JP6701115B2 - Optical transmitter - Google Patents

Optical transmitter Download PDF

Info

Publication number
JP6701115B2
JP6701115B2 JP2017079168A JP2017079168A JP6701115B2 JP 6701115 B2 JP6701115 B2 JP 6701115B2 JP 2017079168 A JP2017079168 A JP 2017079168A JP 2017079168 A JP2017079168 A JP 2017079168A JP 6701115 B2 JP6701115 B2 JP 6701115B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
driver circuit
output
differential driver
optical
optical waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017079168A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2018180255A (en
Inventor
高橋　雅之
雅之 高橋
慎介 中野
慎介 中野
健太郎 本田
健太郎 本田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2017079168A priority Critical patent/JP6701115B2/en
Publication of JP2018180255A publication Critical patent/JP2018180255A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6701115B2 publication Critical patent/JP6701115B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

本発明は、光通信において用いられるマッハツェンダ光変調器とドライバ回路とで構成される光送信機に関する。特に、信頼度が高く、低消費電力な光送信機に関する。   The present invention relates to an optical transmitter including a Mach-Zehnder optical modulator used in optical communication and a driver circuit. In particular, it relates to an optical transmitter with high reliability and low power consumption.

インターネットを基盤とするサービスの爆発的な進展に伴い、これを支える光通信の大容量化、低電力化への期待はますます高まっている。マッハツェンダ光変調器は、入力側の光導波路に入射した光を２つの光導波路（アーム光導波路）に１：１の強度で分岐し、分岐した光を一定の長さ伝播させた後に、再度合波させて出力する構造を持つ。２つに分岐された光導波路に設けられた位相変調部により、２つの光の位相を変化させることで、合波されるときの光の干渉条件を変え、出力光の強度や位相を変調することができ、波長依存性が小さく、原理的に波長チャープ成分が無い、高速な光変調器として光通信に広く用いられている。   Along with the explosive progress of services based on the Internet, expectations for higher capacity and lower power consumption of optical communications that support the services are increasing. The Mach-Zehnder optical modulator splits the light incident on the input side optical waveguide into two optical waveguides (arm optical waveguides) with a 1:1 intensity, propagates the branched light for a certain length, and then combines them again. It has a structure to output by wave. By changing the phase of the two lights by the phase modulator provided in the optical waveguide that is split into two, the interference condition of the lights when they are combined is changed, and the intensity or phase of the output light is modulated. It is widely used in optical communication as a high-speed optical modulator that has a small wavelength dependence and, in principle, has no wavelength chirp component.

位相変調部の光導波路を構成する材料としては、ＬｉＮｂＯ3等の誘電体、ＩｎＰ，ＧａＡｓ，Ｓｉ等の半導体が用いられ、これらの光導波路近傍に配置された電極に変調電気信号を入力して光導波路に電圧を印加することで、光導波路を伝搬する光の位相を変化させる。特にＳｉ（シリコン）を光導波路として用いたマッハツェンダ光変調器は、小型集積化が可能であることから、次世代の光送信機への応用に向け、近年研究・開発が盛んに行われている。 A dielectric such as LiNbO 3 or a semiconductor such as InP, GaAs, or Si is used as a material forming the optical waveguide of the phase modulator, and a modulated electric signal is input to electrodes arranged near these optical waveguides. By applying a voltage to the optical waveguide, the phase of the light propagating through the optical waveguide is changed. In particular, the Mach-Zehnder optical modulator using Si (silicon) as an optical waveguide can be miniaturized and integrated, and thus research and development have been actively conducted in recent years for application to the next-generation optical transmitter. ..

大容量な光通信を行うためには、変調速度が速いマッハツェンダ光変調器が必要となる。１０Ｇｂｐｓ以上の高速な光変調を、数ボルトの駆動電圧で行うためには、高速の変調電気信号と光導波路を伝播する光の速度を整合(位相速度整合)させ、電気信号を伝搬させながら光と相互作用を行う進行波型電極が必要となる。例えば、非特許文献１では、進行波型電極の長さを、数十ミリメートルにしたマッハツェンダ光変調器が報告されている。   In order to perform large-capacity optical communication, a Mach-Zehnder optical modulator having a high modulation speed is required. In order to perform high-speed optical modulation of 10 Gbps or more with a driving voltage of several volts, the high-speed modulated electric signal and the speed of light propagating in the optical waveguide are matched (phase speed matching), and the optical signal is transmitted while propagating the electric signal. A traveling wave type electrode that interacts with is required. For example, Non-Patent Document 1 reports a Mach-Zehnder optical modulator in which the traveling-wave electrode has a length of several tens of millimeters.

この進行波電極型マッハツェンダ光変調器においては、光導波路方向に沿った変調部の長さＬが大きくなるほど、半波長電圧Ｖπが小さくなることが一般に知られる。半波長電圧Ｖπとは、マッハツェンダ光変調器中を進む光の位相をπずらすのに要する電圧である。このＶπに対してドライバ回路が出力する駆動電圧ＶDRVが大きいほど、変調の度合いが大きいことを意味し、より長距離伝送に適する。そのため、Ｖπの小さな変調器とＶDRVが大きいドライバ回路が一般に要求される。 In this traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator, it is generally known that the half-wave voltage V π decreases as the length L of the modulator along the optical waveguide direction increases. The half-wave voltage V π is a voltage required to shift the phase of light traveling in the Mach-Zehnder optical modulator by π. The larger the drive voltage V DRV output from the driver circuit with respect to V π , the greater the degree of modulation, which is suitable for longer distance transmission. Therefore, a modulator having a small V π and a driver circuit having a large V DRV are generally required.

しかし、Ｖπを小さくする為には、高周波損失を持つ進行波電極を長尺化する必要があり、帯域を律速する要因となる。また、大きなＶDRVを持つ(大出力振幅)のドライバは、大きな電源電圧が必要となる為に消費電力の増大を招く。さらに、ＶDRVの最大値は、信頼性の観点から材料・プロセスによっても制限される。 However, in order to reduce V π , it is necessary to lengthen the traveling wave electrode having a high frequency loss, which becomes a factor that limits the band. Further, a driver having a large V DRV (large output amplitude) requires a large power supply voltage, which causes an increase in power consumption. Further, the maximum value of V DRV is also limited by the material/process from the viewpoint of reliability.

(Ｓｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成）
図１に、従来の一般的な光送信機として、差動ドライバ回路１００と進行波電極型マッハツェンダ光変調器１１０を用いたシリーズプッシュプル駆動構成（Ｓｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成）の光送信機の平面図を示している。差動ドライバ回路１００は、互いに逆位相の信号成分を含む第１の出力１０１と第２の出力１０２を備える。進行波電極型マッハツェンダ光変調器１１０は、入力光カプラ１１１と、それにより１対２本に分岐された第１のアーム光導波路１１２および第２のアーム光導波路１１３と、それらを結合する出力光カプラ１１４とを備える。 (Series push-pull configuration)
FIG. 1 is a plan view of a conventional general optical transmitter having a series push-pull configuration using a differential driver circuit 100 and a traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 110. The figure is shown. The differential driver circuit 100 includes a first output 101 and a second output 102 that include signal components having opposite phases. The traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 110 includes an input optical coupler 111, a first arm optical waveguide 112 and a second arm optical waveguide 113 branched by the input optical coupler 111, and output light coupling them. And a coupler 114.

アーム光導波路１１２および１１３に形成された１対の位相変調部１１５および１１６は、半導体型の光変調器の場合は通常、第１および第２の異なる半導体極性の領域が光導波路に沿って接する半導体接合で構成されるので、等価的にダイオードとして図示している。   In the case of a semiconductor-type optical modulator, the pair of phase modulators 115 and 116 formed in the arm optical waveguides 112 and 113 are usually the first and second regions having different semiconductor polarities and are in contact with each other along the optical waveguides. Since it is composed of a semiconductor junction, it is equivalently shown as a diode.

この１対の位相変調部１１５および１１６のカソード側には、１対２本の第１および第２の進行波電極１２０、１２１が設けられ、差動ドライバ回路１００の第１の出力１０１と第２の出力１０２がそれぞれの進行波電極の入力側に接続される。２本の進行波電極１２０および１２１は、図示しない接続電極（ビア）などによって、光導波路を構成する一方の極性の半導体領域に電気的に接続されている。また、進行波電極１２０および１２１は、それぞれの特性インピーダンスと等しい値を持つ終端抵抗１２２Ａおよび１２２Ｂによって終端され、終端抵抗の他端は共通の第１のバイアス電圧１３０に接続される。   On the cathode side of the pair of phase modulators 115 and 116, the pair of first and second traveling wave electrodes 120 and 121 are provided, and the first output 101 and the first output 101 of the differential driver circuit 100 and the first and second traveling wave electrodes 120 and 121 are provided. Two outputs 102 are connected to the input side of each traveling wave electrode. The two traveling wave electrodes 120 and 121 are electrically connected to one polarity semiconductor region forming the optical waveguide by a connection electrode (via) not shown. Further, traveling wave electrodes 120 and 121 are terminated by terminating resistors 122A and 122B having values equal to their characteristic impedances, and the other ends of terminating resistors are connected to a common first bias voltage 130.

