JP6658300B2 - Organic transistor - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 119
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 60
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 48
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 46
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 30
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 180
- 239000000463 material Substances 0.000 description 49
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 description 10
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 8
- 229940126214 compound 3 Drugs 0.000 description 8
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940125904 compound 1 Drugs 0.000 description 5
- 229940125782 compound 2 Drugs 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 4
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N Oxozirconium Chemical compound [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001787 chalcogens Chemical class 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 150000003007 phosphonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 2,7-dioctyl-[1]benzothiolo[3,2-b][1]benzothiole Chemical compound C12=CC=C(CCCCCCCC)C=C2SC2=C1SC1=CC(CCCCCCCC)=CC=C21 YWIGIVGUASXDPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 108010038083 amyloid fibril protein AS-SAM Proteins 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は、ボトムゲート・トップコンタクト構造の有機トランジスタに関する。 The present invention relates to an organic transistor having a bottom-gate / top-contact structure.
有機トランジスタの構造については、ゲート電極の位置関係とソース電極およびドレイン電極が有機半導体層に接する位置関係とにより、4種類に区分される。その4種類の構造とは、ボトムゲート・トップコンタクト構造、ボトムゲート・ボトムコンタクト構造、トップゲート・トップコンタクト構造、トップゲート・ボトムコンタクト構造である。 The structure of the organic transistor is classified into four types depending on the positional relationship between the gate electrode and the positional relationship between the source electrode and the drain electrode in contact with the organic semiconductor layer. The four types of structures are a bottom gate / top contact structure, a bottom gate / bottom contact structure, a top gate / top contact structure, and a top gate / bottom contact structure.
ここで、有機トランジスタでは、有機半導体層とソース電極およびドレイン電極との界面において、オーミック接触を形成することが難しく、接触抵抗がしばしば問題となる。このため、ゲート電極とソース電極およびドレイン電極間に生じる電界により、接触抵抗を低減できる構造のほうが性能上有利とする報告が多い。具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト構造(以下「BGTC構造」という。)もしくはトップゲート・ボトムコンタクト構造(以下「TGBC構造」という。)がそれに該当する。 Here, in an organic transistor, it is difficult to form an ohmic contact at the interface between the organic semiconductor layer and the source and drain electrodes, and contact resistance often becomes a problem. Therefore, there are many reports that a structure capable of reducing the contact resistance due to an electric field generated between the gate electrode and the source and drain electrodes is more advantageous in performance. Specifically, a bottom gate / top contact structure (hereinafter referred to as “BGTC structure”) or a top gate / bottom contact structure (hereinafter referred to as “TGBC structure”) corresponds thereto.
また、TGBC構造の有機トランジスタの場合、基板上にあらかじめ形成されたソース電極およびドレイン電極上に有機半導体層を形成する。この構成においては、有機半導体層がソース電極およびドレイン電極による段差部分をうまくカバーリングできず、当該段差部分に欠陥が生じるおそれがある。そのため、有機半導体層のうち段差部分での電荷移動が阻害される結果、移動度が低下する懸念が大きい。これに対して、BGTC構造の有機トランジスタは、有機半導体層を形成した後にソース電極およびドレイン電極を形成して作製されるため、TGBC構造のような移動度低下の懸念はなく、性能面において最も優れ、移動度が高くなると言われている。 In the case of an organic transistor having a TGBC structure, an organic semiconductor layer is formed over a source electrode and a drain electrode which are formed in advance on a substrate. In this configuration, the organic semiconductor layer cannot properly cover the step formed by the source electrode and the drain electrode, and there is a possibility that a defect occurs in the step. For this reason, charge transfer in the step portion of the organic semiconductor layer is inhibited, and as a result, there is a great concern that the mobility is reduced. On the other hand, an organic transistor having a BGTC structure is manufactured by forming a source electrode and a drain electrode after forming an organic semiconductor layer. Therefore, there is no concern about a decrease in mobility as in the case of a TGBC structure. It is said to be excellent and have a high mobility.
このようなBGTC構造の有機トランジスタの移動度向上や特性の安定化のため、様々な検討がなされている。例えば、特性を安定化して長寿命であるBGTC構造の有機トランジスタとして、特許文献1に記載の有機トランジスタが提案されている。特許文献1に記載の有機トランジスタは、BGTC構造であって、ソース電極と有機半導体層との間およびドレイン電極と有機半導体層との間に電極バッファ層が設けられた積層構造を有している。この電極バッファ層は、有機トランジスタの駆動に伴うソース電極およびドレイン電極の劣化を防止し、かつ、有機半導体層との密着性を向上するために設けられたものである。 Various studies have been made to improve the mobility and stabilize the characteristics of the organic transistor having such a BGTC structure. For example, an organic transistor described in Patent Literature 1 has been proposed as an organic transistor having a BGTC structure having stable characteristics and a long life. The organic transistor described in Patent Document 1 has a BGTC structure, and has a stacked structure in which an electrode buffer layer is provided between a source electrode and an organic semiconductor layer and between a drain electrode and an organic semiconductor layer. . The electrode buffer layer is provided to prevent the deterioration of the source electrode and the drain electrode due to the driving of the organic transistor and to improve the adhesion with the organic semiconductor layer.
このような構成をとることで、有機トランジスタの駆動時におけるソース電極およびドレイン電極の材料の酸化還元反応による変化が抑制され、かつソース電極およびドレイン電極と有機半導体層との密着性が上がる。その結果、作製後にも特性を安定させつつ、駆動寿命の長い有機トランジスタとすることができる。 With such a structure, a change in the material of the source electrode and the drain electrode due to a redox reaction during driving of the organic transistor is suppressed, and the adhesion between the source electrode and the drain electrode and the organic semiconductor layer is increased. As a result, an organic transistor having a long driving life can be obtained while stabilizing the characteristics even after the fabrication.
