JP5332584B2 - Imprint mold, manufacturing method thereof, and optical imprint method - Google Patents

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本発明は、インプリントモールド及びその製造方法並びに光インプリント法に関する。特に、露光光源を内蔵したインプリントモールド及びその製造方法並びに光インプリント法に関するものである。   The present invention relates to an imprint mold, a manufacturing method thereof, and an optical imprint method. In particular, the present invention relates to an imprint mold incorporating an exposure light source, a manufacturing method thereof, and an optical imprint method.

近年、半導体デバイス、ディスプレイ、記録メディア、バイオチップ、光デバイスなどの製造工程における微細パターンの形成工程について、インプリント法を用いることが提案されている(非特許文献1、非特許文献2参照)。   In recent years, it has been proposed to use an imprint method for forming a fine pattern in a manufacturing process of a semiconductor device, a display, a recording medium, a biochip, an optical device, or the like (see Non-Patent Document 1 and Non-Patent Document 2). .

インプリント法において、ナノメーターレベルのものを特にナノインプリント法と呼ぶが、以降、単にインプリント法と称するときはナノインプリント法も含むものとする。   In the imprint method, a nanometer-level method is particularly referred to as a nanoimprint method. Hereinafter, the imprint method is also simply referred to as a nanoimprint method.

インプリント法は、最終的に転写すべきパターンのネガポジ反転像に対応するパターンが形成されたインプリントモールド(テンプレートという場合もある。)と呼ばれる型枠を、樹脂に型押しし、その状態で樹脂を硬化させることにより、パターン転写を行うものである。このとき、露光光を照射することにより光硬化性樹脂を硬化させる光インプリント法が知られている(特許文献1参照)。   In the imprint method, a mold called an imprint mold (also referred to as a template) in which a pattern corresponding to a negative / positive reversal image of a pattern to be finally transferred is formed on a resin, and in that state Pattern transfer is performed by curing the resin. At this time, a photoimprint method is known in which a photocurable resin is cured by irradiating exposure light (see Patent Document 1).

インプリント法において、インプリントモールドと転写基板上に生成した樹脂パターンとの剥離性は極めて重要である。図6(a)〜(d)を用いて、インプリントモールドと転写基板上に生成した樹脂パターンとの剥離性について説明する。一般的に、樹脂の硬化は樹脂収縮を引き起こし、インプリントモールドと樹脂パターンとの間に応力を発生させる。このため、図6(a)に示すように、樹脂61を硬化させた後、インプリントモールド62と樹脂61パターンを引き離す工程において、図6(b)に示すように、インプリントモールド62側に樹脂61が移動すること、図6(c)に示すように、樹脂61パターンの一部分がインプリントモールド62側に残留することなどが起こり、樹脂61パターンに欠陥が発生することが知られている。   In the imprint method, the peelability between the imprint mold and the resin pattern formed on the transfer substrate is extremely important. The peelability between the imprint mold and the resin pattern generated on the transfer substrate will be described with reference to FIGS. In general, the curing of the resin causes a resin shrinkage and generates a stress between the imprint mold and the resin pattern. For this reason, as shown in FIG. 6A, in the step of separating the imprint mold 62 and the resin 61 pattern after curing the resin 61, as shown in FIG. It is known that the resin 61 moves, and a part of the resin 61 pattern remains on the imprint mold 62 side as shown in FIG. .

このとき、剥離における樹脂パターンの欠陥は、図6(d)に示すように、剥離時に応力が集中する樹脂61パターンの凸パターン部と凹パターン部との境界であるコーナー部で頻度よく発生することが報告されている(非特許文献3参照)。   At this time, as shown in FIG. 6D, defects in the resin pattern during peeling frequently occur at the corners that are the boundary between the convex pattern part and the concave pattern part of the resin 61 pattern where stress is concentrated during peeling. Has been reported (see Non-Patent Document 3).

また、剥離性を向上させる方法として、表面エネルギーの小さいフッ素ポリマーを剥離剤としてインプリントモールド表面に塗布する方法が提案されている(特許文献2参照)。   Further, as a method for improving the peelability, a method has been proposed in which a fluoropolymer having a small surface energy is applied to the imprint mold surface as a release agent (see Patent Document 2).

