JP6644422B2 - Laser processing equipment - Google Patents
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Description
本発明は、ビーム整形器で加工対象物の表面におけるレーザビーム断面形状及び光強度分布を整形して加工を行うレーザ加工装置に関する。 The present invention relates to a laser processing apparatus that performs processing by shaping a laser beam cross-sectional shape and a light intensity distribution on a surface of an object to be processed by a beam shaper.
半導体ウエハに注入されたドーパントの活性化にレーザアニール技術が用いられる。例えば、半導体ウエハにパルスレーザビームを入射させることにより、半導体ウエハの表層部を加熱して、ドーパントの活性化が行われる。アニール深さ及びアニール温度を制御するために、パルス幅及びパルスエネルギ密度(フルエンス)が調整される。 A laser annealing technique is used for activating a dopant implanted in a semiconductor wafer. For example, by irradiating the semiconductor wafer with a pulsed laser beam, the surface layer of the semiconductor wafer is heated to activate the dopant. The pulse width and pulse energy density (fluence) are adjusted to control the anneal depth and anneal temperature.
パルスエネルギ密度を調整するために、パルスレーザビームの平均パワーを測定し、平均パワーの測定値、パルスの繰返し周波数、及びビーム断面の面積から、パルスエネルギ密度が算出される。下記の特許文献1に、レーザアニール装置が開示されている。
In order to adjust the pulse energy density, the average power of the pulse laser beam is measured, and the pulse energy density is calculated from the measured value of the average power, the pulse repetition frequency, and the area of the beam cross section.
加工対象物に入射するパルスレーザビームの平均パワーの測定値と目標値との比に基づいて、アッテネータの透過率を調整することにより、パルスレーザビームの平均パワーを目標値に近づけることができる。ところが、平均パワーを目標値に一致させてレーザ加工を行っても、加工品質の十分な再現性が得られない場合があることが判明した。 By adjusting the transmittance of the attenuator based on the ratio between the measured value of the average power of the pulsed laser beam incident on the object to be processed and the target value, the average power of the pulsed laser beam can be made closer to the target value. However, it has been found that even if the laser processing is performed with the average power equal to the target value, sufficient reproducibility of the processing quality may not be obtained.
本発明の目的は、加工品質の再現性を高めることが可能なレーザ加工装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a laser processing apparatus capable of improving the reproducibility of processing quality.
本発明の一観点によると、
レーザ光源と、
前記レーザ光源と加工対象物との間のレーザビームの経路に配置され、当該加工対象物の表面におけるビーム断面を整形するビーム整形器と、
前記レーザ光源と前記加工対象物との間のレーザビームの経路に配置された透過率可変のアッテネータと、
前記加工対象物の表面の位置におけるレーザビームの光強度分布を測定するビームプロファイラと、
前記ビームプロファイラの測定結果に基づいて、ビーム断面の面積を求めて面積の測定値とし、ビーム断面の面積の測定値に基づいて、前記アッテネータの透過率を調整する制御装置と
を有するレーザ加工装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
A laser light source ,
Disposed in the path of the laser beam between the previous SL laser light source and the machining object, a beam shaper for shaping the beam cross section at the surface of the workpiece,
And the laser beam transmittance variable attenuator positioned in the path of between the laser light source and the front Symbol machining object,
A beam profiler which measures the light intensity distribution of the laser beam at the position of the surface before Symbol machining object,
A laser processing apparatus comprising: a control device that obtains an area of a beam cross section based on a measurement result of the beam profiler, sets a measured value of the area, and adjusts a transmittance of the attenuator based on the measured value of the area of the beam cross section. Is provided.
ビーム断面の面積が当初の値から変化しても、フルエンスを目標値に近づけることが可能である。これにより、加工品質の再現性を高めることができる。 Even if the area of the beam cross section changes from the initial value, it is possible to make the fluence close to the target value. Thereby, the reproducibility of the processing quality can be improved.
