JP6664737B2 - 金属イオンの検出方法、被検物質の検出方法、電極基板および検出キット - Google Patents
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Description
作用電極に酸化電位を印加することにより、作用電極に固定化された複合体中の金属粒子から金属イオンを生成させるイオン化工程、
作用電極における酸化電位を印加した部分の面積よりも小さい面積を有する部分に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を、還元電位を印加した部分の表面に析出させる析出工程、および
析出工程で析出させた金属に起因する電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む被検物質の検出方法を含む。
第1作用電極および第2作用電極に酸化電位を印加することにより、第1作用電極および第2作用電極に固定化された複合体中の金属粒子から金属イオンを生成させるイオン化工程、
第2作用電極には還元電位を印加せず、第1作用電極に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を第1作用電極の表面に析出させる析出工程、および
析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む被検物質の検出方法を含む。
作用電極に酸化電位を印加することにより、第1析出工程で析出させた金属から金属イオンを生成させるイオン化工程、
作用電極において、酸化電位を印加した部分の面積よりも小さい面積を有する部分に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を、還元電位を印加した部分の表面に析出させる第2析出工程、および
析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定し、電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む金属イオンの検出方法を含む。
第1作用電極および第2作用電極に酸化電位を印加することにより、第1析出工程で析出させた金属から金属イオンを生成させるイオン化工程、
第2作用電極には還元電位を印加せず、第1作用電極に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を、第1作用電極の表面に析出させる第2析出工程、および
析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定し、電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む金属イオンの検出方法を含む。
本明細書において、「X以上」は、Xの値と、Xよりも大きい値とを含むことを意味する。また、「Y以下」は、Yの値と、Yよりも小さい値とを含むことを意味する。さらに、「X〜Y」のように、端点による数値範囲の記載は、各範囲内に含まれるすべての数および有理数ならびに記載されている端点を含む。
まず、金属イオンの検出方法および被検物質の検出方法に用いられる検出装置の一例を添付図面により説明する。図1において、検出装置10は、電極基板30が挿入される基板受入部11と、検出結果を表示するディスプレイ12とを含んでいる。検出装置10は、図2に示されるように、ディスプレイ12と、電気測定装置13と、電源14と、A/D変換部15と、制御部16とを含んでいる。
本実施形態に係る電極基板は、作用電極と、対極とを備えている。作用電極は、金属イオンを生成させるための部分(以下、「イオン生成部」ともいう)と、金属イオンの生成後に金属を析出させるための部分(以下、「金属析出部」ともいう)とを含む。また、作用電極では、金属析出部の面積が、イオン生成部の面積よりも小さくなるように構成されている。そのため、作用電極全体で金属イオン生成および金属イオン生成後の金属析出を行なう場合に比べて、作用電極の一部分のみで電流、電圧または電荷の測定を行なうので、ノイズが低減される。また、本実施形態に係る電極基板によれば、大きい面積の部分(イオン生成部)で金属イオンを生成させた後、当該金属イオンを小さい面積の部分(金属析出部)に集積させて金属を析出させることができる。そのため、作用電極全体で金属イオン生成および金属イオン生成後の金属析出を行なう場合と同等のシグナルを得ることができる。したがって、S/N比が向上する。
(I)基板本体の表面に、作用電極、対極および任意に参照電極のパターンを形成するように導電性を有する薄膜を形成させる工程、
(II)必要により、作用電極の表面に捕捉物質を固定化する工程、
(III)必要により、作用電極表面のブロッキング処理を行なう工程。
本実施形態に係る金属イオンの検出方法は、作用電極と対極とを含む電極基板の作用電極の表面に、金属イオンを含む試料を接触させ、作用電極に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を作用電極の表面に析出させる第1析出工程、
作用電極に酸化電位を印加することにより、第1析出工程で析出させた金属から金属イオンを生成させるイオン化工程、
作用電極において、酸化電位を印加した部分の表面積よりも小さい表面積を有する部分に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を、還元電位を印加した部分の表面に析出させる第2析出工程、および
析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定し、電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む方法である(以下、「方法1」という)。
金イオン、または金イオンと同様の性質を有する他の金属イオンを検出する場合、測定工程において、析出工程で第1作用電極上に金属が析出するまでの電流、電圧または電荷を測定し、第1作用電極上における金属の析出に伴う電流の変化、電圧の変化または電荷の変化が生じるまでの還元電位の印加時間に基づいて金属イオンを検出することができる(以下、「方法1−2」という)。「金イオンと同様の性質を有する他の金属イオン」は、金イオンと同様に、溶着した金属を酸化させにくく、大きな電圧を必要とする金属イオンである。金イオンと同様の性質を有する他の金属イオンとしては、例えば、白金イオンなどが挙げられるが、限定されない。
