JP6582883B2 - Polycrystalline silicon reactor - Google Patents
Polycrystalline silicon reactor Download PDFInfo
- Publication number
- JP6582883B2 JP6582883B2 JP2015214237A JP2015214237A JP6582883B2 JP 6582883 B2 JP6582883 B2 JP 6582883B2 JP 2015214237 A JP2015214237 A JP 2015214237A JP 2015214237 A JP2015214237 A JP 2015214237A JP 6582883 B2 JP6582883 B2 JP 6582883B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- guide rod
- base
- bell jar
- polycrystalline silicon
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 19
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 16
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 7
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 4
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 2
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Description
本発明は、シーメンス法によって多結晶シリコンを製造する際に用いられる多結晶シリコン反応炉に関し、特に多結晶シリコン反応炉の基台とベルジャとの組立構造に関する。 The present invention relates to a polycrystalline silicon reactor used for producing polycrystalline silicon by the Siemens method, and more particularly to an assembly structure of a base of a polycrystalline silicon reactor and a bell jar.
半導体材料となる高純度の多結晶シリコンの製造方法として、シーメンス法が知られている。シーメンス法は、クロロシランと水素との混合ガスからなる原料ガスを、加熱したシリコン芯棒に接触させ、その表面に原料ガスの反応によって多結晶シリコンを生成させる製造方法である。このシーメンス法によって多結晶シリコンを製造する装置として、密閉した反応炉内に多数のシリコン芯棒を立設した多結晶シリコン反応炉が用いられている。 A Siemens method is known as a method for producing high-purity polycrystalline silicon used as a semiconductor material. The Siemens method is a manufacturing method in which a raw material gas composed of a mixed gas of chlorosilane and hydrogen is brought into contact with a heated silicon core rod, and polycrystalline silicon is generated on the surface thereof by reaction of the raw material gas. As an apparatus for producing polycrystalline silicon by the Siemens method, a polycrystalline silicon reaction furnace in which a large number of silicon core rods are erected in a sealed reaction furnace is used.
一般に、多結晶シリコン反応炉は、例えば特許文献１に開示されているように、炉底を構成する基台と、この基台上に着脱自在に取り付けられた釣鐘形状のベルジャとを備える構成とされている。そして、基台の上面には、生成される多結晶シリコンの種棒となるシリコン芯棒が取り付けられる電極、原料ガスを炉内に供給するための噴出ノズル、反応後のガスを炉外に排出するためのガス排出口等が取り付けられ、電極にシリコン芯棒を立設させた後に、すなわち基台上にシリコン芯棒を立設させた後に、ベルジャを基台上に載置し、ベルジャと基台とをボルト止め等によって強固に固定することにより、炉内が密閉される。なお、特許文献２に記載されるＣＶＤ反応器では、シリコンスターターフィラメントをそれぞれ電極上に取り付けて、フィラメントが外殻（ベルジャ）内で据付け空間配置に保持される。また、外殻から複数のリブが突出して設けられており、外殻を基礎部材（基台）に取り付けるための取付ネジが複数のリブを貫通して設けられることにより、外殻と基礎部材とが固定されている。
このようにして、多結晶シリコン反応炉では、密閉された炉内でシリコン芯棒が通電加熱されることにより、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒の表面に多結晶シリコンを生成する。
In general, as disclosed in, for example, Patent Document 1, a polycrystalline silicon reactor includes a base that forms a furnace bottom, and a bell-shaped bell jar that is detachably mounted on the base. Has been. And on the upper surface of the base, an electrode to which a silicon core rod as a seed rod for the generated polycrystalline silicon is attached, a jet nozzle for supplying the raw material gas into the furnace, and the gas after the reaction is discharged out of the furnace After the silicon core is installed on the electrode, that is, after the silicon core is installed on the base, the bell jar is placed on the base, By firmly fixing the base with bolts or the like, the inside of the furnace is sealed. In the CVD reactor described in Patent Document 2, a silicon starter filament is attached to each electrode, and the filament is held in an installation space arrangement in an outer shell (bell jar). Further, a plurality of ribs are provided so as to protrude from the outer shell, and mounting screws for attaching the outer shell to the foundation member (base) are provided through the plurality of ribs, so that the outer shell and the foundation member Is fixed.
In this way, in the polycrystalline silicon reactor, the silicon core rod is energized and heated in a closed furnace, so that the raw material gas supplied into the furnace is reacted, and the surface of the silicon core rod is polycrystalline silicon. Is generated.
ところで、多結晶シリコン反応炉は小型のものもあるが、商用生産使用するような場合、一反応当たりの生産量を多くするための大型のものが用いられ、この場合、ベルジャ自体の形状や重量が大きくなることから、クレーン等で吊り上げられて基台上に運ばれる。ベルジャが吊り上げられる際、吊り上げ位置でのベルジャのバランスや吊り上げ速度、ベルジャ自体の姿勢によっては、吊られることでベルジャに揺れが生じて傾きが生じやすい。このため、傾いた状態でベルジャを基台上に載置すると、基台に対してベルジャが片当たりして、最初に当接した部分にベルジャの荷重が大きくかかることで、その部分に傷等の破損を発生させるおそれがある。そして、原料ガスの反応時において、基台又はベルジャの破損部分から炉内の高温の反応ガス（水素、クロロシランガス、塩化水素等）が漏洩した場合には、環境や人体に悪影響を及ぼすおそれがある。 By the way, some polycrystalline silicon reactors are small, but when they are used for commercial production, large reactors are used to increase production per reaction. In this case, the shape and weight of the bell jar itself are used. Since it becomes large, it is lifted by a crane or the like and carried on a base. When the bell jar is lifted, depending on the balance of the bell jar at the lifting position, the lifting speed, and the attitude of the bell jar itself, the bell jar swings and tends to tilt. For this reason, when the bell jar is placed on the base in an inclined state, the bell jar hits against the base, and the load of the bell jar is greatly applied to the first abutting portion. May cause damage. In the reaction of the raw material gas, if a high-temperature reaction gas (hydrogen, chlorosilane gas, hydrogen chloride, etc.) in the furnace leaks from the damaged part of the base or bell jar, there is a risk of adversely affecting the environment and the human body. is there.
また、ベルジャの傾きを矯正するために、何度も基台とベルジャとの位置合わせを行うと、基台とベルジャとの合わせ面に傷や凹み、変形等が生じやすくなるとともに、基台とベルジャとの間のシール性を向上させるために用いているパッキン類を破損するおそれがある。さらに、基台とベルジャとが正確な位置に位置合わせがなされていない状態で、基台とベルジャとを固定するために無理矢理にボルトによる固定などを行うと、ボルトのねじ部を破損するおそれがある。そして、これらの場合にも、破損部分を介して炉内から反応ガスの漏洩が発生する危険性が高くなる。
また、何度も基台とベルジャとの位置合わせを繰り返すことで、反応炉を密閉するまでの時間が長くなり、炉内の汚染が進行して、生成する多結晶シリコンの汚染を引き起こすおそれがある。さらに、ゆっくり時間をかけてベルジャを下降させることは、作業性が悪く、このように位置合わせに時間がかかることで、操業の低下にも影響を与えることになる。
In addition, if the position of the base and the bell jar is aligned many times to correct the inclination of the bell jar, the mating surface between the base and the bell jar tends to cause scratches, dents, deformation, etc. There is a risk of damaging the packings used to improve the sealing performance with the bell jar. Furthermore, if the base and the bell jar are not aligned correctly, forcibly fixing the bolt with the bolt to fix the base and the bell jar may damage the screw part of the bolt. is there. In these cases, the risk of leakage of the reaction gas from the furnace through the damaged portion increases.
