P is step-moved in the Y-axis direction by a predetermined stroke (respectively). (Refer to the black arrow in FIG. 1).

図2には、液晶露光装置10の構成各部を統括制御する主制御装置90の入出力関係を示すブロック図が示されている。図2に示されるように、液晶露光装置10は、照明系20、マスクステージ装置30、投影光学系40、基板ステージ装置50、アライメント系60などを備えている。   FIG. 2 is a block diagram showing an input/output relationship of a main controller 90 that integrally controls each component of the liquid crystal exposure apparatus 10. As shown in FIG. 2, the liquid crystal exposure apparatus 10 includes an illumination system 20, a mask stage device 30, a projection optical system 40, a substrate stage device 50, an alignment system 60 and the like.

照明系20は、照明光IL(図1参照)の光源(例えば、水銀ランプ)などを含む照明系本体22を備えている。スキャン露光動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系24を制御することにより、照明系本体22をX軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系26を介して照明系本体22のX軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて照明系本体22の位置制御を行う。本実施形態において、照明光ILとしては、例えばg線、h線、i線などが用いられる。   The illumination system 20 includes an illumination system main body 22 including a light source (for example, a mercury lamp) of the illumination light IL (see FIG. 1). During the scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 24 including, for example, a linear motor to scan drive illumination system main body 22 in the X-axis direction with a predetermined long stroke. The main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of the illumination system main body 22 via the measurement system 26 including, for example, a linear encoder, and controls the position of the illumination system main body 22 based on the position information. In the present embodiment, for example, g-line, h-line, i-line, etc. are used as the illumination light IL.

マスクステージ装置30は、マスクMを保持するステージ本体32を備えている。ステージ本体32は、例えばリニアモータなどを含む駆動系34によってX軸方向及びY軸方向に適宜ステップ移動可能に構成されている。X軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置90は、駆動系34を制御することにより、ステージ本体32をX軸方向にステップ駆動する。また、後述するように、露光対象の区画領域内でスキャン露光する領域(位置)をY軸方向に関して変更するためのステップ動作時には、主制御装置90は、駆動系34を制御することにより、ステージ本体32をY軸方向にステップ駆動する。駆動系34は、後述するアライメント動作時にマスクMをXY平面内の3自由度(X、Y、θz)方向に適宜微小駆動することも可能である。マスクMの位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系36により求められる。   The mask stage device 30 includes a stage body 32 that holds the mask M. The stage main body 32 is configured to be capable of stepwise movement in the X-axis direction and the Y-axis direction by a drive system 34 including, for example, a linear motor. During a step operation for changing the partitioned area to be exposed in the X-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to step-drive stage body 32 in the X-axis direction. Further, as will be described later, during a step operation for changing the area (position) to be scanned and exposed in the partitioned area to be exposed in the Y-axis direction, main controller 90 controls drive system 34 to cause the stage to move. The main body 32 is step-driven in the Y-axis direction. The drive system 34 can also appropriately finely drive the mask M in the three-degree-of-freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the alignment operation described later. The position information of the mask M is obtained by the measurement system 36 including, for example, a linear encoder.

投影光学系40は、等倍系で基板P(図1参照)上にマスクパターンの正立正像を形成する光学系などを含む投影系本体42を備えている。投影系本体42は、基板PとマスクMとの間に形成される空間内に配置されている(図1参照)。スキャン露光動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系44を制御することにより、投影系本体42を、照明系本体22と同期するように、X軸方向に所定の長ストロークでスキャン駆動する。主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系46を介して投影系本体42のX軸方向に位置情報を求め、該位置情報に基づいて投影系本体42の位置制御を行う。   The projection optical system 40 includes a projection system main body 42 including an optical system that forms an erect image of the mask pattern on the substrate P (see FIG. 1) in the unity magnification system. The projection system main body 42 is arranged in a space formed between the substrate P and the mask M (see FIG. 1). During the scan exposure operation, main controller 90 controls drive system 44 including, for example, a linear motor to cause projection system main body 42 to have a predetermined length in the X-axis direction so as to synchronize with projection system main body 22. Scan drive by stroke. The main controller 90 obtains position information in the X-axis direction of the projection system body 42 via a measurement system 46 including a linear encoder or the like, and controls the position of the projection system body 42 based on the position information.

図1に戻り、液晶露光装置10では、照明系20からの照明光ILによってマスクM上の照明領域IAMが照明されると、マスクMを通過した照明光ILにより、投影光学系40を介してその照明領域IAM内のマスクパターンの投影像(部分正立像)が、基板P上の照明領域IAMに共役な照明光ILの照射領域(露光領域IA)に形成される。そして、マスクM、及び基板Pに対して、照明光IL(照明領域IAM、及び露光領域IA)が走査方向に相対移動することで走査露光動作が行われる。すなわち、液晶露光装置10では、照明系20、及び投影光学系40によって基板P上にマスクMのパターンが生成され、照明光ILによる基板P上の感応層(レジスト層)の露光によって基板P上にそのパターンが形成される。   Returning to FIG. 1, in the liquid crystal exposure apparatus 10, when the illumination area IL on the mask M is illuminated by the illumination light IL from the illumination system 20, the illumination light IL that has passed through the mask M passes through the projection optical system 40. The projected image (partial erect image) of the mask pattern in the illumination area IAM is formed in the irradiation area (exposure area IA) of the illumination light IL that is conjugate with the illumination area IAM on the substrate P. Then, the scanning exposure operation is performed by the illumination light IL (the illumination area IAM and the exposure area IA) moving relative to the mask M and the substrate P in the scanning direction. That is, in the liquid crystal exposure apparatus 10, the pattern of the mask M is generated on the substrate P by the illumination system 20 and the projection optical system 40, and the sensitive layer (resist layer) on the substrate P is exposed by the illumination light IL to expose the substrate P. The pattern is formed on the.

基板ステージ装置50は、基板Pの裏面(露光面とは反対の面)を保持するステージ本体52を備えている。図2に戻り、Y軸方向に関して露光対象の区画領域を変更するためのステップ動作時において、主制御装置90は、例えばリニアモータなどを含む駆動系54を制御することにより、ステージ本体52をY軸方向にステップ駆動する。駆動系54は、後述する基板アライメント動作時に基板PをXY平面内の3自由度(X、Y、θz)方向に微小駆動することも可能である。基板P(ステージ本体52)の位置情報は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系56により求められる。   The substrate stage device 50 includes a stage body 52 that holds the back surface (the surface opposite to the exposure surface) of the substrate P. Returning to FIG. 2, during the step operation for changing the partitioned area to be exposed in the Y-axis direction, the main controller 90 controls the drive system 54 including, for example, a linear motor to move the stage main body 52 to the Y direction. Step drive in the axial direction. The drive system 54 can also finely drive the substrate P in the three degrees of freedom (X, Y, θz) directions in the XY plane during the substrate alignment operation described later. The position information of the substrate P (stage main body 52) is obtained by the measurement system 56 including, for example, a linear encoder.

図1に戻り、アライメント系60は、例えば2つのアライメント顕微鏡62、64を備えている。アライメント顕微鏡62、64は、基板PとマスクMとの間に形成される空間内(Z軸方向に関して基板PとマスクMとの間の位置)に配置されており、基板Pに形成されたアライメントマークMk(以下、単にマークMkと称する)、及びマスクMに形成されたマーク(不図示)を検出する。本実施形態において、マークMkは、各区画領域の四隅部近傍それぞれに1つ(1つの区画領域につき、例えば4つ)形成されており、マスクMのマークは、投影光学系40を介してマークMkに対応する位置に形成されている。なお、マークMk、及びマスクMのマークの数、及び位置については、これに限定されず、適宜変更が可能である。また、各図面において、マークMkは、理解を容易にするため、実際よりも大きく図示されている。   Returning to FIG. 1, the alignment system 60 includes, for example, two alignment microscopes 62 and 64. The alignment microscopes 62 and 64 are arranged in a space formed between the substrate P and the mask M (a position between the substrate P and the mask M in the Z-axis direction), and the alignment formed on the substrate P. The mark Mk (hereinafter, simply referred to as the mark Mk) and the mark (not shown) formed on the mask M are detected. In the present embodiment, one mark Mk is formed in the vicinity of the four corners of each partitioned region (for example, four for each partitioned region), and the mark of the mask M is a mark formed through the projection optical system 40. It is formed at a position corresponding to Mk. The numbers and positions of the marks Mk and the marks of the mask M are not limited to this, and can be changed as appropriate. Further, in each drawing, the mark Mk is shown larger than it actually is in order to facilitate understanding.

一方のアライメント顕微鏡62は、投影系本体42の+X側に配置され、他方のアライメント顕微鏡64は、投影系本体42の−X側に配置されている。アライメント顕微鏡62、64は、それぞれY軸方向に離間した一対の検出視野(検出領域)を有しており、ひとつの区画領域内のY軸方向に離間した、例えば2つのマークMkを同時に検出することができるようになっている。   One alignment microscope 62 is arranged on the +X side of the projection system main body 42, and the other alignment microscope 64 is arranged on the −X side of the projection system main body 42. The alignment microscopes 62 and 64 each have a pair of detection fields (detection regions) separated in the Y-axis direction, and simultaneously detect, for example, two marks Mk that are separated in the Y-axis direction in one partitioned region. You can do it.

