以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお本明細書等において、「第1」、「第2」、「第3」という序数詞は、構成要素の混同を避けるために付したものである。従って、構成要素の数を限定するものではない。また、構成要素の順序を限定するものではない。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素が、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において「第2」に言及された構成要素とすることもありうる。また例えば、本明細書等の実施の形態の一において「第1」に言及された構成要素を、他の実施の形態、あるいは特許請求の範囲において省略して言及することもありうる。
なお図面において、同一の要素または同様な機能を有する要素、同一の材質の要素、あるいは同時に形成される要素等には同一の符号を付す場合があり、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
(実施の形態1)
本発明の一態様の、電池管理回路及び電池セルを備えた蓄電装置の構成例について、図1乃至図7を参照して説明する。
図1には、制御回路120_A、120_B及び電池セルcell_A、cell_Bを含む蓄電装置100Aのブロック図の一例を示す。
制御回路120_A、120_Bは、電池セルの充電と放電を制御して、直列に接続された電池セルcell_A乃至cell_Bの容量の均等化を図る機能を有する。なお図1の例では、電池セルを2つ直列に接続し、一方の電池セルを放電して他方の電池セルを充電できる構成の例を説明する。これに限らず、2以上の電池セルを接続し、いずれか一の電池セルを放電して、いずれか一の電池セルを充電できる構成としてもよい。
制御回路120_A、120_Bは、制御部121と、トランス122と、トランジスタ123と、トランジスタ124と、抵抗125と、抵抗126と、容量127と、を有する。トランス122は、第1のコイル(一次コイル)及び第1のコイル(二次コイル)を有する。
なお本実施の形態では、説明を簡単にするために、蓄電装置は、電池セルの他、電池管理回路として、容量の均等化を図る制御回路120_A、120_Bを図示しているが、他の構成を有していてもよい。例えば蓄電装置は、充電回路やマイクロプロセッサやメモリ、あるいは電池管理回路間の信号の送受信を制御するバス等を有していてもよい。この場合電池管理回路は、電池セル以外の回路、すなわち充電回路、制御回路、マイクロプロセッサ、メモリ、およびバス等を含む回路である。なお電池管理回路、充電回路、制御回路、マイクロプロセッサ、メモリ等の回路は、単に回路という場合がある。
トランス122の第1のコイルには、トランジスタ123及び抵抗125が直列に接続される。直列に接続された、トランス122の第1のコイル、トランジスタ123及び抵抗125、並びに容量127は、電池セルcell_Aに並列に接続される。トランス122の第2のコイルには、トランジスタ124及び抵抗126が直列に接続される。直列に接続されたトランス122の第2のコイル、トランジスタ124及び抵抗126は、高電位側にある制御回路120_B内のトランス122の第2のコイルに接続される。
制御回路120_A、120_Bでは、双方向同期整流式フライバックで充電と放電を行う。制御部121は、トランジスタ123及びトランジスタ124の導通状態を制御して、電池セルの放電と充電とを制御する。例えば、トランス122の一次コイル側にあるトランジスタ123を導通状態とすることで、トランス122に並列に接続された電池セルを放電させ、トランス122の二次コイル側にあるトランジスタ124を導通状態とすることで、トランス122の二次コイル側にある他の電池セルを充電する。あるいは、トランス122の二次コイル側にあるトランジスタ124を導通状態とすることで、トランス122の二次コイル側にある他の電池セルを放電させ、トランス122の一次コイル側にあるトランジスタ123を導通状態とすることで、トランス122の一次コイル側にある電池セルを充電する。
制御部121は、トランジスタ123の導通状態を制御する信号を出力する端子Gpを有する。制御部121は、トランジスタ124の導通状態を制御する信号を出力する端子GSを有する。
なお制御部121は、トランジスタ123と抵抗125の間の電圧を測定する端子Ipを有していてもよい。また制御部121は、トランジスタ124と抵抗126の間の電圧を測定する端子ISを有していてもよい。制御部121は、電池セルcell_A、cell_Bの正極と負極に接続する端子C+、C−を有していてもよい。端子Ip、端子ISあるいは端子C+、C−で行う機能は、制御部121とは別に設けられる監視回路等が有していてもよい。制御部121が。端子Ip、端子ISあるいは端子C+、C−を有することで、電池セルの電圧および電流のデータを直接得ることができるため、電池セルの状態に応じたトランジスタ123、124の制御を行いやすくすることができる。
本発明の一態様におけるトランジスタ123及びトランジスタ124は、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタ(OSトランジスタ)とする。
OSトランジスタは、酸化物半導体中の不純物濃度を低減し、酸化物半導体を真性または実質的に真性にすることでオフ電流を低くすることができる。ここで、実質的に真性とは、酸化物半導体中のキャリア密度が、8×1011/cm3未満、さらに好ましくは1×1011/cm3未満、さらに好ましくは1×1010/cm3未満であり、1×10−9/cm3以上であることを指す。酸化物半導体において、水素、窒素、炭素、シリコン、および主成分以外の金属元素は不純物となる。例えば、水素および窒素はドナー準位の形成に寄与し、キャリア密度を増大させてしまう。
真性または実質的に真性にしたOSトランジスタは、キャリア密度が低いため、閾値電圧がマイナスとなる電気特性になることが少ない。また、当該OSトランジスタは、酸化物半導体のキャリアトラップが少ないため、電気特性の変動が小さく、信頼性の高いトランジスタとなる。また、当該酸化物半導体を用いたトランジスタは、オフ電流(トランジスタがオフ状態にあるときのドレイン電流)を非常に低くすることが可能となる。
なおオフ電流を低くしたOSトランジスタでは、室温(25℃程度)にてチャネル幅1μmあたりの規格化されたオフ電流が1×10−18A以下、好ましくは1×10−21A以下、更に好ましくは1×10−24A以下、又は85℃にて1×10−15A以下、好ましくは1×10−18A以下、更に好ましくは1×10−21A以下とすることができる。
またOSトランジスタは、Siトランジスタよりも高い温度で使用することができる。具体例を挙げて説明するため、図2(A)にOSトランジスタのゲート電圧VG−ドレイン電流ID特性、及びゲート電圧VG−電界効果移動度μFE特性の温度依存性を、図2(B)にSiトランジスタのゲート電圧VG−ドレイン電流ID特性、及びゲート電圧VG−電界効果移動度μFE特性の温度依存性を、示す。なお図2(A)、(B)においては、−25℃、50℃、150℃の温度での各電気的特性の測定結果を示している。なおドレイン電圧VDは1Vとしている。
なお図2(A)に示すOSトランジスタの電気的特性は、チャネル長L=0.45μm、チャネル幅W=10μm、ゲート絶縁層の酸化膜の膜厚Tox=20nmでのグラフである。また図2(B)に示すSiトランジスタの電気的特性は、L=0.35μm、W=10μm、Tox=20nmでのグラフである。
なおOSトランジスタの酸化物半導体層は、In−Ga−Zn系酸化物で作製し、Siトランジスタは、シリコンウエハから作製したものである。
図2(A)及び(B)からは、OSトランジスタの立ち上がりゲート電圧の温度依存性は小さいことがわかる。また、OSトランジスタのオフ電流が温度によらず測定下限(I0)以下であるが、Siトランジスタのオフ電流は、温度依存性が大きい。図2(B)の測定結果は、150℃では、Siトランジスタはオフ電流が上昇し、電流オン/オフ比が十分に大きくならないことを示している。
図2(A)及び(B)のグラフから、OSトランジスタをスイッチとして用いる場合、150℃以上の温度下においても、動作させることができる。そのため、蓄電装置の耐熱性を優れたものとすることができる。
またOSトランジスタの電圧に対する耐圧について、Siトランジスタの耐圧の比較し、説明する。
図3では、OSトランジスタのドレイン耐圧について説明するため、SiトランジスタとOSトランジスタとのVD−ID特性図について示す。図3では、SiトランジスタとOSトランジスタとについて同じ条件での耐圧を比較するために、共にチャネル長を0.9μmとし、チャネル幅を10μmとし、酸化シリコンを用いたゲート絶縁膜の膜厚を20nmとしている。なおゲート電圧は、2Vとしている。
図3に示すようにSiトランジスタでは、ドレイン電圧の増加に対して4V程度でアバランシェブレークダウンが起こるのに対して、OSトランジスタでは、ドレイン電圧の増加に対して26V程度までアバランシェブレークダウンが起きずに定電流を流すことができるのがわかる。
また図4(A)では、ゲート電圧を変化させた際の、OSトランジスタのVD−ID特性図について示す。また図4(B)では、ゲート電圧を変化させた際の、SiトランジスタのVD−ID特性図について示す。図4(A)、(B)では、SiトランジスタとOSトランジスタとについて同じ条件での耐圧を比較するために、共にチャネル長を0.9μmとし、チャネル幅を10μmとし、酸化シリコンを用いたゲート絶縁膜の膜厚を20nmとしている。なおゲート電圧は、図4(A)のOSトランジスタでは0.1V、2.06V、4.02V、5.98V.7.94Vと変化させ、図4(B)のSiトランジスタでは0.1V、1.28V、2.46V、3.64V、4.82Vと変化させている。
図4(A)、(B)に示すようにSiトランジスタでは、ドレイン電圧の増加に対して4乃至5V程度でアバランシェブレークダウンが起こるのに対して、OSトランジスタでは、ドレイン電圧の増加に対して9V程度ではアバランシェブレークダウンが起きずに定電流を流すことができるのがわかる。
図3、図4(A)、(B)からもわかるようにOSトランジスタはSiトランジスタと比べて耐圧が高い。そのため高い電圧が印加される箇所にOSトランジスタを適用しても、絶縁破壊を引き起こすことなく安定して使用することができる。
上述したように、電池セル間の充電および放電を制御するトランジスタに用いられるOSトランジスタは、オフ電流が小さく、且つ高温環境下であっても電気特性の変動が小さく、且つチャネル形成領域にシリコンを有するトランジスタ(Siトランジスタ)と比較してバンドギャップが1乃至2eV程度高く、アバランシェブレークダウンが起こりにくい、トランジスタである。
そのため、蓄電装置または電池管理回路は、時間の経過による容量の低下が小さく、長時間経過後でも電池セルの容量を保持することができる。加えて、電池セルを充電することに伴う温度上昇によってトランジスタの特性の変動が小さく、動作できる温度範囲の広げることができる。加えて、制御回路辺りの直列に接続される電池セルの数を増やすことができ、電池セル数が増加しても制御回路の部品数を削減できる。
なお本発明の一態様は、図1の構成に限らない。図1の変形例を図5乃至図7に示し、説明する。
図5には、制御回路120_C、120_D及び電池セルcell_C、cell_Dを含む蓄電装置100Bのブロック図の一例を示す。
制御回路120_C、120_Dの機能は、図1で説明した制御回路120_A、120_Bの機能と同様である。制御回路120_C、120_Dが制御回路120_A、120_Bと異なる点は、図5に図示するように、トランジスタ123及び124に並列にダイオード128を追加する点にある。このような構成とすることで、トランジスタをオフ状態とした際の抵抗125および抵抗126側の電圧の下降を速やかに行うことができる。
図6には、制御回路120_E、120_F及び電池セルcell_E、cell_Fを含む蓄電装置100Cのブロック図の一例を示す。
制御回路120_E、120_Fの機能は、図1で説明した制御回路120_A、120_Bの機能と同様である。制御回路120_E、120_Fが制御回路120_A、120_Bと異なる点は、図6に図示するように、トランジスタ123及び124に並列にダイオード接続したトランジスタ129を追加する点にある。トランジスタ129は、トランジスタ123及び124と同様にOSトランジスタとすることで、オフ電流が小さいことによる電池セルの容量の低下を抑制でき、且つ温度上昇によるトランジスタの特性の変動を抑制でき、且つ高電圧の印加した際の耐圧能力を向上できる。また図5の構成と同様に、トランジスタをオフ状態とした際の抵抗125および抵抗126側の電圧の下降を速やかに行うことができる。
図7には、制御回路120_G、120_H及び電池セルcell_G、cell_Hを含む蓄電装置100Dのブロック図の一例を示す。
制御回路120_G、120_Hの機能は、図1で説明した制御回路120_A、120_Bの機能と同様である。制御回路120_G、120_Hが制御回路120_A、120_Bと異なる点は、図7に図示するように、トランジスタ123およびトランジスタ124をトランジスタ123BG及び124BGに置き換える点にある。トランジスタ123BG及び124BGは、半導体層の上下に設けたゲートで電気的に取り囲む形状を有する。そのため半導体層にはチャネル形成領域がより広範囲に形成されることになる。そのため、トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、トランジスタのオン電流を高くすることができる。
以上の構成とすることで制御回路を有する電池管理回路は、充電不足や、過充電の原因となる、電池セル間の容量のばらつきを抑制することができる。
以上説明した制御回路を有する電池管理回路は、キャパシタ方式のように電荷を一時的に蓄積する必要がなく、連続的に移動させることができるため、単位時間当たりの電荷の移動効率に優れた電池管理回路とすることができる。
また、以上説明した制御回路を有する電池管理回路は、OSトランジスタを有することで、電池セルの容量の低下を抑制できる電池管理回路とすることができる。そのため、時間の経過による容量の低下が小さく、長時間経過後でも電池セルの容量を保持することができる、電池管理回路とすることができる。
加えて制御回路を有する電池管理回路は、OSトランジスタを有することで、充電時の温度上昇の起因する、トランジスタ特性の低下の抑制が図られた電池管理回路とすることができる。そのため、電池セルを充電することに伴う温度上昇によってトランジスタの特性の変動が小さく、動作できる温度範囲の広げられた、電池管理回路とすることができる。
加えて制御回路を有する電池管理回路は、電池セルを直列に接続したことによる高電圧の印加した際の耐圧能力を向上できる電池管理回路とすることができる。そのため、制御回路辺りの直列に接続される電池セルの数を増やすことができ、電池セル数が増加しても制御回路の部品数を削減できる、電池管理回路とすることができる。
(実施の形態2)
実施の形態1で説明した、制御回路及び電池セルを備えた蓄電装置の構成をより具体的にした構成について、図8乃至図12を参照して説明する。
図8(A)には、制御回路及び電池セルを含む蓄電装置のブロック図の一例を示す。
図8(A)に示す蓄電装置100は、制御回路120_1(図中、Balancer)と、制御回路120_2と、充電回路130(図中、Chager)と、マイクロプロセッサ140(又はマイクロコントローラ)(図中、μp/μc)と、バス150(図中、Bus)と、電池セルcell_1乃至cell_2N(Nは2以上の自然数)と、を有する。
図8(A)の蓄電装置100において、制御回路120_1と、制御回路120_2と、充電回路130と、マイクロプロセッサ140と、バス150と、により構成される部分を、電池管理回路と呼ぶことができる。
図8(A)の蓄電装置100において、複数の電池セルcell_1乃至cell_2Nは、図8(A)に示すように、直列に接続されている。
制御回路120_1(制御回路120_2)は、電池セルの放電と充電を制御する機能を有する。制御回路120_1(制御回路120_2)は、接続された各電池部の電池セルの充電と放電を制御して、直接に接続された電池セルcell_1乃至cell_2Nの容量の均等化を図る。
なお一つの制御回路に接続される電池部の電池セルの数は、制御回路の電圧に対する耐圧能力等を考慮して決めればよい。制御回路の耐圧能力が小さい場合は、制御回路の数を増やし、制御回路に接続される電池部の電池セルの数を少なくすればよい。図8(A)の例では、制御回路120_1と制御回路120_2との2つが設けられている。別の例としては、図8(B)に図示するように、制御回路120を設ける構成とすることができる。
制御回路120_1(制御回路120_2)は、マイクロプロセッサ140によって、制御される。制御するための信号等は、バス150を介してマイクロプロセッサ140に入出力される。なお電池セルの数が増加し、制御回路120_1(制御回路120_2)を複数設ける場合には、制御回路120_1(制御回路120_2)に入出力される信号は、他の制御回路とバスを介して、マイクロプロセッサ140との間で入出力される。
充電回路130は、容量の均等化が図られた電池セルcell_1乃至cell_2Nに充電を行うための電流IChargeを与える機能を有する回路である。
なお直列に接続された電池セルcell_1乃至cell_2Nの間で容量が異なると、放電時の容量が小さくなる虞がある。そのため、充電回路130によって充電を行う前には、制御回路120_1(制御回路120_2)によって、電池セル間の容量の均等化を図ることが好ましい。充電回路130は、マイクロプロセッサ140によって、制御される。
