JP6694654B2 - 太陽類似スペクトルｌｅｄランプビーズ構造 - Google Patents

太陽類似スペクトルｌｅｄランプビーズ構造 Download PDF

Info

Publication number
JP6694654B2
JP6694654B2 JP2019538290A JP2019538290A JP6694654B2 JP 6694654 B2 JP6694654 B2 JP 6694654B2 JP 2019538290 A JP2019538290 A JP 2019538290A JP 2019538290 A JP2019538290 A JP 2019538290A JP 6694654 B2 JP6694654 B2 JP 6694654B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
package
electrode
planes
led chip
led
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019538290A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019530970A (ja
Inventor
鋭 謝
鋭 謝
麗玲 林
麗玲 林
剛成 劉
剛成 劉
Original Assignee
深▲せん▼市客為天生態照明有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 深▲せん▼市客為天生態照明有限公司 filed Critical 深▲せん▼市客為天生態照明有限公司
Publication of JP2019530970A publication Critical patent/JP2019530970A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6694654B2 publication Critical patent/JP6694654B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
  • Fastening Of Light Sources Or Lamp Holders (AREA)

Description

本発明は、ＬＥＤ照明分野に関し、特に太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造に関する。
白色光ＬＥＤは、第四世代の照明光源として、固体化、小体積、低発熱量、低消費電力、長寿命、高応答速度、及び環境に優しい等のメリットを有する。しかし、半導体ＬＥＤの発光原理により、ＬＥＤチップが単色光しかできないことが決定されるが、単色光が通常の照明に直接応用することができないため、従来の白色光ＬＥＤの技術では、通常、ＬＥＤ青色光で黄色蛍光体を励起して白色光ＬＥＤ光源を製造するものを採用し、且つ主に一般の照明に応用する。このような白色光ＬＥＤ技術は、照明分野及び電子製品のバックライトでのＬＥＤ半導体の応用を促進したが、青色光の人間の目に対する健康及び安全上の危険性が既に医学界に確認されており、また、白色光ＬＥＤ照明が実際の応用においても、人間の目の健康と安全を危険にさらす否定的なニュースが時々報道される。また、従来の白色光ＬＥＤでは、その製造に蛍光粉末を使わなければならないため、様々な技術的ボトルネックに遭い、更にその正常的な発展を妨げる。
勿論、人工光の最適な参照光が太陽光であり、太陽の可視光が、レッド、オレンジ、イエロー、グリーン、シアン、ブルー、パープルの７つの色からなるカラフルなスペクトルであることが知られており、太陽スペクトルは、カラフルさと変化性があるこそ、地球の複雑で多様な生物を育て、且つ生物にカラフルな色を与える。従って、自然光の法則に準拠した人間の視点から、照明器具をキャリアとして、様々な太陽スペクトルを人工的に自由にシミュレーションする技術レベルを達成してこそ、ＬＥＤ半導体光源が本当に適用され、且つ、これによりそれが人類の利益となることができる。
従って、現在至急に解決すべき技術的問題の１つは、どのように、青色光で黄色蛍光体を励起するという製造技術とプロセスを放棄して、照明スペクトルにおける青色光成分を最小限に抑え、人間の目の健康と安全を確保し、更に、実際のニーズに応じて、インテリジェントな調整を実現し、太陽スペクトルを自由にシミュレーションすることができ、且つ応用が広い太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造を提供することである。
上記の技術課題を解決するために、本発明は、
第１極性電極、複数のＬＥＤチップ、及び回路基板を含み、
前記複数のＬＥＤチップをパッケージするように、前記第１極性電極が前記回路基板と係合され、
前記第１極性電極の構造は、複数の平面を含む立体的な構造であり、
各前記ＬＥＤチップが対応する１つの前記平面にそれぞれ実装され、各前記ＬＥＤチップの発光面における一方の電極が前記回路基板における対応する１つの溶接点にそれぞれ接続され、前記回路基板における溶接点と導通するプリント配線が分圧式の第２極性電極における対応する電圧点にそれぞれ接続され、各前記ＬＥＤチップの他方の電極が前記第１極性電極にそれぞれ接続され、
そのうち、前記第１極性電極の極性と第２極性電極の極性が逆であり、
前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、各前記平面の中心点と設計された半円筒面の円心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、又は、
前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、前記複数の平面の下方の２つの頂角が互いに接続されて正多角形に形成され、前記正多角形が所在する平面が前記半球面の平面と平行であり、且つ各前記平面の下方の２つの頂角が何れも前記半球面上に位置し、前記複数の平面の上方の２つの頂角が何れも設計された半球面の平面と半球面とが交差する球面上に位置し、前記複数の平面の中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、又は、
前記第１極性電極の構造は、前記複数の平面を含む任意形状の立体構造であり、前記任意形状の立体構造は、平面上のＬＥＤが発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後、続けて外へ照射する、半円筒面設計構造でもなく、半球面設計構造でもない任意の構造であり、前記複数の平面の中心点と設計された交差点との連結線が対応する平面にそれぞれ垂直である太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造を提供する。
前記第１極性電極の前記ＬＥＤチップの発光面を囲む領域に多角形のフランジが設けられ、
前記第１極性電極は、材料が金属材料であり、
前記回路基板は、前記フランジに設置され、且つ前記回路基板は、接着剤により前記フランジに接続されてもよい。
前記第１極性電極の前記ＬＥＤチップの発光領域の他端に柱状体が設けられ、
前記柱状体に、放熱装置が外嵌され、且つ前記柱状体と前記放熱装置との間、及び、前記フランジと前記放熱装置との間に、熱伝導性接着剤が設けられてもよい。
更に複数の半田シートを含み、
各前記半田シートが対応する１つの前記平面にそれぞれ実装され、各前記ＬＥＤチップが対応する１つの前記半田シートにそれぞれ実装されてもよい。
前記第１極性電極の各平面の中心位置に、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ溝が設けられ、且つ、前記パッケージ溝の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以上であり、前記パッケージ溝の寸法が、前記ＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも大きく、