また、アライメント顕微鏡62、64は、マスクMに形成されたマークと、基板Pに形成されたマークMkとを同時に(換言すると、アライメント顕微鏡62、64の位置を変えずに)検出することが可能となっている。主制御装置90は、例えばマスクMがXステップ動作、又は基板PがYステップ動作を行う毎に、マスクMに形成されたマークと基板Pに形成されたマークMkとの相対的な位置ずれ情報を求め、該位置ずれを補正する(打ち消す、又は低減する)ように基板PとマスクMとのXY平面に沿った方向の相対的な位置決めを行う。なお、アライメント顕微鏡62、64は、マスクMのマークを検出(観察)するマスク検出部と、基板PのマークMkを検出(観察)する基板検出部とが、共通の筐体等によって一体的に構成されており、その共通の筐体を介して駆動系66により駆動される。あるいは、マスク検出部と基板検出部とが個別の筐体等によって構成されていても良く、その場合には、例えばマスク検出部と基板検出部とが実質的に共通の駆動系66によって同等の動作特性をもって移動できるように構成することが好ましい。   Further, the alignment microscopes 62 and 64 can simultaneously detect the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P (in other words, without changing the positions of the alignment microscopes 62 and 64). Has become. The main controller 90, for example, each time the mask M performs the X-step operation or the substrate P performs the Y-step operation, the relative positional deviation information between the mark formed on the mask M and the mark Mk formed on the substrate P. And the relative positioning of the substrate P and the mask M in the directions along the XY plane is performed so as to correct (cancel or reduce) the positional deviation. In the alignment microscopes 62 and 64, a mask detection unit that detects (observes) the mark of the mask M and a substrate detection unit that detects (observes) the mark Mk of the substrate P are integrally formed by a common housing or the like. It is configured and driven by the drive system 66 via the common housing. Alternatively, the mask detection unit and the substrate detection unit may be configured by separate housings or the like. In that case, for example, the mask detection unit and the substrate detection unit are substantially equivalent by a common drive system 66. It is preferable to be configured so that it can move with operating characteristics.

主制御装置90(図2参照)は、例えばリニアモータなどを含む駆動系66(図2参照)を制御することにより、アライメント顕微鏡62、64を、X軸方向に所定の長ストロークでそれぞれ独立に駆動する。また、主制御装置90は、例えばリニアエンコーダなどを含む計測系68を介してアライメント顕微鏡62、64それぞれのX軸方向の位置情報を求め、該位置情報に基づいてアライメント顕微鏡62、64の位置制御をそれぞれ独立して行う。また、駆動系66は、アライメント顕微鏡62、64をY軸方向に駆動するための、例えばリニアモータも併せて有している。   Main controller 90 (see FIG. 2) controls alignment microscopes 62 and 64 independently by a predetermined long stroke in the X-axis direction by controlling drive system 66 (see FIG. 2) including, for example, a linear motor. To drive. The main controller 90 also obtains position information in the X-axis direction of each of the alignment microscopes 62 and 64 via a measurement system 68 including a linear encoder, and controls the position of the alignment microscopes 62 and 64 based on the position information. Each independently. The drive system 66 also has, for example, a linear motor for driving the alignment microscopes 62 and 64 in the Y-axis direction.

ここで、アライメント系60のアライメント顕微鏡62、64と、上述した投影光学系40の投影系本体42とは、物理的(機械的)に独立(分離)した要素であり、主制御装置90(図2参照)によって互いに独立して駆動(速度、及び位置)制御が行われるが、アライメント顕微鏡62、64を駆動する駆動系66と、投影系本体42を駆動する駆動系44とは、X軸方向の駆動に関して、例えばリニアモータ、リニアガイドなどの一部を共用しており、アライメント顕微鏡62、64、及び投影系本体42の駆動特性、あるいは主制御装置90による制御特性が、実質的に同等になるように構成されている。   Here, the alignment microscopes 62 and 64 of the alignment system 60 and the projection system main body 42 of the projection optical system 40 described above are elements that are physically (mechanically) independent (separated), and the main controller 90 (see FIG. Drive (speed and position) control is performed independently of each other (see 2), but the drive system 66 that drives the alignment microscopes 62 and 64 and the drive system 44 that drives the projection system body 42 are in the X-axis direction. In regard to the drive of, for example, a part of a linear motor, a linear guide, etc. is shared, and the drive characteristics of the alignment microscopes 62, 64 and the projection system main body 42 or the control characteristics by the main controller 90 are substantially equal. Is configured to be.

具体的に一例をあげると、例えばムービングコイル式のリニアモータによってアライメント顕微鏡62、64、投影系本体42それぞれをX軸方向に駆動する場合には、固定子である磁性体(例えば、永久磁石など)ユニットが上記駆動系66と駆動系44とで共用される。これに対し、可動子であるコイルユニットは、アライメント顕微鏡62、64、投影系本体42それぞれが独立に有しており、主制御装置90(図2参照)は、該コイルユニットに対する電力供給を個別に行うことにより、アライメント顕微鏡62、64のX軸方向への駆動(速度、及び位置)と、投影系本体42のX軸方向への駆動(速度、及び位置)とを、独立に制御する。従って、主制御装置90は、X軸方向に関するアライメント顕微鏡62、64と投影系本体42との各々の間隔(距離)を、可変とする(任意に変化させる)ことができる。また、主制御装置90は、X軸方向に関して、アライメント顕微鏡62、64と投影系本体42とを、異なるスピードで移動させることもできる。   As a specific example, when the alignment microscopes 62 and 64 and the projection system main body 42 are driven in the X-axis direction by, for example, a moving coil type linear motor, a magnetic body (for example, a permanent magnet or the like) that is a stator is used. The unit is shared by the drive system 66 and the drive system 44. On the other hand, in the coil unit which is the mover, the alignment microscopes 62 and 64 and the projection system main body 42 are independently provided, and the main controller 90 (see FIG. 2) individually supplies power to the coil unit. By doing so, the driving (speed and position) of the alignment microscopes 62 and 64 in the X-axis direction and the driving (speed and position) of the projection system main body 42 in the X-axis direction are independently controlled. Therefore, main controller 90 can change (arbitrarily change) the distance (distance) between alignment microscopes 62 and 64 and projection system main body 42 in the X-axis direction. Further, main controller 90 can also move alignment microscopes 62 and 64 and projection system body 42 at different speeds in the X-axis direction.

主制御装置90(図2参照)は、アライメント顕微鏡62及び64の少なくとも一方を用いて基板P上に形成された複数のマークMkを検出し、該検出結果(複数のマークMkの位置情報)に基づいて、公知のエンハンスト・グローバル・アライメント(EGA)方式によって、検出対象のマークMkが形成された区画領域の配列情報(区画領域の位置(座標値)、形状等に関する情報を含む)を算出する。   Main controller 90 (see FIG. 2) detects a plurality of marks Mk formed on substrate P using at least one of alignment microscopes 62 and 64, and uses the detection result (positional information of a plurality of marks Mk) as the detection result. Based on this, the array information (including information on the position (coordinate value), shape, etc. of the partitioned area) of the partitioned area in which the mark Mk to be detected is formed is calculated by the known enhanced global alignment (EGA) method. ..

具体的には、走査露光動作において、主制御装置90(図2参照)は、該走査露光動作に先立って、投影系本体42の+X側に配置されたアライメント顕微鏡62を用いて、少なくとも露光対象の区画領域内に形成された、例えば4つのマークMkの位置検出を行って該区画領域の配列情報を算出する。主制御装置90は、算出した露光対象の区画領域の配列情報に基づいて、基板PのXY平面内の3自由度方向の精密な位置決め(基板アライメント動作)を行いつつ、照明系20、及び投影光学系40を適宜制御して、対象の区画領域に対する走査露光動作(マスクパターンの転写)を行う。   Specifically, in the scanning exposure operation, the main control device 90 (see FIG. 2) uses the alignment microscope 62 arranged on the +X side of the projection system main body 42 to expose at least the exposure target, prior to the scanning exposure operation. The position information of, for example, four marks Mk formed in the partitioned area is detected to calculate the array information of the partitioned area. The main controller 90 performs precise positioning (substrate alignment operation) of the substrate P in the three-degree-of-freedom directions in the XY plane based on the calculated array information of the partitioned areas to be exposed, and the illumination system 20 and the projection. By appropriately controlling the optical system 40, the scanning exposure operation (transfer of the mask pattern) is performed on the target partitioned area.

次に、投影光学系40が有する投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)、及びアライメント系60が有するアライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68の具体的な構成について説明する。   Next, a measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system body 42 of the projection optical system 40, and a measurement system 68 for obtaining the position information of the alignment microscopes 62, 64 of the alignment system 60. The specific configuration of will be described.