1) 方法1−1では、銀イオン211aを含む試料201を用いるのに対し、方法1−2では、金イオン221aを含む試料202を用いる点。
2) 方法1−1では、第1作用電極43の表面上に析出した銀211bが再度イオン化する際の電流、電圧または電荷を測定し、当該電流、電圧または電荷に基づいて銀イオン211aを検出する。これに対し、方法1−2において、第1作用電極43の表面上における金221bが析出する際の電流、電圧もしくは電荷を測定するか、金221bの析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化を測定し、金211bの析出の際の電流、電圧もしくは電荷、金211bの析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化に基づいて金イオン221aを検出する点。
本実施形態に係る被検物質の検出方法は、作用電極と対極とを含む電極基板の作用電極の表面に、被検物質と金属粒子とを含む複合体を固定化する固定化工程、
作用電極に酸化電位を印加することにより、作用電極に固定化された複合体中の金属粒子から金属イオンを生成させるイオン化工程、
作用電極における酸化電位を印加した部分の面積よりも小さい面積を有する部分に還元電位を印加することにより、金属イオンから生成する金属を、還元電位を印加した部分の表面に析出させる析出工程、および
析出工程で析出させた金属に起因する電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含む方法である(以下、「方法2」という)。
つぎに、方法2−2の処理手順の一例を添付図面により説明する。図9においては、金粒子221b上に被検物質206に結合する結合物質222が固定化された標識結合物質220と、図4(A)に示されるパターンとなるように形成された第1作用電極43および第2作用電極44を含み、かつ捕捉物質を有する電極基板30eとを用い、金を検出する場合を例として挙げて説明する。なお、図9は、図4(B)中の第1作用電極43および第2作用電極44のA−A線での断面説明図である。本実施形態においては、第1作用電極43および第2作用電極44上の捕捉物質91と被検物質206との間の生物学的相互作用を利用して第1作用電極43および第2作用電極44の表面に被検物質206を含む標識複合体215を固定化する。
1) 方法2−1では、銀211bである銀粒子を含む標識結合物質210を用いるのに対し、方法2−2では、金221bである金粒子を含む標識結合物質220を用いた点。
2) 方法2−1では、第1作用電極43の表面上に析出した銀211bが再度イオン化する際の電流、電圧または電荷を測定し、当該電流、電圧または電荷に基づいて被検物質206を検出する。これに対し、方法1−2において、第1作用電極43の表面上における金221bが析出する際の電流、電圧もしくは電荷を測定するか、金221bの析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化を測定し、金211bの析出の際の電流、電圧もしくは電荷、金211bの析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化に基づいて被検物質206を検出する点。
本実施形態に係る被検物質の検出キットは、前述した電極基板と、金属粒子を含む試薬とを含む。本実施形態に係る被検物質の検出キットは、例えば、図10に示されるように、電極基板30と、金属粒子を含有する金属粒子懸濁液が入った試薬ボトル101と、還元電位または酸化電位の印加の際に用いられる電解液が入った試薬ボトル102と、各電極を洗浄するための洗浄液が入った試薬ボトル103とを含むキット100として提供することができる。なお、電極基板30、試薬ボトル101,102,103は、それぞれ別々に提供されてもよく、2種以上を組み合わせて提供してもよい。
(1)電極基板の作製
ガラスエポキシからなる基板本体31の表面に、図3(A)に示されるパターンとなるようにカーボンペーストを塗布し、乾燥させることにより、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51、参照電極本体61aおよび電極リード71,72,73,74を形成した。つぎに、参照電極本体61aの先端部に、銀/塩化銀を塗布し、参照電極61を得た。各電極への試料の接触を維持し、かつ各電極リードへの試料の漏出を抑制するために、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が露出し、かつ電極リード71,72,73,74それぞれの一部が覆われるように、レジスト絶縁膜〔図3(A)中、80参照〕を配置し、電極基板30aを得た。
実施例1(1)で得られた電極基板30aをポテンショスタット〔ビー・エー・エス(株)製、商品名:832B〕に接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、試料〔硝酸ナトリウム水溶液(0pM硝酸銀)または100pM硝酸銀を含む硝酸ナトリウム水溶液〕30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を300秒間印加し、第1作用電極41および第2作用電極42の表面上に銀を析出させた。