In addition, by repeating the alignment between the base and the bell jar many times, it takes a long time to seal the reactor, and the contamination in the furnace progresses, which may cause contamination of the generated polycrystalline silicon. is there. Further, when the bell jar is lowered slowly over time, the workability is poor, and it takes time to align the position as described above, thereby affecting the decrease in operation.
なお、基台とベルジャとを閉止した状態に固定するボルト等を予め基台又はベルジャに取り付けておき、そのボルトのねじ部をガイドの代わりに利用して、ベルジャの取付孔をねじ部に沿って下降させることも考えられる。しかし、ベルジャの下降時にボルトのねじ部と取付孔とが接触することで、ボルトのねじ山を破損するおそれがあり、この場合には、基台とベルジャとの固定が不十分となることで、炉内からの反応ガスの漏洩が発生する危険性が高まる。また、ボルトのねじ部と取付孔との接触により削れた摩耗粉等が炉内に入ることで、炉内の汚染につながりやすい。
一方、ベルジャをクレーン等で吊り上げた状態の時間を短くできれば、炉内の汚染を抑制でき、さらにはクレーンからベルジャが落下する等の危険性が低減できる。
A bolt or the like for fixing the base and the bell jar in a closed state is attached to the base or the bell jar in advance, and the screw portion of the bolt is used in place of the guide so that the mounting hole of the bell jar extends along the screw portion. It is also possible to lower it. However, when the bell jar is lowered, there is a risk of damage to the screw thread of the bolt due to contact between the threaded portion of the bolt and the mounting hole. In this case, the base and the bell jar are not sufficiently fixed. The risk of leakage of reaction gas from the furnace increases. In addition, wear powder or the like shaved due to contact between the threaded portion of the bolt and the mounting hole enters the furnace, which is likely to cause contamination in the furnace.
On the other hand, if the time in which the bell jar is lifted by a crane or the like can be shortened, contamination in the furnace can be suppressed, and further, the danger of the bell jar falling from the crane can be reduced.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、基台上にベルジャを正確に位置合わせして短時間で載置させることができ、炉内汚染や炉外への反応ガスの漏洩を防止して、作業効率に優れた多結晶シリコン反応炉を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances. The bell jar can be accurately positioned on the base and can be placed in a short time, and contamination in the furnace or leakage of the reaction gas to the outside of the furnace. An object of the present invention is to provide a polycrystalline silicon reactor excellent in work efficiency.
本発明は、炉底を構成する基台と、該基台上に着脱可能に取り付けられているベルジャとを備える多結晶シリコン反応炉であって、前記基台の外周部に設けられた受け部と、前記ベルジャの下端開口縁部に設けられたフランジ部とが、締結部により固定されており、前記基台には、前記受け部よりも半径方向外側位置に、上下方向に延びるガイド棒が設けられ、前記ベルジャには、前記フランジ部よりも半径方向外側位置に、前記ガイド棒を挿通可能な貫通孔を有する開孔板が設けられ、前記基台の平面視の中心から前記ガイド棒の中心軸までの距離と、前記ベルジャの平面視の中心から前記貫通孔の中心軸までの距離とが同距離に設けられていることを特徴とする。 The present invention is a polycrystalline silicon reactor comprising a base that constitutes a furnace bottom and a bell jar that is detachably mounted on the base, and a receiving portion provided on an outer peripheral portion of the base And a flange portion provided at a lower end opening edge of the bell jar is fixed by a fastening portion, and a guide rod extending in a vertical direction is provided on the base at a position radially outward from the receiving portion. The bell jar is provided with an aperture plate having a through-hole through which the guide rod can be inserted at a position radially outward from the flange portion, and the guide rod extends from the center in plan view of the base. The distance to the central axis and the distance from the center of the bell jar in plan view to the central axis of the through hole are provided at the same distance.
ベルジャを基台上に載置する際に、基台に設けられたガイド棒に、ベルジャに設けられた開孔板の貫通孔を垂直方向に沿って通すことで、基台とベルジャとの位置合わせを容易に行いながら、ベルジャを円滑に下降させることができる。これにより、短時間で基台上の所定の位置にベルジャの載置位置の確定ができるとともに、ベルジャの位置合わせや位置ずれがあった場合の繰り返しの載置によるパッキン類の破損や変形、あるいはベルジャと基台の載置面の接触や当接による基台やベルジャ等の破損を回避できる。これにより、炉内汚染の低減や炉外への反応ガスの漏洩を防止できるので、作業効率の向上とともに、炉内の汚染を低減でき、多結晶シリコンの品質低下を回避できる。
また、ガイド棒を基台の受け部よりも半径方向外側位置に設けるとともに、開孔板をベルジャのフランジ部よりも半径方向外側位置に設けており、ガイド棒と開孔板とを多結晶シリコンを生成する炉内から離れた位置に配置しているので、ガイド棒と開孔板とが接触した際に摩耗粉等が発生しても、摩耗粉等を炉内に入りにくくできる。したがって、炉内汚染を抑制でき、生成する多結晶シリコンの品質汚染を低減できる。
When the bell jar is placed on the base, the position of the base and the bell jar is passed by passing the through hole of the aperture plate provided in the bell jar along the vertical direction through the guide rod provided on the base. The bell jar can be lowered smoothly while performing the alignment easily. As a result, the mounting position of the bell jar can be determined at a predetermined position on the base in a short time, and the packings are damaged or deformed by repeated mounting when the bell jar is aligned or displaced. It is possible to avoid damage to the base and the bell jar due to contact and contact between the mounting surface of the bell jar and the base. As a result, it is possible to reduce in-furnace contamination and prevent leakage of reaction gas to the outside of the furnace, thereby improving work efficiency and reducing in-furnace contamination and avoiding deterioration of the quality of polycrystalline silicon.
In addition, the guide bar is provided at a position radially outward from the receiving portion of the base, and the aperture plate is provided at a position radially outward from the flange portion of the bell jar. Therefore, even if wear powder or the like is generated when the guide rod and the aperture plate come into contact with each other, the wear powder or the like can hardly enter the furnace. Therefore, the contamination in the furnace can be suppressed, and the quality contamination of the produced polycrystalline silicon can be reduced.
