JP6663753B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は表示装置に関する。特に有機EL素子を形成した表示領域上にタッチセンサを搭載した表示装置に関する。
モバイル機器用の表示装置は、薄型化、軽量化が要求されており、この観点で液晶表示装置と有機EL表示装置とを比較すると、バックライトを必要としない点において、有機EL表示装置が有利だと考えられる。また、近年ではフレキシブル基板上に画素駆動回路及び有機EL素子を形成する技術の開発が進んでおり、従来のガラス基板を用いたものに比べ、より薄く、軽いディスプレイが実現されている。このような流れにおいて、表示デバイス以外の部材、例えばタッチセンサ、偏光板等についても薄型化が望まれており、特にタッチセンサを別部材として表示装置上に貼り付け実装すると、厚さが増大してしまうために、表示装置への内蔵化が求められている。
有機EL表示装置にタッチセンサを内蔵させる方式に関しては、例えば、特許文献1に開示されている。この発明では、有機EL素子を形成する電極の一方を帯状にし、タッチセンサの電極として使用することが示されている。
特許第5778961号公報
有機EL表示装置にタッチセンサを内蔵させることにより、新たな課題が発生する。その1つとして、タッチセンサの電極と有機EL素子との間の距離が接近することにより、有機EL素子を駆動する画素駆動回路への信号入力および回路動作に起因したノイズが大きくなることがある。これによりタッチセンサのS/N比が低下し、センシングの性能が悪化してしまう。
この対策として、垂直走査期間内で映像信号書込みを行う期間とタッチ検出を行う期間とを分離することが考えられる。各動作を時分割とすることで、画素駆動回路への信号入力および回路動作によるノイズを避けることができ、S/N比の向上が可能になる。しかしながら、画像表示装置の高精細化が進むと、画素への映像信号の書込みに要する時間が増え、さらに有機EL表示装置では駆動トランジスタのしきい値ばらつきを補正する等、特別な動作を別途必要とする場合があるので、前述のように映像信号書込みを行う期間と、タッチ検出を行う期間とを分離して、それぞれを完了することは困難になる。
本発明は、前述の課題を鑑みてなされたものであり、高精細な表示装置にタッチセンサを内蔵した場合であっても、十分なS/N比を確保して正常な画像表示とタッチ検出を実現できる表示装置を提供するものである。
本発明に係る表示装置の一態様は、絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、を備えた表示装置であって、前記表示領域において、前記複数の走査線の一行が選択されている期間と、次行が選択されている期間との間に、前記タッチセンサにおいて、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、前記タッチ検出期間の間は、前記複数の走査線及び前記複数の映像信号線の電位は一定であることを特徴とする。
本発明に係る表示装置の駆動方法の一態様は、絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、を備えた表示装置の駆動方法であって、前記表示領域は、前記トランジスタのゲート又はソースの電位を一定電位とする初期化期間と、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、前記映像信号書込期間で決定さえたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、を有し、前記タッチセンサは、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されると共に、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出期間は、前記表示領域のある一行における前記オフセットキャンセル期間に含まれることを特徴とする。
本発明により、映像信号書込み動作とタッチ検出とを並行して行いながら、画素駆動回路への信号入力および回路動作によるノイズを避けることができる。
本発明の表示装置の概略を示す図である。 本発明の表示装置に内蔵されたタッチ電極の概略を示す図である。 本発明の表示装置の断面構造を示す図である。 表示装置の駆動方法を示す図である。 表示装置の駆動方法を示す図である。 有機EL表示装置の画素回路の例を示す図である。 表示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの一例を示す図である。 有機EL表示装置の画素回路の例を示す図である。 本発明の、示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの一例を示す図である。 タッチセンサ及び検出回路の構成と、タッチ検出動作のタイミングの一例を示す図である。 本発明の、示動作とタッチ検出を並行して行うタイミングの異なる一例を示す図である。
以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。