実施例1(2)で銀を析出させた電極基板30aをポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩化ナトリウム水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極41のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を300秒間印加した。その後、第1作用電極41に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極41と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例1(2)で銀を析出させた電極基板30aをポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩化ナトリウム水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を300秒間印加した。その後、第1作用電極41および第2作用電極42それぞれに対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極41と対極51との間に流れる電流および第2作用電極42と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例1(2)で銀を析出させた電極基板30aをポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩化ナトリウム水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極のみに、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極41のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を300秒間印加した。その後、第1作用電極41に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極41と対極51との間に流れる電流を測定した。
(1)電極基板本体の作製
実施例1(1)において、基板本体31の表面に、図3に示されるパターンとなるようにカーボンペーストを塗布する代わりに、基板本体31の表面に、図4(A)に示されるパターンとなるようにカーボンペーストを塗布したことを除き、実施例1(1)と同様の操作を行ない、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61を有する電極基板本体を得た。第1作用電極43の面積〔図4(B)中、A1〕を0.3mm2に設定した。また、第2作用電極44の面積〔図4(B)中、A2〕を2.7mm2に設定した。これにより、[第1作用電極の面積A1]/[全作用電極の面積(A1+A2)]を1/10に設定した。第1作用電極43と第2作用電極44との間の距離を50μmに設定した。
抗HBs抗原1次抗体溶液〔(株)シスメックスにて調製〕を抗HBs抗原1次抗体の濃度が100μg/mLになるように炭酸ナトリウム緩衝液(pH9)に添加し、1次抗体溶液を得た。得られた1次抗体溶液3μLを、実施例2(1)で得られた電極基板本体の第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上に滴下した。その後、電極基板本体を高湿度条件〔測定範囲(60体積%)以上〕下に室温(25℃)で2時間静置した。つぎに、第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上の溶液を除去した。リン酸緩衝生理食塩水4μLを第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上に滴下し、ピペッティングで洗浄を行なった。洗浄後、第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上のリン酸緩衝生理食塩水を除去した。
実施例2(2)で1次抗体が固定された電極基板本体の第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上に10%(w/w)BSA含有リン酸緩衝生理食塩水4μLを滴下した。その後、抗体固定電極基板を高湿度条件下に4℃で一晩静置した。つぎに、第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上の溶液を除去した。リン酸緩衝生理食塩水4μLを第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上に滴下し、ピペッティングで洗浄を行なった。洗浄後、第1作用電極43および第2作用電極44それぞれの表面上のリン酸緩衝生理食塩水を除去し、電極基板30bを得た。
抗HBs抗原2次抗体溶液〔(株)シスメックス製〕を抗HBs抗原2次抗体の濃度が100μg/mLになるようにリン酸ナトリウム緩衝液(pH7)に添加し、2次抗体溶液を得た。
被検物質であるHBs抗原〔シスメックス(株)製、商品名:HISCL HBsAgキャリブレータ、2500IU/mL〕をHBs抗原の濃度が12.5IU/mLとなるようにウシ胎児血清(以下、「FBS」ともいう)に添加し、HBs抗原含有FBSを得た。つぎに、試料としてのFBS(HBs抗原の濃度:0IU/mL)またはHBs抗原含有FBSと、実施例2(2)で得られた標識複合体の溶液とを、[試料]/[標識複合体の溶液](体積比)が3/1となるように混合した。
実施例2(5)で被検物質を固定化した電極基板30bを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極43のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を8分間印加した。その後、第1作用電極43に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例2(5)で被検物質を固定化した電極基板30bを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05Mの塩酸30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43と第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を8分間印加した。その後、第1作用電極43および第2作用電極44に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4V〜0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流および第2作用電極44と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例2(5)で被検物質を固定化した電極基板30bを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05Mの塩酸30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極43に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を8分間印加した。その後、第1作用電極43に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4V〜0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流を測定した。
(1)被検物質の固定
被検物質であるHBs抗原〔シスメックス(株)製、商品名:HISCL HBsAgキャリブレータ、2500IU/mL〕をHBs抗原の濃度が0.09、0.19、0.78、3.12、12.5または50IU/mLとなるようにFBSに添加し、HBs抗原含有FBSを得た。つぎに、試料としてのFBS(HBs抗原の濃度:0IU/mL)またはHBs抗原含有FBS(HBs抗原の濃度:0.09、0.19、0.78、3.12、12.5または50IU/mL)と、実施例2(2)で得られた標識複合体の溶液とを、[試料]/[標識複合体の溶液](体積比)が3/1となるように混合した。
実施例2(6)と同様の操作を行なうことにより、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例3(1)で被検物質を固定化した電極基板30bを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を8分間印加した。その後、第1作用電極43および第2作用電極44に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4V〜0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流および第2作用電極44と対極51との間に流れる電流を測定した。
(1)1次抗体の固定
抗HBs抗原1次抗体溶液を抗HBs抗原1次抗体の濃度が100μg/mLになるように炭酸ナトリウム緩衝液(pH9)に添加し、1次抗体溶液を得た。得られた1次抗体溶液3μLを、実施例1(1)で得られた電極基板30aの第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上に滴下した。その後、電極基板30aを高湿度条件下に室温(25℃)で2時間静置した。つぎに、第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上の溶液を除去した。リン酸緩衝生理食塩水4μLを第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上に滴下し、ピペッティングで洗浄を行なった。洗浄後、第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上のリン酸緩衝生理食塩水を除去した。
実施例4(1)で1次抗体が固定された電極基板本体の第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上に10%(w/w)BSA含有リン酸緩衝生理食塩水4μLを滴下した。その後、電極基板本体を高湿度条件下に4℃で一晩静置した。つぎに、第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上の溶液を除去した。リン酸緩衝生理食塩水4μLを第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上に滴下し、ピペッティングで洗浄を行なった。洗浄後、第1作用電極41および第2作用電極42それぞれの表面上のリン酸緩衝生理食塩水を除去し、図3(A)に示される電極基板30cを得た。
被検物質であるHBs抗原〔シスメックス(株)製、商品名:HISCL HBsAgキャリブレータ、2500IU/mL〕をHBs抗原の濃度が0.09、0.19、0.78、3.12、12.5または50IU/mLとなるようにFBSに添加し、HBs抗原含有FBSを得た。つぎに、試料としてのFBS(HBs抗原の濃度:0IU/mL)またはHBs抗原含有FBS(HBs抗原の濃度:0.09、0.19、0.78、3.12、12.5または50IU/mL)と、実施例2(2)で得られた標識複合体の溶液とを、[試料]/[標識複合体の溶液](体積比)が3/1となるように混合した。
実施例4(3)で被検物質を固定化した電極基板30cを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極41のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を5分間印加した。その後、第1作用電極41に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極41と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例4(3)で被検物質を固定化した電極基板30cを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極41、第2作用電極42、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を15秒間印加した。その後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を5分間印加した。その後、第1作用電極41および第2作用電極42の両方に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極41と対極51との間に流れる電流および第2作用電極42と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例1〜4で用いられた電極基板とは第1作用電極と第2作用電極との面積比が異なる電極基板を用い、被検物質の検出感度を検証した。
実施例1(1)において、基板本体31の表面に、図3に示されるパターンとなるようにカーボンペーストを塗布する代わりに、基板本体31の表面に、図5に示されるパターンとなるようにカーボンペーストを塗布したことを除き、実施例1(1)と同様の操作を行ない、第1作用電極45、第2作用電極46、対極51および参照電極61を有する電極基板本体を得た。図5において、第1作用電極45は、電極リード71と一体的に構成されている。図5(B)においては、第1作用電極45は、レジスト絶縁膜80に覆われていない露出した部分である。この部分において、金属の析出、金属のイオン化などが行なわれた。図5(B)において、第1作用電極45は、図5(B)のA1で示される部分である。また、第2作用電極46は、電極リード72と一体的に構成されている。図5(B)においては、第2作用電極46は、レジスト絶縁膜80に覆われていない露出した部分である。この部分において、金属のイオン化などが行なわれた。図5(B)においては、第1作用電極45および第2作用電極46にハッチを付している。第1作用電極45の面積〔図5(B)中、A1参照〕を0.45mm2に設定した。また、第2作用電極46の面積〔図5(B)中、A2参照〕を2.55mm2に設定した。[第1作用電極の面積(A1)]/[全作用電極の面積(A1+A2)]を3/20に設定した。第1作用電極45と第2作用電極46との間の距離を50μmに設定した。
実施例2(2)において、実施例2(1)で得られた電極基板本体を用いる代わりに、実施例5(1)で得られた電極基板本体を用いたことを除き、実施例2(2)と同様の操作を行ない、実施例5(1)で得られた電極基板本体に1次抗体を固定した。
実施例2(3)において、実施例2(2)で1次抗体が固定された電極基板本体を用いる代わりに、実施例5(2)で1次抗体が固定された電極基板本体を用いたことを除き、実施例2(3)と同様の操作を行ない、電極基板30dを得た。
被検物質であるHBs抗原〔シスメックス(株)製、商品名:HISCL HBsAgキャリブレータ、2500IU/mL〕をHBs抗原の濃度が3.13IU/mLとなるようにFBSに添加し、HBs抗原含有FBSを得た。つぎに、試料としてのFBS(HBs抗原の濃度:0IU/mL)またはHBs抗原含有FBS(HBs抗原の濃度:3.13IU/mL)と、実施例2(2)で得られた標識複合体の溶液とを、[試料]/[標識複合体の溶液](体積比)が1/1となるように混合した。
実施例5(4)で被検物質を固定化した電極基板30dを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極45、第2作用電極46、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極45および第2作用電極46の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極45のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を4分間印加した。その後、第1作用電極45に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極45と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例5(4)で被検物質を固定化した電極基板30dを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極45、第2作用電極46、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極45および第2作用電極46の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極45および第2作用電極46の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を4分間印加した。その後、第1作用電極45に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極45と対極51との間に流れる電流および第2作用電極46と対極51との間に流れる電流を測定した。
第1作用電極43と第2作用電極44との間の距離を50μmとする代わりに、第1作用電極43と第2作用電極44との間の距離を100μmとしたことを除き、実施例2と同様の操作を行ない、電極基板30eを得た。得られた電極基板30eを用い、実施例2と同様の操作を行ない、測定を行なった。
実施例6で被検物質を固定化した電極基板30eを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極43および第2作用電極44の両方に、参照電極61基準で−1.0Vの電位を4分間印加した。その後、第1作用電極43に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43および第2作用電極44と対極51との間に流れる電流を測定した。
実施例6で被検物質を固定化した電極基板30eを、ポテンショスタットに接続した。つぎに、第1作用電極43、第2作用電極44、対極51および参照電極61が覆われるように、0.05M塩酸水溶液30μLを滴下した。滴下終了後、第1作用電極43のみに、参照電極61基準で2.1Vの電位を30秒間印加した。その後、第1作用電極43のみに、参照電極61基準で−1.0Vの電位を4分間印加した。その後、第1作用電極43に対し、微分パルスボルタンメトリー法で、−0.4Vから0.4V間で電位を掃引し、第1作用電極43と対極51との間に流れる電流を測定した。
11 基板受入部
12 ディスプレイ
13 電気測定装置
14 電源
15 変換部
16 制御部
30 電極基板
30a 電極基板
30b 電極基板
30c 電極基板
30d 電極基板
30e 電極基板
31 基板本体
41 第1作用電極
42 第2作用電極
43 第1作用電極
44 第2作用電極
45 第1作用電極
46 第2作用電極
51 対極
61 参照電極
61a 参照電極本体
71 電極リード
72 電極リード
73 電極リード
74 電極リード
80 レジスト絶縁膜
91 捕捉物質
100 キット
101 試薬ボトル
102 試薬ボトル
103 試薬ボトル
201 試料
202 試料
205 試料
206 被検物質
207 夾雑物質
210 標識結合物質
211a 銀イオン
211b 銀
212 結合物質
215 標識複合体
220 標識結合物質
221a 金イオン
221b 金
222 結合物質
225 標識複合体
Claims (16)
- 第1作用電極と第2作用電極と対極とを含む電極基板の第1作用電極上および第2作用電極の表面に、被検物質と金属粒子とを含む複合体を固定化する固定化工程、
前記第1作用電極および第2作用電極に酸化電位を印加することにより、前記第1作用電極および前記第2作用電極に固定化された複合体中の金属粒子から金属イオンを生成させるイオン化工程、
前記第2作用電極には還元電位を印加せず、前記第1作用電極に還元電位を印加することにより、前記金属イオンから生成する金属を前記第1作用電極の表面に析出させる析出工程、および
前記析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含み、
前記第1作用電極の面積が前記第2作用電極の面積よりも小さい、被検物質の検出方法。 - 前記測定工程において、前記析出工程で前記第1作用電極の表面に析出させた前記金属から金属イオンを生成させる際に生じる電流、電圧または電荷を測定し、
前記電流、電圧または電荷に基づいて被検物質を検出する、請求項1に記載の方法。 - 前記測定工程において、前記析出工程で前記第1作用電極の表面に金属が析出する際の電流、電圧もしくは電荷を測定するか、または前記析出工程で前記第1作用電極の表面における金属の析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化を測定し、
前記第1作用電極の表面における金属の析出の際の電流、電圧もしくは電荷、または前記金属の析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化に基づいて被検物質を検出する、請求項1に記載の方法。 - 前記金属粒子上に、被検物質に結合する結合物質が固定化されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記結合物質が、抗体である、請求項4に記載の方法。
- 前記第1作用電極及び前記第2作用電極の表面に、被検物質に結合する捕捉物質が固定化されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- 前記捕捉物質が、抗体である、請求項6に記載の方法。
- 前記第1作用電極の面積A1及び前記第2作用電極の面積A2により表される、比(A1/(A1+A2))が、3/20以下である、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 第1作用電極と第2作用電極と対極とを含む電極基板の作用電極の表面に、金属イオンを含む試料を接触させ、前記作用電極に還元電位を印加することにより、前記金属イオンから生成する金属を前記第1作用電極および前記第2作用電極の表面に析出させる第1析出工程、
前記第1作用電極および前記第2作用電極に酸化電位を印加することにより、前記第1析出工程で析出させた金属から金属イオンを生成させるイオン化工程、
前記第2作用電極には還元電位を印加せず、前記第1作用電極に還元電位を印加することにより、前記金属イオンから生成する金属を、前記第1作用電極の表面に析出させる第2析出工程、および
前記第2析出工程で析出させる金属に起因する電流、電圧または電荷を測定する測定工程、
を含み、
前記第1作用電極の面積が前記第2作用電極の面積よりも小さい、金属イオンの検出方法。 - 前記測定工程において、前記第2析出工程で前記第1作用電極の表面に析出させた前記金属から金属イオンを生成させる際に生じる電流、電圧または電荷を測定し、
前記電流、電圧または電荷に基づいて金属イオンを検出する、請求項9に記載の方法。 - 前記測定工程において、前記第2析出工程で前記第1作用電極の表面に金属が析出する際の電流、電圧もしくは電荷を測定するか、または前記第2析出工程で前記第1作用電極における金属の析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化を測定し、
前記第1作用電極における金属の析出の際の電流、電圧もしくは電荷、または前記金属の析出に伴う電流の変化、電圧の変化もしくは電荷の変化に基づいて金属イオンを検出する、請求項9に記載の方法。 - 前記金属が、亜鉛、鉛、銅、水銀、カドミウム、金または銀である、請求項9〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1作用電極の面積A1及び前記第2作用電極の面積A2により表される、比(A1/(A1+A2))が、3/20以下である、請求項9〜12のいずれかに記載の方法。
- 作用電極と、対極とを備え、
前記作用電極が、酸化電位の印加と前記酸化電位の印加後の還元電位の印加とが行なわれる第1作用電極と、酸化電位の印加が行なわれ、かつ前記酸化電位の印加後還元電位の印加が行なわれない第2作用電極とを含み、
前記第1作用電極の面積が前記第2作用電極の面積よりも小さい、請求項1〜7のいずれか1項に記載の被検物質の検出方法または請求項9〜12のいずれか1項に記載の金属イオンの検出方法に用いるための電極基板。 - 前記第1作用電極の面積A1及び前記第2作用電極の面積A2により表される、比(A1/(A1+A2))が、3/20以下である、請求項14に記載の電極基板。
- 請求項14または15に記載の電極基板と、金属粒子を含む試薬とを含む、被検物質の検出キット。
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