JP6658126B2 - 静電容量型トランスデューサ及び音響センサ - Google Patents
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Description
呼ばれる音響センサを利用したものが使用される場合があった。しかし、ECMは熱に弱く、また、デジタル化への対応や小型化といった点で、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術を用いて製造される静電容量型トランスデューサを利用したマイクロフォン(以下、MEMSマイクロフォンともいう。)の方が優れていることから、近年では、MEMSマイクロフォンが採用されつつある(例えば、特許文献1を参照)。
形した際に、凸部の圧力解放孔への侵入が解除されることによって、空気流路の流路面積を増大させる技術では、バックプレートに一体に設けられた凸部の形状は、円柱状若しくは、バックプレートから離れるに従って径が小さくなるテーパ状になっていることが多かった。
前記基板の開口に対向するように配設されたバックプレートと、
前記バックプレートとの間に空隙を介して該バックプレートに対向するように配設された振動電極膜と、
を備え、
前記振動電極膜の変形を該振動電極膜と前記バックプレートの間の静電容量の変化に変換する静電容量型トランスデューサにおいて、
前記振動電極膜に設けられた貫通孔である圧力解放孔と、
前記バックプレートと同一部材によりに該バックプレートと一体に設けられ前記振動電極膜の変形前の状態では前記圧力解放孔に侵入する凸状の部分と、
前記圧力解放孔と前記凸状の部分との隙間により形成される空気の流路である圧力解放流路と、をさらに備え、
前記凸状の部分は、該凸状の部分における前記バックプレート側の所定の領域に、該凸状の部分における該所定の領域より先端側の領域と比較して、前記バックプレートに平行な方向の断面の断面積が小さい断面積減少部を有することを特徴とする静電容量型トランスデューサである。
したとしても、振動電極膜の過剰な変形を防止することができる。
ある。
以下、本願発明の実施形態について図を参照しながら説明する。以下に示す実施形態は、本願発明の一態様であり、本願発明の技術的範囲を限定するものではない。なお、本発明は、静電トランスデューサ全体に適用することが可能であるが、以下においては、静電トランスデューサを音響センサとして用いる場合について説明する。しかしながら、本発明に係る音声トランスデューサは、振動電極膜の変位を検出するものであれば、音響センサ以外のセンサとしても利用できる。例えば、圧力センサの他、加速度センサや慣性センサ等として使用しても構わない。また、センサ以外の素子、例えば、電気信号を変位に変換するスピーカ等として使用しても構わない。また、以下の説明におけるバックプレート、振動電極膜、バックチャンバー、基板等の配置は一例であり、同等の機能を有せばこれらに限られない。例えば、バックプレートと振動電極膜の配置が逆転していても構わない。
号として取り出すことにより、音圧を電気信号として検出することができる。
5bを閉鎖するように構成されている。なお、この凸部17bは、バックプレート17が半導体製造工程で形成される際に、同時にバックプレート17の一部として形成されたものである。
孔35bから抜けた時点で、圧力を解放する十分な大きさの空気の流路面積を得ることが可能である。結果として、本実施例によれば、過大な圧力が上下いずれの方向から振動電極膜35に作用したとしても、振動電極膜35の過剰な変形を防止できる。
動電極膜となるべきポリシリコン(Poly Si)の膜45がエッチングにより部分的
に除去されて圧力解放孔45bとなる部分が形成される。
を形成するための窒化シリコン(SiN)膜46が形成される。そして、図9(c)に示すように、フォトレジストを使ったエッチングにより、凸部47bとなる部分のみを残して窒化シリコン(SiN)膜46を除去する。その際、エッチングの垂直方向の指向性を弱める手法によりテーパ形状を実現することができる。
用することで、窒化シリコン(SiN)からなる凸部47bが酸化シリコン(SiO2)の中に埋もれる形となる。次に、図10(b)に示すように、バックプレート47となる窒化シリコン(SiN)膜を製膜することで、逆テーパ型の凸部47bを有するパックプレート47が形成される。
の膜55が形成されさらにエッチングにより部分的に除去されて圧力解放孔55bとなる部分が形成される。さらに、その上にNSG54b形成される。
にエッチングにより部分的に除去されて圧力解放孔65bとなる部分が形成される。また、膜64の上には不純物を含まない酸化シリコン(SiO2)の膜であるNSG膜66が形成される。また、NSG膜66上には、さらに、PSG(リンを含んだ酸化シリコン(SiO2)膜68が形成され、その上には、凸部を形成する部分に開口が設けられたフォトレジストが69形成される。
次に、本発明の実施例2について説明する。本実施例においては、バックプレートに一体に設けられた略円柱状の凸部に対して、水平方向については凸部の側面を含む形で、垂直方向については凸部の途中までの領域に音孔を形成することで、凸部の根元側においては圧力解放のための流路面積を増加させた例について説明する。
際に、水平方向については円柱状の凸部77bの側面を含む形で、垂直方向については円柱状の凸部77bの途中まで、凸部77bの先端部を残す形で空間77cを形成することで完成する。
次に、本発明の実施例3として、バックプレートから離れ先端側にいくに従って径が小さくなるようなテーパ状の形状を有する凸部に対して、側面の途中からバックプレート側において開口する開口部と、この開口部とバックプレートの上側とを貫通する空間とを形成した例について説明する。
していた場合には、上記の開口部87d及び空間87cを介して異物を逃がすことができるため、凸部87bと、圧力解放孔85bの間や、その近傍に異物が挟まったり堆積したりするリスクを低減することが可能である。