しかしながら、剥離剤を表面に塗布したとしても、剥離剤は繰り返しインプリント法を行うと、剥離剤がインプリントモールドの表面から徐々に剥がれ、インプリントモールドと樹脂との剥離性が低下してしまう。
特開2000−194142号公報 特開2002−283354号公報 Appl.phys.Lett., vol.67, p3314(1995) ナノインプリント技術徹底回折 Electric Journal 2004年11月22日発行、p20−38 Y.Hirai, et al. J.Vac.Sci.Technol. B21(6), 2003
However, even if the release agent is applied to the surface, if the release agent is repeatedly subjected to the imprint method, the release agent is gradually peeled off from the surface of the imprint mold, and the peelability between the imprint mold and the resin is lowered. .
JP 2000-194142 A JP 2002-283354 A Appl. phys. Lett. , Vol. 67, p3314 (1995) Nanoimprint Technology Thorough Diffraction Electric Journal Published November 22, 2004, p20-38 Y. Hirai, et al. J. et al. Vac. Sci. Technol. B21 (6), 2003

本発明は、基板が露光光に対する透過性を必要とせず、露光光源を内蔵し、インプリントモールドと樹脂パターンとの剥離性に優れ、繰り返し光インプリント法を行っても剥離性が低下することのないインプリントモールド及びその製造方法並びに光インプリント法を提供することである。   In the present invention, the substrate does not require transparency to the exposure light, the exposure light source is built-in, the releasability between the imprint mold and the resin pattern is excellent, and the releasability is lowered even if the repeated light imprint method is performed. An imprint mold having no defect, a manufacturing method thereof, and an optical imprint method are provided.

本発明の請求項1に係る発明は、基板と、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成され、有機エレクトロルミネッセンスにより発光する発光層と、発光層上に形成された上部電極と、上部電極上に形成された保護層と、保護層上に発光層から放射される発光波長を透過しない材料で形成された凸部を有する凹凸部を有する遮光パターン部と、 基板の下部電極が形成される面とは反対の面に形成された導電層と、を備え、基板は発光層から放射される波長の光を透過しないことを特徴とするインプリントモールドとしたものである。 The invention according to claim 1 of the present invention includes a substrate, a lower electrode formed on the substrate, a light emitting layer formed on the lower electrode and emitting light by organic electroluminescence , and an upper electrode formed on the light emitting layer. A protective layer formed on the upper electrode, a light-shielding pattern portion having an uneven portion having a convex portion formed of a material that does not transmit the emission wavelength emitted from the light emitting layer on the protective layer, and the lower electrode of the substrate And a conductive layer formed on a surface opposite to the surface on which the substrate is formed, and the substrate is an imprint mold characterized in that it does not transmit light having a wavelength emitted from the light emitting layer .

本発明の請求項に係る発明は、基板の表面外周部の一部に段差を形成し、基板上に下部電極及び有機エレクトロルミネッセンスにより発光する発光層を形成し、発光層上に一部をマスキングした上部電極を形成し、上部電極を含む全面に保護層を形成し、マスキングにより下部電極、発光層及び上部電極を絶縁し、保護層上にレジストを形成し、レジストをパターニングして、発光層から放射される発光波長を透過しない凸部を有するパターン層を形成し、基板は発光層から放射される波長の光を透過しないことを特徴とすることを特徴とするインプリントモールドの製造方法としたものである。 In the invention according to claim 2 of the present invention, a step is formed in a part of the outer peripheral portion of the surface of the substrate, a light emitting layer that emits light by organic electroluminescence is formed on the substrate, and a part is formed on the light emitting layer. The masked upper electrode is formed, a protective layer is formed on the entire surface including the upper electrode, the lower electrode, the light emitting layer and the upper electrode are insulated by masking, a resist is formed on the protective layer, the resist is patterned , and light emission is performed. A method for producing an imprint mold, wherein a pattern layer having a convex portion that does not transmit an emission wavelength emitted from the layer is formed, and the substrate does not transmit light having a wavelength emitted from the emission layer. It is what.

本発明の請求項に係る発明は、請求項1記載のインプリントモールドを準備し、転写基板に光硬化性樹脂を塗布し、インプリントモールドと転写基板とを接合し、接合力を加えながらインプリントモールド上に形成した発光層を発光し、インプリントモールドと転写基板とを剥離し、転写基板の転写不要部を除去することを特徴とする光インプリント法としたものである。
Invention of Claim 3 of this invention prepares the imprint mold of Claim 1 , applies a photocurable resin to a transfer substrate, joins an imprint mold and a transfer substrate, and applies joining force. The light imprinting method is characterized in that the light emitting layer formed on the imprint mold emits light, the imprint mold and the transfer substrate are peeled off, and a transfer unnecessary portion of the transfer substrate is removed.

本発明によれば、基板が露光光に対する透過性を必要とせず、露光光源を内蔵し、インプリントモールドと樹脂パターンとの剥離性に優れ、繰り返し光インプリント法を行っても剥離性が低下することのないインプリントモールド及びその製造方法並びに光インプリント法を提供することができる。   According to the present invention, the substrate does not need exposure light exposure, has a built-in exposure light source, is excellent in releasability between the imprint mold and the resin pattern, and the releasability is reduced even when repeated light imprinting is performed. It is possible to provide an imprint mold that does not occur, a manufacturing method thereof, and an optical imprint method.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しつつ、説明する。実施の形態において、同一構成要素には同一符号を付け、実施の形態の間において重複する説明は省略する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. In the embodiments, the same components are denoted by the same reference numerals, and redundant description among the embodiments is omitted.

図1は、本発明の実施の形態に係るインプリントモールド1を示す概略断面図である。図1に示すように、本発明の実施の形態に係るインプリントモールド1は、基板10上に下部電極11、発光層12、上部電極13、保護層14、遮光パターン部15を備えている。さらに、基板10上に形成された下部電極11とは反対の面に導電層16を備えている。   FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an imprint mold 1 according to an embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the imprint mold 1 according to the embodiment of the present invention includes a lower electrode 11, a light emitting layer 12, an upper electrode 13, a protective layer 14, and a light shielding pattern portion 15 on a substrate 10. Further, a conductive layer 16 is provided on the surface opposite to the lower electrode 11 formed on the substrate 10.

本発明の実施の形態に係るインプリントモールド1の基板10には、ガラスなどの機械強度、絶縁性を有し、寸法安定性に優れた材料を用いることが好ましいが、光透過特性は不問でよい。下部電極11は透明材料である必要はなく、アルミなど公知の電気配線材料を用いることが好ましい。発光層12には、公知の有機エレクトロルミネッセンス(以下、有機EL)の発光層の材料を用いることが好ましい。上部電極13は発光層12からの光を透過する材料であれば良いが、スズドープ酸化インジウム(ITO:Indiun−Tin−Oxide)や酸化亜鉛系や酸化スズ系などの透明導電材料が好ましい。保護層14は、上部電極13の電気的導通を遮断すると同時に発光層12からの放射光を透過する材料を用いることが好ましい。遮光パターン部15はパターン形成に適したものであり、かつ、発光層12から放射される波長に対して遮光性を示す材料である必要がある。遮光性は一般に光学濃度(O.D:Optical Density)で示されるが、インプリントモールド1に用いることから遮光パターン部15の凹凸寸法の規定が優先される。後述するが光硬化樹脂41の露光量に対して必要な光学濃度が得られる材料を適時選択する。耐久性、機械的強度やリソグラフィ法によるパターン形成を想定した場合には、例えば、Cr、Al、Ta、Moなどの金属材料やこれらを主成分とする合金材料が好ましい。   For the substrate 10 of the imprint mold 1 according to the embodiment of the present invention, it is preferable to use a material having mechanical strength such as glass, insulation, and excellent dimensional stability, but the light transmission property is not limited. Good. The lower electrode 11 does not need to be a transparent material, and it is preferable to use a known electric wiring material such as aluminum. For the light emitting layer 12, it is preferable to use a material of a known organic electroluminescence (hereinafter, organic EL) light emitting layer. The upper electrode 13 may be a material that transmits light from the light emitting layer 12, but a transparent conductive material such as tin-doped indium oxide (ITO), zinc oxide, or tin oxide is preferable. The protective layer 14 is preferably made of a material that blocks the electrical continuity of the upper electrode 13 and simultaneously transmits the emitted light from the light emitting layer 12. The light shielding pattern portion 15 is suitable for pattern formation and needs to be a material that exhibits light shielding properties with respect to the wavelength emitted from the light emitting layer 12. The light shielding property is generally indicated by an optical density (OD: Optical Density). However, since it is used for the imprint mold 1, the provision of the uneven size of the light shielding pattern portion 15 is given priority. As will be described later, a material capable of obtaining a necessary optical density with respect to the exposure amount of the photo-curing resin 41 is appropriately selected. When durability, mechanical strength, and pattern formation by lithography are assumed, for example, metal materials such as Cr, Al, Ta, and Mo, and alloy materials containing these as main components are preferable.

なお、保護層14の材料は、遮光パターン部15で選択した材料とのエッチング選択比を考慮して適切な材料を選択する。一例としては遮光パターン部15で例示したCr、Al、Taの酸化物もしくは窒化物が挙げられる。下部電極11、発光層12、上部電極13、保護層14及び遮光パターン部15の形成は、スパッタリング法や真空蒸着法などを用いることができる。また、導電層16には、Crなどの導電性金属を用いて、スパッタリング法や真空蒸着法などにより形成することが好ましい。   As the material of the protective layer 14, an appropriate material is selected in consideration of the etching selection ratio with the material selected in the light shielding pattern portion 15. As an example, the oxides or nitrides of Cr, Al, and Ta exemplified in the light shielding pattern portion 15 may be mentioned. The lower electrode 11, the light emitting layer 12, the upper electrode 13, the protective layer 14, and the light shielding pattern portion 15 can be formed by a sputtering method, a vacuum evaporation method, or the like. The conductive layer 16 is preferably formed using a conductive metal such as Cr by a sputtering method, a vacuum deposition method, or the like.

本発明の実施の形態に係るインプリントモールド1は、露光光源を基板10自体に備えているために、従来のインプリントモールドでは必須であった、インプリントモールドとは別体で用意する必要があった光源と基板の露光光に対する透過性とが不要になる。   Since the imprint mold 1 according to the embodiment of the present invention includes the exposure light source on the substrate 10 itself, it is necessary to prepare the imprint mold separately from the imprint mold, which is essential in the conventional imprint mold. The existing light source and the transparency of the substrate to the exposure light are not required.

インプリントモールド1における発光層12の発光に必要な電力は電源20から供給する。露光光となる発光は発光層12の全面から行われるが、遮光パターン部15により光が遮光されるために図1に示す矢印のように行われる。また、露光光が基板10を透過する必要がない材料でよい。   Electric power necessary for light emission of the light emitting layer 12 in the imprint mold 1 is supplied from a power source 20. Light emission as exposure light is performed from the entire surface of the light emitting layer 12, and is performed as indicated by an arrow shown in FIG. 1 because the light is blocked by the light shielding pattern portion 15. Further, a material that does not require exposure light to pass through the substrate 10 may be used.

以下、本発明の実施例1に係るインプリントモールド1の製造方法について具体的に図2(a)〜(b)及び図3(a)〜(b)を用いて説明する。図2(a)〜(b)及び図3(a)〜(b)は、それぞれ概略上面図及び概略断面図を示している。当然のことながら、本発明の実施例1に係るインプリントモールド1の製造方法は下記実施例1に限定されるものではない。   Hereinafter, the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on Example 1 of this invention is demonstrated concretely using FIG. 2 (a)-(b) and FIG. 3 (a)-(b). FIGS. 2A to 2B and FIGS. 3A to 3B show a schematic top view and a schematic cross-sectional view, respectively. Naturally, the manufacturing method of the imprint mold 1 which concerns on Example 1 of this invention is not limited to the following Example 1. FIG.

ここで、有機ELを用いた発光について、図4(a)を引用して説明を行う。本実施例では有機ELを用いた発光の実施例を示すが、その基本構造は下部電極11、発光層12、上部電極13の3層である。有機ELには高分子型と低分子型とがあり、それぞれ単層もしくは複数の積層膜で構成する。以下の説明ではその構造について記述するが、各層の材料はインプリントモールド1の転写に用いられる光硬化型樹脂41の感光特性により適時選択することになるので、ここでは、公知の有機ELに用いられる材料を選択することとし、特に言及しない。   Here, light emission using the organic EL will be described with reference to FIG. In this example, an example of light emission using an organic EL is shown, but its basic structure is composed of three layers of a lower electrode 11, a light emitting layer 12, and an upper electrode 13. The organic EL includes a high molecular type and a low molecular type, and each is composed of a single layer or a plurality of laminated films. Although the structure will be described in the following description, the material of each layer is selected as appropriate depending on the photosensitive characteristics of the photo-curing resin 41 used for transfer of the imprint mold 1. The material to be used is selected and is not particularly mentioned.

図2(a)に示すように、まず、基板10として表面外周部の一部に段差を設ける石英ガラス製の基板10を用意する。段差33の形成は機械的な切削法やリソグラフィ法による化学的エッチング作用を利用した方法など公知の方法が挙げられる。   As shown in FIG. 2A, first, a quartz glass substrate 10 is prepared as a substrate 10 in which a step is provided on a part of the outer periphery of the surface. The step 33 may be formed by a known method such as a method using a chemical cutting action by a mechanical cutting method or a lithography method.

次に、基板10の片側表面に導電層16としてCrなどの金属を全面に形成する。次に、導電層16の反対側の表面に、下部電極11としてAlなどを全面に形成する。下部電極11上に形成する低分子系の構造においては、例えば、電子注入層、電子輸送層、発光層12、正孔輸送層、正孔注入層の5層を形成することができる。ここで、発光層12には、電子注入層、電子輸送層、正孔輸送層及び正孔注入層を含むものとする。   Next, a metal such as Cr is formed on the entire surface of one side of the substrate 10 as the conductive layer 16. Next, Al or the like is formed on the entire surface of the opposite side of the conductive layer 16 as the lower electrode 11. In the low molecular structure formed on the lower electrode 11, for example, five layers of an electron injection layer, an electron transport layer, a light emitting layer 12, a hole transport layer, and a hole injection layer can be formed. Here, the light emitting layer 12 includes an electron injection layer, an electron transport layer, a hole transport layer, and a hole injection layer.

一方で、下部電極11上に形成する高分子系の構造においては、例えば、発光層12を形成する単層構造とすることができる。   On the other hand, in the polymer structure formed on the lower electrode 11, for example, a single layer structure for forming the light emitting layer 12 can be used.

次に、発光層12上に上部電極13として透明導電性材料であるITOを一部のマスキング領域31を除いて全面に形成した。次に、上部電極13上に保護層14として透明絶縁材料を全面に、それぞれスパッタリング法や真空蒸着法、塗布法、印刷法などを用いて形成した。ここで、上記透明絶縁材料としては、具体的には、例えば、Ta、Si、Alなどが挙げられる(x、yは任意の実数)。 Next, ITO, which is a transparent conductive material, was formed on the entire surface of the light emitting layer 12 except for some masking regions 31 as the upper electrode 13. Next, a transparent insulating material as a protective layer 14 was formed on the entire surface of the upper electrode 13 by using a sputtering method, a vacuum deposition method, a coating method, a printing method, or the like. Specific examples of the transparent insulating material include Ta x O y , Si x O y , and Al x O y (x and y are arbitrary real numbers).

上述したマスクキング領域31により下部電極11、発光層12及び上部電極13それぞれの絶縁関係を確保する。最後に、遮光パターン部15の遮光性材料としてTaを全面にスパッタリング法で形成した。前述した保護層14は、基板全面に成膜することで発光層30の封止と、後述する遮光パターン部16とのエッチング選択比が基板全面で確保する構造となる。 The insulating relationship among the lower electrode 11, the light emitting layer 12, and the upper electrode 13 is ensured by the masking region 31 described above. Finally, Ta x O y was formed as a light shielding material for the light shielding pattern portion 15 on the entire surface by sputtering. The protective layer 14 described above is formed on the entire surface of the substrate, so that the etching selectivity between the sealing of the light emitting layer 30 and the light shielding pattern portion 16 described later is ensured over the entire surface of the substrate.

ここで、下部電極11及び上部電極13について説明を加える。電流供給には外部との接点が必要である。この接点を遮光パターン部15面側に設けることは、転写基板40(後述する)との空隙距離の点で困難である。また、基板10を貫通して遮光パターン部15とは反対面に設けることは困難である。そこで、基板10の外周側面に接点を設けることが好ましい。しかしながら、下部電極11と上部電極13との膜厚は一般にミクロメートル程度もしくはミクロメートル以下の薄膜である。この膜厚で電極を基板10の外縁側面に設けることは難しい。そこで基板10の表面外周部の一部に段差33を設け、基板10の側面に接点領域を確保する構造とした。   Here, the lower electrode 11 and the upper electrode 13 will be described. A contact with the outside is necessary for the current supply. It is difficult to provide this contact on the light shielding pattern portion 15 surface side in terms of a gap distance from the transfer substrate 40 (described later). Further, it is difficult to pass through the substrate 10 and to be provided on the surface opposite to the light shielding pattern portion 15. Therefore, it is preferable to provide a contact on the outer peripheral side surface of the substrate 10. However, the film thickness of the lower electrode 11 and the upper electrode 13 is generally a thin film of about a micrometer or less. It is difficult to provide the electrode on the outer side surface of the substrate 10 with this film thickness. Therefore, a step 33 is provided on a part of the outer peripheral portion of the surface of the substrate 10 to secure a contact area on the side surface of the substrate 10.

次に、図2(b)に示すように、遮光パターン部15として成膜したTaの上面にレジストを塗布し、電子線リソグラフィ法による露光、現像処理によりレジストパターン17を形成した。 Next, as shown in FIG. 2B, a resist was applied to the upper surface of Ta x O y formed as the light shielding pattern portion 15, and a resist pattern 17 was formed by exposure and development processing by an electron beam lithography method.

次に、図3(a)に示すように、レジストパターン17をマスクとして塩素と酸素との混合ガスによるドライエッチング法を用いて遮光パターン部15を形成した。   Next, as shown in FIG. 3A, the light shielding pattern portion 15 was formed using a dry etching method using a mixed gas of chlorine and oxygen with the resist pattern 17 as a mask.

次に、図3(b)に示すように、レジストパターン17を薬液による溶解や酸素プラズマ処理による灰化により除去する。以上によりモールドパターンとなる凹凸形状を有するインプリントモールド1を得た。   Next, as shown in FIG. 3B, the resist pattern 17 is removed by dissolution with a chemical solution or ashing by oxygen plasma treatment. Thus, an imprint mold 1 having an uneven shape to be a mold pattern was obtained.

以下、本発明の実施例2に係る光インプリント法を、図4(a)〜(b)及び図5(a)〜(b)を用いて具体的に示す。図4(a)〜(b)及び図5(a)〜(b)は、それぞれ概略上面図及び概略断面図を示している。   Hereinafter, the optical imprint method according to Example 2 of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (b) and FIGS. 5 (a) to 5 (b). 4 (a)-(b) and FIGS. 5 (a)-(b) show a schematic top view and a schematic cross-sectional view, respectively.

まず、図4(a)に示すように、転写基板40上に光硬化性樹脂41を塗布する。一方で、実施例1で作製したインプリントモールド1を準備する。   First, as shown in FIG. 4A, a photocurable resin 41 is applied on the transfer substrate 40. On the other hand, the imprint mold 1 produced in Example 1 is prepared.

次に、図4(b)に示すように、実施例1で作製したインプリントモールド1を静電チャック50で把持し、光硬化性樹脂41が塗布された転写基板40を大気中もしくは減圧環境中でステージ42にて接合し、樹脂硬化のため電源20から下部電極11と上部電極13とに電流を所定の時間供給し、発光層12を図中矢印で示す発光をさせ、光硬化性樹脂41を硬化した。接合にあたっては静電チャック50を介してインプリントモールド1の基板10側全面に対してその接合力を加えることができる。これは従来の光インプリントモールドでは露光光を透過させるために露光光を透過させる材料もしくは、少なくとも有効パターン領域32(図2(b)参照)は空間とする構造であった制約を解決するものであり、インプリントモールド1の平坦度確保に有利となる。   Next, as shown in FIG. 4B, the imprint mold 1 manufactured in Example 1 is held by the electrostatic chuck 50, and the transfer substrate 40 coated with the photocurable resin 41 is placed in the atmosphere or in a reduced pressure environment. The resin is bonded at the stage 42, current is supplied from the power source 20 to the lower electrode 11 and the upper electrode 13 for a predetermined time for resin curing, and the light emitting layer 12 emits light as indicated by an arrow in the figure to form a photocurable resin. 41 was cured. In joining, the joining force can be applied to the entire surface of the imprint mold 1 on the substrate 10 side through the electrostatic chuck 50. This solves the restriction that the conventional light imprint mold is a material that transmits the exposure light to transmit the exposure light, or at least the effective pattern region 32 (see FIG. 2B) is a space structure. This is advantageous for ensuring the flatness of the imprint mold 1.

次に、図5(a)に示すように、インプリントモールド1と転写基板40を接合方向とは反対側に引き戻し、インプリントモールド1と転写基板40とを剥離した。   Next, as shown in FIG. 5A, the imprint mold 1 and the transfer substrate 40 were pulled back to the side opposite to the joining direction, and the imprint mold 1 and the transfer substrate 40 were peeled off.

次に、図5(b)に示すように、転写基板40において、レジストパターン17で遮光された未硬化部分51を溶解する薬液(現像液)などにより除去処理を行う。このとき、未硬化部分51が発現することにより、光硬化性樹脂41の硬化収縮によるインプリントモールド1への固着応力作用(例えば、図6参照)を緩和できることが判る。以上より、本発明の実施例2に係る光インプリント法を実施することができた。   Next, as shown in FIG. 5B, a removal process is performed on the transfer substrate 40 with a chemical solution (developer) that dissolves the uncured portion 51 shielded from light by the resist pattern 17. At this time, it can be seen that the development of the uncured portion 51 can alleviate the action of the fixing stress to the imprint mold 1 due to the curing shrinkage of the photocurable resin 41 (see, for example, FIG. 6). From the above, the optical imprint method according to Example 2 of the present invention could be performed.

本発明の実施の形態に係るインプリントモールド1を用いた光インプリント法は、露光光源を基板10自体に備え、かつ光硬化樹脂41の硬化に必要な露光光がパターン部のみに照射され、かつ基板10は露光光に対する透過性を不要とする。このため従来のインプリントモールドでは必須であった、インプリントモールドとは別体で用意する必要があった光源と基板の露光光に対する透過性が不要となる。さらに、インプリントモールド1側の凸部表面もしくは転写基板40側の凹部表面の光硬化性樹脂41について硬化の度合いを低くすることができ、樹脂収縮による応力の発生を低下させることができる。そのため、インプリントモールド1と樹脂パターンを剥離する工程において、樹脂パターンの欠陥が発生することを抑制することができる。   In the optical imprint method using the imprint mold 1 according to the embodiment of the present invention, the exposure light source is provided on the substrate 10 itself, and the exposure light necessary for curing the photocurable resin 41 is irradiated only on the pattern portion, In addition, the substrate 10 does not need to be transmissive to exposure light. For this reason, the transparency with respect to the exposure light of a light source and a board | substrate which was essential in the conventional imprint mold and had to be prepared separately from the imprint mold becomes unnecessary. Furthermore, the degree of curing of the photocurable resin 41 on the convex surface on the imprint mold 1 side or the concave surface on the transfer substrate 40 side can be reduced, and the generation of stress due to resin shrinkage can be reduced. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of a resin pattern defect in the step of peeling the imprint mold 1 and the resin pattern.

本発明のインプリントモールドは、微細なパターン形成が所望される広範な分野に用いることが期待され、例えば、半導体デバイス、光導波路や回折格子等の光学部品、ハードディスクやDVDなどの記録デバイス、ライフサイエンス分野でDNA分析等に用いるバイオチップ、ディスプレイ分野などで画像・映像表示器に用いる拡散板、および導光板、などの製品の製造工程に用いることが期待される。   The imprint mold of the present invention is expected to be used in a wide range of fields where fine pattern formation is desired. For example, semiconductor devices, optical components such as optical waveguides and diffraction gratings, recording devices such as hard disks and DVDs, life It is expected to be used in the manufacturing process of products such as biochips used for DNA analysis and the like in the science field, diffusion plates and light guide plates used for image / video displays in the display field and the like.

本発明の実施の形態に係るインプリントモールドを示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows the imprint mold which concerns on embodiment of this invention. (a)及び(b)は、本発明の実施例1に係るインプリントモールドの製造工程を示す概略断面図である。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing process of the imprint mold which concerns on Example 1 of this invention. (a)及び(b)は、本発明の実施例1に係るインプリントモールドの製造工程を示す概略断面図である。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows the manufacturing process of the imprint mold which concerns on Example 1 of this invention. (a)及び(b)は、本発明の実施例2に係る光インプリントモールド法の工程を示す概略断面図である。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows the process of the optical imprint mold method which concerns on Example 2 of this invention. (a)及び(b)は、本発明の実施例2に係る光インプリントモールド法の工程を示す概略断面図である。(A) And (b) is a schematic sectional drawing which shows the process of the optical imprint mold method which concerns on Example 2 of this invention. (a)〜(d)は、インプリントモールドの剥離工程において欠陥の発生を示す概略断面図である。(A)-(d) is a schematic sectional drawing which shows generation | occurrence | production of a defect in the peeling process of an imprint mold.

符号の説明Explanation of symbols

1…インプリントモールド、10…基板、11…下部電極、12…発光層、13…上部電極、14…保護層、15…遮光パターン部、16…導電層、17…レジストパターン、20…電源、31…マスキング領域、32…有効パターン領域、33…段差、40…転写基板、41…光硬化樹脂、42…ステージ、50…静電チャック、51…未硬化部分、60…転写基板、61…樹脂、62…インプリントモールド DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Imprint mold, 10 ... Board | substrate, 11 ... Lower electrode, 12 ... Light emitting layer, 13 ... Upper electrode, 14 ... Protective layer, 15 ... Light-shielding pattern part, 16 ... Conductive layer, 17 ... Resist pattern, 20 ... Power supply, DESCRIPTION OF SYMBOLS 31 ... Masking area | region, 32 ... Effective pattern area | region, 33 ... Level difference, 40 ... Transfer substrate, 41 ... Photocuring resin, 42 ... Stage, 50 ... Electrostatic chuck, 51 ... Uncured part, 60 ... Transfer substrate, 61 ... Resin 62 ... Imprint mold

Claims (3)

基板と、
基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成され、有機エレクトロルミネッセンスにより発光する発光層と、
前記発光層上に形成された上部電極と、
前記上部電極上に形成された保護層と、
前記保護層上に前記発光層から放射される発光波長を透過しない材料で形成された凸部を有する凹凸部を有する遮光パターン部と、
前記基板の前記下部電極が形成される面とは反対の面に形成された導電層と、
を備え
前記基板は前記発光層から放射される波長の光を透過しないことを特徴とするインプリントモールド。
A substrate,
A lower electrode formed on the substrate;
A light emitting layer formed on the lower electrode and emitting light by organic electroluminescence ;
An upper electrode formed on the light emitting layer;
A protective layer formed on the upper electrode;
A light-shielding pattern portion having a concavo- convex portion having a convex portion formed of a material that does not transmit the emission wavelength emitted from the light-emitting layer on the protective layer;
A conductive layer formed on the surface of the substrate opposite to the surface on which the lower electrode is formed;
Equipped with a,
The imprint mold, wherein the substrate does not transmit light having a wavelength emitted from the light emitting layer .
基板の表面外周部の一部に段差を形成し、
前記基板上に下部電極及び有機エレクトロルミネッセンスにより発光する発光層を形成し、
前記発光層上に一部をマスキングした上部電極を形成し、
前記上部電極を含む全面に保護層を形成し、
前記マスキングにより前記下部電極、前記発光層及び前記上部電極を絶縁し、
前記保護層上にレジストを形成し、
前記レジストをパターニングして、前記発光層から放射される発光波長を透過しない凸部を有するパターン層を形成し、
前記基板の前記下部電極が形成される面とは反対の面に導電層を形成し、
前記基板は前記発光層から放射される波長の光を透過しないことを特徴とすることを特徴とするインプリントモールドの製造方法。
Form a step in part of the outer periphery of the surface of the substrate,
On the substrate, a lower electrode and a light emitting layer that emits light by organic electroluminescence are formed,
Forming an upper electrode partially masked on the light emitting layer;
Forming a protective layer on the entire surface including the upper electrode;
Insulating the lower electrode, the light emitting layer and the upper electrode by the masking,
Forming a resist on the protective layer;
Patterning the resist to form a pattern layer having a convex portion that does not transmit the emission wavelength emitted from the light emitting layer ,
Forming a conductive layer on the surface of the substrate opposite to the surface on which the lower electrode is formed;
The method for producing an imprint mold, wherein the substrate does not transmit light having a wavelength emitted from the light emitting layer .
請求項1記載のインプリントモールドを準備し、
転写基板に光硬化性樹脂を塗布し、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを接合し、接合力を加えながら前記インプリントモールド上に形成した発光層を発光し、
前記インプリントモールドと前記転写基板とを剥離し、
前記転写基板の転写不要部を除去することを特徴とする光インプリント法。
Prepare the imprint mold according to claim 1,
Apply photo-curing resin to the transfer substrate,
Joining the imprint mold and the transfer substrate, while emitting a light emitting layer formed on the imprint mold while applying a bonding force ,
Peel off the imprint mold and the transfer substrate,
An optical imprint method comprising removing a transfer unnecessary portion of the transfer substrate.
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