JP6642671B2

JP6642671B2 - Imprint equipment

Info

Publication number: JP6642671B2
Application number: JP2018181950A
Authority: JP
Inventors: 博和小田; 原田　三郎; 三郎原田; 隆治長井
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2018-09-27
Filing date: 2018-09-27
Publication date: 2020-02-12
Anticipated expiration: 2034-09-02
Also published as: JP2019004183A

Description

本発明は、所望のパターン（線、模様等の凹凸構造からなる図形）を有する薄膜および／またはパターンを有しない平滑な薄膜を有する構造体を製造するインプリント方法に使用するインプリント装置に関する。 The present invention relates to an imprint apparatus used in an imprint method for manufacturing a structure having a thin film having a desired pattern (a figure having an uneven structure such as a line or pattern) and / or a smooth thin film having no pattern.

近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂層に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂組成物として光硬化性樹脂組成物を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂組成物の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂組成物を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂組成物を硬化させ、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。
このようなインプリント方法では、モールドを樹脂層から引き離す際に静電気が発生してモールドが帯電し、このモールドに雰囲気中の異物等が付着し易くなるという問題があった。モールドに異物等が付着した状態でインプリントを行うと、パターン構造体の欠陥が生じ、さらに、モールドの破損等を生じるおそれがあった。これに対応するために、例えば、モールドの電位が所定値以上となった場合に、モールドの除電を行うことが提案されている（特許文献１）。ここで、異物とは、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等、インプリントに関与することを目的としていない物質である。 In recent years, a pattern forming technique using an imprint method has attracted attention as a fine pattern forming technique that replaces the photolithography technique. The imprint method is a pattern forming technique that uses a mold member (mold) having a fine concavo-convex structure and transfers the concavo-convex structure to a resin layer to be molded, so that the fine structure is transferred at an equal magnification. For example, in an imprint method using a photocurable resin composition as a resin composition to be molded, a droplet of the photocurable resin composition is supplied to the surface of a transfer substrate, and a mold having a desired uneven structure and a transfer substrate are provided. Is filled with the photocurable resin composition in the uneven structure by bringing the mold into close proximity to a predetermined distance, and in this state, light is irradiated from the mold side to cure the photocurable resin composition, and then the mold is coated with a resin layer. By separating the mold from the mold, a pattern structure having a concavo-convex structure (concavo-convex pattern) in which the concavities and convexities of the mold are inverted is formed.
In such an imprint method, there is a problem that static electricity is generated when the mold is separated from the resin layer, the mold is charged, and foreign matters in the atmosphere are easily attached to the mold. When imprinting is performed in a state in which foreign matter or the like has adhered to the mold, a defect in the pattern structure may occur, and further, there is a possibility that the mold may be damaged. To cope with this, for example, it has been proposed to perform charge elimination of the mold when the potential of the mold becomes a predetermined value or more (Patent Document 1). Here, the foreign matter is an imprint such as a solid that is dried and drifted as a mist, droplets supplied by an ink jet method, fine particles generated from a member constituting an imprint apparatus such as an ink jet head, and dust existing in the imprint apparatus. Substances not intended to be involved in printing.

特開２００９−２８６０８５号公報JP 2009-286085 A

インプリントにおいて生じる静電気の帯電としては、上記のように、モールドを樹脂層から引き離す際に発生する静電気の帯電（以下、剥離帯電とも記す）の他に、モールドと転写基板との接触、インクジェット方式で供給された液滴と転写基板との接触による静電気の帯電（以下、接触帯電とも記す）、転写基板を保持する保持装置等がステージ上を移動することによる静電気の帯電（以下、摩擦帯電とも記す）、帯電した物体（例えば、石英モールド）が導体（例えば、表面に金属層を備えたシリコンウエハである転写基板）に近接することにより導体（金属層）に電荷の偏りが生じることによる静電気の帯電（以下、誘導帯電とも記す）等が挙げられる。また、このような静電気の帯電が生じる対象物として、例えば、石英モールド、石英転写基板、シリコンウエハ、インクジェット方式で供給された液滴、装置内に存在する異物等が挙げられる。 As described above, in addition to the electrostatic charge generated when the mold is separated from the resin layer (hereinafter, also referred to as peeling charge), the contact between the mold and the transfer substrate, the ink-jet method Charge (hereinafter, also referred to as contact charge) due to contact between the droplets supplied in step (1) and the transfer substrate (hereinafter, also referred to as contact charge), and electrostatic charge (hereinafter, also referred to as friction charge) due to the movement of a holding device for holding the transfer substrate on the stage. Described), and a charged object (for example, a quartz mold) comes close to a conductor (for example, a transfer substrate which is a silicon wafer provided with a metal layer on the surface), so that the conductor (metal layer) is biased by electric charges to generate static electricity. (Hereinafter, also referred to as induction charging). Examples of the target on which such static electricity is generated include a quartz mold, a quartz transfer substrate, a silicon wafer, a droplet supplied by an inkjet method, and a foreign substance present in the apparatus.

静電気の帯電による問題として、上記の異物付着の他に、モールドと転写基板との接近時や、モールドを樹脂層から引き離す際に発生する静電気放電による破壊がある。静電気放電は、静電気の帯電によって２つの物体間に生じる電位差が、ある閾値を超えるときに発生する放電である。静電気放電が発生すると、瞬間的な電荷の移動により生じる熱エネルギーにより、モールドが備える凹凸構造や、転写基板に形成したパターン構造体の破壊が生じるおそれがある。しかし、従来の異物等の付着を防止するためのモールドの除電では、静電気放電による破壊を確実に防止できないという問題があった。
本発明は、上述のような実情に鑑みてなされたものであり、静電気放電による破壊を防止し、高精度のパターン構造体を安定して作製することができるインプリント方法とインプリント装置を提供することを目的とする。 As a problem due to the electrostatic charge, in addition to the adhesion of the foreign matter, there is a destruction due to an electrostatic discharge generated when the mold and the transfer substrate approach each other or when the mold is separated from the resin layer. Electrostatic discharge is discharge that occurs when a potential difference between two objects due to electrostatic charging exceeds a certain threshold. When electrostatic discharge occurs, thermal energy generated by instantaneous movement of electric charges may cause damage to the uneven structure provided in the mold and the pattern structure formed on the transfer substrate. However, in the conventional static elimination of the mold for preventing the adhesion of foreign matter and the like, there is a problem that destruction due to electrostatic discharge cannot be reliably prevented.
The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an imprint method and an imprint apparatus which can prevent destruction due to electrostatic discharge and can stably produce a high-precision pattern structure. The purpose is to do.

このような目的を達成するために、本発明のインプリント装置は、転写基板上にパターン構造体を形成するインプリント装置において、モールドを保持するためのモールド保持部と、転写基板を保持するための基板保持部と、前記転写基板上に被成形樹脂組成物の液滴を供給するための液滴供給部と、少なくとも前記モールドの表面電位を測定する第１帯電電位検出部と、前記転写基板の表面電位を測定する第２帯電電位検出部と、軟Ｘ線照射方式の第１静電気除去部及び第２静電気除去部とを有し、前記第１静電気除去部は、少なくとも前記モールド保持部に保持される前記モールドに対して軟Ｘ線を照射可能に配設されており、前記第２静電気除去部は、前記基板保持部に保持される前記転写基板に対して軟Ｘ線を照射可能に配設されているような構成とした。 In order to achieve such an object, an imprint apparatus of the present invention includes a mold holding unit for holding a mold and an imprint apparatus for forming a pattern structure on a transfer substrate, for holding the transfer substrate. A substrate holding unit, a droplet supply unit for supplying droplets of the resin composition to be molded onto the transfer substrate, a first charging potential detection unit that measures at least a surface potential of the mold, and the transfer substrate A second electrostatic potential detecting section for measuring the surface potential of the first and second static electricity removing sections and a second static electricity removing section of the soft X-ray irradiation system, wherein the first static electricity removing section is provided at least in the mold holding section. The mold is held so as to be capable of irradiating soft X-rays, and the second static electricity removing unit is capable of irradiating the transfer substrate held by the substrate holding unit with soft X-rays. Arranged It was so that configuration.

本発明の他の態様として、前記インプリント装置を側面から見たときに、前記第１帯電電位検出部及び前記第２帯電電位検出部は、前記モールド保持部と前記液滴供給部との間に挟まれる領域よりも外側に配設されているような構成とした。
本発明の他の態様として、前記インプリント装置を側面から見たときに、前記第１静電気除去部及び前記第２静電気除去部は、前記モールド保持部と前記液滴供給部との間に挟まれる領域よりも外側に配設されているような構成とした。 Another aspect of the present invention, the imprint apparatus when viewed from the side, the first charge potential detector及beauty before Symbol second charge potential detection unit, and the mold holding portion and the droplet supply unit It is configured such that it is disposed outside the region sandwiched between them.
Another aspect of the present invention, the imprint apparatus when viewed from the side, the first electrostatic removing unit及 beauty the second electrostatic removing unit, between the droplet supply unit and the mold holding portion The configuration is such that it is disposed outside the region to be sandwiched .