このように性能に優れるBGTC構造の有機トランジスタの用途として、例えば、有機EL(エレクトロルミネッセンスの略)ディスプレイ用の画素回路が挙げられる。有機ELは、発光ダイオードと同じく電流駆動素子であるため、高い輝度を得るには電流をより多く流さなければならない。そのため、移動度の高いBGTC構造の有機トランジスタが、有機ELの画素回路に適している。 As an application of the BGTC-structured organic transistor having such excellent performance, for example, a pixel circuit for an organic EL (abbreviation of electroluminescence) display can be given. Since the organic EL is a current driving element like the light emitting diode, it is necessary to supply more current to obtain high luminance. Therefore, an organic transistor having a high mobility and a BGTC structure is suitable for an organic EL pixel circuit.
有機ELディスプレイの構造としては、基板上に有機トランジスタからなる画素回路を作製した後、その上に有機ELを連続的に作製する。従来では、真空蒸着法により有機ELを作製していたが、現在では、より低コスト化に向け印刷法により有機ELを作製することが検討されている。このような印刷法による有機ELの作製においては、複数の層を塗り重ねるため、上側の層を印刷する際に下側の層が溶けないようにする必要がある。そのため、上側の層を印刷する前に、下側の層を高温、例えば200℃近い温度で加熱して熱架橋させることにより、下側の層の不溶化処理をしなければならない。 As a structure of the organic EL display, a pixel circuit including an organic transistor is formed on a substrate, and then an organic EL is continuously formed thereon. Conventionally, an organic EL has been manufactured by a vacuum evaporation method. However, nowadays, an organic EL is manufactured by a printing method to reduce costs. In manufacturing an organic EL by such a printing method, since a plurality of layers are applied repeatedly, it is necessary to prevent the lower layer from melting when printing the upper layer. Therefore, before printing the upper layer, the lower layer has to be insolubilized by heating the lower layer at a high temperature, for example, a temperature close to 200 ° C. to thermally crosslink the lower layer.
しかしながら、有機トランジスタは熱に弱く、高温で処理されると移動度が大幅に低下してしまう。そのため、従来技術では、常温環境下においては移動度の安定した有機トランジスタを作製できても、高温処理後にその特性を維持することができないという課題があった。 However, organic transistors are vulnerable to heat and their mobility is significantly reduced when processed at high temperatures. Therefore, in the related art, there is a problem that even when an organic transistor having stable mobility can be manufactured in a normal temperature environment, its characteristics cannot be maintained after high temperature treatment.
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、移動度が高く、耐熱性の高いBGTC構造の有機トランジスタを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a BGTC structure organic transistor having high mobility and high heat resistance.
請求項1に記載の有機トランジスタは、基板(11)と、基板上に設けられたゲート電極(12)と、ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層(13)と、ゲート絶縁層の上に形成された有機半導体層(14)と、有機半導体層の上に形成され、ゲート電極の両端と対応する位置に互いに離れて配置された2つの拡散防止層(15)と、ゲート電極の両端と対応する位置に互いに離れて配置され、拡散防止層の一方の上に形成されたソース電極(16)および拡散防止層の他方の上に形成されたドレイン電極(17)とを備える。このような構成において、拡散防止層は、ソース電極と有機半導体層との間およびドレイン電極と有機半導体層との間に配置され、金を主成分とした合金である。 The organic transistor according to claim 1, wherein the substrate (11), a gate electrode (12) provided on the substrate, a gate insulating layer (13) formed to cover the gate electrode, and a gate insulating layer. An organic semiconductor layer (14) formed thereon; two diffusion prevention layers (15) formed on the organic semiconductor layer and arranged apart from each other at positions corresponding to both ends of the gate electrode; A source electrode (16) formed on one of the diffusion preventing layers and separated from each other at positions corresponding to both ends, and a drain electrode (17) formed on the other of the diffusion preventing layers. In such a configuration, the diffusion prevention layer is disposed between the source electrode and the organic semiconductor layer and between the drain electrode and the organic semiconductor layer, and is an alloy containing gold as a main component.
このような構成とすることで、拡散防止層の存在により、ソース電極およびドレイン電極の一部が有機半導体層に拡散されることを抑制し、有機半導体層の耐熱性低下が抑えられる結果、耐熱性の高い有機トランジスタとなる。また、拡散防止層の主成分をAuとすることで、有機半導体層と拡散防止層との間の仕事関数の差を低く抑えつつ、電荷注入障壁を小さくすることができ、移動度の高い有機トランジスタとなる。 With such a structure, due to the presence of the diffusion prevention layer, a part of the source electrode and the drain electrode is prevented from being diffused into the organic semiconductor layer, and a decrease in the heat resistance of the organic semiconductor layer is suppressed. It becomes an organic transistor with high performance. In addition, by using Au as the main component of the diffusion prevention layer, the charge injection barrier can be reduced while the work function difference between the organic semiconductor layer and the diffusion prevention layer is kept low, and the organic layer having high mobility can be obtained. It becomes a transistor.
なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係の一例を示すものである。 In addition, the code | symbol in parenthesis of each said means shows an example of the correspondence with the concrete means described in embodiment mentioned later.
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the following embodiments, parts that are the same or equivalent are denoted by the same reference numerals and described.