図3に示されるように、液晶露光装置10は、投影系本体42を走査方向に案内するためのガイド80を有している。ガイド80は、走査方向に平行に延びる部材から成る。ガイド80は、アライメント顕微鏡62の走査方向への移動を案内する機能も有する。また、図3では、ガイド80がマスクMと基板Pとの間に図示されているが、実際には、ガイド80は、Y軸方向に関して照明光ILの光路を避けた位置に配置されている。   As shown in FIG. 3, the liquid crystal exposure apparatus 10 has a guide 80 for guiding the projection system main body 42 in the scanning direction. The guide 80 is composed of a member extending parallel to the scanning direction. The guide 80 also has a function of guiding the movement of the alignment microscope 62 in the scanning direction. Further, although the guide 80 is shown between the mask M and the substrate P in FIG. 3, the guide 80 is actually arranged in a position avoiding the optical path of the illumination light IL in the Y-axis direction. ..

ガイド80には、少なくとも走査方向に平行な方向(X軸方向)を周期方向とする反射型の回折格子を含むスケール82が固定されている。また、投影系本体42は、スケール82に対向して配置されたヘッド84を有している。本実施形態では、上記スケール82とヘッド84とにより、投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)を構成するエンコーダシステムが形成されている。また、アライメント顕微鏡62、64は、スケール82に対向して配置されたヘッド86を各々有している(図3において、アライメント顕微鏡64は不図示)。本実施形態では、上記スケール82とヘッド86とにより、アライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68(図2参照)を構成するエンコーダシステムが形成されている。ここで、ヘッド84、86は、それぞれスケール82に対してエンコーダ計測用のビームを照射し、スケール82を介したビーム(スケール82による反射ビーム)を受光して、その受光結果に基づいてスケール82に対する相対的な位置情報を出力可能となっている。   A scale 82 including a reflection type diffraction grating having a periodic direction at least in a direction parallel to the scanning direction (X-axis direction) is fixed to the guide 80. Further, the projection system main body 42 has a head 84 which is arranged so as to face the scale 82. In the present embodiment, the scale 82 and the head 84 form an encoder system that constitutes a measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining position information of the projection system body 42. The alignment microscopes 62 and 64 each have a head 86 arranged to face the scale 82 (the alignment microscope 64 is not shown in FIG. 3). In the present embodiment, the scale 82 and the head 86 form an encoder system that constitutes a measurement system 68 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the alignment microscopes 62 and 64. Here, the heads 84 and 86 respectively irradiate the scale 82 with a beam for encoder measurement, receive a beam that has passed through the scale 82 (a reflected beam by the scale 82), and based on the light reception result, the scale 82. It is possible to output position information relative to.

このように、本実施形態において、スケール82は、投影系本体42の位置情報を求めるための計測系46(図2参照)を構成し、アライメント顕微鏡62、64の位置情報を求めるための計測系68(図2参照)を構成する。すなわち、投影系本体42とアライメント顕微鏡62、64とは、スケール82に形成された回折格子によって設定される共通の座標系(測長軸)に基づいて位置制御が行われる。なお、投影系本体42を駆動するための駆動系44(図2参照)、及びアライメント顕微鏡62、64を駆動するための駆動系66(図2参照)は、要素が一部共通であっても良いし、完全に独立した要素により構成されていても良い。   As described above, in the present embodiment, the scale 82 constitutes the measurement system 46 (see FIG. 2) for obtaining the position information of the projection system main body 42, and the measurement system for obtaining the position information of the alignment microscopes 62 and 64. 68 (see FIG. 2). That is, the projection system body 42 and the alignment microscopes 62 and 64 are position-controlled based on a common coordinate system (measurement axis) set by the diffraction grating formed on the scale 82. The drive system 44 (see FIG. 2) for driving the projection system main body 42 and the drive system 66 (see FIG. 2) for driving the alignment microscopes 62 and 64 may have some common elements. It may be good or may be composed of completely independent elements.

なお、上記計測系46、68(それぞれ図2参照)を構成するエンコーダシステムは、測長軸が、例えばX軸方向(走査方向)のみであるリニア(1DOF)エンコーダシステムであっても良いし、より多くの測長軸を有しても良い。例えば、ヘッド84、86をY軸方向に所定間隔で複数配置することにより、投影系本体42、アライメント顕微鏡62、64のθz方向の回転量を求めても良い。また、スケール82にXY2次元回折格子を形成し、X、Y、θz方向の3自由度方向に測長軸を有する3DOFエンコーダシステムとしても良い。さらに、ヘッド84、86として、回折格子の周期方向と併せてスケール面に直交する方向の測長が可能な公知の2次元ヘッドを複数用いることにより、投影系本体42、アライメント顕微鏡62の6自由度方向の位置情報を求めても良い。   The encoder system that constitutes the measurement systems 46 and 68 (see FIG. 2 respectively) may be a linear (1 DOF) encoder system in which the length measurement axis is only in the X-axis direction (scanning direction), for example. It may have more length measurement axes. For example, by arranging a plurality of heads 84 and 86 at predetermined intervals in the Y-axis direction, the rotation amount of the projection system main body 42 and the alignment microscopes 62 and 64 in the θz direction may be obtained. Further, an XY two-dimensional diffraction grating may be formed on the scale 82, and a 3DOF encoder system having a length measuring axis in the three degrees of freedom in the X, Y, and θz directions may be used. Further, as the heads 84 and 86, by using a plurality of known two-dimensional heads capable of measuring the length in the direction orthogonal to the scale surface together with the periodic direction of the diffraction grating, the projection system main body 42 and the alignment microscope 62 can be freely moved. The position information in the degree direction may be obtained.

次に、液晶露光装置10を用いたステップ・アンド・スキャン方式の露光動作について、図4(a)〜図5(d)を用いて説明する。以下の露光動作(アライメント動作を含む)は、主制御装置90の管理下で行われる。なお、露光動作時の基板PとマスクMとの関係を説明するための図4(a)〜図5(d)では、理解を容易にするため、基板Pに形成される回路パターンをFの字で説明するものとする。   Next, a step-and-scan type exposure operation using the liquid crystal exposure apparatus 10 will be described with reference to FIGS. 4(a) to 5(d). The following exposure operation (including alignment operation) is performed under the control of main controller 90. 4(a) to 5(d) for explaining the relationship between the substrate P and the mask M during the exposure operation, the circuit pattern formed on the substrate P is indicated by F in order to facilitate understanding. It shall be explained in letters.

また、実際には、照明光IL(図1参照)が照射されない場合は、基板P上に露光領域IAは生成されないが、ここでは理解を容易にするため、図4(a)〜図5(d)において、露光領域IAが白く図示されている場合は、照明系20(図1参照)からの照明光ILにより基板P上に露光領域IAが生成されているものとし、露光領域IAが黒く図示されている場合は、照明光ILが照射されていないものとする。   Further, in reality, when the illumination light IL (see FIG. 1) is not irradiated, the exposure area IA is not generated on the substrate P, but here, for ease of understanding, FIG. 4A to FIG. In d), when the exposure area IA is illustrated as white, it is assumed that the exposure area IA is generated on the substrate P by the illumination light IL from the illumination system 20 (see FIG. 1), and the exposure area IA is black. In the illustrated case, it is assumed that the illumination light IL is not emitted.

図4(a)に示されるように、本実施形態において、露光順が最初である区画領域(以下、第1ショット領域Sと称する)は、基板Pの−X側且つ−Y側に設定されている。マスクMは、基板Pの第1ショット領域Sに対向している。主制御装置90(図4(a)〜図5(d)では不図示。図2参照)は、アライメント顕微鏡62(図2参照)を用いてマスクMと第1ショット領域Sとの相対的な位置決めを行う。具体的には、主制御装置90は、アライメント顕微鏡62を+X方向に駆動して、第1ショット領域S内に形成されたマークMk(不図示)を検出する。主制御装置90は、このアライメント顕微鏡62の検出結果に基づいて基板PのXY平面内の3自由度方向の精密な位置決めを行う。なお、主制御装置90は、他のショット領域を露光する際にも、露光前のアライメント顕微鏡62をX軸方向に駆動させマークMkを検出し、その検出結果に基づいて基板Pの微小位置決めを行うが、以下では説明を省略する。 As shown in FIG. 4A, in this embodiment, the partitioned area having the first exposure order (hereinafter referred to as the first shot area S 1 ) is set on the −X side and the −Y side of the substrate P. Has been done. The mask M faces the first shot region S 1 of the substrate P. The main controller 90 (not shown in FIGS. 4A to 5D, see FIG. 2) uses the alignment microscope 62 (see FIG. 2) to move the mask M and the first shot region S 1 relative to each other. The correct positioning. Specifically, main controller 90 drives alignment microscope 62 in the +X direction to detect mark Mk (not shown) formed in first shot region S 1 . Main controller 90 performs precise positioning of substrate P in the three degrees of freedom in the XY plane based on the detection result of alignment microscope 62. The main controller 90 detects the mark Mk by driving the pre-exposure alignment microscope 62 in the X-axis direction even when exposing another shot area, and finely positions the substrate P based on the detection result. However, the description is omitted below.

この後、主制御装置90は、図4(b)に示されるように、露光領域IAが基板P上で+X方向に等速で移動するように、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)を+X方向に同期駆動する。   Thereafter, as shown in FIG. 4B, main controller 90 causes illumination system main body 22 and projection system main body 42 (so that exposure area IA moves on substrate P in the +X direction at a constant speed. 1 and 2) are synchronously driven in the +X direction.