図1Aに、実施例によるレーザ加工装置の概略図を示す。レーザ光源10が、制御装置50からの発振指令信号S0を受けて、パルスレーザビームを出力する。レーザ光源10には、例えばレーザダイオードが用いられる。レーザダイオードは、例えば波長808nmの擬似連続発振(QCW)レーザビームを出力する。
FIG. 1A is a schematic diagram of a laser processing apparatus according to an embodiment.
レーザ光源10から出力されたパルスレーザビームの経路に、透過率可変のアッテネータ11が配置されている。アッテネータ11は、設定された透過率に基づいて、パルスレーザビームの光強度を減衰させる。アッテネータ11の透過率は、制御装置50からの透過率指令信号S1によって指令される。アッテネータ11を透過したパルスレーザビームが、ビーム整形器12、折り返しミラー13、及び対物レンズ14を経由して、加工チャンバ15内に導入される。
A
加工チャンバ15の中にステージ20が配置されている。ステージ20の上に、チャック機構23が固定されており、チャック機構23によって加工対象物30が保持される。加工対象物30は、例えばドーパントがイオン注入されている半導体ウエハである。ステージ20は、制御装置50から制御されることにより、加工対象物30の表面に平行な二次元方向に移動する。
A
パルスレーザビームは、加工チャンバ15の上方の壁面に設けられた入射窓16を通って、加工チャンバ15内に導入される。ステージ20が移動すると、加工対象物30の表面上を、パルスレーザビームの入射位置が移動する。パルスレーザビームの入射位置の主走査方向への移動と、副走査方向への移動とを繰り返すことにより、加工対象物30の表面の全域をアニールすることができる。このアニールにより、加工対象物30に注入されたドーパントの活性化が行われる。
The pulsed laser beam is introduced into the
ビーム整形器12と対物レンズ14とは、加工対象物30の表面におけるパルスレーザビームの断面形状を一方向に長い形状(長尺形状)にするとともに、長さ方向及び幅方向に関する光強度分布を均一化する。ビーム整形器12として、複数のシリンドリカルレンズアレイを組み合わせたビームホモジナイザを用いることができる。
The
図1Bに、ステージ20の平面図を示す。ステージ20には、チャック機構23の他にミラー21及びビームプロファイラ25が取り付けられている。ステージ20を移動させることにより、パルスレーザビームが加工対象物30に入射する状態、ミラー21に入射する状態、ビームプロファイラ25に入射する状態のいずれかの状態が実現される。
FIG. 1B shows a plan view of the
図1Aでは、加工チャンバ15内に導入されたパルスレーザビームがミラー21に入射している状態を示している。加工チャンバ15内に導入されたパルスレーザビームがビームプロファイラ25に入射している状態が、図2に示されている。
FIG. 1A shows a state in which the pulse laser beam introduced into the
図1Aに示すように、ミラー21に入射したパルスレーザビームは、ミラー21によって水平方向に反射される。ミラー21で反射されたパルスレーザビームは、加工チャンバ15の側壁に設けられた窓17を通って、加工チャンバ15の外に配置されたレーザ強度測定器40に入射する。ミラー21からレーザ強度測定器40までのパルスレーザビームの経路にレンズ22が配置されている。レンズ22は、レーザ強度測定器40の受光面におけるパルスレーザビームのビーム断面の大きさを調整する。
As shown in FIG. 1A, the pulse laser beam incident on the
レーザ強度測定器40として、パワーメータ、ジュールメータ、フォトディテクタ等を用いることができる。パワーメータは、パルスレーザビームの平均パワー(パワーの時間平均)を測定する。ジュールメータは、パルスレーザビームの1パルスあたりのエネルギ(パルスエネルギ)を測定する。フォトディテクタは、パルスレーザビームの波形を測定する。フォトディテクタを較正しておくことにより、パルスレーザビームの波形からパルスエネルギを求めることができる。レーザ強度測定器40によるパルスレーザビームの強度の測定結果が制御装置50に入力される。以下、レーザ強度測定器40の測定物理量が平均パワーである場合について説明を続ける。
As the laser