(第1実施形態)
第1実施形態について、図1を参照して述べる。図1に示された有機トランジスタ10は、例えばEL素子の駆動回路に備えられるトランジスタなどに適用されるものである。
(1st Embodiment)
The first embodiment will be described with reference to FIG. The
本実施形態の有機トランジスタ10は、基板11の上に、ゲート電極12、ゲート絶縁層13、有機半導体層14、拡散防止層15、ソース電極16およびドレイン電極17を順に形成したBGTC構造とされている。
The
基板11は、一面側を主面とする板状もしくはフィルム状の部材であり、例えば無アルカリガラスなどのガラスやセラミック、あるいはポリエチレンナフタレートやポリイミドなどのプラスチック等よりなるもので、リジッド基板でもフレキシブル基板でもよい。
The
ゲート電極12は、基板11の上に所望パターン、例えば一方向を長手方向とするライン状に形成されている。このゲート電極12は、例えば金(Au)やクロム(Cr)もしくはモリブデン(Mo)などの電極材料により構成されている。
The
ゲート絶縁層13は、ゲート電極12の上においてゲート電極12を覆うように形成されたものである。また、ゲート絶縁層13の表面、つまりゲート電極12と反対側の一面は平坦面としてもよいし、ゲート電極12の形状に沿って覆うように形成してもよい。このゲート絶縁層13は、例えば高分子有機材料もしくはアルミナ(AlOx)や酸化ジルコニウム(ZrO)もしくは酸化ハフニウム(HfO)などの無機金属酸化物またはこれらの混合物などによって構成されている。
The
なお、ゲート絶縁層13の上に、有機半導体層14の濡れ性向上など必要に応じて自己組織化単分子膜(Self−Assembled Monolayers:略称SAM、以下「SAM」という。)を形成してもよい。SAMは、有機トランジスタのSAMとして用いられる公知の有機材料よりなるものを用いる。典型的には、SAMを構成する有機材料は、ホスホン酸誘導体であり、例えばフェニルホスホン酸(C6H5C3H6PO3H2)、n−トリデシルホスホン酸(n−C13H27PO3H2)等のn−アルキルホスホン酸(n−CnH2n+1PO3H2)などが挙げられる。
In addition, a self-assembled monolayer (SAM: abbreviated as SAM, hereinafter referred to as “SAM”) may be formed on the
次に、有機半導体層14は、ゲート絶縁層13の上に形成されている。有機半導体層14は、有機半導体材料、例えば高分子有機材料や低分子有機材料にて構成されている。有機半導体層14については、耐熱性を向上させるために相転移温度が高い材料または相転移温度を持たない材料を使用することが好ましい。このような材料を有機半導体層14として用いると、有機トランジスタ作製後の加熱処理による材料の相転移、すなわち結晶配列の変化が起きにくく、耐熱性の高い有機トランジスタとなるためである。なお、相転移温度が高い材料としては、例えば下記化学式1で示すC8−DNBDT(R=C8H17)などのカルコゲン含有有機化合物が挙げられる。
Next, the
例えばC8−DNBDTの相転移温度は、245℃以上である。 For example, the phase transition temperature of C8-DNBDT is 245 ° C. or higher.
また、相転移温度を持たない材料としては、例えば下記化学式2で示すC6−DNNDT(R=C6H13)などのカルコゲン含有有機化合物が挙げられる。 Examples of the material having no phase transition temperature include a chalcogen-containing organic compound such as C6-DNNDT (R = C 6 H 13 ) represented by the following chemical formula 2.
例えばC6−DNNDTは、相転移温度を持たない。 For example, C6-DNNDT has no phase transition temperature.
上記のような相転移温度が高い材料を有機半導体層14として用いた場合においては、高温、例えば200℃での加熱がなされたとしても、加熱温度が相転移温度未満であるため、有機半導体層14の相転移が起きない。また、有機半導体層14として相転移温度を持たない材料を有機半導体層14として用いた場合においても、同様の加熱を行ったとしてもそもそも相転移温度を持たないため、有機半導体層14の相転移が起きない。このため、有機半導体層14の結晶配列の変化は小さく、ソース電極16およびドレイン電極17と有機半導体材料との間の接触が安定する。その結果、移動度が安定し、熱処理後も移動度を高く維持できるため、耐熱性の高いBGTC構造の有機トランジスタ10となる。
In the case where a material having a high phase transition temperature as described above is used as the
次に、拡散防止層15はAuを主成分とする合金であって、有機半導体層14の上に少なくとも2つ形成され、互いに離れて配置されている。また、拡散防止層15のうちAu以外の含有元素については、有機半導体層14に対する電荷注入障壁が小さくなるような元素を使用することが好ましい。後述するように、有機半導体層14と拡散防止層15との電荷注入障壁を小さくし、移動度の高い有機トランジスタ10とするためである。
Next, the
ここで、有機半導体材料のHOMO(Highest occupied molecular orbital:最高被占準位の略称)と、拡散防止層15に用いる金属のフェルミ準位との差が電荷注入の障壁に相当する。つまり、電荷注入障壁を小さくすると、有機半導体層14と拡散防止層15との間の電荷の流れが起き易くなり、その結果、有機トランジスタの移動度を高くすることができる。すなわち、有機半導体層14のHOMOに近いフェルミ準位である材料を拡散防止層15として用いると、移動度の高い有機トランジスタ10となる。
Here, the difference between the HOMO (Highest occupied molecular orbital) of the organic semiconductor material and the Fermi level of the metal used for the
具体的に、例えばHOMOが5.2〜5.3eVの有機半導体材料を有機半導体層14として、仕事関数が4.8eVであるAuをソース電極16およびドレイン電極17として使用した場合について説明する。このような場合、拡散防止層15を構成するAu以外の合金元素としては、4.8〜5.3eVの範囲内の仕事関数を持つものを使用することが好ましい。このように仕事関数に調整した合金を拡散防止層15とすることで、ソース電極16およびドレイン電極17と有機半導体層14との間の電荷注入障壁、すなわち接触抵抗が小さくなる結果、移動度が高い有機トランジスタ10となるからである。例えば、この場合には、仕事関数が4.9eVであるパラジウム(Pd)と、5.2eVであるニッケル(Ni)が、この要件を満たすため、特に好ましい。
Specifically, a case will be described in which, for example, an organic semiconductor material having a HOMO of 5.2 to 5.3 eV is used as the