図4(c)には、第1ショット領域Sへの露光動作が終了した直後の状態が示されている。次いで、主制御装置90は、第1ショット領域Sの+Y側に設定された第2ショット領域Sに対して露光動作を行うために、図4(d)に示されるように、基板Pを−Y方向にYステップ駆動(図4(d)の黒矢印参照)する。これにより、マスクMが基板P上の第2ショット領域Sに対向する。 FIG. 4C shows a state immediately after the exposure operation to the first shot area S 1 is completed. Next, the main controller 90 performs the exposure operation on the second shot area S 2 set on the +Y side of the first shot area S 1 to expose the substrate P as shown in FIG. 4D. Is driven in the Y direction in the Y step (see the black arrow in FIG. 4D). As a result, the mask M faces the second shot region S 2 on the substrate P.

この後、主制御装置90は、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)を−X方向に同期駆動して、第2ショット領域Sへの露光動作を行う。このように、本実施形態では、第1回目の露光動作と、第2回目の露光動作とで、照明光IL(露光領域IA)の走査方向が逆転する。 After that, the main controller 90 synchronously drives the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIGS. 1 and 2 respectively) in the −X direction to perform the exposure operation to the second shot area S 2 . .. As described above, in the present embodiment, the scanning direction of the illumination light IL (exposure area IA) is reversed between the first exposure operation and the second exposure operation.

次いで、主制御装置90は、図5(a)に示されるように、第3ショット領域S(第2ショット領域Sの+X側)に対して露光動作を行うために、マスクMを+X方向にXステップ駆動(図5(a)の黒矢印参照)する。この状態で、図5(b)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第3ショット領域SにマスクMのパターンが転写される。なお、図4(e)に示される状態から、マスクMが+X方向にXステップ駆動されているときに、照明系本体22及び投影系本体42をマスクMの+X方向にXステップ駆動が完了した後すぐに第3ショット領域SにマスクMのパターンを転写しやすい位置に駆動させておいてもよい。換言すると、マスクMをX方向にXステップ駆動させているときに、照明系本体22及び投影系本体42を第3ショット領域Sの露光開始位置まで予め駆動させておく。それに、第3ショット領域Sの露光開始までの時間を短縮することができる。 Next, as shown in FIG. 5A, the main controller 90 sets the mask M to +X in order to perform the exposure operation on the third shot area S 3 (+X side of the second shot area S 1 ). X step drive in the direction (see the black arrow in FIG. 5A). In this state, as shown in FIG. 5B, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, whereby the pattern of the mask M is transferred to the third shot area S 3 . From the state shown in FIG. 4E, when the mask M is driven in the +X direction by X steps, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 are completed by the X step driving in the +X direction of the mask M. Immediately after that, it may be driven to a position where the pattern of the mask M is easily transferred to the third shot area S 3 . In other words, while the mask M is being driven in the X direction by X steps, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 are previously driven to the exposure start position of the third shot region S 3 . In addition, it is possible to shorten the time until the exposure of the third shot area S 3 is started.

図5(c)には、第4ショット領域S(第3ショット領域Sの−Y側)に対して露光動作を行うために、図5(b)に示される状態から、基板Pが+Y方向にYステップ駆動された状態が示されている。この状態で、図5(d)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査され、これにより、第4ショット領域Sにマスク2のパターンが転写される。 In FIG. 5C, the substrate P is moved from the state shown in FIG. 5B in order to perform the exposure operation on the fourth shot area S 4 (−Y side of the third shot area S 3 ). The state where Y steps are driven in the +Y direction is shown. In this state, as shown in FIG. 5D, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the −X direction, whereby the pattern of the mask 2 is transferred to the fourth shot area S 4 .

以上説明した第1の実施形態に係る液晶露光装置10によれば、走査方向に隣接する2つの区画領域に対して走査露光を行う際、基板PのX軸方向の位置を変えずにマスクMを走査方向(X軸方向)にステップ移動させるので、基板ステージ装置50(図1参照)のフットプリント、つまり液晶露光装置10の設置面積の増大を抑制できる。従って、液晶露光装置10全体をコンパクトにすることができる。   According to the liquid crystal exposure apparatus 10 according to the first embodiment described above, when performing scanning exposure on two partitioned areas that are adjacent in the scanning direction, the mask M does not change the position of the substrate P in the X-axis direction. Is moved in the scanning direction (X-axis direction), it is possible to suppress an increase in the footprint of the substrate stage device 50 (see FIG. 1), that is, the installation area of the liquid crystal exposure device 10. Therefore, the entire liquid crystal exposure apparatus 10 can be made compact.

また、基板PをYステップ移動させることができるので、照明系本体22、及び投影系本体42(すなわち照明光ILの光軸)のY軸方向に対する位置を変えることなく、Y軸方向に対して異なる位置の区画領域に対して走査露光動作を行うことができる。これにより、照明系20、及び投影光学系40それぞれを単軸(X軸)ステージ装置として構成することができ、装置構成が簡単になる。また、照明系本体22、及び投影系本体42の位置制御性が向上する。   Further, since the substrate P can be moved in Y steps, the positions of the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (that is, the optical axis of the illumination light IL) with respect to the Y-axis direction can be changed with respect to the Y-axis direction. The scanning exposure operation can be performed on the divided areas at different positions. Accordingly, the illumination system 20 and the projection optical system 40 can be configured as a single-axis (X-axis) stage device, and the device configuration is simplified. Further, the position controllability of the illumination system body 22 and the projection system body 42 is improved.

《第2の実施形態》
次に第2の実施形態に係る液晶露光装置について、図6(a)〜図7(e)を用いて説明する。第2の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、マスクM上に形成される照明領域、及び基板P上に形成される露光領域の形状が異なる点、及び照明系20及び投影光学系40がY軸方向にステップ移動可能である点を除き、上記第1の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
<<Second Embodiment>>
Next, a liquid crystal exposure apparatus according to the second embodiment will be described with reference to FIGS. 6(a) to 7(e). In the configuration of the liquid crystal exposure apparatus according to the second embodiment, the illumination area formed on the mask M and the exposure area formed on the substrate P have different shapes, and the illumination system 20 and the projection optical system 40 are different. It is the same as the first embodiment except that it can be moved stepwise in the Y-axis direction, so only the differences will be described below, and regarding the elements having the same configurations and functions as the first embodiment, The same reference numerals as those in the first embodiment are given and the description thereof is omitted.

図6(a)に示されるように、本第2の実施形態において、照明領域IAMは、Y軸方向に離間した、例えば2つの矩形の領域により形成される。照明領域IAMを構成する、例えば2つの矩形の領域それぞれのY軸方向の長さは、マスクMのY軸方向の長さの、例えば1/4程度に設定されている。また、照明領域IAMを構成する、例えば2つの矩形の領域の間の間隔も、同様にマスクMのY軸方向の長さの、例えば1/4程度に設定されている。   As shown in FIG. 6A, in the second embodiment, the illumination area IAM is formed by, for example, two rectangular areas that are separated in the Y-axis direction. The length in the Y-axis direction of each of the two rectangular regions forming the illumination region IAM is set to, for example, about 1/4 of the length of the mask M in the Y-axis direction. Further, the interval between, for example, two rectangular regions forming the illumination area IAM is also set to, for example, about 1/4 of the length of the mask M in the Y-axis direction.

本第2の実施形態では、図6(b)に示されるように、マスクMの下端(−Y側の端部)と照明領域IAMの下端(−Y側の端部)とをほぼ一致された状態で、照明光IL(照明領域IAM)が+X方向に走査される。これにより、マスクM上のY軸方向に互いに離間した、例えば2つの帯状の領域が照明される。基板P(図6(b)では不図示。図1参照)は、これらの領域に対応する、Y軸方向に離間した、例えば2つの帯状の領域が露光される。   In the second embodiment, as shown in FIG. 6B, the lower end of the mask M (the end on the −Y side) and the lower end of the illumination region IAM (the end on the −Y side) are substantially aligned. In this state, the illumination light IL (illumination area IAM) is scanned in the +X direction. As a result, for example, two strip-shaped regions that are separated from each other in the Y-axis direction on the mask M are illuminated. The substrate P (not shown in FIG. 6B, see FIG. 1) is exposed in, for example, two strip-shaped regions corresponding to these regions and separated in the Y-axis direction.

また、上記走査露光で転写されたなかったマスクパターンの残りの部分を露光するため、本第2の実施形態では、図6(c)に示されるように、照明領域IAM(及び不図示の露光領域IA)がY軸方向にYステップ移動(図6(c)の白矢印参照)する。具体的には、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)が、それぞれ駆動系24、44(それぞれ図2参照)により、同期してY軸方向に移動するように主制御装置90(図2参照)により制御される。この際、主制御装置90は、マスクM上の未露光の領域と照明領域IAMとのY軸方向に対する位置がほぼ一致するように、照明領域IAMのY軸方向の位置決めを行う。具体的には、主制御装置90により、アライメント顕微鏡62を用いて照明系本体22、投影系本体42、マスクM、及び基板Pの相対的な位置決めを行う。なお、主制御装置90は、照明系本体22、及び投影系本体42が、それぞれの駆動系24、44により、同期してY軸方向に移動させる度に、アライメント顕微鏡62を用いて照明系本体22、投影系本体42、マスクM、及び基板Pの相対的な位置決めを行うが、以下では説明を省略する。   Further, in order to expose the remaining portion of the mask pattern that has not been transferred by the scanning exposure, in the second embodiment, as shown in FIG. 6C, the illumination area IAM (and the exposure not shown) The area IA) moves Y steps in the Y-axis direction (see the white arrow in FIG. 6C). Specifically, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 and FIG. 2, respectively) are synchronously moved in the Y-axis direction by drive systems 24 and 44 (see FIG. 2, respectively). Is controlled by the main controller 90 (see FIG. 2). At this time, the main controller 90 positions the illumination area IAM in the Y-axis direction so that the positions of the unexposed area on the mask M and the illumination area IAM substantially coincide with each other in the Y-axis direction. Specifically, the main controller 90 uses the alignment microscope 62 to relatively position the illumination system body 22, the projection system body 42, the mask M, and the substrate P. The main controller 90 uses the alignment microscope 62 to move the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 each time the drive systems 24 and 44 synchronously move in the Y-axis direction. The relative positioning of 22, the projection system main body 42, the mask M, and the substrate P is performed, but the description thereof is omitted below.