本発明の他の態様として、前記モールド保持部、前記基板保持部及び前記液滴供給部を制御するとともに、前記第１帯電電位検出部及び前記第２帯電電位検出部により測定された前記モールドと前記転写基板との電位差が許容値を超える場合に、前記軟Ｘ線を照射することにより前記モールド及び／又は前記転写基板を除電するように前記第１静電気除去部及び／又は前記第２静電気除去部を制御する制御部をさらに有するような構成とした。 As another aspect of the present invention, the mold holding unit, the substrate holding unit and the droplet supply unit are controlled, and the mold measured by the first charging potential detection unit and the second charging potential detection unit is provided. When the potential difference from the transfer substrate exceeds an allowable value, the first static eliminator and / or the second static eliminator is configured to irradiate the soft X-ray so as to eliminate the charge on the mold and / or the transfer substrate. The configuration further includes a control unit that controls the unit.

本発明では、モールドが備える凹凸構造や転写基板に形成したパターン構造体に対する静電気放電による破壊が防止され、また、異物等の付着も防止され、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent a pattern structure formed on a transfer substrate from a concave-convex structure provided in a mold from being damaged by electrostatic discharge, prevent foreign matters from adhering, and stably produce a high-precision pattern structure. Can be.

図１は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 1 is a process chart for explaining an embodiment of the imprint method of the present invention. 図２は、欠陥検査工程における静電気放電破壊による欠陥の有無の判断手順の一例を示すフローチャートである。FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a procedure for determining the presence or absence of a defect due to electrostatic discharge breakdown in the defect inspection process. 図３は、パターン欠落欠陥の例を示す部分斜視図である。FIG. 3 is a partial perspective view showing an example of a pattern missing defect. 図４は、本発明のインプリント装置の一実施形態を示す側面図である。FIG. 4 is a side view showing an embodiment of the imprint apparatus of the present invention. 図５は、図４に示されるインプリント装置の平面図である。FIG. 5 is a plan view of the imprint apparatus shown in FIG. 図６は、本発明のインプリント装置の制御部による制御の一例を説明するためのフローチャート図である。FIG. 6 is a flowchart for explaining an example of control by the control unit of the imprint apparatus of the present invention. 図７は、本発明のインプリント装置の制御部による制御の一例を説明するためのフローチャート図である。FIG. 7 is a flowchart illustrating an example of control by the control unit of the imprint apparatus of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
The drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the size ratio between members, and the like are not necessarily the same as actual ones, and may represent the same members. However, the dimensions and the ratios may be different depending on the drawings.

［インプリント方法］
本発明のインプリント方法は、供給工程、接触工程、硬化工程、離型工程を有し、さらに、供給工程と接触工程との間、硬化工程と離型工程との間の少なくとも一方に除電判断工程を有し、離型工程後に欠陥検査工程を有している。
図１は、このような本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。この図１を参照しながら本発明のインプリント方法を説明する。 [Imprint method]
The imprint method of the present invention includes a supplying step, a contacting step, a curing step, and a releasing step. And a defect inspection step after the release step.
FIG. 1 is a process chart for explaining an embodiment of such an imprint method of the present invention. The imprint method of the present invention will be described with reference to FIG.

＜供給工程＞
本発明では、転写基板１に被成形樹脂組成物の液滴５′を供給する（図１（Ａ））。液滴５′の供給は、インクジェットヘッドからの液滴の吐出、ディスペンサーからの供給等により行うことができる。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。 <Supply process>
In the present invention, droplets 5 'of the resin composition to be molded are supplied to the transfer substrate 1 (FIG. 1A). The supply of the droplet 5 ′ can be performed by discharging a droplet from an ink jet head, supplying from a dispenser, or the like.
The transfer substrate 1 used in the imprint method of the present invention can be appropriately selected. For example, quartz, soda lime glass, glass such as borosilicate glass, silicon, gallium arsenide, semiconductor such as gallium nitride, polycarbonate, polypropylene, It may be a resin substrate of polyethylene or the like, a metal substrate, or a composite material substrate made of any combination of these materials. For example, a desired pattern structure such as a fine wiring used for a semiconductor or a display, or a photonic crystal structure, an optical waveguide, or an optical structure such as holography may be formed.

被成形樹脂組成物は、インクジェットヘッド、ディスペンサー等の供給手段からの供給が可能な流動性を有するものであればよく、光硬化性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、熱可塑性樹脂組成物等を挙げることができる。例えば、光硬化性樹脂組成物としては、主剤、開始剤、架橋剤により構成され、また、必要に応じて、モールドとの付着を抑制するための離型剤や、転写基板１との密着性を向上させるための密着剤を含有しているものであってよい。そして、インプリント方法により製造するパターン構造体の用途、要求される特性、物性等に応じて、使用する被成形樹脂組成物を適宜選択することができる。例えば、パターン構造体の用途がリソグラフィ用途であれば、エッチング耐性を有し、粘度が低く残膜厚みが少ないことが要求され、パターン構造体の用途が光学部材であれば、特定の屈折率、光透過性が要求され、これらの要求に応じて被成形樹脂組成物を適宜選択することができる。但し、いずれの用途であっても、使用するインクジェットヘッド等の供給手段への適合性を満たす特性（粘度、表面張力等）を具備していることが要求される。尚、インクジェットヘッドは、その構造および材質等に応じて、適合する液体の粘度、表面張力等が異なる。このため、使用する被成形樹脂組成物の粘度や表面張力等を適宜に調整すること、あるいは、使用する被成形樹脂組成物に適合するインクジェットヘッドを適宜に選択することが好ましい。 The resin composition to be molded may be any one having a fluidity that can be supplied from a supply means such as an ink jet head and a dispenser, and may be a photocurable resin composition, a thermosetting resin composition, or a thermoplastic resin composition. And the like. For example, the photo-curable resin composition is composed of a main component, an initiator, and a cross-linking agent. If necessary, a release agent for suppressing adhesion to a mold, and adhesion to the transfer substrate 1 May be contained. The resin composition to be used can be appropriately selected depending on the use of the pattern structure manufactured by the imprint method, required characteristics, physical properties, and the like. For example, if the use of the pattern structure is a lithography use, it is required to have etching resistance, a low viscosity and a low residual film thickness, and if the use of the pattern structure is an optical member, a specific refractive index, Light transmittance is required, and the resin composition to be molded can be appropriately selected according to these requirements. However, in any application, it is required to have characteristics (viscosity, surface tension, and the like) that satisfy compatibility with a supply unit such as an inkjet head to be used. In addition, the viscosity, surface tension, and the like of a suitable liquid of the ink jet head differ depending on the structure, the material, and the like. For this reason, it is preferable to appropriately adjust the viscosity and surface tension of the molding resin composition to be used, or to appropriately select an ink jet head suitable for the molding resin composition to be used.

また、転写基板１上に供給する被成形樹脂組成物の液滴５′の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる被成形樹脂組成物の総量、転写基板に対する被成形樹脂組成物の濡れ性、後工程である接触工程における転写基板１とモールド３との間隙の大きさ等から適宜設定することができる。 Further, the number of the droplets 5 ′ of the molding resin composition supplied onto the transfer substrate 1 and the distance between adjacent droplets are determined by the amount of each droplet, the total amount of the molding resin composition required, It can be appropriately set based on the wettability of the resin composition to be transferred to the transfer substrate, the size of the gap between the transfer substrate 1 and the mold 3 in the contact step which is a subsequent step, and the like.

＜第１除電判断工程＞
次に、第１除電判断工程において、転写基板１と使用するモールド３の電位差が許容値以内であるか否かを指標として、転写基板１および／またはモールド３の除電の要否を判断する。上記の供給工程では、必要に応じて転写基板１が保持された基板保持部を予めＸＹステージ上の供給位置に移動させるが、この基板保持部の移動により、静電気の帯電（摩擦帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合がある。また、例えば、インクジェットヘッドから吐出された被成形樹脂組成物の液滴が転写基板１と接触する際に、静電気の帯電（接触帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合がある。このような静電気の帯電により、転写基板１と使用するモールド３との電位差が大きくなると、転写基板１とモールド３との接近時に静電気放電が生じるおそれがある。静電気放電は、静電気の帯電によって２つの物体間に生じる電位差が、ある閾値を超えるときに発生する放電であり、静電気放電が発生すると、瞬間的な電荷の移動により生じる熱エネルギーにより、モールドが備える凹凸構造の破壊が生じることがある。このため、転写基板１と使用するモールド３の電位差が許容値を超える場合に、転写基板１および／またはモールド３の除電を行う。 <First static elimination determination step>
Next, in the first charge elimination determination step, it is determined whether or not the charge elimination of the transfer substrate 1 and / or the mold 3 is necessary, using as an index whether or not the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 to be used is within an allowable value. In the above-described supply step, the substrate holding unit holding the transfer substrate 1 is moved to the supply position on the XY stage in advance as necessary. However, the movement of the substrate holder causes electrostatic charging (frictional charging). In some cases, the surface potential of the transfer substrate 1 may increase. Further, for example, when a droplet of the resin composition to be molded discharged from the ink jet head comes into contact with the transfer substrate 1, electrostatic charging (contact charging) occurs, and the surface potential of the transfer substrate 1 may increase. . If the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 to be used becomes large due to such electrostatic charge, there is a possibility that electrostatic discharge occurs when the transfer substrate 1 and the mold 3 approach. Electrostatic discharge is a discharge that occurs when a potential difference between two objects due to electrostatic charging exceeds a certain threshold. When an electrostatic discharge occurs, the mold is provided with thermal energy generated by instantaneous movement of electric charge. Destruction of the uneven structure may occur. Therefore, when the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 to be used exceeds the allowable value, the transfer substrate 1 and / or the mold 3 are neutralized.

電位差の許容値は、例えば、同様のパターン寸法、パターン配置、あるいは、パターン密度を有し、同様の材質であるモールドにおいて、過去に静電気放電が生じたときのデータ等を参照して決定することができる。
転写基板１、モールド３の除電は、軟Ｘ線照射方式により行うことができる。軟Ｘ線照射方式は、コロナ放電式による除電のような送風やエアパージによる発塵、放電針の先端の摩耗による発塵がなく良好である。しかし、軟Ｘ線は、放射状に広がって照射されるので、照射が不要な部分にも軟Ｘ線が照射され、多量の軟Ｘ線が照射されることによる部材の劣化、発塵のおそれがある。本発明では、第１除電判断工程において除電が必要と判断された場合のみ除電を実施するので、照射が不要な部分への多量の軟Ｘ線の照射を防止することができる。 The allowable value of the potential difference should be determined, for example, by referring to data on the occurrence of electrostatic discharge in the past in a mold having the same pattern dimensions, pattern arrangement, or pattern density and made of the same material. Can be.
The charge elimination of the transfer substrate 1 and the mold 3 can be performed by a soft X-ray irradiation method. The soft X-ray irradiating method is favorable because there is no dust generation due to air blowing or air purging such as charge removal by a corona discharge method, and no dust generation due to wear of the tip of the discharge needle. However, since the soft X-rays are radiated and spread radially, the portions that do not need to be irradiated are also irradiated with the soft X-rays. is there. In the present invention, since static elimination is performed only when it is determined that static elimination is necessary in the first static elimination determination step, it is possible to prevent a large amount of soft X-rays from being irradiated to a portion that does not require irradiation.

このような第１除電判断工程は、上記の供給工程が終了した後に実施されるが、液滴５′が供給された転写基板１が保持された基板保持部をＸＹステージ上の転写位置に移動させた後、転写基板１とモールド３とが近接する前に実施してもよい。さらに、供給工程が終了した後、および、転写位置において転写基板１とモールド３とが近接する前の両段階で第１除電判断工程を実施することが好ましい。すなわち、転写基板１が保持された基板保持部をＸＹステージ上の転写位置に移動する際に、静電気の帯電（摩擦帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合がある。このため、供給工程が終了した後の第１除電判断工程の判断では、除電が不要と判断された場合であっても、転写基板１が保持された基板保持部がＸＹステージ上の転写位置に移動した段階で、転写基板１とモールド３の電位差が許容値を超える可能性がある。このような状態で転写基板１とモールド３を近接させると、静電気放電が生じるおそれがある。上記のように、供給工程が終了した後、および、転写位置において転写基板１とモールド３とが近接する前の両段階で第１除電判断工程を実施することにより、後述する接触工程における静電気放電を確実に防止することができる。 Such a first static elimination determination step is performed after the above-described supply step is completed, but the substrate holding unit holding the transfer substrate 1 to which the droplets 5 'are supplied is moved to a transfer position on the XY stage. After that, the process may be performed before the transfer substrate 1 and the mold 3 come close to each other. Furthermore, it is preferable to execute the first charge removal determination step both after the supply step is completed and before the transfer substrate 1 and the mold 3 approach each other at the transfer position. That is, when the substrate holding unit holding the transfer substrate 1 is moved to the transfer position on the XY stage, electrostatic charging (frictional charging) occurs, and the surface potential of the transfer substrate 1 may increase. For this reason, in the determination in the first static elimination determination step after the supply step is completed, even if it is determined that the static elimination is unnecessary, the substrate holding unit holding the transfer substrate 1 is moved to the transfer position on the XY stage. At the stage of the movement, the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 may exceed an allowable value. If the transfer substrate 1 and the mold 3 are brought close to each other in such a state, there is a possibility that electrostatic discharge may occur. As described above, by performing the first static elimination determination step both after the supply step and before the transfer substrate 1 and the mold 3 approach each other at the transfer position, the electrostatic discharge in the contact step described below is performed. Can be reliably prevented.

＜接触工程＞
次に、凹凸構造を備えたモールド３と転写基板１を近接させて、このモールド３と転写基板１との間に被成形樹脂組成物の液滴５′を展開することにより、被成形樹脂層５″を形成する（図１（Ｂ））。
図示例では、モールド３は凸構造部位３ａを有するメサ構造であり、凹凸構造は凸構造部位３ａに位置している。このようなモールド３の材質は適宜選択することができるが、被成形樹脂層５″が光硬化性である場合、照射光が透過可能な透明基板を用いて形成することができ、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。モールド３の厚みは凹凸構造の形状、材料強度、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。尚、モールド３はメサ構造を具備しないものであってもよい。 <Contact process>
Next, the mold 3 having the concavo-convex structure and the transfer substrate 1 are brought close to each other, and a droplet 5 ′ of the resin composition to be molded is developed between the mold 3 and the transfer substrate 1, thereby forming the resin layer to be molded. 5 "is formed (FIG. 1B).
In the illustrated example, the mold 3 has a mesa structure having a convex structure portion 3a, and the concave-convex structure is located at the convex structure portion 3a. The material of such a mold 3 can be appropriately selected. When the resin layer 5 ″ to be molded is photocurable, it can be formed using a transparent substrate through which irradiation light can pass. Glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, acrylic glass, or any of these laminated materials can be used.The thickness of the mold 3 takes into account the shape of the uneven structure, material strength, handling suitability, etc. For example, the mold 3 may be appropriately set in a range of about 300 μm to 10 mm, and the mold 3 may not have a mesa structure.

＜硬化工程＞
次いで、モールド３側から光照射を行い、被成形樹脂層５″を硬化させて、モールド３の凹凸構造が転写された転写樹脂層５とする（図１（Ｃ））。この硬化工程では、転写基板１が光透過性の材料からなる場合、転写基板１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板１とモールド３の両側から光照射を行ってもよい。
被成形樹脂材料が熱硬化性樹脂、あるいは、熱可塑性樹脂である場合には、それぞれ被成形樹脂層５″に対して加熱処理、あるいは、冷却（放冷）処理を施すことにより硬化させることができる。 <Curing process>
Next, light irradiation is performed from the mold 3 side to cure the molded resin layer 5 ″, thereby obtaining the transfer resin layer 5 on which the concave-convex structure of the mold 3 has been transferred (FIG. 1C). When the transfer substrate 1 is made of a light transmissive material, light irradiation may be performed from the transfer substrate 1 side, or light irradiation may be performed from both sides of the transfer substrate 1 and the mold 3.
When the resin material to be molded is a thermosetting resin or a thermoplastic resin, the resin layer 5 ″ can be cured by subjecting it to heat treatment or cooling (cooling). it can.

＜第２除電判断工程＞
次に、第２除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であるか否かを指標として、転写基板１およびモールド３の除電の要否を判断する。後述する離型工程では、モールド３を転写樹脂層５から引き離す際に、静電気の帯電（剥離帯電）が発生し、引き離されたモールド３と転写樹脂層５との間で静電気放電が生じるおそれがある。このため、モールド３を転写樹脂層５から引き離す前に、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であるか判断し、許容値を超える場合に、転写基板１とモールド３の除電を行う。この転写基板１、モールド３の除電は、上記と同様に、軟Ｘ線照射方式により行うことができる。
この第２除電判断工程における転写基板１とモールド３の電位差の許容値は、上記の第１除電判断工程における転写基板１とモールド３の電位差が許容値と同じであってよく、また、異なるものであってもよい。例えば、モールド３を転写樹脂層５から引き離す際の静電気の帯電（剥離帯電）を考慮して、第１除電判断工程における許容値の上限よりも第２除電判断工程における許容値の上限を低く設定してもよい。
尚、この実施形態では、除電判断工程は、供給工程と接触工程との間で実施される第１除電判断工程と、硬化工程と離型工程との間で実施される第２除電判断工程からなるが、いずれか一方の除電判断工程のみであってもよい。 <Second neutralization determination step>
Next, in the second charge elimination determination step, it is determined whether or not the charge elimination of the transfer substrate 1 and the mold 3 is necessary by using whether or not the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within an allowable value as an index. In the release step described below, when the mold 3 is separated from the transfer resin layer 5, static electricity (peeling charge) is generated, and there is a possibility that electrostatic discharge occurs between the separated mold 3 and the transfer resin layer 5. is there. Therefore, before the mold 3 is separated from the transfer resin layer 5, it is determined whether or not the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within an allowable value. If the potential difference exceeds the allowable value, static elimination of the transfer substrate 1 and the mold 3 is performed. . The charge elimination of the transfer substrate 1 and the mold 3 can be performed by the soft X-ray irradiation method as described above.
The allowable value of the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 in the second static elimination determining step may be the same as or different from the allowable value of the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 in the first static elimination determining step. It may be. For example, the upper limit of the allowable value in the second static elimination determination step is set lower than the upper limit of the allowable value in the first static elimination determination step in consideration of the static charge (peeling charge) when the mold 3 is separated from the transfer resin layer 5. May be.
In this embodiment, the static elimination determining step includes a first static elimination determining step performed between the supplying step and the contacting step, and a second static elimination determining step performed between the curing step and the release step. However, only one of the charge removal determination steps may be performed.

＜離型工程＞
次に、離型工程にて、転写樹脂層５とモールド３を引き離して、転写樹脂層５であるパターン構造体６を転写基板１上に位置させた状態とする（図１（Ｄ））。 <Release process>
Next, in the release step, the transfer resin layer 5 and the mold 3 are separated from each other, and the pattern structure 6 as the transfer resin layer 5 is positioned on the transfer substrate 1 (FIG. 1D).

＜欠陥検査工程＞
次いで、欠陥検査工程において、転写基板１上に形成したパターン構造体６に、静電気放電破壊による欠陥が存在するか否かを判断する。図２は、欠陥検査工程における静電気放電破壊による欠陥の有無の判断手順の一例を示すフローチャートである。欠陥検査工程について、図２を参照しながら説明する。
この欠陥検査工程では、まず、パターン構造体６を検査手段により観察して、欠陥の有無を判断する（ステップＳ０１）。欠陥が検出されない場合（ステップＳ０１の結果が“Ｎｏ”）、欠陥検査工程は終了する。欠陥が検出された場合（ステップＳ０１の結果が“Ｙｅｓ”）、以下のようにして、当該欠陥が静電気放電破壊による欠陥であるか否かを判断する。
すなわち、検出された欠陥を観察して、異物の有無を判断する（ステップＳ０２）。異物が存在する場合（ステップＳ０２の結果が“Ｙｅｓ”）、パターン構造体６が異物を挟んだことによる欠陥であり、静電気放電破壊による欠陥ではないと判断し、欠陥検査工程は終了する。尚、異物とは、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等、インプリントに関与することを目的としていない物質である。 <Defect inspection process>
Next, in the defect inspection step, it is determined whether or not the pattern structure 6 formed on the transfer substrate 1 has a defect due to electrostatic discharge breakdown. FIG. 2 is a flowchart illustrating an example of a procedure for determining the presence or absence of a defect due to electrostatic discharge breakdown in the defect inspection process. The defect inspection process will be described with reference to FIG.
In this defect inspection step, first, the pattern structure 6 is observed by the inspection means to determine the presence or absence of a defect (step S01). If no defect is detected (the result of step S01 is "No"), the defect inspection process ends. If a defect is detected (the result of step S01 is "Yes"), it is determined whether or not the defect is a defect due to electrostatic discharge breakdown as follows.
That is, the detected defect is observed to determine the presence or absence of a foreign substance (step S02). If there is a foreign substance (the result of step S02 is "Yes"), it is determined that the pattern structure 6 is a defect caused by the foreign substance sandwiched and not a defect due to electrostatic discharge breakdown, and the defect inspection process ends. In addition, foreign matters are imprints such as solids dried and dried as a mist, droplets supplied by an ink jet method, fine particles generated from members constituting an imprint apparatus such as an ink jet head, and dust existing in the imprint apparatus. Substances not intended to be involved in

一方、パターン構造体６の欠陥部位に異物が存在しない場合（ステップＳ０２の結果が“Ｎｏ”）、当該欠陥がパターン欠落欠陥であるか判断する（ステップＳ０３）。パターン欠落欠陥は、例えば、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示されるように、パターン構造体６が有するパターン６ａに欠落６ｄが生じているような欠陥である。欠陥がパターン欠落欠陥であれば（ステップＳ０３の結果が“Ｙｅｓ”）、モールド３の該当箇所に同じ寸法の異物詰まりが存在するか確認する（ステップＳ０４）。そして、パターン構造体６のパターン欠落欠陥と同じ寸法の異物詰まりがモールド３に存在する場合（ステップＳ０４の結果が“Ｙｅｓ”）には、静電気放電破壊による欠陥ではなく、モールド３の異物詰まりが原因の欠陥であると判断し、欠陥検査工程は終了する。 On the other hand, if there is no foreign matter in the defective portion of the pattern structure 6 (result of step S02 is "No"), it is determined whether the defect is a pattern missing defect (step S03). The pattern missing defect is, for example, a defect in which a pattern 6a of the pattern structure 6 has a missing portion 6d as shown in FIGS. 3A to 3D. If the defect is a pattern missing defect (result of step S03 is "Yes"), it is checked whether or not foreign matter of the same size exists in a corresponding portion of mold 3 (step S04). If foreign matter clogging of the same size as the pattern missing defect of the pattern structure 6 exists in the mold 3 (result of step S04 is “Yes”), the foreign matter clogging of the mold 3 is not a defect due to electrostatic discharge destruction. It is determined that the defect is the cause of the defect, and the defect inspection process ends.

これに対して、欠陥がパターン欠落欠陥でない場合（ステップＳ０３の結果が“Ｎｏ”）、あるいは、モールド３にパターン欠落欠陥と同じ寸法の異物詰まりが存在しない場合（ステップＳ０４の結果が“Ｎｏ”）は、欠陥検査が全数検査であるか判断する（ステップＳ０５）。パターン欠落欠陥ではない欠陥とは、例えば、パターンの傾き、倒れ、本来の位置から別の位置へのパターンの滑り等が挙げられる。また、全数検査であるとは、１個の転写基板において１回のみインプリント操作が行われ、複数個の転写基板に形成されたパターン構造体に対して必ず欠陥検査が行われる場合、および、１個の転写基板において複数回のインプリント操作がステップ＆リピート方式で行われ、各インプリント操作において形成されたパターン構造体に対して必ず欠陥検査が行われる場合を意味する。したがって、１個の転写基板において１回のみインプリント操作が行われ、複数個の転写基板に形成されたパターン構造体６について、抜き取り的に欠陥検査が行われる場合、および、１個の転写基板において複数回のインプリント操作がステップ＆リピート方式で行われ、各インプリント操作において形成されたパターン構造体に対して、抜き取り的に欠陥検査が行われる場合は、全数検査ではないこととなる。
欠陥検査が全数検査である場合（ステップＳ０５の結果が“Ｙｅｓ”）、検出された欠陥は、静電気放電破壊による欠陥であると判断する（ステップＳ０６）。そして、上記の第１除電判断工程、第２除電判断工程における許容値の上限を引き下げる（ステップＳ０７）。これにより、以後のインプリントにおいて、除電が必要と判断される範囲が広がり、静電気放電破壊による欠陥の発生防止を図ることができる。 On the other hand, when the defect is not a pattern missing defect (result of step S03 is “No”), or when there is no clogging of foreign matter having the same size as the pattern missing defect in mold 3 (result of step S04 is “No”). ) Determines whether the defect inspection is 100% inspection (step S05). Defects that are not pattern missing defects include, for example, pattern tilt, fall, and sliding of the pattern from its original position to another position. In addition, 100% inspection means that the imprint operation is performed only once on one transfer substrate, and the defect inspection is always performed on the pattern structure formed on the plurality of transfer substrates, and This means a case where a plurality of imprint operations are performed on one transfer substrate in a step-and-repeat manner, and a defect inspection is always performed on the pattern structure formed in each imprint operation. Therefore, the imprint operation is performed only once on one transfer substrate, and the pattern structure 6 formed on the plurality of transfer substrates is subjected to the spot defect inspection. In the case where a plurality of imprint operations are performed in a step-and-repeat manner and a pattern structure formed in each imprint operation is randomly inspected, it is not 100% inspection.
If the defect inspection is 100% inspection (result of step S05 is "Yes"), it is determined that the detected defect is a defect due to electrostatic discharge breakdown (step S06). Then, the upper limit of the permissible value in the above-described first static elimination determining step and second static elimination determining step is reduced (step S07). As a result, in the subsequent imprint, the range in which it is determined that static elimination is necessary is widened, and the occurrence of defects due to electrostatic discharge destruction can be prevented.

また、欠陥検査が全数検査でない場合（ステップＳ０５の結果が“Ｎｏ”）、検出された欠陥が、同じモールド３を用いた以前のインプリントにおいて形成したパターン構造体６の同じ箇所で発生している繰り返し欠陥であるか検査する（ステップＳ０８）。繰り返し欠陥ではない場合（ステップＳ０８の結果が“Ｎｏ”）、今回のインプリントにおいて、転写基板１とモールド３との間における被成形樹脂組成物の展開不良による未充填欠陥であると判断し、欠陥検査工程は終了する。一方、繰り返し欠陥である場合（ステップＳ０８の結果が“Ｙｅｓ”）、検出された欠陥は、静電気放電破壊による欠陥であると判断する（ステップＳ０９）。ここでは、同じモールド３を用いた以前のインプリントにおいて形成したパターン構造体６を時系列で遡って検査し、同様の繰り返し欠陥が存在するパターン構造体に対して、静電気放電破壊による欠陥と判断する。そして、上記のステップＳ０７の場合と同様に、第１除電判断工程、第２除電判断工程における許容値の上限を引き下げる（ステップＳ１０）。これにより、以後のインプリントにおいて、除電が必要と判断される範囲が広がり、静電気放電破壊による欠陥の発生防止を図ることができる。
また、パターン構造体６に検出された欠陥が静電気放電破壊による欠陥と判断された場合、モールド３の凹凸構造の該当箇所も破壊されている。このため、必要であれば、モールド３の破壊部位の修復を行い、修復が困難であるときはモールドの交換を行って、次のインプリント操作へ進むことができる。 If the defect inspection is not 100% inspection (result of step S05 is “No”), the detected defect occurs at the same position of the pattern structure 6 formed in the previous imprint using the same mold 3. It is checked whether the defect is a repetition defect (step S08). If the defect is not a repetitive defect (the result of step S08 is “No”), in this imprint, it is determined that the defect is an unfilled defect due to a poor deployment of the molding resin composition between the transfer substrate 1 and the mold 3, The defect inspection process ends. On the other hand, if the defect is a repetitive defect (result of step S08 is “Yes”), it is determined that the detected defect is a defect due to electrostatic discharge breakdown (step S09). Here, the pattern structure 6 formed in the previous imprint using the same mold 3 is inspected retrospectively in time series, and a pattern structure having a similar repetitive defect is determined to be a defect due to electrostatic discharge breakdown. I do. Then, as in the case of the above-mentioned step S07, the upper limit of the allowable value in the first static elimination determining step and the second static elimination determining step is reduced (step S10). As a result, in the subsequent imprint, the range in which it is determined that static elimination is necessary is widened, and the occurrence of defects due to electrostatic discharge destruction can be prevented.
In addition, when the defect detected in the pattern structure 6 is determined to be a defect due to electrostatic discharge breakdown, the corresponding portion of the concave-convex structure of the mold 3 is also broken. For this reason, if necessary, the broken portion of the mold 3 can be repaired, and if the repair is difficult, the mold can be replaced, and the process can proceed to the next imprint operation.

上記の検査手段は、パターン構造体の寸法等に応じて必要な解像能力を有するものを適宜選定することができ、例えば、光学顕微鏡、電子顕微鏡、光検査機（光の波長のレーザーでスキャンするタイプ）、Ｘ線検査機（小角Ｘ線散乱法の装置は、ナノスケールの周期構造の評価が可能）、電子線検査機（電子線でスキャンするタイプ）等を挙げることができる。
上述の本発明のインプリント方法では、モールドが備える凹凸構造や転写基板に形成したパターン構造体に対する静電気放電による破壊が防止され、また、異物等の付着も防止され、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。
尚、本発明のインプリント方法では、複数回のインプリントにおいて静電気放電破壊による欠陥の発生がみられない場合、第１除電判断工程、第２除電判断工程における許容値の設定が安全サイドに寄りすぎていることもあるので、許容値の設定を見直し、必要があれば、許容値の上限を引き上げてもよい。 The above inspection means can be appropriately selected from those having a required resolution capability according to the dimensions of the pattern structure, for example, an optical microscope, an electron microscope, an optical inspection machine (scanning with a laser having a light wavelength). Type), an X-ray inspection machine (a small-angle X-ray scattering apparatus can evaluate a nanoscale periodic structure), an electron beam inspection machine (an electron beam scanning type), and the like.
In the imprint method of the present invention described above, the pattern structure formed on the concave and convex structure and the transfer substrate provided in the mold is prevented from being damaged by electrostatic discharge, and the adhesion of foreign matter and the like is also prevented. It can be manufactured stably.
In the imprint method of the present invention, when no defect due to electrostatic discharge destruction is observed in a plurality of imprints, the setting of the allowable value in the first static elimination determination step and the second static elimination determination step shifts to the safe side. The setting of the allowable value may be reviewed, and if necessary, the upper limit of the allowable value may be increased.

［インプリント装置］
図４は本発明のインプリント装置の一実施形態を示す側面図であり、図５は図４に示されたインプリント装置の平面図である。図４、図５において、本発明のインプリント装置１１は、モールド３を保持するためのモールド保持部１２と、転写基板１を保持するための基板保持部１４と、転写基板１上に被成形樹脂組成物の液滴を供給するための液滴供給部１７と、モールド３の表面電位、転写基板１の表面電位を検出するための帯電電位検出部１８と、軟Ｘ線照射方式の静電気除去部１９と、モールド保持部１２、基板保持部１４、液滴供給部１７、帯電電位検出部１８、および、静電気除去部１９を制御する制御部２０と、を備えている。 [Imprint device]
FIG. 4 is a side view showing an embodiment of the imprint apparatus of the present invention, and FIG. 5 is a plan view of the imprint apparatus shown in FIG. 4 and 5, the imprint apparatus 11 of the present invention includes a mold holding unit 12 for holding the mold 3, a substrate holding unit 14 for holding the transfer substrate 1, and a mold to be formed on the transfer substrate 1. A droplet supply unit 17 for supplying droplets of the resin composition; a charging potential detection unit 18 for detecting the surface potential of the mold 3 and the surface potential of the transfer substrate 1; And a control unit 20 for controlling the mold holding unit 12, the substrate holding unit 14, the droplet supply unit 17, the charged potential detection unit 18, and the static electricity removal unit 19.

（モールド保持部１２）
インプリント装置１１を構成するモールド保持部１２は、モールド３を保持するものであり、モールド３の保持機構は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等であってよく、保持機構には特に制限はない。また、モールド保持部１２は、昇降機構１３により図示の矢印Ｚ方向で昇降可能とされていてもよい。このようなモールド保持部１２の上方には、被成形樹脂組成物として光硬化性樹脂組成物を使用した場合の樹脂硬化のために、図示しない光源、光学系が配設されている。 (Mold holding part 12)
The mold holding unit 12 constituting the imprint apparatus 11 holds the mold 3, and the holding mechanism of the mold 3 is, for example, a holding mechanism by suction, a holding mechanism by machine clamping, a holding mechanism by static electricity, or the like. The holding mechanism is not particularly limited. In addition, the mold holding unit 12 may be configured to be able to move up and down in the direction of the arrow Z shown by the elevating mechanism 13. A light source and an optical system (not shown) are provided above the mold holding portion 12 for curing the resin when the photocurable resin composition is used as the resin composition to be molded.

（基板保持部１４）
インプリント装置１１を構成する基板保持部１４は、インプリント用の転写基板１を保持するものであり、転写基板１の保持機構は、例えば、吸引による保持機構、機械挟持による保持機構、静電気による保持機構等であってよく、保持機構には特に制限はない。この基板保持部１４は、水平駆動機構１６によってＸＹステージ１５上を水平面内で移動可能とされている。尚、図４では、基板保持部１４は液滴供給位置にあり、ＸＹステージ１５上を水平面内で移動させることにより、モールド保持部１２下方の転写位置、欠陥検査を行い検査位置に移動可能である。尚、検査位置は、転写位置と同じ、あるいは、液滴供給位置を同じであってもよい。 (Substrate holding unit 14)
The substrate holding unit 14 of the imprint apparatus 11 holds the imprint transfer substrate 1. The transfer substrate 1 is held by, for example, a suction holding mechanism, a mechanical holding mechanism, or static electricity. It may be a holding mechanism or the like, and the holding mechanism is not particularly limited. The substrate holding section 14 is movable on an XY stage 15 in a horizontal plane by a horizontal drive mechanism 16. In FIG. 4, the substrate holding unit 14 is located at the droplet supply position, and can be moved to the transfer position below the mold holding unit 12, a defect inspection and an inspection position by moving on the XY stage 15 in a horizontal plane. is there. Note that the inspection position may be the same as the transfer position or the same as the droplet supply position.

（液滴供給部１７）
インプリント装置１１を構成する液滴供給部１７は、基板保持部１４に保持された転写基板１上に被成形樹脂組成物の液滴を供給するものであり、インクジェット装置（図示例ではインクジェットヘッド１７Ａのみを示している）を備えている。液滴供給部１７が備えるインクジェット装置は、基板保持部１４に保持された転写基板１上に被成形樹脂組成物の液滴を供給するためのインクジェットヘッド１７Ａの所望の動作、例えば、ＸＹステージ１５の水平面に平行な面内での往復動作等を可能とする駆動部、インクジェットヘッド１７Ａへのインク供給部等を具備している。 (Droplet supply unit 17)
The droplet supply unit 17 that constitutes the imprint apparatus 11 supplies droplets of the resin composition to be formed onto the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14, and includes an inkjet device (an inkjet head in the illustrated example). 17A only). The ink jet device provided in the liquid drop supply unit 17 is provided with a desired operation of the ink jet head 17A for supplying liquid drops of the resin composition to be formed onto the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14, for example, an XY stage 15 And a drive unit that enables a reciprocating operation in a plane parallel to the horizontal plane, an ink supply unit to the inkjet head 17A, and the like.

（帯電電位検出部１８）
インプリント装置１１を構成する帯電電位検出部１８は、モールド保持部１２に保持されるモールド３の表面電位、基板保持部１４に保持される転写基板１の表面電位を測定するものである。図示例では、帯電電位検出部１８は、モールド保持部１２に保持されるモールド３の表面電位を測定するための表面電位センサ１８Ａと、基板保持部１４に保持される転写基板１の表面電位を測定するための表面電位センサ１８Ｂを備えている。帯電電位検出部１８を構成する表面電位センサ１８Ａ，１８Ｂは、固定式であってもよいし、可動式であってもよい。表面電位センサ１８Ａ，１８Ｂが可動式である場合、帯電電位検出部１８の非作動時には所定位置に待機可能であるように構成してもよい。また、表面電位センサ１８Ａは、可動の検出部を有し、転写基板１の表面電位を測定するための位置と、モールド３の表面電位を測定するための位置との間を移動可能なものであってよい。また、表面電位センサ１８Ａは、転写基板１の表面電位測定用の検出部、モールド３の表面電位測定用の検出部を備えているものであってもよい。 (Charging potential detector 18)
The charging potential detecting unit 18 included in the imprint apparatus 11 measures the surface potential of the mold 3 held by the mold holding unit 12 and the surface potential of the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14. In the illustrated example, the charging potential detection unit 18 detects a surface potential sensor 18A for measuring the surface potential of the mold 3 held by the mold holding unit 12 and a surface potential of the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14. A surface potential sensor 18B for measurement is provided. The surface potential sensors 18A and 18B constituting the charged potential detection unit 18 may be of a fixed type or a movable type. When the surface potential sensors 18A and 18B are movable, the surface potential sensors 18A and 18B may be configured to be able to stand by at a predetermined position when the charged potential detection unit 18 is not operated. The surface potential sensor 18A has a movable detection unit and can move between a position for measuring the surface potential of the transfer substrate 1 and a position for measuring the surface potential of the mold 3. May be. Further, the surface potential sensor 18A may include a detection unit for measuring the surface potential of the transfer substrate 1 and a detection unit for measuring the surface potential of the mold 3.

（静電気除去部１９）
インプリント装置１１を構成する静電気除去部１９は、従来公知の軟Ｘ線照射方式の静電気除去装置を有している。図示例では、静電気除去部１９は、モールド保持部１２に保持されるモールド３に対して軟Ｘ線を照射できるように配設されている静電気除去装置１９Ａと、基板保持部１４に保持される転写基板１に対して軟Ｘ線を照射できるように配設されている静電気除去装置１９Ｂを備えている。また、静電気除去装置１９Ａは、基板保持部１４がモールド保持部１２下方の転写位置に位置しているときに、モールド３と転写基板１の両方に対して軟Ｘ線を照射できるように配置されている。静電気除去装置１９Ａ，１９Ｂから照射される軟Ｘ線は、所望の角度で放射状（図５では、放射状の両端部を便宜的に二点鎖線で示している）に照射され、その照射中心の方向が、モールド保持部１２に保持されたモールド３の中心部位、基板保持部１４に保持された転写基板１の中心部位に向かう方向とされている。尚、本発明における軟Ｘ線とは、真空紫外線（ＶＵＶ）領域と軟Ｘ線領域を含む範囲の領域での光を指し、数値としては波長λが、０．１ｎｍ≦λ≦３０ｎｍの範囲の光を指す。 (Electrostatic remover 19)
The static eliminator 19 included in the imprint apparatus 11 has a conventionally known soft X-ray irradiation type static eliminator. In the illustrated example, the static electricity removing unit 19 is held by the substrate holding unit 14 and the static electricity removing device 19A arranged so that the mold 3 held by the mold holding unit 12 can be irradiated with soft X-rays. An electrostatic eliminator 19B is provided so that the transfer substrate 1 can be irradiated with soft X-rays. The static eliminator 19A is arranged so that both the mold 3 and the transfer substrate 1 can be irradiated with soft X-rays when the substrate holding unit 14 is located at the transfer position below the mold holding unit 12. ing. The soft X-rays emitted from the static eliminators 19A and 19B are radiated at a desired angle radially (in FIG. 5, both ends of the radials are indicated by two-dot chain lines for convenience), and the direction of the irradiation center Are directed toward a central portion of the mold 3 held by the mold holding portion 12 and a central portion of the transfer substrate 1 held by the substrate holding portion 14. Note that the soft X-ray in the present invention refers to light in a range including a vacuum ultraviolet (VUV) region and a soft X-ray region, and as a numerical value, the wavelength λ is 0.1 nm ≦ λ ≦ 30 nm. Point to light.

このような静電気除去部１９を構成する静電気除去装置１９Ａ，１９Ｂは、固定式であってもよいし、可動式であってもよい。静電気除去装置１９Ａ，１９Ｂが可動式である場合、静電気除去装置１９Ａ，１９Ｂの非作動時には所定位置に待機可能であるように構成してもよい。 The static eliminators 19A and 19B constituting the static eliminator 19 may be of a fixed type or a movable type. When the static eliminators 19A and 19B are movable, the static eliminators 19A and 19B may be configured to be able to stand by at a predetermined position when the static eliminators 19A and 19B are not operated.

（制御部２０）
インプリント装置１１を構成する制御部２０は、インプリント時の転写基板１に近接する降下位置、転写基板１が移動する際に退避する上昇位置等、所望の位置にモールド３を移動させるために、モールド保持部１２の昇降機構１３の矢印Ｚ方向の昇降を制御するものである。また、液滴供給部１７からの液滴供給を受ける位置、インプリント時のモールド保持部１２下方の転写位置、検査位置等、所望の位置に転写基板１を移動させるために、水平駆動機構１６による基板保持部１４のＸＹステージ１５上での移動を制御するものである。また、液滴供給部１７が備えるインクジェット装置による液滴供給を制御するものである。また、帯電電位検出部１８が検出したモールド３と転写基板１の電位差が許容値を超える場合に、静電気除去装置１９Ａ，１９Ｂから軟Ｘ線を照射することにより、モールド３および／または転写基板１を除電するように静電気除去部１９を制御するものである。 (Control unit 20)
The control unit 20 included in the imprint apparatus 11 is used to move the mold 3 to a desired position, such as a descending position close to the transfer substrate 1 at the time of imprinting, or a rising position retracted when the transfer substrate 1 moves. This controls the elevation of the elevation mechanism 13 of the mold holding unit 12 in the direction of the arrow Z. Further, the horizontal driving mechanism 16 is used to move the transfer substrate 1 to a desired position, such as a position to receive the supply of droplets from the droplet supply unit 17, a transfer position below the mold holding unit 12 during imprinting, and an inspection position. Is used to control the movement of the substrate holding unit 14 on the XY stage 15. Further, it controls the supply of liquid droplets by the ink jet device provided in the liquid droplet supply unit 17. When the potential difference between the mold 3 and the transfer substrate 1 detected by the charged potential detection unit 18 exceeds an allowable value, the mold 3 and / or the transfer substrate 1 are irradiated by irradiating soft X-rays from static elimination devices 19A and 19B. The static elimination unit 19 is controlled so as to eliminate static electricity.

このような制御部２０は、例えば、コンピュータであり、上記のような制御を実行するプログラムがプログラム格納部（図示せず）に格納されている。このプログラムは、例えば、ハードディスク（ＨＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等のコンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録されたものであって、その記録媒体から制御部２０にインストールされたものであってもよい。 Such a control unit 20 is, for example, a computer, and a program for executing the above control is stored in a program storage unit (not shown). This program is recorded on a computer-readable recording medium such as a hard disk (HD), a compact disk (CD), a DVD, and a flash memory, and is installed in the control unit 20 from the recording medium. It may be something.

ここで、制御部２０における制御について説明する。図６および図７は、制御部２０による制御の一例を説明するためのフローチャート図である。
インプリントが開始されると、制御部２０は、水平駆動機構１６を作動させることにより、インプリント用の転写基板１を保持する基板保持部１４をＸＹステージ１５上の液滴供給位置に移動させる（ステップＳ２１）。このようなＸＹステージ１５上における基板保持部１４の移動により、静電気の帯電（摩擦帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合がある。 Here, control in the control unit 20 will be described. 6 and 7 are flowcharts for explaining an example of control by the control unit 20.
When the imprint is started, the control unit 20 operates the horizontal drive mechanism 16 to move the substrate holding unit 14 holding the imprint transfer substrate 1 to the droplet supply position on the XY stage 15. (Step S21). Such movement of the substrate holding unit 14 on the XY stage 15 may cause electrostatic charging (frictional charging) and increase the surface potential of the transfer substrate 1.