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記ガイド棒は、前記基台に着脱可能に設けられているとよい。
基台にガイド棒を取り付けておくことで、ベルジャを下降させて基台上に載置させる際には、ガイド棒に開孔板の貫通孔を挿通させてガイド棒に沿って案内でき、ベルジャを所定の位置に円滑に案内することができる。一方、ベルジャを基台上から撤去して、基台上で多結晶シリコンの解体作業や、シリコン芯棒の組立作業等を行う際には、ガイド棒を必要としないことから、ガイド棒を取り外しておくことで作業スペースを広く確保することができ、作業を円滑に進めることができる。
In the polycrystalline silicon reactor according to the present invention, the guide rod may be detachably provided on the base.
By attaching the guide rod to the base, when the bell jar is lowered and placed on the base, the guide rod can be guided along the guide rod by inserting the through hole of the aperture plate. Can be smoothly guided to a predetermined position. On the other hand, when removing the bell jar from the base and disassembling the polycrystalline silicon or assembling the silicon core on the base, the guide bar is not necessary. Therefore, a large work space can be secured, and the work can be carried out smoothly.
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記開孔板は、前記ベルジャの下端に設けられているとよい。
開孔板をベルジャの下端に設けることで、ベルジャの下降移動時において、ガイド棒と開孔板の貫通孔とを早い段階で挿通させることができ、ガイド棒の長さを短くできる。また、ガイド棒を短くすることで、ベルジャを下降させる際に、ガイド棒と開孔板とが接触する範囲を短くでき、摩耗粉等の発生を低減できる。
In the polycrystalline silicon reactor according to the present invention, the aperture plate may be provided at a lower end of the bell jar.
By providing the aperture plate at the lower end of the bell jar, the guide rod and the through hole of the aperture plate can be inserted at an early stage during the downward movement of the bell jar, and the length of the guide rod can be shortened. Further, by shortening the guide rod, the range in which the guide rod and the aperture plate contact when the bell jar is lowered can be shortened, and the generation of wear powder and the like can be reduced.
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記ガイド棒の先端部に、先端側に向かうにつれて縮径する縮径部が設けられているとよい。
開孔板の貫通孔とガイド棒との挿通を縮径部によって円滑に導くことができる。また、貫通孔とガイド棒との挿通開始時の衝突や接触による破損を防止できるとともに、接触時の摩耗粉の発生を防止できる。
In the polycrystalline silicon reactor according to the present invention, it is preferable that a reduced diameter portion that is reduced in diameter toward the distal end side is provided at the distal end portion of the guide rod.
The insertion of the through hole of the aperture plate and the guide rod can be smoothly guided by the reduced diameter portion. Further, it is possible to prevent damage due to collision or contact at the start of insertion of the through hole and the guide rod, and it is possible to prevent generation of wear powder at the time of contact.
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記ガイド棒は、前記受け部の外周側面から半径方向外側に向けて少なくとも１０ｃｍ以上離れた位置に設置されているとよい。
ガイド棒を、基台の外縁部の外周側面から半径方向外側に向けて少なくとも１０ｃｍ以上離れた位置に設置しておくことで、ガイド棒と開孔板との接触時に生じる摩耗粉等が炉内に入ることをさらに防止できる。
In the polycrystalline silicon reactor according to the present invention, the guide rod may be installed at a position separated from the outer peripheral side surface of the receiving portion by at least 10 cm toward the radially outer side.
By installing the guide bar at a position that is at least 10 cm away from the outer peripheral side surface of the outer edge of the base toward the outside in the radial direction, wear powder generated during contact between the guide bar and the aperture plate is in the furnace. Can be further prevented.
本発明の多結晶シリコン反応炉において、前記ガイド棒の横断面が円形に設けられ、前記貫通孔の横断面が円形に設けられており、前記ガイド棒の外径ｄと前記貫通孔の内径Ｄ１との比率（Ｄ１／ｄ）が１．０１以上１．０６以下に設けられているとよい。
比率（Ｄ１／ｄ）が１．０１より小さいと、ガイド棒が貫通孔（例えば開孔板の上面等）と接触して摩耗しやすくなり、摩耗粉の発生による炉内汚染が生じやすくなる。一方、比率（Ｄ１／ｄ）が１．０６よりも大きいと、ガイド棒と貫通孔との間のクリアランスが大きくなり、ガイド棒と貫通孔８１とを挿通させた状態においても、ベルジャと基台との位置合わせに時間がかかる。
In the polycrystalline silicon reactor according to the present invention, the guide rod has a circular cross section, the through hole has a circular cross section, and the guide rod has an outer diameter d and an inner diameter D1 of the through hole. The ratio (D1 / d) is preferably 1.01 or more and 1.06 or less.
When the ratio (D1 / d) is less than 1.01, the guide rods are likely to wear due to contact with the through holes (for example, the upper surface of the aperture plate), and contamination in the furnace due to generation of wear powder tends to occur. On the other hand, if the ratio (D1 / d) is larger than 1.06, the clearance between the guide bar and the through hole becomes large, and the bell jar and the base stand even when the guide bar and the through hole 81 are inserted. It takes time to align the position.
本発明によれば、基台に設けたガイド棒とベルジャに設けた開孔板とにより、基台上にベルジャを正確に位置合わせして短時間で載置させることができるので、炉内汚染やベルジャ及び基台の破損等を防止でき、炉外への反応ガスの漏洩を防止して、作業効率を向上させることができる。 According to the present invention, the guide rod provided on the base and the aperture plate provided on the bell jar allow the bell jar to be accurately positioned on the base and placed in a short time. It is possible to prevent damage to the bell jar and the base, and to prevent leakage of the reaction gas to the outside of the furnace, thereby improving work efficiency.
以下、本発明に係る多結晶シリコン反応炉の実施形態について説明する。
図１は、本発明が適用される多結晶シリコン反応炉を模式的に表した全体図である。この多結晶シリコン反応炉１００は、炉底を構成する基台１と、この基台１上に着脱可能に取り付けられた釣鐘形状のベルジャ２とを備え、基台１とベルジャ２とで囲まれた炉内に設けられた複数のシリコン芯棒３１を通電加熱することにより、炉内に供給した原料ガスを反応させて、シリコン芯棒３１の表面に多結晶シリコンを生成する。
Hereinafter, embodiments of a polycrystalline silicon reactor according to the present invention will be described.
FIG. 1 is an overall view schematically showing a polycrystalline silicon reactor to which the present invention is applied. The polycrystalline silicon reactor 100 includes a base 1 that constitutes a furnace bottom, and a bell-shaped bell jar 2 that is detachably mounted on the base 1, and is surrounded by the base 1 and the bell jar 2. The plurality of silicon core rods 31 provided in the furnace are energized and heated to react the raw material gas supplied into the furnace to produce polycrystalline silicon on the surface of the silicon core rod 31.
また、多結晶シリコン反応炉１００は、反応終了後は、ベルジャ２を基台１上から撤去して、基台１上で生成された多結晶シリコンの解体作業や、基台１やベルジャ２の清浄化処理が行われた後、再度、基台１上にベルジャ２を載置して次の反応が行われ、反応と清浄化処理とを繰り返して使用される。 In addition, after the reaction is completed, the polycrystalline silicon reactor 100 removes the bell jar 2 from the base 1 and dismantles the polycrystalline silicon generated on the base 1, or removes the base 1 and the bell jar 2. After the cleaning process is performed, the bell jar 2 is placed on the base 1 again, the next reaction is performed, and the reaction and the cleaning process are repeated.