また、拡散防止層15の主成分は、Auとし、該Auの含有量を50原子%以下とすることが好ましい。これは、Auの含有量が多くなると、後述するAuの有機半導体層14への拡散を抑制する効果が小さくなるためである。なお、拡散防止層15に含まれるAuおよび他の元素、例えばNi、Pdなどの比率は、基板11の法線方向に沿って段階的に変化させてもよいし、一定のまま固定されていてもよい。また、拡散防止層15のうちAu以外の元素については、ソース電極16およびドレイン電極17と有機半導体材料との間の電荷注入障壁とならないような仕事関数を有するものであればよく、1種または2種以上の元素であってもよい。
It is preferable that the main component of the
次に、ソース電極16は、2つの拡散防止層15の一方の上に、ドレイン電極17は、2つの拡散防止層15の他方の上に配置されている。そして、ソース電極16およびドレイン電極17は、ゲート電極12の両端と対応する位置に互いに離れて形成されている。また、ソース電極16およびドレイン電極17については、例えばAu、銀(Ag)、銅(Cu)などによって構成されている。
Next, the
このように、本実施形態の有機トランジスタ10は、ゲート絶縁層13の表面に有機半導体層14、拡散防止層15、ソース電極16およびドレイン電極17が順次形成されたものとなっており、上方において電気的接続が図られる。
As described above, the
なお、この有機トランジスタ10は、必要に応じて、蒸着もしくはスピンコートなどによって、アルミナもしくはパラキシリレン系ポリマーなどにより構成される図示しない保護層を成層してもよい。このような場合、例えばこの保護層からソース電極16やドレイン電極17を部分的に露出させることで、トランジスタ外部との電気的接続が図れるようにする。
The
次に、本実施形態の有機トランジスタ10の製造方法について述べる。
Next, a method for manufacturing the
図2(a)に示すように、例えば無アルカリガラスのようなガラスやセラミック、ポリエチレンナフタレートもしくはポリイミドのようなプラスチック等によりなるものなどで構成される基板11を用意する。
As shown in FIG. 2A, a
次に、図2(b)に示すように、この基板11の表面にゲート電極12の形成材料として、金(Au)やクロム(Cr)もしくはモリブデン(Mo)などの電極材料を、例えばシャドウマスクを用いて真空蒸着法やスパッタ法などによって成膜する。その後、必要に応じて、例えばフォトリソグラフィ法によるレジスト層パターンを用いたエッチングにてパターニングしたゲート電極12を形成する。
Next, as shown in FIG. 2B, an electrode material such as gold (Au), chromium (Cr), or molybdenum (Mo) is formed on the surface of the
次に、図2(c)に示すように、ゲート電極12の表面を覆うゲート絶縁層13を形成する。ゲート絶縁層13については、例えばアルミナ(AlOx)や酸化ジルコニウム(ZrO)もしくは酸化ハフニウム(HfO)などを、例えば原子層堆積(Atomic Layer Deposition:略称ALD)法によって成層することができる。例えば、ゲート絶縁層13をアルミナによって構成する場合、Al源としてトリメチルアルミニウム(以下「TMA」という。)を使用し、酸素(O)源として水(H2O)などを使用して、TMA単層と反応させてAl2O3層を形成する。なお、ゲート絶縁層13は、必要に応じて、ウェットエッチングなどによって所望形状にパターニングすることができる。
Next, as shown in FIG. 2C, a
また、有機半導体層14の成膜において、濡れ性を向上させたい場合などには、必要に応じて、ゲート絶縁層13の上にSAMを形成してもよい。この場合、通常の方法と同様、上記したホスホン酸誘導体等を有機溶媒に混合した溶液を、ゲート絶縁層13の表面に塗布し、溶媒を乾燥させることによりSAMを形成する。
In addition, when it is desired to improve wettability in forming the
次に、図2(d)に示すように、ゲート絶縁層13の上にまたはゲート絶縁層13の上にSAMを形成した場合にはSAM上に、有機半導体層14を例えば直描塗布法などの印刷法や蒸着法などの真空法により形成する。直描塗布法などの場合には、高分子有機材料や低分子有機材料にて構成される有機半導体材料(例えばC6−DNNDTなど)を有機溶媒に溶かし、例えば直描塗布法により直線的にライン状に成膜することで有機半導体層14を成膜する。蒸着法などの場合には、上記のような有機半導体材料を高真空、例えば1×10−4Pa以下程度の環境下にて高温で蒸発させることによって、有機半導体層14を形成する。
Next, as shown in FIG. 2D, when an SAM is formed on the
次に、図2(e)に示すように、有機半導体層14の上に、Auを主成分とし、他の金属、例えばNi、Pdなどを含む合金層を成膜する。具体的には、ソース電極16およびドレイン電極17の形成予定位置以外の部分を、レジスト膜やシャドウマスク等でマスキングし、この状態で印刷や蒸着による成膜を行う。例えば、複数の蒸着源から同時に成膜を行う共蒸着の場合において、例えばAuとNiとの合金を形成するときには、それぞれを別々の蒸着源から加熱によって蒸発させることで拡散防止層15を形成する。なお、3種の金属、例えばAu、NiおよびPdによる合金を共蒸着で形成する場合には、同様に、Au、Ni、Pdをそれぞれ別々の蒸着源から蒸発させて行うことで、Au、NiおよびPdからなる拡散防止層15を形成できる。
Next, as shown in FIG. 2E, an alloy layer containing Au as a main component and another metal, for example, Ni, Pd, or the like is formed on the
次に、図2(f)に示すように、拡散防止層15の上に続けて、例えば、Auを蒸着することで、少なくとも2つ存在する拡散防止層15の一方の上にソース電極16を、拡散防止層15の他方の上にドレイン電極17を形成する。
Next, as shown in FIG. 2F, a
なお、全面に拡散防止層15、ソース電極16およびドレイン電極17を形成した後に、フォトリソグラフ等によるパターニング法により所望の形状とすることもできる。
After the
このようにして、拡散防止層15、ソース電極16およびドレイン電極17を形成した後、必要に応じて、蒸着もしくはスピンコートなどによって、アルミナもしくはパラキシリレン系ポリマーなどにより構成される図示しない保護膜を成膜してもよい。このような製造方法により、図1に示した有機トランジスタ10を製造することができる。
After the
ところで、従来、有機トランジスタの耐熱性不足の原因については、有機半導体材料の耐熱性不足であるとされ、有機半導体材料の分子構造を改良する対策、具体的には分子量の増大や、分子構造の対称性向上などが検討されていた。 By the way, conventionally, the cause of the insufficient heat resistance of the organic transistor is considered to be insufficient heat resistance of the organic semiconductor material, and measures to improve the molecular structure of the organic semiconductor material, specifically, increase in the molecular weight and increase in the molecular structure Improving symmetry was being considered.