位相変調部１１５および１１６のアノード側の１つの共通のバイアス電極１２３は、図示しない接続電極（ビア）などによって、光導波路を構成する他方の極性の半導体領域に電気的に接続されている。また、共通のバイアス電極１２３は、第２のバイアス電圧１３１に接続される。   One common bias electrode 123 on the anode side of the phase modulators 115 and 116 is electrically connected to the semiconductor region of the other polarity forming the optical waveguide by a connection electrode (via) not shown. Further, the common bias electrode 123 is connected to the second bias voltage 131.

第１のバイアス電圧１３０および第２のバイアス電圧１３１は、変調器を構成する材料によって異なるが、それぞれ一定の好適なＤＣバイアスに設定される。例えば、半導体材料としてシリコン（Ｓｉ）を用いたＳｉ光導波路に形成された、ラテラル型のＰＮ接合を位相変調部として用いるＳｉ光変調器の場合は、ＰＮ接合が逆バイアス状態でなければ、変調速度の劣化を招く。   Although the first bias voltage 130 and the second bias voltage 131 differ depending on the material forming the modulator, they are each set to a constant and suitable DC bias. For example, in the case of a Si optical modulator using a lateral PN junction formed in a Si optical waveguide using silicon (Si) as a semiconductor material as a phase modulator, if the PN junction is not in a reverse bias state, modulation is performed. This leads to speed deterioration.

そのため、第１のバイアス電圧１３０と第２のバイアス電圧１３１は、差動ドライバ回路１００の出力する信号の状態にかかわらず、常にＰＮ接合が逆バイアス状態となるように設定される。図１の例では、第１のバイアス電圧１３０は第２のバイアス電圧１３１よりも高い電位に設定される。   Therefore, the first bias voltage 130 and the second bias voltage 131 are set so that the PN junction is always in the reverse bias state regardless of the state of the signal output from the differential driver circuit 100. In the example of FIG. 1, the first bias voltage 130 is set to a potential higher than the second bias voltage 131.

この構成では、差動ドライバ回路１００の単相の出力振幅をＶPPSとすると、その２倍の値を駆動電圧ＶDRVとして進行波電極型マッハツェンダ光変調器１１０の直列接続された位相変調部１１５および１１６に与えることが出来る。 In this configuration, assuming that the single-phase output amplitude of the differential driver circuit 100 is V PPS , a value twice as large as the drive voltage V DRV is used as the drive voltage V DRV and the phase modulator 115 connected in series in the traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 110. And 116.

(Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成）
図１に示したＳｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成と比較して、さらに大きな駆動電圧を変調器に与えることが出来る構成として、Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ（パラレルプッシュプル）と呼ばれる構成が報告されている。(下記、非特許文献２参照)
図２に、従来のＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成の概略図２（ａ）を、Ｓｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成の概略図２（ｂ）と対比して示す。(非特許文献２、Ｆｉｇ．３より抜粋) (Parallel push-pull configuration)
A configuration called Parallel push-pull (parallel push-pull) has been reported as a configuration capable of applying a larger drive voltage to the modulator as compared with the Series push-pull configuration shown in FIG. (See Non-Patent Document 2 below)
FIG. 2 shows a schematic diagram 2(a) of a conventional Parallel push-pull configuration in comparison with a schematic diagram 2(b) of a Series push-pull configuration. (Excerpt from Non-Patent Document 2, FIG. 3)

図２（ａ）のＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成では、マッハツェンダ光変調器の位相変調部２１５および２１６は、差動ドライバ回路２００に対して逆並列に接続されている。このため、差動ドライバ回路２００の出力Ｖ／２が、そのまま位相変調部２１５および２１６に加わり、図２（ｂ）のＳｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成の差動ドライバ回路３００の出力Ｖの半分で、同様に位相変調部を駆動できる。   In the Parallel push-pull configuration of FIG. 2A, the phase modulators 215 and 216 of the Mach-Zehnder optical modulator are connected in antiparallel to the differential driver circuit 200. Therefore, the output V/2 of the differential driver circuit 200 is directly added to the phase modulators 215 and 216, and half of the output V of the differential driver circuit 300 of the Series push-pull configuration of FIG. Therefore, the phase modulator can be driven.

より具体的には、図１に示す単相のスイングの出力振幅をＶPPSとして、図２（ａ）の差動ドライバ回路２００で駆動をすれば、位相変調部２１５および２１６に入力される信号は、それぞれ−ＶPPSから＋ＶPPSの間で遷移する。その為、図２（ａ）のＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成では全体として実質的に、ＶPPSの４倍の値をＶDRVとしてマッハツェンダ光変調器に与えることが出来ることとなる。 More specifically, when the output amplitude of the single-phase swing shown in FIG. 1 is set to V PPS and driving is performed by the differential driver circuit 200 of FIG. 2A, signals input to the phase modulators 215 and 216. Respectively transit between −V PPS and +V PPS . Therefore, in the Parallel push-pull configuration of FIG. 2A, it is possible to substantially give a value of four times V PPS as V DRV to the Mach-Zehnder optical modulator as a whole.

(Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成のメリット）
一般に、駆動電圧ＶDRVを大きくするためには、ドライバ回路の単相の出力振幅ＶPPSを大きくするしかない。しかし、ＶPPSの限界は、ドライバの材料・プロセスによって決まり、信頼性を担保しながらＶPPSを大きくすることは一般に困難である。また、大きなＶPPSを出力する為には、大きな電源電圧が必要となり、消費電力の増加を招く。 (Advantages of Parallel push-pull configuration)
In general, in order to increase the drive voltage V DRV , there is no choice but to increase the single-phase output amplitude V PPS of the driver circuit. However, the limit of V PPS is determined by the material and process of the driver, and it is generally difficult to increase V PPS while ensuring reliability. Further, in order to output a large V PPS , a large power supply voltage is required, which causes an increase in power consumption.

しかし、上述のようにＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成を用いることで、ＶPPSを変えずとも、その４倍の値をＶDRVとしてマッハツェンダ光変調器に与えることができる。よって、信頼性を担保しながら、図１に示したＳｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成よりも大きなＶDRVを与えることが出来る。さらに、ＶPPSを変えずとも良いことから、電源電圧をＳｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成よりも削減でき、より低消費電力かつ高変調効率化が図れる。 However, by using the Parallel push-pull configuration as described above, a value four times that value can be given to the Mach-Zehnder optical modulator as V DRV without changing V PPS . Therefore, V DRV larger than that of the Series push-pull configuration shown in FIG. 1 can be provided while ensuring reliability. Furthermore, since it is not necessary to change V PPS , the power supply voltage can be reduced as compared with the Series push-pull configuration, and lower power consumption and higher modulation efficiency can be achieved.

David Patel, Samir Ghosh, Mathieu Chagnon, Alireza Samani,Venkat Veerasubramanian, Mohamed Osman, and David V. Plant, ”Design, analysis, and transmission system performance of a 41 GHz silicon photonic modulator”, Opt. Express vol.23, no.11, pp.14263-14275, 2015.David Patel, Samir Ghosh, Mathieu Chagnon, Alireza Samani, Venkat Veerasubramanian, Mohamed Osman, and David V. Plant, “Design, analysis, and transmission system performance of a 41 GHz silicon photonic modulator”, Opt. Express vol.23, no .11, pp.14263-14275, 2015. Robert G. Walker, ”High-Speed III-V Semiconductor Intensity Modulators“, IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 27, NO. 3, pp.654-667, 1991.Robert G. Walker, "High-Speed III-V Semiconductor Intensity Modulators", IEEE JOURNAL OF QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 27, NO. 3, pp.654-667, 1991. Nan Qi, Xi Xiao, Shang Hu, Xianyao Li, Hao Li, Liyuan Liu, Zhiyong Li, Nanjian Wu, and Patrick Yin Chiang, “Co-Design and Demonstration of a 25-Gb/s Silicon-Photonic Mach-Zehnder Modulator With a CMOS-Based High-Swing Driver”, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 22, NO. 6, pp. 3400410, 2016.Nan Qi, Xi Xiao, Shang Hu, Xianyao Li, Hao Li, Liyuan Liu, Zhiyong Li, Nanjian Wu, and Patrick Yin Chiang, “Co-Design and Demonstration of a 25-Gb/s Silicon-Photonic Mach-Zehnder Modulator With a CMOS-Based High-Swing Driver”, IEEE JOURNAL OF SELECTED TOPICS IN QUANTUM ELECTRONICS, VOL. 22, NO. 6, pp. 3400410, 2016.