そして、基台１の外周部には、ベルジャ２が載置される受け部１１が設けられており、ベルジャ２の開口下端縁部には、受け部１１に載置されるフランジ部２１が設けられている。また、受け部１１の上面の内周側には、ベルジャ２のフランジ部２１に当接するパッキン１８が取り付けられており、このパッキン１８を介して基台１の受け部１１とベルジャ２のフランジ部２１とが重ね合わされる。そして、受け部１１とフランジ部２１とには、これら受け部１１とフランジ部２１とを固定する例えばボルト止め等の締結部６１が設けられている。 A receiving portion 11 on which the bell jar 2 is placed is provided on the outer peripheral portion of the base 1, and a flange portion 21 that is placed on the receiving portion 11 is provided on the opening lower end edge of the bell jar 2. It has been. A packing 18 that contacts the flange portion 21 of the bell jar 2 is attached to the inner peripheral side of the upper surface of the receiving portion 11, and the receiving portion 11 of the base 1 and the flange portion of the bell jar 2 through this packing 18. 21 is superimposed. The receiving portion 11 and the flange portion 21 are provided with a fastening portion 61 such as a bolt stopper for fixing the receiving portion 11 and the flange portion 21.
具体的には、基台１の受け部１１には、ボルト６２の雄ねじ軸部６２ａを挿通可能な下側孔部１４が周方向に間隔をあけて複数設けられ、ベルジャ２のフランジ部２１にも、受け部１１の下側孔部１４に対応する位置に、ボルト６２の雄ねじ軸部６２ａを挿通可能な上側孔部２４が周方向に間隔をあけて複数設けられており、受け部１１とフランジ部２１とを重ね合わせた状態で、これら下側孔部１４と上側孔部２４とにボルト６２の雄ねじ軸部６２ａを挿通させてナット６３により締結することで、ベルジャ２が基台１上に強固に固定され、炉内が閉止されるようになっている。また、ボルト６２とナット６３との締結を解除し、ボルト６２を下側孔部１４及び上側孔部２４から取り外すことで、ベルジャ２を基台１上から移動させることができる。 Specifically, the receiving portion 11 of the base 1 is provided with a plurality of lower hole portions 14 through which the male threaded shaft portion 62a of the bolt 62 can be inserted at intervals in the circumferential direction. In addition, a plurality of upper hole portions 24 through which the male threaded shaft portion 62a of the bolt 62 can be inserted are provided at intervals corresponding to the lower hole portion 14 of the receiving portion 11 in the circumferential direction. In a state where the flange portion 21 is overlapped, the male screw shaft portion 62a of the bolt 62 is inserted into the lower hole portion 14 and the upper hole portion 24 and fastened by the nut 63, whereby the bell jar 2 is mounted on the base 1. The inside of the furnace is closed. Further, by releasing the fastening between the bolt 62 and the nut 63 and removing the bolt 62 from the lower hole portion 14 and the upper hole portion 24, the bell jar 2 can be moved from the base 1.
そして、基台１には、受け部１１よりも半径方向外側位置に、上下方向に延びるガイド棒７が１つ設けられており、ベルジャ２には、フランジ部２１よりも半径方向外側位置に、ガイド棒７を挿通可能な貫通孔８１ｈを有する開孔板８が１つ設けられている。また、基台１の平面視の中心からガイド棒７の中心軸までの距離と、ベルジャ２の平面視の中心から貫通孔８１ｈの中心軸までの距離とが、同距離（距離Ｒ）に設けられている。これにより、図１に示すように、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとを係合させて、ガイド棒７の中心軸（軸線Ｃ）に貫通孔８１ｈの中心軸を合わせた状態で、軸線Ｃ周りにベルジャ２を回転させてベルジャ２の位置を微調整することにより、基台１の平面視の中心（軸線Ｏ）にベルジャ２の平面視の中心を容易に一致させることができる。
したがって、多結晶シリコン反応炉１００では、ベルジャ２を基台１上に載置する際に、基台１に設けられたガイド棒７に、ベルジャ２に設けられた開孔板８の貫通孔８１ｈを通すことで、基台１とベルジャ２との位置合わせを行うことができるとともに、ベルジャ２をガイド棒７に沿って円滑に下降させることができる。
The base 1 is provided with one guide bar 7 extending in the vertical direction at a radially outer position than the receiving portion 11, and the bell jar 2 is positioned at a radially outer position than the flange portion 21. One aperture plate 8 having a through hole 81h through which the guide rod 7 can be inserted is provided. Further, the distance from the center of the base 1 in a plan view to the central axis of the guide rod 7 and the distance from the center of the bell jar 2 in a plan view to the central axis of the through hole 81h are provided at the same distance (distance R). It has been. Thus, as shown in FIG. 1, the guide rod 7 and the through hole 81h are engaged, and the center axis of the through hole 81h is aligned with the central axis of the guide rod 7 (axis C). By rotating the bell jar 2 and finely adjusting the position of the bell jar 2, the center of the bell jar 2 in plan view can be easily aligned with the center of the base 1 in plan view (axis O).
Therefore, in the polycrystalline silicon reactor 100, when the bell jar 2 is placed on the base 1, the guide rod 7 provided on the base 1 is attached to the through hole 81 h of the aperture plate 8 provided on the bell jar 2. By passing, the base 1 and the bell jar 2 can be aligned, and the bell jar 2 can be smoothly lowered along the guide rod 7.
なお、ガイド棒７は、図２〜図４に距離Ｌで表しているように、受け部１１の外周側面から半径方向外側に向けて少なくとも１０ｃｍ以上離れた位置に設置されることが好ましい。ガイド棒７に貫通孔８１ｈを挿通させることから、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとの接触により、ガイド棒７や開孔板８を形成する金属の摩耗粉等が生じるおそれがあるが、ガイド棒７を受け部１１の外周側面から半径方向外側に向けて少なくとも１０ｃｍ以上離れた位置に設置することで、ガイド棒７と開孔板８との接触時に生じる摩耗粉等の炉内への入り込みを確実に防止できる。また、ガイド棒７の表面を樹脂等でコーティングすることにより、ガイド棒７と開孔板８との接触により生じる摩耗粉等の発生を抑制することができる。 2 to 4, the guide rod 7 is preferably installed at a position separated from the outer peripheral side surface of the receiving portion 11 by at least 10 cm toward the radially outer side. Since the through-hole 81h is inserted through the guide rod 7, the contact between the guide rod 7 and the through-hole 81h may cause metal wear powder or the like forming the guide rod 7 or the aperture plate 8. 7 is installed at a position at least 10 cm or more away from the outer peripheral side surface of the receiving portion 11 toward the outer side in the radial direction, so that wear powder or the like generated at the time of contact between the guide rod 7 and the aperture plate 8 enters the furnace. It can be surely prevented. Moreover, by coating the surface of the guide bar 7 with a resin or the like, it is possible to suppress the generation of wear powder or the like caused by the contact between the guide bar 7 and the aperture plate 8.