図2に示すように、パルスレーザビームがビームプロファイラ25に入射している状態のとき、ビームプロファイラ25は光強度分布を測定する。ビームプロファイラ25の測定結果が制御装置50に入力される。
As shown in FIG. 2, when the pulse laser beam is incident on the
レーザ光源10とアッテネータ11との間のパルスレーザビームの経路に、分岐装置18が配置されている。分岐装置18は、制御装置50からの切替信号S2を受けて、パルスレーザビームがアッテネータ11に入射する状態(加工状態)と、出口用パワーメータ45に入射する状態(待機状態)とを切り替える。出口用パワーメータ45は、入射するパルスレーザビームの平均パワーを測定する。出口用パワーメータ45の測定結果が制御装置50に入力される。
A branching
制御装置50は、レーザ光源10からのパルスレーザビームの出力タイミング、アッテネータ11の透過率、ステージ20の移動、及び分岐装置18の状態を制御する。
The
本発明の実施例について説明する前に、図3及び図4を参照して参考例について説明する。参考例によるレーザ加工装置は、図1Aに示した実施例によるレーザ加工装置と同一の構成を有する。 Before describing an embodiment of the present invention, a reference example will be described with reference to FIGS. The laser processing apparatus according to the reference example has the same configuration as the laser processing apparatus according to the embodiment shown in FIG. 1A.
図3に、参考例によるレーザ加工装置で実行されるパワー調整処理のフローチャートを示す。フローチャートの各処理は、制御装置50に格納されている処理プログラムにより実現される。
FIG. 3 shows a flowchart of a power adjustment process performed by the laser processing apparatus according to the reference example. Each process of the flowchart is realized by a processing program stored in the
ステップST1において、制御装置50がアッテネータ11の透過率を初期値に設定する。透過率の初期値は、予め制御装置50に記憶されている。
In step ST1, the
ステップST2において、レーザ光源10から出力されるパルスレーザビームの平均パワーを測定する。具体的には、まず、制御装置50がステージ20を移動させて、パルスレーザビームがミラー21に入射する状態とする。その後、レーザ光源10に発振指令信号S0を送出して、パルスレーザビームの出力を開始させる。制御装置50がレーザ強度測定器40からの出力を読み取ることにより、パルスレーザビームの平均パワーの測定値が得られる。
In step ST2, the average power of the pulse laser beam output from the
ステップST3において、制御装置50が、平均パワーの測定値と、平均パワーの目標値とに基づいて、アッテネータ11の透過率を調整する。具体的には、平均パワーの測定値に対する目標値の比を現在の透過率に乗じることにより、調整後の透過率が算出される。平均パワーの目標値は、予め制御装置50に記憶されている。
In step ST3, the
ステップST4において、制御装置50の制御下でレーザ加工が実施される。ステップST3でアッテネータ11の透過率が調整されているため、目標とする平均パワーでレーザ加工を行うことができる。
In step ST4, laser processing is performed under the control of the
次に、図4A〜図4Cを参照して、図3に示した参考例によるレーザ加工装置を用いたアニール処理の課題について説明する。 Next, with reference to FIG. 4A to FIG. 4C, a problem of the annealing process using the laser processing apparatus according to the reference example shown in FIG. 3 will be described.