d1>h1+t1・・・・・(1)
が成立するようにした。
次に、本発明の実施例4について説明する。本実施例においては、振動電極膜に設けられた圧力解放孔をスリット状とし、バックプレートに設けられた凸部は円柱状またはテーパ状ではなく、圧力解放孔に侵入可能な平板状の形状を有する例について説明する。
平板状の凸部97bに対しても、高さ方向の途中まで到達する空間97cを形成する。そうすると、平板状の凸部97bの左右両側において開口部97dが開口する形となる。なお、本実施例において、音孔97a及び空間97cの平面視による形状は円形が望ましい。これにより、バックプレート97の各部、特に平板状の凸部97bの近傍における応力集中を回避することが可能である。
リコン(Poly Si)膜105が部分的に除去されて圧力解放孔105bが形成され
る。そして、さらにポリシリコン(Poly Si)膜105の上に、酸化シリコン(S
iO2)の犠牲層104bが形成された後、凸部となる部分の絶縁層104bがエッチングにより除去される。
膜106が形成され、さらに、バックプレート及び凸部を形成するための窒化シリコン(SiN)膜107、107bが形成される。この際、凸部を形成するための窒化シリコン(SiN)膜107bが形成される、酸化シリコン(SiO2)の絶縁層104a、104bのスリット幅が狭いので、バックプレート107の成膜時に、当該スリットが完全に窒化シリコン(SiN)膜で埋まり、凸部107bは平板状になる。そして、エッチングによって音孔107cと、凸部107bの上部の空間107cを形成する。次に、図19(c)に示すように、エッチングにより、バックプレート107及び凸部107bとなる部分と、振動電極膜105とをのみを残してSi基板103、絶縁層104a及び犠牲層104bを除去する。これにより、バックプレート107における凸部107bと、振動電極膜105における圧力解放孔105bが形成される。
強いため、音孔107aと凸部107bの上部の空間107cとを同時にエッチングすると、凸部107bの先端側のみに膜が残るため、“凸部107bのバックプレート107側の一部にのみ空間が存在する”構造を簡易に作製することができる。なお、これらは必須の要件ではないため、音孔107aと凸部107bの上部の空間107cとを別々にエッチングしてもよい。また、凸部107bの側面は垂直であってもテーパ(斜面)であってもよい。ただし、凸部107bの側面が垂直の場合には、平板状の凸部107bとなる部分の垂直方向の膜厚が厚くなっているため、上記エッチング手法をより実行し易くなる。
2・・・バックチャンバー
3、13、43、52、63・・・(シリコン)基板
5、15、25、35、45、55、65、75、85、95、105・・・振動電極膜7、17、27、37,47,57、67、77、87、97、107・・・バックプレート
15b、25b、35b、45b、55b、65b、75b、85b、95b、105b・・・圧力解放孔
17b、27b、37b、47b、57b、67b、77b、87b、97b、107b・・・凸部
Claims (7)
- 表面に開口を有する基板と、
前記基板の開口に対向するように配設されたバックプレートと、
前記バックプレートとの間に空隙を介して該バックプレートに対向するように配設された振動電極膜と、
を備え、
前記振動電極膜の変形を該振動電極膜と前記バックプレートの間の静電容量の変化に変換する静電容量型トランスデューサにおいて、
前記振動電極膜に設けられた貫通孔である圧力解放孔と、
前記バックプレートと同一部材によりに該バックプレートと一体に設けられ前記振動電極膜の変形前の状態では前記圧力解放孔に侵入する凸状の部分と、
前記圧力解放孔と前記凸状の部分との隙間により形成される空気の流路である圧力解放流路と、をさらに備え、
前記凸状の部分は、該凸状の部分における前記バックプレート側の所定の領域に、該凸状の部分における該所定の領域より先端側の領域と比較して、前記バックプレートに平行な方向の断面の断面積が小さい断面積減少部を有することを特徴とする静電容量型トランスデューサ。 - 前記凸状の部分は、前記バックプレートに近づくにつれて前記断面積が小さくなるように変化するテーパ形状を有することを特徴とする請求項1に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記凸状の部分には、前記バックプレートの該凸状の部分と反対側の面と該凸状の部分における前記所定の領域の側面とを貫通する空間が設けられたことを特徴とする請求項1または2に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記凸状の部分は、平板状の形状を有し、該平板状の形状の側面は前記バックプレートに垂直に形成されたことを特徴とする請求項3に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 前記バックプレート及び前記振動電極膜の少なくとも一方には、前記振動電極膜が該バックプレート側に変位した際に前記バックプレート及び前記振動電極膜の他方に当接するストッパが設けられ、
前記凸状の部分における、前記空間の前記バックプレートに垂直方向の深さは、前記ストッパの高さと、前記振動電極膜の膜厚の合計値より大きいことを特徴とする請求項3または4に記載の静電容量型トランスデューサ。 - 前記空間は、前記バックプレートに垂直方向から見て円形の形状を有することを特徴とする請求項3から5のいずれか一項に記載の静電容量型トランスデューサ。
- 請求項1から6のいずれか一項に記載の静電容量型トランスデューサを有し、音圧を前記振動電極膜と前記バックプレートの間の静電容量の変化に変換して検出する音響センサ。
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