なお電池セルcell_1乃至cell_2Nは、蓄電機能を有する二次電池が好ましい。例えば二次電池としては、リチウムイオン二次電池、リチウム空気電池、鉛蓄電池、リチウムイオンポリマー二次電池、ニッケル・水素蓄電池、ニッケル・カドミウム蓄電池、ニッケル・鉄蓄電池、ニッケル・亜鉛蓄電池、酸化銀・亜鉛蓄電池などがある。中でも容量の大きい、リチウムイオン二次電池が好ましい。中でも、正極材料としてリン酸鉄リチウムを有するリチウムイオン二次電池が好ましい。リン酸鉄リチウムは、オリビン型結晶構造を有するため、熱的及び化学的に安定性に優れている。従って大型の蓄電装置への適用に特に優れている。
なお直列に接続する電池セルの個数は、電流を流す負荷の耐圧能力等に応じて決めればよい。例えば、ハイブリッド電気自動車のような用途において100V以上を必要とする。従って、直列に接続する電池セルの総数は多くなる。そのため、図8(A)の構成のように、制御回路に対応する電池部に区切って、充電又は放電を制御する構成とすることが好ましい。
マイクロプロセッサ140は、電池セルcell_1乃至cell_2Nの容量、温度等の諸情報に応じて、制御回路120_1(制御回路120_2)及び充電回路を制御する機能を有する。なおマイクロプロセッサ140に与える電圧Vccは、電池セルcell_1乃至cell_2Nを一斉に充電のための電流IChargeを流すための電圧である。
例えばマイクロプロセッサ140は、制御回路120_1(制御回路120_2)において取得した各電池セルの電圧の高低のデータを基に、放電する電池セル又は充電する電池セルを判定する。そしてマイクロプロセッサ140は、放電する電池セル又は充電する電池セルに関するアドレス情報を制御回路120_1(制御回路120_2)に出力する。そして制御回路120_1(制御回路120_2)は、放電する電池セル又は充電する電池セルに関するアドレスを基に、電池セル間の放電又は充電を制御する信号を出力する。そしてマイクロプロセッサ140は、再び制御回路120_1(制御回路120_2)によって各電池セルの電圧の高低のデータを取得し、電池セルの容量の均等化が図られるまで、電池セル間の充電又は放電を制御する信号を出力する。そしてマイクロプロセッサ140は、電池セル間の容量の均等化が図られた後に、充電回路130によって電池セルの充電を行うよう信号を出力する。
マイクロプロセッサ140と、制御回路120_1(制御回路120_2)及び充電回路130とは、例えばシリアル周辺インターフェース(Serial Peripheral Interface:SPI)を備え、バス150を介した、同期シリアルデータ転送によって通信を行うことができる。SPIは、マスタ−スレーブモデルを使用する。この場合、マスターデバイスは複数のスレーブデバイスと相互作用する。例えば、マイクロプロセッサ140は、SPIマスターデバイスとして作用し、制御回路120_1(制御回路120_2)及び充電回路130は、SPIスレーブデバイスとして作用する。
以上の構成とすることで電池管理回路は、充電不足や、過充電の原因となる、電池セル間の容量のばらつきを抑制することができる。
制御回路120_1(制御回路120_2)の構成について図9を参照して説明する。なお図9では、一つの制御回路で制御する電池セルを6つ、つまりN=6として説明する。すなわち。制御回路120_1は電池セルcell_1乃至cell_6の充電と放電を制御する。なお図9では図示していないが、制御回路120_2は電池セルcell_7乃至cell_12の充電と放電を制御する。
図9に示す制御回路120_1は、制御部121_1と、トランス122と、トランジスタ123と、トランジスタ124と、抵抗125と、抵抗126と、容量127と、を有する。トランス122は、第1のコイル(一次コイル)及び第1のコイル(二次コイル)を有する。制御回路120_1の構成は、実施の形態1の図1で説明した制御回路120_Aと構成と同じであり、説明を省略する。
制御部121_1は、トランジスタ123の導通状態を制御する信号を出力する端子G1p乃至G6pを有する。制御部121_1は、トランジスタ124の導通状態を制御する信号を出力する端子G1S乃至G6Sを有する。制御部121_1は、トランジスタ123と抵抗125の間の電圧を測定する端子I1p乃至I6pを有する。制御部121_1は、トランジスタ124と抵抗126の間の電圧を測定する端子I1S乃至I6Sを有する。制御部121_1は、電池セルcell_1乃至cell_6の正極と負極に接続する端子C1乃至C6、V−を有する。
トランジスタ123及びトランジスタ124は、上記実施の形態1で説明したように、OSトランジスタを用いることが好ましい。OSトランジスタはオフ電流が小さい。加えて、OSトランジスタは、高温環境下であっても電気特性の変動が小さい。さらに加えて、OSトランジスタは、Siトランジスタと比較し、バンドギャップが1乃至2eV程度高いため、アバランシェブレークダウンが起こりにくい。
そのため、時間の経過による容量の低下が小さく、長時間経過後でも電池セルの容量を保持することができる。加えて、電池セルを充電することに伴う温度上昇によってトランジスタの特性の変動が小さく、動作できる温度範囲の広げることができる。加えて、制御回路辺りの直列に接続される電池セルの数を増やすことができ、電池セル数が増加しても制御回路の部品数を削減できる。
なお本発明の一態様は、図9の構成に限らない。例えば、図10に図示するように、トランジスタ123及び124に並列にダイオード128を追加した構成としてもよい。あるいは、図11に図示するように、トランジスタ123及び124に並列にダイオード接続したトランジスタ129を追加した構成としてもよい。あるいは、図12に図示するように、トランジスタ123及び124にバックゲートを追加したトランジスタ123BG、124BGとした構成としてもよい。
以上説明した電池管理回路は、キャパシタ方式のように電荷を一時的に蓄積する必要がなく、連続的に移動させることができるため、単位時間当たりの電荷の移動効率に優れた電池管理回路とすることができる。
また、以上説明した電池管理回路は、OSトランジスタを有することで、電池セルの容量の低下を抑制できる電池管理回路とすることができる。そのため、時間の経過による容量の低下が小さく、長時間経過後でも電池セルの容量を保持することができる、電池管理回路とすることができる。
加えて電池管理回路は、OSトランジスタを有することで、充電時の温度上昇の起因する、トランジスタ特性の低下の抑制が図られた電池管理回路とすることができる。そのため、電池セルを充電することに伴う温度上昇によってトランジスタの特性の変動が小さく、動作できる温度範囲の広げられた、電池管理回路とすることができる。
加えて電池管理回路は、電池セルを直列に接続したことによる高電圧の印加した際の耐圧能力を向上できる電池管理回路とすることができる。そのため、制御回路辺りの直列に接続される電池セルの数を増やすことができ、電池セル数が増加しても制御回路の部品数を削減できる、電池管理回路とすることができる。
(実施の形態3)
本実施の形態では、開示する発明の一態様に係るOSトランジスタについて説明する。なおOSトランジスタは、実施の形態4で説明するnc−OSまたはCAAS−OSを有することが好ましい。
<トランジスタの構成例1>
図13(A)乃至図13(C)は、トランジスタ1400aの上面図および断面図である。図13(A)は上面図である。図13(B)は、図13(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図13(C)は、図13(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図13(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ1400aのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ1400aのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
トランジスタ1400aは、基板1450と、基板1450上の絶縁膜1401と、絶縁膜1401上の導電膜1414と、導電膜1414を覆うように形成された絶縁膜1402と、絶縁膜1402上の絶縁膜1403と、絶縁膜1403上の絶縁膜1404と、絶縁膜1404上に、金属酸化物1431、金属酸化物1432の順で形成された積層と、金属酸化物1432の上面及び側面と接する導電膜1421と、同じく金属酸化物1432の上面及び側面と接する導電膜1423と、導電膜1421上の導電膜1422と、導電膜1423上の導電膜1424と、導電膜1422、導電膜1424上の絶縁膜1405と、金属酸化物1431、金属酸化物1432、導電膜1421乃至導電膜1424及び絶縁膜1405と接する金属酸化物1433と、金属酸化物1433上の絶縁膜1406と、絶縁膜1406上の導電膜1411と、導電膜1411上の導電膜1412と、導電膜1412上の導電膜1413と、導電膜1413を覆うように形成された絶縁膜1407と、絶縁膜1407上の絶縁膜1408を有する。なお、金属酸化物1431、金属酸化物1432および金属酸化物1433をまとめて、金属酸化物1430と呼称する。
金属酸化物1432は半導体であり、トランジスタ1400aのチャネルとしての機能を有する。
また、金属酸化物1431及び金属酸化物1432は、領域1441及び領域1442を有する。領域1441は、導電膜1421と、金属酸化物1431、金属酸化物1432が接する領域の近傍に形成され、領域1442は、導電膜1423と、金属酸化物1431、金属酸化物1432が接する領域の近傍に形成される。
領域1441、領域1442は低抵抗領域としての機能を有する。金属酸化物1431、金属酸化物1432は、領域1441を有することで、導電膜1421との間のコンタクト抵抗を低減させることが可能になる。同様に、金属酸化物1431、金属酸化物1432は、領域1442を有することで、導電膜1423との間のコンタクト抵抗を低減させることが可能になる。
導電膜1421、導電膜1422は、トランジスタ1400aのソース電極又はドレイン電極の一方としての機能を有する。導電膜1423、導電膜1424は、トランジスタ1400aのソース電極又はドレイン電極の他方としての機能を有する。
導電膜1422は導電膜1421よりも酸素を透過しにくい機能を有する。これにより、酸化による導電膜1421の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
同様に、導電膜1424は導電膜1423よりも酸素を透過しにくい機能を有する。これにより、酸化による導電膜1423の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
導電膜1411乃至導電膜1413は、トランジスタ1400aの第1のゲート電極としての機能を有する。
導電膜1411、導電膜1413は、導電膜1412よりも酸素を透過しにくい機能を有する。これにより、酸化による導電膜1412の導電率の低下を防ぐことが可能になる。
絶縁膜1406は、トランジスタ1400aの第1のゲート絶縁膜としての機能を有する。
導電膜1414は、トランジスタ1400aの第2のゲート電極としての機能を有する。
導電膜1411乃至導電膜1413と導電膜1414は同じ電位が与えられてもよいし、異なる電位が与えられてもよい。また導電膜1414は、場合によっては省略してもよい。
絶縁膜1401乃至絶縁膜1404は、トランジスタ1400aの下地絶縁膜としての機能を有する。また、絶縁膜1402乃至絶縁膜1404は、トランジスタ1400aの第2のゲート絶縁膜としての機能も有する。
絶縁膜1405乃至1408は、トランジスタ1400aの保護絶縁膜又は層間絶縁膜としての機能を有する。
図13(C)に示すように、金属酸化物1432の側面は、導電膜1411に囲まれている。上記構成をとることで、導電膜1411の電界によって、金属酸化物1432を電気的に取り囲むことができる。ゲート電極の電界によって、半導体を電気的に取り囲むトランジスタの構造を、surrounded channel(s−channel)構造とよぶ。そのため、金属酸化物1432の全体(バルク)にチャネルが形成される。s−channel構造は、トランジスタのソース−ドレイン間に大電流を流すことができ、トランジスタのオン電流を高くすることができる。
s−channel構造は、高いオン電流が得られるため、LSI(Large Scale Integration)など微細化されたトランジスタが要求される半導体装置に適した構造といえる。トランジスタを微細化できるため、該トランジスタを有する半導体装置は、集積度の高い、高密度化された半導体装置とすることが可能となる。
トランジスタ1400aにおいて、ゲート電極として機能する領域は、絶縁膜1405などに形成された開口部を埋めるように自己整合(self align)的に形成される。
図13(B)に示すように、導電膜1411と導電膜1422は、絶縁膜を間に介して、互いに重なる領域を有する。同様に、導電膜1411と導電膜1423は、絶縁膜を間に介して、互いに重なる領域を有する。これらの領域は、ゲート電極と、ソース電極又はドレイン電極との間に生じた寄生容量として機能し、トランジスタ1400aの動作速度を低下させる原因になり得る。トランジスタ1400aは、絶縁膜1405を設けることで、上述の寄生容量を低下させることが可能になる。絶縁膜1405は、比誘電率の低い材料からなることが好ましい。
図14(A)は、トランジスタ1400aの中央部を拡大したものである。図14(A)において、導電膜1411の底面が、絶縁膜1406及び金属酸化物1433を介して、金属酸化物1432の上面と平行に面する領域の長さを、幅LGとして示す。幅LGは、ゲート電極の線幅を表す。また、図14(A)において、導電膜1421と導電膜1423の間の長さを、幅LSDとして示す。幅LSDは、ソース電極とドレイン電極との間の長さを表す。
幅LSDは最小加工寸法で決定されることが多い。図14(A)に示すように、幅LGは、幅LSDよりも小さい。すなわち、トランジスタ1400aは、ゲート電極の線幅を、最小加工寸法より小さくすることが可能になる。具体的には、幅LGは、5nm以上かつ60nm以下、好ましくは5nm以上かつ30nm以下とすることが可能になる。
図14(A)において、導電膜1421及び導電膜1422の厚さの合計、又は、導電膜1423及び導電膜1424の厚さの合計を高さHSDと表す。
絶縁膜1406の厚さを、高さHSD以下とすることで、ゲート電極からの電界がチャネル形成領域全体に印加することが可能になり好ましい。絶縁膜1406の厚さは、30nm以下、好ましくは10nm以下とする。
また、導電膜1422と導電膜1411の間に形成される寄生容量、及び、導電膜1424と導電膜1411の間に形成される寄生容量の値は、絶縁膜1405の厚さに反比例する。例えば、絶縁膜1405の厚さを、絶縁膜1406の厚さの3倍以上、好ましくは5倍以上とすることで、寄生容量は無視できるほど小さくなり、好ましい。その結果、トランジスタ1400aを高周波数で動作させることが可能になる。
以下、トランジスタ1400aの各構成要素について説明を行う。
<<金属酸化物層>>
まず、金属酸化物1431乃至金属酸化物1433に適用可能な金属酸化物について説明を行う。
トランジスタ1400aは、非導通状態においてソースとドレインとの間を流れる電流(オフ電流)が低いことが好適である。オフ電流が低いトランジスタとしては、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタが挙げられる。
金属酸化物1432は、例えば、インジウム(In)を含む酸化物半導体である。金属酸化物1432は、例えば、インジウムを含むと、キャリア移動度(電子移動度)が高くなる。また、金属酸化物1432は、元素Mを含むと好ましい。元素Mは、好ましくは、アルミニウム(Al)、ガリウム(Ga)、またはスズ(Sn)などとする。そのほかの元素Mに適用可能な元素としては、ホウ素(B)、シリコン(Si)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、ゲルマニウム(Ge)、イットリウム(Y)、ジルコニウム(Zr)、モリブデン(Mo)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、ネオジム(Nd)、ハフニウム(Hf)、タンタル(Ta)、タングステン(W)などがある。ただし、元素Mとして、前述の元素を複数組み合わせても構わない場合がある。元素Mは、例えば、酸素との結合エネルギーが高い元素である。例えば、酸素との結合エネルギーがインジウムよりも高い元素である。または、元素Mは、例えば、金属酸化物のエネルギーギャップを大きくする機能を有する元素である。また、金属酸化物1432は、亜鉛(Zn)を含むと好ましい。金属酸化物は、亜鉛を含むと結晶化しやすくなる場合がある。
ただし、金属酸化物1432は、インジウムを含む酸化物半導体に限定されない。金属酸化物1432は、例えば、亜鉛スズ酸化物、ガリウムスズ酸化物などの、インジウムを含まず、亜鉛を含む酸化物半導体、ガリウムを含む酸化物半導体、スズを含む酸化物半導体などであっても構わない。
金属酸化物1432は、例えば、エネルギーギャップが大きい酸化物半導体を用いる。金属酸化物1432のエネルギーギャップは、例えば、2.5eV以上かつ4.2eV以下、好ましくは2.8eV以上かつ3.8eV以下、さらに好ましくは3eV以上かつ3.5eV以下とする。
金属酸化物1432は、後述するCAAC−OS膜であることが好ましい。
例えば、金属酸化物1431および金属酸化物1433は、金属酸化物1432を構成する酸素以外の元素一種以上から構成される金属酸化物である。金属酸化物1432を構成する酸素以外の元素一種以上から金属酸化物1431および金属酸化物1433が構成されるため、金属酸化物1431と金属酸化物1432との界面、および金属酸化物1432と金属酸化物1433との界面において、界面準位が形成されにくい。
なお、金属酸化物1431がIn−M−Zn酸化物のとき、InおよびMの和を100atomic%としたとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomic%より高く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic%より高いとする。金属酸化物1431をスパッタリング法で成膜する場合、上記の組成を満たすスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。例えば、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4などが好ましい。
また、金属酸化物1432がIn−M−Zn酸化物のとき、InおよびMの和を100atomic%としたとき、好ましくはInが25atomic%より高く、Mが75atomic%未満、さらに好ましくはInが34atomic%より高く、Mが66atomic%未満とする。金属酸化物1432をスパッタリング法で成膜する場合、上記の組成を満たすスパッタリングターゲットを用いることが好ましい。例えば、In:M:Zn=1:1:1、In:M:Zn=1:1:1.2、In:M:Zn=2:1:3、In:M:Zn=3:1:2、In:M:Zn=4:2:4.1が好ましい。特に、スパッタリングターゲットとして、原子数比がIn:Ga:Zn=4:2:4.1を用いる場合、成膜される金属酸化物1432の原子数比は、In:Ga:Zn=4:2:3近傍となる場合がある。
また、金属酸化物1433がIn−M−Zn酸化物のとき、InおよびMの和を100atomic%としたとき、好ましくはInが50atomic%未満、Mが50atomic%より高く、さらに好ましくはInが25atomic%未満、Mが75atomic%より高くする。例えば、In:M:Zn=1:3:2、In:M:Zn=1:3:4などが好ましい。また、金属酸化物1433は、金属酸化物1431と同種の金属酸化物を用いても構わない。
また、金属酸化物1431または金属酸化物1433がインジウムを含まなくても構わない場合がある。例えば、金属酸化物1431または金属酸化物1433が酸化ガリウムであっても構わない。
次に、金属酸化物1431乃至金属酸化物1433の積層により構成される金属酸化物1430の機能およびその効果について、図14(B)に示すエネルギーバンド構造図を用いて説明する。図14(B)は、図14(A)にY1−Y2の鎖線で示した部位のエネルギーバンド構造を示している。また、図14(B)は、トランジスタ1400aのチャネル形成領域とその近傍のエネルギーバンド構造を示している。
図14(B)中、Ec1404、Ec1431、Ec1432、Ec1433、Ec1406は、それぞれ、絶縁膜1404、金属酸化物1431、金属酸化物1432、金属酸化物1433、絶縁膜1406の伝導帯下端のエネルギーを示している。
ここで、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差(「電子親和力」ともいう。)は、真空準位と価電子帯上端のエネルギーとの差(イオン化ポテンシャルともいう。)からエネルギーギャップを引いた値となる。なお、エネルギーギャップは、分光エリプソメータを用いて測定できる。また、真空準位と価電子帯上端のエネルギー差は、紫外線光電子分光分析(UPS:Ultraviolet Photoelectron Spectroscopy)装置を用いて測定できる。
絶縁膜1404と絶縁膜1406は絶縁体であるため、Ec1406とEc1404は、Ec1431、Ec1432、およびEc1433よりも真空準位に近い(電子親和力が小さい)。
金属酸化物1432は、金属酸化物1431および金属酸化物1433よりも電子親和力の大きい金属酸化物を用いる。例えば、金属酸化物1432として、金属酸化物1431および金属酸化物1433よりも電子親和力の0.07eV以上かつ1.3eV以下、好ましくは0.1eV以上かつ0.7eV以下、さらに好ましくは0.15eV以上かつ0.4eV以下大きい金属酸化物を用いる。なお、電子親和力は、真空準位と伝導帯下端のエネルギーとの差である。
なお、インジウムガリウム酸化物は、小さい電子親和力と、高い酸素ブロック性を有する。そのため、金属酸化物1433がインジウムガリウム酸化物を含むと好ましい。ガリウム原子割合[Ga/(In+Ga)]は、例えば、70%以上、好ましくは80%以上、さらに好ましくは90%以上とする。
このとき、ゲート電圧を印加すると、金属酸化物1431、金属酸化物1432、金属酸化物1433のうち、電子親和力の大きい金属酸化物1432にチャネルが形成される。
そのため、電子は、金属酸化物1431、金属酸化物1433の中ではなく、金属酸化物1432の中を主として移動する。そのため、金属酸化物1431と絶縁膜1404との界面、あるいは、金属酸化物1433と絶縁膜1406との界面に、電子の流れを阻害する界面準位が多く存在したとしても、トランジスタのオン電流にはほとんど影響を与えない。金属酸化物1431、金属酸化物1433は、絶縁膜のように機能する。
金属酸化物1431と金属酸化物1432との間には、金属酸化物1431と金属酸化物1432との混合領域を有する場合がある。また、金属酸化物1432と金属酸化物1433との間には、金属酸化物1432と金属酸化物1433との混合領域を有する場合がある。混合領域は、界面準位密度が低くなる。そのため、金属酸化物1431、金属酸化物1432および金属酸化物1433の積層体は、それぞれの界面近傍において、エネルギーが連続的に変化する(連続接合ともいう。)バンド構造となる。
金属酸化物1431と金属酸化物1432の界面、あるいは、金属酸化物1432と金属酸化物1433との界面は、上述したように界面準位密度が小さいため、金属酸化物1432中で電子の移動が阻害されることが少なく、トランジスタのオン電流を高くすることが可能になる。
例えば、トランジスタ中の電子の移動は、チャネル形成領域の物理的な凹凸が大きい場合に阻害される。トランジスタのオン電流を高くするためには、例えば、金属酸化物1432の上面または下面(被形成面、ここでは金属酸化物1431)の、1μm×1μmの範囲における二乗平均平方根(RMS:Root Mean Square)粗さが1nm未満、好ましくは0.6nm未満、さらに好ましくは0.5nm未満、より好ましくは0.4nm未満とすればよい。また、1μm×1μmの範囲における平均面粗さ(Raともいう。)が1nm未満、好ましくは0.6nm未満、さらに好ましくは0.5nm未満、より好ましくは0.4nm未満とすればよい。また、1μm×1μmの範囲における最大高低差(P−Vともいう。)が10nm未満、好ましくは9nm未満、さらに好ましくは8nm未満、より好ましくは7nm未満とすればよい。RMS粗さ、RaおよびP−Vは、エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製走査型プローブ顕微鏡システムSPA−500などを用いて測定することができる。
チャネルの形成される領域中の欠陥準位密度が高い場合にも、電子の移動は阻害される。例えば、金属酸化物1432が酸素欠損(VOとも表記。)を有する場合、酸素欠損のサイトに水素が入り込むことでドナー準位を形成することがある。以下では酸素欠損のサイトに水素が入り込んだ状態をVOHと表記する場合がある。VOHは電子を散乱するため、トランジスタのオン電流を低下させる要因となる。なお、酸素欠損のサイトは、水素が入るよりも酸素が入る方が安定する。したがって、金属酸化物1432中の酸素欠損を低減することで、トランジスタのオン電流を高くすることができる場合がある。
例えば、金属酸化物1432のある深さにおいて、または、金属酸化物1432のある領域において、二次イオン質量分析法(SIMS:Secondary Ion Mass Spectrometry)で測定される水素濃度は、1×1016atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1016atoms/cm3以上、1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3以下とする。
金属酸化物1432の酸素欠損を低減するために、例えば、絶縁膜1404に含まれる過剰酸素を、金属酸化物1431を介して金属酸化物1432まで移動させる方法などがある。この場合、金属酸化物1431は、酸素透過性を有する層(酸素を通過または透過させる層)であることが好ましい。
なお、トランジスタがs−channel構造を有する場合、金属酸化物1432の全体にチャネルが形成される。したがって、金属酸化物1432が厚いほどチャネル領域は大きくなる。即ち、金属酸化物1432が厚いほど、トランジスタのオン電流を高くすることができる。
また、トランジスタのオン電流を高くするためには、金属酸化物1433は薄いほど好ましい。金属酸化物1433は、例えば、10nm未満、好ましくは5nm以下、さらに好ましくは3nm以下の領域を有していればよい。一方、金属酸化物1433は、チャネルの形成される金属酸化物1432へ、隣接する絶縁体を構成する酸素以外の元素(水素、シリコンなど)が入り込まないようブロックする機能を有する。そのため、金属酸化物1433は、ある程度の厚さを有することが好ましい。金属酸化物1433は、例えば、0.3nm以上、好ましくは1nm以上、さらに好ましくは2nm以上の厚さの領域を有していればよい。また、金属酸化物1433は、絶縁膜1404などから放出される酸素の外方拡散を抑制するために、酸素をブロックする性質を有すると好ましい。
また、信頼性を高くするためには、金属酸化物1431は厚く、金属酸化物1433は薄いことが好ましい。金属酸化物1431は、例えば、10nm以上、好ましくは20nm以上、さらに好ましくは40nm以上、より好ましくは60nm以上の厚さの領域を有していればよい。金属酸化物1431の厚さを、厚くすることで、隣接する絶縁体と金属酸化物1431との界面からチャネルの形成される金属酸化物1432までの距離を離すことができる。ただし、半導体装置の生産性が低下する場合があるため、金属酸化物1431は、例えば、200nm以下、好ましくは120nm以下、さらに好ましくは80nm以下の厚さの領域を有していればよい。
例えば、金属酸化物1432と金属酸化物1431との間に、例えば、SIMS分析において、1×1016atoms/cm3以上、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3未満のシリコン濃度となる領域を有する。また、金属酸化物1432と金属酸化物1433との間に、SIMSにおいて、1×1016atoms/cm3以上、1×1019atoms/cm3未満、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3未満、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、2×1018atoms/cm3未満のシリコン濃度となる領域を有する。
また、金属酸化物1432の水素濃度を低減するために、金属酸化物1431および金属酸化物1433の水素濃度を低減すると好ましい。金属酸化物1431および金属酸化物1433は、SIMSにおいて、1×1016atoms/cm3以上、2×1020atoms/cm3以下、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1019atoms/cm3以下、より好ましくは1×1016atoms/cm3以上、1×1019atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3以下の水素濃度となる領域を有する。また、金属酸化物1432の窒素濃度を低減するために、金属酸化物1431および金属酸化物1433の窒素濃度を低減すると好ましい。金属酸化物1431および金属酸化物1433は、SIMSにおいて、1×1016atoms/cm3以上、5×1019atoms/cm3未満、好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは1×1016atoms/cm3以上、1×1018atoms/cm3以下、さらに好ましくは1×1016atoms/cm3以上、5×1017atoms/cm3以下の窒素濃度となる領域を有する。
金属酸化物1431乃至金属酸化物1433の成膜は、スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法またはPLD(Pulsed Laser Deposition)法、ALD(Atomic Layer Deposition)法などを用いて行えばよい。
金属酸化物1431、金属酸化物1432を形成した後に、第1の加熱処理を行うと好ましい。第1の加熱処理は、250℃以上かつ650℃以下、好ましくは1450℃以上かつ600℃以下、さらに好ましくは520℃以上かつ570℃以下で行えばよい。第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲気、または酸化性ガスを10ppm以上、1%以上もしくは10%以上含む雰囲気で行う。第1の加熱処理は減圧状態で行ってもよい。または、第1の加熱処理は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを10ppm以上、1%以上または10%以上含む雰囲気で加熱処理を行ってもよい。第1の加熱処理によって、金属酸化物1431、金属酸化物1432の結晶性を高めることや、水素や水などの不純物を除去することが可能になる。
上述の3層構造は一例である。例えば、金属酸化物1431または金属酸化物1433のない2層構造としても構わない。または、金属酸化物1431の上もしくは下、または金属酸化物1433上もしくは下に、金属酸化物1431、金属酸化物1432および金属酸化物1433として例示した半導体のいずれか一を有する4層構造としても構わない。または、金属酸化物1431の上、金属酸化物1431の下、金属酸化物1433の上、金属酸化物1433の下のいずれか二箇所以上に、金属酸化物1431、金属酸化物1432および金属酸化物1433として例示した半導体のいずれか一を有するn層構造(nは5以上の整数)としても構わない。
<<基板>>
基板1450としては、例えば、絶縁体基板、半導体基板または導電体基板を用いればよい。絶縁体基板としては、例えば、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、安定化ジルコニア基板(イットリア安定化ジルコニア基板など)、樹脂基板などがある。また、半導体基板としては、例えば、シリコン、ゲルマニウムなどの単体半導体基板、または炭化シリコン、シリコンゲルマニウム、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、酸化亜鉛、酸化ガリウムからなる化合物半導体基板などがある。さらには、前述の半導体基板内部に絶縁体領域を有する半導体基板、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板などがある。導電体基板としては、黒鉛基板、金属基板、合金基板、導電性樹脂基板などがある。または、金属の窒化物を有する基板、金属の酸化物を有する基板などがある。さらには、絶縁体基板に導電体または半導体が設けられた基板、半導体基板に導電体または絶縁体が設けられた基板、導電体基板に半導体または絶縁体が設けられた基板などがある。または、これらの基板に素子が設けられたものを用いてもよい。基板に設けられる素子としては、容量素子、抵抗素子、スイッチ素子、発光素子、記憶素子などがある。
また、基板1450として、可とう性基板を用いてもよい。なお、可とう性基板上にトランジスタを設ける方法としては、非可とう性の基板上にトランジスタを作製した後、トランジスタを剥離し、可とう性基板である基板1450に転置する方法もある。その場合には、非可とう性基板とトランジスタとの間に剥離層を設けるとよい。なお、基板1450として、繊維を編みこんだシート、フィルムまたは箔などを用いてもよい。また、基板1450が伸縮性を有してもよい。また、基板1450は、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有してもよい。または、元の形状に戻らない性質を有してもよい。基板1450の厚さは、例えば、5μm以上かつ700μm以下、好ましくは10μm以上かつ500μm以下、さらに好ましくは15μm以上かつ300μm以下とする。基板1450を薄くすると、半導体装置を軽量化することができる。また、基板1450を薄くすることで、ガラスなどを用いた場合にも伸縮性を有する場合や、折り曲げや引っ張りをやめた際に、元の形状に戻る性質を有する場合がある。そのため、落下などによって基板1450上の半導体装置に加わる衝撃などを緩和することができる。即ち、丈夫な半導体装置を提供することができる。
可とう性基板である基板1450としては、例えば、金属、合金、樹脂もしくはガラス、またはそれらの繊維などを用いることができる。可とう性基板である基板1450は、線膨張率が低いほど環境による変形が抑制されて好ましい。可とう性基板である基板1450としては、例えば、線膨張率が1×10−3/K以下、5×10−5/K以下、または1×10−5/K以下である材質を用いればよい。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネート、アクリル、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などがある。特に、アラミドは、線膨張率が低いため、可とう性基板である基板1450として好適である。
<<下地絶縁膜>>
絶縁膜1401は、基板1450と導電膜1414を電気的に分離させる機能を有する。
絶縁膜1401又は絶縁膜1402は、単層構造または積層構造の絶縁膜で形成される。絶縁膜を構成する材料には、例えば、酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどがある。
また、絶縁膜1402として、TEOS(Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)若しくはシラン等と、酸素若しくは亜酸化窒素等とを反応させて形成した段差被覆性の良い酸化シリコンを用いてもよい。
また、絶縁膜1402を成膜した後、その上面の平坦性を高めるためにCMP法等を用いた平坦化処理を行ってもよい。
絶縁膜1404は、酸化物を含むことが好ましい。特に加熱により一部の酸素が脱離する酸化物材料を含むことが好ましい。好適には、化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物を用いることが好ましい。化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物膜は、加熱により一部の酸素が脱離する。絶縁膜1404から脱離した酸素は金属酸化物1430に供給され、金属酸化物1430の酸素欠損を低減することが可能となる。その結果、トランジスタの電気特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる。
化学量論的組成を満たす酸素よりも多くの酸素を含む酸化物膜は、例えば、TDS(Thermal Desorption Spectroscopy)分析にて、酸素原子に換算しての酸素の脱離量が1.0×1018atoms/cm3以上、好ましくは3.0×1020atoms/cm3以上である酸化物膜である。なお、上記TDS分析時における膜の表面温度としては100℃以上かつ700℃以下、または100℃以上かつ500℃以下の範囲が好ましい。
絶縁膜1404は、金属酸化物1430に酸素を供給することができる酸化物を含むことが好ましい。例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含む材料を用いることが好ましい。
または、絶縁膜1404として、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等の金属酸化物を用いてもよい。
絶縁膜1404に酸素を過剰に含有させるためには、例えば酸素雰囲気下にて絶縁膜1404の成膜を行えばよい。または、成膜後の絶縁膜1404に酸素を導入して酸素を過剰に含有する領域を形成してもよく、双方の手段を組み合わせてもよい。
例えば、成膜後の絶縁膜1404に、酸素(少なくとも酸素ラジカル、酸素原子、酸素イオンのいずれかを含む)を導入して酸素を過剰に含有する領域を形成する。酸素の導入方法としては、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマイマージョンイオン注入法、プラズマ処理などを用いることができる。
酸素導入方法には、酸素を含むガスを用いることができる。酸素を含むガスとしては、例えば酸素、亜酸化窒素、二酸化窒素、二酸化炭素、一酸化炭素などを用いることができる。また、酸素導入処理において、酸素を含むガスに希ガスを含ませてもよい。または、水素等を含ませてもよい。例えば、二酸化炭素、水素及びアルゴンの混合ガスを用いるとよい。
また、絶縁膜1404を成膜した後、その上面の平坦性を高めるためにCMP法等を用いた平坦化処理を行ってもよい。
絶縁膜1403は、絶縁膜1404に含まれる酸素が、導電膜1414に含まれる金属と結びつき、絶縁膜1404に含まれる酸素が減少することを防ぐパッシベーション機能を有する。
絶縁膜1403は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有する。絶縁膜1403を設けることで、金属酸化物1430からの酸素の外部への拡散と、外部から金属酸化物1430への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。
絶縁膜1403としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
トランジスタ1400aは、電荷捕獲層に電子を注入することで、しきい値電圧を制御することが可能になる。電荷捕獲層は、絶縁膜1402又は絶縁膜1403に設けることが好ましい。例えば、絶縁膜1403を酸化ハフニウム、酸化アルミニウム、酸化タンタル、アルミニウムシリケート等で形成することで、電荷捕獲層として機能させることができる。
<<ゲート電極>>
導電膜1411乃至導電膜1414して、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
<<ソース電極、ドレイン電極>>
導電膜1421乃至導電膜1424として、銅(Cu)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、金(Au)、アルミニウム(Al)、マンガン(Mn)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)、ニッケル(Ni)、クロム(Cr)、鉛(Pb)、錫(Sn)、鉄(Fe)、コバルト(Co)、ルテニウム(Ru)、白金(Pt)、イリジウム(Ir)、ストロンチウム(Sr)の低抵抗材料からなる単体、合金、またはこれらを主成分とする化合物を含む導電膜の単層または積層とすることが好ましい。特に、耐熱性と導電性を両立するタングステンやモリブデンなどの高融点材料を用いることが好ましい。また、アルミニウムや銅などの低抵抗導電性材料で形成することが好ましい。さらに、Cu−Mn合金を用いると、酸素を含む絶縁体との界面に酸化マンガンを形成し、酸化マンガンがCuの拡散を抑制する機能を持つので好ましい。
また、導電膜1421乃至導電膜1424には、酸化イリジウム、酸化ルテニウム、ストロンチウムルテナイトなど、貴金属を含む導電性酸化物を用いることが好ましい。これらの導電性酸化物は、酸化物半導体と接しても酸化物半導体から酸素を奪うことが少なく、酸化物半導体の酸素欠損を作りにくい。
<<低抵抗領域>>
領域1441、領域1442は、例えば、導電膜1421、導電膜1423が、金属酸化物1431、金属酸化物1432の酸素を引き抜くことで形成される。酸素の引き抜きは、高い温度で加熱するほど起こりやすい。トランジスタの作製工程には、いくつかの加熱工程があることから、領域1441、領域1442には酸素欠損が形成される。また、加熱により該酸素欠損のサイトに水素が入りこみ、領域1441、領域1442に含まれるキャリア濃度が増加する。その結果、領域1441、領域1442が低抵抗化する。
<<ゲート絶縁膜>>
絶縁膜1406は、比誘電率の高い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜1406は、酸化ガリウム、酸化ハフニウム、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化物、アルミニウムおよびハフニウムを有する酸化窒化物、シリコンおよびハフニウムを有する酸化物、またはシリコンおよびハフニウムを有する酸化窒化物などを有することが好ましい。
また、絶縁膜1406は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、比誘電率の高い絶縁体と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、比誘電率の高い絶縁体と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の高い積層構造とすることができる。例えば、酸化アルミニウム、酸化ガリウムまたは酸化ハフニウムを金属酸化物1433側に有することで、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンに含まれるシリコンが、金属酸化物1432に混入することを抑制することができる。
また、例えば、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを金属酸化物1433側に有することで、酸化アルミニウム、酸化ガリウムまたは酸化ハフニウムと、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、の界面にトラップセンターが形成される場合がある。該トラップセンターは、電子を捕獲することでトランジスタのしきい値電圧をプラス方向に変動させることができる場合がある。
<<層間絶縁膜、保護絶縁膜>>
絶縁膜1405は、比誘電率の低い絶縁体を有することが好ましい。例えば、絶縁膜1405は、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコンまたは樹脂などを有することが好ましい。または、絶縁膜1405は、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンと、樹脂と、の積層構造を有することが好ましい。酸化シリコンおよび酸化窒化シリコンは、熱的に安定であるため、樹脂と組み合わせることで、熱的に安定かつ比誘電率の低い積層構造とすることができる。樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド(ナイロン、アラミドなど)、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリルなどがある。
絶縁膜1407は、酸素、水素、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等のブロッキングできる機能を有する。絶縁膜1407を設けることで、金属酸化物1430からの酸素の外部への拡散と、外部から金属酸化物1430への水素、水等の入り込みを防ぐことができる。
絶縁膜1407としては、例えば、窒化物絶縁膜を用いることができる。該窒化物絶縁膜としては、窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム等がある。なお、窒化物絶縁膜の代わりに、酸素、水素、水等のブロッキング効果を有する酸化物絶縁膜を設けてもよい。酸化物絶縁膜としては、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等がある。
酸化アルミニウム膜は、水素、水分などの不純物、および酸素の両方に対して膜を透過させない遮断効果が高いので絶縁膜1407に適用するのに好ましい。
絶縁膜1407は、スパッタリング法、CVD法など酸素を含むプラズマを用いて成膜することで、絶縁膜1405、絶縁膜1406の側面及び表面に、酸素を添加することが可能になる。また、絶縁膜1407を成膜した後、何れかのタイミングにおいて、第2の加熱処理を行うことが好ましい。第2の加熱処理によって、絶縁膜1405、絶縁膜1406に添加された酸素が、絶縁膜中を拡散し、金属酸化物1430に到達し、金属酸化物1430の酸素欠損を低減することが可能になる。
図15(A)(B)は、絶縁膜1407を成膜する際に絶縁膜1405、絶縁膜1406に添加された酸素が、第2の加熱処理によって絶縁膜中を拡散し、金属酸化物1430に到達する様子を描いた模式図である。図15(A)は、図13(B)の断面図において、酸素が拡散する様子を矢印で示している。同様に、図15(B)は、図13(C)の断面図において、酸素が拡散する様子を矢印で示している。
図15(A)、図15(B)に示すように、絶縁膜1406の側面に添加された酸素が、絶縁膜1406の内部を拡散し、金属酸化物1430に到達する。また、絶縁膜1407と絶縁膜1405の界面近傍に、酸素を過剰に含む領域1461、領域1462及び領域1463が形成される場合がある。領域1461乃至1463に含まれる酸素は、絶縁膜1405、絶縁膜1404を経由し、金属酸化物1430に到達する。絶縁膜1405が酸化シリコンを含み、絶縁膜1407が酸化アルミニウムを含む場合、領域1461乃至1463は、シリコンとアルミニウムと酸素の混合層が形成される場合がある。
絶縁膜1407は、酸素をブロックする機能を有し、酸素が絶縁膜1407より上方に拡散することを防ぐ。同様に、絶縁膜1403は、酸素をブロックする機能を有し、酸素が絶縁膜1403より下方に拡散することを防ぐ。
なお、第2の加熱処理は、絶縁膜1405、絶縁膜1406に添加された酸素が金属酸化物1430まで拡散する温度で行えばよい。例えば、第1の加熱処理についての記載を参照しても構わない。または、第2の加熱処理は、第1の加熱処理よりも低い温度が好ましい。第1の加熱処理と第2の加熱処理の温度差は、20℃以上かつ150℃以下、好ましくは40℃以上かつ100℃以下とする。これにより、絶縁膜1404から余分に酸素が放出することを抑えることができる。なお、第2の加熱処理は、同等の加熱処理を各層の成膜時の加熱によって兼ねることができる場合、行わなくてもよい場合がある。
このように、金属酸化物1430は、絶縁膜1407の成膜及び第2の加熱処理によって、上下方向から酸素が供給されることが可能になる。
また、In−M−Zn酸化物など、酸化インジウムを含む膜を絶縁膜1407として成膜することで、絶縁膜1405、絶縁膜1406に酸素を添加してもよい。
絶縁膜1408には、酸化アルミニウム、窒化酸化アルミニウム、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化ガリウム、酸化ゲルマニウム、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ランタン、酸化ネオジム、酸化ハフニウム、酸化タンタルなどから選ばれた一種以上含む絶縁体を用いることができる。また、絶縁膜1408には、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂等の樹脂を用いることもできる。また、絶縁膜1408は上記材料の積層であってもよい。
<トランジスタの構成例2>
図13に示すトランジスタ1400aは、導電膜1414及び絶縁膜1402、絶縁膜1403を省略してもよい。その場合の例を図16に示す。
図16(A)乃至図16(C)は、トランジスタ1400bの上面図および断面図である。図16(A)は上面図である。図16(B)は、図16(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図16(C)は、図16(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図16(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ1400bのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ1400bのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
図13に示すトランジスタ1400aにおいて、導電膜1421、導電膜1423は、ゲート電極(導電膜1411乃至導電膜1413)と重なる部分の膜厚を薄くしてもよい。その場合の例を図17に示す。
図17(A)乃至図17(C)は、トランジスタ1400cの上面図および断面図である。図17(A)は上面図である。図17(B)は、図17(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図17(C)は、図17(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図17(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ1400cのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ1400cのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
図17(B)のトランジスタ1400cにおいて、ゲート電極と重なる部分の導電膜1421が薄膜化され、その上を導電膜1422が覆っている。同様に、ゲート電極と重なる部分の導電膜1423が薄膜化され、その上を導電膜1424が覆っている。
トランジスタ1400cは、図17(B)に示すような構成にすることで、ゲート電極とソース電極との間の距離、又は、ゲート電極とドレイン電極との間の距離を長くすることが可能になり、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との間に形成される寄生容量を低減することが可能になる。その結果、高速動作が可能なトランジスタを得ることが可能になる。
<トランジスタの構成例3>
図17に示すトランジスタ1400cにおいて、A3−A4方向に、金属酸化物1431、1432の幅を広げてもよい。その場合の例を図18に示す。
図18(A)乃至図18(C)は、トランジスタ1400dの上面図および断面図である。図18(A)は上面図である。図18(B)は、図18(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図18(C)は、図18(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図18(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ1400dのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ1400dのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
トランジスタ1400dは、図18に示す構成にすることで、オン電流を増大させることが可能になる。
<トランジスタの構成例4>
図17に示すトランジスタ1400cにおいて、A3−A4方向に、金属酸化物1431、金属酸化物1432から成る領域(以下、フィンと呼ぶ)を複数設けてもよい。その場合の例を図19に示す。
図19(A)乃至図19(C)は、トランジスタ1400eの上面図および断面図である。図19(A)は上面図である。図19(B)は、図19(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図19(C)は、図19(A)に示す一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、図19(A)の上面図では、図の明瞭化のために一部の要素を省いて図示している。なお、一点鎖線A1−A2をトランジスタ1400eのチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をトランジスタ1400eのチャネル幅方向と呼ぶ場合がある。
トランジスタ1400eは、金属酸化物1431a、金属酸化物1432aから成る第1のフィンと、金属酸化物1431b、金属酸化物1432bから成る第2のフィンと、金属酸化物1431c、金属酸化物1432cから成る第3のフィンと、を有している。
トランジスタ1400eは、チャネルが形成される金属酸化物1432a乃至金属酸化物1432cを、ゲート電極が取り囲むことで、チャネル全体にゲート電界を印加することが可能になり、オン電流が高いトランジスタを得ることが可能になる。
<トランジスタの構成例5>
図20(A)乃至図20(D)は、トランジスタ1400fの上面図および断面図である。図20(A)は、トランジスタ1400fの上面図であり、図20(B)は図20(A)に示す一点鎖線A1−A2に対応する断面図であり、図20(C)は一点鎖線A3−A4に対応する断面図である。なお、一点鎖線A1−A2をチャネル長方向、一点鎖線A3−A4をチャネル幅方向という場合がある。トランジスタ1400fもトランジスタ1400a等と同様に、s−channel構造のトランジスタである。トランジスタ1400fでは、ゲート電極を構成する導電膜1412の側面に接して、絶縁膜1409が設けられている。絶縁膜1409および導電膜1412が絶縁膜1408に覆われている。絶縁膜1409はトランジスタ1400fのサイドウォール絶縁膜として機能する。トランジスタ1400aと同様に、ゲート電極を導電膜1411乃至導電膜1413の積層としてもよい。
絶縁膜1406及び導電膜1412は、少なくとも一部が導電膜1414及び金属酸化物1432と重なる。導電膜1412のチャネル長方向の側面端部と絶縁膜1406のチャネル長方向の側面端部は概略一致していることが好ましい。ここで、絶縁膜1406はトランジスタ1400fのゲート絶縁膜として機能し、導電膜1412はトランジスタ1400fのゲート電極として機能し、絶縁膜1409はトランジスタ1400fのサイドウォール絶縁膜として機能する。
金属酸化物1432は、金属酸化物1433および絶縁膜1406を介して導電膜1412と重なる領域を有する。金属酸化物1431の外周が金属酸化物1432の外周と概略一致し、金属酸化物1433の外周が金属酸化物1431及び金属酸化物1432の外周よりも外側に位置することが好ましい。ここでは、金属酸化物1433の外周が金属酸化物1431の外周よりも外側に位置する形状となっているが、本実施の形態に示すトランジスタはこれに限られるものではない。例えば、金属酸化物1431の外周が金属酸化物1433の外周より外側に位置してもよいし、金属酸化物1431の側面端部と、金属酸化物1433の側面端部とが概略一致する形状としてもよい。
図20(D)に図20(B)の部分拡大図を示す。図20(D)に示すように、金属酸化物1430には、領域1461a、1461b、1461c、1461d及び1461eが形成されている。領域1461b乃至領域1461eは、領域1461aと比較してドーパントの濃度が高く、低抵抗化されている。さらに、領域1461b及び領域1461cは、領域1461d及び領域1461eと比較して水素の濃度が高く、より低抵抗化されている。例えば、領域1461aは、領域1461bまたは領域1461cのドーパントの最大濃度に対して、5%以下の濃度の領域、2%以下の濃度の領域、または1%以下の濃度の領域とすればよい。なお、ドーパントを、ドナー、アクセプター、不純物または元素と言い換えてもよい。
図20(D)に示すように、金属酸化物1430において、領域1461aは導電膜1412と概ね重なる領域であり、領域1461b、領域1461c、領域1461d及び領域1461eは、領域1461aを除いた領域である。領域1461b及び領域1461cにおいては、金属酸化物1433の上面が絶縁膜1407と接する。領域1461d及び領域1461eにおいては、金属酸化物1433の上面が絶縁膜1409又は絶縁膜1406と接する。つまり、図20(D)に示すように、領域1461bと領域1461dの境界は、絶縁膜1407と絶縁膜1409の側面端部の境界と重なる部分である。領域1461cと領域1461eの境界についても同様である。ここで、領域1461d及び領域1461eの一部が、金属酸化物1432の導電膜1412と重なる領域(チャネル形成領域)の一部と重なることが好ましい。例えば、領域1461d及び領域1461eのチャネル長方向の側面端部は、導電膜1412の側面端部より距離dだけ導電膜1412の内側に位置することが好ましい。このとき、絶縁膜1406の膜厚t406および距離dは、0.25t406<d<t406を満たすことが好ましい。
このように、金属酸化物1430の導電膜1412と重なる領域の一部に領域1461d及び領域1461eが形成される。これにより、トランジスタ1400fのチャネル形成領域と抵抗化された領域1461d及び領域1461eが接し、領域1461dおよび領域1461eと、領域1461aとの間に、高抵抗のオフセット領域が形成されないため、トランジスタ1400fのオン電流を増大させることができる。さらに、領域1461d及び領域1461eのチャネル長方向の側面端部が上記の範囲を満たして形成されることで、領域1461d及び領域1461eがチャネル形成領域に対して深く形成されすぎて常に導通状態になってしまうことも防ぐことができる。
領域1461b、領域1461c、領域1461d及び領域1461eは、イオン注入法などのイオンドーピング処理により形成される。このため、図20(D)に示すように、領域1461d及び領域1461eのチャネル長方向の側面端部の位置が、金属酸化物1433上面から深くなるにしたがって、金属酸化物1430のチャネル長方向の側面端部側にシフトする場合がある。このとき、距離dは、最も導電膜1412の内側の近くに位置する、領域1461d及び領域1461eのチャネル長方向の側面端部と導電膜1412のチャネル長方向の側面端部との距離とする。
この場合、例えば、金属酸化物1431中に形成される領域1461d及び領域1461eが導電膜1412と重なる領域に形成されない場合がある。この場合、金属酸化物1431又は金属酸化物1432に形成される領域1461d及び領域1461eの少なくとも一部が導電膜1412と重なる領域に形成されることが好ましい。
また、金属酸化物1431、金属酸化物1432及び金属酸化物1433の絶縁膜1407との界面近傍に低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452が形成されることが好ましい。低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452は、絶縁膜1407に含まれる元素の少なくとも一が含まれる。低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452の一部が、金属酸化物1432の導電膜1412と重なる領域(チャネル形成領域)と概略接するか、当該領域の一部と重なることが好ましい。
また、金属酸化物1433は絶縁膜1407と接する領域が大きいため、低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452は金属酸化物1433に形成されやすい。金属酸化物1433における低抵抗領域1451と低抵抗領域1452は、金属酸化物1433の低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452ではない領域(例えば、金属酸化物1433の導電膜1412と重なる領域)より、絶縁膜1407に含まれる元素の濃度が高い。
領域1461b中に低抵抗領域1451が形成され、領域1461c中に低抵抗領域1452が形成される。金属酸化物1430の理想的な構造は、例えば、添加元素の濃度が最も高い領域が低抵抗領域1451、1452であり、次に濃度が高い領域が、領域1461b、領域1461c乃至1461eの低抵抗領域1451、1452を含まない領域であり、濃度が最も低い領域が領域1461aであることである。添加元素とは、領域1461b、1461cを形成するためのドーパント、および低抵抗領域1451、1452に絶縁膜1407から添加される元素が該当する。
なおトランジスタ1400fでは低抵抗領域1451、1452が形成される構成としているが、本実施の形態に示す半導体装置は、必ずしもこれに限られるものではない。例えば、領域1461b及び領域1461cの抵抗が十分低い場合、低抵抗領域1451及び低抵抗領域1452を形成する必要はない。
<トランジスタの構成例6>
図21(A)および図21(B)は、トランジスタ1680の上面図および断面図である。図21(A)は上面図であり、図21(A)に示す一点鎖線A−B方向の断面が図21(B)に相当する。なお、図21(A)及び図21(B)では、図の明瞭化のために一部の要素を拡大、縮小、または省略して図示している。また、一点鎖線A−B方向をチャネル長方向と呼称する場合がある。
図21(B)に示すトランジスタ1680は、第1のゲートとして機能する導電膜1689と、第2のゲートとして機能する導電膜1688と、半導体1682と、ソース及びドレインとして機能する導電膜1683及び導電膜1684と、絶縁膜1681と、絶縁膜1685と、絶縁膜1686と、絶縁膜1687と、を有する。
導電膜1689は、絶縁表面上に設けられる。導電膜1689と、半導体1682とは、絶縁膜1681を間に挟んで、互いに重なる。また、導電膜1688と、半導体1682とは、絶縁膜1685、絶縁膜1686及び絶縁膜1687を間に挟んで、互いに重なる。また、導電膜1683及び導電膜1684は、半導体1682に、接続されている。
導電膜1689及び導電膜1688の詳細は、図13に示す導電膜1411乃至導電膜1414の記載を参照すればよい。
導電膜1689と導電膜1688は、異なる電位が与えられてもよいし、同時に同じ電位が与えられてもよい。トランジスタ1680は、第2のゲート電極として機能する導電膜1688を設けることで、しきい値を安定化させることが可能になる。なお、導電膜1688は、場合によっては省略してもよい。
半導体1682の詳細は、図13に示す金属酸化物1432の記載を参照すればよい。また、半導体1682は、一層でも良いし、複数の半導体層の積層でも良い。
導電膜1683及び導電膜1684の詳細は、図13に示す導電膜1421乃至1424の記載を参照すればよい。
絶縁膜1681の詳細は、図13に示す絶縁膜1406の記載を参照すればよい。
なお、図21(B)では、半導体1682、導電膜1683及び導電膜1684上に、順に積層された絶縁膜1685乃至絶縁膜1687が設けられている場合を例示しているが、半導体1682、導電膜1683及び導電膜1684上に設けられる絶縁膜は、一層でも良いし、複数の絶縁膜の積層でも良い。
半導体1682に酸化物半導体を用いた場合、絶縁膜1686は、化学量論的組成以上の酸素が含まれており、加熱により上記酸素の一部を半導体1682に供給する機能を有する絶縁膜であることが望ましい。ただし、絶縁膜1686を半導体1682上に直接設けると、絶縁膜1686の形成時に半導体1682にダメージが与えられる場合、図21(B)に示すように、絶縁膜1685を半導体1682と絶縁膜1686の間に設けると良い。絶縁膜1685は、その形成時に半導体1682に与えるダメージが絶縁膜1686の場合よりも小さく、なおかつ、酸素を透過する機能を有する絶縁膜であることが望ましい。ただし、半導体1682に与えられるダメージを小さく抑えつつ、半導体1682上に絶縁膜1686を直接形成することができるのであれば、絶縁膜1685は必ずしも設けなくとも良い。
例えば、絶縁膜1685及び絶縁膜1686として、酸化シリコンまたは酸化窒化シリコンを含む材料を用いることが好ましい。または、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等の金属酸化物を用いることもできる。
絶縁膜1687は、酸素、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を有することが、望ましい。或いは、絶縁膜1687は、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を有することが、望ましい。
絶縁膜は、密度が高くて緻密である程、また未結合手が少なく化学的に安定である程、より高いブロッキング効果を示す。酸素、水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を示す絶縁膜は、例えば、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化窒化ガリウム、酸化イットリウム、酸化窒化イットリウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウム等を用いて、形成することができる。水素、水の拡散を防ぐブロッキング効果を示す絶縁膜は、例えば、窒化シリコン、窒化酸化シリコン等を用いることができる。
絶縁膜1687が水、水素などの拡散を防ぐブロッキング効果を有する場合、パネル内の樹脂や、パネルの外部に存在する水、水素などの不純物が、半導体1682に侵入するのを防ぐことができる。半導体1682に酸化物半導体を用いる場合、酸化物半導体に侵入した水または水素の一部は電子供与体(ドナー)となるため、上記ブロッキング効果を有する絶縁膜1687を用いることで、トランジスタ1680の閾値電圧がドナーの生成によりシフトするのを防ぐことができる。
また、半導体1682に酸化物半導体を用いる場合、絶縁膜1687が酸素の拡散を防ぐブロッキング効果を有することで、酸化物半導体からの酸素が外部に拡散するのを防ぐことができる。よって、酸化物半導体中において、ドナーとなる酸素欠損が低減されるので、トランジスタ1680の閾値電圧がドナーの生成によりシフトするのを防ぐことができる。
(実施の形態4)
本実施の形態では、上記実施の形態で説明したOSトランジスタに適用可能な酸化物半導体膜の構造について説明する。
<酸化物半導体の構造>
酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、CAAC−OS(c−axis−aligned and a−b−plane anchored crystal oxide semiconductor)、多結晶酸化物半導体、nc−OS(nanocrystalline oxide semiconductor)、擬似非晶質酸化物半導体(a−like OS:amorphous−like oxide semiconductor)および非晶質酸化物半導体などがある。
また別の観点では、酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体と、それ以外の結晶性酸化物半導体と、に分けられる。結晶性酸化物半導体としては、単結晶酸化物半導体、CAAC−OS、多結晶酸化物半導体およびnc−OSなどがある。
非晶質構造は、一般に、等方的であって不均質構造を持たない、準安定状態で原子の配置が固定化していない、結合角度が柔軟である、短距離秩序は有するが長距離秩序を有さない、などといわれている。
即ち、安定な酸化物半導体を完全な非晶質(completely amorphous)酸化物半導体とは呼べない。また、等方的でない(例えば、微小な領域において周期構造を有する)酸化物半導体を、完全な非晶質酸化物半導体とは呼べない。一方、a−like OSは、等方的でないが、鬆(ボイドともいう。)を有する不安定な構造である。不安定であるという点では、a−like OSは、物性的に非晶質酸化物半導体に近い。
<CAAC−OS>
まずは、CAAC−OSについて説明する。
CAAC−OSは、c軸配向した複数の結晶部(ペレットともいう。)を有する酸化物半導体の一種である。
CAAC−OSをX線回折(XRD:X−Ray Diffraction)によって解析した場合について説明する。例えば、空間群R−3mに分類されるInGaZnO4の結晶を有するCAAC−OSに対し、out−of−plane法による構造解析を行うと、図22(A)に示すように回折角(2θ)が31°近傍にピークが現れる。このピークは、InGaZnO4の結晶の(009)面に帰属されることから、CAAC−OSでは、結晶がc軸配向性を有し、c軸がCAAC−OSの膜を形成する面(被形成面ともいう。)、または上面に略垂直な方向を向いていることが確認できる。なお、2θが31°近傍のピークの他に、2θが36°近傍にもピークが現れる場合がある。2θが36°近傍のピークは、空間群Fd−3mに分類される結晶構造に起因する。そのため、CAAC−OSは、該ピークを示さないことが好ましい。
一方、CAAC−OSに対し、被形成面に平行な方向からX線を入射させるin−plane法による構造解析を行うと、2θが56°近傍にピークが現れる。このピークは、InGaZnO4の結晶の(110)面に帰属される。そして、2θを56°近傍に固定し、試料面の法線ベクトルを軸(φ軸)として試料を回転させながら分析(φスキャン)を行っても、図22(B)に示すように明瞭なピークは現れない。一方、単結晶InGaZnO4に対し、2θを56°近傍に固定してφスキャンした場合、図22(C)に示すように(110)面と等価な結晶面に帰属されるピークが6本観察される。したがって、XRDを用いた構造解析から、CAAC−OSは、a軸およびb軸の配向が不規則であることが確認できる。
次に、電子回折によって解析したCAAC−OSについて説明する。例えば、InGaZnO4の結晶を有するCAAC−OSに対し、CAAC−OSの被形成面に平行にプローブ径が300nmの電子線を入射させると、図22(D)に示すような回折パターン(制限視野電子回折パターンともいう。)が現れる場合がある。この回折パターンには、InGaZnO4の結晶の(009)面に起因するスポットが含まれる。したがって、電子回折によっても、CAAC−OSに含まれるペレットがc軸配向性を有し、c軸が被形成面または上面に略垂直な方向を向いていることがわかる。一方、同じ試料に対し、試料面に垂直にプローブ径が300nmの電子線を入射させたときの回折パターンを図22(E)に示す。図22(E)より、リング状の回折パターンが確認される。したがって、プローブ径が300nmの電子線を用いた電子回折によっても、CAAC−OSに含まれるペレットのa軸およびb軸は配向性を有さないことがわかる。なお、図22(E)における第1リングは、InGaZnO4の結晶の(010)面および(100)面などに起因すると考えられる。また、図22(E)における第2リングは(110)面などに起因すると考えられる。
また、透過型電子顕微鏡(TEM:Transmission Electron Microscope)によって、CAAC−OSの明視野像と回折パターンとの複合解析像(高分解能TEM像ともいう。)を観察すると、複数のペレットを確認することができる。一方、高分解能TEM像であってもペレット同士の境界、即ち結晶粒界(グレインバウンダリーともいう。)を明確に確認することができない場合がある。そのため、CAAC−OSは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。
図23(A)に、試料面と略平行な方向から観察したCAAC−OSの断面の高分解能TEM像を示す。高分解能TEM像の観察には、球面収差補正(Spherical Aberration Corrector)機能を用いた。球面収差補正機能を用いた高分解能TEM像を、特にCs補正高分解能TEM像と呼ぶ。Cs補正高分解能TEM像は、例えば、日本電子株式会社製原子分解能分析電子顕微鏡JEM−ARM200Fなどによって観察することができる。
図23(A)より、金属原子が層状に配列している領域であるペレットを確認することができる。ペレット一つの大きさは1nm以上のものや、3nm以上のものがあることがわかる。したがって、ペレットを、ナノ結晶(nc:nanocrystal)と呼ぶこともできる。また、CAAC−OSを、CANC(C−Axis Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。ペレットは、CAAC−OSの膜を被形成面または上面の凹凸を反映しており、CAAC−OSの被形成面または上面と平行となる。
また、図23(B)および図23(C)に、試料面と略垂直な方向から観察したCAAC−OSの平面のCs補正高分解能TEM像を示す。図23(D)および図23(E)は、それぞれ図23(B)および図23(C)を画像処理した像である。以下では、画像処理の方法について説明する。まず、図23(B)を高速フーリエ変換(FFT:Fast Fourier Transform)処理することでFFT像を取得する。次に、取得したFFT像において原点を基準に、2.8nm−1から5.0nm−1の間の範囲を残すマスク処理する。次に、マスク処理したFFT像を、逆高速フーリエ変換(IFFT:Inverse Fast Fourier Transform)処理することで画像処理した像を取得する。こうして取得した像をFFTフィルタリング像と呼ぶ。FFTフィルタリング像は、Cs補正高分解能TEM像から周期成分を抜き出した像であり、格子配列を示している。
図23(D)では、格子配列の乱れた箇所を破線で示している。破線で囲まれた領域が、一つのペレットである。そして、破線で示した箇所がペレットとペレットとの連結部である。破線は、六角形状であるため、ペレットが六角形状であることがわかる。なお、ペレットの形状は、正六角形状とは限らず、非正六角形状である場合が多い。
図23(E)では、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を点線で示し、格子配列の向きの変化を破線で示している。点線近傍においても、明確な結晶粒界を確認することはできない。点線近傍の格子点を中心に周囲の格子点を繋ぐと、歪んだ六角形が形成できる。即ち、格子配列を歪ませることによって結晶粒界の形成を抑制していることがわかる。これは、CAAC−OSが、a−b面方向において原子配列が稠密でないことや、金属元素が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
以上に示すように、CAAC−OSは、c軸配向性を有し、かつa−b面方向において複数のペレット(ナノ結晶)が連結し、歪みを有した結晶構造となっている。よって、CAAC−OSを、CAA crystal(c−axis−aligned a−b−plane−anchored crystal)と称することもできる。
CAAC−OSは結晶性の高い酸化物半導体である。酸化物半導体の結晶性は不純物の混入や欠陥の生成などによって低下する場合があるため、CAAC−OSは不純物や欠陥(酸素欠損など)の少ない酸化物半導体ともいえる。
なお、不純物は、酸化物半導体の主成分以外の元素で、水素、炭素、シリコン、遷移金属元素などがある。例えば、シリコンなどの、酸化物半導体を構成する金属元素よりも酸素との結合力の強い元素は、酸化物半導体から酸素を奪うことで酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。また、鉄やニッケルなどの重金属、アルゴン、二酸化炭素などは、原子半径(または分子半径)が大きいため、酸化物半導体の原子配列を乱し、結晶性を低下させる要因となる。
酸化物半導体が不純物や欠陥を有する場合、光や熱などによって特性が変動する場合がある。例えば、酸化物半導体に含まれる不純物は、キャリアトラップとなる場合や、キャリア発生源となる場合がある。例えば、酸化物半導体中の酸素欠損は、キャリアトラップとなる場合や、水素を捕獲することによってキャリア発生源となる場合がある。
不純物および酸素欠損の少ないCAAC−OSは、キャリア密度の低い酸化物半導体である。具体的には、8×1011個/cm3未満、好ましくは1×1011/cm3未満、さらに好ましくは1×1010個/cm3未満であり、1×10−9個/cm3以上のキャリア密度の酸化物半導体とすることができる。そのような酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ。CAAC−OSは、不純物濃度が低く、欠陥準位密度が低い。即ち、安定な特性を有する酸化物半導体であるといえる。
<nc−OS>
次に、nc−OSについて説明する。
nc−OSをXRDによって解析した場合について説明する。例えば、nc−OSに対し、out−of−plane法による構造解析を行うと、配向性を示すピークが現れない。即ち、nc−OSの結晶は配向性を有さない。
また、例えば、InGaZnO4の結晶を有するnc−OSを薄片化し、厚さが34nmの領域に対し、被形成面に平行にプローブ径が50nmの電子線を入射させると、図24(A)に示すようなリング状の回折パターン(ナノビーム電子回折パターン)が観測される。また、同じ試料にプローブ径が1nmの電子線を入射させたときの回折パターン(ナノビーム電子回折パターン)を図24(B)に示す。図24(B)より、リング状の領域内に複数のスポットが観測される。したがって、nc−OSは、プローブ径が50nmの電子線を入射させることでは秩序性が確認されないが、プローブ径が1nmの電子線を入射させることでは秩序性が確認される。
また、厚さが10nm未満の領域に対し、プローブ径が1nmの電子線を入射させると、図24(C)に示すように、スポットが略正六角状に配置された電子回折パターンを観測される場合がある。したがって、厚さが10nm未満の範囲において、nc−OSが秩序性の高い領域、即ち結晶を有することがわかる。なお、結晶が様々な方向を向いているため、規則的な電子回折パターンが観測されない領域もある。
図24(D)に、被形成面と略平行な方向から観察したnc−OSの断面のCs補正高分解能TEM像を示す。nc−OSは、高分解能TEM像において、補助線で示す箇所などのように結晶部を確認することのできる領域と、明確な結晶部を確認することのできない領域と、を有する。nc−OSに含まれる結晶部は、1nm以上10nm以下の大きさであり、特に1nm以上3nm以下の大きさであることが多い。なお、結晶部の大きさが10nmより大きく100nm以下である酸化物半導体を微結晶酸化物半導体(fine crystalline oxide semiconductor)と呼ぶことがある。nc−OSは、例えば、高分解能TEM像では、結晶粒界を明確に確認できない場合がある。なお、ナノ結晶は、CAAC−OSにおけるペレットと起源を同じくする可能性がある。そのため、以下ではnc−OSの結晶部をペレットと呼ぶ場合がある。
このように、nc−OSは、微小な領域(例えば、1nm以上10nm以下の領域、特に1nm以上3nm以下の領域)において原子配列に周期性を有する。また、nc−OSは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。したがって、nc−OSは、分析方法によっては、a−like OSや非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。
なお、ペレット(ナノ結晶)間で結晶方位が規則性を有さないことから、nc−OSを、RANC(Random Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体、またはNANC(Non−Aligned nanocrystals)を有する酸化物半導体と呼ぶこともできる。
nc−OSは、非晶質酸化物半導体よりも規則性の高い酸化物半導体である。そのため、nc−OSは、a−like OSや非晶質酸化物半導体よりも欠陥準位密度が低くなる。ただし、nc−OSは、異なるペレット間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、nc−OSは、CAAC−OSと比べて欠陥準位密度が高くなる。
<a−like OS>
a−like OSは、nc−OSと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。
図25に、a−like OSの高分解能断面TEM像を示す。ここで、図25(A)は電子照射開始時におけるa−like OSの高分解能断面TEM像である。図25(B)は4.3×108e−/nm2の電子(e−)照射後におけるa−like OSの高分解能断面TEM像である。図25(A)および図25(B)より、a−like OSは電子照射開始時から、縦方向に延伸する縞状の明領域が観察されることがわかる。また、明領域は、電子照射後に形状が変化することがわかる。なお、明領域は、鬆または低密度領域と推測される。
鬆を有するため、a−like OSは、不安定な構造である。以下では、a−like OSが、CAAC−OSおよびnc−OSと比べて不安定な構造であることを示すため、電子照射による構造の変化を示す。
試料として、a−like OS、nc−OSおよびCAAC−OSを準備する。いずれの試料もIn−Ga−Zn酸化物である。
まず、各試料の高分解能断面TEM像を取得する。高分解能断面TEM像により、各試料は、いずれも結晶部を有する。
なお、InGaZnO4の結晶の単位格子は、In−O層を3層有し、またGa−Zn−O層を6層有する、計9層がc軸方向に層状に重なった構造を有することが知られている。これらの近接する層同士の間隔は、(009)面の格子面間隔(d値ともいう。)と同程度であり、結晶構造解析からその値は0.29nmと求められている。したがって、以下では、格子縞の間隔が0.28nm以上0.30nm以下である箇所を、InGaZnO4の結晶部と見なした。なお、格子縞は、InGaZnO4の結晶のa−b面に対応する。
図26は、各試料の結晶部(22箇所から30箇所)の平均の大きさを調査した例である。なお、上述した格子縞の長さを結晶部の大きさとしている。図26より、a−like OSは、TEM像の取得などに係る電子の累積照射量に応じて結晶部が大きくなっていくことがわかる。図26より、TEMによる観察初期においては1.2nm程度の大きさだった結晶部(初期核ともいう。)が、電子(e−)の累積照射量が4.2×108e−/nm2においては1.9nm程度の大きさまで成長していることがわかる。一方、nc−OSおよびCAAC−OSは、電子照射開始時から電子の累積照射量が4.2×108e−/nm2までの範囲で、結晶部の大きさに変化が見られないことがわかる。図26より、電子の累積照射量によらず、nc−OSおよびCAAC−OSの結晶部の大きさは、それぞれ1.3nm程度および1.8nm程度であることがわかる。なお、電子線照射およびTEMの観察は、日立透過電子顕微鏡H−9000NARを用いた。電子線照射条件は、加速電圧を300kV、電流密度を6.7×105e−/(nm2・s)、照射領域の直径を230nmとした。
このように、a−like OSは、電子照射によって結晶部の成長が見られる場合がある。一方、nc−OSおよびCAAC−OSは、電子照射による結晶部の成長がほとんど見られない。即ち、a−like OSは、nc−OSおよびCAAC−OSと比べて、不安定な構造であることがわかる。
また、鬆を有するため、a−like OSは、nc−OSおよびCAAC−OSと比べて密度の低い構造である。具体的には、a−like OSの密度は、同じ組成の単結晶の密度の78.6%以上92.3%未満である。また、nc−OSの密度およびCAAC−OSの密度は、同じ組成の単結晶の密度の92.3%以上100%未満である。単結晶の密度の78%未満である酸化物半導体は、成膜すること自体が困難である。
例えば、In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比]を満たす酸化物半導体において、菱面体晶構造を有する単結晶InGaZnO4の密度は6.357g/cm3である。よって、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比]を満たす酸化物半導体において、a−like OSの密度は5.0g/cm3以上5.9g/cm3未満である。また、例えば、In:Ga:Zn=1:1:1[原子数比]を満たす酸化物半導体において、nc−OSの密度およびCAAC−OSの密度は5.9g/cm3以上6.3g/cm3未満である。
なお、同じ組成の単結晶が存在しない場合、任意の割合で組成の異なる単結晶を組み合わせることにより、所望の組成における単結晶に相当する密度を見積もることができる。所望の組成の単結晶に相当する密度は、組成の異なる単結晶を組み合わせる割合に対して、加重平均を用いて見積もればよい。ただし、密度は、可能な限り少ない種類の単結晶を組み合わせて見積もることが好ましい。
以上のように、酸化物半導体は、様々な構造をとり、それぞれが様々な特性を有する。なお、酸化物半導体は、例えば、非晶質酸化物半導体、a−like OS、nc−OS、CAAC−OSのうち、二種以上を有する積層膜であってもよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
(実施の形態5)
本実施の形態では、上述の実施の形態で説明し電池管理回路を電子部品に適用する例について、図27を用いて説明する。
図27(A)では上述の実施の形態で説明し電池管理回路を電子部品に適用する例について説明する。なお電子部品は、半導体パッケージ、又はIC用パッケージともいう。この電子部品は、端子取り出し方向や、端子の形状に応じて、複数の規格や名称が存在する。そこで、本実施の形態では、その一例について説明することにする。
OSトランジスタやSiトランジスタで構成される回路部は、組み立て工程(後工程)を経て、プリント基板に脱着可能な部品が複数合わさることで完成する。
後工程については、図27(A)に示す各工程を経ることで完成させることができる。具体的には、前工程で得られる素子基板が完成(ステップS1)した後、基板の裏面を研削する(ステップS2)。この段階で基板を薄膜化することで、前工程での基板の反り等を低減し、部品としての小型化を図るためである。
基板の裏面を研削して、基板を複数のチップに分離するダイシング工程を行う。そして、分離したチップを個々にピックアップしてリードフレーム上に搭載し接合する、ダイボンディング工程を行う(ステップS3)。このダイボンディング工程におけるチップとリードフレームとの接着は、樹脂による接着や、テープによる接着等、適宜製品に応じて適した方法を選択する。なお、ダイボンディング工程は、インターポーザ上に搭載し接合してもよい。
次いでリードフレームのリードとチップ上の電極とを、金属の細線(ワイヤー)で電気的に接続する、ワイヤーボンディングを行う(ステップS4)。金属の細線には、銀線や金線を用いることができる。また、ワイヤーボンディングは、ボールボンディングや、ウェッジボンディングを用いることができる。
ワイヤーボンディングされたチップは、エポキシ樹脂等で封止される、モールド工程が施される(ステップS5)。モールド工程を行うことで電子部品の内部が樹脂で充填され、機械的な外力により、内蔵される回路部やワイヤーを保護することができ、また水分や埃による特性の劣化を低減することができる。
次いでリードフレームのリードをメッキ処理する。そしてリードを切断及び成形加工する(ステップS6)。このめっき処理によりリードの錆を防止し、後にプリント基板に実装する際のはんだ付けをより確実に行うことができる。
次いでパッケージの表面に印字処理(マーキング)を施す(ステップS7)。そして最終的な検査工程(ステップS8)を経てPLDを含む回路部を有する電子部品が完成する(ステップS9)。
また、完成した電子部品の斜視模式図を図27(B)に示す。図27(B)では、電子部品の一例として、QFP(Quad Flat Package)の斜視模式図を示している。図27(B)に示す電子部品700は、リード701及び回路部703を示している。図27(B)に示す電子部品700は、例えばプリント基板702に実装される。このような電子部品700が複数組み合わされて、それぞれがプリント基板702上で電気的に接続されることで電子機器の内部に搭載することができる。完成した回路基板704は、電子機器等の内部に設けられる。
(実施の形態6)
本発明の一態様である蓄電装置は、電力により駆動する様々な電気機器の電源として用いることができる。
本発明の一態様である蓄電装置を用いた電気機器の具体例として、表示装置、照明装置、デスクトップ型或いはノート型のパーソナルコンピュータ、ブルーレイディスク(Blu−ray Disc)(登録商標)などの記録媒体に記憶された静止画または動画を再生する画像再生装置、携帯電話、スマートフォン、携帯情報端末、携帯型ゲーム機、電子書籍端末、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器、電気洗濯機、エアコンディショナーなどの空調設備、電気冷蔵庫、電気冷凍庫、電気冷凍冷蔵庫、DNA保存用冷凍庫、透析装置などが挙げられる。また、蓄電装置からの電力を用いて電動機により推進する移動体なども、電気機器の範疇に含まれるものとする。上記移動体として、例えば、電気自動車、内燃機関と電動機を併せ持った複合型自動車(ハイブリッドカー)、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車などが挙げられる。
なお、上記電気機器は、消費電力の殆ど全てを賄うための蓄電装置(主電源と呼ぶ)として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。また、上記電気機器は、上記主電源や商用電源からの電力の供給が停止した場合に、電気機器への電力の供給を行うことができる蓄電装置(無停電電源と呼ぶ)として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。また、上記電気機器は、上記主電源や商用電源からの電気機器への電力の供給と並行して、電気機器への電力の供給を行うための蓄電装置(補助電源と呼ぶ)として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることができる。
図28に上記電気機器の具体的な構成を示す。図28において、表示装置5000は、蓄電装置5004を用いた電気機器の一例である。具体的に、表示装置5000は、TV放送受信用の表示装置に相当し、筐体5001、表示部5002、スピーカー部5003、蓄電装置5004等を有する。蓄電装置5004は、筐体5001の内部に設けられている。表示装置5000は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置5004に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置5004を無停電電源として用いることで、表示装置5000の利用が可能となる。
表示部5002には、液晶表示装置、有機EL素子などの発光素子を各画素に備えた発光装置、電気泳動表示装置、DMD(Digital Micromirror Device)、PDP(Plasma Display Panel)、FED(Field Emission Display)などの、半導体表示装置を用いることができる。
なお、表示装置には、TV放送受信用の他、パーソナルコンピュータ用、広告表示用など、全ての情報表示用表示装置が含まれる。
図28において、据え付け型の照明装置5100は、蓄電装置5103を用いた電気機器の一例である。具体的に、照明装置5100は、筐体5101、光源5102、蓄電装置5103等を有する。図28では、蓄電装置5103が、筐体5101および光源5102が据え付けられた天井5104の内部に設けられている場合を例示しているが、蓄電装置5103は、筐体5101の内部に設けられていても良い。照明装置5100は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置5103に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置5103を無停電電源として用いることで、照明装置5100の利用が可能となる。
なお、図28では天井5104に設けられた据え付け型の照明装置5100を例示しているが、本発明の一態様である蓄電装置は、天井5104以外、例えば側壁5105、床5106、窓5107等に設けられた据え付け型の照明装置に用いることもできるし、卓上型の照明装置などに用いることもできる。
また、光源5102には、電力を利用して人工的に光を得る人工光源を用いることができる。具体的には、白熱電球、蛍光灯などの放電ランプ、LEDや有機EL素子などの発光素子が、上記人工光源の一例として挙げられる。
図28において、室内機5200および室外機5204を有するエアコンディショナーは、蓄電装置5203を用いた電気機器の一例である。具体的に、室内機5200は、筐体5201、送風口5202、蓄電装置5203等を有する。図28では、蓄電装置5203が、室内機5200に設けられている場合を例示しているが、蓄電装置5203は室外機5204に設けられていてもよい。或いは、室内機5200と室外機5204の両方に、蓄電装置5203が設けられていてもよい。エアコンディショナーは、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置5203に蓄積された電力を用いることもできる。特に、室内機5200と室外機5204の両方に蓄電装置5203が設けられている場合、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、本発明の一態様である蓄電装置5203を無停電電源として用いることでエアコンディショナーの利用が可能となる。
なお、図28では、室内機と室外機で構成されるセパレート型のエアコンディショナーを例示しているが、室内機の機能と室外機の機能とを1つの筐体に有する一体型のエアコンディショナーに、本発明の一態様である蓄電装置を用いることもできる。
図28において、電気冷凍冷蔵庫5300は、蓄電装置5304を用いた電気機器の一例である。具体的に、電気冷凍冷蔵庫5300は、筐体5301、冷蔵室用扉5302、冷凍室用扉5303、蓄電装置5304等を有する。図28では、蓄電装置5304が、筐体5301の内部に設けられている。電気冷凍冷蔵庫5300は、商用電源から電力の供給を受けることもできるし、蓄電装置5304に蓄積された電力を用いることもできる。よって、停電などにより商用電源から電力の供給が受けられない時でも、蓄電装置5304を無停電電源として用いることで電気冷凍冷蔵庫5300の利用が可能となる。
なお、上述した電気機器のうち、電子レンジ等の高周波加熱装置、電気炊飯器などの電気機器は、短時間で高い電力を必要とする。よって、商用電源では賄いきれない電力を補助するための補助電源として、本発明の一態様である蓄電装置を用いることで電気機器の使用時に商用電源の規定電力量を超えることを抑制することができる。
また、電気機器が使用されない時間帯、特に商用電源の供給元が供給可能な総電力量のうち、実際に使用される電力量の割合(電力使用率と呼ぶ)が低い時間帯において、蓄電装置に電力を蓄えておくことで、上記時間帯以外において電力使用率が高まるのを抑えることができる。例えば、電気冷凍冷蔵庫5300の場合、気温が低く、冷蔵室用扉5302、冷凍室用扉5303の開閉が行われない夜間において、蓄電装置5304に電力を蓄える。そして、気温が高くなり、冷蔵室用扉5302、冷凍室用扉5303の開閉が行われる昼間において、蓄電装置5304を補助電源として用いることで昼間の電力使用率を低く抑えることができる。
(実施の形態7)
次に、本発明の一態様である蓄電装置を備えた電気機器の一例として、携帯情報端末について説明する。
図29(A)に携帯情報端末650の表側の模式図を示す。図29(B)に携帯情報端末650の裏側の模式図を示す。携帯情報端末650は、筐体651、表示部652(表示部652aおよび表示部652bを含む。)、電源スイッチ653、光センサ654、カメラ用レンズ655、スピーカー656、マイクロフォン657および電源658を有する。
表示部652aおよび表示部652bはタッチパネルであり、文字入力を行うためのキーボードボタンは必要に応じて表示させることでき、当該キーボードボタンに指やスタイラスなどでふれることにより文字入力を行うことができる。また、当該キーボードボタンを表示させず、指やスタイラスなどを用いて表示部652aに直接文字や図をかくことで表示部652aにその文字や図を表示させることができる。
また、表示部652bには携帯情報端末650で行うことができる機能が表示されており、所望の機能を示すマーカーを指やスタイラスでふれることにより、携帯情報端末650は当該機能を実行する。例えば、マーカー659にふれることで電話としての機能を行うことができるようになり、スピーカー656およびマイクロフォン657用いて通話することができる。
携帯情報端末650はジャイロ、加速度センサなど傾きを検出する検出装置(図示せず)を内蔵している。そのため、筐体651を縦または横にすることで、表示部652aおよび表示部652bにおいて縦表示または横表示などの表示方向を切り替えることができる。
また、携帯情報端末650には光センサ654が設けられており、携帯情報端末650は、光センサ654で検出される外光の光量に応じて表示部652aおよび表示部652bの輝度を最適に制御することができる。
携帯情報端末650には電源658が設けられており、電源658は太陽電池660、および充放電制御回路670を有する。なお、図29(C)では充放電制御回路670の一例としてバッテリー671、DCDCコンバータ672、コンバータ673を有する構成について示しており、バッテリー671は、上記実施の形態で説明した蓄電装置を有している。
また、携帯情報端末650はこの他に、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像など)を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作または編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって処理を制御する機能、等を有することができる。
携帯情報端末650に装着された太陽電池660によって、電力を表示部または映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池660は、筐体651の片面又は両面に設けることができ、バッテリー671の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー671としては、本発明の一態様に係る蓄電装置を用いると、小型化を図ることができるなどの利点がある。
また、図29(B)に示す充放電制御回路670の構成、および動作について図29(C)に示したブロック図を用いて説明する。図29(C)には、太陽電池660、バッテリー671、DCDCコンバータ672、コンバータ673、スイッチSW1乃至SW3、表示部652について示しており、バッテリー671、DCDCコンバータ672、コンバータ673、スイッチSW1乃至SW3が、図29(B)に示す充放電制御回路670に対応する箇所となる。
まず、外光により太陽電池660により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池660で発電した電力は、バッテリー671を充電するための電圧となるようDCDCコンバータ672で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部652の動作に太陽電池660からの電力が用いられる際にはスイッチSW1をオンにし、コンバータ673で表示部652に必要な電圧に昇圧または降圧をすることとなる。また、表示部652での表示を行わない際には、SW1をオフにし、SW2をオンにしてバッテリー671の充電を行う構成とすればよい。
なお、太陽電池660については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子(ピエゾ素子)や熱電変換素子(ペルティエ素子)などの他の発電手段によるバッテリー671の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線(非接触)で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。
また、本発明の一態様は、上記実施の形態で説明した蓄電装置を具備していれば、図29に示した携帯情報端末に限定されないことは言うまでもない。
(実施の形態8)
さらに、電気機器の一例である移動体の例について、図30を用いて説明する。
先の実施の形態で説明した蓄電装置を制御用のバッテリーに用いることができる。制御用のバッテリーは、プラグイン技術や非接触給電による外部からの電力供給により充電をすることができる。なお、移動体が鉄道用電気車両の場合、架線や導電軌条からの電力供給により充電をすることができる。
図30は、電気自動車の一例を示している。電気自動車680には、バッテリー681が搭載されている。バッテリー681の電力は、制御回路682により出力が調整されて、駆動装置683に供給される。制御回路682は、図示しないROM、RAM、CPU等を有する処理装置684によって制御される。
駆動装置683は、直流電動機若しくは交流電動機単体、または電動機と内燃機関と、を組み合わせて構成される。処理装置684は、電気自動車680の運転者の操作情報(加速、減速、停止など)や走行時の情報(上り坂や下り坂等の情報、駆動輪にかかる負荷情報など)の入力情報に基づき、制御回路682に制御信号を出力する。制御回路682は、処理装置684の制御信号により、バッテリー681から供給される電気エネルギーを調整して駆動装置683の出力を制御する。交流電動機を搭載している場合は、図示していないが、直流を交流に変換するインバータも内蔵される。
バッテリー681は、プラグイン技術による外部からの電力供給により充電することができる。例えば、商用電源から電源プラグを通じてバッテリー681に充電する。充電は、AC/DCコンバータ等の変換装置を介して、一定の電圧値を有する直流定電圧に変換して行うことができる。バッテリー681として、本発明の一態様に係る蓄電装置を搭載することで、電池の高容量化などに寄与することができ、利便性を向上させることができる。また、バッテリー681の特性の向上により、バッテリー681自体を小型軽量化することができれば、車両の軽量化に寄与するため、燃費を向上させることができる。
なお、本発明の一態様は、上記実施の形態で説明した蓄電装置を具備していれば、図30で示した電気自動車に限定されないことは言うまでもない。なお、本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
(本明細書等の記載に関する付記)
以上の実施の形態、及び実施の形態における各構成の説明について、以下に付記する。
<実施の形態で述べた本発明の一態様に関する付記>
各実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて、本発明の一態様とすることができる。また、1つの実施の形態の中に、複数の構成例が示される場合は、互い構成例を適宜組み合わせることが可能である。
なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容(一部の内容でもよい)は、その実施の形態で述べる別の内容(一部の内容でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態で述べる内容(一部の内容でもよい)に対して、適用、組み合わせ、又は置き換えなどを行うことが出来る。
なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。
なお、ある一つの実施の形態において述べる図(一部でもよい)は、その図の別の部分、その実施の形態において述べる別の図(一部でもよい)、及び/又は、一つ若しくは複数の別の実施の形態において述べる図(一部でもよい)に対して、組み合わせることにより、さらに多くの図を構成させることが出来る。
<図面を説明する記載に関する付記>
本明細書等において、「上に」、「下に」などの配置を示す語句は、構成同士の位置関係を、図面を参照して説明するために、便宜上用いている。構成同士の位置関係は、各構成を描写する方向に応じて適宜変化する。そのため、配置を示す語句は、明細書で説明した記載に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、「上」や「下」の用語は、構成要素の位置関係が直上または直下で、かつ、直接接していることを限定するものではない。例えば、「絶縁層A上の電極B」の表現であれば、絶縁層Aの上に電極Bが直接接して形成されている必要はなく、絶縁層Aと電極Bとの間に他の構成要素を含むものを除外しない。
また本明細書等において、ブロック図では、構成要素を機能毎に分類し、互いに独立したブロックとして示している。しかしながら実際の回路等においては、構成要素を機能毎に切り分けることが難しく、一つの回路に複数の機能が係わる場合や、複数の回路にわたって一つの機能が関わる場合があり得る。そのため、ブロック図のブロックは、明細書で説明した構成要素に限定されず、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、図面において、大きさ、層の厚さ、又は領域は、説明の便宜上任意の大きさに示したものである。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。なお図面は明確性を期すために模式的に示したものであり、図面に示す形状又は値などに限定されない。例えば、ノイズによる信号、電圧、若しくは電流のばらつき、又は、タイミングのずれによる信号、電圧、若しくは電流のばらつきなどを含むことが可能である。
また、図面において、上面図(平面図、レイアウト図ともいう)や斜視図などにおいて、図面の明確性を期すために、一部の構成要素の記載を省略している場合がある。
<言い換え可能な記載に関する付記>
本明細書等において、トランジスタの接続関係を説明する際、ソースとドレインとの一方を、「ソース又はドレインの一方」(又は第1電極、又は第1端子)と表記し、ソースとドレインとの他方を「ソース又はドレインの他方」(又は第2電極、又は第2端子)と表記している。これは、トランジスタのソースとドレインは、トランジスタの構造又は動作条件等によって変わるためである。なおトランジスタのソースとドレインの呼称については、ソース(ドレイン)端子や、ソース(ドレイン)電極等、状況に応じて適切に言い換えることができる。
また、本明細書等において「電極」や「配線」の用語は、これらの構成要素を機能的に限定するものではない。例えば、「電極」は「配線」の一部として用いられることがあり、その逆もまた同様である。さらに、「電極」や「配線」の用語は、複数の「電極」や「配線」が一体となって形成されている場合なども含む。
また、本明細書等において、電圧と電位は、適宜言い換えることができる。電圧は、基準となる電位からの電位差のことであり、例えば基準となる電位をグラウンド電位(接地電位)とすると、電圧を電位に言い換えることができる。グラウンド電位は必ずしも0Vを意味するとは限らない。なお電位は相対的なものであり、基準となる電位によっては、配線等に与える電位を変化させる場合がある。
なお本明細書等において、「膜」、「層」などの語句は、場合によっては、または、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能な場合がある。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能な場合がある。
<語句の定義に関する付記>
以下では、上記実施の形態中で言及したかった語句の定義について説明する。
<<スイッチについて>>
本明細書等において、スイッチとは、導通状態(オン状態)、または、非導通状態(オフ状態)になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有するものをいう。または、スイッチとは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有するものをいう。
一例としては、電気的スイッチ又は機械的なスイッチなどを用いることができる。つまり、スイッチは、電流を制御できるものであればよく、特定のものに限定されない。
電気的なスイッチの一例としては、トランジスタ(例えば、バイポーラトランジスタ、MOSトランジスタなど)、ダイオード(例えば、PNダイオード、PINダイオード、ショットキーダイオード、MIM(Metal Insulator Metal)ダイオード、MIS(Metal Insulator Semiconductor)ダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど)、又はこれらを組み合わせた論理回路などがある。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、トランジスタの「導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に短絡されているとみなせる状態をいう。また、トランジスタの「非導通状態」とは、トランジスタのソースとドレインが電気的に遮断されているとみなせる状態をいう。なおトランジスタを単なるスイッチとして動作させる場合には、トランジスタの極性(導電型)は特に限定されない。
機械的なスイッチの一例としては、デジタルマイクロミラーデバイス(DMD)のように、MEMS(マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム)技術を用いたスイッチがある。そのスイッチは、機械的に動かすことが可能な電極を有し、その電極が動くことによって、導通と非導通とを制御して動作する。
<<チャネル長について>>
本明細書等において、チャネル長とは、例えば、トランジスタの上面図において、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲートとが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとの間の距離をいう。
なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル長が全ての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル長は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル長は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
<オフ電流>
本明細書において、特に断りがない場合、オフ電流とは、トランジスタがオフ状態(非導通状態、遮断状態、ともいう)にあるときのドレイン電流をいう。オフ状態とは、特に断りがない場合、nチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低い状態、pチャネル型トランジスタでは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも高い状態をいう。例えば、nチャネル型のトランジスタのオフ電流とは、ゲートとソースの間の電圧Vgsがしきい値電圧Vthよりも低いときのドレイン電流を言う場合がある。
トランジスタのオフ電流は、Vgsに依存する場合がある。従ってトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsが存在するときに、トランジスタのオフ電流がI以下である、と言う場合がある。トランジスタのオフ電流は、Vgsが所定の値であるときのオフ電流、Vgsが所定の範囲内の値であるときのオフ電流、または、Vgsが十分に低減されたオフ電流が得られる値であるときのオフ電流を指す場合がある。
一例として、しきい値電圧Vthが0.5Vであり、Vgsが0.5Vであるときのドレイン電流が1×10−9Aであり、Vgsが0.1Vにおけるドレイン電流が1×10−13Aであり、Vgsがー0.5Vにおけるドレイン電流が1×10−19Aであり、Vgsがー0.8Vにおけるドレイン電流が1×10−22Aであるようなnチャネル型トランジスタを想定する。当該トランジスタのドレイン電流は、Vgsが−0.5Vにおいて、または、Vgsが−0.5V乃至−0.8Vの範囲において、1×10−19A以下であるから、当該トランジスタのオフ電流は1×10−19A以下である、と言う場合がある。当該トランジスタのドレイン電流が1×10−22A以下となるVgsが存在するため、当該トランジスタのオフ電流は1×10−22A以下である、と言う場合がある。
本明細書では、チャネル幅Wを有するトランジスタのオフ電流を、チャネル幅Wあたりの値で表す場合がある。また、所定のチャネル幅(例えば1μm)あたりの電流値で表す場合がある。後者の場合、オフ電流の単位は、電流/長さ(例えば、A/μm)で表される場合がある。
トランジスタのオフ電流は、温度に依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、室温、60℃、85℃、95℃、または125℃におけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)におけるオフ電流、を表す場合がある。室温、60℃、85℃、95℃、125℃、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証される温度、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等が使用される温度(例えば、5℃乃至35℃のいずれか一の温度)、におけるトランジスタのオフ電流がI以下となるVgsが存在するときに、トランジスタのオフ電流がI以下である、と言う場合がある。
トランジスタのオフ電流は、ドレインとソースの間の電圧Vdsに依存する場合がある。本明細書において、オフ電流は、特に記載がない場合、Vdsの絶対値が0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V,2.5V,3V、3.3V、10V、12V、16V、または20Vにおけるオフ電流を表す場合がある。または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるVds、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVdsにおけるオフ電流、を表す場合がある。Vdsが所定の値であるときに、トランジスタのオフ電流がI以下となるVgsが存在する場合、トランジスタのオフ電流がI以下である、と言うことがある。ここで、所定の値とは、例えば、0.1V、0.8V、1V、1.2V、1.8V,2.5V,3V、3.3V、10V、12V、16V、20V、当該トランジスタが含まれる半導体装置等の信頼性が保証されるVdsの値、または、当該トランジスタが含まれる半導体装置等において使用されるVdsの値である。
上記オフ電流の説明において、ドレインをソースと読み替えてもよい。つまり、オフ電流は、トランジスタがオフ状態にあるときのソースを流れる電流を言う場合もある。
本明細書では、オフ電流と同じ意味で、リーク電流と記載する場合がある。
本明細書において、オフ電流とは、例えば、トランジスタがオフ状態にあるときに、ソースとドレインとの間に流れる電流を指す場合がある。
<<チャネル幅について>>
本明細書等において、チャネル幅とは、例えば、半導体(またはトランジスタがオン状態のときに半導体の中で電流の流れる部分)とゲート電極とが重なる領域、またはチャネルが形成される領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さをいう。
なお、一つのトランジスタにおいて、チャネル幅がすべての領域で同じ値をとるとは限らない。即ち、一つのトランジスタのチャネル幅は、一つの値に定まらない場合がある。そのため、本明細書では、チャネル幅は、チャネルの形成される領域における、いずれか一の値、最大値、最小値または平均値とする。
なお、トランジスタの構造によっては、実際にチャネルの形成される領域におけるチャネル幅(以下、実効的なチャネル幅と呼ぶ。)と、トランジスタの上面図において示されるチャネル幅(以下、見かけ上のチャネル幅と呼ぶ。)と、が異なる場合がある。例えば、立体的な構造を有するトランジスタでは、実効的なチャネル幅が、トランジスタの上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも大きくなり、その影響が無視できなくなる場合がある。例えば、微細かつ立体的な構造を有するトランジスタでは、半導体の上面に形成されるチャネル領域の割合に対して、半導体の側面に形成されるチャネル領域の割合が大きくなる場合がある。その場合は、上面図において示される見かけ上のチャネル幅よりも、実際にチャネルの形成される実効的なチャネル幅の方が大きくなる。
ところで、立体的な構造を有するトランジスタにおいては、実効的なチャネル幅の、実測による見積もりが困難となる場合がある。例えば、設計値から実効的なチャネル幅を見積もるためには、半導体の形状が既知という仮定が必要である。したがって、半導体の形状が正確にわからない場合には、実効的なチャネル幅を正確に測定することは困難である。
そこで、本明細書では、トランジスタの上面図において、半導体とゲート電極とが重なる領域における、ソースとドレインとが向かい合っている部分の長さである見かけ上のチャネル幅を、「囲い込みチャネル幅(SCW:Surrounded Channel Width)」と呼ぶ場合がある。また、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、囲い込みチャネル幅または見かけ上のチャネル幅を指す場合がある。または、本明細書では、単にチャネル幅と記載した場合には、実効的なチャネル幅を指す場合がある。なお、チャネル長、チャネル幅、実効的なチャネル幅、見かけ上のチャネル幅、囲い込みチャネル幅などは、断面TEM像などを取得して、その画像を解析することなどによって、値を決定することができる。
なお、トランジスタの電界効果移動度や、チャネル幅当たりの電流値などを計算して求める場合、囲い込みチャネル幅を用いて計算する場合がある。その場合には、実効的なチャネル幅を用いて計算する場合とは異なる値をとる場合がある。
<<接続について>>
本明細書等において、AとBとが接続されている、とは、AとBとが直接接続されているものの他、電気的に接続されているものを含むものとする。ここで、AとBとが電気的に接続されているとは、AとBとの間で、何らかの電気的作用を有する対象物が存在するとき、AとBとの電気信号の授受を可能とするものをいう。
なお、例えば、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1を介して(又は介さず)、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2を介して(又は介さず)、Yと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース(又は第1の端子など)が、Z1の一部と直接的に接続され、Z1の別の一部がXと直接的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)が、Z2の一部と直接的に接続され、Z2の別の一部がYと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。
例えば、「XとYとトランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とは、互いに電気的に接続されており、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、Xと電気的に接続され、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)はYと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Xは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とドレイン(又は第2の端子など)とを介して、Yと電気的に接続され、X、トランジスタのソース(又は第1の端子など)、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)、Yは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース(又は第1の端子など)とトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)との間の経路であり、前記第1の接続経路は、Z1を介した経路であり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有しておらず、前記第3の接続経路は、Z2を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の接続経路によって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の接続経路は、第2の接続経路を有しておらず、前記第2の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の接続経路によって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の接続経路は、前記第2の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース(又は第1の端子など)は、少なくとも第1の電気的パスによって、Z1を介して、Xと電気的に接続され、前記第1の電気的パスは、第2の電気的パスを有しておらず、前記第2の電気的パスは、トランジスタのソース(又は第1の端子など)からトランジスタのドレイン(又は第2の端子など)への電気的パスであり、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)は、少なくとも第3の電気的パスによって、Z2を介して、Yと電気的に接続され、前記第3の電気的パスは、第4の電気的パスを有しておらず、前記第4の電気的パスは、トランジスタのドレイン(又は第2の端子など)からトランジスタのソース(又は第1の端子など)への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース(又は第1の端子など)と、ドレイン(又は第2の端子など)とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。
なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、X、Y、Z1、Z2は、対象物(例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など)であるとする。