また、ガイド棒７は、図２〜図４に示すように、横断面が円形に設けられたパイプ状の円筒部７２と、円筒部７２の先端側に固定された先端部７１と、円筒部７２の下端側に固定された接続部７３とを組み合わせた構成とされており、ガイド棒７は、その下端側に固定された接続部７３を介して、基台１の支持軸部９１に着脱可能に設けられている。
ガイド棒７の先端部７１の先端側には、ガイド棒７の上側に向かうにつれて縮径する縮径部７１ａが設けられており、開孔板８の貫通孔８１ｈにガイド棒７を挿通する際に、ガイド棒７の先端の縮径部７１ａによって、貫通孔８１ｈとガイド棒７との挿通を円滑に導くことができる。また、縮径部７１ａによって、貫通孔８１ｈとガイド棒７との挿通開始時の衝突や接触による破損を防止できるとともに、接触時の摩耗粉の発生を抑制できる。
2 to 4, the guide rod 7 includes a pipe-shaped cylindrical portion 72 having a circular cross section, a distal end portion 71 fixed to the distal end side of the cylindrical portion 72, and a cylindrical portion. The guide rod 7 is attached to and detached from the support shaft portion 91 of the base 1 through the connection portion 73 fixed to the lower end side thereof. It is provided as possible.
On the distal end side of the distal end portion 71 of the guide rod 7, a reduced diameter portion 71 a that decreases in diameter toward the upper side of the guide rod 7 is provided, and when the guide rod 7 is inserted into the through hole 81 h of the aperture plate 8. Further, the through-hole 81h and the guide rod 7 can be smoothly guided by the reduced diameter portion 71a at the tip of the guide rod 7. Further, the reduced diameter portion 71a can prevent damage due to collision or contact at the start of insertion of the through-hole 81h and the guide rod 7, and can suppress generation of wear powder at the time of contact.
また、ガイド棒７の接続部７３は、全体が円筒状に設けられ、その内周部には支持軸部９１の雄ねじ部９１ａと係合する雌ねじ部７３ａが形成されている。そして、支持軸部９１の先端には、ガイド棒７の雌ねじ部７３ａと係合する雄ねじ部９１ａが形成されており、これら雄ねじ部９１ａと雌ねじ部７３ａとの係合により、ガイド棒７が基台１（支持軸部９１）に対して着脱可能に設けられている。 Further, the connecting portion 73 of the guide rod 7 is provided in a cylindrical shape as a whole, and an internal thread portion 73 a that engages with the external thread portion 91 a of the support shaft portion 91 is formed on the inner peripheral portion thereof. A male screw portion 91a that engages with the female screw portion 73a of the guide rod 7 is formed at the tip of the support shaft portion 91. The engagement between the male screw portion 91a and the female screw portion 73a results in the guide rod 7 as a base. It is provided so as to be detachable with respect to the table 1 (support shaft 91).
なお、支持軸部９１は、基台１の受け部１１の外周側面に固定されたアーム部９２と脚部１５に固定されたアーム部９３とによって上下方向に向けて立設した状態に支持されており、ガイド棒７を支持軸部９１の先端に接続することで、支持軸部９１を延長するようにしてガイド棒７が上下方向に立設した状態に保持される。本実施形態では、支持軸部９１の下端部には、アーム部９３の下方に向けて突出する雄ねじ部９１ｂが設けられており、アーム部９３を介して雄ねじ部９１ｂにナット９５を締結することにより、支持軸部９１が基台１に固定されている。なお、ガイド棒７と支持軸部９１とを予め一体に形成しておくこともでき、この場合には、支持軸部９１下端の雄ねじ部９１ｂとナット９５との係合により、ガイド棒７及び支持軸部９１を基台１に対して着脱可能に設けることができる。 The support shaft portion 91 is supported in an upright direction by an arm portion 92 fixed to the outer peripheral side surface of the receiving portion 11 of the base 1 and an arm portion 93 fixed to the leg portion 15. By connecting the guide rod 7 to the tip of the support shaft portion 91, the guide rod 7 is held upright in the vertical direction so as to extend the support shaft portion 91. In the present embodiment, the lower end portion of the support shaft portion 91 is provided with a male screw portion 91b that protrudes downward from the arm portion 93, and the nut 95 is fastened to the male screw portion 91b via the arm portion 93. Thus, the support shaft portion 91 is fixed to the base 1. The guide rod 7 and the support shaft portion 91 may be formed integrally in advance. In this case, the guide rod 7 and the support shaft portion 91 are engaged with the male screw portion 91b at the lower end of the support shaft portion 91 and the nut 95. The support shaft portion 91 can be detachably provided on the base 1.
また、ガイド棒７の基台１の上面１０ａからの突出高さＨ１、すなわち基台１の上面１０ａからガイド棒７の先端までの高さＨ１は、３０ｃｍ以上１００ｃｍ以下に設けられており、好ましくは４０ｃｍ以上８０ｃｍ以下に設けられる。なお、ベルジャ２の高さＨ０は、２００ｃｍ以上３００ｃｍ以下に設けられている。ガイド棒７の突出高さＨ１が３０ｃｍよりも短いと、ベルジャ２の傾きの把握が遅れて、ベルジャ２の傾きを矯正することが難しくなる。一方、ガイド棒７の突出高さＨ１が１００ｃｍよりも長いと、貫通孔８１ｈとガイド棒７との挿通範囲が大きくなり、すなわち貫通孔８１ｈとガイド棒７とが接触する割合が高くなるので、接触時の摩耗粉による炉内汚染の可能性が高くなる。 Further, the protruding height H1 of the guide rod 7 from the upper surface 10a of the base 1, that is, the height H1 from the upper surface 10a of the base 1 to the tip of the guide rod 7 is provided in the range of 30 cm to 100 cm, preferably Is provided at 40 cm or more and 80 cm or less. The height H0 of the bell jar 2 is set to be 200 cm or more and 300 cm or less. If the protrusion height H1 of the guide bar 7 is shorter than 30 cm, grasping of the inclination of the bell jar 2 is delayed, and it becomes difficult to correct the inclination of the bell jar 2. On the other hand, if the protrusion height H1 of the guide rod 7 is longer than 100 cm, the insertion range of the through hole 81h and the guide rod 7 is increased, that is, the ratio of contact between the through hole 81h and the guide rod 7 is increased. The possibility of contamination in the furnace due to abrasion powder at the time of contact increases.