図２（ａ）で示した従来のＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成では、位相変調部２１５および２１６に入力される信号は、−ＶPPSと＋ＶPPSの間で遷移する。この為、半導体のＰＮ接合を位相変調部としたＳｉ変調器などでは、ＰＮ接合が順バイアス状態と逆バイアス状態の間で遷移することになる。これにより、いわゆるダイオードのリカバリー時間（逆回復時間）が発生し、遅れが生じて変調速度が劣化してしまう。この対策として上記非特許文献３などでは、ドライバ回路を２つ用いて順バイアス状態への遷移を回避する構成を開示しているが、ドライバ回路を２つ含む（Ｄｕａｌ−ｄｒｉｖｅ）ので電子回路規模が増大し、消費電力が増え、信頼度も低下してしまう。 In the conventional Parallel push-pull configuration shown in FIG. 2A, the signals input to the phase modulators 215 and 216 make a transition between -V PPS and +V PPS . Therefore, in a Si modulator having a semiconductor PN junction as a phase modulator, the PN junction transits between a forward bias state and a reverse bias state. This causes a so-called diode recovery time (reverse recovery time), which causes a delay and deteriorates the modulation speed. As a countermeasure against this, Non-Patent Document 3 and the like disclose a configuration in which two driver circuits are used to avoid a transition to a forward bias state, but since two driver circuits are included (dual-drive), the electronic circuit scale is reduced. Increase, power consumption increases, and reliability decreases.

本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、例えばＳｉなどの半導体のＰＮ接合を用いた光変調器に対して、位相変調部の順バイアス状態への遷移を回避しつつＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌを適用し、信頼度が高く、高速、低消費電力かつ高変調効率な光送信機を実現することにある。   The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide an optical modulator using a PN junction of a semiconductor such as Si to a forward bias state of a phase modulator. The purpose is to implement a parallel push-pull while avoiding transitions, and to realize an optical transmitter with high reliability, high speed, low power consumption, and high modulation efficiency.

本発明は、このような目的を達成するために、以下のような構成を備えることを特徴とする。   The present invention is characterized by having the following configuration in order to achieve such an object.

（発明の構成１）
入力光カプラと、前記入力光カプラより１対２本に分岐された第１のアーム光導波路および第２のアーム光導波路と、それらを結合する出力光カプラとを備えた進行波電極型マッハツェンダ光変調器と、差動信号対を出力する第１の出力と第２の出力とを備えた差動ドライバ回路からなる光送信機であって、
前記第１のアーム光導波路および前記第２のアーム光導波路は、光導波路進行方向に沿って、其々、第１の半導体極性を持つ領域および第２の半導体極性を持つ領域からなる位相変調部を備えており、
前記第１のアーム光導波路の前記第１の半導体極性を持つ領域に設けられた第１の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第１の出力とＤＣ接続され、出力端が第１の終端抵抗を通じて第１のバイアス電圧と接続され、
前記第１のアーム光導波路の前記第２の半導体極性を持つ領域に設けられた第２の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第２の出力と第１のキャパシタによってＡＣ接続され、出力端が第２の終端抵抗を通じて第２のバイアス電圧と接続され、
前記第２のアーム光導波路の前記第２の半導体極性を持つ領域に設けられた第３の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第１の出力と第２のキャパシタによってＡＣ接続され、出力端が第３の終端抵抗を通じて前記第２のバイアス電圧と接続され、
前記第２のアーム光導波路の前記第１の半導体極性を持つ領域に設けられた第４の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第２の出力とＤＣ接続され、出力端が第４の終端抵抗を通じて前記第１のバイアス電圧と接続されること
を特徴とする光送信機。 (Structure 1 of the invention)
Traveling wave electrode type Mach-Zehnder light including an input optical coupler, a first arm optical waveguide and a second arm optical waveguide branched into one to two by the input optical coupler, and an output optical coupler coupling them An optical transmitter comprising a modulator and a differential driver circuit having a first output and a second output for outputting a differential signal pair,
Each of the first arm optical waveguide and the second arm optical waveguide has a phase modulation section including a region having a first semiconductor polarity and a region having a second semiconductor polarity along the optical waveguide traveling direction. Is equipped with
An input end of a first traveling wave electrode provided in a region having the first semiconductor polarity of the first arm optical waveguide is DC-connected to the first output of the differential driver circuit, and an output end thereof. Is connected to the first bias voltage through the first terminating resistor,
The input end of the second traveling wave electrode provided in the region having the second semiconductor polarity of the first arm optical waveguide has an input end that is AC by the second output of the differential driver circuit and the first capacitor. And the output end is connected to the second bias voltage through the second terminating resistor,
An input end of a third traveling wave electrode provided in a region having the second semiconductor polarity of the second arm optical waveguide has an input end that is AC by the first output of the differential driver circuit and a second capacitor. And an output terminal connected to the second bias voltage through a third terminating resistor,
The input end of the fourth traveling wave electrode provided in the region having the first semiconductor polarity of the second arm optical waveguide is DC-connected to the second output of the differential driver circuit, and the output end Is connected to the first bias voltage through a fourth terminating resistor
An optical transmitter characterized by.

（発明の構成２）
発明の構成１記載の光送信機であって、
前記差動ドライバ回路がハイパスフィルタ特性を備え、
前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタが同一のキャパシタンスを有し、
前記第１の終端抵抗、前記第２の終端抵抗、前記第３の終端抵抗、そして前記第４の終端抵抗は、それぞれ同一の抵抗値を有し、
前記ハイパスフィルタ特性Ｈ（ｆ）が、ｆを周波数とし、前記第１および第２のキャパシタの有する低域のカットオフ周波数をｆLとし、前記差動ドライバ回路が前記ハイパスフィルタ特性を備えない場合の、前記差動ドライバ回路の第１および第２の出力におけるゲイン特性をｇ（ｆ）とし、ｇ（ｆm）がｇ（ｆL）−３ｄＢとなる周波数をｆmとすると、
Ｈ（ｆ）＜ ｇ（ｆL）−３ｄＢ−ｇ（ｆ） ｆ＜ｆm
Ｈ（ｆ）＝０ ｆ＞ｆm
であることを特徴とする光送信機。 (Structure 2 of the invention)
An optical transmitter according to configuration 1 of the invention,
The differential driver circuit has a high-pass filter characteristic,
The first capacitor and the second capacitor have the same capacitance,
The first terminating resistor, the second terminating resistor, the third terminating resistor, and the fourth terminating resistor have the same resistance value,
In the case where the high-pass filter characteristic H(f) has f as a frequency, a low-frequency cutoff frequency of the first and second capacitors as f L , and the differential driver circuit does not have the high-pass filter characteristic. of the gain characteristics and g (f) in the first and second outputs of the differential driver circuit, and the frequency of g (f m) is g (f L) -3dB and f m,
H (f) <g (f L) -3dB-g (f) f <f m
H (f) = 0 f> f m
An optical transmitter characterized in that.

（発明の構成３）
発明の構成１または２に記載の光送信機において、
前記第１のバイアス電圧および第２のバイアス電圧の値は等しく、前記第１の半導体極性を持つ領域が前記位相変調部のアノードであり、前記第２の半導体極性を持つ領域が前記位相変調部のカソードであり、
前記差動ドライバ回路の前記第１および第２の出力の直流動作電圧をＶDとし、その単相の電圧振幅の大きさをＶPPSとした場合に、前記第１または第２のバイアス電圧の値ＶBIASは
ＶBIAS ≧ＶD＋ＶPPS
となることを特徴とする光送信機。 (Structure 3 of the invention)
In the optical transmitter according to the configuration 1 or 2 of the invention,
The values of the first bias voltage and the second bias voltage are equal, the region having the first semiconductor polarity is the anode of the phase modulator, and the region having the second semiconductor polarity is the phase modulator. Is the cathode of
When the direct-current operating voltage of the first and second outputs of the differential driver circuit is V D and the magnitude of the voltage amplitude of its single phase is V PPS , the first or second bias voltage The value V BIAS is V BIAS ≧V D +V PPS
An optical transmitter characterized by:

（発明の構成４）
発明の構成１から３のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記差動ドライバ回路は、出力端子に送端抵抗を持たないこと
を特徴とする光送信機。 (Structure 4 of the Invention)
In the optical transmitter according to any one of the configurations 1 to 3 of the invention,
An optical transmitter, wherein the differential driver circuit does not have a sending end resistance at an output terminal.

（発明の構成５）
発明の構成１から４のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記進行波電極型マッハツェンダ光変調器の前記第１のアーム光導波路および第２のアーム光導波路の位相変調部は、ラテラル型のＰＮ接合であること
を特徴とする光送信機。 (Structure 5 of the Invention)
In the optical transmitter according to any one of the configurations 1 to 4 of the invention,
The optical transmitter, wherein the phase modulation portions of the first arm optical waveguide and the second arm optical waveguide of the traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator are lateral PN junctions.

（発明の構成６）
発明の構成１から５のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記差動ドライバ回路は、補助アンプを用いて帰還する差動オフセット補償回路を備えたことを特徴とする光送信機。 (Structure 6 of the Invention)
The optical transmitter according to any one of the configurations 1 to 5 of the invention,
The optical transmitter, wherein the differential driver circuit includes a differential offset compensation circuit that feeds back using an auxiliary amplifier.

本発明に係る光送信機においては、位相変調部の順バイアス状態への遷移を回避しつつＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成を半導体（例えばＳｉ）型のマッハツェンダ光変調器に適用することができる。さらに、低周波数領域(カットオフ周波数ｆL以下の領域)での大きな出力振幅を補償する為に、差動ドライバ回路にハイパスフィルタ特性を設けることもできる。それにより、さらに信頼度が高く、低消費電力な光送信機を実現することが出来る。 In the optical transmitter according to the present invention, the parallel push-pull configuration can be applied to a semiconductor (for example, Si) type Mach-Zehnder optical modulator while avoiding the transition of the phase modulator to the forward bias state. Further, in order to compensate for a large output amplitude in a low frequency region (a region below the cutoff frequency f L ), a high pass filter characteristic can be provided in the differential driver circuit. As a result, an optical transmitter with higher reliability and lower power consumption can be realized.

従来のＳｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成の光送信機の平面図である。It is a top view of the optical transmitter of the conventional Series push-pull structure. 従来のＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成（ａ）を、Ｓｅｒｉｅｓ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成（ｂ）と対比して示す光送信機の概略図である。It is the schematic of the optical transmitter which shows the conventional Parallel push-pull structure (a) contrasted with the Series push-pull structure (b). 本発明の第１の実施形態の光送信機の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the optical transmitter of the 1st Embodiment of this invention. ハイパスフィルタ特性を持たない場合の、低周波数領域における動作の説明図である。It is explanatory drawing of operation|movement in a low frequency area|region when it does not have a high-pass filter characteristic. ハイパスフィルタ特性を持たない場合の、差動ドライバ回路の周波数特性を示した図である。It is a figure showing the frequency characteristic of the differential driver circuit when it does not have a high pass filter characteristic. 本発明で用いる、ハイパスフィルタおよび差動ドライバ回路の周波数特性を示した図である。It is a figure showing the frequency characteristic of the high-pass filter and the differential driver circuit used by the present invention. 本発明の第１の実施形態の第１の変形の構成を示した平面図である。It is a top view showing the composition of the 1st modification of a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第１の実施形態の第２の変形の構成を示した平面図である。It is a top view showing composition of the 2nd modification of a 1st embodiment of the present invention. 本発明の第２の実施形態の光送信機の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the optical transmitter of the 2nd Embodiment of this invention.

以下に、本発明を進行波電極型マッハツェンダ光変調器とドライバ回路で構成される光送信機に適用した場合の実施形態を示す。以下の実施形態においては、半導体型の光変調器（望ましくはシリコン：Ｓｉ）を例示するが、いずれの半導体構成材料、いずれのドライバ回路の作製プロセスにおいても実現可能である。   An embodiment in which the present invention is applied to an optical transmitter including a traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator and a driver circuit will be described below. In the following embodiments, a semiconductor-type optical modulator (preferably silicon: Si) is exemplified, but it can be realized by any semiconductor constituent material and any driver circuit manufacturing process.

（第１の実施形態）
図３に、本発明の第１の実施形態の光送信機の構成の平面図示す。以下、図３の構成について説明する。 (First embodiment)
FIG. 3 is a plan view of the configuration of the optical transmitter according to the first embodiment of the present invention. The configuration of FIG. 3 will be described below.

本実施形態１の光送信機は、差動信号対を出力する差動ドライバ回路４００と、進行波電極型マッハツェンダ光変調器４１０から構成される。差動ドライバ回路４００は、第１の出力４０１と第２の出力４０２を備え、進行波電極型マッハツェンダ光変調器４１０の４つの進行波電極４２０〜４２３の入力端にＤＣまたはＡＣ接続されている。   The optical transmitter according to the first embodiment includes a differential driver circuit 400 that outputs a differential signal pair and a traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 410. The differential driver circuit 400 includes a first output 401 and a second output 402, and is DC or AC connected to the input ends of the four traveling wave electrodes 420 to 423 of the traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 410. .

進行波電極型マッハツェンダ光変調器４１０の光回路部分は、入力光カプラ４１１と、それにより１対２本に分岐された第１のアーム光導波路４１２および第２のアーム光導波路４１３と、それらを結合する出力光カプラ４１４とを備える。第１のアーム光導波路４１２および第２のアーム光導波路４１３は、光導波路進行方向に沿って、其々、第１の半導体極性を持つ領域および第２の半導体極性を持つ領域からなる位相変調部を備えている。位相変調部はＰＮ接合を含むので、ダイオード記号により位相変調部４１５と４１６として図示する。以下の説明においては、第１の半導体極性を持つ領域をダイオード記号のアノードとして、第２の半導体極性を持つ領域をカソードとする。   The optical circuit portion of the traveling-wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 410 includes an input optical coupler 411, a first arm optical waveguide 412 and a second arm optical waveguide 413 branched by the input optical coupler 411, and these. And an output optical coupler 414 for coupling. The first arm optical waveguide 412 and the second arm optical waveguide 413 each include a phase modulation unit including a region having a first semiconductor polarity and a region having a second semiconductor polarity along the optical waveguide traveling direction. Is equipped with. Since the phase modulator includes a PN junction, it is shown as the phase modulators 415 and 416 by diode symbols. In the following description, the region having the first semiconductor polarity is the anode of the diode symbol, and the region having the second semiconductor polarity is the cathode.

第１のアーム光導波路４１２の位相変調部４１５のカソード側には、第１の進行波電極４２０が設けられ、その入力端が差動ドライバ回路４００の第１の出力４０１とＤＣ接続され、出力端が第１の終端抵抗４３０Ａを通じて第１のバイアス電圧４４０と接続されている。   A first traveling wave electrode 420 is provided on the cathode side of the phase modulation unit 415 of the first arm optical waveguide 412, and its input end is DC-connected to the first output 401 of the differential driver circuit 400. The end is connected to the first bias voltage 440 through the first terminating resistor 430A.

一方で、第１のアーム光導波路４１２の位相変調部４１５のアノード側には、第２の進行波電極４２１が設けられ、その入力端が差動ドライバ回路４００の第２の出力４０２と第１のキャパシタ４３１ＡによってＡＣ接続され、出力端が終端抵抗４３０Ｂを介して第２のバイアス電圧４４１と接続されている。   On the other hand, a second traveling wave electrode 421 is provided on the anode side of the phase modulator 415 of the first arm optical waveguide 412, and its input end is connected to the second output 402 of the differential driver circuit 400 and the first output 402. Is connected to the second bias voltage 441 via the terminating resistor 430B.

第２のアーム光導波路４１３の位相変調部４１６のアノード側には、第３の進行波電極４２２が設けられ、その入力端が差動ドライバ回路４００の第１の出力４０１と第２のキャパシタ４３１ＢによってＡＣ接続され、出力端が第２の終端抵抗４３０Ｃを通じて第２のバイアス電圧４４１と接続されている。   A third traveling wave electrode 422 is provided on the anode side of the phase modulation unit 416 of the second arm optical waveguide 413, and its input end is connected to the first output 401 of the differential driver circuit 400 and the second capacitor 431B. Is AC connected, and the output terminal is connected to the second bias voltage 441 through the second terminating resistor 430C.

一方で、第２のアーム光導波路４１３の位相変調部４１６のカソード側には、第４の進行波電極４２３が設けられ、その入力端が差動ドライバ回路４００の第２の出力４０２とＤＣ接続され、出力端が終端抵抗４３０Ｄを通じて第１のバイアス電圧４４０と接続されている。   On the other hand, a fourth traveling wave electrode 423 is provided on the cathode side of the phase modulation unit 416 of the second arm optical waveguide 413, and its input end is DC-connected to the second output 402 of the differential driver circuit 400. The output terminal is connected to the first bias voltage 440 through the terminating resistor 430D.

終端抵抗４３０Ａ〜４３０Ｄは、２つのアームが同一ないし対称の構造、動作条件であればそれぞれ等しい抵抗値とすることができ、第１〜第４の進行波電極４２０〜４２３が持つ特性インピーダンスと同じ抵抗値に設定することができる。さらにキャパシタ４３１Ａおよび４３１Ｂもそれぞれ等しいキャパシタンスとすることができる。   The terminating resistors 430A to 430D can have the same resistance value if the two arms have the same or symmetrical structure and operating conditions, and have the same characteristic impedance as that of the first to fourth traveling wave electrodes 420 to 423. It can be set to a resistance value. Further, the capacitors 431A and 431B can have the same capacitance.

上述の説明においては、第１の半導体極性を持つ領域がアノードであり、第２の半導体極性を持つ領域がカソードとしたが、それぞれを入れ替えてもよい。また、説明の為、第２の進行波電極４２１と第１のキャパシタ４３１Ａの間を、ノード４０３とし、第３の進行波電極４２２と第２のキャパシタ４３１Ｂの間を、ノード４０４とする。   In the above description, the region having the first semiconductor polarity is the anode and the region having the second semiconductor polarity is the cathode, but they may be replaced with each other. Further, for the sake of explanation, a node 403 is defined between the second traveling wave electrode 421 and the first capacitor 431A, and a node 404 is defined between the third traveling wave electrode 422 and the second capacitor 431B.

（実施形態１の動作説明１)
図３の実施形態１の動作を説明する。図３では、差動ドライバ回路４００の単相の出力電圧振幅の大きさをＶPPSとして、第１の出力４０１がポジ信号ＶHiを、第２の出力４０２がネガ信号ＶLoを出力した場合を示している。図３の場合、第１のアーム光導波路４１２の位相変調部４１５には、ＶHi−ＶLoの逆バイアスが与えられる。他方、第２のアーム光導波路４１３には、ＶLo−ＶHiの逆バイアスが与えられる。 (Operation explanation 1 of Embodiment 1)
The operation of the first embodiment shown in FIG. 3 will be described. In FIG. 3, when the magnitude of the single-phase output voltage amplitude of the differential driver circuit 400 is V PPS , the first output 401 outputs the positive signal V Hi and the second output 402 outputs the negative signal V Lo. Is shown. In the case of FIG. 3, a reverse bias of V Hi −V Lo is applied to the phase modulator 415 of the first arm optical waveguide 412. On the other hand, a reverse bias of V Lo −V Hi is applied to the second arm optical waveguide 413.

つまり、ポジ信号からネガ信号への遷移が差動ドライバ回路４００から与えられた時、アーム光導波路４１２および４１３にかかる電圧スイングは、ＶHi−ＶLoからＶLo−ＶHiで遷移する。すなわち、アーム光導波路４１２および４１３はＶPPSの２倍の電圧振幅で駆動されていることになる。第１の出力４０１と第２の出力４０２はそれぞれ逆相の差動信号であるため、アーム光導波路４１２および４１３に与えられるバイアスはそれぞれ逆相となる。その結果、マッハツェンダ光変調器４１０には、ＶPPSの４倍の値が駆動電圧ＶDRVとして与えられる。 That is, when the transition from the positive signal to the negative signal is given from the differential driver circuit 400, the voltage swing applied to the arm optical waveguides 412 and 413 transits from V Hi −V Lo to V Lo −V Hi . That is, the arm optical waveguides 412 and 413 are driven with a voltage amplitude twice the V PPS . Since the first output 401 and the second output 402 are differential signals having opposite phases, the biases applied to the arm optical waveguides 412 and 413 have opposite phases. As a result, the Mach-Zehnder optical modulator 410 is provided with a value four times V PPS as the drive voltage V DRV .

第２の進行波電極４２１と第３の進行波電極４２２に設けられたキャパシタ４３１Ａおよび４３１Ｂは、ノード４０３および４０４における差動信号のコモンレベルを任意に調整する為に設けられている。例えば、ＶHiが３Ｖ、ＶLoが２Ｖであるとする(コモンレベルは２．５Ｖであり、ＶPPSは１Ｖである)。もし、ノード４０３および４０４のコモンレベルも２．５Ｖであれば、アーム光導波路４１２および４１３にかかる電圧スイングは１Ｖから−１Ｖの間で遷移する。その場合、ラテラル型のＰＮ接合を持つＳｉマッハツェンダ光変調器を用いた場合には、ＰＮ接合を常に逆バイアスに保たなければ、動作速度の低下を招く。 The capacitors 431A and 431B provided on the second traveling wave electrode 421 and the third traveling wave electrode 422 are provided to arbitrarily adjust the common level of the differential signals at the nodes 403 and 404. For example, assume that V Hi is 3 V and V Lo is 2 V (common level is 2.5 V and V PPS is 1 V). If the common level at nodes 403 and 404 is also 2.5V, the voltage swing across arm optical waveguides 412 and 413 transitions between 1V and -1V. In that case, when a Si Mach-Zehnder optical modulator having a lateral PN junction is used, unless the PN junction is always kept in a reverse bias, the operating speed is lowered.

そのような場合には、バイアス電圧４４１を１．５Ｖとすれば、コモンレベルがオフセットされ、ノード４０３および４０４のおける電圧スイングは、１Ｖから２Ｖの間で遷移する。その場合、第１と第２のアーム光導波路４２０および４２３にかかる電圧スイングの遷移は、２Ｖから０Ｖである。よって、ＰＮ接合を常に逆バイアス状態に保った上で、４Ｖの駆動電圧ＶDRVをマッハツェンダ光変調器４２０に与えることが出来る。 In such a case, if the bias voltage 441 is set to 1.5V, the common level is offset, and the voltage swings at the nodes 403 and 404 transit between 1V and 2V. In that case, the transition of the voltage swing applied to the first and second arm optical waveguides 420 and 423 is 2V to 0V. Therefore, the drive voltage V DRV of 4 V can be applied to the Mach-Zehnder optical modulator 420 while keeping the PN junction always in the reverse bias state.

（実施形態１の動作説明２：カットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を入力信号が含む場合）
上述の動作説明１では、キャパシタのカットオフ周波数ｆLと入力信号の周波数成分については考慮していない。しかし、光通信において一般的に用いられるＮＲＺ信号では、最も低い信号の周波数成分として、１００ｋＨｚ程度の信号成分を含む場合がある。これに対して、カットオフ周波数ｆLを１００ｋＨｚ程度とする為には、１μＦ程度の大きな値を持つ大型のキャパシタが必要である。そのようなキャパシタは光変調器チップでの実装が困難であり、実際には数ｐＦ程度のキャパシタが通常であることから、そのカットオフ周波数ｆLは数ＧＨｚのオーダーになる。 (Description of Operation 2 of First Embodiment: When Input Signal Includes Frequency Components Below Cutoff Frequency f L )
In the above-described operation explanation 1, the cutoff frequency f L of the capacitor and the frequency component of the input signal are not considered. However, an NRZ signal generally used in optical communication may include a signal component of about 100 kHz as the lowest frequency component. On the other hand, in order to set the cutoff frequency f L to about 100 kHz, a large capacitor having a large value of about 1 μF is required. It is difficult to mount such a capacitor on an optical modulator chip, and in practice, a capacitor of about several pF is usually used, so that the cutoff frequency f L thereof is on the order of several GHz.

そこで、ハイパスフィルタ特性を持たないドライバ回路を用いた場合において、カットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を含む信号が入力された場合を考える。その際、信頼性から鑑みた差動ドライバ回路４００の出力電圧振幅の限界はＶPPSであるとする。 Therefore, consider the case where a signal including a frequency component equal to or lower than the cutoff frequency f L is input when a driver circuit having no high-pass filter characteristic is used. At that time, it is assumed that the limit of the output voltage amplitude of the differential driver circuit 400 in view of reliability is V PPS .

図４は、ドライバ回路にハイパスフィルタ特性が無いとして、キャパシタ４３１Ａおよび４３１Ｂのカットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を含む信号を伝送する場合の動作を説明する図である。図４では、図３の場合と異なり、差動ドライバ回路４００からの高周波の信号電流成分は第２と第３の進行波電極４２１および４２２には分流せず、第１と第４の進行波電極４２０および４２３にのみ電流は分流する状態を示している。つまり、カットオフ周波数ｆL以下では、ノード４０３および４０４には電圧振幅が発生しないことを示している。 FIG. 4 is a diagram for explaining an operation in the case of transmitting a signal including a frequency component equal to or lower than the cutoff frequency f L of the capacitors 431A and 431B assuming that the driver circuit does not have the high-pass filter characteristic. In FIG. 4, unlike the case of FIG. 3, the high frequency signal current component from the differential driver circuit 400 is not shunted to the second and third traveling wave electrodes 421 and 422, and the first and fourth traveling waves are generated. The current is shunted only to the electrodes 420 and 423. That is, it is shown that the voltage amplitude does not occur at the nodes 403 and 404 below the cutoff frequency f L.

第１と第４の進行波電極４２０および４２３にのみ分流する電流の値は、図３において第１から第４の進行波電極４２０〜４２３それぞれに流れる電流の２倍の値である。差動ドライバ回路において、出力電圧振幅の大きさは、負荷抵抗(図３、図４においては、進行波電極の特性インピーダンスと一致する終端抵抗が負荷抵抗である)と大きさと電流に比例することから、第１と第４の進行波電極４２０および４２３には、図３における進行波電極４２０〜４２３それぞれの電圧振幅の２倍の値が入力される。   The value of the current shunting only to the first and fourth traveling wave electrodes 420 and 423 is twice the value of the current flowing to each of the first to fourth traveling wave electrodes 420 to 423 in FIG. In the differential driver circuit, the magnitude of the output voltage amplitude should be proportional to the load resistance (in FIGS. 3 and 4, the terminating resistance that matches the characteristic impedance of the traveling wave electrode is the load resistance), the magnitude, and the current. Therefore, a value that is twice the voltage amplitude of each of the traveling wave electrodes 420 to 423 in FIG. 3 is input to the first and fourth traveling wave electrodes 420 and 423.

ここで、差動ドライバ回路４００の単相の出力電圧振幅の限界をＶPPSであるとして設計した場合には、その限界を超えてしまっており、信頼性を確保することができない。つまり、この現象を補償しなければ、カットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を含む信号が入力された場合には、信頼性を担保して、Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成をＳｉマッハツェンダ光変調器に適用することが出来ない。 If the limit of the single-phase output voltage amplitude of the differential driver circuit 400 is designed to be V PPS , the limit is exceeded, and reliability cannot be ensured. That is, if this phenomenon is not compensated, reliability is ensured and the Parallel push-pull configuration is applied to the Si Mach-Zehnder optical modulator when a signal including a frequency component equal to or lower than the cutoff frequency f L is input. I can't do it.

上記の現象について、図５に示した周波数特性を用いて説明する。図５は、周波数ｆ（ＧＨｚ）を横軸として、本願の光変調器各部の周波数特性（伝達関数ｄＢ）を示した図である。   The above phenomenon will be described with reference to the frequency characteristics shown in FIG. FIG. 5 is a diagram showing the frequency characteristic (transfer function dB) of each part of the optical modulator of the present application with the frequency f (GHz) as the horizontal axis.

図５の３本のグラフで、差動ドライバ回路４００の第１と第２の出力４０１および４０２におけるゲイン特性を中央のグラフｇ（ｆ）、ノード４０３および４０４におけるゲイン特性を下のグラフｇ’（ｆ）としている。そして、一番上のグラフが、最終的に第１と第２の光導波路アーム４１２および４１３に与えられる差動電圧振幅のゲイン特性Ｇ（ｆ）を示している。   In the three graphs of FIG. 5, the gain characteristics at the first and second outputs 401 and 402 of the differential driver circuit 400 are the central graph g(f), and the gain characteristics at the nodes 403 and 404 are the lower graph g′. (F). The uppermost graph shows the gain characteristic G(f) of the differential voltage amplitude finally given to the first and second optical waveguide arms 412 and 413.

参考までに、２０ＧＨｚにおいて、ゲイン特性Ｇ（ｆ）は、ゲイン特性ｇ（ｆ）およびゲイン特性ｇ’（ｆ）よりも６ｄＢ大きい値のピークを持つ。これは、単相の出力振幅の４倍の値（６ｄＢ）がマッハツェンダ光変調器に対して、駆動電圧ＶDRVとして与えられることを意味する。 For reference, at 20 GHz, the gain characteristic G(f) has a peak value of 6 dB larger than the gain characteristic g(f) and the gain characteristic g'(f). This means that a value (6 dB) which is four times the output amplitude of the single phase is given to the Mach-Zehnder optical modulator as the drive voltage V DRV .

ここで、カットオフ周波数ｆL以上において本発明の効果を最大化する為には、図５のゲイン特性ｇ（ｆ）およびゲイン特性ｇ’（ｆ）が２０ＧＨｚにあるピークにおいて、差動ドライバ回路４００が出力する最大の単相出力振幅ＶPPSとなるように設計する。すなわちそのピークが電圧振幅の限界Ｖlimitとして設計する。 Here, in order to maximize the effect of the present invention at the cutoff frequency f L or higher, the differential driver circuit is used at the peak of the gain characteristic g(f) and the gain characteristic g′(f) in FIG. 5 at 20 GHz. It is designed to have the maximum single-phase output amplitude V PPS output by 400. That is, the peak is designed as the limit V limit of the voltage amplitude.

ここで、ゲイン特性ｇ（ｆ）がｇ（ｆL）-３ｄＢとなる値の周波数をｆmとする。すると、ゲイン特性ｇ（ｆ）はｆm以下の周波数において、電圧振幅の限界Ｖlimitを超えるゲインを持つことがわかる。 Here, the frequency value gain characteristic g (f) is g (f L) -3dB to f m. Then, it can be seen that the gain characteristic g(f) has a gain exceeding the voltage amplitude limit V limit at a frequency of fm or less.

よって、カットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を含む信号が入力された場合には、すべての周波数で信頼性を保った上で、Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成を実現することはできない。または、ゲイン特性ｇ（ｆ）の最大のゲイン(図５においては０．１ＧＨｚに存在する)をＶlimitとなるように設計することで、信頼性を保つことが出来るが、ｆm以上の周波数におけるゲイン特性Ｇ（ｆ）も同様に小さくなり、マッハツェンダ光変調器に与える駆動振幅ＶDRVが小さくなってしまう。よって、この場合においては、差動ドライバ回路４００にハイパスフィルタ特性を設ける必要がある。 Therefore, when a signal including a frequency component equal to or lower than the cutoff frequency f L is input, it is impossible to realize the parallel push-pull configuration while maintaining reliability at all frequencies. Alternatively, by designing the maximum gain (which exists at 0.1 GHz in FIG. 5) of the gain characteristic g(f) to be V limit , the reliability can be maintained, but the frequency of f m or more is maintained. Similarly, the gain characteristic G(f) also becomes small, and the drive amplitude V DRV given to the Mach-Zehnder optical modulator becomes small. Therefore, in this case, it is necessary to provide the high-pass filter characteristic to the differential driver circuit 400.

さらに、本発明では、図３に示したようにマッハツェンダ光変調器４１０は終端抵抗４３０Ａ〜Ｄを介してバイアス電圧４４０および４４１に接続される。そのため、オープンドレイン(オープンコレクタ)ドライバ、すなわち出力端子に送端抵抗を持たないドライバ回路を差動ドライバ回路とすることが出来る。   Further, in the present invention, as shown in FIG. 3, the Mach-Zehnder optical modulator 410 is connected to the bias voltages 440 and 441 via the termination resistors 430A to 430D. Therefore, an open drain (open collector) driver, that is, a driver circuit having no output terminal resistance at the output terminal can be used as a differential driver circuit.

（最も効果を発揮するハイパスフィルタ特性）
図６に、本発明で用いるハイパスフィルタおよび差動ドライバ回路の周波数特性を説明する。図６（ａ）は、差動ドライバ回路４００に設けるべきハイパスフィルタ特性Ｈ (f)を示す。その特性Ｈ (f)は概ね下記式によって定義される。
Ｈ（ｆ）＝ｇ（ｆL）−３ｄＢ−ｇ（ｆ） ｆ＜ｆm
Ｈ（ｆ）＝０ ｆ＞ｆm
上述のハイパスフィルタ特性をドライバに備えると、図６（ｂ）に示したようにｇ（ｆ）は、すべての周波数領域において、電圧振幅の限界Ｖlimitを超えることはない。 (High-pass filter characteristics that are most effective)
FIG. 6 illustrates frequency characteristics of the high pass filter and the differential driver circuit used in the present invention. FIG. 6A shows a high pass filter characteristic H (f) to be provided in the differential driver circuit 400. The characteristic H(f) is generally defined by the following equation.
H (f) = g (f L) -3dB-g (f) f <f m
H (f) = 0 f> f m
When the driver is provided with the above-described high-pass filter characteristic, g(f) does not exceed the voltage amplitude limit V limit in all frequency regions, as shown in FIG. 6B.

また副次的な効果として、最終的に第１と第２の光導波路アーム４１２および４１３に与えられる電圧振幅のゲイン特性Ｇ（ｆ）は、カットオフ周波数をｆLにもつディエンファシスを備える。以上説明したようにドライバ回路にハイパスフィルタ特性を備えることにより、カットオフ周波数ｆL以下の周波数成分を含む信号が入力された場合であっても、本発明の効果を発揮することができる。信頼性を保つ為には、ｆ＜ｆmにおいて、Ｈ（ｆ）＜ ｇ（ｆL）−３ｄＢ−ｇ（ｆ）となる特性であれば良い。 As a secondary effect, the gain characteristic G(f) of the voltage amplitude finally given to the first and second optical waveguide arms 412 and 413 has a de-emphasis having a cutoff frequency of f L. By providing the driver circuit with the high-pass filter characteristic as described above, the effect of the present invention can be exhibited even when a signal including a frequency component equal to or lower than the cutoff frequency f L is input. To maintain the reliability, the f <f m, H (f ) <g (f L) -3dB-g (f) become may be a characteristic.

（実施形態１の変形例１）
実施形態１の動作説明２においては、差動ドライバ回路４００自体がハイパスフィルタ特性を持つものとして説明した。図７には、ドライバ回路にハイパスフィルタ特性を備える為の変形例１として、差動ドライバ回路４００の前段に別途のハイパス特性のフィルタ回路８００を挿入した変形例１を示す。別途のフィルタ回路８００を設けることによって、より最適なハイパスフィルタ特性を実現することが容易となる。 (Modification 1 of Embodiment 1)
In the operation description 2 of the first embodiment, the differential driver circuit 400 itself has been described as having high-pass filter characteristics. FIG. 7 shows a modification 1 in which a separate high-pass filter circuit 800 is inserted in the preceding stage of the differential driver circuit 400, as a modification 1 for providing the driver circuit with the high-pass filter characteristics. By providing the additional filter circuit 800, it becomes easier to realize more optimal high-pass filter characteristics.

（実施形態１の変形例２）
図８には、ドライバ回路にハイパスフィルタ特性を備える為の、さらなる別の変形例２を示す。図８では、差動ドライバ回路４００をアンプ多段構成として、前段アンプ９０４および最終段アンプ９０５で構成している。、そして、ハイパスフィルタ特性を備えるために、最終段アンプ９０５の出力側から抵抗９０１ＡおよびＢ、キャパシタ９０２ＡおよびＢ、補助アンプ９０３を用いて入力側に帰還する差動オフセット補償回路９００を組み込んである。 (Modification 2 of Embodiment 1)
FIG. 8 shows still another modification 2 for providing the driver circuit with the high-pass filter characteristic. In FIG. 8, the differential driver circuit 400 has an amplifier multi-stage configuration, and includes a front stage amplifier 904 and a final stage amplifier 905. In order to provide a high-pass filter characteristic, a differential offset compensation circuit 900 is incorporated which feeds back from the output side of the final stage amplifier 905 to the input side using resistors 901A and B, capacitors 902A and B, and auxiliary amplifier 903. ..

図８の例では、差動オフセット補償回路９００は、補助アンプ９０３、抵抗９０１ＡおよびＢ、キャパシタ９０２ＡおよびＢの組み合わせによって、任意の低域のカットオフ周波数を設計することが出来る。このような構成によっても、ドライバ回路にハイパスフィルタ特性を持たせることができる。なお、図８においては、マッハツェンダ光変調器４１０の内部構造や、終端抵抗との接続は省略している。   In the example of FIG. 8, the differential offset compensation circuit 900 can design an arbitrary low-frequency cutoff frequency by combining the auxiliary amplifier 903, the resistors 901A and B, and the capacitors 902A and B. Also with such a configuration, the driver circuit can have a high-pass filter characteristic. In FIG. 8, the internal structure of the Mach-Zehnder optical modulator 410 and the connection with the terminating resistor are omitted.

（第２の実施形態）
図９は、本発明の第２の実施形態による、光送信機の構成を示す平面図である。 (Second embodiment)
FIG. 9 is a plan view showing the configuration of the optical transmitter according to the second embodiment of the present invention.

本実施形態２の第１の実施形態（図３）との相違点は、図９の実施形態２では、第１から第４の進行波電極４２０〜４２３が終端抵抗４３０Ａ〜Ｄを介してすべてバイアス電圧４４０に接続されていることである。また、位相変調部を表す等価ダイオードは、図３とは逆向きに第１の半導体極性を持つ領域がカソードであり、前記第２の半導体極性を持つ領域がアノードである点も相違する。さらに、差動ドライバ回路４００の第１および第２の出力４０１および４０２の直流動作電圧をＶDとし、その単相の電圧振幅の大きさをＶPPSとした場合に、バイアス電圧４４０の電圧ＶBIASは下記式となるように設計されている。
ＶBIAS ≧ＶD＋ＶPPS
このように設計すれば、単一のバイアス電圧のみでも、マッハツェンダ光変調器がラテラル型のＰＮ接合を用いた変調器を用いた場合に、ＰＮ接合は逆バイアス状態になることが無く、本発明を実施することができる。また、単一のバイアス電圧のみでも、Ｐａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成の効果を得ることが出来る為、従来構成と比較してもより簡便な構成で、省スペースで信頼度が高く低電力な光送信機を実現できる。 The difference between the second embodiment and the first embodiment (FIG. 3) is that, in the second embodiment of FIG. 9, all of the first to fourth traveling wave electrodes 420 to 423 are connected via the terminating resistors 430A to D. That is, it is connected to the bias voltage 440. Further, the equivalent diode representing the phase modulator is different in that the region having the first semiconductor polarity is the cathode and the region having the second semiconductor polarity is the anode in the opposite direction to FIG. Further, when the DC operating voltage of the first and second outputs 401 and 402 of the differential driver circuit 400 is V D and the magnitude of the voltage amplitude of its single phase is V PPS , the voltage V of the bias voltage 440 is BIAS is designed to have the following formula.
V BIAS ≧V D +V PPS
According to the present invention, when the Mach-Zehnder optical modulator uses a modulator using a lateral PN junction, even if only a single bias voltage is used, the PN junction will not be in a reverse bias state. Can be carried out. Further, the effect of the Parallel push-pull configuration can be obtained with only a single bias voltage. Therefore, the configuration is simpler than that of the conventional configuration, and the optical transmitter is space-saving, highly reliable, and has low power consumption. Can be realized.

その動作について以下に説明する。例えば、第１と第２の出力４０１および４０２における単相の出力電圧振幅ＶPPSが１Ｖであり、その直流動作電圧をＶDは２Ｖであるとした時に、バイアス電圧４４１の電圧ＶBIASが３Ｖとなるように設定する。すると、第１と第２の出力４０１および４０２における単相の電圧スイングは１．５Ｖから２．５Ｖの間で遷移する。また、ノード４０３および４０４における電圧スイングは、２．５Ｖから３．５Ｖで遷移する。よって、ダイオードで図示した位相変調部４１５および４１６に与えられる遷移は、逆バイアスで１．５Ｖから３Ｖである。 The operation will be described below. For example, assuming that the single-phase output voltage amplitude V PPS at the first and second outputs 401 and 402 is 1 V and the DC operating voltage V D is 2 V, the voltage V BIAS of the bias voltage 441 is 3 V. To be set. The single phase voltage swing at the first and second outputs 401 and 402 then transitions between 1.5V and 2.5V. Also, the voltage swings at nodes 403 and 404 transition from 2.5V to 3.5V. Therefore, the transitions given to the phase modulators 415 and 416 represented by the diodes are reverse biased from 1.5V to 3V.

以上のような構成によって、本発明の光送信機は、順バイアス状態への遷移を回避しつつＰａｒａｌｌｅｌ ｐｕｓｈ−ｐｕｌｌ構成を半導体（例えばＳｉ）型のマッハツェンダ光変調器に適用することができる。さらに、低周波数領域(カットオフ周波数ｆL以下の領域)での大きな出力振幅を補償するために、差動ドライバ回路にハイパスフィルタ特性を設けることもできる。それにより、信頼度が高く、高速、低消費電力で高変調効率の光送信機を実現することが出来る。 With the above configuration, the optical transmitter of the present invention can apply the parallel push-pull configuration to a semiconductor (for example, Si) type Mach-Zehnder optical modulator while avoiding the transition to the forward bias state. Further, in order to compensate for a large output amplitude in a low frequency region (a region below the cutoff frequency f L ), a high pass filter characteristic can be provided in the differential driver circuit. As a result, an optical transmitter with high reliability, high speed, low power consumption, and high modulation efficiency can be realized.

１００、２００、３００、４００ 差動ドライバ回路
１０１、１０２、４０１、４０２ 差動ドライバ回路の第１、第２の出力
１１０、４１０ 進行波電極型マッハツェンダ光変調器
１１１、４１１ 入力光カプラ
１１２、１１３、４１２、４１３ アーム光導波路
１１４、４１４ 出力光カプラ
１１５、１１６、２１５、２１６、３１５、３１６、４１５、４１６ 位相変調部
１２０、１２１、４２０、４２１、４２２、４２３ 進行波電極
１２２Ａ、１２２Ｂ、４３０Ａ〜Ｄ 終端抵抗
１２３ バイアス電極
１３０、１３１、４４０、４４１ バイアス電圧
４０３、４０４ ノード
４３１Ａ、４３１Ｂ、９０２Ａ，９０２Ｂ キャパシタ
８００ ハイパスフィルタ回路
９００ 差動オフセット補償回路
９０１Ａ、９０１Ｂ 抵抗
９０３ 補助アンプ
９０４ 前段アンプ
９０５ 最終段アンプ 100, 200, 300, 400 Differential driver circuit 101, 102, 401, 402 First and second outputs 110, 410 of differential driver circuit Traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator 111, 411 Input optical coupler 112, 113 412, 413 Arm optical waveguides 114, 414 Output optical couplers 115, 116, 215, 216, 315, 316, 415, 416 Phase modulators 120, 121, 420, 421, 422, 423 Traveling wave electrodes 122A, 122B, 430A ~ D termination resistor 123 bias electrode 130, 131, 440, 441 bias voltage 403, 404 node 431A, 431B, 902A, 902B capacitor 800 high-pass filter circuit 900 differential offset compensation circuit 901A, 901B resistor 903 auxiliary amplifier 904 previous stage amplifier 905 final Stage amplifier

Claims (6)

入力光カプラと、前記入力光カプラより１対２本に分岐された第１のアーム光導波路および第２のアーム光導波路と、それらを結合する出力光カプラとを備えた進行波電極型マッハツェンダ光変調器と、差動信号対を出力する第１の出力と第２の出力とを備えた差動ドライバ回路からなる光送信機であって、
前記第１のアーム光導波路および前記第２のアーム光導波路は、光導波路進行方向に沿って、其々、第１の半導体極性を持つ領域および第２の半導体極性を持つ領域からなる位相変調部を備えており、
前記第１のアーム光導波路の前記第１の半導体極性を持つ領域に設けられた第１の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第１の出力とＤＣ接続され、出力端が第１の終端抵抗を通じて第１のバイアス電圧と接続され、
前記第１のアーム光導波路の前記第２の半導体極性を持つ領域に設けられた第２の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第２の出力と第１のキャパシタによってＡＣ接続され、出力端が第２の終端抵抗を通じて第２のバイアス電圧と接続され、
前記第２のアーム光導波路の前記第２の半導体極性を持つ領域に設けられた第３の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第１の出力と第２のキャパシタによってＡＣ接続され、出力端が第３の終端抵抗を通じて前記第２のバイアス電圧と接続され、
前記第２のアーム光導波路の前記第１の半導体極性を持つ領域に設けられた第４の進行波電極の、入力端が前記差動ドライバ回路の前記第２の出力とＤＣ接続され、出力端が第４の終端抵抗を通じて前記第１のバイアス電圧と接続されること
を特徴とする光送信機。 Traveling wave electrode type Mach-Zehnder light including an input optical coupler, a first arm optical waveguide and a second arm optical waveguide branched into one to two by the input optical coupler, and an output optical coupler coupling them An optical transmitter comprising a modulator and a differential driver circuit having a first output and a second output for outputting a differential signal pair,
Each of the first arm optical waveguide and the second arm optical waveguide has a phase modulation section including a region having a first semiconductor polarity and a region having a second semiconductor polarity along the optical waveguide traveling direction. Is equipped with
The input end of the first traveling wave electrode provided in the region having the first semiconductor polarity of the first arm optical waveguide is DC-connected to the first output of the differential driver circuit, and the output end Is connected to the first bias voltage through the first terminating resistor,
The input end of the second traveling wave electrode provided in the region having the second semiconductor polarity of the first arm optical waveguide has an input end that is AC by the second output of the differential driver circuit and the first capacitor. And the output end is connected to the second bias voltage through the second terminating resistor,
The input end of the third traveling wave electrode provided in the region having the second semiconductor polarity of the second arm optical waveguide has an input end that is AC by the first output of the differential driver circuit and the second capacitor. And an output terminal connected to the second bias voltage through a third terminating resistor,
The input end of the fourth traveling wave electrode provided in the region having the first semiconductor polarity of the second arm optical waveguide is DC-connected to the second output of the differential driver circuit, and the output end thereof is connected. Is connected to the first bias voltage through a fourth terminating resistor
An optical transmitter characterized by. 請求項１記載の光送信機であって、
前記差動ドライバ回路がハイパスフィルタ特性を備え、
前記第１のキャパシタと前記第２のキャパシタが同一のキャパシタンスを有し、
前記第１の終端抵抗、前記第２の終端抵抗、前記第３の終端抵抗、そして前記第４の終端抵抗は、それぞれ同一の抵抗値を有し、
前記ハイパスフィルタ特性Ｈ（ｆ）が、ｆを周波数とし、前記第１および第２のキャパシタの有する低域のカットオフ周波数をｆLとし、前記差動ドライバ回路が前記ハイパスフィルタ特性を備えない場合の、前記差動ドライバ回路の第１および第２の出力におけるゲイン特性をｇ（ｆ）とし、ｇ（ｆm）がｇ（ｆL）−３ｄＢとなる周波数をｆmとすると、
Ｈ（ｆ）＜ ｇ（ｆL）−３ｄＢ−ｇ（ｆ） ｆ＜ｆm
Ｈ（ｆ）＝０ ｆ＞ｆm
であることを特徴とする光送信機。 The optical transmitter according to claim 1, wherein
The differential driver circuit has a high-pass filter characteristic,
The first capacitor and the second capacitor have the same capacitance,
The first terminating resistor, the second terminating resistor, the third terminating resistor, and the fourth terminating resistor have the same resistance value,
In the case where the high-pass filter characteristic H(f) has f as a frequency, a low-frequency cutoff frequency of the first and second capacitors as f L , and the differential driver circuit does not have the high-pass filter characteristic. of the gain characteristics and g (f) in the first and second outputs of the differential driver circuit, and the frequency of g (f m) is g (f L) -3dB and f m,
H (f) <g (f L) -3dB-g (f) f <f m
H (f) = 0 f> f m
An optical transmitter characterized in that. 請求項１または２に記載の光送信機において、
前記第１のバイアス電圧および第２のバイアス電圧の値は等しく、前記第１の半導体極性を持つ領域が前記位相変調部のアノードであり、前記第２の半導体極性を持つ領域が前記位相変調部のカソードであり、
前記差動ドライバ回路の前記第１および第２の出力の直流動作電圧をＶDとし、その単相の電圧振幅の大きさをＶPPSとした場合に、前記第１または第２のバイアス電圧の値ＶBIASは
ＶBIAS ≧ＶD＋ＶPPS
となることを特徴とする光送信機。 The optical transmitter according to claim 1 or 2,
The values of the first bias voltage and the second bias voltage are equal, the region having the first semiconductor polarity is the anode of the phase modulator, and the region having the second semiconductor polarity is the phase modulator. Is the cathode of
When the DC operating voltage of the first and second outputs of the differential driver circuit is V D and the magnitude of the voltage amplitude of its single phase is V PPS , the first or second bias voltage The value V BIAS is V BIAS ≧V D +V PPS
An optical transmitter characterized by: 請求項１から３のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記差動ドライバ回路は、出力端子に送端抵抗を持たないこと
を特徴とする光送信機。 The optical transmitter according to any one of claims 1 to 3,
An optical transmitter, wherein the differential driver circuit has no output terminal resistance at an output terminal. 請求項１から４のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記進行波電極型マッハツェンダ光変調器の前記第１のアーム光導波路および第２のアーム光導波路の位相変調部は、ラテラル型のＰＮ接合であること
を特徴とする光送信機。 The optical transmitter according to any one of claims 1 to 4,
The optical transmitter, wherein the phase modulating portions of the first arm optical waveguide and the second arm optical waveguide of the traveling wave electrode type Mach-Zehnder optical modulator are lateral PN junctions. 請求項１から５のいずれか１項に記載の光送信機において、
前記差動ドライバ回路は、補助アンプを用いて帰還する差動オフセット補償回路を備えたことを特徴とする光送信機。 The optical transmitter according to any one of claims 1 to 5,
An optical transmitter, wherein the differential driver circuit includes a differential offset compensation circuit that feeds back using an auxiliary amplifier.
JP2017079168A 2017-04-12 2017-04-12 Optical transmitter Active JP6701115B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017079168A JP6701115B2 (en) 2017-04-12 2017-04-12 Optical transmitter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017079168A JP6701115B2 (en) 2017-04-12 2017-04-12 Optical transmitter

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2018180255A JP2018180255A (en) 2018-11-15
JP6701115B2 true JP6701115B2 (en) 2020-05-27

Family

ID=64276604

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017079168A Active JP6701115B2 (en) 2017-04-12 2017-04-12 Optical transmitter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6701115B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110635851B (en) * 2018-11-19 2023-11-21 科大国盾量子技术股份有限公司 Modulator driving method and system suitable for quantum state random optical signals
GB2580163B (en) * 2018-12-21 2023-01-04 Lumentum Tech Uk Limited Biasing method for InP Mach-Zehnder modulators directly coupled to RF driver circuits
JP7283180B2 (en) 2019-03-29 2023-05-30 住友大阪セメント株式会社 optical modulator
JP7403996B2 (en) 2019-08-26 2023-12-25 キヤノン株式会社 Sheet feeding device and image forming device
CN116107102B (en) * 2023-04-04 2023-08-01 众瑞速联（武汉）科技有限公司 Low-power consumption differential modulator and optical chip

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004037695A (en) * 2002-07-02 2004-02-05 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd Optical modulator
US8687981B2 (en) * 2007-10-02 2014-04-01 Luxtera, Inc. Method and system for split voltage domain transmitter circuits
WO2012073447A1 (en) * 2010-12-01 2012-06-07 日本電気株式会社 Light intensity attenuator, optical a-d converter, and method for attenuating light intensity
WO2017159782A1 (en) * 2016-03-18 2017-09-21 日本電信電話株式会社 Optical modulator
US9939667B1 (en) * 2017-04-17 2018-04-10 Inphi Corporation Mach-Zehnder modulator driver
US10466567B1 (en) * 2018-04-24 2019-11-05 Elenion Technologies, Llc Optical waveguide modulator

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018180255A (en) 2018-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6701115B2 (en) Optical transmitter
US11086188B2 (en) Optical waveguide modulator
US10164713B2 (en) Optical transmitter, optical modulator module, and optical transmission system
Webster et al. Low-power MOS-capacitor based silicon photonic modulators and CMOS drivers
US10678112B2 (en) Fully differential traveling wave series push-pull mach-zehnder modulator
US20090148094A1 (en) Distributed amplifier optical modulator
JP6703102B2 (en) Light modulator
WO2013123294A2 (en) Mach-zehnder optical modulator using a balanced coplanar stripline with lateral ground planes
US10048519B1 (en) Mach-zehnder modulator driver
US20040202397A1 (en) Differential drive semiconductor optical modulator
US9825709B2 (en) Traveling wave amplifier for driving optical modulator
US20180356654A1 (en) Drive circuit
US10942377B2 (en) High swing AC-coupled Mach-Zehnder interferometer (MZI) driver
JP2018092100A (en) Optical transmitter
JP2023527091A (en) Electro-optical modulators, optical chips and integrated chips
JPH07226557A (en) Electronic circuit and semiconductor device using the same
CN116107102B (en) Low-power consumption differential modulator and optical chip
TW202409665A (en) Balanced differential modulation schemes for silicon photonic modulators
JP4526767B2 (en) Optical semiconductor device and optical transmission device
Adachi et al. 53-Gbaud PAM4 differential drive of a conventional EA/DFB toward driver-amplifier-less optical transceivers
US20230358955A1 (en) Silicon photonics-based optical modulation device with two metal layers
TWI393346B (en) Back-termination circuit
WO2023248490A1 (en) Optical modulator
US20140218073A1 (en) Driver for high speed electrical-optical modulator interface
WO2023214931A1 (en) Balanced differential modulation schemes for silicon photonic modulators

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200428

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200501

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6701115

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150