JP6597186B2 - Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method - Google Patents

Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method Download PDF

Info

Publication number
JP6597186B2
JP6597186B2 JP2015214096A JP2015214096A JP6597186B2 JP 6597186 B2 JP6597186 B2 JP 6597186B2 JP 2015214096 A JP2015214096 A JP 2015214096A JP 2015214096 A JP2015214096 A JP 2015214096A JP 6597186 B2 JP6597186 B2 JP 6597186B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mold
conductive layer
concavo
convex structure
transparent substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015214096A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2017085034A (en
Inventor
三郎 原田
隆治 長井
幸司 吉田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority to JP2015214096A priority Critical patent/JP6597186B2/en
Publication of JP2017085034A publication Critical patent/JP2017085034A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6597186B2 publication Critical patent/JP6597186B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Description

本発明は、インプリントに使用するモールドと、このモールドの製造に使用する基板、このモールドを用いたインプリント方法に関する。   The present invention relates to a mold used for imprinting, a substrate used for manufacturing the mold, and an imprinting method using the mold.

近年、フォトリソグラフィ技術に代わる微細なパターン形成技術として、インプリント方法を用いたパターン形成技術が注目されている。インプリント方法は、微細な凹凸構造を備えた型部材（モールド）を用い、凹凸構造を被成形樹脂に転写することで微細構造を等倍転写するパターン形成技術である。例えば、被成形樹脂として光硬化性樹脂を用いたインプリント方法では、転写基板の表面に光硬化性樹脂の液滴を供給し、所望の凹凸構造を有するモールドと転写基板とを所定の距離まで近接させて凹凸構造内に光硬化性樹脂を充填し、この状態でモールド側から光を照射して光硬化性樹脂を硬化させて樹脂層とし、その後、モールドを樹脂層から引き離すことにより、モールドが備える凹凸が反転した凹凸構造（凹凸パターン）を有するパターン構造体を形成する。   In recent years, a pattern forming technique using an imprint method has attracted attention as a fine pattern forming technique that replaces the photolithography technique. The imprint method is a pattern forming technique in which a fine structure is transferred at an equal magnification by using a mold member (mold) having a fine concavo-convex structure and transferring the concavo-convex structure to a molding resin. For example, in an imprint method using a photocurable resin as a molding resin, droplets of the photocurable resin are supplied to the surface of the transfer substrate, and the mold having the desired concavo-convex structure and the transfer substrate are brought to a predetermined distance. The concavo-convex structure is filled with a photo-curing resin and light is irradiated from the mold side in this state to cure the photo-curing resin to form a resin layer. A pattern structure having a concavo-convex structure (concavo-convex pattern) in which the concavo-convex provided in is inverted is formed.

このようなインプリント方法では、モールドと樹脂層を引き離す際に静電気が発生してモールドに帯電が生じる。モールドが置かれている雰囲気中には、インプリントに関与することを目的としていない異物、例えば、インクジェット方式で供給された液滴がミストとして漂い乾燥した固形物、スピンコート方法で供給された樹脂の飛沫がミストとして漂い乾燥した固形物、インクジェットヘッド等のインプリント装置を構成する部材から生じる微粒子、インプリント装置内に存在する塵等が存在することがあり、帯電したモールドに雰囲気中の異物等が付着し易くなるという問題があった。このようにモールドに異物等が付着した状態でインプリントを行うと、パターン構造体の欠陥が生じ、さらに、モールドの破損等を生じるおそれがあった。これに対応するために、例えば、モールドの凹凸構造を備えた面に導電層を設け、この導電層をモールド保持具を介して接地して、モールドの除電を行うこと（特許文献１）が提案されている。   In such an imprint method, static electricity is generated when the mold and the resin layer are separated, and the mold is charged. In the atmosphere in which the mold is placed, foreign substances that are not intended to be involved in imprinting, for example, solids that have been dried as a mist of droplets supplied by an inkjet method, resin supplied by a spin coating method There are cases where there are dust solids floating as mist, fine particles generated from components constituting the imprint apparatus such as an ink jet head, dust present in the imprint apparatus, etc. There was a problem that it became easy to adhere. When imprinting is performed in a state where foreign matter or the like is attached to the mold in this way, there is a possibility that a defect of the pattern structure occurs, and further, the mold is damaged. In order to cope with this, for example, a method is proposed in which a conductive layer is provided on the surface of the mold having a concavo-convex structure, and the conductive layer is grounded via a mold holder to perform static elimination of the mold (Patent Document 1). Has been.

特開２００９−２４１３７２号公報JP 2009-241372 A

しかし、モールドの凹凸構造を備えた面にスパッタリング等で導電層を設けた場合、導電層の表面粗さが大きいことにより、モールドの凹凸構造の寸法精度、表面均一性が低下するという問題があった。また、導電層に内部応力が生じることにより、モールドの微細な凹凸構造に破損が生じることがあるという問題があった。さらに、モールドの微細な凹凸構造を備えた面に対する洗浄処理において、導電層の耐性が低く、剥がれが生じ易いという問題があった。
本発明は、上述のような実状に鑑みてなされたものであり、インプリントにおける帯電が抑制され、モールドの破損等を防止して、インプリントを安定して行うことができるモールドと、このようなモールドの製造に使用する基板と、このようなモールドを用いたインプリント方法を提供することを目的とする。 However, when a conductive layer is provided by sputtering or the like on the surface having a concavo-convex structure of the mold, there is a problem that the dimensional accuracy and surface uniformity of the concavo-convex structure of the mold are reduced due to the large surface roughness of the conductive layer. It was. In addition, there is a problem that damage may occur in the fine concavo-convex structure of the mold due to internal stress generated in the conductive layer. Further, in the cleaning process for the surface having a fine concavo-convex structure of the mold, there is a problem that the resistance of the conductive layer is low and peeling easily occurs.
The present invention has been made in view of the above situation, and a mold capable of stably performing imprinting by suppressing charging in imprinting, preventing damage to the mold, and the like. An object of the present invention is to provide a substrate used for manufacturing a mold and an imprint method using such a mold.

このような目的を達成するために、本発明のインプリント用のモールドは、透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいような構成とした。
In order to achieve such an object, an imprint mold of the present invention includes a transparent substrate, a concavo-convex structure located in a concavo-convex structure region defined on one surface of the transparent substrate, and the transparent substrate. A conductive layer located on the other surface of the material, and on the other surface, the conductive layer is located on the back of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region via the transparent substrate. The conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region is light transmissive, and the thickness of the conductive layer located on a portion other than the back surface of the concavo-convex structure region is the thickness of the conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region. It was set as the structure larger than thickness .

本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明のインプリント用のモールドは、透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
As another aspect of the present invention, the conductive layer located at a portion other than the back surface of the concavo-convex structure region is configured to have a multilayer structure.
The imprint mold of the present invention includes a transparent substrate, a concavo-convex structure located in a concavo-convex structure region defined on one surface of the transparent substrate, and a conductive layer located on the other surface of the transparent substrate. And, on the other surface, the conductive layer is located on the back of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region via the transparent substrate, and the conductive layer is located on the back of the concavo-convex structure region. The conductive layer has light transmissivity, and the conductive layer located at a portion excluding the back surface of the uneven structure region has a multilayer structure.

本発明のモールド製造用の基板は、透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面に前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいような構成とした。
The mold manufacturing substrate of the present invention has a transparent substrate and a concavo-convex structure region for forming the concavo-convex structure of the mold on one surface of the transparent substrate, and a conductive layer is provided on the other surface of the transparent substrate. In the other surface, the conductive layer is provided on the back surface of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region via the transparent substrate, and the conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region has light transmittance. The thickness of the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the concavo-convex structure region is configured to be larger than the thickness of the conductive layer located on the back surface of the front concavo-convex structure region .

本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明のモールド製造用の基板は、透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面に前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記凹凸構造領域にハードマスク材料層を備えるような構成とした。 As another aspect of the present invention, the conductive layer located at a portion other than the back surface of the concavo-convex structure region is configured to have a multilayer structure.
The mold manufacturing substrate of the present invention has a transparent substrate and a concavo-convex structure region for forming the concavo-convex structure of the mold on one surface of the transparent substrate, and a conductive layer is provided on the other surface of the transparent substrate. In the other surface, the conductive layer is provided on the back surface of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region via the transparent substrate, and the conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region has light transmittance. The conductive layer located in a portion excluding the back surface of the concavo-convex structure region is configured to have a multilayer structure.
As another aspect of the present invention, the concavo-convex structure region is provided with a hard mask material layer.

本発明のインプリント方法は、転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、上述のいずれかのインプリント用のモールドの前記凹凸構造と前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、前記モールドの前記導電層を接地させた状態で、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有するような構成とした。
本発明の他の態様として、前記離型工程では、前記静電気除去装置を用いて前記モールドの除電を行うような構成とした。 The imprint method of the present invention includes a resin supply step of supplying a molding resin to a transfer substrate, and the uneven structure of any of the above-described imprint molds and the transfer substrate in proximity to each other, so that the mold and the transfer A contact step of forming the molding resin layer by spreading the molding resin between the substrate, a curing step of curing the molding resin layer and transferring the concavo-convex structure to the transfer resin layer, A mold releasing step in which the transfer resin layer and the mold are separated from each other while the conductive layer of the mold is grounded, and the pattern structure as the transfer resin layer is positioned on the transfer substrate. It was set as the structure which has.
As another aspect of the present invention, the mold releasing step is configured to perform static elimination of the mold using the static eliminator.

本発明のインプリント用のモールドは、インプリントにおける帯電が導電層により抑制され、モールドの破損等が防止され、また、モールドの洗浄処理における導電層の剥がれを防止され、これにより、インプリントを安定して行うことができる。
本発明のモールド製造用の基板は、インプリントにおける帯電を抑制することができるモールドを簡便に製造することができる。
本発明のインプリント方法は、使用するモールドの帯電が抑制され、高精細なパターン構造体の形成を安定して行うことができる。 In the imprint mold of the present invention, charging during imprinting is suppressed by the conductive layer, preventing damage to the mold and the like, and preventing peeling of the conductive layer during the mold cleaning process. It can be performed stably.
The mold manufacturing substrate of the present invention can easily manufacture a mold capable of suppressing charging during imprinting.
In the imprint method of the present invention, charging of a mold to be used is suppressed, and a high-definition pattern structure can be stably formed.

図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an imprint mold of the present invention. 図２は、図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における概略断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line II of the imprint mold shown in FIG. 図３は、図１に示されるインプリント用のモールドにおける吸着保持領域を説明するための図である。FIG. 3 is a view for explaining an adsorption holding region in the imprint mold shown in FIG. 図４は、図２に示されるインプリント用のモールドの吸着保持の状態を説明するための図である。FIG. 4 is a view for explaining the state of sucking and holding the imprint mold shown in FIG. 図５は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図６は、図５に示されるインプリント用のモールドのII−II線における概略断面図である。FIG. 6 is a schematic cross-sectional view taken along the line II-II of the imprint mold shown in FIG. 図７は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図８は、図７に示されるインプリント用のモールドのIII−III線における概略断面図である。FIG. 8 is a schematic cross-sectional view taken along line III-III of the imprint mold shown in FIG. 図９は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図１０は、図９に示されるインプリント用のモールドのIV−IV線における概略断面図である。FIG. 10 is a schematic cross-sectional view taken along line IV-IV of the imprint mold shown in FIG. 図１１は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図１２は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。FIG. 12 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図１３は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。FIG. 13 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. 図１４は、透明基材上に電荷が存在する場合の透明基材の電位を説明するための図である。FIG. 14 is a diagram for explaining the potential of the transparent substrate when electric charges are present on the transparent substrate. 図１５は、透明基材上に電荷が存在する場合の透明基材における電位の分布を示す図である。FIG. 15 is a diagram illustrating a potential distribution in a transparent substrate when a charge is present on the transparent substrate. 図１６は、本発明のモールド製造用の基板の一実施形態を示す平面図である。FIG. 16 is a plan view showing an embodiment of a substrate for mold production according to the present invention. 図１７は、図１６に示されるモールド製造用の基板のＶ−Ｖ線における概略断面図である。17 is a schematic cross-sectional view taken along line VV of the mold manufacturing substrate shown in FIG. 図１８は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す平面図である。FIG. 18 is a plan view showing another embodiment of a substrate for mold production of the present invention. 図１９は、図１８に示されるモールド製造用の基板のVI−VI線における概略断面図である。FIG. 19 is a schematic cross-sectional view taken along the line VI-VI of the mold manufacturing substrate shown in FIG. 図２０は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。FIG. 20 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. 図２１は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。FIG. 21 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. 図２２は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。FIG. 22 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. 図２３は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。FIG. 23 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. 図２４は、本発明のインプリント方法の一実施形態を説明するための工程図である。FIG. 24 is a process diagram for explaining an embodiment of the imprint method of the present invention.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
尚、図面は模式的または概念的なものであり、各部材の寸法、部材間の大きさの比等は、必ずしも現実のものと同一とは限らず、また、同じ部材等を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比が異なって表される場合もある。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
Note that the drawings are schematic or conceptual, and the dimensions of each member, the ratio of sizes between the members, etc. are not necessarily the same as the actual ones, and represent the same members. However, in some cases, the dimensions and ratios may be different depending on the drawing.

［インプリント用のモールド］
図１は、本発明のインプリント用のモールドの一実施形態を示す平面図であり、図２は図１に示されるインプリント用のモールドのＩ−Ｉ線における概略断面図である。図１および図２において、本発明のモールド１１は、透明基材１２と、この透明基材１２の一方の面１２ａに画定された凹凸構造領域Ａに位置する凹凸構造１４と、透明基材１２の他方の面１２ｂに位置する導電層１６と、を備えている。図示例では、導電層１６は、透明基材１２を介して凹凸構造領域Ａと対向する凹凸構造領域裏面Ｂを含む透明基材１２の面１２ｂに位置しており、この面１２ｂの周縁部１２ｂ′から所望の幅で面１２ｂが露出している。 [Imprint mold]
FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of an imprint mold according to the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line II of the imprint mold shown in FIG. 1 and 2, the mold 11 of the present invention includes a transparent substrate 12, a concavo-convex structure 14 located in the concavo-convex structure region A defined on one surface 12 a of the transparent substrate 12, and the transparent substrate 12. And a conductive layer 16 located on the other surface 12b. In the illustrated example, the conductive layer 16 is located on the surface 12b of the transparent substrate 12 including the concavo-convex structure region back B facing the concavo-convex structure region A through the transparent substrate 12, and the peripheral portion 12b of the surface 12b. The surface 12b is exposed with a desired width from '.

モールド１１を構成する透明基材１２は、インプリント時に被成形樹脂層を硬化させるための照射光を透過可能な基材であり、材料としては、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。透明基材１２の厚みは、材料強度、凹凸構造１４の深さ、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、透明基材１２の面１２ａ，１２ｂの平面視形状は、図示例では正方形であるが、特に制限はなく適宜設定することができる。
ここで、透明とは、波長３６５ｎｍの光透過率が７０％以上であることを意味する。透明基材１２は、上記の光透過率が９０％以上であることが特に好ましい。
モールド１１を構成する凹凸構造１４は、モールド１１を用いたインプリントにおいて形成するパターン構造体の形状、寸法等に応じて適宜設定することができる。 The transparent substrate 12 constituting the mold 11 is a substrate that can transmit irradiation light for curing the resin layer to be molded at the time of imprinting. Examples of the material include quartz glass, silicate glass, and calcium fluoride. Magnesium fluoride, acrylic glass, etc., or any laminated material thereof can be used. The thickness of the transparent substrate 12 can be set in consideration of the material strength, the depth of the concavo-convex structure 14, the handleability, and the like, and can be set as appropriate within a range of about 300 μm to 10 mm, for example. Moreover, although the planar view shape of the surfaces 12a and 12b of the transparent base material 12 is a square in the example of illustration, there is no restriction | limiting in particular and it can set suitably.
Here, transparent means that the light transmittance at a wavelength of 365 nm is 70% or more. As for the transparent base material 12, it is especially preferable that said light transmittance is 90% or more.
The concavo-convex structure 14 constituting the mold 11 can be appropriately set according to the shape, size, and the like of the pattern structure formed in the imprint using the mold 11.

モールド１１を構成する導電層１６は、導電性と、インプリント時に被成形樹脂層を硬化させるための照射光が透過可能な光透過性を具備するものであり、その材質は、例えば、酸化インジウムスズ、クロム系、珪素系、モリブデン系の金属酸化物（例えば、酸化クロム、酸化モリブデン等）、あるいは金属窒化物等を挙げることができる。この導電層１６は、透明基材１２の面１２ｂに上記のような材質の薄膜を真空成膜法等により形成し、この薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、透明基材１２の周縁部１２ｂ′から所望の幅で面１２ｂが露出するように薄膜をエッチングして形成することができる。導電層１６の厚みは、導電性と光透過性等を考慮して設定することができ、例えば、１〜１５ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、導電層１６は、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。   The conductive layer 16 constituting the mold 11 has conductivity and light transmittance through which the irradiation light for curing the resin layer to be molded can be transmitted during imprinting. The material of the conductive layer 16 is, for example, indium oxide. Tin, chromium-based, silicon-based, and molybdenum-based metal oxides (for example, chromium oxide, molybdenum oxide, and the like), metal nitrides, and the like can be given. The conductive layer 16 is formed by forming a thin film of the above-described material on the surface 12b of the transparent substrate 12 by a vacuum film formation method or the like, forming a desired resist pattern on the thin film, and using the resist pattern as a mask, The thin film can be formed by etching so that the surface 12b is exposed with a desired width from the peripheral edge portion 12b 'of the transparent substrate 12. The thickness of the conductive layer 16 can be set in consideration of conductivity, light transmittance, and the like, and can be set as appropriate within a range of about 1 to 15 nm, for example. Further, the conductive layer 16 may have a network structure having a size that does not resolve with irradiation light for curing the molding resin layer.

ここで、導電性とは、表面抵抗が１０5Ω／□未満であることを意味し、導電層１６の表面抵抗が１０3Ω／□未満であることが特に好ましい。また、光透過性とは、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上であることを意味し、導電層１６の光透過率が５０％以上であることが特に好ましい。
図１、図２に示されるように、透明基材１２の面１２ｂの周縁部１２ｂ′に導電層１６が存在せず、周縁部１２ｂ′が露出することにより、モールド１１の搬送時等における導電層１６の剥がれによる発塵が防止される。すなわち、モールド１１の搬送においては、透明基材１２の面１２ｂの周縁部１２ｂ′が接触するように搬送治具に載置される場合がある。この場合には、周縁部１２ｂ′に導電層１６が存在すると、モールド１１の搬送時の振動等により、搬送治具に接触している導電層１６に衝撃が加わり、剥がれが生じるおそれがある。導電層１６が存在せず、周縁部１２ｂ′が露出する幅は、例えば、０．１〜５ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。 Here, the term “conductive” means that the surface resistance is less than 10 5 Ω / □, and the surface resistance of the conductive layer 16 is particularly preferably less than 10 3 Ω / □. The light transmittance means that the light transmittance at a wavelength of 365 nm is 35% or more, and the light transmittance of the conductive layer 16 is particularly preferably 50% or more.
As shown in FIGS. 1 and 2, the conductive layer 16 is not present at the peripheral edge 12 b ′ of the surface 12 b of the transparent substrate 12, and the peripheral edge 12 b ′ is exposed. Dust generation due to peeling of the layer 16 is prevented. That is, when the mold 11 is transported, the mold 11 may be placed on the transport jig so that the peripheral edge 12b 'of the surface 12b of the transparent substrate 12 is in contact with the mold 11. In this case, if the conductive layer 16 is present at the peripheral edge portion 12b ', an impact is applied to the conductive layer 16 in contact with the transport jig due to vibration during transport of the mold 11, and peeling may occur. The width in which the conductive layer 16 does not exist and the peripheral edge portion 12b 'is exposed can be set as appropriate within a range of about 0.1 to 5 mm, for example.

このような本発明のインプリント用のモールド１１は、例えば、図３に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域１８を、透明基材１２の面１２ｂの導電層１６上に設定することができる。この吸着保持領域１８は、透明基材１２の面１２ｂの凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置している。そして、図４に示すように、真空吸着保持装置２０１が吸着保持領域１８に当接して導電層１６を真空吸着することにより、インプリント用のモールド１１が真空吸着保持装置２０１に保持される。尚、図示例では、真空吸着保持装置２０１が備える真空吸着用の部材は省略している。
このように真空吸着保持装置２０１に保持された状態でインプリントに供されるモールド１１は、被成形樹脂層が硬化された転写樹脂層との引き離しにおいて静電気が発生して帯電することになる。モールド１１の透明基材１２の材質が、上記のように石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等の絶縁体である場合、誘電分極によって、透明基材１２の面１２ａにおける電荷と面１２ｂにおける電荷は異なるものとなる。そして、面１２ｂには導電層１６が位置しており、この導電層１６を図示しない導通手段、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して接地することにより、面１２ｂにおける電荷が減少し、これによりモールド１１の帯電量が減少する。通常、モールドの帯電量は、転写樹脂層との引き離し直後が最も高くなるが、本発明のモールド１１では、転写樹脂層との引き離し直後の帯電を抑制することができ、これにより、異物等が付着し易い状態が現出することを抑制することができる。 In such an imprint mold 11 of the present invention, for example, an annular adsorption holding region 18 indicated by a one-dot chain line in FIG. 3 can be set on the conductive layer 16 on the surface 12 b of the transparent substrate 12. The adsorption holding region 18 is located outside the concavo-convex structure region rear surface B of the surface 12 b of the transparent substrate 12. As shown in FIG. 4, the vacuum suction holding device 201 abuts on the suction holding region 18 and vacuum-sucks the conductive layer 16, whereby the imprint mold 11 is held by the vacuum suction holding device 201. In the illustrated example, the vacuum suction member provided in the vacuum suction holding device 201 is omitted.
In this way, the mold 11 that is used for imprinting while being held in the vacuum suction holding device 201 is charged by generating static electricity when being separated from the transfer resin layer in which the molding resin layer is cured. When the material of the transparent substrate 12 of the mold 11 is an insulator such as quartz glass, silicate glass, calcium fluoride, magnesium fluoride, and acrylic glass as described above, the surface of the transparent substrate 12 is caused by dielectric polarization. The charge on 12a and the charge on surface 12b are different. The conductive layer 16 is located on the surface 12b, and the conductive layer 16 is grounded via a conduction means (not shown), for example, a conduction means (not shown) provided in the vacuum suction holding device 201, thereby the surface 12b. As a result, the charge amount of the mold 11 is reduced. Usually, the charge amount of the mold is the highest immediately after the separation from the transfer resin layer, but in the mold 11 of the present invention, the charge immediately after the separation from the transfer resin layer can be suppressed. It can suppress that the state which is easy to adhere appears.

図５は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図６は図５に示されるインプリント用のモールドのII−II線における概略断面図である。図５および図６において、本発明のモールド２１は、透明基材２２の他方の面２２ｂに位置する導電層２６の平面視形状が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形である点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材２２の説明、導電層２６の材質の説明は省略する。
このモールド２１では、平面視形状が円形の導電層２６は、図５に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域２８を凹凸構造領域裏面Ｂの外側に設定することができる。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、吸着保持領域２８に当接して導電層２６を真空吸着することにより、モールド２１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層２６を接地することができる。 FIG. 5 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention, and FIG. 6 is a schematic sectional view taken along line II-II of the imprint mold shown in FIG. 5 and 6, the mold 21 of the present invention has a shape in plan view of the conductive layer 26 located on the other surface 22 b of the transparent base material 22, except that it is a circle including the concavo-convex structure region back surface B. This is the same as the imprint mold 11 shown in FIGS. For this reason, the description of the transparent base material 22 and the description of the material of the conductive layer 26 are omitted.
In the mold 21, the conductive layer 26 having a circular shape in plan view can set an annular adsorption holding region 28 indicated by a one-dot chain line in FIG. The vacuum suction holding device 201 described above can hold the mold 21 by contacting the suction holding region 28 and vacuum-sucking the conductive layer 26. Therefore, for example, the conductive layer 26 can be grounded via a conduction means (not shown) provided in the vacuum suction holding device 201.

図７は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図８は図７に示されるインプリント用のモールドのIII−III線における概略断面図である。図７および図８において、本発明のモールド３１は、透明基材３２の他方の面３２ｂに位置する導電層３６が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形状の領域に位置する導電層３６ｃと、当該円形状を囲む領域に位置する導電層３６ｐからなり、導電層３６ｐの厚みは導電層３６ｃの厚みよりも大きいものである。このモールド３１の透明基材３２は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１の透明基材１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド３１では、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形状の領域に位置する導電層３６ｃは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するとともに、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上である光透過性を具備するものである。一方、導電層３６ｐは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するが、光透過性は導電層３６ｃよりも劣るものであってよく、さらに、上記の光透過性を具備しないものであってもよい。この導電層３６ｃとその周囲に連続して位置する導電層３６ｐからなる導電層３６の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができる。また、導電層３６ｐは、導電層３６ｃと同じ材質に他の材質を積層した多層構造、例えば、透明基材３２側から順にクロム／ニッケルが積層された２層構造、クロム／ニッケル／金が積層された３層構造であってもよい。この場合、導電層３６ｐは表面抵抗が１０3Ω／□未満であるような導電性を具備するものであってよい。 FIG. 7 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention, and FIG. 8 is a schematic sectional view taken along the line III-III of the imprint mold shown in FIG. 7 and 8, in the mold 31 of the present invention, the conductive layer 36 located on the other surface 32b of the transparent substrate 32 has a conductive layer 36c located in a circular region including the concavo-convex structure region back surface B; The conductive layer 36p is located in a region surrounding the circular shape, and the thickness of the conductive layer 36p is larger than the thickness of the conductive layer 36c. The transparent substrate 32 of the mold 31 is the same as the transparent substrate 12 of the imprint mold 11 shown in FIGS. 1 and 2 described above, and a description thereof will be omitted.
In this mold 31, the conductive layer 36c located in the circular region including the concavo-convex structure region back surface B has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, and has a light transmittance of 35 nm at a wavelength of 365 nm. % Having a light transmittance of at least%. On the other hand, the conductive layer 36p has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, but the light transmittance may be inferior to that of the conductive layer 36c, and further has the above light transmittance. It may not be. The material of the conductive layer 36 composed of the conductive layer 36c and the conductive layer 36p continuously located around the conductive layer 36c is the same as that of the conductive layer 16 in the imprint mold 11 shown in FIGS. it can. The conductive layer 36p is a multilayer structure in which other materials are stacked on the same material as the conductive layer 36c, for example, a two-layer structure in which chromium / nickel is stacked in order from the transparent substrate 32 side, and chromium / nickel / gold is stacked. It may be a three-layer structure. In this case, the conductive layer 36p may have conductivity such that the surface resistance is less than 10 3 Ω / □.

導電層３６ｃの厚みは、上記の導電性、光透過性を具備するように適宜設定することができる。また、導電層３６ｃは、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。
このようなモールド３１では、図７に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域３８を導電層３６ｐに設定することができ、この吸着保持領域３８は凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、吸着保持領域３８に当接して導電層３６ｐを真空吸着することにより、モールド３１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層３６を接地することができる。
図９は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す平面図であり、図１０は図９に示されるインプリント用のモールドのIV−IV線における概略断面図である。図９および図１０において、本発明のモールド４１は、透明基材４２の他方の面４２ｂに位置する導電層４６の中央部に、透明基材４２の面４２ｂが円形状で露出し、この導電層４６が凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置するものである。このモールド４１の透明基材４２は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１の透明基材１２と同様であり、説明は省略する。 The thickness of the conductive layer 36c can be appropriately set so as to have the above-described conductivity and light transmittance. Further, the conductive layer 36c may have a mesh structure with a size that does not resolve with irradiation light for curing the resin layer to be molded.
In such a mold 31, an annular suction holding region 38 indicated by a one-dot chain line in FIG. 7 can be set in the conductive layer 36 p, and this suction holding region 38 is located outside the uneven structure region back surface B. The vacuum suction holding device 201 described above can hold the mold 31 by contacting the suction holding region 38 and vacuum-sucking the conductive layer 36p. Therefore, for example, the conductive layer 36 can be grounded through a conduction means (not shown) provided in the vacuum suction holding device 201.
FIG. 9 is a plan view showing another embodiment of the imprint mold of the present invention, and FIG. 10 is a schematic sectional view taken along line IV-IV of the imprint mold shown in FIG. 9 and 10, in the mold 41 of the present invention, the surface 42b of the transparent substrate 42 is exposed in a circular shape at the center of the conductive layer 46 located on the other surface 42b of the transparent substrate 42. The layer 46 is located outside the concavo-convex structure region rear surface B. The transparent base material 42 of the mold 41 is the same as the transparent base material 12 of the imprint mold 11 shown in FIGS.

このモールド４１では、凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層４６は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層４６の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケ、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層４６の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。
このようなモールド４１では、図９に一点鎖線で示す環状の吸着保持領域４８を、導電層４６上に設定することができる。そして、上述の真空吸着保持装置２０１は、この吸着保持領域４８に当接して導電層４６を真空吸着することにより、モールド４１を保持することができる。したがって、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して導電層４６を接地することができる。 In this mold 41, the conductive layer 46 located outside the concavo-convex structure region back B has a conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, preferably less than 10 3 Ω / □. The material of the conductive layer 46 can be the same as that of the conductive layer 16 in the imprint mold 11 shown in FIGS. 1 and 2, and can be made of chromium, nickel, gold, silver, aluminum, or the like. A material having excellent conductivity such that the surface resistance is less than 10 Ω / □ and low light transmittance may be used. The thickness of the conductive layer 46 can be appropriately set so as to have the above conductivity.
In such a mold 41, an annular adsorption holding region 48 indicated by a one-dot chain line in FIG. 9 can be set on the conductive layer 46. The vacuum suction holding device 201 described above can hold the mold 41 by contacting the suction holding region 48 and vacuum-sucking the conductive layer 46. Therefore, for example, the conductive layer 46 can be grounded via a conduction means (not shown) provided in the vacuum suction holding device 201.

図１１は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１１において、本発明のモールド５１は、透明基材５２の面５２ｂに位置する導電層５６に加えて、透明基板５２の側面５２ｃに導電層５６′を備える点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材５２の説明、導電層５６の材質の説明は省略する。
このモールド５１において、透明基材５２の側面５２ｃに位置する導電層５６′は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層５６′の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層５６′の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。この導電層５６′は、図示のように、透明基材５２の面５２ｂの周縁部５２ｂ′に存在しないことが好ましい。これにより、モールド５１の搬送時等における導電層５６′の剥がれが抑制される。 FIG. 11 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. In FIG. 11, the mold 51 of the present invention includes the conductive layer 56 ′ provided on the side surface 52 c of the transparent substrate 52 in addition to the conductive layer 56 positioned on the surface 52 b of the transparent substrate 52, and the above-described FIG. This is the same as the imprint mold 11 shown in FIG. For this reason, the description of the transparent substrate 52 and the material of the conductive layer 56 are omitted.
In this mold 51, the conductive layer 56 ′ located on the side surface 52 c of the transparent substrate 52 has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, preferably less than 10 3 Ω / □. The material of the conductive layer 56 'can be the same as that of the conductive layer 16 in the imprint mold 11 shown in FIGS. 1 and 2, and chromium, nickel, gold, silver, aluminum, etc. A material having excellent electrical conductivity such that the surface resistance is less than 10 Ω / □ and low light transmittance may be used. The thickness of the conductive layer 56 ′ can be appropriately set so as to have the above-described conductivity. As shown in the figure, the conductive layer 56 ′ is preferably not present on the peripheral edge 52 b ′ of the surface 52 b of the transparent substrate 52. Thereby, peeling of conductive layer 56 'at the time of conveyance of mold 51 etc. is controlled.

このように透明基材５２の側面５２ｃにも導電層５６′を備えることにより、例えば、上述の真空吸着保持装置２０１によりモールド５１を保持した状態で、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段と導電層５６、導電層５６′を接続した場合、この導通手段を介して導電層５６とともに導通層５６′も接地することができ、モールド５１の帯電量がより迅速に減少する。
また、図１２は、本発明のインプリント用のモールドの他の実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１２において、本発明のモールド６１は、透明基材６２の面６２ｂに位置する導電層６６に加えて、面６２ａの凹凸構造領域Ａの外側にも導電層６６″を備える点を除いて、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１と同様である。このため、透明基材６２の説明、導電層６６の材質の説明は省略する。
このモールド６１において、透明基材６２の面６２ａに位置する導電層６６″は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層６６″の材質は、上述の図１、図２に示すインプリント用のモールド１１における導電層１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層６６″の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。 Thus, by providing the side surface 52c of the transparent substrate 52 with the conductive layer 56 ', for example, the mold 51 is held by the vacuum suction holding device 201 described above, and the vacuum suction holding device 201 is not shown. When the conductive means is connected to the conductive layer 56 and the conductive layer 56 ', the conductive layer 56' can be grounded together with the conductive layer 56 through the conductive means, and the charge amount of the mold 51 is reduced more rapidly.
FIG. 12 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing another embodiment of the imprint mold of the present invention. In FIG. 12, the mold 61 of the present invention has a conductive layer 66 ″ outside the concavo-convex structure region A of the surface 62a in addition to the conductive layer 66 located on the surface 62b of the transparent substrate 62, 1 and 2 is the same as the above-described imprint mold 11. Thus, the description of the transparent substrate 62 and the description of the material of the conductive layer 66 are omitted.
In this mold 61, the conductive layer 66 ″ positioned on the surface 62a of the transparent substrate 62 has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, preferably less than 10 3 Ω / □. The material of the conductive layer 66 ″ can be the same as that of the conductive layer 16 in the imprint mold 11 shown in FIGS. 1 and 2, and chromium, nickel, gold, silver, aluminum, etc. A material having excellent electrical conductivity such that the surface resistance is less than 10 Ω / □ and low light transmittance may be used. The thickness of the conductive layer 66 ″ can be appropriately set so as to have the above conductivity.

このように透明基材６２の面６２ａの凹凸構造領域Ａの外側にも導電層６６″を備えることにより、例えば、上述の真空吸着保持装置２０１によりモールド６１を保持した状態で、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段と導電層６６、導電層６６″を接続した場合、この導通手段を介して導電層６６とともに導通層６６″も接地することができ、モールド６１の帯電量がより迅速に減少する。
また、透明基材は、平坦な表面を有する凸構造部を備えた、いわゆるメサ構造であってもよい。図１３は、このようなインプリント用のモールドの実施形態を示す図２相当の概略断面図である。図１３において、本発明のモールド７１は、透明基材７２が面７２ａに凸構造部７３を備えている。そして、透明基材７２の一方の面である凸構造部７３の表面７３ａに画定された凹凸構造領域Ａに位置する凹凸構造７４と、透明基材７２の他方の面７２ｂに位置する導電層７６と、を備えている。このように透明基材がメサ構造である場合の導電層は、図示の導電層７６に限定されるものではなく、例えば、上述の導電層２６，３６，４６，５６，５６′，６６，６６″のような態様であってよい。尚、上述の導電層６６″を有するモールドの場合、導電層６６″は、図１３における凸構造部７３の周囲の面７２ａに位置することが好ましい。 Thus, by providing the conductive layer 66 ″ outside the uneven structure region A of the surface 62a of the transparent substrate 62, for example, in a state where the mold 61 is held by the vacuum suction holding device 201 described above, the vacuum suction holding device When the conductive means (not shown) provided in 201 is connected to the conductive layer 66 and the conductive layer 66 ″, the conductive layer 66 ″ can be grounded together with the conductive layer 66 through the conductive means, and the charge amount of the mold 61 can be reduced. Decrease more quickly.
The transparent substrate may be a so-called mesa structure provided with a convex structure portion having a flat surface. FIG. 13 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 2 showing an embodiment of such an imprint mold. In FIG. 13, in the mold 71 of the present invention, a transparent base material 72 includes a convex structure portion 73 on a surface 72 a. And the uneven structure 74 located in the uneven structure area | region A demarcated on the surface 73a of the convex structure part 73 which is one surface of the transparent base material 72, and the conductive layer 76 located in the other surface 72b of the transparent base material 72. And. Thus, the conductive layer in the case where the transparent base material has a mesa structure is not limited to the illustrated conductive layer 76, and for example, the above-described conductive layers 26, 36, 46, 56, 56 ′, 66, 66. In the case of the mold having the conductive layer 66 ″ described above, the conductive layer 66 ″ is preferably located on the surface 72a around the convex structure portion 73 in FIG.

上述のような本発明のインプリント用のモールドは、転写樹脂層との引き離しにおいて発生した静電気により帯電しても、導電層を介して電荷を逃がすことができ、モールドの帯電量が減少し、インプリントにおけるモールドの帯電が抑制されて、モールドの破損等が防止される。また、モールドの凹凸構造を備えた面と反対側の面に導電層が位置しているので、モールドの凹凸構造を備えた面の洗浄処理における導電層の剥がれを防止することができる。これにより、インプリントを安定して行うことができる。
ここで、図１４に示すように、透明基材８２の一方の面８２ａに、電荷が線状Ｌに連続して分布している場合を考える。この場合、線要素ｄｓに、密度λの電荷があるとすると、図示の点Ｐと線要素との距離がｒのとき、点Ｐでの電位Ｖは下記の式（１）で表される。尚、この場合、透明基材８２の他方の面８２ｂには導電層が存在しないものとする。
Ｖ＝（１／４πε）∫（λ／ｒ）ｄｓ … （１） Even if the mold for imprinting of the present invention as described above is charged by static electricity generated in the separation from the transfer resin layer, the charge can be released through the conductive layer, and the charge amount of the mold is reduced. The charging of the mold during imprinting is suppressed, and the damage of the mold is prevented. In addition, since the conductive layer is located on the surface opposite to the surface having the concavo-convex structure of the mold, it is possible to prevent peeling of the conductive layer in the cleaning process of the surface having the concavo-convex structure of the mold. Thereby, imprinting can be performed stably.
Here, as shown in FIG. 14, a case is considered in which electric charges are continuously distributed in a linear shape L on one surface 82 a of the transparent base material 82. In this case, assuming that the line element ds has a charge of density λ, the potential V at the point P is expressed by the following equation (1) when the distance between the illustrated point P and the line element is r. In this case, it is assumed that there is no conductive layer on the other surface 82b of the transparent substrate 82.
V = (1 / 4πε) ∫ (λ / r) ds (1)

線要素の長さを２６ｍｍとし、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ（面８２ａ上であり、図１４に鎖線で示す）、３ｍｍ（図１４に一点鎖線で示す）、６．３５ｍｍ（面８２ｂ上であり、図１４に二点鎖線で示す）の位置であって線要素の長手方向に沿った位置における電位の分布を式（１）から求めると、図１５のようになる。図１５において、位置「０ｍｍ」は、長さ２６ｍｍの線要素の中央部の直下の位置を示しており、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ、３ｍｍ、６．３５ｍｍの位置における電荷の分布を、それぞれ鎖線、一点鎖線、二点鎖線で示している。この図１５に示されるように、面８２ａからの厚さ方向で０ｍｍ、３ｍｍ、６．３５ｍｍのいずれの位置においても、電荷の分布の電位は線要素の中央部に相当する部位で最も高くなる。したがって、面８２ｂに導電層を設け、この導電層が接地されることにより、透明基板８２に帯電する電荷を減少させることが可能である。さらに、面８２ａに存在する電荷の直下である面８２ｂに導電層が存在し、この導電層が接地されることにより、電荷の減少がより効率的になされると考えられる。   The length of the line element is 26 mm, and the thickness direction from the surface 82a is 0 mm (on the surface 82a, indicated by a chain line in FIG. 14), 3 mm (indicated by a dashed line in FIG. 14), 6.35 mm (surface 82b The potential distribution at the position along the longitudinal direction of the line element (shown by a two-dot chain line in FIG. 14) is obtained from the equation (1) as shown in FIG. In FIG. 15, the position “0 mm” indicates the position immediately below the center of the line element having a length of 26 mm. The charge distribution at the positions of 0 mm, 3 mm, and 6.35 mm in the thickness direction from the surface 82a. , Respectively, are indicated by a chain line, a one-dot chain line, and a two-dot chain line. As shown in FIG. 15, at any position of 0 mm, 3 mm, and 6.35 mm in the thickness direction from the surface 82a, the electric potential of the electric charge distribution is highest at a portion corresponding to the central portion of the line element. . Therefore, by providing a conductive layer on the surface 82b and grounding this conductive layer, the charge charged on the transparent substrate 82 can be reduced. Further, it is considered that the electric charge is reduced more efficiently when the conductive layer is present on the surface 82b immediately below the electric charge existing on the surface 82a, and this conductive layer is grounded.

上述の実施形態は例示であり、本発明のインプリント用のモールドは、このような実施形態に限定されるものではない。
上述の本発明のインプリント用のモールドは、後述する本発明のモールド製造用の基板を使用して製造することができる。また、例えば、モールド１１の例では、透明基材１２の面１２ａに凹凸構造１４を形成した後、面１２ｂの所望の位置に導電層１６を形成することにより製造することができる。 The above-described embodiment is an exemplification, and the imprint mold of the present invention is not limited to such an embodiment.
The above-mentioned mold for imprinting of the present invention can be manufactured using a substrate for mold manufacturing of the present invention described later. Further, for example, in the example of the mold 11, after forming the concavo-convex structure 14 on the surface 12 a of the transparent substrate 12, the conductive layer 16 can be formed at a desired position on the surface 12 b.

［モールド製造用の基板］
図１６は、本発明のモールド製造用の基板の一実施形態を示す平面図であり、図１７は図１６に示されるモールド製造用の基板のＶ−Ｖ線における概略断面図である。図１６および図１７において、本発明のモールド製造用の基板１１１は、透明基板１１２と、この透明基板１１２の一方の面１１２ａに、モールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域Ａを有し、透明基板１１２の他方の面１１２ｂに導電層１１６を備えている。また、透明基板１１２の一方の面１１２ａには、ハードマスク材料層１１５を備えている。図示例では、導電層１１６は、透明基板１１２を介して凹凸構造領域Ａと対向する凹凸構造領域裏面Ｂを含む透明基板１１２の面１１２ｂに位置しており、この面１１２ｂの周縁部１１２ｂ′から所望の幅で面１１２ｂが露出している。これにより、モールド製造用の基板１１１の搬送時等における導電層１１６の剥がれが抑制される。
透明基板１１２は、製造したモールドを使用するインプリント時において、被成形樹脂層を硬化させるための照射光を透過可能な基材であり、例えば、石英ガラス、珪酸系ガラス、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウム、アクリルガラス等、あるいは、これらの任意の積層材を用いることができる。透明基板１１２の厚みは、材料強度、凹凸構造領域Ａに形成する凹凸構造の深さ、取り扱い適性等を考慮して設定することができ、例えば、３００μｍ〜１０ｍｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、透明基板１１２の面１１２ａ，１１２ｂの平面視形状は、図示例では正方形であるが、特に制限はなく適宜設定することができる。 [Substrate for mold production]
16 is a plan view showing an embodiment of a substrate for mold production according to the present invention, and FIG. 17 is a schematic sectional view taken along line VV of the substrate for mold production shown in FIG. 16 and 17, a mold manufacturing substrate 111 of the present invention has a transparent substrate 112 and a concavo-convex structure region A for forming a concavo-convex structure of the mold on one surface 112a of the transparent substrate 112. The conductive layer 116 is provided on the other surface 112 b of the transparent substrate 112. Further, a hard mask material layer 115 is provided on one surface 112 a of the transparent substrate 112. In the illustrated example, the conductive layer 116 is located on the surface 112b of the transparent substrate 112 including the concavo-convex structure region back B facing the concavo-convex structure region A through the transparent substrate 112, and from the peripheral portion 112b ′ of the surface 112b. The surface 112b is exposed with a desired width. Thereby, peeling of the conductive layer 116 at the time of conveyance of the substrate 111 for mold manufacture is suppressed.
The transparent substrate 112 is a base material that can transmit irradiation light for curing the resin layer to be molded at the time of imprinting using the manufactured mold. For example, the transparent substrate 112 is made of quartz glass, silicate glass, calcium fluoride, fluorine, and the like. Magnesium chloride, acrylic glass, etc., or these arbitrary laminated materials can be used. The thickness of the transparent substrate 112 can be set in consideration of the material strength, the depth of the concavo-convex structure formed in the concavo-convex structure region A, the handleability, and the like, and can be set as appropriate within a range of about 300 μm to 10 mm, for example. it can. Further, the planar view shapes of the surfaces 112a and 112b of the transparent substrate 112 are squares in the illustrated example, but are not particularly limited and can be set as appropriate.

ここで、透明とは、波長３６５ｎｍの光透過率が７０％以上であることを意味する。透明基板１１２は、上記の光透過率が９０％以上であることが特に好ましい。
透明基板１１２の一方の面１１２ａに位置するハードマスク材料層１１５は、透明基板１１２をエッチングする際のエッチングマスクとなるハードマスクを形成するための材料層であり、例えば、クロム、チタン、ニッケル、モリブデン、タンタル、タングステン、酸化クロム、窒化クロム、酸化ケイ素、窒化ケイ素、窒化チタン等の材質を挙げることができる。このようなハードマスク材料層１１５は、スパッタリング法等の公知の真空成膜法により形成することができ、厚みは１〜１５ｎｍの範囲で適宜設定することができる。
導電層１１６は、導電性を具備するとともに、製造したモールドを使用するインプリント時において、被成形樹脂層を硬化させるための照射光が透過可能な光透過性を具備するものであり、例えば、酸化インジウムスズ、クロム系、珪素系、モリブデン系の金属酸化物（例えば、酸化クロム、酸化モリブデン等）、あるいは金属窒化物等の薄膜とすることができる。この導電層１１６は、透明基板１１２の面１１２ｂに上記のような薄膜を真空成膜法等により形成し、その後、薄膜上に所望のレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして、透明基板１１２の周縁部１１２ｂ′から所望の幅で面１１２ｂが露出するように薄膜をエッチングして形成することができる。導電層１１６の厚みは、導電性と光透過性等を考慮して設定することができ、例えば、１〜１５ｎｍ程度の範囲で適宜設定することができる。また、導電層１１６は、被成形樹脂層を硬化させるための照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。 Here, transparent means that the light transmittance at a wavelength of 365 nm is 70% or more. The light transmittance of the transparent substrate 112 is particularly preferably 90% or more.
The hard mask material layer 115 located on one surface 112a of the transparent substrate 112 is a material layer for forming a hard mask that serves as an etching mask when the transparent substrate 112 is etched. For example, chromium, titanium, nickel, Examples of the material include molybdenum, tantalum, tungsten, chromium oxide, chromium nitride, silicon oxide, silicon nitride, and titanium nitride. Such a hard mask material layer 115 can be formed by a known vacuum film formation method such as a sputtering method, and the thickness can be appropriately set within a range of 1 to 15 nm.
The conductive layer 116 has conductivity and has a light transmission property capable of transmitting irradiation light for curing the molded resin layer at the time of imprinting using the manufactured mold. A thin film of indium tin oxide, chromium-based, silicon-based, molybdenum-based metal oxide (for example, chromium oxide, molybdenum oxide, or the like), or metal nitride can be used. The conductive layer 116 is formed by forming a thin film as described above on the surface 112b of the transparent substrate 112 by a vacuum film formation method or the like, then forming a desired resist pattern on the thin film, and using the resist pattern as a mask, the transparent substrate The thin film can be formed by etching so that the surface 112b is exposed with a desired width from the peripheral edge 112b 'of the 112. The thickness of the conductive layer 116 can be set in consideration of conductivity, light transmittance, and the like, and can be set as appropriate within a range of about 1 to 15 nm, for example. Further, the conductive layer 116 may have a network structure having a size that does not resolve with irradiation light for curing the resin layer to be molded.

ここで、導電性とは、表面抵抗が１０5Ω／□未満であることを意味し、導電層１１６の表面抵抗が１０3Ω／□未満であることが特に好ましい。また、光透過性とは、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上であることを意味し、導電層１１６の光透過率が５０％以上であることが特に好ましい。
図１８は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す平面図であり、図１９は図１８に示されるモールド製造用の基板のVI−VI線における概略断面図である。図１８および図１９において、本発明のモールド製造用の基板１２１は、透明基板１２２の他方の面１２２ｂに位置する導電層１２６の平面視形状が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む円形である点を除いて、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１と同様である。このため、透明基板１２２、ハードマスク材料層１２５の説明、導電層１２６の材質の説明は省略する。
このモールド製造用の基板１２１の導電層１２６の平面視形状は、製造したモールドにおいて凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層１２６が上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着され保持できるように設定されている。 Here, the term “conductive” means that the surface resistance is less than 10 5 Ω / □, and the surface resistance of the conductive layer 116 is particularly preferably less than 10 3 Ω / □. The light transmittance means that the light transmittance at a wavelength of 365 nm is 35% or more, and the light transmittance of the conductive layer 116 is particularly preferably 50% or more.
18 is a plan view showing another embodiment of the mold manufacturing substrate of the present invention, and FIG. 19 is a schematic sectional view taken along the line VI-VI of the mold manufacturing substrate shown in FIG. 18 and 19, the mold manufacturing substrate 121 of the present invention is such that the shape of the conductive layer 126 in plan view located on the other surface 122b of the transparent substrate 122 is a circle including the concavo-convex structure region back surface B. Except for this, it is the same as the substrate 111 for mold production shown in FIGS. For this reason, the description of the transparent substrate 122 and the hard mask material layer 125 and the material of the conductive layer 126 are omitted.
The planar view shape of the conductive layer 126 of the substrate 121 for mold manufacture is such that the conductive layer 126 located outside the uneven structure region rear surface B in the manufactured mold can be vacuum-sucked and held by the vacuum suction-holding device 201 described above. Is set.

図２０は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２０において、本発明のモールド製造用の基板１３１は、透明基板１３２の他方の面１３２ｂに位置する導電層１３６が、凹凸構造領域裏面Ｂを含む領域に位置する導電層１３６ｃと、当該領域を囲む領域に位置する導電層１３６ｐからなり、導電層１３６ｐの厚みは導電層１３６ｃの厚みよりも大きいものである。このモールド製造用の基板１３１の透明基板１３２は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１の透明基板１１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド製造用の基板１３１では、凹凸構造領域裏面Ｂを含む領域に位置する導電層１３６ｃは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するとともに、波長３６５ｎｍの光透過率が３５％以上である光透過性を具備するものである。一方、導電層１３６ｐは、表面抵抗が１０5Ω／□未満である導電性を具備するが、光透過性は導電層１３６ｃよりも劣るものであってよく、さらに、上記の光透過性を具備しないものであってもよい。この導電層１３６ｃとその周囲に連続して位置する導電層１３６ｐからなる導電層１３６の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができる。したがって、導電層１３６ｐは表面抵抗が１０3Ω／□未満であるような導電性を具備するものであってよい。また、導電層１３６ｃの厚みは、上記の導電性、光透過性を具備するように適宜設定することができる。さらに、導電層１３６ｃは、製造したモールドを使用するインプリントにおいて被成形樹脂層を硬化させるために用いる照射光で解像しない寸法の網目構造であってもよい。 FIG. 20 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. In FIG. 20, the mold 131 of the present invention includes a conductive layer 136 c located on the other surface 132 b of the transparent substrate 132, a conductive layer 136 c located on a region including the concavo-convex structure region back surface B, and the region. The conductive layer 136p is located in the surrounding region, and the thickness of the conductive layer 136p is larger than the thickness of the conductive layer 136c. The transparent substrate 132 of the mold manufacturing substrate 131 is the same as the transparent substrate 112 of the mold manufacturing substrate 111 shown in FIGS.
In this mold manufacturing substrate 131, the conductive layer 136c located in the region including the concavo-convex structure region rear surface B has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □ and has a light transmittance of 365 nm. It has a light transmittance of 35% or more. On the other hand, the conductive layer 136p has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, but the light transmittance may be inferior to that of the conductive layer 136c, and further has the above light transmittance. It may not be. The material of the conductive layer 136 consisting of the conductive layer 136c and the conductive layer 136p continuously located around the conductive layer 136c may be the same as that of the conductive layer 116 in the mold manufacturing substrate 111 shown in FIGS. it can. Therefore, the conductive layer 136p may have conductivity such that the surface resistance is less than 10 3 Ω / □. The thickness of the conductive layer 136c can be set as appropriate so as to have the above-described conductivity and light transmittance. Furthermore, the conductive layer 136c may have a network structure having a size that does not resolve with irradiation light used for curing the resin layer to be molded in imprinting using the manufactured mold.

このようなモールド製造用の基板１３１では、製造したモールドを、導電層１３６ｐが上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着されることにより保持できるように、導電層１３６が配設されている。
図２１は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２１において、本発明のモールド製造用の基板１４１は、透明基板１４２の他方の面１４２ｂに位置する導電層１４６の中央部に、透明基板１４２の面１４２ｂが円形状で露出し、この導電層１４６が凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置するものである。このモールド製造用の基板１４１の透明基板１４２は、上述の図１６、図１７に示すインモールド製造用の基板１１１の透明基板１１２と同様であり、説明は省略する。
このモールド製造用の基板１４１では、凹凸構造領域裏面Ｂの外側に位置する導電層１４６は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層１４６の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層１４６の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。 In such a mold manufacturing substrate 131, the conductive layer 136 is disposed so that the manufactured mold can be held by the conductive layer 136p being vacuum-sucked by the vacuum suction-holding device 201 described above.
FIG. 21 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. In FIG. 21, in the mold manufacturing substrate 141 of the present invention, the surface 142b of the transparent substrate 142 is exposed in a circular shape at the center of the conductive layer 146 located on the other surface 142b of the transparent substrate 142. 146 is located outside the concavo-convex structure region back B. The transparent substrate 142 of the substrate 141 for mold production is the same as the transparent substrate 112 of the substrate 111 for in-mold production shown in FIGS.
In this mold manufacturing substrate 141, the conductive layer 146 located outside the back surface B of the concavo-convex structure region has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, preferably less than 10 3 Ω / □. It is. The material of such a conductive layer 146 can be the same as that of the conductive layer 116 in the substrate 111 for mold production shown in FIGS. 16 and 17, and chromium, nickel, gold, silver, aluminum, etc. A material having excellent conductivity such that the surface resistance is less than 10 Ω / □ and low light transmittance may be used. The thickness of the conductive layer 146 can be set as appropriate so as to have the above-described conductivity.

このようなモールド製造用の基板１４１では、製造したモールドを、導電層１４６が上述の真空吸着保持装置２０１により真空吸着されることにより保持できるように、導電層１４６の寸法が設定されている。
図２２は、本発明のモールド製造用の基板の他の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２２において、本発明のモールド製造用の基板１５１は、透明基板１５２の面１５２ｂに位置する導電層１５６に加えて、透明基板１５２の側面１５２ｃに導電層１５６′を備える点を除いて、上述の図１６、図１７に示すインプリント用のモールド１１１と同様である。このため、透明基板１５２、ハードマスク材料層１５５の説明、導電層１５６の材質の説明は省略する。 In such a mold manufacturing substrate 141, the dimensions of the conductive layer 146 are set so that the manufactured mold can be held by the conductive layer 146 being vacuum-sucked by the vacuum suction-holding device 201 described above.
FIG. 22 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing another embodiment of the substrate for mold production of the present invention. In FIG. 22, the mold manufacturing substrate 151 of the present invention is the same as that described above except that a conductive layer 156 ′ is provided on the side surface 152 c of the transparent substrate 152 in addition to the conductive layer 156 positioned on the surface 152 b of the transparent substrate 152. 16 and 17 are the same as the imprint mold 111 shown in FIGS. Therefore, description of the transparent substrate 152, the hard mask material layer 155, and the material of the conductive layer 156 are omitted.

このモールド製造用の基板１５１において、透明基板１５２の側面１５２ｃに位置する導電層１５６′は、表面抵抗が１０5Ω／□未満、好ましくは１０3Ω／□未満である導電性を具備するものである。このような導電層１５６′の材質は、上述の図１６、図１７に示すモールド製造用の基板１１１における導電層１１６と同様とすることができ、また、クロム、ニッケル、金、銀、アルミニウム等の表面抵抗が１０Ω／□未満であるような優れた導電性を有し、光透過性が低い材質であってもよい。導電層１５６′の厚みは、上記の導電性を具備するように適宜設定することができる。この導電層１５６′は、図示のように、透明基材１５２の面１５２ｂの周縁部１５２ｂ′に存在しないことが好ましい。これにより、モールド製造用の基板１５１の搬送時等における導電層１５６′の剥がれが抑制される。
上述のような本発明のモールド製造用の基板を使用することにより、インプリントにおける帯電を抑制することができるモールドを簡便に製造することができる。 In this mold manufacturing substrate 151, the conductive layer 156 ′ located on the side surface 152 c of the transparent substrate 152 has conductivity with a surface resistance of less than 10 5 Ω / □, preferably less than 10 3 Ω / □. It is. The material of the conductive layer 156 ′ can be the same as that of the conductive layer 116 in the substrate 111 for mold production shown in FIGS. 16 and 17, and chromium, nickel, gold, silver, aluminum, etc. A material having excellent electrical conductivity such that the surface resistance is less than 10 Ω / □ and low light transmittance may be used. The thickness of the conductive layer 156 ′ can be appropriately set so as to have the above-described conductivity. As shown in the figure, the conductive layer 156 ′ is preferably not present at the peripheral edge 152 b ′ of the surface 152 b of the transparent base material 152. As a result, peeling of the conductive layer 156 ′ during transport of the mold manufacturing substrate 151 is suppressed.
By using the substrate for mold production of the present invention as described above, a mold capable of suppressing charging in imprinting can be easily produced.

上述の実施形態は例示であり、本発明のモールド製造用の基板は、このような実施形態に限定されるものではない。例えば、ハードマスク材料層を備えていないものであってもよい。
また、透明基板は、平坦な表面を有する凸構造部を備えた、いわゆるメサ構造であってもよい。図２３は、このようなモールド製造用の基板の実施形態を示す図１７相当の概略断面図である。図２３において、本発明のモールド製造用の基板１６１は、透明基板１６２が面１６２ａに凸構造部１６３を備えている。そして、透明基板１６２の一方の面である凸構造部１６３の表面１６３ａに、モールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域Ａを有し、面１６２ａ、表面１６３ａを被覆するようにハードマスク材料層１６５を有している。また、透明基板１６２の他方の面１６２ｂの凹凸構造領域裏面Ｂに導電層１６６を備えている。このように透明基板がメサ構造である場合の導電層は、図示の導電層１６６に限定されるものではなく、例えば、上述の導電層１２６，１３６，１４６，１５６，１５６′のような態様であってよい。また、ハードマスク材料層１６５は、凸構造部１６３の表面１６３ａのみを被覆するように存在するものであってもよい。 The above-described embodiment is an exemplification, and the substrate for mold production of the present invention is not limited to such an embodiment. For example, it may not be provided with a hard mask material layer.
Further, the transparent substrate may have a so-called mesa structure including a convex structure portion having a flat surface. FIG. 23 is a schematic cross-sectional view corresponding to FIG. 17 showing an embodiment of such a mold manufacturing substrate. In FIG. 23, a substrate 161 for mold production of the present invention has a transparent substrate 162 provided with a convex structure portion 163 on a surface 162a. The hard mask material has a concavo-convex structure region A for forming the concavo-convex structure of the mold on the surface 163a of the convex structure portion 163, which is one surface of the transparent substrate 162, and covers the surface 162a and the surface 163a. It has a layer 165. In addition, a conductive layer 166 is provided on the concave-convex structure region rear surface B of the other surface 162 b of the transparent substrate 162. Thus, the conductive layer in the case where the transparent substrate has a mesa structure is not limited to the illustrated conductive layer 166, and for example, in a manner such as the conductive layers 126, 136, 146, 156, 156 'described above. It may be. Further, the hard mask material layer 165 may exist so as to cover only the surface 163 a of the convex structure portion 163.

［インプリント方法］
本発明のインプリント方法について、上述の本発明のモールド１１を用いた場合を例として、図２４に示される工程を参照して説明する。
本発明のインプリント方法では、樹脂供給工程において、インプリント用の転写基板２１１上の所望の領域に、被成形樹脂の液滴２２１を供給する（図２４（Ａ））。
本発明のインプリント方法に使用する転写基板２１１は適宜選択することができ、例えば、石英やソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス等のガラス、シリコンやガリウム砒素、窒化ガリウム等の半導体、ポリカーボネート、ポリプロピレン、ポリエチレン等の樹脂基板、金属基板、あるいは、これらの材料の任意の組み合わせからなる複合材料基板であってよい。また、例えば、半導体やディスプレイ等に用いられる微細配線や、フォトニック結晶構造、光導波路、ホログラフィのような光学的構造等の所望のパターン構造物が形成されたものであってもよい。図示例では、転写基板２１１は、基部２１２と、この基部２１２の一方の面の中央に位置し、平坦な表面２１３ａを有する凸構造部２１３を備えた、いわゆるメサ構造である。このような転写基板２１１は、凸構造部２１３の表面２１３ａにハードマスク材料層を備えていてもよい。 [Imprint method]
The imprinting method of the present invention will be described with reference to the process shown in FIG. 24 by taking the case of using the mold 11 of the present invention as an example.
In the imprint method of the present invention, in the resin supply step, the droplet 221 of the molding resin is supplied to a desired region on the imprint transfer substrate 211 (FIG. 24A).
The transfer substrate 211 used in the imprint method of the present invention can be selected as appropriate, for example, glass such as quartz, soda lime glass, borosilicate glass, semiconductor such as silicon, gallium arsenide, gallium nitride, polycarbonate, polypropylene, It may be a resin substrate such as polyethylene, a metal substrate, or a composite material substrate made of any combination of these materials. Further, for example, a desired pattern structure such as a fine wiring used in a semiconductor or a display, a photonic crystal structure, an optical waveguide, or an optical structure such as holography may be formed. In the illustrated example, the transfer substrate 211 has a so-called mesa structure including a base portion 212 and a convex structure portion 213 that is located at the center of one surface of the base portion 212 and has a flat surface 213a. Such a transfer substrate 211 may include a hard mask material layer on the surface 213 a of the convex structure portion 213.

被成形樹脂は、例えば、被成形樹脂の液滴２２１をインクジェットヘッドから吐出して供給する場合には、インクジェットヘッドからの吐出が可能な流動性を有するものであればよく、光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂等を挙げることができる。光硬化性樹脂としては、例えば、主剤、開始剤、架橋剤により構成され、また、必要に応じて、モールドとの付着を抑制するための離型剤や、転写基板２１１との密着性を向上させるための密着剤を含有しているものであってよい。本実施形態では、被成形樹脂は光硬化性樹脂とする。
凸構造部２１３に表面２１３ａに供給する被成形樹脂の液滴２２１の個数、隣接する液滴の距離は、個々の液滴の滴下量、必要とされる被成形樹脂の総量、転写基板２１１に対する被成形樹脂の濡れ性、後工程である接触工程におけるモールド１１と転写基板２１１との間隙等から適宜設定することができる。
次に、接触工程において、モールド１１と転写基板２１１との間に被成形樹脂の液滴２２１を展開して被成形樹脂層２２２を形成する（図２４（Ｂ））。モールド１１は、透明基材１２の面１２ｂに位置する導電層１６を、真空吸着保持装置２０１によって真空吸着することにより保持されている。このように保持されたモールド１１の凹凸構造領域裏面Ｂには、真空吸着保持装置２０１の保持部材は存在しない。 For example, in the case where the molding resin droplets 221 are discharged and supplied from the inkjet head, the molding resin only needs to have fluidity that allows ejection from the inkjet head. A thermosetting resin etc. can be mentioned. The photo-curing resin is composed of, for example, a main agent, an initiator, and a cross-linking agent, and if necessary, improves the adhesion to a mold release agent for suppressing adhesion to the mold and the transfer substrate 211. It may contain the adhesive for making it do. In the present embodiment, the resin to be molded is a photocurable resin.
The number of molding resin droplets 221 supplied to the surface 213a of the convex structure 213, and the distance between adjacent droplets are the amount of each droplet dropped, the total amount of molding resin required, and the transfer substrate 211. It can be set as appropriate based on the wettability of the resin to be molded, the gap between the mold 11 and the transfer substrate 211 in the contact process which is a subsequent process.
Next, in the contact step, a molding resin droplet 221 is developed between the mold 11 and the transfer substrate 211 to form a molding resin layer 222 (FIG. 24B). The mold 11 is held by vacuum-sucking the conductive layer 16 located on the surface 12 b of the transparent substrate 12 by a vacuum suction-holding device 201. The holding member of the vacuum suction holding device 201 does not exist on the uneven structure region rear surface B of the mold 11 held in this way.

次いで、硬化工程において、モールド１１側から光照射を行い、被成形樹脂層２２２を硬化させて、モールド１１の凹凸構造１４が転写された転写樹脂層２２３とする（図２４（Ｃ））。この硬化工程では、転写基板２１１が光透過性の材料からなる場合、転写基板２１１側から光照射を行ってもよく、また、転写基板２１１とモールド１１の両側から光照射を行ってもよい。
尚、被成形樹脂が熱硬化性樹脂である場合には、被成形樹脂層２２２に対して加熱処理を施すことにより硬化させることができる。 Next, in the curing step, light irradiation is performed from the mold 11 side to cure the resin layer 222 to be molded, so that the transfer resin layer 223 to which the concavo-convex structure 14 of the mold 11 is transferred is formed (FIG. 24C). In this curing step, when the transfer substrate 211 is made of a light-transmitting material, light irradiation may be performed from the transfer substrate 211 side, or light irradiation may be performed from both sides of the transfer substrate 211 and the mold 11.
When the molding resin is a thermosetting resin, the molding resin layer 222 can be cured by heat treatment.

次に、離型工程において、モールド１１の導電層１６を接地させた状態で、転写樹脂層２２３とモールド１１を引き離して、転写樹脂層２２３であるパターン構造体２３１を転写基板２１１上に位置させた状態とする（図２４（Ｄ））。モールド１１の導電層１６は、例えば、真空吸着保持装置２０１に設けられた図示しない導通手段を介して接地させることができる。モールド１１は、転写樹脂層２２３との引き離しにおいて発生する静電気により帯電し、モールド１１の透明基材１２の材質が、石英ガラス等の絶縁体である場合、誘電分極によって、例えば、透明基材１２の面１２ａ側が正電荷、面１２ｂ側が負電荷となるような電荷の偏りが生じる。しかし、上記のようにモールド１１の導電層１６が接地されているので、面１２ｂ側の負電荷が減少し、これによりモールド１１の帯電量が減少する。したがって、モールド１１に雰囲気中の異物等が付着することが抑制され、パターン構造体の欠陥やモールドの破損等を防止することができる。このようなモールドの帯電の状況は、モールドを構成する透明基材の材質、転写樹脂層を構成する樹脂の種類、厚み、および、転写基板の材質等によって変化するものであるが、本発明により帯電量の軽減効果が奏されることには変わりはない。   Next, in the mold release process, the transfer resin layer 223 and the mold 11 are separated while the conductive layer 16 of the mold 11 is grounded, and the pattern structure 231 that is the transfer resin layer 223 is positioned on the transfer substrate 211. (FIG. 24D). The conductive layer 16 of the mold 11 can be grounded, for example, via a conduction means (not shown) provided in the vacuum suction holding device 201. When the mold 11 is charged by static electricity generated when being separated from the transfer resin layer 223 and the material of the transparent base 12 of the mold 11 is an insulator such as quartz glass, for example, the transparent base 12 is caused by dielectric polarization. The surface of the surface 12a is positively charged and the surface 12b is negatively charged. However, since the conductive layer 16 of the mold 11 is grounded as described above, the negative charge on the side of the surface 12b is reduced, and the charge amount of the mold 11 is thereby reduced. Therefore, it is possible to suppress foreign matters or the like in the atmosphere from adhering to the mold 11, and it is possible to prevent pattern structure defects, mold damage, and the like. Such a state of charging of the mold varies depending on the material of the transparent base material constituting the mold, the type and thickness of the resin constituting the transfer resin layer, the material of the transfer substrate, and the like. There is no change in the effect of reducing the charge amount.

また、本発明のインプリント方法では、離型工程において、図示しない静電気除去装置を用いてモールド１１の除電を行ってもよい。静電気除去装置による除電は、例えば、モールド１１の透明基材１２の面１２ａ側に生じる電荷（上記の例では、正電荷）と反対の極性のイオンを放電極から発生し、このイオンをクーロン力で移動させてモールド１１の凹凸構造１４を有する面１２ａに供給することにより行うことができる。   In the imprint method of the present invention, the mold 11 may be neutralized using a static eliminator (not shown) in the mold release step. The static elimination by the static eliminator generates, for example, ions having a polarity opposite to the charge (positive charge in the above example) generated on the surface 12a side of the transparent substrate 12 of the mold 11 from the discharge electrode, and this ion is subjected to Coulomb force. It can be carried out by supplying to the surface 12 a having the concavo-convex structure 14 of the mold 11.

静電気除去装置を使用したモールドの除電では、モールドと転写樹脂層との間隙が小さい段階では、効果的な除電が困難である。このため、静電気除去装置を使用したモールドの除電のみでは、転写樹脂層との引き離し直後の、帯電量が最も高く、異物等が付着し易い状態が現出することの抑制に限界がある。これに対して、本発明のインプリント方法では、導電層１６を備えるモールド１１を使用するので、モールド１１が帯電した直後から、モールド１１の除電が行われる。したがって、転写樹脂層との引き離し直後の、帯電量が最も高く、異物等が付着し易い状態が現出することを抑制することができる。そして、離型工程において、静電気除去装置を用いたモールド１１の除電を併用することにより、モールド１１が備える導電層１６が発現する除電効果とともに、より急速にモールド１１の除電を行うことができる。
上述のインプリント方法の実施形態は例示であり、本発明はこれに限定されるものではない。 In static elimination of a mold using a static eliminating device, effective static elimination is difficult at a stage where the gap between the mold and the transfer resin layer is small. For this reason, there is a limit to the suppression of the appearance of a state in which the charge amount is the highest and foreign matter or the like is likely to adhere immediately after separation from the transfer resin layer only by static elimination of the mold using the static eliminator. On the other hand, in the imprint method of the present invention, since the mold 11 including the conductive layer 16 is used, the charge removal of the mold 11 is performed immediately after the mold 11 is charged. Therefore, it is possible to suppress the appearance of a state in which the charge amount is the highest and foreign matter or the like easily adheres immediately after being separated from the transfer resin layer. And in a mold release process, by using together the static elimination of the mold 11 using an electrostatic removal apparatus, the static elimination of the mold 11 can be performed more rapidly with the static elimination effect which the conductive layer 16 with which the mold 11 is provided.
The above-described embodiment of the imprint method is an exemplification, and the present invention is not limited to this.

次に、より具体的な実施例を示して本発明を更に詳細に説明する。
［実施例１］
厚み０．６２５ｍｍの合成石英基板（１５２ｍｍ×１５２ｍｍ）を透明基板として準備した。
上記の透明基板の一方の面に、反応性スパッタリング法によりクロム薄膜（厚み５ｎｍ）を成膜して、導電層とした。但し、透明基材の周縁部から幅５ｍｍの範囲では、導電層が存在しないものとした。これにより、モールド製造用の基板を得た。
この導電層の表面抵抗は１０4Ω／□であり、良好な導電性を具備していることを確認した。尚、表面抵抗の測定は、抵抗率測定装置（三菱化学（株）製 ロレスターＧＰＭＣＰ−Ｔ６１０）を用いて行った。
また、導電層の波長３６５ｎｍの光透過率は９５％であり、良好な光透過性を具備していることを確認した。尚、光透過率の測定は、光透過率計（大塚電子（株）製 ＭＣＰＤ−６８００）を用いて行った。 Next, the present invention will be described in more detail by showing more specific examples.
[Example 1]
A synthetic quartz substrate (152 mm × 152 mm) having a thickness of 0.625 mm was prepared as a transparent substrate.
A chromium thin film (thickness 5 nm) was formed on one surface of the transparent substrate by a reactive sputtering method to obtain a conductive layer. However, the conductive layer was not present in the range of 5 mm from the peripheral edge of the transparent substrate. This obtained the board | substrate for mold manufacture.
The surface resistance of this conductive layer was 10 4 Ω / □, and it was confirmed that the conductive layer had good conductivity. The surface resistance was measured using a resistivity measuring device (Lorestar GPMCP-T610 manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation).
In addition, the light transmittance of the conductive layer at a wavelength of 365 nm was 95%, and it was confirmed that the light transmittance was good. The light transmittance was measured using a light transmittance meter (MCPD-6800 manufactured by Otsuka Electronics Co., Ltd.).

次いで、上記の透明基板の反対側の面に市販の感光性レジストを塗布し、この感光性レジストを電子線描画により露光、現像して、ピッチ３２ｎｍ、パターン幅３２ｎｍのライン／スペース形状のレジストパターンを形成した。このレジストパターンをマスクとし、透明基材をドライエッチングして、深さ６０ｎｍの凹部を形成して凹凸構造とした。このような凹凸構造が形成された凹凸構造領域は３０ｍｍ×３０ｍｍの大きさであり、透明基板の中央に位置するものであった。
これにより、図１、図２に示されるようなインプリント用のモールドを得た。 Next, a commercially available photosensitive resist is applied to the opposite surface of the transparent substrate, and the photosensitive resist is exposed and developed by electron beam drawing to form a line / space resist pattern having a pitch of 32 nm and a pattern width of 32 nm. Formed. Using this resist pattern as a mask, the transparent substrate was dry-etched to form a recess having a depth of 60 nm to form an uneven structure. The concavo-convex structure region in which such a concavo-convex structure was formed was 30 mm × 30 mm in size and was located in the center of the transparent substrate.
Thus, an imprint mold as shown in FIGS. 1 and 2 was obtained.

［実施例２］
感光性レジストを電子線描画により露光、現像して形成したライン／スペース形状のレジストパターンのピッチを６４ｎｍ、パターン幅を６４ｎｍとした他は、実施例１と同様にして、図１、図２に示されるようなインプリント用のモールドを得た。 [Example 2]
1 and 2 in the same manner as in Example 1 except that the line / space-shaped resist pattern formed by exposing and developing the photosensitive resist by electron beam drawing has a pitch of 64 nm and a pattern width of 64 nm. An imprint mold as shown was obtained.

［実施例３］
導電層の中央部に、透明基板が直径５５ｍｍの円形状で露出するように、クロム薄膜からなる導電層を形成した他は、実施例１と同様にして、図９、図１０に示されるようなインプリント用のモールドを得た。このモールドは、凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在しないものであった。 [Example 3]
9 and 10 as shown in FIGS. 9 and 10 except that a conductive layer made of a chromium thin film is formed in the central portion of the conductive layer so that the transparent substrate is exposed in a circular shape having a diameter of 55 mm. A mold for imprinting was obtained. This mold had no conductive layer on the back surface of the concavo-convex structure region where the concavo-convex structure was formed.

［実施例４］
導電層の中央部に、透明基板が直径５５ｍｍの円形状で露出するように、クロム薄膜からなる導電層を形成した他は、実施例２と同様にして、図９、図１０に示されるようなインプリント用のモールドを得た。このモールドは、凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在しないものであった。 [Example 4]
9 and 10 as shown in FIGS. 9 and 10 except that a conductive layer made of a chromium thin film is formed in the central portion of the conductive layer so that the transparent substrate is exposed in a circular shape having a diameter of 55 mm. A mold for imprinting was obtained. This mold had no conductive layer on the back surface of the concavo-convex structure region where the concavo-convex structure was formed.

［比較例１］
導電層を形成しない他は、実施例１と同様にして、インプリント用のモールドを得た。
［比較例２］
導電層を形成しない他は、実施例２と同様にして、インプリント用のモールドを得た。 [Comparative Example 1]
An imprint mold was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conductive layer was not formed.
[Comparative Example 2]
An imprint mold was obtained in the same manner as in Example 2 except that the conductive layer was not formed.

＜モールドの評価＞
上記のモールド（実施例１〜４、比較例１〜２）を用いてインプリント方法でパターン構造体を形成した。
すなわち、転写基板をインプリント装置の基板ステージに載置し、転写基板上に光硬化性の被成形樹脂の液滴を供給した（図２４（Ａ）参照）。 <Evaluation of mold>
A pattern structure was formed by the imprint method using the molds described above (Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2).
That is, the transfer substrate was placed on the substrate stage of the imprint apparatus, and photocurable resin droplets were supplied onto the transfer substrate (see FIG. 24A).

次いで、被成形樹脂の液滴にモールドを押し当て被成形樹脂層を形成し（図２４（Ｂ）参照）、この状態でインプリント装置の照明光学系から平行光（ピーク波長が３６５ｎｍの紫外線）をモールド側に５００ｍＪ／ｃｍ2の条件で照射した。これにより、被成形樹脂層を硬化させて転写樹脂層とした（図２４（Ｃ）参照）。インプリント装置の真空吸着保持装置によるモールドの保持では、実施例１〜２のモールドについては、図３に一点鎖線で示される環状の吸着保持領域１８で導電層を真空吸着した。また、実施例３〜４のモールドについては、図９に一点鎖線で示される環状の吸着保持領域４８で導電層を真空吸着した。一方、比較例１〜２のモールドについては、透明基材の凹凸構造が形成されている面と反対側の面を、実施例１〜４のモールドと同様の真空吸着保持装置を用いて真空吸着して保持した。但し、真空吸着保持装置には外部への接地用の配線が設けられており、実施例１〜４のモールドでは、導電層を接地された状態とした。
その後、転写樹脂層からモールドを引き離し、モールドの凹凸構造を有する面の表面電位をトレックジャパン（株）製 表面電位計ＭＯＤＥＬ３４１Ｂを用いて計測した。この計測は、転写樹脂層とモールドとの離型が完了した直後と、４０秒経過後に実施し、その結果を下記の表１に示した。 Next, a mold is pressed against the droplet of the resin to be molded to form a resin layer to be molded (see FIG. 24B). In this state, parallel light (ultraviolet light having a peak wavelength of 365 nm) is emitted from the illumination optical system of the imprint apparatus. Was irradiated on the mold side under the condition of 500 mJ / cm 2 . Thus, the molded resin layer was cured to form a transfer resin layer (see FIG. 24C). In the holding of the mold by the vacuum suction holding device of the imprint apparatus, the conductive layer was vacuum suctioned in the annular suction holding region 18 indicated by a one-dot chain line in FIG. Moreover, about the mold of Examples 3-4, the electroconductive layer was vacuum-sucked by the cyclic | annular adsorption | suction holding | maintenance area | region 48 shown with a dashed-dotted line in FIG. On the other hand, as for the molds of Comparative Examples 1 and 2, the surface opposite to the surface on which the concavo-convex structure of the transparent base material is formed is vacuum suctioned using the same vacuum suction holding device as the molds of Examples 1 to 4. And held. However, the vacuum suction holding apparatus is provided with a wiring for grounding to the outside, and in the molds of Examples 1 to 4, the conductive layer was grounded.
Thereafter, the mold was separated from the transfer resin layer, and the surface potential of the surface having the uneven structure of the mold was measured using a surface potential meter MODEL341B manufactured by Trek Japan. This measurement was performed immediately after the release of the transfer resin layer and the mold was completed and after 40 seconds had elapsed, and the results are shown in Table 1 below.

Figure 0006597186
Figure 0006597186

表１に示されるように、実施例１〜４のモールドは、転写樹脂層との離型が完了した直後の表面電位が、比較例１〜２のモールドよりも格段に低く、このことから実施例１〜４が備える導電層の除電効果が確認された。
また、実施例１〜２のモールドと、実施例３〜４のモールドとを対比すると、モールドの凹凸構造が形成された凹凸構造領域の裏面に導電層が存在することにより、導電層の除電効果がより顕著となることが確認された。 As shown in Table 1, in the molds of Examples 1 to 4, the surface potential immediately after the release from the transfer resin layer was completed is much lower than the molds of Comparative Examples 1 and 2, and thus the implementation was performed. The static elimination effect of the conductive layer with which Examples 1-4 were equipped was confirmed.
Further, when the molds of Examples 1 and 2 are compared with the molds of Examples 3 to 4, the conductive layer is present on the back surface of the concavo-convex structure region where the concavo-convex structure of the mold is formed. It was confirmed that becomes more prominent.

インプリント技術を用いた種々の微細加工、微細パターン形成等に利用可能である。   It can be used for various fine processing, fine pattern formation, etc. using imprint technology.

１１，２１，３１，４１，５１，６１，７１…インプリント用のモールド
１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２…透明基材
１２ａ，２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７３ａ…透明基材の一方の面
１２ｂ，２２ｂ，３２ｂ，４２ｂ，５２ｂ，６２ｂ，７２ｂ…透明基材の他方の面
１４，２４，３４，４４，５４，６４，７４…凹凸構造
１６，２６，３６，３６ｃ，３６ｐ，４６，５６，５６′，６６，６６″…導電層
１１１，１２１，１３１，１４１，１５１，１６１…モールド製造用の基板
１１２，１２２，１３２，１４２，１５２，１６２…透明基板
１１２ａ，１２２ａ，１３２ａ，１４２ａ，１５２ａ，１６３ａ…透明基板の一方の面
１１２ｂ，１２２ｂ，１３２ｂ，１４２ｂ，１５２ｂ，１６２ｂ…透明基板の他方の面
１１５，１２５，１３５，１４５，１５５，１６５…ハードマスク材料層
１１６，１２６，１３６，１４６，１５６，１６６…導電層
２１１…転写基材
２２１…被形成樹脂
２２２…被形成樹脂層
２２３…転写樹脂層
２３１…パターン構造体
Ａ…凹凸構造領域
Ｂ…凹凸構造領域裏面 11, 21, 31, 41, 51, 61, 71 ... Imprint molds 12, 22, 32, 42, 52, 62, 72 ... Transparent substrates 12a, 22a, 32a, 42a, 52a, 62a, 73a ... One surface of the transparent substrate 12b, 22b, 32b, 42b, 52b, 62b, 72b ... The other surface of the transparent substrate 14, 24, 34, 44, 54, 64, 74 ... Uneven structure 16, 26, 36, 36c, 36p, 46, 56, 56 ', 66, 66 "... conductive layer 111, 121, 131, 141, 151, 161 ... substrate for mold production 112, 122, 132, 142, 152, 162 ... transparent substrate 112a , 122a, 132a, 142a, 152a, 163a ... one surface of the transparent substrate 112b, 122b, 132b, 142b, 152b, 162b ... the transparent substrate Surface 115, 125, 135, 145, 155, 165 ... Hard mask material layer 116, 126, 136, 146, 156, 166 ... Conductive layer 211 ... Transfer substrate 221 ... Formed resin 222 ... Formed resin layer 223 ... Transfer resin layer 231 ... Pattern structure A ... Uneven structure area B ... Uneven structure area rear surface

Claims (9)

透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいことを特徴とするインプリント用のモールド。 Comprising a transparent substrate, a concavo-convex structure located in a concavo-convex structure region defined on one surface of the transparent substrate, and a conductive layer located on the other surface of the transparent substrate ,
On the other surface, the conductive layer is located on the back of the concavo-convex structure region facing the concavo-convex structure region through at least the transparent substrate, and the conductive layer located on the back of the concavo-convex structure region is light transmissive. Have
A mold for imprinting , wherein the thickness of the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region is larger than the thickness of the conductive layer located on the back surface of the uneven structure region . 前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とする請求項１に記載のインプリント用のモールド。 The mold for imprinting according to claim 1 , wherein the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region has a multilayer structure. 透明基材と、該透明基材の一方の面に画定された凹凸構造領域に位置する凹凸構造と、前記透明基材の他方の面に位置する導電層と、を備え、  Comprising a transparent substrate, a concavo-convex structure located in a concavo-convex structure region defined on one surface of the transparent substrate, and a conductive layer located on the other surface of the transparent substrate,
前記他方の面において、少なくとも前記透明基材を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層が位置しており、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、  On the other surface, the conductive layer is located on the back of the concavo-convex structure region facing the concavo-convex structure region through at least the transparent substrate, and the conductive layer located on the back of the concavo-convex structure region is light transmissive. Have
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とするインプリント用のモールド。  The mold for imprinting, wherein the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region has a multilayer structure. 透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、
前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層の厚みは、前記凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層の厚みよりも大きいことを特徴とするモールド製造用の基板。 A transparent substrate, and having a concavo-convex structure region for forming a concavo-convex structure of a mold on one surface of the transparent substrate, and having a conductive layer on the other surface of the transparent substrate ;
On the other surface, the conductive layer is provided on the back surface of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region through the transparent substrate, and the conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region has light transmittance. ,
The mold manufacturing substrate , wherein a thickness of the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region is larger than a thickness of the conductive layer located on the back surface of the uneven structure region . 前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とする請求項４に記載のモールド製造用の基板。 The mold manufacturing substrate according to claim 4 , wherein the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region has a multilayer structure. 透明基板と、該透明基板の一方の面にモールドの凹凸構造を形成するための凹凸構造領域を有し、前記透明基板の他方の面に導電層を備え、  A transparent substrate, and having a concavo-convex structure region for forming a concavo-convex structure of a mold on one surface of the transparent substrate, and having a conductive layer on the other surface of the transparent substrate;
前記他方の面において、少なくとも前記透明基板を介して前記凹凸構造領域と対向する凹凸構造領域裏面には前記導電層を備え、該凹凸構造領域裏面に位置する前記導電層は光透過性を具備し、  On the other surface, the conductive layer is provided on the back surface of the concavo-convex structure region facing at least the concavo-convex structure region through the transparent substrate, and the conductive layer located on the back surface of the concavo-convex structure region has light transmittance. ,
前記凹凸構造領域裏面を除く部位に位置する前記導電層は、多層構造を有することを特徴とするモールド製造用の基板。  The mold manufacturing substrate, wherein the conductive layer located in a portion excluding the back surface of the uneven structure region has a multilayer structure. 前記凹凸構造領域にハードマスク材料層を備えることを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載のモールド製造用の基板。 Substrate for mold production according to any one of claims 4 to 6, characterized in that it comprises a hard mask material layer on the concavo-convex structure area. 転写基板に被成形樹脂を供給する樹脂供給工程と、
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のインプリント用のモールドの前記凹凸構造と前記転写基板を近接させて、前記モールドと前記転写基板との間に前記被成形樹脂を展開して被成形樹脂層を形成する接触工程と、
前記被成形樹脂層を硬化させて前記凹凸構造が転写された転写樹脂層とする硬化工程と、
前記モールドの前記導電層を接地させた状態で、前記転写樹脂層と前記モールドを引き離して、前記転写樹脂層であるパターン構造体を前記転写基板上に位置させた状態とする離型工程と、を有することを特徴とするインプリント方法。 A resin supply step of supplying a molding resin to the transfer substrate;
Claim 1 in close proximity to mold the uneven structure and the transfer substrate for imprinting according to claim 3, the expand the object to be molded resin between the transfer substrate and the mold A contact step of forming a molded resin layer;
A curing step of curing the molding resin layer and transferring the concavo-convex structure to the transfer resin layer;
A mold release step in which the transfer resin layer and the mold are separated from each other while the conductive layer of the mold is grounded, and the pattern structure as the transfer resin layer is positioned on the transfer substrate; The imprint method characterized by having. 前記離型工程では、静電気除去装置を用いて前記モールドの除電を行うことを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。 Wherein in the releasing step, imprinting method according to claim 8, characterized in that the neutralization of the mold by using a static electricity removing device.
JP2015214096A 2015-10-30 2015-10-30 Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method Active JP6597186B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015214096A JP6597186B2 (en) 2015-10-30 2015-10-30 Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015214096A JP6597186B2 (en) 2015-10-30 2015-10-30 Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2017085034A JP2017085034A (en) 2017-05-18
JP6597186B2 true JP6597186B2 (en) 2019-10-30

Family

ID=58714462

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015214096A Active JP6597186B2 (en) 2015-10-30 2015-10-30 Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6597186B2 (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11562924B2 (en) 2020-01-31 2023-01-24 Canon Kabushiki Kaisha Planarization apparatus, planarization process, and method of manufacturing an article

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7927089B2 (en) * 2005-06-08 2011-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Mold, apparatus including mold, pattern transfer apparatus, and pattern forming method
JP4328785B2 (en) * 2005-06-08 2009-09-09 キヤノン株式会社 MOLD, PATTERN TRANSFER DEVICE, AND PATTERN FORMING METHOD
JP2007098779A (en) * 2005-10-05 2007-04-19 Nikon Corp Peeling method of resin and pattern transfer apparatus
JP4542167B2 (en) * 2008-03-31 2010-09-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ Microstructure transfer device
JP6075129B2 (en) * 2013-03-11 2017-02-08 大日本印刷株式会社 Template manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017085034A (en) 2017-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6123396B2 (en) Imprint method and imprint apparatus
TWI584059B (en) Method for manufacturing transparent photomask, transparent photomask manufactured by the method and method for manufacturing conductive mesh pattern using the transparent photomask
JP6171412B2 (en) Imprint method, imprint mold and imprint apparatus
JP4542167B2 (en) Microstructure transfer device
US20120125880A1 (en) Tools and Methods for Forming Semi-Transparent Patterning Masks
KR101322133B1 (en) Stamp for imprint lithography and imprint lithography method using the same
JP6597186B2 (en) Imprint mold, mold manufacturing substrate and imprint method
TWI592741B (en) Photomask and method of manufacturing photomask
JP2020092123A (en) Container, processing device, foreign matter removing method, and article manufacturing method
KR20090019200A (en) Imprinting master and manufacturing method thereof and imprinting method using the same
JP5532939B2 (en) Optical imprint mold and optical imprint method using the same
KR102179737B1 (en) Imprint apparatus, imprint method, and article manufacturing method
JP4588041B2 (en) Printing plate manufacturing method using resin mold
JP6069968B2 (en) Imprint method
JP6075129B2 (en) Template manufacturing method
JP2010258106A (en) Pattern transfer method
JP2015514232A5 (en)
JP5332584B2 (en) Imprint mold, manufacturing method thereof, and optical imprint method
JP6244742B2 (en) Film inspection method, imprint method, pattern structure manufacturing method, imprint mold, imprint transfer substrate, and imprint apparatus
JP6583713B2 (en) Imprint master mold and manufacturing method thereof, imprint film mold and manufacturing method thereof, and manufacturing method of wire grid polarizer
JP2007093839A (en) Form plate and method for regenerating form plate
JP6569718B2 (en) Imprint transfer board
JP6417728B2 (en) Template manufacturing method
JP6303399B2 (en) EUV exposure equipment
JP2014154623A (en) Imprinting method and imprinting device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180827

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190624

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190821

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190903

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190916

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6597186

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150