開孔板８は、フランジ部２１の外周側面から突出して設けられており、ベルジャ２の下端側に固定されている。開孔板８には、上述したように、ガイド棒７を挿通可能な貫通孔８１ｈが上下方向に貫通して設けられている。この場合、貫通孔８１ｈは、円筒状の緩衝リング部材８１により形成されており、金属製のベース板部８２を介してベルジャ２に固定されている。このように、緩衝リング部材８１は、例えば樹脂により形成されるものであり、ガイド棒７を軸方向に沿って案内できるとともに、ガイド棒７の挿通時における振動を低減することができる。これにより、ベルジャ２がクレーン等により吊られた不安定な状態でガイド棒７と開孔板８の貫通孔８１ｈとを係合させても、固定側のガイド棒７に大きな負荷を与えることなく、ベルジャ２を円滑に下降させながら、ベルジャ２と基台１との位置合わせを行うことができる。 The aperture plate 8 is provided so as to protrude from the outer peripheral side surface of the flange portion 21, and is fixed to the lower end side of the bell jar 2. As described above, the aperture plate 8 is provided with a through hole 81h that allows the guide rod 7 to be inserted therethrough in the vertical direction. In this case, the through hole 81 h is formed by a cylindrical buffer ring member 81 and is fixed to the bell jar 2 via a metal base plate portion 82. Thus, the buffer ring member 81 is formed of, for example, resin, and can guide the guide rod 7 along the axial direction and reduce vibrations when the guide rod 7 is inserted. Thereby, even if the guide rod 7 and the through hole 81h of the aperture plate 8 are engaged with each other in an unstable state where the bell jar 2 is suspended by a crane or the like, a large load is not applied to the fixed guide rod 7. The bell jar 2 and the base 1 can be aligned while the bell jar 2 is lowered smoothly.
また、貫通孔８１ｈは、ガイド棒７の円筒部７２と同様に横断面が円形に設けられており、開口孔８２ｈは、貫通孔８１ｈと同心円状の円形に設けられている。そして、ベース板部８２に設けられた開口孔８２ｈの内径Ｄ２は、貫通孔８１ｈの内径Ｄ１よりも大きく設けられており、ガイド棒７の貫通孔８１ｈへの挿通時に、ガイド棒７が金属製のベース板部８２に直接接触しにくくなっている。さらに、貫通孔８１ｈの開口縁には面取り形状が設けられており、貫通孔８１ｈにガイド棒７を挿通する際に、面取り形状によって、貫通孔８１ｈとガイド棒７との挿通を円滑に導くことができるとともに、貫通孔８１ｈとガイド棒７との挿通との挿通開始時の衝突や接触による破損を防止でき、摩耗粉の発生を抑制できる。 The through hole 81h has a circular cross section similar to the cylindrical portion 72 of the guide rod 7, and the opening hole 82h is provided in a circular shape concentric with the through hole 81h. The inner diameter D2 of the opening hole 82h provided in the base plate portion 82 is larger than the inner diameter D1 of the through hole 81h. When the guide bar 7 is inserted into the through hole 81h, the guide bar 7 is made of metal. This makes it difficult to directly contact the base plate portion 82. Furthermore, the opening edge of the through hole 81h is provided with a chamfered shape, and when the guide rod 7 is inserted into the through hole 81h, the insertion of the through hole 81h and the guide rod 7 is smoothly guided by the chamfered shape. In addition, it is possible to prevent damage due to collision or contact at the start of insertion of the through-hole 81h and the guide rod 7, and suppress generation of wear powder.
そして、ガイド棒７の外径ｄと貫通孔８１ｈの内径Ｄ１との比率（Ｄ１／ｄ）は、１．０１以上１．０６以下に設けられている。比率（Ｄ１／ｄ）が１．０１よりも小さいと、ガイド棒７が緩衝リング部材８１の内面と接触して摩耗しやすくなり、摩耗粉の発生による炉内汚染が生じやすくなる。一方、比率（Ｄ１／ｄ）が１．０６よりも大きいと、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとの間のクリアランスが大きくなり、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとを挿通させた状態においても、ベルジャ２と基台１との位置合わせに時間がかかる。 The ratio (D1 / d) between the outer diameter d of the guide rod 7 and the inner diameter D1 of the through hole 81h is set to 1.01 or more and 1.06 or less. When the ratio (D1 / d) is smaller than 1.01, the guide rod 7 is likely to be worn by contact with the inner surface of the buffer ring member 81, and contamination in the furnace due to generation of wear powder is likely to occur. On the other hand, if the ratio (D1 / d) is larger than 1.06, the clearance between the guide rod 7 and the through hole 81h is increased, and the bell jar is also inserted in the state where the guide rod 7 and the through hole 81h are inserted. It takes time to align 2 with the base 1.
また、ガイド棒７の外径ｄと開口孔８２ｈの内径Ｄ２との比率（Ｄ２／ｄ）は、１．１以上１．４以下に設けられている。比率（Ｄ２／ｄ）は、好ましくは１．２以上１．３以下に設けられる。比率（Ｄ２／ｄ）が１．１よりも小さいと、ガイド棒７と開口孔８２ｈとが接触しやすくなる。一方、比率（Ｄ２／ｄ）が１．４よりも大きいと、ベルジャ２と基台１との位置合わせに時間がかかる。 Further, the ratio (D2 / d) between the outer diameter d of the guide rod 7 and the inner diameter D2 of the opening hole 82h is set to 1.1 or more and 1.4 or less. The ratio (D2 / d) is preferably set to 1.2 or more and 1.3 or less. When the ratio (D2 / d) is smaller than 1.1, the guide rod 7 and the opening hole 82h are likely to come into contact with each other. On the other hand, if the ratio (D2 / d) is larger than 1.4, it takes time to align the bell jar 2 and the base 1.
このように、多結晶シリコン反応炉１００においては、基台１上にベルジャ２を載置する際に、図３に示すように、ベルジャ２の下降移動に伴って、基台１に設けられたガイド棒７に、ベルジャ２に設けられた開孔板８の貫通孔８１ｈを垂直方向に沿って通すことで、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとの係合により、基台１とベルジャ２との位置合わせを容易に行うことができる。また、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとの挿通状態を維持して、ガイド棒７に沿ってベルジャ２を円滑に下降させることができるので、基台１の受け部１１上の所定位置に、ベルジャ２のフランジ部２１を正確に重ね合わせることができ、受け部１１の各下側孔部１４とフランジ部２１の各上側孔部２４とを容易に連通させることができる。そして、このように受け部１１とフランジ部２１とを重ね合わせた状態で、下側孔部１４と上側孔部２４とにボルト６２の雄ねじ軸部６２ａを挿通させてナット６３により締結することで、ベルジャ２が基台１上に強固に固定にされ、炉内を閉止できる。なお、受け部１１とフランジ部２１とのそれぞれには、周方向に複数の下側孔部１４と上側孔部２４とが設けられており、それぞれの下側孔部１４各上側孔部２４とに締結される複数のボルト６２とナット６３とは均等に締結する。 As described above, in the polycrystalline silicon reactor 100, when the bell jar 2 was placed on the base 1, as shown in FIG. 3, the bell jar 2 was provided on the base 1 as the bell jar 2 moved downward. By passing the through hole 81h of the aperture plate 8 provided in the bell jar 2 along the vertical direction through the guide bar 7, the engagement between the guide bar 7 and the through hole 81h allows the base 1 and the bell jar 2 to be connected. Positioning can be performed easily. Further, since the bell jar 2 can be smoothly lowered along the guide rod 7 while maintaining the insertion state of the guide rod 7 and the through hole 81h, the bell jar 2 is placed at a predetermined position on the receiving portion 11 of the base 1. The two flange portions 21 can be accurately overlapped, and each lower hole portion 14 of the receiving portion 11 and each upper hole portion 24 of the flange portion 21 can be easily communicated with each other. And in the state which piled up the receiving part 11 and the flange part 21 in this way, by inserting the male threaded shaft part 62a of the bolt 62 into the lower hole part 14 and the upper hole part 24 and fastening with the nut 63 The bell jar 2 is firmly fixed on the base 1 and the inside of the furnace can be closed. Each of the receiving portion 11 and the flange portion 21 is provided with a plurality of lower hole portions 14 and upper hole portions 24 in the circumferential direction. The plurality of bolts 62 and nuts 63 fastened to each other are fastened evenly.
このように、本実施形態の多結晶シリコン反応炉１００においては、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとの係合により、短時間で基台１上の所定の位置にベルジャ２の載置位置の確定ができるとともに、ベルジャ２の位置合わせや位置ずれがあった場合の繰り返しの載置によるパッキン１８等の破損や変形、あるいはベルジャ２と基台１の載置面の接触や当接による基台１やベルジャ２等の破損を回避できる。これにより、多結晶シリコン反応炉１００で生成される多結晶シリコンの炉内汚染の低減や炉外への反応ガスの漏洩を防止でき、作業効率の向上とともに、炉内の汚染を低減でき、多結晶シリコンの品質低下を回避できる。 As described above, in the polycrystalline silicon reactor 100 of the present embodiment, the mounting position of the bell jar 2 is determined at a predetermined position on the base 1 in a short time by the engagement between the guide rod 7 and the through hole 81h. In addition, the base 1 may be damaged or deformed due to repeated placement when the bell jar 2 is aligned or misaligned, or contact or contact between the mounting surfaces of the bell jar 2 and the base 1. And damage to the bell jar 2 can be avoided. As a result, it is possible to reduce the contamination of the polycrystalline silicon produced in the polycrystalline silicon reactor 100 in the furnace and prevent the reaction gas from leaking to the outside of the furnace, improve the working efficiency and reduce the contamination in the furnace. Degradation of crystalline silicon quality can be avoided.
また、多結晶シリコン反応炉１００では、ガイド棒７を基台１の受け部１１よりも半径方向外側位置に設けるとともに、開孔板８をベルジャ２のフランジ部２１よりも半径方向外方に設けており、ガイド棒７と開孔板８とを多結晶シリコンを生成する炉内から離れた位置に配置しているので、ガイド棒７と開孔板８とが接触した際に摩耗粉等が発生しても、摩耗粉等を炉内に入りにくくできる。したがって、炉内汚染を抑制でき、生成する多結晶シリコンの品質汚染を低減できる。
さらに、多結晶シリコン反応炉１００では、ガイド棒７を、受け部１１の外周側面から半径方向外側に向けて少なくとも１０ｃｍ以上離れた位置に設置していることから、ガイド棒７と開孔板８との接触時に生じる摩耗粉等の炉内に入り込みを確実に防止できる。
Further, in the polycrystalline silicon reactor 100, the guide rod 7 is provided at a position radially outward from the receiving portion 11 of the base 1, and the aperture plate 8 is provided radially outward from the flange portion 21 of the bell jar 2. Since the guide rod 7 and the aperture plate 8 are arranged at positions away from the inside of the furnace for generating polycrystalline silicon, wear powder or the like is generated when the guide rod 7 and the aperture plate 8 come into contact with each other. Even if it occurs, wear powder or the like can hardly enter the furnace. Therefore, the contamination in the furnace can be suppressed, and the quality contamination of the produced polycrystalline silicon can be reduced.
Further, in the polycrystalline silicon reactor 100, the guide rod 7 is installed at a position at least 10 cm away from the outer peripheral side surface of the receiving portion 11 outward in the radial direction. It is possible to surely prevent the wear powder or the like generated during contact with the furnace from entering the furnace.
また、ガイド棒７は、基台１に着脱可能に設けられており、ベルジャ２を基台１上から撤去して、基台１上で多結晶シリコンの解体作業や、シリコン芯棒３１の組立作業等を行う際には、ガイド棒７を取り外しておくことができる。このように基台１上で作業を行う際には、ガイド棒７を必要としないことから、ガイド棒７を基台１から取り外しておくことで作業スペースを広く確保することができ、作業を円滑に進めることができる。 The guide bar 7 is detachably provided on the base 1, and the bell jar 2 is removed from the base 1, and the polycrystalline silicon is disassembled on the base 1 and the silicon core 31 is assembled. When performing work or the like, the guide rod 7 can be removed. Thus, when the work is performed on the base 1, the guide bar 7 is not required. Therefore, by removing the guide bar 7 from the base 1, it is possible to secure a wide work space and to perform the work. It can proceed smoothly.
また、多結晶シリコン反応炉１００では、ガイド棒７と係合する貫通孔８１ｈを有する開孔板８を、ベルジャ２のフランジ部２１に固定し、ベルジャ２の下端側に設けているが、より好ましくは、ベルジャ２の下端に設置することが望ましい。開孔板８をベルジャ２の下端に設けることで、ベルジャ２の下降移動時において、ガイド棒７と開孔板８の貫通孔８１ｈとを早い段階で挿通させることができ、ガイド棒７の長さを短くできる。また、ガイド棒７の長さを短くすることで、ベルジャ２を下降させる際に、ガイド棒７と開孔板８とが接触する範囲、すなわち係合する距離を短くでき、摩耗粉等の発生を低減できる。 In the polycrystalline silicon reactor 100, the aperture plate 8 having the through hole 81h that engages with the guide rod 7 is fixed to the flange portion 21 of the bell jar 2 and provided at the lower end side of the bell jar 2. Preferably, it is desirable to install at the lower end of the bell jar 2. By providing the aperture plate 8 at the lower end of the bell jar 2, the guide rod 7 and the through hole 81 h of the aperture plate 8 can be inserted at an early stage when the bell jar 2 is moved downward. You can shorten it. In addition, by shortening the length of the guide rod 7, when the bell jar 2 is lowered, the contact area between the guide rod 7 and the aperture plate 8, that is, the distance to be engaged can be shortened, and the generation of wear powder or the like. Can be reduced.
なお、本実施形態の多結晶シリコン反応炉１００では、１つのガイド棒７と１つの貫通孔８１ｈとにより１組のガイド棒７と貫通孔８１ｈとを設けているが、ガイド棒７と貫通孔８１ｈとを２つ以上の複数組設けることもできる。
また、本実施形態では、ガイド棒７を金属製としたが、金属以外の材料を用いることもできる。例えば、樹脂製のガイド棒としてもよい。また、金属製のガイド棒の場合には、表面を樹脂によりコーティングあるいは樹脂製カバー等で覆った構成としてもよい。このような構成にすることで、ガイド棒を貫通孔に挿通する際の接触による摩耗を防止でき、摩耗粉の発生を低減できる。
In the polycrystalline silicon reactor 100 of this embodiment, one guide rod 7 and one through hole 81h are provided with one guide rod 7 and one through hole 81h. It is also possible to provide two or more sets of 81h.