それに対して、本発明者らは、有機トランジスタの耐熱性向上について鋭意検討し、有機トランジスタの構造や作製プロセスに起因する原因調査を進めた。その結果、ソース電極16およびドレイン電極17の形成時もしくは形成後に該ソース電極16およびドレイン電極17材料が有機半導体層14中に入り込む結果、有機半導体層14の耐熱性が低下することを突き止めた。
On the other hand, the present inventors diligently studied the improvement of the heat resistance of the organic transistor, and proceeded to investigate the cause resulting from the structure and the manufacturing process of the organic transistor. As a result, it has been found that the heat resistance of the
ここで、図3を参照して、有機トランジスタの耐熱性の低下についての推定メカニズムを説明する。図3では、ゲート絶縁層13、有機半導体層14、Auからなるソース電極16またはドレイン電極17、有機半導体層14に侵入したAu原子18以外の構成要素を省略した有機トランジスタの断面図を示している。
Here, with reference to FIG. 3, a mechanism for estimating a decrease in heat resistance of the organic transistor will be described. FIG. 3 shows a cross-sectional view of an organic transistor in which components other than the
有機半導体層14の上に、拡散防止層15を設けることなく、ソース電極16およびドレイン電極17としてAu電極を形成すると、その形成の際または形成後に、図3(a)に示すように、Au原子18が有機半導体層14中に拡散して侵入する。また、有機半導体材料中に含まれる硫黄(S)原子とAu原子18は親和性に富むため、図3(b)に示すように、Au原子18は有機半導体層14中の比較的奥深くまで拡散し、有機半導体材料の分子間に入り込んだ形で残存する。ここで、有機半導体材料は、分子間のS原子同士の相互作用により耐熱性を発現させているため、有機半導体層14中に侵入したAu原子18により該S原子同士の相互作用が弱められるものの、有機半導体層14の結晶配列の規則性は保たれている。しかし、このような状態において高温で加熱されると、図3(c)に示すように、該S原子同士の相互作用が弱められた有機半導体層14は、加熱により結晶配列が崩れ、結晶配列の規則性がない状態、すなわち液晶化した状態となる。有機半導体層14が液晶化すると、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17の間や有機半導体層14内の電荷移動が妨げられる。このような作用により、高温処理後の移動度が低い有機トランジスタ、すなわち耐熱性の低い有機トランジスタになると考えられる。
If Au electrodes are formed as the
そこで、ソース電極16およびドレイン電極17と有機半導体層14との間に拡散防止層15を備えることで、ソース電極16およびドレイン電極17材料の有機半導体層14中への侵入を抑制し、耐熱性の高い有機トランジスタ10とできることを見出した。
Therefore, by providing the
本実施形態にかかる有機トランジスタ10は、Auを主成分とし、Auの仕事関数と有機半導体材料のHOMOレベルとの間にある仕事関数を有する金属材料を含む合金からなる拡散防止層15を、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との間に設けた構成とされている。これにより、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との電荷移動を妨げることなく、ソース電極16およびドレイン電極17材料が有機半導体層14へ拡散することを抑制する結果、移動度が高く、耐熱性の高い有機トランジスタ10とすることができる。
The
次に、本実施形態の有機トランジスタ10における発明の効果を、次の実施例1ないし4および比較例1ないし5を参照して、より具体的に述べることとする。表1では、構成別のBGTC構造の有機トランジスタにおいて、拡散防止層の有無およびその構成、使用した有機半導体材料とその相転移温度、初期の移動度および後述する熱処理後の移動度を示している。
Next, the effects of the invention in the
(実施例1)
まず、基板11にゲート電極12およびゲート絶縁層13を積層したもの(以下「積層体」という。)に、有機半導体層14としてC8−DNBDT(表1および以下において「化合物1」という。)を成膜した。その後、拡散防止層15としてAuおよびPdからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したもの、ソース電極16およびドレイン電極17をこの順で成膜して実施例1の有機トランジスタとした。
(Example 1)
First, C8-DNBDT (hereinafter, referred to as “Compound 1” in Table 1 and below) is used as the
このようにして作製した実施例1の有機トランジスタについて、まず熱処理前の移動度(以下「初期移動度」という。)を測定した。その後200℃に設定したホットプレート上に載せて5時間加熱(以下「高温処理」という。)した後に、室温に戻して移動度を再度測定した。そして、初期移動度に対して高温処理後の移動度がどの程度維持できたかを確認し、耐熱性評価の指標として用いた。つまり、高温処理後の移動度が初期移動度に近いほど、作製した有機トランジスタの耐熱性が高いことを意味する。 For the organic transistor of Example 1 manufactured in this manner, the mobility before heat treatment (hereinafter, referred to as “initial mobility”) was measured. Thereafter, the substrate was placed on a hot plate set at 200 ° C. and heated for 5 hours (hereinafter referred to as “high-temperature treatment”), and then returned to room temperature and the mobility was measured again. Then, it was confirmed how much the mobility after the high-temperature treatment was maintained with respect to the initial mobility, and used as an index for heat resistance evaluation. That is, the closer the mobility after the high-temperature treatment is to the initial mobility, the higher the heat resistance of the manufactured organic transistor.
なお、「移動度」(単位:cm2/Vs)とは、有機半導体層14内でのキャリア、つまり正孔や電子の移動度であり、表1の各有機トランジスタ10を作動させて、測定したものである。また、一般的に有機ELディスプレイの視認性を考慮した場合、150cd/m2以上の輝度が必要であり、有機ELの駆動回路として用いる有機トランジスタとしては2cm2/Vs以上の高い移動度が要求される。
The “mobility” (unit: cm 2 / Vs) is the mobility of carriers, that is, holes and electrons in the
表1に示すように実施例1の有機トランジスタについては、高温処理前の移動度は11cm2/Vs、高温処理後の移動度は7.4cm2/Vsであり、高温処理後の移動度を2cm2/Vs以上に維持できていた。このことから、相転移温度が高い有機半導体材料(化合物1)を有機半導体層14として用い、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との間にAuおよびPdからなる拡散防止層15を備える有機トランジスタは、移動度および耐熱性が共に高いことが確認された。
As shown in Table 1, for the organic transistor of Example 1, the mobility before the high temperature treatment was 11 cm 2 / Vs, the mobility after the high temperature treatment was 7.4 cm 2 / Vs, and the mobility after the high temperature treatment was It was maintained at 2 cm 2 / Vs or more. From this, an organic semiconductor material (compound 1) having a high phase transition temperature is used as the
(実施例2)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物1を成膜した後、拡散防止層15としてAuおよびNiからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したもの、ソース電極16およびドレイン電極17をこの順に成膜して実施例2の有機トランジスタとした。
(Example 2)
Next, after the compound 1 is formed as the
表1に示すように実施例2の有機トランジスタについては、初期移動度は9.5cm2/Vs、高温処理後の移動度は6.1cm2/Vsであり、高温処理後の移動度を2cm2/Vs以上に維持できていた。このことから、相転移温度が高い有機半導体材料(化合物1)を有機半導体層14として用い、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との間にAuおよびNiからなる拡散防止層15を備える有機トランジスタは、移動度および耐熱性が共に高いことが確認された。
As shown in Table 1, for the organic transistor of Example 2, the initial mobility was 9.5 cm 2 / Vs, the mobility after high temperature treatment was 6.1 cm 2 / Vs, and the mobility after high temperature treatment was 2 cm. 2 / Vs or more could be maintained. From this, an organic semiconductor material (compound 1) having a high phase transition temperature is used as the
(実施例3)
次に、積層体に有機半導体層14としてC6−DNNDT(表1および以下において「化合物2」という。)を成膜した。その後、拡散防止層15としてAuおよびPdからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したもの、ソース電極16およびドレイン電極17をこの順に成膜して実施例3の有機トランジスタとした。
(Example 3)
Next, C6-DNNDT (hereinafter, referred to as “compound 2”) was formed as the
表1に示すように実施例3の有機トランジスタについては、初期移動度は3.0cm2/Vs、高温処理後の移動度は2.9cm2/Vsであり、高温処理後の移動度を2cm2/Vs以上に維持できていた。このことから、相転移温度を持たない有機半導体材料(化合物2)を有機半導体層14として用い、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との間にAuおよびPdからなる拡散防止層15を備える有機トランジスタは、移動度および耐熱性が共に高いことが確認された。
As shown in Table 1, for the organic transistor of Example 3, the initial mobility was 3.0 cm 2 / Vs, the mobility after high temperature treatment was 2.9 cm 2 / Vs, and the mobility after high temperature treatment was 2 cm. 2 / Vs or more could be maintained. For this reason, an organic semiconductor material (compound 2) having no phase transition temperature is used as the
(実施例4)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物2を成膜した後、拡散防止層15としてAuおよびNiからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したもの、ソース電極16およびドレイン電極17をこの順に成膜して実施例4の有機トランジスタとした。
(Example 4)
Next, after the compound 2 is formed as the
表1に示すように実施例4の有機トランジスタについては、初期移動度は2.5cm2/Vs、高温処理後の移動度は2.4cm2/Vsであり、高温処理後の移動度を2cm2/Vs以上に維持できていた。このことから、相転移温度を持たない有機半導体材料(化合物2)を有機半導体層14として用い、有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との間にAuおよびNiからなる拡散防止層15を備える有機トランジスタは、移動度および耐熱性が共に高いことが確認された。
As shown in Table 1, for the organic transistor of Example 4, the initial mobility was 2.5 cm 2 / Vs, the mobility after high temperature treatment was 2.4 cm 2 / Vs, and the mobility after high temperature treatment was 2 cm 2 / Vs. 2 / Vs or more could be maintained. For this reason, an organic semiconductor material (compound 2) having no phase transition temperature is used as the
(比較例1)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物1を成膜して、拡散防止層15を設けずに、ソース電極16およびドレイン電極17を該有機半導体層14の上に成膜して比較例1の有機トランジスタとした。
(Comparative Example 1)
Next, the compound 1 was formed as an
表1に示すように比較例1の有機トランジスタについては、初期移動度は11cm2/Vsと高いものの、高温処理後の移動度は0.8cm2/Vsと大きく低下した。このことから、相転移温度が高い有機半導体材料を用いるだけでは、有機トランジスタの耐熱性を向上できないことが確認された。 As shown in Table 1, the initial mobility of the organic transistor of Comparative Example 1 was as high as 11 cm 2 / Vs, but the mobility after the high temperature treatment was greatly reduced to 0.8 cm 2 / Vs. From this, it was confirmed that the heat resistance of the organic transistor could not be improved only by using an organic semiconductor material having a high phase transition temperature.
上述した推定メカニズムのように、Au原子18が有機半導体層14におけるS原子同士の相互作用を弱めた結果、比較例1の有機トランジスタの耐熱性が低かったと考えられる。
It is considered that the heat resistance of the organic transistor of Comparative Example 1 was low as a result of the
(比較例2)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物2を成膜して、拡散防止層15を設けずに、ソース電極16およびドレイン電極17を該有機半導体層14の上に成膜して比較例2の有機トランジスタとした。
(Comparative Example 2)
Next, the compound 2 was formed as an
表1に示すように比較例2の有機トランジスタについては、初期移動度は3cm2/Vsと高いものの、高温処理後の移動度は0.1cm2/Vsと大きく低下した。このことから、相転移温度を持たない有機半導体材料を用いるだけでは、有機トランジスタの耐熱性を向上できないことが確認された。 As shown in Table 1, the initial mobility of the organic transistor of Comparative Example 2 was as high as 3 cm 2 / Vs, but the mobility after the high temperature treatment was greatly reduced to 0.1 cm 2 / Vs. From this, it was confirmed that the heat resistance of the organic transistor could not be improved only by using the organic semiconductor material having no phase transition temperature.
なお、比較例1と同様の理由により、比較例2の有機トランジスタの耐熱性が低かったと考えられる。 It is considered that the heat resistance of the organic transistor of Comparative Example 2 was low for the same reason as in Comparative Example 1.
(比較例3)
次に、積層体に有機半導体層14として下記化学式3で示すC8−BTBT(以下「化合物3」という。)を成膜して、拡散防止層15を設けずに、ソース電極16およびドレイン電極17を該有機半導体層14の上に成膜して比較例3の有機トランジスタとした。
(Comparative Example 3)
Next, C8-BTBT (hereinafter, referred to as “compound 3”) represented by the following chemical formula 3 is formed as the
表1に示すように比較例3の有機トランジスタについては、初期移動度は12cm2/Vsと高いものの、高温処理後の移動度は測定不能になるほど特性が低下した。このことから、有機半導体層14に相転移温度が低い材料を用いると、有機トランジスタの耐熱性が低くなることが確認された。
As shown in Table 1, although the initial mobility of the organic transistor of Comparative Example 3 was as high as 12 cm 2 / Vs, the characteristics after the high-temperature treatment were so low that the characteristics could not be measured. From this, it was confirmed that when a material having a low phase transition temperature was used for the
これは、化合物3の相転移温度は80℃と低く、相転移温度以上の温度で加熱されたことにより化合物3の相転移が生じ、化合物3の結晶配列が崩れたためと予想される。すなわち、化合物3からなる有機半導体層14とソース電極16およびドレイン電極17との電荷移動ができない程度にまで、化合物3の結晶配列や形状などが変化してしまい、比較例3の有機トランジスタは高温処理後の移動度が測定できなかったと考えられる。
This is presumably because the phase transition temperature of compound 3 was as low as 80 ° C., and heating at a temperature higher than the phase transition temperature caused phase transition of compound 3 and the crystal arrangement of compound 3 was broken. That is, the crystal arrangement and shape of the compound 3 change to such an extent that the charge transfer between the
(比較例4)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物3を成膜して、その後、拡散防止層15としてAuおよびPdからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したものおよびソース電極16およびドレイン電極17をこの順に成膜して比較例4の有機トランジスタとした。
(Comparative Example 4)
Next, a compound 3 is formed on the laminate as the
表1に示すように比較例4の有機トランジスタについては、初期移動度は12cm2/Vsと高いものの、高温処理後の移動度は測定不能になるほど特性が低下した。このことから、拡散防止層15を設けてソース電極16およびドレイン電極17材料が有機半導体層14へ拡散することを抑制しても、有機半導体層14に相転移温度が低い材料を用いると、有機トランジスタの耐熱性が低いことが確認された。この理由は、比較例3と同様であると考えられる。
As shown in Table 1, although the initial mobility of the organic transistor of Comparative Example 4 was as high as 12 cm 2 / Vs, the mobility after the high-temperature treatment was so low that the characteristics could not be measured. For this reason, even if the
(比較例5)
次に、積層体に有機半導体層14として化合物3を成膜して、その後、拡散防止層15としてAuおよびNiからなる合金層であって、それぞれ50原子%の比率で構成したものおよびソース電極16およびドレイン電極17をこの順に成膜して比較例5の有機トランジスタとした。
(Comparative Example 5)
Next, a compound 3 is formed as the
表1に示すように比較例4の有機トランジスタについては、初期移動度は10cm2/Vsと高いものの、高温処理後の移動度は測定不能になるほど特性が低下した。このことから、比較例4と同様の理由により、比較例5の有機トランジスタの耐熱性が低いと考えられる。 As shown in Table 1, although the initial mobility of the organic transistor of Comparative Example 4 was as high as 10 cm 2 / Vs, the characteristics after the high-temperature treatment became so low that the characteristics could not be measured. From this, it is considered that the heat resistance of the organic transistor of Comparative Example 5 is low for the same reason as in Comparative Example 4.
上記の結果から、有機半導体層14に相転移温度が245℃以上の材料または相転移温度を持たない材料を用い、拡散防止層15を設けることにより、高温処理後の有機トランジスタの移動度を高く維持できることが確認された。
From the above results, by using a material having a phase transition temperature of 245 ° C. or higher or a material having no phase transition temperature for the
(他の実施形態)
なお、上記した各実施形態に示した有機トランジスタは、本発明の有機トランジスタの一例を示したものであり、上記の各実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
(Other embodiments)
In addition, the organic transistor shown in each of the embodiments described above is an example of the organic transistor of the present invention, and is not limited to each of the embodiments described above, and is not limited to the scope described in the claims. Can be changed as appropriate.
例えば、相転移温度が高い材料としては、C6−DNBDTやC8−DNBDTなどが挙げられるが、このような材料であれば、他の材料を用いてもよい。また、相転移温度がない材料としては、他にC8−DNNDTなどが挙げられるが、このような材料であれば、他の材料を用いてもよい。 For example, examples of the material having a high phase transition temperature include C6-DNBDT and C8-DNBDT, and other materials may be used as long as such materials are used. Further, as a material having no phase transition temperature, C8-DNNDT and the like can be mentioned, but other materials may be used as long as such a material is used.
さらに、ソース電極16およびドレイン電極17としてAu以外の材料、例えばAgやMoなどを用いた場合においても、ソース電極16およびドレイン電極17および有機半導体の材料に合わせた拡散防止層15を設けることで、耐熱性の高い有機トランジスタとできると考えられる。例えば上記の場合において、ソース電極16およびドレイン電極17材料を主成分とし、ソース電極16およびドレイン電極17材料の仕事関数と有機半導体材料のHOMOとの間の仕事関数を有する材料を含む拡散防止層15を備えることで、上記実施例と同様の効果が得られると考えられる。
Further, even when a material other than Au, for example, Ag or Mo is used as the
10 有機トランジスタ
11 基板
12 ゲート電極
13 ゲート絶縁層
14 有機半導体層
15 拡散防止層
16 ソース電極
17 ドレイン電極
18 Au原子
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記基板上に設けられたゲート電極(12)と、
前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁層(13)と、
前記ゲート絶縁層の上に形成された有機半導体層(14)と、
前記有機半導体層の上に形成され、前記ゲート電極の両端と対応する位置に互いに離れて配置された2つの拡散防止層(15)と、
前記ゲート電極の両端と対応する位置に互いに離れて配置され、前記拡散防止層の一方の上に形成されたソース電極(16)および前記拡散防止層の他方の上に形成されたドレイン電極(17)と、を備え、
前記拡散防止層は、前記ソース電極と前記有機半導体層との間および前記ドレイン電極と前記有機半導体層との間に配置され、金を主成分とした合金である有機トランジスタ。 A substrate (11);
A gate electrode (12) provided on the substrate;
A gate insulating layer (13) formed so as to cover the gate electrode;
An organic semiconductor layer (14) formed on the gate insulating layer;
Two diffusion prevention layers (15) formed on the organic semiconductor layer and arranged apart from each other at positions corresponding to both ends of the gate electrode;
A source electrode (16) formed on one of the diffusion prevention layers and a drain electrode (17) formed on the other of the diffusion prevention layers, which are arranged apart from each other at positions corresponding to both ends of the gate electrode. ) And
The organic transistor, wherein the diffusion prevention layer is disposed between the source electrode and the organic semiconductor layer and between the drain electrode and the organic semiconductor layer, and is an alloy containing gold as a main component.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101364A JP6658300B2 (en) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | Organic transistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016101364A JP6658300B2 (en) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | Organic transistor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017208500A JP2017208500A (en) | 2017-11-24 |
JP6658300B2 true JP6658300B2 (en) | 2020-03-04 |
Family
ID=60415695
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016101364A Active JP6658300B2 (en) | 2016-05-20 | 2016-05-20 | Organic transistor |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6658300B2 (en) |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004055653A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | Organic semiconductor device |
JP2004055652A (en) * | 2002-07-17 | 2004-02-19 | Pioneer Electronic Corp | Organic semiconductor element |
EP1383179A2 (en) * | 2002-07-17 | 2004-01-21 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device |
JP4615197B2 (en) * | 2002-08-30 | 2011-01-19 | シャープ株式会社 | Manufacturing method of TFT array substrate and manufacturing method of liquid crystal display device |
JP2008270734A (en) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Sumitomo Chemical Co Ltd | Organic field effect transistor |
CN101779273B (en) * | 2007-07-24 | 2012-10-10 | 住友化学株式会社 | Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, high carrier mobility transistor and light emitting device |
EP2355139B1 (en) * | 2008-11-28 | 2018-03-14 | Sony Corporation | Method of manufacturing a thin film transistor |
JP5811542B2 (en) * | 2010-06-15 | 2015-11-11 | 株式会社リコー | Organic semiconductor material precursor comprising dithienobenzodithiophene derivative, ink, insulating member, and method for producing charge transporting member |
CN105102462B (en) * | 2013-03-05 | 2018-02-02 | 捷恩智株式会社 | Organic compound containing oxygen group elements, its manufacture method and purposes |
US20180219160A1 (en) * | 2014-08-13 | 2018-08-02 | Ube Industries, Ltd. | Benzobis(thiadiazole) derivative, ink comprising the same, and organic electronic device using the same |
-
2016
- 2016-05-20 JP JP2016101364A patent/JP6658300B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017208500A (en) | 2017-11-24 |
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