前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
そのうち、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとが、順次に前記パッケージ溝内に実装されてもよい。
前記第１極性電極の各平面の中心位置に前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ止まり穴が設けられ、且つ、前記パッケージ止まり穴の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以下であり、前記パッケージ止まり穴の寸法が、収容されるＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも大きく、
前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
そのうち、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとが、順次に前記パッケージ止まり穴内に実装される。
前記半田シートの形状が対応するＬＥＤチップの形状と同じであり、
前記半田シートの寸法が対応するＬＥＤチップの寸法よりも小さいか、大きいか、または等しくてもよい。
前記回路基板に階段構造の貫通孔、又は他の所定形状の切り欠けが開設され、
前記第２極性電極における異なる電圧の溶接点が前記回路基板の階段構造の第２の階段面に位置してもよい。
多成分接着剤を含み、
前記多成分接着剤は、前記ＬＥＤチップと前記第１極性電極との連結線と、前記ＬＥＤチップと前記回路基板の第２の階段における溶接点との連結線と、前記溶接点とを加熱硬化するためのものであってもよい。
前記多成分接着剤が前記回路基板の第１の階段の水平位置を超えないように充填されてもよい。
前記複数のＬＥＤチップが発した多色の光が、設計された交差点に集光して混合した後、視覚疲労を軽減し近視を予防する太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズのスペクトログラムを生成し、前記スペクトログラムにおいて、主ピーク波長は、最小値が５３５ｎｍであり、最大値が５６５ｎｍであり、中心値が５５０ｎｍであり、波長が５２０ｎｍ〜５８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の３７％よりも大きく、波長が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の２５％よりも小さくてもよい。
本発明の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、従来の白色光ＬＥＤの製造技術及びプロセスを覆したものであり、ＬＥＤの青色光で黄色蛍光体を励起して白色光ＬＥＤを製造する技術を放棄した。本発明は、従来の白色光ＬＥＤの製造技術における大量の青色光成分による人体への健康被害の問題を解決するとともに、太陽スペクトルを自由にシミュレーションすることを実現して、生物が元の生態学的な光環境で成長代謝するニーズを満足し、将来的には人類が様々な分野でインテリジェンスな照明を広く応用するという期待を満足する。当該発明は、ＬＥＤ半導体の省エネルギーのメリットを最大に発揮し、優れた発色性と視覚効果を実現することができ、様々な照明分野、農業・畜産業・養殖業分野、多数の微生物を育成する必要がある新エネルギー分野及び電子製品のバックライト分野等に広く応用することができる。
本発明又は従来技術における技術案を明確に説明するために、以下、実施例又は従来技術の説明に必要な図面を簡単に説明し、勿論、以下説明する図面は、本発明のいくつかの実施例であり、当業者にとって、創造的な作業を行わずに、更にこれらの図面によりその他の図面を得ることができる。
本発明の一実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の組立模式図である。 本発明の一実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造におけるＬＥＤ構造の模式図である。 本発明の他の実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造におけるＬＥＤ構造の模式図である。 本発明の一実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の平面模式図である。 図４に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のＢ−Ｂの断面模式図である。 図４に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の植物成長に適している太陽類似スペクトルＬＥＤスペクトログラムである。 本発明の他の実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の平面模式図である。 図７に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のＡ−Ａの断面模式図である。 本発明の図７に示す実施例に係る視覚疲労を軽減し近視を予防するための太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のスペクトログラムである。
以下、本発明の目的、技術案及び利点をより明確にするために、本発明の図面を参照しながら、本発明における技術案を明確かつ完全に説明する。勿論、説明する実施例は、全ての実施例ではなく、本発明の一部の実施例に過ぎない。本発明における実施例に基づいて、当業者が、創造的な作業を行うことなく得た全ての他の実施例は、本発明の保護範囲に属する。
図１は、本発明の一実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の組立模式図であり、図１に示すように、当該太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、立体集積パッケージ用の第１極性電極１０、複数のＬＥＤチップ２０、及び回路基板４０を含み、そのうち、
複数のＬＥＤチップ２０をパッケージするように、第１極性電極１０が回路基板４０と係合され、
前記第１極性電極１０の構造は、複数の平面を含む立体的な構造であり、各半田シートが対応する１つ平面にそれぞれ実装され、且つ各ＬＥＤチップ２０が対応する１つの半田シート３０にそれぞれ実装され、前記各ＬＥＤチップの発光面における一方の電極が前記回路基板における対応する１つの溶接点４１にそれぞれ接続され、前記回路基板４０における溶接点４１と導通するプリント配線が分圧式の第２極性電極における対応する電圧点にそれぞれ接続され、各ＬＥＤチップの（発光面又は基板における）他方の電極が前記第１極性電極に接続される。
そのうち、前記第１極性電極の極性と第２極性電極の極性が逆である。具体的には、第１極性電極１０は、立体集積パッケージ用の負電極であると、第２極性電極は、極性が逆である正電極であり、逆に、前記第１極性電極は、立体集積パッケージ用の正電極であると、第２極性電極は、負電極である。
好ましくは、前記回路基板４０は、ＰＣＢ（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、プリント回路基板）であってもよく、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の電気接続キャリアとして用いられる。
各ＬＥＤチップにおける電流を変更することで、各ＬＥＤの放射束を変更することができ、混合光における各単色光の占める割合を制御することにより、混合光のスペクトルを変更する。このように、様々な生物の生存と代謝に適している異なる波長帯域スペクトルの太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズをそれぞれ製造することができる。
そのうち、第１の好ましい実施の形態として、第１極性電極１０の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、各前記平面の中心点と前記設計された半円筒面の円心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であってもよく、
また、第２の好ましい実施の形態として、第１極性電極１０の構造は、半球面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、前記複数の平面の下方の２つの頂角が互いに接続されて正多角形に形成され、前記正多角形が所在する平面が前記半球面の平面と平行であり、且つ各前記平面の下方の２つの頂角が何れも前記半球面上に位置し、前記複数の平面の上方の２つの頂角が何れも設計された半球面の平面と半球面とが交差する球面上に位置し、前記複数の平面の中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であってもよく、
また、第３の好ましい実施の形態として、第１極性電極１０の構造は、前記複数の平面を含む任意形状の立体構造であって、前記任意形状の立体構造は、平面上のＬＥＤが発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後、続けて外へ照射する、半円筒面設計構造でもなく、半球面設計構造でもない任意の構造であり、前記複数の平面の中心点と設計された交差点との連結線が対応する平面にそれぞれ垂直である。
本発明の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、従来の白色光ＬＥＤの製造技術及びプロセスを覆したものであり、ＬＥＤの青色光で黄色蛍光体を励起して白色光ＬＥＤを製造する従来の技術を放棄した。本発明は、従来の白色光ＬＥＤの製造技術における大量の青色光成分による人体への健康被害の問題を解決するとともに、太陽スペクトルを自由にシミュレーションすることを実現して、生物が元の生態学的な光環境で成長代謝するニーズを満足し、将来的には人類が様々な分野でインテリジェンスな照明を広く応用するという期待を満足する。優れた発色性と視覚効果を実現することができ、様々な照明分野、農業・畜産業・養殖業分野、多数の微生物を育成する新エネルギー分野、及び電子製品のバックライト分野等に広く応用することができる。
更に、図１に示すように、上記の実施例の好適なものとして、前記第１極性電極１０の前記ＬＥＤチップの発光面を囲む領域には、多角形のフランジ１１が設けられ、
前記第１極性電極１０は、材料が銅材（又は、アルミニウム材、又はコバール材）であり、
ＰＣＢ回路基板４０は、フランジ１１に設置され、且つ前記回路基板は、接着剤８０によりフランジ１１の表面と接続される。
更に、上記の各実施例の好適なものとして、前記太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、複数の半田シート３０を更に含み、
各前記半田シートが対応する１つの前記平面にそれぞれ実装され、各前記ＬＥＤチップが対応する１つの前記半田シートにそれぞれ実装されてもよい。
好ましくは、前記半田シートの材料は、融点が３００℃によりも低い、環境に優しい鉛フリー合金材料である。
更に、上記の各実施例の好適なものとして、第１極性電極１０の前記ＬＥＤチップの発光領域の他端に柱状体１２が設けられ、
柱状体１２に、放熱装置７０が外嵌され、且つ柱状体１２と放熱装置７０との間、及び、前記フランジ１１と前記放熱装置７０との間に、熱伝導性接着剤４２が設けられる。
理解できるように、前記ＬＥＤチップのパワーが小さい場合に、前記した立体集積パッケージ用の電極１０に柱状体を設置しなくてもよく、且つ放熱片を設置する必要がない。
更に、上記の各実施例の好適なものとして、第１極性電極１０の各平面の中心には前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ溝１４が開設され、且つ、前記パッケージ溝１４の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以上であり、前記パッケージ溝１４の寸法が、収容されるＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも（少しだけ）大きく、
前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
そのうち、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとが、順次に前記パッケージ溝内に実装される。各ＬＥＤ発光面が設計された球心に面し、各ＬＥＤチップの発光面の中心点と設計された半球面の球心（集合箇所）との連結線が相応するＬＥＤ発光面にそれぞれ垂直であり、そして、加熱溶着される。
上記のパッケージ溝に替わる他の実施の形態として、前記第１極性電極の各平面の中心位置には前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ止まり穴が設けられてもよく、且つ、前記パッケージ止まり穴の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以下であり、前記パッケージ止まり穴の寸法が、収容されるＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも（少しだけ）大きく、
前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
更に、加熱溶着の方式により、ＬＥＤチップが固定される。
理解できるように、より良い溶着効果を達成するために、前記半田シートの形状が対応するＬＥＤチップの形状と同じであり、且つ、前記半田シートの寸法が、対応するＬＥＤチップの寸法よりも小さいか、大きいか、または等しい。
更に、図１に示すように、上記の実施例の好適なものとして、前記回路基板に階段構造の貫通孔、又は、他の所定形状の切り欠けが開設されてもよく、前記第２極性電極における異なる電圧の溶接点が前記回路基板の階段構造の第２の階段面に位置する。
上記の実施例において、太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、前記ＬＥＤチップと第１極性電極との連結線１３と、前記ＬＥＤチップと前記回路基板の溶接点との連結線２２と、前記溶接点４１とを加熱硬化するための多成分接着剤を更に含む。
但し、上記の多成分接着剤が前記回路基板の第１の階段の水平位置を超えないように充填される。
他の従来の加熱硬化のプロセスに比べて、本実施例は、ＬＥＤランプビーズの加工コストを低減させることができると共に、加工プロセスフローを簡素化させることもできる。
上記多成分接着剤が、例えばＡＢゲルであってもよい。
理解できるように、複数のＬＥＤチップが異なる電圧と異なる電流のパラメータに対応し、回線を接続して電源をオンさせた後に、多種の波長のＬＥＤチップが発した多色の光は、何れも設計された半球面の球心に集光して混合して、テーパ面光源が形成され、実験により、各ＬＥＤチップ両端の電圧及び通過した電流が得られ、更に所望の様々な太陽類似ＬＥＤスペクトルの各ＬＥＤチップ両端の電圧及び通過電流のパラメータが得られ、リストとして太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズの製品マニュアルが作成される。ユーザは、マニュアルリストにより、各ＬＥＤチップに必要な電圧と通過電流パラメータを設計して提供するだけで、様々な所望の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ製品を製造することができる。
具体的には、図２は、本発明の一実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造におけるＬＥＤ構造の模式図であり、図２に示すように、前記立体集積パッケージ用の第１極性電極（例えば負電極）２１０は、半円筒面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、各平面の中心点と、設計された半円筒面の円心との連結線が、それぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、複数の半田シート２３０が、各対応する平面にそれぞれ実装され、複数のＬＥＤチップ２２０が、各対応する半田シートに実装される。複数のＬＥＤチップの発光面が設計された半円筒面の円心にそれぞれ面し、各ＬＥＤチップの発光面の中心点と、設計された半円筒面の円心との連結線が、それぞれ対応する発光面にそれぞれ垂直であり、且つ設計された半円筒面の円心点で交差し、前記複数のＬＥＤチップが発した異なる色の光が設計された半円筒面の電極の円心に集光して混合して、扇形面光源となる。
理解できるように、複数のＬＥＤチップが異なる電圧と異なる電流のパラメータに対応し、回線を接続して電源をオンさせた後に、複数の波長のＬＥＤチップが発した多色の光は、何れも設計された半円筒面の円心に集光して混合して、扇形面光源が形成され、それぞれに、複数のＬＥＤチップに対して、異なる電圧を提供し、及び異なる電流を通すことにより、多種の光の混合光での割合を変更して、所望の太陽類似ＬＥＤスペクトルを得ることができる。
更に、他の実施の形態として、第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、前記複数の平面の下方の２つの頂角が互いに接続されて正多角形に形成され、前記正多角形が所在する平面が前記半球面の平面と平行であり、且つ各前記平面の下方の２つの頂角が何れも前記半球面上に位置し、前記複数の平面の上方の２つの頂角が何れも設計された半球面の平面と半球面とが交差する球面上に位置し、
前記複数の平面の中心点と、前記設計された半球面の球心との連結線が、それぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であってもよい。
具体的には、図３は、本発明の他の実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造におけるＬＥＤ構造の模式図であり、図３に示すように、本実施例におけるＬＥＤ構造は、半球面を設計基礎とする構造である立体集積パッケージ用の負電極４１と、複数の異なる波長のＬＥＤチップ（図３には６つのＬＥＤチップが示され、そのうち、電極底部の中心に設置される１つのＬＥＤチップを含む）を採用する複数のＬＥＤチップ４２とを含む。
前記立体集積パッケージ用の負電極４１は、半球面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、前記複数の平面の下方の２つの頂角が、互いに接続されて正多角形に形成され、前記正多角形の平面が設計された半球面の平面と平行であり、且つ正多角形の下方の２つの頂角が何れも設計された半球面に位置し、前記複数の平面の上方の２つの頂角が、何れも設計された半球面の平面と半球面とが交差する半球面に位置し、各平面の中心点と設計された半球面の球心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、前記半田シートと前記複数のＬＥＤチップが順次に各平面に実装され、各平面には、対応して１つの半田シートと１つのＬＥＤチップが実装され、前記複数のＬＥＤチップの発光面が、何れも前記設計された半球面の球心に面する。前記複数のＬＥＤチップが発した多種の異なる色の光が何れも設計された半球面の球心に集光して混合してテーパ面光源となる。
同様に、本実施例の複数のＬＥＤチップが異なる電圧と異なる電流のパラメータに対応し、回線を接続して電源をオンさせた後に、多種の波長のＬＥＤチップが発した多色の光は、何れも設計された半球面の球心に集光して混合して、テーパ面光源が形成され、それぞれに、複数のＬＥＤチップに対して、異なる電圧を提供し、及び異なる電流を通すことにより、多種の光の混合光での割合を変更して、所望の太陽類似ＬＥＤスペクトルを得ることができる。
また、他の好ましい実施の形態として、前記第１極性電極の構造は、前記複数の平面を含む任意形状の立体的な構造に設計され、前記複数の平面の中心点と、設計された交差点との連結線が、対応する平面にそれぞれ垂直であってもよい。
更に、図４は、本発明の他の実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の平面模式図であり、図５は、図４に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のＢ−Ｂの断面模式図であり、図４、図５に示すように、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、立体集積パッケージ用の第１極性電極（例えば正電極）５１０、複数のＬＥＤチップ５２０、立体集積パッケージ用の階段構造のＰＣＢ板５４０、及び各ＬＥＤチップに対応する複数の半田シート５３０及び放熱片５７０を含む。
植物の成長に適した太陽類似ＬＥＤスペクトルを提供するために、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、立体的に集積パッケージされた正電極５１０の構造が半球面を設計基礎とする構造になるように設計され、且つ９つの異なる波長のＬＥＤチップが採用される。
具体的には、前記立体集積パッケージ用の正電極５１０の構造は、半球面を設計基礎とする構造に設計され、上面に９つの平面が加工され、各平面の中心点と、設計された半球面の球心との連結線が、それぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、前記複数の平面中心点を中心として、半田シートとＬＥＤチップとを実装するための矩形溝５１４がそれぞれ加工され、矩形溝５１４の深さは、半田シート５３０とＬＥＤチップ５２０との厚さの合計より少しだけ小さく、且つ当該矩形溝の寸法は、収容される半田シートの寸法とＬＥＤチップの寸法よりも（少しだけ）大きく、
前記複数の半田シート５３０が、それぞれ対応する平面上の矩形溝５１４内にそれぞれ実装され、前記複数のＬＥＤチップ５２０が、それぞれ対応する半田シートにそれぞれ実装され、且つ前記複数のＬＥＤチップ５２０の発光面が何れも設計された半球面の球心に面し、加熱溶着の方式でＬＥＤチップ５２０と正電極５１０とが接続される。
そのうち、前記複数のＬＥＤチップ５２０の発光面の中心点と設計された半球面の球心との連結線が、それぞれ対応するＬＥＤ発光面にそれぞれ垂直であり、且つ設計された半球面の球心に集光して混合する。前記第１極性正電極５１０の材料は、銅材（鋼材又はアルミニウム材）であり、且つ、前記の階段構造のＰＣＢ板５４０は、接着剤５８０により、前記立体集積パッケージ用の正電極５１０のフランジ５１１に接着される。
但し、上記のＰＣＢ板は、９つのＬＥＤチップ５２０が発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後に、続けて外へ照射することを、設計原則とする。
前記ＰＣＢ板の第２の階段には、複数の異なる電圧の負極性溶接点５４１が、対応するＬＥＤチップ５２０の発光面における負極にそれぞれ接続され、前記ＰＣＢ板における溶接点と導通するプリント配線が、分圧式の負電極における対応する電圧点にそれぞれ接続され、前記複数のＬＥＤチップ５２０（発光面又は基板）における正極が正電極５１０に接続される。
前記放熱片５７０が正電極５１０の柱状体５１２に外嵌することができる。
本実施例の好適なものとして、放熱片５７０とフランジ５１１との間、及び放熱片５７０と柱状体５１２との間は、熱伝導ゲル５４２で接着することができる。
例を挙げると、本実施例の９つの異なる仕様のＬＥＤチップの波長、パワー、寸法、及び相応する半田シートの寸法、正電極５１０の電極に加工されるパッケージ矩形溝の寸法は表１に示す通りである。
Figure 0006694654
図４、図５に示すように、本実施例の正電極５１０は、半球面を設計基礎として、その底部にチップを設置しないため、ｎ＝９である。
前記９つのチップの寸法が何れも（１Ｘ１）ｍｍ２よりも小さいため、９つのパッケージ平面がＬ＋Ｍ＝１ｍｍとなるように設計され（但し、Ｌは、ＬＥＤチップの辺寸法であり、Ｍは、前記隣接する両ＬＥＤチップ間のピッチである）、また、各ＬＥＤチップの異なる寸法に従って、相応する９つのパッケージ平面の中心点をそれぞれ中心として、相応するパッケージ矩形溝が加工され、且つ下式（１）により、球半径が１．７４５７ｍｍであり、パッケージ平面の中心点の、底部の正九角形平面からの距離が０．４７７１ｍｍであり、９つのパッケージ平面と底部の正九角形平面との角が１０７．３９１６度であることが算出され、但し、前記の半球面を設計基礎とする球半径の式は、以下の通りである。
Figure 0006694654
 但し、Ｒａは、半球面を設計基礎とする電極の設計球半径であり、Ｌは、前記ＬＥＤチップの辺寸法であり、Ｍは、前記の隣接する両ＬＥＤチップ間のピッチであり、ｎは、前記ＬＥＤチップの数である（ｎ≧３）。
前記正電極５１０の各平面には、異なるチップ寸法により、平面の中心点を中心として、半田シートとＬＥＤチップを実装するための９つのパッケージ矩形溝５１４がそれぞれ加工され、且つ９つのパッケージ矩形溝の深さが、半田シートとＬＥＤチップとの厚さの合計よりも少しだけ小さく、９つのパッケージ矩形溝の縦横寸法が、それぞれ、収容されるＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも（少しだけ）大きい。
また、立体集積パッケージ用の正電極５１０には、更にパッケージ位置決めして放熱するためのフランジ（好ましくは、角形のフランジ）５１１、及び放熱片を接続するための柱状体５１２が設けられ、前記立体集積パッケージ用の正電極５１０は、材料が銅材（又は鋼材又はアルミニウム材）である。
そのうち、前記半田シートＨＬ１１−ＨＬ１９が、その寸法に従って、正電極５１０における相応するパッケージ矩形溝内にそれぞれ実装され、且つ前記９つの半田シートには１対１で対応してその形状に合わせた９つのＬＥＤチップ５２０が実装され、且つ各ＬＥＤチップの発光面が何れも設計された半球面の球心に面し、９つのＬＥＤチップの発光面の中心点と設計された半球面の球心（箇所）との連結線が、相応するＬＥＤ発光面にそれぞれ垂直であり、更に加熱溶着の方式により、加工を行うことができる。
図１に示す実施例と類似して、本実施例のＰＣＢ板も角形フランジにパッケージされ、且つＰＣＢ板には、階段構造の貫通孔があり、孔の形と位置は、９つのＬＥＤチップが発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後に、続けて外へ照射することを設計原則とする。
ＰＣＢ板５４０は、フランジ５１１に設置され、且つ前記ＰＣＢ板５４０は、接着剤５８０によりフランジ５１１の表面と接続される。
前記ＰＣＢ板の第２の階段には、複数の異なる電圧の負極性溶接点５４１が、対応するＬＥＤチップ５２０の発光面における負極にそれぞれ接続され、前記ＰＣＢ板における溶接点と導通するプリント配線が、分圧式負電極における対応する電圧点にそれぞれ接続される。
前記９つのＬＥＤチップ５２０（発光面又は基板）における正極が正電極５１０に接続される。
好ましくは、前記放熱片５７０は、前記正電極５１０の柱状体５１２に外嵌され、放熱片５７０とフランジ５１１との間、及び放熱片５７０と柱状体５１２との間は、何れも熱伝導ゲル５４２で接着する。
更に、ＡＢゲルを注入することで、ＬＥＤチップ正極と立体集積パッケージ用の正電極との連結線５１３と、ＬＥＤチップ負極とＰＣＢ板の第２の階段における溶接点のと連結線５２２と、溶接点５４１とを固定し、前記ＡＢゲルは、ＰＣＢ板５４０の第１の階段の水平位置まで充填されるように設置されて加熱硬化されてもよい。
更に、回線を接続して電源をオンさせた後に、９つの種類の波長のＬＥＤチップＬＥＤ１１〜ＬＥＤ１９が発した９つの種類の異なる色の光が、設計された半球面の球心に集光して混合して、テーパ面光源が形成される。
更に、９つのＬＥＤチップに対して、それぞれ、異なる電圧を提供し、異なる電流を通すことにより、９つの種類の色の光の混合光での割合を変更して、植物の成長に適した太陽類似ＬＥＤスペクトルを得ることができる。
実験により得られた、植物の成長に適した太陽類似ＬＥＤスペクトルの９つのＬＥＤチップ両端の電圧と通過電流のパラメータを、リストとして太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズの製品マニュアルが作成される。
具体的には、図６は、本発明の図４に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の植物の成長に適した太陽類似ＬＥＤスペクトログラムであり、そのうち、本実施例では、ＦＭＳ−６０００光色電気総合テストシステムを使ってスペクトルテストを行う。図６から分かるように、本実施例では、植物の成長に適した太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズを確実に製造することができる。
更に、図７に、本発明の他の実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造の平面模式図を示し、図８は、本発明の図７に示す実施例に係る太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のＡ−Ａの断面模式図であり、図７、図８に示すように、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、立体集積パッケージ用の負電極６１０、６つのＬＥＤチップ６２０、立体集積パッケージ用の階段構造のＰＣＢ板６４０、及び放熱片６７０を含む。
視覚疲労を軽減し近視を予防することができる太陽類似スペクトルを提供するために、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造は、立体集積パッケージ用の第１極性電極（例えば負電極）６１０が半円筒面を設計基礎とする構造となるように設計され、且つ６つの異なる波長のＬＥＤチップが採用される。
例を挙げると、本実施例の６つの異なる仕様のＬＥＤチップの波長、パワー、寸法、それに対応する半田ペースト（又は導電性ペースト）６３０が塗布される寸法、負電極６１０に加工されるパッケージ矩形溝６１３の寸法は、表２に示す通りである。
Figure 0006694654
前記６つのＬＥＤチップの寸法が何れも（１Ｘ１）ｍｍ２よりも小さく、従って、６つのパッケージ平面がＬ＋Ｍ＝１ｍｍを基準として、負電極６１０の構造が、半円筒面を設計基礎とする構造になるように設計され、式（２）により、半円筒面の設計半径が１．９３２ ｍｍであることを算出することができ、そのうち、前記の半円筒面を設計基礎とする設計された円筒半径の式は、以下の通りである。
Figure 0006694654
 但し、Ｒａは、半円筒面を設計基礎とする電極の設計円筒半径であり、Ｌは、前記ＬＥＤチップの辺寸法であり、Ｍは、前記の隣接する両ＬＥＤチップ間のピッチであり、ｎは、前記ＬＥＤチップの数である。
更に、本実施例の負電極６１０は、６つの平面を含むように設計され、且つ、前記６つの平面の中心点を中心として、６つのパッケージ矩形溝６１３が開設されてもよい。
好ましくは、前記パッケージ矩形溝６１３の深さが、半田ペースト（又は導電性ペースト）６３０と、ＬＥＤチップとの厚さの合計よりも少しだけ小さく、パッケージ矩形溝の縦横寸法が収容されるＬＥＤチップの寸法と半田ペースト（又は導電性ペースト）６３０の塗布寸法よりも（少しだけ）大きく、６つのパッケージ矩形溝底平面の中心点と、設計された半円筒面の円心との連結線が、相応するパッケージ矩形溝の底平面にそれぞれ垂直である。
また、立体集積パッケージ用の負電極６１０には、更にパッケージ位置決めして放熱するためのフランジ（好ましくは、角形のフランジ）６１１、及び放熱片を接続するための柱状体６１２が設けられる。
前記第１極性負電極６１０は、材料が金属銅材（又はＰＣＢ又はセラミックス又は炭化ケイ素）である。
好ましくは、前記ＬＥＤチップのパワーが小さい場合に、前記の立体集積パッケージ用の負電極６１０に柱状体を設置しなくてもよく、放熱片を設置する必要もない。
更に、前記半田ペースト（又は導電性ペースト）６３０が、設計された寸法と厚さに応じて、負電極における相応する６つのパッケージ矩形溝６１３内に塗布され、且つ前記６つの半田ペースト（又は導電性ペースト）６３０が塗布されたパッケージ矩形溝６１３に、１対１で対応してその形状に合わせた６つのＬＥＤチップ６２０が実装され、６つのＬＥＤチップの発光面が設計された半円筒面の円心に面し、６つのＬＥＤチップの発光面の中心点と、設計された半円筒面の円心（交差点）との連結線が、相応するＬＥＤ発光面にそれぞれ垂直であり、更に加熱溶着の方式により、加工を行うことができる。
図１に示す実施例と類似して、前記階段構造のＰＣＢ板６４０が、接着剤６４２により、前記の立体集積パッケージ用の負電極６１０のフランジ６１１に接着される。
ＰＣＢ板６４０は、階段構造の矩形の貫通孔があり、孔の形状と位置は、ＬＥＤチップ６２０が発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後に、続けて外へ照射することを、設計原則とする。
前記ＰＣＢ板の第２の階段には、複数の異なる電圧の正極性溶接点６６０が、対応するＬＥＤチップ６２０の発光面における正極にそれぞれ接続され、前記ＰＣＢ板における溶接点と導通するプリント配線が、分圧式正電極における対応する電圧点にそれぞれ接続される。
前記６つのＬＥＤチップ６２０（発光面又は基板）における負電極が、前記の立体集積パッケージ用の負電極６１０に接続される。
好ましくは、前記放熱片６７０は、前記の立体集積パッケージ用の負電極６１０の柱状体６１２に外嵌され、放熱片６７０とフランジ６１１との間、及び放熱片６７０と柱状体６１２との間は、何れも熱伝導ゲル６８０で接着する。
更に、ＡＢゲルを注入することで、ＬＥＤチップと、立体集積パッケージ用の負電極との連結線と、ＬＥＤチップとＰＣＢ板の第２の階段における溶接点との連結線と、溶接点とを固定し、前記ＡＢゲルは、ＰＣＢ板の第１の階段の水平位置まで充填されるように設置されて加熱硬化されてもよい。
更に、回線を接続して電源をオンさせた後に、６つの種類の波長のＬＥＤチップＬＥＤ２１〜ＬＥＤ２６が発した６つの種類の異なる色の光が、設計された半円筒面の円心に集光して混合して、扇形面光源が形成される。
６つのＬＥＤチップに対して、それぞれ、異なる電圧を提供し、及び異なる電流を通すことにより、６つの種類の色の光の混合光での割合を変更して、視覚疲労を軽減し近視を予防するための太陽類似ＬＥＤスペクトログラムを得ることができる。
具体的には、図９は、本発明の図７に示す実施例に係る視覚疲労を軽減し近視を予防するための太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のスペクトログラムであり、そのうち、本実施例では、ＦＭＳ−６０００光色電気総合テストシステムを使ってスペクトルテストを行う。
図９から分かるように、本実施例の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造のスペクトルは、そのスペクトルの主ピーク波長は、最小値が５３５ｎｍであり、最大値が５６５ｎｍであり、中心値が５５０ｎｍであり、波長が５２０ｎｍ〜５８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の３７％よりも大きく、波長が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の２５％よりも小さい。従って、本実施例では、視覚疲労を軽減し近視を予防することができる太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズを確実に製造することができる。
なお、本発明の説明において、「円心」、「球心」、「中心」、「上面」、「下面」、「半円筒面」、「半球面」、「ピッチ」、「第１の階段」、「第２の階段」、「溝」、「止まり穴」、「導通」、「接続」、「接着」、「固定」、「第１極性」、「第２極性」等の用語が指す方位又は位置関係は、図面に基づいて示される方位又は位置関係であり、本発明を容易に説明し説明を簡略化にするためのものに過ぎず、指される装置又は素子が必ず有するべき特定の形、特定の形状構造及び操作を明示又は暗示するものではないため、本発明を限定するものとして理解されるべきではない。「平面」とは、正方形の平面であってもよく、長方形の平面であってもよく、その他の形状の平面であってもよく、選択されたチップの形状に応じて決められる。明確な規定と限定がない限り、「実装」、「パッケージ」、「接続」、「オン」、「導通」、「加工」、「製造」の用語の意味は広く理解されるべきである。例えば、接続とは、機械的な接続や、電気的接続でも可能であり、直接接続することや、中間媒体を介して間接接続することでも可能であり、また２つの素子の内部が連通することでも可能である。当業者にとって、具体的な状況に応じて上記用語の本発明での具体的な意味を理解することができる。また、本発明の説明において、特別な説明がない限り、「複数」の意味は２つ又は２つ以上である。
以上に説明された装置の実施例は、例示的なものに過ぎず、そのうち、当該分離部材として説明されたモジュールは、物理的に分離されてもされなくてもよく、モジュールとして表示された部材は、物理モジュールでもそうでなくてもよく、１箇所に設置されてもよく、複数のネットワークモジュールに分布してもよい。実際のニーズに応じて、その一部又は全てのモジュールを選択して本実施例の方案の目的を実現することができる。当業者は、創造的な作業を行わずに理解して実施することができる。
以上の実施の形態の説明から、当業者がはっきり分かるように、各実施の形態は、ソフトウェア、及び必要な汎用のハードウェアプラットフォームにより実現することができ、勿論ハードウェアにより実現することもできる。このような理解に基づいて、上記の技術案は本質的に、又は従来の技術に貢献を与える部分は、ソフトウェア製品の形で具体化することができ、当該コンピューターソフトウェア製品は、コンピューター可読記憶媒体、例えば、ＲＯＭ／ＲＡＭ、磁気ディスク、光ディスク等に格納することができ、１台のコンピューター機器（パソコン、サーバ、又はネットワーク機器等であってもよい）に各実施例又は実施例の一部を実行させるための若干の指令を含む。
最後に説明するのは、上記の実施例は、本発明の技術案を限定するためのものではなく、説明するためのものに過ぎない。前記の実施例を参照しながら本発明を詳細に説明したが、当業者であれば、前記の各実施例に記載された技術案を修正し、又はその一部の技術案を等価的に置き換えることができ、これら修正又は置き換えが、相応する技術案の本質を本発明の各実施例の技術案の趣旨と範囲から逸脱させるものではないと理解できるはずである。

Claims (10)

  1. 第１極性電極、複数のＬＥＤチップ、及び回路基板を含み、
    前記複数のＬＥＤチップをパッケージするように、前記第１極性電極が前記回路基板と係合され、
    前記第１極性電極の構造は、複数の平面を含む立体的な構造であり、
    各前記ＬＥＤチップが対応する１つの前記平面にそれぞれ実装され、各前記ＬＥＤチップの発光面における一方の電極が前記回路基板における対応する１つの溶接点にそれぞれ接続され、前記回路基板における溶接点と導通するプリント配線が分圧式の第２極性電極における対応する電圧点にそれぞれ接続され、各前記ＬＥＤチップの他方の電極が前記第１極性電極に接続され、
    そのうち、前記第１極性電極の極性と第２極性電極の極性が逆であり、
    前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、各前記平面の中心点と設計された半円筒面の円心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、又は、
    前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であり、上面に複数の平面を有し、前記複数の平面の下方の２つの頂角が互いに接続されて正多角形に形成され、前記正多角形が所在する平面が前記半球面の平面と平行であり、且つ各前記平面の下方の２つの頂角が何れも前記半球面上に位置し、前記複数の平面の上方の２つの頂角が何れも設計された半球面の平面と半球面とが交差する球面上に位置し、前記複数の平面の中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がそれぞれ対応する平面にそれぞれ垂直であり、又は、
    前記第１極性電極の構造は、前記複数の平面を含む任意形状の立体構造であり、前記任意形状の立体構造は、平面上のＬＥＤが発した光が、遮蔽されずに、設計された交差点に集光して混合した後、続けて外へ照射する、半円筒面設計構造でもなく、半球面設計構造でもない任意の構造であり、前記複数の平面の中心点と設計された交差点との連結線が対応する平面にそれぞれ垂直であることを特徴とする太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  2. 前記第１極性電極の前記ＬＥＤチップの発光面を囲む領域に多角形のフランジが設けられ、
    前記第１極性電極は、材料が金属材料であり、
    前記回路基板は、前記フランジに設置され、且つ前記回路基板は、接着剤により前記フランジに接続されることを特徴とする請求項１に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  3. 前記第１極性電極の前記ＬＥＤチップの発光領域の他端に柱状体が設けられ、
    前記柱状体に、放熱装置が外嵌され、且つ前記柱状体と前記放熱装置との間、及び、前記フランジと前記放熱装置との間に、熱伝導性接着剤が設けられることを特徴とする請求項１に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  4. 更に、複数の半田シートを含み、
    各前記半田シートが対応する１つの前記平面にそれぞれ実装され、各前記ＬＥＤチップが対応する１つの前記半田シートにそれぞれ実装されることを特徴とする請求項１に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  5. 前記第１極性電極の各平面の中心位置に、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ溝が設けられ、且つ、前記パッケージ溝の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以上であり、前記パッケージ溝の寸法が、前記ＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも大きく、
    前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
    前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
    前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ溝の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ溝の底平面に垂直であり、
    そのうち、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとが、順次に前記パッケージ溝内に実装されることを特徴とする請求項４に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  6. 前記第１極性電極の各平面の中心位置に前記半田シートと前記ＬＥＤチップとを収容するためのパッケージ止まり穴が設けられ、且つ、前記パッケージ止まり穴の深さが、前記半田シートと前記ＬＥＤチップの厚さの合計以下であり、前記パッケージ止まり穴の寸法が、収容されるＬＥＤチップの寸法と半田シートの寸法よりも大きく、
    前記第１極性電極の構造は、半円筒面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記第１極性電極の設計された半円筒面の円心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
    前記第１極性電極の構造は、半球面を設計基礎とする構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された半球面の球心との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
    前記第１極性電極の構造は、前記任意形状の立体構造であると、前記パッケージ止まり穴の底平面中心点と前記設計された交差点との連結線がパッケージ止まり穴の底平面に垂直であり、
    そのうち、前記半田シートと前記ＬＥＤチップとが、順次に前記パッケージ止まり穴内に実装されることを特徴とする請求項４に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  7. 前記半田シートの形状が対応するＬＥＤチップの形状と同じであり、
    前記半田シートの寸法が対応するＬＥＤチップの寸法よりも小さいか、大きいか、または等しいことを特徴とする請求項４に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  8. 前記回路基板に階段構造の貫通孔、又は他の所定形状の切り欠けが開設され、
    前記第２極性電極における異なる電圧の溶接点が前記回路基板の階段構造の第２の階段面に位置することを特徴とする請求項１に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  9. 多成分接着剤を含み、
    前記多成分接着剤は、前記ＬＥＤチップと前記第１極性電極との連結線と、前記ＬＥＤチップと前記回路基板の第２の階段面における溶接点との連結線と、前記溶接点とを加熱硬化するためのものであり、
    前記多成分接着剤が前記回路基板の第１の階段の水平位置を超えないように充填されることを特徴とする請求項８に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
  10. 前記複数のＬＥＤチップが発した多色の光が、設計された交差点に集光して混合した後、視覚疲労を軽減し近視を予防する太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズのスペクトログラムを生成し、前記スペクトログラムにおいて、主ピーク波長は、最小値が５３５ｎｍであり、最大値が５６５ｎｍであり、中心値が５５０ｎｍであり、波長が５２０ｎｍ〜５８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の３７％よりも大きく、波長が３８０ｎｍ〜４８０ｎｍである波長帯域放射束は、波長が３８０ｎｍ〜７８０ｎｍである波長帯域放射束の２５％よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の太陽類似スペクトルＬＥＤランプビーズ構造。
JP2019538290A 2016-09-23 2016-09-23 太陽類似スペクトルｌｅｄランプビーズ構造 Active JP6694654B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2016/099797 WO2018053773A1 (zh) 2016-09-23 2016-09-23 一种类太阳光谱led灯珠结构

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019530970A JP2019530970A (ja) 2019-10-24
JP6694654B2 true JP6694654B2 (ja) 2020-05-20

Family

ID=61690766

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019538290A Active JP6694654B2 (ja) 2016-09-23 2016-09-23 太陽類似スペクトルｌｅｄランプビーズ構造

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20190245127A1 (ja)
EP (1) EP3518298A4 (ja)
JP (1) JP6694654B2 (ja)
CN (1) CN109716014B (ja)
WO (1) WO2018053773A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7399678B2 (ja) 2019-10-28 2023-12-18 株式会社ダイセル 光半導体装置用樹脂成形体及び光半導体装置

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3631325A (en) * 1970-06-15 1971-12-28 Sperry Rand Corp Card module and end wall treatment facilitating heat transfer and sliding
US4893223A (en) * 1989-01-10 1990-01-09 Northern Telecom Limited Illumination devices for inspection systems
US5838247A (en) * 1997-04-01 1998-11-17 Bladowski; Witold S. Solid state light system
JPH1125718A (ja) * 1997-07-03 1999-01-29 S T Energ Kk 回転点滅灯用ケース体
TW408497B (en) * 1997-11-25 2000-10-11 Matsushita Electric Works Ltd LED illuminating apparatus
US6944323B1 (en) * 1998-10-01 2005-09-13 Uster Technologies Ag Device for detecting foreign substances in a thread
US6270228B1 (en) * 1999-03-31 2001-08-07 Astron Systems, Inc. Studio lighting system
US7152996B2 (en) * 2001-04-27 2006-12-26 Altman Stage Lighting Co., Inc. Diode lighting system
JP2002329893A (ja) * 2001-05-02 2002-11-15 Kansai Tlo Kk Ｌｅｄ面発光装置
JP2005038605A (ja) * 2002-02-12 2005-02-10 Daisei Denki Kk 照明器具
AU2003301613A1 (en) * 2002-10-23 2004-05-13 Digital Cinema Engines, Inc. Method and apparatus for a projection system
JP4174662B2 (ja) * 2003-01-07 2008-11-05 国産電機株式会社 内燃機関用回転方向反転制御方法及び装置
US7683474B2 (en) * 2005-02-14 2010-03-23 Osram Sylvania Inc. LED assembly with LED position template and method of making an LED assembly using LED position template
WO2006105351A1 (en) * 2005-03-30 2006-10-05 Delta Design, Inc. Led lighting system for line scan camera based multiple data matrix scanners
CN100356597C (zh) * 2005-05-27 2007-12-19 张宇 多光路合成半导体发光器
CN2886307Y (zh) * 2005-07-29 2007-04-04 夏志清 一种叠层结构的led灯
US7506985B2 (en) * 2005-10-26 2009-03-24 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Projection light source having multiple light emitting diodes
JP2007157354A (ja) * 2005-11-30 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd ランプユニット、面状光源、及びこれらを用いた液晶表示装置
JP2008084990A (ja) * 2006-09-26 2008-04-10 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置及び照明器具
TWI312564B (en) * 2006-10-12 2009-07-21 Chen Kuanchu Method for manufacturing semiconductor device
JP2008130909A (ja) * 2006-11-22 2008-06-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光ダイオードを用いた光源
TW200847469A (en) * 2007-05-23 2008-12-01 Tysun Inc Substrates of curved surface for light emitting diodes
TWI340441B (en) * 2007-07-20 2011-04-11 Kuanchun Chen Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7614769B2 (en) * 2007-11-23 2009-11-10 Sell Timothy L LED conversion system for recessed lighting
TWI353053B (en) * 2007-11-28 2011-11-21 Ind Tech Res Inst Lighting device
KR100999161B1 (ko) * 2008-01-15 2010-12-07 주식회사 아모럭스 발광 다이오드를 사용한 조명장치
JP5212720B2 (ja) * 2008-12-11 2013-06-19 スタンレー電気株式会社 灯具
CN101764067A (zh) * 2009-12-24 2010-06-30 复旦大学 一种类太阳光谱led的封装方法
KR101181173B1 (ko) * 2010-10-11 2012-09-18 엘지이노텍 주식회사 방열회로기판, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 발열소자 패키지
CN202205741U (zh) * 2011-08-13 2012-04-25 都江堰市华刚电子科技有限公司 分层高密led灯珠
TW201429009A (zh) * 2013-01-11 2014-07-16 Ecocera Optronics Co Ltd 發光二極體裝置及散熱基板的製造方法
CN106796003B (zh) * 2014-09-09 2019-06-21 深圳市客为天生态照明有限公司 一种类太阳光谱led结构
CN105702837B (zh) * 2015-12-10 2019-03-01 广东新光源电子科技有限公司 一种仿太阳光光谱led光源
US10718490B2 (en) * 2016-09-23 2020-07-21 Shenzhen Keweitian Eco-Lighting Co., Ltd. LED lamp bead structure having quasi-solar spectrum

Also Published As

Publication number Publication date
US20190245127A1 (en) 2019-08-08
EP3518298A1 (en) 2019-07-31
CN109716014B (zh) 2021-03-30
CN109716014A (zh) 2019-05-03
EP3518298A4 (en) 2020-05-20
WO2018053773A1 (zh) 2018-03-29
JP2019530970A (ja) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN203300693U (zh) 多方向出光的发光二极管芯片及其发光装置
EP2445007B1 (en) Multichip package structure using a constant voltage power supply
EP3491679A1 (en) Light emitting diodes, components and related methods
EP2444715A2 (en) Multichip package structure for directly electrically connecting to an AC power source
EP3226313B1 (en) Light emitting device and lighting device including the same
US10321637B2 (en) Lighting device, for instance for greenhouse lighting, and corresponding method of use
DE102014109647A1 (de) Lichtemittierendes Modul und Beleuchtungsvorrichtung
WO2016037306A1 (zh) 一种类太阳光谱led结构
JP6694654B2 (ja) 太陽類似スペクトルｌｅｄランプビーズ構造
CN101963288A (zh) 可提高发光效率及控制出光角度的发光结构及其制作方法
CN102655198B (zh) 发光二极管光源
CN109716517B (zh) 一种类太阳光谱led灯珠结构
CN203617296U (zh) 覆晶式发光二极管单元
CN204962372U (zh) 全光谱led光源单元模组
CN108591849B (zh) 一种无频闪dob一体式led灯及其实现方法
JP7091035B2 (ja) 多色ｌｅｄ照明装置および照明器具
CN204596837U (zh) 全光谱led光源模组
Hartmann et al. White LEDs and modules in chip-on-board technology for general lighting
CN205026455U (zh) Led灯具及其光电模组
CN105280627A (zh) 光源模组及其封装方法、及运用该光源模组的照明装置
CN203215590U (zh) 一种大广角led模组
TWI762136B (zh) 顯示裝置
CN115692390A (zh) 类太阳光谱的光源结构及制成方法
CN108011011A (zh) 一种led的封装结构
CN203277500U (zh) Led灯光源模组

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190410

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190827

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20200324

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20200319

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20200417

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6694654

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250