In the present embodiment, the guide rod 7 is made of metal, but a material other than metal can also be used. For example, a resin guide rod may be used. In the case of a metal guide rod, the surface may be coated with a resin or covered with a resin cover or the like. With such a configuration, it is possible to prevent wear due to contact when the guide rod is inserted into the through hole, and to reduce the generation of wear powder.
なお、本発明は、上記実施形態の構成のものに限定されるものではなく、細部構成においては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。 In addition, this invention is not limited to the thing of the structure of the said embodiment, In a detailed structure, it is possible to add a various change in the range which does not deviate from the meaning of this invention.
１ 基台
１１ 受け部
１４ 下側孔部
２ ベルジャ
２１ フランジ部
２４ 上側孔部
６１ 締結部
６２ ボルト
６３ ナット
７ ガイド棒
７１ 先端部
７１ａ 縮径部
７２ 円筒部
７３ 接続部
８ 開孔板
８１ 緩衝リング部材
８１ｈ 貫通孔
８２ ベース板部
８２ｈ 開口孔
９１ 支持軸部
９２，９３ アーム部
９５ ナット
１００ 多結晶シリコン反応炉
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 11 Receiving part 14 Lower hole part 2 Belger 21 Flange part 24 Upper hole part 61 Fastening part 62 Bolt 63 Nut 7 Guide rod 71 Tip part 71a Diameter reduction part 72 Cylindrical part 73 Connection part 8 Opening plate 81 Buffer ring Member 81h Through-hole 82 Base plate portion 82h Opening hole 91 Support shaft portion 92, 93 Arm portion 95 Nut 100 Polycrystalline silicon reactor
Claims (6)
該基台上に着脱可能に取り付けられているベルジャとを備える多結晶シリコン反応炉であって、
前記基台の外周部に設けられた受け部と、
前記ベルジャの下端開口縁部に設けられたフランジ部とが、
締結部により固定されており、
前記基台には、前記受け部よりも半径方向外側位置に、上下方向に延びるガイド棒が設けられ、
前記ベルジャには、前記フランジ部よりも半径方向外側位置に、前記ガイド棒が挿通可能な貫通孔を有する開孔板が設けられ、
前記基台の平面視の中心から前記ガイド棒の中心軸までの距離と、前記ベルジャの平面視の中心から前記貫通孔の中心軸までの距離とが同距離に設けられていることを特徴とする多結晶シリコン反応炉。 A base constituting the furnace bottom;
A polycrystalline silicon reactor comprising a bell jar detachably mounted on the base,
A receiving portion provided on an outer peripheral portion of the base;
A flange portion provided at a lower end opening edge of the bell jar,
It is fixed by the fastening part,
The base is provided with a guide bar extending in the vertical direction at a radially outer position than the receiving portion,
The bell jar is provided with an aperture plate having a through-hole through which the guide rod can be inserted, at a radially outer position than the flange portion.
The distance from the center of the base in plan view to the central axis of the guide rod and the distance from the center of the bell jar in plan view to the central axis of the through hole are provided at the same distance. A polycrystalline silicon reactor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015214237A JP6582883B2 (en) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | Polycrystalline silicon reactor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015214237A JP6582883B2 (en) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | Polycrystalline silicon reactor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2017081803A JP2017081803A (en) | 2017-05-18 |
| JP6582883B2 true JP6582883B2 (en) | 2019-10-02 |
Family
ID=58713863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015214237A Active JP6582883B2 (en) | 2015-10-30 | 2015-10-30 | Polycrystalline silicon reactor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6582883B2 (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020255672A1 (en) * | 2019-06-17 | 2020-12-24 | 株式会社トクヤマ | Rod-shaped body, jig, detachment method and method for manufacturing silicon rod |
| EP3984954A4 (en) * | 2019-06-17 | 2024-01-24 | Tokuyama Corporation | Rod-shaped body, jig, detachment method and method for manufacturing silicon rod |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63133519A (en) * | 1986-11-26 | 1988-06-06 | Kokusai Electric Co Ltd | Inner bell jar fixture |
| JP3826472B2 (en) * | 1996-02-08 | 2006-09-27 | 株式会社Ｓｕｍｃｏ | Single crystal manufacturing apparatus and single crystal manufacturing method using the same |
| JP2008027721A (en) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | Thermo Riko:Kk | Ultrahigh-temperature infrared heat treatment device |
-
2015
- 2015-10-30 JP JP2015214237A patent/JP6582883B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2017081803A (en) | 2017-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6582883B2 (en) | Polycrystalline silicon reactor | |
| CN106611736B (en) | Thimble mechanism and semiconductor processing equipment | |
| CN114799215A (en) | Method for controlling deformation of annular thin-wall part by selective laser melting forming | |
| KR20160101678A (en) | Method for manufacturing core barrel and core barrel | |
| CN218004788U (en) | Reaction chamber of semiconductor equipment | |
| CN103515280A (en) | Ejector pin device, lower electrode assembly, and assembly and disassembly methods of lower electrode assembly | |
| KR102594078B1 (en) | Method and apparatus for replacing sleeves lining reactor pressure vessel tubes | |
| JP6293768B2 (en) | Method for thermochemical treatment of parts while partly covering and corresponding mask | |
| US9506122B2 (en) | Blast furnace installation | |
| US9847146B2 (en) | Anti-seismic apparatus for control element drive mechanisms | |
| JPH1167424A (en) | Heater support apparatus | |
| CN217096369U (en) | Lower head welding frock | |
| KR20220020823A (en) | Rod body, jig, separation method and silicon rod manufacturing method | |
| JP5109725B2 (en) | Support structure for substrate holder for vertical heat treatment apparatus, vertical heat treatment apparatus, and method for manufacturing semiconductor device | |
| JP7536011B2 (en) | Silicon rod protection structure and method for manufacturing silicon rod | |
| JP2007155054A (en) | Mounting fixture for manhole closing device, and its mounting method | |
| KR101862947B1 (en) | Jig | |
| CN221398041U (en) | Rotary deposition device | |
| CN215757181U (en) | Adjustable internal part lifting lug and gasification furnace | |
| CN210065841U (en) | Silicon steel inner cover | |
| JP5159698B2 (en) | Shroud head temporary placement device and method of installing the same | |
| JP2002257976A (en) | Method of replacing reactor core spray sparger | |
| JP2001242278A (en) | Construction method for reinforcing reactor core spray spager | |
| JP5702997B2 (en) | Core support plate installation apparatus and core support plate installation method | |
| WO2013111582A1 (en) | Method for repairing jet pump measurement piping and repair device therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180920 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20190729 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190806 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190819 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6582883 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |