JP6590961B2 - 接触面の少なくとも一方において、接触面の一方に施与された犠牲層を溶解させながら金属接触面を接合する方法 - Google Patents
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Description
‐原子層堆積法、
‐電気化学堆積法、
‐物理的蒸着法(PVD)、
‐化学的蒸着法(CVD)、
‐気相蒸着法(Dampfphasenabscheidung)、例えば表面上の水蒸気からの水の直接堆積のような、凝縮および/または再昇華による、
‐プラズマ蒸着法、
‐湿式化学堆積法、
‐スパッタリングおよび/または
‐分子線エピキタシー法
‐金属、特に
Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Snおよび/またはZn、
‐合金、
‐半導体(相応するドープを有する)、特に
元素半導体、有利には
Si、Ge、Se、Te、Bおよび/またはα‐Sn、
化合物半導体、有利には
GaAs、GaN、InP、InxGa1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CulnGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1−x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、AlxGa1−xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS2、SiCおよび/またはSiGe、
有機半導体、有利には、
フラバントロン、ペリノン、Alq3、ペリノン、テトラセン、キナクリドン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、PTCDA、MePTCDI、アクリドンおよび/またはインダンスレン、
‐液体、特に
水、
アルコール、
アルデヒド、
ケトン、
エーテル、
酸、
塩基。
‐化学的酸化物除去、特に
ガス状還元剤、
液状還元剤、
‐物理的酸化物除去、特に
プラズマ、
イオンアシスト化学エッチング、
高速イオン衝撃(FAB,スパッタリング)、
研削、
研磨。
1o、1o' 界面
2 空洞
3、3' 接合領域
3o、3o' 接合領域表面
4 犠牲層
4o 犠牲層表面
5 バルク材料
5o バルク材料表面
7、7'、7'' 層体系
8 モジュール
9 クラスター
10 内部スペース
11 モジュールスルースゲート、
12 ロボット
13 入口フープ、
14 出口フープ、
15 クラスタースルースゲート
Claims (8)
- 第1基板(1、1')の部分的に金属製の第1接触面と、第2基板の部分的に金属製の第2接触面との接合方法において、以下の経過:
‐固体の極薄い犠牲層を、前記接触面の少なくとも一方に堆積する工程、
‐前記犠牲層を洗浄する工程、
‐液体の極薄い犠牲層を、前記固体の犠牲層に堆積する工程、
‐前記基板(1、1')を接合する工程
を有し、前記犠牲層が、接合工程の間に、基板を取り囲んでいる材料内で拡散またはインターフェース上で消費される、接合方法。 - 1000nm未満の厚さを有する前記犠牲層を堆積する、請求項1に記載の方法。
- 前記犠牲層が少なくとも主に以下の材料の少なくとも一つからなる、請求項1または2に記載の方法:
‐金属である、
Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Te、Snおよび/またはZn、
‐合金、
‐半導体(相応するドープを有する)である、
元素半導体である、
Si、Ge、Se、Te、Bおよび/またはα‐Sn、
化合物半導体である、
GaAs、GaN、InP、InxGa1-xN、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CulnGaSe2、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg(1−x)Cd(x)Te、BeSe、HgS、AlxGa1−xAs、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe2、CuInS2、CuInGaS2、SiCおよび/またはSiGe、
有機半導体である、
フラバントロン、ペリノン、Alq3、ペリノン、テトラセン、キナクリドン、ペンタセン、フタロシアニン、ポリチオフェン、PTCDA、MePTCDI、アクリドンおよび/またはインダンスレン、
‐液体である、
水、
アルコール、
アルデヒド、
ケトン、
エーテル、
酸、
塩基。 - 前記基板(1、1')の厚さに対する前記犠牲層の厚さの割合は、1未満である、請求項1〜3までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記接触面の少なくとも一方が、複数の接合領域(3、3')からなり、かつ前記接合領域(3、3')を取り囲んでいるバルク材料(5)が形成されている、請求項1に記載の方法。
- 前記接触面の少なくとも一方が、接合領域(3)全面に配置されている、請求項1に記載の方法。
- 研磨プロセスを使用し、その後、前記接触面を、前記犠牲層で覆う、請求項1〜6までのいずれか1項に記載の方法。
- 前記犠牲層である液体を、凝縮によって施与する、請求項1〜7までのいずれか1項に記載の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2016522292A Division JP6282342B2 (ja) | 2013-07-05 | 2013-07-05 | 接触面の少なくとも一方において、接触面の一方に施与された犠牲層を溶解させながら金属接触面を接合する方法 |
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JP2018085535A JP2018085535A (ja) | 2018-05-31 |
JP6590961B2 true JP6590961B2 (ja) | 2019-10-16 |
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JP (1) | JP6590961B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7312018B2 (ja) | 2019-05-27 | 2023-07-20 | 学校法人早稲田大学 | 接合方法及び構造体 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5732652B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2015-06-10 | ボンドテック株式会社 | 接合システムおよび接合方法 |
TWI458072B (zh) * | 2010-12-16 | 2014-10-21 | Soitec Silicon On Insulator | 將半導體構造直接黏附在一起之方法以及應用此等方法所形成之黏附半導體構造 |
JP2013251405A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Tadatomo Suga | 金属領域を有する基板の接合方法 |
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