また、本発明において、ある構造体の「上に」他の構造体を配置する態様を表現するにあたり、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、直上に他の構造体を配置する場合と、ある構造体の上方に、さらに他の構造体を介して他の構造体を配置する場合との両方を含むものとする。
図1は本発明の表示装置の構成例である。表示装置100は、基板101上に、表示領域102、及び走査線駆動回路103、104がそれぞれ形成されており、ドライバIC105、表示用FPC(フレキシブルプリント基板)106、及びタッチ用FPC107が接続されている。ドライバIC105は、図1においては基板101上に実装されているが、表示用FPC106上に実装されていてもよい。また、表示領域102を覆うように、対向基板108が設けられていてもよい。表示領域102には、行方向(図1中、水平方向)に走る走査線、列方向(図1中、垂直方向)に走る映像信号線がそれぞれ複数本配置されている。走査線と映像信号線の交点には、副画素109aが配置されている。副画素109aは、それぞれ異なる色に発光する発光素子を有し、複数が集まって1画素109(図1中、点線枠で表示)を形成することでフルカラー表示を行う。この例では、走査線110は画素1行当たり3本(g1、g2、g3)配置され、映像信号線120は画素1列あたり3本(R、G、B)配置されている。また図示されていないが、表示領域102内には発光素子に一定電圧を供給するための電源線等の配線も存在する。各副画素109aには、ドライバIC105から映像信号線120を介して供給される信号に応じた輝度で発光するように、発光素子の輝度制御を行う画素回路が配置される。
表示装置100は、表示機能に加えてタッチセンサを備える。図1においては、特に表示機能に関する説明を行うためタッチセンサは省略されていたが、図2(A)に示すように、発光素子の上層、つまり発光素子よりも表示面側に配置される。タッチセンサは、例えば2種類の電極より形成され、一方が行方向に走る駆動電極201、他方が列方向に走る検出電極202である。
図2(B)に、図2(A)における点線枠210の拡大図を示す。駆動電極201及び検出電極202は、表示装置100の表示領域上に設けられるため、ITO、IZO等の透明導電膜により形成される。透明導電膜を形成する他の材料としては、Agナノワイヤ等が考えられる。Agナノワイヤは、溶媒中に微細な繊維状のAgを分散させた材料で、塗布形成が可能なものである。さらに、一方の電極間は、他方を乗り越える構成になるため、ブリッジ配線203等を用いて接続される。図2(B)では、矩形状の電極形状となっているが、駆動電極201又は検出電極202を金属層を用いて線幅を細く形成し、発光素子の光が通過する領域を確保してもよい。このタッチセンサは、所定の位置をタッチすることによりその位置での駆動電極と検出電極との間の容量が変化し、その容量変化を検出することでタッチされた位置の検出を行う。それぞれの電極はタッチ用FPC107により外部の検出回路と接続される。
タッチセンサを搭載した表示装置の断面構造の例を図3に示す。図3では、下から基板101、TFTアレイ301、発光素子層302、封止層303、タッチセンサ304、円偏光板305、カバーガラス306、が配置される。なお、貼り合せ形成する場合に必要となる接着層は記載していない。カバーガラス306は、表示領域のみならず、ドライバIC105、及び表示用FPC106が実装されている領域の上にも延在する。
この構造では、TFTアレイ301、発光素子層302の上に、封止層303を介してタッチセンサ304が配置されている。タッチセンサ304を形成する基板を薄型化した場合や、タッチセンサの駆動電極と検出電極とを封止層303上に直接形成した場合、タッチセンサ304と、TFTアレイ301や発光素子層302に含まれる電極とが非常に近接して配置される。結果、両者の間は電気的に強い容量カップリングが形成される。表示動作に伴って、TFTアレイ301には様々な信号が入力されて内部回路が動作するが、これらの信号や回路動作時の電位の変化がノイズとなり、タッチセンサ304のS/N比を低下させる。
この対策として、従来、例えば図4に示すように、1垂直走査期間を、映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間とに分け、タッチセンサ駆動期間の間はTFTアレイの信号を止めることによりノイズの発生を抑える方法がある。図4においては、1垂直走査期間401は、映像信号書込期間402、404と、タッチセンサ駆動期間403、405とに分かれている。映像信号書込期間402では、1行目から途中の行(例えば全体の半分)までの映像信号書込を行い、続くタッチセンサ駆動期間403で面内のタッチ検出を行う。その後の映像信号書込期間404で残りの行での映像信号書込を行い、最後のタッチセンサ駆動期間405で、再び面内のタッチ検出を行う。つまり、1垂直走査期間内に2回のタッチ検出を行う例を示している。
図4に示した方法によると、映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間が時間的に完全に分離しているため、一方の回路動作時の電位の変化が他方にノイズとして影響することが無い。しかしながら、1垂直期間内にタッチセンサ駆動期間を確保するために、映像信号書込期間を短い時間で完了する必要がある。特に有機EL表示装置においては、映像信号書込期間において、映像信号の書込だけでなく、各副画素におけるトランジスタの特性ばらつきの補正を行う場合があり、表示領域の高精細化とも合わさって、映像信号書き込み期間の短縮は非常に困難である。
映像信号書込期間とタッチセンサ駆動期間とは、別の回路によって制御されるものであるから、図5に示すように互いに同じ期間内でそれぞれの動作が実行されることが好ましい。ただしこの方法では、冒頭にて述べた通りタッチ検出時にノイズの影響が大きくなってしまう。本発明においては、図5に示した駆動タイミングによって表示とタッチ検出を行うと共に、TFTアレイからのノイズを低減できるような駆動方法を考案した。映像信号書込期間502は、1垂直走査期間501の全体を通じて実行されるのに並行して、タッチ検出が、503、504で示すように2回実行される。ある瞬間tにおいて、丸印511で示される通り、表示装置のある行で映像信号書込動作が行われている一方、丸印512で示される通り、タッチセンサのある行でタッチ検出が行われている。以下に詳細を説明する。
図6(A)は、有機EL表示装置の画素回路の一例を示している。この構成によると、1つの副画素は、4つのトランジスタ(M1〜M4)、2つの容量(C1、C2)、3本の走査線(Select、AZ、AZB)、1本の映像信号線(Data)から形成される。M1、M3、M4はスイッチング動作ができればよく、トランジスタには限定しない。発光素子(OLED)を駆動するための電源(PVDD、PVSS)が各副画素に供給される。
図6(B)は、図6(A)に示した画素回路の駆動タイミングを示している。ここでは、k行目およびk+1行目の動作のみ示している。
期間aにおいては、走査線(Select)がLレベルとなってM1を導通し、C1を介してM2のゲート電位を引き上げる。続いて走査線(AZ)がLレベルとなってM3を導通し、M2のゲート・ドレイン間を短絡する。さらに走査線(AZB)がHレベルとなってM4を非導通とし、OLEDへの電流供給を遮断する。これらの動作によって、M2のゲートが初期化されると共に、M2のしきい値に相当する電位差がゲート・ソース間に生じる。
期間bにおいては、映像信号線(Data)が、当行の映像信号電位に変化し、C1のカップリングを介してM2のゲート電位を変化させる。このとき、M2のゲート電位の変化量は、C1およびC2の合成容量によって決定される。前段階で、M2のしきい値に相当する電位差がM2のゲート・ソース間に生じており、さらに映像信号電位に相当する変化量をM2のゲートに与えることで、各副画素においてしきい値のばらつきをキャンセルしている。
映像信号の書込が完了した後、期間cにおいて、走査線(AZB)がLレベルとなり、M2のゲート・ソース間電圧に応じた電流をOLEDに供給することで発光する。この発光は、次に走査線(AZB)がHレベルになるまで継続する。
次にタッチセンサにおけるタッチ検出動作について説明する。図10(A)はタッチセンサ及び検出系の回路構成例を示しており、点線に対して1001側が表示領域上に設けられたタッチ電極、1002側が検出回路を示している。タッチ電極は、図2に示した通り、検出電極(Rx)と駆動電極(Tx)とでカップリングを形成しており、駆動電極(Tx)側から駆動パルスが入力されると検出電極(Rx)の電位が変動するが、タッチの有無によってこの変動量が異なる。検出回路では、検出電極(Rx)の変動をオペアンプ(OPAMP)を用いた積分器で受け、その出力をサンプルホールド回路で取り込み、保持(Cout)する。図10(B)は、図10(A)に示した検出回路の駆動タイミングを示している。検出回路において、リセット信号(RST)が入力されると積分器の出力が初期化される。続いて、駆動電極(Tx)側の駆動信号に立ち上がり又は立ち下がりが生ずると、それに応じて検出電極(Rx)の電位がカップリングにより変動する。ある程度時間を置いてサンプルホールド信号(S/H)が入力され、積分器の出力がホールドされる。図10(B)中、1010で示される期間が、駆動電極(Tx)1行分のタッチ検出動作を示している。本発明においては、上記動作のうち、駆動電極(Tx)の立ち上がり/立ち下がりから、出力ホールドまでの動作、すなわち図10(B)中、1020で示されるタッチ検出期間を、表示動作の特定のタイミングに組み込むことにより、タッチ検出時のノイズの影響を抑える。
図7は、図6にて説明した画素回路の駆動タイミングに、図10にて説明したタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。期間aの終期、それぞれ701、702、703で示される期間においては、各走査線、および信号線の電位は一定となっている。この期間を利用して、駆動電極(Tx)への駆動信号(DRV)の入力から出力ホールドまでを行う。
図8(A)は、有機EL表示装置の、図6とは異なる構成を有する画素回路の一例を示している。この構成によると、1つの副画素は、4つのトランジスタ(M11〜M14)、1つの容量(C11)、3本の走査線(BG、RG、SG)、1本の映像信号線(Data/Vini)から形成される。M11、M13、M14はスイッチング動作ができればよく、トランジスタには限定しない。発光素子(OLED)を駆動するための電源(PVDD、PVSS)および初期化電位(Vrst)が各副画素に供給される。
図8(B)は、図8(A)に示した画素回路の駆動タイミングを示している。ここでは、k行目およびk+1行目の動作のみ示している。
図8(B)中、810で示される期間が1水平期間であり、この期間の前半において、映像信号線には初期化信号(Vini)が入力され、後半において、それぞれの行の映像信号(Data)が入力される。
図8(B)中、期間801において、走査線(BG)がLレベルとなってM13を非導通とし、走査線(RG)がHレベルとなり、M14を導通することによってOLEDへの電流供給を遮断すると共に、M12のソース・ドレインを初期化電位(Vrst)とする。
期間802において、走査線(SG)がHレベルとなり、M11を導通する。このとき、映像信号線(Data)には初期化信号(Vini)が入力されているので、M11を通じてM12のゲートに初期化信号が入力される。
期間803において、M12のゲートに初期化信号が入力された状態で走査線(BG)がHレベル、走査線(RG)がLレベルとなり、M12のソース電位が上昇する。これらの動作によって、M12のゲートが初期化されると共に、M12のしきい値に相当する電位差がゲート・ソース間に生じる。
期間804において、M11を通じてM12のゲートに映像信号(Vsig)が入力される。これにより、一旦上昇を停止したM12のソースの電位は、期間804の間で再び上昇する。ソースの電位上昇の速度は、M12の移動度によって異なるため、期間804の間のソースの電位上昇値は移動度によって異なる。従って、この動作によってM12の移動度のばらつきがキャンセルされる。
期間804が終了すると、直ちに期間805に移行し、各副画素は期間804で決定されたM12のゲート・ソース間電圧に基づいてOLEDに電流が供給されて発光する。この発光は、次に走査線(BG)がLレベルになるまで継続する。
図9は、図8にて説明した画素回路の駆動タイミングに、図10にて説明したタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。1水平期間810の一部、映像信号線に初期化信号(Vini)が入力されている期間は、k行目においてM12のしきい値の取得動作が行われており、k+1行目においてM12のゲートに初期化信号が入力されている。この期間中、903で示される期間は、各走査線の電位変動が無い期間となっている。この期間を利用して、駆動電極(Tx)への駆動信号(DRV)の入力から出力ホールドまでを行う。このような動作が可能な期間は、図9においては903の他、901、902、904、905がある。
表示装置側の行数、すなわち走査線の本数に比べ、一般的にはタッチセンサ側の行数、すなわち駆動電極(Tx)の本数は少ない。例えば表示装置側の行数が1920行に対し、タッチセンサ側の行数が32行あるいは64行といった割合となる。従って、1垂直走査期間において、表示装置側で1920行の走査を行う間、32行のタッチセンサ側で2回の走査を行うと仮定すると、表示装置側で30行の走査に対し、タッチセンサ側で1行の走査を行う割合で、上記のタッチ検出動作を組み込めばよい。あるいは、タッチ検出の精度を向上するため、1行あたり複数回のタッチ検出動作を行ってもよい。つまり、表示装置側で30行の走査期間において、タッチセンサ側の同一行で30回のタッチ検出動作を行い、それらの平均を取る処理を行ってもよい。図7、図9においては、表示装置側の1行走査ごとにタッチ検出動作を1回行うタイミングを示している。
図11は、図7に示した例と異なるタイミングで、表示期間にタッチ検出動作を組み込んだ例を示している。図7に示した例では、各期間701〜703のそれぞれにおいて、駆動電極は立ち上がり又は立ち下がりのいずれか一方の動作を行い、それに応じて1回のタッチ検出動作を行っていたが、駆動電極(Tx)、検出電極(Rx)の時定数が十分に小さく、かつ積分器の動作が十分に高速であれば、各期間701〜703のそれぞれにおいて、駆動電極に立ち上がり/立ち下がりを両方起こして、2回のタッチ検出を行ってもよい。
本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。
100:表示装置、101:基板、102:表示領域、103,104:走査線駆動回路、105:ドライバIC、106:表示用FPC、107:タッチ用FPC、108:対向基板、109:画素、109a:副画素、110:走査線、120:映像信号線、201:駆動電極、202:検出電極、203:ブリッジ配線、301:TFTアレイ、302:発光素子層、303:封止層、304:タッチセンサ、305:円偏光板、306:カバーガラス

Claims (9)

  1. 絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
    前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
    前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
    前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
    を備えた表示装置であって、
    前記表示領域において、前記複数の走査線の一行選択が開始される時点と、次行選択が開始される時点との間に、前記タッチセンサにおいて、前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、サンプルホールド信号の入力に基づいて前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間を有し、
    前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の走査線の電位は一定であり、
    前記複数の映像信号線の電位は初期化電位である、ことを特徴とする表示装置。
  2. 前記駆動信号の立ち上がりから立ち下がりまでの期間、又は立ち下がりから立ち上がりまでの期間は、前記表示領域の複数の水平走査期間に跨っていることを特徴とする、請求項1記載の表示装置。
  3. 前記駆動信号の立ち上がり及び立ち下がりが、一のタッチ検出期間に含まれることを特徴とする、請求項1記載の表示装置。
  4. 前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の映像信号線の電位はそれぞれ等しいことを特徴とする、請求項1記載の表示装置。
  5. 前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりは、前記トランジスタのしきい値の取得を行う期間に行われることを特徴とする、請求項記載の表示装置。
  6. 絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
    前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
    前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
    前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
    を備えた表示装置の駆動方法であって、
    前記トランジスタのゲート又はソースの電位をそれぞれ初期化電位とする初期化期間と、
    初期化電位とされた前記トランジスタのゲートの電位を基準として、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、
    前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、
    前記映像信号書込期間で決定されたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、
    によって前記表示領域において映像の表示が行われ、
    前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されると共に、前記検出電極の電位変動取得を行うタッチ検出期間によって、前記タッチセンサにおいてタッチ検出が行われ、
    前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出期間は、前記表示領域のある一行における前記オフセットキャンセル期間に含まれることを特徴とする、表示装置の駆動方法。
  7. 絶縁表面上に設けられた複数の走査線と、
    前記複数の走査線と交差して設けられた複数の映像信号線と、
    前記複数の走査線と前記複数の映像信号線との交点に設けられ、発光素子と、前記発光素子に供給される電流を制御するトランジスタを有する複数の画素と、を有する表示領域と、
    前記表示領域上に設けられ、互いに静電容量を形成する、駆動電極と検出電極とを有するタッチセンサと、
    を備えた表示装置の駆動方法であって、
    前記トランジスタのゲート又はソースの電位をそれぞれ初期化電位とする初期化期間と、
    初期化電位とされた前記トランジスタのゲートの電位を基準として、前記トランジスタのゲートとソースとの間に、しきい値に相当する電位差を生じさせるオフセットキャンセル期間と、
    前記映像信号線から、前記トランジスタのゲートに映像信号を入力する映像信号書込期間と、
    前記映像信号書込期間で決定されたゲート・ソース間電圧に基づき、前記発光素子に前記電流を供給する発光期間と、
    によって前記表示領域において映像の表示が行われ、
    前記駆動電極に立ち上がり又は立ち下がりを有する駆動信号が入力されるとともに、サンプルホールド信号の入力に基づいて、前記タッチセンサにおいてタッチ検出が行われ、
    前記タッチセンサのある一行における前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりから、前記サンプルホールド信号が入力されるまでの間は、前記複数の映像信号線の電位は初期化電位であることを特徴とする、表示装置の駆動方法。
  8. 前記表示領域の次の一行における前記オフセットキャンセル期間において、前記タッチセンサのある一行における前記タッチ検出を複数回行うことを特徴とする、請求項記載の表示装置の駆動方法。
  9. 前記表示領域の次の一行における前記オフセットキャンセル期間において、前記タッチセンサのある一行における前記駆動信号の立ち上がり又は立ち下がりが複数回含まれることを特徴とする、請求項記載の表示装置の駆動方法。
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