この後、図6(d)に示されるように、照明光IL(照明領域IAM)が−X方向に走査される。これにより、上記第1回目の走査露光動作で基板P(図1参照)に転写できなかったマスクパターンが基板Pに転写される。このように、本第2の実施形態では、基板P(図1参照)上のひとつの区画領域に所望のパターンを形成するために、合計で、例えば2回の走査露光動作を行う。つまり、所望の回路パターンを区画領域に形成するために、投影系本体42をX方向へ往復駆動させて繋ぎ合わせ露光を行う。   Thereafter, as shown in FIG. 6D, the illumination light IL (illumination area IAM) is scanned in the −X direction. As a result, the mask pattern that could not be transferred to the substrate P (see FIG. 1) in the first scanning exposure operation is transferred to the substrate P. As described above, in the second embodiment, in order to form a desired pattern in one divided area on the substrate P (see FIG. 1), the scanning exposure operation is performed, for example, twice in total. That is, in order to form a desired circuit pattern in the partitioned area, the projection system main body 42 is reciprocally driven in the X direction to perform stitching exposure.

次に、第2の実施形態における走査露光動作について、図7(a)〜図7(e)を用いて説明する。図7(a)には、第1ショット領域Sに対して露光動作を行うために、マスクMが基板P上の第1ショット領域Sに対向するように位置決めされた状態が示されている。この状態で、図7(b)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第1ショット領域Sの一部の領域(Y軸方向に互いに離間した、例えば2つの帯状の領域)にマスクMのパターンの一部が転写される。以下、図7(c)に示されるように、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1及び図2参照)が+Y方向にYステップ移動(図7(c)の黒矢印参照)し、この後、図7(d)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査される。これにより、第1ショット領域Sに対してマスクパターンが転写される。 Next, the scanning exposure operation in the second embodiment will be described with reference to FIGS. 7(a) to 7(e). In FIG. 7 (a), in order to perform the exposure operation for the first shot area S 1, and positioned state is shown as the mask M is opposed to the first shot region S 1 on the substrate P There is. In this state, as shown in FIG. 7B, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, and as a result, a partial area of the first shot area S 1 (in the Y-axis direction, each other A part of the pattern of the mask M is transferred to spaced apart (for example, two strip-shaped regions). Hereinafter, as shown in FIG. 7C, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 and FIG. 2, respectively) move Y steps in the +Y direction (see the black arrow in FIG. 7C). Then, thereafter, as shown in FIG. 7D, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the −X direction. As a result, the mask pattern is transferred to the first shot area S 1 .

以下、第2ショット領域Sに対する走査露光動作のために基板Pが−Y方向にYステップ駆動される点(図7(e)参照)、第3ショット領域Sに対する走査露光動作のためにマスクMが+X方向にXステップ駆動される点(不図示)、及び第4ショット領域Sに対する走査露光動作のために基板Pが+Y方向にYステップ駆動される点(不図示)は、それぞれ上記第1の実施形態と同様であるので、説明を省略する。 Hereinafter, for the scanning exposure operation for the second shot area S 2 , the substrate P is driven in Y steps in the −Y direction (see FIG. 7E), and for the scanning exposure operation for the third shot area S 3 . The point at which the mask M is driven in X steps in the +X direction (not shown) and the point in which the substrate P is driven in Y steps in the +Y direction due to the scanning exposure operation for the fourth shot region S 4 (not shown) are respectively. The description is omitted because it is similar to the first embodiment.

以上説明した第2の実施形態によれば、照明領域IAM、及び露光領域IA(照明光ILの光束の断面積)が上記第1の実施形態よりも狭いので、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1参照)を小型化、軽量化することができる。これにより、照明系本体22、及び投影系本体42の位置制御性が向上するので、高速且つ高精度の走査露光動作か可能となる。   According to the second embodiment described above, since the illumination area IAM and the exposure area IA (cross-sectional area of the luminous flux of the illumination light IL) are narrower than those in the first embodiment, the illumination system main body 22 and the projection system are provided. It is possible to reduce the size and weight of the main body 42 (see FIG. 1, respectively). As a result, the position controllability of the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 is improved, so that high-speed and high-precision scanning exposure operation is possible.

《第3の実施形態》
次に第3の実施形態について図8(a)〜図9(e)を用いて説明する。第3の実施形態に係る液晶露光装置の構成は、マスクM上に形成される照明領域、及び基板P上に形成される露光領域の形状が異なる点を除き、上記第2の実施形態と同じであるので、以下、相違点についてのみ説明し、上記第1又は第2の実施形態と同じ構成及び機能を有する要素については、上記第1又は第2の実施形態と同じ符号を付してその説明を省略する。
<<Third Embodiment>>
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. 8(a) to 9(e). The configuration of the liquid crystal exposure apparatus according to the third embodiment is the same as that of the above-described second embodiment, except that the illumination area formed on the mask M and the exposure area formed on the substrate P have different shapes. Therefore, only the differences will be described below, and elements having the same configurations and functions as those of the first or second embodiment will be designated by the same reference numerals as those of the first or second embodiment. The description is omitted.

上記第2の実施形態において、マスクM上に生成される照明領域IAM、及び基板P上に生成される露光領域IAは、2つの領域により形成されていた(図6(a)、図7(a)など参照)のに対し、本第3の実施形態では、図8(a)に示されるように、照明領域IAMは、上記第1の実施形態と同様にY軸方向に延びるひとつの矩形の領域により形成される。ただし、上記第1の実施形態において、照明領域IAMの長さがマスクMのY軸方向の長さとほぼ同じであった(図1など参照)のに対し、本第3の実施形態では、照明領域IAMの長さは、マスクMのY軸方向の長さのほぼ半分である。また、本第3の実施形態でも、上記第2の実施形態と同様に、照明系本体22及び投影系本体42(図1参照)は、Y軸方向にステップ移動可能となっている。   In the second embodiment, the illumination area IAM formed on the mask M and the exposure area IA formed on the substrate P are formed by two areas (FIG. 6A and FIG. On the other hand, in the third embodiment, as shown in FIG. 8A, the illumination area IAM has a rectangular shape extending in the Y-axis direction as in the first embodiment. Is formed by the area. However, in the first embodiment described above, the length of the illumination area IAM is almost the same as the length of the mask M in the Y-axis direction (see FIG. 1 and the like), whereas in the third embodiment, illumination is performed. The length of the region IAM is approximately half the length of the mask M in the Y-axis direction. Also in the third embodiment, as in the second embodiment, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1) can be moved stepwise in the Y-axis direction.

図8(b)に示されるように、本第3の実施形態でも上記第2の実施形態と同様に、マスクMの下端(−Y側の端部)と照明領域IAMの下端(−Y側の端部)とをほぼ一致された状態で、照明光IL(照明領域IAM)が+X方向に走査され、これによりマスクMの下(−Y側)半分のマスクパターンが基板(不図示)に転写される。この後、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1参照)が+Y方向へYステップ駆動(図8(c)の白矢印参照)されるとともに、図8(d)に示されるように、照明光IL(照明領域IAM)が−X方向に走査されること(図8(d)の黒矢印参照)により、マスクパターンの残りの部分(上側(+Y側)半分)が基板(不図示)に転写される。   As shown in FIG. 8B, in the third embodiment as well, as in the second embodiment, the lower end of the mask M (the end on the −Y side) and the lower end of the illumination area IAM (the −Y side). Illumination light IL (illumination area IAM) is scanned in the +X direction in such a manner that the edge of the mask M is almost coincident with the edge of the mask M and the mask pattern of the lower half (−Y side) of the mask M is formed on the substrate (not shown). Transcribed. After that, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 respectively) are driven in the +Y direction by the Y step (see the white arrow in FIG. 8C), and as shown in FIG. 8D. In addition, the illumination light IL (illumination area IAM) is scanned in the −X direction (see the black arrow in FIG. 8D), so that the remaining portion (upper side (+Y side) half) of the mask pattern is not exposed on the substrate (non-exposed). (Shown).

次に、第3の実施形態における走査露光動作について、図9(a)〜図9(e)を用いて説明する。図9(a)には、第1ショット領域Sに対して露光動作を行うために、マスクMが基板P上の第1ショット領域Sに対向するように位置決めされた状態が示されている。この状態で、図9(b)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が+X方向に走査され、これにより、第1ショット領域Sの下(−Y側)半分の領域にマスクMのパターンの一部が転写される。以下、図9(c)に示されるように、照明系本体22、及び投影系本体42(それぞれ図1参照)が+Y方向にYステップ移動(図9(c)の黒矢印参照)し、この後、図9(d)に示されるように、照明光IL(露光領域IA)が−X方向に走査される。これにより、第1ショット領域Sに対してマスクパターンが転写される。 Next, the scanning exposure operation in the third embodiment will be described with reference to FIGS. 9(a) to 9(e). FIG. 9 (a), in order to perform the exposure operation for the first shot area S 1, the mask M is shown positioned state so as to face the first shot area S 1 on the substrate P There is. In this state, as shown in FIG. 9B, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the +X direction, whereby the lower half area (−Y side) of the first shot area S 1 is scanned. A part of the pattern of the mask M is transferred. Thereafter, as shown in FIG. 9C, the illumination system main body 22 and the projection system main body 42 (see FIG. 1 respectively) move Y steps in the +Y direction (see the black arrow in FIG. 9C). After that, as shown in FIG. 9D, the illumination light IL (exposure area IA) is scanned in the −X direction. As a result, the mask pattern is transferred to the first shot area S 1 .

以下、第2ショット領域Sに対する走査露光動作のために基板Pが−Y方向にYステップ駆動される点(図9(e)参照)、第3ショット領域Sに対する走査露光動作のためにマスクMが+X方向にXステップ駆動される点(不図示)、及び第4ショット領域Sに対する走査露光動作のために基板Pが+Y方向にYステップ駆動される点(不図示)は、それぞれ上記第1及び第2の実施形態と同様であるので、説明を省略する。以上説明した第3の実施形態も、上記第2の実施形態と同様の効果を得ることができる。 Hereinafter, for the scanning exposure operation for the second shot area S 2 , the substrate P is driven in Y steps in the −Y direction (see FIG. 9E), and for the scanning exposure operation for the third shot area S 3 . The point at which the mask M is driven in X steps in the +X direction (not shown) and the point in which the substrate P is driven in Y steps in the +Y direction due to the scanning exposure operation for the fourth shot region S 4 (not shown) are respectively. The description is omitted because it is similar to the first and second embodiments. The third embodiment described above can also obtain the same effect as that of the second embodiment.

なお、以上説明した第1〜第3の各実施形態に係る構成は、適宜変更が可能である。例えば上記各実施形態では、マスクMをX軸方向(スキャン方向、走査方向)にXステップ移動させることにより、X軸方向に隣接する、例えば2つの区画領域それぞれにマスクパターンを転写したが、X軸方向に隣接する、例えば3つ以上の区画領域それぞれにマスクパターンを転写しても良い。また、上記実施形態では、基板PをY軸方向にYステップ移動させたが、X軸(スキャン)方向に隣接する複数の区画領域それぞれにマスクパターンを転写できれば、基板Pのステップ駆動機構は、必ずしも必要ではなく、基板Pの位置は固定あっても良い。   The configurations according to the first to third embodiments described above can be modified as appropriate. For example, in each of the above-described embodiments, the mask pattern is transferred to, for example, each of two partitioned areas adjacent to each other in the X-axis direction by moving the mask M in the X-axis direction (scanning direction, scanning direction) by X steps. The mask pattern may be transferred to, for example, each of three or more divided areas that are adjacent in the axial direction. Further, in the above-described embodiment, the substrate P is moved in the Y-axis direction by Y steps. However, if the mask pattern can be transferred to each of a plurality of partitioned regions adjacent in the X-axis (scan) direction, the step driving mechanism of the substrate P is The position of the substrate P is not always necessary and may be fixed.

繋ぎ合わせ露光を行う場合、往路用、復路用のアライメント顕微鏡62を露光方向に対して投影系本体42の前後に配置しても良い。この場合、往路用(第1露光走査用)のアライメント顕微鏡により、マスクMと基板Pとの相対的な位置決め行うためのマークMkを検出し、復路用(第2露光走査用)のアライメント顕微鏡によって、継ぎ部近傍のマークを検出しても良い。継ぎ部近傍のマークとしては、予め基板にマークを形成しても良いし、露光済みのパターンをマークとしても良い。   When performing the joint exposure, the forward and backward alignment microscopes 62 may be arranged before and after the projection system main body 42 with respect to the exposure direction. In this case, the mark Mk for relative positioning between the mask M and the substrate P is detected by the forward path (for the first exposure scanning) alignment microscope, and the return path (for the second exposure scanning) alignment microscope is used. The mark near the joint may be detected. As the mark near the joint, a mark may be formed on the substrate in advance, or an exposed pattern may be used as the mark.

なお、主制御装置90は、照明領域IAMのY軸方向の位置決めを行うためにアライメント顕微鏡62の計測結果を用いず、不図示のエンコーダ等を用いて照明系本体22、及び投影系本体42のY軸方向の位置決めを行うようにしても良い。   The main controller 90 does not use the measurement result of the alignment microscope 62 to position the illumination area IAM in the Y-axis direction, but uses an encoder or the like (not shown) to control the illumination system main body 22 and the projection system main body 42. Positioning in the Y-axis direction may be performed.

また、上記第2及び第3の実施形態では、照明系20(照明系本体22)及び投影光学系40(投影系本体42)がそれぞれY軸方向にステップ移動可能とされたが、これに限られず、マスクステージ装置30のステージ本体32をY軸方向に移動可能とし、マスクM、及び基板PをYステップ移動させても良い。   In the second and third embodiments, the illumination system 20 (illumination system main body 22) and the projection optical system 40 (projection system main body 42) can be moved stepwise in the Y-axis direction. However, the present invention is not limited to this. Instead, the stage body 32 of the mask stage device 30 may be movable in the Y-axis direction, and the mask M and the substrate P may be moved in Y steps.

また、上記各実施形態では、照明系20で用いられる光源、及び該光源から照射される照明光ILの波長は、特に限定されず、例えばArFエキシマレーザ光(波長193nm)、KrFエキシマレーザ光(波長248nm)などの紫外光や、F2レーザ光(波長157nm)などの真空紫外光であっても良い。 Further, in each of the above embodiments, the wavelength of the light source used in the illumination system 20 and the illumination light IL emitted from the light source is not particularly limited, and for example, ArF excimer laser light (wavelength 193 nm), KrF excimer laser light ( It may be ultraviolet light having a wavelength of 248 nm) or vacuum ultraviolet light such as F 2 laser light (having a wavelength of 157 nm).

また、上記実施形態では、光源を含む照明系本体22が走査方向に駆動されたが、これに限られず、例えば特開2000−12422号公報に開示される露光装置と同様に、光源を固定とし、照明光ILのみが走査方向に走査されるようにしても良い。   Further, in the above-described embodiment, the illumination system main body 22 including the light source is driven in the scanning direction. However, the present invention is not limited to this, and the light source is fixed like the exposure apparatus disclosed in JP 2000-12422A, for example. Alternatively, only the illumination light IL may be scanned in the scanning direction.

また、上記各実施形態では、投影光学系40として、等倍系が用いられたが、これに限られず、縮小系、あるいは拡大系を用いても良い。また、投影光学系を有していなくても良い。   Further, in each of the above-described embodiments, the same magnification system is used as the projection optical system 40, but the present invention is not limited to this, and a reduction system or an enlargement system may be used. Further, the projection optical system may not be provided.

また、照明領域IAM、露光領域IAは、上記実施形態ではY軸方向に延びる帯状に形成されたが、これに限られず、例えば米国特許第5,729,331号明細書に開示されるように、千鳥状に配置された複数の領域を組み合わせても良い。   Further, although the illumination area IAM and the exposure area IA are formed in a band shape extending in the Y-axis direction in the above-mentioned embodiment, the invention is not limited to this, and as disclosed in, for example, US Pat. No. 5,729,331. Alternatively, a plurality of areas arranged in a staggered pattern may be combined.

また、上記各実施形態では、マスクM、及び基板Pが、水平面に直交するように配置(いわゆる縦置き配置)されたが、これに限られず、マスクM、及び基板Pは、水平面に平行に配置されても良い。この場合、照明光ILの光軸は、重力方向とほぼ平行とされる。   Further, in each of the above-described embodiments, the mask M and the substrate P are arranged so as to be orthogonal to the horizontal plane (so-called vertical arrangement), but the present invention is not limited to this, and the mask M and the substrate P are parallel to the horizontal plane. It may be arranged. In this case, the optical axis of the illumination light IL is substantially parallel to the gravity direction.

また走査露光動作時にアライメント計測の結果に応じて基板PのXY平面内の微小位置決めを行ったが、これと併せて、走査露光動作前に(あるいは走査露光動作と並行して)基板Pの面位置情報を求め、走査露光動作中に基板Pの面位置制御(いわゆるオートフォーカス制御)を行っても良い。   Further, during the scanning exposure operation, the fine positioning in the XY plane of the substrate P was performed according to the result of the alignment measurement. Together with this, the surface of the substrate P before the scanning exposure operation (or in parallel with the scanning exposure operation). The position information may be obtained and surface position control of the substrate P (so-called autofocus control) may be performed during the scanning exposure operation.

また、上記実施形態のように、ひとつのマスクパターンを区画領域に形成するために、投影系本体42を往復させて繋ぎ合わせ露光を行う場合、互いに異なる検出視野を有する往路用及び復路用のアライメント顕微鏡を走査方向(X方向)に関して投影系本体42の前後に配置する。この場合、往路用(1回目の露光動作用)のアライメント顕微鏡により、区画領域の四隅のマークMkを検出し、復路用(2回目の露光動作用)のアライメント顕微鏡によって、継ぎ部近傍のマークMkを検出しても良い。ここで、継ぎ部とは、往路の走査露光で露光された領域(パターンが転写された領域)と復路の走査露光で露光された領域(パターンが転写された領域)との継ぎ合わせ部分を意味する。継ぎ部近傍のマークMkとしては、予め基板PにマークMkを形成しても良いし、露光済みのパターンをマークMkとしても良い。なお、第1ショット領域Sに限らず、他のショット領域において繋ぎ合わせ露光を行う場合も同様である。上記実施形態では、投影系本体42を+X方向に駆動して走査露光動作を行う場合、往路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡62、復路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡64である。また、投影系本体42を−X方向に駆動して走査露光動作を行う場合、往路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡64、復路用のアライメント顕微鏡はアライメント顕微鏡62である。 Further, when the projection system main body 42 is reciprocated to perform the stitching exposure in order to form one mask pattern in the divided area as in the above-described embodiment, the forward and backward alignments having different detection fields of view are performed. The microscope is arranged in front of and behind the projection system main body 42 with respect to the scanning direction (X direction). In this case, the marks Mk at the four corners of the divided region are detected by the alignment microscope for the forward path (for the first exposure operation), and the marks Mk near the joint are detected by the alignment microscope for the backward path (for the second exposure operation). May be detected. Here, the spliced portion means a spliced portion of the area exposed by the forward scanning exposure (the area where the pattern is transferred) and the area exposed by the backward scanning exposure (the area where the pattern is transferred). To do. As the mark Mk near the joint portion, the mark Mk may be formed on the substrate P in advance, or an exposed pattern may be used as the mark Mk. The same applies to the case where joint exposure is performed not only in the first shot area S 1 but also in another shot area. In the above embodiment, when the projection system main body 42 is driven in the +X direction to perform the scanning exposure operation, the forward path alignment microscope is the alignment microscope 62, and the backward path alignment microscope is the alignment microscope 64. When the scanning exposure operation is performed by driving the projection system main body 42 in the −X direction, the forward path alignment microscope is the alignment microscope 64, and the backward path alignment microscope is the alignment microscope 62.

また、露光装置の用途としては、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機EL(Electro-Luminescence)パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びDNAチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、EUV露光装置、X線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。   Further, the application of the exposure apparatus is not limited to the exposure apparatus for liquid crystal that transfers the liquid crystal display element pattern to the rectangular glass plate, and for example, the exposure apparatus for manufacturing an organic EL (Electro-Luminescence) panel, the semiconductor It can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing, a thin film magnetic head, an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, a DNA chip and the like. Further, not only microdevices such as semiconductor elements, but also glass substrates or silicon wafers for manufacturing masks or reticles used in light exposure apparatuses, EUV exposure apparatuses, X-ray exposure apparatuses, electron beam exposure apparatuses, etc. It can also be applied to an exposure device that transfers a circuit pattern onto a substrate.

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状(可撓性を有するシート状の部材)のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が500mm以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。また、露光対象の基板が可撓性を有するシート状である場合には、該シートがロール状に形成されていても良い。この場合、ステージ装置のステップ動作によらず、ロールを回転させる(巻き取る)ことによって、容易に照明領域(照明光)に対して露光対象の区画領域を変更する(ステップ移動させる)ことができる。   The object to be exposed is not limited to the glass plate, and may be another object such as a wafer, a ceramic substrate, a film member, or a mask blank. When the exposure target is a flat panel display substrate, the thickness of the substrate is not particularly limited, and includes, for example, a film-shaped (flexible sheet-shaped member). The exposure apparatus of this embodiment is particularly effective when a substrate having a side length or a diagonal length of 500 mm or more is an exposure target. Further, when the substrate to be exposed has a flexible sheet shape, the sheet may be formed in a roll shape. In this case, it is possible to easily change (step move) the division area of the exposure target with respect to the illumination area (illumination light) by rotating (rolling) the roll regardless of the step operation of the stage device. ..

液晶表示素子(あるいは半導体素子)などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク(あるいはレチクル)を製作するステップ、ガラス基板(あるいはウエハ)を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク(レチクル)のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。   For electronic devices such as liquid crystal display elements (or semiconductor elements), the step of designing the function/performance of the device, the step of manufacturing a mask (or reticle) based on this design step, the step of manufacturing a glass substrate (or wafer) The exposure apparatus of each of the above-described embodiments, and the lithography step of transferring the pattern of the mask (reticle) to the glass substrate by the exposure method, the developing step of developing the exposed glass substrate, and the portion other than the portion where the resist remains It is manufactured through an etching step of removing an exposed member of a portion by etching, a resist removing step of removing unnecessary resist after etching, a device assembling step, an inspection step and the like. In this case, in the lithography step, the above-described exposure method is executed by using the exposure apparatus of the above-described embodiment, and the device pattern is formed on the glass substrate, so that a highly integrated device can be manufactured with high productivity. ..

以上説明したように、本発明の露光装置及び方法は、物体を走査露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法は、フラットパネルディスプレイの生産に適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの生産に適している。   As described above, the exposure apparatus and method of the present invention are suitable for scanning and exposing an object. Further, the method for manufacturing a flat panel display of the present invention is suitable for producing a flat panel display. Moreover, the device manufacturing method of the present invention is suitable for the production of microdevices.

10…液晶露光装置、20…照明系、30…マスクステージ装置、40…投影光学系、50…基板ステージ装置、60…アライメント系、M…マスク、P…基板。   10... Liquid crystal exposure device, 20... Illumination system, 30... Mask stage device, 40... Projection optical system, 50... Substrate stage device, 60... Alignment system, M... Mask, P... Substrate.

Claims (20)

