JP6679290B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
まず、実施の形態の基本となる基本例1〜3について説明する。図1〜3は、それぞれ基本例1〜3に係るデータ処理システムの構成を示している。
以下、図面を参照して実施の形態1について説明する。
図4は、本実施の形態に係るデータ処理システムの概要構成を示している。図4に示すように、本実施の形態に係るデータ処理システム1は、半導体装置100とSDRAM200を備えている。本実施の形態に係る半導体装置100は、基本例1〜3と同様に、複数の演算モジュール110(例えば110_A−110_C)とメモリ制御モジュール120を備えている。演算モジュール110は、演算器111(111_A〜111_C)を備えている。さらに、いくつかの演算モジュール110は、圧縮回路11(例えば11_A、11_B)を備えている。メモリ制御モジュール120は、アクセス回路121を備えており、さらに、伸張回路21を備えている。なお、本実施の形態に係る半導体装置100、図5のように、少なくとも図4の構成のうちの演算モジュール110とメモリ制御モジュール120を備えていてもよい。すなわち、少なくとも演算モジュール110は、演算処理を実行する演算器(演算処理部)111、演算処理結果のデータを圧縮する圧縮回路(圧縮部)11を備え、メモリ制御モジュール120は、圧縮されたデータをSRDAM(メモリ)200に書き込み、書き込まれたデータをSDRAM200から読み出すアクセス回路(アクセス部)121、SDRAM200から読み出されたデータを伸張し、伸張されたデータを演算モジュール110へ出力する伸張回路(伸張部)21を備えている。
図6は、本実施の形態に係るデータ処理システムのより具体的な構成例を示している。図6に示すように、本実施の形態に係る半導体装置100は、図4の概要構成に加えてさらに、いくつかの演算モジュール110にバッファ112を備えている。
まず、本実施の形態に係る演算モジュール110(例えば演算モジュール110_A)の動作について説明する。
以上のように、本実施の形態では、演算モジュールに演算器の出力を受け付けるバッファを設置し、データをバッファリングした後に、圧縮処理を行う。これにより、圧縮に適したデータ構造に変換することができ、圧縮率を高くすることができる。
以下、図面を参照して実施の形態2について説明する。本実施の形態は、基本例1〜3または実施の形態1に適用可能であり、基本例1〜3または実施の形態1と圧縮データの格納方法のみが異なる。
以下、図面を参照して実施の形態3について説明する。本実施の形態は、実施の形態1または2に適用可能であり、実施の形態1または2とメモリ制御モジュールの構成のみが異なる。
以下、図面を参照して実施の形態4について説明する。本実施の形態は、実施の形態2または3に適用可能であり、実施の形態2または3と圧縮データのマッピングのみが異なる。
11 圧縮回路
21 伸張回路
91〜93 データ処理システム
100 半導体装置
110 演算モジュール
111 演算器
112 バッファ
120 メモリ制御モジュール
121 アクセス回路
122 アドレス変換器
130 データバス
200 SDRAM
201 圧縮データ
202 非圧縮データ
901〜903 半導体装置
DF デブロックフィルタ
Claims (10)
- 第一の演算モジュールと第二の演算モジュールと第三の演算モジュールとメモリ制御モジュールとを備え、
前記第一の演算モジュールは、
演算処理を実行する第一の演算処理部と、
前記第一の演算処理部の第一の演算処理結果のデータを圧縮する第一の圧縮部と、
を備え、
前記第二の演算モジュールは、
演算処理を実行する第二の演算処理部と、
前記第二の演算処理部の第二の演算処理結果のデータを圧縮する第二の圧縮部と、
を備え、
前記メモリ制御モジュールは、
前記第一または第二の圧縮部により圧縮されたデータをメモリに書き込み、前記書き込まれたデータを前記メモリから読み出すアクセス部と、
前記メモリから読み出されたデータを伸張し、前記伸張されたデータを前記第一の演算モジュールと前記第二の演算モジュールと前記第三の演算モジュールへ出力する伸張部と、
を備え、
前記メモリ制御モジュールは、前記第一または第二の演算モジュールから要求されたアドレスを変換するアドレス変換部を備え、
前記アクセス部は、前記変換されたアドレスで前記メモリへアクセスし、
前記伸張部は、前記要求されたアドレスが第1のアドレス領域に含まれる場合に前記データを伸張し、前記要求されたアドレスが第2のアドレス領域に含まれる場合に前記データの伸張を行わず、
前記第1のアドレス領域の変換後のアドレス領域と、前記第2のアドレス領域の変換後のアドレス領域は、前記メモリ上の同じアドレス領域に含まれる、
半導体装置。 - 第一の演算モジュールと第二の演算モジュールと第三の演算モジュールとメモリ制御モジュールとを備え、
前記第一の演算モジュールは、
演算処理を実行する第一の演算処理部と、
前記第一の演算処理部の第一の演算処理結果のデータを圧縮する第一の圧縮部と、
を備え、
前記第二の演算モジュールは、
演算処理を実行する第二の演算処理部と、
前記第二の演算処理部の第二の演算処理結果のデータを圧縮する第二の圧縮部と、
を備え、
前記メモリ制御モジュールは、
前記第一または第二の圧縮部により圧縮されたデータをメモリに書き込み、前記書き込まれたデータを前記メモリから読み出すアクセス部と、
前記メモリから読み出されたデータを伸張し、前記伸張されたデータを前記第一の演算モジュールと前記第二の演算モジュールと前記第三の演算モジュールへ出力する伸張部と、
を備え、
前記メモリ制御モジュールは、前記第一または第二の演算モジュールから要求されたアドレスを変換するアドレス変換部を備え、
前記アクセス部は、前記変換されたアドレスで前記メモリへアクセスし、
前記第一または第二の圧縮部は、データを所定の圧縮単位で圧縮し、前記圧縮単位のデータを前記メモリへ書き込むよう要求し、
前記アドレス変換部は、複数の前記圧縮単位のデータが前記メモリ上の同じアドレス領域に含まれるように前記アドレスを変換する、
半導体装置。 - 前記第一または第二の演算処理結果のデータを圧縮処理単位のデータに変換する変換部を備え、
前記第一または第二の圧縮部は、前記圧縮処理単位のデータを圧縮する、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記変換部は、前記第一または第二の演算処理結果のデータを所定の長さでアドレスが連続する構造のデータに変換する、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記変換部は、前記第一または第二の演算処理結果のデータを前記圧縮処理単位に格納するバッファを備える、
請求項3に記載の半導体装置。 - 前記第一または第二の演算処理部は、前記第一または第二の演算処理部の演算処理の処理単位順にアドレスが不連続のデータを出力し、
前記バッファは、前記出力されたデータのアドレスが連続するように前記データを格納する、
請求項5に記載の半導体装置。 - 前記伸張部は、前記メモリから読み出されたデータが圧縮されている場合、前記データを伸張する、
請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第一または第二の演算処理部は、前記メモリからデータを読み出す場合、メモリ読み出しコマンドとともにデータの圧縮または非圧縮を示すフラグを出力し、
前記伸張部は、前記メモリから読み出されたデータが圧縮されている場合、前記フラグに基づいて前記データを伸張する、
請求項7に記載の半導体装置。 - 前記第一または第二の圧縮部は、所定の圧縮単位で圧縮したデータを前記メモリ制御モジュールへ出力し、前記メモリ制御モジュールは、前記圧縮単位の先頭アドレスを圧縮前と同じアドレスとして前記圧縮したデータを前記メモリへ書き込む、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記伸張部は、前記要求されたアドレスが第1のアドレス領域に含まれる場合に前記メモリ上のアドレス領域のうち第1のメモリ領域のデータを伸張し、前記要求されたアドレスが第2のアドレス領域に含まれる場合に前記メモリ上のアドレス領域のうち第2のメモリ領域のデータを伸張する、
請求項2に記載の半導体装置。
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