図4Aに、加工対象物30の表面におけるパルスレーザビームのビーム断面形状を示す。ビーム断面33は、一方向に長い長尺形状を有する。ビーム断面33の長さ方向をy方向とし、幅方向をx方向とするxy直交座標系を定義する。
FIG. 4A shows a beam cross-sectional shape of the pulsed laser beam on the surface of the
図4B及び図4Cに、それぞれビーム断面33の幅方向(x方向)及び長さ方向(y方向)の光強度分布の例を示す。図4Bの横軸はx座標を表し、縦軸は光強度を表す。図4Cの横軸はy座標を表し、縦軸は光強度を表す。ビーム断面33の幅方向の中心をx座標の原点とし、長さ方向の中心をy座標の原点としている。幅方向及び長さ方向の2方向に関して、ほぼトップフラットの光強度分布(ビームプロファイル)が実現されている。光強度が強度閾値Ithに等しい点を連ねる線をビーム断面の外周線と定義することができる。強度閾値Ithとして、例えばピーク強度の1/e2倍の値を採用することができる。
4B and 4C show examples of the light intensity distribution in the width direction (x direction) and the length direction (y direction) of the
パルスレーザビームの平均パワーをPmで表し、ビーム断面33の面積をAで表し、パルスの繰返し周波数をfで表すと、フルエンス(パルスエネルギ密度)Fは、以下の式で定義される。
F=Pm/(f×A)・・・(1)
上述の式(1)からわかるように、平均パワーPmが一定であっても、ビーム断面33の面積Aが変化すると、フルエンスFも変化する。図3に示した参考例では、パルスレーザビームの平均パワーを目標値に一致させているが、ビーム断面33の面積Aについては考慮されていない。すなわち、ビーム断面33の面積Aは不変であるという前提の下でレーザ加工が行われる。
When the average power of the pulse laser beam is represented by Pm, the area of the
F = Pm / (f × A) (1)
As can be seen from the above equation (1), even if the average power Pm is constant, when the area A of the
ところが、ビーム整形器12の温度上昇による光学特性の変化、経年変化等のため、ビーム断面33の面積Aが常に一定であるとは限らない。ビーム断面33の面積Aの変化により、フルエンスFが一定に保たれないため、アニール品質の再現性を確保することが困難である。
However, the area A of the
次に、図1、図2、及び図5を参照して、実施例によるレーザ加工装置について説明する。実施例によるレーザ加工装置においては、以下に説明するように、アニール品質の再現性を確保することが可能である。 Next, a laser processing apparatus according to an embodiment will be described with reference to FIG. 1, FIG. 2, and FIG. In the laser processing apparatus according to the embodiment, as described below, reproducibility of annealing quality can be ensured.
図5に、実施例によるレーザ加工装置で実行されるフルエンスの調整処理のフローチャートを示す。フローチャートの各処理は、制御装置50に格納された処理プログラムにより実現される。
FIG. 5 is a flowchart illustrating a fluence adjustment process performed by the laser processing apparatus according to the embodiment. Each process in the flowchart is realized by a processing program stored in the
ステップST11において、レーザ加工の開始前に、まず加工対象物30(図1)、例えばドーパントが注入された半導体ウエハをステージ20に搬送する。搬送後、加工対象物30をチャック機構23に固定する。
In step ST <b> 11, before starting laser processing, first, a processing target 30 (FIG. 1), for example, a semiconductor wafer into which a dopant has been implanted is transferred to the
ステップST12において、制御装置50が、加工対象物30の高さ調整と、面内方向の位置合わせを行う。
In step ST12, the
ステップST12の後、ステップST13において、装置の現時点の動作モードが「フルエンスフィードバック実行モード」か否かを判定する。この動作モードはオペレータにより設定される。例えば、装置の現時点の動作モードが「フルエンスフィードバック実行モード」である場合には、以下に説明するフルエンスフィードバック処理を実行する。動作モードが「フルエンスフィードバック実行モード」でない場合には、フルエンスフィードバック処理を実行することなく、ステップST23において、レーザ加工処理を実行する。 After step ST12, in step ST13, it is determined whether or not the current operation mode of the apparatus is “fluence feedback execution mode”. This operation mode is set by the operator. For example, when the current operation mode of the device is the “fluence feedback execution mode”, the fluence feedback process described below is executed. If the operation mode is not the “fluence feedback execution mode”, the laser processing is executed in step ST23 without executing the fluence feedback processing.
ステップST13において、動作モードが「フルエンスフィードバック実行モード」であると判定された場合には、ステップST14において、動作モードが「ビーム断面積測定モード」か否かを判定する。この動作モードも、オペレータにより設定される。 If it is determined in step ST13 that the operation mode is the “fluence feedback execution mode”, it is determined in step ST14 whether the operation mode is the “beam cross section measurement mode”. This operation mode is also set by the operator.
ステップST14において、動作モードが「ビーム断面積測定モード」であると判定された場合には、ステップST15において、現時点の加工対象物30(図1A)がロットの1枚目か否かを判定する。 When it is determined in step ST14 that the operation mode is the “beam cross-sectional area measurement mode”, in step ST15, it is determined whether or not the current object 30 (FIG. 1A) is the first lot in the lot. .
ステップST15において、現時点の加工対象物30がロットの1枚目であると判定された場合には、ステップST16において、パルスレーザビームの光強度分布を測定する。光強度分布の測定は、図2に示したように、レーザ光源10から出力されたパルスレーザビームをビームプロファイラ25に入射させることにより行うことができる。
If it is determined in step ST15 that the
ステップST17において、制御装置50が、測定された光強度分布に基づいて、ビーム断面積を算出する。例えば、ビーム断面33(図4A)の幅方向の光強度分布(図4B)からビーム断面33の幅を求め、長さ方向の光強度分布(図4C)からビーム断面33の長さを求める。ビーム断面33の幅と長さとから、面積Aを算出することができる。
In step ST17, the
ステップST18において、ビーム断面33の面積Aが正常か否かを判定する。制御装置50に、予めビーム断面33の面積Aの許容範囲が記憶されている。面積Aの測定値が許容範囲に収まっている場合には、面積Aは正常であると判定され、許容範囲外であれば、面積Aは正常ではないと判定される。
In step ST18, it is determined whether or not the area A of the
ビーム断面33の面積Aが正常ではないと判定された場合には、ビーム整形器12(図1A)に何らかの異常が発生していると考えられるため、レーザ加工処理を終了する。制御装置50は、異常をオペレータに通知するための警報を発出する。
If it is determined that the area A of the
ステップST18において、ビーム断面33の面積Aが正常であると判定された場合には、ステップST19において、フルエンス算出用のビーム断面33の面積Aとして、ステップST17で求められた面積Aの測定値を採用する。
In step ST18, when it is determined that the area A of the
ステップST20において、パルスレーザビームの平均パワーを測定する。平均パワーの測定は、図1Aに示したように、レーザ光源10から出力されたパルスレーザビームをレーザ強度測定器40に入射させることにより行うことができる。
In step ST20, the average power of the pulse laser beam is measured. The measurement of the average power can be performed by making the pulsed laser beam output from the
ステップST21において、フルエンスFを算出する。フルエンスFの算出は、上述の式(1)により行うことができる。このとき、フルエンス算出用のビーム断面33の面積Aとして、測定値が採用されている(ステップST19)。従って、ステップST21では、ステップST17で求められた面積Aの測定値を用いてフルエンスFが算出される。
In step ST21, the fluence F is calculated. The calculation of the fluence F can be performed by the above equation (1). At this time, the measured value is adopted as the area A of the
ステップST22において、フルエンスFの算出値が正常であるか否かを判定する。フルエンスFの許容範囲は、予め制御装置50に記憶されている。フルエンスFの算出値が許容範囲に収まる場合には、フルエンスFの算出値は正常であると判定され、許容範囲外である場合には、フルエンスFの算出値は正常ではないと判定される。
In step ST22, it is determined whether or not the calculated value of the fluence F is normal. The allowable range of the fluence F is stored in the
フルエンスFの算出値が正常である場合には、ステップST23において、レーザ加工を実行する。 If the calculated value of the fluence F is normal, laser processing is performed in step ST23.
ステップST22でフルエンスFの算出値が正常ではないと判定された場合には、ステップST24において、平均パワーを調整する。平均パワーを調整した後、ステップST20において、パルスレーザビームの平均パワーの再測定を行う。以下、ステップST24での平均パワーの調整方法について説明する。 If it is determined in step ST22 that the calculated value of the fluence F is not normal, the average power is adjusted in step ST24. After adjusting the average power, in step ST20, the average power of the pulse laser beam is measured again. Hereinafter, the method of adjusting the average power in step ST24 will be described.
平均パワーを調整する方法として、アッテネータ11の透過率を調整する方法と、レーザ光源10の駆動電流を調整する方法との一方または両方が採用される。制御装置50は、ステップST24において、フルエンスFの算出値が、フルエンスFの目標値に一致するように、まずアッテネータ11の透過率を調整する。フルエンスFの目標値は、予め制御装置50に記憶されている。
As a method of adjusting the average power, one or both of a method of adjusting the transmittance of the
アッテネータ11の透過率を定格最大値、例えばほぼ100%に設定しても、フルエンスFの測定値が目標値に到達しないと判断される場合には、制御装置50はレーザ光源10に与える駆動電流を増加させる。駆動電流の増加幅と、レーザ光源10の出口における平均パワーの増加幅との関係が、予め制御装置50に記憶されている。フルエンスFの測定値と目標値との差、及び駆動電流の増加幅と平均パワーの増加幅との関係に基づいて、駆動電流の増加幅を決定することができる。
If it is determined that the measured value of the fluence F does not reach the target value even if the transmittance of the
ステップST15において、現時点の加工対象物30がロットの2枚目以降であると判定された場合には、光強度分布の測定処理を実行することなく、ステップST19において、フルエンスFの算出用のビーム断面33の面積Aとして、ロットの1枚目の加工対象物30の処理時に求められている面積Aの測定値を採用する。すなわち、パルスレーザビームの光強度分布を実際に測定するのは、ロットの1枚目の加工対象物30の処理時のみである。2枚目以降の処理時に光強度分布の測定を省略するのは、1つのロット内の複数の加工対象物30の処理期間中は、パルスレーザビームの光強度分布が実質的に変化しないと考えることができるためである。
If it is determined in step ST15 that the
ステップST14において、現時点の動作モードがビーム断面積測定モードではないと判定された場合には、ステップST25において、間引き処理の有無を判定する。間引き処理の有無は、オペレータによって予め設定されている。 If it is determined in step ST14 that the current operation mode is not the beam cross-sectional area measurement mode, it is determined in step ST25 whether or not there is a thinning process. The presence or absence of the thinning process is preset by the operator.
ステップST14で、間引き処理が有りと判定された場合には、ステップST26において、現時点の加工対象物30が間引き対象か否かを判定する。現時点の加工対象物30が間引き対象であると判定された場合には、フルエンスFの調整を行うことなく、ステップST23においてレーザ加工を実施する。
If it is determined in step ST14 that there is a thinning process, in step ST26, it is determined whether or not the
ステップST25で、間引き処理が無しと判定された場合、及びステップST26で現時点の加工対象物30が間引き対象ではないと判定された場合には、ステップST27において、フルエンス算出用のビーム断面33の面積Aとして、標準値を採用する。この標準値は、予め制御装置50に記憶されている。
If it is determined in step ST25 that there is no thinning process, and if it is determined in step ST26 that the
ステップST27の後、ステップST20以降の処理を実行する。ステップST21において、面積Aの標準値を用いてフルエンスFが算出される。 After step ST27, the processing after step ST20 is executed. In step ST21, the fluence F is calculated using the standard value of the area A.
次に、図5に示した実施例によるレーザ加工装置の優れた効果について説明する。実施例においては、ステップST19において、フルエンス算出用のビーム断面33の面積Aとして、実際に測定された測定値が採用される。このため、ビーム整形器12の特性の変動によってビーム断面33の面積Aが初期値からずれている場合でも、現時点のフルエンスFを高精度に算出することができる。このフルエンスFに基づいてパルスレーザビームの平均パワーを修正するため、加工に用いられる現時点のパルスレーザビームのフルエンスFを、目標値にほぼ一致させることができる。これにより、再現性の高いレーザ加工を行うことが可能になる。
Next, excellent effects of the laser processing apparatus according to the embodiment shown in FIG. 5 will be described. In the embodiment, in step ST19, an actually measured value is used as the area A of the
例えば、ビーム整形器12(図1A)の特性が安定しており、実質的に光強度分布が変動しないと考えられる場合には、装置の動作モードを、「ビーム断面積測定モード」に設定しておかなくてもよい。また、レーザ光源10の出口における平均パワー、ビーム整形器12の特性、及びその他の光学系の特性が、加工品質に影響を与えるほど変動していないと考えられる場合には、装置の動作モードを、「フルエンスフィードバック実行モード」に設定しておかなくてもよい。
For example, when the characteristics of the beam shaper 12 (FIG. 1A) are stable and it is considered that the light intensity distribution does not substantially fluctuate, the operation mode of the apparatus is set to the “beam cross section measurement mode”. It is not necessary to keep it. If the average power at the exit of the
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。 Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. For example, it will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.
10 レーザ光源
11 アッテネータ
12 ビーム整形器
13 折り返しミラー
14 対物レンズ
15 加工チャンバ
16 入射窓
17 窓
18 分岐装置
20 ステージ
21 ミラー
22 レンズ
23 チャック機構
25 ビームプロファイラ
30 加工対象物
33 ビーム断面
40 レーザ強度測定器
45 出口用パワーメータ
50 制御装置
Claims (4)
前記レーザ光源と加工対象物との間のレーザビームの経路に配置され、当該加工対象物の表面におけるビーム断面を整形するビーム整形器と、
前記レーザ光源と前記加工対象物との間のレーザビームの経路に配置された透過率可変のアッテネータと、
前記加工対象物の表面の位置におけるレーザビームの光強度分布を測定するビームプロファイラと、
前記ビームプロファイラの測定結果に基づいて、ビーム断面の面積を求めて面積の測定値とし、ビーム断面の面積の測定値に基づいて、前記アッテネータの透過率を調整する制御装置と
を有するレーザ加工装置。 A laser light source ,
Disposed in the path of the laser beam between the previous SL laser light source and the machining object, a beam shaper for shaping the beam cross section at the surface of the workpiece,
And the laser beam transmittance variable attenuator positioned in the path of between the laser light source and the front Symbol machining object,
A beam profiler which measures the light intensity distribution of the laser beam at the position of the surface before Symbol machining object,
A laser processing apparatus comprising: a control device that obtains an area of a beam cross section based on a measurement result of the beam profiler, sets a measured value of the area, and adjusts a transmittance of the attenuator based on the measured value of the area of the beam cross section. .
前記レーザ光源から出力されたレーザビームが入射する位置に前記加工対象物を保持するステージと、
前記加工対象物に入射するレーザビームの強度を測定するレーザ強度測定器と
を有し、
前記制御装置は、前記ビーム断面の面積の測定値に加えて、前記レーザ強度測定器によるレーザビームの強度の測定値に基づいて、前記アッテネータの透過率を調整する請求項1に記載のレーザ加工装置。 further,
A stage that holds the object to be processed at a position where a laser beam output from the laser light source is incident,
And laser intensity measuring device for measuring the intensity of the laser beam incident on the front Symbol machining object has <br/>,
The laser processing according to claim 1, wherein the control device adjusts the transmittance of the attenuator based on a measured value of the laser beam intensity measured by the laser intensity measuring device in addition to the measured value of the area of the beam cross section. apparatus.
前記制御装置は、前記アッテネータの透過率が当該アッテネータの定格最大値になっても、パルスレーザビームのパルスエネルギ密度が目標値未満である場合、前記レーザ光源に与える駆動電流を増加させる請求項3に記載のレーザ加工装置。 The laser light source includes a laser diode,
4. The control device according to claim 3, wherein the drive current applied to the laser light source is increased when the pulse energy density of the pulse laser beam is less than a target value even when the transmittance of the attenuator reaches the rated maximum value of the attenuator. The laser processing apparatus according to item 1.
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