マスクが有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上に設けられた複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光装置であって、
前記照明光を前記物体に対して発する照明系と、
前記投影像を前記物体に投影する投影系と、
前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとをそれぞれ検出する検出部と、
前記複数の第1マークと前記複数の第2マークとを検出するよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる検出部駆動系と、
前記検出部の検出結果に基づいて前記マスクに対する相対位置が調整された前記物体上の第1区画領域が前記走査露光されるよう、互いに対向する前記第1区画領域及び前記マスクに対して、走査方向の一方側に位置する前記照明系及び前記投影系を、前記走査方向の他方側へ相対的に移動させる駆動系と、
前記第1区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向に関して前記第1区画領域の一方側に設けられた第2区画領域に対向するように、前記物体に対して前記マスクを前記走査方向へ相対移動させるマスク駆動系と、を備え、
前記駆動系は、前記マスク駆動系による前記物体に対する前記マスクの前記走査方向への相対移動中に、前記走査方向に関して前記第1区画領域の他方側に位置する前記照明系と前記投影系とを一方側へ移動させ
前記検出部駆動系は、前記第2区画領域に対する前記走査露光の前に、前記走査方向に関して前記照明系及び前記投影系に対する前記検出部の間隔が変更されるよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させる露光装置。
An exposure device that irradiates a pattern of a mask with illumination light and performs scanning exposure while projecting a projected image of the pattern on each of a plurality of partitioned areas provided on an object,
An illumination system that emits the illumination light to the object,
A projection system for projecting the projection image onto the object;
A detection unit that detects a plurality of first marks formed on the mask and separated from each other in the scanning direction, and a plurality of detection units that detect a plurality of second marks formed on the object and separated from each other in the scanning direction;
A detection unit drive system that moves the detection unit in the scanning direction so as to detect the plurality of first marks and the plurality of second marks;
As the first divided area on the object the relative positions are adjusted relative to the mask based on a detection result of the detecting unit is the scanning exposure, with respect to the first divided area and the mask facing each other, scanning A drive system that relatively moves the illumination system and the projection system located on one side in the direction to the other side in the scanning direction;
The mask is opposed to the object in the scanning direction so that the mask opposes the second partitioned area provided on one side of the first partitioned area in the scanning direction. And a mask drive system for relative movement,
The drive system includes the projection system and the illumination system located on the other side of the first partitioned area in the scanning direction during relative movement of the mask in the scanning direction with respect to the object by the mask driving system. Move it to one side ,
The detection unit drive system moves the detection unit in the scanning direction so that the distance between the detection unit and the illumination system and the projection system with respect to the scanning direction is changed before the scanning exposure for the second partitioned area. It is not Ru exposure device moving to.
前記駆動系は、前記検出部の検出結果に基づいて前記マスクに対する相対位置が調整された前記第2区画領域が前記走査露光されるよう、前記照明系と前記投影系とを、前記走査方向に関して前記第2区画領域の他方側から一方側へ移動させる請求項1に記載の露光装置。 The drive system moves the illumination system and the projection system with respect to the scanning direction so that the scanning exposure is performed on the second partitioned area whose relative position with respect to the mask is adjusted based on the detection result of the detection unit. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is moved from the other side to the one side of the second partitioned area. 前記走査露光された前記第2区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向と交差する非走査方向に関して前記第2区画領域と位置が異なる第3区画領域に対向するように、前記マスクに対して前記物体を前記非走査方向へ相対移動させる物体駆動系を更に備える請求項2に記載の露光装置。   With respect to the mask, the mask facing the scan-exposed second partitioned area faces the third partitioned area whose position is different from that of the second partitioned area in the non-scanning direction intersecting the scanning direction. The exposure apparatus according to claim 2, further comprising an object drive system that relatively moves the object in the non-scanning direction. 前記駆動系は、前記パターンの一部の投影像が前記区画領域の一部に前記走査露光された前記物体と前記マスクとに対して、前記照明系と前記投影系とを前記非走査方向へ相対移動させる請求項3に記載の露光装置。   The drive system moves the illumination system and the projection system in the non-scanning direction with respect to the object and the mask on which the projected image of a part of the pattern is scan-exposed on a part of the partitioned area. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the exposure apparatus is moved relatively. 前記駆動系は、前記パターンの他部の投影像が前記区画領域の他部に前記走査露光されるよう、前記非走査方向に相対移動された前記照明系及び前記投影系を前記走査方向へ相対移動させる請求項4に記載の露光装置。   The driving system relatively moves the illumination system and the projection system, which are relatively moved in the non-scanning direction, in the scanning direction so that the projected image of the other part of the pattern is scanned and exposed on the other part of the divided area. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the exposure apparatus is moved. 前記投影系は、前記区画領域の一部に対する前記走査露光において、前記非走査方向に関して前記区画領域の半分の長さを有する前記パターンの一部の投影像を前記物体に投影する請求項4又は5に記載の露光装置。   5. The projection system projects a projection image of a part of the pattern, which has a half length of the partitioned area in the non-scanning direction, onto the object in the scanning exposure of a part of the partitioned area. The exposure apparatus according to item 5. 前記投影系は、前記区画領域の一部に対する前記走査露光において、前記非走査方向に関して所定間隔で離間した複数の領域から成る前記パターンの一部の投影像を前記物体に投影する請求項4又は5に記載の露光装置。   5. The projection system projects a projection image of a part of the pattern, which is composed of a plurality of regions separated by a predetermined interval in the non-scanning direction, onto the object in the scanning exposure of a part of the partitioned region. The exposure apparatus according to item 5. 前記照明光が前記物体に照射される方向が水平面に平行であり、
前記物体は、前記走査露光される面が前記水平面に対して直交した状態で配置される請求項1〜7の何れか一項に記載の露光装置。
The direction in which the illumination light is applied to the object is parallel to a horizontal plane,
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the object is arranged such that a surface to be scanned and exposed is orthogonal to the horizontal plane.
前記駆動系は、前記照明系を駆動する第1駆動部と、前記投影系を駆動する第2駆動部と、を備え、
前記第1及び第2駆動部は、前記走査露光において、前記照明系と前記投影系とを同期して移動させる請求項1〜8の何れか一項に記載の露光装置。
The drive system includes a first drive unit that drives the illumination system, and a second drive unit that drives the projection system,
9. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the first and second driving units move the illumination system and the projection system in synchronization with each other in the scanning exposure.
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項1〜9の何れか一項に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 1, wherein the object is a substrate used for a flat panel display. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項10に記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 10, wherein the substrate has a length of one side or a diagonal length of 500 mm or more. 請求項10又は11に記載の露光装置を用いてレジストが塗布された前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
Exposing the substrate coated with a resist using the exposure apparatus according to claim 10 or 11;
Developing the exposed substrate, and manufacturing a flat panel display.
請求項1〜9の何れか一項に記載の露光装置を用いてレジストが塗布された前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the object coated with the resist using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 9;
Developing the exposed object.
マスクが有するパターンに対して照明光を照射し、前記パターンの投影像を物体上に設けられた複数の区画領域のそれぞれに投影しながら走査露光を行う露光方法であって、
検出部を前記走査方向へ移動させながら、前記マスク上において走査方向に互いに離れて形成された複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第2マークとを検出することと、
前記第1マーク及び前記第2マークの検出結果に基づいて、対向した状態で互いに相対位置が調整された前記物体上の第1区画領域及び前記マスクに対して、走査方向の一方側に位置する前記照明系及び前記投影系を、前記走査方向の他方側へ相対的に移動させ、前記第1区画領域の前記走査露光を行うことと、
前記第1区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向に関して前記第1区画領域の一方側に設けられた第2区画領域に対向するように、前記物体に対して前記マスクを前記走査方向へ相対移動させることと、
前記物体に対する前記マスクの前記走査方向への相対移動中に、前記走査方向に関して前記第1区画領域の他方側に位置する前記照明系と前記投影系とを一方側へ移動させることと、
前記第2区画領域に対する前記走査露光の前に、前記走査方向に関して前記照明系及び前記投影系に対する前記検出部の間隔が変更されるよう、前記検出部を前記走査方向へ移動させ、前記複数の第1マークと、前記物体上において前記走査方向に互いに離れて形成された複数の第3マークとを検出することと、
前記照明系と前記投影系とを、前記走査方向に関して前記第2区画領域の他方側から一方側へ移動させ、前記マスクに対向された前記第2区画領域の前記走査露光を行うことと、を含む露光方法。
An exposure method of irradiating a pattern of a mask with illumination light and performing scanning exposure while projecting a projected image of the pattern on each of a plurality of divided areas provided on an object,
A plurality of first marks formed on the mask so as to be separated from each other in the scanning direction while moving the detection unit in the scanning direction, and a plurality of second marks formed on the object so as to be separated from each other in the scanning direction. To detect and
Based on the detection result of the first mark and the second mark, it is located on one side in the scanning direction with respect to the first divided area on the object and the mask whose relative positions are adjusted to face each other. Performing the scanning exposure of the first partitioned area by relatively moving the illumination system and the projection system to the other side in the scanning direction;
The mask is opposed to the object in the scanning direction so that the mask opposes the second partitioned area provided on one side of the first partitioned area in the scanning direction. To move it relative to
Moving the illumination system and the projection system located on the other side of the first partitioned area with respect to the scanning direction to one side during relative movement of the mask with respect to the object in the scanning direction;
Prior to the scanning exposure of the second partitioned area, the detection unit is moved in the scanning direction so that the intervals of the detection unit with respect to the illumination system and the projection system with respect to the scanning direction are changed, and Detecting a first mark and a plurality of third marks formed on the object and spaced apart from each other in the scanning direction;
Moving the illumination system and the projection system from the other side to the one side of the second partitioned area in the scanning direction, and performing the scanning exposure of the second partitioned area facing the mask. An exposure method including.
前記走査露光された前記第2区画領域に対向する前記マスクが、前記走査方向と交差する非走査方向に関して前記第2区画領域と位置が異なる第3区画領域に対向するように、前記マスクに対して前記物体を前記非走査方向へ相対移動させることと、を更に含む請求項14に記載の露光方法。   With respect to the mask, the mask facing the scan-exposed second partitioned area faces the third partitioned area whose position is different from that of the second partitioned area in the non-scanning direction intersecting the scanning direction. 15. The exposure method according to claim 14, further comprising: relatively moving the object in the non-scanning direction. 前記パターンの一部の投影像を前記区画領域の一部に対して前記走査露光することと、
前記パターンの一部の投影像が前記区画領域の一部に前記走査露光された前記物体と前記マスクとに対して、前記照明系と前記投影系とを前記非走査方向へ相対移動させることと、
前記非走査方向に相対移動された前記照明系及び前記投影系を前記走査方向へ相対移動させ、前記パターンの他部の投影像を前記区画領域の他部に対して前記走査露光することと、を更に含む請求項14又は15に記載の露光方法。
Exposing the projected image of a part of the pattern to a part of the divided area;
Moving the illumination system and the projection system relative to the non-scanning direction with respect to the object and the mask, in which a projected image of a part of the pattern is scan-exposed on a part of the partitioned area; ,
The illumination system and the projection system relatively moved in the non-scanning direction are relatively moved in the scanning direction, and the projection image of the other part of the pattern is scanned and exposed to the other part of the divided area; The exposure method according to claim 14, further comprising:
前記物体は、フラットパネルディスプレイに用いられる基板である請求項14〜16の何れか一項に記載の露光方法。   The exposure method according to any one of claims 14 to 16, wherein the object is a substrate used for a flat panel display. 前記基板は、少なくとも一辺の長さ又は対角長が500mm以上である請求項17に記載の露光方法。   18. The exposure method according to claim 17, wherein the substrate has a length of at least one side or a diagonal length of 500 mm or more. 請求項17又は18に記載の露光方法を用いてレジストが塗布された前記基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。
Exposing the substrate coated with a resist using the exposure method according to claim 17 or 18;
Developing the exposed substrate, and manufacturing a flat panel display.
請求項14〜16の何れか一項に記載の露光方法を用いてレジストが塗布された前記物体を露光することと、
露光された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
Exposing the object coated with a resist using the exposure method according to any one of claims 14 to 16;
Developing the exposed object.
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