次に、制御部２０は、基板保持部１３に保持されている転写基板１上の所望の領域に、液滴供給部１７のインクジェットヘッド１７Ａから被成形樹脂組成物の液滴を吐出して供給する（ステップＳ２２）。この液滴の供給は、本発明のインプリント方法の供給工程に対応する。この供給工程では、インクジェットヘッド１７Ａから吐出された被成形樹脂組成物の液滴が転写基板１と接触する際に、静電気の帯電（接触帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合がある。
次いで、制御部２０は、帯電電位検出部１８を作動させることにより、モールド保持部１２に保持されるモールド３の表面電位を表面電位センサ１８Ａによって測定し、基板保持部１４に保持される転写基板１の表面電位を表面電位センサ１８Ｂによって測定する。そして、測定した転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であるか判断する（ステップＳ２３）。このステップＳ２３は、本発明のインプリント方法における上記の第１除電判断工程である。 Next, the control unit 20 discharges and supplies droplets of the resin composition to be molded from the inkjet head 17A of the droplet supply unit 17 to a desired region on the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 13. (Step S22). This supply of droplets corresponds to the supply step of the imprint method of the present invention. In this supply step, when the droplets of the resin composition to be molded discharged from the inkjet head 17 </ b> A come into contact with the transfer substrate 1, electrostatic charging (contact charging) occurs and the surface potential of the transfer substrate 1 increases. There is.
Next, the control unit 20 operates the charging potential detection unit 18 to measure the surface potential of the mold 3 held by the mold holding unit 12 by the surface potential sensor 18A, and the transfer substrate held by the substrate holding unit 14 1 is measured by the surface potential sensor 18B. Then, it is determined whether or not the measured potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within an allowable value (step S23). This step S23 is the above-described first static elimination determining step in the imprint method of the present invention.

この第１除電判断工程（ステップＳ２３）において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内ではないと判断（ステップＳ２３にて“Ｎｏ”）された場合、制御部２０は、静電気除去部１９の静電気除去装置１９Ｂを作動させることにより、転写基板１の除電を行う（ステップＳ２４）。その後、制御部２０は、水平駆動機構１６を作動させることにより、インプリント用の転写基板１を保持する基板保持部１４をＸＹステージ１５上の液滴供給位置から転写位置へ移動させる（ステップＳ２５）。一方、第１除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であると判断（ステップＳ２３にて“Ｙｅｓ”）された場合、制御部２０は、水平駆動機構１６を作動させることにより、インプリント用の転写基板１を保持する基板保持部１４をＸＹステージ１５上の液滴供給位置から転写位置へ移動させる（ステップＳ２５）。
次に、制御部２０は、帯電電位検出部１８を作動させることにより、モールド保持部１２に保持されるモールド３の表面電位を表面電位センサ１８Ａによって測定し、基板保持部１４に保持される転写基板１の表面電位を表面電位センサ１８Ｂによって測定する。そして、測定した転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であるか判断する（ステップＳ２６）。このステップＳ２６は、本発明のインプリント方法における上記の第１除電判断工程である。上記のステップＳ２３に加えて、再び第１除電判断工程を設けるのは、上記のステップＳ２５において、ＸＹステージ１５上を基板保持部１４が液滴供給位置から転写位置へ移動することにより、静電気の帯電（摩擦帯電）が生じ、転写基板１の表面電位が増大する場合があることを考慮したものである。 In the first static elimination determining step (Step S23), when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is not within the allowable value ("No" in Step S23), the control unit 20 sets the static elimination unit 19 By operating the static electricity removing device 19B, the transfer substrate 1 is neutralized (step S24). Thereafter, the control unit 20 operates the horizontal drive mechanism 16 to move the substrate holding unit 14 holding the imprint transfer substrate 1 from the droplet supply position on the XY stage 15 to the transfer position (step S25). ). On the other hand, in the first charge removal determination step, when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within the allowable value (“Yes” in step S23), the control unit 20 operates the horizontal drive mechanism 16. Thus, the substrate holding unit 14 holding the imprint transfer substrate 1 is moved from the droplet supply position on the XY stage 15 to the transfer position (Step S25).
Next, the control unit 20 operates the charging potential detection unit 18 to measure the surface potential of the mold 3 held by the mold holding unit 12 by the surface potential sensor 18A, and transfers the transfer potential held by the substrate holding unit 14. The surface potential of the substrate 1 is measured by the surface potential sensor 18B. Then, it is determined whether or not the measured potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within an allowable value (step S26). Step S26 is the above-described first static elimination determination step in the imprint method of the present invention. The reason why the first static elimination determination step is provided again in addition to the above-described step S23 is that the substrate holding unit 14 moves from the droplet supply position to the transfer position on the XY stage 15 in the above-described step S25, so that static electricity is removed. This takes into account that charging (frictional charging) may occur and the surface potential of the transfer substrate 1 may increase.

この第１除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内ではないと判断（ステップＳ２６にて“Ｎｏ”）された場合、制御部２０は、静電気除去部１９の静電気除去装置１９Ａを作動させることにより、転写基板１とモールド３の除電を行う（ステップＳ２７）。その後、制御部２０は、モールド保持部１２の昇降機構１３を作動させることにより、基板保持部１４に保持されている転写基板１にモールド３を近接させる（ステップＳ２８）。一方、第１除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であると判断（ステップＳ２６にて“Ｙｅｓ”）された場合、制御部２０は、モールド保持部１２の昇降機構１３を作動させることにより、基板保持部１４に保持されている転写基板１にモールド３を近接させる（ステップＳ２８）。
上記の転写基板１へのモールド３の近接（ステップＳ２８）は、本発明のインプリント方法の接触工程に対応し、これにより、転写基板１とモールド３との間に被成形樹脂組成物を展開し被成形樹脂層を形成する。
次に、制御部２０は、モールド保持部１２が備える図示しない光源、光学系を作動させて、モールド３と転写基板１との間に位置している被成形樹脂層を硬化させる（ステップ２９）。このステップＳ２９は、本発明のインプリント方法における硬化工程である。 In the first static elimination determining step, when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is not within the allowable value (“No” in step S26), the control unit 20 controls the static elimination device of the static elimination unit 19 By operating 19A, the charge of the transfer substrate 1 and the mold 3 is removed (step S27). Thereafter, the control unit 20 causes the mold 3 to approach the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14 by operating the elevating mechanism 13 of the mold holding unit 12 (Step S28). On the other hand, when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within the allowable value (“Yes” in step S26) in the first charge removal determination step, the control unit 20 controls the lifting mechanism of the mold holding unit 12 By activating the mold 13, the mold 3 is brought close to the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14 (Step S28).
The proximity of the mold 3 to the transfer substrate 1 (step S28) corresponds to the contact step of the imprint method of the present invention, whereby the resin composition to be molded is developed between the transfer substrate 1 and the mold 3. Then, a molded resin layer is formed.
Next, the control unit 20 activates a light source and an optical system (not shown) of the mold holding unit 12 to cure the resin layer to be molded located between the mold 3 and the transfer substrate 1 (Step 29). . Step S29 is a curing step in the imprint method of the present invention.

次いで、制御部２０は、帯電電位検出部１８を作動させることにより、モールド保持部１２に保持されるモールド３の表面電位、基板保持部１４に保持される転写基板１の表面電位を表面電位センサ１８Ａによって測定する。そして、測定した転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であるか判断する（ステップＳ３０）。このステップＳ３０は、本発明のインプリント方法における上記の第２除電判断工程である。
この第２除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内ではないと判断（ステップＳ３０にて“Ｎｏ”）された場合、制御部２０は、静電気除去部１９の静電気除去装置１９Ａを作動させることにより、転写基板１とモールド３の除電を行う（ステップＳ３１）。その後、制御部２０は、モールド保持部１２の昇降機構１３を作動させることにより、硬化された被成形樹脂層からモールド３を引き離す（ステップＳ３２）。一方、第２除電判断工程において、転写基板１とモールド３の電位差が許容値以内であると判断（ステップＳ３０にて“Ｙｅｓ”）された場合、制御部２０は、モールド保持部１２の昇降機構１３を作動させることにより、硬化された被成形樹脂層からモールド３を引き離す（ステップＳ３２）。 Next, the control unit 20 operates the charging potential detecting unit 18 to detect the surface potential of the mold 3 held by the mold holding unit 12 and the surface potential of the transfer substrate 1 held by the substrate holding unit 14 by a surface potential sensor. Measure by 18A. Then, it is determined whether or not the measured potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within an allowable value (step S30). Step S30 is the above-described second charge removal determination step in the imprint method of the present invention.
In the second static elimination determining step, when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is not within the allowable value (“No” in step S30), the control unit 20 controls the static elimination device of the static elimination unit 19 By operating 19A, the charge of the transfer substrate 1 and the mold 3 is removed (step S31). Thereafter, the control unit 20 separates the mold 3 from the cured resin layer by actuating the elevating mechanism 13 of the mold holding unit 12 (step S32). On the other hand, when it is determined that the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 is within the allowable value (“Yes” in step S30) in the second charge removal determination step, the control unit 20 controls the lifting mechanism of the mold holding unit 12 By actuating the mold 13, the mold 3 is separated from the cured resin layer to be molded (step S32).

上記の被成形樹脂層からのモールド３の引き離し（ステップＳ３２）は、本発明のインプリント方法の離型工程に対応し、これにより、転写基板１上に硬化した被成形樹脂層であるパターン構造体が位置した状態となる。
次いで、制御部２０は、水平駆動機構１６を作動させることにより、パターン構造体が形成された転写基板１を保持する基板保持部１４をＸＹステージ１５上の検査位置に移動させる（ステップＳ３３）。
次に、転写基板１上に形成したパターン構造体に、静電気放電破壊による欠陥が存在するか否かを判断する（ステップＳ３４）。 The separation of the mold 3 from the resin layer to be molded (step S32) corresponds to the mold release step of the imprint method of the present invention, whereby the pattern structure of the resin layer to be molded cured on the transfer substrate 1 is obtained. The body is in the position.
Next, the control unit 20 operates the horizontal drive mechanism 16 to move the substrate holding unit 14 holding the transfer substrate 1 on which the pattern structure is formed to the inspection position on the XY stage 15 (Step S33).
Next, it is determined whether or not the pattern structure formed on the transfer substrate 1 has a defect due to electrostatic discharge breakdown (step S34).

このステップＳ３４において、静電気放電破壊による欠陥が存在すると判断（ステップＳ３４にて“Ｙｅｓ”）された場合、インプリント工程における当該転写基板１とモールド３の電位差を参照する（ステップＳ３５）。そして、ステップＳ２３、ステップＳ２６（第１除電判断工程）、および、ステップＳ３４（第２除電判断工程）の少なくとも１つの許容値の上限を引き下げる（ステップＳ３６）。除電判断の許容値の上限を引き下げることにより、以後のインプリントにおいて、除電が必要と判断される範囲が広がり、静電気放電破壊による欠陥の発生を防止することができる。上限が引き下げられた除電判断の許容値は、制御部２０に入力され、格納される。また、パターン構造体に静電気放電破壊による欠陥が存在する場合、モールド３の凹凸構造の該当箇所も破壊されている。このため、必要に応じて、破壊部位の修復を行い、修復が困難であるときはモールドの交換を行う（ステップＳ３７）。その後、ステップＳ２１に戻り、次のインプリント操作へ進む。 When it is determined in step S34 that a defect due to electrostatic discharge breakdown exists ("Yes" in step S34), the potential difference between the transfer substrate 1 and the mold 3 in the imprint process is referred to (step S35). Then, the upper limit of at least one of the allowable values in step S23, step S26 (first static elimination determining step), and step S34 (second static elimination determining step) is reduced (step S36). By lowering the upper limit of the allowable value of the static elimination determination, the range in which the static elimination is determined to be necessary in the subsequent imprint is expanded, and the occurrence of defects due to electrostatic discharge destruction can be prevented. The allowable value of the static elimination determination with the upper limit lowered is input to the control unit 20 and stored. When a defect due to electrostatic discharge destruction exists in the pattern structure, a corresponding portion of the concave-convex structure of the mold 3 is also broken. For this reason, if necessary, the broken portion is repaired, and if the repair is difficult, the mold is replaced (step S37). Thereafter, the process returns to step S21 and proceeds to the next imprint operation.

一方、ステップＳ３４において、静電気放電破壊による欠陥が存在しないと判断（ステップＳ３４にて“Ｎｏ”）された場合、インプリントが必要回数に到達しているか否かを判断する（ステップＳ３８）。インプリントが必要回数に到達していないと判断（ステップＳ３８にて“Ｎｏ”）された場合、ステップＳ２１に戻り、次のインプリント操作へ進む。また、インプリントが必要回数に到達していると判断（ステップＳ３８にて“Ｙｅｓ”）された場合、インプリントを終了する。
上記のステップＳ３４〜ステップＳ３７は、本発明のインプリント方法の欠陥検査工程に対応し、静電気放電破壊による欠陥の有無は、例えば、図２を参照して説明した上述のような判断手順により行うことができる。ステップＳ３４〜ステップＳ３７における欠陥検査工程は、検査プログラムに従って実施されてもよく、また、人為的に行ってもよい。欠陥検査工程が人為的に実施される場合、ステップＳ３６で上限が引き下げられた除電判断の許容値を制御部２０に入力することが必要となる。 On the other hand, if it is determined in step S34 that there is no defect due to electrostatic discharge destruction ("No" in step S34), it is determined whether imprinting has reached the required number of times (step S38). If it is determined that the imprint has not reached the required number of times ("No" in step S38), the process returns to step S21 and proceeds to the next imprint operation. If it is determined that the required number of imprints has been reached ("Yes" in step S38), the imprint is terminated.
Steps S34 to S37 correspond to the defect inspection step of the imprint method of the present invention, and the presence or absence of a defect due to electrostatic discharge breakdown is determined by, for example, the above-described determination procedure described with reference to FIG. be able to. The defect inspection process in steps S34 to S37 may be performed according to an inspection program, or may be performed artificially. When the defect inspection process is performed artificially, it is necessary to input the allowable value of the charge removal determination with the upper limit reduced in step S36 to the control unit 20.

このような本発明のインプリント装置では、モールドが備える凹凸構造や転写基板に形成したパターン構造体に対する静電気放電による破壊が防止され、また、異物等の付着も防止され、これにより、高精度のパターン構造体を安定して作製することができる。上述のインプリント装置の実施形態は例示であり、本発明は当該実施形態に限定されるものではない。例えば、制御部２０を備えていないものであってもよい。 In such an imprint apparatus of the present invention, destruction due to electrostatic discharge to the uneven structure provided in the mold or the pattern structure formed on the transfer substrate is prevented, and adhesion of foreign matter and the like is also prevented. The pattern structure can be manufactured stably. The embodiment of the imprint apparatus described above is an exemplification, and the present invention is not limited to the embodiment. For example, the control unit 20 may not be provided.

また、上述のインプリント装置１１では、被成形樹脂層を硬化させるための光源、光学系（図示せず）がモールド保持部１２側に配設されているが、これは、使用するモールド３が石英等の光透過性材料からなることを前提としたものである。使用するモールド３が遮光性材料からなり、基板保持部１４から転写基板１を介した光照射が可能である場合、光源、光学系は、基板保持部１４側に配設することができる。また、使用するモールド３が光透過性材料からなるものであっても、基板保持部１４から転写基板１を介した光照射が可能である場合、光源、光学系を基板保持部１４側に配設してもよく、また、光源、光学系をモールド保持部１２側、および、基板保持部１４側の双方に配設してもよい。また、被成形樹脂組成物として熱硬化性樹脂を使用する場合には、本発明のインプリント装置は、光源、光学系が配設されていない構成であってもよい。 Further, in the above-described imprint apparatus 11, a light source and an optical system (not shown) for curing the resin layer to be molded are disposed on the mold holding unit 12 side. This is based on the premise that it is made of a light transmitting material such as quartz. When the mold 3 to be used is made of a light-shielding material and light irradiation from the substrate holding unit 14 via the transfer substrate 1 is possible, the light source and the optical system can be arranged on the substrate holding unit 14 side. Even if the mold 3 used is made of a light-transmitting material, a light source and an optical system are arranged on the substrate holding unit 14 side when light irradiation from the substrate holding unit 14 via the transfer substrate 1 is possible. Alternatively, the light source and the optical system may be provided on both the mold holding unit 12 side and the substrate holding unit 14 side. When a thermosetting resin is used as the resin composition to be molded, the imprint apparatus of the present invention may have a configuration in which a light source and an optical system are not provided.

インプリント方法を用いた種々のパターン構造体の製造、基板等の被加工体へ微細加工等に適用可能である。 The present invention can be applied to the manufacture of various pattern structures using an imprint method, the fine processing of a workpiece such as a substrate, and the like.

１…転写基板
３…モールド
５′…液滴
５″…被成形樹脂層
５…転写樹脂層
６…パターン構造体
１１…インプリント装置
１２…モールド保持部
１４…基板保持部
１７…液滴供給部
１８…帯電電位検出部
１９…静電気除去部
２０…制御部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Transfer board 3 ... Mold 5 '... Droplet 5 "... Molded resin layer 5 ... Transfer resin layer 6 ... Pattern structure 11 ... Imprint apparatus 12 ... Mold holding part 14 ... Substrate holding part 17 ... Droplet supply part 18: Charge potential detecting section 19: Static electricity removing section 20: Control section

Claims

In an imprint apparatus for forming a pattern structure on a transfer substrate,
A mold holding unit for holding the mold,
A substrate holding unit for holding the transfer substrate,
A droplet supply unit for supplying droplets of the resin composition to be molded onto the transfer substrate,
A first charging potential detection unit that measures at least the surface potential of the mold;
A second charged potential detecting unit for measuring a surface potential of the transfer substrate;
A soft X-ray irradiation type first static electricity removing unit and a second static electricity removing unit,
The first static electricity removing unit is arranged so that at least the mold held by the mold holding unit can be irradiated with soft X-rays,
The imprint apparatus, wherein the second static electricity removing unit is provided so as to be able to irradiate the transfer substrate held by the substrate holding unit with soft X-rays.

When viewed the imprint apparatus from the side, the first charge potential detector及beauty before Symbol second charge potential detector, than the region sandwiched between said mold holding portion and the droplet supply unit The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is disposed outside .

When viewed the imprint apparatus from the side, the first electrostatic removing unit及 beauty the second electrostatic removing unit, distribution outside the region sandwiched between said mold holding portion and the droplet supply unit The imprint apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is provided.

The control unit controls the mold holding unit, the substrate holding unit, and the droplet supply unit, and allows a potential difference between the mold and the transfer substrate measured by the first charging potential detection unit and the second charging potential detection unit. A controller that controls the first static electricity removing unit and / or the second static electricity removing unit so that the mold and / or the transfer substrate is neutralized by irradiating the soft X-ray when the value exceeds the value. The imprint apparatus according to any one of claims 1 to 3 , comprising: